JP2001021868A - Manufacture of liquid crystal display element - Google Patents

Manufacture of liquid crystal display element

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JP2001021868A
JP2001021868A JP11185262A JP18526299A JP2001021868A JP 2001021868 A JP2001021868 A JP 2001021868A JP 11185262 A JP11185262 A JP 11185262A JP 18526299 A JP18526299 A JP 18526299A JP 2001021868 A JP2001021868 A JP 2001021868A
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JP
Japan
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photosensitive material
photomask
exposing
bump structure
forming
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JP11185262A
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Japanese (ja)
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Ryuu Hon-Da
ホン−ダ・リュウ
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Industrial Technology Research Institute ITRI
Original Assignee
Industrial Technology Research Institute ITRI
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new method for manufacturing a wide viewing angle VA-LCD of which the divided domain structure with a high pretilt angle can be formed without rubbing. SOLUTION: A divided domain structure with a high pretilt angle is formed by forming a bump structure on at least one surface of a substrate of a liquid crystal display element, The bump structure 82 is formed (a) by forming a photosensitive material on the surface of the substrate, (b) by exposing the photosensitive material using a photomask 80 having an opening part with a specified shape, (c) by moving the photomask by a specified moving width in a direction parallel with the surface of the photosensitive material, (d) by repeating the steps (b) and (c) specified times so as to expose only the specified region 84 of the photosensitive material and (e) developing the photosensitive material.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子の製
造方法に関し、さらに詳細には広視野角液晶表示素子の
製造方法に関する。
The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device, and more particularly to a method for manufacturing a liquid crystal display device having a wide viewing angle.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、携帯型端末(PDA)や、ノート
ブック型パーソルコンピューターに関する技術の発達が
著しい。携帯用機器に用いる表示素子には、軽量かつ低
消費電力であることが必要である。薄膜トランジスタ液
晶表示素子(TFT−LCD)は、かかる要求を満たす
ものであり、また、高い画素密度と画質を実現するもの
である。一般に、TFT−LCDには、薄膜トランジス
タ(TFT)及び画素電極を形成した下側基板と、カラ
ーフィルターを形成した上側基板とから成る。液晶は上
側基板と下側基板の間に挟まれている。各画素には容量
が形成され、さらに、その画素のスイッチング素子とな
っているTFTによって付加的な容量も形成されてい
る。データ電圧がTFTに印加されると、液晶の配向が
変化し、光学特性が変化して、画像が表示される。
2. Description of the Related Art In recent years, the technology of portable terminals (PDAs) and notebook type personal computers has been remarkably developed. A display element used for a portable device needs to be lightweight and low in power consumption. The thin film transistor liquid crystal display element (TFT-LCD) satisfies such demands and realizes high pixel density and image quality. In general, a TFT-LCD includes a lower substrate on which a thin film transistor (TFT) and a pixel electrode are formed, and an upper substrate on which a color filter is formed. The liquid crystal is sandwiched between the upper substrate and the lower substrate. Each pixel has a capacitance, and an additional capacitance is formed by a TFT serving as a switching element of the pixel. When a data voltage is applied to the TFT, the orientation of the liquid crystal changes, the optical characteristics change, and an image is displayed.

【0003】一般に、液晶表示素子(LCD)にとっ
て、色特性と視野角は重要な特性である。LCDにカラ
ー表示をさせるためには、一般にカラーフィルター(C
F)が用いられる。LCDの視野角の改善は、LCDに
関する技術の1つのトレンドとなっている。しかし、大
画面のLCDを製造しようとした場合、LCDの視野角
とコントラストは未だ十分とは言えない。
In general, color characteristics and viewing angles are important characteristics for a liquid crystal display device (LCD). In order to display a color on an LCD, a color filter (C
F) is used. Improving the viewing angle of LCDs has become a trend in LCD-related technology. However, when attempting to manufacture a large-screen LCD, the viewing angle and contrast of the LCD are not yet sufficient.

【0004】垂直配向LCDに関して、例えば、SID
97年ダイジェスト(845〜848頁、K.Ohmu
ro、S.Kataoka、T.Sasaki、Y.K
oike)に記載されている。そこには、VA−LCD
(垂直配向LCD)の領域分割構造と光学補償板による
改良が記載されている。このVA−LCDは、70°を
越える広い視野角を有し、応答速度は速く(<25m
s)、300を越える高いコントラストを有する。
[0004] Regarding a vertical alignment LCD, for example, SID
1997 Digest (pp. 845-848, K. Ohmu
ro, S.R. Kataoka, T .; Sasaki, Y .; K
oike). There is a VA-LCD
(Vertical alignment LCD) describes an improvement with a region division structure and an optical compensator. This VA-LCD has a wide viewing angle exceeding 70 ° and a fast response speed (<25 m).
s), having a high contrast exceeding 300.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記VA−L
CDにおいては、領域分割構造を形成するために、ラビ
ング工程においてマスクを使用することが必要となり、
工程が複雑かつ高コストになる問題があった。また、ラ
ビング工程は、ESD(静電気放電)と、ダスト発生の
原因となる。さらに、マスクを用いたラビング工程は、
画像焼きつきの原因ともなる。
However, the above VA-L
In the CD, it is necessary to use a mask in a rubbing step in order to form a region division structure,
There was a problem that the process was complicated and the cost was high. Further, the rubbing step causes ESD (electrostatic discharge) and dust generation. Further, the rubbing step using a mask
It also causes image burn-in.

【0006】一方、ラビングを用いない液晶の配向制御
方法に、直線偏光紫外法(LinearlyPolarized Ultravi
olet process、以下LPUV法と称す)があり、この
方法を用いても領域分割構造を形成することができる。
しかし、この方法によっては、高いプレチルト角を得に
くいという問題点がある。
On the other hand, a liquid crystal alignment control method without rubbing includes a linearly polarized ultraviolet method.
olet process (hereinafter referred to as LPUV method), and a region division structure can be formed by using this method.
However, this method has a problem that it is difficult to obtain a high pretilt angle.

【0007】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、高いプレチルト角を有する領域分割構造をラ
ビングせずに形成することができる広視野角LCDの新
たな製造方法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and provides a new manufacturing method of a wide viewing angle LCD which can form a region dividing structure having a high pretilt angle without rubbing. With the goal.

【0008】また、かかる領域分割構造を形成するため
のバンプ構造の新たな形成方法を提供することも目的と
する。
It is another object of the present invention to provide a new method for forming a bump structure for forming such a region division structure.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のLCDの製造方法は、1対の偏光素子を準備
し、上記偏光素子の一方に補償板を形成し、上記1対の
偏光子の各々に透明絶縁基板を形成し、上記透明絶縁基
板の少なくとも一方の表面にバンプ構造を形成し、上記
バンプ構造及び上記透明絶縁基板の表面を覆って配向膜
を形成し、上記1対の透明絶縁基板の間に液晶を挟むも
のである。このバンプ構造上の液晶分子は大きなプレチ
ルト角を有し、バンプ構造によって分割された領域ごと
に所定の方向に倒れる。
In order to achieve the above object, a method of manufacturing an LCD according to the present invention comprises preparing a pair of polarizing elements, forming a compensator on one of the polarizing elements, and forming a pair of polarizing elements. Forming a transparent insulating substrate on each of the polarizers, forming a bump structure on at least one surface of the transparent insulating substrate, forming an alignment film covering the bump structure and the surface of the transparent insulating substrate, The liquid crystal is interposed between the transparent insulating substrates. The liquid crystal molecules on the bump structure have a large pretilt angle and fall in a predetermined direction for each region divided by the bump structure.

【0010】バンプ構造は、次のようにして形成するこ
とができる。(a)透明絶縁基板の表面に感光性材料を
形成し、(b)所定形状の開口部を有するフォトマスク
を用いて、上記感光性材料を露光し、(c)上記フォト
マスクを、上記感光性材料の表面と平行な方向に所定の
移動幅だけ移動させ、(d)上記工程(b)と工程
(c)を所定回数繰り返し、(e)上記感光性材料を現
像する。
The bump structure can be formed as follows. (A) forming a photosensitive material on the surface of a transparent insulating substrate; (b) exposing the photosensitive material using a photomask having an opening having a predetermined shape; and (c) exposing the photomask to the photosensitive material. (D) The above steps (b) and (c) are repeated a predetermined number of times in a direction parallel to the surface of the photosensitive material, and (e) the photosensitive material is developed.

【0011】所定回数の露光後に、フォトレジストの露
光された領域は、例えば、三角形に類似の断面形状とな
る。従って、このフォトレジストを現像することによっ
てバンプ構造が形成される。
After a predetermined number of exposures, the exposed areas of the photoresist have, for example, a triangular cross-sectional shape. Therefore, a bump structure is formed by developing this photoresist.

【0012】また、バンプ構造は、次のようにしても形
成することができる。(a)所定形状の開口部を有する
フォトマスクを、感光性材料の表面と平行な方向に所定
の速度で移動させながら、該フォトマスクを用いて該感
光性材料を露光し、(b)上記感光性材料を現像する。
Further, the bump structure can be formed as follows. (A) exposing the photosensitive material using the photomask while moving the photomask having an opening of a predetermined shape at a predetermined speed in a direction parallel to the surface of the photosensitive material; Develop the photosensitive material.

【0013】さらに、バンプ構造は、次のようにしても
形成することができる。第1のフォトレジストを基板に
形成し、上記第1のフォトレジストを、第1の台形開口
を有する第1のフォトマスクを用いて露光し、上記第1
のフォトレジストを現像し、上記第1のフォトレジスト
上に、第2のフォトレジストを形成し、上記第2のフォ
トレジストを、上記第1の台形開口よりも小さな第2の
台形開口を有する第2のフォトマスクを用いて露光し、
上記第2のフォトレジストを現像する。
Further, the bump structure can be formed as follows. Forming a first photoresist on a substrate, exposing the first photoresist using a first photomask having a first trapezoidal opening,
Developing a second photoresist on the first photoresist, and forming the second photoresist on the first photoresist having a second trapezoidal opening smaller than the first trapezoidal opening. Exposure using the photomask of No. 2,
The second photoresist is developed.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明について図面を参照
しながら説明する。 実施の形態1 本発明は、広視野角のLCDの製造方法を提供するもの
であり、詳細には、負の補償板を備えた2領域キラルホ
メオトロピックLCDの製造方法を提供するものであ
る。かかるLCDについての詳細は、「広視野角液晶表
示素子」と題して1998年7月20日に出願された米
国特許出願第09/009,184号に開示されてお
り、その内容を本明細書に引用する。本発明の製造方法
においては、LCDの広視野角化のためにバンプ構造を
採用する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings. Embodiment 1 The present invention provides a method of manufacturing an LCD having a wide viewing angle, and more specifically, a method of manufacturing a two-region chiral homeotropic LCD having a negative compensator. Details of such an LCD are disclosed in U.S. patent application Ser. No. 09 / 009,184 filed on Jul. 20, 1998 entitled "Wide Viewing Angle Liquid Crystal Display Device", the contents of which are incorporated herein by reference. To quote. In the manufacturing method of the present invention, a bump structure is employed to increase the viewing angle of the LCD.

【0015】図1は、負の光学補償板を備えた2領域キ
ラルホメオトロピックLCDを示す概略図である。この
LCDには、偏光子100と検光子102から成る1対
の偏光素子が備えられている。偏光子100と検光子1
02は、互いの光軸が直交するように配置されている。
即ち、偏光子と検光子の間に何もなければ、偏光子10
0を通過した光は検光子102によって遮られ、逆に検
光子102を通過した光は偏光子100によって遮られ
る。上側透明絶縁基板104(例えば、ガラス基板)
が、偏光子100の下部に設けられている。また、負の
光学補償板106が、検光子102の上に設けられてい
る。負の光学補償板106は、視野角に依存した光の漏
れを抑制するために用いられている。下側基板108
は、上側基板104と同様に、ガラス等の透明絶縁材料
から成る。インジウム錫酸化物(ITO)から成る透明
導電配線(図示せず)が、上側基板104の下面及び下
側基板108の上面に、互いに直交するように設けられ
ている。上側基板104又は下側基板108の少なくと
も一方の表面には、バンプ構造110が形成されてい
る。図1においては、バンプ構造110を下側基板10
8上に形成している。バンプ構造110の詳細な構造に
ついては後に説明する。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a two-region chiral homeotropic LCD with a negative optical compensator. This LCD is provided with a pair of polarizing elements including a polarizer 100 and an analyzer 102. Polarizer 100 and analyzer 1
02 are arranged such that their optical axes are orthogonal to each other.
That is, if there is nothing between the polarizer and the analyzer, the polarizer 10
Light passing through zero is blocked by the analyzer 102, and light passing through the analyzer 102 is blocked by the polarizer 100. Upper transparent insulating substrate 104 (for example, a glass substrate)
Are provided below the polarizer 100. Further, a negative optical compensator 106 is provided on the analyzer 102. The negative optical compensator 106 is used to suppress light leakage depending on the viewing angle. Lower substrate 108
Is made of a transparent insulating material such as glass similarly to the upper substrate 104. Transparent conductive wires (not shown) made of indium tin oxide (ITO) are provided on the lower surface of the upper substrate 104 and the upper surface of the lower substrate 108 so as to be orthogonal to each other. A bump structure 110 is formed on at least one surface of the upper substrate 104 or the lower substrate 108. In FIG. 1, the bump structure 110 is connected to the lower substrate 10.
8. The detailed structure of the bump structure 110 will be described later.

【0016】配向膜112が、上側基板104及びバン
プ構造110の表面を覆って形成されている。一般に、
配向膜は液晶分子の配向を決定する役割を果たす。配向
膜112は、LPUV法によって処理されている。但
し、この方法は良く知られた方法であり、本発明の特徴
部分ではない。液晶材料114は、上側基板104と下
側基板108の間に密封されている。液晶材料114
は、好ましくはキラルホメオトロピック液晶から成る。
キラルホメオトロピック液晶分子と基板によって、垂直
配向LCDセルが構成されている。
An alignment film 112 is formed over the upper substrate 104 and the surface of the bump structure 110. In general,
The alignment film plays a role in determining the alignment of the liquid crystal molecules. The alignment film 112 is processed by the LPUV method. However, this method is a well-known method and is not a feature of the present invention. The liquid crystal material 114 is sealed between the upper substrate 104 and the lower substrate 108. Liquid crystal material 114
Preferably comprises a chiral homeotropic liquid crystal.
A vertically aligned LCD cell is constituted by the chiral homeotropic liquid crystal molecules and the substrate.

【0017】液晶分子114は、キラルネマチック配向
をしており、1つの画素内において2つの領域12と1
6に別れており、領域12と16の間に、重なり領域1
4を有する。重なり領域14における液晶分子の傾き方
向(方位角方向)は、領域12又は16の液晶分子の傾
き方向に対して90°ではなく、ある角度φを有する
(90°以上である場合もあり、90°以下である場合
もある。)
The liquid crystal molecules 114 have a chiral nematic alignment, and have two regions 12 and 1 in one pixel.
6 and an overlap area 1 between the areas 12 and 16
4 The tilt direction (azimuth direction) of the liquid crystal molecules in the overlapping region 14 is not 90 ° with respect to the tilt direction of the liquid crystal molecules in the region 12 or 16 but has a certain angle φ (in some cases, 90 ° or more, ° or less.)

【0018】電圧が印加されている状態(ON状態)に
おいて、液晶分子がキラルネマチック配向をしているた
め、色の分散は小さい。また、本発明によって得られる
LCDは、グレー階調の視野角が広いをという特徴を有
する。図2は、負の光学補償板を備えた2領域VA−L
CDの一部分を示す上面図である。領域12の液晶分子
の基板への投影が有する方向と、領域16の液晶分子の
基板への投影が有する方向の間の角度ψは180°では
ない(180°以上である場合もあれば、180°以下
である場合もある)。
In a state where a voltage is applied (ON state), since the liquid crystal molecules have a chiral nematic alignment, the color dispersion is small. Further, the LCD obtained by the present invention has a feature that the viewing angle of gray gradation is wide. FIG. 2 shows a two-region VA-L having a negative optical compensator.
FIG. 3 is a top view showing a part of a CD. The angle 間 の between the direction of the projection of the liquid crystal molecules in the region 12 onto the substrate and the direction of the projection of the liquid crystal molecules in the region 16 on the substrate is not 180 ° (in some cases, 180 ° or more, 180 °). ° or less).

【0019】電圧が印加されていない状態(OFF状
態)において、この実施形態の場合は、各領域の液晶分
子は基板の表面に対してほぼ垂直に、即ち法線に対して
わずかにプレチルト角を有して配向している。領域12
の液晶分子の基板への投影が有する方向と、領域16の
液晶分子の基板への投影が有する方向の間の角度は18
0°ではない。
In a state where no voltage is applied (OFF state), in this embodiment, the liquid crystal molecules in each region have a pretilt angle almost perpendicular to the surface of the substrate, that is, a slight pretilt angle with respect to the normal line. And oriented. Area 12
The angle between the direction of the projection of the liquid crystal molecules of the region 16 onto the substrate and the direction of the projection of the liquid crystal molecules of the region 16 on the substrate is 18
It is not 0 °.

【0020】VA−LCDにおいて、2つの領域12、
16及び重なり領域14の液晶分子がON状態の前に有
するプレチルト角は、VA−LCDの応答速度に大きな
影響を与える。本発明においては、バンプ構造110を
形成することにより、2領域VA−LCDの応答特性を
高める。図3は、バンプ構造110の側面図である。図
4は、バンプ構造110の立体構造を示す概略斜視図で
ある。バンプ構造110は、ポジ型又はネガ型レジスト
によって形成することができる。バンプ構造110の上
面に適当な傾斜を持たせることによって、バンプ構造1
10上の液晶分子が大きなプレチルト角を有するように
することが好ましい。例えば、バンプ構造110を、2
つの側面18、20と、2つの傾斜面22により形成す
る。ここで、2つの側面18及び20は三角形に形成す
る。また、好ましくは、2つの側面18、20の高さH
1、H2を異ならせ、傾斜面22が側面18から側面2
0に向かって勾配を有するようにする。2つの傾斜面2
2は、その端部において側面18、20と接続してい
る。傾斜面22の勾配(角度α)は、基板に対して約
0.5〜3°であることが好ましい。
In the VA-LCD, two regions 12,
The pretilt angle that the liquid crystal molecules of the liquid crystal molecules 16 and the overlap region 14 have before the ON state greatly affects the response speed of the VA-LCD. In the present invention, by forming the bump structure 110, the response characteristics of the two-region VA-LCD are improved. FIG. 3 is a side view of the bump structure 110. FIG. FIG. 4 is a schematic perspective view showing the three-dimensional structure of the bump structure 110. The bump structure 110 can be formed by a positive or negative resist. By making the upper surface of the bump structure 110 have an appropriate inclination, the bump structure 1
Preferably, the liquid crystal molecules on 10 have a large pretilt angle. For example, if the bump structure 110 is 2
It is formed by two side surfaces 18 and 20 and two inclined surfaces 22. Here, the two side surfaces 18 and 20 are formed in a triangle. Also preferably, the height H of the two side faces 18, 20
1. The angle H2 is changed from the side 18 to the side 2
Have a slope towards zero. Two slopes 2
2 is connected to the side surfaces 18, 20 at its ends. The slope (angle α) of the inclined surface 22 is preferably about 0.5 to 3 ° with respect to the substrate.

【0021】図5、図6、図7及び図8は、各々、本発
明の別の実施形態を示す断面図である。各図において、
図番(a)は液晶表示素子の横方向断面図を示し、図番
(b)は液晶表示素子の縦方向断面図を示す。バンプ構
造110は、片方の基板の表面に形成しても良いし、両
方の基板の表面に形成しても良い。図に示されるよう
に、バンプ構造110の上に形成された液晶分子は大き
なプレチルト角を有し、倒れる方向が決まっている。ま
た、バンプ構造110によって、より大きなプレチルト
角が得られる。尚、バンプ構造110を分割して形成し
ても良い。
FIGS. 5, 6, 7 and 8 are cross-sectional views each showing another embodiment of the present invention. In each figure,
FIG. 1A shows a cross-sectional view in the horizontal direction of the liquid crystal display element, and FIG. The bump structure 110 may be formed on the surface of one substrate, or may be formed on the surface of both substrates. As shown in the figure, the liquid crystal molecules formed on the bump structure 110 have a large pretilt angle, and the falling direction is determined. Further, a larger pretilt angle can be obtained by the bump structure 110. Note that the bump structure 110 may be formed separately.

【0022】実施の形態2 また、本発明に係るバンプ構造の表面に金属膜を形成す
ることによって、液晶表示素子の反射板を構成すること
もできる。図9(a)にその一例を示す。本発明の方法
によって形成されたバンプ構造82に金属膜86を形成
することによって、液晶表示素子の反射板を構成してい
る。金属膜86は、アルミニウムで形成することが好ま
しい。バンプ構造82は、傾斜角の異なる2つの(又は
複数の)傾斜面m1、m2によって形成することが好ま
しい。傾斜面m1、m2は、例えば、後述するフォトマ
スクの移動速度を制御する方法によって形成することが
できる。入射光と反射光は、図9(b)に示す矢印の方
向に進行する。バンプ構造を形成する材料には、感光性
材料、例えば、ネガ型レジスト又はポジ型レジストを用
いることができる。
Embodiment 2 A reflector of a liquid crystal display device can be formed by forming a metal film on the surface of the bump structure according to the present invention. FIG. 9A shows an example. By forming a metal film 86 on the bump structure 82 formed by the method of the present invention, a reflector of a liquid crystal display element is formed. The metal film 86 is preferably formed of aluminum. The bump structure 82 is preferably formed by two (or plural) inclined surfaces m1 and m2 having different inclination angles. The inclined surfaces m1 and m2 can be formed, for example, by a method of controlling a moving speed of a photomask described later. The incident light and the reflected light travel in the direction of the arrow shown in FIG. As a material for forming the bump structure, a photosensitive material, for example, a negative resist or a positive resist can be used.

【0023】実施の形態3 次に、バンプ構造の形成方法について説明する。従来に
おいてもフォトマスクを用いて通常の露光を行うことに
よりバンプ構造に類似の構造を形成する方法が開示され
ていたが、かかる方法によっては傾斜面を有する構造は
得られなかった。例えば、図10は、FUJITUによ
って開示されているフォトマスクパターンを示す。かか
るフォトマスクを用いて通常の方法により露光した後の
A−A’断面におけるフォトレジスト130の断面図を
図11に示す。図11に示される通り、形成された構造
は矩形断面を有し、本発明の特徴である2つの傾斜面を
有するものではない。一方、本発明の方法によれば、フ
ォトマスクを動かして露光するため、図12に示すよう
な三角形断面の、2つの傾斜面を有する構造を形成する
ことができる。
Embodiment 3 Next, a method for forming a bump structure will be described. Conventionally, a method of forming a structure similar to a bump structure by performing ordinary exposure using a photomask has been disclosed, but a structure having an inclined surface cannot be obtained by such a method. For example, FIG. 10 shows a photomask pattern disclosed by FUJITU. FIG. 11 is a cross-sectional view of the photoresist 130 taken along the line AA ′ after exposure by a normal method using such a photomask. As shown in FIG. 11, the formed structure has a rectangular cross section and does not have the two inclined surfaces which are a feature of the present invention. On the other hand, according to the method of the present invention, since the exposure is performed by moving the photomask, a structure having two inclined surfaces having a triangular cross section as shown in FIG. 12 can be formed.

【0024】図13(a)及び(b)は、感光性材料の
断面図を示しており、1つのフォトマスク80を図中矢
印の方向に動かすことにより、本発明のバンプ構造を形
成する様子を示す。露光エネルギーを順次増加又は減少
させながら、露光する毎にフォトマスク80を移動させ
る。これにより、図中ハッチングで示した領域84のみ
が露光され、露光されない領域82がバンプ構造を形成
する。露光エネルギーを制御して順次増加又は減少する
ことにより、図14(a)に示すように2つの傾斜面を
有するバンプ構造を形成することもできるし、図14
(b)に示すように1つの傾斜面を有するバンプ構造を
形成することもできる。尚、本実施の形態において、フ
ォトマスク80の開口形状は矩形であるが、図24に示
すような台形形状の開口にしても良い。台形形状の開口
を用いることにより、断面の位置によって断面形状の異
なるバンプ構造を得ることができる。
FIGS. 13 (a) and 13 (b) are cross-sectional views of a photosensitive material, in which one photomask 80 is moved in the direction of the arrow to form the bump structure of the present invention. Is shown. While sequentially increasing or decreasing the exposure energy, the photomask 80 is moved each time the exposure is performed. As a result, only the region 84 indicated by hatching in the figure is exposed, and the unexposed region 82 forms a bump structure. By controlling the exposure energy to sequentially increase or decrease, a bump structure having two inclined surfaces can be formed as shown in FIG.
As shown in (b), a bump structure having one inclined surface can be formed. In this embodiment, the opening shape of the photomask 80 is rectangular, but may be a trapezoidal opening as shown in FIG. By using a trapezoidal opening, a bump structure having a different cross-sectional shape depending on the position of the cross-section can be obtained.

【0025】また、図13に示す断面に垂直な方向に、
露光強度の勾配をつけることにより、バンプ構造の傾斜
面に図4に示すような勾配を持たせることもできる。
Further, in the direction perpendicular to the cross section shown in FIG.
By giving a gradient of the exposure intensity, the inclined surface of the bump structure can have a gradient as shown in FIG.

【0026】露光手順は次の通りである。図13(a)
において、まずフォトマスク80をフォトレジスト84
の左端に位置させ、露光した後、フォトマスク80を所
定幅だけ右に移動し、再び露光する。この露光と移動の
繰り返しを順次行って、フォトレジスト84の全面を露
光する。フォトマスク80の1回の移動幅は、フォトマ
スク80の開口幅よりも狭いことが好ましい。露光エネ
ルギーは、フォトレジスト84の左端において最大と
し、フォトマスク80の移動毎に順次減少させる。所定
の移動回数終了後、今度は露光エネルギーをフォトマス
ク80の移動毎に順次増加させる。こうして露光された
フォトレジストは、図中ハッチングされた部分84だけ
が露光され、残りの部分82は露光されずに残る。した
がって、露光後のフォトレジストを現像することにより
図14(a)に示す構造が得られる。こうして得られる
バンプ構造の傾斜面は、液晶分子に大きなプレチルト角
を与える。尚、露光エネルギーではなく、露光時間を順
次変えることによっても、同様の結果を得ることができ
る。
The exposure procedure is as follows. FIG. 13 (a)
First, the photomask 80 is
After exposure, the photomask 80 is moved to the right by a predetermined width and exposed again. By repeating this exposure and movement, the entire surface of the photoresist 84 is exposed. It is preferable that the one-time movement width of the photomask 80 is smaller than the opening width of the photomask 80. The exposure energy is maximized at the left end of the photoresist 84, and is gradually reduced every time the photomask 80 moves. After a predetermined number of movements, the exposure energy is sequentially increased each time the photomask 80 moves. In the photoresist thus exposed, only the hatched portions 84 in the drawing are exposed, and the remaining portions 82 are left unexposed. Therefore, the structure shown in FIG. 14A is obtained by developing the exposed photoresist. The inclined surface of the bump structure thus obtained gives a large pretilt angle to the liquid crystal molecules. The same result can be obtained by sequentially changing the exposure time instead of the exposure energy.

【0027】ここで、本発明に係るバンプ構造の形成方
法を整理すると次の通りである。 (a)所定形状の開口部を有するフォトマスクを用い
て、感光性材料を露光し、(b)上記フォトマスクを、
上記感光性材料の表面と平行な方向に、上記開口部と大
略同じ幅だけ移動させ、(c)上記感光性材料を露光す
る露光エネルギーを、上記フォトマスクの移動毎に順次
減少(又は増加)させながら、上記工程(a)と工程
(b)を所定回数繰り返し、(d)上記感光性材料を現
像する製造方法。
Here, the method of forming the bump structure according to the present invention will be summarized as follows. (A) exposing a photosensitive material using a photomask having an opening having a predetermined shape;
(C) the exposure energy for exposing the photosensitive material is sequentially reduced (or increased) every time the photomask is moved, in a direction parallel to the surface of the photosensitive material by the same width as the opening. And (d) developing the photosensitive material by repeating the steps (a) and (b) a predetermined number of times.

【0028】上記工程(c)の後に、さらに次の工程を
加えても良い。 (e)上記フォトマスクを、上記感光性材料の表面と平
行な方向に、上記開口部と大略同じ幅だけ移動させ、
(c)上記感光性材料を露光する露光エネルギーを、上
記フォトマスクの移動毎に順次増加(又は減少)させ、
(f)上記工程(a)と工程(b)を所定回数繰り返
す。
After the above step (c), the following step may be further added. (E) moving the photomask in a direction parallel to the surface of the photosensitive material by approximately the same width as the opening;
(C) increasing (or decreasing) the exposure energy for exposing the photosensitive material sequentially for each movement of the photomask;
(F) The steps (a) and (b) are repeated a predetermined number of times.

【0029】また、上記方法に代えて、以下の方法によ
ってバンプ構造を形成しても良い。 (a)所定形状の開口部を有するフォトマスクを用い
て、感光性材料を露光し、(b)上記フォトマスクを、
上記感光性材料の表面と平行な方向に、上記開口部と大
略同じ幅だけ移動させ、(c)上記感光性材料を露光す
る露光時間を、上記フォトマスクの移動毎に順次減少
(又は増加)させながら、上記工程(a)と工程(b)
を所定回数繰り返し、(d)上記感光性材料を現像する
製造方法。
Further, instead of the above method, the bump structure may be formed by the following method. (A) exposing a photosensitive material using a photomask having an opening having a predetermined shape;
(C) the exposure time for exposing the photosensitive material is reduced (or increased) sequentially with each movement of the photomask, by moving the photosensitive material in a direction parallel to the surface of the photosensitive material by approximately the same width as the opening. The above steps (a) and (b)
Is repeated a predetermined number of times, and (d) the above-mentioned photosensitive material is developed.

【0030】上記工程(c)の後に、さらに次の工程を
加えても良い。 (e)上記フォトマスクを、上記感光性材料の表面と平
行な方向に、上記開口部と大略同じ幅だけ移動させ、
(c)上記感光性材料を露光する露光時間を、上記フォ
トマスクの移動毎に順次増加(又は減少)させ、(f)
上記工程(a)と工程(b)を所定回数繰り返す。
After the above step (c), the following step may be further added. (E) moving the photomask in a direction parallel to the surface of the photosensitive material by approximately the same width as the opening;
(C) increasing (or decreasing) the exposure time for exposing the photosensitive material for each movement of the photomask;
The above steps (a) and (b) are repeated a predetermined number of times.

【0031】これらの方法においては、1つのフォトマ
スクを用いて複数回の露光を行うことによってバンプ構
造を形成する。このフォトマスクは、等しい幅を有する
複数の開口を備えている。この方法の重要な点は、フォ
トマスクを、各露光の後に、感光性材料(例えばフォト
レジスト)の表面に平行な方向に移動させる点である。
移動させる方向は、図13中に矢印で示している。フォ
トレジストの露光された部分は、上記複数回の工程を経
た後、略三角形の断面を有する。
In these methods, a bump structure is formed by performing a plurality of exposures using one photomask. This photomask has a plurality of openings having the same width. An important aspect of this method is that the photomask is moved after each exposure in a direction parallel to the surface of the photosensitive material (eg, photoresist).
The moving direction is indicated by an arrow in FIG. The exposed portion of the photoresist has a substantially triangular cross section after going through the plurality of steps.

【0032】略三角形の断面が形成される機構について
詳細に説明すると以下の通りである。例えば、5回の露
光を行う場合について説明する。もっとも、露光回数は
5回に限定されるものではない。図15〜19は、フォ
トレジスト130が、上記の工程を通して露光される様
子を、各露光工程ごとに模式的に示したものである。露
光は、フォトマスク120を用いて行う。フォトマスク
120は、複数の開口121を備える。フォトレジスト
130は、ポジ型であってもネガ型であっても良い。例
えば、ポリイミド、ポリアミド等を用いることができ
る。ネガ型レジストを用いると、ポジ型レジストの反転
した構造を得ることができる。ここでは、ポジ型レジス
トを用いる。
The mechanism for forming a substantially triangular cross section will be described in detail below. For example, a case where exposure is performed five times will be described. However, the number of exposures is not limited to five. FIGS. 15 to 19 schematically show how the photoresist 130 is exposed through the above-described steps for each exposure step. Exposure is performed using the photomask 120. The photomask 120 has a plurality of openings 121. The photoresist 130 may be a positive type or a negative type. For example, polyimide, polyamide, or the like can be used. When a negative resist is used, an inverted structure of a positive resist can be obtained. Here, a positive resist is used.

【0033】まず、図15に示すように、1回目の露光
を、フォトマスク120を用いて行う。露光は、t1
後に終了する。図15においてフォトレジスト130の
露光された領域を境界線で囲んで模式的に示している。
次に、図16に示すように、フォトマスク120を所定
の移動幅だけ矢印A1で示される方向に移動し、2回目
の露光をフォトマスク120を通して行う。2回目の露
光は工程開始からt2秒後に終了する。フォトマスクの
移動は短時間に行われるため、2回目の露光時間は約
(t2-t1)秒である。図16において、フォトレジス
ト130のうち、2回目の露光により露光された領域を
斜線により示している。同様にして、3回目の露光(図
17)、4回目の露光(図18)、5回目の露光(図1
9)を行う。3、4、5回目の露光は、工程開始からt
3、t4、t5秒後に終了し、各々の露光時間は(t3-
2)、(t4-t3)、(t5-t4)秒間である。図1
7、18、19においても、フォトレジスト130のう
ち、露光された領域を斜線を用いて示している。最終的
な露光領域は図17に示したようになる。露光された領
域の深さdeは、次式で表わすことができる。 de(xi)=(d/5)xi ここで、dはフォトレジストの厚さであり、xiはi回
目の露光後のフォトマスク120の合計移動量である。
図19に示すフォトレジスト130を現像することによ
り図20に示すバンプ構造を得ることができる。図20
に示すバンプ構造形成のためには、例えば、フォトマス
ク120の開口121の幅をW/2とし、開口121の
間隔もW/2として、5回合計のフォトマスク移動量
(Δx)もまたW/2とする。即ち、各回の移動量はW
/10である。この条件によって形成されたバンプ構造
の幅はWとなる。
First, as shown in FIG. 15, a first exposure is performed using a photomask 120. Exposure is terminated one second after t. In FIG. 15, the exposed area of the photoresist 130 is schematically shown by surrounding it with a boundary line.
Next, as shown in FIG. 16, the photomask 120 is moved by a predetermined movement width in the direction indicated by the arrow A1, and the second exposure is performed through the photomask 120. The second exposure ends after t 2 seconds from the start of the process. Since the movement of the photomask is performed in a short time, the second exposure time is about (t 2 −t 1 ) seconds. In FIG. 16, a region of the photoresist 130 exposed by the second exposure is indicated by oblique lines. Similarly, the third exposure (FIG. 17), the fourth exposure (FIG. 18), and the fifth exposure (FIG. 1)
Perform 9). The third, fourth and fifth exposures are performed t
It ends after 3 , t 4 and t 5 seconds, and each exposure time is (t 3-
t 2 ), (t 4 -t 3 ), and (t 5 -t 4 ) seconds. FIG.
7, 18, and 19, the exposed areas of the photoresist 130 are indicated by oblique lines. The final exposure area is as shown in FIG. The depth d e of the exposed areas can be expressed by the following equation. d e (x i) = ( d / 5) x i where, d is the thickness of the photoresist, xi is the total amount of movement of the photomask 120 after exposure of i-th.
The bump structure shown in FIG. 20 can be obtained by developing the photoresist 130 shown in FIG. FIG.
For example, the width of the opening 121 of the photomask 120 is set to W / 2, the interval between the openings 121 is set to W / 2, and the total photomask movement amount (Δx) for five times is also W. / 2. That is, the moving amount of each time is W
/ 10. The width of the bump structure formed under this condition is W.

【0034】図21及び22には、フォトマスクの移動
量を変えることにより形成した別の形状のバンプ構造を
示す。図21の場合Δx<W/2であり、図22の場合
Δx>W/2である。
FIGS. 21 and 22 show another shape of bump structure formed by changing the amount of movement of the photomask. In the case of FIG. 21, Δx <W / 2, and in the case of FIG. 22, Δx> W / 2.

【0035】実施の形態4 また、露光毎にフォトマスクを移動する方法に代えて、
フォトマスクを移動させながら露光する方法によっても
バンプ構造を形成することができる。図23は、かかる
方法の概略を示す断面図である。フォトマスク120の
形状は、上記実施形態の場合と同じである。ただし、本
実施形態においては、フォトマスク120を図中矢印で
示す方向に一定の速度(V)で移動させる。移動方向
は、上記実施形態と同様にフォトレジスト表面の法線に
対して垂直な方向である。フォトマスクの移動速度をV
=(W/2)/tとすることにより、図23の斜線部分
のみが露光され、バンプ構造を得ることができる。ま
た、フォトマスクの移動速度を適当に設定することによ
り、図19、20及び21に示すバンプ構造を得ること
もできる。
Embodiment 4 Also, instead of moving the photomask for each exposure,
The bump structure can also be formed by a method of exposing while moving the photomask. FIG. 23 is a sectional view schematically showing such a method. The shape of the photomask 120 is the same as in the above embodiment. However, in the present embodiment, the photomask 120 is moved at a constant speed (V) in the direction indicated by the arrow in the figure. The moving direction is a direction perpendicular to the normal line of the photoresist surface as in the above embodiment. Set the moving speed of the photomask to V
By setting = (W / 2) / t, only the hatched portions in FIG. 23 are exposed, and a bump structure can be obtained. By appropriately setting the moving speed of the photomask, the bump structure shown in FIGS. 19, 20 and 21 can be obtained.

【0036】実施の形態5 また、2枚以上のマスクを用いることにより、フォトマ
スクを移動することなくバンプ構造を形成することもで
きる。例えば、図24(a)及び(b)に示す2枚のマ
スク142、144を用いる。フォトマスク144は、
フォトマスク142に相似又は類似の台形形状を有し、
フォトマスク142よりも寸法が小さくなっている。本
実施の形態においてはポジ型のレジストを用いる。図2
5(a)から(d)は、図24に示す2枚のフォトマス
ク142、144を用いてバンプ構造を形成する工程を
示す工程断面図である。図26(a)から(d)は、図
25(a)から(d)の各工程における基板の上面図を
示す。尚、図26(d)においてはオーバーコート14
6を省略している。まず、図25(a)に示すように、
ガラス基板140の上に塗布し、プリベーキングされた
フォトレジスト143を、フォトマスク142を用いて
露光する。次に、図25(b)に示すように、フォトレ
ジスト143を現像して台形形状とし、仮ベーキングを
行った後に、本ベーキング(ハードベーキング)を行
う。次に、図25(c)に示すように、フォトレジスト
143を塗布、ベーキングし、フォトマスク144を用
いて露光する。次に、図25(d)に示すように、フォ
トレジスト145を現像して、フォトレジスト143よ
りも小さな台形形状とし、オーバーコート剤146を塗
布してバンプ構造を完成する。尚、本実施の形態は、ポ
ジ型レジストを用いた例について説明したが、ネガ型レ
ジストを用いても良い。
Embodiment 5 By using two or more masks, a bump structure can be formed without moving a photomask. For example, two masks 142 and 144 shown in FIGS. 24A and 24B are used. The photomask 144
Having a trapezoidal shape similar or similar to the photomask 142,
The dimensions are smaller than the photomask 142. In this embodiment mode, a positive resist is used. FIG.
FIGS. 5A to 5D are process cross-sectional views showing a process of forming a bump structure using the two photomasks 142 and 144 shown in FIG. FIGS. 26A to 26D show top views of the substrate in the respective steps of FIGS. 25A to 25D. Incidentally, in FIG.
6 is omitted. First, as shown in FIG.
The photoresist 143 applied and prebaked on the glass substrate 140 is exposed using a photomask 142. Next, as shown in FIG. 25B, the photoresist 143 is developed into a trapezoidal shape, and after temporary baking is performed, main baking (hard baking) is performed. Next, as shown in FIG. 25C, a photoresist 143 is applied, baked, and exposed using a photomask 144. Next, as shown in FIG. 25D, the photoresist 145 is developed into a trapezoidal shape smaller than the photoresist 143, and an overcoat agent 146 is applied to complete the bump structure. In this embodiment, an example using a positive resist has been described, but a negative resist may be used.

【0037】尚、上記実施の形態において、簡単のた
め、本発明を用いて1画素又は数画素のバンプ構造を形
成する場合を例に説明したが、本発明を実際に適用する
場合には、本発明の方法に用いるマスクの開口等を液晶
表示素子の画素数に応じた繰り返し構造とすれば良い。
In the above embodiment, for simplicity, the case where a bump structure of one pixel or several pixels is formed by using the present invention has been described as an example. However, when the present invention is actually applied, The openings and the like of the mask used in the method of the present invention may have a repeating structure corresponding to the number of pixels of the liquid crystal display element.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 図1は、本発明の実施の形態1に係る液晶表
示素子を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 図2は、図1に示す液晶表示素子のバンプ構
造を示す上面図である。
FIG. 2 is a top view showing a bump structure of the liquid crystal display element shown in FIG.

【図3】 図3は、図1に示す液晶表示素子のバンプ構
造を示す側面図である。
FIG. 3 is a side view showing a bump structure of the liquid crystal display element shown in FIG.

【図4】 図4は、バンプ構造の一例を模式的に示す斜
視図である。
FIG. 4 is a perspective view schematically showing an example of a bump structure.

【図5】 図5(a)及び(b)は、本発明の製造方法
に係る液晶表示素子の別の一例を示す横方向断面図及び
縦方向断面図である。
5 (a) and 5 (b) are a horizontal sectional view and a vertical sectional view showing another example of the liquid crystal display element according to the manufacturing method of the present invention.

【図6】 図6(a)及び(b)は、本発明の製造方法
に係る液晶表示素子の別の一例を示す横方向断面図及び
縦方向断面図である。
6 (a) and 6 (b) are a horizontal sectional view and a vertical sectional view showing another example of the liquid crystal display element according to the manufacturing method of the present invention.

【図7】 図7(a)及び(b)は、本発明の製造方法
に係る液晶表示素子の別の一例を示す横方向断面図及び
縦方向断面図である。
FIGS. 7A and 7B are a horizontal sectional view and a vertical sectional view showing another example of the liquid crystal display element according to the manufacturing method of the present invention.

【図8】 図8(a)及び(b)は、本発明の製造方法
に係る液晶表示素子の別の一例を示す横方向断面図及び
縦方向断面図である。
FIGS. 8A and 8B are a horizontal sectional view and a vertical sectional view showing another example of the liquid crystal display element according to the manufacturing method of the present invention.

【図9】 図9は、本発明の実施の形態2に係る液晶表
示素子用反射板を示しており、(a)は断面図、(b)
は光の反射状態を示す模式図である。
FIGS. 9A and 9B show a reflector for a liquid crystal display element according to a second embodiment of the present invention, wherein FIG. 9A is a cross-sectional view and FIG.
FIG. 4 is a schematic diagram showing a light reflection state.

【図10】 図10は、従来のフォトマスクの一例にお
ける開口形状を示す概略図である。
FIG. 10 is a schematic view showing an opening shape in an example of a conventional photomask.

【図11】 図11は、図10に示すフォトマスクを用
いて従来の方法によって得られるバンプ構造を、図10
のA−A’断面について示す概略断面図である。
FIG. 11 shows a bump structure obtained by a conventional method using the photomask shown in FIG. 10;
FIG. 4 is a schematic sectional view showing an AA ′ section of FIG.

【図12】 図12は、図10に示すフォトマスクを用
いて本発明の方法によって得られるバンプ構造を、図1
0のA−A’断面について示す概略断面図である。
FIG. 12 shows a bump structure obtained by the method of the present invention using the photomask shown in FIG.
0 is a schematic sectional view showing an AA ′ section of FIG.

【図13】 図13(a)及び(b)は、実施の形態3
に係る方法によってバンプ構造が形成される様子を示す
模式図である。
FIGS. 13A and 13B show Embodiment 3; FIGS.
FIG. 4 is a schematic view showing a state in which a bump structure is formed by the method according to (1).

【図14】 図14(a)及び(b)は、図13(a)
及び(b)から得られるバンプ構造を示す概略断面図で
ある。
14 (a) and (b) show FIG. 13 (a).
It is a schematic sectional drawing which shows the bump structure obtained from (b).

【図15】 図15は、実施の形態3に係るバンプ構造
の製造方法の途中工程を示す概略断面図である。
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing an intermediate step in a method for manufacturing a bump structure according to the third embodiment.

【図16】 図16は、実施の形態3に係るバンプ構造
の製造方法の図15に続く途中工程を示す概略断面図で
ある。
FIG. 16 is a schematic cross-sectional view showing an intermediate step following FIG. 15 of the method for manufacturing a bump structure according to the third embodiment.

【図17】 図17は、実施の形態3に係るバンプ構造
の製造方法の図16に続く途中工程を示す概略断面図で
ある。
FIG. 17 is a schematic cross-sectional view showing an intermediate step following FIG. 16 in the method of manufacturing the bump structure according to the third embodiment.

【図18】 図18は、実施の形態3に係るバンプ構造
の製造方法の図17に続く途中工程を示す概略断面図で
ある。
FIG. 18 is a schematic cross-sectional view showing an intermediate step following that of FIG. 17 in the bump structure manufacturing method according to the third embodiment.

【図19】 図19は、実施の形態3に係るバンプ構造
の製造方法の図18に続く工程を示す概略断面図であ
る。
FIG. 19 is a schematic cross-sectional view showing a step following the step shown in FIG. 18 of the method for manufacturing a bump structure according to the third embodiment;

【図20】 図20は、本発明の製造方法に係るバンプ
構造の一例を示す断面図である。
FIG. 20 is a cross-sectional view illustrating an example of a bump structure according to the manufacturing method of the present invention.

【図21】 図21は、本発明の製造方法に係るバンプ
構造の別の一例を示す断面図である。
FIG. 21 is a sectional view showing another example of the bump structure according to the manufacturing method of the present invention.

【図22】 図22は、本発明の製造方法に係るバンプ
構造の別の一例を示す断面図である。
FIG. 22 is a cross-sectional view showing another example of the bump structure according to the manufacturing method of the present invention.

【図23】 図23は、実施の形態4に係るバンプ構造
の製造方法を示す概略断面図である。
FIG. 23 is a schematic sectional view showing the method for manufacturing the bump structure according to the fourth embodiment.

【図24】 図24(a)及び(b)は、実施の形態5
に係るバンプ構造の製造方法に用いるフォトマスクを示
す概略図である。
FIGS. 24A and 24B show a fifth embodiment.
FIG. 3 is a schematic view showing a photomask used in the method for manufacturing a bump structure according to the embodiment.

【図25】 図25(a)から(d)は、実施の形態5
に係るバンプ構造の製造方法を示す工程断面図である。
FIGS. 25 (a) to 25 (d) show a fifth embodiment.
FIG. 4 is a process cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a bump structure according to (1).

【図26】 図26(a)から(d)は、図25(a)
から(d)の各工程における基板の上面図である。
FIGS. 26 (a) to 26 (d) show FIGS.
It is a top view of the board | substrate in each process of (d).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

80、120、142及び144 フォトマスク、8
4、130、143及び145 フォトレジスト、86
金属膜、 100 偏光子、102 検光子、104
上側透明絶縁基板、106 補償板、108 下側透
明絶縁基板、110バンプ構造、112 配向膜、11
4 液晶分子、121 開口部、140ガラス基板。
80, 120, 142 and 144 photomask, 8
4, 130, 143 and 145 photoresist, 86
Metal film, 100 polarizer, 102 analyzer, 104
Upper transparent insulating substrate, 106 Compensator, 108 Lower transparent insulating substrate, 110 bump structure, 112 alignment film, 11
4 Liquid crystal molecules, 121 openings, 140 glass substrates.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02F 1/1337 G02F 1/1337 (72)発明者 ホン−ダ・リュウ 台湾シンチュ、チュ・ペイ・シティ、ジェ ン・アイ・ロード、レイン16、ナンバー32 Fターム(参考) 2H089 NA13 NA56 QA12 QA16 2H090 HC10 HC12 JB01 LA04 LA09 LA15 MA02 MA10 MB14 2H091 FA07X FA07Z FA50X FA50Z FC23 FC25 GA01 LA19 LA30──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification FI FI Theme Court ゛ (Reference) G02F 1/1337 G02F 1/1337 J Eye Road, Rain 16, Number 32 F-term (Reference) 2H089 NA13 NA56 QA12 QA16 2H090 HC10 HC12 JB01 LA04 LA09 LA15 MA02 MA10 MB14 2H091 FA07X FA07Z FA50X FA50Z FC23 FC25 GA01 LA19 LA30

Claims (22)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (a)感光性材料を、所定形状の開口部
を有するフォトマスクを用いて露光し、(b)上記フォ
トマスクを、上記感光性材料の表面と平行な方向に所定
の移動幅だけ移動させ、(c)上記工程(a)と工程
(b)を所定回数繰り返し、(d)上記感光性材料を現
像することにより形成するバンプ構造の形成方法。
(A) exposing a photosensitive material using a photomask having an opening having a predetermined shape; and (b) moving the photomask in a direction parallel to a surface of the photosensitive material. A method of forming a bump structure by moving the substrate by a width, repeating (c) the steps (a) and (b) a predetermined number of times, and (d) developing the photosensitive material.
【請求項2】 上記移動幅が、上記開口部の幅と大略同
じであることを特徴とする請求項1記載のバンプ構造の
形成方法。
2. The method according to claim 1, wherein the movement width is substantially equal to the width of the opening.
【請求項3】 上記移動幅が、上記開口部の幅よりも狭
いことを特徴とする請求項1記載のバンプ構造の形成方
法。
3. The method according to claim 1, wherein the movement width is smaller than the width of the opening.
【請求項4】 上記移動幅が、上記開口部の幅よりも広
いことを特徴とする請求項1記載のバンプ構造の形成方
法。
4. The method according to claim 1, wherein the moving width is larger than the width of the opening.
【請求項5】 1対の偏光素子を準備し、 上記偏光素子の一方に補償板を形成し、 上記1対の偏光子の各々に透明絶縁基板を形成し、 上記透明絶縁基板の少なくとも一方の表面に、(a)感
光性材料を形成し、(b)所定形状の開口部を有するフ
ォトマスクを用いて、上記感光性材料を露光し、(c)
上記フォトマスクを、上記感光性材料の表面と平行な方
向に所定の移動幅だけ移動させ、(d)上記工程(b)
と工程(c)を所定回数繰り返し、(e)上記感光性材
料を現像することによりバンプ構造を形成し、 上記バンプ構造及び上記透明絶縁基板の表面を覆って配
向膜を形成し、 上記1対の透明絶縁基板の間に液晶を挟む液晶表示素子
の製造方法。
5. A pair of polarizing elements is prepared, a compensator is formed on one of the polarizing elements, a transparent insulating substrate is formed on each of the pair of polarizers, and at least one of the transparent insulating substrates is formed. (A) forming a photosensitive material on the surface, (b) exposing the photosensitive material using a photomask having openings of a predetermined shape, and (c)
(D) moving the photomask in a direction parallel to the surface of the photosensitive material by a predetermined moving width;
And step (c) are repeated a predetermined number of times; (e) developing the photosensitive material to form a bump structure; forming an alignment film covering the bump structure and the surface of the transparent insulating substrate; A method for manufacturing a liquid crystal display device in which a liquid crystal is sandwiched between transparent insulating substrates.
【請求項6】 上記移動幅が、上記開口部の幅と大略同
じであることを特徴とする請求項5記載の液晶表示素子
の製造方法。
6. The method for manufacturing a liquid crystal display element according to claim 5, wherein said movement width is substantially equal to the width of said opening.
【請求項7】 上記移動幅が、上記開口部の幅よりも狭
いことを特徴とする請求項5記載の液晶表示素子の製造
方法。
7. The method according to claim 5, wherein the movement width is smaller than the width of the opening.
【請求項8】 上記移動幅が、上記開口部の幅よりも広
いことを特徴とする請求項5記載の液晶表示素子の製造
方法。
8. The method according to claim 5, wherein the moving width is wider than the width of the opening.
【請求項9】 (a)所定形状の開口部を有するフォト
マスクを、感光性材料の表面と平行な方向に所定の速度
で移動させながら、該フォトマスクを用いて該感光性材
料を露光し、(b)上記感光性材料を現像することによ
り形成するバンプ構造の形成方法。
9. (a) exposing the photosensitive material using the photomask while moving the photomask having an opening of a predetermined shape at a predetermined speed in a direction parallel to the surface of the photosensitive material; And (b) a method for forming a bump structure formed by developing the photosensitive material.
【請求項10】 1対の偏光素子を準備し、 上記偏光素子の一方に補償板を形成し、 上記1対の偏光子の各々に透明絶縁基板を形成し、 上記透明絶縁基板の少なくとも一方の表面に、(a)感
光性材料を形成し、(b)所定形状の開口部を有するフ
ォトマスクを、感光性材料の表面と平行な方向に所定の
速度で移動させながら、該フォトマスクを用いて上記感
光性材料を露光し、(c)上記感光性材料を現像してバ
ンプ構造を形成し、 上記バンプ構造及び上記透明絶縁基板の表面を覆って配
向膜を形成し、 上記1対の透明絶縁基板の間に液晶を挟む液晶表示素子
の製造方法。
10. A pair of polarizing elements is prepared, a compensator is formed on one of the polarizing elements, a transparent insulating substrate is formed on each of the pair of polarizers, and at least one of the transparent insulating substrates is formed. While (a) forming a photosensitive material on the surface, and (b) moving a photomask having an opening of a predetermined shape at a predetermined speed in a direction parallel to the surface of the photosensitive material, the photomask is used. (C) developing the photosensitive material to form a bump structure; forming an alignment film covering the bump structure and the surface of the transparent insulating substrate; A method for manufacturing a liquid crystal display device in which liquid crystal is sandwiched between insulating substrates.
【請求項11】 (a)所定形状の開口部を有するフォ
トマスクを用いて、感光性材料を露光し、(b)上記フ
ォトマスクを、上記感光性材料の表面と平行な方向に、
上記開口部と大略同じ幅だけ移動させ、(c)上記感光
性材料を露光する露光エネルギーを繰り返し毎に漸次減
少させながら、工程(a)と工程(b)を所定回数繰り
返し、(d)上記感光性材料を現像することにより形成
するバンプ構造の形成方法
11. A method comprising: (a) exposing a photosensitive material using a photomask having an opening having a predetermined shape; and (b) placing the photomask in a direction parallel to a surface of the photosensitive material.
(C) repeating the steps (a) and (b) a predetermined number of times while gradually decreasing the exposure energy for exposing the photosensitive material with each repetition; Method of forming bump structure formed by developing photosensitive material
【請求項12】 上記工程(c)の後、さらに、(e)
上記フォトマスクを、上記感光性材料の表面と平行な方
向に、上記開口部と大略同じ幅だけ移動させ、(f)上
記フォトマスクを用いて、上記感光性材料を露光し、
(g)上記感光性材料を露光する露光エネルギーを繰り
返し毎に漸次増加させながら、工程(e)と工程(f)
を所定回数繰り返す工程を備えることを特徴とする請求
項11記載のバンプ構造の形成方法。
12. After the step (c), (e)
Moving the photomask in a direction parallel to the surface of the photosensitive material by substantially the same width as the opening; (f) exposing the photosensitive material using the photomask;
(G) Step (e) and step (f) while gradually increasing the exposure energy for exposing the photosensitive material for each repetition.
12. The method for forming a bump structure according to claim 11, further comprising the step of repeating a predetermined number of times.
【請求項13】 (a)所定形状の開口部を有するフォ
トマスクを用いて、感光性材料を露光し、(b)上記フ
ォトマスクを、上記感光性材料の表面と平行な方向に、
上記開口部と大略同じ幅だけ移動させ、(c)上記感光
性材料を露光する露光エネルギーを繰り返し毎に漸次増
加させながら、工程(a)と工程(b)を所定回数繰り
返し、(d)上記感光性材料を現像することにより形成
するバンプ構造の形成方法
(A) exposing a photosensitive material using a photomask having an opening having a predetermined shape; and (b) exposing the photomask in a direction parallel to a surface of the photosensitive material.
(C) repeating the steps (a) and (b) a predetermined number of times while gradually increasing the exposure energy for exposing the photosensitive material with each repetition; Method of forming bump structure formed by developing photosensitive material
【請求項14】 上記工程(c)の後、さらに、(e)
上記フォトマスクを、上記感光性材料の表面と平行な方
向に、上記開口部と大略同じ幅だけ移動させ、(f)上
記フォトマスクを用いて、上記感光性材料を露光し、
(g)上記感光性材料を露光する露光エネルギーを繰り
返し毎に漸次減少させながら、工程(e)と工程(f)
を所定回数繰り返す工程を備えることを特徴とする請求
項13記載のバンプ構造の形成方法。
14. After the step (c), (e)
Moving the photomask in a direction parallel to the surface of the photosensitive material by substantially the same width as the opening; (f) exposing the photosensitive material using the photomask;
(G) Step (e) and step (f) while gradually reducing the exposure energy for exposing the photosensitive material for each repetition.
14. A method for forming a bump structure according to claim 13, further comprising the step of repeating a predetermined number of times.
【請求項15】 (a)所定形状の開口部を有するフォ
トマスクを用いて、感光性材料を露光し、(b)上記フ
ォトマスクを、上記感光性材料の表面と平行な方向に、
上記開口部と大略同じ幅だけ移動させ、(c)上記感光
性材料を露光する露光時間を繰り返し毎に漸次減少させ
ながら、工程(a)と工程(b)を所定回数繰り返し、
(d)上記感光性材料を現像することにより形成するバ
ンプ構造の形成方法
(A) exposing a photosensitive material using a photomask having an opening having a predetermined shape; and (b) disposing the photomask in a direction parallel to a surface of the photosensitive material.
(C) repeating the steps (a) and (b) a predetermined number of times while gradually decreasing the exposure time for exposing the photosensitive material with each repetition;
(D) A method of forming a bump structure formed by developing the photosensitive material
【請求項16】 上記工程(c)の後、さらに、(e)
上記フォトマスクを、上記感光性材料の表面と平行な方
向に、上記開口部と大略同じ幅だけ移動させ、(f)上
記フォトマスクを用いて、上記感光性材料を露光し、
(g)上記感光性材料を露光する露光時間を繰り返し毎
に漸次増加させながら、工程(e)と工程(f)を所定
回数繰り返す工程を備えることを特徴とする請求項15
記載のバンプ構造の形成方法。
16. After the step (c), (e)
Moving the photomask in a direction parallel to the surface of the photosensitive material by substantially the same width as the opening; (f) exposing the photosensitive material using the photomask;
(G) a step of repeating the step (e) and the step (f) a predetermined number of times while gradually increasing the exposure time for exposing the photosensitive material for each repetition.
A method for forming the bump structure according to the above.
【請求項17】 (a)所定形状の開口部を有するフォ
トマスクを用いて、感光性材料を露光し、(b)上記フ
ォトマスクを、上記感光性材料の表面と平行な方向に、
上記開口部と大略同じ幅だけ移動させ、(c)上記感光
性材料を露光する露光時間を繰り返し毎に漸次増加させ
ながら、工程(a)と工程(b)を所定回数繰り返し、
(d)上記感光性材料を現像することにより形成するバ
ンプ構造の形成方法
17. A method comprising: (a) exposing a photosensitive material using a photomask having an opening having a predetermined shape; and (b) disposing the photomask in a direction parallel to a surface of the photosensitive material.
(C) repeating step (a) and step (b) a predetermined number of times while gradually increasing the exposure time for exposing the photosensitive material with each repetition by moving the opening by substantially the same width as the opening;
(D) A method of forming a bump structure formed by developing the photosensitive material
【請求項18】 上記工程(c)の後、さらに、(e)
上記フォトマスクを、上記感光性材料の表面と平行な方
向に、上記開口部と大略同じ幅だけ移動させ、(f)上
記フォトマスクを用いて、上記感光性材料を露光し、
(g)上記感光性材料を露光する露光時間を繰り返し毎
に漸次減少させながら、工程(e)と工程(f)を所定
回数繰り返す工程を備えることを特徴とする請求項17
記載のバンプ構造の形成方法。
18. After the step (c), (e)
Moving the photomask in a direction parallel to the surface of the photosensitive material by substantially the same width as the opening; (f) exposing the photosensitive material using the photomask;
18. The method according to claim 17, further comprising the step of: repeating step (e) and step (f) a predetermined number of times while gradually reducing an exposure time for exposing the photosensitive material for each repetition.
A method for forming the bump structure according to the above.
【請求項19】 感光性材料を基板表面に形成し、該感
光性材料の表面に平行にフォトマスクを移動させながら
上記感光性材料を露光し、上記感光性材料を現像するこ
とにより、異なる角度に傾斜する複数の傾斜面を備えた
バンプ構造を形成し、 該バンプ構造の表面に金属膜を形成する液晶表示素子用
反射板の製造方法。
19. A method of forming a photosensitive material on a substrate surface, exposing the photosensitive material while moving a photomask in parallel with the surface of the photosensitive material, and developing the photosensitive material, so that different angles are obtained. A method of manufacturing a reflector for a liquid crystal display element, comprising: forming a bump structure having a plurality of inclined surfaces that are inclined at a predetermined angle, and forming a metal film on the surface of the bump structure.
【請求項20】 上記金属膜がアルミニウムであること
を特徴とする請求項19記載の液晶表示素子用反射板の
製造方法。
20. The method according to claim 19, wherein the metal film is aluminum.
【請求項21】 第1のフォトレジストを基板に形成す
る工程と、 上記第1のフォトレジストを、第1の台形開口を有する
第1のフォトマスクを用いて露光する工程と、 上記第1のフォトレジストを現像する工程と、 上記第1のフォトレジスト上に、第2のフォトレジスト
を形成する工程と、 上記第2のフォトレジストを、上記第1の台形開口より
も小さな第2の台形開口を有する第2のフォトマスクを
用いて露光する工程と、 上記第2のフォトレジストを現像する工程を備えたバン
プ構造の形成方法。
21. A step of forming a first photoresist on a substrate; a step of exposing the first photoresist by using a first photomask having a first trapezoidal opening; Developing a photoresist; forming a second photoresist on the first photoresist; and disposing the second photoresist in a second trapezoidal opening smaller than the first trapezoidal opening. A method for forming a bump structure, comprising: exposing using a second photomask having: and developing the second photoresist.
【請求項22】 上記第1のフォトレジストおよび第2
のフォトレジスト上に、さらにオーバーコート層を形成
することを特徴とする請求項23記載の形成方法。
22. The first photoresist and the second photoresist.
24. The method according to claim 23, further comprising forming an overcoat layer on the photoresist.
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