JP2000338062A - Surface analyzing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は表面分析技術に係わ
り、特に固体試料表面から放出された電子の分光分析お
よび結像観察に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface analysis technique, and more particularly to spectroscopic analysis and imaging observation of electrons emitted from the surface of a solid sample.
【０００２】[0002]
【従来の技術】表面分析とは試料から放出される電子、
イオン、Ｘ線等のエネルギや強度分布を調べることによ
り、その試料の組成や化学結合状態、あるいは試料の電
子構造を分析するものである。試料表面から電子やイオ
ン等を放出させるための励起線には、電子線、Ｘ線、イ
オンといった電離放射線を用いる。2. Description of the Related Art Surface analysis refers to electrons emitted from a sample,
By examining the energy and intensity distribution of ions, X-rays, etc., the composition and chemical bonding state of the sample or the electronic structure of the sample is analyzed. An ionizing radiation such as an electron beam, an X-ray, or an ion is used as an excitation beam for emitting electrons, ions, or the like from the sample surface.
【０００３】表面分析の一つの手法として光電子分光法
がある。光電子分光は、真空内に置かれた試料に高エネ
ルギの単色光を照射し、外部光電効果によって放出され
る光電子のエネルギ分布（光電子スペクトル）を測定す
る技術として知られている。固体内の原子は電子に対す
る正のポテンシャルを形成し、そのポテンシャル井戸の
中に様々な電子準位が存在し得る。電子の入った被占有
準位としては、化学結合に寄与せずに原子核近傍の深い
ポテンシャルの中に局在している内殻準位と、結合形成
に伴って原子軌道からできた価電子準位とがある。これ
らの被占準位の上には原子間に広がった空準位が存在す
る。One method of surface analysis is photoelectron spectroscopy. Photoelectron spectroscopy is known as a technique for irradiating a sample placed in a vacuum with high-energy monochromatic light and measuring the energy distribution (photoelectron spectrum) of photoelectrons emitted by an external photoelectric effect. The atoms in the solid form a positive potential for electrons, and there can be various electronic levels in the potential well. The occupied levels containing electrons include the core level localized in a deep potential near the nucleus without contributing to the chemical bond, and the valence level generated from the atomic orbital due to the bond formation. There is a rank. Above these occupied levels, there are open vacancies between atoms.
【０００４】ここにエネルギｈνの光が入射すると、様
々なエネルギをもった電子が被占有準位から空準位へ励
起される。ｈνが充分に大きければ、励起後の電子エネ
ルギは真空準位よりも高くなり、電子は固体の外に飛び
出す。電子の一部は、固体内を通って表面に到達するま
でに種々の散乱を受けてエネルギを失うが、散乱されず
に表面に達した電子は固体外に放出される。放出電子の
運動エネルギＥｋは、Ｅｋ＝ｈν−Ｅｂ−φで与えられ
る。ここでＥｂは電子の束縛エネルギを、φは試料の仕
事関数を示す。光励起された直後の電子エネルギ分布を
決める最も強い因子は、被占有準位の状態密度であるの
で、散乱を受けなかった光電子のエネルギ分布を測定す
ることにより被占有準位の構造を知ることができる。[0004] When light having energy hν is incident here, electrons having various energies are excited from the occupied level to the empty level. If hν is sufficiently large, the electron energy after excitation becomes higher than the vacuum level, and the electrons jump out of the solid. Some of the electrons undergo various kinds of scattering and lose energy until they reach the surface through the solid, but electrons that reach the surface without being scattered are emitted out of the solid. The kinetic energy Ek of the emitted electrons is given by Ek = hν−Eb−φ. Here, Eb indicates the binding energy of electrons, and φ indicates the work function of the sample. Since the strongest factor that determines the electron energy distribution immediately after photoexcitation is the state density of the occupied level, the structure of the occupied level can be known by measuring the energy distribution of unscattered photoelectrons. it can.
【０００５】固体の奥深くで励起された電子は、表面に
到達する前に散乱されるため、表面から飛び出せない。
このため、光電子分光で調べることができるのは、表面
から数十オングストローム程度の深さまでである。この
ことは、表面近傍の電子状態だけがスペクトルに寄与
し、表面の分析手段として光電子分光を使用し得ること
を示している。[0005] Electrons excited deep inside a solid are scattered before reaching the surface, and cannot fly out of the surface.
For this reason, it can be examined by photoelectron spectroscopy only to a depth of about several tens of angstroms from the surface. This indicates that only the electronic states near the surface contribute to the spectrum and that photoelectron spectroscopy can be used as a means of analyzing the surface.
【０００６】光電子分光は、光源のエネルギによって二
つに分けることができる。エネルギが小さい場合には、
電子放出は価電子準位からしか起きない。エネルギが大
きい場合には、より深い原子の内殻準位からも放出が起
きる。このため、価電子準位の電子構造を観測するに
は、真空紫外光源が用いられる。これは紫外線光電子分
光（UPS:Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy）と
呼ばれる。また、内殻準位からの光電子放出を用いて原
子の内殻の電子構造を観察するには、軟Ｘ線光源が用い
られる。これはＸ線光電子分光（XPS:X-ray Photoelect
ron Spectroscopy)と呼ばれる。このように光電子分光
は、化学遷移には現れない被占有準位の電子構造を観察
するために、非常に有力な手段である。[0006] Photoelectron spectroscopy can be divided into two types depending on the energy of the light source. If the energy is small,
Electron emission occurs only from the valence level. At higher energies, emission also occurs from deeper atomic core levels. Therefore, in order to observe the electronic structure of the valence level, a vacuum ultraviolet light source is used. This is called ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS). A soft X-ray light source is used to observe the electronic structure of the inner shell of an atom using photoelectron emission from the inner shell level. This is X-ray photoelectron spectroscopy (XPS: X-ray Photoelect
ron Spectroscopy). Thus, photoelectron spectroscopy is a very powerful means for observing the electronic structure of the occupied level that does not appear in the chemical transition.
【０００７】光電子分光装置は、線源からの単色光を試
料に照射し、照射により試料から発生した光電子をイン
プットレンズにより集束してアナライザーに導き、ここ
でエネルギ分光する。そして、分光された光電子を検出
器で検出して光電子のエネルギスペクトルを得、スペク
トルを解析して試料の組成や化学状態、電子構造などを
分析する。A photoelectron spectroscopy device irradiates a sample with monochromatic light from a radiation source, focuses photoelectrons generated from the sample by irradiation with an input lens, guides the photoelectrons to an analyzer, and performs energy spectroscopy there. Then, the separated photoelectrons are detected by a detector to obtain an energy spectrum of the photoelectrons, and the spectrum is analyzed to analyze the composition, chemical state, electronic structure, and the like of the sample.
【０００８】一方、従来より、選択された領域の光電子
分光分析のために、試料の位置決めをしたり分析中の領
域を判断するために、光学顕微鏡が表面観察手段として
使用されてきた。On the other hand, conventionally, an optical microscope has been used as a surface observation means for positioning a sample or judging a region under analysis for photoelectron spectroscopy analysis of a selected region.
【０００９】また、表面形態を観察する一般的なものと
して走査電子顕微鏡（SEM : Scanning Electron Micros
cope）がある。走査電子顕微鏡では一本の集束電子ビー
ムがサンプル面上をラスター走査される。同表面から発
せられた二次電子はラスター位置と相関的に検出され
る。上記二次電子信号は電子的に処理されて表面の位相
的な特徴の様相もしくは映像を提供する。As a general method for observing the surface morphology, a scanning electron microscope (SEM) is used.
cope). In a scanning electron microscope, one focused electron beam is raster-scanned on a sample surface. Secondary electrons emitted from the surface are detected in correlation with the raster position. The secondary electron signal is electronically processed to provide a topological feature aspect or image of the surface.
【００１０】あるいは、形態観察の代表的なもう一つの
手法として透過電子顕微鏡（TEM :Transmission Electr
on Microcope）等があげられる。[0010] Alternatively, as another typical technique for morphological observation, a transmission electron microscope (TEM) is used.
on Microcope).
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、過去に
おいては、試料の位置決めや分析領域の判断には簡単な
光学顕微鏡で十分であったが、機械の進歩に伴い分析領
域の大きさは小さくなり、倍率の拡大、被写体深度の浅
さ、安定性の向上を含めて顕微鏡に対して新たな要求が
課されている。顕微鏡は分析領域の中心に、顕微鏡の光
軸を合わせなければならないが、その操作は不便で種々
の誤差を生じがちである。上記誤差は分析領域が小さい
程著しくなり、システムの使用中は位置合せの誤差は明
らかではないため、誤った分析結果をもたらすおそれが
ある。倍率を大きくし被写体深度を浅くするには顕微鏡
の対物レンズの径を大きくする、または試料表面に近く
することによって、他の装置の場合に使用可能な試料周
囲の立体角が変化できるようにすることが必要である。However, in the past, a simple optical microscope was sufficient for positioning the sample and determining the analysis area, but the size of the analysis area became smaller with the advancement of machines. New requirements are placed on microscopes, including increased magnification, shallow depth of field, and improved stability. The microscope must align the optical axis of the microscope with the center of the analysis area, but the operation is inconvenient and tends to cause various errors. Such errors are more pronounced in smaller analysis areas, and misalignment errors are not apparent during use of the system, which can lead to erroneous analysis results. To increase the magnification and reduce the depth of field, increase the diameter of the objective lens of the microscope or bring it closer to the sample surface so that the solid angle around the sample that can be used with other devices can be changed. It is necessary.
【００１２】走査電子顕微鏡の場合は、走査電子顕微鏡
を光電子分光装置と同じ高真空チャンバ内に設置するた
めには、電子線源や二次電子検出器の増設のみならず、
多くの可動部品を高真空対応にする必要があり、非常に
高額の装置となってしまうという問題点がある。さらに
インプットレンズの光軸と二次電子像の位置合わせが必
要な上に、電子ビームの照射は試料表面へダメージを与
える可能性が高い。In the case of the scanning electron microscope, in order to install the scanning electron microscope in the same high vacuum chamber as the photoelectron spectrometer, not only an additional electron beam source and a secondary electron detector, but also
There is a problem that many movable parts need to be compatible with a high vacuum, resulting in a very expensive device. Furthermore, the alignment of the secondary electron image with the optical axis of the input lens is required, and the electron beam irradiation is likely to damage the sample surface.
【００１３】また、透過電子顕微鏡の場合は、試料形状
に制約があり、より一般的な試料について固体表面を観
察する目的には不適である。In the case of the transmission electron microscope, the shape of the sample is limited, and it is not suitable for observing the solid surface of a more general sample.
【００１４】以上のように、光電子分光分析の際に試料
の位置決めをしたり分析領域を判断するのに必要な表面
観察手段において、光学顕微鏡よりも高倍率でかつ簡易
に設置できる手法が提案されていないのが現状である。As described above, there has been proposed a method which can be easily installed at a higher magnification than an optical microscope in the surface observation means necessary for positioning a sample or determining an analysis area in photoelectron spectroscopy analysis. It is not at present.
【００１５】ところで、平坦な表面からの電子放出像を
観察する方法として、光電子顕微鏡に代表されるエミッ
ション顕微鏡法が知られている（US Patent No.526680
9:W.Engel, M. E. Kordesch, H. H. Rotermund, S. Kub
ala and A. von Oertzen, Ultramicroscopy, 36(1991)1
48-153.）。エミッション顕微鏡法は平面状の試料表面
から放出される電子（熱電子、光電子等）を加速し、電
子レンズで結像して表面を観察する方法であり、その空
間分解能は走査電子顕微鏡等には及ばないが、光学顕微
鏡よりは拡大率が高く、リアルタイムで像を観察できる
ので、放出強度の空間分布のみならず、時間変化も高い
時間分解能で観測できることが大きな特徴である（M. M
undschau, M. E. Kordesch、 B. Rausenberger、 W. Enge
l、 A. M.Bradshaw and E. Zeitler、 Surface Science、
227(1990)246-260.）。By the way, as a method for observing an electron emission image from a flat surface, an emission microscopic method represented by a photoelectron microscope is known (US Patent No. 526680).
9: W. Engel, ME Kordesch, HH Rotermund, S. Kub
ala and A. von Oertzen, Ultramicroscopy, 36 (1991) 1
48-153.). Emission microscopy is a method of accelerating electrons (thermoelectrons, photoelectrons, etc.) emitted from a planar sample surface and forming an image with an electron lens to observe the surface. Although it is inferior to that of optical microscopes, it has a higher magnification than optical microscopes and can observe images in real time, so it is a major feature that it can observe not only the spatial distribution of emission intensity but also temporal changes with high temporal resolution (M. M.
undschau, ME Kordesch, B. Rausenberger, W. Enge
l, AMBradshaw and E. Zeitler, Surface Science,
227 (1990) 246-260.).
【００１６】そこで本発明の目的は、エミッション顕微
鏡の原理を応用して、試料表面の拡大像観察と光電子分
光の両分析が行える表面分析装置を提供することにあ
る。It is an object of the present invention to provide a surface analyzer capable of performing both an enlarged image observation of a sample surface and a photoelectron spectroscopy by applying the principle of an emission microscope.
【００１７】[0017]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の表面分析装置は、固体試料表面から放出され
た電子を、同一の光軸上で集束あるいは拡大させる電子
レンズ系と、前記電子レンズ系により拡大結像された前
記電子が照射されることにより前記固体試料表面の観察
のための拡大像が形成される観察手段と、電子が分光さ
れることにより前記固体試料表面の分光分析を行う分析
手段と、分光分析を行う際に前記電子レンズ系により集
束した電子を前記分析手段へ導くための入射スリットと
を有する。To achieve the above object, a surface analyzer of the present invention comprises an electron lens system for focusing or expanding electrons emitted from the surface of a solid sample on the same optical axis; Observation means for forming an enlarged image for observing the surface of the solid sample by irradiating the electrons enlarged and formed by the electron lens system, and spectral analysis of the surface of the solid sample by dispersing the electrons. And an entrance slit for guiding the electrons focused by the electron lens system to the analyzing means when performing spectroscopic analysis.
【００１８】上記の通り構成された本発明の表面分析装
置は、固体試料表面の分光分析を行う分析手段、固体試
料表面の拡大像が形成される観察手段を有するととも
に、分光分析及び表面の観察の際に用いる電子レンズ系
が共通であるため、試料を移動させずに分光分析及び表
面の観察を行うことができる。さらに、電子レンズ系が
共通であることより、分光分析領域と表面観察領域との
中心は同一となる。The surface analyzing apparatus of the present invention configured as described above has analyzing means for performing spectroscopic analysis of the surface of the solid sample, and observation means for forming an enlarged image of the surface of the solid sample, and performs spectroscopic analysis and observation of the surface. Since the electron lens system used in this case is common, spectroscopic analysis and surface observation can be performed without moving the sample. Further, since the electron lens system is common, the centers of the spectral analysis region and the surface observation region are the same.
【００１９】固体試料表面から放出された電子が、紫外
線励起による光電子であり、光電子像観察と光電子分光
分析の両手段を有するものであってもよい。また、観察
手段は、電子を増幅するチャンネルプレートと、拡大像
が形成される蛍光膜と、拡大像を電気信号に変換する変
換手段とを有するものであってもよいし、電子を増幅す
るチャンネルプレートと、拡大像が形成される蛍光膜
と、拡大像を撮影するカメラとを有するものであっても
よいし、観察手段に、入射スリットが設けられているも
のであってもよい。The electrons emitted from the surface of the solid sample are photoelectrons excited by ultraviolet light, and may have both means of observing a photoelectron image and analyzing by photoelectron spectroscopy. The observation means may have a channel plate for amplifying electrons, a fluorescent film on which an enlarged image is formed, and a conversion means for converting the enlarged image into an electric signal. It may have a plate, a fluorescent film on which an enlarged image is formed, and a camera for photographing the enlarged image, or may have an observation means provided with an entrance slit.
【００２０】さらに、本発明の表面分析装置は、入射ス
リットと、前記分析手段とが一体に構成された構造体を
有するものであってもよい。また、固体試料表面の分光
分析を行う際は、入射スリットが電子レンズ系の光軸上
に移動されるとともに、観察手段は前記入射スリットと
干渉しない領域に移動され、固体試料表面の拡大像によ
り固体試料表面の観察を行う際には、観察手段は電子レ
ンズ系の光軸上に移動されるとともに、入射スリットは
観察手段と干渉しない領域に移動されるものであっても
よいし、固体試料表面の分光分析を行う際は、構造体の
入射スリットが電子レンズ系の光軸上に移動されるとと
もに、観察手段は構造体と干渉しない領域に移動され、
固体試料表面の拡大像により固体試料表面の観察を行う
際には、観察手段は電子レンズ系の光軸上に移動される
とともに、構造体は観察手段と干渉しない領域に移動さ
れるものであってもよい。さらに、電子は、熱電子放出
により放出されるものであってもよいし、電界放出によ
り放出されるものでもよいし、表面伝導型電子放出によ
り放出されるものであってもよい。Further, the surface analyzer of the present invention may have a structure in which the entrance slit and the analysis means are integrally formed. When performing spectroscopic analysis of the surface of the solid sample, the incident slit is moved on the optical axis of the electron lens system, and the observation unit is moved to a region that does not interfere with the incident slit, and an enlarged image of the surface of the solid sample is obtained. When observing the surface of the solid sample, the observation means may be moved on the optical axis of the electron lens system, and the entrance slit may be moved to a region which does not interfere with the observation means. When performing spectroscopic analysis of the surface, the entrance slit of the structure is moved on the optical axis of the electron lens system, and the observation means is moved to a region that does not interfere with the structure,
When observing the surface of a solid sample using an enlarged image of the surface of the solid sample, the observation means is moved on the optical axis of the electron lens system, and the structure is moved to a region which does not interfere with the observation means. You may. Further, electrons may be emitted by thermionic emission, emitted by field emission, or emitted by surface conduction electron emission.
【００２１】[0021]
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。 （第１の実施形態）図１に本発明の第１の実施形態の表
面分析装置の概略図を示す。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. (First Embodiment) FIG. 1 is a schematic diagram of a surface analyzer according to a first embodiment of the present invention.
【００２２】本実施形態の表面分析装置は、高真空度を
保持可能な真空チャンバ１内部に、試料９が載置される
試料ステージ１０、観察手段としての二次元検出器１
６、及び電子レンズ系を収納するレンズ鏡筒２を有し、
２つの紫外線照射装置１２、１４と、光電子分析に用い
る検出器１８を有する半球型エネルギ分析器１７とで概
略構成された、光電子像観察及び光電子分光分析が可能
な表面分析装置である。The surface analyzer of the present embodiment has a sample stage 10 on which a sample 9 is placed in a vacuum chamber 1 capable of maintaining a high degree of vacuum, and a two-dimensional detector 1 as observation means.
6, and a lens barrel 2 that houses an electron lens system,
This is a surface analyzer that can roughly perform photoelectron image observation and photoelectron spectroscopy analysis, which is roughly configured by two ultraviolet irradiation devices 12 and 14 and a hemispherical energy analyzer 17 having a detector 18 used for photoelectron analysis.
【００２３】高真空チャンバ１は、排気部１９から真空
ポンプ（不図示）により排気して内部の真空度を１０-9
〜１０-11Ｔｏｒｒに保っている。高真空チャンバ１の
内部には、マニピュレータ１１により３軸方向の粗動お
よび微動と回転動作、傾斜動作ができるようになってい
る試料ステージ１０が設けられている。また、高真空チ
ャンバ１の両側には、試料ステージ１０上に載置された
試料９に紫外線を照射する紫外線照射装置１２、１４が
設けられている。The high vacuum chamber 1 is evacuated from an exhaust unit 19 by a vacuum pump (not shown) to reduce the degree of vacuum inside to 10 -9.
-10 -11 Torr. Inside the high vacuum chamber 1, there is provided a sample stage 10 which can perform coarse and fine movements in three axial directions, a rotation operation, and a tilt operation by a manipulator 11. Further, on both sides of the high vacuum chamber 1, ultraviolet irradiation devices 12 and 14 for irradiating the sample 9 mounted on the sample stage 10 with ultraviolet light are provided.
【００２４】一方の紫外線照射装置１２は水銀ランプを
有するものであり、高真空チャンバ１の壁面に設けられ
た石英ポート１３を通して試料９に紫外線光を照射す
る。この紫外線照射装置１２は高真空チャンバ１の外部
に設けらているので、石英ポート１３と紫外線照射装置
１２との間にシャッタなどの機構をつければ簡単に紫外
線照射のオンオフが可能になる。The ultraviolet irradiation device 12 has a mercury lamp and irradiates the sample 9 with ultraviolet light through a quartz port 13 provided on the wall surface of the high vacuum chamber 1. Since the ultraviolet irradiation device 12 is provided outside the high vacuum chamber 1, if a mechanism such as a shutter is provided between the quartz port 13 and the ultraviolet irradiation device 12, the ultraviolet irradiation can be easily turned on and off.
【００２５】他方の紫外線照射装置１４は排気部２０か
ら差動排気ができ、ＨｅもしくはＮｅのボンベ１５から
導入したガスから気ガス共鳴線を生成して試料９に紫外
線を照射する。The other ultraviolet irradiation device 14 can perform differential evacuation from the evacuation section 20, generate gas-gas resonance lines from gas introduced from the He or Ne cylinder 15, and irradiate the sample 9 with ultraviolet light.
【００２６】レンズ鏡筒２は、試料９に面する側から順
に、対物レンズ３、静電レンズ４、アパーチャ８、静電
レンズ５、アパーチャ７、静電レンズ６が配置された構
成となっている。The lens barrel 2 has a configuration in which an objective lens 3, an electrostatic lens 4, an aperture 8, an electrostatic lens 5, an aperture 7, and an electrostatic lens 6 are arranged in this order from the side facing the sample 9. I have.
【００２７】レンズ鏡筒２の上部に設けられた二次元検
出器１６は、試料９側から順にマルチチャンネルプレー
ト、蛍光膜、ＣＣＤを積層することで構成され、その中
心部には直径数ミリメートルの穴である入射スリット部
３１が形成されている。The two-dimensional detector 16 provided on the upper part of the lens barrel 2 is constituted by stacking a multi-channel plate, a fluorescent film, and a CCD in order from the sample 9 side, and has a central portion having a diameter of several millimeters. An entrance slit portion 31 which is a hole is formed.
【００２８】二次元検出器１６の上部に設けられた半球
型エネルギ分析器１７の、内半球および外半球に印加す
る電圧をスキャンすることで、光電子のエネルギスペク
トルを得ることができる。この半球型エネルギ分析器１
７は、イオンポンプ（不図示）により１０-10Ｔｏｒｒ
より高い真空度に保たれている。The energy spectrum of photoelectrons can be obtained by scanning the voltage applied to the inner and outer hemispheres of the hemispherical energy analyzer 17 provided above the two-dimensional detector 16. This hemispherical energy analyzer 1
7 is 10 -10 Torr by an ion pump (not shown).
It is kept at a higher vacuum.
【００２９】検出器１８は半球型エネルギ分析器１７で
分光された特定エネルギの電子を検出する。検出器１８
からの出力信号は増幅器（不図示）を経てコンピュータ
（不図示）に送られる。The detector 18 detects electrons having a specific energy separated by the hemispherical energy analyzer 17. Detector 18
Is sent to a computer (not shown) via an amplifier (not shown).
【００３０】次に、本実施形態の表面分析装置の動作に
関して説明する。Next, the operation of the surface analyzer of this embodiment will be described.
【００３１】まず、光電子像観察時に関して説明する。First, a description will be given of the case of observing a photoelectron image.
【００３２】試料９の光電子像観察時には、単色化され
ておらずエネルギの低い水銀ランプの紫外線が好適であ
るため、紫外線照射装置１２が用いられる。これはＨｅ
やＮｅの共鳴線などの単色化した紫外線を使用すると、
エネルギが高いため、拡大像の空間分解能が低下してし
まうためである。単色化されていない紫外線の照射で
は、試料９の表面の仕事関数の場所的変化によって、光
電子放出効率が変わるため、表面状態の差をコントラス
トとした拡大像を得ることができる。At the time of observing the photoelectron image of the sample 9, since ultraviolet light of a mercury lamp which is not monochromatic and has low energy is suitable, the ultraviolet irradiation device 12 is used. This is He
If you use monochromatic ultraviolet rays such as or Ne resonance lines,
This is because the spatial resolution of the enlarged image is reduced due to the high energy. Irradiation with ultraviolet light that is not monochromatic changes the photoelectron emission efficiency due to a change in the work function of the surface of the sample 9, so that an enlarged image in which the difference between the surface states is contrasted can be obtained.
【００３３】紫外線照射装置１２から紫外線を照射する
ことにより、試料９より放出された光電子は、試料９と
対物レンズ３の間に印加される加速電圧により数ｋｅＶ
から数十ｋｅＶに加速され、さらに、対物レンズ３の後
焦点面に配置されたアパーチャ８を通過した電子が静電
レンズ５、６によって拡大され、二次元検出器１６の蛍
光膜上に像が形成される。この像はＣＣＤの出力信号と
してコンピュータに送られ、観察および記録される。By irradiating ultraviolet rays from the ultraviolet irradiating device 12, photoelectrons emitted from the sample 9 become several keV by an acceleration voltage applied between the sample 9 and the objective lens 3.
Are accelerated to several tens keV, and the electrons that have passed through the aperture 8 arranged on the back focal plane of the objective lens 3 are enlarged by the electrostatic lenses 5 and 6, and an image is formed on the fluorescent film of the two-dimensional detector 16. It is formed. This image is sent to a computer as an output signal of the CCD, and is observed and recorded.
【００３４】なお、水銀ランプを有する紫外線照射装置
１２を使用した場合、光電子像の空間分解能はおよそ１
００ｎｍであった。紫外線照射装置１４でＨｅＩ（２
１．２ｅＶ）を用いて光電子像を観察すると空間分解能
は一桁程度悪くなり、光学顕微鏡レベルであった。When the ultraviolet irradiation device 12 having a mercury lamp is used, the spatial resolution of the photoelectron image is about 1
00 nm. HeI (2)
When a photoelectron image was observed using (1.2 eV), the spatial resolution was deteriorated by about one digit, which was at the level of an optical microscope.
【００３５】次に、光電子分光分析に関して説明する。Next, photoelectron spectroscopy will be described.
【００３６】試料９の光電子分光分析を行う際には、紫
外線照射装置１４を使用し、ＮｅＩ（１６．８ｅＶ）、
ＨｅＩ（２１．２ｅＶ）、ＮｅＩＩ（２６．９ｅＶ）、
ＨｅＩＩ（４０．８ｅＶ）などの気ガス共鳴線を照射す
る。試料９より放出された光電子は、レンズ鏡筒２内の
レンズ４、５、６とアパーチャ７、８で集束かつ減速
し、二次元検出器１６の中心部に形成された入射スリッ
ト部３１から半球型エネルギ分析器１７へ導かれる。半
球型エネルギ分析器１７で分光された特定エネルギの電
子は検出器１８で検出され、増幅器を経てその出力信号
はコンピュータに送られ記録される。When performing photoelectron spectroscopy analysis of the sample 9, an ultraviolet irradiation device 14 is used, and NeI (16.8 eV),
HeI (21.2 eV), NeII (26.9 eV),
Irradiate gas-gas resonance lines such as HeII (40.8 eV). The photoelectrons emitted from the sample 9 are focused and decelerated by the lenses 4, 5, 6 and the apertures 7, 8 in the lens barrel 2, and form a hemisphere from the entrance slit 31 formed at the center of the two-dimensional detector 16. It is led to the mold energy analyzer 17. Electrons of specific energy separated by the hemispherical energy analyzer 17 are detected by the detector 18 and the output signal is sent to a computer via an amplifier and recorded.
【００３７】光電子分光分析を行う際の分析領域は、レ
ンズ４、５、６に印加する電圧とアパーチャ７、８の開
閉度の組み合わせで決まり、１５０μｍ角平方から３ｍ
ｍ角平方の間で変化させる事ができる。この際、試料９
と対物レンズ３の間には加速電圧を印加しない。The analysis area when performing photoelectron spectroscopy is determined by the combination of the voltage applied to the lenses 4, 5, and 6 and the degree of opening and closing of the apertures 7 and 8.
It can be changed between m squares. At this time, sample 9
No acceleration voltage is applied between the lens and the objective lens 3.
【００３８】以上説明したように、本実施形態の表面分
析装置は、光電子像観察及び光電子分光分析に用いるレ
ンズ系をレンズ鏡筒２により共通化することで、光電子
像観察時及び光電子分光分析時の光軸を同一とした。こ
のため、試料９を移動することなく像の観察と分光分析
を行うことができるだけでなく、試料９周辺の空間配置
の自由度も高くなる。As described above, the surface analyzer of the present embodiment uses the lens system 2 for the photoelectron image observation and the photoelectron spectroscopy analysis in common with the lens barrel 2, so that the photoelectron image observation and the photoelectron spectroscopy analysis can be performed. Have the same optical axis. For this reason, not only can the image observation and spectroscopic analysis be performed without moving the sample 9, but also the degree of freedom in spatial arrangement around the sample 9 increases.
【００３９】また、像の観察時に使用される二次元検出
器１６が、分光分析時にレンズ鏡筒２により集束した電
子を半球型エネルギ分析器１７へ導く際の入射用のスリ
ットを兼ねているため、観察した像の中心と分光分析時
の分析領域の中心は同一となり、分析位置の決定が容易
となる。Further, the two-dimensional detector 16 used for observing an image also serves as an entrance slit for guiding electrons focused by the lens barrel 2 to the hemispherical energy analyzer 17 during spectral analysis. The center of the observed image and the center of the analysis area at the time of spectral analysis are the same, and the analysis position can be easily determined.
【００４０】更に、本実施形態の表面分析装置による像
観察の空間分解能は１００ｎｍ程度であり、光学顕微鏡
よりも拡大率が高く、光電子分光の分析領域決定に必要
な空間分解能を十分に満たしている。Further, the spatial resolution of image observation by the surface analyzer of this embodiment is about 100 nm, which is higher than that of an optical microscope, and sufficiently satisfies the spatial resolution required for determining an analysis area of photoelectron spectroscopy. .
【００４１】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態を、図２に示す表面分析装置の概略図を用いて
説明する。(Second Embodiment) Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the schematic diagram of the surface analyzer shown in FIG.
【００４２】本実施形態では、図１に示した入射用のス
リットの役目を兼ねる二次元検出器１６を使用せず、図
２に示すように、二次元検出器１１６と入射スリット１
３２を切り替えて使用できるように、高真空チャンバ１
０１には、二次元検出器１１６あるいは入射スリット１
３２が退避可能な領域が設けられている。それ以外の構
成は第１の実施形態で説明した表面分析装置と基本的に
同様であり、光電子像観察及び光電子分光分析の方法も
第１の実施形態と同様であるため、本実施形態ではそれ
らの詳細の説明は省略する。In the present embodiment, the two-dimensional detector 16 also serving as the slit for incidence shown in FIG. 1 is not used, and the two-dimensional detector 116 and the entrance slit 1 are used as shown in FIG.
High vacuum chamber 1
01 is the two-dimensional detector 116 or the entrance slit 1
There is provided an area where the evacuation 32 can be saved. Other configurations are basically the same as those of the surface analyzer described in the first embodiment, and the methods of photoelectron image observation and photoelectron spectroscopy are the same as those of the first embodiment. Is not described here.
【００４３】第１の実施形態の表面分析装置の二次元検
出器１６は、光電子像観察に用いられるだけでなく、二
次元検出器１６の中央部に形成された入射スリット部３
１を、光電子分光分析の際の、半球型エネルギ分析器１
７へ入射する光電子に対する入射用のスリットとしても
用いるため、光電子像観察の際に像の中心部に数ピクセ
ルの欠損が生じてしまう。The two-dimensional detector 16 of the surface analyzer of the first embodiment is used not only for observation of a photoelectron image but also for the entrance slit 3 formed in the center of the two-dimensional detector 16.
1 is a hemispherical energy analyzer 1 for photoelectron spectroscopy analysis.
Since it is also used as a slit for incidence of photoelectrons incident on 7, a defect of several pixels occurs at the center of the image when observing a photoelectron image.
【００４４】そこで、本実施形態では、光電子像観察時
には二次元検出器１１６がレンズ鏡筒１０２の上部に移
動して使用され、この際、入射スリット１３２は退避領
域１３３に退避させられている。また、光電子分光時に
は光電子像観察時とは逆に、入射スリット１３２をレン
ズ鏡筒１０２の上部に移動して使用され、二次元検出器
１１６は退避領域１３３に退避させられている。このよ
うにすることで、欠損の無い像観察が可能になる。Therefore, in the present embodiment, the two-dimensional detector 116 is moved to the upper part of the lens barrel 102 and used when observing the photoelectron image. At this time, the entrance slit 132 is retracted to the retreat area 133. In addition, at the time of photoelectron spectroscopy, the incident slit 132 is moved to the upper part of the lens barrel 102 and used, and the two-dimensional detector 116 is retracted to the retreat area 133, contrary to the case of observing the photoelectron image. By doing so, it is possible to observe an image without loss.
【００４５】このため、表面の反応や吸着状態の時間変
化を“その場”観察するような、分光分析より像観察を
重視した使用方法の際には、本実施形態の二次元検出器
１１６を使用した方が欠損の無い像観察ができるため良
い。For this reason, in the case of a usage method in which image observation is more important than spectroscopic analysis, such as "in-situ" observation of the surface reaction and the time change of the adsorption state, the two-dimensional detector 116 of the present embodiment is used. It is better to use this because image observation without loss can be performed.
【００４６】（第３の実施形態）次に、本発明の第３の
実施形態を、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す表面分析
装置の概略図を用いて説明する。(Third Embodiment) Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to the schematic diagrams of the surface analyzer shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b).
【００４７】本実施形態の表面分析装置は、第２の実施
形態と異なった装置構成で、第２の実施形態と同様の効
果が得られる表面分析装置を示す。The surface analyzer of the present embodiment is a surface analyzer having a different configuration from that of the second embodiment and having the same effects as those of the second embodiment.
【００４８】すなわち、入射スリット２１７と、半球型
エネルギ分析器２１７と、検出器２１８とで構成される
光電子分光分析器２３３が移動可能であるため、本実施
形態の表面分析装置も光電子像観察の際、欠損のない像
観察が可能となる。That is, since the photoelectron spectroscopy analyzer 233 composed of the entrance slit 217, the hemispherical energy analyzer 217, and the detector 218 is movable, the surface analyzer of this embodiment is also capable of performing photoelectron image observation. In this case, it is possible to observe an image without loss.
【００４９】図３（ａ）は、光電子像観察時の状態を示
している。FIG. 3A shows a state during observation of a photoelectron image.
【００５０】光電子像観察時には入射スリット２２２、
半球型エネルギ分析器２１７及び検出器２１８で構成さ
れる光電子分光分析系２３３は第１の退避領域２３４に
それぞれ退避する。レンズ鏡筒２０２の上部にはＭＣＰ
（マルチチャンネルプレート）付き蛍光板２２３が位置
しており、光電子像観察時の像はこのＭＣＰ付き蛍光板
２２３に結像され、反射鏡２２４及びビューポート２２
５を介して、高真空チャンバ２０１外に設けられたＣＣ
Ｄカメラ２２６により撮影される。ＭＣＰ付き蛍光板２
２３及び反射鏡２２４も、高真空チャンバ２０１内を移
動可能に設けられている。また、ビューポート２２５が
高真空チャンバ２０１の壁面に設けられているので、Ｃ
ＣＤカメラ２２６を通さずにＭＣＰ付き蛍光板２２３
を、すなわち直接像を目視することが可能となる。When observing the photoelectron image, the entrance slit 222
The photoelectron spectroscopy analysis system 233 including the hemispherical energy analyzer 217 and the detector 218 retreats to the first retreat area 234, respectively. An MCP is provided above the lens barrel 202.
A fluorescent plate 223 with a (multi-channel plate) is located, and an image at the time of observing a photoelectron image is formed on the fluorescent plate 223 with an MCP, and the reflecting mirror 224 and the viewport 22 are arranged.
5, a CC provided outside the high vacuum chamber 201
Photographed by the D camera 226. Fluorescent screen 2 with MCP
23 and the reflecting mirror 224 are also provided so as to be movable in the high vacuum chamber 201. In addition, since the viewport 225 is provided on the wall surface of the high vacuum chamber 201, C
Fluorescent plate 223 with MCP without passing through CD camera 226
, That is, the image can be directly viewed.
【００５１】図３（ｂ）は、光電子分光分析の状態を示
している。FIG. 3B shows a state of photoelectron spectroscopy analysis.
【００５２】ＭＣＰ付き蛍光板２２３及び反射鏡２２４
は第２の退避領域２３５に退避しており、代わりにレン
ズ鏡筒２０２の上部に光電子分光分析系２３３の入射ス
リット２２２部が移動され、光電子分光分析が行われる
こととなる。Fluorescent plate 223 with MCP and reflector 224
Are retracted to the second retreat area 235, and instead, the entrance slit 222 of the photoelectron spectroscopy analysis system 233 is moved to the upper part of the lens barrel 202, and photoelectron spectroscopy is performed.
【００５３】（第４の実施形態）本実施形態では本発明
の表面分析装置の応用について述べる。(Fourth Embodiment) In this embodiment, an application of the surface analyzer of the present invention will be described.
【００５４】固体表面からの電子放出には光電子放出以
外にも熱電子放出や電界放出、表面伝導型電子放出など
が知られている。この中で電界放出、表面伝導型電子放
出はフラットディスプレイを実現させる有力候補として
研究が進められている。電界放出素子や表面伝導型電子
放出素子をフラットディスプレイの電子源として用いる
場合、電子放出部付近の３次元形状や材料の物性が素子
特性を大きく左右するため、良好な特性をもつフラット
ディスプレイを実現するには電子放出部の微小領域にお
ける電子放出現象を十分把握し、また制御する必要があ
る。As the electron emission from the solid surface, besides photoelectron emission, thermionic emission, field emission, surface conduction electron emission and the like are known. Among them, field emission and surface conduction electron emission are being studied as promising candidates for realizing a flat display. When a field emission device or a surface conduction electron-emitting device is used as an electron source for a flat display, a flat display with good characteristics is realized because the three-dimensional shape near the electron-emitting area and the physical properties of the material greatly affect the device characteristics. To do so, it is necessary to sufficiently grasp and control the electron emission phenomenon in the minute area of the electron emission portion.
【００５５】そこで本発明の表面分析装置を用いて、フ
ラットディスプレイのように平面上に配置された電子源
からの放出電子を分析したところ、個々の放出点の強度
分布やゆらぎ、エネルギスペクトルについての情報を得
ることができた。さらにこれらの放出電子像と並行して
素子表面からの光電子像を観察すれば、放出電子像の位
置関係が明らかになるだけでなく、表面状態と電子放出
との関係を解析することが可能になった。Then, when the emitted electrons from an electron source arranged on a flat surface such as a flat display were analyzed using the surface analyzer of the present invention, the intensity distribution, fluctuation, and energy spectrum of each emission point were analyzed. Information was obtained. By observing the photoelectron image from the device surface in parallel with these emitted electron images, it is possible not only to clarify the positional relationship between the emitted electron images but also to analyze the relationship between the surface state and electron emission. became.
【００５６】上記の分析は、固体試料から電子を放出す
るための機構（例えば試料に電圧を印加するための電極
など）のみを追加すれば、第１ないし第３の実施形態の
装置構成のいずれにおいても分析が可能である。In the above analysis, if only a mechanism for emitting electrons from the solid sample (for example, an electrode for applying a voltage to the sample) is added, any of the device configurations of the first to third embodiments can be used. The analysis is also possible.
【００５７】なお、第１ないし第４の実施形態では、光
電子分光に使用するエネルギ分析器として半球型エネル
ギ分析器１７、１１７、２１７を提示したが、これに限
られる物ではなく、本発明の要旨を変更しない範囲でエ
ネルギ分析器を変えても差し支えない。In the first to fourth embodiments, the hemispherical energy analyzers 17, 117, 217 are presented as energy analyzers used for photoelectron spectroscopy. However, the present invention is not limited to this, and is not limited thereto. The energy analyzer may be changed without changing the gist.
【００５８】[0058]
【発明の効果】本発明によれば、固体試料表面の分光分
析を行う分析手段、固体試料表面の拡大像が形成される
観察手段を有するとともに、分光分析及び表面の観察の
際に用いる電子レンズ系が共通であるため、試料を移動
させずに分光分析及び表面の観察を行うことができる。
また、分光分析時の分光領域決定に必要な空間分解能を
十分に満たした表面の像を観察することが可能となり、
試料の位置決めや分析領域の把握が容易にできるように
なる。According to the present invention, there is provided an analyzing means for performing spectroscopic analysis of the surface of a solid sample, an observing means for forming an enlarged image of the surface of the solid sample, and an electron lens used for spectroscopic analysis and observation of the surface. Since the system is common, spectroscopic analysis and surface observation can be performed without moving the sample.
In addition, it becomes possible to observe an image of the surface that sufficiently satisfies the spatial resolution required for determining the spectral region at the time of spectral analysis,
The positioning of the sample and the grasp of the analysis area can be easily performed.
【図１】本発明の第１の実施形態の表面分析装置を説明
する概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a surface analyzer according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施形態の表面分析装置を説明
する概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a surface analyzer according to a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第３の実施形態の表面分析装置を説明
する概略図である。FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a surface analyzer according to a third embodiment of the present invention.
１、１０１、２０１ 高真空チャンバ ２、１０２、２０２ レンズ鏡筒 ３ 対物レンズ ４、５、６ 静電レンズ ７、８ アパーチャ ９ 試料 １０ 試料ステージ １１ マニピュレータ １２、１４ 紫外線照射装置 １３ 石英ポート １５ ボンベ １６、１１６ 二次元検出器 １７、１１７、２１７ 半球型エネルギ分析器 １８、２１８ 検出器 １９、２０ 排気部 ３１、１３１ 入射スリット部 １３２、２２２ 入射スリット １３３ 退避領域 ２２３ ＭＣＰ付き蛍光板 ２２４ 反射鏡 ２２５ ビューポート ２２６ ＣＣＤカメラ ２３４ 第１の退避領域 ２３５ 第２の退避領域 Reference Signs List 1, 101, 201 High vacuum chamber 2, 102, 202 Lens barrel 3 Objective lens 4, 5, 6 Electrostatic lens 7, 8 Aperture 9 Sample 10 Sample stage 11 Manipulator 12, 14, Ultraviolet irradiation device 13 Quartz port 15 Bomb 16 , 116 Two-dimensional detector 17, 117, 217 Hemispherical energy analyzer 18, 218 Detector 19, 20 Exhaust unit 31, 131 Incident slit unit 132, 222 Incident slit 133 Evacuation area 223 MCP fluorescent plate 224 Reflecting mirror 225 Viewport 226 CCD camera 234 First retreat area 235 Second retreat area
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G001 AA07 AA09 AA10 AA20 BA08 BA29 BA30 CA03 DA01 DA02 DA09 EA04 FA06 GA01 GA09 HA12 KA12 KA20 LA11 PA07 SA01 Continued on front page F-term (reference) 2G001 AA07 AA09 AA10 AA20 BA08 BA29 BA30 CA03 DA01 DA02 DA09 EA04 FA06 GA01 GA09 HA12 KA12 KA20 LA11 PA07 SA01
Claims (11)
一の光軸上で集束あるいは拡大させる電子レンズ系と、 前記電子レンズ系により拡大結像された前記電子が照射
されることにより前記固体試料表面の観察のための拡大
像が形成される観察手段と、 電子が分光されることにより前記固体試料表面の分光分
析を行う分析手段と、 分光分析を行う際に前記電子レンズ系により集束した電
子を前記分析手段へ導くための入射スリットとを有する
表面分析装置。1. An electron lens system for focusing or enlarging electrons emitted from the surface of a solid sample on the same optical axis, and irradiating the solid image by irradiating the electrons enlarged and imaged by the electron lens system. Observation means for forming a magnified image for observation of the sample surface; analysis means for performing spectral analysis of the solid sample surface by splitting electrons; and focusing by the electron lens system when performing spectral analysis. A surface analyzer having an entrance slit for guiding electrons to the analysis means.
が、紫外線励起による光電子であり、光電子像観察と光
電子分光分析の両手段を有する請求項１に記載の表面分
析装置。2. The surface analyzer according to claim 1, wherein the electrons emitted from the surface of the solid sample are photoelectrons excited by ultraviolet light, and have both means for photoelectron image observation and photoelectron spectroscopic analysis.
ネルプレートと、前記拡大像が形成される蛍光膜と、前
記拡大像を電気信号に変換する変換手段とを有する請求
項１または２に記載の表面分析装置。3. The observation means according to claim 1, wherein the observation means includes a channel plate for amplifying electrons, a fluorescent film on which the magnified image is formed, and a converting means for converting the magnified image into an electric signal. Surface analyzer.
ネルプレートと、前記拡大像が形成される蛍光膜と、前
記拡大像を撮影するカメラとを有する請求項１または２
に記載の表面分析装置。4. The observation means has a channel plate for amplifying electrons, a fluorescent film on which the magnified image is formed, and a camera for photographing the magnified image.
The surface analysis device according to item 1.
けられている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の
表面分析装置。5. The surface analyzer according to claim 1, wherein said observation means is provided with said entrance slit.
一体に構成された構造体を有する請求項１、２、４のい
ずれか１項に記載の表面分析装置。6. The surface analyzer according to claim 1, wherein said entrance slit and said analysis means have a structure integrally formed.
は、前記入射スリットが前記電子レンズ系の前記光軸上
に移動されるとともに、前記観察手段は前記入射スリッ
トと干渉しない領域に移動され、 前記固体試料表面の拡大像により前記固体試料表面の観
察を行う際には、前記観察手段は前記電子レンズ系の前
記光軸上に移動されるとともに、前記入射スリットは前
記観察手段と干渉しない領域に移動される請求項１ない
し３のいずれか１項に記載の表面分析装置。7. When performing spectroscopic analysis of the surface of the solid sample, the incident slit is moved on the optical axis of the electron lens system, and the observation unit is moved to a region that does not interfere with the incident slit. When observing the solid sample surface with an enlarged image of the solid sample surface, the observation means is moved on the optical axis of the electron lens system, and the entrance slit does not interfere with the observation means. The surface analyzer according to claim 1, wherein the surface analyzer is moved to an area.
は、前記構造体の前記入射スリットが前記電子レンズ系
の前記光軸上に移動されるとともに、前記観察手段は前
記構造体と干渉しない領域に移動され、 前記固体試料表面の拡大像により前記固体試料表面の観
察を行う際には、前記観察手段は前記電子レンズ系の前
記光軸上に移動されるとともに、前記構造体は前記観察
手段と干渉しない領域に移動される請求項６に記載の表
面分析装置。8. When spectral analysis of the surface of the solid sample is performed, the entrance slit of the structure is moved on the optical axis of the electron lens system, and the observation unit does not interfere with the structure. When the observation is performed on the optical axis of the electron lens system while observing the solid sample surface by an enlarged image of the surface of the solid sample, the structure is subjected to the observation. The surface analyzer according to claim 6, wherein the surface analyzer is moved to an area that does not interfere with the means.
る請求項１ないし８のいずれか１項に記載の表面分析装
置。9. The surface analyzer according to claim 1, wherein the electrons are emitted by thermionic emission.
る請求項１ないし８のいずれか１項に記載の表面分析装
置。10. The surface analyzer according to claim 1, wherein the electrons are emitted by field emission.
り放出される請求項１ないし８のいずれか１項に記載の
表面分析装置。11. The surface analyzer according to claim 1, wherein the electrons are emitted by surface conduction electron emission.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11148539A Pending JP2000338062A (en) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | Surface analyzing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000338062A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014041148A (en) * | 2005-08-12 | 2014-03-06 | Ebara Corp | Detector and inspection device |
| JP2016183976A (en) * | 2011-03-15 | 2016-10-20 | 株式会社荏原製作所 | Inspection device |
-
1999
- 1999-05-27 JP JP11148539A patent/JP2000338062A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014041148A (en) * | 2005-08-12 | 2014-03-06 | Ebara Corp | Detector and inspection device |
| JP2016183976A (en) * | 2011-03-15 | 2016-10-20 | 株式会社荏原製作所 | Inspection device |
| US10157722B2 (en) | 2011-03-15 | 2018-12-18 | Ebara Corporation | Inspection device |
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