JP2000348369A - Optical pickup - Google Patents

Optical pickup

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JP2000348369A
JP2000348369A JP11218404A JP21840499A JP2000348369A JP 2000348369 A JP2000348369 A JP 2000348369A JP 11218404 A JP11218404 A JP 11218404A JP 21840499 A JP21840499 A JP 21840499A JP 2000348369 A JP2000348369 A JP 2000348369A
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JP
Japan
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coupling lens
optical pickup
laser
semiconductor lasers
optical
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Application number
JP11218404A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Akiyama
洋 秋山
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an optical pickup that is adaptable to two or more kinds of optical disks used for laser beams of different wavelengths, and that is capable of superior recording and reproduction, and that is also compact and inexpensive. SOLUTION: The optical pickup is equipped with a plurality of semiconductor lasers 2, 3 each emitting a laser beam with a wavelength different from each other, an anamorphic coupling lens for making a nearly parallel light flux out of each laser flux from the semiconductor lasers 2, 3, an objective lens 7 for converging such parallelized light flux of the laser beams onto the recording surface 8A of an optical disk 8 as an optical spot, and a return light flux detecting means 4, 9 for detecting light reflected by the recording surface as a return light flux. In the coupling lens 5, assuming that the optical axis direction to be the Z direction and that two directions orthogonally crossing the Z direction and intersecting with each other at right angles to be the X and Y directions, a focal length fX in the X direction of the coupling lens and a focal length fY in the Y direction satisfies and inequality 0<fX<fY, and the light emitting parts of the semiconductor lasers 2, 3 are arranged within the YZ plane.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は光ピックアップに
関する。
[0001] The present invention relates to an optical pickup.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から知られたCD−Rに加え、より
短い波長(650nm)のレーザ光で記録・再生を行う
DVD(デジタルビデオディスク)が実用化された。レ
ーザ光の波長が短くなるほど記録・再生の密度を高める
ことができるため、より短波長での記録・再生を行い得
る光ディスクの実現が意図されている。このため将来、
異なる波長のレーザ光で使用される多種の光ディスクの
併存が予想され、これら複数種の光ディスクに対応でき
る光ピックアップが意図されている。このような、多様
な光ディスクに対応できる光ピックアップは、各種の光
ディスクに対する記録および/または再生、あるいはこ
れらと消去とを良好に行うことができ、なおかつコンパ
クトで安価に実現できることが望ましい。
2. Description of the Related Art In addition to conventionally known CD-Rs, DVDs (digital video discs) for recording / reproducing with shorter wavelength (650 nm) laser light have been put to practical use. Since the recording / reproducing density can be increased as the wavelength of the laser beam becomes shorter, the realization of an optical disk capable of recording / reproducing at a shorter wavelength is intended. So in the future,
It is anticipated that various types of optical disks used with laser beams of different wavelengths will coexist, and an optical pickup that can support these plural types of optical disks is intended. It is desirable that such an optical pickup capable of supporting various optical discs can perform recording and / or reproduction on or from various optical discs satisfactorily, and can be realized compactly and inexpensively.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】この発明は、異なる波
長のレーザ光で使用される2種以上の光ディスクに対応
でき、記録および/または再生、あるいはこれらと消去
とを良好に行うことができ、なおかつ、コンパクトで安
価な光ピックアップの実現を課題とする。
The present invention can cope with two or more kinds of optical disks used with laser beams of different wavelengths, and can perform recording and / or reproduction, or erasing with them satisfactorily, It is another object to realize a compact and inexpensive optical pickup.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】この発明の光ピックアッ
プは、複数の半導体レーザと、カップリングレンズと、
1以上の対物レンズと、戻り光束検出手段とを有する
(請求項1)。「複数の半導体レーザ」は、互いに波長
の異なるレーザ光を放射する。「カップリングレンズ」
は、光軸に直交し互いに直交する2方向における焦点距
離が異なり、複数の半導体レーザからの各レーザ光束を
略平行光束化する「アナモフィックなレンズ」である。
「1以上の対物レンズ」は、カップリングレンズにより
平行光束化されたレーザ光を、光ディスクの記録面上に
光スポットとして集光する。「戻り光束検出手段」は、
記録面による反射光を戻り光束として検出する。戻り光
束検出手段は、各半導体レーザから光ディスクの記録面
に至る照射用光路から戻り光束の光路を分離する光路分
離手段と、分離された戻り光束を受光する受光部とを有
する。上記カップリングレンズは、複数の半導体レーザ
からの各レーザ光束を略平行光束化するから、複数の半
導体レーザから放射される複数種のレーザ光に対して共
通化されている。対物レンズは、後述する実施の形態に
おけるように「複数の半導体レーザに対して共通化」し
ても良いし、複数の対物レンズを「レーザ光の波長に応
じて切り換えて使用」するようにしてもよい。カップリ
ングレンズにおいて、即ち、カップリングレンズに固定
して、光軸方向をZ方向、Z方向に直交し互いに直交す
る2方向をX方向およびY方向とすると、これらX,
Y,Z方向は互いに直交する。カップリングレンズのX
方向の焦点距離(XZ面に平行な面内での焦点距離)を
Xとし、Y方向の焦点距離(YZ面に平行な面内での
焦点距離)をfYとするとき、0<fX<fYであり、複
数の半導体レーザの各発光部は、YZ面内に配列され
る。
An optical pickup according to the present invention comprises: a plurality of semiconductor lasers; a coupling lens;
At least one objective lens and return light beam detecting means are provided. The “plurality of semiconductor lasers” emit laser beams having different wavelengths. "Coupling lens"
Is an "anamorphic lens" which has different focal lengths in two directions orthogonal to the optical axis and orthogonal to each other, and converts each laser beam from a plurality of semiconductor lasers into a substantially parallel beam.
The “one or more objective lenses” collects the laser light, which has been converted into a parallel light beam by the coupling lens, as a light spot on the recording surface of the optical disc. "Return light beam detecting means"
Light reflected by the recording surface is detected as a return light flux. The return light beam detecting means includes an optical path separating means for separating an optical path of the return light beam from an irradiation optical path from each semiconductor laser to the recording surface of the optical disk, and a light receiving unit for receiving the separated return light beam. Since the coupling lens converts each laser beam from the plurality of semiconductor lasers into a substantially parallel beam, it is common to a plurality of types of laser beams emitted from the plurality of semiconductor lasers. The objective lens may be “shared for a plurality of semiconductor lasers” as in the embodiment described later, or the plurality of objective lenses may be “switched and used according to the wavelength of the laser light”. Is also good. In the coupling lens, that is, when the optical axis direction is fixed to the coupling lens and the optical axis direction is a Z direction, and two directions orthogonal to the Z direction and orthogonal to each other are an X direction and a Y direction, these X, Y directions
The Y and Z directions are orthogonal to each other. X of coupling lens
When the focal length in the direction (focal length in a plane parallel to the XZ plane) is f X and the focal length in the Y direction (focal length in a plane parallel to the YZ plane) is f Y , 0 <f an X <f Y, the light-emitting portions of the plurality of semiconductor lasers are arranged in the YZ plane.

【0005】この請求項1記載の光ピックアップにおい
て、複数の半導体レーザの各々の態位は、各半導体レー
ザの「活性層がYZ面に平行となる」ように定める(請
求項2)。請求項1または2記載の光ピックアップにお
いて、複数の半導体レーザのうちで「最も波長の短いレ
ーザ光を放射するもの」を、カップリングレンズの光軸
上に発光部が位置するように配置することが好ましい
(請求項3)。上記請求項1または2または3記載の光
ピックアップにおいて、カップリングレンズのレンズ外
周部に「平坦なコバ部」を、X方向に平行もしくは直交
する方向に形成して取付け基準とすることができる(請
求項4)。あるいはまた、カップリングレンズを保持す
るセルの外周部に、X方向に平行もしくは直交する平坦
部を形成して取付け基準とすることができる(請求項
5)。上記請求項1〜5の任意の1に記載の光ピックア
ップにおいて、カップリングレンズの焦点距離:fX
Yは「条件:1<fY/fX<5」を満足する(請求項
6)。上記請求項1〜6の任意の1に記載の光ピックア
ップにおいて、カップリングレンズは、複数のレンズに
より「副数枚構成もしくは接合レンズ」として構成する
こともできるが、単レンズで構成することができる(請
求項7)。請求項1〜6の任意の1に記載の光ピックア
ップにおいて、半導体レーザの個数は勿論3個以上とす
ることが可能であるが、2個の半導体レーザを用いる場
合は、対物レンズを2個の半導体レーザに共通化し、2
つの半導体レーザを同一のレーザユニットに設け、レー
ザユニットとカップリングレンズの間に、戻り光束を回
折させるホログラム素子を有することができる(請求項
8)。ホログラム素子は、戻り光束検出手段における
「光路分離手段」を構成する。この場合、戻り光束検出
手段の受光部を「レーザユニット内に配備」することが
できる(請求項9)。
In the optical pickup according to the first aspect, the attitude of each of the plurality of semiconductor lasers is determined such that the "active layer is parallel to the YZ plane" of each semiconductor laser (claim 2). 3. The optical pickup according to claim 1, wherein a semiconductor laser that emits a laser beam having the shortest wavelength among the plurality of semiconductor lasers is arranged such that the light emitting portion is located on the optical axis of the coupling lens. Is preferable (claim 3). In the optical pickup according to the first, second, or third aspect, a "flat edge portion" may be formed on the outer peripheral portion of the coupling lens in a direction parallel or orthogonal to the X direction as a mounting reference ( Claim 4). Alternatively, a flat portion parallel or orthogonal to the X direction may be formed on the outer peripheral portion of the cell holding the coupling lens to serve as an attachment reference (claim 5). The optical pickup according to any one of the claims 1-5, the focal length of the coupling lens: f X,
f Y is: to satisfy "Condition 1 <f Y / f X < 5 " (claim 6). In the optical pickup according to any one of claims 1 to 6, the coupling lens may be configured as a “several sub-element configuration or a cemented lens” by a plurality of lenses, but may be configured by a single lens. (Claim 7). In the optical pickup according to any one of claims 1 to 6, the number of semiconductor lasers can be of course three or more. However, when two semiconductor lasers are used, the number of objective lenses is two. Common to semiconductor lasers, 2
Two semiconductor lasers may be provided in the same laser unit, and a hologram element for diffracting the returning light beam may be provided between the laser unit and the coupling lens. The hologram element constitutes "optical path separating means" in the return light beam detecting means. In this case, the light receiving section of the return light beam detecting means can be "deployed in the laser unit" (claim 9).

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】図1に示す実施の形態において、
半導体レーザ2,3(レーザチップである)と受光素子
9とは、共通のレーザユニット1内に封入されている。
半導体レーザ2と半導体レーザ3とは「互いに波長の異
なるレーザ光束」を放射する。レーザユニット1のレー
ザ光射出面にはホログラム素子4が配備されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the embodiment shown in FIG.
The semiconductor lasers 2 and 3 (which are laser chips) and the light receiving element 9 are sealed in a common laser unit 1.
The semiconductor laser 2 and the semiconductor laser 3 radiate “laser beams having different wavelengths”. A hologram element 4 is provided on a laser light emitting surface of the laser unit 1.

【0007】半導体レーザ2または3から放射された各
レーザ光は、ホログラム素子4を素通りする「0次光成
分」が照明光束として使用される。即ち、ホログラム素
子4を素通りしたレーザ光束は、カップリングレンズ5
により「実質的な平行光束」とされ、偏向プリズム6を
介して対物レンズ7に入射し、対物レンズ7により集束
光束に変換され、光ディスク8の基板を透過して、記録
面8A上に光スポットとして集光する。光ディスク8の
記録面8Aで反射された光束は「戻り光束」となって、
対物レンズ7、偏向プリズム6、カップリングレンズ5
と逆進し、ホログラム素子4に入射し、ホログラム素子
4により回折された回折光成分が受光素子9により受光
される。受光素子9の出力に基づき、フォーカス誤差信
号やトラック誤差信号、再生信号等が生成され、フォー
カス誤差信号やトラック誤差信号に基づき、公知の方法
によりフォーカシング制御やトラッキング制御が行われ
る。従って、この実施の形態においてホログラム素子4
は「光路分離手段」、受光素子9は「受光部」であっ
て、これらは「戻り光束検出手段」を構成する。なお、
ホログラム素子として偏光特性を有するものを用い、光
源側からのレーザ光を全てそのまま透過させるように
し、ホログラム素子の光ディスク側に「各波長のレーザ
光に対して1/4波長板として作用する光学素子」を配
して、戻り光束の偏光方向を往路(照射用光路)の偏光
方向と直交させることにより、戻り光束全体に対してホ
ログラム素子の回折効果が作用するようにすることも可
能である。光ディスク8は2種あり、それぞれ使用波長
が異なり、使用波長の短いもののほうが記録密度が高
い。半導体レーザ2から放射されるレーザ光の波長は、
半導体レーザ3から放射されるレーザ光の波長よりも短
い。従って、高記録密度の光ディスクに対する記録・再
生等には半導体レーザ2が用いられ、記録密度の低い方
の光ディスクに対する記録・再生等には半導体レーザ3
が用いられる。カップリングレンズ5は単レンズとして
構成され、光軸方向、即ちZ軸方向に直交し、互いに直
交するX方向とY方向とで焦点距離が異なり、光源側か
ら入射するレーザ光を実質的な平行光束に変換する。図
1に示すように、半導体レーザ2,3の発光部はYZ面
内に位置し、半導体レーザ2の発光部はカップリングレ
ンズ5の光軸上に位置している。また、半導体レーザ
2,3における「活性層」がYZ面に平行になるよう
に、半導体レーザ2,3の態位が定められている。従っ
て、半導体レーザ2,3から放射されるレーザ光の発散
角はXZ面(図1において、Z方向を含み図面に直交す
る平面)内でにおいて最大である。
In each laser beam emitted from the semiconductor laser 2 or 3, a “zero-order light component” that passes through the hologram element 4 is used as an illumination light beam. That is, the laser beam that has passed through the hologram element 4 is coupled to the coupling lens 5
Is converted into a “substantially parallel light beam”, enters the objective lens 7 via the deflecting prism 6, is converted into a converged light beam by the objective lens 7, passes through the substrate of the optical disk 8, and becomes a light spot on the recording surface 8 A. As light. The light beam reflected by the recording surface 8A of the optical disk 8 becomes a “return light beam”
Objective lens 7, deflection prism 6, coupling lens 5
Then, the light enters the hologram element 4 and is diffracted by the hologram element 4, and the diffracted light component is received by the light receiving element 9. A focus error signal, a track error signal, a reproduction signal, and the like are generated based on the output of the light receiving element 9, and focusing control and tracking control are performed by a known method based on the focus error signal and the track error signal. Therefore, in this embodiment, the hologram element 4
Is a "light path separating means" and the light receiving element 9 is a "light receiving section", and these constitute "return light beam detecting means". In addition,
A hologram element having a polarization characteristic is used, and all the laser light from the light source side is transmitted as it is, and an optical element which acts as a quarter-wave plate for the laser light of each wavelength is provided on the optical disk side of the hologram element. To make the polarization direction of the return light beam orthogonal to the polarization direction of the outward path (irradiation light path), so that the diffraction effect of the hologram element acts on the entire return light beam. There are two types of optical disks 8, each of which uses a different wavelength, and the one with a shorter used wavelength has a higher recording density. The wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser 2 is
It is shorter than the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser 3. Therefore, the semiconductor laser 2 is used for recording / reproducing on an optical disk having a high recording density, and the semiconductor laser 3 is used for recording / reproducing on an optical disk having a lower recording density.
Is used. The coupling lens 5 is configured as a single lens, and has a different focal length between the X direction and the Y direction which are orthogonal to the optical axis direction, that is, the Z axis direction. Convert to luminous flux. As shown in FIG. 1, the light emitting portions of the semiconductor lasers 2 and 3 are located in the YZ plane, and the light emitting portion of the semiconductor laser 2 is located on the optical axis of the coupling lens 5. The orientation of the semiconductor lasers 2 and 3 is determined so that the “active layer” in the semiconductor lasers 2 and 3 is parallel to the YZ plane. Therefore, the divergence angle of the laser light emitted from the semiconductor lasers 2 and 3 is the maximum in the XZ plane (a plane including the Z direction and orthogonal to the drawing in FIG. 1).

【0008】図2は、半導体レーザ2の発光部(カップ
リングレンズ5の光軸上に位置している)から放射され
た発散性のレーザ光が、カップリングレンズ5によって
平行光束に変換される様子を示している。図2の(a)
は「XZ面内のレンズ作用」を示し、(b)は「YZ面
内のレンズ作用」を示している。図2(a)に、符号2
−1で示す面は「XZ面に平行な方向における結像の光
源側の主面」であり、主面2−1と光源の発光部との距
離がX方向の焦点距離:fXである。(b)に、符号2
−2で示す面は「YZ面に平行な方向における結像の光
源側の主面」であり、主面2−2と光源の発光部との距
離がY方向の焦点距離:fYである。図から明らかなよ
うに、0<fX<fYであり、半導体レーザ2からのレー
ザ光はカップリングレンズ5を透過することにより、実
質的な平行光束となり、それと同時に、平行光束のX,
Y方向の光束径が同程度になる。従って、光ディスクの
記録面上に形成される光スポットは「略円形状」にな
る。半導体レーザ3からの放射されるレーザ光に対して
も同様である。従って、カップリングレンズ5は、平行
光束化したレーザ光の光束断面形状を略円形状にするた
めの「ビーム整形機能」を有している。図3(a)は、
カップリングレンズ5をZ軸方向(光軸方向)から見た
状態を示している。カップリングレンズ5の内部に描か
れた「破線の円」は、カップリングレンズ5の有効径を
示している。カップリングレンズ5は、有効径外のレン
ズ外周部に平坦なコバ部10を有している。このコバ部
10はX方向に直交する方向(Y方向に平行な方向)に
形成されている。カップリングレンズ5はアナモフィッ
クな光学作用を持ち、半導体レーザ2,3との相対的な
位置関係においてX,Y方向を正確に設定する必要があ
るが、コバ部10を取付け基準とすることにより、カッ
プリングレンズ5の取付けが極めて容易になる。コバ面
は、図3(b)に示すコバ面10’のように、X方向に
平行に形成してもよい。カップリングレンズ5をセルに
保持させる場合は、図3(c),(d)に示すように、
カップリングレンズ5を保持するセル11あるいは1
1’のように、セルの外周部に平坦部12あるいは1
2’を形成し、これら平坦部をX方向に平行もしくは直
交する方向とすることにより、取付け基準とすることが
できる。
FIG. 2 shows that the divergent laser light emitted from the light emitting portion of the semiconductor laser 2 (located on the optical axis of the coupling lens 5) is converted into a parallel light beam by the coupling lens 5. It shows the situation. FIG. 2 (a)
Indicates “the lens action in the XZ plane”, and (b) indicates “the lens action in the YZ plane”. FIG.
Surface indicated by -1 is "light source side of the main surface of the imaging in the direction parallel to the XZ plane", the focal length of the distance X direction between the light emitting portion of the main surface 2-1 and the light source: is f X . FIG.
The surface indicated by −2 is “the main surface on the light source side of the image in the direction parallel to the YZ plane”, and the distance between the main surface 2-2 and the light emitting unit of the light source is a focal length in the Y direction: f Y. . As is clear from the figure, 0 <f x <f Y , and the laser light from the semiconductor laser 2 passes through the coupling lens 5 to become a substantially parallel light beam.
The luminous flux diameter in the Y direction becomes substantially the same. Therefore, the light spot formed on the recording surface of the optical disk has a “substantially circular shape”. The same applies to the laser light emitted from the semiconductor laser 3. Therefore, the coupling lens 5 has a “beam shaping function” for making the light beam cross-sectional shape of the parallel light beam into a substantially circular shape. FIG. 3 (a)
A state where the coupling lens 5 is viewed from the Z-axis direction (optical axis direction) is shown. The “dashed circle” drawn inside the coupling lens 5 indicates the effective diameter of the coupling lens 5. The coupling lens 5 has a flat edge portion 10 on the outer peripheral portion of the lens outside the effective diameter. The edge portion 10 is formed in a direction orthogonal to the X direction (a direction parallel to the Y direction). The coupling lens 5 has an anamorphic optical action, and it is necessary to accurately set the X and Y directions in the relative positional relationship with the semiconductor lasers 2 and 3. Mounting of the coupling lens 5 becomes extremely easy. The edge surface may be formed in parallel to the X direction, like the edge surface 10 'shown in FIG. When the coupling lens 5 is held in the cell, as shown in FIGS.
Cell 11 or 1 holding coupling lens 5
1 ', the flat portion 12 or 1
By forming 2 ′ and setting these flat portions in a direction parallel or orthogonal to the X direction, it can be used as an attachment reference.

【0009】上に実施の形態を説明した光ピックアップ
は、互いに波長の異なるレーザ光を放射する複数の半導
体レーザ2,3と、光軸に直交し互いに直交する2方向
における焦点距離が異なり、複数の半導体レーザ2,3
からの各レーザ光束を略平行光束化するアナモフィック
なカップリングレンズ5と、カップリングレンズ5によ
り平行光束化された各レーザ光を、光ディスク8の記録
面8A上に光スポットとして集光する対物レンズ7と、
記録面8Aによる反射光を戻り光束として検出する戻り
光束検出手段4,9とを有し、カップリングレンズ5に
おいて、光軸方向をZ方向、Z方向に直交し、互いに直
交する2方向をX方向およびY方向とするとき、カップ
リングレンズ5のX方向の焦点距離:fX、Y方向の焦
点距離:fYが、0<fX<fYであり、複数の半導体レ
ーザ2,3の各発光部を、YZ面内に配列した光ピック
アップ(請求項1)である。また、複数の半導体レーザ
2,3の各々の活性層が、YZ面に平行となるように各
半導体レーザ2,3の態位が定められ(請求項2)、複
数の半導体レーザ2,3のうち、最も波長の短いレーザ
光を放射するもの(半導体レーザ2)が、カップリング
レンズ5の光軸上に発光部が位置するように配置され
(請求項3)、カップリングレンズ5がレンズ外周部に
平坦なコバ部10を有し、コバ部10がX方向に直交す
る方向に形成されて、取付け基準となっている(請求項
4)。また、図3(c),(d)に即して説明したよう
に、カップリングレンズ5を、セル外周部に平坦部を有
するセル11あるいは11’に保持させ、平坦部12あ
るいは12’をX方向に平行もしくは直交する方向に形
成して取付け基準とすることができる(請求項5)。カ
ップリングレンズ5は「単レンズ」であり(請求項
7)、半導体レーザが2個用いられ、これら2個の半導
体レーザ2.3に対して対物レンズ7が共通化され、2
つの半導体レーザ2,3が同一のレーザユニット1に設
けられ、レーザユニット1とカップリングレンズ5の間
に、戻り光束を回折させるホログラム素子4を有する
(請求項8)。そして、戻り光束を検出する戻り光束検
出手段の受光部9がレーザユニット1内に配備されてい
る(請求項9)。
The optical pickup described in the above embodiment has a plurality of semiconductor lasers 2 and 3 which emit laser beams having different wavelengths from each other, and has different focal lengths in two directions orthogonal to the optical axis and orthogonal to each other. Semiconductor lasers 2 and 3
An anamorphic coupling lens 5 for converting each laser beam from the laser beam into a substantially parallel beam, and an objective lens for condensing each laser beam parallelized by the coupling lens 5 as a light spot on the recording surface 8A of the optical disc 8 7 and
Return light beam detecting means 4 and 9 for detecting the light reflected by the recording surface 8A as a return light beam; and in the coupling lens 5, the optical axis direction is orthogonal to the Z direction, and the two orthogonal directions are X directions. when the direction and the Y-direction, the focal length in the X direction of the coupling lens 5: f X, Y-direction focal length: f Y is 0 <f X <f Y, a plurality of semiconductor lasers 2 and 3 This is an optical pickup (Claim 1) in which each light emitting unit is arranged in the YZ plane. The orientation of each of the semiconductor lasers 2 and 3 is determined so that each active layer of each of the plurality of semiconductor lasers 2 and 3 is parallel to the YZ plane (claim 2). Among them, the one that emits the laser beam with the shortest wavelength (semiconductor laser 2) is arranged so that the light emitting portion is located on the optical axis of the coupling lens 5 (claim 3). The portion has a flat edge portion 10, and the edge portion 10 is formed in a direction orthogonal to the X direction and serves as an attachment reference (claim 4). Further, as described with reference to FIGS. 3C and 3D, the coupling lens 5 is held in the cell 11 or 11 'having a flat portion on the outer periphery of the cell, and the flat portion 12 or 12' is It can be formed in a direction parallel or orthogonal to the X direction and used as a mounting reference (claim 5). The coupling lens 5 is a “single lens” (claim 7), and two semiconductor lasers are used, and the objective lens 7 is shared by these two semiconductor lasers 2.3.
Two semiconductor lasers 2 and 3 are provided in the same laser unit 1, and a hologram element 4 for diffracting a returning light beam is provided between the laser unit 1 and the coupling lens 5 (claim 8). The light receiving section 9 of the return light beam detecting means for detecting the return light beam is provided in the laser unit 1 (claim 9).

【0010】また、カップリングレンズ5の焦点距離:
X,fYは、条件:1<fY/fX<5を満足するように
設定される(請求項6)。「fY/fX」は、カップリン
グレンズのビーム整形機能において、X方向の光束径が
拡大される倍率(ビーム整形倍率)であり、これが1以
下ではビーム整形機能を実現できない。半導体レーザか
ら放射される発散性の光束の発散角を、活性層に平行な
方向についてθY、活性層に直交する方向においてθX
すると、これら発散角:θX,θYは、半導体レーザの個
体ごとに「ばらつき」がある。このばらつきは、θX
32度、θY>6.5度程度である。従って、発散角:
θX,θYの比:θX/θYは、最大で、θX/θY=32/
6.5=4.92である。従って、このような場合にビ
ーム整形を行って記録面上に略円形状の光スポットを得
るにはカップリングレンズのビーム整形倍率としては5
倍程度で十分である。
The focal length of the coupling lens 5 is as follows:
f X and f Y are set so as to satisfy the condition: 1 <f Y / f X <5 (claim 6). “F Y / f X ” is a magnification (beam shaping magnification) at which the beam diameter in the X direction is enlarged in the beam shaping function of the coupling lens. If this value is 1 or less, the beam shaping function cannot be realized. If the divergence angle of the divergent light beam emitted from the semiconductor laser is θ Y in a direction parallel to the active layer and θ X in a direction perpendicular to the active layer, these divergence angles: θ X and θ Y are represented by There is "variation" for each individual. This variation is represented by θ X <
32 degrees and θ Y > 6.5 degrees. Therefore, the divergence angle:
The ratio of θ X , θ Y : θ X / θ Y is at most θ X / θ Y = 32 /
6.5 = 4.92. Therefore, in order to obtain a substantially circular light spot on the recording surface by performing beam shaping in such a case, the beam shaping magnification of the coupling lens must be 5
About twice is sufficient.

【0011】このように、半導体レーザの発散角に応じ
て、条件:1<fY/fX<5を満足する範囲内で、適切
なビーム整形倍率を設定することができる。なお、上記
レンズ外周部やセル外周部に形成する「取付け基準用の
平坦部」は、上記のようにするかわりに、例えば、X軸
に対して所定の角、例えば、45度、60度等をなすよ
うに形成することも考えられる。
As described above, an appropriate beam shaping magnification can be set within a range satisfying the condition: 1 <f Y / f X <5 according to the divergence angle of the semiconductor laser. The “flat portion for attachment reference” formed on the outer periphery of the lens or the outer periphery of the cell may be replaced with a predetermined angle with respect to the X axis, for example, 45 degrees, 60 degrees, etc. It is also conceivable to form them so that

【0012】[0012]

【実施例】以下、具体的な実施例を説明する。半導体レ
ーザ2の発光波長:λ1=635nm、半導体レーザ3の発
光波長:λ2=785nmである。光ディスク8は、波長:
635nmで使用されるものが基板厚さ:0.6mmのDVD
で、波長:785nm で使用されるものが、基板厚さ:1.
2mmのCD−Rである。カップリングレンズ7は、上
記2種の波長のレーザ光に対して最適化されている。カ
ップリングレンズ5は、単一の硝材で構成された単レン
ズで、光源側(以下において第2面)・光ディスク側
(以下において第1面)共に非球面である。 カップリングレンズ:硝材の屈折率:n635(波長:λ1
=635nm)=1.72688,n785(波長:λ2=785nm)
=1.718773,レンズの光軸上肉厚:9.237mmである。
カップリングレンズ両面の上記非球面は周知の次の式
(1)で表される。 Z=(RxX2+RyY2)/{1+√[1-(1+Kx)Rx 2X2-(1+Ky)Ry 2Y2]} +AR[(1-AP)X2+(1+AP)Y2]2+BR[(1-BP)X2+(1+BP)Y2]3 +CR[(1-CP)X2+(1+CP)Y2]4+DR[(1-DP)X2+(1+DP)Y2]5 (1) ここに、Zは光軸方向におけるレンズ面座標、Rx,R
yは、それぞれZX面内およびZY面内におけるレンズ
面の近軸曲率、Kx,Kyは円錐定数、AR,BR,CR,DRは、
円錐からの4次,6次,8次,10次の変形係数の回転
対称成分、AP,BP,CP,DPは、円錐からの4次,6次,
8次,10次の変形係数の非回転対称成分を表す。 面係数 第1面 第2面 Rx 0.031556 -0.138891 Ry 0.167308 0.334217 Kx -43.887151 0.519138 Ky 0.550925 0.5 AR -0.217241E-06 0.969748E-05 BR -0.235514E-08 0.393184E-03 CR -0.215347E-06 -0.321152E-05 DR -0.377241E-11 0.192550E-06 AP 0.455692E+02 0.923870E+01 BP 0.169132E+02 0.116785E+01 CP -0.115189E+01 0.600516E-01 DP 0.553829E+01 0.157569E+01 中心肉厚:9.533mm、屈折率:n635=1.72688,n785=1.
718773 n635は波長:635nmの光に対する屈折率であり、n
785は波長:785nmの光に対する屈折率である。上
記において例えば「E-08」は「10-9」を意味し、この数
値が直前の数値にかかる。このカップリングレンズに対
し、図2(a),(b)の左側(第1面側)から平行光
束(平面波)を入射させたときの像高(光源位置に対
応)に対する波面収差は以下の如くである。 像高(mm) XZ面内の波面収差(λ) YZ面内の波面収差(λ) 0.0 0.009 0.009 0.1 0.043 0.013 0.2 0.087 0.024 0.3 0.138 0.044 0.4 0.197 0.071 これから分かるように、光源位置(上記像高に対応)が
光軸からずれるとき、XZ面内とYZ面内とでは、同じ
「ずれ量」でも、波面収差の増大はXZ面内でのずれの
方が、YZ面内でのずれに対するよりも3倍近くも大き
くなる。この点を考慮すると、複数の半導体レーザ(の
チップ)を配列するのは、XZ面内とするよりも、YZ
面内とするのが良いことになる。即ち、複数の半導体レ
ーザの発光部をXZ面内に配列した場合、光軸からずれ
た位置にある光源からの光束は、カップリングされた後
の波面の「平面波からの変形」が大きく、これを光スポ
ットとして集光させた場合、良好な形状の光スポットを
得るのが難しい。これに対し、複数の半導体レーザの発
光部をYZ面に配列すれば、カップリングされた後の波
面の状態が良好であり、光軸から離れた光源からのレー
ザ光によっても良好な光スポットを形成することができ
る。
EXAMPLES Specific examples will be described below. The emission wavelength of the semiconductor laser 2 is λ 1 = 635 nm, and the emission wavelength of the semiconductor laser 3 is λ 2 = 785 nm. The optical disk 8 has a wavelength:
DVD used at 635nm with a substrate thickness of 0.6mm
The one used at a wavelength of 785 nm has a substrate thickness of 1.
2 mm CD-R. The coupling lens 7 is optimized for the laser beams of the above two wavelengths. The coupling lens 5 is a single lens made of a single glass material, and is aspherical on both the light source side (hereinafter, the second surface) and the optical disk side (hereinafter, the first surface). Coupling lens: refractive index of glass material: n 635 (wavelength: λ 1
= 635 nm) = 1.72688, n 785 (wavelength: λ 2 = 785 nm)
= 1.718773, thickness on the optical axis of the lens: 9.237 mm.
The above-mentioned aspheric surface on both surfaces of the coupling lens is represented by the following formula (1). Z = (R x X 2 + R y Y 2) / {1 + √ [1- (1 + K x) R x 2 X 2 - (1 + K y) R y 2 Y 2]} + AR [(1 -AP) X 2 + (1 + AP) Y 2 ] 2 + BR [(1-BP) X 2 + (1 + BP) Y 2 ] 3 + CR [(1-CP) X 2 + (1 + CP) Y 2 ] 4 + DR [(1-DP) X 2 + (1 + DP) Y 2 ] 5 (1) where Z is a lens surface coordinate in the optical axis direction, R x , R
y is the paraxial curvature of the lens surface in the ZX plane and ZY plane, respectively, K x and Ky are conical constants, and AR, BR, CR and DR are
The rotationally symmetric components of the fourth, sixth, eighth and tenth order deformation coefficients from the cone, AP, BP, CP and DP, are the fourth, sixth, and
Represents the non-rotationally symmetric components of the eighth and tenth order deformation coefficients. Surface coefficient First surface Second surface Rx 0.031556 -0.138891 Ry 0.167308 0.334217 Kx -43.887151 0.519138 Ky 0.550925 0.5 AR -0.217241E-06 0.969748E-05 BR -0.235514E-08 0.393184E-03 CR -0.215347E-06 -0.321152 E-05 DR -0.377241E-11 0.192550E-06 AP 0.455692E + 02 0.923870E + 01 BP 0.169132E + 02 0.116785E + 01 CP -0.115189E + 01 0.600516E-01 DP 0.553829E + 01 0.157569E + 01 Center thickness: 9.533 mm, refractive index: n 635 = 1.72688, n 785 = 1.
718773 n 635 is the refractive index for light having a wavelength of 635 nm;
785 is a refractive index for light having a wavelength of 785 nm. In the above, for example, “E-08” means “10 −9 ”, and this numerical value is related to the immediately preceding numerical value. The wavefront aberration with respect to the image height (corresponding to the light source position) when a parallel light beam (plane wave) is incident on the coupling lens from the left side (first surface side) in FIGS. 2A and 2B is as follows. It is as follows. Image height (mm) Wavefront aberration in XZ plane (λ) Wavefront aberration in YZ plane (λ) 0.0 0.009 0.009 0.1 0.043 0.013 0.2 0.087 0.024 0.3 0.138 0.044 0.4 0.197 0.071 As can be seen, when the light source position (corresponding to the above image height) deviates from the optical axis, the same in the XZ plane and in the YZ plane. As for the “shift amount”, the increase of the wavefront aberration is almost three times larger in the shift in the XZ plane than in the YZ plane. In consideration of this point, arranging a plurality of (lasers) semiconductor lasers (chips) is more likely to be in the YZ plane than in the XZ plane.
It is good to set it in the plane. That is, when the light-emitting portions of a plurality of semiconductor lasers are arranged in the XZ plane, the luminous flux from the light source located at a position shifted from the optical axis has a large “deformation from a plane wave” of the coupled wavefront. When light is condensed as a light spot, it is difficult to obtain a light spot having a good shape. On the other hand, if the light-emitting portions of a plurality of semiconductor lasers are arranged on the YZ plane, the state of the wavefront after coupling is good, and a good light spot can be formed even by laser light from a light source distant from the optical axis. Can be formed.

【0013】なお、この実施例のカップリングレンズは
X=9mm、fY=23.94mmで、fY/fX=2.
66であり、条件:1<fY/fX<5を満足する。光デ
ィスクの記録密度を高めるには、光ディスクのトラック
ピッチを詰め、マーク長を短くする必要があり、これを
実現するには、記録面上に形成する光スポットの大きさ
を小さくする必要があり、そのためには「より短波長の
レーザ光」を用いねばならない。換言すれば、レーザ光
の波長が短いほど、光スポットの品質に対する要求が厳
しくなる。従って、複数の半導体レーザのうち、最も波
長の短いレーザ光を放射するもの(半導体レーザ2)
を、カップリングレンズ5の光軸上に発光部が位置する
ように配置することにより、画角による波面収差を最小
にして、最小の光スポットを良好に形成する(請求項
3)。
The coupling lens of this embodiment has f x = 9 mm, f y = 23.94 mm, and f y / f x = 2.
66, which satisfies the condition: 1 <f Y / f X <5. In order to increase the recording density of an optical disk, it is necessary to reduce the track pitch of the optical disk and shorten the mark length. To achieve this, it is necessary to reduce the size of the light spot formed on the recording surface, For that purpose, “shorter wavelength laser light” must be used. In other words, the shorter the wavelength of the laser light, the stricter the requirements on the quality of the light spot. Therefore, of the plurality of semiconductor lasers, the one that emits the laser light having the shortest wavelength (semiconductor laser 2)
Are arranged such that the light emitting portion is located on the optical axis of the coupling lens 5, thereby minimizing the wavefront aberration due to the angle of view and forming a minimum light spot satisfactorily.

【0014】図1に示すように、波長:λ=635nm
のレーザ光を放射する半導体レーザを、カップリングレ
ンズ5の光軸上に配備し、基板厚さ:0.6mmのDV
Dの記録面に光スポットとして集光させたときの波面収
差は、0.002λであり、記録や再生を行うのに十分
である。また、波長:λ=635nmのレーザ光を放射
する半導体レーザ3の発光部を、図1に示すように、カ
ップリングレンズレンズ5の光軸からY方向に0.2m
m離し、かつ、半導体レーザ2の発光部よりもZ方向に
0.5mmずらして配備すると、半導体レーザ3からの
レーザ光を、基板厚さ:1.2mmのCD−Rの記録面
に光スポットとして集光させたときの波面収差は、0.
012λであり、この場合も、記録や再生を行うのに十
分である。
As shown in FIG. 1, wavelength: λ = 635 nm
A semiconductor laser that emits a laser beam is disposed on the optical axis of the coupling lens 5 and a DV having a substrate thickness of 0.6 mm is provided.
The wavefront aberration when focused as a light spot on the recording surface of D is 0.002λ, which is sufficient for performing recording and reproduction. In addition, as shown in FIG. 1, the light emitting portion of the semiconductor laser 3 that emits laser light having a wavelength of λ = 635 nm is 0.2 m in the Y direction from the optical axis of the coupling lens 5.
m, and 0.5 mm in the Z direction from the light emitting portion of the semiconductor laser 2, the laser beam from the semiconductor laser 3 is applied to the CD-R recording surface having a substrate thickness of 1.2 mm. The wavefront aberration when condensed as
012λ, which is also sufficient for recording and reproduction.

【0015】[0015]

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、新規な光ピックアップを実現できる。この発明の光
ピックアップは、互いに発光波長の異なる複数の半導体
レーザに対してカップリングレンズを共通化でき、カッ
プリングレンズがビーム整形機能を持つことができるの
で、コンパクト且つ安価に実現できる。また、複数の半
導体レーザの発光部を、カップリングレンズ光軸からの
ずれに対して、波面収差が影響されにくいYZ面内に配
備することにより、各波長のレーザ光により、複数種の
光ディスクに対し記録・再生を良好に行うことができ
る。
As described above, according to the present invention, a novel optical pickup can be realized. ADVANTAGE OF THE INVENTION The optical pickup of this invention can use a coupling lens common to several semiconductor lasers from which emission wavelength differs mutually, and since a coupling lens can have a beam shaping function, it can implement | achieve compactly and inexpensively. In addition, by arranging the light emitting units of the plurality of semiconductor lasers in the YZ plane where the wavefront aberration is hardly affected by the deviation from the optical axis of the coupling lens, the laser light of each wavelength can be used for a plurality of types of optical discs. On the other hand, recording and reproduction can be performed well.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の光ピックアップの実施の1形態を説
明するための図である。
FIG. 1 is a diagram for explaining one embodiment of an optical pickup of the present invention.

【図2】実施の形態におけるカップリングレンズの形状
と機能を説明するための図である。
FIG. 2 is a diagram for explaining a shape and a function of a coupling lens in the embodiment.

【図3】請求項4,5記載の発明の特徴部分を説明する
ための図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining a characteristic portion of the invention according to claims 4 and 5;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レーザユニット 2 発光波長の短い半導体レーザ 3 発光波長の長い半導体レーザ 4 ホログラム素子 5 カップリングレンズ 6 偏向プリズム 7 対物レンズ 8 光ディスク DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser unit 2 Semiconductor laser with short emission wavelength 3 Semiconductor laser with long emission wavelength 4 Hologram element 5 Coupling lens 6 Deflection prism 7 Objective lens 8 Optical disk

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】互いに波長の異なるレーザ光を放射する複
数の半導体レーザと、 光軸に直交し互いに直交する2方向における焦点距離が
異なり、上記複数の半導体レーザからの各レーザ光束を
略平行光束化するアナモフィックなカップリングレンズ
と、 このカップリングレンズにより平行光束化されたレーザ
光を、光ディスクの記録面上に光スポットとして集光す
る1以上の対物レンズと、 上記記録面による反射光を、戻り光束として検出する戻
り光束検出手段と、を有し、 上記カップリングレンズにおいて、光軸方向をZ方向、
Z方向に直交し、互いに直交する2方向をX方向および
Y方向とするとき、上記カップリングレンズのX方向の
焦点距離:fX、Y方向の焦点距離:fYが、0<fX
Yであり、 複数の半導体レーザの各発光部を、YZ面内に配列した
ことを特徴とする光ピックアップ。
A plurality of semiconductor lasers which emit laser beams having different wavelengths from each other; and a focal length in two directions orthogonal to the optical axis and orthogonal to each other is different. An anamorphic coupling lens, a laser beam converted into a parallel light beam by the coupling lens, one or more objective lenses for condensing the laser beam as a light spot on a recording surface of an optical disc, and a reflected light from the recording surface. Return light beam detecting means for detecting as a return light beam, wherein in the coupling lens, the optical axis direction is the Z direction,
When orthogonal to the Z direction, the two directions with X and Y directions orthogonal to each other, the focal length in the X direction of the coupling lens: f X, Y-direction focal length: f Y is, 0 <f X <
f is Y, the optical pickup, characterized in that the light-emitting portions of the plurality of semiconductor lasers, arranged in the YZ plane.
【請求項2】請求項1記載の光ピックアップにおいて、 複数の半導体レーザの各々の活性層がYZ面に平行とな
るように、各半導体レーザの態位を定めたことを特徴と
する光ピックアップ。
2. The optical pickup according to claim 1, wherein the orientation of each semiconductor laser is determined so that each active layer of the plurality of semiconductor lasers is parallel to the YZ plane.
【請求項3】請求項1または2記載の光ピックアップに
おいて、 複数の半導体レーザのうち、最も波長の短いレーザ光を
放射するものを、カップリングレンズの光軸上に発光部
が位置するように配置することを特徴とする光ピックア
ップ。
3. An optical pickup according to claim 1, wherein the semiconductor laser emitting the shortest wavelength laser light among the plurality of semiconductor lasers is arranged such that the light emitting portion is located on the optical axis of the coupling lens. An optical pickup characterized by being arranged.
【請求項4】請求項1または2または3記載の光ピック
アップにおいて、 カップリングレンズがレンズ外周部に平坦なコバ部を有
し、 この平坦なコバ部がX方向に平行もしくは直交する方向
に形成されて、取付け基準となっていることを特徴とす
る光ピックアップ。
4. The optical pickup according to claim 1, wherein the coupling lens has a flat edge on the outer periphery of the lens, and the flat edge is formed in a direction parallel or orthogonal to the X direction. An optical pickup characterized by being a mounting reference.
【請求項5】請求項1または2または3記載の光ピック
アップにおいて、 カップリングレンズがセルに保持され、上記セルが外周
部に平坦部を有し、 この平坦部がX方向に平行もしくは直交する方向に形成
されて、取付け基準となっていることを特徴とする光ピ
ックアップ。
5. The optical pickup according to claim 1, wherein the coupling lens is held by a cell, and the cell has a flat portion on an outer peripheral portion, and the flat portion is parallel or orthogonal to the X direction. An optical pickup characterized by being formed in a direction and serving as a mounting reference.
【請求項6】請求項1〜5の任意の1に記載の光ピック
アップにおいて、 カップリングレンズの焦点距離:fX,fYが、条件:1
<fY/fX<5を満足することを特徴とする光ピックア
ップ。
6. The optical pickup according to any one of claims 1 to 5, the focal length of the coupling lens: f X, f Y are the conditions: 1
An optical pickup characterized by satisfying <f Y / f X <5.
【請求項7】請求項1〜6の任意の1に記載の光ピック
アップにおいて、 カップリングレンズが単レンズであることを特徴とする
光ピックアップ。
7. The optical pickup according to claim 1, wherein the coupling lens is a single lens.
【請求項8】請求項1〜7の任意の1に記載の光ピック
アップにおいて、 半導体レーザが2個用いられ、これら2個の半導体レー
ザに対して対物レンズが共通化され、 上記2つの半導体レーザが同一のレーザユニットに設け
られ、上記レーザユニットとカップリングレンズの間
に、戻り光束を回折させるホログラム素子を有すること
を特徴とする光ピックアップ。
8. The optical pickup according to claim 1, wherein two semiconductor lasers are used, and the two semiconductor lasers have a common objective lens. Is provided in the same laser unit, and a hologram element for diffracting a return light beam is provided between the laser unit and the coupling lens.
【請求項9】請求項8記載の光ピックアップにおいて、 戻り光束を検出する戻り光束検出手段の受光部が、レー
ザユニット内に配備されていることを特徴とする光ピッ
クアップ。
9. The optical pickup according to claim 8, wherein the light receiving section of the return light beam detecting means for detecting the return light beam is provided in the laser unit.
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