JP2001006992A - Method and apparatus for exposure of electron beam - Google Patents
Method and apparatus for exposure of electron beamInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム露光方
法及び装置に関し、特にチャージアップによる照射位置
のドリフトを低減した電子ビーム露光方法及び装置に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam exposure method and apparatus, and more particularly, to an electron beam exposure method and apparatus in which irradiation position drift due to charge-up is reduced.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路は微細加工技術の進歩に
伴って一層高集積化される傾向にあり、微細加工技術に
要求される性能は益々厳しいものになってきている。と
りわけ露光技術においては、従来使用されているステッ
パなどに用いられる光露光技術の限界が予想されてい
る。電子ビーム露光技術は、光露光技術に代わって微細
加工の次世代を担う可能性の高い技術である。2. Description of the Related Art Semiconductor integrated circuits tend to be more highly integrated with advances in microfabrication technology, and the performance required of microfabrication technology is becoming increasingly severe. In particular, in the case of the exposure technology, the limit of the light exposure technology used for the steppers and the like conventionally used is expected. Electron beam exposure technology is a technology that is likely to be the next generation of fine processing in place of light exposure technology.
【０００３】電子ビーム露光装置には、可変矩形露光方
式、ブロック露光方式、マルチビーム露光方式などの方
式がある。本発明はいずれの方式にも適用可能である
が、ここではブロック露光方式を例として説明を行う。
しかし、本発明はこれに限定されるものではない。ブロ
ック露光方式は、繰り返し図形の単位となるパターンを
透過マスク上に持ち、これに電子ビームを透過させて単
位パターンを一度に発生させ、これをつないで繰り返し
図形を露光する方法である。There are various types of electron beam exposure apparatuses such as a variable rectangular exposure system, a block exposure system, and a multi-beam exposure system. The present invention can be applied to any of the methods. Here, the block exposure method will be described as an example.
However, the present invention is not limited to this. The block exposure method is a method in which a pattern serving as a unit of a repeated figure is held on a transmission mask, an electron beam is transmitted through the mask to generate a unit pattern at a time, and the pattern is connected to expose the figure repeatedly.
【０００４】図１は、ブロック露光方式の電子ビーム露
光装置におけるビーム照射系の構成を示す図である。図
１において、参照番号１１は電子ビームを発生する電子
銃を、１２は電子銃１１からの電子ビームを平行ビーム
にする第１の収束レンズを、１３は通過する平行ビーム
を所定の形状に成形するアパーチャーを、１４は成形さ
れたビームを絞る第２の収束レンズを、１５は成形用の
偏向器を、１６は第１のマスク偏向器を、１７はマスク
による非点収差を動的に補正する偏向器を、１８は第２
のマスク偏向器を、１９はマスク用収束コイルを、２０
は第１の成形用レンズを、２１はステージ２１Ａで移動
されるブロックマスクを、２２は第２の成形用レンズ
を、２３は第３のマスク偏向器を、２４はビームをオン
・オフ制御するためのブランキング偏向器を、２５は第
４のマクス偏向器を、２６は第３のレンズを、２７は円
形アパーチャを、２８は縮小レンズを、２９はダイナミ
ックフォーカスコイルを、３０は投影レンズを、３１は
電磁的な主偏向器を、３２は静電的な副偏向器を示し、
３３は試料１に照射された電子ビームの反射電子を検出
して反射電子信号を出力する反射電子検出器を示し、投
影レンズ３０により電子ビーム１０がステージ２に載置
された試料（ウエハ）１に収束される。ステージはウエ
ハ１を電子ビーム１０に垂直な平面内で２次元的に移動
させる。以上の部分が電子光学鏡筒部（コラム）と呼ば
れる筐体内に収容され、コラム内は真空にされて露光が
行われる。電子ビーム露光装置は、更に所望のパターン
を露光するようにコラムの各部を制御する露光制御部を
有するが、ここでは説明を省略する。FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a beam irradiation system in a block exposure type electron beam exposure apparatus. In FIG. 1, reference numeral 11 denotes an electron gun that generates an electron beam, 12 denotes a first converging lens that converts the electron beam from the electron gun 11 into a parallel beam, and 13 denotes a shaped parallel beam that passes therethrough. Aperture, 14 a second converging lens for narrowing the shaped beam, 15 a shaping deflector, 16 a first mask deflector, 17 a dynamic correction of astigmatism due to the mask. 18 is the second deflector.
19 is a mask converging coil, and 20 is a mask converging coil.
Denotes a first shaping lens, 21 denotes a block mask moved by the stage 21A, 22 denotes a second shaping lens, 23 denotes a third mask deflector, and 24 controls on / off of a beam. A blanking deflector, 25 a fourth Max deflector, 26 a third lens, 27 a circular aperture, 28 a reduction lens, 29 a dynamic focus coil, and 30 a projection lens. , 31 indicate an electromagnetic main deflector, 32 indicates an electrostatic sub deflector,
Reference numeral 33 denotes a backscattered electron detector for detecting backscattered electrons of the electron beam applied to the sample 1 and outputting a backscattered electron signal. Converges. The stage moves the wafer 1 two-dimensionally in a plane perpendicular to the electron beam 10. The above parts are housed in a housing called an electron optical column (column), and the inside of the column is evacuated to perform exposure. The electron beam exposure apparatus further has an exposure control unit for controlling each part of the column so as to expose a desired pattern, but the description is omitted here.
【０００５】一般に、主偏向器３１は、副偏向器３２に
比べて偏向範囲が大きいが応答速度が遅い。そのため電
子ビーム露光装置では露光効率の向上のため、図１に示
すように、主偏向器３１と副偏向器３２を組合せる。露
光を行う場合には、主偏向器３１の偏向範囲（実際には
若干小さい範囲）を複数の副領域に分割し、主偏向器３
１の偏向位置を各副領域の中心とし、副偏向器３２の偏
向量を変化させながらその副領域内のパターンを露光す
る。なお、ステージを移動しながら同じ列の副領域を順
次露光する場合もある。Generally, the main deflector 31 has a larger deflection range than the sub deflector 32 but has a slow response speed. Therefore, in the electron beam exposure apparatus, a main deflector 31 and a sub deflector 32 are combined as shown in FIG. When performing exposure, the deflection range (actually, a slightly smaller range) of the main deflector 31 is divided into a plurality of sub-regions.
With one deflection position as the center of each sub-region, the pattern in the sub-region is exposed while changing the amount of deflection of the sub-deflector 32. In some cases, the sub-regions in the same row are sequentially exposed while moving the stage.
【０００６】図２は、主偏向器３１と副偏向器３２の部
分のより詳しい構成を示す図である。図２に示すよう
に、主偏向器３１は４つの電磁偏向器３１ａ〜３１ｄを
４段に組み合わせて構成されている。データ管理回路４
５から出力された主偏向データは主偏向第１演算回路４
２ａ〜主偏向第４演算回路４２ｄで偏向能率Ｃ1 〜Ｃ４
が乗ぜられた後、主偏向第１ＤＡ／アンプ４１ａ〜主偏
向第４ＤＡ／アンプ４１ｄでアナログ信号に変換された
後増幅されて、各電磁偏向器３１ａ〜３１ｄに印加され
る。各電磁偏向器３１ａ〜３１ｄは、印加された信号に
応じて磁界を発生させ、電子ビーム１０を偏向する。例
えば、ある電磁偏向器で偏向して位置を変化させた後、
他の電磁偏向器で元の方向に振り戻すことにより、電子
ビームの出射位置は変化するが出射方向は常に試料１に
垂直な方向になるようにする。これであれば、試料１の
高さが変化しても露光位置がほとんど変化しないので、
露光像の劣化が低減できるという利点がある。FIG. 2 is a diagram showing a more detailed configuration of the main deflector 31 and the sub deflector 32. As shown in FIG. As shown in FIG. 2, the main deflector 31 is configured by combining four electromagnetic deflectors 31a to 31d in four stages. Data management circuit 4
The main deflection data output from the main deflection first arithmetic circuit 4
2a to the deflection efficiency C1 to C4 in the main deflection fourth arithmetic circuit 42d
Are converted into analog signals by the main deflection first DA / amplifier 41a to the main deflection fourth DA / amplifier 41d, amplified, and applied to the electromagnetic deflectors 31a to 31d. Each of the electromagnetic deflectors 31a to 31d generates a magnetic field according to the applied signal and deflects the electron beam 10. For example, after changing the position by deflecting with a certain electromagnetic deflector,
By returning the electron beam to the original direction by another electromagnetic deflector, the emission position of the electron beam changes, but the emission direction is always set to a direction perpendicular to the sample 1. In this case, even if the height of the sample 1 changes, the exposure position hardly changes.
There is an advantage that deterioration of the exposed image can be reduced.
【０００７】副偏向器３２は、例えば、セラミック製の
円筒の内面に軸方向に延びる８枚の薄い金属膜を形成し
て電極とし、対向する電極に電圧を印加することで電界
を形成して入射する電子ビームを静電界で偏向する。デ
ータ管理回路４５から出力された副偏向データは、副偏
向演算回路４４で偏向能率Ｄが乗ぜられた後、副偏向Ｄ
Ａ／アンプ４３でアナログ信号に変換された後、増幅さ
れて各電極に印加される。なお、図示の関係で副偏向演
算回路４４と副偏向ＤＡ／アンプ４３はそれぞれ１個の
みを示したが、電極は８個あり、実際には各電極に対応
して副偏向演算回路４４と副偏向ＤＡ／アンプ４３の組
が８組設けられており、偏向能率もＤ１〜Ｄ８が個別に
設定される。副偏向器３２に入射した電子ビームは徐々
に偏向され、ある出射角度で出射される。The sub deflector 32 forms, for example, eight thin metal films extending in the axial direction on the inner surface of a ceramic cylinder to form electrodes, and forms an electric field by applying a voltage to the opposing electrodes. The incident electron beam is deflected by an electrostatic field. The sub deflection data output from the data management circuit 45 is multiplied by the deflection efficiency D by the sub deflection calculation circuit 44,
After being converted into an analog signal by the A / amplifier 43, it is amplified and applied to each electrode. Although only one sub-deflection operation circuit 44 and one sub-deflection DA / amplifier 43 are shown in the figure, there are eight electrodes, and in practice, the sub-deflection operation circuit 44 and the sub-deflection Eight sets of deflection DA / amplifiers 43 are provided, and deflection efficiencies D1 to D8 are individually set. The electron beam incident on the sub deflector 32 is gradually deflected and emitted at a certain exit angle.
【０００８】偏向能率Ｃ1 〜Ｃ４及びＤ１は、与えられ
た主偏向データ及び副偏向データに比例した偏向位置が
得られるように設定され、データ管理回路４５に記憶さ
れる。ＣＰＵ４６は、装置全体の制御を行う制御回路を
構成し、露光データから各偏向器による偏向量を算出し
た上で、各演算回路３２ａ〜４２ｄ及び４４に出力す
る。The deflection efficiencies C1 to C4 and D1 are set so as to obtain a deflection position proportional to the given main deflection data and sub deflection data, and are stored in the data management circuit 45. The CPU 46 constitutes a control circuit for controlling the entire apparatus, calculates the amount of deflection by each deflector from the exposure data, and outputs it to each of the arithmetic circuits 32a to 42d and 44.
【０００９】電子ビーム露光装置のコラムには、適当に
断面が成形された電子ビームをウエハ上に照射するため
の投影レンズが内蔵されているが、上述した電磁偏向器
と静電偏向器はこの投影レンズとほぼ一体的に、具体的
には電磁偏向器内に静電偏向器が収容される形で配置さ
れている。従って、静電偏向器（副偏向器）及びその周
辺の部品に、加工性や精度は良好であるが導電性の高い
金属を使用すると、渦電流の影響により電磁偏向器（主
偏向器）の応答速度が遅くなるといった不都合が生じ
る。これは、高スループットを要求されている電子ビー
ム露光装置にとって非常に問題となる。The column of the electron beam exposure apparatus has a built-in projection lens for irradiating the wafer with an electron beam having a suitably shaped cross section. The electrostatic deflector is arranged almost integrally with the projection lens, specifically, in a form in which the electrostatic deflector is accommodated in the electromagnetic deflector. Therefore, when a metal with good workability and precision but high conductivity is used for the electrostatic deflector (sub-deflector) and its peripheral parts, the electromagnetic deflector (main deflector) is affected by the eddy current. The inconvenience that response speed becomes slow occurs. This is very problematic for an electron beam exposure apparatus that requires high throughput.
【００１０】渦電流を小さくするため、筒状の絶縁材料
（例えばアルミナ）の内側にめっき（例えば下地はＮｉ
Ｐ、表面はＡｕ）を施して静電偏向器を形成することも
行われたが、加工精度やメッキなどの問題があるため、
現在は比抵抗の値がほぼ理想的なAlTiC(アルミナと炭化
チタンの化合物）セラミックを研削加工したものに白金
めっきを行って静電偏向電極とし、この電極を絶縁性の
アルミナセラミックの中空円筒に固定して静電偏向器を
構成している。In order to reduce the eddy current, plating is applied on the inside of a cylindrical insulating material (for example, alumina) (for example, the base material is Ni).
P and the surface were also subjected to Au) to form an electrostatic deflector, but due to problems such as processing accuracy and plating,
Currently, AlTiC (compound of alumina and titanium carbide) ceramics, whose resistivity is almost ideal, is ground and plated with platinum to form an electrostatic deflection electrode, and this electrode is formed into a hollow cylinder of insulating alumina ceramic. It is fixed to form an electrostatic deflector.
【００１１】図３は、電子ビーム露光装置で使用される
静電偏向器の従来例を示す図であり、（ａ）は静電偏向
器の外観構成を、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’線か
ら見た上面図を、（ｃ）は（ｂ）におけるＢ−Ｂ’線に
沿った断面図をそれぞれ示している。図示のように、静
電偏向器３２は、電極群５１と、電極群５１が内部に固
定される中空円筒状の保持部材５２とから構成されてい
る。FIGS. 3A and 3B are views showing a conventional example of an electrostatic deflector used in an electron beam exposure apparatus. FIG. 3A shows the external configuration of the electrostatic deflector, and FIG. 3B shows A in FIG. (C) shows a cross-sectional view taken along line BB 'in (b). As illustrated, the electrostatic deflector 32 includes an electrode group 51 and a hollow cylindrical holding member 52 to which the electrode group 51 is fixed.
【００１２】電極群５１は、８個のAlTiC セラミックの
電極材Ｅ1 〜Ｅ8 によって構成され、各電極材Ｅi （ｉ
＝１〜８）は、保持部材５２の内部で軸対称に配置固定
されている（図３（ｂ）参照）。各電極材Ｅi は、研削
加工によってそれぞれ同一形状に形成され、表面には金
属皮膜が形成されている。この金属皮膜は、例えばルテ
ニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）及び白
金（Ｐｔ）などの白金族の金属であり、電解めっきによ
り各導電性セラミックの表面に直接形成されている。The electrode group 51 is composed of eight AlTiC ceramic electrode materials E 1 to E 8 , and each electrode material E i (i
= 1 to 8) are axially symmetrically arranged and fixed inside the holding member 52 (see FIG. 3B). Each electrode material Ei is formed in the same shape by grinding, and a metal film is formed on the surface. This metal film is made of, for example, ruthenium (Ru), rhodium (Rh), palladium (P
d), a platinum group metal such as osmium (Os), iridium (Ir), and platinum (Pt), which is formed directly on the surface of each conductive ceramic by electrolytic plating.
【００１３】電子ビームは電子の流れであり、絶縁材料
に衝突すれば絶縁材料の表面に電荷が蓄積される。蓄積
された電荷は周囲の電界に影響を与える。静電偏向器
は、各電極材Ｅi に電圧を印加して電極群５１の内部に
電界を発生させて、入射した電子ビームを電界の力で偏
向するものである。そのため、周囲の保持部材１２の表
面に電荷が蓄積して電界を乱すと、所望の偏向量が得ら
れなくなるという問題が生じる。そこで、図示の静電偏
向器では、各電極材Ｅi の横断面をクランク状にして筒
の中心軸から保持部材５２の内側表面が直接見えないよ
うな形状にしている。このような形状にすることで、筒
の内部を通過する電子ビームが散乱しても、散乱した電
子はいずれかの電極材Ｅi に衝突して、保持部材１２の
内側表面には到達しないようにしている。An electron beam is a flow of electrons, and when it collides with an insulating material, charges are accumulated on the surface of the insulating material. The stored charge affects the surrounding electric field. The electrostatic deflector applies a voltage to each electrode material Ei to generate an electric field inside the electrode group 51, and deflects the incident electron beam by the force of the electric field. Therefore, if electric charges accumulate on the surface of the surrounding holding member 12 and disturb the electric field, there arises a problem that a desired deflection amount cannot be obtained. Therefore, in the illustrated electrostatic deflector, the cross section of each electrode material Ei is formed in a crank shape so that the inner surface of the holding member 52 is not directly visible from the center axis of the cylinder. With such a shape, even if the electron beam passing through the inside of the cylinder is scattered, the scattered electrons collide with one of the electrode materials Ei and do not reach the inner surface of the holding member 12. ing.
【００１４】一方、保持部材５２は、各電極材Ｅi を相
互に絶縁する必要があり、アルミナなどのセラミック絶
縁材料で形成されている。この保持部材５２には、図示
のように外周面での径が内周面での径より大きいくさび
状の固定穴５３が設けられている。これら固定穴は、電
極群５１（８個の電極材Ｅ1 〜Ｅ8 ）を内部に配置固定
する際に用いられるもので、各電極材Ｅi 毎に２個（合
計１６個）の固定穴が設けられる。各固定穴５３の内壁
部分には、メタライズ法によりＴｉ或いはモリブデン−
マンガン（Ｍｏ−Ｍｎ）を主成分とする接合用金属パッ
ド１６及び１７が形成される。On the other hand, the holding member 52 needs to insulate the respective electrode materials Ei from each other, and is formed of a ceramic insulating material such as alumina. The holding member 52 is provided with a wedge-shaped fixing hole 53 whose diameter on the outer peripheral surface is larger than the diameter on the inner peripheral surface as shown in the figure. These fixing holes are used when the electrode group 51 (eight electrode materials E 1 to E 8 ) is arranged and fixed inside, and two fixing holes (a total of 16 holes) are provided for each electrode material Ei. Provided. The inner wall portion of each fixing hole 53 is provided with Ti or molybdenum by a metallizing method.
The bonding metal pads 16 and 17 mainly containing manganese (Mo-Mn) are formed.
【００１５】[0015]
【発明が解決しようとする課題】静電偏向器の表面に電
荷が蓄積すると、蓄積された電荷が発生する電界が電子
ビームの照射位置をずらすという問題を発生する。この
ような照射位置に影響する電荷の蓄積は、特に静電偏向
器に蓄積される電荷が大きく問題であるが、それだけで
なく電子ビームが通過する経路付近にある絶縁表面すべ
てで問題になる。このような装置表面の電荷の蓄積を、
一般にチャージアップと呼んでいる。電子ビーム露光装
置は、非常に微細なパターンを描画するものであり、た
とえ小さな照射位置のずれ（ドリフト）であっても大き
な問題になる。When electric charges accumulate on the surface of the electrostatic deflector, there arises a problem that the electric field generated by the accumulated electric charges shifts the irradiation position of the electron beam. Such accumulation of charge affecting the irradiation position is particularly problematic in terms of the charge accumulated in the electrostatic deflector, but also on all insulating surfaces near the path through which the electron beam passes. Such accumulation of charge on the surface of the device
Generally called charge-up. The electron beam exposure apparatus draws a very fine pattern, and even if the irradiation position is slightly shifted (drift), it becomes a serious problem.
【００１６】静電偏向器の構造や材料は、上記のように
表面に電荷が蓄積しないような各種の工夫が施され、電
極表面は、非常に清浄な状態にした上で組み立てられ
る。そのため、チャージアップによるドリフト量はかな
り小さくなっているが、完全にゼロにすることは非常に
難しいのが現状である。その原因は、試料表面のレジス
トによる汚染などによると考えられる。The structure and the material of the electrostatic deflector are variously designed so that electric charges do not accumulate on the surface as described above, and the electrode surface is assembled after the surface is made extremely clean. For this reason, the amount of drift due to charge-up is considerably small, but it is very difficult to completely eliminate the drift at present. The cause is considered to be the contamination of the sample surface by the resist.
【００１７】図４は、電子ビームをレジストに照射する
ことによる静電偏向器の汚染及びチャージアップを説明
する図である。図４の（１）に示すように、試料（ウエ
ハ）１の表面には、感光層であるレジスト層３が形成さ
れている。電子ビーム１０をレジスト層３に照射する
と、電子ビーム１０はレジスト層３に吸収されてレジス
ト層を感光させるが、一部はレジスト層３の表面で反射
されて反射電子となる。また、一旦レジスト層３内に入
った電子が再び放出されて２次電子となる。反射電子や
２次電子は、静電偏向器を構成する絶縁性の保持部材５
２の表面などに蓄積されて、チャージアップの原因とな
る。更に、電子ビームは加速されてレジスト層３に照射
されるため、レジスト分子が蒸発し、それが静電偏向器
や付近の装置の表面に付着して汚染するものと思われ
る。レジストは絶縁性であるので、レジスト分子が電極
などの導電性の表面に付着すると、その部分に電子など
が蓄積されて、チャージアップの原因となる。そのた
め、静電偏向器の材料や形状などの物理的な対策だけ
で、チャージアップを完全に除去するのは困難であり、
ドリフトによる露光位置精度の低下が問題になってい
る。FIG. 4 is a view for explaining contamination and charge-up of the electrostatic deflector by irradiating the resist with an electron beam. As shown in FIG. 4A, a resist layer 3 as a photosensitive layer is formed on the surface of the sample (wafer) 1. When the resist layer 3 is irradiated with the electron beam 10, the electron beam 10 is absorbed by the resist layer 3 to expose the resist layer, but a part is reflected on the surface of the resist layer 3 to become a reflected electron. In addition, the electrons that have once entered the resist layer 3 are released again and become secondary electrons. The reflected electrons and the secondary electrons are supplied to the insulating holding member 5 constituting the electrostatic deflector.
It accumulates on the surface of No. 2 and causes charge-up. Further, since the electron beam is accelerated and irradiated on the resist layer 3, the resist molecules are supposed to evaporate, adhere to the surface of the electrostatic deflector and the surface of a nearby device, and become contaminated. Since the resist is insulative, when resist molecules adhere to a conductive surface such as an electrode, electrons and the like are accumulated in that portion, which causes charge-up. Therefore, it is difficult to completely remove the charge-up only by physical measures such as the material and shape of the electrostatic deflector.
There is a problem that the exposure position accuracy is reduced due to the drift.
【００１８】本発明は、電子ビーム露光装置におけるチ
ャージアップによるドリフトを低減して、露光位置精度
を向上することを目的とする。An object of the present invention is to reduce the drift due to charge-up in an electron beam exposure apparatus and improve the exposure position accuracy.
【００１９】[0019]
【課題を解決するための手段】上記目的を実現するた
め、本発明の電子ビームの露光方法及び装置では、チャ
ージアップによるドリフトに関係する要因を分析し、そ
れらの要因から発生されるドリフト量を予測し、偏向量
をその分だけ補正することで、露光位置精度を向上させ
る。In order to achieve the above object, in the electron beam exposure method and apparatus of the present invention, factors related to drift due to charge-up are analyzed, and the amount of drift generated from those factors is determined. By predicting and correcting the deflection amount by that amount, the exposure position accuracy is improved.
【００２０】すなわち、本発明の電子ビームの露光方法
は、電子ビームを試料上に収束すると共に偏向して所望
の位置に照射する電子ビーム露光方法において、チャー
ジアップ演算式に基づいて、装置のチャージアップによ
る電子ビームの照射位置のドリフト量を演算し、偏向器
による偏向量を補正することを特徴とする。また、本発
明の電子ビームの露光は、電子ビームを発生する電子銃
と、電子ビームを試料上に収束する収束ユニットと、電
子ビームを偏向する偏向器と、試料を載置して移動する
移動機構と、偏向器の偏向データを出力する偏向制御回
路とを備える電子ビーム露光装置において、偏向制御回
路は、チャージアップ演算式に基づいて、装置のチャー
ジアップによる電子ビームの照射位置のドリフト量を演
算し、偏向器による偏向量を補正することを特徴とす
る。That is, according to the electron beam exposure method of the present invention, an electron beam exposure method for converging and deflecting an electron beam on a sample and irradiating the electron beam to a desired position is based on a charge-up operation formula. The drift amount of the irradiation position of the electron beam due to the up is calculated, and the deflection amount by the deflector is corrected. Further, the exposure of the electron beam of the present invention includes an electron gun for generating an electron beam, a converging unit for converging the electron beam on a sample, a deflector for deflecting the electron beam, and a movement for mounting and moving the sample. In an electron beam exposure apparatus including a mechanism and a deflection control circuit that outputs deflection data of a deflector, the deflection control circuit calculates a drift amount of an irradiation position of an electron beam due to charge-up of the apparatus based on a charge-up operation formula. It is characterized by calculating and correcting the amount of deflection by the deflector.
【００２１】チャージアップ演算式は、例えば、電子ビ
ームの照射であるショット毎の、試料に照射された電子
ビームの電流量と、電子ビームの試料への照射位置と、
電子ビームのオン・オフ時間とをパラメータとする式で
ある。また、チャージアップ演算式は、電子ビームの電
流量の２乗根に比例してドリフト量が変化する項を有す
ることが望ましい。更に、チャージアップ演算式は、電
子ビームの電流量が大きくなるように変化する場合と小
さくなるように変化する場合で時定数が異なるようにす
ることが望ましい。更に、電子ビームの照射位置はＸＹ
直交座標で表した場合に、チャージアップ演算式は、Ｘ
方向とＹ方向の前記ドリフト量を別々に演算する。更
に、チャージアップ演算式は、短時間のドリフト量を演
算する時定数の小さな項と、長時間のドリフト量を演算
する時定数の大きな項とを有することが望ましい。The charge-up operation formula is, for example, the amount of current of the electron beam applied to the sample, the position of the electron beam applied to the sample,
This is an equation using the on / off time of the electron beam as a parameter. Further, it is desirable that the charge-up operation formula has a term in which the drift amount changes in proportion to the square root of the current amount of the electron beam. Further, it is desirable that the charge-up operation expression has a different time constant between a case where the current amount of the electron beam changes so as to increase and a case where the current amount changes so as to decrease. Further, the irradiation position of the electron beam is XY
When expressed in rectangular coordinates, the charge-up calculation formula is X
The drift amounts in the direction and the Y direction are separately calculated. Further, it is desirable that the charge-up operation formula has a term having a small time constant for calculating a short-time drift amount and a term having a large time constant for calculating a long-time drift amount.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】前述のように、物理的な対策だけ
でチャージアップによるドリフト量をなくすことはでき
ない。そこで、本発明では、チャージアップによるドリ
フト量を演算してその分を偏向器で補正するが、これに
より照射位置精度を向上させるには、正確にドリフト量
を演算することが重要である。本願発明者は、各種の実
験を行い、チャージアップによるドリフト量に関係する
要因を分析して、高い精度でチャージアップによるドリ
フト量を演算できるチャージアップ演算式を作成した。As described above, the amount of drift due to charge-up cannot be eliminated only by physical measures. Therefore, in the present invention, the drift amount due to charge-up is calculated and the amount is corrected by the deflector. To improve the irradiation position accuracy by this, it is important to calculate the drift amount accurately. The inventor of the present application conducted various experiments, analyzed factors related to the amount of drift due to charge-up, and created a charge-up arithmetic expression capable of calculating the amount of drift due to charge-up with high accuracy.
【００２３】まず、図４の（１）に示したように、チャ
ージアップの直接の要因は、反射電子や２次電子と思わ
れるが、反射電子や２次電子の量は電子ビームの電流量
に関係するので、照射される電子ビームの電流量がパラ
メータの１つとして挙げられる。ブロック露光方式など
では、電流の密度は同じで、ビームの大きさ（サイズ）
に応じて電流量が変化するので、ここでは電流量の替わ
りにビームサイズをパラメータとする。First, as shown in FIG. 4A, the direct cause of the charge-up is thought to be reflected electrons and secondary electrons, but the amount of reflected electrons and secondary electrons depends on the current amount of the electron beam. Therefore, the current amount of the irradiated electron beam is one of the parameters. In the block exposure method, etc., the current density is the same and the beam size (size)
Therefore, the beam size is used as a parameter instead of the current amount.
【００２４】また、電子ビームの照射位置が円筒状の静
電偏向器の中心軸上であれば、静電偏向器の円形の下面
は一様にチャージアップすると思われる。一様にチャー
ジアップした場合には、電界は形成されないので、それ
によるドリフトは発生しない。図４の（２）に示すよう
に、主偏向器や副偏向器により電子ビームが偏向され、
照射位置が中心から変位した場合には、変位した方の部
分がよりチャージアップするものと思われる。そのた
め、ビームの照射位置もパラメータである。試料上の照
射位置はＸＹ座標で表されるので、ドリフト量もＸ座標
とＹ座標でそれぞれ演算する必要がある。If the irradiation position of the electron beam is on the central axis of the cylindrical electrostatic deflector, the circular lower surface of the electrostatic deflector seems to be charged up uniformly. In the case of uniform charge-up, no electric field is formed, so that no drift occurs. As shown in (2) of FIG. 4, the electron beam is deflected by the main deflector and the sub deflector,
When the irradiation position is displaced from the center, it is considered that the displaced portion is more charged up. Therefore, the irradiation position of the beam is also a parameter. Since the irradiation position on the sample is represented by the XY coordinates, the drift amount also needs to be calculated by the X coordinate and the Y coordinate.
【００２５】図５は、副偏向器で中心軸からａ〜ｌで示
す位置に偏向した場合にチャージアップにより生じる偏
向位置のずれをベクトルで示した測定結果を示す。図示
のように偏向位置によってずれの方向・大きさが異なる
ことが分る。後述する演算式の係数Ｃは、各種の偏向位
置についての図５のような測定結果を基づいて定めた。FIG. 5 shows a measurement result in which the deviation of the deflection position caused by the charge-up when the sub-deflector deflects from the central axis to the positions indicated by a to l is represented by a vector. As shown in the figure, it can be seen that the direction and magnitude of the shift differ depending on the deflection position. A coefficient C of an arithmetic expression described later is determined based on measurement results as shown in FIG. 5 for various deflection positions.
【００２６】更に、電子ビームの照射（ショット）に応
じて発生された電荷が表面に蓄積されると共に、表面に
付いた電荷は、その部分の表面抵抗と体積抵抗などによ
り徐々に装置のグランドに流れ、減少する。この減少具
合は、電荷が付いた部分とグランドとの間の抵抗などに
より異なり、抵抗の大きな部分では遅く減少し、抵抗の
小さな部分では速く減少する。そのため、一旦付着した
電荷の減少によるドリフトの減少は、時定数の大きな分
と、時定数の大きな分を考える必要がある。Further, the electric charge generated in response to the electron beam irradiation (shot) is accumulated on the surface, and the electric charge on the surface is gradually brought to the ground of the device due to the surface resistance and the volume resistance of the part. Flow and diminish. The degree of this decrease depends on the resistance between the charged portion and the ground, and decreases slowly at a portion having a large resistance and rapidly decreases at a portion having a small resistance. For this reason, it is necessary to consider the decrease in the drift due to the decrease in the charge once attached to a large time constant and a large time constant.
【００２７】更に、露光を開始した直後は、チャージア
ップの量（蓄積された電荷の量）は小さく、ショットに
応じてチャージアップの量が増加するが、チャージアッ
プの量がある程度まで増加すると、グランドに漏れる電
荷量も増加するため、ショット開始からある程度以上時
間が経過するとほぼ平衡状態になる。以上のような考え
に基づいて、ビームの照射位置及びビームサイズを変え
ながら実際に露光を行い、その露光位置を検出する実験
を繰り返して、次のようなチャージアップ演算式を作成
した。Further, immediately after the start of the exposure, the amount of charge-up (the amount of accumulated charge) is small, and the amount of charge-up increases in accordance with the shot. Since the amount of electric charge leaking to the ground also increases, the state becomes almost equilibrium when a certain time or more has elapsed from the start of the shot. Based on the above idea, actual exposure was performed while changing the beam irradiation position and beam size, and an experiment for detecting the exposure position was repeated, and the following charge-up operation formula was created.
【００２８】[0028]
【数１】 (Equation 1)
【００２９】ｑ（ｔ）は、ビームのドリフト量である。
ｑ’（ｔ）は小さな時定数の成分であり、Ｑ（ｔ）は大
きな時定数の成分である。これらの異なる時定数の項
ｑ’（ｔ）とＱ（ｔ）を合わせることにより、ビームの
ドリフト量ｑ（ｔ）が得られる。ｑ’（ｔ）は次の式で
表される。Q (t) is the drift amount of the beam.
q '(t) is a component of a small time constant, and Q (t) is a component of a large time constant. By combining these different time constant terms q '(t) and Q (t), a beam drift amount q (t) can be obtained. q ′ (t) is represented by the following equation.
【００３０】[0030]
【数２】 (Equation 2)
【００３１】また、Ｑ（ｔ）は次の式で表される。Q (t) is represented by the following equation.
【００３２】[0032]
【数３】 (Equation 3)
【００３３】式（２）と（３）は、共に基本式である。
ビームのオン・オフあるいはビームサイズが変わる瞬間
に時定数を切り替えて、ｔ＝０から計算を始める。計算
は、ｘ方向とｙ方向について行われるので、実質的には
次の４組の式で計算が行われる。Equations (2) and (3) are both basic equations.
The time constant is switched at the moment when the beam is turned on / off or the beam size changes, and the calculation is started from t = 0. Since the calculation is performed in the x direction and the y direction, the calculation is substantially performed by the following four sets of equations.
【００３４】[0034]
【数４】 (Equation 4)
【００３５】このように、このチャージアップ演算式の
ｑ’（ｔ）とＱ（ｔ）の項では、それぞれ前回のショッ
トによるドリフト量と、前回のショット時のドリフト補
正量の和でドリフト量を求めている。前回以前のショッ
トの累積によるドリフト量は前回のショット時のドリフ
ト補正量で表される。本発明の実施例の電子ビーム露光
装置は、図１から図３で説明したような従来と同じ構成
を有する装置であり、副偏向器で電子ビームの照射位置
を、上記のチャージアップ演算式に従って演算したドリ
フト量と逆の量だけ偏向して補正する点が異なる。この
補正演算と補正は、例えば、図２の制御回路を構成する
ＣＰＵ４６が行う。ＣＰＵ４６に上記のチャージアップ
演算式を記憶しておき、各ショットのビームサイズと照
射位置及び記憶してある前回演算したドリフト量に応じ
てドリフト量を算出して記憶する。そして算出したドリ
フト量の分だけ副偏向器による偏向量を補正した補正偏
向量を副偏向器演算回路４４に出力する。この演算は、
各ショット毎に実時間で行う必要がある。As described above, in the terms q ′ (t) and Q (t) of the charge-up calculation expression, the drift amount is calculated by the sum of the drift amount due to the previous shot and the drift correction amount during the previous shot. I'm asking. The drift amount due to the accumulation of shots before the previous shot is represented by the drift correction amount at the time of the previous shot. The electron beam exposure apparatus according to the embodiment of the present invention is an apparatus having the same configuration as that of the related art as described with reference to FIGS. 1 to 3. The difference is that deflection is corrected by an amount opposite to the calculated drift amount. The correction calculation and the correction are performed by, for example, the CPU 46 configuring the control circuit of FIG. The above-described charge-up calculation formula is stored in the CPU 46, and the drift amount is calculated and stored according to the beam size and irradiation position of each shot and the stored previously calculated drift amount. The corrected deflection amount obtained by correcting the deflection amount by the sub deflector by the calculated drift amount is output to the sub deflector calculation circuit 44. This operation is
It must be performed in real time for each shot.
【００３６】図６の（１）は、実際に図示のような順
に、１×１、２×２、４×４の３種類のショットを行っ
た場合のドリフト量の測定値を示す図であり、（２）は
上記の式に基づいて補正を行った場合のドリフト量の測
定値を示す図である。補正を行うことにより、ドリフト
量は減少している。これにより、照射位置のずれが低減
できる。FIG. 6A shows measured values of the drift amount when three types of shots of 1.times.1, 2.times.2, and 4.times.4 are actually performed in the order shown. And (2) are diagrams showing measured values of the drift amount when correction is performed based on the above equation. By performing the correction, the drift amount is reduced. Thereby, the displacement of the irradiation position can be reduced.
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
チャージアップによる電子ビームの照射位置のドリフト
を補正するので、照射位置精度が大幅に向上し、露光パ
ターンの精度が改善される。As described above, according to the present invention,
Since the drift of the irradiation position of the electron beam due to the charge-up is corrected, the accuracy of the irradiation position is greatly improved, and the accuracy of the exposure pattern is improved.
【図１】電子ビーム露光装置の電子光学コラムの構成を
示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an electron optical column of an electron beam exposure apparatus.
【図２】現状の電子ビーム露光装置の偏向手段の構成を
示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a deflection unit of a current electron beam exposure apparatus.
【図３】静電偏向器の構成例を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of an electrostatic deflector.
【図４】チャージアップの原因を説明する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a cause of charge-up.
【図５】偏向位置によるチャージアップドリフト量の差
を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a difference in a charge-up drift amount depending on a deflection position.
【図６】補正を行わない場合と行った場合のドリフト量
の測定結果を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating measurement results of drift amounts when correction is not performed and when correction is performed.
１…試料（ウエハ） １１…電子銃 １６、１８、２３、２５…マスクデフレクタ ２１…ブロックマスク ２８…縮小レンズ ２９…ダイナミックフォーカスレンズ ３０…投影レンズ ３１…主偏向器 ３１ａ〜３１ｄ…電磁偏向器 ３２…副偏向器 ４１ａ〜４１ｄ…主偏向ＤＡ／アンプ ４２ａ〜４２ｄ…主偏向演算回路 ４３…副偏向ＤＡ／アンプ ４４…副偏向演算回路 ４６…ＣＰＵ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Sample (wafer) 11 ... Electron gun 16, 18, 23, 25 ... Mask deflector 21 ... Block mask 28 ... Reduction lens 29 ... Dynamic focus lens 30 ... Projection lens 31 ... Main deflector 31a-31d ... Electromagnetic deflector 32 ... Sub-deflectors 41a to 41d... Main deflection DA / amplifiers 42a to 42d... Main deflection operation circuit 43.
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ２１Ｋ 5/04 Ｇ２１Ｋ 5/04 Ｃ Ｈ０１Ｊ 37/147 Ｈ０１Ｊ 37/147 Ｃ 37/305 37/305 Ｂ (72)発明者 田中 仁 東京都練馬区旭町１丁目32番１号 株式会 社アドバンテスト内 (72)発明者 大饗 義久 東京都練馬区旭町１丁目32番１号 株式会 社アドバンテスト内 Ｆターム(参考） 2H097 AA03 BB00 CA16 LA10 5C033 GG03 5C034 BB04 BB07 5F056 CB16 CC04 CD03 EA06 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) G21K 5/04 G21K 5/04 C H01J 37/147 H01J 37/147 C 37/305 37/305 B (72) Inventor Jin Tanaka 1-32-1 Asahicho, Nerima-ku, Tokyo Inside Advantest Co., Ltd. (72) Inventor Yoshihisa Daifa 1-32-1 Asahicho, Nerima-ku, Tokyo Inside Advantest F-term (reference) 2H097 AA03 BB00 CA16 LA10 5C033 GG03 5C034 BB04 BB07 5F056 CB16 CC04 CD03 EA06
Claims (12)
向して所望の位置に照射する電子ビーム露光方法におい
て、 チャージアップ演算式に基づいて、当該装置のチャージ
アップによる前記電子ビームの照射位置のドリフト量を
演算し、前記偏向器による偏向量を補正することを特徴
とする電子ビーム露光方法。An electron beam exposure method for converging, deflecting, and irradiating an electron beam onto a sample and irradiating a desired position with the electron beam, comprising the steps of: An electron beam exposure method comprising calculating a drift amount and correcting a deflection amount by the deflector.
あって、 前記チャージアップ演算式は、前記電子ビームの照射で
あるショット毎の、前記試料に照射された前記電子ビー
ムの電流量と、前記電子ビームの前記試料への照射位置
と、前記電子ビームのオン・オフ時間とをパラメータと
する式である電子ビーム露光方法。2. The electron beam exposure method according to claim 1, wherein the charge-up operation expression is based on a current amount of the electron beam irradiated on the sample for each shot that is irradiation of the electron beam. An electron beam exposure method, wherein an irradiation position of the electron beam on the sample and an on / off time of the electron beam are parameters.
あって、 前記チャージアップ演算式は、前記電子ビームの電流量
の２乗根に比例して前記ドリフト量が変化する項を有す
る電子ビーム露光方法。3. The electron beam exposure method according to claim 2, wherein the charge-up operation expression has a term in which the drift amount changes in proportion to a square root of a current amount of the electron beam. Beam exposure method.
方法であって、 前記チャージアップ演算式は、前記電子ビームの電流量
が大きくなるように変化する場合と小さくなるように変
化する場合で時定数が異なる電子ビーム露光方法。4. The electron beam exposure method according to claim 2, wherein the charge-up operation expression changes so that the current amount of the electron beam increases and decreases. Electron beam exposure method with different time constants.
電子ビーム露光方法であって、 前記電子ビームの照射位置はＸＹ直交座標で表され、 前記チャージアップ演算式は、Ｘ方向とＹ方向の前記ド
リフト量を別々に演算する電子ビーム露光方法。5. The electron beam exposure method according to claim 2, wherein the irradiation position of the electron beam is represented by XY orthogonal coordinates, and the charge-up operation expression is defined by an X direction and an X direction. An electron beam exposure method for separately calculating the drift amount in the Y direction.
電子ビーム露光方法であって、 前記チャージアップ演算式は、短時間のドリフト量を演
算する時定数の小さな項と、長時間のドリフト量を演算
する時定数の大きな項とを備える電子ビーム露光方法。6. The electron beam exposure method according to claim 2, wherein the charge-up calculation expression includes a term having a small time constant for calculating a short-time drift amount, and a long-term calculation method. And a term having a large time constant for calculating the drift amount of the electron beam.
子ビームを試料上に収束する収束ユニットと、前記電子
ビームを偏向する偏向器と、前記試料を載置して移動す
る移動機構と、前記偏向器の偏向データを出力する偏向
制御回路とを備える電子ビーム露光装置において、 前記偏向制御回路は、 チャージアップ演算式に基づいて、当該装置のチャージ
アップによる前記電子ビームの照射位置のドリフト量を
演算し、前記偏向器による偏向量を補正することを特徴
とする電子ビーム露光装置。7. An electron gun for generating an electron beam, a converging unit for converging the electron beam on a sample, a deflector for deflecting the electron beam, a moving mechanism for mounting and moving the sample, An electron beam exposure apparatus comprising: a deflection control circuit that outputs deflection data of the deflector; wherein the deflection control circuit calculates, based on a charge-up operation formula, a drift amount of an irradiation position of the electron beam due to charge-up of the apparatus. , And corrects the amount of deflection by the deflector.
あって、 前記チャージアップ演算式は、前記電子ビームの照射で
あるショット毎の、前記試料に照射された前記電子ビー
ムの電流量と、前記電子ビームの前記試料への照射位置
と、前記電子ビームのオン・オフ時間とをパラメータと
する式である電子ビーム露光装置。8. The electron beam exposure apparatus according to claim 7, wherein the charge-up operation expression is obtained by calculating a current amount of the electron beam irradiated on the sample for each shot that is irradiation of the electron beam. An electron beam exposure apparatus that uses, as parameters, an irradiation position of the electron beam on the sample and an on / off time of the electron beam.
あって、 前記チャージアップ演算式は、前記電子ビームの電流量
の２乗根に比例して前記ドリフト量が変化する項を有す
る電子ビーム露光装置。9. The electron beam exposure apparatus according to claim 8, wherein the charge-up arithmetic expression has a term in which the drift amount changes in proportion to a square root of a current amount of the electron beam. Beam exposure equipment.
光装置であって、 前記チャージアップ演算式は、前記電子ビームの電流量
が大きくなるように変化する場合と小さくなるように変
化する場合で時定数が異なる電子ビーム露光装置。10. The electron beam exposure apparatus according to claim 8, wherein the charge-up arithmetic expression changes so that the current amount of the electron beam increases and decreases. Electron beam exposure equipment with different time constants.
載の電子ビーム露光装置であって、 前記電子ビームの照射位置はＸＹ直交座標で表され、 前記チャージアップ演算式は、Ｘ方向とＹ方向の前記ド
リフト量を別々に演算する電子ビーム露光装置。11. The electron beam exposure apparatus according to claim 8, wherein the irradiation position of the electron beam is represented by XY orthogonal coordinates, and the charge-up operation expression is defined as an X direction. An electron beam exposure apparatus that separately calculates the drift amount in the Y direction.
載の電子ビーム露光装置であって、 前記チャージアップ演算式は、短時間のドリフト量を演
算する時定数の小さな項と、長時間のドリフト量を演算
する時定数の大きな項とを備える電子ビーム露光装置。12. The electron beam exposure apparatus according to claim 9, wherein the charge-up arithmetic expression includes a term having a small time constant for calculating a short-time drift amount, and a term for calculating a drift amount for a short time. And a term having a large time constant for calculating the drift amount of the electron beam.
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002373856A (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Advantest Corp | Electron beam exposure method, electron beam aligner and method of manufacturing semiconductor element |
| KR100372060B1 (en) * | 1999-12-10 | 2003-02-14 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | Electron-beam exposure method |
| JP2011108968A (en) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Nuflare Technology Inc | Charged particle beam drawing device and electrostatic charging effect correcting method thereof |
| JP2012015246A (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Nuflare Technology Inc | Device and method for drawing charged particle beam |
| JP2017224818A (en) * | 2016-06-13 | 2017-12-21 | アイエムエス ナノファブリケーション アーゲー | Compensation method of pattern positioning error occurring due to change of pattern exposure density in multi-beam drawing apparatus |
| JP2019204857A (en) * | 2018-05-22 | 2019-11-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Electron beam irradiation method, electron beam irradiation device, and program |
| WO2020026696A1 (en) * | 2018-08-02 | 2020-02-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Charged particle beam drawing device and method for drawing charged particle beam |
| WO2021157301A1 (en) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Charged particle beam drawing device, charged particle beam drawing method, and recording medium |
-
1999
- 1999-06-17 JP JP17113199A patent/JP4439038B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100372060B1 (en) * | 1999-12-10 | 2003-02-14 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | Electron-beam exposure method |
| JP4616517B2 (en) * | 2001-06-15 | 2011-01-19 | 株式会社アドバンテスト | Electron beam exposure method, electron beam exposure apparatus, and semiconductor device manufacturing method |
| JP2002373856A (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Advantest Corp | Electron beam exposure method, electron beam aligner and method of manufacturing semiconductor element |
| JP2011108968A (en) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Nuflare Technology Inc | Charged particle beam drawing device and electrostatic charging effect correcting method thereof |
| JP2012015246A (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Nuflare Technology Inc | Device and method for drawing charged particle beam |
| JP2017224818A (en) * | 2016-06-13 | 2017-12-21 | アイエムエス ナノファブリケーション アーゲー | Compensation method of pattern positioning error occurring due to change of pattern exposure density in multi-beam drawing apparatus |
| JP7064831B2 (en) | 2016-06-13 | 2022-05-11 | アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー | Compensation method for pattern positioning errors caused by changes in pattern exposure density in a multi-beam drawing device |
| JP7026575B2 (en) | 2018-05-22 | 2022-02-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Electron beam irradiation method, electron beam irradiation device, and program |
| JP2019204857A (en) * | 2018-05-22 | 2019-11-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Electron beam irradiation method, electron beam irradiation device, and program |
| JP2020021880A (en) * | 2018-08-02 | 2020-02-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Charged particle beam lithography device and charged particle beam lithography method |
| TWI730353B (en) * | 2018-08-02 | 2021-06-11 | 日商紐富來科技股份有限公司 | Charged particle beam drawing device and charged particle beam drawing method |
| US11251012B2 (en) | 2018-08-02 | 2022-02-15 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method |
| KR20200121349A (en) * | 2018-08-02 | 2020-10-23 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing method |
| WO2020026696A1 (en) * | 2018-08-02 | 2020-02-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Charged particle beam drawing device and method for drawing charged particle beam |
| KR102440642B1 (en) | 2018-08-02 | 2022-09-06 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method |
| WO2021157301A1 (en) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Charged particle beam drawing device, charged particle beam drawing method, and recording medium |
| TWI788762B (en) * | 2020-02-05 | 2023-01-01 | 日商紐富來科技股份有限公司 | Charged particle beam drawing device, charged particle beam drawing method, and charged particle beam drawing program |
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