JP2001007239A - Semiconductor device and manufacture thereof - Google Patents

Semiconductor device and manufacture thereof

Info

Publication number
JP2001007239A
JP2001007239A JP11171334A JP17133499A JP2001007239A JP 2001007239 A JP2001007239 A JP 2001007239A JP 11171334 A JP11171334 A JP 11171334A JP 17133499 A JP17133499 A JP 17133499A JP 2001007239 A JP2001007239 A JP 2001007239A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
support frame
flexible film
electrically insulating
semiconductor chip
insulating flexible
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11171334A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiko Inoue
雅彦 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP11171334A priority Critical patent/JP2001007239A/en
Publication of JP2001007239A publication Critical patent/JP2001007239A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method by which a work of dicing into individual semiconductor devices can be made easy. SOLUTION: There are provided an electrically insulating flexible film 1, a plurality of semiconductor chips 2 and a support frame 3. The support frame 3 is a plate-like body, has an aperture 5 and is bonded on the electrically insulating flexible film 1 having interconnections. The semiconductor chips 2 are bonded on the electrically insulating flexible film 1 inside the aperture 5 of the support frame 3. Two or more slits 6, 6 patterned after the shape of the semiconductor chip 2 are formed in a laminate of the electrically insulating film 1 and the support frame 3. A connecting portion 8 between the slits 6, 6 is cut so that individual semiconductor devices 4 are separated.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
その製造方法に関し、特に電気絶縁性フレキシブルフィ
ルムに半導体チップを貼り付けるタイプのパッケージ構
造を有する半導体装置とその製造方法に関する。
The present invention relates to a semiconductor device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a semiconductor device having a package structure of a type in which a semiconductor chip is attached to an electrically insulating flexible film and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体装置は、電子機器の高性能
化と軽薄短小化の傾向からますます高集積化、高機能化
が進んだことから、実装効率、実装性の問題を回避する
ために、はんだボールをパッケージの外部端子に置き換
えた面実装型パッケージであるBGA(Ball Gr
id Array)と呼ばれる半導体装置が用いられる
ようになった。
2. Description of the Related Art In recent years, with the trend toward higher performance and lighter, thinner and smaller electronic devices, semiconductor devices have been increasingly integrated and functionalized. A BGA (Ball Gr), which is a surface mount type package in which solder balls are replaced with external terminals of the package,
A semiconductor device called an “id Array” has come to be used.

【0003】さらに、半導体装置のより小型化・高密度
化を実現するために、小型のBGAとして、表面に接続
用のパッドを有する半導体チップと、フィルムキャリア
との積層構造から成る半導体装置が提案されている。
Further, in order to realize a more compact and higher-density semiconductor device, a semiconductor device having a laminated structure of a semiconductor chip having connection pads on its surface and a film carrier has been proposed as a small BGA. Have been.

【0004】この半導体装置に用いられるフィルムキャ
リアは、表面に配線層が形成され、裏面に導電性の突起
物が形成され、配線層と突起物とがフィルム内のスルー
ホールを介して電極に接続され、前記フィルムキャリア
の配線層の一部が前記半導体チップのパッドに接続され
ているものである。
In a film carrier used in this semiconductor device, a wiring layer is formed on the front surface, and conductive protrusions are formed on the back surface. The wiring layer and the protrusions are connected to electrodes through through holes in the film. And a part of the wiring layer of the film carrier is connected to a pad of the semiconductor chip.

【0005】一般に、この種の半導体装置のパッケージ
は、実装される半導体チップと実質的に同様なサイズを
有しており、半導体装置は、半導体パッケージを半導体
チップに取り付けることにより構成されるものである。
In general, a package of a semiconductor device of this kind has substantially the same size as a semiconductor chip to be mounted, and the semiconductor device is configured by attaching the semiconductor package to the semiconductor chip. is there.

【0006】図3に、BGA構造の半導体装置の構造の
一例を示す。図3に示す半導体装置は、半導体チップ1
2が電気絶縁性フレキシブルフィルム11に接着され、
半導体チップ12は、電気絶縁性フレキシブルフィルム
11に接着される面を除いてモールド樹脂19にて封止
されたものである。
FIG. 3 shows an example of the structure of a semiconductor device having a BGA structure. The semiconductor device shown in FIG.
2 is bonded to the electrically insulating flexible film 11,
The semiconductor chip 12 is sealed with a mold resin 19 except for a surface adhered to the electrically insulating flexible film 11.

【0007】電気絶縁性フレキシブルフィルム11は、
接着剤20を用いて半導体チップ12に取り付けられ、
半導体チップ12の表面は、電極パッド部分を除いてポ
リイミド等によって形成された電気絶縁性フレキシブル
フィルム11に覆われる。
[0007] The electrically insulating flexible film 11
Attached to the semiconductor chip 12 using an adhesive 20,
The surface of the semiconductor chip 12 is covered with an electrically insulating flexible film 11 made of polyimide or the like except for the electrode pad portion.

【0008】電気絶縁性フレキシブルフィルム11には
配線が設けられ、いずれも図示を略すが、配線には、半
導体チップ12の電極パッドに電気的に接続された導電
性突起物が設けられている。
[0010] Wiring is provided on the electrically insulating flexible film 11, and although not shown, the wiring is provided with conductive protrusions electrically connected to the electrode pads of the semiconductor chip 12.

【0009】なお、電気絶縁性フレキシブルフィルム1
1上の配線は、カバーコートによって保護されている。
The electrically insulating flexible film 1
The wiring on 1 is protected by a cover coat.

【0010】電気絶縁性フレキシブルフィルム11に連
ねられた複数個の半導体装置14を個々に分離するとき
には、パッケージサイズに合わせた金型を用い、電気絶
縁性フレキシブルフィルム11を半導体装置14の外形
に沿う切断箇所18で切断することによって行われる。
When the plurality of semiconductor devices 14 connected to the electrically insulating flexible film 11 are separated from each other, a metal mold corresponding to the package size is used, and the electrically insulating flexible film 11 follows the outer shape of the semiconductor device 14. This is performed by cutting at the cutting point 18.

【0011】また、上記半導体装置は、その製造工程に
おいて、電気絶縁性フレキシブルフィルム単位で製造さ
れ、工程間の運搬、供給・収納は、キャリア等を用いて
行われている。
The above-mentioned semiconductor device is manufactured in units of an electrically insulating flexible film in the manufacturing process, and transportation, supply and storage between the processes are performed using a carrier or the like.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体パッ
ケージを有する半導体装置においても、将来半導体チッ
プと同様なサイズが増加することが予想される。このよ
うな半導体装置の種類の増加に対処するためには、パッ
ケージサイズ毎に専用の外形切断用金型が必要になる。
Incidentally, it is expected that the size of a semiconductor device having a semiconductor package will increase in the future in the same manner as a semiconductor chip. In order to cope with such an increase in the number of types of semiconductor devices, a dedicated external shape cutting die is required for each package size.

【0013】また、半導体チップ12を封止するモール
ド樹脂19は、成形時にバリを生ずることがあり、半導
体チップの外形に沿って、電気絶縁性フレキシブルフィ
ルム11から金型で個々の半導体装置14を切断する際
に、バリを含めて切断されると、金型の刃を損傷させる
と云う問題がある。
The molding resin 19 for sealing the semiconductor chip 12 may cause burrs during molding, and the individual semiconductor devices 14 are separated from the electrically insulating flexible film 11 by a mold along the outer shape of the semiconductor chip. When cutting is performed including burrs, there is a problem that the blade of the mold is damaged.

【0014】さらに、電気絶縁性フレキシブルフィルム
の材質は、ポリイミド等であるため、絶縁フィルムに撓
みが生じて、これを一定形態に保持することができず、
運搬や受版け渡しのハンドリング作業を機械的に行うこ
とが困難であり、このため、手作業あるいはキャリア等
の使用を余儀なくされていた。
Further, since the material of the electrically insulating flexible film is polyimide or the like, the insulating film bends and cannot be held in a fixed form.
It is difficult to carry out the handling work of transporting and receiving the plate mechanically, so that manual work or use of a carrier or the like has been forced.

【0015】本発明の目的は、個々の半導体装置に切断
する作業並びに切断前のハンドリング作業を容易ならし
めた半導体装置およびその製造方法を提供することにあ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same, which facilitate the work of cutting into individual semiconductor devices and the handling work before cutting.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による半導体装置においては、電気絶縁性フ
レキシブルフィルムと、複数の半導体チップと、サポー
トフレームとを有する半導体装置であって、電気絶縁性
フレキシブルフィルムは、半導体チップに接続すべき配
線を有するものであり、サポートフレームは、板状体で
あり、板面に各半導体チップの形状を象った開口を有
し、電気絶縁性フレキシブルフィルムの片面に接着さ
れ、半導体チップは、サポートフレームの開口内に収納
されたものであり、開口内で電気絶縁性フレキシブルフ
ィルムに接着され、電気絶縁性フレキシブルフイルムと
サポートフレームとは、半導体チップの形状を象り、そ
の周囲を囲み、繋ぎ部分をもって2以上に分離されたス
リットが形成され、スリットは、隣り合うスリット間の
繋ぎ部分を切断して個々の半導体装置に分離させる切れ
目である。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device having an electrically insulating flexible film, a plurality of semiconductor chips, and a support frame. The flexible flexible film has wiring to be connected to the semiconductor chip, the support frame is a plate-like body, and has an opening on the plate surface in the shape of each semiconductor chip. The semiconductor chip is housed in the opening of the support frame, and is adhered to the electrically insulating flexible film in the opening, and the electrically insulating flexible film and the support frame have the shape of the semiconductor chip. To form a slit that is divided into two or more with a connecting part. DOO is by cutting the connecting portion between adjacent slits cut to separate the individual semiconductor devices.

【0017】また、個々の半導体チップは、樹脂封止さ
れてそれぞれ枠型内に嵌合保持されたものであり、枠型
は、サポートフレームの開口縁に設けられたものであ
り、スリットは、枠型を含めて半導体チップを電気絶縁
性フレキシブルフイルムとサポートフレームとから切り
離すものである。
The individual semiconductor chips are resin-sealed and fitted and held in respective frame molds. The frame mold is provided at an opening edge of the support frame. The semiconductor chip including the frame is separated from the electrically insulating flexible film and the support frame.

【0018】また、サポートフレームは、自己保形性を
有し、電気絶縁性フレキシブルフィルムを機械的に補強
して一定形態を保持させるものである。
Further, the support frame has a self-retaining property, and mechanically reinforces the electrically insulating flexible film to maintain a predetermined shape.

【0019】また、本発明の半導体装置の製造法におい
ては、サポートフレーム張り付け処理と、半導体チップ
の搭載処理とを有する半導体装置の製造方法であって、
サポートフレーム張り付け処理は、電気絶縁性フレキシ
ブルフィルムの片面にサポートフレームを張り付ける処
理であり、サポートフレームは、自己保形性を有する板
状体であり、板面に半導体チップを受入れる複数の開口
を有し、サポートフレーム及び電気絶縁性フレキシブル
フィルムは、サポートフレームの開口形状を象ってその
周囲に、一部が繋がった切り離し用のスリットが共通に
付されたものであり、半導体チップの搭載処理は、型枠
内に保持させた半導体チップをサポートフレームの開口
内を通して電気絶縁性フレキシブルフィルム接着する処
理であり、個々の半導体装置は、スリット間の繋ぎ部分
を切断して電気絶縁性フレキシブルフィルムとサポート
フレームとの積層から切り離されるものである。
Further, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device having a support frame attaching process and a semiconductor chip mounting process.
The support frame attaching process is a process of attaching a support frame to one surface of an electrically insulating flexible film, and the support frame is a plate-shaped body having a self-retaining property, and a plurality of openings for receiving a semiconductor chip are provided on the plate surface. The support frame and the electrically insulative flexible film are provided with a cut-off slit that is partially connected to the periphery of the support frame in the shape of the opening of the support frame, and is used for mounting the semiconductor chip. Is a process of bonding an electrically insulating flexible film to a semiconductor chip held in a mold through an opening in a support frame.Each semiconductor device cuts a connecting portion between slits to form an electrically insulating flexible film. It is separated from the stack with the support frame.

【0020】本発明による複数の開口を有するサポート
フレームは、エッチング加工や金型を用いた加工により
作製することができ、複数の開口を有するサポートフレ
ームを用いることで設備の自働化が可能になり、生産性
を向上し、量産性を高める事が出来る。
The support frame having a plurality of openings according to the present invention can be manufactured by etching or processing using a metal mold. By using a support frame having a plurality of openings, the equipment can be automated. In addition, productivity can be improved and mass productivity can be improved.

【0021】また、電気絶縁性フレキシブルフィルムも
切断加工により作製することができ、上記複数の開口を
有するサポートフレームおよび電気絶縁性フレキシブル
フィルムに半導体装置を象ったスリットを共通に設ける
ことで、従来のような外形切断にパッケージサイズ毎の
金型は不要となり、隣り合うスリット間の繋ぎ部分を切
断具やレーザ加工により切断することで半導体装置の外
形切断が可能となり、外形切断のパッケージ種類対応に
おいて自由度を有し、この点でも量産性に優れている。
Also, an electrically insulative flexible film can be manufactured by cutting, and the support frame having a plurality of openings and the electrically insulative flexible film are commonly provided with slits that model a semiconductor device. No die for each package size is required for external cutting like this, and the external part of the semiconductor device can be cut by cutting the connecting part between adjacent slits with a cutting tool or laser processing. It has a high degree of freedom and is also excellent in mass productivity in this respect.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下に本発明による半導体装置お
よびその製造方法の実施の形態について、図面を参照し
て以下に説明する。図1において、本発明による半導体
装置は、電気絶縁性フレキシブルフィルム1と、複数の
半導体チップ2と、サポートフレーム3との組み合わせ
からなり、後に個々の半導体装置4に切り離されるもの
である。
Embodiments of a semiconductor device and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 1, a semiconductor device according to the present invention comprises a combination of an electrically insulating flexible film 1, a plurality of semiconductor chips 2, and a support frame 3, and is later separated into individual semiconductor devices 4.

【0023】本発明による半導体装置は、サポートフレ
ーム張り付け処理と、半導体チップの搭載処理とを順に
行うことによって得られる。サポートフレーム張り付け
処理は、電気絶縁性フレキシブルフィルム1の片面にサ
ポートフレーム3を張り付ける処理である。
A semiconductor device according to the present invention can be obtained by sequentially performing a support frame attaching process and a semiconductor chip mounting process. The support frame attaching process is a process of attaching the support frame 3 to one surface of the electrically insulating flexible film 1.

【0024】サポートフレーム3は、半導体チップ2を
受入れる複数の開口5を縦横に有し、サポートフレーム
3及び電気絶縁性フレキシブルフィルム1の積層には、
サポートフレーム3の開口形状を象ってその周囲に、一
部が繋がった切り離し用のスリット6が共通に付されて
いる。
The support frame 3 has a plurality of openings 5 for receiving the semiconductor chip 2 vertically and horizontally, and the support frame 3 and the electrically insulating flexible film 1 are laminated.
In the periphery of the opening shape of the support frame 3, a partly connected separation slit 6 is commonly provided.

【0025】半導体チップの搭載処理は、型枠7内に保
持させた半導体チップ2をサポートフレーム3の開口5
内を通して電気絶縁性フレキシブルフィルム1の片面に
接着する処理である。型枠7は、サポートフレーム3の
開口縁に設けられたものである。
In the mounting process of the semiconductor chip, the semiconductor chip 2 held in the mold
This is a process of adhering to one surface of the electrically insulating flexible film 1 through the inside. The mold 7 is provided at an opening edge of the support frame 3.

【0026】電気絶縁性フレキシブルフィルム1に連ね
られた個々の半導体装置4は、隣り合うスリット6、6
間の繋ぎ部分8を切断し、電気絶縁性フレキシブルフィ
ルム1とサポートフレーム3との積層から切り離す事に
よって得られる。
The individual semiconductor devices 4 connected to the electrically insulating flexible film 1 are separated from the adjacent slits 6, 6.
It can be obtained by cutting the connecting portion 8 between them and separating from the laminate of the electrically insulating flexible film 1 and the support frame 3.

【0027】図1(c)においては、サポートフレーム
3の開口5に型枠7を取付けた例を示しているが、型枠
7は、予め、サポートフレーム3の開口5に一体に形成
されていてもよい。すなわち、開口5の開口縁に張り出
して型枠7をサポートフレーム3の一部に形成し、この
型枠7内に、樹脂封止された半導体チップ2を嵌合保持
させてもよい。
FIG. 1C shows an example in which the mold 7 is attached to the opening 5 of the support frame 3. The mold 7 is formed integrally with the opening 5 of the support frame 3 in advance. You may. That is, the mold 7 may be formed on a part of the support frame 3 so as to protrude from the opening edge of the opening 5, and the resin-sealed semiconductor chip 2 may be fitted and held in the mold 7.

【0028】電気絶縁性フレキシブルフィルム1の材質
は、ポリイミド等の可撓性を有するものであり、半導体
チップ2に接続すべき配線を有するものである。サポー
トフレーム3は、自己保形性を有する板状体、例えば銅
板を用い、開口5は、例えば、銅板にエッチング加工を
施すことによって作製する。
The material of the electrically insulating flexible film 1 is a material having flexibility such as polyimide and has wiring to be connected to the semiconductor chip 2. The support frame 3 is made of a plate-like body having a self-retaining property, for example, a copper plate, and the opening 5 is made by, for example, etching the copper plate.

【0029】半導体チップ2は、電気絶縁性フレキシブ
ルフィルム1に接着すべき面を除いてモールド樹脂9に
封止され、さらに枠型7内に嵌合されている。枠型7
は、サポートフレーム3の開口5内に収納され、接着剤
10によって、サポートフレーム3の一面および型枠7
に保持された半導体チップ2の面が開口5内で電気絶縁
性フレキシブルフィルム1に接着される。
The semiconductor chip 2 is sealed in a mold resin 9 except for a surface to be bonded to the electrically insulating flexible film 1, and is fitted in the frame mold 7. Frame type 7
Is accommodated in the opening 5 of the support frame 3, and one surface of the support frame 3 and the
The surface of the semiconductor chip 2 held in the opening 5 is adhered to the electrically insulating flexible film 1 in the opening 5.

【0030】スリット6は、電気絶縁性フレキシブルフ
イルム1とサポートフレーム3との積層に共通に形成さ
れる切れ目であるが、図1に示す実施形態においては、
半導体チップ2の外形が四角形をなしており、この実施
形態では、四角形の各辺に沿ってそれぞれスリット6を
各辺と平行に付し、隣り合う各スリット6は、四角形の
隅の部分で互いに切り離されているものである。
The slit 6 is a cut formed commonly in the lamination of the electrically insulating flexible film 1 and the support frame 3. In the embodiment shown in FIG.
The outer shape of the semiconductor chip 2 has a quadrangular shape. In this embodiment, the slits 6 are respectively provided in parallel with the respective sides along the respective sides of the quadrangle, and the adjacent slits 6 are mutually separated at the corners of the quadrangle. It has been separated.

【0031】したがって、各スリット6は、四角形の各
隅が隣り合うスリット間の繋ぎ部分8となり、この4個
所の繋ぎ部分8をレーザ加工あるいは、切断具をもって
単に切断することによって、電気絶縁性フレキシブルフ
イルム1とサポートフレーム3との積層から個々の半導
体装置4に切り離される。
Therefore, each slit 6 becomes a connecting portion 8 between the adjacent slits at each corner of the quadrangle, and the four connecting portions 8 are laser-processed or simply cut with a cutting tool to obtain an electrically insulating flexible portion. The semiconductor device 4 is separated from the stack of the film 1 and the support frame 3 into individual semiconductor devices 4.

【0032】隣り合う2本のスリット6、6間の繋ぎ部
分8は、半導体チップの形状を象る四角形の隅の4個所
に形成する場合には限らない。図2の例では、半導体チ
ップの形状をかこむ対のスリット6,6を4角形の一辺
の中央部位で切り離し、すなわち、一辺の中央部位を繋
ぎ部分8とする対のスリット6、6を形成した例であ
る。この例によるときには、2個所の繋ぎ部分8を切り
離すことにより、個々の半導体装置4に分離できる。
The connecting portion 8 between the two adjacent slits 6, 6 is not limited to the case where it is formed at four corners of a quadrangular shape representing the shape of a semiconductor chip. In the example of FIG. 2, a pair of slits 6, 6 enclosing the shape of the semiconductor chip are cut off at the center of one side of the quadrangle, that is, a pair of slits 6, 6 having the center of one side as a connecting portion 8 are formed. It is an example. In this example, the semiconductor device 4 can be separated into individual semiconductor devices 4 by separating the two connecting portions 8.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
および製造方法によれば、電気絶縁性フレキシブルフィ
ルムとサポートフレームとに、半導体チップの外形を象
って共通に形成された2又は2以上のスリットの繋ぎ部
分を切断するだけで個々の半導体装置に分離することが
でき、半導体装置の切り離しのために従来のようにパッ
ケージサイズ毎に専用の切断金具を用いる必要がなく、
簡単な構造の切断具を用いて半導体装置の分離作業を容
易に行う事が出来る。
As described above, according to the semiconductor device and the manufacturing method of the present invention, the electrically insulating flexible film and the support frame are formed with two or more common parts which are formed in common with the outer shape of the semiconductor chip. Can be separated into individual semiconductor devices simply by cutting the connecting portions of the slits, and there is no need to use a dedicated cutting bracket for each package size as in the past for separating the semiconductor device.
The semiconductor device can be easily separated using a cutting tool having a simple structure.

【0034】また、本発明によれば、半導体チップは、
型枠内に嵌合保持させているため、封止樹脂のバリが周
囲に張り出す事がなく、個々の半導体装置に切断する際
に、切断具を損傷させる事がない。
Further, according to the present invention, a semiconductor chip comprises:
Since it is fitted and held in the mold, the burrs of the sealing resin do not protrude to the periphery, and the cutting tool is not damaged when cutting into individual semiconductor devices.

【0035】さらに、電気絶縁性フレキシブルフィルム
は、自己保形性を有するサポートフレームに補強される
ため、撓まず、一定形態に保形でき、運搬、その他のハ
ンドリングを機械的に行う事ができる効果を有する。
Further, since the electrically insulating flexible film is reinforced by the support frame having a self-retaining property, it does not bend and can be kept in a fixed form, and can be transported and other handling can be performed mechanically. Having.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態を示すもので、(a)は、
半導体装置の一部断面平面図、(b)は、断面側面図、
(c)は、要部分解斜視図である。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention, in which (a)
FIG. 3B is a partial cross-sectional plan view of the semiconductor device, FIG.
(C) is an exploded perspective view of a main part.

【図2】本発明の他の実施形態を示すもので、(a)
は、半導体装置の一部断面平面図、(b)は、断面側面
図である。
FIG. 2 shows another embodiment of the present invention, in which (a)
FIG. 2 is a partial cross-sectional plan view of the semiconductor device, and FIG.

【図3】従来の半導体装置の構成を示すもので、(a)
は、半導体装置の一部断面平面図、(b)は、断面側面
図である。
FIG. 3 shows a configuration of a conventional semiconductor device, in which (a)
FIG. 2 is a partial cross-sectional plan view of the semiconductor device, and FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 電気絶縁性フレキシブルフィルム 2 半導体チップ 3 サポートフレーム 4 個々の半導体装置 5 開口 6 スリット 7 型枠 8 繋ぎ部分 9 モールド樹脂 10 接着剤 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electrically insulating flexible film 2 Semiconductor chip 3 Support frame 4 Individual semiconductor device 5 Opening 6 Slit 7 Formwork 8 Connecting part 9 Mold resin 10 Adhesive

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電気絶縁性フレキシブルフィルムと、複
数の半導体チップと、サポートフレームとを有する半導
体装置であって、 電気絶縁性フレキシブルフィルムは、半導体チップに接
続すべき配線を有するものであり、 サポートフレームは、板状体であり、板面に各半導体チ
ップの形状を象った開口を有し、電気絶縁性フレキシブ
ルフィルムの片面に接着され、 半導体チップは、サポートフレームの開口内に収納され
たものであり、開口内で電気絶縁性フレキシブルフィル
ムに接着され、 電気絶縁性フレキシブルフイルムとサポートフレームと
は、半導体チップの形状を象り、その周囲を囲み、繋ぎ
部分をもって2以上に分離されたスリットが形成され、 スリットは、隣り合うスリット間の繋ぎ部分を切断して
個々の半導体装置に分離させる切れ目であることを特徴
とする半導体装置。
1. A semiconductor device having an electrically insulating flexible film, a plurality of semiconductor chips, and a support frame, wherein the electrically insulating flexible film has wiring to be connected to the semiconductor chip. The frame is a plate-like body, has an opening in the shape of each semiconductor chip on the plate surface, is adhered to one surface of the electrically insulating flexible film, and the semiconductor chip is housed in the opening of the support frame. The slit is adhered to the electrically insulative flexible film in the opening, and the electrically insulative flexible film and the support frame are shaped into the shape of a semiconductor chip, surround the periphery thereof, and are separated into two or more slits by connecting portions. The slits are separated into individual semiconductor devices by cutting the connection between adjacent slits. Wherein a is cut that.
【請求項2】 個々の半導体チップは、樹脂封止されて
それぞれ枠型内に嵌合保持されたものであり、枠型は、
サポートフレームの開口縁に設けられたものであり、 スリットは、枠型を含めて半導体チップを電気絶縁性フ
レキシブルフイルムとサポートフレームとから切り離す
ものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装
置。
2. An individual semiconductor chip is sealed with a resin and fitted and held in a frame, respectively.
2. The semiconductor according to claim 1, wherein the slit is provided at an opening edge of the support frame, and the slit separates the semiconductor chip including the frame from the electrically insulating flexible film and the support frame. apparatus.
【請求項3】 サポートフレームは、自己保形性を有
し、電気絶縁性フレキシブルフィルムを機械的に補強し
て一定形態を保持させるものであることを特徴とする請
求項1に記載の半導体装置。
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the support frame has a self-retaining property, and mechanically reinforces the electrically insulating flexible film so as to maintain a predetermined shape. .
【請求項4】 サポートフレーム張り付け処理と、半導
体チップの搭載処理とを有する半導体装置の製造方法で
あって、 サポートフレーム張り付け処理は、電気絶縁性フレキシ
ブルフィルムの片面にサポートフレームを張り付ける処
理であり、サポートフレームは、自己保形性を有する板
状体であり、板面に半導体チップを受入れる複数の開口
を有し、サポートフレーム及び電気絶縁性フレキシブル
フィルムは、サポートフレームの開口形状を象ってその
周囲に、一部が繋がった切り離し用のスリットが共通に
付されたものであり、 半導体チップの搭載処理は、型枠内に保持させた半導体
チップをサポートフレームの開口内を通して電気絶縁性
フレキシブルフィルム接着する処理であり、 個々の半導体装置は、スリット間の繋ぎ部分を切断して
電気絶縁性フレキシブルフィルムとサポートフレームと
の積層から切り離されるものであることを特徴とする半
導体装置の製造方法。
4. A method of manufacturing a semiconductor device having a support frame attaching process and a semiconductor chip mounting process, wherein the support frame attaching process is a process of attaching a support frame to one surface of an electrically insulating flexible film. , The support frame is a plate-like body having a self-maintaining property, and has a plurality of openings for receiving a semiconductor chip on a plate surface, and the support frame and the electrically insulating flexible film model the opening shape of the support frame. Around the periphery, a partly connected slit for separation is attached in common. The mounting process of the semiconductor chip is performed by passing the semiconductor chip held in the mold through the opening of the support frame and electrically insulating flexible This is the process of bonding films. Each semiconductor device cuts the connection between slits. A semiconductor device which is separated from a laminate of an electrically insulating flexible film and a support frame.
JP11171334A 1999-06-17 1999-06-17 Semiconductor device and manufacture thereof Pending JP2001007239A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11171334A JP2001007239A (en) 1999-06-17 1999-06-17 Semiconductor device and manufacture thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11171334A JP2001007239A (en) 1999-06-17 1999-06-17 Semiconductor device and manufacture thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001007239A true JP2001007239A (en) 2001-01-12

Family

ID=15921310

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11171334A Pending JP2001007239A (en) 1999-06-17 1999-06-17 Semiconductor device and manufacture thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001007239A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100550171B1 (en) * 2001-09-27 2006-02-10 가부시끼가이샤 도시바 Film substrate, semiconductor device, method of manufacturing film substrate, and method of manufacturing circuit board having semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100550171B1 (en) * 2001-09-27 2006-02-10 가부시끼가이샤 도시바 Film substrate, semiconductor device, method of manufacturing film substrate, and method of manufacturing circuit board having semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8653647B2 (en) Plastic package and method of fabricating the same
KR101587561B1 (en) Integrated circuit package system with leadframe array
US6838315B2 (en) Semiconductor device manufacturing method wherein electrode members are exposed from a mounting surface of a resin encapsulator
US10943857B2 (en) Substrate with multi-layer resin structure and semiconductor device including the substrate
US7888179B2 (en) Semiconductor device including a semiconductor chip which is mounted spaning a plurality of wiring boards and manufacturing method thereof
JP2002100588A (en) Production method for semiconductor device
KR20010004562A (en) chip size stack package and method of fabricating the same
WO2004004005A1 (en) Semiconductor device and its manufacturing method
JP4103342B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
TWI430425B (en) Integrated circuit package system employing bump technology
JPH09252065A (en) Semiconductor device, manufacture thereof, and board frame
US6574858B1 (en) Method of manufacturing a chip package
US20170317016A1 (en) Package with vertical interconnect between carrier and clip
WO2007148782A1 (en) Resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing the same, base for semiconductor device, and multilayer resin-sealed semiconductor device
JP4331910B2 (en) Semiconductor device, manufacturing method thereof, lead frame, manufacturing method thereof, and manufacturing method of semiconductor device using lead frame
JP2004349316A (en) Semiconductor device and its manufacturing method
US20220157700A1 (en) Two sided bondable lead frame
JP2004014823A (en) Semiconductor device and its fabricating method
JPH10214921A (en) Member for ball grid array semiconductor package, its manufacture, and manufacture of ball grid array semiconductor package
JP2000299423A (en) Lead frame, semiconductor device using the same and manufacture thereof
US7579680B2 (en) Packaging system for semiconductor devices
JP2001007239A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JPH11251504A (en) Electronic component and manufacture thereof
KR20010008926A (en) Method for fabricating multi-chip semiconductor package
JP3303825B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device