JP2000306435A - Conductive high-polymer thin film - Google Patents

Conductive high-polymer thin film

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JP2000306435A
JP2000306435A JP11113341A JP11334199A JP2000306435A JP 2000306435 A JP2000306435 A JP 2000306435A JP 11113341 A JP11113341 A JP 11113341A JP 11334199 A JP11334199 A JP 11334199A JP 2000306435 A JP2000306435 A JP 2000306435A
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Japan
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conductive polymer
thin film
polymer
phase
conductive high
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Japanese (ja)
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Haruhiro Asami
晴洋 浅見
Hisao Takeuchi
久雄 竹内
Masahiro Kobashi
昌浩 小橋
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Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive high-polymer thin film having power of spatial resolution added to functions, such as electric conduction, possessed by a conductive high polymer, or a conductive high-polymer thin film capable of combining functions, such as electric conduction and electromagnetic shielding, of a conductive high polymer with functions, such as reflection prevention, deriving from a phase separation structure. SOLUTION: This conductive high-polymer thin film with a phase separation structure is obtained by dissolving at least one kind of conductive high polymer and at least one kind of non-conductive high polymer in a common solvent, and coating a solid substrate with thus obtained high-polymer solution. The phases of the conductive high polymer include substantially columnar shapes, and the phases of the conductive high polymer are in contact with the solid substrate, or connected with continuity to the phases of the conductive high polymer in contact with the solid substrate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、導電性高分子と非
導電性高分子が相分離して形成された構造を含む導電性
高分子薄膜に関する。詳しくは、導電性高分子の有する
電気伝導などの機能に空間的な分解能を付加して利用で
きる導電性高分子薄膜、或いは導電性高分子の電気伝
導、電磁遮蔽などの機能と相分離構造に由来する反射防
止等の機能を複合化可能な導電性高分子薄膜に関する。
The present invention relates to a conductive polymer thin film having a structure in which a conductive polymer and a non-conductive polymer are formed by phase separation. To be more specific, a conductive polymer thin film that can be used by adding spatial resolution to the functions such as electric conductivity of a conductive polymer or a function such as electric conduction and electromagnetic shielding of a conductive polymer and a phase separation structure The present invention relates to a conductive polymer thin film capable of combining functions such as antireflection and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】1次元π共役系高分子は、その電気伝導
度などの電子物性や光物性がドーピングによって広い範
囲で変化するいわゆる導電性高分子であり、精力的な研
究が行われている。以下、ドーピングのレベルにかかわ
らず、1次元π共役系高分子を導電性高分子と呼ぶこと
とする。例えば、ドープされた高電気伝導度の導電性高
分子微粒子を、フィラーとして可撓性や力学的強度に富
む非導電性高分子のフィルムに分散させることにより、
導電性の高分子フィルムを得ることができる(例えばP.
Banerjee and B. M. Mandal, Macromolecules 28, 394
0 (1995))。このような検討では、一般に、予めドーピ
ングされた導電性高分子がフィラーとして用いられる。
また、類似した化学構造を有する可溶性の導電性高分子
と非導電性高分子の双方を溶解する共通溶媒に両者を溶
解せしめ、その混合溶液をキャストすることにより薄膜
を得、さらにかかる薄膜をドーピングする試みもなされ
た(S. Hotta, S. D. D. V. Rughooputh and A. J. Hee
ger, Synth. Met. 22, 79 (1987))。この場合、該薄膜
に含まれる導電性高分子と非導電性高分子が数nmのオー
ダーで比較的均一に混合していることが示されている。
2. Description of the Related Art A one-dimensional π-conjugated polymer is a so-called conductive polymer in which electronic and optical properties such as electric conductivity are changed over a wide range by doping, and vigorous research is being conducted. . Hereinafter, the one-dimensional π-conjugated polymer is referred to as a conductive polymer regardless of the doping level. For example, by dispersing doped high-conductivity conductive polymer fine particles in a non-conductive polymer film rich in flexibility and mechanical strength as a filler,
A conductive polymer film can be obtained (for example,
Banerjee and BM Mandal, Macromolecules 28, 394
0 (1995)). In such a study, a conductive polymer that has been doped in advance is generally used as a filler.
In addition, a thin film is obtained by dissolving both a soluble conductive polymer and a non-conductive polymer having a similar chemical structure in a common solvent that dissolves both, and casting a mixed solution to obtain a thin film. (S. Hotta, SDDV Rughooputh and AJ Hee
ger, Synth. Met. 22, 79 (1987)). In this case, it is shown that the conductive polymer and the non-conductive polymer contained in the thin film are relatively uniformly mixed on the order of several nm.

【0003】また、導電性高分子は高分子電界発光素子
の発光層としても用いられ、この場合、溶媒に可溶な導
電性高分子の溶液を塗布することにより薄膜が形成され
る(例えば、W. Rie, in "Organic Electroluminescent
Materials and Devices", S. Miyata and H. S. Nalwa
ed., Gordon and Breach, 1997, p.73 )。高分子電界
発光素子の研究において、発光性の導電性高分子と非発
光性の非導電性高分子(ポリスチレン、ポリメチルメタ
クリレート、ポリカーボネートなど)を共通の溶媒に溶
解せしめ、かかる高分子溶液を塗布することにより、該
導電性高分子及び該非導電性高分子が形成する相分離構
造を利用した例が報告されている(O. Inganas, in "Or
ganic Electroluminescent Materials and Devices",
S. Miyataand H. S. Nalwa ed., Gordon and Breach, 1
997, p.147)。この場合、相分離によって形成された導
電性高分子のドメインが発光することが知られている。
導電性高分子を電界発光素子の発光層として用いる場
合、ドーピングは行われないか、或いは、発光効率を向
上させる目的で電気化学的ドーピングが行われることが
ある。このように、導電性高分子と非導電性高分子の混
合物を用い、導電性高分子の電子物性や光物性を利用す
る薄膜に関する検討は盛んに行われている。しかしなが
ら、電界発光以外の用途において、相分離によって形成
される構造を利用した検討はない。
In addition, a conductive polymer is also used as a light emitting layer of a polymer electroluminescent device. In this case, a thin film is formed by applying a solution of a conductive polymer soluble in a solvent (for example, W. Rie, in "Organic Electroluminescent
Materials and Devices ", S. Miyata and HS Nalwa
ed., Gordon and Breach, 1997, p. 73). In research on polymer electroluminescent devices, a luminescent conductive polymer and a non-luminescent non-conductive polymer (polystyrene, polymethyl methacrylate, polycarbonate, etc.) are dissolved in a common solvent, and the polymer solution is applied. The use of a phase separation structure formed by the conductive polymer and the non-conductive polymer has been reported (O. Inganas, in "Or"
ganic Electroluminescent Materials and Devices ",
S. Miyataand HS Nalwa ed., Gordon and Breach, 1
997, p.147). In this case, it is known that the domain of the conductive polymer formed by the phase separation emits light.
When a conductive polymer is used as a light emitting layer of an electroluminescent element, doping may not be performed, or electrochemical doping may be performed for the purpose of improving luminous efficiency. As described above, studies on thin films using a mixture of a conductive polymer and a non-conductive polymer and utilizing the electronic and optical properties of the conductive polymer have been actively conducted. However, there is no study utilizing a structure formed by phase separation in applications other than electroluminescence.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上述のように、導電性
高分子と非導電性高分子の混合物を用いた薄膜に関する
研究は精力的に行われているが、従来の技術は、電界発
光の用途を除くと、係る導電性高分子を含む薄膜全体と
しての電子物性や光物性(いわゆるバルクとしての物
性)に着目したものであり、かかる物性の空間的な分解
能や、かかる物性と相分離構造に由来する機能を複合化
して利用した例はない。一方、電界発光の用途において
は、導電性高分子と非導電性高分子の混合物が形成する
相分離構造が利用され、薄膜中に分散した微小な導電性
高分子のドメインが発光するという、空間的な分解能を
有した電界発光が実現されているが、導電性高分子の発
光機能を利用する上では、かかる発光ドメインの伝導度
は本質的に極めて低い。
As described above, research on thin films using a mixture of a conductive polymer and a non-conductive polymer has been conducted energetically, but the prior art is based on electroluminescence. Excluding applications, the focus is on the electronic and optical properties of the entire thin film containing the conductive polymer (so-called physical properties as a bulk), such as the spatial resolution of such physical properties and the phase separation structure with such physical properties. There is no example in which functions derived from are combined and used. On the other hand, in electroluminescence applications, a phase separation structure formed by a mixture of a conductive polymer and a non-conductive polymer is used, and fine conductive polymer domains dispersed in a thin film emit light. Although electroluminescence with a high resolution has been realized, the conductivity of such a light-emitting domain is essentially extremely low when utilizing the light-emitting function of a conductive polymer.

【0005】一方、導電性高分子の電気伝導度はドーピ
ングによって半導体〜金属の範囲で調整することができ
る。本発明の目的は、導電性高分子と非導電性高分子の
混合物の相分離構造を利用することにより、電界発光以
外の用途において、半導体〜金属の電気伝導度を有する
導電性高分子の相が空間的に分布した薄膜、すなわち、
導電性高分子の電子物性や光物性を空間的な分解能をも
って利用できる薄膜や、相分離構造に基づく光学的な機
能等(例えば反射防止機能など)と導電性高分子の有す
る導電性や電磁遮蔽性などの機能の複合化が可能な薄膜
を提供することにある。
On the other hand, the electric conductivity of the conductive polymer can be adjusted in the range of semiconductor to metal by doping. An object of the present invention is to utilize a phase-separated structure of a mixture of a conductive polymer and a non-conductive polymer, so that a phase of a conductive polymer having a semiconductor to metal electric conductivity can be used in applications other than electroluminescence. Are spatially distributed thin films, that is,
Thin films that can use the electronic and optical properties of conductive polymers with spatial resolution, optical functions based on phase-separated structures (such as anti-reflection functions), and the conductivity and electromagnetic shielding of conductive polymers An object of the present invention is to provide a thin film capable of combining functions such as properties.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の課題
を克服すべく鋭意検討を重ねた結果、非相溶である1種
類以上の可溶性導電性高分子と1種類以上の非導電性可
溶性高分子を両者の共通溶媒に溶解せしめた高分子混合
溶液を塗布し、相分離構造の形成を塗布条件等によって
制御することにより、導電性高分子の機能に空間的な分
解能を付加したり、或いは、導電性高分子の機能と相分
離構造に基づく機能が複合化可能な導電性高分子薄膜を
製造できることを見出し本発明に到達した。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have made intensive studies to overcome the above-mentioned problems, and as a result, have found that one or more soluble insoluble polymers and one or more non-conductive polymers are incompatible. By applying a polymer mixture solution in which a soluble polymer is dissolved in a common solvent for both, and controlling the formation of a phase-separated structure by coating conditions, etc., it is possible to add spatial resolution to the function of the conductive polymer. Alternatively, the present inventors have found that a conductive polymer thin film capable of combining the function of the conductive polymer and the function based on the phase separation structure can be produced, and reached the present invention.

【0007】即ち本発明の要旨は、少なくとも1種の導
電性高分子及び少なくとも1種の非導電性高分子を共通
溶媒に溶解せしめ、かかる高分子溶液を固体基板上に塗
布して得られる相分離構造を有する導電性高分子薄膜で
あって、該導電性高分子の相が略柱状の形態を含み、か
かる導電性高分子の相が、固体基板に接しているか、或
いは固体基板に接している導電性高分子の相と連続して
いることを特徴とする導電性高分子薄膜、に存する。
That is, the gist of the present invention is to provide a phase obtained by dissolving at least one kind of conductive polymer and at least one kind of non-conductive polymer in a common solvent and applying the polymer solution on a solid substrate. A conductive polymer thin film having a separation structure, wherein the phase of the conductive polymer includes a substantially columnar form, and the phase of the conductive polymer is in contact with the solid substrate or in contact with the solid substrate. A conductive polymer thin film characterized by being continuous with a conductive polymer phase.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、本発明につき更に詳細に説
明する。本発明において対象となる導電性高分子は、溶
媒に可溶な1次元π共役系高分子であり、その溶解度は
通常、0.1 mg/mL以上、望ましくは0.5mg
/mL以上、更に望ましくは1mg/mL以上である。
導電性高分子の種類は特に限定されるものではないが、
ポリパラフェニレン系高分子、ポリパラフェニレンビニ
レン系高分子、ポリチオフェン系高分子、ポリアニリン
系高分子、またはそれらを含む共重合体などが例示され
る。非導電性高分子は、係る導電性高分子と共通の溶媒
に可溶であり、その溶解度は、通常、0.1 mg/m
L以上、望ましくは0.5mg/mL以上、更に望まし
くは1mg/mL以上である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in more detail. The conductive polymer to be used in the present invention is a one-dimensional π-conjugated polymer soluble in a solvent, and the solubility thereof is usually 0.1 mg / mL or more, preferably 0.5 mg / mL.
/ ML or more, more preferably 1 mg / mL or more.
The type of the conductive polymer is not particularly limited,
Examples thereof include a polyparaphenylene polymer, a polyparaphenylenevinylene polymer, a polythiophene polymer, a polyaniline polymer, and a copolymer containing them. The non-conductive polymer is soluble in a common solvent with the conductive polymer, and its solubility is usually 0.1 mg / m 2.
L or more, preferably 0.5 mg / mL or more, more preferably 1 mg / mL or more.

【0009】かかる非導電性高分子の種類は特に限定さ
れるものではないが、ポリスチレン系高分子、ポリメタ
クリレート系高分子、ポリカーボネート系高分子、ポリ
フェニレンオキシド系高分子などがあげられる。但し、
相溶性の高い導電性高分子と非導電性高分子の組み合わ
せは、明確な相分離構造を形成しないこともあるため、
望ましくない。上記導電性高分子と非導電性高分子との
量比は、両者の合計量中の導電性高分子の重量として、
通常10〜90%、好ましくは20〜80%、更に好ま
しくは30〜70%である。
The type of the non-conductive polymer is not particularly limited, and examples thereof include a polystyrene polymer, a polymethacrylate polymer, a polycarbonate polymer, and a polyphenylene oxide polymer. However,
The combination of highly compatible conductive and non-conductive polymers may not form a clear phase separation structure,
Not desirable. The amount ratio of the conductive polymer and the non-conductive polymer, as the weight of the conductive polymer in the total amount of both,
Usually, it is 10 to 90%, preferably 20 to 80%, more preferably 30 to 70%.

【0010】本発明において対象となる共通溶媒は、用
いる導電性高分子と非導電性高分子と組み合わせによっ
ても異なるが、例えば、クロロホルム、四塩化炭素、ジ
クロロメタン、トルエン、キシレン、ベンゼン、ジクロ
ロベンゼン、テトラヒドロフラン、メチルエチルケト
ン、ジオキサン、N−メチルピロリドン等が挙げられ
る。これらは単独で用いても、二種以上の混合溶媒であ
ってもかまわないが、少なくとも塗布前の該導電性高分
子ならびに該非導電性高分子の混合溶液が相分離しない
ものを選択する必要がある。また、かかる混合溶液が相
分離しない範囲において、導電性高分子ならびに非導電
性高分子各々は組成物であってもかまわない。なお、本
発明の効果を損なわない範囲で、各種の添加剤を添加し
てもよい。
The common solvent to be used in the present invention varies depending on the combination of the conductive polymer and the non-conductive polymer used. Examples thereof include chloroform, carbon tetrachloride, dichloromethane, toluene, xylene, benzene, dichlorobenzene, and the like. Examples include tetrahydrofuran, methyl ethyl ketone, dioxane, N-methylpyrrolidone, and the like. These may be used alone, or may be a mixed solvent of two or more types, but it is necessary to select at least one in which the mixed solution of the conductive polymer and the non-conductive polymer before coating does not undergo phase separation. is there. The conductive polymer and the non-conductive polymer may each be a composition as long as the mixed solution does not undergo phase separation. Various additives may be added as long as the effects of the present invention are not impaired.

【0011】本発明の薄膜は、かかる混合溶液を固体基
板上に塗布することによって作成される。本発明におい
て用いられる固体基板材料としては、金属、金属酸化
物、高分子等が挙げられるが、該混合溶液中の溶媒に不
溶であれば特に制限はない。具体的には、SiO2、インジ
ウム錫酸化物(以下『ITO 』という)、Au、Ag、ポリア
ニリン等が挙げられる。また固体基板上に金属、金属酸
化物、有機化合物等を蒸着、スパッタリング、ランブミ
ュアブロジェット(LB)法、自己集積(セルフアセンブ
リ)法により積層させたものや、有機、無機多層膜ある
いは有機・無機複合多層膜を基板として用いても構わな
い。また、かかる固体基板上に、該混合溶液中の導電性
高分子もしくは非導電性高分子のいずれかと親和性を有
する無機化合物もしくは有機化合物を用いてパターンを
形成させた固体基板を用いてもよい。
[0011] The thin film of the present invention is prepared by applying the mixed solution on a solid substrate. Examples of the solid substrate material used in the present invention include metals, metal oxides, polymers, and the like, but are not particularly limited as long as they are insoluble in the solvent in the mixed solution. Specific examples include SiO2, indium tin oxide (hereinafter referred to as "ITO"), Au, Ag, and polyaniline. In addition, metals, metal oxides, organic compounds, etc. are deposited on a solid substrate by vapor deposition, sputtering, Lambmuir-Blodgett (LB) method, self-assembly (self-assembly) method, or organic, inorganic multilayer film or organic / An inorganic composite multilayer film may be used as a substrate. Further, on such a solid substrate, a solid substrate in which a pattern is formed using an inorganic compound or an organic compound having an affinity for either the conductive polymer or the non-conductive polymer in the mixed solution may be used. .

【0012】かかる塗布方法は特に限定されるものでは
ないが、スピンコート法、デイップコーテイング法、キ
ャスト法、インクジェット法等が挙げられる。該混合溶
液が塗布された後、溶媒の蒸発に伴い、該混合溶液中の
導電性高分子と非導電性高分子が相分離を起こすように
導電性高分子と非導電性高分子を選択する。一般に、乾
燥が緩慢に行われた場合、或いは、塗布後の溶媒の蒸発
に伴い直ちに相分離が進行する場合、相分離で形成され
る構造が粗大化する傾向がある。また、導電性高分子及
び非導電性高分子の固体基板に対する親和性や表面エネ
ルギーによっては、相分離した特定の高分子が選択的に
固体基板上に偏析する場合もある。最も極端な場合で
は、相分離した特定の高分子が基板側或いはその対面に
層を形成し、サンドイッチ状の構造となる場合もあり、
導電性高分子の機能に空間的分解能を付加したり、或い
は、導電性高分子の機能と相分離構造に由来する機能を
複合化して用いる上では好ましくない。すなわち、かか
る塗布によって形成される薄膜内の相分離構造は、塗布
時の乾燥速度、高分子の表面エネルギー、高分子の固体
基板への親和性に依存するとともに、塗布に用いる混合
溶液中の導電性高分子と非導電性高分子の種類と組成に
依存する。
The coating method is not particularly limited, and examples thereof include a spin coating method, a dip coating method, a casting method, and an ink jet method. After the mixed solution is applied, the conductive polymer and the non-conductive polymer are selected so that the conductive polymer and the non-conductive polymer in the mixed solution undergo phase separation with the evaporation of the solvent. . In general, when drying is performed slowly, or when phase separation proceeds immediately with evaporation of the solvent after coating, the structure formed by phase separation tends to become coarse. Further, depending on the affinity and surface energy of the conductive polymer and the non-conductive polymer with respect to the solid substrate, the specific polymer separated in phase may be selectively segregated on the solid substrate. In the most extreme case, the phase-separated specific polymer forms a layer on the substrate side or on the opposite surface, and may have a sandwich-like structure.
It is not preferable to add a spatial resolution to the function of the conductive polymer or to combine the function of the conductive polymer with the function derived from the phase separation structure. In other words, the phase separation structure in the thin film formed by such coating depends on the drying speed during coating, the surface energy of the polymer, the affinity of the polymer for the solid substrate, and the conductivity in the mixed solution used for coating. Depends on the type and composition of the conductive polymer and the non-conductive polymer.

【0013】従って、導電性高分子の機能に空間的分解
能を付加したり、或いは、導電性高分子の機能と相分離
構造に由来する機能を複合化して用いる上で好ましい相
分離構造を有した導電性高分子薄膜を得るには、固体基
板/導電性高分子/非導電性高分子/溶媒を適切に選択
する他、スピンコート法の回転速度、回転時間、もしく
はディップコーティング法やキャスト法における塗布後
の乾燥方法などを調整し、時間にともなって粗大化また
は/且つ偏析する相分離構造を塗布後の塗布膜の固化に
よって固定化する。塗布及び乾燥条件によって相分離構
造を制御する観点においては、スピンコート法は好まし
い方法である。
Therefore, a phase separation structure which is preferable for adding a spatial resolution to the function of the conductive polymer or for combining and using the function of the conductive polymer and the function derived from the phase separation structure is provided. In order to obtain a conductive polymer thin film, besides selecting a solid substrate / conductive polymer / non-conductive polymer / solvent properly, the rotation speed and rotation time of the spin coating method, or the dip coating method or the casting method The drying method after application is adjusted, and the phase separation structure that is coarsened and / or segregated with time is fixed by solidifying the applied film after application. From the viewpoint of controlling the phase separation structure by application and drying conditions, spin coating is a preferred method.

【0014】導電性高分子の機能に空間的分解能を付加
したり、或いは、導電性高分子の機能と相分離構造に由
来する機能を複合化して用いる上では、上述したサンド
イッチ状の構造のように、導電性高分子からなる相が固
体基板の対面である薄膜表面に極度に偏析した構造を避
ける必要がある。すなわち、該薄膜表面における導電性
高分子の相の面積をSc 、非導電性高分子の相の面積を
Siとした場合、塗布に用いる高分子溶液中の導電性高
分子の重量をφc、非導電性高分子の重量をφiとし、
Sc/Si<10φc/φiであることが好ましい。か
かる観点において、より好ましくはSc/Si<5φc
/φi、更に好ましくはSc/Si<2φc/φi、最
も好ましくはSc/Si<1φc/φiである。かかる
ScとSiは、固体基板の対面である薄膜表面を、相分
離構造のサイズに応じて、光学顕微鏡や原子間力顕微鏡
で観察し、一般的な画像処理を行い評価される。かかる
表面観察の視野が狭い場合は、幾つかの視野に対して測
定を行い、該薄膜表面の代表的なSc及びSiとして統
計的に有意な値を求める。なお、導電性高分子を主体と
したドメインが、非導電性高分子の微小なドメインを例
えばサラミ状に含有する場合は、かかる非導電性高分子
のドメインを導電性高分子とみなしてScを評価する。
同様に、非導電性高分子を主体としたドメインが、導電
性高分子の微小なドメインを例えばサラミ状に含有する
場合は、かかる導電性高分子のドメインを非導電性高分
子とみなしてSiを評価する。また、膜表面において、
導電性高分子の相と非導電性高分子の相の判別が困難な
場合は、どちらかを選択的に溶解する溶媒を用いて選択
的な溶出を行い判別すればよい。
In order to add a spatial resolution to the function of the conductive polymer or to combine the function of the conductive polymer with the function derived from the phase separation structure, the above-described sandwich structure is used. In addition, it is necessary to avoid a structure in which a phase made of a conductive polymer is extremely segregated on the thin film surface facing the solid substrate. That is, when the area of the conductive polymer phase on the surface of the thin film is Sc and the area of the non-conductive polymer phase is Si, the weight of the conductive polymer in the polymer solution used for coating is φc, Let φi be the weight of the conductive polymer,
It is preferable that Sc / Si <10φc / φi. From such a viewpoint, it is more preferable that Sc / Si <5φc.
/ Φi, more preferably Sc / Si <2φc / φi, and most preferably Sc / Si <1φc / φi. Such Sc and Si are evaluated by observing the thin film surface facing the solid substrate with an optical microscope or an atomic force microscope according to the size of the phase separation structure and performing general image processing. When the field of view for such surface observation is narrow, measurement is performed for several fields of view, and statistically significant values are obtained as typical Sc and Si of the thin film surface. When the domain mainly composed of a conductive polymer contains minute domains of a non-conductive polymer in, for example, a salami shape, such a domain of the non-conductive polymer is regarded as a conductive polymer, and Sc is regarded as a conductive polymer. evaluate.
Similarly, when the domain mainly composed of a non-conductive polymer contains minute domains of the conductive polymer, for example, in a salami shape, the domain of the conductive polymer is regarded as a non-conductive polymer, and To evaluate. Also, on the film surface,
When it is difficult to discriminate between the phase of the conductive polymer and the phase of the non-conductive polymer, the phase may be determined by performing selective elution using a solvent that selectively dissolves either phase.

【0015】導電性高分子の機能に空間的な分解を付加
する目的に対しては、薄膜が、略柱状の形状をなした導
電性高分子の相を含み、且つ、かかる相が固体基板に接
しているか、或いは固体基板に接した導電性高分子の相
と連続していることが必要である。かかる望ましい構造
として、図1(a)〜(d)に断面図を、(h)〜
(j)に表面からの観察図を例示した。なお、図1にお
いては、固体基板の対面である薄膜表面において、かか
る導電性高分子の相が露出しており、該薄膜表面が平坦
な図を例示したが、この限りではない。かかる略柱状の
形状の断面形状は特に限定されるものではないが、円
形、楕円形、歪んだ円形、歪んだ楕円形、複数の円や楕
円が融合した形状などが例示される。かかる導電性高分
子からなる相の空間的な形態は、該塗布膜中に含まれる
非導電性高分子を選択的に溶解する溶媒を用い、該非導
電性高分子を溶出させた後に、光学顕微鏡や原子間力顕
微鏡などで観察することにより確認される。なお、非導
電性高分子を選択的に溶出した際に、導電性高分子から
なる相が同時に脱離する構造は、導電性高分子からなる
相が固体基板に接していないので好ましくない。また、
該薄膜の厚みが厚くなると、望ましい相分離構造が得ら
れないため、膜厚は通常10〜50000nm、好まし
くは10〜5000nm、更に望ましくは、10〜50
0nmである。
For the purpose of adding spatial decomposition to the function of the conductive polymer, the thin film includes a phase of the conductive polymer having a substantially columnar shape, and such a phase is formed on the solid substrate. It must be in contact with or be continuous with the conductive polymer phase in contact with the solid substrate. As such a desirable structure, sectional views are shown in FIGS.
(J) illustrates an observation view from the surface. Although FIG. 1 shows an example in which the conductive polymer phase is exposed on the thin film surface facing the solid substrate and the thin film surface is flat, the present invention is not limited thereto. The cross-sectional shape of the substantially columnar shape is not particularly limited, and examples thereof include a circle, an ellipse, a distorted circle, a distorted ellipse, and a shape in which a plurality of circles and ellipses are fused. The spatial morphology of the phase made of such a conductive polymer is determined by using a solvent that selectively dissolves the non-conductive polymer contained in the coating film, eluting the non-conductive polymer, and then using an optical microscope. And by observing with an atomic force microscope. Note that a structure in which a phase made of a conductive polymer is simultaneously desorbed when a non-conductive polymer is selectively eluted is not preferable because the phase made of a conductive polymer is not in contact with a solid substrate. Also,
When the thickness of the thin film is large, a desired phase separation structure cannot be obtained, and thus the thickness is usually 10 to 50,000 nm, preferably 10 to 5000 nm, more preferably 10 to 50 nm.
0 nm.

【0016】かかる塗布膜に含まれる導電性高分子の電
気伝導度などの電子物性や光物性はドーピングによって
制御される。具体的には、アクセプター又はドナーなど
のドーパントを気相又は液相でドーピングする化学ドー
ピング、或いは電気化学的にドーピングする方法(電気
化学的ドーピングと呼ぶ)などによって導電性高分子を
ドープすれば良い。ドーパントは特に限定されるもので
はなく、例えば、アクセプターとしては、一般に、塩
素、臭素、ヨウ素などのハロゲン、PF5 、AsF5
SbF5 、BF3 などのルイス酸、HF、HCl、H2
SO4 、CF3 SO3 H、ClSO3 Hなどのプロトン
酸、FeCl3 、TiCl4 、ZrCl4などの遷移金
属化合物、Cl- 、Br- 、I- 、ClO4 - 、PF6
- 、BF4 - 、AsF6 - 、SbF6 - などの電解質ア
ニオンなどが知られている。一方、ドナーとしては、ア
ルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイドなどが例
示される。かかる化学ドーピングや電気化学的ドーピン
グの方法については、導電性高分子のドーピング方法と
して一般的なものを用いれば良く、特に限定されるもの
ではない(例えば、緒方直哉編、導電性高分子、講談社
サイエンティフィク、1990)。ドーピングは、導電性高
分子がドーピングによって溶媒に対して不溶になる場
The electric charge of the conductive polymer contained in the coating film
Electronic and optical properties such as air conductivity are affected by doping.
Controlled. Specifically, acceptors or donors, etc.
Chemical doping of a dopant in the gas or liquid phase
Ping or electrochemical doping method (electrical
Conductive polymer by chemical doping)
What is necessary is to dope. The dopant is particularly limited
However, for example, as an acceptor, generally, a salt
Halogen such as elemental, bromine and iodine, PFFive, AsFFive,
SbFFive, BFThreeLewis acids such as HF, HCl, HTwo
SOFour, CFThreeSOThreeH, ClSOThreeProtons such as H
Acid, FeClThree, TiClFour, ZrClFourSuch as transition gold
Genus compound, Cl-, Br-, I-, ClOFour -, PF6
-, BFFour -, AsF6 -, SbF6 -Electrolyte
Nyons are known. On the other hand, donors
Examples include rukari metal, alkaline earth metal, and lanthanoid
Is shown. Such chemical doping or electrochemical doping
The doping method of the conductive polymer and the doping method
And general ones may be used.
Not (for example, Naoya Ogata, conductive polymer, Kodansha
Scientific, 1990). Doping is highly conductive
Where molecules become insoluble in solvents due to doping

【0017】合は、塗布膜形成後にドーピングすればよ
く、また、ドーピングされた導電性高分子が溶媒に可溶
な場合は、塗布に用いる溶液を調製する段階でドーピン
グしてもよいし、或いは、塗布膜形成後にドーピングし
てもよい。かかるドーピングのレベルは、該薄膜の電子
遷移吸収スペクトルにおいて、波長400nm以上80
0nm未満(波長領域1と呼ぶ)における吸光度の最大
値をA1、波長800nm以上1200nm以下(波長
領域2と呼ぶ)における最大の吸光度をA2とした場
合、A2/A1>0.01となるように行う。かかる吸
光度の測定には、一般的な紫外可視吸収スペクトル測定
装置を用いればよい。ここで、波長領域2には、ドーピ
ングによって生成されるポーラロン或いは/及びバイポ
ーラロンに基づく電子遷移吸収が観測されるため、未ド
ープ状態の導電性高分子では吸光度はゼロか或いは極め
て小さいが、ドーピングのレベルが高くなると、該波長
領域の吸光度は増加する(例えば、吉野勝美編著、電子
光機能性高分子、講談社サイエンティフィク、1989)。
一方、波長領域1には、未ドープ状態の導電性高分子の
電子遷移吸収スペクトルが観測され、かかる波長領域に
おける吸光度は、ドーピングのレベルが高くなると減少
する(例えば、吉野勝美編著、電子光機能性高分子、講
談社サイエンティフィク、1989)。従って、かかる波長
領域1における吸光度の最大値A1及び波長領域A2に
おける吸光度の最大値A2によって定義されるA2/A1
は、ドーピングのレベルを表す尺度として用いることが
でき、ドーピングされていない状態では0か或いは極め
て小さく、ドーピングのレベルが上がるに伴い、電気伝
導度とA2/A1は増加する。導電性高分子の電気伝導
度を利用する観点からは、A2/A1>0.01、好ま
しくは、A2/A1>0.1、更に好ましくはA2/A
1>0.5とするのがよい。
In the case of doping, doping may be performed after forming a coating film, and when the doped conductive polymer is soluble in a solvent, doping may be performed at the stage of preparing a solution used for coating, or Alternatively, doping may be performed after forming the coating film. The level of such doping is in the electronic transition absorption spectrum of the thin film at a wavelength of 400 nm to 80 nm.
When the maximum absorbance at less than 0 nm (referred to as wavelength region 1) is A1, and the maximum absorbance at a wavelength of 800 nm or more and 1200 nm or less (referred to as wavelength region 2) is A2, A2 / A1> 0.01. Do. For the measurement of the absorbance, a general ultraviolet-visible absorption spectrum measuring device may be used. Here, in the wavelength region 2, since electron transition absorption based on polaron and / or bipolaron generated by doping is observed, the absorbance of the undoped conductive polymer is zero or extremely small, but the doping is not performed. The absorbance in the wavelength region increases as the level of the compound increases (for example, edited by Katsumi Yoshino, electro-optical functional polymer, Kodansha Scientific, 1989).
On the other hand, an electron transition absorption spectrum of the undoped conductive polymer is observed in the wavelength region 1, and the absorbance in such a wavelength region decreases as the doping level increases (for example, edited by Katsumi Yoshino, Electro-optical function). Polymer, Kodansha Scientific, 1989). Therefore, A2 / A1 defined by the maximum value A1 of the absorbance in the wavelength region 1 and the maximum value A2 of the absorbance in the wavelength region A2.
Can be used as a measure of the level of doping, is zero or very small in the undoped state, and the electrical conductivity and A2 / A1 increase with increasing doping level. From the viewpoint of utilizing the electric conductivity of the conductive polymer, A2 / A1> 0.01, preferably A2 / A1> 0.1, and more preferably A2 / A1.
It is preferable that 1> 0.5.

【0018】かくして得られた導電性高分子薄膜は、そ
の用途に応じて、該薄膜に含まれる非導電性高分子を、
該非導電性高分子を選択的に溶解する溶媒で、ドーピン
グの前後いずれかにおいて溶出させてもよい。この場
合、該薄膜中の相分離構造を反映した凸凹の構造を有す
る導電性高分子薄膜が得られる。本発明で得られる導電
性高分子薄膜は、ドーピングのレベルによって、該薄膜
中に含まれる導電性高分子の電子物性や光物性を制御で
きるため、例えば所望の電気伝導度を与える相が空間的
な分解能を有して分布した薄膜を提供することができる
他、導電性高分子の電気伝導、電磁遮蔽などの機能と、
相分離構造の凹凸を利用した反射防止性などの機能が複
合可能な機能性の薄膜を提供することができる。
The conductive polymer thin film thus obtained may be used, depending on its use, by removing the non-conductive polymer contained in the thin film,
It may be eluted before or after doping with a solvent that selectively dissolves the non-conductive polymer. In this case, a conductive polymer thin film having an uneven structure reflecting the phase separation structure in the thin film is obtained. The conductive polymer thin film obtained in the present invention can control the electronic and optical properties of the conductive polymer contained in the thin film by the doping level. In addition to being able to provide thin films distributed with high resolution, functions such as electric conduction of conductive polymers and electromagnetic shielding,
It is possible to provide a functional thin film capable of combining functions such as anti-reflection properties utilizing unevenness of the phase separation structure.

【0019】[0019]

【実施例】以下に実施例により本発明の具体的内容を更
に詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限
り、これらの実施例によって限定されるものではない。 実施例1 ITOコート石英ガラスの上に7.5mgのポリ(3−
ヘキシルチオフェン)と7.5mgのポリスチレンをク
ロロホルム1mlに溶かしたクロロホルム溶液を滴下
し、回転数500rpm、回転時間60sの条件でスピ
ンコート法にて薄膜を形成した。用いたポリ(3−ヘキ
シルチオフェン)とポリスチレンの重量平均分子量は、
約1×105 (GPC測定値/ポリスチレン標準)と2
×105 であった。スピンコートした後、約60℃で約
1時間脱気乾燥した(以下、この工程で得られた薄膜を
スピンコート薄膜と呼ぶ)。得られたスピンコート薄膜
の厚みは220nmであった。
The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, which, however, are not intended to limit the scope of the present invention unless it exceeds the gist thereof. Example 1 7.5 mg of poly (3-
Hexylthiophene) and a chloroform solution obtained by dissolving 7.5 mg of polystyrene in 1 ml of chloroform were dropped, and a thin film was formed by a spin coating method under the conditions of a rotation speed of 500 rpm and a rotation time of 60 s. The weight average molecular weights of the used poly (3-hexylthiophene) and polystyrene are as follows:
About 1 × 10 5 (GPC measurement value / polystyrene standard) and 2
× 10 5 . After spin coating, the resultant was degassed and dried at about 60 ° C. for about 1 hour (hereinafter, the thin film obtained in this step is referred to as a spin-coated thin film). The thickness of the obtained spin-coated thin film was 220 nm.

【0020】モルフォロジー観察には、光学顕微鏡及び
原子間力顕微鏡(以下「AFM」と記す)を用いた。A
FM測定の測定条件は、ダイナミックモード、走査速度
は0.2Hzであり、SEIKO電子SPI−3800
を用いて行った。図2に光学顕微鏡でスピンコート薄膜
を観察した結果を示す。ポリ(3−ヘキシルチオフェ
ン)は着色しているため、図2で観察されたドメインの
帰属は容易であり、該図中、黒味を帯びた部分はポリ
(3ーヘキシルチオフェン)を主体とした相である。光
学顕微鏡の観察結果を画像処理することにより、Sc/
Si=0.27±0.05<φc/φi=1を得た。該
スピンコート薄膜内の相分離構造を評価するために、ポ
リ(3−ヘキシルチオフェン)は溶解せず、ポリスチレ
ンのみを選択的に溶解させる溶媒である酢酸エチルを用
いて、ポリスチレンのみを該スピンコート薄膜から溶出
させた。具体的には、酢酸エチル溶液に該スピンコート
薄膜の一部を約10時間浸した。浸せきした膜を取り出
し、乾燥させた後、AFM観察を実施した。図3に示し
たAFM測定結果から、ポリ(3−ヘキシルチオフェ
ン)を主体とした相が略柱状の構造をなし、ITO基板
に接していることがわっかた。つまり該スピンコート薄
膜中の相分離構造は、模式的に示せば、図1(b)のよ
うになる。
For morphological observation, an optical microscope and an atomic force microscope (hereinafter referred to as "AFM") were used. A
The measurement conditions for the FM measurement were a dynamic mode, a scanning speed of 0.2 Hz, and SEIKO Electronics SPI-3800.
This was performed using FIG. 2 shows the result of observation of the spin-coated thin film with an optical microscope. Since poly (3-hexylthiophene) is colored, the assignment of the domain observed in FIG. 2 is easy, and in this figure, the blackish portion is mainly composed of poly (3-hexylthiophene). Phase. By performing image processing on the observation result of the optical microscope, Sc /
Si = 0.27 ± 0.05 <φc / φi = 1 was obtained. In order to evaluate the phase separation structure in the spin-coated thin film, poly (3-hexylthiophene) was not dissolved, and only polystyrene was spin-coated using ethyl acetate, which is a solvent for selectively dissolving only polystyrene. Eluted from the thin film. Specifically, a part of the spin-coated thin film was immersed in an ethyl acetate solution for about 10 hours. After the immersed film was taken out and dried, AFM observation was performed. The AFM measurement results shown in FIG. 3 indicate that the phase mainly composed of poly (3-hexylthiophene) has a substantially columnar structure and is in contact with the ITO substrate. That is, the phase separation structure in the spin-coated thin film is schematically shown in FIG.

【0021】ついで、ポリスチレンを溶出させていない
該スピンコート薄膜に対し、常法に従い気相でヨウ素ド
ーピングを行った。かかる気相ドーピング後のスピンコ
ート薄膜のUV/Vis、近赤外吸収スペクトルを図4
に示した。測定は、HITACHI U−4000を用
いて行った。図4より、波長400nm以上800nm
未満における吸光度の最大値A1と波長800nm以上
1200nm以下における吸光度の最大値A2の比A2
/A1として、A2/A1=0.35/0.42=0.
83を得た。なお、ドーピング前においてはA2/A1
はほぼゼロであった。気相ドーピング後の該吸収スペク
トルには、1000nm以下の広範囲な波長領域におい
て、ドーピングによる電子遷移吸収が確認された。該電
子遷移吸収は、高レベルにドーピングされた導電性高分
子の特徴を示すものであることがよく知られており、ポ
リチオフェン系高分子では、該電子遷移吸収を有する場
合、数〜数十Ω−1cm−1の電気伝導度を有すること
が分かっている(G. Tourillon and F. Garnier, J. Ph
ys. Chem. 87, 2289 (1983) )。つまり、図1(b)に
模式的に示された構造のうち、導電性高分子からなる相
が高い電気伝導度を有することが示された。
Next, the spin-coated thin film from which polystyrene was not eluted was subjected to iodine doping in a gas phase according to a conventional method. FIG. 4 shows UV / Vis and near-infrared absorption spectra of the spin-coated thin film after the gas phase doping.
It was shown to. The measurement was performed using HITACHI U-4000. FIG. 4 shows that the wavelength is 400 nm or more and 800 nm.
Ratio A2 between the maximum value A1 of the absorbance at less than and the maximum value A2 of the absorbance at a wavelength of 800 nm or more and 1200 nm or less.
/ A1, A2 / A1 = 0.35 / 0.42 = 0.
83 were obtained. Before doping, A2 / A1
Was almost zero. In the absorption spectrum after gas phase doping, electron transition absorption due to doping was confirmed in a wide wavelength range of 1000 nm or less. It is well known that the electronic transition absorption is characteristic of a conductive polymer doped at a high level, and a polythiophene-based polymer has a few to several tens of Ω when it has the electronic transition absorption. -1 cm-1 (G. Tourillon and F. Garnier, J. Ph.
ys. Chem. 87, 2289 (1983)). That is, it was shown that, of the structure schematically shown in FIG. 1B, the phase formed of the conductive polymer had high electric conductivity.

【0022】実施例2 スピンコート法による塗布条件を、回転数1000rp
mとした他は、実施例1と同様にしてスピンコート薄膜
を形成した。該スピンコート薄膜の膜厚は120nmで
あった。図5に該スピンコート薄膜を光学顕微鏡で観察
した結果を示す。実施例1の図2との比較から分かるよ
うに、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)からなる相の膜
表面におけるサイズが小さくなっている。実施例1と同
様にして、Sc/Si=0.69±0.07<φc/φ
i=1を得た。すなわち、スピンコートによる塗布の条
件により、相分離構造が制御できる。実施例1と同様に
ポリスチレンを溶出させた後のモルフォロジーをAFM
で観察した結果、相分離構造サイズが小さくなっている
点を除けば、実施例1と同様に図1(b)に模式的に示
した相分離構造を有することが確認された。該スピンコ
ート薄膜を実施例1と同様にしてヨウ素でドーピングし
た結果、実施例1と該一致する吸収スペクトルを得、か
かるドーピングされた該スピンコート薄膜中のポリ(3
−ヘキシルチオフェン)が高い電気伝導度を有すること
が示された。
Example 2 The application conditions by the spin coating method were as follows:
A spin-coated thin film was formed in the same manner as in Example 1 except that m was used. The thickness of the spin-coated thin film was 120 nm. FIG. 5 shows the result of observing the spin-coated thin film with an optical microscope. As can be seen from the comparison with FIG. 2 of Example 1, the size of the phase made of poly (3-hexylthiophene) on the film surface is small. As in Example 1, Sc / Si = 0.69 ± 0.07 <φc / φ
i = 1 was obtained. That is, the phase-separated structure can be controlled by the conditions of application by spin coating. The morphology after elution of polystyrene was determined by AFM in the same manner as in Example 1.
As a result, it was confirmed that it had the phase separation structure schematically shown in FIG. 1B as in Example 1, except that the size of the phase separation structure was small. As a result of doping the spin-coated thin film with iodine in the same manner as in Example 1, the same absorption spectrum as in Example 1 was obtained, and the poly (3) in the doped spin-coated thin film was used.
-Hexylthiophene) was shown to have high electrical conductivity.

【0023】[0023]

【発明の効果】本発明により、導電性高分子の電気伝導
などの機能に空間的な分解能を付加して利用できる導電
性高分子薄膜や導電性高分子の機能と相分離に由来する
機能が複合化可能な導電性高分子薄膜を提供することが
可能となる。
According to the present invention, the functions of the conductive polymer thin film and the conductive polymer which can be used by adding spatial resolution to the functions such as the electric conduction of the conductive polymer and the functions derived from phase separation can be obtained. It is possible to provide a conductive polymer thin film that can be composited.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)−(d)導電性高分子薄膜の好ましい相
分離構造の断面の模式図である。 (e)−(g)好ましくない相分離構造の断面の模式図
である。 (h)ー(j)導電性高分子薄膜の好ましい相分離構造
について、固体基板の対面である薄膜表面から観察した
場合の構造の模式図である。
FIG. 1 is a schematic view of a cross section of a preferred phase separation structure of a conductive polymer thin film (a)-(d). (E)-(g) It is a schematic diagram of the cross section of an unfavorable phase separation structure. (H)-(j) is a schematic view of a preferred phase-separated structure of the conductive polymer thin film when observed from the surface of the thin film facing the solid substrate.

【図2】実施例1で得られた導電性高分子薄膜を光学顕
微鏡で観察した写真である。
FIG. 2 is a photograph of the conductive polymer thin film obtained in Example 1 observed with an optical microscope.

【図3】実施例1で得られた導電性高分子薄膜からポリ
スチレンを選択的に溶出させた後、ポリ(3−ヘキシル
チオフェン)からなる相をAFM観察した写真である。
FIG. 3 is a photograph obtained by AFM observation of a phase composed of poly (3-hexylthiophene) after polystyrene is selectively eluted from the conductive polymer thin film obtained in Example 1.

【図4】実施例1で得られた導電性高分子薄膜につい
て、ヨウ素によるドーピング後のUV/Vis近赤外吸
収スペクトルを示したグラフである。
FIG. 4 is a graph showing a UV / Vis near-infrared absorption spectrum of the conductive polymer thin film obtained in Example 1 after doping with iodine.

【図5】実施例2で得られた導電性高分子薄膜を光学顕
微鏡で観察した写真である。
FIG. 5 is a photograph of the conductive polymer thin film obtained in Example 2 observed with an optical microscope.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小橋 昌浩 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 Fターム(参考) 4F006 AB16 AB32 AB72 BA07 CA05 4J038 DK001 DN011 HA106 KA06 NA20 PB09 PC02 PC08 5G307 HA01 HB06 HC01  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Masahiro Kobashi 1000 Kamoshitacho, Aoba-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Mitsubishi Chemical Corporation Yokohama Research Laboratory F-term (reference) 4F006 AB16 AB32 AB72 BA07 CA05 4J038 DK001 DN011 HA106 KA06 NA20 PB09 PC02 PC08 5G307 HA01 HB06 HC01

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも1種の導電性高分子及び少な
くとも1種の非導電性高分子を共通溶媒に溶解せしめ、
かかる高分子溶液を固体基板上に塗布して得られる相分
離構造を有する導電性高分子薄膜であって、該導電性高
分子の相が略柱状の形態を含み、かかる導電性高分子の
相が、固体基板に接しているか、或いは固体基板に接し
ている導電性高分子の相と連続していることを特徴とす
る導電性高分子薄膜。
1. dissolving at least one conductive polymer and at least one non-conductive polymer in a common solvent,
A conductive polymer thin film having a phase separation structure obtained by applying such a polymer solution on a solid substrate, wherein the conductive polymer phase has a substantially columnar form, and the conductive polymer phase Wherein the conductive polymer thin film is in contact with the solid substrate or is continuous with the conductive polymer phase in contact with the solid substrate.
【請求項2】 薄膜の膜表面における導電性高分子の相
の面積をSc、非導電性高分子の相の面積をSiとした
場合、塗布に用いる高分子溶液中の導電性高分子の重量
をφc、非導電性高分子の重量をφiとし、Sc/Si
<10φc/φiである請求項1に記載の導電性高分子
薄膜。
2. When the area of the conductive polymer phase on the surface of the thin film is Sc and the area of the nonconductive polymer phase is Si, the weight of the conductive polymer in the polymer solution used for coating is 2. Is φc, the weight of the non-conductive polymer is φi, and Sc / Si
The conductive polymer thin film according to claim 1, wherein the ratio is <10φc / φi.
【請求項3】 薄膜中の導電性高分子が少なくとも1種
類のドーパントでドープされた請求項1または2に記載
の導電性高分子薄膜。
3. The conductive polymer thin film according to claim 1, wherein the conductive polymer in the thin film is doped with at least one dopant.
【請求項4】 薄膜の電子遷移吸収スペクトルにおい
て、波長400nm以上800nm未満における吸光度
の最大値をA1、波長800nm以上1200nm以下
における最大の吸光度をA2とした場合、A2/A1>
0.01である請求項1〜3のいずれかに記載の導電性
高分子薄膜。
4. In the electronic transition absorption spectrum of a thin film, when the maximum absorbance at a wavelength of 400 nm to less than 800 nm is A1, and the maximum absorbance at a wavelength of 800 nm to 1200 nm is A2, A2 / A1>
The conductive polymer thin film according to claim 1, wherein the value is 0.01.
【請求項5】 薄膜の膜厚が10〜50000nmであ
る請求項1〜4のいずれかに記載の導電性高分子薄膜。
5. The conductive polymer thin film according to claim 1, wherein the thin film has a thickness of 10 to 50,000 nm.
【請求項6】 導電性高分子がポリチオフェン系高分子
である請求項1〜5のいずれかに記載の導電性高分子薄
膜。
6. The conductive polymer thin film according to claim 1, wherein the conductive polymer is a polythiophene-based polymer.
【請求項7】 少なくとも1種の導電性高分子及び少な
くとも1種の非導電性高分子を共通溶媒に溶解せしめ、
かかる高分子溶液を固体基板上に塗布する工程を含むこ
とを特徴とする導電性高分子薄膜の製造方法。
7. dissolving at least one conductive polymer and at least one non-conductive polymer in a common solvent,
A method for producing a conductive polymer thin film, comprising a step of applying the polymer solution on a solid substrate.
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