JP2000306536A - Magnifying image formation lens system - Google Patents

Magnifying image formation lens system

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JP2000306536A
JP2000306536A JP11114722A JP11472299A JP2000306536A JP 2000306536 A JP2000306536 A JP 2000306536A JP 11114722 A JP11114722 A JP 11114722A JP 11472299 A JP11472299 A JP 11472299A JP 2000306536 A JP2000306536 A JP 2000306536A
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JP
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lens
diaphragm
position control
intermediate image
disposed
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Makoto Kato
藤 誠 嘉
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Jeol Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To minimize out-of-axis aberration without affecting an intermediate image surface position and magnification by providing an angle restriction diaphragm arranged between a first lens and a second lens, and a diaphragm position control lens arranged at the position of an intermediate image formed by the first lens. SOLUTION: The electron beam generated by an electron gun 1 is converged by a convergent lens 2 and irradiates a sample 3. A first lens L1 (objective lens) is arranged in a subsequent stage of the sample 3, and an angle restriction diaphragm 4 is arranged on a focal plane after the first lens L1. Then, a diaphragm position control lens LA is arranged at the position of an intermediate image formed by the first lens L1, and the intensity of the diaphragm position control lens LA is so set that the trajectory of the electron beam in a second lens L2 is formed as low as possible and the trajectory passes the center of the second lens L2. This is equivalent to positioning a diaphragm at the position of the second lens L2. Thereby, the out- of-axis aberration of the second lens L2 can be minimized.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】 本発明は、透過型電子顕微
鏡(TEM)や、光電子顕微鏡(PEEM)や、低エネ
ルギー反射電子顕微鏡(LEEM)等の拡大結像レンズ
系に関する。
The present invention relates to a magnifying imaging lens system such as a transmission electron microscope (TEM), a photoelectron microscope (PEEM), and a low energy reflection electron microscope (LEEM).

【0002】[0002]

【従来の技術】 透過型電子顕微鏡や、光電子顕微鏡
や、低エネルギー反射電子顕微鏡等の拡大結像レンズ系
において、高倍率の条件では、対物レンズの軸上収差
(球面収差、色収差)で全体の性能がほとんど決まって
しまうのに対し、低倍率の条件では、各レンズの軸外を
電子線が通るので、低倍になればなるほど軸外収差(コ
マ、非点、像面湾曲、歪曲)を小さく抑えるのが難しく
なる。
2. Description of the Related Art In a magnifying imaging lens system such as a transmission electron microscope, a photoelectron microscope, and a low-energy reflection electron microscope, under high-magnification conditions, the axial aberration (spherical aberration, chromatic aberration) of the objective lens as a whole increases. The performance is almost determined, but under low magnification conditions, the electron beam passes off the axis of each lens, so the lower the magnification, the more off-axis aberrations (coma, astigmatism, curvature of field, distortion) It is difficult to keep it small.

【0003】従来、低倍のレンズ条件を決める際は、次
のような手順がとられている。まず、所定の倍率になる
ような各レンズ強度の組み合わせを1つ求め、全系とし
ての軸外収差を評価する。もし軸外収差が許容範囲に入
ればそれを採用し、そうでない場合は、軸外収差に関し
て寄与の大きいレンズを見つける。そして、そのレンズ
の収差が小さくなるような、あるいは他のレンズとの間
で打ち消し合うような電子軌道になるように、各レンズ
の強さの組み合わせを変えていく。
Conventionally, the following procedure has been used to determine low magnification lens conditions. First, one combination of lens intensities at which a predetermined magnification is obtained is obtained, and off-axis aberrations of the entire system are evaluated. If the off-axis aberration falls within the allowable range, it is adopted; otherwise, a lens that makes a large contribution to off-axis aberration is found. Then, the combination of the strengths of the lenses is changed so that the aberration of the lens becomes small or the electron trajectory cancels out with other lenses.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、この
作業は、自由度が多いために極めて複雑なものとなり、
経験と勘を要するものである。また、レンズ強度の組み
合わせだけで軸外収差を許容範囲に抑えることは、常に
可能とは限らない。
However, this work is extremely complicated due to the high degree of freedom.
It requires experience and intuition. Further, it is not always possible to suppress off-axis aberration to an allowable range only by a combination of lens intensities.

【0005】本発明はこのような点に鑑みて成されたも
ので、その目的は、軸外収差を最小に抑えることができ
る拡大結像レンズ系を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an enlarged imaging lens system capable of minimizing off-axis aberrations.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】 この目的を達成する本
発明の拡大結像レンズ系は、電子線通路に沿って順次配
置される第1および第2のレンズと、前記第1のレンズ
と第2のレンズの間に配置された角度制限絞りと、前記
第1のレンズのつくる中間像の位置に配置された絞り位
置制御レンズを備えた拡大結像レンズ系であり、前記絞
り位置制御レンズは、前記第2のレンズの軸外収差が最
小となるように制御されることを特徴とする。
Means for Solving the Problems To achieve this object, a magnifying imaging lens system according to the present invention comprises a first lens and a second lens sequentially arranged along an electron beam path; And a stop position control lens disposed at a position of an intermediate image formed by the first lens, wherein the stop position control lens is The second lens is controlled so that off-axis aberration of the second lens is minimized.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】 さて、本発明の実施の形態につ
いて説明する前に、まず、本発明の考え方について説明
する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Before describing the embodiments of the present invention, the concept of the present invention will be described first.

【0008】一般に拡大結像レンズ系には、試料の各点
から出る電子の出射角をある範囲に制限するための絞り
が必要で、この絞りの径は通常、空間分解能が最良にな
るような値に設定される。
In general, a magnifying imaging lens system requires a stop for limiting the exit angle of electrons emitted from each point of the sample to a certain range. The diameter of the stop is usually such that the spatial resolution is the best. Set to value.

【0009】透過型電子顕微鏡ではこの絞りは対物レン
ズの後焦点面に置かれ、対物絞りと呼ばれるが、以下の
説明においては一般に、角度制限絞りと呼ぶことにす
る。なお、光電子顕微鏡のように、電子が試料の各点か
らほぼ等方角的に放出される場合は、角度制限絞りが焦
点面にある必要はない。
In a transmission electron microscope, this stop is located at the back focal plane of the objective lens and is called an objective stop. In the following description, it is generally called an angle limiting stop. When electrons are emitted from each point of the sample substantially isotropically as in a photoelectron microscope, the angle limiting aperture does not need to be at the focal plane.

【0010】軸上収差、すなわち球面収差と色収差は、
試料面の光軸上の点から出た電子の開き角で決まるの
で、上述した角度制限絞りをどこに置くかは本質的では
ない。しかし、軸外収差は一般にこの角度制限絞り位置
の関数であり、ある軸外収差は特定の絞り位置で零とな
ることがあり、またそうでないものも、最小となる絞り
位置が存在する。
On-axis aberrations, ie, spherical aberration and chromatic aberration,
Since the angle is determined by the opening angle of electrons emitted from a point on the optical axis of the sample surface, it is not essential where the angle limiting aperture described above is placed. However, off-axis aberrations are generally a function of this angle-limited aperture position, and some off-axis aberrations may be zero at a particular aperture position, while others may have a minimum aperture position.

【0011】よって、軸外収差を全て考慮した場合、そ
れらの影響を合わせたものが最小になるような絞り位置
というものが存在することになる。しかし、この最適絞
り位置は倍率ごとに変わってしまう。そこで、倍率に応
じて絞りを最適位置に移動するという手法がまず考えら
れるが、これはもちろん現実的ではない。
Therefore, when all off-axis aberrations are taken into consideration, there is a stop position that minimizes the combined effect thereof. However, this optimum aperture position changes for each magnification. Therefore, a method of moving the diaphragm to an optimum position according to the magnification can be considered first, but this is, of course, not practical.

【0012】現実的なものとして考え出されたのが本発
明であり、本発明の手法は、拡大結像レンズ系の中間像
面位置に、レンズを1個追加することである。この中間
像位置に置かれたレンズは、像面の位置、および全体の
倍率には影響を与えず、等価的に角度制限絞り位置を移
動させる働きをする。つまり、像位置と倍率を不変に保
ったままで、軸外収差だけを変化させることが可能とな
る。そこで、倍率ごとにこのレンズの強度を最適値に設
定すれば、軸外収差を常に最小にすることができる。以
下では、このレンズを絞り位置制御レンズと呼ぶ。
The present invention has been conceived as being realistic, and the technique of the present invention is to add one lens to the intermediate image plane position of the magnifying imaging lens system. The lens placed at the intermediate image position does not affect the position of the image plane and the overall magnification, and functions to equivalently move the angle limiting aperture position. That is, it is possible to change only the off-axis aberration while keeping the image position and the magnification unchanged. Therefore, by setting the strength of this lens to an optimum value for each magnification, off-axis aberration can always be minimized. Hereinafter, this lens is called an aperture position control lens.

【0013】以上、本発明の考え方について説明した
が、以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説
明する。
The concept of the present invention has been described above. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0014】図1は、本発明の拡大結像レンズ系の一例
を示した図であり、この拡大結像レンズ系を備えた透過
型電子顕微鏡を示した図である。
FIG. 1 is a view showing an example of a magnified imaging lens system according to the present invention, and is a view showing a transmission electron microscope provided with the magnified imaging lens system.

【0015】図1において、1は電子銃であり、電子銃
1で発生した電子線は集束レンズ2で集束されて試料3
を照射する。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes an electron gun, and an electron beam generated by the electron gun 1 is focused by a focusing lens 2 to form a sample 3.
Is irradiated.

【0016】試料3の後段には、試料を透過した電子を
結像する第1のレンズ(対物レンズ)L1が配置されて
おり、第1のレンズL1の後焦点面には角度制限絞り4
が配置されている。また、第1のレンズL1の作る中間
像の位置には、絞り位置制御レンズLAが配置されてい
る。
A first lens (objective lens) L 1 for forming an image of electrons transmitted through the sample is disposed at a stage subsequent to the sample 3, and an angle limiting aperture is provided on a rear focal plane of the first lens L 1. 4
Is arranged. Also, the position of the intermediate image making the first lens L 1 is the diaphragm position control lens L A is disposed.

【0017】絞り位置制御レンズLAの後段には第2の
レンズL2が配置されており、その後段の最終像面には
螢光板5が配置されている。
A second lens L 2 is disposed downstream of the stop position control lens LA, and a fluorescent plate 5 is disposed on the final image plane of the subsequent stage.

【0018】以上、図1の透過型電子顕微鏡の構成につ
いて説明したが、図3は、絞り位置制御レンズLAを有
していない従来の透過型電子顕微鏡を示した図である。
この従来の電子顕微鏡においては、第1のレンズL1
拡大作用の結果として、第2のレンズL2での電子線の
軌道が高くなり(光軸から遠ざかる)、軸外収差はL2
の発生するものが主となる。
[0018] Having described the structure of the transmission electron microscope of FIG. 1, FIG. 3 is a diagram illustrating a conventional transmission electron microscope non an aperture stop position control lens L A.
In this conventional electron microscope, as a result of the expansion operation of the first lens L 1, (away from the optical axis) orbit of the electron beam in the second lens L 2 becomes high, off-axis aberrations L 2
Are mainly generated.

【0019】そこで、本発明においては図1に示すよう
に、L1の作る中間像の位置に絞り位置制御レンズLA
配置されており、L2での電子線の軌道がなるべく低く
なるように、言い換えれば、軌道がL2の中心を通るよ
うにLAの強さが設定される。この結果、L2の軸外収差
が最小限に抑えられる。これは等価的に、L2の位置に
絞りを置いたことに相当する。
[0019] Therefore, as shown in FIG. 1 in the present invention, L 1 of which the position control lens L A stop at the position of the intermediate image is arranged to make, so that the trajectory of the electron beam in the L 2 becomes as low as possible in other words, it tracks the strength of L a so as to pass through the center of L 2 is set. Consequently, off-axis aberrations of L 2 is minimized. This equivalently, equivalent to put a stop to a position of L 2.

【0020】実際には、第2のレンズL2は、中間レン
ズ系と投影レンズを合わせた複数のレンズからなってい
るが、この場合でも軸外収差に関しての倍率ごとの最適
絞り位置が存在することは同じであり、その位置に等価
的に絞りが来るように倍率ごとにLAの強さを設定すれ
ばよい。
In practice, the second lens L 2 is composed of a plurality of lenses including an intermediate lens system and a projection lens. Even in this case, there is an optimum aperture position for each magnification with respect to off-axis aberration. it is the same, may be set the strength of L a for each magnification as the diaphragm comes equivalently to that position.

【0021】以上、図1の装置について説明したが、こ
の例では、L1にとっての絞り位置はLAによって変わら
ず、L2に対しての絞り位置のみがLAの強さによって変
化する。もしLAの使用によってL2の軸外収差を小さく
できても、残ったL1の軸外収差が問題になる場合もあ
り得る。この時は、図2に示すように、まず現実の角度
制限絞りをL1の主面付近に置き、その絞り位置の共役
面がL2の位置(L2が複数のレンズから成るときは、そ
れらの軸外収差を合わせたものが最小になる位置)にな
るようにLAを設定すればよい。これによって、L1とL
2の両方の軸外収差が最小化される。
[0021] Having described apparatus of Figure 1, in this example, the diaphragm position for the L 1 is not changed by L A, only the diaphragm position with respect to L 2 is changed by the strength of L A. If even possible to reduce the off-axis aberrations of L 2 by the use of L A, there may be a case where the off-axis aberrations of the remaining L 1 becomes a problem. At this time, as shown in FIG. 2, first, place the actual angle limiting aperture near the main surface of the L 1, when the position conjugate plane of L 2 of the aperture position (L 2 comprises a plurality of lenses, the combined their axis aberrations may be set to L a so that the position) is minimized. This gives L 1 and L
2 of both off-axis aberrations are minimized.

【0022】また、図2の場合と同じ事であるが、現実
の角度制限絞りをL2の主面に一致させて置き、この絞
り位置の共役面がL1の主面に一致するようにLAを設定
してもよい。例えばL1が静電レンズ、あるいは電磁場
重畳型のレンズである場合、そのレンズの中心に現実の
角度制限絞りを入れるのは一般に難しく、そのような場
合はこの方法が有効である。
Further, as it is the same thing as in Fig. 2, Place the actual angle limiting aperture is aligned with the major surface of the L 2, a conjugate plane of the diaphragm position is matched to the main surface of the L 1 the L a may be set. For example, if L 1 is an electrostatic lens or a field superimposing type lens, it is generally difficult to put the actual angle limiting aperture in the center of the lens, in such cases this method is effective.

【0023】さて、図4〜6は、図1〜3に対応した実
際の収差計算例を示した図である。各図において、上が
電子軌道と各レンズの作る軸上磁場分布を示し、下が最
終像面での収差図形である。なお、レンズはすべて標準
的な磁界レンズを仮定している。
FIGS. 4 to 6 are diagrams showing examples of actual aberration calculation corresponding to FIGS. In each figure, the upper part shows the electron trajectory and the axial magnetic field distribution created by each lens, and the lower part shows the aberration pattern on the final image plane. The lenses are all assumed to be standard magnetic lenses.

【0024】図6に示すように、従来においては大きな
歪曲が目立ち、さらに試料上の一点から出たビームのボ
ケも軸外に行くにしたがって大きくなっている。
As shown in FIG. 6, a large distortion is conspicuous in the prior art, and the blur of a beam emitted from one point on the sample increases as the distance from the axis increases.

【0025】これに対し、図1の装置では、図4に示す
ように、ボケに関する軸外収差はまだ残っている(この
例では、主として像面湾曲収差)が、L2の軸外収差は
最小化されている。
[0025] In contrast, in the apparatus of FIG. 1, as shown in FIG. 4, the off-axis aberrations (in this example, mainly curvature aberration) still remaining about blur, off-axis aberrations of L 2 is Has been minimized.

【0026】そして、図2の装置では、図5に示すよう
に、L1の軸外収差まで最小化されることによって、図
1の装置における収差は問題のない大きさになってい
る。
[0026] Then, in the apparatus of Figure 2, as shown in FIG. 5, by being minimized to off-axis aberrations of L 1, the aberration is sized no problem in the apparatus of FIG.

【0027】以上、本発明を透過型電子顕微鏡に適用し
た場合について説明したが、本発明をLEEMやPEE
M等にも適用することができる。
The case where the present invention is applied to a transmission electron microscope has been described above.
M can also be applied.

【0028】すなわち、試料に電子線を照射し、試料か
ら発生した反射電子に基づく像をスクリーンに結像させ
るLEEMや、試料に紫外線等を照射し、試料から発生
した光電子に基づく像をスクリーンに結像させるPEE
Mにおいて、それらの結像レンズ系に本発明を適用すれ
ば、中間像面位置と倍率に影響を与えずに、軸外収差を
最小に抑えることができる。
That is, LEEM which irradiates a sample with an electron beam and forms an image based on reflected electrons generated from the sample on a screen, or irradiates a sample with ultraviolet rays or the like and applies an image based on photoelectrons generated from the sample to a screen. PEE to be imaged
In M, if the present invention is applied to those imaging lens systems, off-axis aberrations can be minimized without affecting the intermediate image plane position and magnification.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の拡大結像レンズ系の一例を示した図
である。
FIG. 1 is a diagram showing an example of an enlarged imaging lens system of the present invention.

【図2】 本発明の他の例を示した図である。FIG. 2 is a diagram showing another example of the present invention.

【図3】 従来の透過型電子顕微鏡を説明するために示
した図である。
FIG. 3 is a view shown for explaining a conventional transmission electron microscope.

【図4】 図1の装置における実際の収差計算例を示し
た図である。
FIG. 4 is a diagram showing an example of actual aberration calculation in the apparatus of FIG. 1;

【図5】 図2の装置における実際の収差計算例を示し
た図である。
FIG. 5 is a diagram showing an example of actual aberration calculation in the apparatus of FIG. 2;

【図6】 図3の装置における実際の収差計算例を示し
た図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating an example of actual aberration calculation in the apparatus of FIG. 3;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…電子銃、2…集束レンズ、3…試料、4…角度制限
絞り、5…螢光板、L 1…第1のレンズ、L2…第2のレ
ンズ、LA…絞り位置制御レンズ
 1. Electron gun, 2. Focusing lens, 3. Sample, 4. Angle limitation
Aperture, 5 ... Fluorescent plate, L 1... First lens, LTwo... the second record
, LA… Aperture position control lens

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子線通路に沿って順次配置される第1
および第2のレンズと、前記第1のレンズと第2のレン
ズの間に配置された角度制限絞りと、前記第1のレンズ
のつくる中間像の位置に配置された絞り位置制御レンズ
を備えた拡大結像レンズ系であり、前記絞り位置制御レ
ンズは、前記第2のレンズの軸外収差が最小となるよう
に制御されることを特徴とする拡大結像レンズ系。
1. A method according to claim 1, further comprising:
And a second lens, an angle-limiting diaphragm disposed between the first lens and the second lens, and a diaphragm position control lens disposed at a position of an intermediate image formed by the first lens. An enlarged imaging lens system, wherein the stop position control lens is controlled such that off-axis aberration of the second lens is minimized.
【請求項2】 電子線通路に沿って順次配置される第1
および第2のレンズと、前記第1のレンズの主面付近に
配置された角度制限絞りと、前記第1のレンズのつくる
中間像の位置に配置された絞り位置制御レンズを備えた
拡大結像レンズ系であり、前記絞り位置制御レンズは、
前記第2のレンズの軸外収差が最小となるように制御さ
れることを特徴とする拡大結像レンズ系。
2. A method according to claim 1, further comprising:
And a second lens; an angle-limiting diaphragm disposed near the main surface of the first lens; and an enlarged imaging system comprising a diaphragm position control lens disposed at a position of an intermediate image formed by the first lens. Lens system, wherein the aperture position control lens,
A magnified imaging lens system, wherein the off-axis aberration of the second lens is controlled to be minimized.
【請求項3】 電子線通路に沿って順次配置される第1
および第2のレンズと、該第2のレンズの主面上に配置
された角度制限絞りと、前記第1のレンズのつくる中間
像の位置に配置された絞り位置制御レンズを備えた拡大
結像レンズ系であり、前記絞り位置制御レンズは、前記
角度制限絞り位置の共役面が前記第1のレンズの主面に
一致するように制御されることを特徴とする拡大結像レ
ンズ系。
3. A first arrangement sequentially arranged along an electron beam path.
And a second lens, an angle-limiting diaphragm disposed on a main surface of the second lens, and an enlarged image-forming lens comprising a diaphragm position control lens disposed at a position of an intermediate image formed by the first lens. A magnified imaging lens system, which is a lens system, wherein the stop position control lens is controlled such that a conjugate plane of the angle limiting stop position coincides with a main surface of the first lens.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012049120A (en) * 2010-07-29 2012-03-08 Jeol Ltd Charged particle beam device

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