JP2000315463A - Display device - Google Patents

Display device

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JP2000315463A
JP2000315463A JP11123933A JP12393399A JP2000315463A JP 2000315463 A JP2000315463 A JP 2000315463A JP 11123933 A JP11123933 A JP 11123933A JP 12393399 A JP12393399 A JP 12393399A JP 2000315463 A JP2000315463 A JP 2000315463A
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JP
Japan
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electron beam
beam passage
passage hole
overlapping portion
scanning direction
Prior art date
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Pending
Application number
JP11123933A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuyuki Kiyono
和之 清野
Koji Nishimura
孝司 西村
Tokuo Hashimoto
徳夫 橋本
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device having an inconspicuous seam of adjacent screens and increased display quality. SOLUTION: In this display device, a phosphor screen is divided into a plurality of areas by an electron beam from a plurality of electron gun structural bodies and each area is scanned in the main scanned direction and in the sub- scanned direction. Each scanned area has an overlapped part overlapped with an adjacent-scanned area. A shadow mask 40 is provided with a plurality of effective opening areas A and B formed of a plurality of electron beam through holes corresponding to the scanned areas. Each effective opening area has superposed parts A1 and B1 formed of electron beam through hole rows 52a, 52b, 52c and 52d which correspond to the superposed parts on the phosphor screen and are passed through the electron beam and has non-superposed parts A2 and B2 formed of electron through holes 52 which correspond to the scanned areas other than the superposed parts A1 and B1 and are passed through the electron beam. The arranged pitch in the sub-scanned direction of the electron beam through holes of each superposed part is set greater than that in the sub-scanned direction of the electron beam through holes of each non-superposed part.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は表示装置に関し、
特に、1つの蛍光体スクリーンを複数の領域に分割して
走査し、各領域に描かれる各画像を合成して1つの画像
を得る表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device,
In particular, the present invention relates to a display device in which one phosphor screen is divided into a plurality of regions and scanned, and images drawn in the respective regions are combined to obtain one image.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、高品位放送あるいはこれに伴う大
画面をもった高解像度受像管に対して種々の検討がなさ
れている。一般に受像管の高解像度化を達成するために
は、蛍光体スクリーン面での電子ビームのスポット径を
小さくしなければならない。これに対して、従来より、
電子銃の電極構造の改良あるいは電子銃自体の大口径
化、伸長化などが図られてきたが、未だ十分な成果が得
られていない。
2. Description of the Related Art In recent years, various studies have been made on a high-definition picture tube having a high-definition broadcast or a large screen associated therewith. Generally, in order to achieve high resolution of a picture tube, the spot diameter of an electron beam on the phosphor screen must be reduced. In contrast,
Attempts have been made to improve the electrode structure of the electron gun or to enlarge and extend the diameter of the electron gun itself, but no satisfactory results have yet been obtained.

【0003】これは、大形管になるに従って電子銃から
蛍光体スクリーンまでの距離が長くなり、電子レンズ倍
率が大きくなりすぎることが最大の原因である。従っ
て、高解像度を実現するためには、電子銃から蛍光体ス
クリーンまでの距離(奥行き)を短縮することが重要で
ある。また、この場合、広角偏向にすると、画面中央と
周辺との倍率差の増大を招くため、高解像度化にとって
得策ではない。
The biggest cause of this is that the distance from the electron gun to the phosphor screen becomes longer as the tube becomes larger, and the magnification of the electron lens becomes too large. Therefore, in order to realize high resolution, it is important to shorten the distance (depth) from the electron gun to the phosphor screen. Also, in this case, wide-angle deflection causes an increase in the magnification difference between the center and the periphery of the screen, so that it is not advisable to increase the resolution.

【0004】そこで、従来より、単一の蛍光体層を、複
数の電子銃、複数の偏向ヨークを用いて複数の領域に分
割走査し、各領域の画像を繋ぎ合せて大画面を形成する
方法が提案され、例えば特開平7−45215号公報、
特開平2−51831号公報には、2つの画像を繋いで
大画面を得る表示装置が開示され、また、特開昭61−
256552号公報、特開昭61−256551号公報
には、更に多くの画像を繋いで大画面を得る表示装置が
提案されている。
Therefore, conventionally, a single phosphor layer is divided into a plurality of areas by using a plurality of electron guns and a plurality of deflection yokes, and a large screen is formed by connecting images of the respective areas. Has been proposed, for example, JP-A-7-45215,
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-51831 discloses a display device for connecting two images to obtain a large screen.
JP-A-256552 and JP-A-61-256551 propose a display device for connecting a larger number of images to obtain a large screen.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記のようにパネルの
内側に形成された蛍光体スクリーンを複数の領域に分割
して走査する方式の表示装置は、高解像度で奥行きが短
く、かつ構造が簡単で実用性、工業価値が高いが、複数
の隣接画像を違和感なく自然に連続させることは非常に
難しい。例えば、電子銃のカソード電流特性の変動、経
時変化、駆動回路の変動および経時変化等により、隣合
う小画面間に輝度差や色度差が生じた場合、小画面間の
境界で画面の連続性が低下し、境界が視認可能となって
しまう。
A display device of the type in which the phosphor screen formed on the inside of the panel is divided into a plurality of regions and scanned as described above has a high resolution, a short depth, and a simple structure. However, it is very difficult to continuously connect a plurality of adjacent images naturally without discomfort. For example, when a luminance difference or a chromaticity difference occurs between adjacent small screens due to a change in cathode current characteristics of the electron gun, a change over time, a change in a drive circuit and a change over time, the continuation of the screen at the boundary between the small screens And the boundary becomes visible.

【0006】そのため、従来より複数の画像を繋ぎ合せ
る各種の方法も提案されおり、例えば、上述した特開昭
61−256552号公報に開示された装置では、隣り
合った小画面同士を繋ぎ合せる際、隣接した画像の周縁
部同志を互に重ねあわせることにより、画面の繋ぎ目を
目立たない様にしている。このような様な方法であれ
ば、互いに重なる部分が有るため、隣接した画像の画像
歪みや輝度差に対して、その違いが緩和され、繋ぎ目が
見えにくくなる。
Therefore, various methods for connecting a plurality of images have been conventionally proposed. For example, in the apparatus disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-256552, when adjacent small screens are connected, By superimposing the peripheral portions of adjacent images on each other, the joints of the screens are made inconspicuous. In such a method, since there are portions that overlap each other, the differences are alleviated with respect to the image distortion and the luminance difference between the adjacent images, and the joints are difficult to see.

【0007】しかし、このように隣接した画面の周縁部
を重ね合わせて表示する場合、各画面に対応する電子銃
から出射された電子ビームは、隣接画面の周縁部も走査
することになり、重なり合った部分に対応する蛍光体に
は、複数の電子銃からの電子ビームが衝突することにな
る。そのため、この部分における蛍光体の発光は2倍に
なり、輝度変化がかえって目立つ様になってしまう。
However, when the peripheral portions of the adjacent screens are superimposed and displayed, the electron beam emitted from the electron gun corresponding to each screen also scans the peripheral portions of the adjacent screens. The electron beams from a plurality of electron guns collide with the phosphor corresponding to the portion. Therefore, the light emission of the phosphor in this portion is doubled, and the change in luminance becomes more conspicuous.

【0008】この発明は以上の点に鑑みてなれたもの
で、その目的は、単一の蛍光体スクリーンを複数の領域
に分割して走査する表示装置において、複数の画像間の
繋ぎ目を目立たなくし、画像の表示品位を向上した表示
装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a display device that scans a single phosphor screen by dividing the screen into a plurality of regions, in which a joint between a plurality of images is noticeable. An object of the present invention is to provide a display device with improved display quality of an image.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明に係る表示装置は、内面に蛍光体スクリー
ンが形成されたほぼ矩形状のパネルを有する真空外囲器
と、上記真空外囲器内で上記蛍光体スクリーンに対向し
て設けられたシャドウマスクと、それぞれ上記真空外囲
器内に設けられ、上記シャドウマスクを介して上記蛍光
体スクリーンに電子ビームを放射する複数の電子銃構体
と、を備え、上記電子ビームは、上記蛍光体スクリーン
を複数の領域に分割してそれぞれ主走査方向および主走
査方向と直交する副走査方向へ走査され、上記複数の電
子ビームの走査領域は、上記蛍光体スクリーン上におい
て、上記主走査方向に隣接した他の走査領域と重なった
重複部を有し、上記シャドウマスクは、それぞれ上記走
査領域に対応しているとともに多数の電子ビーム通過孔
が形成された複数の有効開孔領域を備えている。
In order to achieve the above object, a display device according to the present invention comprises: a vacuum envelope having a substantially rectangular panel having a phosphor screen formed on an inner surface thereof; A shadow mask provided in the container so as to face the phosphor screen, and a plurality of electron gun assemblies each provided in the vacuum envelope and emitting an electron beam to the phosphor screen via the shadow mask. The, the electron beam, the phosphor screen is divided into a plurality of regions and each is scanned in a sub-scanning direction orthogonal to the main scanning direction and the main scanning direction, the scanning region of the plurality of electron beams, On the phosphor screen, there is an overlapping portion overlapping another scanning region adjacent in the main scanning direction, and the shadow masks correspond to the scanning regions, respectively. A number of electron beam passage apertures and a plurality of effective apertures region formed with.

【0010】そして、上記各有効開孔領域は、上記蛍光
体スクリーン上の重複部に対応する電子ビームが通過す
る電子ビーム通過孔が形成された重畳部と、上記重複部
以外の走査領域に対応した電子ビームが通過する電子ビ
ーム通過孔が形成された非重畳部と、を有し、上記各有
効開孔領域の重畳部に設けられた電子ビーム通過孔の上
記副走査方向に沿った配列ピッチは、上記非重畳部に設
けられた電子ビーム通過孔の上記副走査方向に沿った配
列ピッチよりも大きく設定されていることを特徴として
いる。
[0010] Each of the effective aperture areas corresponds to a superimposed portion having an electron beam passage hole through which an electron beam corresponding to the overlapping portion on the phosphor screen passes, and a scanning region other than the overlapping portion. And a non-overlapping portion formed with an electron beam passage hole through which the formed electron beam passes, and an arrangement pitch of the electron beam passage holes provided in the overlap portion of each of the effective aperture regions along the sub-scanning direction. Is characterized by being set to be larger than the arrangement pitch of the electron beam passage holes provided in the non-overlapping portion in the sub-scanning direction.

【0011】また、この発明に係る表示装置は、内面に
蛍光体スクリーンが形成されたほぼ矩形状のパネルを有
する真空外囲器と、上記真空外囲器内で上記蛍光体スク
リーンに対向して設けられたシャドウマスクと、それぞ
れ上記真空外囲器内に設けられ、上記シャドウマスクを
介して上記蛍光体スクリーンに電子ビームを放射する複
数の電子銃構体と、を備え、上記電子ビームは、上記蛍
光体スクリーンを複数の領域に分割してそれぞれ主走査
方向および主走査方向と直交する副走査方向へ走査さ
れ、上記複数の電子ビームの走査領域は、上記蛍光体ス
クリーン上において、上記主走査方向に隣接した他の走
査領域と重なった重複部を有し、上記シャドウマスク
は、それぞれ上記走査領域に対応しているとともに多数
の電子ビーム通過孔が形成された複数の有効開孔領域を
備えている。
Further, a display device according to the present invention has a vacuum envelope having a substantially rectangular panel having a phosphor screen formed on an inner surface thereof, and a vacuum envelope facing the phosphor screen in the vacuum envelope. Provided a shadow mask, and a plurality of electron gun assemblies each provided in the vacuum envelope and emitting an electron beam to the phosphor screen through the shadow mask, wherein the electron beam is The phosphor screen is divided into a plurality of regions, each of which is scanned in a main scanning direction and a sub-scanning direction orthogonal to the main scanning direction. The plurality of electron beam scanning regions are arranged on the phosphor screen in the main scanning direction. The shadow mask has an overlapping portion that overlaps with another scanning region adjacent to the scanning region. And a plurality of effective apertures region made.

【0012】そして、上記各有効開孔領域は、上記蛍光
体スクリーン上の重複部に対応する電子ビームが通過す
る電子ビーム通過孔が形成された重畳部と、上記重複部
以外の走査領域に対応した電子ビームが通過する電子ビ
ーム通過孔が形成された非重畳部と、を有し、上記各有
効開孔領域の重畳部に設けられた電子ビーム通過孔の上
記主走査方向に沿ったピッチは、上記非重畳部に設けら
れた電子ビーム通過孔の上記主走査方向に沿ったピッチ
よりも大きく設定されていることを特徴としている。
Each of the effective aperture regions corresponds to a superimposed portion having an electron beam passage hole through which an electron beam corresponding to the overlapping portion on the phosphor screen passes, and a scanning region other than the overlapping portion. A non-overlapping portion formed with an electron beam passage hole through which the electron beam passes, and a pitch along the main scanning direction of the electron beam passage hole provided in the overlap portion of each of the effective aperture regions is The pitch of the electron beam passage holes provided in the non-overlapping portion is set larger than the pitch along the main scanning direction.

【0013】上記構成の表示装置によれば、シャドウマ
スクの隣接する有効開孔領域の内、重畳部に設けられた
電子ビーム通過孔の副走査方向に沿った配列ピッチ、あ
るいは、主走査方向に沿った配列ピッチは、非重畳部に
おける電子ビームの副走査方向に沿った配列ピッチ、あ
るいは主走査方向に沿った配列ピッチよりも大きく設定
されている。それにより、主走査方向に隣合う2つの走
査領域の重複部には、シャドウマスクの1つの有効開孔
領域の重畳部を通過した電子ビームとこれに隣接した他
の有効開孔領域の重畳部を通過した電子ビームが、主走
査方向あるいは副走査方向に沿って互い違いに配列され
る。
According to the display device having the above-described structure, the arrangement pitch of the electron beam passage holes provided in the overlapping portion in the sub-scanning direction or the main scanning direction in the adjacent effective aperture regions of the shadow mask. The arrangement pitch along the sub-scanning direction is set larger than the arrangement pitch along the sub-scanning direction or the arrangement pitch along the main scanning direction in the non-overlapping portion. As a result, in the overlapping portion of two scanning regions adjacent to each other in the main scanning direction, the electron beam passing through the overlapping portion of one effective aperture region of the shadow mask and the overlapping portion of the other effective aperture region adjacent to the electron beam. Are alternately arranged along the main scanning direction or the sub-scanning direction.

【0014】従って、隣合う2つの走査領域にそれぞれ
表示される画像に多少の輝度差がある場合でも、重複部
において輝度差を緩和し、走査領域間の境界を目立たな
くし画像の連続性を維持することできる。その結果、表
示画面の品位が向上した表示装置を得ることができる。
Therefore, even when there is a slight luminance difference between the images displayed in the two adjacent scanning areas, the luminance difference is reduced in the overlapping portion, the boundary between the scanning areas is made inconspicuous, and the continuity of the image is maintained. You can do it. As a result, a display device with improved display screen quality can be obtained.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
表示装置をカラー陰極線管に適用した実施の形態につい
て詳細に説明する。図1および図2に示すように、カラ
ー陰極線管は真空外囲器10を備え、この真空外囲器
は、ガラスからなるパネル12と、パネルに対向して設
けられているとともに2個のファンネル18を一体に有
したガラス製の後部外囲器14と、を備えている。パネ
ル12は、内面に矩形状の蛍光体スクリーン20が形成
されたほぼ矩形状のフェースプレート22と、フェース
プレートの周縁部に立設されたスカート部24と、を一
体に備えている。また、パネル12はその中心を通って
互いに直交する水平軸Hおよび垂直軸Vを有している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which a display device according to the present invention is applied to a color cathode ray tube will be described below in detail with reference to the drawings. As shown in FIGS. 1 and 2, the color cathode ray tube includes a vacuum envelope 10, which is composed of a glass panel 12 and two funnels provided opposite to the panel. And a rear envelope 14 made of glass and integrally having 18. The panel 12 integrally includes a substantially rectangular face plate 22 having a rectangular phosphor screen 20 formed on an inner surface thereof, and a skirt portion 24 erected on a peripheral portion of the face plate. The panel 12 has a horizontal axis H and a vertical axis V that are orthogonal to each other through the center.

【0016】蛍光体スクリーン20は、垂直軸V方向に
延びているとともに青、縁、赤に発光する多数のストラ
イプ状の3色蛍光体層と、これらの3色蛍光体層間に設
けられたブラックストライプと、で構成されている。そ
して、蛍光体スクリーン20は、全画面領域で一体であ
り、繋ぎ目がなく連続して形成されている。
The phosphor screen 20 has a plurality of stripe-shaped three-color phosphor layers extending in the vertical axis V direction and emitting blue, rim, and red light, and a black layer provided between these three-color phosphor layers. And stripes. The phosphor screen 20 is integrated over the entire screen area and is formed continuously without any seams.

【0017】後部外囲器14は、パネル12のスカート
部24の端面に突き合わせた状態で、例えばフリットガ
ラス27によって接合されている。後部外囲器14は、
フェースプレート22と対向した平坦な底壁14aを有
し、この底壁14aには、水平軸H方向に並んで一対の
円形の開口26が形成されている。
The rear envelope 14 is joined to the end face of the skirt 24 of the panel 12 by, for example, frit glass 27 in a state where the rear envelope 14 abuts against the end face. The rear envelope 14
It has a flat bottom wall 14a facing the face plate 22, and a pair of circular openings 26 are formed in the bottom wall 14a along the horizontal axis H direction.

【0018】2つのファンネル18は、対応する開口2
6を覆った状態で、それぞれ後部外囲器14の底壁14
aに連結されている。そして、各ファンネル18の小径
端にはガラスからなるネック16が接合されているとと
もに、各ネック16内には、蛍光体スクリーン20に向
けて電子ビームを出射する電子銃構体28が配置されて
いる。また、各ファンネル18の外側には、電子銃構体
28から放出された電子ビームを偏向する偏向装置30
が装着されている。
The two funnels 18 correspond to the corresponding openings 2
6 while covering the bottom wall 14 of the rear envelope 14 respectively.
a. A neck 16 made of glass is joined to a small-diameter end of each funnel 18, and an electron gun structure 28 that emits an electron beam toward the phosphor screen 20 is arranged in each neck 16. . A deflecting device 30 for deflecting the electron beam emitted from the electron gun assembly 28 is provided outside each funnel 18.
Is installed.

【0019】真空外囲器10内には、多数の電子ビーム
通過孔の形成されたほぼ矩形状のシャドウマスク40が
配設され、蛍光体スクリーン20と対向して位置してい
る。このシャドウマスク40は、そのマスクフレームに
固定されたホルダ42、およびパネル12のスカート部
24に突設されたスタッドピン44を介して、パネル1
2に支持されている。
A substantially rectangular shadow mask 40 having a large number of electron beam passage holes is provided in the vacuum envelope 10 and is located opposite to the phosphor screen 20. The shadow mask 40 is attached to the panel 1 via a holder 42 fixed to the mask frame and stud pins 44 projecting from the skirt 24 of the panel 12.
2 supported.

【0020】図2から分かるように、本実施の形態にお
いて、蛍光体スクリーン20は、パネル12の垂直軸V
を中心として水平軸H方向に並んだ2つの走査領域a、
bを有している。これらの走査領域a、bは互いに同一
の形状を有しているとともに、垂直軸V側の側縁部が互
いに所定幅だけ重なり合っている。そして、2つのファ
ンネル18および電子銃構体28は、その中心軸Cが対
応する走査領域a、bのほぼ中心を通る法線と一致する
ように配置されている。従って、2つのネック16は、
互いにほぼ平行に延びている。
As can be seen from FIG. 2, in the present embodiment, the phosphor screen 20 is
Two scanning regions a arranged in the horizontal axis H direction around
b. These scanning areas a and b have the same shape as each other, and their side edges on the vertical axis V side overlap each other by a predetermined width. The two funnels 18 and the electron gun assembly 28 are arranged such that their central axes C coincide with a normal passing substantially through the centers of the corresponding scanning areas a and b. Therefore, the two necks 16
They run almost parallel to each other.

【0021】上記構成のカラー陰極線管によれば、2つ
の電子銃構体28から放出される電子ビームをそれぞれ
対応する偏向装置30から発生する磁界により偏向し、
シャドウマスク40を介して、蛍光体スクリーン20を
2つの領域a、bに分割して走査する。この際、電子ビ
ームは、各領域a、bを主走査方向としての水平方向、
および副走査方向としての垂直方向に走査する。この分
割走査により蛍光体スクリーン20の各走査領域a、b
上に描かれる画像はそれぞれ別個であるが、電子銃構体
28や偏向装置30に印加される信号を制御することに
より互いに繋がり、蛍光体スクリーンの全面に切れ目の
ない1つの大きな画像を再生する。
According to the above-structured color cathode ray tube, the electron beams emitted from the two electron gun assemblies 28 are deflected by the magnetic fields generated from the corresponding deflection devices 30, respectively.
The phosphor screen 20 is divided into two regions a and b for scanning via the shadow mask 40. At this time, the electron beam is applied to the regions a and b in the horizontal direction as the main scanning direction,
And scanning in the vertical direction as the sub-scanning direction. By this divided scanning, each scanning area a, b of the phosphor screen 20
Although the images drawn above are separate from each other, they are connected to each other by controlling the signals applied to the electron gun structure 28 and the deflection device 30 to reproduce one large image without a break on the entire surface of the phosphor screen.

【0022】次に、シャドウマスク40の構成について
詳細に説明する。図2ないし図4に示すように、シャド
ウマスク40は、ほぼ矩形状のマスク本体46と、マス
ク本体の周縁部に取り付けられたほぼ矩形状のマスクフ
レーム48と、を備えている。マスク本体46は、蛍光
体スクリーン20の走査領域a、bに対応した、それぞ
れ矩形状の有効開孔領域A、Bと、各有効開孔領域の周
囲に位置した無孔部50と、を有している。そして、有
効開孔領域A、Bには、それぞれ多数のスリット状の電
子ビーム通過孔52が形成されている。
Next, the configuration of the shadow mask 40 will be described in detail. As shown in FIGS. 2 to 4, the shadow mask 40 includes a substantially rectangular mask body 46 and a substantially rectangular mask frame 48 attached to a peripheral portion of the mask body. The mask body 46 has rectangular effective aperture areas A and B respectively corresponding to the scanning areas a and b of the phosphor screen 20, and a non-porous portion 50 located around each of the effective aperture areas. are doing. In the effective aperture areas A and B, a large number of slit-shaped electron beam passage holes 52 are formed, respectively.

【0023】これらの電子ビーム通過孔52は、それぞ
れ複数の電子ビーム通過孔を垂直軸V方向に所定のピッ
チで並べて形成された多数の通過孔列を、水平軸H方向
に所定のピッチで多数列並べて設けられている。
The electron beam passage holes 52 are formed by arranging a large number of passage hole rows formed by arranging a plurality of electron beam passage holes at a predetermined pitch in the vertical axis V direction at a predetermined pitch in the horizontal axis H direction. They are arranged side by side.

【0024】前述したように、蛍光体スクリーン20の
走査領域a、bは、垂直軸V側の側縁部が重複し、この
重複部dにおける蛍光体スクリーンには、2つの電子銃
構体28から放出された電子ビームが衝突する。
As described above, the scanning areas a and b of the phosphor screen 20 overlap at the side edges on the vertical axis V side. The emitted electron beams collide.

【0025】これに対応して、シャドウマスク40の有
効開孔領域Aは、走査領域aの重複部dに入射する電子
ビームが通過する重畳部A1と、それ以外の電子ビーム
が通過する非重畳部A2と、を有している。図3におい
て、重畳部A1は、有効開孔領域Aの内、垂直軸V側の
側縁部に位置し、垂直軸Vに沿って延びている。
Correspondingly, the effective aperture area A of the shadow mask 40 has an overlapping portion A1 through which the electron beam incident on the overlapping portion d of the scanning region a passes and a non-overlapping portion A1 through which the other electron beams pass. A2. In FIG. 3, the overlapping portion A <b> 1 is located on the side edge on the vertical axis V side in the effective aperture area A, and extends along the vertical axis V.

【0026】同様に、シャドウマスク40の有効開孔領
域Bは、走査領域bの重複部dに入射する電子ビームが
通過する重畳部B1と、それ以外の電子ビームが通過す
る非重畳部B2と、を有している。図3において、重畳
部B1は、有効開孔領域Bの内、垂直軸V側の側縁部に
位置し、垂直軸Vに沿って延びている。
Similarly, the effective aperture area B of the shadow mask 40 includes an overlapping portion B1 through which the electron beam incident on the overlapping portion d of the scanning region b passes, and a non-overlapping portion B2 through which the other electron beams pass. ,have. In FIG. 3, the overlapping portion B <b> 1 is located at a side edge of the effective aperture area B on the vertical axis V side, and extends along the vertical axis V.

【0027】そして、本実施の形態によれば、図4から
良く分かるように、シャドウマスク40の重畳部A1、
B1には、それぞれ例えば4列の電子ビーム通過孔列5
1a、52b、52c、52dが形成され、各電子ビー
ム通過孔列を構成している電子ビーム通過孔52の垂直
軸V方向に沿った配列ピッチP2は、非重畳部A2、B
2における電子ビーム通過孔の垂直軸V方向の配列ピッ
チP1、例えば0.8mmよりも大きく、例えば2倍の
1.6mmに設定されている。また、重畳部A1、B1
における電子ビーム通過孔列51a、52b、52c、
52dの水平軸H方向の配列ピッチは、非重畳部A2、
B2における電子ビーム通過孔52の水平方向Hの配列
ピッチと同一に設定されている。
According to the present embodiment, as can be clearly understood from FIG.
B1 has, for example, four electron beam passage hole arrays 5 each.
1a, 52b, 52c, and 52d are formed, and the arrangement pitch P2 along the vertical axis V direction of the electron beam passage holes 52 constituting each electron beam passage hole row is the non-overlapping portion A2, B
The pitch P1 of the electron beam passage holes in the vertical axis V direction in Step 2 is larger than, for example, 0.8 mm, for example, 1.6 times which is twice as large. In addition, the superimposed portions A1, B1
, The electron beam passage hole arrays 51a, 52b, 52c at
The arrangement pitch of 52d in the horizontal axis H direction is the non-overlapping portion A2,
It is set to be the same as the arrangement pitch of the electron beam passage holes 52 in the horizontal direction H in B2.

【0028】更に、一方の重畳部A1に設けられた電子
ビーム通過孔52は、他方の重畳部B1に設けられた電
子ビーム通過孔に対して、垂直軸V方向に、所定ピッチ
だけずれて、例えば、ピッチP1だけずれて設けられて
いる。すなわち、重畳部A1における電子ビーム通過孔
列52aを構成する電子ビーム通過孔52は、重畳部B
1における電子ビーム通過孔列52dを構成する電子ビ
ーム通過孔に対してピッチP1だけずれて配置されてい
る。同様に、重畳部A1における電子ビーム通過孔列5
2b、52c、52dを構成する電子ビーム通過孔52
は、それぞれ重畳部B1における電子ビーム通過孔列5
2c、52b、52aを構成する電子ビーム通過孔に対
してピッチP1だけずれて配置されている。
Further, the electron beam passing holes 52 provided in one overlapping portion A1 are shifted from the electron beam passing holes provided in the other overlapping portion B1 by a predetermined pitch in the vertical axis V direction. For example, they are provided shifted by the pitch P1. That is, the electron beam passage holes 52 constituting the electron beam passage hole array 52a in the overlapping portion A1 are
No. 1 is displaced from the electron beam passage holes constituting the electron beam passage hole array 52d by a pitch P1. Similarly, the electron beam passage hole array 5 in the overlapping portion A1
Electron beam passage holes 52 constituting 2b, 52c, 52d
Are the electron beam passage hole arrays 5 in the overlapping portion B1.
The holes 2c, 52b and 52a are arranged so as to be shifted from each other by the pitch P1 with respect to the electron beam passage holes.

【0029】図6(a)は、シャドウマスク40の有効
開孔領域Aを通過した電子ビームにより蛍光体スクリー
ン20の走査領域aに形成された暗いビームパターンA
3を示し、図6(b)は、シャドウマスク40の有効開
孔領域Bを通過した電子ビームにより蛍光体スクリーン
20の走査領域bに形成された明るいビームパターンB
3を示している。
FIG. 6A shows a dark beam pattern A formed on the scanning area a of the phosphor screen 20 by the electron beam passing through the effective aperture area A of the shadow mask 40.
FIG. 6B shows a bright beam pattern B formed in the scanning area b of the phosphor screen 20 by the electron beam passing through the effective aperture area B of the shadow mask 40.
3 is shown.

【0030】図6(a)に示すように、走査領域aの重
複部dには、シャドウマスク40の重畳部A1に設けら
れた電子ビーム通過孔列52aないし52dにそれぞれ
対応した4本のビームパターン60a、60b、60
c、60dが形成される。そして、各ビームパターン
は、1つのストライプ状蛍光体層上に、かつ、電子ビー
ム通過孔列における電子ビーム通過孔の配列ピッチP2
とほぼ同等のピッチで並んだ多数のビームスポットによ
り構成されている。
As shown in FIG. 6 (a), four beams corresponding to the electron beam passage hole arrays 52a to 52d provided in the overlapping portion A1 of the shadow mask 40 are provided in the overlapping portion d of the scanning region a. Patterns 60a, 60b, 60
c, 60d are formed. Then, each beam pattern is arranged on one stripe-shaped phosphor layer, and the arrangement pitch P2 of the electron beam passage holes in the electron beam passage hole row.
And a number of beam spots arranged at substantially the same pitch.

【0031】同様に、図6(b)に示すように、走査領
域bの重複部dには、シャドウマスク40の重畳部B1
に設けられた電子ビーム通過孔列52aないし52dに
それぞれ対応した4本のビームパターン61a、61
b、61c、61dが形成される。そして、各ビームパ
ターンは、1つのストライプ状蛍光体層上に、かつ、電
子ビーム通過孔列における電子ビーム通過孔の配列ピッ
チP2とほぼ同等のピッチで並んだ多数のビームスポッ
トにより構成されている。
Similarly, as shown in FIG. 6B, the overlapping portion d of the scanning area b is overlapped with the overlapping portion B1 of the shadow mask 40.
Beam patterns 61a and 61 corresponding to the electron beam passage hole arrays 52a to 52d provided in
b, 61c and 61d are formed. Each beam pattern is composed of a large number of beam spots arranged on one stripe-shaped phosphor layer and arranged at a pitch substantially equal to the arrangement pitch P2 of the electron beam passage holes in the electron beam passage hole array. .

【0032】そして、実際の動作時には、図6(c)に
示すように、電子ビームパターンA3、B3が蛍光体ス
クリーン20上に同時に形成される。そのため、重複部
dにおいては、走査領域a側のビームパターン60aと
走査領域b側のビームパターン61dとが共通のストラ
イプ状蛍光体層上に形成される。この際、ビームパター
ン60aとビームパターン61dとは、垂直軸V方向に
ピッチP1だけ互いにずれているため、共通のストライ
プ状蛍光体層上で互いに重なることなく交互に位置して
連続的に繋がる。
In the actual operation, the electron beam patterns A3 and B3 are simultaneously formed on the phosphor screen 20, as shown in FIG. Therefore, in the overlapping portion d, the beam pattern 60a on the scanning region a side and the beam pattern 61d on the scanning region b side are formed on a common striped phosphor layer. At this time, since the beam pattern 60a and the beam pattern 61d are displaced from each other by the pitch P1 in the direction of the vertical axis V, the beam patterns 60a and the beam pattern 61d are alternately located on the common stripe-shaped phosphor layer without overlapping each other and are continuously connected.

【0033】同様に、ビームパターン60bと61c、
ビームパターン60cと61b、ビームパターン60d
と61aとが、それぞれ共通のストライプ状蛍光体層上
に形成され連続的に繋がる。
Similarly, beam patterns 60b and 61c,
Beam patterns 60c and 61b, beam pattern 60d
And 61a are respectively formed on a common striped phosphor layer and are continuously connected.

【0034】従って、上記構成のシャドウマスク40を
備えたカラー陰極線管によれば、図6(d)に示すよう
に、表示される画像の輝度は、重複部dにおいて、暗い
ビームパターンA3の輝度と明るいビームパターンB3
の輝度との中間の輝度となる。そして、実際に表示され
る画像の見え方は、図6(e)に示すように、重複部d
の部分で、暗い側から明るい側に連続的に輝度が変化し
た画像となる。従って、隣合う2つの走査領域a、bの
境界で輝度が急激に変化するこがなく、走査領域a、b
に表示される画像に輝度差がある場合でも、走査領域間
の境界を目立たなくし画像の連続性を維持することでき
る。その結果、表示画面の品位が向上したカラー陰極線
管を得ることができる。
Therefore, according to the color cathode ray tube provided with the shadow mask 40 having the above configuration, as shown in FIG. 6D, the brightness of the displayed image is the brightness of the dark beam pattern A3 at the overlapping portion d. And bright beam pattern B3
The luminance becomes an intermediate luminance with the luminance of. Then, the appearance of the actually displayed image is determined as shown in FIG.
Is an image in which the luminance continuously changes from the dark side to the bright side. Therefore, the brightness does not change abruptly at the boundary between two adjacent scanning areas a and b, and the scanning areas a and b do not change.
Therefore, even when there is a luminance difference in the image displayed on the screen, the boundaries between the scanning regions can be made inconspicuous and the continuity of the image can be maintained. As a result, a color cathode ray tube with improved display screen quality can be obtained.

【0035】次に、この発明の第2の実施の形態に係る
カラー陰極線管のシャドウマスク40について説明す
る。図7に示すように、第2の実施の形態によれば、有
効開孔領域A、Bの重畳部A1、B1は、非重畳部A
2、B2から離れるに従って徐々に開孔面積が小さくな
るように形成されている。
Next, a shadow mask 40 of a color cathode ray tube according to a second embodiment of the present invention will be described. As shown in FIG. 7, according to the second embodiment, the overlapping portions A1 and B1 of the effective aperture regions A and B are different from the non-overlapping portions A
2, the opening area is gradually reduced as the distance from B2 increases.

【0036】すなわち、重畳部A1、B1において、電
子ビーム通過孔52は、その垂直軸V方向に沿った配列
ピッチが、非重畳部A2、B2側に位置した第1列目の
電子ビーム通過孔列52aから垂直軸V側に位置した第
2列、第3列、第4列目の電子ビーム通過孔列52b、
52c、52dに行くに従って大きくなるように形成さ
れている。同時に、電子ビーム通過孔52は、その垂直
軸V方向の開孔径が、非重畳部A2、B2側に位置した
第1列目の電子ビーム通過孔列52aから垂直軸V側に
位置した第2列、第3列、第4列目の電子ビーム通過孔
列52b、52c、52dに行くに従って徐々に小さく
なるように形成されている。
That is, in the overlapping portions A1 and B1, the arrangement pitch of the electron beam passing holes 52 along the vertical axis V direction is such that the electron beam passing holes of the first row located on the side of the non-overlapping portions A2 and B2. A second row, a third row, and a fourth row of electron beam passage hole rows 52b located on the vertical axis V side from the row 52a;
It is formed so as to increase as it goes to 52c and 52d. At the same time, the opening diameter of the electron beam passage hole 52 in the vertical axis V direction is the second hole located on the vertical axis V side from the first electron beam passage hole row 52a located on the side of the non-overlapping portions A2 and B2. The electron beam passage holes 52b, 52c, and 52d in the third, fourth, and fourth rows are formed so as to become gradually smaller.

【0037】更に、一方の重畳部A1に設けられた電子
ビーム通過孔52は、他方の重畳部B1に設けられた電
子ビーム通過孔に対して、逆の断続性を持って形成され
ている。すなわち、重畳部A1における電子ビーム通過
孔列52aを構成する電子ビーム通過孔を通過した電子
ビームと、重畳部B1における電子ビーム通過孔列52
dを構成する電子ビーム通過孔を通過した電子ビームと
は、蛍光体スクリーン20の同一のストライプ状蛍光体
層上に互いに重なることなく入射し、形成されたビーム
スポットがこの蛍光体層上で1列に繋がるように設定さ
れている。
Further, the electron beam passage hole 52 provided in one overlapping portion A1 is formed to have the opposite intermittentness with respect to the electron beam passing hole provided in the other overlapping portion B1. That is, the electron beam passing through the electron beam passage holes constituting the electron beam passage hole array 52a in the superimposition portion A1 and the electron beam passage hole array 52 in the superimposition portion B1
The electron beam that has passed through the electron beam passage hole constituting d enters the same stripe-shaped phosphor layer of the phosphor screen 20 without overlapping each other, and the formed beam spot is 1 It is set to connect to the column.

【0038】図8(a)は、シャドウマスク40の有効
開孔領域Aを通過した電子ビームにより蛍光体スクリー
ン20の走査領域aに形成された暗いビームパターンA
3を示し、図8(b)は、シャドウマスク40の有効開
孔領域Bを通過した電子ビームにより蛍光体スクリーン
20の走査領域bに形成された明るいビームパターンB
3を示している。
FIG. 8A shows a dark beam pattern A formed on the scanning area a of the phosphor screen 20 by the electron beam passing through the effective aperture area A of the shadow mask 40.
FIG. 8B shows a bright beam pattern B formed in the scanning area b of the phosphor screen 20 by the electron beam that has passed through the effective aperture area B of the shadow mask 40.
3 is shown.

【0039】図8(a)に示すように、走査領域aの重
複部dには、シャドウマスク40の重畳部A1に設けら
れた電子ビーム通過孔列52aないし52dにそれぞれ
対応した4本のビームパターン60a、60b、60
c、60dが形成される。そして、これら4本のビーム
パターンは、4つのストライプ状蛍光体層上にそれぞれ
形成され、かつ、電子ビーム通過孔列における電子ビー
ム通過孔52の配列ピッチとほぼ同等のピッチで並んだ
多数のビームスポットによりそれぞれ構成されている。
As shown in FIG. 8A, in the overlapping portion d of the scanning area a, four beams corresponding to the electron beam passing hole arrays 52a to 52d provided in the overlapping portion A1 of the shadow mask 40, respectively. Patterns 60a, 60b, 60
c, 60d are formed. These four beam patterns are formed on the four stripe-shaped phosphor layers, respectively, and are arranged at a pitch substantially equal to the arrangement pitch of the electron beam passage holes 52 in the electron beam passage hole array. Each is constituted by a spot.

【0040】同様に、図8(b)に示すように、走査領
域bの重複部dには、シャドウマスク40の重畳部B1
に設けられた電子ビーム通過孔列52aないし52dに
それぞれ対応した4本のビームパターン61a、61
b、61c、61dが形成される。そして、これら4本
のビームパターンは、4つのストライプ状蛍光体層上に
それぞれ形成され、かつ、電子ビーム通過孔列における
電子ビーム通過孔の配列ピッチとほぼ同等のピッチで並
んだ多数のビームスポットによりそれぞれ構成されてい
る。
Similarly, as shown in FIG. 8B, the overlapping portion d of the scanning area b is overlapped with the overlapping portion B1 of the shadow mask 40.
Beam patterns 61a and 61 corresponding to the electron beam passage hole arrays 52a to 52d provided in
b, 61c and 61d are formed. These four beam patterns are formed on the four stripe-shaped phosphor layers, respectively, and are arranged in a large number of beam spots arranged at substantially the same pitch as the arrangement pitch of the electron beam passage holes in the electron beam passage hole array. , Respectively.

【0041】実際の動作時には、図8(c)に示すよう
に、電子ビームパターンA3、B3が蛍光体スクリーン
20上に同時に形成され、重複部dにおいては、走査領
域a側のビームパターン60aと走査領域b側のビーム
パターン61dとが共通のストライプ状蛍光体層上に形
成される。この際、ビームパターン60aとビームパタ
ーン61dとは、互いに逆の断続性を持って形成されて
いるため、共通のストライプ状蛍光体層上で互いに重な
ることなく交互に位置して連続的に繋がる。同様に、ビ
ームパターン60bと61c、ビームパターン60cと
61b、ビームパターン60dと61aとが、それぞれ
共通のストライプ状蛍光体層上に形成され連続的に繋が
る。
At the time of actual operation, as shown in FIG. 8C, electron beam patterns A3 and B3 are simultaneously formed on the phosphor screen 20, and at the overlapping portion d, the beam patterns 60a on the scanning area a side are formed. The beam pattern 61d on the scanning region b side is formed on the common striped phosphor layer. At this time, since the beam pattern 60a and the beam pattern 61d are formed with the intermittent characteristics opposite to each other, the beam patterns 60a and the beam patterns 61d are alternately located on the common striped phosphor layer without being overlapped with each other and are continuously connected. Similarly, the beam patterns 60b and 61c, the beam patterns 60c and 61b, and the beam patterns 60d and 61a are respectively formed on a common striped phosphor layer and are continuously connected.

【0042】上記構成のシャドウマスク40を備えたカ
ラー陰極線管によれば、図8(d)に示すように、表示
される画像の輝度は、重複部dにおいて、暗いビームパ
ターンA3の輝度から明るいビームパターンB3の輝度
へと複数段階的に変化する。そして、実際に表示される
画像の見え方は、図8(e)に示すように、重複部dの
部分で、暗い側から明るい側に連続的に輝度が変化した
画像となる。従って、第2実施の形態によれば、隣合う
2つの走査領域a、bの境界で輝度が急激に変化するこ
がなく、走査領域a、bに表示される画像に輝度差があ
る場合でも、走査領域間の境界を一層目立たなくし画像
の連続性を高めることができる。その結果、表示画面の
品位が一層向上したカラー陰極線管を得ることができ
る。
According to the color cathode ray tube provided with the shadow mask 40 having the above configuration, as shown in FIG. 8D, the brightness of the displayed image is higher than the brightness of the dark beam pattern A3 at the overlapping portion d. The brightness changes in a plurality of steps to the brightness of the beam pattern B3. Then, the appearance of the actually displayed image becomes an image in which the luminance continuously changes from the dark side to the bright side in the overlapping portion d as shown in FIG. 8E. Therefore, according to the second embodiment, the luminance does not suddenly change at the boundary between two adjacent scanning areas a and b, and even if there is a luminance difference between the images displayed in the scanning areas a and b. In addition, the boundaries between the scanning areas can be made less noticeable, and the continuity of the image can be improved. As a result, a color cathode ray tube with further improved display screen quality can be obtained.

【0043】なお、上述した第1および第2の実施の形
態では、ストライプ状の蛍光体層からなる蛍光体スクリ
ーンを用いたが、図9(a)に示すように、デルタ配列
のドット状蛍光体層を有した蛍光体スクリーンを用いて
もよい。この場合、電子銃配列もデルタ配列となり、ま
た、シャドウマスクに形成される電子ビーム通過孔52
も、スリット状に代えて、ドット状に形成される。
In the first and second embodiments described above, the phosphor screen formed of the phosphor layers in the form of stripes is used. However, as shown in FIG. A phosphor screen having a body layer may be used. In this case, the electron gun arrangement also becomes a delta arrangement, and the electron beam passage holes 52 formed in the shadow mask are formed.
Is formed in a dot shape instead of a slit shape.

【0044】但し、前述した実施の形態と同様に、各重
畳部における電子ビーム通過孔の配列は、非重畳部にお
ける電子ビーム通過孔の垂直軸V方向に沿った配列ピッ
チよりも大きなピッチに設定される。あるいは、各重畳
部における電子ビーム通過孔の配列は、非重畳部から離
れるに従って、垂直軸V方向の配列ピッチが大きくな
り、かつ、垂直軸V方向の幅が小さくなるように形成さ
れる。なお、カラー陰極線管の他の構成は前述した実施
の形態と同一であり、その詳細な説明は省略する。
However, as in the above-described embodiment, the arrangement of the electron beam passage holes in each superimposed portion is set to be larger than the arrangement pitch of the electron beam passage holes in the non-superimposed portion along the vertical axis V direction. Is done. Alternatively, the arrangement of the electron beam passage holes in each superimposed portion is formed such that the arrangement pitch in the vertical axis V direction increases and the width in the vertical axis V direction decreases as the distance from the non-overlapping portion increases. The other configuration of the color cathode ray tube is the same as that of the above-described embodiment, and a detailed description thereof will be omitted.

【0045】このようにドット状の蛍光体層および電子
ビーム通過孔を用いた場合でも、図9(b)ないし図9
(d)に示すように、シャドウマスクの有効開孔領域A
を通過した電子ビームにより蛍光体スクリーンの走査領
域aに形成された暗いビームパターンA3と、シャドウ
マスクの有効開孔領域Bを通過した電子ビームにより蛍
光体スクリーンの走査領域bに形成された明るいビーム
パターンB3と、を合わせることにより、走査領域の境
界部における輝度変化を緩和し、画像品位の向上を図る
ことができる。
Even when the dot-shaped phosphor layer and the electron beam passage hole are used as described above, FIGS.
As shown in (d), the effective aperture area A of the shadow mask
The dark beam pattern A3 formed in the scanning area a of the phosphor screen by the electron beam that has passed through, and the bright beam formed in the scanning area b of the phosphor screen by the electron beam that has passed through the effective aperture area B of the shadow mask. By matching with the pattern B3, a change in luminance at the boundary of the scanning area can be reduced, and the image quality can be improved.

【0046】次に、この発明の第3の実施の形態に係る
カラー陰極線管のシャドウマスク40について説明す
る。本実施の形態によれば、図10に示すように、シャ
ドウマスク40の重畳部A1、B1には、それぞれ例え
ば3列の電子ビーム通過孔列51a、52b、52cが
形成され、各電子ビーム通過孔列を構成している電子ビ
ーム通過孔の垂直軸V方向に沿った配列ピッチは、非重
畳部A2、B2における電子ビーム通過孔の垂直軸V方
向の配列ピッチと同一、例えば0.8mmに設定されて
いる。また、重畳部A1、B1における電子ビーム通過
孔列51a、52b、52cの水平軸H方向の配列ピッ
チP4は、非重畳部A2、B2における電子ビーム通過
孔の水平方向Hの配列ピッチP3、例えば0.8mmよ
りも大きく、例えば2倍の1.6mmに設定されてい
る。
Next, a shadow mask 40 of a color cathode ray tube according to a third embodiment of the present invention will be described. According to the present embodiment, as shown in FIG. 10, for example, three electron beam passage hole arrays 51a, 52b, and 52c are formed in the overlapping portions A1 and B1 of the shadow mask 40, respectively. The arrangement pitch along the vertical axis V direction of the electron beam passage holes constituting the hole array is the same as the arrangement pitch of the electron beam passage holes in the vertical axis V direction in the non-overlapping portions A2 and B2, for example, 0.8 mm. Is set. The array pitch P4 of the electron beam passage holes 51a, 52b, 52c in the horizontal axis H direction in the overlapping portions A1, B1 is the array pitch P3 in the horizontal direction H of the electron beam passing holes in the non-overlapping portions A2, B2, for example. It is set to be larger than 0.8 mm, for example, 1.6 mm which is twice as large.

【0047】更に、重畳部A1、B1に設けられた電子
ビーム通過孔列52a、52b、52cは、後述するよ
うに、重畳部A1の電子ビーム通過孔列52a、52
b、52cを通過した電子ビームにより形成されたビー
ムパターンと、重畳部B1の電子ビーム通過孔列52
a、52b、52cを通過した電子ビームにより形成さ
れたビームパターンと、が水平軸H方向に沿って互い違
いに位置するように配置されている。なお、他の構成は
前述した第1の実施の形態と同一であり、その詳細な説
明は省略する。
Further, the electron beam passage hole arrays 52a, 52b and 52c provided in the superimposition portions A1 and B1 are provided with electron beam passage hole arrays 52a and 52
b and 52c, the beam pattern formed by the electron beam passing through the
The beam patterns formed by the electron beams passing through a, 52b, and 52c are arranged so as to be alternately positioned along the horizontal axis H direction. The other configuration is the same as that of the above-described first embodiment, and a detailed description thereof will be omitted.

【0048】図11(a)は、シャドウマスク40の有
効開孔領域Aを通過した電子ビームにより蛍光体スクリ
ーン20の走査領域aに形成された暗いビームパターン
A3を示し、図11(b)は、シャドウマスク40の有
効開孔領域Bを通過した電子ビームにより蛍光体スクリ
ーン20の走査領域bに形成された明るいビームパター
ンB3を示している。
FIG. 11A shows a dark beam pattern A3 formed in the scanning area a of the phosphor screen 20 by the electron beam passing through the effective aperture area A of the shadow mask 40, and FIG. 3 shows a bright beam pattern B3 formed in the scanning area b of the phosphor screen 20 by the electron beam passing through the effective aperture area B of the shadow mask 40.

【0049】図11(a)に示すように、走査領域aの
重複部dには、シャドウマスク40の重畳部A1に設け
られた電子ビーム通過孔列52aないし52cにそれぞ
れ対応した3本のビームパターン60a、60b、60
cが形成される。そして、各ビームパターンは、1つの
ストライプ状蛍光体層上に、かつ、電子ビーム通過孔列
における電子ビーム通過孔の配列ピッチP1とほぼ同等
のピッチで並んだ多数のビームスポットにより構成され
ている。
As shown in FIG. 11A, in the overlapping portion d of the scanning area a, three beams corresponding to the electron beam passing hole arrays 52a to 52c provided in the overlapping portion A1 of the shadow mask 40, respectively. Patterns 60a, 60b, 60
c is formed. Each beam pattern is constituted by a large number of beam spots arranged on one stripe-shaped phosphor layer and arranged at a pitch substantially equal to the arrangement pitch P1 of the electron beam passage holes in the electron beam passage hole array. .

【0050】同様に、図11(b)に示すように、走査
領域bの重複部dには、シャドウマスク40の重畳部B
1に設けられた電子ビーム通過孔列52a、52b、5
2cにそれぞれ対応した3本のビームパターン61a、
61b、61cが形成される。そして、各ビームパター
ンは、1つのストライプ状蛍光体層上に、かつ、電子ビ
ーム通過孔列における電子ビーム通過孔の配列ピッチP
1とほぼ同等のピッチで並んだ多数のビームスポットに
より構成されている。
Similarly, as shown in FIG. 11B, the overlapping portion d of the shadow area
1, the electron beam passage hole arrays 52a, 52b, 5
Three beam patterns 61a respectively corresponding to 2c,
61b and 61c are formed. Each of the beam patterns is arranged on one stripe-shaped phosphor layer, and the arrangement pitch P of the electron beam passage holes in the electron beam passage hole row is formed.
It is composed of a number of beam spots arranged at a pitch substantially equal to 1.

【0051】そして、実際の動作時には、図6(c)に
示すように、電子ビームパターンA3、B3が蛍光体ス
クリーン20上に同時に形成される。そのため、重複部
dにおいては、走査領域a側のビームパターン60aな
いし60cと走査領域b側のビームパターン61aない
し61cとが、水平軸H方向に交互に並んでストライプ
状蛍光体層上に形成される。
During the actual operation, the electron beam patterns A3 and B3 are simultaneously formed on the phosphor screen 20, as shown in FIG. Therefore, in the overlapping portion d, the beam patterns 60a to 60c on the scanning region a side and the beam patterns 61a to 61c on the scanning region b side are formed on the stripe-shaped phosphor layer alternately in the horizontal axis H direction. You.

【0052】従って、第3の実施の形態によれば、図1
1(d)に示すように、重複部dにおいて、暗いビーム
パターンと明るいビームパターンとが交互に位置し、そ
の輝度は、暗いビームパターンA3の輝度と明るいビー
ムパターンB3の輝度とのほぼ中間の輝度となる。そし
て、実際に表示される画像の見え方は、図11(e)に
示すように、重複部dの部分で、暗い側から明るい側に
連続的に輝度が変化した状態となる。そのため、隣合う
2つの走査領域a、bに表示される画像に輝度差がある
場合でも、これらの境界で輝度が急激に変化するこがな
く、走査領域間の境界を目立たなくし画像の連続性を維
持することできる。その結果、表示画面の品位が向上し
たカラー陰極線管を得ることができる。
Therefore, according to the third embodiment, FIG.
As shown in FIG. 1 (d), in the overlapping portion d, the dark beam pattern and the bright beam pattern are alternately positioned, and the luminance thereof is almost intermediate between the luminance of the dark beam pattern A3 and the luminance of the bright beam pattern B3. Brightness. Then, the appearance of the image actually displayed is such that the luminance continuously changes from the dark side to the bright side at the overlapping portion d as shown in FIG. 11E. Therefore, even when there is a luminance difference between the images displayed in the two adjacent scanning areas a and b, the luminance does not change abruptly at these boundaries, the boundaries between the scanning areas are not noticeable, and the continuity of the image is reduced. Can be maintained. As a result, a color cathode ray tube with improved display screen quality can be obtained.

【0053】上述した第3の実施の形態において、電子
銃、および蛍光体スクリーンの蛍光体層として、図12
に示すような、デルタ配列の電子銃およびデルタ配列の
ドット状蛍光体層を用いてもよい。この場合、シャドウ
マスクに形成される電子ビーム通過孔も、スリット状に
代えて、ドット状に形成される。但し、各重畳部におけ
る電子ビーム通過孔の配列は、第3の実施の形態と同様
に、非重畳部における電子ビーム通過孔の水平軸H方向
に沿った配列ピッチよりも大きく、約2倍のピッチに設
定される。
In the third embodiment described above, the electron gun and the phosphor layer of the phosphor screen are formed as shown in FIG.
Alternatively, an electron gun having a delta arrangement and a dot-shaped phosphor layer having a delta arrangement may be used. In this case, the electron beam passage hole formed in the shadow mask is also formed in a dot shape instead of a slit shape. However, as in the third embodiment, the arrangement of the electron beam passage holes in each overlapping portion is larger than the arrangement pitch of the electron beam passage holes in the non-overlapping portion along the horizontal axis H direction, and is about twice as large. Set to pitch.

【0054】このようにドット状の蛍光体層および電子
ビーム通過孔を用いた場合でも、図12(b)ないし図
12(d)に示すように、シャドウマスクの有効開孔領
域Aを通過した電子ビームにより蛍光体スクリーンの走
査領域aに形成された暗いビームパターンA3と、シャ
ドウマスクの有効開孔領域Bを通過した電子ビームによ
り蛍光体スクリーンの走査領域bに形成された明るいビ
ームパターンB3と、を合わせることにより、走査領域
の境界部における輝度変化を緩和し、画像品位の向上を
図ることができる。
Even when the dot-shaped phosphor layer and the electron beam passage hole are used in this way, as shown in FIGS. 12B to 12D, the light passes through the effective aperture area A of the shadow mask. A dark beam pattern A3 formed in the scanning area a of the phosphor screen by the electron beam, and a bright beam pattern B3 formed in the scanning area b of the phosphor screen by the electron beam passing through the effective aperture area B of the shadow mask. , The change in luminance at the boundary of the scanning area can be reduced, and the image quality can be improved.

【0055】更に、第3の実施の形態において、電子
銃、および蛍光体スクリーンの蛍光体層として、図13
に示すような、インライン配列の電子銃およびインライ
ン配列のドット状蛍光体層を用いてもよい。この場合、
シャドウマスクに形成される電子ビーム通過孔も、スリ
ット状に代えて、ドット状に形成される。但し、各重畳
部におけて、垂直軸V方向に沿った電子ビーム通過孔の
ピッチは、非重畳部における電子ビーム通過孔の垂直軸
V方向に沿った配列ピッチよりも大きく、約2倍に設定
され、水平軸H方向に沿ったピッチは、非重畳部におけ
る電子ビーム通過孔の水平軸H方向に沿った配列ピッチ
と同一に設定されている。
Further, in the third embodiment, the electron gun and the phosphor layer of the phosphor screen are formed as shown in FIG.
As shown in the above, an electron gun having an in-line arrangement and a dot-shaped phosphor layer having an in-line arrangement may be used. in this case,
The electron beam passage hole formed in the shadow mask is also formed in a dot shape instead of a slit shape. However, in each overlapping portion, the pitch of the electron beam passing holes along the vertical axis V direction is larger than the arrangement pitch of the electron beam passing holes along the vertical axis V direction in the non-overlapping portion, and is about twice. The set pitch along the horizontal axis H direction is set to be the same as the arrangement pitch of the electron beam passage holes in the non-overlapping portion along the horizontal axis H direction.

【0056】このようにインライン配列のドット状蛍光
体層および電子ビーム通過孔を用いた場合でも、図13
(b)ないし図13(d)に示すように、シャドウマス
クの有効開孔領域Aを通過した電子ビームにより蛍光体
スクリーンの走査領域aに形成された暗いビームパター
ンA3と、シャドウマスクの有効開孔領域Bを通過した
電子ビームにより蛍光体スクリーンの走査領域bに形成
された明るいビームパターンB3と、を合わせることに
より、重複部dにおいて、明るいビームパターンと暗い
ビームパターンとが垂直軸方向に沿って交互に位置す
る。従って、走査領域の境界部における輝度変化を緩和
し、画像品位の向上を図ることができる。
As described above, even when the dot-shaped phosphor layers and the electron beam passage holes in the in-line arrangement are used, FIG.
As shown in FIG. 13B to FIG. 13D, the dark beam pattern A3 formed in the scanning area a of the phosphor screen by the electron beam passing through the effective aperture area A of the shadow mask and the effective opening of the shadow mask By combining the bright beam pattern B3 formed in the scanning area b of the phosphor screen by the electron beam passing through the hole area B, the bright beam pattern and the dark beam pattern are formed along the vertical axis direction at the overlapping portion d. Are located alternately. Therefore, it is possible to alleviate the luminance change at the boundary of the scanning area and improve the image quality.

【0057】なお、この発明は上述した実施の形態に限
定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能で
ある。例えば、蛍光体スクリーンの走査領域の数は、2
つに限らず、必要に応じて増加可能である。同時に、走
査領域の配列方向は、水平軸方向に限らず垂直軸方向と
してもよく、この場合、走査領域の配列方向に応じて、
シャドウマスクの有効開孔領域の重畳部における電子ビ
ーム通過孔の開孔面積を調整することにより、前述した
実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be variously modified within the scope of the present invention. For example, the number of scanning areas of the phosphor screen is 2
The number is not limited to one and can be increased as needed. At the same time, the arrangement direction of the scanning region is not limited to the horizontal axis direction and may be the vertical axis direction. In this case, according to the arrangement direction of the scanning region,
By adjusting the opening area of the electron beam passage hole in the overlapping portion of the effective opening region of the shadow mask, the same operation and effect as in the above-described embodiment can be obtained.

【0058】更に、上記実施の形態では、一体型のシャ
ドウマスクを備えた表示装置について説明したが、本発
明は蛍光体スクリーンを分割走査するものであれば全て
に適用でき、シャドウマスクは複数個に分割された構成
であってもよい。
Further, in the above-described embodiment, the display device having the integrated shadow mask has been described. However, the present invention can be applied to any device that performs scanning by dividing the phosphor screen. The configuration may be divided into two.

【0059】[0059]

【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれ
ば、シャドウマスクの重畳部に設けられた電子ビーム通
過孔を、非重畳部に設けられた電子ビーム通過孔の配列
ピッチよりも大きなピッチで配置することにより、動作
時、隣合う走査領域に相対的に輝度の異なる画面をそれ
ぞれ表示する場合でも、走査領域間の境界部の輝度をそ
の中間の明るさにすることができ、隣接画面の境界が繋
ぎ目が目立たず表示品位の向上した表示装置を提供する
ことができる。
As described above in detail, according to the present invention, the pitch of the electron beam passage holes provided in the overlapping portion of the shadow mask is larger than the arrangement pitch of the electron beam passage holes provided in the non-overlapping portion. By arranging at pitches, during operation, even when screens having relatively different luminances are displayed in adjacent scanning areas, the luminance at the boundary between the scanning areas can be set to an intermediate luminance. It is possible to provide a display device with improved display quality, in which the boundaries between screens are not noticeable.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施の形態に係るカラー陰極線管の
背面側を示す斜視図。
FIG. 1 is a perspective view showing the back side of a color cathode ray tube according to an embodiment of the present invention.

【図2】上記カラー陰極線管の断面図。FIG. 2 is a sectional view of the color cathode ray tube.

【図3】上記カラー陰極線管におけるシャドウマスクを
概略的に示す平面図。
FIG. 3 is a plan view schematically showing a shadow mask in the color cathode ray tube.

【図4】上記シャドウマスクの重畳部および非重畳部の
一部を拡大して示す平面図。
FIG. 4 is an enlarged plan view showing a part of an overlapping portion and a non-overlapping portion of the shadow mask.

【図5】蛍光体スクリーン、シャドウマスクおよび電子
ビームの関係を概略的に示す断面図。
FIG. 5 is a sectional view schematically showing a relationship between a phosphor screen, a shadow mask, and an electron beam.

【図6】上記シャドウマスクの隣合う有効開孔領域の電
子ビーム通過孔を通過した電子ビームにより蛍光体スク
リーン上に形成されたビームパターン、輝度変化、実際
の見え方をそれぞれ概略的に示す図。
FIG. 6 is a diagram schematically showing a beam pattern, a luminance change, and an actual appearance formed on a phosphor screen by an electron beam passing through an electron beam passage hole in an effective aperture area adjacent to the shadow mask. .

【図7】この発明の第2の実施の形態に係るカラー陰極
線管におけるシャドウマスクの重畳部および非重畳部の
一部を拡大して示す平面図。
FIG. 7 is an enlarged plan view showing a part of an overlapping portion and a non-overlapping portion of a shadow mask in a color cathode ray tube according to a second embodiment of the present invention.

【図8】上記第2の実施の形態における上記シャドウマ
スクの隣合う有効開孔領域の電子ビーム通過孔を通過し
た電子ビームにより蛍光体スクリーン上に形成されたビ
ームパターン、輝度変化、実際の見え方をそれぞれ概略
的に示す図。
FIG. 8 shows a beam pattern, a luminance change, and an actual appearance formed on a phosphor screen by an electron beam passing through an electron beam passage hole in an effective aperture area adjacent to the shadow mask in the second embodiment. FIG.

【図9】デルタ配列の電子銃、蛍光体層、および電子ビ
ーム通過孔を用いた変形例に係る電子ビームパターンを
それぞれ概略的に示す図。
FIG. 9 is a view schematically showing an electron beam pattern according to a modification using an electron gun, a phosphor layer, and an electron beam passage hole in a delta arrangement.

【図10】この発明の第3の実施の形態に係るカラー陰
極線管におけるシャドウマスクの重畳部および非重畳部
の一部を拡大して示す平面図。
FIG. 10 is an enlarged plan view showing a part of an overlapping portion and a non-overlapping portion of a shadow mask in a color cathode ray tube according to a third embodiment of the present invention.

【図11】上記第3の実施の形態における上記シャドウ
マスクの隣合う有効開孔領域の電子ビーム通過孔を通過
した電子ビームにより蛍光体スクリーン上に形成された
ビームパターン、輝度変化、実際の見え方をそれぞれ概
略的に示す図。
FIG. 11 shows a beam pattern, a luminance change, and an actual appearance formed on a phosphor screen by an electron beam passing through an electron beam passage hole in an effective aperture area adjacent to the shadow mask in the third embodiment. FIG.

【図12】上記第3の実施の形態において、デルタ配列
の電子銃、蛍光体層、および電子ビーム通過孔を用いた
変形例に係る電子ビームパターンをそれぞれ概略的に示
す図。
FIG. 12 is a view schematically showing an electron beam pattern according to a modification using an electron gun, a phosphor layer, and an electron beam passage hole in a delta arrangement in the third embodiment.

【図13】上記第3の実施の形態において、インライン
配列の電子銃、蛍光体層、および電子ビーム通過孔を用
いた変形例に係る電子ビームパターンをそれぞれ概略的
に示す図。
FIG. 13 is a view schematically showing an electron beam pattern according to a modification using an electron gun, a phosphor layer, and an electron beam passage hole in an in-line arrangement in the third embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…真空外囲器 12…パネル 14…後部外囲器 16…ネック 18…ファンネル 20…蛍光体スクリーン 28…電子銃構体 40…シャドウマスク 52…電子ビーム通過孔 52a、52b、52c、52d…電子ビーム通過孔列 a、b…走査領域 d…重複部 A、B…有効開孔領域 A1、B1…重畳部 A2、B2…非重畳部 A3、B3…ビームパターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Vacuum envelope 12 ... Panel 14 ... Rear envelope 16 ... Neck 18 ... Funnel 20 ... Phosphor screen 28 ... Electron gun assembly 40 ... Shadow mask 52 ... Electron beam passage hole 52a, 52b, 52c, 52d ... Electron Beam passing hole array a, b: scanning area d: overlapping part A, B: effective aperture area A1, B1: overlapping part A2, B2: non-overlapping part A3, B3: beam pattern

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 徳夫 埼玉県深谷市幡羅町1丁目9番2号 株式 会社東芝深谷電子工場内 Fターム(参考) 5C031 EE02 EF05 EG07 EG09 EG11 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Tokuo Hashimoto 1-9-2, Hara-cho, Fukaya-shi, Saitama F-term in Fukaya Electronics Factory, Toshiba Corporation (reference) 5C031 EE02 EF05 EG07 EG09 EG09 EG11

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】内面に蛍光体スクリーンが形成されたほぼ
矩形状のパネルを有した真空外囲器と、 上記真空外囲器内で上記蛍光体スクリーンに対向して設
けられたシャドウマスクと、 それぞれ上記真空外囲器内に設けられ、上記シャドウマ
スクを介して上記蛍光体スクリーンに電子ビームを放射
する複数の電子銃構体と、を備え、 上記電子ビームは、上記蛍光体スクリーンを複数の領域
に分割してそれぞれ主走査方向および主走査方向と直交
する副走査方向へ走査され、 上記複数の電子ビームの走査領域は、上記蛍光体スクリ
ーン上において、上記主走査方向に隣接した他の走査領
域と重なった重複部を有し、 上記シャドウマスクは、それぞれ上記走査領域に対応し
ているとともに多数の電子ビーム通過孔が形成された複
数の有効開孔領域を備え、 上記各有効開孔領域は、上記蛍光体スクリーン上の重複
部に対応する電子ビームが通過する電子ビーム通過孔が
形成された重畳部と、上記重複部以外の走査領域に対応
した電子ビームが通過する電子ビーム通過孔が形成され
た非重畳部と、を有し、 上記各有効開孔領域の重畳部に設けられた電子ビーム通
過孔の上記副走査方向に沿った配列ピッチは、上記非重
畳部に設けられた電子ビーム通過孔の上記副走査方向に
沿った配列ピッチよりも大きく設定されていることを特
徴とする表示装置。
A vacuum envelope having a substantially rectangular panel having a phosphor screen formed on an inner surface thereof; a shadow mask provided in the vacuum envelope so as to face the phosphor screen; A plurality of electron gun assemblies each provided in the vacuum envelope and emitting an electron beam to the phosphor screen through the shadow mask, wherein the electron beam extends the phosphor screen through a plurality of regions. Are scanned in a main scanning direction and a sub-scanning direction orthogonal to the main scanning direction. The scanning region of the plurality of electron beams is another scanning region adjacent to the main scanning direction on the phosphor screen. A plurality of effective aperture areas each of which corresponds to the scanning area and in which a number of electron beam passage apertures are formed. Wherein each of the effective aperture areas has an overlapping portion formed with an electron beam passage hole through which an electron beam corresponding to the overlapping portion on the phosphor screen passes, and an electron beam corresponding to a scanning region other than the overlapping portion. A non-overlapping portion formed with an electron beam passage hole through which the electron beam passes, and the arrangement pitch along the sub-scanning direction of the electron beam passage hole provided in the overlap portion of each of the effective aperture regions is as described above. A display device, wherein an arrangement pitch of electron beam passage holes provided in a non-overlapping portion is set larger than an arrangement pitch along the sub-scanning direction.
【請求項2】各重畳部の電子ビーム通過孔は、それぞれ
上記副走査方向に沿って延びた複数の電子ビーム通過孔
列を形成しているとともに、 1つの電子ビーム通過孔列の電子ビーム通過孔を通過し
た電子ビームと、他の重畳部の1つの電子ビーム通過孔
列の電子ビーム通過孔を通過した電子ビームとが、上記
蛍光体スクリーンの重複部上で上記副走査方向に交互に
並んで連続するように配置されていることを特徴とする
請求項1に記載の表示装置。
2. The electron beam passage hole of each superimposed portion forms a plurality of electron beam passage hole arrays extending along the sub-scanning direction, and the electron beam passage hole of one electron beam passage hole array is formed. The electron beam that has passed through the hole and the electron beam that has passed through the electron beam passage hole of one electron beam passage hole row of the other overlapping portion are alternately arranged in the sub-scanning direction on the overlapping portion of the phosphor screen. The display device according to claim 1, wherein the display device is arranged so as to be continuous.
【請求項3】上記各重畳部の各電子ビーム通過列を構成
する電子ビーム通過孔の上記副走査方向に沿った配列ピ
ッチは、上記非重畳部に設けられた電子ビーム通過孔の
上記副走査方向の配列ピッチのほぼ2倍に形成されてい
ることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
3. The arrangement pitch of the electron beam passage holes constituting each electron beam passage row of each superimposed portion along the sub-scanning direction is determined by the sub-scanning of the electron beam passage holes provided in the non-superimposed portion. The display device according to claim 2, wherein the display device is formed to be approximately twice as large as the arrangement pitch in the direction.
【請求項4】上記各重畳部の電子ビーム通過孔列を構成
する電子ビーム通過孔の上記副走査方向に沿った配列ピ
ッチは、上記非重畳部から離間した電子ビーム通過孔列
ほど大きく形成されていることを特徴とする請求項2に
記載の表示装置。
4. The arrangement pitch of the electron beam passage holes constituting the electron beam passage hole array of each of the superimposed portions along the sub-scanning direction increases as the electron beam passage hole array separated from the non-overlapping portion. The display device according to claim 2, wherein:
【請求項5】上記各重畳部に形成された電子ビーム通過
孔は、上記非重畳部から離れるに従って徐々に開孔面積
が減少していることを特徴とする請求項1又は2に記載
の表示装置。
5. The display according to claim 1, wherein the aperture area of the electron beam passage hole formed in each of the overlapping portions gradually decreases as the distance from the non-overlapping portion increases. apparatus.
【請求項6】上記各重畳部に設けられた電子ビーム通過
孔は、上記非重畳部から離れた電子ビーム通過孔ほど上
記副走査方向に沿った開孔幅が小さく形成されているこ
とを特徴とする請求項1、2、5のいずれか1項に記載
の表示装置。
6. An electron beam passage hole provided in each of the overlapping portions is formed such that an electron beam passage hole farther from the non-overlapping portion has a smaller opening width in the sub-scanning direction. The display device according to claim 1, wherein:
【請求項7】内面に蛍光体スクリーンが形成されたほぼ
矩形状のパネルを有した真空外囲器と、 上記真空外囲器内で上記蛍光体スクリーンに対向して設
けられたシャドウマスクと、 それぞれ上記真空外囲器内に設けられ、上記シャドウマ
スクを介して上記蛍光体スクリーンに電子ビームを放射
する複数の電子銃構体と、を備え、 上記電子ビームは、上記蛍光体スクリーンを複数の領域
に分割してそれぞれ主走査方向および主走査方向と直交
する副走査方向へ走査され、 上記複数の電子ビームの走査領域は、上記蛍光体スクリ
ーン上において、上記主走査方向に隣接した他の走査領
域と重なった重複部を有し、 上記シャドウマスクは、それぞれ上記走査領域に対応し
ているとともに多数の電子ビーム通過孔が形成された複
数の有効開孔領域を備え、 上記各有効開孔領域は、上記蛍光体スクリーン上の重複
部に対応する電子ビームが通過する電子ビーム通過孔が
形成された重畳部と、上記重複部以外の走査領域に対応
した電子ビームが通過する電子ビーム通過孔が形成され
た非重畳部と、を有し、 上記各有効開孔領域の重畳部に設けられた電子ビーム通
過孔の上記主走査方向に沿ったピッチは、上記非重畳部
に設けられた電子ビーム通過孔の上記主走査方向に沿っ
たピッチよりも大きく設定されていることを特徴とする
表示装置。
7. A vacuum envelope having a substantially rectangular panel having a phosphor screen formed on an inner surface thereof; a shadow mask provided in the vacuum envelope so as to face the phosphor screen; A plurality of electron gun assemblies each provided in the vacuum envelope and emitting an electron beam to the phosphor screen through the shadow mask, wherein the electron beam extends the phosphor screen through a plurality of regions. Are scanned in a main scanning direction and a sub-scanning direction orthogonal to the main scanning direction. The scanning region of the plurality of electron beams is another scanning region adjacent to the main scanning direction on the phosphor screen. A plurality of effective aperture areas each of which corresponds to the scanning area and in which a number of electron beam passage apertures are formed. Wherein each of the effective aperture areas has an overlapping portion formed with an electron beam passage hole through which an electron beam corresponding to the overlapping portion on the phosphor screen passes, and an electron beam corresponding to a scanning region other than the overlapping portion. And a non-overlapping portion formed with an electron beam passage hole through which the electron beam passes. The pitch along the main scanning direction of the electron beam passage hole provided at the overlap portion of each of the effective aperture regions is the non-overlapping portion. A display device wherein the pitch of the electron beam passage holes provided in the superimposing portion is set to be larger than the pitch along the main scanning direction.
【請求項8】上記各有効開孔領域の重畳部に設けられた
電子ビーム通過孔の上記主走査方向に沿ったピッチは、
上記非重畳部に設けられた電子ビーム通過孔の上記主走
査方向に沿ったピッチの約2倍に設定されていることを
特徴とする請求項7に記載の表示装置。
8. A pitch along the main scanning direction of an electron beam passage hole provided in a superimposed portion of each of the effective aperture regions is:
8. The display device according to claim 7, wherein a pitch of the electron beam passage holes provided in the non-overlapping portion is set to about twice a pitch along the main scanning direction.
【請求項9】各重畳部の電子ビーム通過孔は、それぞれ
上記副走査方向に沿って延びた複数の電子ビーム通過孔
列を形成しているとともに、 上記重畳部の電子ビーム通過孔列の電子ビーム通過孔を
通過した電子ビームと、隣合う他の重畳部の電子ビーム
通過孔列の電子ビーム通過孔を通過した電子ビームと
が、上記蛍光体スクリーンの重複部上で上記主走査方向
に交互に並ん位置するように配列されていることを特徴
とする請求項7又は8に記載の表示装置。
9. The electron beam passage holes of each superimposing portion form a plurality of electron beam passage hole arrays extending along the sub-scanning direction, respectively. The electron beam that has passed through the beam passage hole and the electron beam that has passed through the electron beam passage hole of the electron beam passage hole row of another adjacent superimposed portion are alternately arranged in the main scanning direction on the overlapping portion of the phosphor screen. The display device according to claim 7, wherein the display device is arranged so as to be arranged side by side.
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