JP2000339224A - Memory system - Google Patents

Memory system

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JP2000339224A
JP2000339224A JP15134599A JP15134599A JP2000339224A JP 2000339224 A JP2000339224 A JP 2000339224A JP 15134599 A JP15134599 A JP 15134599A JP 15134599 A JP15134599 A JP 15134599A JP 2000339224 A JP2000339224 A JP 2000339224A
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JP
Japan
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signal
memory
write
generated
writing
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JP15134599A
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Japanese (ja)
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Yasuto Nakatsugi
康人 中次
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a memory system in which no third party except a specified person is allowed to easily perform writing to a memory. SOLUTION: A writing mode signal WM is generated when potential of an input terminal 4 shows a specified state by a hardware setting circuit 5. A writing permission signal S5 is generated when a preset sequence is recognized by a sequence recognizing means 12. A writing signal WS is outputted to a flash memory 3 when the signal WM is generated by the hardware setting circuit 5 and the signal SS is generated by the sequence recognizing means 12 by a writing signal generating circuit 6A.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、メモリとそのメモ
リへの書き込みを制御するメモリ制御回路とを含むメモ
リシステムに関するものである。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a memory system including a memory and a memory control circuit for controlling writing to the memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】図6は従来のメモリシステムの構成の一
例を示すブロック図である。図6のメモリシステム1は
フラッシュメモリ3とフラッシュメモリ制御回路7と入
力端子4を有している。入力端子4は外部に露出した特
定の端子である。
2. Description of the Related Art FIG. 6 is a block diagram showing an example of the configuration of a conventional memory system. The memory system 1 of FIG. 6 has a flash memory 3, a flash memory control circuit 7, and an input terminal 4. The input terminal 4 is a specific terminal exposed to the outside.

【0003】フラッシュメモリ3にデータを書き込む場
合には、まずフラッシュメモリ3のライトイネーブル端
子、チップイネーブル端子、アドレス端子等の所定の複
数の端子に所定のシーケンスに従って変化する信号を与
えることによりフラッシュメモリ3を書き込み許容状態
にする必要がある。以下、フラッシュメモリ3を書き込
み許容状態にするために所定の複数の端子に与える信号
を書き込み信号WSと呼ぶ。その後、フラッシュメモリ
3のアドレス端子にアドレス信号を与えるとともにデー
タ入力端子にデータを与えることにより、所望のアドレ
スにデータを書き込むことができる。
When writing data to the flash memory 3, first, a signal that changes in accordance with a predetermined sequence is given to a plurality of predetermined terminals such as a write enable terminal, a chip enable terminal, and an address terminal of the flash memory 3 to thereby write the data into the flash memory 3. 3 must be in a write-permitted state. Hereinafter, a signal given to a plurality of predetermined terminals to bring the flash memory 3 into a write-permitted state is referred to as a write signal WS. Thereafter, by applying an address signal to the address terminal of the flash memory 3 and applying data to the data input terminal, data can be written to a desired address.

【0004】図6のメモリシステム1では、入力端子4
の電位を所定値以上に設定すると、フラッシュメモリ制
御回路7が書き込み信号WSを発生する。それにより、
フラッシュメモリ3が書き込み許容状態となる。
In the memory system 1 shown in FIG.
Is set to a predetermined value or more, the flash memory control circuit 7 generates the write signal WS. Thereby,
The flash memory 3 enters a write permission state.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】次に、メモリシステム
の使用状態について図7を用いて簡単に説明する。ここ
では説明を平易にするために、フラッシュメモリ3への
書き込みを禁止されている特定の者として、メモリシス
テム1を使用するユーザを例に挙げている。また、フラ
ッシュメモリ3への書き込みを許可されている特定の者
として、メモリシステム1をユーザに供給するベンダー
を例に挙げている。例えば、ユーザとは、衛星放送シス
テムによる衛星放送を受信して対価を支払う者であり、
ベンダーとは、ユーザに衛星放送システムによる衛星放
送を供給するものである。メモリシステム1は、例えば
ベンダーが供給する衛星放送の受信によりユーザが支払
う対価を決定するプログラムを格納しているものであ
る。
Next, the use state of the memory system will be briefly described with reference to FIG. Here, for the sake of simplicity, a user who uses the memory system 1 is taken as an example of a specific person whose writing to the flash memory 3 is prohibited. In addition, a vendor who supplies the memory system 1 to a user is given as an example of a specific person permitted to write to the flash memory 3. For example, a user is a person who receives and pays for satellite broadcasting by a satellite broadcasting system,
The vendor supplies satellite broadcasting by a satellite broadcasting system to the user. The memory system 1 stores, for example, a program for determining a price to be paid by a user upon receiving a satellite broadcast supplied by a vendor.

【0006】図7(a)は、ベンダー9がユーザ8にメ
モリシステム1を供給する前に、ベンダー9がメモリシ
ステム1のフラッシュメモリ3にデータ10を書き込ん
でいる状態を示している。ここではデータという概念
に、プログラムも含まれるものとする。
FIG. 7A shows a state in which the vendor 9 writes data 10 to the flash memory 3 of the memory system 1 before the vendor 9 supplies the memory system 1 to the user 8. Here, the concept of data includes a program.

【0007】図7(b)は、ユーザ8にベンダー9がメ
モリシステム1を供給した後でユーザ8にメモリシステ
ム1のフラッシュメモリ3に対するデータ10の書き込
みが禁止されている一方、ベンダー9にはユーザ8が所
有しているメモリシステム1内のフラッシュメモリ3に
対するデータ10の書き込みが許可されている状態を示
している。例えば、上記のような例の場合、ベンダー9
が設定した対価を決定するプログラムを示すデータ10
は、ベンダー9の許可なくユーザ8により書き換えるこ
とが禁止されている一方、ベンダー9によりそのプログ
ラムを書き換えることは許容される。
FIG. 7B shows that, after the vendor 9 supplies the memory system 1 to the user 8, the user 8 is prohibited from writing the data 10 to the flash memory 3 of the memory system 1. This shows a state where writing of data 10 to the flash memory 3 in the memory system 1 owned by the user 8 is permitted. For example, in the case of the above example, the vendor 9
10 indicating a program for determining the price set by the user
Is prohibited from being rewritten by the user 8 without the permission of the vendor 9, while rewriting the program by the vendor 9 is allowed.

【0008】図7(a),(b)に示すように、ユーザ
8に対してはフラッシュメモリ3への書き込みを禁止
し、かつ、ベンダー9にはフラッシュメモリ3への書き
込みを可能にするための機能をメモリシステム1に持た
せる必要が生じる場合がある。このような例として、衛
星放送の対価が変更される等してメモリシステム1に記
憶されているプログラムをベンダー9が書き換える必要
が生じる場合が挙げられる。
As shown in FIGS. 7A and 7B, writing to the flash memory 3 is prohibited for the user 8 and writing to the flash memory 3 is enabled for the vendor 9. Function may need to be provided to the memory system 1 in some cases. As such an example, there is a case where the program stored in the memory system 1 needs to be rewritten by the vendor 9 due to a change in the price of the satellite broadcast.

【0009】上記のように、従来のメモリシステム1に
は、外部に露出している入力端子4の電位の設定によっ
てフラッシュメモリ3を書き込み許容状態にすることが
できるため、上記のベンダー9のように書き込みが許可
されている者だけでなく、ユーザ8のように書き込みが
禁止されている者もフラッシュメモリ3のデータを容易
に書き換えることができる。
As described above, in the conventional memory system 1, the flash memory 3 can be set in a write-permitted state by setting the potential of the input terminal 4 exposed to the outside. Not only those who are permitted to write data but also those whose writing is prohibited such as the user 8 can easily rewrite data in the flash memory 3.

【0010】本発明の目的は、特定の者を除いて第3者
が容易にメモリへの書き込みができないメモリシステム
を提供することである。
An object of the present invention is to provide a memory system in which a third party cannot easily write to a memory except for a specific person.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】(1)第1の発明 第1の発明に係るメモリシステムは、メモリと、所定の
信号を受ける入力端子と、入力端子の信号が所定の状態
にあるときに第1の信号を発生する第1の信号発生手段
と、予め設定されたシーケンスを示すシーケンス情報が
入力されたときに第2の信号を発生する第2の信号発生
手段と、第1の信号発生手段から発生される第1の信号
および第2の信号発生手段から発生される第2の信号に
基づいてメモリへのデータの書き込みを制御する書き込
み制御手段とを備えたものである。
Means for Solving the Problems (1) First invention A memory system according to a first invention has a memory, an input terminal for receiving a predetermined signal, and an input terminal when the signal of the input terminal is in a predetermined state. First signal generating means for generating a first signal, second signal generating means for generating a second signal when sequence information indicating a preset sequence is input, and first signal generating means Write control means for controlling writing of data to the memory based on the first signal generated by the means and the second signal generated by the second signal generation means.

【0012】本発明に係るメモリシステムにおいては、
入力端子の信号が所定の状態にあるときに第1の信号発
生手段により第1の信号が発生される。また、予め設定
されたシーケンスを示すシーケンス情報が入力されたと
きに第2の信号発生手段により第2の信号が発生され
る。第1の信号発生手段により発生される第1の信号お
よび第2の信号発生手段により発生される第2の信号に
基づいて書き込み制御手段によりメモリへのデータの書
き込みが制御される。
In the memory system according to the present invention,
When the signal at the input terminal is in a predetermined state, the first signal is generated by the first signal generating means. When sequence information indicating a preset sequence is input, a second signal is generated by the second signal generating means. The writing of data to the memory is controlled by the write control means based on the first signal generated by the first signal generation means and the second signal generated by the second signal generation means.

【0013】したがって、入力端子の信号が所定の状態
にありかつ予め設定されたシーケンス情報が入力された
ときのみメモリへの書き込みを可能にし、入力端子の信
号が所定の状態になっているだけではメモリへの書き込
みを行わせないようにすることができる。それにより、
シーケンス情報を知る者を除いて第3者が容易にメモリ
への書き込みを行うことができない。
Therefore, it is possible to write into the memory only when the signal at the input terminal is in a predetermined state and when predetermined sequence information is input. Writing to the memory can be prevented. Thereby,
A third party cannot easily write to the memory except for a person who knows the sequence information.

【0014】(2)第2の発明 第2の発明に係るメモリシステムは、第1の発明に係る
メモリシステムの構成において、第2の信号発生手段
は、シーケンス情報が与えられたか否かを判別するプロ
グラムを実行する演算処理装置を含むものである。
(2) Second invention In a memory system according to a second invention, in the configuration of the memory system according to the first invention, the second signal generation means determines whether or not sequence information is given. And an arithmetic processing unit that executes a program to be executed.

【0015】この場合、第2の信号発生手段は、予め設
定されたシーケンス情報が与えられたか否かを判別する
プログラムを実行する演算処理装置により予め設定され
たシーケンス情報が与えられたことを判別して、第2の
信号を発生することができる。したがって、プログラム
で判別されるシーケンス情報を知る者を除いて、第3者
が容易にメモリへの書き込みを行うことが防止される。
In this case, the second signal generating means determines that the predetermined sequence information has been provided by the arithmetic processing unit which executes a program for determining whether or not the predetermined sequence information has been provided. Thus, a second signal can be generated. Therefore, it is possible to prevent a third party from easily writing data into the memory except for a person who knows the sequence information determined by the program.

【0016】(3)第3の発明 第3の発明に係るメモリシステムは、第1または第2の
発明に係るメモリシステムの構成において、書き込み制
御手段は、第1の信号発生手段により第1の信号が発生
されかつ第2の信号発生手段により第2の信号が発生さ
れているときにメモリにデータの書き込みを許容する書
き込み信号を発生する書き込み信号発生手段を含むもの
である。
(3) Third invention In the memory system according to the third invention, in the configuration of the memory system according to the first or second invention, the write control means includes a first signal generation means for controlling the first signal generation means. And a write signal generating means for generating a write signal permitting writing of data to the memory when the signal is generated and the second signal is generated by the second signal generating means.

【0017】この場合、入力端子の信号が所定の状態に
なっていても、第2の信号発生手段に所定のシーケンス
情報が入力されていなければ書き込み信号発生手段が書
き込み信号を発生せず、メモリへのデータの書き込みが
許容されない。したがって、シーケンス情報を知る者を
除いて第3者が容易にメモリへの書き込みを行うことが
防止される。
In this case, even if the signal at the input terminal is in a predetermined state, the write signal generation means does not generate a write signal unless predetermined sequence information is input to the second signal generation means. Writing data to the disk is not allowed. Therefore, it is possible to prevent a third party from easily writing to the memory except for a person who knows the sequence information.

【0018】(4)第4の発明 第4の発明に係るメモリシステムは、第1または第2の
発明に係るメモリシステムの構成において、書き込み制
御手段は、第1の信号発生手段により第1の信号が発生
されているときにメモリにデータの書き込みを許容する
書き込み信号を発生する書き込み信号発生手段と、第1
の信号発生手段により第1の信号が発生されかつ第2の
信号発生手段により第2の信号が発生されていないとき
にメモリへの書き込みを中断させるメモリリセット信号
を発生するメモリリセット信号発生手段とを含むもので
ある。
(4) Fourth Invention In a memory system according to a fourth invention, in the configuration of the memory system according to the first or second invention, the write control means includes a first signal generation means for controlling the first signal generation means. A write signal generating means for generating a write signal for allowing data to be written to the memory when the signal is being generated;
A memory reset signal generating means for generating a memory reset signal for interrupting writing to a memory when the first signal is generated by the signal generating means and the second signal is not generated by the second signal generating means; Is included.

【0019】この場合、入力端子の信号が所定の状態に
なって書き込み信号発生手段がメモリにデータの書き込
みを許容する書き込み信号を発生していても、第2の信
号発生手段に所定のシーケンス情報が入力されず第2の
信号が発生されていなければメモリリセット信号発生手
段がメモリリセット信号を発生してメモリへの書き込み
を中断させる。したがって、シーケンス情報を知る者を
除いて第3者が容易にメモリへの書き込みを行うことが
防止される。
In this case, even if the signal at the input terminal is in a predetermined state and the write signal generating means has generated a write signal permitting data to be written to the memory, the second signal generating means can transmit predetermined sequence information to the second signal generating means. Is not input and the second signal is not generated, the memory reset signal generating means generates a memory reset signal to interrupt writing to the memory. Therefore, it is possible to prevent a third party from easily writing to the memory except for a person who knows the sequence information.

【0020】(5)第5の発明 第5の発明に係るメモリシステムは、第1または2の発
明に係るメモリシステムの構成において、メモリを用い
て所定の処理を行う処理システムをさらに備え、書き込
み制御手段は、第1の信号発生手段により第1の信号が
発生されたときにメモリにデータの書き込みを許容する
書き込み信号を発生する書き込み信号発生手段と、第1
の信号発生手段により第1の信号が発生されかつ第2の
信号発生手段により第2の信号が発生されないときに処
理システムをメモリとともにリセットするシステムリセ
ット信号を発生するシステムリセット信号発生手段とを
含むものである。
(5) Fifth Invention The memory system according to the fifth invention is the same as the memory system according to the first or second invention, further comprising a processing system for performing a predetermined process using the memory. Control means for generating, when the first signal is generated by the first signal generation means, a write signal for permitting writing of data into the memory;
And a system reset signal generating means for generating a system reset signal for resetting the processing system together with the memory when the first signal is generated by the signal generating means and the second signal is not generated by the second signal generating means. It is a thing.

【0021】この場合、入力端子の信号が所定の状態に
なって書き込み信号発生手段がメモリにデータの書き込
みを許容する書き込み信号を発生していても、第2の信
号発生手段に所定のシーケンス情報が入力されず第2の
信号が発生されていなければ、システムリセット信号発
生手段が処理システムをメモリとともにリセットするシ
ステムリセット信号を発生する。したがって、シーケン
ス情報を知る者を除いて第3者が容易にメモリへの書き
込みを行うことが防止される。
In this case, even if the signal at the input terminal is in a predetermined state and the write signal generating means has generated a write signal permitting writing of data to the memory, the second signal generating means has a predetermined sequence information. Is not input and the second signal is not generated, the system reset signal generating means generates a system reset signal for resetting the processing system together with the memory. Therefore, it is possible to prevent a third party from easily writing to the memory except for a person who knows the sequence information.

【0022】(6)第6の発明 第6の発明に係るメモリシステムは、第1または2の発
明に係るメモリシステムの構成において、書き込み制御
手段は、第1の信号発生手段により第1の信号が発生さ
れたときにメモリにデータの書き込みを許容する書き込
み信号を発生する書き込み信号発生手段と、第1の信号
発生手段により第1の信号が発生されかつ第2の信号発
生手段により第2の信号が発生されていないときに書き
込み信号にかかわらずメモリへのデータの書き込みを禁
止する書き込み禁止信号を発生する書き込み禁止信号発
生手段とを含むものである。
(6) Sixth invention In a memory system according to a sixth invention, in the configuration of the memory system according to the first or second invention, the write control means includes a first signal generation means for outputting the first signal. Write signal generation means for generating a write signal permitting data to be written to the memory when is generated, a first signal generated by the first signal generation means, and a second signal generated by the second signal generation means. A write-inhibit signal generating means for generating a write-inhibit signal for inhibiting data writing to the memory regardless of the write signal when no signal is generated.

【0023】この場合、入力端子の信号が所定の状態に
なり書き込み信号発生手段がメモリにデータの書き込み
を許容する書き込み信号を発生していても、第2の信号
発生手段に所定のシーケンス情報が入力されず第2の信
号が発生されていなければ書き込み禁止信号発生手段が
メモリへのデータの書き込みを禁止する書き込み禁止信
号を発生する。したがって、シーケンス情報を知る者を
除いて第3者が容易にメモリへの書き込みを行うことが
防止される。
In this case, even if the signal at the input terminal is in a predetermined state and the write signal generating means has generated a write signal permitting writing of data to the memory, the predetermined sequence information is transmitted to the second signal generating means. If the signal is not input and the second signal is not generated, the write inhibit signal generating means generates a write inhibit signal for inhibiting data writing to the memory. Therefore, it is possible to prevent a third party from easily writing to the memory except for a person who knows the sequence information.

【0024】(7)第7の発明 第7の発明に係るメモリシステムは、メモリと、所定の
信号を受ける入力端子と、入力端子の信号が所定の状態
にあるときにメモリにデータの書き込みを許容する書き
込み信号を発生する書き込み信号発生手段と、メモリを
用いて所定の処理を行う処理システムと、書き込み信号
発生手段により発生される書き込み信号を処理システム
をメモリとともにリセットするシステムリセット信号と
して処理システムに与えるよう設定可能なシステムリセ
ット信号付与手段とを備えたものである。
(7) Seventh Invention A memory system according to a seventh invention comprises a memory, an input terminal for receiving a predetermined signal, and writing of data to the memory when the signal at the input terminal is in a predetermined state. Write signal generating means for generating an allowable write signal, a processing system for performing predetermined processing using a memory, and a processing system as a system reset signal for resetting the write signal generated by the write signal generating means together with the memory And a system reset signal assigning means which can be set to be given to

【0025】本発明に係るメモリシステムにおいては、
入力端子の信号が所定の状態にあるときに書き込み信号
発生手段により書き込み信号が発生される。書き込み信
号発生手段により発生される書き込み信号を処理システ
ムをメモリとともにリセットするシステムリセット信号
として処理システムに与えるようにシステムリセット信
号付与手段によって設定することができる。
In the memory system according to the present invention,
When the signal at the input terminal is in a predetermined state, a write signal is generated by the write signal generating means. The write signal generated by the write signal generating means can be set by the system reset signal providing means so as to be provided to the processing system as a system reset signal for resetting the processing system together with the memory.

【0026】それにより、システムリセット信号付与手
段が書き込み信号発生手段により発生される書き込み信
号をシステムリセット信号として処理システムに与える
よう設定されるまでは、入力端子の信号が所定の状態に
なれば第1の信号発生手段が第1の信号を発生し、書き
込み信号発生手段がメモリにデータの書き込みを許容す
る書き込み信号を発生するので、メモリへのデータの書
き込みが可能である。一方、システムリセット信号付与
手段が書き込み信号をシステムリセット信号として処理
システムに与えるよう設定された後には、入力端子の信
号が所定の状態になったときに書き込み信号発生手段に
より発生された書き込み信号がシステムリセット信号と
して処理システムに与えられ、処理システムとともにメ
モリがリセットされる。したがって、第3者が容易にメ
モリへの書き込みを行うことが防止できる。
Thus, until the signal at the input terminal is in a predetermined state until the system reset signal applying means is set to give the write signal generated by the write signal generating means to the processing system as the system reset signal. Since the one signal generating means generates the first signal and the write signal generating means generates a write signal allowing writing of data to the memory, data can be written to the memory. On the other hand, after the system reset signal applying means is set to give the write signal as a system reset signal to the processing system, the write signal generated by the write signal generating means when the signal of the input terminal is in a predetermined state The signal is given to the processing system as a system reset signal, and the memory is reset together with the processing system. Therefore, it is possible to prevent a third party from easily writing to the memory.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】(実施の形態1)以下、本発明の
実施の形態1におけるメモリシステムについて図1を用
いて説明する。図1は実施の形態1のメモリシステムの
一構成例を示すブロック図である。
Embodiment 1 Hereinafter, a memory system according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration example of the memory system according to the first embodiment.

【0028】図1に示すメモリシステム1Aは、フラッ
シュメモリ3と入力端子4とフラッシュメモリ制御回路
7Aとを備えている。フラッシュメモリ3は、従来のフ
ラッシュメモリ3と同様に書き込み信号WSにより書き
込み許容状態に設定される。メモリシステム1Aにおい
ては、フラッシュメモリ制御回路7Aが書き込み信号W
Sを発生する。
The memory system 1A shown in FIG. 1 includes a flash memory 3, an input terminal 4, and a flash memory control circuit 7A. The flash memory 3 is set in a write-permitted state by a write signal WS, similarly to the conventional flash memory 3. In the memory system 1A, the flash memory control circuit 7A outputs the write signal W
Generate S.

【0029】フラッシュメモリ制御回路7Aは、ハード
ウェア設定回路5とシーケンス認識手段12と書き込み
信号発生回路6Aとを備えている。
The flash memory control circuit 7A includes a hardware setting circuit 5, a sequence recognition means 12, and a write signal generation circuit 6A.

【0030】ハードウェア設定回路5は、入力端子4の
電位が所定の状態のときに書き込みモード信号WMを発
生する。例えば、ハードウェア設定回路5は入力端子4
の電位が2.5V以上であれば書き込みモード信号WM
を発生し、入力端子4の電位が2.5V未満であれば書
き込みモード信号WMを発生しない。
The hardware setting circuit 5 generates a write mode signal WM when the potential of the input terminal 4 is in a predetermined state. For example, the hardware setting circuit 5 has the input terminal 4
Is equal to or higher than 2.5 V, the write mode signal WM
And the write mode signal WM is not generated if the potential of the input terminal 4 is less than 2.5V.

【0031】一方、シーケンス認識手段12は、所定の
プログラムを実行する中央演算処理装置により構成さ
れ、シーケンス情報SIを入力するという予め設定され
ている特定のシーケンスを認識したときに書き込み許可
信号SSを発生する。シーケンス情報SIは、例えばキ
ャラクターコードであってもよい。この場合、シーケン
ス認識手段12は、シーケンス情報SIとして、予め定
められたキャラクターコードが入力されたときに書き込
み許容信号SSを発生し、それ以外の場合には書き込み
許容信号SSを発生しない。
On the other hand, the sequence recognizing means 12 is constituted by a central processing unit which executes a predetermined program, and outputs a write enable signal SS when recognizing a specific sequence set in advance to input sequence information SI. appear. The sequence information SI may be, for example, a character code. In this case, the sequence recognizing means 12 generates the write permission signal SS when a predetermined character code is input as the sequence information SI, and does not generate the write permission signal SS otherwise.

【0032】書き込み信号発生回路6Aは、ハードウェ
ア設定回路5が書き込みモード信号WMを発生しかつシ
ーケンス認識手段12が書き込み許可信号SSを発生し
ているときに、フラッシュメモリ3に対しデータの書き
込みを許容する書き込み信号WSを出力する。すなわ
ち、書き込み信号発生回路6Aは、ハードウェア設定回
路5が書き込みモード信号WMを発生していても、シー
ケンス認識手段12が書き込み許可信号SSを発生して
いない場合、シーンケンス認識手段12が書き込み許可
信号SSを発生していてもハードウェア設定回路5が書
き込みモード信号WMを発生してない場合、およびハー
ドウェア設定回路5が書き込み信号WSを発生しておら
ずかつシーケンス認識手段12が書き込み許可信号SS
を発生していない場合には、書き込み信号WSを発生し
ない。
The write signal generation circuit 6A writes data to the flash memory 3 when the hardware setting circuit 5 generates the write mode signal WM and the sequence recognition means 12 generates the write enable signal SS. An allowable write signal WS is output. In other words, even if the hardware setting circuit 5 generates the write mode signal WM and the sequence recognition means 12 does not generate the write permission signal SS, the write signal generation circuit 6A outputs If the hardware setting circuit 5 has not generated the write mode signal WM even though the SS has been generated, or if the hardware setting circuit 5 has not generated the write signal WS and the sequence
Is not generated, the write signal WS is not generated.

【0033】このように、本実施の形態のメモリシステ
ム1Aによれば、入力端子4の電位が所定の状態に設定
されかつシーケンス情報SIがシーケンス認識手段12
に入力されたときにフラッシュメモリ3へ書き込みが許
容される。したがって、シーケンス認識手段12に設定
されたシーケンス情報SIを把握する者のみがフラッシ
ュメモリ3への書き込みを行うことが可能となり、入力
端子4の電位の設定だけではフラッシュメモリ3への書
き込みを行うことができない。
As described above, according to the memory system 1A of the present embodiment, the potential of the input terminal 4 is set to a predetermined state and the sequence information SI is
When the data is input to the flash memory 3, writing to the flash memory 3 is permitted. Therefore, only a person who grasps the sequence information SI set in the sequence recognizing means 12 can perform writing to the flash memory 3, and can perform writing to the flash memory 3 only by setting the potential of the input terminal 4. Can not.

【0034】本実施の形態では、入力端子4が所定の信
号を受ける入力端子に相当し、ハードウェア設定回路5
が第1の信号発生手段に相当し、シーケンス認識手段1
2が第2の信号発生手段に相当する。また、書き込み信
号発生回路6Aが書き込み制御手段または、第1の信号
が発生されかつ第2の信号が発生されているときに書き
込み信号を発生する書き込み信号発生手段に相当する。
In this embodiment, the input terminal 4 corresponds to an input terminal for receiving a predetermined signal, and the hardware setting circuit 5
Corresponds to the first signal generation means, and the sequence recognition means 1
2 corresponds to a second signal generating means. The write signal generation circuit 6A corresponds to write control means or write signal generation means for generating a write signal when the first signal is generated and the second signal is generated.

【0035】なお、図7(b)に示す状況において図7
(b)のメモリシステム1の代わりにメモリシステム1
Aを用いる場合、ユーザ8に対してメモリシステム1A
へのデータの書き込みを禁止しつつベンダー9のみが書
き込みを行うようにするためには、シーケンス認識手段
12に設定されているシーケンスをベンダー9のみが知
得するようにすればよい。
In the situation shown in FIG. 7B, FIG.
(B) Instead of the memory system 1, the memory system 1
When using the memory system A, the user 8
In order for only the vendor 9 to perform the writing while prohibiting the writing of the data to the, only the vendor 9 should know the sequence set in the sequence recognition means 12.

【0036】シーケンス認識手段12は、予め設定され
ているシーケンスを変更できるように構成してもよく、
また変更できないように構成してもよい。
The sequence recognizing means 12 may be configured so that a preset sequence can be changed.
Moreover, you may comprise so that it cannot be changed.

【0037】シーケンス認識手段12に設定されている
シーケンスを変更できないように構成する場合は、例え
ばユーザ8が偶然シーケンス認識手段12に設定されて
いるシーケンスを変更し、そのためベンダー9が知得し
ているシーケンスとシーケンス認識手段12に設定され
ているシーケンスとが一致しなくなるという状況の発生
を防止することができる。一方、シーケンス認識手段1
2に設定されているシーケンスを変更できるように構成
する場合には、ユーザ8が偶然にシーケンス認識手段1
2に設定されているシーケンスを知ってしまった場合で
もベンダー9がシーケンス認識手段12の設定されてい
るシーケンスを変更することによって再びそのユーザ8
に対してフラッシュメモリ3への書き込みを禁止する状
況を回復することができる。
In the case where the sequence set in the sequence recognizing unit 12 cannot be changed, for example, the user 8 accidentally changes the sequence set in the sequence recognizing unit 12, and the vendor 9 knows it. It is possible to prevent the occurrence of a situation in which the existing sequence does not match the sequence set in the sequence recognition means 12. On the other hand, sequence recognition means 1
In a configuration in which the sequence set to 2 can be changed, the user 8 happens to
Even if the vendor 9 knows the sequence set to 2, the user 8 changes the sequence set by the sequence recognition means 12 so that the user 8
Can be recovered from the situation in which writing to the flash memory 3 is prohibited.

【0038】(実施の形態2)次に、本発明の実施の形
態2におけるメモリシステムについて図2を用いて説明
する。図2は実施の形態2におけるメモリシステムの一
構成例を示すブロック図である。
Second Embodiment Next, a memory system according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a block diagram showing one configuration example of the memory system according to the second embodiment.

【0039】図2に示すメモリシステム1Bは、フラッ
シュメモリ3と入力端子4とフラッシュメモリ制御回路
7Bとを備えている。
The memory system 1B shown in FIG. 2 includes a flash memory 3, an input terminal 4, and a flash memory control circuit 7B.

【0040】メモリシステム1Bのフラッシュメモリ3
も図1のメモリシステム1Aのフラッシュメモリ3と同
様に、書き込み信号WSにより書き込み許容状態に設定
される。メモリシステム1Bのフラッシュメモリ3はメ
モリリセット機能を有している。そのため、メモリシス
テム1Bのフラッシュメモリ3に対して書き込み信号W
Sが与えられても、後述するメモリリセット信号MRが
入力されてメモリリセットが行われれば書き込みの処理
を中断する。メモリリセット信号MRの入力がなくなり
メモリリセットが解除されると、メモリシステム1Bの
フラッシュメモリ3は通常の状態に戻る。
The flash memory 3 of the memory system 1B
Also, similarly to the flash memory 3 of the memory system 1A of FIG. 1, the write permission state is set by the write signal WS. The flash memory 3 of the memory system 1B has a memory reset function. Therefore, the write signal W is sent to the flash memory 3 of the memory system 1B.
Even if S is given, if a memory reset signal MR described later is input and memory reset is performed, the writing process is interrupted. When the memory reset signal MR is not input and the memory reset is released, the flash memory 3 of the memory system 1B returns to the normal state.

【0041】フラッシュメモリ制御回路7Bは、ハード
ウェア設定回路5と書き込み信号発生回路6とシーケン
ス認識手段12とメモリリセット信号発生回路13とを
備えている。
The flash memory control circuit 7B includes a hardware setting circuit 5, a write signal generation circuit 6, a sequence recognition means 12, and a memory reset signal generation circuit 13.

【0042】メモリシステム1Bのハードウェア設定回
路5およびシーケンス認識手段12の動作は、メモリシ
ステム1Aのハードウェア設定回路5およびシーケンス
認識手段12の動作と同様である。
The operations of the hardware setting circuit 5 and the sequence recognizing means 12 of the memory system 1B are the same as the operations of the hardware setting circuit 5 and the sequence recognizing means 12 of the memory system 1A.

【0043】書き込み信号発生回路6は、ハードウェア
設定回路5から書き込みモード信号WMが入力される
と、書き込み信号WSをフラッシュメモリ3に対して出
力する。
When the write mode signal WM is input from the hardware setting circuit 5, the write signal generating circuit 6 outputs the write signal WS to the flash memory 3.

【0044】メモリリセット信号発生回路13には、ハ
ードウェア設定回路5から書き込みモード信号WMが与
えられ、シーケンス認識手段12から書き込み許可信号
SSが与えられる。メモリリセット信号発生回路13
は、ハードウェア設定回路5から書き込みモード信号W
Mが入力されかつシーケンス認識手段12から書き込み
許可信号SSが入力されていないときにメモリリセット
信号MRをフラッシュメモリ3に対して出力する。これ
により、フラッシュメモリ3に対してメモリリセットが
行われる。
The memory reset signal generating circuit 13 is supplied with a write mode signal WM from the hardware setting circuit 5 and a write enable signal SS from the sequence recognizing means 12. Memory reset signal generation circuit 13
Is the write mode signal W from the hardware setting circuit 5.
When M is input and the write enable signal SS is not input from the sequence recognizing means 12, the memory reset signal MR is output to the flash memory 3. As a result, a memory reset is performed on the flash memory 3.

【0045】一方、メモリリセット信号発生回路13
は、ハードウェア設定回路5から書き込みモード信号W
Mが入力されかつシーケンス認識手段12から書き込み
許可信号SSが入力されている場合にはメモリリセット
信号MRを発生しない。この場合には、フラッシュメモ
リ3に対する書き込みは中断されない。
On the other hand, the memory reset signal generation circuit 13
Is the write mode signal W from the hardware setting circuit 5.
When M is input and the write enable signal SS is input from the sequence recognition means 12, the memory reset signal MR is not generated. In this case, writing to the flash memory 3 is not interrupted.

【0046】なお、シーケンス認識手段12から書き込
み許可信号SSが入力されているがハードウェア設定回
路5から書き込みモード信号WMが入力されていない場
合、およびハードウェア設定回路5から書き込みモード
信号WMが入力されておらずかつシーケンス認識手段1
2から書き込み許可信号SSが入力されていない場合に
も、メモリリセット信号発生回路13はメモリリセット
信号MRを発生しない。
When the write enable signal SS is input from the sequence recognizing means 12 but the write mode signal WM is not input from the hardware setting circuit 5, or the write mode signal WM is input from the hardware setting circuit 5. Not performed and sequence recognition means 1
2, the memory reset signal generation circuit 13 does not generate the memory reset signal MR.

【0047】このように、本実施の形態のメモリシステ
ム1Bによれば、入力端子4の電位が所定の状態に設定
されたときに書き込み信号発生回路6が書き込み信号W
Sを発生し、フラッシュメモリ3は書き込み許容状態に
なるが、シーケンス情報SIがシーケンス認識手段12
に入力されていない場合にはフラッシュメモリ3に対し
てメモリリセットが行われ、フラッシュメモリ3に対す
る書き込みが中断される。したがって、シーケンス認識
手段12に設定されたシーケンス情報SIを把握する者
のみがフラッシュメモリ3への書き込みを行うことが可
能となり、入力端子4の電位の設定だけではフラッシュ
メモリ3への書き込みを行うことができない。
As described above, according to the memory system 1B of the present embodiment, when the potential of the input terminal 4 is set to a predetermined state, the write signal generation circuit 6
S is generated, and the flash memory 3 enters the write-permitted state.
Is not input to the flash memory 3, the memory reset is performed, and the writing to the flash memory 3 is interrupted. Therefore, only a person who grasps the sequence information SI set in the sequence recognizing means 12 can perform writing to the flash memory 3, and can perform writing to the flash memory 3 only by setting the potential of the input terminal 4. Can not.

【0048】本実施の形態では、書き込み信号発生回路
6が第1の信号が発生されたときに書き込み信号を発生
する書き込み信号発生手段に相当し、メモリリセット信
号発生回路13がメモリリセット信号発生手段に相当す
る。
In the present embodiment, the write signal generating circuit 6 corresponds to a write signal generating means for generating a write signal when the first signal is generated, and the memory reset signal generating circuit 13 corresponds to the memory reset signal generating means. Is equivalent to

【0049】(実施の形態3)次に、本発明の実施の形
態におけるメモリシステムについて図2を用いて説明す
る。図3は、本発明の実施の形態3におけるメモリシス
テムの一構成例を示すブロック図である。
(Embodiment 3) Next, a memory system according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a block diagram showing one configuration example of the memory system according to the third embodiment of the present invention.

【0050】図3に示すメモリシステム1Cは、フラッ
シュメモリ3を用いて所定の処理を行う処理システム2
とフラッシュメモリ3を制御するためのフラッシュメモ
リ制御回路7Cと入力端子4とを備えている。処理シス
テム2は、例えば衛星放送システムにおいて衛星放送の
受信による対価を算出する課金システムである。
The memory system 1 C shown in FIG. 3 is a processing system 2 that performs a predetermined process using the flash memory 3.
And a flash memory control circuit 7C for controlling the flash memory 3 and an input terminal 4. The processing system 2 is, for example, a billing system that calculates a price for receiving a satellite broadcast in a satellite broadcast system.

【0051】メモリシステム1Cの処理システム2に含
まれるフラッシュメモリ3は、書き込み信号WSにより
書き込み許容状態に設定される。処理システム2は、後
述するシステムリセット信号SRによってフラッシュメ
モリ3とともにリセットされる。
The flash memory 3 included in the processing system 2 of the memory system 1C is set in a write-permitted state by a write signal WS. The processing system 2 is reset together with the flash memory 3 by a system reset signal SR described later.

【0052】フラッシュメモリ制御回路7Cは、ハード
ウェア設定回路5と書き込み信号発生回路6とシーケン
ス認識手段12とシステムリセット信号発生回路14と
を備えている。
The flash memory control circuit 7C includes a hardware setting circuit 5, a write signal generation circuit 6, a sequence recognition means 12, and a system reset signal generation circuit 14.

【0053】フラッシュメモリ制御回路7Cのハードウ
ェア設定回路5、書き込み信号発生回路6およびシーケ
ンス認識手段12の動作は、図2に示したフラッシュメ
モリ制御回路7Bのハードウェア設定回路5、書き込み
信号発生回路6およびシーケンス認識手段12の動作と
同様である。
The operations of the hardware setting circuit 5, the write signal generation circuit 6 and the sequence recognition means 12 of the flash memory control circuit 7C correspond to the hardware setting circuit 5, the write signal generation circuit of the flash memory control circuit 7B shown in FIG. 6 and the operation of the sequence recognition means 12.

【0054】システムリセット信号発生回路14には、
ハードウェア設定回路5から書き込みモード信号WMが
与えられ、シーケンス認識手段12からシステムリセッ
ト信号SRが与えられる。システムリセット信号発生回
路14は、シーケンス認識手段12から書き込み許可信
号SSが入力されていない状態でハードウェア設定回路
5から書き込みモード信号WMが入力されたときにシス
テムリセット信号SRを処理システム2に対して出力す
る。これにより、処理システム2がフラッシュメモリ3
とともにリセットされる。
The system reset signal generation circuit 14 includes:
The write mode signal WM is supplied from the hardware setting circuit 5, and the system reset signal SR is supplied from the sequence recognition means 12. The system reset signal generation circuit 14 sends the system reset signal SR to the processing system 2 when the write mode signal WM is input from the hardware setting circuit 5 in a state where the write enable signal SS is not input from the sequence recognition unit 12. Output. As a result, the processing system 2
Reset with

【0055】一方、ハードウェア設定回路5から書き込
みモード信号WMが入力されかつシーケンス認識手段1
2から書き込み許可信号SSが入力されている場合に
は、システムリセット信号発生回路14は、システムリ
セット信号SRを発生しない。この場合にはフラッシュ
メモリ3に対する書き込みは中断されない。
On the other hand, when the write mode signal WM is input from the hardware setting circuit 5 and the sequence recognition means 1
When the write enable signal SS is input from the second circuit 2, the system reset signal generation circuit 14 does not generate the system reset signal SR. In this case, writing to the flash memory 3 is not interrupted.

【0056】なお、ハードウェア設定回路5から書き込
みモード信号WMが入力されずシーケンス認識手段12
から書き込み許可信号SSが入力されていない場合、お
よびシーケンス認識手段12から書き込み許可信号SS
が入力されているがハードウェア設定回路5から書き込
みモード信号WMが入力されていない場合にも、システ
ムリセット信号発生回路14はシステムリセット信号S
Rを発生しない。
Note that the write mode signal WM is not input from the hardware setting circuit 5 and the sequence recognition means 12
When the write enable signal SS is not input from the
Is input, but the write mode signal WM is not input from the hardware setting circuit 5, the system reset signal generation circuit 14
Does not generate R.

【0057】このように、本実施の形態のメモリシステ
ム1Cによれば、入力端子4の電位が所定の状態に設定
されたときに書き込み信号発生回路6が書き込み信号W
Sを発生し、フラッシュメモリ3は書き込み許容状態に
なるが、シーケンス情報SIがシーケンス認識手段12
に入力されていない場合には、処理システム2がフラッ
シュメモリ3とともにリセットされ、フラッシュメモリ
3に対する書き込みが行われない。したがって、入力端
子4の電位が所定の状態に設定されかつシーケンス認識
手段12にシーケンス情報SIが入力されたときにフラ
ッシュメモリ3への書き込みが可能となる。それによ
り、シーケンス認識手段12に設定されたシーケンスを
把握する者のみがフラッシュメモリ3への書き込みを行
うことが可能となり、入力端子4の電位の設定だけでは
フラッシュメモリ3への書き込みを行うことができな
い。
As described above, according to the memory system 1C of the present embodiment, when the potential of the input terminal 4 is set to a predetermined state, the write signal generation circuit 6
S is generated, and the flash memory 3 enters the write-permitted state.
Is not input, the processing system 2 is reset together with the flash memory 3 and writing to the flash memory 3 is not performed. Therefore, when the potential of the input terminal 4 is set to a predetermined state and the sequence information SI is input to the sequence recognizing means 12, writing to the flash memory 3 becomes possible. As a result, only a person who understands the sequence set in the sequence recognizing means 12 can perform writing to the flash memory 3, and can perform writing to the flash memory 3 only by setting the potential of the input terminal 4. Can not.

【0058】(実施の形態4)次に、本発明の実施の形
態4におけるメモリシステムについて図4を用いて説明
する。図4は、本発明の実施の形態4におけるメモリシ
ステムの一構成例を示すブロック図である。
(Embodiment 4) Next, a memory system according to Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a block diagram showing a configuration example of a memory system according to Embodiment 4 of the present invention.

【0059】図4のメモリシステム1Dは、フラッシュ
メモリ3と入力端子4とフラッシュメモリ制御回路7D
とを備えている。
The memory system 1D shown in FIG. 4 includes a flash memory 3, an input terminal 4, and a flash memory control circuit 7D.
And

【0060】メモリシステム1Dのフラッシュメモリ3
は、書き込み信号WSによって書き込み許容状態に設定
される。しかし、このフラッシュメモリ3では、書き込
み信号WSが入力されている場合であっても書き込み禁
止信号WPが入力されている場合には書き込みが行われ
ない。
The flash memory 3 of the memory system 1D
Are set in a write-permitted state by the write signal WS. However, in the flash memory 3, even when the write signal WS is input, writing is not performed when the write inhibit signal WP is input.

【0061】フラッシュメモリ制御回路7Dは、ハード
ウェア設定回路5と書き込み信号発生回路6とシーケン
ス認識手段12と書き込み禁止制御回路16とを備えて
いる。
The flash memory control circuit 7D includes a hardware setting circuit 5, a write signal generation circuit 6, a sequence recognition means 12, and a write inhibition control circuit 16.

【0062】メモリシステム1Dのハードウェア設定回
路5、書き込み信号発生回路6およびシーケンス認識手
段12の動作は、図2に示したフラッシュメモリ制御回
路7Bのハードウェア設定回路5、書き込み信号発生回
路6およびシーケンス認識手段12の動作と同様であ
る。
The operations of the hardware setting circuit 5, write signal generation circuit 6 and sequence recognition means 12 of the memory system 1D are performed by the hardware setting circuit 5, write signal generation circuit 6, and write signal generation circuit 6 of the flash memory control circuit 7B shown in FIG. The operation is the same as that of the sequence recognition means 12.

【0063】書き込み禁止制御回路16には、ハードウ
ェア設定回路5から書き込みモード信号WMが与えら
れ、シーケンス認識手段12から書き込み許可信号SS
が与えられる。書き込み禁止制御回路16は、シーケン
ス認識手段12から書き込み許可信号SSが入力されて
いない状態でハードウェア設定回路5から書き込みモー
ド信号WMが入力された場合、フラッシュメモリ3に書
き込み禁止信号WPを出力する。これにより、フラッシ
ュメモリ3には書き込みが行われない。
The write prohibition control circuit 16 receives the write mode signal WM from the hardware setting circuit 5 and the write permission signal SS
Is given. The write prohibition control circuit 16 outputs the write prohibition signal WP to the flash memory 3 when the write mode signal WM is input from the hardware setting circuit 5 in a state where the write permission signal SS is not input from the sequence recognition unit 12. . As a result, no writing is performed on the flash memory 3.

【0064】一方、書き込み禁止制御回路16は、ハー
ドウェア設定回路5から書き込みモード信号WMが入力
されかつシーケンス認識手段12から書き込み許可信号
SSが入力されている場合にはフラッシュメモリ3に対
する書き込み禁止信号WPを発生しない。これにより、
フラッシュメモリ3には書き込みが行われる。
On the other hand, when the write mode signal WM is input from the hardware setting circuit 5 and the write enable signal SS is input from the sequence recognizing means 12, the write inhibit control circuit 16 Does not generate WP. This allows
Writing is performed on the flash memory 3.

【0065】なお、書き込み禁止制御回路16は、ハー
ドウェア設定回路5から書き込みモード信号WMが入力
されておらずかつシーケンス認識手段12から書き込み
許可信号SSが入力されていない場合、およびシーケン
ス認識手段12から書き込み許可信号SSが入力されて
いるがハードウェア設定回路5から書き込みモード信号
WMが入力されていない場合にも、フラッシュメモリ3
に対する書き込み禁止信号WPを発生しない。
Note that the write prohibition control circuit 16 determines whether the write mode signal WM has been input from the hardware setting circuit 5 and the write enable signal SS has not been input from the sequence recognition When the write enable signal SS is input from the hardware setting circuit 5 but the write mode signal WM is not input from the hardware setting circuit 5,
Does not generate the write inhibit signal WP.

【0066】このように、本実施の形態のメモリシステ
ム1Dによれば、入力端子4の電位が所定の状態に設定
されたときには書き込み信号発生回路6が書き込み信号
WSをフラッシュメモリ3に対して出力するが、シーケ
ンス情報SIがシーケンス認識手段12に入力されてい
ない場合には、書き込み禁止制御回路16がフラッシュ
メモリ3に対する書き込みを禁止する。したがって、入
力端子4の電位が所定の状態に設定されかつシーケンス
情報SIがシーケンス認識手段12に入力されたときに
フラッシュメモリ3への書き込みが可能となる。それに
より、シーケンス認識手段12に設定されたシーケンス
情報SIを把握する者のみがフラッシュメモリ3への書
き込みを行うことが可能となり、入力端子4の電位の設
定だけではフラッシュメモリ3への書き込みを行うこと
ができない。
As described above, according to the memory system 1D of the present embodiment, when the potential of the input terminal 4 is set to a predetermined state, the write signal generating circuit 6 outputs the write signal WS to the flash memory 3. However, if the sequence information SI has not been input to the sequence recognizing means 12, the write prohibition control circuit 16 prohibits writing to the flash memory 3. Therefore, when the potential of the input terminal 4 is set to a predetermined state and the sequence information SI is input to the sequence recognizing means 12, writing to the flash memory 3 becomes possible. As a result, only a person who grasps the sequence information SI set in the sequence recognizing means 12 can perform writing to the flash memory 3, and performs writing to the flash memory 3 only by setting the potential of the input terminal 4. Can not do.

【0067】本実施の形態では、書き込み禁止制御回路
16が書き込み禁止信号発生手段に相当する。
In this embodiment, the write inhibit control circuit 16 corresponds to a write inhibit signal generating means.

【0068】(実施の形態5)次に、本発明の実施の形
態5におけるメモリシステムについて図5を用いて説明
する。図5は、本発明の実施の形態5におけるメモリシ
ステムの一構成例を示すブロック図である。
(Fifth Embodiment) Next, a memory system according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a block diagram showing one configuration example of the memory system according to the fifth embodiment of the present invention.

【0069】図5に示すメモリシステム1Eは、内蔵す
るフラッシュメモリ3を用いて所定の処理を行う処理シ
ステム2と入力端子4とフラッシュメモリ制御回路7E
とを備えている。
A memory system 1E shown in FIG. 5 includes a processing system 2 for performing predetermined processing using a built-in flash memory 3, an input terminal 4, and a flash memory control circuit 7E.
And

【0070】処理システム2のフラッシュメモリ3は、
書き込み信号WSにより書き込み許容状態に設定され
る。ただし、処理システム2は、フラッシュメモリ3に
書き込み信号WSが入力されていても、後述するシステ
ムリセット信号SRが入力されて処理システム2がリセ
ットされた場合には、処理システム2全体のリセットと
ともにフラッシュメモリ3のリセットが行われるのでフ
ラッシュメモリ3に対するデータの書き込みを中断す
る。
The flash memory 3 of the processing system 2
The write permission state is set by the write signal WS. However, even if the write signal WS is input to the flash memory 3, if the processing system 2 is reset by inputting a system reset signal SR to be described later, the flash memory 3 is reset together with the entire processing system 2. Since the reset of the memory 3 is performed, the writing of data to the flash memory 3 is interrupted.

【0071】フラッシュメモリ制御回路7Eは、ハード
ウェア設定回路5と書き込み信号発生回路6と結合手段
17とを備えている。フラッシュメモリ制御回路7Eの
ハードウェア設定回路5および書き込み信号発生回路6
の動作は、図4に示すフラッシュメモリ制御回路7Aの
ハードウェア設定回路5および書き込み信号発生回路6
の動作と同様である。
The flash memory control circuit 7 E includes a hardware setting circuit 5, a write signal generation circuit 6, and coupling means 17. Hardware setting circuit 5 and write signal generation circuit 6 of flash memory control circuit 7E
Is performed by the hardware setting circuit 5 and the write signal generation circuit 6 of the flash memory control circuit 7A shown in FIG.
The operation is the same as that described above.

【0072】結合手段17は、書き込み信号発生回路6
が発生する書き込み信号WSをシステムリセット信号S
Rとして処理システム2のシステムリセット端子に入力
する。例えば、結合手段17は書き込み信号発生回路6
が出力する書き込み信号WSを伝達する信号線と処理シ
ステム2のシステムリセット端子とを結合する配線であ
る。
The coupling means 17 includes the write signal generation circuit 6
Is generated by the system reset signal S
R is input to the system reset terminal of the processing system 2. For example, the coupling means 17 includes the write signal generation circuit 6
Is a wiring that couples a signal line for transmitting the write signal WS output by the system reset terminal of the processing system 2.

【0073】結合手段17による書き込み信号WSの信
号線と処理システム2のシステムリセット端子との結合
は、フラッシュメモリ3に所定のデータが書き込まれた
後に行われ、例えば、メモリシステム1Eの製造工程に
おいてフラッシュメモリ3にデータを書き込んだ後に、
メモリシステム1Eを筐体に収納する前に行われる。
The coupling between the signal line of the write signal WS and the system reset terminal of the processing system 2 by the coupling means 17 is performed after predetermined data is written in the flash memory 3. For example, in the manufacturing process of the memory system 1 E, After writing data to the flash memory 3,
This is performed before storing the memory system 1E in the housing.

【0074】このように、本実施の形態のメモリシステ
ム1Eによれば、結合手段17によって書き込み信号W
Sの信号線が処理システム2のシステムリセット端子に
結合された後には、入力端子4の電位が所定の状態に設
定されても書き込み信号発生回路6から出力される書き
込み信号WSがシステムリセット信号SRとして処理シ
ステム2に与えられるので、処理システム2がフラッシ
ュメモリ3とともにリセットされる。したがって、結合
手段17による結合を解除しない限り第3者がフラッシ
ュメモリ3への書き込みを行うことができない。
As described above, according to the memory system 1E of the present embodiment, the write signal W
After the S signal line is coupled to the system reset terminal of the processing system 2, the write signal WS output from the write signal generating circuit 6 is output even if the potential of the input terminal 4 is set to a predetermined state. , The processing system 2 is reset together with the flash memory 3. Therefore, a third party cannot write to the flash memory 3 unless the coupling by the coupling unit 17 is released.

【0075】本実施の形態では、結合手段17は、シス
テムリセット信号付与手段に相当する。
In this embodiment, the coupling means 17 corresponds to a system reset signal providing means.

【0076】[0076]

【発明の効果】本発明のメモリシステムによれば、入力
端子の信号が所定の状態にありかつ予め設定されたシー
ケンス情報が入力されたときのみメモリへの書き込みを
可能にし、入力端子の信号が所定の状態になっているだ
けではメモリへの書き込みを行わせないようにすること
ができる。それにより、予め設定されたシーケンス情報
を知る者を除いて第3者が容易にメモリへの書き込みを
行うことができない。
According to the memory system of the present invention, it is possible to write to the memory only when the signal of the input terminal is in a predetermined state and the preset sequence information is input, and the signal of the input terminal is It is possible to prevent writing into the memory only in the predetermined state. As a result, a third party cannot easily write to the memory except for a person who knows the preset sequence information.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態1におけるメモリシステム
の一構成例を示すブロック図
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration example of a memory system according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態2におけるメモリシステム
の一構成例を示すブロック図
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration example of a memory system according to a second embodiment of the present invention;

【図3】本発明の実施の形態3におけるメモリシステム
の一構成例を示すブロック図
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration example of a memory system according to a third embodiment of the present invention;

【図4】本発明の実施の形態4におけるメモリシステム
の一構成例を示すブロック図
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration example of a memory system according to a fourth embodiment of the present invention;

【図5】本発明の実施の形態5におけるメモリシステム
の一構成例を示すブロック図
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration example of a memory system according to a fifth embodiment of the present invention;

【図6】従来のメモリシステムの一構成例を示すブロッ
ク図
FIG. 6 is a block diagram showing one configuration example of a conventional memory system.

【図7】メモリシステムの使用の一例を示す概念図FIG. 7 is a conceptual diagram showing an example of use of a memory system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1A〜1E メモリシステム 2 処理システム 3 フラッシュメモリ 4 入力端子 5 ハードウェア設定回路 6,6A 書き込み信号発生回路 7,7A〜7E フラッシュメモリ制御回路 12 シーケンス認識手段 13 メモリリセット信号発生回路 14 システムリセット信号発生回路 16 書き込み禁止制御回路 17 結合手段 1, 1A to 1E Memory system 2 Processing system 3 Flash memory 4 Input terminal 5 Hardware setting circuit 6, 6A Write signal generation circuit 7, 7A to 7E Flash memory control circuit 12 Sequence recognition means 13 Memory reset signal generation circuit 14 System reset Signal generation circuit 16 Write inhibit control circuit 17 Coupling means

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 メモリと、 所定の信号を受ける入力端子と、 前記入力端子の信号が所定の状態にあるときに第1の信
号を発生する第1の信号発生手段と、 予め設定されたシーケンス情報が与えられたときに第2
の信号を発生する第2の信号発生手段と、 前記第1の信号発生手段から発生される第1の信号およ
び第2の信号発生手段から発生される第2の信号に基づ
いて前記メモリへのデータの書き込みを制御する書き込
み制御手段とを備えたことを特徴とするメモリシステ
ム。
A memory; an input terminal for receiving a predetermined signal; a first signal generating means for generating a first signal when the signal of the input terminal is in a predetermined state; and a preset sequence. Second when given information
A second signal generating means for generating a signal of the following type; and a signal to the memory based on a first signal generated by the first signal generating means and a second signal generated by the second signal generating means. A memory system, comprising: write control means for controlling data writing.
【請求項2】 前記第2の信号発生手段は、 前記シーケンス情報が与えられたか否かを判別するプロ
グラムを実行する演算処理装置を含むことを特徴とする
請求項1記載のメモリシステム。
2. The memory system according to claim 1, wherein said second signal generation means includes an arithmetic processing unit which executes a program for determining whether or not said sequence information has been given.
【請求項3】 前記書き込み制御手段は、 前記第1の信号発生手段により第1の信号が発生されか
つ前記第2の信号発生手段により第2の信号が発生され
ているときに前記メモリにデータの書き込みを許容する
書き込み信号を発生する書き込み信号発生手段を含むこ
とを特徴とする請求項1または2記載のメモリシステ
ム。
3. The writing control means stores data in the memory when a first signal is generated by the first signal generation means and a second signal is generated by the second signal generation means. 3. The memory system according to claim 1, further comprising a write signal generating means for generating a write signal allowing writing of the data.
【請求項4】 前記書き込み制御手段は、 前記第1の信号発生手段により第1の信号が発生されて
いるときに前記メモリにデータの書き込みを許容する書
き込み信号を発生する書き込み信号発生手段と、 前記第1の信号発生手段により第1の信号が発生されか
つ前記第2の信号発生手段により第2の信号が発生され
ていないときに前記メモリへの書き込みを中断させるメ
モリリセット信号を発生するメモリリセット信号発生手
段とを含むことを特徴とする請求項1または2記載のメ
モリシステム。
4. The write control unit includes: a write signal generation unit configured to generate a write signal that allows data to be written to the memory when the first signal generation unit generates a first signal; A memory for generating a memory reset signal for interrupting writing to the memory when a first signal is generated by the first signal generating means and a second signal is not generated by the second signal generating means 3. The memory system according to claim 1, further comprising reset signal generation means.
【請求項5】 前記メモリを用いて所定の処理を行う処
理システムをさらに備え、 前記書き込み制御手段は、 前記第1の信号発生手段により第1の信号が発生された
ときに前記メモリにデータの書き込みを許容する書き込
み信号を発生する書き込み信号発生手段と、 前記第1の信号発生手段により第1の信号が発生されか
つ前記第2の信号発生手段により第2の信号が発生され
ないときに前記処理システムを前記メモリとともにリセ
ットするシステムリセット信号を発生するシステムリセ
ット信号発生手段とを含むことを特徴とする請求項1ま
たは2記載のメモリシステム。
5. A processing system for performing a predetermined process using the memory, wherein the write control unit stores data in the memory when a first signal is generated by the first signal generation unit. Write signal generating means for generating a write signal permitting writing; and the processing when the first signal is generated by the first signal generating means and the second signal is not generated by the second signal generating means. 3. The memory system according to claim 1, further comprising: a system reset signal generating unit configured to generate a system reset signal for resetting a system together with the memory.
【請求項6】 前記書き込み制御手段は、 前記第1の信号発生手段により第1の信号が発生された
ときに前記メモリにデータの書き込みを許容する書き込
み信号を発生する書き込み信号発生手段と、 前記第1の信号発生手段により第1の信号が発生されか
つ前記第2の信号発生手段により第2の信号が発生され
ていないときに前記書き込み信号にかかわらず前記メモ
リへのデータの書き込みを禁止する書き込み禁止信号を
発生する書き込み禁止信号発生手段とを含むことを特徴
とする請求項1または2記載のメモリシステム。
6. The write control unit includes: a write signal generation unit configured to generate a write signal for permitting data to be written to the memory when a first signal is generated by the first signal generation unit; When the first signal is generated by the first signal generating means and the second signal is not generated by the second signal generating means, writing of data to the memory is inhibited regardless of the write signal. 3. The memory system according to claim 1, further comprising: a write inhibit signal generating unit that generates a write inhibit signal.
【請求項7】 メモリと、 所定の信号を受ける入力端子と、 前記入力端子の信号が所定の状態にあるときに前記メモ
リにデータの書き込みを許容する書き込み信号を発生す
る書き込み信号発生手段と、 前記メモリを用いて所定の処理を行う処理システムと、 前記書き込み信号発生手段により発生される書き込み信
号を前記処理システムを前記メモリとともにリセットす
るシステムリセット信号として前記処理システムに与え
るよう設定可能なシステムリセット信号付与手段とを備
えたことを特徴とするメモリシステム。
7. A memory, an input terminal for receiving a predetermined signal, and write signal generating means for generating a write signal for permitting writing of data to the memory when the signal of the input terminal is in a predetermined state; A processing system that performs a predetermined process using the memory; and a system reset that can be set to give a write signal generated by the write signal generation unit to the processing system as a system reset signal that resets the processing system together with the memory. A memory system comprising: a signal providing unit.
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