JP2001033966A - Positive type photosensitive resin composition and its use - Google Patents
Positive type photosensitive resin composition and its useInfo
- Publication number
- JP2001033966A JP2001033966A JP11205594A JP20559499A JP2001033966A JP 2001033966 A JP2001033966 A JP 2001033966A JP 11205594 A JP11205594 A JP 11205594A JP 20559499 A JP20559499 A JP 20559499A JP 2001033966 A JP2001033966 A JP 2001033966A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- photosensitive resin
- tetrakis
- resin composition
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】 本発明は、特異な構造を有
するイオン会合体化合物を光酸発生剤として現像処理に
よる溶解安定性や高い感度を示す、特に電子デバイスの
回路形成、印刷用材料等に有用なパターンを形成するポ
ジ型感光性樹脂組成物及びその用途に係わる。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an ion-associating compound having a specific structure as a photoacid generator, which exhibits high solubility and high stability by development, and is particularly useful for circuit formation of electronic devices and printing materials. The present invention relates to a positive photosensitive resin composition that forms a useful pattern and its use.
【0002】[0002]
【従来の技術及びその課題】 現在、電子デバイス等の
回路パターンの形成にはポジ型フオトレジストが広く使
用されている。これらの用途に使用されるポジ型レジス
ト組成物としては、多くの場合、アルカリ可溶性ノボラ
ツク樹脂と感光剤としてキノンジアジド化合物を組み合
わせたものが使用されている。この組成物は紫外線の照
射によりキノンジアジド基が光分解しケテンを経由して
インデンカルボン酸を形成する反応を利用している。し
かし、このキノンジアジド化合物を使用したレジスト
は、可視光反応性が弱く、非常に細密なパターンを形成
する必要がある場合、解像度が不足するなどの問題があ
る。近年、これに代わるポジ型感光性組成物として、カ
ルボキシル基を含む重合体、多ビニルエーテル化合物、
及び活性エネルギー線照射により分解して酸を発生する
化合物からなる可視光にも感光する組成物が実用化され
ている。この組成物は、それから形成された塗膜を加熱
すると、カルボキシル基とビニルエーテル基との付加反
応により架橋して、溶剤やアルカリ水溶液に対して不溶
性となり、さらに、活性エネルギー線を照射し且つ照射
後加熱すると、発生した酸の触媒作用で架橋構造が切断
されて照射部分が溶剤やアルカリ水溶液に対して再び可
溶性になるというメカニズムで機能する感光性組成物で
ある。2. Description of the Related Art At present, positive photoresists are widely used for forming circuit patterns of electronic devices and the like. As the positive resist composition used for these applications, in many cases, a combination of an alkali-soluble novolak resin and a quinonediazide compound as a photosensitive agent is used. This composition utilizes a reaction in which a quinonediazide group is photolyzed by irradiation with ultraviolet light to form indenecarboxylic acid via ketene. However, a resist using this quinonediazide compound has low visible light reactivity, and has problems such as insufficient resolution when a very fine pattern needs to be formed. In recent years, as a positive type photosensitive composition alternative to this, a polymer containing a carboxyl group, a polyvinyl ether compound,
In addition, a composition that is sensitive to visible light and is made of a compound that generates an acid by being decomposed by irradiation with active energy rays has been put to practical use. When this composition is heated, a coating film formed therefrom is cross-linked by an addition reaction between a carboxyl group and a vinyl ether group, becomes insoluble in a solvent or an aqueous alkali solution, and is further irradiated with active energy rays and irradiated. When heated, the photosensitive composition functions by a mechanism whereby the crosslinked structure is cut by the catalytic action of the generated acid and the irradiated portion becomes soluble again in a solvent or an aqueous alkaline solution.
【0003】この組成物は、キノンジアジドを感光剤と
するレジストのように吸光係数の高い官能基を多量に使
用する必要がないので、活性エネルギー線に対する透明
性を高くすることができ、また、照射部に発生する酸は
加熱時に触媒として作用し、架橋構造を連鎖的に切断す
るために、ポジ型に作用する感光性組成物としての感度
を高くすることができる等の利点を有する。[0003] This composition does not require the use of a large amount of a functional group having a high extinction coefficient unlike a resist using quinonediazide as a photosensitive agent, so that it can have high transparency to active energy rays and can be irradiated with light. The acid generated in the part acts as a catalyst at the time of heating, and has a merit that the sensitivity as a positive-working photosensitive composition can be increased since the crosslinked structure is cut in a chain.
【0004】しかし、この感光性組成物を基盤に塗布し
て加熱架橋させる際、生産性の面から、加熱時間の短縮
が求められている。そのため100℃以上の高温加熱に
よる時間短縮を試みると、該感光性組成物中に存在する
光酸発生化合物が可視光線を照射する前に酸を発生して
しまい現像するときに形成した膜全体が溶解するという
問題がある。このため当該技術分野では該感光性組成物
の溶解安定性の改良が強く望まれている。However, when the photosensitive composition is applied to a substrate and crosslinked by heating, shortening of the heating time is required from the viewpoint of productivity. Therefore, when trying to shorten the time by heating at a high temperature of 100 ° C. or more, the photo-acid generating compound present in the photosensitive composition generates an acid before irradiation with visible light, and the entire film formed at the time of development is reduced. There is a problem of dissolution. For this reason, there is a strong demand in the art for improving the dissolution stability of the photosensitive composition.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】 本発明者らは、前述の
感光性組成物が有する問題を解決する方法について鋭意
検討を重ねた結果、今回可視光線の照射により分解して
酸を発生する化合物として、特定のルテノセン化合物又
はその錯体を用い、必要に応じて増感色素と組合せて用
いることにより解決できることを見い出し、本発明を完
成するに至った。即ち、本発明は、ポジ型感光性樹脂及
び下記一般式(1)で表されるメタロセン誘導体カチオ
ンとボラート錯体アニオンとのイオン会合体化合物を光
酸発生剤として含有することを特徴とするポジ型感光性
樹脂組成物。 一般式(I) [{C5(R1)n}2mMm]l+[{B(R2)4}-]l (式中、Mは中心核遷移金属であり、C5はシクロペン
タジエニルを表し、R 1はシクロペンタジエニルの炭素
に結合する電子供与性置換基であり、nは4又は5であ
り、mは1又は2であり、lは1又は2であり、R2は
ホウ素原子(B)に配位する配位子であり、4つのR2
は同一である。)Means for Solving the Problems The present inventors have described the aforementioned
Dedicated to solving the problems of photosensitive compositions
As a result of repeated examinations, this time,
As a compound that generates an acid, a specific ruthenocene compound or
Is used in combination with a sensitizing dye if necessary.
To solve the problem and complete the present invention.
Has come to fruition. That is, the present invention relates to a positive photosensitive resin and
Metallocene derivative represented by the following general formula (1)
The ion-associated compound of
Positive photosensitivity characterized by containing as acid generator
Resin composition. General formula (I) [{CFive(R1)n}2mMm]l +[{B (RTwo)Four}-]l (Wherein M is a central nucleus transition metal;FiveIs cyclopen
Represents tadienyl, R 1Is the carbon of cyclopentadienyl
And n is 4 or 5.
M is 1 or 2, l is 1 or 2, RTwoIs
A ligand that coordinates to the boron atom (B),Two
Are the same. )
【発明の実施の形態】 以下、本発明について詳細に説
明する。本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、前記イオ
ン会合体化合物を含有するものである。本発明で使用す
る一般式(I)で表されるイオン会合体化合物は特に可
視光線の波長に極めて大きな吸収を有しており、かつ、
それらの光に非常に高感度でありポジ型感光性樹脂組成
物に適用可能な有用な材料である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail. The positive photosensitive resin composition of the present invention contains the above-mentioned ion association compound. The ion-associated compound represented by the general formula (I) used in the present invention has an extremely large absorption particularly at the wavelength of visible light, and
It is a very useful material that is very sensitive to such light and can be applied to a positive photosensitive resin composition.
【0006】なお、本発明で言う「ポジ型感光性樹脂組
成物」とは、例えば、塗料、インキ、接着剤、刷版材、
レジスト材及びこれらのものから形成される未感光被膜
等を意味する。本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、露
光により化合物が分解し現像液に溶解性を示すような、
従来から公知のポジ型感光性樹脂組成物(例えば、塗
料、インキ、接着剤、刷板材、プリント配線板用レジス
ト材で使用されているもの)に光酸発生剤を必須成分と
して含有するものである。本発明で使用する光酸発生剤
は上記一般式(I)で表されるメタロセン誘導体カチオ
ン及び同一配位子の四座ボラート錯体アニオンのイオン
会合体結晶性物質でなる。[0006] The "positive photosensitive resin composition" referred to in the present invention includes, for example, paints, inks, adhesives, plate materials,
Resist materials and unexposed films formed from these materials. The positive photosensitive resin composition of the present invention is such that the compound is decomposed by exposure and shows solubility in a developer,
A conventionally known positive photosensitive resin composition (for example, a paint, ink, an adhesive, a printing plate material, a material used in a resist material for a printed wiring board) containing a photoacid generator as an essential component. is there. The photoacid generator used in the present invention is an ion-associated crystalline substance of a metallocene derivative cation represented by the above general formula (I) and a tetradentate borate complex anion having the same ligand.
【0007】ここで、「光潜在性」とは、常温常圧の通
常の条件下では活性を示さないが、外部刺激として光が
加えられる際に活性を発揮する特性という。一般式
(I)において、電子供与性置換基(R1)は、アルキ
ル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、
シリル基、ジアルキル基などである。具体的にアルキル
基は、メチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基の
如き低級アルキル基、又はペンチル基、アミル基であ
り、シクロアルキル基はシクロブチル基、シクロペンチ
ル基、シクロヘプチル基、シクロヘキシル基である。ア
リール基はフェニル基、ナフチル基等である。シクロペ
ンタジエニルの炭素に結合する置換基(R1)は互いに
同一であってもよく、異なっていてもよい。[0007] The term "photolatent" as used herein refers to a property that exhibits no activity under normal conditions of normal temperature and normal pressure, but exhibits activity when light is applied as an external stimulus. In the general formula (I), the electron donating substituent (R 1 ) is an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkoxy group,
And a silyl group and a dialkyl group. Specifically, the alkyl group is a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group and a butyl group, or a pentyl group or an amyl group, and the cycloalkyl group is a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cycloheptyl group, or a cyclohexyl group. is there. The aryl group is a phenyl group, a naphthyl group or the like. The substituents (R 1 ) bonded to the carbon of cyclopentadienyl may be the same or different.
【0008】また、一般式(I)で表されるイオン会合
体結晶性物質を構成するメタロセン誘導体カチオンとし
ては、1分子中の1つのシクロペンタジエニル上の置換
基が、他のシクロペンタジエニル上の置換基との間で結
合している単核構造のメタロセノファンカチオン、1分
子中の1つのシクロペンタジエニル上の置換基が他の分
子中のシクロペンタジエニル上の置換基と相互に結合し
ている二核構造のジメタロセンカチオンであってもよ
い。一般式(I)における中心核遷移金属(M)は、T
i(IV)、Zr(IV)、Fe(III)、Ru(I
II)、Os(III)でなる群から選ばれるものであ
り、好ましくはFe(III)、Ru(III)、Os
(III)であり、特に好ましくはFe(III)であ
る。Further, as a metallocene derivative cation constituting the ion-associated crystalline material represented by the general formula (I), a substituent on one cyclopentadienyl in one molecule is replaced with another cyclopentadienyl. A mononuclear metallocenophane cation bound to a substituent on an enyl, a substituent on one cyclopentadienyl in one molecule is substituted on a cyclopentadienyl in another molecule May be a dinuclear metallocene cation bonded to each other. The core transition metal (M) in the general formula (I) is represented by T
i (IV), Zr (IV), Fe (III), Ru (I
II), Os (III), preferably Fe (III), Ru (III), Os
(III), particularly preferably Fe (III).
【0009】上記メタロセン誘導体カチオンの具体的な
例としては、ビス(1,2,3,4,5−ペンタメチルシク
ロペンタジエニル)鉄カチオン、ビス(1−エチル−
2,3,4,5−テトラメチルシクロペンタジエニル)鉄
カチオン、ビス(1−n−プロピル−2,3,4,5−テ
トラメチルシクロペンタジエニル)鉄カチオン、ビス
(1−フェニル−2,3,4,5−テトラメチルシクロペ
ンタジエニル)鉄カチオン、ビス(1,2,3,4,5−ペ
ンタエチルシクロペンタジエニル)鉄カチオン、ビス
(1−n−プロピル−2,3,4,5−テトラエチルシク
ロペンタジエニル)鉄カチオン、ビス(1−フェニル−
2,3,4,5−テトラエチルシクロペンタジエニル)鉄
カチオン及びオクタメチルフェロセノファン、オクタエ
チルフェロセノファン、1,2−ジパーメチルフェロセ
ニルエタン、1,2−ジパーエチルフェロセニルエタン
等がある。Specific examples of the metallocene derivative cation include bis (1,2,3,4,5-pentamethylcyclopentadienyl) iron cation and bis (1-ethyl-
2,3,4,5-tetramethylcyclopentadienyl) iron cation, bis (1-n-propyl-2,3,4,5-tetramethylcyclopentadienyl) iron cation, bis (1-phenyl-) 2,3,4,5-tetramethylcyclopentadienyl) iron cation, bis (1,2,3,4,5-pentaethylcyclopentadienyl) iron cation, bis (1-n-propyl-2, 3,4,5-tetraethylcyclopentadienyl) iron cation, bis (1-phenyl-
2,3,4,5-tetraethylcyclopentadienyl) iron cation and octamethylferrocenophane, octaethylferrocenophane, 1,2-dipermethylferrocenylethane, 1,2-diperethylferroce Nilethane and the like.
【0010】一方、本発明による光酸発生剤を構成する
イオン会合体結晶性物質の対アニオンは四座ボラート錯
体アニオン[B(R2)4]−である。式中、R2は中心
核ホウ素原子(B)に配位する配位子であり、アリール
基、ハロゲン化アリール基、ハロゲンハロホルムアリー
ル基、シクロアルキニル基、ハロゲン化シクロアルキル
基、ハロゲン化シクロアルキニル基、シクロアルキルオ
キシ基、シクロアルケニルオキシ基、アルカジエニル
基、アルカトエニル基、アルキニル基、ハロゲン化アル
ケニル基、ハロゲン化アルカジエニル基、ハロゲン化ア
ルカトエニル基、ハロゲン化アルキニル基、複素環基等
の中から選ばれるが、四つの配位子(R2)は相互に同
一である。また、隣り合う二つの配位子同士が化学的に
結合され、1つのボラート錯体アニオン中に配位子同士
をつなぐ2つの環を形成していてもよい。On the other hand, the counter anion of the ion-associated crystalline substance constituting the photoacid generator according to the present invention is a tetradentate borate complex anion [B (R 2 ) 4 ]-. In the formula, R2 is a ligand coordinated to the central boron atom (B), and is an aryl group, an aryl halide group, a halogen haloformaryl group, a cycloalkynyl group, a cycloalkyl halide group, a cycloalkynyl halide. Group, cycloalkyloxy group, cycloalkenyloxy group, alkadienyl group, alkatoenyl group, alkynyl group, halogenated alkenyl group, halogenated alkadienyl group, halogenated alkatoenyl group, halogenated alkynyl group, heterocyclic group, etc. However, the four ligands (R 2 ) are the same as each other. In addition, two adjacent ligands may be chemically bonded to each other to form two rings connecting the ligands in one borate complex anion.
【0011】上記四座配位ボラート錯体アニオンの具体
的な例としては、テトラキス(4−フルオロフェニル)
ボラートアニオン、テトラキス(4−フルオロビフェニ
ル)ボラートアニオン、テトラキス[3,5−ビス(ト
リフルオロメチル)フェニル]ボラートアニオン、テト
ラキス(3,5−ジフルオロフェニル)ボラートアニオ
ン、テトラキス[4−(トリフルオロメチル)フェニ
ル]ボラートアニオン、テトラキス(2,3,5,6−テ
トラフルオロフェニル)ボラートアニオン、テトラキス
(3,4,5−トリフルオロフェニル)ボラートアニオ
ン、テトラキス(3−フルオロプロパン)ボラートアニ
オン、テトラキス[3,5−ビス(1,1,1,3,3,3−
ヘキサフルオロ−2−メトキシ−2−プロピル)フェニ
ル]ボラートアニオン、テトラキス(2,4,6−トリフ
ルオロフェニル)ボラートアニオン、テトラキス(ノナ
フルオロブチル)ボラートアニオン、テトラキス(パー
フルオロヘキシル)ボラートアニオン、テトラキス(パ
ーフルオロペンチル)ボラートアニオン、テトラキス
(パーフルオロオクチル)ボラートアニオン、テトラキ
ス(パーフルオロ−3−メチルブチル)ボラートアニオ
ン、テトラキス(パーフルオロ−5−メチルブチル)ボ
ラートアニオン、テトラキス(ヘプタフルオロプロピ
ル)ボラートアニオン、テトラキス(3,5−ジクロロ
フェニル)ボラートアニオン、テトラキス(4−クロロ
フェニル)ボラートアニオン、テトラキス(ベンジルク
ロライド)ボラートアニオン、テトラキス(クロロベン
ジル)ボラートアニオン、テトラキス[2−(パーフル
オロブチル)エチル]ボラートアニオン、テトラキス
[2−(パーフルオロヘキシル)エチル]ボラートアニ
オン、テトラキス[2−(パーフルオロオクチル)エチ
ル]ボラートアニオン、テトラキス[2−(パーフルオ
ロ−7−メチルオクチル)エチル]ボラートアニオン、
テトラキス[2−(パーフルオロ−5−メチルヘキシ
ル)エチル]ボラートアニオン、テトラキス(2,2,
3,3−テトラフルオロプロピル)ボラートアニオン、
テトラキス(1H,1H,5H−オクタフルオロペンチ
ル)ボラートアニオン、テトラキス(1H−パーフルオ
ロヘキシル)ボラートアニオン、テトラキス(1,1−
ジフルオロエチル)ボラートアニオン、テトラキス
[3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンジル]ボラ
ートアニオン、テトラキス[4−(トリフルオロメチ
ル)ベンジル]ボラートアニオン、テトラキス(3,5
−ジフルオロベンジル)ボラートアニオン、テトラキス
(4−フルオロベンジル)ボラートアニオン、テトラキ
ス(4−エトキシフェニル)ボラートアニオン、テトラ
キス(4−メトキシフェニル)ボラートアニオン、テト
ラキス(4,5−ジメトキシフェニル)ボラートアニオ
ン、テトラキス(4−ブチルフェニル)ボラートアニオ
ン、テトラキス(第3級−ブチルフェニル)ボラートア
ニオン、テトラキス(ビフェニル)ボラートアニオン、
テトラキス(テルフェニル)ボラートアニオン、テトラ
キス(メシチル)ボラートアニオン、テトラキス(ペン
タメチルフェニル)ボラートアニオン、テトラキス
[3,5−(ジメチル)フェニル]ボラートアニオン、
テトラキス(シクロプロピル)ボラートアニオン、テト
ラキス(シクロブチル)ボラートアニオン、テトラキス
(シクロヘキシル)ボラートアニオン、テトラキス(シ
クロペンチル)ボラートアニオン、テトラキス(シクロ
オクチル)ボラートアニオン、テトラキス(フェノキシ
ブチル)ボラートアニオン等がある。A specific example of the tetradentate borate complex anion is tetrakis (4-fluorophenyl)
Borate anion, tetrakis (4-fluorobiphenyl) borate anion, tetrakis [3,5-bis (trifluoromethyl) phenyl] borate anion, tetrakis (3,5-difluorophenyl) borate anion, tetrakis [4- (Trifluoromethyl) phenyl] borate anion, tetrakis (2,3,5,6-tetrafluorophenyl) borate anion, tetrakis (3,4,5-trifluorophenyl) borate anion, tetrakis (3-fluoro Propane) borate anion, tetrakis [3,5-bis (1,1,1,1,3,3,3-
Hexafluoro-2-methoxy-2-propyl) phenyl] borate anion, tetrakis (2,4,6-trifluorophenyl) borate anion, tetrakis (nonafluorobutyl) borate anion, tetrakis (perfluorohexyl) borate Anion, tetrakis (perfluoropentyl) borate anion, tetrakis (perfluorooctyl) borate anion, tetrakis (perfluoro-3-methylbutyl) borate anion, tetrakis (perfluoro-5-methylbutyl) borate anion, tetrakis (Heptafluoropropyl) borate anion, tetrakis (3,5-dichlorophenyl) borate anion, tetrakis (4-chlorophenyl) borate anion, tetrakis (benzyl chloride) borate anion , Tetrakis (chlorobenzyl) borate anion, tetrakis [2- (perfluorobutyl) ethyl] borate anion, tetrakis [2- (perfluorohexyl) ethyl] borate anion, tetrakis [2- (perfluorooctyl) Ethyl] borate anion, tetrakis [2- (perfluoro-7-methyloctyl) ethyl] borate anion,
Tetrakis [2- (perfluoro-5-methylhexyl) ethyl] borate anion, tetrakis (2,2,
3,3-tetrafluoropropyl) borate anion,
Tetrakis (1H, 1H, 5H-octafluoropentyl) borate anion, tetrakis (1H-perfluorohexyl) borate anion, tetrakis (1,1-
Difluoroethyl) borate anion, tetrakis [3,5-bis (trifluoromethyl) benzyl] borate anion, tetrakis [4- (trifluoromethyl) benzyl] borate anion, tetrakis (3.5
-Difluorobenzyl) borate anion, tetrakis (4-fluorobenzyl) borate anion, tetrakis (4-ethoxyphenyl) borate anion, tetrakis (4-methoxyphenyl) borate anion, tetrakis (4,5-dimethoxyphenyl) Borate anion, tetrakis (4-butylphenyl) borate anion, tetrakis (tertiary-butylphenyl) borate anion, tetrakis (biphenyl) borate anion,
Tetrakis (terphenyl) borate anion, tetrakis (mesityl) borate anion, tetrakis (pentamethylphenyl) borate anion, tetrakis [3,5- (dimethyl) phenyl] borate anion,
Tetrakis (cyclopropyl) borate anion, tetrakis (cyclobutyl) borate anion, tetrakis (cyclohexyl) borate anion, tetrakis (cyclopentyl) borate anion, tetrakis (cyclooctyl) borate anion, tetrakis (phenoxybutyl) borate anion Etc.
【0012】好ましくは、テトラキス(4−フルオロフ
ェニル)ボラートアニオン、テトラキス[3,5−ビス
(トリフルオロメチル)フェニル]ボラートアニオン、
テトラキス(3,5−ジフルオロフェニル)ボラートア
ニオン、テトラキス[4−(トリフルオロメチル)フェ
ニル]ボラートアニオン、テトラキス[3,5−ビス
(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−メトキシ
−2−プロピル)フェニル]ボラートアニオン、テトラ
キス(4−クロロフェニル)ボラートアニオン、テトラ
キス(3,5−ジクロロフェニル)ボラートアニオン、
テトラキス[2−(パーフルオロブチル)エチル]ボラ
ートアニオン、テトラキス(4−フルオロビフェニル)
ボラートアニオンである。Preferably, tetrakis (4-fluorophenyl) borate anion, tetrakis [3,5-bis (trifluoromethyl) phenyl] borate anion,
Tetrakis (3,5-difluorophenyl) borate anion, tetrakis [4- (trifluoromethyl) phenyl] borate anion, tetrakis [3,5-bis (1,1,1,1,3,3,3-hexafluoro) -2-methoxy-2-propyl) phenyl] borate anion, tetrakis (4-chlorophenyl) borate anion, tetrakis (3,5-dichlorophenyl) borate anion,
Tetrakis [2- (perfluorobutyl) ethyl] borate anion, tetrakis (4-fluorobiphenyl)
It is a borate anion.
【0013】本発明による光酸発生剤を構成するイオン
会合体結晶性物質は、メタロセン誘導体カチオンのシク
ロペンタジエニルの炭素原子上に置換基が導入されてい
るため立体的にかさ高い配位子をもつことになり、中心
核遷移金属に対する活性なイオン性化合物及び原子等の
攻撃が妨げられ、又、電子供与性の置換基が多数存在す
るため、高酸化状態の中心核遷移金属は熱的に安定な状
態を保ち、さらに会合するアニオン錯体との結晶性が相
乗的に高くなる。さらに、ボラート錯体アニオンは、中
心核ホウ素原子に対して同一の4つの配位子が四面体構
造を形成するものであり、しかも配位子の母体基に対し
て側鎖基が配置されているため、アニオン錯体の分解を
招く活性な化合物及び原子などの外的要因をメタロセン
誘導体カチオンと同様に立体的に阻害し、又、配位子上
の側鎖基にハロゲン原子等の電子求引性の置換基を導入
することにより、ホウ素原子に最も接近している炭素原
子の電子密度を減少させることができ、これにより中心
核ホウ素原子を保護する効果が高い。この結果、本発明
の光酸発生剤は、ポジ型光感光性樹脂組成物中に配合さ
れた状態においても極めて良好な安定性を発揮できる。The ion-associated crystalline substance constituting the photoacid generator according to the present invention is a sterically bulky ligand because a substituent is introduced on the carbon atom of cyclopentadienyl of the metallocene derivative cation. The attack of active ionic compounds and atoms against the core transition metal is prevented, and the presence of a large number of electron donating substituents makes the core oxidation metal in a highly oxidized state thermally unstable. And the crystallinity with the associated anion complex is synergistically increased. Further, in the borate complex anion, the same four ligands form a tetrahedral structure with respect to the central boron atom, and the side chain groups are arranged with respect to the parent group of the ligand. Therefore, external factors such as active compounds and atoms that cause the decomposition of the anion complex are sterically inhibited as in the case of the metallocene derivative cation, and the side-chain group on the ligand has an electron withdrawing property such as a halogen atom. By introducing the substituent (1), the electron density of the carbon atom closest to the boron atom can be reduced, which has a high effect of protecting the central boron atom. As a result, the photoacid generator of the present invention can exhibit extremely good stability even in a state where the photoacid generator is mixed in the positive photosensitive resin composition.
【0014】次に、本発明の光酸発生剤を構成する一般
式(I)で表されるイオン会合体結晶性物質の調製法に
ついて述べる。当該イオン会合体結晶性物質は、一般式
(II) {C5(R1)n}2mMm (式中、C5、R1、m及びnは前記と同意義である)で
表されるメタロセン誘導体を、一般式(III) {B(R2)4}X (式中、B及びR2は前記と同意義であり、Xはアルカ
リ金属原子である)で表されるボラート錯体化合物と反
応させることによって調製される。このメタロセン誘導
体とボラート錯体化合物との間の反応は、酸性溶媒中、
メタロセン誘導体/ボラート錯体化合物のモル比が、モ
ノメタロセンでは1:1、ジメタロセンでは1:2であ
り、温度が常温〜100℃、好ましくは常温〜60℃で
ある条件下で行われる。使用できる酸性溶媒は3〜50
%の硫酸水溶液であり、好ましくは5〜20%の硫酸水
溶液を使用する。他の調製法としては、極性溶媒中にお
ける電極酸化法及び各種酸化剤(脱電子剤)による酸化
方法が可能である。Next, a method for preparing the ion-associated crystalline material represented by the general formula (I) constituting the photoacid generator of the present invention will be described. The ion-associated crystalline material is represented by the general formula (II) {C 5 (R 1 ) n} 2 mm M m (wherein C 5 , R 1 , m and n are as defined above). A borate complex compound represented by the general formula (III) {B (R 2 ) 4 } X (wherein B and R 2 are as defined above, and X is an alkali metal atom) And is prepared by reacting The reaction between the metallocene derivative and the borate complex compound is carried out in an acidic solvent,
The metallocene derivative / borate complex compound has a molar ratio of 1: 1 for monometallocene and 1: 2 for dimetallocene, and the reaction is carried out at a temperature of room temperature to 100 ° C, preferably room temperature to 60 ° C. The acidic solvent that can be used is 3 to 50.
% Sulfuric acid aqueous solution, preferably a 5-20% sulfuric acid aqueous solution. As other preparation methods, an electrode oxidation method in a polar solvent and an oxidation method using various oxidizing agents (deelectronizing agents) are possible.
【0015】上記反応によって得られるイオン会合体結
晶性物質の具体例としては、ビス(1,2,3,4,5−ペ
ンタメチルシクロペンタジエニル)鉄カチオン/テトラ
キス(4−フルオロフェニル)ボラートアニオン、ビス
(1,2,3,4,5−ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル)鉄カチオン/テトラキス(3,5−ジフルオロフェ
ニル)ボラートアニオン、ビス(1,2,3,4,5−ペン
タメチルシクロペンタジエニル)鉄カチオン/テトラキ
ス[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ボ
ラートアニオン、ビス(1,2,3,4,5−ペンタメチル
シクロペンタジエニル)鉄カチオン/テトラキス[4−
(トリフルオロメチル)フェニル]ボラートアニオン、
ビス(1,2,3,4,5−ペンタエチルシクロペンタジエ
ニル)鉄カチオン/テトラキス(3,5−ジフルオロフ
ェニル)ボラートアニオン、ビス(1,2,3,4,5−ペ
ンタエチルシクロペンタジエニル)鉄カチオン/テトラ
キス[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]
ボラートアニオン、ビス(1,2,3,4,5−ペンタエチ
ルシクロペンタジエニル)鉄カチオン/テトラキス[4
−(トリフルオロメチル)フェニル]ボラートアニオ
ン、オクタメチルフェロセノファンカチオン/テトラキ
ス(3,5−ジフルオロフェニル)ボラートアニオン、
オクタメチルフェロセノファンカチオン/テトラキス
[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ボラ
ートアニオンがあり、特に好ましくはビス(1,2,3,
4,5−ペンタメチルシクロペンタジエニル)鉄カチオ
ン/テトラキス(3,5−ジフルオロフェニル)ボラー
トアニオン、ビス(1,2,3,4,5−ペンタメチルシク
ロペンタジエニル)鉄カチオン/テトラキス[3,5−
ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ボラートアニオ
ンである。Specific examples of the ion-associated crystalline material obtained by the above reaction include bis (1,2,3,4,5-pentamethylcyclopentadienyl) iron cation / tetrakis (4-fluorophenyl) borate. Cation, bis (1,2,3,4,5-pentamethylcyclopentadienyl) iron cation / tetrakis (3,5-difluorophenyl) borate anion, bis (1,2,3,4,5- Pentamethylcyclopentadienyl) iron cation / tetrakis [3,5-bis (trifluoromethyl) phenyl] borate anion, bis (1,2,3,4,5-pentamethylcyclopentadienyl) iron cation / Tetrakis [4-
(Trifluoromethyl) phenyl] borate anion,
Bis (1,2,3,4,5-pentaethylcyclopentadienyl) iron cation / tetrakis (3,5-difluorophenyl) borate anion, bis (1,2,3,4,5-pentaethylcyclo) (Pentadienyl) iron cation / tetrakis [3,5-bis (trifluoromethyl) phenyl]
Borate anion, bis (1,2,3,4,5-pentaethylcyclopentadienyl) iron cation / tetrakis [4
-(Trifluoromethyl) phenyl] borate anion, octamethylferrocenophane cation / tetrakis (3,5-difluorophenyl) borate anion,
There is an octamethylferrocenophane cation / tetrakis [3,5-bis (trifluoromethyl) phenyl] borate anion, particularly preferably bis (1,2,3,
4,5-pentamethylcyclopentadienyl) iron cation / tetrakis (3,5-difluorophenyl) borate anion, bis (1,2,3,4,5-pentamethylcyclopentadienyl) iron cation / tetrakis [3,5-
Bis (trifluoromethyl) phenyl] borate anion.
【0016】これらイオン会合体結晶性物質の好ましい
1つの構造は、たとえば、立体的に嵩高い構造を有する
2つのパーアルキルシクロペンタジエンが中心核遷移金
属に対して二面構造で配置しているメタロセン誘導体カ
チオンに対して、ボラート錯体アニオンの同一の4つの
配位子の内の1つが、カチオンの中心核遷移金属に接近
して、2つのパーアルキルシクロペンタジエン配位子間
に挟まれた構造を持つものである。アニオン錯体の配位
子が置換フェニル基である場合、フェニル基のパラ位に
のみ置換基を持つ配位子よりも、3位及び5位に2つの
置換基を有する配位子の方が、カチオンの2つのパーア
ルキルシクロペンタジエン配位子の間に深く入り込み、
カチオンの中心核遷移金属をアニオン配位子の2つの置
換基が挟む形となり、より結晶性の高いイオン会合体と
なる。One preferred structure of the ion-associated crystalline material is, for example, a metallocene in which two peralkylcyclopentadienes having a sterically bulky structure are arranged in a dihedral structure with respect to a central core transition metal. For the derivative cation, a structure in which one of the same four ligands of the borate complex anion approaches the core transition metal of the cation and is sandwiched between two peralkylcyclopentadiene ligands Have. When the ligand of the anion complex is a substituted phenyl group, a ligand having two substituents at the 3- and 5-positions is better than a ligand having a substituent only at the para-position of the phenyl group. Penetrating deep between the two peralkylcyclopentadiene ligands of the cation,
A central core transition metal of the cation is sandwiched between two substituents of the anion ligand, and an ion aggregate having higher crystallinity is obtained.
【0017】本発明で使用する光酸発生剤は樹脂組成物
100重量部(固形分)に対して0.1〜20重量部、
好ましくは0.2〜10重量部の量で配合し、波長20
0〜700nm、基本的には200〜400nmの紫外
線により、通常2000〜9000mJ/cm2のエネ
ルギーを吸収する事で酸を発生する。次に、上記光酸発
生剤を配合する従来から公知のポジ型感光性樹脂組成物
について、代表的なものについて以下に述べる。該樹脂
組成物は、光酸発生剤により発生した酸成分により、樹
脂が切断されて低分子量となったり、樹脂に酸基が付与
されたり、溶解性物質(例えば、(ポリ)P−ヒドロキ
シスチレン)に変化し、これにより有機溶剤や水性現像
液に分散性もしくは溶解性を示すものとなったりするも
の等が挙げられる。これらのものとしては、例えば、
照射光によって酸基を発生する光酸発生剤を触媒として
基体樹脂(ポリマー)に脱離反応を連鎖的に生じさせて
照射部と未照射部との溶解性の変化を利用した化学増幅
系感光材料(特開平4-226461号公報、米国特許第4,491,
628号、特開昭59-45439号、特開昭63-250642号公報、Po
lymersin Electronics”Davidson T.編集.ACS Symposi
um Series 242,American Chemical Society,Washington
D.C,,1984の11頁.Hayashi,T.Ueno,M.Toriumi,etc,ACSP
olym.materialsSci.Eng.,61,417(1989)、H.Ito,C.G.Wil
son,ACS Symp.Ser.,242,11(1984)等参照);加熱によ
り溶剤やアルカリ水溶液に対して不溶性の架橋被膜を形
成し、更に光線照射により酸基を発生する光酸発生剤に
より架橋構造が切断されて照射部が溶剤やアルカリ水溶
液に対して可溶性となるメカニズムを利用したポジ型感
光性組成物(特開平6-295064号公報、特開平6-308733号
公報、特開平6-313134号公報、特開平6-313135号公報、
特開平6-313136号公報、特開平7-146552号公報等参照)
等が代表的なものとして挙げられる。The photoacid generator used in the present invention is used in an amount of 0.1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight (solid content) of the resin composition.
Preferably, it is blended in an amount of 0.2 to 10 parts by weight and has a wavelength of 20.
An acid is generated by absorbing energy of usually 2000 to 9000 mJ / cm 2 by ultraviolet rays of 0 to 700 nm, basically 200 to 400 nm. Next, typical examples of conventionally known positive-type photosensitive resin compositions containing the photoacid generator will be described below. The resin composition may be cut into low molecular weight by an acid component generated by the photoacid generator, may be provided with an acid group to the resin, or may contain a soluble substance (for example, (poly) P-hydroxystyrene). And the like, which show dispersibility or solubility in organic solvents and aqueous developers. These include, for example,
Chemical amplification-type photosensitization utilizing a change in solubility between irradiated and unirradiated parts by causing a elimination reaction to occur in a base resin (polymer) in a chain using a photoacid generator that generates an acid group by irradiation light as a catalyst. Materials (Japanese Patent Laid-Open No. 4-226461, U.S. Pat.
No. 628, JP-A-59-45439, JP-A-63-250642, Po
lymersin Electronics ”edited by Davidson T. ACS Symposi
um Series 242, American Chemical Society, Washington
DC ,, 1984, page 11; Hayashi, T. Ueno, M. Toriumi, etc, ACSP
olym.materialsSci.Eng., 61,417 (1989), H.Ito, CGWil
son, ACS Symp. Ser., 242, 11 (1984), etc.); forms a crosslinked film that is insoluble in a solvent or aqueous alkali solution by heating, and is crosslinked by a photoacid generator that generates an acid group by irradiation with light. Positive photosensitive compositions utilizing a mechanism in which the structure is cut and the irradiated part becomes soluble in a solvent or an aqueous alkaline solution (JP-A-6-295064, JP-A-6-308733, JP-A-6-313134) No., JP-A-6-313135,
(See JP-A-6-313136, JP-A-77-146552, etc.)
And the like are typical examples.
【0018】上記のものは、樹脂中で現像液に対する
溶解性を支配している官能基(水酸基、カルボキシル基
等)をブロック(酸不安定基)して不溶性とし、光酸発
生剤によりブロックを解離し、ポリマーの溶解性を復元
するものである。該水酸基(−OH基)をブロックした
酸不安定基(−ORのR基)としては、例えば、t−ブ
トキシカルボニル基(t−BOC基)、t−ブトキシ
基、t−ブトキシカルボニルメチル基、テトラヒドロピ
ラニル基、トリメチルシリル基、iso−プロポキシカ
ルボニル基等が包含される。水酸基を有する樹脂として
は、上記した効果を発揮するものであれば特に制限され
ないが、通常、フェノール性水酸基である。該酸不安定
基としては、特に、t−BOC基、t−ブトキシ基が好
ましくこのものとしては、例えば、ポリ(t−ブトキシ
カルボニルオキシスチレン)、ポリ(t−ブトキシカル
ボニルオキシ−α−スチレン)、ポリ(t−ブトキシス
チレン)及びこれらのモノマーとその他の重合性モノマ
ー(例えば、メチル(メタ)アクリル酸のC1〜24個
のアルキル又はシクロアルキルエステル類、マレイミ
ド、スルフォン等)との共重合体等が挙げられる。該t
−BOC基を含有するポリ(t−ブトキシカルボニルオ
キシスチレン)の組成物について説明すると、例えば、
光酸発生剤によって発生した酸によりt−BOC基が分
解してイソブテンと炭酸ガスが蒸発してポリスチレンと
なり、t−BOC基が水酸基に変化することにより樹脂
の極性が変化(高くなる)することにより現像液(アル
カリ水溶液)に対する溶解性が向上する性質を利用した
ものである。また、カルボキシル基(−COOH基)を
ブロックした酸不安定基(−COOR´のR´基)とし
ては、t−ブチル基を有するカルボン酸エステル誘導体
等が挙げられる。In the above-mentioned compounds, a functional group (hydroxyl group, carboxyl group, etc.) which controls solubility in a developer in a resin is blocked (acid-labile group) to make it insoluble, and the block is formed by a photoacid generator. It dissociates and restores the solubility of the polymer. Examples of the acid labile group (R group of —OR) in which the hydroxyl group (—OH group) is blocked include, for example, t-butoxycarbonyl group (t-BOC group), t-butoxy group, t-butoxycarbonylmethyl group, Examples include a tetrahydropyranyl group, a trimethylsilyl group, an iso-propoxycarbonyl group, and the like. The resin having a hydroxyl group is not particularly limited as long as it exhibits the above-mentioned effects, but is usually a phenolic hydroxyl group. The acid labile group is particularly preferably a t-BOC group or a t-butoxy group, such as poly (t-butoxycarbonyloxystyrene) or poly (t-butoxycarbonyloxy-α-styrene). , Poly (t-butoxystyrene) and copolymers of these monomers with other polymerizable monomers (eg, C1-24 alkyl or cycloalkyl esters of methyl (meth) acrylic acid, maleimide, sulfone, etc.) And the like. The t
The composition of poly- (t-butoxycarbonyloxystyrene) containing a -BOC group is described, for example, as follows.
The acid generated by the photoacid generator decomposes the t-BOC group, evaporates isobutene and carbon dioxide gas to form polystyrene, and changes (increases) the polarity of the resin by changing the t-BOC group to a hydroxyl group. This makes use of the property of improving the solubility in a developing solution (aqueous alkaline solution). Examples of the acid labile group (R ′ group of —COOR ′) in which a carboxyl group (—COOH group) is blocked include carboxylic acid ester derivatives having a t-butyl group.
【0019】また、このものの成分としては酸不安定基
を持つ樹脂及び光酸発生剤の2成分系として、また、酸
不安定基を持つ樹脂、光酸発生剤、その他の樹脂の3成
分系として使用することができる。該その他の樹脂は、
このものを使用することにより、例えば、組成物の塗装
作業性を向上させたり現像液に対する溶解性を変化させ
たりすることができる。[0019] The components of the resin include a two-component system of a resin having an acid labile group and a photoacid generator, and a three-component system of a resin having an acid labile group, a photoacid generator, and other resins. Can be used as The other resin is
By using this, for example, the coating workability of the composition can be improved or the solubility of the composition in a developer can be changed.
【0020】上記のものは、カルボキシル基及び/又
はヒドロキシフェニル基を含有する樹脂(a)、エーテ
ル結合含有オレフィン性不飽和化合物(b)、光線照射
により酸基を発生する光酸発生剤を含有してなる液状も
しくは固体状樹脂組成物である。樹脂(a)において、
カルボキシル基及びヒドロキシフェニル基の両方の基を
有する場合は、これらの基が同一分子中に有する樹脂で
あっても、これらの基が異なって含有する樹脂の混合樹
脂であってもどちらでも構わない。カルボキシル基含有
樹脂(aー1)としては、例えば、アクリル系樹脂、ポ
リエステル系樹脂等が挙げられる。上記した樹脂(aー
1)は一般に約500〜約100000、特に約150
0〜30000の数平均分子量を有していることが好ま
しく、また、カルボキシル基は樹脂1Kg当たり約0.
5〜10モル、特に約0.7〜5モルのものが好まし
い。ヒドロキシフェニル基含有樹脂(a−2)として
は、例えば、1官能又は多官能フェノール化合物、アル
キルフェノール化合物、又はそれらの混合物とホルムア
ルデヒド、アセトン等のカルボニル化合物との縮合物;
P−ヒドロキシスチレン等のヒドロキシフェニル基含有
不飽和単量体と必要に応じて上記したその他の重合性不
飽和単量体との共重合体等が挙げられる。上記した樹脂
(aー2)は一般に約500〜約100000、特に約
1500〜30000の数平均分子量を有していること
が好ましく、また、ヒドロキシフェニル基は樹脂1Kg
当たり約1.0モル以上、特に約2〜8モルが好まし
い。また、樹脂(aー1)と樹脂(a−2)とを混合し
て使用する場合には、その混合割合は90/10〜10
/90重量比で配合することが好ましい。The above resin contains a resin (a) containing a carboxyl group and / or a hydroxyphenyl group, an olefinically unsaturated compound containing an ether bond (b), and a photoacid generator that generates an acid group upon irradiation with light. Or a liquid or solid resin composition. In the resin (a),
When it has both a carboxyl group and a hydroxyphenyl group, it may be either a resin having these groups in the same molecule or a mixed resin of resins containing these groups differently. . Examples of the carboxyl group-containing resin (a-1) include an acrylic resin and a polyester resin. The above-mentioned resin (a-1) is generally used in an amount of about 500 to about 100,000, especially about 150
It preferably has a number average molecular weight of from 0 to 30,000, and the carboxyl groups are about 0.1 per kg of resin.
5 to 10 moles, especially about 0.7 to 5 moles, are preferred. Examples of the hydroxyphenyl group-containing resin (a-2) include a monofunctional or polyfunctional phenol compound, an alkylphenol compound, or a condensate of a mixture thereof with a carbonyl compound such as formaldehyde or acetone;
Examples thereof include a copolymer of an unsaturated monomer having a hydroxyphenyl group such as P-hydroxystyrene and the above-mentioned other polymerizable unsaturated monomer as required. The resin (a-2) preferably has a number average molecular weight of generally about 500 to about 100,000, especially about 1500 to 30,000.
It is preferably about 1.0 mol or more, particularly about 2 to 8 mol per mol. When the resin (a-1) and the resin (a-2) are used as a mixture, the mixing ratio is 90/10 to 10/10.
/ 90 weight ratio is preferred.
【0021】カルボキシル基及びヒドロキシフェニル基
を有する樹脂(aー3)としては、例えばカルボキシル
基含有重合性不飽和単量体((メタ)アクリル酸等)と
ヒドロキシフェニル基含有重合性不飽和単量体(ヒドロ
キシスチレン等)及び必要に応じてその他の重合性不飽
和単量体(メチル(メタ)アクリレート、エチル(メ
タ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブ
チル(メタ)アクリレート、2ーエチルヘキシル(メ
タ)アクリレート等のアクリル酸の炭素数1〜12のア
ルキルエステル、スチレン等の芳香族化合物、(メタ)
アクリロニトリル等の含窒素不飽和単量体等)との共重
合体;ヒドロキシ安息香酸類、没食子酸、レゾルシン酸
等と、又はそれらとフェノール、ナフトール類、レゾル
シン、カテコール等との混合物をホルムアルデヒドと反
応して得られるフェノール樹脂等が挙げられる。上記し
た樹脂(aー3)は一般に約500〜約100000、
特に約1500〜30000の数平均分子量を有してい
ることが好ましく、また、カルボキシル基は樹脂1Kg
当たり約0.5〜10モル、特に約0.7〜5モルのも
のが好ましい。ヒドロキシフェニル基は樹脂1Kg当た
り約1.0モル以上、特に約2〜8モルが好ましい。Examples of the resin (a-3) having a carboxyl group and a hydroxyphenyl group include a carboxyl group-containing polymerizable unsaturated monomer (such as (meth) acrylic acid) and a hydroxyphenyl group-containing polymerizable unsaturated monomer. (Hydroxystyrene, etc.) and, if necessary, other polymerizable unsaturated monomers (methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth A) C1-C12 alkyl esters of acrylic acid such as acrylate, aromatic compounds such as styrene, (meth)
Copolymers with nitrogen-containing unsaturated monomers such as acrylonitrile, etc .; hydroxybenzoic acids, gallic acid, resorcinic acid, etc., or a mixture thereof with phenol, naphthols, resorcinol, catechol, etc. with formaldehyde. And the like. The above resin (a-3) is generally about 500 to about 100,000,
In particular, it preferably has a number average molecular weight of about 1500 to 30,000, and the carboxyl group is 1 kg of resin.
About 0.5 to 10 mol, particularly about 0.7 to 5 mol, are preferred. The hydroxyphenyl group is preferably about 1.0 mol or more, particularly about 2 to 8 mol, per 1 kg of the resin.
【0022】エーテル結合含有オレフィン性不飽和化合
物(b)としては、例えば、分子末端にビニルエーテル
基、1ープロペニルエーテル基、1ーブテニルエーテル
基等の不飽和エーテル基を約1〜4個含有するものが挙
げられる。該化合物(b)は、1分子中に、式 −R″
−O−A[ここで、Aはビニル基、1ープロペニル基又
は1ーブテニルのオレフィン性不飽和基を示し、R″は
エチレン、プロピレン、ブチレンなどの炭素数1〜6の
直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基を表わす]で示
される不飽和エーテル基を少なくとも1個、好ましくは
2〜4個含有する低分子量又は高分子量の化合物であ
り、例えば、ビスフエノールA、ビスフエノールF、ビ
スフエノールS、フエノール樹脂などのポリフエノール
化合物や、エチレングリコール、プロピレングリコー
ル、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、
ペンタエリスリトールなどのポリオール類とクロロエチ
ルビニルエーテルなどのハロゲン化アルキル不飽和エー
テルとの縮合物;トリレンジイソシアネート、キシリレ
ンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネー
ト、イソホロンジイソシアネートなどのポリイソシアネ
ート化合物とヒドロキシエチルビニルエーテルのような
ヒドロキシアルキル不飽和エーテルとの反応物等が挙げ
られる。特に、上記ポリフエノール化合物とハロゲン化
アルキル不飽和エーテルとの縮合物及び芳香環をもつポ
リイソシアネート化合物とヒドロキシアルキル不飽和エ
ーテルとの反応物が、エツチング耐性、形成されるパタ
ーンの精度等の観点から好適である。該化合物(b)
は、樹脂(a)100重量部に対して、通常約5〜15
0重量部、好ましくは約10〜100重量部の範囲であ
る。(a)及び(b)成分を含有する組成物は、それか
ら形成された被膜は加熱により、カルボキシル基及び/
又はヒドロキシフェニル基と不飽和エーテル基との付加
反応により架橋して、溶剤やアルカリ水溶液に対して不
溶性となり、次いで活性エネルギー線照射し、更に照射
後加熱すると、発生した酸の触媒作用で架橋構造が切断
されて照射部が溶剤やアルカリ水溶液に対して再び可溶
性となるポジ型感光性樹脂組成物である。The olefinically unsaturated compound (b) containing an ether bond includes, for example, about 1 to 4 unsaturated ether groups such as a vinyl ether group, a 1-propenyl ether group and a 1-butenyl ether group at the molecular terminal. To do. The compound (b) has the formula -R "
—OA—where A represents a vinyl group, a 1-propenyl group or an olefinically unsaturated group of 1-butenyl, and R ″ represents a linear or branched C 1-6 carbon atom such as ethylene, propylene or butylene. A low molecular weight or high molecular weight compound containing at least one, preferably 2 to 4 unsaturated ether groups represented by the following formulas: bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S , Polyphenol compounds such as phenolic resins, ethylene glycol, propylene glycol, trimethylolpropane, trimethylolethane,
Condensation products of polyols such as pentaerythritol with alkyl halide unsaturated ethers such as chloroethyl vinyl ether; polyisocyanate compounds such as tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate and isophorone diisocyanate and hydroxy such as hydroxyethyl vinyl ether Reaction products with alkyl unsaturated ethers and the like can be mentioned. In particular, the condensate of the above-mentioned polyphenol compound and an alkyl halide unsaturated ether and the reaction product of a polyisocyanate compound having an aromatic ring and a hydroxyalkyl unsaturated ether are preferred in terms of etching resistance, precision of a formed pattern, and the like. It is suitable. The compound (b)
Is usually about 5 to 15 parts per 100 parts by weight of the resin (a).
0 parts by weight, preferably about 10 to 100 parts by weight. In the composition containing the components (a) and (b), the coating film formed therefrom is heated to form a carboxyl group and / or
Alternatively, it is cross-linked by an addition reaction between a hydroxyphenyl group and an unsaturated ether group, and becomes insoluble in a solvent or an aqueous alkali solution. Then, when irradiated with active energy rays, and further heated after irradiation, a cross-linked structure is formed by the catalytic action of the generated acid. Is a positive-type photosensitive resin composition that is cut to make the irradiated portion soluble again in a solvent or an aqueous alkaline solution.
【0023】該組成物においては、形成される膜を露光
する際に発生する酸によって酸加水分解反応が露光部分
で生じるが、この酸加水分解反応をスムーズに進行させ
るには水分が存在することが望ましい。このため本発明
の組成物中に、ポリエチレングリコール、ポリプロピレ
ングリコール、メチルセルロース、エチルセルロース等
の親水性樹脂を含有させておくことによって、形成され
る塗膜中に上記反応に必要な水分を容易に取り込ませる
ようにすることができる。かかる親水性樹脂の添加量
は、通常、樹脂成分100重量部に対して一般に20重
量部以下、好ましくは0.1〜10重量部の範囲内とす
ることができる。また、上記、に記載の光酸発生剤
は、本発明で使用するイオン会合体化合物を必須成分と
するものである。In the composition, an acid hydrolysis reaction is caused in an exposed portion by an acid generated when a film to be formed is exposed, but water must be present to allow the acid hydrolysis reaction to proceed smoothly. Is desirable. Therefore, in the composition of the present invention, by incorporating a hydrophilic resin such as polyethylene glycol, polypropylene glycol, methylcellulose, and ethylcellulose, the water required for the above reaction can be easily incorporated into the formed coating film. You can do so. The amount of the hydrophilic resin to be added can be generally 20 parts by weight or less, preferably 0.1 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the resin component. The photoacid generator described above contains the ion-associated compound used in the present invention as an essential component.
【0024】また、本発明においては、必要に応じて従
来から公知の光増感剤を使用することができる。具体的
には、例えば400〜700nmの波長領域の光(可視
光)を吸収することにより励起され、前記した樹脂や光
酸発生剤と相互作用性を有する化合物であり、シアニン
系色素、メロシアニン系色素、クマリン系色素、ホウ素
系色素等を挙げることができる。ここでいう「相互作
用」には励起された光増感剤から他の成分へのエネルギ
ー移動や電子移動などが包含される。上記シアニン系色
素及びメロシアニン系色素としては特開昭61−213
838号公報に記載されているもの、クマリン系色素と
しては特開昭61−97650号公報、特開平3−22
3759号公報に記載されているもの、ホウ素系色素と
しては、例えば特開平5−241338号公報、特開平
7−56785号公報、特開平7−225474号公
報、特開平8−6245号公報等が挙げられる。光増感
剤は、樹脂組成物100重量部(固形分)当たり0.1
〜20重量部、好ましくは0.2〜10重量部使用され
る。In the present invention, conventionally known photosensitizers can be used, if necessary. Specifically, it is a compound that is excited by absorbing light (visible light) in a wavelength region of, for example, 400 to 700 nm and has an interaction property with the above-described resin or photoacid generator, such as a cyanine dye or a merocyanine dye. Dyes, coumarin dyes, boron dyes and the like can be mentioned. The term "interaction" as used herein includes energy transfer and electron transfer from the excited photosensitizer to other components. The above-mentioned cyanine dyes and merocyanine dyes are described in JP-A-61-213.
The coumarin dyes described in JP-A No. 838 and JP-A No. 61-97650 and JP-A No. 3-22
Examples of the boron-based dyes described in Japanese Patent No. 3759, for example, JP-A-5-241338, JP-A-7-56785, JP-A-7-225474 and JP-A-8-6245. No. The photosensitizer is contained in an amount of 0.1 per 100 parts by weight (solid content) of the resin composition.
To 20 parts by weight, preferably 0.2 to 10 parts by weight.
【0025】本発明の組成物においては、上記した樹脂
以外に有機溶剤や水性現像液での溶解性を良くしたり、
また、逆に悪くしたりすることができる、水もしくは有
機溶剤に不溶性もしくは溶解(又は分散)を示す上記し
たその他の樹脂を必要に応じて配合することができる。
具体的には、例えば、フェノール系樹脂、ポリエステル
系樹脂、アクリル系樹脂、ビニル系樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂及
びこれらの2種以上の混合物もしくは変性物等が挙げら
れる。また、本発明の組成物を用いて形成される膜に適
当な可撓性、非粘着性等を付与するために、本発明の組
成物には、フタル酸エステル等の可塑剤、ポリエステル
樹脂、アクリル樹脂等を添加することができる。さら
に、本発明の組成物には、必要に応じて、流動性調節
剤、可塑剤、染料、顔料等の着色剤等を添加してもよ
い。本発明の樹脂組成物は、一般に用いられている公知
の感光性材料、例えば、塗料、インキ、接着剤、レジス
ト材(ソルダーレジスト、エッチングレジストなど)、
刷版材(平板用製版材、凸版用製版材、凹版用製版材、
オフセット印刷用PS板、グラビア製版材等)、情報記
録材料、レリーフ像作製材料等幅広い用途への使用が可
能である。In the composition of the present invention, in addition to the above-mentioned resins, the solubility in an organic solvent or an aqueous developer can be improved,
In addition, the above-mentioned other resins which are insoluble or dissolved (or dispersed) in water or an organic solvent, which can make the composition worse, can be blended as required.
Specifically, for example, a phenolic resin, a polyester resin, an acrylic resin, a vinyl resin, a vinyl acetate resin, an epoxy resin, a silicon resin, a fluorine resin, and a mixture or modified product of two or more of these resins Is mentioned. Further, in order to impart appropriate flexibility, non-adhesiveness, and the like to a film formed using the composition of the present invention, the composition of the present invention includes a plasticizer such as a phthalate ester, a polyester resin, An acrylic resin or the like can be added. Further, a coloring agent such as a fluidity regulator, a plasticizer, a dye, and a pigment may be added to the composition of the present invention, if necessary. The resin composition of the present invention is a known photosensitive material generally used, for example, paint, ink, adhesive, resist material (solder resist, etching resist, etc.),
Plate material (plate making material for flat plate, plate making material for letterpress, plate making material for intaglio,
PS plates for offset printing, gravure plate-making materials, etc.), information recording materials, relief image forming materials, etc.
【0026】次に、本発明の感光性樹脂組成物の代表的
なレジスト材(例えば、一般的なポジ型感光性レジスト
材料及び電着塗装用ポジ型レジスト材料)について説明
する。一般的なポジ型感光性レジスト材料としては、例
えば、本発明のポジ型感光性樹脂組成物を溶剤(水も含
む)に分散もしくは溶解(着色剤に顔料を用いた場合は
顔料を微分散)させて、感光液を調製し、これを支持体
上に、例えば、ローラー、ロールコーター、スピンコー
ター等のごとき塗布装置を用いて塗布し、乾燥する方法
により、これをポジ型レジスト材料として用いることが
できる。ポジ型感光性樹脂組成物を溶解もしくは分散す
るために使用する溶剤としては、例えば、ケトン類(ア
セトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン
等)、エステル類(酢酸エチル、酢酸ブチル、安息香酸
メチル、プロピオン酸メチル等)、エーテル類(テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン等)、セ
ロソルブ類(メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ジ
エチレングリコールモノメチルエーテル等)、芳香族炭
化水素(ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼ
ン等)、ハロゲン化炭化水素(クロロホルム、トリクロ
ロエチレン、ジクロロメタン等)、アルコール(エチル
アルコール、ベンジルアルコール等)、その他(ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等)、水等が挙
げられる。Next, typical resist materials (for example, a general positive photosensitive resist material and a positive resist material for electrodeposition coating) of the photosensitive resin composition of the present invention will be described. As a general positive photosensitive resist material, for example, the positive photosensitive resin composition of the present invention is dispersed or dissolved in a solvent (including water) (when a pigment is used as a coloring agent, the pigment is finely dispersed). Then, a photosensitive solution is prepared and applied to a support using a coating device such as a roller, a roll coater, or a spin coater, and dried, and then used as a positive resist material. Can be. Solvents used for dissolving or dispersing the positive photosensitive resin composition include, for example, ketones (acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, etc.), esters (ethyl acetate, butyl acetate, methyl benzoate, propionic acid) Methyl, etc.), ethers (tetrahydrofuran, dioxane, dimethoxyethane, etc.), cellosolves (methyl cellosolve, ethyl cellosolve, diethylene glycol monomethyl ether, etc.), aromatic hydrocarbons (benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, etc.), halogenated hydrocarbons (Eg, chloroform, trichloroethylene, dichloromethane), alcohols (eg, ethyl alcohol, benzyl alcohol), others (eg, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide), and water.
【0027】また、支持体としては、例えば、アルミニ
ウム、マグネシウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、鉄
等の金属またはそれらを成分とした合金のシートまたは
これらの金属で表面を処理したプリント基板、プラスチ
ック、ガラスまたはシリコーンウエハー、カーボン等が
挙げられる。また、電着塗装用ポジ型レジスト材料とし
て用いる場合には、最初に本発明のポジ型感光性樹脂組
成物を水分散化物とするか、または水溶液化物とする。
ポジ型感光性樹脂組成物の水分散化または水溶化は、
樹脂中にカルボキシル基等のアニオン性基が導入されて
いる場合にはアルカリ(中和剤)で中和するか、または
アミノ基等のカチオン性基が導入されている場合に
は、酸(中和剤)で中和することによって行われる。そ
の際に使用されるアルカリ中和剤としては、例えば、モ
ノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノ
ールアミン等のアルカノールアミン類;トリエチルアミ
ン、ジエチルアミン、モノエチルアミン、ジイソプロピ
ルアミン、トリメチルアミン、ジイソブチルアミン等の
アルキルアミン類;ジメチルアミノエタノール等のアル
キルアルカノールアミン類;シクロヘキシルアミン等の
脂環族アミン類;カセイソーダ、カセイカリ等のアルカ
リ金属水酸化物;アンモニア等が挙げられる。また、酸
中和剤としては、例えば、ギ酸、酢酸、乳酸、酪酸等の
モノカルボン酸が挙げられる。これらの中和剤は単独で
または混合して使用できる。中和剤の使用量は感光性樹
脂組成物中に含まれるイオン性基1当量当たり、一般に
0.2〜1.0当量、特に0.3〜0.8当量の範囲が
望ましい。The support may be, for example, a sheet of a metal such as aluminum, magnesium, copper, zinc, chromium, nickel, iron or the like or an alloy thereof, a printed circuit board whose surface is treated with these metals, plastic , Glass or silicone wafers, carbon and the like. When used as a positive resist material for electrodeposition coating, first, the positive photosensitive resin composition of the present invention is made into an aqueous dispersion or an aqueous solution.
Water dispersion or water solubility of the positive photosensitive resin composition is
When an anionic group such as a carboxyl group is introduced into the resin, the resin is neutralized with an alkali (neutralizing agent), or when a cationic group such as an amino group is introduced, an acid (medium) is used. This is carried out by neutralization with a humectant. Examples of the alkali neutralizer used in this case include alkanolamines such as monoethanolamine, diethanolamine, and triethanolamine; alkylamines such as triethylamine, diethylamine, monoethylamine, diisopropylamine, trimethylamine, and diisobutylamine; Alkyl alkanolamines such as dimethylaminoethanol; alicyclic amines such as cyclohexylamine; alkali metal hydroxides such as sodium hydroxide and sodium hydroxide; ammonia; Further, examples of the acid neutralizing agent include monocarboxylic acids such as formic acid, acetic acid, lactic acid, and butyric acid. These neutralizing agents can be used alone or in combination. The amount of the neutralizing agent used is generally in the range of 0.2 to 1.0 equivalent, particularly preferably 0.3 to 0.8 equivalent, per equivalent of the ionic group contained in the photosensitive resin composition.
【0028】水溶化または水分散化した樹脂成分の流動
性をさらに向上させるために、必要により、上記ポジ型
感光性樹脂組成物に親水性溶剤、例えば、メタノール、
エタノール、イソプロパノール、n−ブタノール、t−
ブタノール、メトキシエタノール、エトキシエタノー
ル、ブトキシエタノール、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等を加
えることができる。かかる親水性溶剤の使用量は、一般
には、樹脂固形成分100重量部当たり、300重量部
まで、好ましくは100重量部までとすることができ
る。また、被塗装物への塗着量を多くするため、上記ポ
ジ型感光性樹脂組成物に対し、疎水性溶剤、例えば、ト
ルエン、キシレン等の石油系溶剤;メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン等のケトン類;酢酸エチ
ル、酢酸ブチル等のエステル類;2−エチルヘキシルア
ルコール、ベンジルアルコール等のアルコール類等も加
えることができる。これらの疎水性溶剤の配合量は、樹
脂固形成分100重量部当たり、通常、200重量部ま
で、好ましくは、100重量部以下とすることができ
る。In order to further improve the fluidity of the water-soluble or water-dispersed resin component, if necessary, a hydrophilic solvent, for example, methanol, may be added to the positive photosensitive resin composition.
Ethanol, isopropanol, n-butanol, t-
Butanol, methoxyethanol, ethoxyethanol, butoxyethanol, diethylene glycol monomethyl ether, dioxane, tetrahydrofuran and the like can be added. The amount of the hydrophilic solvent to be used can be generally up to 300 parts by weight, preferably up to 100 parts by weight, per 100 parts by weight of the resin solid component. Further, in order to increase the amount of coating on the object to be coated, a hydrophobic solvent, for example, a petroleum solvent such as toluene and xylene; a ketone such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone is added to the positive photosensitive resin composition. Esters such as ethyl acetate and butyl acetate; and alcohols such as 2-ethylhexyl alcohol and benzyl alcohol. The compounding amount of these hydrophobic solvents can be generally up to 200 parts by weight, preferably 100 parts by weight or less, per 100 parts by weight of the resin solid component.
【0029】電着塗料としてポジ型感光性樹脂組成物の
調製は、従来から公知の方法で行うことができる。例え
ば、前記の中和により水溶化された樹脂、光酸発生剤、
光増感剤、さらに必要に応じ、溶剤およびその他の成分
をよく混合し、水を加えることにより調製することがで
きる。このようにして調製された組成物は、通常の方法
で、さらに水で希釈し、例えば、pHが4〜9の範囲内、
浴濃度(固形分濃度)3〜25重量%、好ましくは5〜
15重量%の範囲内の電着塗料(または電着浴)とする
ことができる。上記のようにして調製された電着塗料
は、次のようにして被塗物である導体表面に塗装するこ
とができる。すなわち、まず、浴のpHおよび浴濃度を上
記の範囲に調整し、浴温度を15〜40℃、好ましくは
15〜30℃に管理する。次いで、このように管理され
た電着塗装浴に、塗装されるべき導体を電着塗料がアニ
オン型の場合には陽極として、また、カチオン型の場合
には陰極として、浸漬、5〜200Vの直流電流を通電
する。通電時間は10秒〜5分が適当である。得られる
膜厚は乾燥膜厚で、一般に0.5〜50μm 、好適に
は、1〜20μm である。電着塗装後、電着浴から被塗
物を引き上げ水洗いした後、電着塗膜中に含まれる水分
等を熱風等で乾燥、除去する(組成物として、(a)及
び(b)を使用した場合には、塗布された基板を、カル
ボキシル基及び/又はヒドロキシフェニル基含有重合体
とビニルエーテル基含有化合物との間で架橋反応が実質
的に起る温度及び時間条件下、例えば、約60〜約15
0℃の温度で約1分〜約30分間加熱して、塗膜を架橋
硬化させる)。The preparation of the positive photosensitive resin composition as an electrodeposition paint can be carried out by a conventionally known method. For example, a resin water-soluble by the neutralization, a photoacid generator,
It can be prepared by thoroughly mixing a photosensitizer, and if necessary, a solvent and other components, and adding water. The composition thus prepared is further diluted with water in the usual manner, for example, with a pH in the range of 4-9,
Bath concentration (solids concentration) 3-25% by weight, preferably 5-5%
An electrodeposition paint (or electrodeposition bath) in the range of 15% by weight can be obtained. The electrodeposition paint prepared as described above can be applied to the surface of a conductor to be coated as follows. That is, first, the pH and bath concentration of the bath are adjusted to the above ranges, and the bath temperature is controlled at 15 to 40 ° C, preferably 15 to 30 ° C. Next, in the electrodeposition coating bath controlled in this way, the conductor to be coated is immersed in a conductor to be coated as an anode when the electrodeposition coating is of an anionic type and as a cathode when the electrodeposition coating is of a cationic type. Apply DC current. An appropriate energization time is 10 seconds to 5 minutes. The film thickness obtained is a dry film thickness, generally from 0.5 to 50 μm, preferably from 1 to 20 μm. After the electrodeposition coating, the object to be coated is pulled up from the electrodeposition bath and washed with water, and then the water and the like contained in the electrodeposition coating film are dried and removed with hot air or the like (the compositions (a) and (b) are used). In such a case, the coated substrate is subjected to a temperature and a time under which a crosslinking reaction between the carboxyl group and / or hydroxyphenyl group-containing polymer and the vinyl ether group-containing compound substantially occurs, for example, about 60 to 60 About 15
Heat at a temperature of 0 ° C. for about 1 minute to about 30 minutes to crosslink and cure the coating).
【0030】導体としては、金属、カーボン、酸化錫等
の導電性材料またはこれらを積層、メッキ等によりプラ
スチック、ガラス表面に固着させたものが使用できる。
上記のようにして導体表面に形成されるレジスト材料、
および、電着塗装によって得られるレジスト電着塗膜
は、画像に応じて、露光し、分解させ、露光部を現像処
理によって除去することにより、画像を形成することが
できる。露光のための光源としては、超高圧、高圧、中
圧、低圧の水銀灯、ケミカルランプ、カーボンアーク
灯、キセノン灯、メタルハライド灯、蛍光灯、タングス
テン灯、太陽光等の各光源により得られる光源や紫外カ
ットフィルターによりカットした可視領域の光線や、可
視領域に発振線を持つ各種レーザー等が使用できる。高
出力で安定なレーザー光源として、アルゴンレーザー、
あるいはYAGレーザーの第二高調波(532nm)が
好ましい。現像処理は、露光部膜がアニオン性の場合に
はアルカリ水溶液を用いて、また、カチオン性の場合に
はpH5以下の酸水溶液を用いて洗い流すことにより行わ
れる。アルカリ水溶液は通常、カセイソーダ、炭酸ソー
ダ、カセイカリ、アンモニア水等塗膜中に有する遊離の
カルボン酸と中和して水溶性を与えることのできるもの
が、また、酸水溶液は酢酸、ギ酸、乳酸等が使用可能で
ある。また、イオン性基を持たない感光性樹脂の場合の
現像処理は、1,1,1−トリクロロエタン、トリクレ
ン、メチルエチルケトン、塩化メチレン等の溶剤を使っ
て露光部を溶解することによって行う。現像した後の塗
膜は、水洗後、熱風等により乾燥され、導体上に目的と
する画像が形成される。また、必要に応じて、エッチン
グを施し、露出した導体部を除去した後、レジスト膜を
除去し、プリント回路板の製造を行うこともできる。As the conductor, a conductive material such as metal, carbon, tin oxide or the like, or a material in which these are fixed to the surface of plastic or glass by lamination, plating or the like can be used.
Resist material formed on the conductor surface as described above,
Further, the resist electrodeposition coating film obtained by electrodeposition coating can be exposed and decomposed in accordance with the image, and an image can be formed by removing the exposed portion by a developing treatment. Light sources for exposure include light sources obtained from light sources such as ultra-high pressure, high pressure, medium pressure, and low pressure mercury lamps, chemical lamps, carbon arc lamps, xenon lamps, metal halide lamps, fluorescent lamps, tungsten lamps, and sunlight. Light in the visible region cut by an ultraviolet cut filter, various lasers having an oscillation line in the visible region, and the like can be used. Argon laser, as a high power and stable laser light source,
Alternatively, the second harmonic (532 nm) of a YAG laser is preferable. The development treatment is performed by washing with an aqueous alkali solution when the exposed portion film is anionic, and with an aqueous acid solution having a pH of 5 or less when the exposed portion film is cationic. Alkaline aqueous solutions that can be neutralized with free carboxylic acids in the coating film, such as sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium hydroxide, aqueous ammonia, etc., to give water solubility, and acid aqueous solutions are acetic acid, formic acid, lactic acid, etc. Can be used. In the case of a photosensitive resin having no ionic group, development processing is performed by dissolving the exposed portion using a solvent such as 1,1,1-trichloroethane, tricrene, methyl ethyl ketone, or methylene chloride. The coated film after development is washed with water and dried with hot air or the like, so that a desired image is formed on the conductor. If necessary, the printed circuit board can be manufactured by performing etching to remove the exposed conductor portion, and then removing the resist film.
【0031】組成物として、(a)及び(b)を使用し
た場合には、光線が照射された基板を該照射により発生
した酸の存在下で前記硬化塗膜の架橋構造の切断が生ず
るような温度及び時間条件下、例えば、約60〜約15
0℃の温度で約1〜約30分間加熱し、照射部分の塗膜
の架橋構造を実質的に切断する。その際好適には、光線
が照射された基板を予め水と接触させる。水との接触に
よって酸が発生しやすくなり、次の架橋構造の切断反応
が容易になる。水との接触は基板を常温水又は温水中に
浸漬するか、水蒸気を吹付けることにより行うことがで
きる。When (a) and (b) are used as the composition, the cross-linked structure of the cured coating film is cut off in the presence of the acid generated by the irradiation of the light-irradiated substrate. Temperature and time conditions, for example, about 60 to about 15
The coating is heated at a temperature of 0 ° C. for about 1 to about 30 minutes to substantially cut the crosslinked structure of the coating film on the irradiated portion. In this case, preferably, the substrate irradiated with the light beam is brought into contact with water in advance. An acid is easily generated by contact with water, and the subsequent cleavage reaction of the crosslinked structure is facilitated. The contact with water can be performed by immersing the substrate in normal temperature water or hot water, or by spraying water vapor.
【0032】本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、上記
した以外に、例えば、カバーフィルム層となるポリエチ
レンテレフタレート等のポリエステル樹脂、アクリル樹
脂、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル樹脂等の透明樹脂フ
ィルム上に、本発明の組成物をロールコ−タ、ブレ−ド
コ−タ、カーテンフロ−コータ等を使用して塗布し、乾
燥してレジスト被膜(乾燥膜厚約0.5〜5μm)を形
成した後、該被膜表面に保護フィルムを貼り付けたドラ
イフィルムレジストとして使用することができる。この
ようなドライフィルムレジストは、保護フィルムを剥離
した後、レジスト被膜が面接するように支持体に熱圧着
させる等の方法で接着してレジスト被膜を形成すること
ができる。該レジスト被膜は上記した電着塗膜と同様の
方法で、画像に応じて、露光し、現像処理することによ
り画像を形成することができる。In addition to the above, the positive photosensitive resin composition of the present invention can be used, for example, on a transparent resin film such as a polyester resin such as polyethylene terephthalate, an acrylic resin, polyethylene, or a polyvinyl chloride resin to be a cover film layer. The composition of the present invention is applied using a roll coater, blade coater, curtain flow coater, or the like, and dried to form a resist film (dry film thickness of about 0.5 to 5 μm). It can be used as a dry film resist having a protective film attached to the surface of the coating. Such a dry film resist can be formed by peeling off the protective film and then bonding the resist film to a support by thermocompression bonding so that the resist film comes into contact with the support film to form a resist film. The resist film can be exposed and developed according to the image in the same manner as the above-mentioned electrodeposition coating film to form an image.
【0033】[0033]
【実施例】本発明について実施例を掲げて詳細に説明す
る。尚、実施例及び比較例の「部」は「重量部」を示
す。 実施例1 テトラヒドロフラン200部、Pーヒドロキシスチレン
65部、n−ブチルアクリレート28部、アクリル酸1
1部及びアゾビスイソブチロニトリル3部の混合物を1
00℃で2時間反応させて得られた反応物を1500c
cのトルエン溶剤中に注ぎ込み、反応物を沈殿、分離し
た後、沈殿物を60℃で乾燥して分子量約5200、ヒ
ドロキシフェニル基含有量4.6モル/Kgの感光性樹
脂を得た。次いでこのもの100部にジビニルエーテル
化合物(ビスフェノール化合物1モルと2ークロロエチ
ルビニルエーテル2モルとの縮合物)60部、下記の光
酸発生剤A10部及び光増感色素(NKX−1595、
(株)日本感光色素研究所社製、商品名)1.5部の配
合物をジエチレングリコールジメチルエーテルに溶解し
て固形分20%に調整して感光液を得た。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail with reference to embodiments. In the examples and comparative examples, “parts” indicates “parts by weight”. Example 1 200 parts of tetrahydrofuran, 65 parts of P-hydroxystyrene, 28 parts of n-butyl acrylate, acrylic acid 1
1 part and 3 parts of azobisisobutyronitrile are mixed with 1 part
The reaction product obtained by reacting at 00 ° C. for 2 hours is 1500 c
The resulting mixture was poured into a toluene solvent (c) to precipitate and separate the reaction product. The precipitate was dried at 60 ° C. to obtain a photosensitive resin having a molecular weight of about 5200 and a hydroxyphenyl group content of 4.6 mol / Kg. Next, 60 parts of a divinyl ether compound (condensate of 1 mol of a bisphenol compound and 2 mol of 2-chloroethyl vinyl ether), 10 parts of the following photoacid generator A and a photosensitizing dye (NKX-1595,
A photosensitive solution was obtained by dissolving 1.5 parts of a compound (trade name, manufactured by Nippon Kosoku Dye Laboratories Co., Ltd.) in diethylene glycol dimethyl ether to a solid content of 20%.
【0034】次いで、この感光液を乾燥膜厚が5μmに
なるように、銅張積層板上に、スピンコーターを用いて
塗布した後、120℃で8分間加熱させてレジスト被膜
を形成した。この基板にポジ型パターンマスクを介して
15mJ/cm2 強度のアルゴンレーザーを、上記の
感光層に光照射し、120℃で10分間加熱した後、1
%炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像した。可視光線照
射量に対する現像後の膜の残存を調べた結果、コントラ
ストに優れた被膜を形成し、未露光部分の膜の減少、膨
潤は全く見られなかつた。また、感光層を室温で6ヶ月
間放置した後に、同様の評価を行ったところ、前記の感
光感度に変化は認められなかった。Next, this photosensitive solution was applied on a copper-clad laminate using a spin coater so that the dry film thickness became 5 μm, and heated at 120 ° C. for 8 minutes to form a resist film. The substrate was irradiated with an argon laser having an intensity of 15 mJ / cm 2 via a positive pattern mask, and the substrate was heated at 120 ° C. for 10 minutes.
% Aqueous sodium carbonate solution. As a result of examining the residual film after the development with respect to the irradiation amount of visible light, a film having excellent contrast was formed, and the reduction and swelling of the film in the unexposed portion were not observed at all. The same evaluation was performed after the photosensitive layer was left at room temperature for 6 months. As a result, no change was found in the above-mentioned sensitivity.
【0035】光酸発生剤A(デカメチルフェロセン/テ
トラキス(3,5−ジフルオロフェニル)ボラート)の
合成 乾燥した容量300mlのパイレックス製ナス形フラス
コに磁性撹拌子を入れ、市販のデカメチルフェロセン
(アルドリッチ社製)1gを濃硫酸10gに加え、室温
にて16時間撹拌した後、純水100mlを少しずつ加
え、容器を冷却し、PTFE濾紙にて濾過した。濾液を
撹拌しながら、水浴にて60℃まで加熱し、テトラキス
(3,5−ジフルオロフェニル)ボラートナトリウム塩
1.49gのエタノール溶液5mlを加えたところ、青
緑色の結晶が析出した。 析出物を濾取し、純水にて洗
浄し、エバポレーターにて乾燥後、トルエンで洗浄、再
度エバポレーターにて乾燥した。デカメチルフェロセン
/テトラキス(3,5−ジフルオロフェニル)ボラート
1.40g(収率58%)を得た。Synthesis of photoacid generator A (decamethylferrocene / tetrakis (3,5-difluorophenyl) borate) A magnetic stirrer was placed in a dried Pyrex eggplant-shaped flask having a capacity of 300 ml, and commercially available decamethylferrocene (Aldrich) was added. 1 g of concentrated sulfuric acid was added to 10 g of concentrated sulfuric acid, and the mixture was stirred at room temperature for 16 hours. Then, 100 ml of pure water was added little by little, the vessel was cooled, and filtered with PTFE filter paper. The filtrate was heated to 60 ° C. in a water bath while stirring, and a solution of 1.49 g of sodium tetrakis (3,5-difluorophenyl) borate in 5 ml of ethanol was added, whereby blue-green crystals were precipitated. The precipitate was collected by filtration, washed with pure water, dried with an evaporator, washed with toluene, and dried again with an evaporator. 1.40 g (58% yield) of decamethylferrocene / tetrakis (3,5-difluorophenyl) borate was obtained.
【0036】実施例2 実施例1において光酸発生剤として下記光酸発生剤Bを
使用した以外は実施例1と同様にして製造、膜形成及び
性能試験を行なった。その結果、コントラストに優れた
被膜を形成し、未露光部分の膜の減少、膨潤は全く見ら
れなかつた。また、感光層を室温で6ヶ月間放置した後
に、同様の評価を行ったところ、前記の感光感度に変化
は認められなかった。Example 2 Production, film formation and performance tests were carried out in the same manner as in Example 1 except that the following photoacid generator B was used as the photoacid generator. As a result, a film having excellent contrast was formed, and no decrease or swelling of the film in the unexposed portion was not observed at all. The same evaluation was performed after the photosensitive layer was left at room temperature for 6 months. As a result, no change was found in the above-mentioned sensitivity.
【0037】光酸発生剤B(デカメチルフェロセン/テ
トラキス(4−クロロフェニル)ボラート)の合成 光酸発生剤Aで製造したと同様の装置を用い、デカメチ
ルフェロセン1gを濃硫酸10gに加え、室温にて16
時間撹拌した後、純水100mlを少しずつ加え、容器
を冷却し、PTFE濾紙にて濾過し、濾液を撹拌しなが
ら水浴にて60℃まで加熱し、テトラキス(4−クロロ
フェニル)ボラートカリウム塩(同仁化学研究所(株)
製)1.52gのエタノール溶液5mlを加えたとこ
ろ、青緑色結晶が析出した。析出物を濾取し、純水にて
洗浄し、エバポレーターにて乾燥後、トルエンで洗浄
し、再度エバポレーターにて乾燥した。デカメチルフェ
ロセン/テトラキス(4−クロロフェニル)ボラート
1.26g(収率52.62%)を得た。Synthesis of Photoacid Generator B (Decamethylferrocene / Tetrakis (4-chlorophenyl) borate) 1 g of decamethylferrocene was added to 10 g of concentrated sulfuric acid using the same apparatus as that produced for the photoacid generator A. At 16
After stirring for 100 hours, 100 ml of pure water was added little by little, the vessel was cooled, filtered through PTFE filter paper, and the filtrate was heated to 60 ° C. in a water bath with stirring, and tetrakis (4-chlorophenyl) borate potassium salt ( Dojin Chemical Laboratory Co., Ltd.
When 1.52 g of an ethanol solution (5 ml) was added, blue-green crystals precipitated. The precipitate was collected by filtration, washed with pure water, dried with an evaporator, washed with toluene, and dried again with an evaporator. 1.26 g (52.62% yield) of decamethylferrocene / tetrakis (4-chlorophenyl) borate were obtained.
【0038】実施例3 実施例1において光酸発生剤として下記光酸発生剤Cを
使用した以外は実施例1と同様にして製造、膜形成及び
性能試験を行なった。その結果、コントラストに優れた
被膜を形成し、未露光部分の膜の減少、膨潤は全く見ら
れなかつた。また、感光層を室温で6ヶ月間放置した後
に、同様の評価を行ったところ、前記の感光感度に変化
は認められなかった。 光酸発生剤C(デカメチルフェロセン/テトラキス(ビ
フェニル)ボラート)の合成 光酸発生剤Aで製造したと同様の装置を用いデカメチル
フェロセン1gを濃硫酸5gに加え、室温にて16時間
撹拌した後、純水100mlを少しずつ加え、容器を冷
却し、PTFE濾紙にて濾過し、濾液を撹拌しながら室
温にてテトラキス(ビフェニル)ボラートナトリウム塩
1.98gのエタノール溶液5mlを加えたところ、青
緑色結晶が析出した。析出物を濾取し、純水にて洗浄
し、エバポレーターにて乾燥後、トルエンで洗浄し、再
度エバポレーターにて乾燥した。デカメチルフェロセン
/テトラキス(ビフェニル)ボラート1.54g(収率
53%)を得た。Example 3 A production, film formation and performance test were carried out in the same manner as in Example 1 except that the following photoacid generator C was used as the photoacid generator. As a result, a film having excellent contrast was formed, and no decrease or swelling of the film in the unexposed portion was not observed at all. The same evaluation was performed after the photosensitive layer was left at room temperature for 6 months. As a result, no change was found in the above-mentioned sensitivity. Synthesis of photoacid generator C (decamethylferrocene / tetrakis (biphenyl) borate) 1 g of decamethylferrocene was added to 5 g of concentrated sulfuric acid using the same apparatus as that produced for photoacid generator A, followed by stirring at room temperature for 16 hours. Thereafter, 100 ml of pure water was added little by little, the vessel was cooled, filtered through PTFE filter paper, and 5 ml of an ethanol solution of 1.98 g of tetrakis (biphenyl) borate sodium salt was added at room temperature while stirring the filtrate. Blue-green crystals precipitated. The precipitate was collected by filtration, washed with pure water, dried with an evaporator, washed with toluene, and dried again with an evaporator. 1.54 g (yield 53%) of decamethylferrocene / tetrakis (biphenyl) borate was obtained.
【0039】実施例4 実施例1で得られた感光液100部(固形分)にカルボ
キシル基に対してトリエチルアミン0.8当量を混合攪
拌した後、脱イオン水中に分散して水分散樹脂溶液(固
形分15%)を得た。得られた水分散樹脂溶液を電着塗
装浴として、積層銅板を陽極とし、乾燥膜厚が5μmと
なるようにアニオン電着塗装を行った後、水洗し、12
0℃で8分間加熱し、得られた基板にポジ型パターンマ
スクを介して15mJ/cm2 強度のアルゴンレーザ
ーを、上記の感光層に光照射し、120℃で10分間加
熱した後、1%炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像し
た。可視光線照射量に対する現像後の膜の残存を調べた
結果、コントラストに優れた被膜を形成し、未露光部分
の膜の減少、膨潤は全く見られなかつた。また、感光層
を室温で6ヶ月間放置した後に、同様の評価を行ったと
ころ、前記の感光感度に変化は認められなかった。Example 4 100 parts (solid content) of the photosensitive solution obtained in Example 1 was mixed with 0.8 equivalent of triethylamine based on a carboxyl group and stirred, and then dispersed in deionized water to obtain a water-dispersed resin solution ( (Solid content 15%). The resulting water-dispersed resin solution was used as an electrodeposition coating bath, an anion electrodeposition coating was performed using a laminated copper plate as an anode to a dry film thickness of 5 μm, followed by washing with water.
The substrate was heated at 0 ° C. for 8 minutes, and the obtained substrate was irradiated with a 15 mJ / cm 2 intensity argon laser through a positive pattern mask to the photosensitive layer. Development was performed using an aqueous solution of sodium carbonate. As a result of examining the residual film after the development with respect to the irradiation amount of visible light, a film having excellent contrast was formed, and the reduction and swelling of the film in the unexposed portion were not observed at all. The same evaluation was performed after the photosensitive layer was left at room temperature for 6 months. As a result, no change was found in the above-mentioned sensitivity.
【0040】実施例5 実施例1において光増感色素(NKX−1595、
(株)日本感光色素研究所社製、商品名)に代えて下記
のものを使用した以外は実施例1と同様にして感光液を
得た。次いで、この感光液を乾燥膜厚が5μmになるよ
うに、銅張積層板上に、スピンコーターを用いて塗布し
た後、120℃で8分間加熱させてレジスト被膜を形成
した。この基板にYAGレーザーの第2高調波(532
nm)を直接照射上記の感光層に光照射し、120℃で
10分間加熱した後、1%炭酸ナトリウム水溶液を用い
て現像した。可視光線照射量に対する現像後の膜の残存
を調べた結果、コントラストに優れた被膜を形成し、未
露光部分の膜の減少、膨潤は全く見られなかつた。ま
た、感光層を室温で6ヶ月間放置した後に、同様の評価
を行ったところ、前記の感光感度に変化は認められなか
った。Example 5 A photosensitizing dye (NKX-1595,
A photosensitive solution was obtained in the same manner as in Example 1 except that the following was used in place of Japan Sensitive Dye Laboratories, Inc. (trade name). Next, this photosensitive liquid was applied on a copper-clad laminate using a spin coater so that the dry film thickness became 5 μm, and heated at 120 ° C. for 8 minutes to form a resist film. The second harmonic of the YAG laser (532
The above photosensitive layer was irradiated with light, heated at 120 ° C. for 10 minutes, and then developed using a 1% aqueous sodium carbonate solution. As a result of examining the residual film after the development with respect to the irradiation amount of visible light, a film having excellent contrast was formed, and the reduction and swelling of the film in the unexposed portion were not observed at all. The same evaluation was performed after the photosensitive layer was left at room temperature for 6 months. As a result, no change was found in the above-mentioned sensitivity.
【0041】[0041]
【化1】 比較例1 実施例1において、光酸発生剤としてフェロセン5部を
使用した以外は実施例1と同様にして感光液を調整し
た。これを用いて、実施例1と同様に感光層を形成し、
120℃で8分間加熱し、得られた基板にポジ型パター
ンマスクを介して5mJ/cm2 強度のアルゴンレー
ザーを、上記の感光層に光照射し、120℃で10分間
加熱した後、1%炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像し
た。可視光線照射量に対する現像後の膜の残存を調べた
結果、被膜が溶解せずに悪かった。Embedded image Comparative Example 1 A photosensitive solution was prepared in the same manner as in Example 1, except that 5 parts of ferrocene was used as the photoacid generator. Using this, a photosensitive layer was formed in the same manner as in Example 1,
The substrate was heated at 120 ° C. for 8 minutes, and the obtained substrate was irradiated with a 5 mJ / cm 2 intensity argon laser through a positive pattern mask onto the photosensitive layer, and heated at 120 ° C. for 10 minutes. Development was performed using an aqueous solution of sodium carbonate. As a result of examining the residual amount of the film after the development with respect to the amount of visible light irradiation, the film was not dissolved and was poor.
【0042】[0042]
【発明の効果】 本発明において、特定の化合物を光酸
発生剤として含有するポジ型可視光感光性樹脂組成物は
実用上極めて有用性の高い組成物である。従来、光分解
反応を用いた情報記録の分野で、コンピューターによっ
て電子編集された原稿を、そのまま直接レーザーを用い
て出力し記録する方式では、感光層の経時安定性が低
く、また、感度が低く、溶解性、保存安定性等の問題が
あった。しかし、本発明のポジ型可視光感光性樹脂組成
物は、樹脂と光酸発生剤の相溶性が極めてよく、かつ、
汎用の塗布溶液に溶解し、支持体上で均一、かつ、経時
保存安定性に優れた塗面を得ることができる。EFFECT OF THE INVENTION In the present invention, a positive visible light-sensitive resin composition containing a specific compound as a photoacid generator is a composition having extremely high practical utility. Conventionally, in the field of information recording using the photolysis reaction, the method of directly outputting and recording the original electronically edited by a computer directly using a laser in the field of information recording using photolysis reaction, the stability of the photosensitive layer over time is low, and the sensitivity is low. , Solubility and storage stability. However, the positive visible light-sensitive resin composition of the present invention has extremely good compatibility between the resin and the photoacid generator, and
It can be dissolved in a general-purpose coating solution to obtain a coated surface which is uniform on a support and has excellent storage stability over time.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H025 AA00 AA01 AA04 AB01 AB11 AB15 AB17 AB20 AC01 AC08 AD03 BE00 BE07 CA00 CA42 CB41 CB43 CB45 CB52 FA15 FA17 4J011 QA09 QA33 QA34 QA35 RA03 RA10 RA11 RA12 SA86 SA87 UA01 UA02 WA01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H025 AA00 AA01 AA04 AB01 AB11 AB15 AB17 AB20 AC01 AC08 AD03 BE00 BE07 CA00 CA42 CB41 CB43 CB45 CB52 FA15 FA17 4J011 QA09 QA33 QA34 QA35 RA03 RA10 RA11 RA12 SA86 SA87 UA01 UA01
Claims (4)
で表されるメタロセン誘導体カチオンとボラート錯体ア
ニオンとのイオン会合体化合物を光酸発生剤として含有
することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。 一般式(I) [{C5(R1)n}2mMm]l+[{B(R2)4}-]l (式中、Mは中心核遷移金属であり、C5はシクロペン
タジエニルを表し、R 1はシクロペンタジエニルの炭素
に結合する電子供与性置換基であり、nは4又は5であ
り、mは1又は2であり、lは1又は2であり、R2は
ホウ素原子(B)に配位する配位子であり、4つのR2
は同一である。)1. A positive photosensitive resin and the following general formula (1)
Metallocene derivative cation and borate complex
Includes ion-associated compound with nion as photoacid generator
A positive photosensitive resin composition characterized by comprising: General formula (I) [{CFive(R1)n}2mMm]l +[{B (RTwo)Four}-]l (Wherein M is a central nucleus transition metal;FiveIs cyclopen
Represents tadienyl, R 1Is the carbon of cyclopentadienyl
And n is 4 or 5.
M is 1 or 2, l is 1 or 2, RTwoIs
A ligand that coordinates to the boron atom (B),Two
Are the same. )
増感剤を含有してなることを特徴とする請求項1に記載
のポジ型感光性樹脂組成物。2. The positive photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the positive photosensitive resin composition contains a photosensitizer.
含む樹脂又はそれらの混合物であって、これらの樹脂の
可視光による露光部は有機溶剤又は水性現像液に溶解す
るが、未露光部は有機溶剤又は水性現像液に溶解しない
樹脂であることを特徴とする請求項1又は2に記載のポ
ジ型感光性樹脂組成物。3. The positive photosensitive resin is a resin containing a photoacid generator component or a mixture thereof, and the exposed portion of these resins exposed to visible light is dissolved in an organic solvent or an aqueous developing solution. The positive photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the exposed portion is a resin that does not dissolve in an organic solvent or an aqueous developer.
物を基材上に含有してなるポジ型レジスト材料。4. A positive resist material comprising the positive photosensitive resin composition according to claim 1 on a substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11205594A JP2001033966A (en) | 1999-07-21 | 1999-07-21 | Positive type photosensitive resin composition and its use |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11205594A JP2001033966A (en) | 1999-07-21 | 1999-07-21 | Positive type photosensitive resin composition and its use |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001033966A true JP2001033966A (en) | 2001-02-09 |
Family
ID=16509475
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11205594A Pending JP2001033966A (en) | 1999-07-21 | 1999-07-21 | Positive type photosensitive resin composition and its use |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001033966A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140058847A (en) * | 2012-11-07 | 2014-05-15 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | Organic-inorganic hybrid siloxane-based polymer and positive-type photosensitive resin composition comprising same |
WO2015125554A1 (en) * | 2014-02-21 | 2015-08-27 | 富士フイルム株式会社 | Active light sensitive or radiation sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, method for manufacturing electronic device using pattern forming method, and electronic device |
-
1999
- 1999-07-21 JP JP11205594A patent/JP2001033966A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140058847A (en) * | 2012-11-07 | 2014-05-15 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | Organic-inorganic hybrid siloxane-based polymer and positive-type photosensitive resin composition comprising same |
WO2015125554A1 (en) * | 2014-02-21 | 2015-08-27 | 富士フイルム株式会社 | Active light sensitive or radiation sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, method for manufacturing electronic device using pattern forming method, and electronic device |
JP2015172727A (en) * | 2014-02-21 | 2015-10-01 | 富士フイルム株式会社 | Active-ray- or radiation-sensitive resin composition, resist film and pattern formation method, method of producing electronic device using them and electronic device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI281941B (en) | Antireflective coating for photoresist compositions | |
JPH01121375A (en) | Positive-type photo-sensitive cationic electro-deposition paint composition | |
TWI241459B (en) | Positive photosensitive resin composition, positive photosensitive dry film and method of forming pattern | |
US3493371A (en) | Radiation-sensitive recording material | |
JP2002169275A (en) | Photoacid producing agent and visible ray photosensitive resin composition by using the same | |
JPH0343470A (en) | Positive type electrodeposition coating composition and production of circuit board using the same | |
JPH10213903A (en) | Positive type dry film photoresist having high resolution | |
JP2000019738A (en) | Positive visible light sensitive resin composition and application thereof | |
JP2001033966A (en) | Positive type photosensitive resin composition and its use | |
EP0614120B1 (en) | A source of photochemically generated acid for microelectronic photoresists | |
JP2824188B2 (en) | Method for producing photosensitive composition and pattern | |
JP4012628B2 (en) | Positive visible light photosensitive resin composition and use thereof | |
JP3971046B2 (en) | Positive photosensitive resin composition and use thereof | |
US3661573A (en) | Light-sensitive compounds | |
JPH1017604A (en) | Visible-ray-sensitive resin composition and its use | |
JP2001022068A (en) | Positive visible light sensitive resin composition and resist pattern forming method by using same | |
JPH08190192A (en) | Phtosensitive composition and photosensitive planographic printing plate having layer of this composition | |
JPH10204085A (en) | Coumarin compound and its use | |
JPH06313134A (en) | Water-based photosensitive composition and formation of pattern therewith | |
JP2824190B2 (en) | Positive electrodeposited photoresist composition and method for producing resist pattern | |
TWI283335B (en) | A composition with photo-sensibility of visible light | |
JP3583455B2 (en) | Circuit board manufacturing method | |
JP2000047384A (en) | Positive type visible ray sensitive resin composition and its use | |
JP2000056458A (en) | Positive visible light sensitive resin composition and its use | |
JP3921011B2 (en) | Positive heat-sensitive resin composition and resist pattern forming method using the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060614 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090303 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090630 |