JP2000343031A - Resin applying method - Google Patents

Resin applying method

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JP2000343031A
JP2000343031A JP11160691A JP16069199A JP2000343031A JP 2000343031 A JP2000343031 A JP 2000343031A JP 11160691 A JP11160691 A JP 11160691A JP 16069199 A JP16069199 A JP 16069199A JP 2000343031 A JP2000343031 A JP 2000343031A
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JP
Japan
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pattern
substrate
resin
polyimide
parallel
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Pending
Application number
JP11160691A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koji Fujimoto
康二 藤本
Gentaro Obayashi
元太郎 大林
Toshio Yoshimura
利夫 吉村
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Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Publication date
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  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To uniformly apply a resin layer on a pattern formed on a long-length substrate with irregularity of an upper resin layer being eliminated. SOLUTION: In this applying method, when patterns lined up on a substrate are divided into components parallel to the longitudinal direction of the substrate and components vertical to the longitudinal direction thereof, pattern arrangement is made so that the parallel components are longer than the vertical components. In this way, parallel to the parallel components of the patterns, the resin layers can be continuously applied.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子材料分野など
で用いられている樹脂の塗布方法に関するものであり、
長尺基板上に形成されたパターンの上に、上部樹脂層を
むらなく、均一に塗布するための連続塗布方法に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin coating method used in the field of electronic materials and the like.
The present invention relates to a continuous coating method for uniformly and uniformly applying an upper resin layer on a pattern formed on a long substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、長尺基板上に樹脂を塗布する方法
とダイコーター、リバースコーター、コンマコーター、
リバースコーター等が用いられてきたが、長尺基板上に
形成された下地パターンがランダムに配列されたり、あ
るいは整列されたパターンにおいて、1つのパターンの
長さを基板の長手方向に平行な成分と長手方向に垂直な
成分とに分割したときの垂直方向成分が長くなるように
配列された場合に、上部樹脂層を基板を長手方向に動か
しながら連続塗布するとき、パターンが液の流れを遮ぎ
ったり、下地パターンの周囲に塗布液がまわりこまなか
ったり、塗布された樹脂がパターンの部分だけ盛り上が
ったりして、基板全体が均一に塗布されない問題があっ
た。さらに、上部樹脂層のパターン加工を行うとき、上
記原因によりパターン加工むらやパターン加工後に問題
が発生する場合があった。
2. Description of the Related Art Conventionally, a method of applying a resin on a long substrate, a die coater, a reverse coater, a comma coater,
Reverse coaters and the like have been used, but in a pattern in which the underlying patterns formed on a long substrate are randomly arranged or aligned, the length of one pattern is defined as a component parallel to the longitudinal direction of the substrate. When the upper resin layer is applied continuously while moving the substrate in the longitudinal direction, the pattern blocks the flow of liquid when the vertical component is arranged so that the vertical component when divided into the component perpendicular to the longitudinal direction is longer. Also, there is a problem that the coating liquid does not flow around the base pattern, or the applied resin rises only in the pattern portion, and the entire substrate is not uniformly applied. Furthermore, when performing the pattern processing of the upper resin layer, the pattern processing may cause unevenness or a problem after the pattern processing due to the above-described causes.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的とすると
ころは、長尺基板上に形成されたパターンの上に、上部
樹脂層をむら無く、均一に塗布するための連続塗布方法
を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks of the prior art, and an object of the present invention is to form an upper resin layer on a pattern formed on a long substrate. An object of the present invention is to provide a continuous coating method for performing uniform coating without unevenness.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】かかる本発明は、基板上
に整列されたパターンを、基板の長手方向に対して平行
な成分と長手方向に対して垂直な成分とに区分したと
き、平行成分が垂直成分より長くなるようパターン配置
し、パターンの平行成分に対して平行に樹脂層を連続塗
布することを特徴とする樹脂の塗布方法である。
According to the present invention, when a pattern aligned on a substrate is divided into a component parallel to the longitudinal direction of the substrate and a component perpendicular to the longitudinal direction, a parallel component is obtained. Is arranged in a pattern such that is longer than a vertical component, and a resin layer is continuously applied in parallel to a parallel component of the pattern.

【0005】[0005]

【発明の実施の形態】以下本発明を詳細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail.

【0006】本発明に用いられる基板は特に限定されな
いが、リール上に巻かれた樹脂フィルムあるいは金属箔
あるいはその複合体であることが好ましく、さらに、リ
ール上に巻かれたポリイミドフィルムあるいは銅箔ある
いはステンレス箔あるいはポリイミドフィルムと銅箔あ
るいはステンレス箔との複合体であることが好ましい。
The substrate used in the present invention is not particularly limited, but is preferably a resin film or a metal foil wound on a reel or a composite thereof, and further, a polyimide film or a copper foil wound on a reel. It is preferably a composite of a stainless steel foil or a polyimide film and a copper foil or a stainless steel foil.

【0007】基板上に整列されたパターンを形成する方
法は、特に限定されないが、ポリイミド−銅箔複合体の
場合、銅箔側にレジストを塗布し、整列されたパターン
上に露光、現像して、レジストパターンを形成した後、
銅箔をエッチングする。エッチング後、レジストを除去
することにより、ポリイミドフィルム上に銅の配線パタ
ーンが得られる。
The method of forming an aligned pattern on a substrate is not particularly limited. In the case of a polyimide-copper foil composite, a resist is applied to the copper foil side, and is exposed and developed on the aligned pattern. After forming the resist pattern,
Etch the copper foil. After the etching, the resist is removed to obtain a copper wiring pattern on the polyimide film.

【0008】また、感光性ポリイミド前駆体樹脂を基板
に塗布したあと、乾燥する。その後、整列されたパター
ン上に露光、現像し、さらに熱処理することによりポリ
イミドパターンが得られる。さらに必要に応じて、レジ
スト剤を用いて先のポリイミドのパターン上に金属配線
を形成することもできる。
[0008] After the photosensitive polyimide precursor resin is applied to the substrate, it is dried. Thereafter, the polyimide pattern is obtained by exposing, developing, and heat-treating the aligned pattern. Further, if necessary, a metal wiring can be formed on the polyimide pattern using a resist agent.

【0009】本発明は、基板上に整列されたパターン
を、基板の長手方向に対して平行な成分と長手方向に対
して垂直な成分とに区分したとき、平行成分が垂直成分
より長くなるようパターンを配置し、パターンの平行成
分に対して平行に樹脂層を連続塗布することが特徴であ
り、好ましくはパターンの平行成分の長さが垂直成分の
長さに対して2倍以上であり、より好ましくは3倍以上
である。
According to the present invention, when a pattern aligned on a substrate is divided into a component parallel to the longitudinal direction of the substrate and a component perpendicular to the longitudinal direction, the parallel component is longer than the vertical component. It is characterized by arranging a pattern and continuously applying a resin layer in parallel with the parallel component of the pattern, preferably the length of the parallel component of the pattern is at least twice the length of the vertical component, More preferably, it is three times or more.

【0010】パターンがランダムに配列されていたり、
1つのパターンの長さを基板の長手方向に平行な成分と
長手方向に垂直な成分とに分割したとき、分割された成
分の平行成分/垂直成分が2倍より小さい場合には、上
部樹脂層を基板を長手方向に動かしながら塗布する際
に、パターンが液の流れを遮ぎったり、パターンの周囲
に塗布液がまわりこまなかったり、塗布された樹脂がパ
ターンの部分だけ盛り上がったりして、基板全体が均一
に塗布されない問題が生じる。さらに、上部樹脂層をパ
ターン化する場合、厚みむらが発生しているために上部
樹脂層を均一にエッチングできない問題が発生する。
[0010] Patterns are randomly arranged,
When the length of one pattern is divided into a component parallel to the longitudinal direction of the substrate and a component perpendicular to the longitudinal direction, if the ratio of the parallel component / vertical component is smaller than twice, the upper resin layer When applying the substrate while moving the substrate in the longitudinal direction, the pattern blocks the flow of the liquid, the coating liquid does not wrap around the pattern, or the applied resin rises only at the part of the pattern, There is a problem that the whole is not uniformly applied. Furthermore, when patterning the upper resin layer, there is a problem that the upper resin layer cannot be uniformly etched due to uneven thickness.

【0011】上部樹脂層は、ポリベンゾオキサゾールあ
るいはその前駆体、ポリイミドあるいはその前駆体樹脂
など特に限定されないが、耐熱性からポリイミド前駆体
樹脂あるいはポリイミド樹脂が好ましく、さらに、上部
樹脂層をパターン化する必要のある場合、感光性ポリイ
ミド前駆体樹脂であることが好ましい。
The upper resin layer is not particularly limited, such as polybenzoxazole or a precursor thereof, polyimide or a precursor resin thereof, but is preferably a polyimide precursor resin or a polyimide resin in terms of heat resistance. If necessary, it is preferably a photosensitive polyimide precursor resin.

【0012】本発明で用いられる感光性ポリイミド前駆
体樹脂は、一般式(1)で示される構造単位を主成分と
する重合物に感光剤や開始剤、増感剤を必要に応じて添
加した物を挙げることができる。
The photosensitive polyimide precursor resin used in the present invention is obtained by adding a photosensitizer, an initiator and a sensitizer to a polymer having a structural unit represented by the general formula (1) as a main component, if necessary. Things can be mentioned.

【0013】[0013]

【化1】 Embedded image

【0014】上記一般式(1)のR1は少なくとも2個
以上の炭素原子を有する3価または4価の有機基であ
る。R1の好ましい具体例として、ピロメリット酸残
基、ビフェニルテトラカルボン酸残基、ターフェニルテ
トラカルボン酸残基、ナフタレンテトラカルボン酸残
基、ジフェニルエーテルテトラカルボン酸残基、ジフェ
ニルスルホンテトラカルボン酸残基、ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸残基、2,2’−ビス(3,4−ジカル
ボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン残基などが挙
げられるが、これらに限定されない。R2は少なくとも
2個以上の炭素原子を有する2価の有機基を示す。R2
の好ましい具体例として、フェニレンジアミン残基、ジ
アミノジフェニルエーテル残基、2,2’−ビス(トリ
フルオロメチル)−4,4’−ベンジジン残基、1,4
−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン残基、1,3
−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン残基、4,
4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル残基、
ジアミノジフェニルスルホン残基、ジアミノジフェニル
スルフィド残基、ジアミノベンズアニリド残基などが挙
げられるが、これらに限定されない。R3は、水酸基、
−OR4、−NHR4、−O- +4567から選ばれ
た基を示す。ただしR4は少なくとも1種のエチレン性
不飽和結合を有する基、R5、R6、R7はそれぞれ水素
原子または炭素数1から10までの有機基を表し、同じ
でも異なっていてもよい。Z1は、水酸基またはエチレ
ン性不飽和結合を有する有機基、Z2は水素またはエチ
レン性不飽和結合を有する有機基を表す。nは3〜10
000の整数であり、mは1または2である。
In the general formula (1), R1Is at least two
A trivalent or tetravalent organic group having the above carbon atoms
You. R1As a preferred specific example, pyromellitic acid residue
Group, biphenyltetracarboxylic acid residue, terphenylte
Toracarboxylic acid residue, naphthalenetetracarboxylic acid residue
Group, diphenyl ether tetracarboxylic acid residue, diphe
Nyl sulfone tetracarboxylic acid residue, benzophenone
Tracarboxylic acid residue, 2,2'-bis (3,4-dical
Boxyphenyl) hexafluoropropane residue
But not limited thereto. RTwoIs at least
It represents a divalent organic group having two or more carbon atoms. RTwo
Preferred specific examples of the phenylenediamine residue, di
Aminodiphenyl ether residue, 2,2'-bis (tri
Fluoromethyl) -4,4'-benzidine residue, 1,4
-Bis (4-aminophenoxy) benzene residue, 1,3
-Bis (4-aminophenoxy) benzene residue, 4,
4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl residue,
Diaminodiphenyl sulfone residue, diaminodiphenyl
Sulfide residues, diaminobenzanilide residues, etc.
But not limited thereto. RThreeIs a hydroxyl group,
-ORFour, -NHRFour, -O-N +RFourRFiveR6R7Chosen from
Represents a group. Where RFourIs at least one ethylenic
A group having an unsaturated bond, RFive, R6, R7Is hydrogen
Represents an atom or an organic group having 1 to 10 carbon atoms, and is the same
But they may be different. Z1Is hydroxyl or ethyl
An organic group having an unsaturated bond, ZTwoIs hydrogen or ethyl
It represents an organic group having a lenic unsaturated bond. n is 3 to 10
000, and m is 1 or 2.

【0015】これらの重合物は、下記方法により得るこ
とができる。R3が−OR4(R4は前記と同じである)
である化合物の重合方法としては、酸二無水物と1種の
エチレン性不飽和結合を有するアルコールとを反応させ
た後、ジシクロヘキシルカルボジイミドの様な脱水縮合
剤を用いてジアミンと反応させることにより得ることが
できる。また、R3が−OーN+4567(R4
5、R6、R7は前記と同じである)である化合物の重
合方法としては、酸二無水物とジアミンを反応して得ら
れたポリアミド酸に1種のエチレン性不飽和結合を有す
るアミンを混合し、アミド酸のカルボキシル基にイオン
結合させることにより得ることができる。また、R3
−NHR4(R4は前記と同じである)である化合物の重
合方法としては、酸二無水物とジアミンを反応して得ら
れたポリアミド酸に、塩基触媒存在下、1種のエチレン
性不飽和結合を有するイソシアネートと反応させること
により得ることができる。R3が水酸基で、Z1がエチレ
ン性不飽和結合を有する有機基である化合物の重合法と
しては、ジアミンと不飽和結合を置換基として有するア
ミノベンゼン類との混合物に酸二無水物を反応させるこ
とに得ることができる。また、R3が水酸基で、Z2がエ
チレン性不飽和結合を有する有機基である化合物の重合
法としては、ジアミンに不飽和結合を置換基として有す
るトリメリット酸類と酸二無水物を加えて反応させるこ
とにより得ることができる。
[0015] These polymers can be obtained by the following method. R 3 is -OR 4 (R 4 is as defined above)
Is obtained by reacting an acid dianhydride with an alcohol having one kind of ethylenically unsaturated bond, and then reacting with a diamine using a dehydrating condensing agent such as dicyclohexylcarbodiimide. be able to. R 3 is —ON + R 4 R 5 R 6 R 7 (R 4 ,
R 5 , R 6 , and R 7 are the same as those described above). As a method for polymerizing the compound, a polyamic acid obtained by reacting an acid dianhydride with a diamine has one kind of ethylenically unsaturated bond. It can be obtained by mixing an amine and ionically bonding to the carboxyl group of the amic acid. As a method for polymerizing a compound in which R 3 is —NHR 4 (R 4 is the same as described above), a polyamic acid obtained by reacting an acid dianhydride with a diamine is added to a polyamic acid in the presence of a base catalyst. It can be obtained by reacting with an isocyanate having a kind of ethylenically unsaturated bond. As a method for polymerizing a compound in which R 3 is a hydroxyl group and Z 1 is an organic group having an ethylenically unsaturated bond, an acid dianhydride is reacted with a mixture of a diamine and an aminobenzene having an unsaturated bond as a substituent. Can be obtained. As a method for polymerizing a compound in which R 3 is a hydroxyl group and Z 2 is an organic group having an ethylenically unsaturated bond, trimellitic acid having an unsaturated bond as a substituent and an acid dianhydride are added to a diamine. It can be obtained by reacting.

【0016】本発明における重合体は、一般式(1)で
表される構造単位のみからなるものであっても良いし、
他の構造単位との共重合体あるいはブレンド体であって
もよい。その際、一般式(1)で表される構造単位を8
0%以上含有していることが好ましい。共重合またはブ
レンドに用いられる構造単位の種類、量は最終加熱処理
によって得られるポリイミド系ポリマーの耐熱性を著し
く損なわない範囲で選択するのが好ましい。
The polymer in the present invention may be composed of only the structural unit represented by the general formula (1),
It may be a copolymer or a blend with another structural unit. At this time, the structural unit represented by the general formula (1) is
Preferably, it is contained at 0% or more. The type and amount of the structural unit used for copolymerization or blending are preferably selected within a range that does not significantly impair the heat resistance of the polyimide-based polymer obtained by the final heat treatment.

【0017】本発明に用いられる感光剤としては一般式
(2)であらわされる化合物や4−(2’−ニトロフェ
ニル)−4−ヒドロピリジン類などが挙げられるが、こ
れらに限定されない。
Examples of the photosensitive agent used in the present invention include, but are not limited to, compounds represented by formula (2) and 4- (2'-nitrophenyl) -4-hydropyridines.

【0018】[0018]

【化2】 Embedded image

【0019】R8、R9、R10は炭素数1〜30の有機基
であり、うち、少なくとも1つはエチレン性不飽和二重
結合を含む。
R 8 , R 9 and R 10 are organic groups having 1 to 30 carbon atoms, at least one of which contains an ethylenically unsaturated double bond.

【0020】上記一般式(2)の好ましい具体例として
は、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジエチルア
ミノエチルメタクリレート、ジメチルアミノエチルアク
リレート、ジエチルアミノエチルアクリレート、ジメチ
ルアミノプロピルメタクリルアミド、ジメチルアミノプ
ロピルメタクリレート、ジメチルアミノプロピルアクリ
レート、ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、ジエ
チルアミノプロピルアクリルアミド、ジメチルアミノエ
チルメタクリルアミド、ジエチルアミノエチルメタクリ
ルアミド、ジエチルアミノエチルアクリルアミド、ビニ
ルピリジンなどが挙げられるがこれらに限定されない。
また、4−(2'−ニトロフェニル)−4−ヒドロピリ
ジン誘導体としては具体例として2,6−ジメチル−
3,5−ジシアノ−4−(2'−ニトロフェニル)−
1,4−ジヒドロピリジン、2,6−ジメチル−3,5
−ジアセチル−4−(2'−ニトロフェニル−1,4−
ジヒドロピリジン、2,6−ジメチル−3,5−ジアセ
チル−4−(2',4'−ジニトロフェニル)−1,4−
ジヒドロピリジンなどを挙げることができる。
Preferred specific examples of the general formula (2) include dimethylaminoethyl methacrylate, diethylaminoethyl methacrylate, dimethylaminoethyl acrylate, diethylaminoethyl acrylate, dimethylaminopropyl methacrylamide, dimethylaminopropyl methacrylate, dimethylaminopropyl acrylate, Examples include, but are not limited to, dimethylaminopropylacrylamide, diethylaminopropylacrylamide, dimethylaminoethylmethacrylamide, diethylaminoethylmethacrylamide, diethylaminoethylacrylamide, vinylpyridine and the like.
As a specific example of the 4- (2'-nitrophenyl) -4-hydropyridine derivative, 2,6-dimethyl-
3,5-dicyano-4- (2'-nitrophenyl)-
1,4-dihydropyridine, 2,6-dimethyl-3,5
-Diacetyl-4- (2'-nitrophenyl-1,4-
Dihydropyridine, 2,6-dimethyl-3,5-diacetyl-4- (2 ′, 4′-dinitrophenyl) -1,4-
Dihydropyridine and the like can be mentioned.

【0021】本発明に用いられる光開始剤としては、N
−フェニルジエタノールアミン、N−フェニルグリシ
ン、ミヒラーケトンなどの芳香族アミン、3−フェニル
−5−イソオキサゾロンに代表される環状オキシム化合
物、1−フェニルプロパンジオン−2−(o−エトキシ
カルボニル)オキシムに代表される鎖状オキシムエステ
ル化合物、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メ
チル、ジベンジルケトン、フルオレン等のベンゾフェノ
ン誘導体、チオキサントン、2−メチルチオキサント
ン、2−イソプロピルチオキサントン等のチオキサント
ン誘導体等が挙げられるがこれらに限定されない。
The photoinitiator used in the present invention includes N
Aromatic amines such as -phenyldiethanolamine, N-phenylglycine and Michler's ketone; cyclic oxime compounds represented by 3-phenyl-5-isoxazolone; and 1-phenylpropanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime. Chain oxime ester compounds, benzophenone, benzophenone derivatives such as methyl o-benzoylbenzoate, dibenzyl ketone, and fluorene, and thioxanthone derivatives such as thioxanthone, 2-methylthioxanthone, and 2-isopropylthioxanthone, but are not limited thereto. .

【0022】本発明に適した増感剤としては、アジドア
ントラキノン、アジドベンザルアセトフェノン等の芳香
族モノアジド、3,3’−カルボニルビス(ジエチルア
ミノクマリン)等のクマリン化合物、ベンズアントロ
ン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン等一般に光
硬化性樹脂に使用されるもの、その他電子写真の電荷移
動剤として使用されるものであれば好ましく使用され
る。
Examples of sensitizers suitable for the present invention include aromatic monoazides such as azidoanthraquinone and azidobenzalacetophenone, coumarin compounds such as 3,3'-carbonylbis (diethylaminocoumarin), benzanthrone and phenanthrenequinone. Aromatic ketones such as those generally used for photocurable resins and those used as charge transfer agents for electrophotography are preferably used.

【0023】光開始剤や増感剤は重合体に対して0.0
1〜30重量%、さらに好ましくは0.1〜20重量%
添加するのが好ましい。この範囲をはずれると感光性が
低下したり、ポリマーの機械特性が低下したりするので
注意を要する。これらの光開始剤や増感剤は、単独で、
あるいは2種以上混合して用いることができる。
The photoinitiator and the sensitizer are used in an amount of 0.0
1 to 30% by weight, more preferably 0.1 to 20% by weight
It is preferred to add. Care must be taken when the ratio is out of this range, since the photosensitivity is lowered and the mechanical properties of the polymer are lowered. These photoinitiators and sensitizers alone,
Alternatively, two or more kinds can be used in combination.

【0024】本発明の組成物の感光性能を上げるため
に、適宜、光反応性モノマーを用いる事ができる。光反
応性モノマーとしては、2−ヒドロキシエチルメタクリ
レート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、
トリメチロールプロパントリアクリレート、エチレング
リコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメ
タクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレー
ト、テトラエチレングリコールジメタクリレート、プロ
ピレングリコールジメタクリレート、メチレンビスメタ
クリルアミド、メチレンビスアクリルアミドなどが挙げ
られるが、これらに限定されない。
In order to enhance the photosensitivity of the composition of the present invention, a photoreactive monomer can be appropriately used. As photoreactive monomers, 2-hydroxyethyl methacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate,
Trimethylolpropane triacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, propylene glycol dimethacrylate, methylenebismethacrylamide, methylenebisacrylamide, and the like, but are not limited thereto. .

【0025】光反応性モノマーは重合体に対して1〜3
0重量%の範囲で添加するのが好ましい。この範囲を外
れると感光性が低下したり、重合体の機械特性が低下し
たりするので注意を要する。これらの光反応性モノマー
は、単独で、あるいは2種以上混合して用いることがで
きる。
The photoreactive monomer is used in an amount of 1 to 3 based on the polymer.
It is preferable to add in the range of 0% by weight. If the ratio is outside this range, the photosensitivity is lowered and the mechanical properties of the polymer are lowered. These photoreactive monomers can be used alone or in combination of two or more.

【0026】感光性ポリイミド前駆体を長尺基板上に長
手方向を進行方向に連続塗布する方法としては、特に限
定されないが、リバースコーター、コンマコーター、ス
リットダイコーター等のロールコーティングが可能であ
り、塗布された直後から乾燥して、感光性ポリイミド前
駆体組成物被膜が形成された長尺複合体を得る。乾燥
は、オーブン、ホットプレート、赤外線、ヒートロール
等を利用し、50〜180℃の範囲で行うのが好まし
く、60〜150℃の範囲で行うのがより好ましい。乾
燥時間は1分〜数時間行うのが好ましい。膜厚は塗布手
段、組成物の固形分濃度、粘度を変えることにより調節
する事が出来るが、通常0.1〜150μmの範囲にな
るように塗布される。
The method of continuously applying the photosensitive polyimide precursor on the long substrate in the longitudinal direction in the traveling direction is not particularly limited, but roll coating such as a reverse coater, a comma coater, and a slit die coater is possible. Immediately after being applied, drying is performed to obtain a long composite on which a photosensitive polyimide precursor composition film is formed. Drying is preferably performed in the range of 50 to 180 ° C, more preferably in the range of 60 to 150 ° C, using an oven, a hot plate, an infrared ray, a heat roll, or the like. The drying time is preferably from one minute to several hours. The film thickness can be adjusted by changing the application means, the solid content concentration and the viscosity of the composition, and is usually applied so as to be in the range of 0.1 to 150 μm.

【0027】次に所望のパターンを有するマスクを用
い、露光を行う。露光量としては50〜2000mJ/
cm2の範囲が好ましい。
Next, exposure is performed using a mask having a desired pattern. The exposure amount is 50 to 2000 mJ /
A range of cm 2 is preferred.

【0028】ついで未露光部を現像液で溶解除去するこ
とにより、レリーフ・パターンを得る。現像液は重合体
の構造に合わせて適当な物を選択する事ができるが、ア
ンモニア、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド、ジエチルアミノエタノール、ジエタノールアミンな
どのアルカリ水溶液、あるいはアルコールなどの添加剤
をアルカリ水溶液に加えたものなどを好ましく使用する
ことができる。また、N−メチル−2−ピロリドン、N
−アセチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルム
アミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
ホキシド等を単独あるいはメタノール、エタノール、イ
ソプロピルアルコール、水、メチルカルビトール、エチ
ルカルビトール、トルエン、キシレン、乳酸エチル、ピ
リビン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、メチル−3−メトキシプロピオネー
ト、エチル−3−エトキシプロピオネート、炭酸プロピ
レン、2−ヘプタノン、酢酸エチルなど、組成物の貧溶
媒との混合液も好ましく使用することができる。
Next, a relief pattern is obtained by dissolving and removing the unexposed portion with a developing solution. An appropriate developer can be selected according to the structure of the polymer, but an aqueous alkali solution such as ammonia, tetramethylammonium hydroxide, diethylaminoethanol, diethanolamine, or an additive such as alcohol is added to the aqueous alkali solution. And the like can be preferably used. Also, N-methyl-2-pyrrolidone, N
-Acetyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide or the like alone or methanol, ethanol, isopropyl alcohol, water, methyl carbitol, ethyl carbitol, toluene, xylene, ethyl lactate , Ethyl pyruvate, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl-3-methoxypropionate, ethyl-3-ethoxypropionate, propylene carbonate, 2-heptanone, ethyl acetate, etc. It can be preferably used.

【0029】現像は上記塗膜を現像液中に浸漬する、あ
るいは浸漬しながら超音波をかける、浸漬しながら塗膜
面に液流をあてる等の方法によって行う事ができる。
The development can be carried out by dipping the coating film in a developer, applying ultrasonic waves while dipping, or applying a liquid flow to the coating film surface while dipping.

【0030】ついでリンス液により、現像によって形成
したレリーフ・パターンを洗浄する事が好ましい。リン
ス液としては、現像液との混合性の良いメタノール、エ
タノール、イソプロピルアルコール、乳酸エチル、ピリ
ビン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、メチル−3−メトキシプロピオネート、エチル−3
−エトキシプロピオネート、炭酸プロピレン、2−ヘプ
タノン、酢酸エチルあるいは水等が好ましく用いられ
る。
Next, it is preferable to wash the relief pattern formed by development with a rinsing liquid. As the rinsing liquid, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethyl lactate, ethyl pyribate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl-3-methoxypropionate, and ethyl-3, which have good miscibility with the developing solution, are used.
-Ethoxypropionate, propylene carbonate, 2-heptanone, ethyl acetate or water is preferably used.

【0031】上記の処理によって得られたレリーフ・パ
ターンの重合体は耐熱性を有するポリイミド系ポリマー
の前駆体であり、加熱処理によりイミド環やその他の環
状構造を有する耐熱性ポリマーとなる。熱処理温度とし
ては、250℃から450℃で行うのが好ましい。25
0℃以下では、耐薬品性等の性能が不十分で、ポリイミ
ド上部への薄膜形成に支障があり、450℃以上の温度
では、ポリイミドの熱劣化が起こり好ましくない。熱処
理は通常、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気あるいは真
空中で段階的にあるいは連続的に昇温しながら行われ
る。
The relief pattern polymer obtained by the above treatment is a heat-resistant polyimide-based polymer precursor, and becomes a heat-resistant polymer having an imide ring or other cyclic structure by heat treatment. The heat treatment temperature is preferably from 250 ° C. to 450 ° C. 25
When the temperature is 0 ° C. or lower, the performance such as chemical resistance is insufficient, and there is an obstacle to the formation of a thin film on the upper portion of the polyimide. The heat treatment is usually performed in an inert gas atmosphere such as a nitrogen gas atmosphere or in a vacuum while increasing the temperature stepwise or continuously.

【0032】[0032]

【実施例】以下、実施例に基いて本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto.

【0033】実施例1 東レ製感光性ポリイミドUR−3140をリバースコー
ター、オーブン一体型装置を用いて、塗布速度0.25
m/分、オーブン条件90℃×20分で厚み25μm、
幅10cmの長尺ステンレス箔上に塗布、乾燥した。キ
ャノン製コンタクトアライナーを用い、1cm×0.3
cmの大きさのパターンが整列された10cm×10c
mのマスクを用いて、基板の長手方向に対しパターンの
長い側が平行になるようにマスクをセットし、300m
J/cm2の露光を行った。この作業を連続的に行い、
長尺基板上の感光性ポリイミド被膜をすべて露光した。
Example 1 A photosensitive polyimide UR-3140 manufactured by Toray Co., Ltd. was coated using a reverse coater and oven-integrated apparatus at a coating speed of 0.25.
m / min, oven conditions 90 ° C. × 20 minutes, thickness 25 μm,
It was applied on a long stainless steel foil having a width of 10 cm and dried. 1cm × 0.3 using a contact aligner made by Canon
10cm × 10c with patterns of size cm aligned
The mask is set so that the long side of the pattern is parallel to the longitudinal direction of the substrate using a mask of 300 m.
Exposure of J / cm 2 was performed. Do this work continuously,
The photosensitive polyimide coating on the long substrate was all exposed.

【0034】この試料を25℃にコントロールされた東
レ製現像液DV−822を用いて、連続式現像装置で現
像槽に投入されている時間が5分になるように搬送速度
を調整し、超音波浸漬現像を行った。現像槽に続き、イ
ソプロピルアルコールのリンス槽で超音波浸漬リンスを
した。この後、窒素ブローで乾燥した。この長尺サンプ
ルを5mmのスペーサーを挟んで巻き取り、140℃×
30分+350℃×1時間窒素中で熱処理し、6μm厚
みのポリイミドパターンを得た。
The transport speed of this sample was adjusted using a developer DV-822 manufactured by Toray Co., Ltd. controlled at 25 ° C. so that the time during which the sample was charged into the developing tank in the continuous developing apparatus was 5 minutes. The sonic immersion development was performed. Subsequent to the developing tank, ultrasonic immersion rinsing was performed in an isopropyl alcohol rinsing tank. Thereafter, drying was performed by nitrogen blowing. This long sample is wound around a 5 mm spacer,
Heat treatment was performed in nitrogen for 30 minutes at + 350 ° C. × 1 hour to obtain a polyimide pattern having a thickness of 6 μm.

【0035】ポリイミドパターンが形成された上記基板
全面に、スパッタ装置を用いて、60nmと700nm
のクロムと銅の薄膜を、この順に連続的に形成した。形
成されたCr/Cuスパッタ膜上に、リバースコータ
ー、オーブン一体型装置を用いて、ポジレジストを塗
布、乾燥した。キャノン製コンタクトアライナーを用
い、長尺ステンレス箔上に形成した上記ポリイミドパタ
ーン上に0.6cm×0.1cmのレジスト開口部が生
じるパターンが形成されるマスクを用いて全波長で40
0mJ/cm2の露光を行った。レジスト用現像液を用
い、レジストを連続的にパターン加工した。ついで、硫
酸銅メッキにて、レジストが現像されたCu面上に5μ
mのCuメッキ層を形成した後、ニッケルと金をそれぞ
れ50nmの厚みでメッキした。2.5%NaOHでレ
ジストを連続的にエッチングした。メッキされていない
部分のCuスパッタ膜、Crスパッタ膜をエッチングす
ることにより、ポリイミド上に、0.6cm×0.1c
mの金属パターンを得た。
On the entire surface of the substrate on which the polyimide pattern is formed, use a sputtering device to form a film having a thickness of 60 nm or 700 nm.
Of chromium and copper were continuously formed in this order. A positive resist was applied on the formed Cr / Cu sputtered film using a reverse coater and an oven-integrated apparatus and dried. 40 mm at all wavelengths using a mask in which a 0.6 cm × 0.1 cm resist opening is formed on the polyimide pattern formed on the long stainless steel foil using a contact aligner made by Canon.
An exposure of 0 mJ / cm 2 was performed. Using a resist developer, the resist was continuously patterned. Then, 5 μm of copper sulfate plating was performed on the Cu surface where the resist was developed.
After forming a Cu plating layer of m, nickel and gold were each plated to a thickness of 50 nm. The resist was continuously etched with 2.5% NaOH. By etching the unsputtered portions of the Cu sputter film and the Cr sputter film, 0.6 cm × 0.1 c
m metal pattern was obtained.

【0036】上記ポリイミドパターン上に金属パターン
が形成された長尺ステンレス箔を長尺方向に動かしなが
ら、東レ製感光性ポリイミドUR−3100をリバース
コーター、オーブン一体型装置を用いて、塗布速度0.
25m/分、オーブン条件90℃×20分で塗布、乾燥
した。このとき、面内均一に、異物もなく、ポリイミド
前駆体被膜が塗られていた。
While moving the long stainless steel foil having the metal pattern formed on the polyimide pattern in the longitudinal direction, the photosensitive polyimide UR-3100 made by Toray Co., Ltd.
Coating and drying were performed at 25 m / min and oven conditions of 90 ° C. × 20 minutes. At this time, the polyimide precursor coating was applied uniformly in the plane without any foreign matter.

【0037】実施例2 実施例1のUR−3100のポリイミド前駆体被膜をキ
ャノン製コンタクトアライナーを用い、金属パターンを
覆う0.8cm×0.2cmの大きさのパターンがくる
ようなマスクを用いて、150mJ/cm2の露光を行
った。この作業を連続的に行い、長尺基板上の感光性ポ
リイミド被膜をすべて露光した。
Example 2 The polyimide precursor film of UR-3100 of Example 1 was formed using a contact aligner made by Canon and a mask having a size of 0.8 cm × 0.2 cm covering the metal pattern. , 150 mJ / cm 2 . This operation was continuously performed to expose the entire photosensitive polyimide film on the long substrate.

【0038】この試料を25℃のコントロールされた東
レ製現像液DV−822を用いて、連続式現像装置で現
像槽に投入されている時間が3分になるように搬送速度
を調整し、超音波浸漬現像を行った。現像槽に続き、イ
ソプロピルアルコールのリンス槽で超音波浸漬リンスし
た。この後、窒素ブローで乾燥した。この長尺サンプル
を5mmのスペーサーを挟んで巻き取り、140℃×3
0分+350℃×1時間窒素中で熱処理しカバーポリイ
ミドパターンを得た。ステンレス上のポリイミド/金属
配線/ポリイミドからなるパターンは、すべて問題なか
った。
The transport speed of this sample was adjusted using a Toray developer DV-822 controlled at 25 ° C. so that the time during which the sample was charged into the developing tank in the continuous developing apparatus was 3 minutes, and The sonic immersion development was performed. Subsequent to the developing tank, ultrasonic immersion rinsing was performed in an isopropyl alcohol rinsing tank. Thereafter, drying was performed by nitrogen blowing. This long sample is wound up with a 5 mm spacer, and 140 ° C x 3
Heat treatment was performed in nitrogen for 0 minute + 350 ° C. × 1 hour to obtain a cover polyimide pattern. The pattern consisting of polyimide / metal wiring / polyimide on stainless steel was all good.

【0039】実施例3 幅10cm厚み25μmの長尺カプトンフィルム上に1
0μm厚の銅メッキ層を形成した。銅メッキ層側に、リ
バースコーター、オーブン一体型装置を用いて、ポジレ
ジストを塗布、乾燥した。キャノン製コンタクトアライ
ナーを用い、銅メッキ層上に1cm×0.4cmのレジ
ストパターンが形成されるマスクを用いて全波長で40
0mJ/cm2の露光を行った。レジスト用現像液を用
い、レジストを連続的にパターン加工した。ついで、レ
ジストが残っていない銅メッキ部分をエッチングした
後、2.5%NaOHでレジストを連続的にエッチング
することにより、ポリイミドフィルム上に、1cm×
0.4cmの銅のパターンを得た。
Example 3 1 cm on a long Kapton film having a width of 10 cm and a thickness of 25 μm
A copper plating layer having a thickness of 0 μm was formed. On the copper plating layer side, a positive resist was applied and dried using a reverse coater and an oven-integrated device. Using a contact aligner manufactured by Canon Inc. and a mask having a resist pattern of 1 cm × 0.4 cm formed on a copper plating layer, 40 nm at all wavelengths.
An exposure of 0 mJ / cm 2 was performed. Using a resist developer, the resist was continuously patterned. Then, after etching the copper-plated portion where the resist does not remain, the resist was continuously etched with 2.5% NaOH, so that 1 cm ×
A 0.4 cm copper pattern was obtained.

【0040】上記銅パターンが形成された長尺ポリイミ
ドフィルムを長尺方向に動かしながら、東レ製感光性ポ
リイミドUR−3100をリバースコーター、オーブン
一体型装置を用いて、塗布速度0.25m/分、オーブ
ン条件90℃×20分で塗布、乾燥した。このとき、面
内均一に、異物もなく、ポリイミド前駆体被膜が塗られ
ていた。
While moving the long polyimide film on which the copper pattern was formed in the long direction, the photosensitive polyimide UR-3100 manufactured by Toray Co., Ltd. was applied using a reverse coater and an oven integrated device at an application speed of 0.25 m / min. Coating and drying were performed at oven conditions of 90 ° C. for 20 minutes. At this time, the polyimide precursor coating was applied uniformly in the plane without any foreign matter.

【0041】比較例1 長尺基板の長手方向に対しパターンの長い側が垂直にな
るようにマスクをセットする以外は実施例1と同様に実
験を行った。その結果、カバー層を塗布、乾燥した後、
下地パターンが存在する部分が盛り上がり、下地層が無
い部分は平坦であり、面内に大きなむらが発生した。ま
た、下地層がある部分だけをみても、カバー層塗布時の
基板の進行方向に対し、下地パターンの前部と後部にお
いて、カバー層の厚みが前部は厚く、後部は薄く、むら
が発生した。
Comparative Example 1 An experiment was performed in the same manner as in Example 1 except that a mask was set so that the long side of the pattern was perpendicular to the longitudinal direction of the long substrate. As a result, after applying and drying the cover layer,
The portion where the underlayer pattern was present protruded, and the portion without the underlayer was flat and large unevenness occurred in the plane. Also, when looking only at the portion where the underlayer is present, the front and back portions of the underlayer pattern are thicker at the front and thinner at the rear, resulting in unevenness in the direction of travel of the substrate when the cover layer is applied. did.

【0042】[0042]

【発明の効果】本発明は、長尺基板上に形成された下地
パターン上に、連続塗布装置を用いて上部樹脂層を塗布
する際に、下地パターンの凹凸に影響なく、均一に塗布
することができる。
According to the present invention, when an upper resin layer is coated on a base pattern formed on a long substrate by using a continuous coating apparatus, the upper resin layer is uniformly applied without being affected by the unevenness of the base pattern. Can be.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H025 AA10 AA18 AB15 AB17 AC01 AD01 BC13 BC69 CB25 DA19 DA20 EA04 4D075 AC72 BB66Z DA04 DB04 DB06 DB53 DC21 EB39 EC37 5F046 JA01  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H025 AA10 AA18 AB15 AB17 AC01 AD01 BC13 BC69 CB25 DA19 DA20 EA04 4D075 AC72 BB66Z DA04 DB04 DB06 DB53 DC21 EB39 EC37 5F046 JA01

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板上に整列されたパターンを基板の長手
方向に対して平行な成分と長手方向に対して垂直な成分
とに区分したとき、平行成分が垂直成分より長くなるよ
うパターンを配置し、パターンの平行成分に対して平行
に樹脂層を連続塗布することを特徴とする樹脂の塗布方
法。
When a pattern aligned on a substrate is divided into a component parallel to the longitudinal direction of the substrate and a component perpendicular to the longitudinal direction, the pattern is arranged such that the parallel component is longer than the vertical component. And applying a resin layer continuously to the parallel component of the pattern.
【請求項2】パターンの平行成分の長さが垂直成分の長
さに対して2倍以上であることを特徴とする請求項1記
載の樹脂の塗布方法。
2. The resin coating method according to claim 1, wherein the length of the parallel component of the pattern is at least twice the length of the vertical component.
【請求項3】基板が樹脂フィルムあるいは金属箔、ある
いはその複合体であることを特徴とする請求項1記載の
樹脂の塗布方法。
3. The method according to claim 1, wherein the substrate is a resin film, a metal foil, or a composite thereof.
【請求項4】樹脂フィルムがポリイミドフィルムである
ことを特徴とする請求項3記載の樹脂の塗布方法。
4. The method according to claim 3, wherein the resin film is a polyimide film.
【請求項5】金属箔が銅箔あるいはステンレス箔である
ことを特徴とする請求項3記載の樹脂の塗布方法。
5. The method according to claim 3, wherein the metal foil is a copper foil or a stainless steel foil.
【請求項6】複合体がポリイミドフィルムと銅箔の複合
体、あるいはポリイミドフィルムとステンレス箔との複
合体であることを特徴とする請求項3記載の樹脂の塗布
方法。
6. The resin coating method according to claim 3, wherein the composite is a composite of a polyimide film and a copper foil or a composite of a polyimide film and a stainless steel foil.
【請求項7】基板上に形成するパターンの材料が、耐熱
性樹脂、あるいは金属箔の少なくとも1つで構成される
ことを特徴とする請求項1記載の樹脂の塗布方法。
7. The method according to claim 1, wherein the material of the pattern formed on the substrate is at least one of a heat-resistant resin and a metal foil.
【請求項8】塗布する樹脂層として、ポリイミド前駆体
樹脂を塗布し熱処理してポリイミドに変換する、あるい
はポリイミド樹脂を塗布することを特徴とする請求項1
記載の樹脂の塗布方法。
8. A resin layer to be applied, wherein a polyimide precursor resin is applied and converted to polyimide by heat treatment, or a polyimide resin is applied.
A method for applying the resin described in the above.
【請求項9】塗布する樹脂層が感光性ポリイミド前駆体
であることを特徴とする請求項8記載の樹脂の塗布方
法。
9. The method according to claim 8, wherein the resin layer to be applied is a photosensitive polyimide precursor.
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