JP2000338661A - Positive type resist composition - Google Patents

Positive type resist composition

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JP2000338661A
JP2000338661A JP11149821A JP14982199A JP2000338661A JP 2000338661 A JP2000338661 A JP 2000338661A JP 11149821 A JP11149821 A JP 11149821A JP 14982199 A JP14982199 A JP 14982199A JP 2000338661 A JP2000338661 A JP 2000338661A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance resolution without considerable sacrificing other various resist performances by incorporating an alkali-soluble resin, a radiation sensitive component and a low molecular weight alkali-soluble component selected from a specified polyphenol compound and an oligomer containing the polyphenol compound and having a specified weight average molecular weight or below. SOLUTION: The positive type resist composition contains an alkali-soluble resin, a radiation sensitive component and a low molecular weight alkali-soluble component selected from a polyphenol compound of the formula having a molecular weight of <=1,000 and an oligomer containing the polyphenol compound and having a weight average molecular weight of <=1,000. In the formula, R1-R8 are each H, an alkyl or an alkoxy, Q1 and Q2 are each H or an alkyl, (a) and (b) are each 1, 2 or 3, (c) and (d) are each 1 or 2 and (m) and (n) are each an integer of >=1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、アルカリ可溶性樹
脂及び感放射線成分を含有し、紫外線、遠紫外線(エキ
シマ・レーザー等を含む)、電子線、イオンビーム、X
線等の放射線に感応して、半導体集積回路の微細加工に
好適に用いられるポジ型感放射線性レジスト組成物に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ultraviolet ray, a far ultraviolet ray (including an excimer laser, etc.), an electron beam, an ion beam, and an X-ray containing an alkali-soluble resin and a radiation-sensitive component.
The present invention relates to a positive-type radiation-sensitive resist composition suitably used for fine processing of a semiconductor integrated circuit in response to radiation such as radiation.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路の微細加工には通常、レ
ジスト組成物を用いたリソグラフィープロセスが採用さ
れており、レジスト組成物のなかでもポジ型のものは、
一般に解像度に優れることから、多く用いられている。
ポジ型レジストは、一般にアルカリ可溶成分と感放射線
成分を含有するものである。具体的には、アルカリ可溶
性のノボラック樹脂及び感放射線性のキノンジアジド化
合物を含有し、アルカリ不溶性であるキノンジアジド化
合物が放射線の作用により分解してカルボキシル基を生
じ、アルカリ可溶性になることを利用するノボラック/
キノンジアジド系のレジストが知られている。
2. Description of the Related Art A lithography process using a resist composition is usually employed for fine processing of a semiconductor integrated circuit.
Generally, it is often used because of its excellent resolution.
Positive resists generally contain an alkali-soluble component and a radiation-sensitive component. Specifically, a novolak resin containing an alkali-soluble novolak resin and a radiation-sensitive quinonediazide compound, which utilizes the fact that the alkali-insoluble quinonediazide compound is decomposed by the action of radiation to generate a carboxyl group and becomes alkali-soluble.
A quinonediazide-based resist is known.

【0003】そして、集積回路については近年、高集積
化に伴う微細化が進み、サブミクロンのパターン形成が
要求されるようになっている。その結果、一層優れた解
像度を示すポジ型レジスト組成物が求められている。こ
のようなパターンの微細化に対して、酸発生剤による化
学増幅作用を利用した、いわゆる化学増幅型のレジスト
も一部で採用されているが、ノボラック/キノンジアジ
ド系レジストに対する需要も依然として根強い。
[0003] In recent years, integrated circuits have been miniaturized with higher integration, and submicron pattern formation has been required. As a result, a positive resist composition exhibiting even better resolution is required. For such pattern miniaturization, so-called chemically amplified resists utilizing the chemical amplification effect of an acid generator have been partially adopted, but the demand for novolak / quinonediazide-based resists is still strong.

【0004】ノボラック/キノンジアジド系ポジ型レジ
ストの解像度を上げるためには、感放射線性キノンジア
ジド化合物の量を増やすことが考えられるが、キノンジ
アジド化合物の量を増やしすぎると、レジストの光吸収
が大きくなってプロファイルが悪化し、矩形のパターン
形状が得られなくなるという限界があった。また、特開
平 1-105243 号公報などには、分別により高分子量分を
多くしたノボラック樹脂に、m−クレゾールをホルムア
ルデヒドで縮合させた低分子量ノボラックオリゴマーを
混合することにより、レジストの感度や耐熱性の改良を
図った例が示されており(同公報の実施例5及び実施例
8)、さらに特開平 2-2560 号公報や特開平 2-200253
号公報、特開平 3-259149 号公報、特開平 5-204144 号
公報などには、ノボラック/キノンジアジド系のレジス
トにノボラック系の3核体多価フェノール化合物を配合
することにより、感度や解像度などを改良することが記
載されている。
In order to increase the resolution of the novolak / quinonediazide-based positive resist, it is conceivable to increase the amount of the radiation-sensitive quinonediazide compound. There is a limit that the profile deteriorates and a rectangular pattern shape cannot be obtained. Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-105243 discloses that the sensitivity and heat resistance of a resist can be improved by mixing a low molecular weight novolak oligomer obtained by condensing m-cresol with formaldehyde into a novolak resin having a high molecular weight by separation. Examples are shown (Examples 5 and 8 of the publication), and further Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2-2560 and 2-200253.
JP-A Nos. 3-259149 and 5-204144 disclose the sensitivity and resolution by blending a novolak-based trinuclear polyhydric phenol compound with a novolak / quinonediazide-based resist. Improvements are described.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、アル
カリ可溶性樹脂及び感放射線成分を含有するポジ型レジ
ストにおいて、他のレジスト諸性能をあまり犠牲にする
ことなく、解像度をより向上させることにある。研究の
結果、アルカリ可溶性樹脂及び感放射線成分を含有する
ポジ型感放射線性レジスト組成物に、ある種の化合物を
配合することにより、解像度が一層改良されることを見
出し、本発明を完成した。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to improve the resolution of a positive resist containing an alkali-soluble resin and a radiation-sensitive component without sacrificing other resist properties. is there. As a result of research, they have found that the resolution can be further improved by adding a certain compound to a positive-working radiation-sensitive resist composition containing an alkali-soluble resin and a radiation-sensitive component, and completed the present invention.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、アル
カリ可溶性樹脂及び感放射線成分を含有し、さらに、下
式(I)
That is, the present invention comprises an alkali-soluble resin and a radiation-sensitive component.

【0007】 [0007]

【0008】(式中、R1 、R2 、R3 、R4 、R5
6 、R7 及びR8 は各々独立して、水素、アルキル又
はアルコキシを表し、Q1 及びQ2 は各々独立して、水
素又はアルキルを表し、a及びbは各々独立して、1、
2又は3を表し、c及びdは各々独立して、1又は2を
表し、m及びnは各々独立して、1以上の整数を表し、
m+n個存在する各単位の構造は同一でも異なってもよ
い)で示される分子量1,000以下の多価フェノール
化合物及び上記式(I)で示される多価フェノール化合
物を含む重量平均分子量1,000以下のオリゴマーか
ら選ばれる低分子量アルカリ可溶成分(ただし、当該低
分子量アルカリ可溶成分が、m−クレゾールのみをホル
ムアルデヒドで縮合させた化合物又はオリゴマーのみで
あることはない)を含有するポジ型感放射線性レジスト
組成物を提供するものである。ここでいう重量平均分子
量は、ポリスチレンを標準品として、ゲル浸透クロマト
グラフィー(GPC)により測定される値である。
Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 ,
R 6 , R 7 and R 8 each independently represent hydrogen, alkyl or alkoxy, Q 1 and Q 2 each independently represent hydrogen or alkyl, a and b each independently represent 1,
Represents 2 or 3, c and d each independently represents 1 or 2, m and n each independently represents an integer of 1 or more;
The structure of each of the (m + n) units may be the same or different) and a weight-average molecular weight of 1,000 containing the polyhydric phenol compound having a molecular weight of 1,000 or less and the polyhydric phenol compound represented by the above formula (I). Positive-type composition containing a low-molecular-weight alkali-soluble component selected from the following oligomers (however, the low-molecular-weight alkali-soluble component is not only a compound or oligomer obtained by condensing only m-cresol with formaldehyde): It is intended to provide a radiation resist composition. The weight average molecular weight mentioned here is a value measured by gel permeation chromatography (GPC) using polystyrene as a standard.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】上記式(I)において、R1 、R
2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 及びR8は、それぞ
れ水素、アルキル又はアルコキシであり、Q1 及びQ2
は、それぞれ水素又はアルキルである。ここでのアルキ
ル及びアルコキシは、それぞれ1〜5個程度の炭素原子
を有することができるが、アルコキシの炭素数は1〜3
程度で十分である。特に好ましいアルキルはメチルであ
り、特に好ましいアルコキシはメトキシである。Q1
びQ2 は、原料面などからすると、それぞれ水素である
のが有利である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the above formula (I), R 1 , R
2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 and R 8 are each hydrogen, alkyl or alkoxy, and Q 1 and Q 2
Is hydrogen or alkyl, respectively. Here, the alkyl and alkoxy may each have about 1 to 5 carbon atoms, and the alkoxy has 1 to 3 carbon atoms.
A degree is enough. A particularly preferred alkyl is methyl and a particularly preferred alkoxy is methoxy. It is advantageous that Q 1 and Q 2 are each hydrogen from the viewpoint of the raw material.

【0010】また式(I)において、a、b、c及びd
は、各ベンゼン環上に位置する水酸基の数を表し、両端
のベンゼン環上に位置する水酸基の数を表すa及びb
は、それぞれ1〜3であることができ、中央部の複数の
ベンゼン環上に位置する各水酸基の数を表すc及びd
は、それぞれ1又は2であることができるが、一般に
は、それぞれのベンゼン環上に1個ずつの水酸基を有す
るのが、すなわちa、b、c及びdがそれぞれ1である
のが有利である。
In the formula (I), a, b, c and d
Represents the number of hydroxyl groups located on each benzene ring, and a and b represent the number of hydroxyl groups located on the benzene rings at both ends.
Can each be 1 to 3, and c and d represent the number of each hydroxyl group located on a plurality of benzene rings at the center.
Can each be 1 or 2, but in general it is advantageous to have one hydroxyl group on each benzene ring, ie a, b, c and d are each 1 .

【0011】本発明では、このような式(I)で示され
る分子量1,000以下の多価フェノール化合物自体を
低分子量アルカリ可溶成分として用いるか、又は式
(I)で示される多価フェノール化合物を含む重量平均
分子量1,000以下のオリゴマーを低分子量アルカリ
可溶成分として用いる。もちろん、多価フェノール化合
物自体とオリゴマーとを併用することも可能である。
In the present invention, the polyhydric phenol compound represented by the formula (I) having a molecular weight of 1,000 or less is used as a low molecular weight alkali-soluble component, or the polyhydric phenol represented by the formula (I) is used. An oligomer containing a compound and having a weight average molecular weight of 1,000 or less is used as a low molecular weight alkali-soluble component. Of course, it is also possible to use the polyhydric phenol compound itself and the oligomer together.

【0012】まず、式(I)で示される多価フェノール
化合物自体を低分子量アルカリ可溶成分として用いる態
様について説明すると、この多価フェノール化合物は、
ベンゼン環を4個又はそれ以上有する、すなわち4核体
又はそれ以上のものでありうるが、一般には、4核体又
は5核体、すなわちm+nが2又は3の化合物であるの
が有利である。具体的に有利な4核体及び5核体多価フ
ェノール化合物は、それぞれ下式(II)及び(III) で表
すことができる。
First, an embodiment in which the polyhydric phenol compound represented by the formula (I) itself is used as a low molecular weight alkali-soluble component will be described.
It may have four or more benzene rings, ie, tetranuclear or more, but is generally preferably a tetranuclear or pentanuclear compound, ie, a compound in which m + n is 2 or 3. . Particularly advantageous tetranuclear and pentanuclear polyhydric phenol compounds can be represented by the following formulas (II) and (III), respectively.

【0013】 [0013]

【0014】式中、R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R
6 、R7 及びR8 は先に定義したとおりである。
Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R
6, R 7 and R 8 are as defined above.

【0015】式(II)で示される4核体多価フェノール
化合物には、例えば、下式(IIa) の構造を有する4,
4′−メチレンビス〔2−(2−ヒドロキシ−5−メチ
ルベンジル)−3,6−ジメチルフェノール〕や、下式
(IIb) の構造を有する4,4′−メチレンビス〔2−
(4−ヒドロキシベンジル)−3,6−ジメチルフェノ
ール〕などが包含される。
The tetranuclear polyhydric phenol compound represented by the formula (II) includes, for example, 4,4 having a structure of the following formula (IIa):
4'-methylenebis [2- (2-hydroxy-5-methylbenzyl) -3,6-dimethylphenol] and the following formula
4,4'-methylenebis [2-
(4-hydroxybenzyl) -3,6-dimethylphenol] and the like.

【0016】 [0016]

【0017】また、式(III) で示される5核体多価フェ
ノール化合物には、例えば、 下式(IIIa)の構造を有す
る2,6−ビス〔4−ヒドロキシ−3−(2−ヒドロキ
シ−5−メチルベンジル)−2,5−ジメチルベンジ
ル〕−4−メチルフェノールなどが包含される。
Further, pentanuclear polyhydric phenol compounds represented by the formula (III) include, for example, 2,6-bis [4-hydroxy-3- (2-hydroxy-) having a structure of the following formula (IIIa): 5-methylbenzyl) -2,5-dimethylbenzyl] -4-methylphenol and the like.

【0018】 [0018]

【0019】なかでも、p−クレゾールから導かれるフ
ェノール核を両末端に有する多核体フェノール化合物、
とりわけ、p−クレゾールとキシレノール、特に2,5
−キシレノールとをメチレンで結合した構造の化合物が
有利である。上記式(IIa) の構造を有する4,4′−メ
チレンビス〔2−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジ
ル)−3,6−ジメチルフェノール〕や、上記式(IIIa)
の構造を有する2,6−ビス〔4−ヒドロキシ−3−
(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−2,5−ジ
メチルベンジル〕−4−メチルフェノールが、このよう
な有利な化合物に該当する。
Among them, polynuclear phenol compounds having a phenol nucleus derived from p-cresol at both ends,
In particular, p-cresol and xylenol, especially 2,5
Compounds having a structure in which -xylenol is bonded to methylene are advantageous. 4,4'-methylenebis [2- (2-hydroxy-5-methylbenzyl) -3,6-dimethylphenol] having the structure of the above formula (IIa) or the above formula (IIIa)
2,6-bis [4-hydroxy-3- having the structure of
(2-Hydroxy-5-methylbenzyl) -2,5-dimethylbenzyl] -4-methylphenol is one such advantageous compound.

【0020】式(I)で示される多価フェノール化合物
は、例えば、特開平 6-167805 号公報や特開平 9-11409
3 号公報などの記載に準じて、以下に述べる方法により
製造することができる。すなわち、下式(IV)
The polyhydric phenol compounds represented by the formula (I) are described, for example, in JP-A-6-167805 and JP-A-9-11409.
It can be manufactured by the method described below according to the description in Japanese Patent Publication No. 3 and the like. That is, the following formula (IV)

【0021】 [0021]

【0022】(式中、R5 、R6 、R7 、R8 、Q1
2 、c、d、m及びnは先に定義したとおりである)
で示される2価アルコールと、下式(V)及び(VI)
(Wherein R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , Q 1 ,
Q 2 , c, d, m and n are as defined above.
And a dihydric alcohol represented by the following formulas (V) and (VI)

【0023】 [0023]

【0024】(式中、R1 、R2 、R3 、R4 、a及び
bは先に定義したとおりである)で示される単核フェノ
ール化合物とを縮合させる方法や、下式 (VII)
(Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , a and b are as defined above), a method of condensing with a mononuclear phenol compound represented by the following formula (VII):

【0025】 [0025]

【0026】(式中、R5 、R6 、R7 、R8 、Q2
c、d及びmは先に定義したとおりである)で示される
多核フェノール化合物と、下式(VIII)及び(IX)
(Wherein R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , Q 2 ,
c, d and m are as defined above) and the following formulas (VIII) and (IX)

【0027】 [0027]

【0028】(式中、R1、R2、R3、R4、Q1、a及
びbは先に定義したとおりである)で示される1価アル
コールとを縮合させる方法により、式(I)で示される
多価フェノール化合物を製造することができる。これら
の縮合反応は通常、p−トルエンスルホン酸や硫酸、蓚
酸のような酸性触媒の存在下で行われる。
(Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , Q 1 , a and b are as defined above) by a method of condensing with a monohydric alcohol represented by the formula (I) ) Can be produced. These condensation reactions are usually performed in the presence of an acidic catalyst such as p-toluenesulfonic acid, sulfuric acid, and oxalic acid.

【0029】式(VII) で示される多核フェノール化合物
は、市販品があればそれをそのまま用いることができる
ほか、例えば、単核フェノール化合物にアルデヒドを反
応させ、単核フェノール化合物を順次つないでいくこと
によっても合成できる。出発原料となる単核フェノール
化合物としては、例えば、フェノール、レゾルシノー
ル、カテコール、クレゾール、キシレノール、2,3,
5−トリメチルフェノール、メトキシフェノール、エチ
ルフェノール、2−メチルレゾルシノールなどが挙げら
れる。これらは、式(I)で示される多価フェノール化
合物の末端フェノール核に導かれる前記式(V)又は式
(VI)の単核フェノール化合物ともなりうるが、その他
にピロガロールのような3価フェノール化合物も、式
(V)又は式(VI)に相当する単核フェノール化合物と
なりうる。さらに、前記式(VII) で示される多核フェノ
ール化合物をアルデヒドと反応させれば、式(IV)で示
される2価アルコールを製造することができる。前述し
た特開平 6-167805 号公報や特開平 9-114093 号公報に
記載される各種の4核体、5核体又は6核体多価フェノ
ール化合物が、本発明における低分子量アルカリ可溶成
分として用いられうる。
As the polynuclear phenol compound represented by the formula (VII), if there is a commercially available product, it can be used as it is. For example, a mononuclear phenol compound is reacted with an aldehyde, and the mononuclear phenol compound is sequentially connected. Can also be synthesized. Examples of the mononuclear phenol compound as a starting material include phenol, resorcinol, catechol, cresol, xylenol, 2,3,
5-trimethylphenol, methoxyphenol, ethylphenol, 2-methylresorcinol and the like can be mentioned. These can be the mononuclear phenol compounds of the formula (V) or the formula (VI), which are led to the terminal phenol nucleus of the polyhydric phenol compound represented by the formula (I), but may also be trivalent phenols such as pyrogallol. The compound can also be a mononuclear phenol compound corresponding to Formula (V) or Formula (VI). Furthermore, the dihydric alcohol represented by the formula (IV) can be produced by reacting the polynuclear phenol compound represented by the formula (VII) with an aldehyde. Various tetranuclear, pentanuclear, or hexanuclear polyhydric phenol compounds described in JP-A-6-167805 and JP-A-9-114093 are used as low-molecular-weight alkali-soluble components in the present invention. Can be used.

【0030】次に、前記式(I)の多価フェノール化合
物を含む重量平均分子量1,000以下のオリゴマーを
低分子量アルカリ可溶成分として用いる態様について説
明すると、このようなオリゴマーは、先に式(I)の多
価フェノール化合物の出発原料として例示したような単
核フェノール化合物を、蓚酸のような酸触媒の存在下
に、アルデヒド、特にホルムアルデヒドと縮合させるこ
とにより製造できる。この際の反応条件は、一般的なノ
ボラック樹脂を製造する場合と基本的に同じであるが、
酸触媒を少なめに、例えば、単核フェノール化合物に対
して0.001〜0.01モル倍程度用い、反応時間を短
め、例えば、1〜5時間程度とすることにより、低分子
量のオリゴマーを得ることができる。
Next, an embodiment in which an oligomer having a weight average molecular weight of 1,000 or less containing the polyhydric phenol compound of the above formula (I) is used as a low molecular weight alkali-soluble component will be described. It can be produced by condensing a mononuclear phenol compound exemplified as a starting material of the polyhydric phenol compound of (I) with an aldehyde, particularly formaldehyde, in the presence of an acid catalyst such as oxalic acid. The reaction conditions at this time are basically the same as those for producing a general novolak resin,
A low-molecular-weight oligomer is obtained by using a small amount of an acid catalyst, for example, about 0.001 to 0.01 mol times based on a mononuclear phenol compound, and shortening the reaction time, for example, to about 1 to 5 hours. be able to.

【0031】本発明におけるオリゴマータイプの低分子
量アルカリ可溶成分としては、少なくとも2種類の単核
フェノール化合物を用い、これらをホルムアルデヒドで
縮合させたものが好ましい。なかでも、原料の単核フェ
ノール化合物がm−又はp−クレゾールを含むのが有利
であり、例えば、m−クレゾールとp−クレゾールとの
組合せ、m−又はp−クレゾールと、2,3−、2,5
−、3,4−又は3,5−キシレノールのようなキシレ
ノールとの組合せなどが挙げられる。とりわけ好ましい
ものには、p−クレゾールとキシレノール、特に2,5
−キシレノールとの組合せが包含される。
As the oligomer-type low molecular weight alkali-soluble component in the present invention, it is preferable to use at least two kinds of mononuclear phenol compounds and to condense these with formaldehyde. Above all, it is advantageous that the raw material mononuclear phenol compound contains m- or p-cresol, for example, a combination of m-cresol and p-cresol, m- or p-cresol, 2,3-, 2,5
Combinations with xylenol, such as-, 3,4- or 3,5-xylenol. Particularly preferred are p-cresol and xylenol, especially 2,5
-Combinations with xylenol are included.

【0032】本発明のレジスト組成物は、アルカリ可溶
性樹脂及び感放射線成分に加えて、以上説明したような
低分子量アルカリ可溶成分を含有するものであるが、ア
ルカリ可溶性樹脂及び感放射線成分は、この分野で一般
的に用いられているものでよい。アルカリ可溶性樹脂と
しては、例えば、ポリビニルフェノールやノボラック樹
脂などが挙げられ、特にノボラック樹脂が好適に用いら
れている。ノボラック樹脂は、フェノール系化合物とア
ルデヒドとを、酸触媒の存在下で縮合させることにより
得られる。
The resist composition of the present invention contains the low-molecular weight alkali-soluble component as described above in addition to the alkali-soluble resin and the radiation-sensitive component. What is generally used in this field may be used. Examples of the alkali-soluble resin include polyvinylphenol and novolak resin, and in particular, novolak resin is suitably used. The novolak resin is obtained by condensing a phenolic compound and an aldehyde in the presence of an acid catalyst.

【0033】ノボラック樹脂の製造に用いられるフェノ
ール系化合物としては、例えば、フェノール、o−、m
−又はp−クレゾール、2,3−、2,5−、3,4−
又は3,5−キシレノール、2,3,5−トリメチルフ
ェノール、2−、3−又は4−tert−ブチルフェノー
ル、2−tert−ブチル−4−又は−5−メチルフェノー
ル、2−、4−又は5−メチルレゾルシノール、2−、
3−又は4−メトキシフェノール、2,3−、2,5−
又は3,5−ジメトキシフェノール、2−メトキシレゾ
ルシノール、4−tert−ブチルカテコール、2−、3−
又は4−エチルフェノール、2,5−又は3,5−ジエ
チルフェノール、2,3,5−トリエチルフェノール、
キシレノールとヒドロキシベンズアルデヒドとの縮合に
より得られるポリヒドロキシトリフェニルメタン系化合
物などが挙げられる。これらのフェノール系化合物は、
それぞれ単独で、又は2種類以上組み合わせて用いるこ
とができる。
The phenolic compound used for producing the novolak resin includes, for example, phenol, o-, m-
-Or p-cresol, 2,3-, 2,5-, 3,4-
Or 3,5-xylenol, 2,3,5-trimethylphenol, 2-, 3- or 4-tert-butylphenol, 2-tert-butyl-4- or -5-methylphenol, 2-, 4- or 5 -Methylresorcinol, 2-,
3- or 4-methoxyphenol, 2,3-, 2,5-
Or 3,5-dimethoxyphenol, 2-methoxyresorcinol, 4-tert-butylcatechol, 2-, 3-
Or 4-ethylphenol, 2,5- or 3,5-diethylphenol, 2,3,5-triethylphenol,
Polyhydroxytriphenylmethane-based compounds obtained by condensation of xylenol and hydroxybenzaldehyde are exemplified. These phenolic compounds are
Each can be used alone or in combination of two or more.

【0034】ノボラック樹脂の製造に用いられるアルデ
ヒドとしては、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアル
デヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、イ
ソブチルアルデヒド、ピバルアルデヒド及びヘキシルア
ルデヒドのような脂肪族アルデヒド類、シクロヘキサン
アルデヒド、シクロペンタンアルデヒド及びフルフラー
ルのような脂環式アルデヒド類、ベンズアルデヒド、o
−、m−又はp−メチルベンズアルデヒド、p−エチル
ベンズアルデヒド、2,4−、2,5−、3,4−又は
3,5−ジメチルベンズアルデヒド、o−、m−又はp
−ヒドロキシベンズアルデヒド及びo−、m−又はp−
アニスアルデヒドのような芳香族アルデヒド類、フェニ
ルアセトアルデヒドのような芳香脂肪族アルデヒド類な
どが挙げられる。これらのアルデヒド類も、それぞれ単
独で、又は所望により2種類以上組み合わせて用いるこ
とができる。これらのアルデヒド類のなかでは、工業的
に入手しやすいことから、ホルムアルデヒドが好ましく
用いられる。
Aldehydes used in the production of novolak resins include, for example, aliphatic aldehydes such as formaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, butyraldehyde, isobutyraldehyde, pivalaldehyde and hexylaldehyde, cyclohexanealdehyde, cyclopentanaldehyde and Cycloaliphatic aldehydes such as furfural, benzaldehyde, o
-, M- or p-methylbenzaldehyde, p-ethylbenzaldehyde, 2,4-, 2,5-, 3,4- or 3,5-dimethylbenzaldehyde, o-, m- or p
-Hydroxybenzaldehyde and o-, m- or p-
Examples include aromatic aldehydes such as anisaldehyde, and araliphatic aldehydes such as phenylacetaldehyde. These aldehydes can also be used alone or in combination of two or more, if desired. Among these aldehydes, formaldehyde is preferably used because it is industrially easily available.

【0035】フェノール系化合物とアルデヒドとの縮合
に用いられる酸触媒の例としては、塩酸、硫酸、過塩素
酸及び燐酸のような無機酸、蟻酸、酢酸、蓚酸、トリク
ロロ酢酸及びp−トルエンスルホン酸のような有機酸、
酢酸亜鉛、塩化亜鉛及び酢酸マグネシウムのような二価
金属塩などが挙げられる。これらの酸触媒も、それぞれ
単独で、又は2種類以上組み合わせて用いることができ
る。縮合反応は常法に従って、例えば、60〜120℃
の範囲の温度で2〜30時間程度行われる。
Examples of the acid catalyst used for the condensation of the phenol compound with the aldehyde include inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, perchloric acid and phosphoric acid, formic acid, acetic acid, oxalic acid, trichloroacetic acid and p-toluenesulfonic acid. Organic acids, such as
And divalent metal salts such as zinc acetate, zinc chloride and magnesium acetate. These acid catalysts can also be used alone or in combination of two or more. The condensation reaction is performed according to a conventional method, for example, at 60 to 120 ° C.
For about 2 to 30 hours.

【0036】縮合により得られるノボラック樹脂は、例
えば分別などの操作を施して、低分子量分を少なくして
おくのが好ましい。具体的には、ノボラック樹脂をGP
Cで分析したときに、分子量1,000以下の範囲の面
積比が、未反応のフェノール系化合物を除く全パターン
面積に対して25%以下、さらには20%以下となるよ
うにしておくのが好ましい。ここでパターン面積は、2
54nmのUV検出器を用いて測定したものを意味し、分
子量はポリスチレンを標準品とする値である。分別を行
う場合は、ノボラック樹脂を、良溶媒、例えば、メタノ
ールやエタノールのようなアルコール類、アセトンやメ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケ
トン類、エチルセロソルブのようなグリコールエーテル
類、エチルセロソルブアセテートのようなグリコールエ
ーテルエステル類、テトラヒドロフランのようなエーテ
ル類などに溶解し、この溶液を水中に注いで高分子量分
を沈殿させる方法、あるいはこの溶液を、ペンタン、ヘ
キサン、ヘプタンのような貧溶媒と混合して分液する方
法などが採用できる。
The novolak resin obtained by condensation is preferably subjected to an operation such as fractionation to reduce the amount of low molecular weight resin. Specifically, the novolak resin is GP
When analyzed by C, the area ratio in the range of molecular weight of 1,000 or less should be 25% or less, and more preferably 20% or less, based on the entire pattern area excluding unreacted phenolic compounds. preferable. Here, the pattern area is 2
It means a value measured using a 54 nm UV detector, and the molecular weight is a value using polystyrene as a standard. When performing separation, a novolak resin is used as a good solvent, for example, alcohols such as methanol and ethanol, acetone and methyl ethyl ketone, ketones such as methyl isobutyl ketone, glycol ethers such as ethyl cellosolve, and ethyl cellosolve acetate. Such as glycol ether esters or ethers such as tetrahydrofuran, and then pouring this solution into water to precipitate high molecular weight components, or mixing this solution with a poor solvent such as pentane, hexane, or heptane. Then, a method of performing liquid separation can be adopted.

【0037】また、感放射線成分としては通常、キノン
ジアジド化合物、具体的には、フェノール性水酸基を有
する化合物のo−キノンジアジドスルホン酸エステルが
用いられる。好ましくは、フェノール性水酸基を少なく
とも3個有するポリヒドロキシ化合物の1,2−ナフト
キノンジアジド−5−若しくは−4−スルホン酸エステ
ル又は1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸
エステルである。このような感放射線性キノンジアジド
化合物は、それぞれ単独で、又は2種類以上組み合わせ
て用いることができる。
As the radiation-sensitive component, a quinonediazide compound, specifically, an o-quinonediazidesulfonic acid ester of a compound having a phenolic hydroxyl group is used. Preferred are 1,2-naphthoquinonediazide-5- or -4-sulfonic acid esters or 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid esters of polyhydroxy compounds having at least three phenolic hydroxyl groups. Such radiation-sensitive quinonediazide compounds can be used alone or in combination of two or more.

【0038】これらのエステルは、上記のフェノール性
水酸基を有する化合物を、適当な溶媒中、トリエチルア
ミンのような塩基の存在下に、o−キノンジアジドスル
ホン酸ハライドと反応させることにより製造できる。反
応後は、適当な後処理を施して、目的物であるキノンジ
アジドスルホン酸エステルを取り出すことができる。例
えば、反応マスを水と混合して目的物を析出させ、濾
過、乾燥することにより粉体の形で得る方法や、反応マ
スに2−ヘプタノン等のレジスト溶剤を加え、水洗、分
液後、蒸留や平衡フラッシュ蒸留により反応溶媒を除去
し、レジスト溶剤溶液の形で得る方法などがある。ここ
でいう平衡フラッシュ蒸留とは、連続蒸留操作の一種で
あって、液体混合物の一部を蒸発させ、発生した蒸気相
と液相とを十分に接触させて、平衡に達したときに気体
と液体を分離する蒸留法である。蒸発の効率が非常によ
く、ほとんど瞬間的に蒸発が起こり、気相と液相はすぐ
に平衡状態に達するので、気相と液相をすぐに分離して
も十分に濃縮されており、加熱時間が短くてすむことか
ら、熱に弱い物質の濃縮に適している。
These esters can be produced by reacting the above compound having a phenolic hydroxyl group with o-quinonediazidesulfonic acid halide in a suitable solvent in the presence of a base such as triethylamine. After the reaction, an appropriate quinonediazidesulfonic acid ester can be obtained by performing an appropriate post-treatment. For example, a method in which a reaction mass is mixed with water to precipitate a target substance, filtration, and a method of obtaining in powder form by drying, or a resist solvent such as 2-heptanone is added to the reaction mass, washed with water, and separated, There is a method of removing the reaction solvent by distillation or equilibrium flash distillation to obtain a resist solvent solution. Equilibrium flash distillation is a type of continuous distillation operation in which a part of a liquid mixture is evaporated, the generated vapor phase and the liquid phase are brought into sufficient contact, and when equilibrium is reached, a gas is formed. This is a distillation method that separates liquids. Evaporation efficiency is very good, evaporation occurs almost instantaneously, and the gas phase and the liquid phase reach an equilibrium state immediately. Because it requires less time, it is suitable for concentrating heat-sensitive substances.

【0039】本発明では、以上説明したようなアルカリ
可溶性樹脂及び感放射線成分に加えて、前記式(I)で
示される多価フェノール化合物及び/又はその多価フェ
ノール化合物を含有するオリゴマーを、低分子量アルカ
リ可溶成分として配合する。特に、前述したように低分
子量分を少なくしたノボラック樹脂をアルカリ可溶性樹
脂とし、これに、本発明による低分子量アルカリ可溶成
分を添加することで、高い効果が発揮される。また、本
発明で特定する低分子量アルカリ可溶成分以外に、分子
量1,000以下のアルカリ可溶性フェノール系化合物
を、追加の低分子量アルカリ可溶成分として併用するこ
ともできる。併用されるアルカリ可溶性フェノール系化
合物は、分子構造中にフェノール性水酸基を少なくとも
2個有するのが好ましく、例えば、特開平 2-275955 号
公報や特開平 2-2560 号公報、特開平 3-191351 号公報
に記載のものなどが挙げられる。また、本発明の必須成
分からは除外されているm−クレゾールのみをホルムア
ルデヒドで縮合させた低分子量の化合物又はオリゴマー
を、追加の低分子量アルカリ可溶成分とすることももち
ろん可能である。
In the present invention, the polyhydric phenol compound represented by the above formula (I) and / or the oligomer containing the polyhydric phenol compound in addition to the alkali-soluble resin and the radiation-sensitive component as described above, It is blended as a molecular weight alkali-soluble component. In particular, as described above, a high effect is exhibited by using a novolak resin reduced in low molecular weight as an alkali-soluble resin and adding the low molecular weight alkali-soluble component according to the present invention to this. In addition to the low-molecular-weight alkali-soluble component specified in the present invention, an alkali-soluble phenolic compound having a molecular weight of 1,000 or less can be used in combination as an additional low-molecular-weight alkali-soluble component. The alkali-soluble phenolic compound used in combination preferably has at least two phenolic hydroxyl groups in the molecular structure. For example, JP-A-2-75955, JP-A-2-2-2560, JP-A-3-191351 The ones described in the gazette are exemplified. Further, it is of course possible to use a low molecular weight compound or oligomer obtained by condensing only m-cresol, which is excluded from the essential components of the present invention, with formaldehyde as an additional low molecular weight alkali-soluble component.

【0040】本発明のレジスト組成物においては、レジ
ストのタイプによっても異なるが、一般に、アルカリ可
溶成分、すなわち、アルカリ可溶性樹脂及び低分子量ア
ルカリ可溶成分の合計100重量部に対して、感放射線
成分が10〜100重量部程度の範囲で用いられる。感
放射線成分の好ましい含有量は、上記アルカリ可溶成分
100重量部に対して10〜50重量部程度である。ま
た、低分子量アルカリ可溶成分は、アルカリ可溶性樹脂
と当該低分子量アルカリ可溶成分の合計量を基準に、3
〜40重量%の範囲で存在させるのが好ましい。さら
に、本発明で規定する式(I)の多価フェノール化合物
又はそれを含むオリゴマーは、低分子量アルカリ可溶成
分のうちの少なくとも10重量%を占めるようにするの
が有利である。
In the resist composition of the present invention, although it depends on the type of the resist, generally, the radiation-sensitive composition is used for 100 parts by weight of the alkali-soluble component, that is, the alkali-soluble resin and the low-molecular-weight alkali-soluble component in total. The components are used in a range of about 10 to 100 parts by weight. The preferred content of the radiation-sensitive component is about 10 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble component. The low-molecular-weight alkali-soluble component is 3% based on the total amount of the alkali-soluble resin and the low-molecular-weight alkali-soluble component.
It is preferred to be present in the range of 〜40% by weight. Furthermore, it is advantageous that the polyhydric phenol compound of the formula (I) or the oligomer containing the same as defined in the present invention accounts for at least 10% by weight of the low molecular weight alkali-soluble component.

【0041】本発明のレジスト組成物は、以上説明した
アルカリ可溶性樹脂、感放射線成分及び低分子量アルカ
リ可溶成分を必須に含有するものであるが、その他必要
に応じて、アルカリ可溶性樹脂以外の樹脂や、染料、界
面活性剤など、この分野で慣用されている各種の添加物
を少量含有することもできる。また、アルカリ分解性の
化合物、例えば、特開平 10-213905号公報で提案されて
いるような、アルカリ現像液の作用により分解して酸を
生じる酸発生剤を加えることも有効である。このような
アルカリ分解性の化合物を含有させれば、パターンプロ
ファイルの向上に寄与しうる。
The resist composition of the present invention essentially contains the alkali-soluble resin, the radiation-sensitive component and the low-molecular-weight alkali-soluble component described above, but if necessary, a resin other than the alkali-soluble resin. Also, a small amount of various additives commonly used in this field, such as a dye and a surfactant, may be contained. It is also effective to add an alkali-decomposable compound, for example, an acid generator which is decomposed by the action of an alkali developer to generate an acid as proposed in JP-A-10-213905. The inclusion of such an alkali-decomposable compound can contribute to the improvement of the pattern profile.

【0042】上記の各成分は、溶剤に溶解してレジスト
液とされ、シリコンウェハーなどの基体上に、常法に従
ってスピンコーティングなどの方法で塗布される。ここ
で用いる溶剤は、各成分を溶解し、適当な乾燥速度を有
し、溶剤が蒸発した後に均一で平滑な塗膜を与えるもの
であればよく、この分野で通常用いられているものであ
ることができる。例えば、エチルセロソルブアセテー
ト、メチルセロソルブアセテート、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテートのようなグリコール
エーテルエステル類、エチルセロソルブ、メチルセロソ
ルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びプ
ロピレングリコールモノエチルエーテルのようなグリコ
ールエーテル類、乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル
及びピルビン酸エチルのようなエステル類、アセトン、
メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘ
キサノンのようなケトン類、γ−ブチロラクトンのよう
な環状エステル類などが挙げられる。これらの溶剤は、
それぞれ単独で、又は2種類以上組み合わせて用いるこ
とができる。
Each of the above components is dissolved in a solvent to form a resist solution, and is applied to a substrate such as a silicon wafer by a method such as spin coating according to a conventional method. The solvent used here may be any as long as it dissolves each component, has an appropriate drying rate, and gives a uniform and smooth coating film after evaporation of the solvent, and is commonly used in this field. be able to. For example, glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether acetate, glycols such as ethyl cellosolve, methyl cellosolve, propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monoethyl ether. Ethers, esters such as ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and ethyl pyruvate, acetone,
Examples include ketones such as methyl isobutyl ketone, 2-heptanone and cyclohexanone, and cyclic esters such as γ-butyrolactone. These solvents are
Each can be used alone or in combination of two or more.

【0043】基体上に塗布され、乾燥されたレジスト膜
には、パターニングのために放射線が照射され、次いで
必要によりポストエキスポジャーベークが施された後、
アルカリ現像液で現像される。ここで用いるアルカリ現
像液は、この分野で知られている各種のアルカリ性水溶
液であることができるが、一般的には、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)ト
リメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水
溶液が用いられることが多い。
The resist film applied and dried on the substrate is irradiated with radiation for patterning and, if necessary, subjected to post-exposure baking.
Developed with an alkaline developer. The alkaline developer used here may be any of various alkaline aqueous solutions known in the art, but generally, tetramethylammonium hydroxide or (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly known as choline )) Is often used.

【0044】[0044]

【実施例】次に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら
限定されるものではない。例中、含有量ないし使用量を
表す%、部及び割合は、特記ないかぎり重量基準であ
る。また重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品とし
てGPCにより測定した値である。
Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the examples, percentages, parts and ratios representing the content or the use amount are based on weight unless otherwise specified. The weight average molecular weight is a value measured by GPC using polystyrene as a standard.

【0045】参考例1(ノボラック樹脂の製造) 還流管、攪拌装置及び温度計を備えた5リットル四つ口
フラスコに、m−クレゾール含量61.6%のm−/p
−混合クレゾール702.1g、p−クレゾール379.
2g、蓚酸二水和物25.5g、90%酢酸水溶液33
7.9g、メチルイソブチルケトン1,008g及び水1
23gを仕込んで80℃まで昇温し、そこに37%ホル
ムアルデヒド水溶液492.9gを1時間かけて滴下し
た。その後還流温度まで昇温し、その状態で12時間保
温した。得られた反応液をメチルイソブチルケトンで希
釈し、水洗及び脱水を行って、ノボラック樹脂を40.
1%含むメチルイソブチルケトン溶液を得た。この樹脂
溶液200gを5リットルの底抜きフラスコに仕込み、
メチルイソブチルケトン335gで希釈し、さらにヘプ
タン412gを仕込んで60℃で攪拌し、静置後分液し
た。下層のノボラック樹脂溶液を2−ヘプタノンで希釈
してから濃縮し、ノボラック樹脂を36.0%含む2−
ヘプタノン溶液を得た。このノボラック樹脂を樹脂A1と
する。この樹脂の重量平均分子量は約9,800、GP
Cパターンにおける分子量1,000以下の範囲の面積
比は約3.8%であった。
Reference Example 1 (Production of Novolak Resin) A 5-liter four-necked flask equipped with a reflux tube, a stirrer and a thermometer was charged with m- / p having an m-cresol content of 61.6%.
702.1 g of mixed cresol, 379.p-cresol.
2 g, oxalic acid dihydrate 25.5 g, 90% acetic acid aqueous solution 33
7.9 g, 1,008 g of methyl isobutyl ketone and water 1
23 g was charged and the temperature was raised to 80 ° C., and 492.9 g of a 37% aqueous formaldehyde solution was added dropwise over 1 hour. Thereafter, the temperature was raised to the reflux temperature, and in this state, the temperature was maintained for 12 hours. The obtained reaction solution was diluted with methyl isobutyl ketone, washed with water and dehydrated to obtain a novolak resin of 40.
A methyl isobutyl ketone solution containing 1% was obtained. 200 g of this resin solution was charged into a 5-liter bottomed flask,
The mixture was diluted with 335 g of methyl isobutyl ketone, further charged with 412 g of heptane, stirred at 60 ° C., allowed to stand, and separated. The lower novolak resin solution was diluted with 2-heptanone and then concentrated to obtain a solution containing 26.0% of novolak resin.
A heptanone solution was obtained. This novolak resin is referred to as resin A1. The weight average molecular weight of this resin is about 9,800, GP
The area ratio in the range of the molecular weight of 1,000 or less in the C pattern was about 3.8%.

【0046】参考例2(別のノボラック樹脂の製造) 還流管、攪拌装置及び温度計を備えた5リットル四つ口
フラスコに、m−クレゾール含量61.6%のm−/p
−混合クレゾール1,448.3g、p−クレゾール3
8.62g、蓚酸二水和物35.11g、90%酢酸水溶
液464.4g、メチルイソブチルケトン1,386g及
び水169.23gを仕込んで80℃まで昇温し、そこ
に37%ホルムアルデヒド水溶液711.2gを1時間
かけて滴下した。その後還流温度まで昇温し、その状態
で12時間保温した。得られた反応液をメチルイソブチ
ルケトンで希釈し、水洗及び脱水を行ってノボラック樹
脂を43.3%含むメチルイソブチルケトン溶液を得
た。この樹脂溶液2,487.4gを底抜き容器に仕込
み、メチルイソブチルケトン6,129.0gで希釈し、
さらにヘプタン5,572.5gを仕込んで60℃で攪拌
し、静置後分液した。下層のノボラック樹脂溶液を2−
ヘプタノンで希釈してから濃縮し、ノボラック樹脂を3
3.82%含む2−ヘプタノン溶液を得た。このノボラ
ック樹脂を樹脂A2とする。この樹脂の重量平均分子量は
約7,900、GPCパターンにおける分子量1,000
以下の範囲の面積比は約4.5%であった。
Reference Example 2 (Production of Another Novolak Resin) A 5-liter four-necked flask equipped with a reflux tube, a stirrer and a thermometer was charged with m- / p having an m-cresol content of 61.6%.
1,448.3 g mixed cresol, p-cresol 3
8.62 g, 35.11 g of oxalic acid dihydrate, 464.4 g of a 90% aqueous acetic acid solution, 1,386 g of methyl isobutyl ketone and 169.23 g of water were charged, and the temperature was raised to 80 ° C., where 711. 2 g was added dropwise over 1 hour. Thereafter, the temperature was raised to the reflux temperature, and in this state, the temperature was maintained for 12 hours. The obtained reaction solution was diluted with methyl isobutyl ketone, washed with water and dehydrated to obtain a methyl isobutyl ketone solution containing 43.3% of a novolak resin. 2,487.4 g of this resin solution was charged into a bottomed container, diluted with 6,129.0 g of methyl isobutyl ketone,
Further, 5,572.5 g of heptane was charged and the mixture was stirred at 60 ° C., allowed to stand still, and separated. The lower layer novolak resin solution was
After diluting with heptanone and concentrating, novolak resin was
A 2-heptanone solution containing 3.82% was obtained. This novolak resin is referred to as resin A2. The weight average molecular weight of this resin is about 7,900, and the molecular weight in the GPC pattern is 1,000.
The area ratio in the following range was about 4.5%.

【0047】参考例3(m−クレゾール/ホルムアルデ
ヒドノボラックオリゴマーの製造) 還流管、攪拌装置及び温度計を備えた3リットルの四つ
口フラスコに、m−クレゾール1,081g及び蓚酸二
水和物2.52gを仕込んで80℃まで昇温し、そこに
37%ホルムアルデヒド水溶液242.2gを1時間か
けて滴下した。その後還流温度まで昇温し、その状態で
3時間保温した。得られた反応液を200torrの減圧下
に110℃まで加熱して濃縮した後、さらに、15torr
の減圧下で145℃まで加熱して濃縮した。これを2−
ヘプタノンで希釈し、水洗及び濃縮を行って、ノボラッ
クオリゴマーを36.1%含む2−ヘプタノン溶液を得
た。このオリゴマーは、下式の構造を有するものであり
(ただし、式中のpは、重合度に見合う繰り返し数を意
味する)、その重量平均分子量は約510であった。こ
れをオリゴマーBXとする。
Reference Example 3 (Production of m-cresol / formaldehyde novolak oligomer) In a 3-liter four-necked flask equipped with a reflux tube, a stirrer, and a thermometer, 1.081 g of m-cresol and oxalic acid dihydrate 2 were placed. After charging 0.52 g, the temperature was raised to 80 ° C., and 242.2 g of 37% aqueous formaldehyde solution was added dropwise over 1 hour. Thereafter, the temperature was raised to the reflux temperature, and the temperature was maintained for 3 hours in this state. The resulting reaction solution was concentrated by heating to 110 ° C. under a reduced pressure of 200 torr.
The mixture was heated to 145 ° C under reduced pressure and concentrated. This is 2-
After dilution with heptanone, washing and concentration, a 2-heptanone solution containing 36.1% of a novolak oligomer was obtained. This oligomer had the following structure (where p represents the number of repetitions commensurate with the degree of polymerization), and had a weight average molecular weight of about 510. This is designated as oligomer BX.

【0048】 [0048]

【0049】参考例4(p−クレゾール/2,5−キシ
レノール/ホルムアルデヒドノボラックオリゴマーの製
造) 200mlの四つ口フラスコに、p−クレゾール73.0
g、2,5−キシレノール27.26g及び蓚酸二水和
物0.227gを仕込み、攪拌しながら60℃まで昇温
した。そこに37%ホルムアルデヒド水溶液36.53
gを20分かけて滴下し、さらに還流状態まで昇温して
4時間保温した。得られた反応液を200torrの減圧下
に110℃まで加熱して濃縮した後、さらに、15torr
の減圧下で145℃まで加熱して濃縮した。濃縮マスに
室温で2−ヘプタノンを120g仕込んで溶解させ、イ
オン交換水60gで4回洗浄した。水洗後のマスを40
torrまで減圧し、80℃まで昇温して脱水した。その結
果、ノボラックオリゴマーを58.12%含む2−ヘプ
タノン溶液を104.11g得た。このオリゴマーは、
下式の各単位がメチレンで結合し、末端がp−クレゾー
ル又は2,5−キシレノール単位となったものであり、
その重量平均分子量は約750であった。これをオリゴ
マーB1とする。
Reference Example 4 (Production of p-cresol / 2,5-xylenol / formaldehyde novolak oligomer) p-cresol 73.0 was placed in a 200 ml four-necked flask.
g, 2,5-xylenol 27.26 g and oxalic acid dihydrate 0.227 g were charged, and the temperature was raised to 60 ° C. while stirring. There was a 36% 53% formaldehyde aqueous solution.
g was added dropwise over 20 minutes, the temperature was further raised to the reflux state, and the temperature was maintained for 4 hours. The obtained reaction solution was concentrated by heating to 110 ° C. under a reduced pressure of 200 torr.
The mixture was heated to 145 ° C under reduced pressure and concentrated. 120 g of 2-heptanone was charged and dissolved in the concentrated mass at room temperature, and washed with 60 g of ion-exchanged water four times. 40 squares after washing
The pressure was reduced to torr, the temperature was raised to 80 ° C., and dehydration was performed. As a result, 104.11 g of a 2-heptanone solution containing 58.12% of a novolak oligomer was obtained. This oligomer is
Each unit of the following formula is bonded with methylene, and the terminal is p-cresol or 2,5-xylenol unit,
Its weight average molecular weight was about 750. This is designated as oligomer B1.

【0050】 [0050]

【0051】参考例5(m−クレゾール/p−クレゾー
ル/ホルムアルデヒドノボラックオリゴマーの製造) 200mlの四つ口フラスコに、 m−クレゾール73.
0g、p−クレゾール73.0g及び蓚酸二水和物0.3
4gを仕込み、攪拌しながら60℃まで昇温した。そこ
に38%ホルムアルデヒド水溶液32.84gを1時間
かけて滴下し、さらに還流状態まで昇温して4.5時間
保温した。その後、参考例4と同様に後処理を施して、
ノボラックオリゴマーを60.59%含む2−ヘプタノ
ン溶液を92.46g得た。このオリゴマーは、下式の
各単位がメチレンで結合し、末端がm−クレゾール又は
p−クレゾール単位となったものであり、その重量平均
分子量は約680であった。これをオリゴマーB2とす
る。
Reference Example 5 (Production of m-cresol / p-cresol / formaldehyde novolak oligomer) In a 200 ml four-necked flask, m-cresol 73.
0 g, p-cresol 73.0 g and oxalic acid dihydrate 0.3
4 g was charged and heated to 60 ° C. while stirring. 32.84 g of a 38% formaldehyde aqueous solution was added dropwise thereto over 1 hour, and the temperature was further raised to a reflux state and maintained for 4.5 hours. Thereafter, post-processing is performed in the same manner as in Reference Example 4,
92.46 g of a 2-heptanone solution containing 60.59% of a novolak oligomer was obtained. In this oligomer, each unit of the following formula was bonded with methylene, and the terminal was an m-cresol or p-cresol unit, and the weight average molecular weight was about 680. This is designated as oligomer B2.

【0052】 [0052]

【0053】参考例6(m−クレゾール/2,5−キシ
レノール/ホルムアルデヒドノボラックオリゴマーの製
造) 200mlの四つ口フラスコに、m−クレゾール73.0
g、2,5−キシレノール27.26g及び蓚酸二水和
物0.227gを仕込み、攪拌しながら60℃まで昇温
した。そこに39%ホルムアルデヒド水溶液21.92
gを30分かけて滴下し、さらに還流状態まで昇温して
4.5時間保温した。その後、参考例4と同様に後処理
を施して、ノボラックオリゴマーを57.16%含む2
−ヘプタノン溶液を74.80g得た。このオリゴマー
は、下式の各単位がメチレンで結合し、末端がm−クレ
ゾール又は2,5−キシレノール単位となったものであ
り、その重量平均分子量は約490であった。これをオ
リゴマーB3とする。
Reference Example 6 (Production of m-cresol / 2,5-xylenol / formaldehyde novolak oligomer) In a 200 ml four-necked flask, 73.0 m-cresol was added.
g, 2,5-xylenol 27.26 g and oxalic acid dihydrate 0.227 g, and the temperature was raised to 60 ° C. while stirring. There was a 21.92% aqueous 39% formaldehyde solution.
g was added dropwise over 30 minutes, the temperature was further raised to the reflux state, and the temperature was maintained for 4.5 hours. Thereafter, post-treatment was carried out in the same manner as in Reference Example 4 to obtain a solution containing 57.16% of a novolak oligomer 2
74.80 g of heptanone solution were obtained. In this oligomer, each unit of the following formula was bonded with methylene, and the terminal became m-cresol or 2,5-xylenol unit, and the weight average molecular weight was about 490. This is designated as oligomer B3.

【0054】 [0054]

【0055】実施例1〜6及び比較例1 参考例1及び2のようにして得られたノボラック樹脂A1
及びA2の各溶液を固形分割合5/95又は2.5/97.
5で混合して、以下の物性を有する樹脂A11 及び樹脂A1
2 の各溶液とした。
Examples 1 to 6 and Comparative Example 1 Novolak resin A1 obtained as in Reference Examples 1 and 2
And A2 in a solids ratio of 5/95 or 2.5 / 97.
Resin A11 and Resin A1 having the following physical properties
Each solution of No. 2 was used.

【0056】樹脂A11 :A1/A2=5/95、重量平均分
子量約 7,950、GPCパターンにおける分子量 1,000以
下の範囲の面積比約 4.4%。 樹脂A12 :A1/A2=2.5/97.5、重量平均分子量約
7,930、GPCパターンにおける分子量 1,000以下の範
囲の面積比約 4.5%。
Resin A11: A1 / A2 = 5/95, weight average molecular weight of about 7,950, and area ratio of about 4.4% in a GPC pattern having a molecular weight of 1,000 or less. Resin A12: A1 / A2 = 2.5 / 97.5, weight average molecular weight about
7,930, about 4.5% area ratio in the range of molecular weight 1,000 or less in GPC pattern.

【0057】また感放射線成分として、下式As the radiation-sensitive component, the following formula

【0058】 [0058]

【0059】の構造を有する4−(7−ヒドロキシ−
2,4,4−トリメチル−2−クロマニル)レゾルシノ
ールと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
クロリドとの反応モル比1:2.6の縮合物を用いた。
4- (7-hydroxy-) having the structure
A condensate of (2,4,4-trimethyl-2-chromanyl) resorcinol and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride in a molar ratio of 1: 2.6 was used.

【0060】さらに、低分子量アルカリ可溶成分(1) と
して、参考例3〜6で得た以下に再掲するオリゴマーBX
及びB1〜B3、並びに以下に示す多核体多価フェノール化
合物C1〜C3を用いた。
Further, as the low molecular weight alkali-soluble component (1), the oligomer BX, which is obtained in Reference Examples 3 to 6 and which will be described again below,
And B1 to B3, and polynuclear polyhydric phenol compounds C1 to C3 shown below were used.

【0061】BX: 参考例3で得られたm−クレゾール
/ホルムアルデヒドノボラックオリゴマー(重量平均分
子量約510)。 B1: 参考例4で得られたp−クレゾール/2,5−キ
シレノール/ホルムアルデヒドノボラックオリゴマー
(重量平均分子量約750)。 B2: 参考例5で得られたm−クレゾール/p−クレゾ
ール/ホルムアルデヒドノボラックオリゴマー(重量平
均分子量約680)。 B3: 参考例6で得られたm−クレゾール/2,5−キ
シレノール/ホルムアルデヒドノボラックオリゴマー
(重量平均分子量約490)。 C1: 前記式(IIa) の構造を有する4,4′−メチレン
ビス〔2−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−
3,6−ジメチルフェノール〕。 C2: 前記式(IIIa)の構造を有する2,6−ビス〔4−
ヒドロキシ−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジ
ル)−2,5−ジメチルベンジル〕−4−メチルフェノ
ール。 C3: 前記式(IIb) の構造を有する4,4′−メチレン
ビス〔2−(4−ヒドロキシベンジル)−3,6−ジメ
チルフェノール〕。
BX: m-cresol / formaldehyde novolak oligomer obtained in Reference Example 3 (weight average molecular weight: about 510). B1: p-cresol / 2,5-xylenol / formaldehyde novolak oligomer obtained in Reference Example 4 (weight average molecular weight: about 750). B2: m-cresol / p-cresol / formaldehyde novolak oligomer obtained in Reference Example 5 (weight average molecular weight: about 680). B3: m-cresol / 2,5-xylenol / formaldehyde novolak oligomer obtained in Reference Example 6 (weight average molecular weight: about 490). C1: 4,4'-methylenebis [2- (2-hydroxy-5-methylbenzyl)-having the structure of the above formula (IIa)
3,6-dimethylphenol]. C2: 2,6-bis [4- having the structure of the above formula (IIIa)
Hydroxy-3- (2-hydroxy-5-methylbenzyl) -2,5-dimethylbenzyl] -4-methylphenol. C3: 4,4'-methylenebis [2- (4-hydroxybenzyl) -3,6-dimethylphenol] having the structure of the above formula (IIb).

【0062】さらにまた、別の低分子量アルカリ可溶成
分(2) として、下式
Further, as another low molecular weight alkali-soluble component (2), the following formula

【0063】 [0063]

【0064】の構造を有する4−(1′,2′,3′,
4′,4′a,9′a−ヘキサヒドロ−6′−ヒドロキ
シスピロ[シクロヘキサン−1,9′−キサンテン]−
4′a−イル)レゾルシノールを用いた。
4- (1 ', 2', 3 ',
4 ', 4'a, 9'a-Hexahydro-6'-hydroxyspiro [cyclohexane-1,9'-xanthene]-
4'a-yl) resorcinol was used.

【0065】これらの各成分を、溶剤とともに以下の組
成で混合し、溶解した。
Each of these components was mixed with a solvent in the following composition and dissolved.

【0066】 ノボラック樹脂(固形分量、種類は表1に記載) 9.73 部 感放射線成分 3.5 部 低分子量アルカリ可溶成分(1)(固形分量、種類は表1に記載) 1.0 部 低分子量アルカリ可溶成分(2) 3.6 部 溶剤:2−ヘプタノン 25.5 部 * 乳酸エチル 25.5 部* 2−ヘプタノンは樹脂溶液及びオリゴマー溶液からの持ち込み分を含む。Novolak resin (solid content and type are described in Table 1) 9.73 parts Radiation-sensitive component 3.5 parts Low molecular weight alkali-soluble component (1) (solid content and type are described in Table 1) 1.0 part Low molecular weight alkali soluble component (2) 3.6 parts solvent: 2-heptanone 25.5 parts * ethyl lactate 25.5 parts * 2-heptanone comprises bringing component from the resin solution and oligomer solution.

【0067】それぞれの溶液をフッ素樹脂フィルターで
濾過してレジスト液を調製し、そのレジスト液を、ヘキ
サメチルジシラザンで処理したシリコンウェハーにスピ
ンコートし、ダイレクトホットプレート上にて90℃で
60秒間のプリベークを行って、膜厚1.06μmのレジ
スト膜を形成させた。こうしてレジスト膜が形成された
ウェハーに、i線ステッパー〔(株)ニコン製の“NSR-20
05 i9C”、NA=0.57 、σ=0.60 〕を用い、露光量を段階
的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光し
た。次にホットプレート上にて、110℃、60秒の条
件でポストエキスポジャーベークを行った後、2.38
%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60
秒間のパドル現像を行った。現像後のパターンを走査型
電子顕微鏡で観察し、それぞれの実効感度及び解像度を
以下のようにして評価し、結果を表1に示した。
Each solution was filtered through a fluororesin filter to prepare a resist solution, and the resist solution was spin-coated on a silicon wafer treated with hexamethyldisilazane, and placed on a direct hot plate at 90 ° C. for 60 seconds. Was performed to form a resist film having a thickness of 1.06 μm. An i-line stepper [NSR-20 manufactured by Nikon Co., Ltd.]
05 i9C ”, NA = 0.57, σ = 0.60], and the line and space pattern was exposed by changing the exposure stepwise. Then, the post-exposure was performed on a hot plate at 110 ° C. for 60 seconds. 2.38 after jar bake
60% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide
Second paddle development was performed. The pattern after development was observed with a scanning electron microscope, and the effective sensitivity and resolution of each pattern were evaluated as follows. The results are shown in Table 1.

【0068】実効感度: 1.00μmラインアンドスペ
ースパターンの断面幅が1:1となる露光量で表示し
た。
Effective sensitivity: 1.00 μm The line and space pattern was displayed at an exposure amount at which the sectional width became 1: 1.

【0069】解像度: 実効感度の露光量で分離するラ
インアンドスペースパターンの最小線幅で表示した。
Resolution: The minimum line width of the line and space pattern separated by the exposure amount of the effective sensitivity was displayed.

【0070】[0070]

【表1】 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 例 No. 樹脂 低分子量アルカリ可溶成分(1) 実効感度 解像度 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 実施例1 A11 C1 0.5部+BX 0.5部 65 msec 0.50 μm 〃 2 A11 C2 0.5部+BX 0.5部 70 msec 0.475μm 〃 3 A11 C3 0.5部+BX 0.5部 60 msec 0.525μm 〃 4 A12 B1 1.0部 51 msec 0.55 μm 〃 5 A12 B2 1.0部 48 msec 0.55 μm 〃 6 A12 B3 1.0部 48 msec 0.525μm ─────────────────────────────── 比較例 A11 BX 1.0部 50 msec 0.575μm ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━[Table 1] ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ Example No. Resin Low molecular weight alkali-soluble component (1) Effective sensitivity Resolution ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ Example 1 A11 C1 0.5 part + BX 0.5 part 65 msec 0.50 μm 〃 2 A11 C2 0.5 part + BX 0.5 part 70 msec 0.475 μm 〃 3 A11 C3 0.5 part + BX 0.5 part 60 msec 0.525 μm 〃 4 A12 B1 1.0 part 51 msec 0.55 μm 〃 5 A12 B2 1.0 part 48 msec 0.55 μm 6 6 A12 B3 1.0 part 48 msec 0.525μm ─────────────────────────────── Comparative example A11 BX 1.0 part 50 msec 0.575μm ━━━━━━━ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━

【0071】表1に示したように、実施例のものは、比
較例のものに比べて解像度が向上している。
As shown in Table 1, the resolution of the embodiment is higher than that of the comparative example.

【0072】[0072]

【発明の効果】本発明のポジ型レジスト組成物は解像度
に優れており、またプロファイル、感度、耐熱性、焦点
深度などのレジスト諸性能のバランスにも優れている。
したがってこの組成物は、半導体集積回路の一層の微細
化に有効である。
As described above, the positive resist composition of the present invention is excellent in resolution and in balance of various resist properties such as profile, sensitivity, heat resistance and depth of focus.
Therefore, this composition is effective for further miniaturization of a semiconductor integrated circuit.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 李 相昊 大阪市此花区春日出中3丁目1番98号 住 友化学工業株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA02 AB16 AC01 AC04 AC05 AC06 AC07 AC08 AD03 BE00 BE01 CB29 CB45 CB52 CB55 CC20 4J002 CC051 CC061 EQ036 EV246 FD206 GP03 GQ05 4J033 CA01 CA02 CA12 CA29 HA02 HA07 HA08 HA12 HB10  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Li Saho, 3-1-198 Kasuganaka, Konohana-ku, Osaka Sumitomo Chemical Co., Ltd. F-term (reference) 2H025 AA02 AB16 AC01 AC04 AC05 AC06 AC07 AC08 AD03 BE00 BE01 CB29 CB45 CB52 CB55 CC20 4J002 CC051 CC061 EQ036 EV246 FD206 GP03 GQ05 4J033 CA01 CA02 CA12 CA29 HA02 HA07 HA08 HA12 HB10

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】アルカリ可溶性樹脂及び感放射線成分を含
有し、さらに、下式(I) (式中、R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7
びR8 は各々独立して、水素、アルキル又はアルコキシ
を表し、Q1 及びQ2 は各々独立して、水素又はアルキ
ルを表し、a及びbは各々独立して、1、2又は3を表
し、c及びdは各々独立して、1又は2を表し、m及び
nは各々独立して、1以上の整数を表し、m+n個存在
する各単位の構造は同一でも異なってもよい)で示され
る分子量1,000以下の多価フェノール化合物及び上
記式(I)で示される多価フェノール化合物を含む重量
平均分子量1,000以下のオリゴマーから選ばれる低
分子量アルカリ可溶成分(ただし、当該低分子量アルカ
リ可溶成分が、m−クレゾールのみをホルムアルデヒド
で縮合させた化合物又はオリゴマーのみであることはな
い)を含有することを特徴とするポジ型感放射線性レジ
スト組成物。
(1) The composition contains an alkali-soluble resin and a radiation-sensitive component, and further comprises the following formula (I) (Wherein, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 and R 8 each independently represent hydrogen, alkyl or alkoxy, and Q 1 and Q 2 each independently A and b each independently represent 1, 2 or 3, c and d each independently represent 1 or 2, m and n each independently represent 1 or 2 And the structure of each of the (m + n) units may be the same or different), and a polyhydric phenol compound having a molecular weight of 1,000 or less and a polyhydric phenol compound represented by the above formula (I) Low molecular weight alkali-soluble component selected from oligomers having a weight average molecular weight of 1,000 or less (however, the low molecular weight alkali-soluble component is not only a compound or oligomer obtained by condensing only m-cresol with formaldehyde) Specially containing A positive-type radiation-sensitive resist composition.
【請求項2】式(I)中のQ1 及びQ2 がそれぞれ水素
である請求項1に記載の組成物。
2. The composition according to claim 1, wherein Q 1 and Q 2 in the formula (I) are each hydrogen.
【請求項3】式(I)中のa、b、c及びdがそれぞれ
1である請求項1又は2に記載の組成物。
3. The composition according to claim 1, wherein a, b, c and d in the formula (I) are each 1.
【請求項4】低分子量アルカリ可溶成分が、式(I)中
のm+nが2又は3である多価フェノール化合物を含有
する請求項1〜3のいずれかに記載の組成物。
4. The composition according to claim 1, wherein the low-molecular-weight alkali-soluble component contains a polyhydric phenol compound wherein m + n in the formula (I) is 2 or 3.
【請求項5】低分子量アルカリ可溶成分が、下式(II)
又は (III) (式中、R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7
びR8 は請求項1に定義したとおりである)で示される
4核体又は5核体多価フェノール化合物を含有する請求
項1に記載の組成物。
5. The low-molecular-weight alkali-soluble component is represented by the following formula (II):
Or (III) (Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 and R 8 are as defined in claim 1). The composition according to claim 1, comprising a phenol compound.
【請求項6】多価フェノール化合物が、p−クレゾール
とキシレノールをメチレンで結合した構造であり、p−
クレゾールから導かれるフェノール核を両末端に有する
請求項5に記載の組成物。
6. A polyhydric phenol compound having a structure in which p-cresol and xylenol are bonded with methylene,
The composition according to claim 5, which has a phenol nucleus derived from cresol at both ends.
【請求項7】多価フェノール化合物が、4,4′−メチ
レンビス〔2−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジ
ル)−3,6−ジメチルフェノール〕又は2,6−ビス
〔4−ヒドロキシ−3−(2−ヒドロキシ−5−メチル
ベンジル)−2,5−ジメチルベンジル〕−4−メチル
フェノールである請求項5に記載の組成物。
7. The polyhydric phenol compound is 4,4'-methylenebis [2- (2-hydroxy-5-methylbenzyl) -3,6-dimethylphenol] or 2,6-bis [4-hydroxy-3 The composition according to claim 5, which is-(2-hydroxy-5-methylbenzyl) -2,5-dimethylbenzyl] -4-methylphenol.
【請求項8】低分子量アルカリ可溶成分が、少なくとも
2種類の単核フェノール化合物をホルムアルデヒドで縮
合させたオリゴマーを含有する請求項1に記載の組成
物。
8. The composition according to claim 1, wherein the low-molecular-weight alkali-soluble component contains an oligomer obtained by condensing at least two kinds of mononuclear phenol compounds with formaldehyde.
【請求項9】オリゴマーの原料である単核フェノール化
合物が、m−又はp−クレゾールを含有する請求項8に
記載の組成物。
9. The composition according to claim 8, wherein the mononuclear phenol compound as a raw material of the oligomer contains m- or p-cresol.
【請求項10】単核フェノール化合物が、m−クレゾー
ルとp−クレゾールである請求項9に記載の組成物。
10. The composition according to claim 9, wherein the mononuclear phenol compound is m-cresol and p-cresol.
【請求項11】単核フェノール化合物が、m−又はp−
クレゾールとキシレノールである請求項9に記載の組成
物。
(11) the mononuclear phenol compound is m- or p-
The composition according to claim 9, which is cresol and xylenol.
【請求項12】アルカリ可溶性樹脂がノボラック樹脂で
あって、それをゲル浸透クロマトグラフィーで分析した
ときに、ポリスチレンを標準品とする分子量1,000
以下の範囲の面積比が、未反応の原料フェノール系化合
物を除く全パターン面積に対して25%以下のものであ
る請求項1〜11のいずれかに記載の組成物。
12. The alkali-soluble resin is a novolak resin, and when analyzed by gel permeation chromatography, it has a molecular weight of 1,000 based on polystyrene as a standard.
The composition according to any one of claims 1 to 11, wherein the area ratio in the following range is 25% or less based on the total pattern area excluding the unreacted raw material phenolic compound.
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