JP2000305862A - データ記憶方法および情報処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フラッシュメモリのデータを書き換える際
の信頼性を向上させること。フラッシュメモリの消去回
数を削減することにより、劣化を低減する。 【解決手段】 フラッシュメモリ１０１と、フラッシ
ュメモリ１０１の消去単位のデータを記憶する消去ブロ
ックバッファ１０３を有する不揮発性メモリ１０２と、
フラッシュメモリへの書き込み要求データを消去ブロッ
クバッファ１０３に書き込む書き込み制御手段１１１
と、フラッシュメモリ内の不変データを消去ブロックバ
ッファに待避させる待避手段１１２と、フラッシュメモ
リのデータ消去を指示する消去命令手段３０１と、消去
ブロックバッファのデータをフラッシュメモリ１０１に
書き込む書き込み手段とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、あらかじめ定めら
れた消去単位での消去および書き込みがなされる複数の
消去単位領域を有するメモリ、例えばフラッシュメモリ
を使用する情報処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】フラッシュメモリは、電気的に消去・書
き込みが可能な半導体メモリであり、電源を供給しなく
ても記憶内容を保持できるという特徴がある。フラッシ
ュメモリは、特に産業用コンピュータにおいて、ハード
ディスクに代わる記録媒体として使用されることが多
い。しかし、フラッシュメモリにおいては、新たなデー
タを直接上書きすることができない。つまり、フラッシ
ュメモリ上のデータの書き換えを行なうには、書き込み
の前にまず、６４Ｋなどといった消去単位を、一旦、一
括して消去しなければならない。消去単位を消去した
後、消去した消去単位全体を新たに書き込むことにより
データの書き換えを行なう。

【０００３】特に、大容量・高密度のフラッシュメモリ
は、その構造上、一般に消去単位が書き換え単位に比べ
大きい。従って、書き換えデータが消去単位よりも容量
の小さいことが多くなるが、このようなデータを書き換
える場合でも、書き換えないデータ部分も含めた消去単
位全体を一旦消去し、書き換えないデータ部分も、もう
一度フラッシュメモリに書き込まなくてはならない。こ
のための書き換え方式の技術として、特開平５-２３３
４７８がある。図１８は、この従来技術の回路の概略を
示す構成図である。図１８を用いて動作を説明する。

【０００４】ＦＲＡＭ４のデータの書き換え動作につい
て説明する。ＳＲＡＭ３上に、ＦＲＡＭ４の書き換え情
報をダウンロードする。ＦＲＡＭ４上における書き換え
ないエリアの情報を、レジスタ５にコピーし、ＥＰＲＯ
Ｍ２内のＦＲＡＭクリアプログラムによって、ＦＲＡＭ
４の内容を全消去する。そして、ＳＲＡＭ３上にダウン
ロードした書き換え情報をＦＲＡＭ４にコピーし、さら
に、レジスタ５に待避しておいた情報をＦＲＡＭ４上の
元の書き換えないエリアにコピーする。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
においては、フラッシュメモリの書き換え時に情報を待
避する領域であるレジスタ５として揮発性のメモリを使
用すると、消去後に装置への電源供給が断たれた等の場
合には、書き換えを行なう領域のみならず、書き換えを
行なわない領域のデータまでもが失われてしまい、信頼
性を低下させるという問題があった。又、このようにレ
ジスタに記録されたデータが消失することを防ぐために
は、レジスタに一旦記録されたデータは、すぐにフラッ
シュメモリに書き込まなくてはならなかった。そのた
め、動作上、フラッシュメモリの書き換え毎にフラッシ
ュメモリの消去を行う必要があり、結果として、書き換
えの回数と同じ回数だけの消去回数が必要であった。一
方、フラッシュメモリには、消去可能な回数に制限（一
般に１０万回程度）があり、できるだけ消去回数を減ら
すことも必要であるが、上記従来技術においては、徒に
フラッシュメモリの消去回数を増やすことになり、その
寿命を短縮させる原因となっていた。

【０００６】この発明は、上記のような問題を解決する
ためになされたもので、フラッシュメモリのデータを書
き換える場合に、メモリのデータが容易に消去すること
なく、フラッシュメモリへのデータ書き込み時の信頼性
を向上させた情報処理装置を提供することを第１の目的
とする。又、本発明は、フラッシュメモリの消去回数へ
の制限の課題に対し、簡易な構造で、かつ信頼性を維持
しつつ、フラッシュメモリの消去回数を削減することに
より、フラッシュメモリの劣化を低減することのできる
情報処理装置を提供することを第２の目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明におけるデータ
記憶方法は、あらかじめ定められた消去単位でデータの
消去および書き込みがなされる複数の消去単位領域を有
するメモリと、前記消去単位領域に書き込む書き込みデ
ータおよび前記消去単位領域内の不変データの双方を記
憶する不揮発性の消去ブロックバッファとを用いて前記
メモリ内のデータの書き換えを行なうデータ記憶方法で
あって、前記メモリの第１の消去単位領域に第１の書き
込みデータを書き込むことを要求する第１の書き込み要
求に対し、前記第１の書き込みデータを前記消去ブロッ
クバッファに書き込む第１の消去ブロックバッファ書き
込みステップと、前記メモリの第１の消去単位領域に第
１の書き込みデータを書き込むことを要求する第１の書
き込み要求に対し、前記第１の消去単位領域内の不変デ
ータを前記消去ブロックバッファに書き込む第２の消去
ブロックバッファ書き込みステップと、前記第２の消去
ブロックバッファ書き込みステップの後、前記第１の消
去単位領域のデータを消去する消去ステップと、前記第
１の消去ブロックバッファ書き込みステップ及び前記消
去ステップの後、前記消去ブロックバッファに記憶され
た前記第１の書き込みデータ及び前記不変データを前記
第１の消去単位領域に書き込むメモリ書き込みステップ
とを有するものである。この発明は一例として実施の形
態１（図３）に記載されている。

【０００８】この発明におけるデータ記憶方法は、あら
かじめ定められた消去単位でデータの消去および書き込
みがなされる複数の消去単位領域を有するメモリと、前
記消去単位領域に書き込む書き込みデータおよび前記消
去単位領域内の不変データの双方を記憶する不揮発性の
消去ブロックバッファとを用いて前記メモリ内のデータ
の書き換えを行なうデータ記憶方法であって、前記メモ
リの第１の消去単位領域に第１の書き込みデータを書き
込むことを要求する第１の書き込み要求に対し、前記第
１の書き込みデータを前記消去ブロックバッファに書き
込む第１の消去ブロックバッファ書き込みステップと、
前記メモリの第１の消去単位領域に第１の書き込みデー
タを書き込むことを要求する第１の書き込み要求に対
し、前記第１の消去単位領域内の不変データを前記消去
ブロックバッファに書き込む第２の消去ブロックバッフ
ァ書き込みステップと、前記第１の消去ブロックバッフ
ァ書き込みステップの後、前記メモリに第２の書き込み
データを書き込むことを要求する第２の書き込み要求に
対して、前記第２の書き込みデータを前記消去ブロック
バッファに書き込む第３の消去ブロックバッファ書き込
みステップと、前記第２の消去ブロックバッファ書き込
みステップ及び前記第３の消去ブロックバッファ書き込
みステップの後、前記消去ブロックバッファに書き込ま
れたデータを前記第１の消去単位領域に書き込むメモリ
書き込みステップとを有するものである。この発明は一
例として実施の形態２（図５）に記載されている。

【０００９】また、前記第１の消去ブロックバッファ書
き込みステップの後、前記第１の書き込みデータの書き
込み先である消去単位領域と前記第２の書き込みデータ
の書き込み先である消去単位領域とを比較する比較ステ
ップとを有し、前記比較ステップにおける比較結果が同
一の場合に、前記第３の消去ブロックバッファ書き込み
ステップおよび前記メモリ書き込みステップを実行する
ものである。この発明は実施の形態２（図５）に記載さ
れている。

【００１０】この発明におけるデータ記憶方法は、あら
かじめ定められた消去単位でデータの消去および書き込
みがなされる複数の消去単位領域を有するメモリと、前
記消去単位領域に書き込む書き込みデータおよび前記消
去単位領域内の不変データの双方を記憶する消去ブロッ
クバッファとを用いて前記メモリ内のデータの書き換え
を行なうデータ記憶方法であって、前記メモリの第１の
消去単位領域に第１の書き込みデータを書き込むことを
要求する第１の書き込み要求に対し、前記第１の書き込
みデータを前記消去ブロックバッファに書き込む第１の
消去ブロックバッファ書き込みステップと、前記メモリ
の第１の消去単位領域に第１の書き込みデータを書き込
むことを要求する第１の書き込み要求に対し、前記第１
の消去単位領域内の不変データを前記消去ブロックバッ
ファに書き込む第２の消去ブロックバッファ書き込みス
テップと、前記第２の消去ブロックバッファ書き込みス
テップの後、前記第１の消去単位領域のデータを消去す
る消去ステップと、前記メモリに第２の書き込みデータ
を書き込むことを要求する第２の書き込み要求を受けた
後に、前記消去ブロックバッファに記憶されたデータを
前記消去ステップにおいて消去された前記第１の消去単
位領域に書き込むメモリ書き込みステップとを有するも
のである。この発明は一例として実施の形態３（図７）
に記載されている。

【００１１】また、前記消去ステップの後、第１の書き
込みデータの書き込み先である消去単位領域と前記第２
の書き込みデータの書き込み先である消去単位領域とを
比較する比較ステップとを有し、 前記比較ステップの
比較結果が異なる場合に、前記メモリ書き込みステップ
を実行するものである。この発明は一例として実施の形
態３（図７）に記載されている。

【００１２】この発明におけるデータ記憶方法は、あら
かじめ定められた消去単位での消去および書き込みがな
される複数の消去単位領域を有するメモリと、前記消去
単位領域に書き込む書き込みデータおよび前記消去単位
領域内の不変データの双方を記憶する消去ブロックバッ
ファと、不変データを記憶することなく書き込みデータ
を記憶する書き込みバッファとを用いて前記メモリ内の
データの書き換えを行なうデータ記憶方法であって、前
記メモリの第１の消去単位領域に第１の書き込みデータ
を書き込むことを要求する第１の書き込み要求に対し、
前記第１の書き込みデータ及び前記第１の消去単位領域
内の不変データとを前記消去ブロックバッファに書き込
む消去ブロックバッファ書き込みステップと、前記消去
ブロックバッファ書き込みステップの後、前記メモリの
第２の消去単位領域に第２の書き込みデータを書き込む
ことを要求する第２の書き込み要求に対して、前記第２
の書き込みデータを前記書き込みバッファに書き込む第
１の書き込みバッファ書き込みステップと、前記第１の
書き込みバッファ書き込みステップの後、前記メモリの
消去単位領域に第３の書き込みデータを書き込むことを
要求する第３の書き込み要求に対して、前記第３の書き
込みデータを前記書き込みバッファに書き込む第２の書
き込みバッファ書き込みステップとを有するものであ
る。この発明は一例として実施の形態４（図１０）に記
載されている。

【００１３】また、前記第２の書き込みデータの書き込
み先である前記メモリ内の位置を規定する書き込み要求
領域と、前記第３の書き込みデータの書き込み先である
前記メモリ内の位置を規定する書き込み要求領域とを比
較する比較ステップとを有し、前記第２の書き込みバッ
ファ書き込みステップは、前記第３の書き込みデータの
書き込み要求領域が前記第２の書き込みデータの書き込
み要求領域に含まれる場合に、前記第２の書き込みデー
タが書き込まれた前記書き込みバッファの領域に前記第
３の書き込みデータを上書きするものである。この発明
は一例として実施の形態４（図１０）に記載されてい
る。

【００１４】この発明におけるデータ記憶方法は、あら
かじめ定められた消去単位でデータの消去および書き込
みがなされる複数の消去単位領域を有するメモリと、前
記消去単位領域に書き込む書き込みデータおよび前記消
去単位領域内の不変データの双方を記憶する消去ブロッ
クバッファと、不変データを記憶することなく書き込み
データを記憶する書き込みバッファとを用いて前記メモ
リ内のデータの書き換えを行なうデータ記憶方法であっ
て、前記メモリの第１の消去単位領域に第１の書き込み
データを書き込むことを要求する第１の書き込み要求に
対し、前記第１の書き込みデータ及び前記第１の消去単
位領域内の不変データとを前記消去ブロックバッファに
書き込む第１の消去ブロックバッファ書き込みステップ
と、前記メモリの第２の消去単位領域に第２の書き込み
データを書き込むことを要求する第２の書き込み要求に
対して、前記第１の消去ブロックバッファ書き込みステ
ップの後、前記第２の書き込みデータを前記書き込みバ
ッファに記憶する第１の書き込みバッファ書き込みステ
ップと、前記メモリの消去単位領域に第３の書き込みデ
ータを書き込むことを要求する第３の書き込み要求が発
生した場合に、前記第１の書き込みバッファ書き込みス
テップの後、前記消去ブロックバッファに書き込まれた
前記第１の書き込みデータ及び前記不変データとを前記
第１の消去単位領域に書き込むメモリ書き込みステップ
と、前記メモリ書き込みステップの後、前記第２の書き
込みデータ、前記第３の書き込みデータ、及び前記第２
の消去単位領域内の不変データを前記消去ブロックバッ
ファに書き込む第２の消去ブロックバッファ書き込みス
テップとを有するものである。この発明は一例として実
施の形態５（図１３、１４）に記載されている。

【００１５】また、前記第１の書き込みバッファ書き込
みステップの後、前記第２の書き込みデータの書き込み
先である消去単位領域と、前記第３の書き込みデータの
書き込み先である消去単位領域とを比較する比較ステッ
プとを有し、前記比較ステップの比較結果が、前記第３
の書き込みデータの書き込み先である消去単位領域が前
記第２の書き込みデータの書き込み先である消去単位領
域と異なる場合に、前記メモリ書き込みステップ及び前
記第２の消去ブロックバッファ書き込みステップとを実
行するものである。この発明は一例として実施の形態５
（図１３、１４）に記載されている。

【００１６】この発明における情報処理装置は、あらか
じめ定められた消去単位でデータの消去および書き込み
がなされる複数の消去単位領域を有するメモリと、前記
消去単位領域に記憶されたデータを前記消去単位で消去
する消去手段とを有し、前記消去単位領域に記憶された
データを第１の書き込みデータに書き換える情報処理装
置において、任意のデータ単位でデータの書き込みが可
能な不揮発性の消去ブロックバッファと、前記消去ブロ
ックバッファに前記第１の書き込みデータを書き込む書
き込みデータ書き込み手段と、前記メモリの消去単位領
域に記憶されたデータの内、前記第１の書き込みデータ
による書き換えが行われない不変データを前記消去ブロ
ックバッファに書き込む待避手段と、前記消去ブロック
バッファに書き込まれた前記第１の書き込みデータおよ
び前記不変データを前記消去手段によって消去された前
記消去単位領域に書き込むメモリ書き込み手段とを有す
るものである。この発明は一例として実施の形態１（図
１）に記載されている。

【００１７】この発明における情報処理装置は、あらか
じめ定められた消去単位でデータの消去および書き込み
がなされる複数の消去単位領域を有するメモリと、前記
消去単位領域に書き込む書き込みデータおよび前記消去
単位領域内の不変データの双方を記憶する消去ブロック
バッファとを用いて前記メモリ内のデータの書き換えを
行なう情報処理装置であって、前記メモリの第１の消去
単位領域に第１の書き込みデータを書き込むことを要求
する第１の書き込み要求に対し、前記第１の書き込みデ
ータを前記消去ブロックバッファに書き込む書き込みデ
ータ書き込み手段と、前記メモリの第１の消去単位領域
に第１の書き込みデータを書き込むことを要求する第１
の書き込み要求に対し、前記第１の消去単位領域内の不
変データを前記消去ブロックバッファに書き込む待避手
段と、前記消去ブロックバッファに書き込まれたデータ
を前記第１の消去単位領域に書き込むメモリ書き込み手
段とを有し、前記消去ブロックバッファは、前記第１の
書き込み要求後に発生する第２の書き込み要求まで前記
第１の書き込みデータ及び前記第１の消去単位領域内の
不変データを保持し、前記第２の書き込み要求が前記第
１の消去単位領域に第２の書き込みデータを書き込むこ
とを要求する場合に、前記書き込みデータ書き込み手段
は前記第２の書き込みデータを前記消去ブロックバッフ
ァに書き込み、前記メモリ書き込み手段は前記第２の書
き込みデータが書き込まれた前記消去ブロックバッファ
内のデータを前記第１の消去単位領域に書き込むもので
ある。この発明は一例として実施の形態２（図４）に記
載されている。

【００１８】この発明における情報処理装置は、あらか
じめ定められた消去単位での消去および書き込みがなさ
れる複数の消去単位領域を有するメモリと、前記消去単
位領域に書き込む書き込みデータおよび前記消去単位領
域内の不変データの双方を記憶する消去ブロックバッフ
ァと、不変データを記憶することなく書き込みデータを
記憶する書き込みバッファとを用いて前記メモリ内のデ
ータの書き換えを行なう情報処理装置であって、前記メ
モリの第１の消去単位領域に第１の書き込みデータを書
き込むことを要求する第１の書き込み要求に対し、前記
第１の書き込みデータを前記消去ブロックバッファに書
き込む書き込みデータ書き込み手段と、前記メモリの第
１の消去単位領域に第１の書き込みデータを書き込むこ
とを要求する第１の書き込み要求に対し、前記第１の消
去単位領域内の不変データを前記消去ブロックバッファ
に書き込む待避手段と、前記メモリの第２の消去単位領
域に第２の書き込みデータを書き込むことを要求する第
２の書き込み要求に対して、前記第２の書き込みデータ
を前記書き込みバッファに書き込む書き込みバッファ書
き込み手段とを有し、前記書き込みバッファは、前記第
２の書き込み要求後に発生する第３の書き込み要求まで
前記第２の書き込みデータを保持し、前記第３の書き込
み要求が前記第２の書き込みデータの書き込み要求領域
内に第３のデータを書き込むことを要求する場合に、前
記書き込みバッファ書き込み手段は、前記第３の書き込
みデータを前記書き込みバッファに書き込むものであ
る。この発明は一例として実施の形態４（図８〜１０）
に記載されている。

【００１９】この発明における情報処理装置は、あらか
じめ定められた消去単位でデータの消去および書き込み
がなされる複数の消去単位領域を有する第１のメモリ
と、前記消去単位領域に記憶されたデータを前記消去単
位で消去する消去手段とを有し、前記消去単位領域に記
憶されたデータを第１の書き込みデータに書き換える情
報処理装置において、消去ブロックバッファ、消去単位
番号保持領域および消去単位番号確認領域とを備え、任
意のデータ単位でデータの書き込みが可能な不揮発性の
第２のメモリと、前記消去単位領域に記憶されたデータ
の内、前記第１の書き込みデータによる書き換えが行わ
れない不変データを前記消去ブロックバッファに書き込
む待避手段と、前記第１の書き込みデータを書き込むべ
き消去単位領域を特定する情報を前記消去単位番号保持
領域に書き込み、前記第１の書き込みデータを前記消去
ブロックバッファに書き込み、前記第１の書き込みデー
タおよび前記不変データの書き込み完了後に、前記消去
単位番号保持領域に書き込んだ情報に対応する情報を前
記消去単位番号確認領域に書き込む書き込み制御手段
と、前記消去ブロックバッファに書き込まれた前記第１
の書き込みデータおよび前記不変データを前記消去単位
領域に書き込むメモリ書き込み手段と、前記情報処理装
置の復旧時に、前記消去単位番号保持領域と前記消去単
位番号確認領域の情報に基づいて復旧処理を行う復旧手
段とを有するものである。この発明は一例として実施の
形態７（図１９〜２１）に記載されている。

【００２０】また、前記第２のメモリは、前記消去ブロ
ックバッファ内のデータを処理することで得られるデー
タチェック値が書き込まれる消去ブロックバッファ確認
領域を有し、前記書き込み制御手段は、前記データチェ
ック値を前記消去ブロックバッファ確認領域に書き込
み、前記復旧手段は、前記消去単位番号保持領域の値、
前記消去単位番号確認領域の値および前記消去ブロック
バッファ確認領域のデータチェック値に基づいて復旧処
理を行うものである。この発明は一例として実施の形態
８（図２２〜２４）に記載されている。

【００２１】この発明における情報処理装置は、あらか
じめ定められた消去単位でデータの消去および書き込み
がなされる複数の消去単位領域を有する第１のメモリ
と、前記消去単位領域に記憶されたデータを前記消去単
位で消去する消去手段とを有し、前記消去単位領域に記
憶されたデータを第１の書き込みデータに書き換える情
報処理装置において、消去ブロックバッファおよび書き
込み禁止フラグ領域を備えた任意のデータ単位でデータ
の書き込みが可能な不揮発性の第２のメモリと、前記第
１のメモリの第１の消去単位領域に前記第１の書き込み
データを書き込むことを要求する第１の書き込み要求に
対し、前記書き込み禁止フラグ領域の値が書き込み許可
状態になっている場合に、前記第１の書き込みデータを
前記消去ブロックバッファに書き込む書き込み制御手段
と、前記第１の書き込み要求に対し、前記書き込み禁止
フラグ領域の値が書き込み許可状態になっている場合
に、前記第１の消去単位領域内の不変データを前記消去
ブロックバッファに書き込む待避手段と、前記書き込み
禁止フラグ領域の値が書き込み許可状態になっている場
合に、前記消去ブロックバッファの内容を第１のメモリ
に書き込むメモリ書き込み手段とを備えたものである。
この発明は一例として実施の形態９（図２５〜２８）に
記載されている。

【００２２】また、前記消去ブロックバッファは、前記
第１の書き込みデータの書き込み要求後に発生する第２
の書き込み要求まで前記第１の書き込みデータおよび前
記第１の消去単位領域内の不変データを保持し、前記第
２の書き込み要求が前記第１の消去単位領域に第２の書
き込みデータを書き込むことを要求する場合に、前記書
き込み制御手段は前記第２の書き込みデータを前記消去
ブロックバッファに書き込み、前記メモリ書き込み手段
は前記第２の書き込みデータが書き込まれた前記消去ブ
ロックバッファ内のデータを前記第１の消去単位領域に
書き込むものである。この発明は一例として実施の形態
１０（図２９〜３１）に記載されている。

【００２３】前記書き込み制御手段は、前記第１のメモ
リの消去単位領域への前記消去ブロックバッファ内のデ
ータの書き込みが完了した後、前記消去単位番号保持領
域および前記消去単位番号確認領域のデータを消去する
ものである。この発明は例として実施の形態７（図２
０）、実施の形態１０（図３０）に記載されている。

【００２４】また、前記復旧手段は、前記消去単位番号
保持領域の値と前記消去単位番号確認領域の値とが同一
の場合に、前記消去ブロックバッファに書き込まれた前
記第１の書き込みデータおよび前記不変データを前記消
去手段によって消去された前記第１のメモリの消去単位
領域に書き込むよう前記メモリ書き込み手段に対して指
示するものである。この発明は一例として実施の形態７
（図２１）、実施の形態１０（図３１）に記載されてい
る。

【００２５】さらに、前記復旧手段は、前記消去単位番
号保持領域の値と前記消去単位番号確認領域の値とが同
一でない場合に、前記消去単位番号保持領域の値と前記
消去単位番号確認領域の値を消去するものである。この
発明は一例として実施の形態７（図２１）、実施の形態
１１（図３２）に記載されている。

【００２６】さらにまた、前記第２のメモリは、前記消
去ブロックバッファ内の領域を分割して管理し、当該分
割領域内のデータを処理することで得られるデータチェ
ック値が格納される消去ブロックバッファ管理領域を有
し、前記書き込み制御手段は前記データチェック値を前
記消去ブロックバッファ確認領域に書き込み、前記復旧
手段は、前記消去単位番号保持領域の値、前記消去単位
番号確認領域の値および前記データチェック値に基づい
て復旧処理を行うものである。この発明は一例として実
施の形態１２（図３４）、実施の形態１３（図３９）に
記載されている。

【００２７】また、前記書き込み制御手段は、前記第２
の書き込みデータの書き込み要求領域が前記消去ブロッ
クバッファ管理領域に管理されている前記分割領域と同
一の場合に、前記データチェック値を書き換えるもので
ある。この発明は一例として実施の形態１３（図３９〜
４２）に記載されている。

【００２８】さらに、読み込み要求されたデータが前記
消去ブロックバッファに記憶されている場合に、前記消
去ブロックバッファからデータを読み込む読み込み手段
を備え、当該読み込み手段は、前記消去ブロックバッフ
ァ管理領域に記憶されている前記データチェック値に基
づいて前記消去ブロックバッファ内のデータが正しいと
判断した場合に、前記消去ブロックバッファからデータ
を読み込むものである。この発明は一例として実施の形
態１４（図４３）に記載されている。

【００２９】さらにまた、読み込み要求されたデータが
前記消去ブロックバッファに書き込まれている場合に、
前記消去ブロックバッファからデータを読み込む読み込
み手段を備え、当該読み込み手段は、前記消去ブロック
バッファ管理領域に記憶されている前記データチェック
値に基づいて前記消去ブロックバッファ内のデータが正
しくないと判断した場合には、前記第１のメモリからデ
ータを読み込む。この発明は一例として実施の形態１５
（図４４）に記載されている。

【００３０】あらかじめ定められた消去単位でデータの
消去および書き込みがなされる複数の消去単位領域を有
する第１のメモリと、前記消去単位領域に記憶されたデ
ータを前記消去単位で消去する消去手段とを有する情報
処理装置において、前記消去単位領域に書き込む書き込
みデータおよび前記消去単位領域内の不変データの双方
を記憶する消去ブロックバッファ、不変データを記憶す
ることなく書き込みデータを記憶する書き込みバッフ
ァ、前記消去ブロックバッファに記憶されるデータを処
理することにより得られる第１データチェック値の保持
領域、前記書き込みバッファに書き込まれたデータを処
理することにより得られる第２データチェック値の保持
領域を備え、任意のデータ単位でデータの書き込みが可
能な不揮発性の第２のメモリと、第１の消去単位領域に
第１の書き込みデータを書き込むことを要求する第１の
書き込み要求に対して当該第１の書き込みデータを前記
消去ブロックバッファに書き込み、第２の消去単位領域
に第２の書き込みデータを書き込むことを要求する第２
の書き込み要求に対して当該第２の書き込みデータを前
記書き込みバッファに書き込み、前記第１のデータチェ
ック値および前記第２のデータチェック値を前記第２の
メモリに書き込む書き込み制御手段と、前記第１の書き
込み要求に対し、前記第１の消去単位領域内の不変デー
タを前記消去ブロックバッファに書き込む待避手段と、
前記消去ブロックバッファに書き込まれた前記第１の書
き込みデータおよび前記不変データを前記消去手段によ
って消去された前記第１の消去単位領域に書き込むメモ
リ書き込み手段と、前記情報処理装置の復旧時に、前記
第２のメモリに書き込まれた前記第１のデータチェック
値および前記第２のデータチェック値に基づいて復旧処
理を行うものである。この発明は一例として実施の形態
１６（図４５〜４９）に記載されている。

【００３１】また、前記復旧手段は、前記第１のデータ
チェック値に基づいて前記消去ブロックバッファに記憶
されたデータが正しいと判断した場合に、前記消去ブロ
ックバッファに記憶されたデータを前記第１の消去単位
領域に書き込むことを前記メモリ書き込み手段に指示
し、前記第２のデータチェック値に基づいて前記書き込
みバッファに記憶されたデータが正しいと判断した場合
に、前記書き込みバッファに記憶された前記第２の書き
込みデータを前記消去ブロックバッファに書き込むこと
を前記書き込み制御手段に指示し、前記第２の消去単位
領域の不変データを前記消去ブロックバッファに書き込
むことを前記待避手段に指示するものである。この発明
は一例として実施の形態１７（図５０）に記載されてい
る。

【００３２】さらに、消去単位番号保持領域を備え、前
記第２のメモリよりもデータの読み出しが高速な第３の
メモリを有し、前記書き込み制御手段は、前記消去単位
領域を特定する情報を前記第２のメモリの消去単位番号
保持領域と前記第３のメモリの消去単位番号保持領域双
方に書き込むようにし、前記消去単位領域を特定する情
報を参照する際には、前記第３のメモリの消去単位番号
保持領域からデータを読み出すものである。この発明は
一例として実施の形態１８（図５１〜５４）に記載され
ている。

【００３３】あらかじめ定められた消去単位でデータの
消去および書き込みがなされる複数の消去単位領域を有
する第１のメモリと、前記消去単位領域に記憶されたデ
ータを前記消去単位で消去する消去手段とを有し前記消
去単位領域に記憶されたデータを第１の書き込みデータ
に書き換える情報処理装置において、前記第１の書き込
みデータおよび前記消去単位領域内の不変データの双方
を記憶する消去ブロックバッファと、不変データを記憶
することなく書き込みデータを記憶する書き込みバッフ
ァとを備え、任意のデータ単位でデータの書き込みが可
能な不揮発性の第２のメモリと、第１の消去単位領域に
第１の書き込みデータを書き込むことを要求する第１の
書き込み要求に対し、前記第１の書き込みデータを前記
消去ブロックバッファに書き込む消去ブロックバッファ
書き込み手段と、前記第１の書き込み要求に対し、前記
第１の消去単位領域内の不変データを前記消去ブロック
バッファに書き込む待避手段と、前記第１の書き込み要
求以外の複数の書き込み要求に対し、当該複数の書き込
みデータを前記書き込みバッファに書き込む書き込みバ
ッファ書き込み手段と、前記消去ブロックバッファ書き
込み手段に書き込まれた前記第１の書き込みデータおよ
び前記不変データを前記第１の消去単位領域に書き込む
メモリ書き込み手段と、前記書き込みバッファ内の複数
の書き込みデータについて、書き込み要求がされた消去
単位領域ごとにそのデータ量を計算し、この計算結果に
基づいて同一の消去単位領域に書き込む書き込みデータ
すべてを前記消去ブロックバッファに移動させるデータ
移動手段とを有し、前記待避手段は前記消去ブロックバ
ッファに移動された書き込みデータに対応する消去単位
領域内の不変データを前記消去ブロックバッファに書き
込むものである。この発明は一例として実施の形態１９
（図５５〜５６）に記載されている。

【００３４】また、前記データ移動手段は、前記書き込
みバッファ内の書き込みデータの内、同一の消去単位領
域に書き込み要求がなされた書き込みデータのデータ量
が所定量よりも少なく、当該書き込みデータの数が所定
数よりも多い場合に、当該書き込みデータすべてを前記
消去ブロックバッファに移動させるものである。この発
明は一例として実施の形態２０（図５７）に記載されて
いる。

【００３５】

【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明の
一実施の形態である情報処理装置の構成を示す図であ
る。図１において、１０１は複数の消去単位領域からな
るフラッシュメモリである。このフラッシュメモリは、
予め定められた消去単位ごとにデータの消去および書き
込みがなされるメモリである。１０２は、フラッシュメ
モリとは異なり、データの書き換えのために一定の消去
単位を消去する必要がなく任意のデータ単位でメモリへ
のデータの直接書き込みが可能であり、かつ不揮発性の
メモリである。具体的には、バッテリーバックアップＳ
RAMである。

【００３６】１０３は、不揮発性メモリ１０２であるバ
ッテリーバックアップＳRAM上に設けられ、フラッシュ
メモリの１つの消去単位領域内のデータを退避して記録
するのに十分な大きさの容量を持つ消去ブロックバッフ
ァである。本実施の形態においては、消去単位領域と同
容量の領域を有するエリアで構成している。この消去ブ
ロックバッファ１０３は不揮発性メモリであるバッテリ
ーバックアップＳRAM上に構成されているので、任意の
データ単位でデータの書き込みが可能である。１１１は
フラッシュメモリ１０１へのデータの書き込みを制御す
る書き込み制御手段、１１２は消去単位領域内のデータ
を消去ブロックバッファ１０３に待避させる待避手段、
３０１はフラッシュメモリ１０１に対し消去単位領域の
消去のための命令を出す消去命令手段である。３０２は
フラッシュメモリ１０１に書き込みデータの書き込みを
行う書き込み手段である。以下、書き込みデータとは、
フラッシュメモリ１０１や不揮発性メモリ１０２等のメ
モリに対して新たに書き込むべきデータを意味し、又、
書き込み要求に含まれる書き込みデータを特に書き込み
要求データと呼ぶ。２０２は、不揮発性メモリ１０２内
のエリアであって、消去単位番号を記録する消去単位番
号保持領域である。

【００３７】図２は、この実施形態を実現する、具体的
なシステムの概略を示す構成図である。１８１はプロセ
ッサ、１０２はバッテリーバックアップＳRAM、１０１
はフラッシュメモリ、１８４は入出力インターフェー
ス、１８５は主記憶としてのＤＲＡＭである。書き込み
制御手段１１１、待避手段１１２、消去命令手段３０
１、書き込み手段３０２のそれぞれは、プロセッサ上１
８１でソフトウェアが動作することにより実現される。
フラッシュメモリ１０１の消去単位領域内のデータの消
去は、消去命令手段３０１から消去命令を受けたフラッ
シュメモリ１０１が、ハードウェア的に行う。この消去
単位の具体的な消去は、フラッシュメモリ１０１が備え
た消去手段（不図示）が行う。新たなデータ書き込み
は、例えば、入出力インターフェース１８４から書き込
み要求をプロセッサ１８１が受けることにより行われ
る。

【００３８】以下、本実施の形態における、フラッシュ
メモリ１０１上のデータの書き換え動作について説明す
る。図３は、本実施の形態における情報処理装置が、フ
ラッシュメモリ１０１上のデータの書き換えを行うフロ
ーチャートである。以下の各処理は、断りがない限り書
き込み制御手段１１１が行う。まず、Ｓ１０１におい
て、フラッシュメモリ１０１へのデータの書き込み要求
を受ける。この書き込み要求には、書き込むデータとし
ての書き込み要求データ、データを書き込むフラッシュ
メモリ上のアドレスを特定する書き込み要求領域、そし
てデータの大きさの情報が含まれている。次に、Ｓ１０
２において、消去単位の容量と書き込み要求領域から、
書き込み要求領域を含む消去単位の番号と、書き込み要
求領域が対応する消去単位内の位置を算出する。尚、書
き込み要求領域はフラッシュメモリ１０１全体の相対的
位置を特定するアドレスであり、消去単位内の位置は特
定の消去単位内での相対的位置を特定するものである。

【００３９】さらにＳ１０３において、書き込み要求デ
ータを、消去ブロックバッファ１０３内の領域であっ
て、書き込み要求領域に対応した位置に書き込む。即
ち、Ｓ１０２において算出した消去単位内の位置に対応
する消去ブロックバッファ１０３内の位置に書き込まれ
る。そして、Ｓ１０４において、待避手段１１２に待避
指示を出す。この待避指示には、消去単位の番号と、書
き込み要求領域が対応する消去単位内の位置についての
情報が含まれている。この指示を受けた待避手段１１２
は、Ｓ１０２において算出した消去単位番号の消去単位
領域内のデータであって、Ｓ１０３において書き込まれ
た領域に対応する部分以外のデータである不変データ
を、消去ブロックバッファ１０３に書き込む。この明細
書において、不変データとは、消去単位領域内のデータ
の内、書き込み要求データによって書き換えられないデ
ータをいう。

【００４０】続いてＳ１０５において、消去命令手段３
０１に対して消去指示を出す。この消去指示には、フラ
ッシュメモリ１０１の消去単位の番号が含まれている。
この指示を受けた消去命令手段３０１は、フラッシュメ
モリ１０１の消去手段に対し、消去単位の番号が対応す
るフラッシュメモリ内の１つの消去単位を消去するよう
に命令を出す。フラッシュメモリ１０１の消去手段によ
る消去が完了すると、書き込み手段３０２が消去ブロッ
クバッファ１０３に記憶されたデータを、消去されたフ
ラッシュメモリ１０１内の消去単位領域に書き込む。書
き込み要求発生の度にＳ１０１〜Ｓ１０５の処理が実行
される。

【００４１】ここで、フラッシュメモリ１０１内のデー
タの消去からフラッシュメモリ１０１への書き込みまで
の間に装置に対する電源断が発生した場合の復旧処理に
ついて説明する。不揮発性メモリ１０２上の消去ブロッ
クバッファ１０３にフラッシュメモリ１０１への書き込
みが完了していないデータがあるときに、電源入力後
に、この消去ブロックバッファ１０３上のデータをフラ
ッシュメモリ１０１に再度書き込む処理について説明す
る。

【００４２】まず、通常の処理について説明する。書き
込み制御手段１１１は、Ｓ１０５において、フラッシュ
メモリ１０１の消去指示を出した後、この消去指示に含
まれるフラッシュメモリ１０１の消去単位の番号を、不
揮発性メモリ１０２内に設けられた消去単位番号保持領
域２０２に記録する。フラッシュメモリ１０１へのデー
タの書き込みが終了すると、書き込み制御手段１１１は
消去単位番号保持領域２０２に記録された消去単位番号
を無効にする。

【００４３】次に、フラッシュメモリ１０１の消去から
フラッシュメモリ１０１への書き込みまでの間に装置に
対する電源断が発生した場合の、復旧処理について説明
する。電源断の発生及び電源入力後に、書き込み制御手
段１１１は、不揮発性メモリ１０２内の消去単位番号保
持領域２０２を確認する。消去単位番号保持領域２０２
に有効な消去単位番号が存在している場合には、書き込
みが終了していないと判断され、消去ブロックバッファ
１０３に記録されているデータを、フラッシュメモリ１
０１へ書き込む処理を行う。消去ブロックバッファ１０
３に記録されているデータが書き込まれるフラッシュメ
モリ１０１内の消去単位の番号は、消去単位番号保持領
域２０２に記録されている。その後、消去単位番号保持
領域２０２に記憶された消去単位番号を無効にする。消
去単位番号保持領域２０２に有効な消去単位番号が存在
しない場合には、フラッシュメモリ１０１へ書き込む処
理を行なわずに、そのまま復旧処理を終了する。以上の
処理により、装置に対する電源断が発生した場合の、復
旧処理が可能となる。

【００４４】以上のように、この実施の形態によれば、
フラッシュメモリ１０１上の書き換えが行なわれる消去
単位内のデータは不揮発性メモリ上の消去ブロックバッ
ファ１０３領域に待避されているため、フラッシュメモ
リ上のデータの消去後、フラッシュメモリへの新たなデ
ータの書き込みが完了する前に電源断等が発生しても、
データが失われることがなく、フラッシュメモリ上の書
き換えに関し、信頼性の高い情報処理装置を得ることが
できる。

【００４５】尚、本実施の形態においては、Ｓ１０３で
書き込みデータを消去ブロックバッファ１０３に書き込
んだ後に、Ｓ１０４において不変データを待避させてい
るが、この順番が逆であってもよい。又、待避手段１１
２による待避を行った後に、書き込みデータを消去ブロ
ックバッファ１０３に書き込む場合には、待避させるデ
ータは不変データだけはなく、不変データを含んだ消去
単位内の全データを待避させ、その後、待避させたデー
タに書き込みデータを上書きすればよい。

【００４６】また、本実施の形態においては、Ｓ１０３
で書き込みデータを消去ブロックバッファ１０３に書き
込むこととしているが、書き込みデータの消去ブロック
バッファ１０３への書き込みは、遅くとも、書き込み手
段３０２が消去ブロックバッファ１０３に記憶されたデ
ータをフラッシュメモリ１０１内の消去単位領域に書き
込む前までに完了していれば良い。さらに、本実施の形
態ではＳ１０２において、消去単位の容量と書き込み要
求領域から、書き込み要求領域を含む消去単位の番号
と、書き込み要求領域が対応する消去単位内の位置を算
出しているが、書き込み要求データにこれらデータを含
めるようにすることも可能である。その場合には、Ｓ１
０２の算出処理は省略される。

【００４７】この実施の形態において、フラッシュメモ
リ１０１は、あらかじめ定められた消去単位でデータの
消去および書き込みがなされる複数の消去単位領域を有
するメモリの一例であり、フラッシュメモリ１０１の消
去手段（不図示）は、前記消去単位領域に記憶されたデ
ータを前記消去単位で消去する消去手段の一例であり、
バッテリーバックアップＳＲＡＭ１０２は、任意のデー
タ単位でデータの書き込みが可能な不揮発性の消去ブロ
ックバッファの一例である。また、書き込み制御手段１
１１は、消去ブロックバッファに書き込みデータを書き
込む書き込みデータ書き込み手段の一例であり、待避手
段１１２は、不変データを消去ブロックバッファに書き
込む待避手段の一例であり、書き込み手段３０２は、書
き込みデータおよび不変データを消去単位領域に書き込
むメモリ書き込み手段の一例である。

【００４８】実施の形態２．図４は、本発明の他の実施
形態である、情報処理装置の概略を示す構成図である。
図において、２０１はフラッシュメモリ１０１又は不揮
発性メモリ１０２からデータを読み出す読み出し手段、
２０２は不揮発性メモリ１０２内のエリアであって、消
去単位番号を記録する消去単位番号保持領域である。他
の構成は、図１において説明した構成の同一又は相当部
であり、説明を省略する。読み出し手段２０１は、ソフ
トウエアがプロセッサ１８１上で動作することにより実
現される。尚、本実施の形態においては、特に、同一の
消去単位領域へ、連続して書き込みデータを書き込む場
合の動作について説明する。

【００４９】本実施の形態において、メモリへのデータ
書き込み時の動作を図５を用いて説明する。ここでメモ
リとは、フラッシュメモリ１０１と不揮発性メモリ１０
２の双方を含む概念である。尚、以下の各処理は、断り
がない限り書き込み制御手段１１１の動作である。ま
ず、Ｓ２０１において、フラッシュメモリ１０１へのデ
ータの書き込み要求を受ける。この要求の内容は、実施
の形態１と同様である。次に、Ｓ２０２において、書き
込み要求領域を含むフラッシュメモリの消去単位の番号
を求める。この消去単位の番号を求める方法は、実施の
形態１と同様である。

【００５０】続いて、Ｓ２０３において、消去単位番号
保持領域２０２を参照し、消去単位番号保持領域２０２
に消去単位番号の記録が存在するかを判定する。消去番
号の記録が存在しなければ、Ｓ２０４において、書き込
みデータを消去ブロックバッファ１０３に書き込む。消
去ブロックバッファ１０３への書き込み動作は、実施の
形態１と同様である。次に、Ｓ２０５において、待避手
段１１２に対して待避指示を行なう。待避指示の内容
は、実施の形態１と同様である。待避手段１１２は、Ｓ
２０２で求めた番号のフラッシュメモリの消去単位か
ら、不変データを消去ブロックバッファ１０３に書き込
む。続いて、Ｓ２０６において、Ｓ２０２において求め
た消去単位番号を消去番号保持領域２０２に記録する。
この後、フラッシュメモリ１０１にデータを書き込むこ
となく、メモリへのデータの書き込み処理を終了する。

【００５１】Ｓ２０３において消去単位番号保持領域２
０２に消去単位番号の記録が存在する場合には、Ｓ２０
７において、Ｓ２０２で求めた消去単位番号が消去単位
番号保持領域２０２に存在する記録と一致するかを判定
する。判定により消去単位番号が異なる場合には、Ｓ２
０８において、消去命令手段３０１に対し消去指示を行
なう。消去指示の内容は実施の形態１と同様である。こ
の指示を受けた消去命令手段３０１は、フラッシュメモ
リ１０１の消去手段に対し、消去単位の番号が対応する
フラッシュメモリ内の１つの消去単位を消去するように
命令を出す。フラッシュメモリ１０１の消去手段による
消去が完了すると、書き込み手段３０２が消去ブロック
バッファ１０３の内容を、フラッシュメモリ１０１内の
この消去単位の領域に書き込む。

【００５２】続いて、消去単位番号の記録が存在しない
場合と同様に、Ｓ２０４からＳ２０６の処理を行ない、
書き込みデータの消去ブロックバッファへの書き込み、
フラッシュメモリからのデータの退避、消去単位番号の
記録を行なう。Ｓ２０７でＳ２０２で求めた消去単位番
号が消去単位番号保持領域２０２に存在する記録と一致
する場合には、Ｓ２０９において、書き込み要求データ
を消去ブロックバッファ１０３へ書き込む。以上説明し
たように、消去単位番号の記録が存在していない場合に
はＳ２０１〜Ｓ２０６の手順で処理が実行され、消去単
位番号の記録が存在している場合にはＳ２０１〜Ｓ２０
３、Ｓ２０７、Ｓ２０８、Ｓ２０４〜Ｓ２０６の手順で
処理が実行されるか若しくは、Ｓ２０１〜Ｓ２０３、Ｓ
２０７、Ｓ２０９の手順で処理が実行される。即ち、書
き込み要求が第１回目の要求であった場合には、Ｓ２０
１〜Ｓ２０６の手順で処理が実行され、第２回目の書き
込み要求以降は、Ｓ２０１〜Ｓ２０３、Ｓ２０７、Ｓ２
０８、Ｓ２０４〜Ｓ２０６の手順で処理が実行されるか
若しくは、Ｓ２０１〜Ｓ２０３、Ｓ２０７、Ｓ２０９の
手順で処理が実行される。以上の処理が書き込み要求が
発生する度に実行される。

【００５３】次に、メモリからのデータ読み出し時の動
作について図６を用いて説明する。以下の各処理は、断
りがない限り読み出し手段２０１の動作である。まず、
Ｓ２１１において読み出し要求を受ける。読み出し要求
には、読み出し要求領域としてのフラッシュメモリ１０
１のアドレスと読み出すデータの大きさに関する情報が
含まれている。次に、Ｓ２１２において、読み出し要求
領域を含むフラッシュメモリの消去単位の番号を書き込
み時と同様に求める。尚、読み出し要求領域とは、読み
出すべきデータが記憶されているフラッシュメモリ１０
１上のエリアであり、フラッシュメモリ１０１上の相対
的位置を特定する。

【００５４】続いて、Ｓ２１３において、消去単位番号
保持領域２０２を参照し、消去単位番号の記録が存在
し、かつその消去単位番号がＳ２１２において求めたも
のと一致するかを判定する。一致した場合には、読み出
し領域のデータは消去ブロックバッファに保持されてい
るので、Ｓ２１４において、消去ブロックバッファから
データを読み出す。消去単位番号の記録が消去単位番号
保持領域２０２に存在しないか、あるいは記録された消
去番号がＳ２１２おいて求めたものと一致しない場合に
は、読み出し領域のデータは消去ブロックバッファに保
持されていないので、Ｓ２１５において、フラッシュメ
モリからデータの読み出しを行なう。

【００５５】以上のように本実施の形態によれば、フラ
ッシュメモリの同一の消去単位領域へ続けて書き込みを
行う場合、１回目のデータ書き込みデータを不揮発性メ
モリ上の消去ブロックバッファに書き込んだ後、フラッ
シュメモリに消去ブロックバッファ上のデータを書き込
まず、さらに２回目の書き込みデータを消去ブロックバ
ッファに記録されているデータに書き込みを行う。同一
の消去単位領域への書き込みが更に続く場合は、この処
理を続けて行う。この動作により、実施の形態１の奏す
る効果に加え、フラッシュメモリ上の同一の消去単位領
域への連続した書き込みを一括して行なうことにより、
フラッシュメモリ上のデータの消去回数を減らすことが
でき、フラッシュメモリの劣化を低減することが可能と
なる。尚、本実施の形態においても、実施の形態１と同
様に電源断時の復旧処理を行うことが可能である。この
場合、書き込み未終了フラグとして、消去単位番号の記
録を利用してもよい。これは、フラッシュメモリへの書
き込みの後に、消去単位番号を無効にすることにより実
現できる。この実施の形態ではＳ２０５において、フラ
ッシュメモリの消去単位から不変データを消去ブロック
バッファ１０３に書き込む待避処理を行なっているが、
この処理は遅くとも不変データをフラッシュメモリ１０
１に書き込むまでに実行され完了していればよい。ま
た、Ｓ２０４における書き込み要求データの消去ブロッ
クバッファへの書き込みは、次回の書き込み要求の書き
込み要求データを消去ブロックバッファに書き込むまで
に実行すればよい。

【００５６】実施の形態３．本発明の他の実施形態にお
ける情報処理装置について説明する。情報処理装置の構
成は実施の形態２と同様であり、図４に示される。本実
施形態の基本的動作は実施の形態２と同様である。本実
施形態においては、フラッシュメモリからデータを待避
させた後のステップとして、その消去単位のデータ消去
を行う。本実施の形態におけるメモリへのデータ書き込
み時の動作を、図７を用いて説明する。以下の各処理
は、断りがない限り書き込み制御手段１１１の動作であ
る。まず、Ｓ３０１において、データの書き込み要求を
受ける。書き込み要求の内容は実施の形態１と同様であ
る。次に、Ｓ３０２において、書き込み要求領域を含む
フラッシュメモリの消去単位の番号を求める。消去単位
の番号を求める動作については、実施の形態１と同様で
ある。

【００５７】続いて、Ｓ３０３において、消去単位番号
保持領域２０２を参照し、消去単位番号の記録が存在す
るかを判定する。Ｓ３０３において消去単位番号保持領
域２０２に消去番号の記録が存在しなければ、Ｓ３０４
において、書き込み要求データを消去ブロックバッファ
１０３に書き込む。続いてＳ３０５において、待避手段
１１２に対して待避指示を行なう。待避指示の内容は実
施の形態１と同様である。待避指示を受けた待避手段１
１２は、消去単位内の不変データを消去ブロックバッフ
ァ１０３に書き込むことにより待避させる。さらにＳ３
０６において、Ｓ３０２で求めた消去単位番号を、消去
単位番号保持領域２０２に記録する。次にＳ３０７にお
いて、消去命令手段３０１に対して消去指示を出す。消
去指示には、Ｓ３０２で求めた消去単位番号の情報が含
まれている。消去指示を受けた消去命令手段３０１は、
Ｓ３０５における消去ブロックバッファへの待避が完了
した消去単位領域内のデータを消去するように、命令を
出す

【００５８】Ｓ３０３において消去単位番号保持領域２
０２に消去単位番号の記録が存在する場合には、Ｓ３０
８において、Ｓ３０２で求めた消去単位番号が消去単位
番号保持手段３０２に存在する記録と一致するかを判定
する。消去単位番号が異なる場合には、Ｓ３０９におい
て、書き込み手段３０２に対し書き込み指示を行なう。
この書き込み指示には、消去単位番号に関する情報が含
まれる。書き込み指示を受けた書き込み手段３０２は、
現在の消去ブロックバッファ１０３のデータをフラッシ
ュメモリ１０１に書き込む。フラッシュメモリ１０１の
当該消去単位領域のデータは、以前の書き込み処理時
（Ｓ３０７）にすでに消去されているため、すでに消去
された消去単位領域に消去ブロックバッファ１０３のデ
ータを書き込む書き込み処理のみを行なう。これ以降は
消去番号の記録が存在しなかった場合と同様に、Ｓ３０
４〜Ｓ３０７の処理を行う。

【００５９】Ｓ３０８で消去単位番号が一致する場合に
は、書き込み要求データを書き込むべき消去単位領域内
のデータは消去ブロックバッファに記録されているの
で、Ｓ３１０において、書き込み要求データを消去ブロ
ックバッファ１０３へ書き込む。尚、本実施の形態にお
ける読み出し時の動作は、実施の形態２の場合と同様で
ある。以上の処理が書き込み要求が発生する度に実行さ
れる。この発明の実施の形態によれば、フラッシュメモ
リからデータを待避させた後にフラッシュメモリのデー
タを消去するので、消去ブロックバッファのデータをフ
ラッシュメモリに書き込む際には、フラッシュメモリの
データを消去する処理を行う必要がない。フラッシュメ
モリの消去は、フラッシュメモリがハードウェア的に行
うため、プロセッサが他の処理を平行して行うことがで
きる。例えば、入出力インターフェースから主記憶装置
へのデータの書き込みや、プロセッサ内の計算処理等を
並列的に行うことができる。

【００６０】一方、フラッシュメモリにデータを書き込
む際にフラッシュメモリのデータを消去する場合には、
プロセッサは書き込み要求をうけているので、プロセッ
サは消去の処理を待たなければならず、他の処理を平行
して行うことができない。以上のように、本実施の形態
においては、フラッシュメモリからデータを待避させた
後にフラッシュメモリのデータを消去するので、フラッ
シュメモリにデータを書き込む際にフラッシュメモリの
データを消去する必要がない。そのため、実施の形態２
の奏する効果に加え、書き込み処理の時間を短縮するこ
とができる。又、フラッシュメモリの消去処理と平行し
てプロセッサの処理が可能となり、情報処理装置全体の
処理速度の向上を図ることが可能となる。

【００６１】実施の形態４．図８は本発明の他の実施形
態における情報処理装置の構成を示す図である。図にお
いて、４０２は任意のデータ単位で書き込み可能な不揮
発性メモリ１０２上に構成され、書き込みデータを記録
する書き込みバッファである。書き込みバッファ４０２
は、書き込みデータを記録するためのものであり、不変
データを記録することはない。４０３は書き込みバッフ
ァ管理領域である。書き込みバッファ管理領域４０３に
は、消去単位番号、消去単位内オフセットおよびデータ
サイズとが記憶される。他の構成は、図３における構成
の同一もしくは相当部であり説明を省略する。 図９
は、書き込みバッファ管理領域４０３に記録されている
データの内容を示す図である。書き込みバッファ管理領
域４０３には、書き込みバッファ４０２に保持されたデ
ータが書き込まれるべきフラッシュメモリ１０１上の消
去単位番号と、この消去単位領域内の書き込み領域の位
置を特定するオフセットと、書き込み領域の大きさに関
するデータを保持する。消去単位番号の「−１」は、こ
れ以上書き込みデータが存在しないことを意味する。こ
こでは、書き込み領域の大きさは一定になっているが、
この大きさは個々のデータ毎に異なっていてもよい。

【００６２】本実施の形態におけるメモリへの書き込み
時の動作を、図１０を用いて説明する。以下の各処理
は、断りがない限り書き込み制御手段１１１の動作であ
る。まず、Ｓ４０１において、データの書き込み要求を
受ける。書き込み要求の内容は、実施の形態１と同様で
ある。次に、Ｓ４０２において、書き込み要求領域を含
むフラッシュメモリの消去単位の番号を求める。この動
作は、実施の形態１と同様である。続いてＳ４０３にお
いて、消去単位番号保持領域２０２を参照し、消去単位
番号の記録が存在するかを判定する。ここで、消去番号
の記録が存在しなければ、Ｓ４０４において、書き込み
制御手段１１１は、書き込み要求データを消去ブロック
バッファ１０３に書き込む。

【００６３】さらに、Ｓ４０５において、待避手段１１
２に対して待避指示を行う。待避指示の内容は実施の形
態１と同様である。待避指示を受けた待避手段１１２
は、Ｓ４０２で算出された消去単位番号で特定される消
去単位領域内の不変データを消去ブロックバッファ１０
３に書き込む。続いて、Ｓ４０６において、Ｓ４０２で
求めた消去単位番号を消去単位番号保持領域２０２に記
録する。さらに、Ｓ４０７において、消去命令手段３０
１に対して消去指示を出す。消去指示の内容は実施の形
態２と同様である。消去指示を受けた消去命令手段３０
１は、消去ブロックバッファ１０３へ待避された消去単
位の消去を行なうように、フラッシュメモリ１０１に命
令を出す。

【００６４】Ｓ４０３において消去単位番号保持領域２
０２に消去単位番号の記録が存在する場合には、Ｓ４０
８において、Ｓ４０２で求めた消去単位番号が消去単位
番号保持領域２０２に存在する記録と一致するかを判定
する。Ｓ４０８において消去単位番号が異なる場合に
は、Ｓ４０９において、書き込みバッファ管理領域４０
３を参照し、書き込みバッファ管理領域４０３に記録さ
れている情報から、書き込み要求領域と同一の領域に書
き込みを行なうデータが既に書き込みバッファ４０２に
存在するかを判定する。この判定は、書き込みバッファ
管理領域４０３に記憶されている消去単位番号及び消去
単位内オフセットおよびサイズから把握することができ
る。換言すれば、Ｓ４０９においては、書き込み要求領
域で特定される領域が既に書き込みバッファ４０２に存
在するデータの書き込み要求領域に含まれるか否かを判
定する。書き込み要求領域で特定される領域が既に書き
込みバッファ４０２に存在するデータの書き込み要求領
域に含まれる場合としては、例えば、書き込み要求領域
で特定される領域と既に書き込みバッファ４０２に存在
するデータの書き込み要求領域とが完全に同一の場合、
及び書き込み要求領域で特定される領域が既に書き込み
バッファ４０２に存在するデータの書き込み要求領域内
に収まる場合の２つの場合が該当する。

【００６５】Ｓ４０９において、書き込み要求領域と同
一の領域に書き込みを行なうデータが書き込みバッファ
４０２に存在しない場合には、さらにＳ４１０において
書き込み制御手段１１１は、書き込み要求のデータを書
き込むことができる領域が書き込みバッファ４０２に存
在するかを、書き込みバッファ４０２の空き領域を調べ
ることで判定する。空き領域の存在は、書き込みバッフ
ァ管理領域４０３に記録されている情報から知ることが
できる。本実施の形態では、最後の消去単位番号を−１
としておくことで、空き領域の存在を記録する。最後が
−１以外であれば、空き領域は存在しない。もちろん、
書き込みバッファ４０２の容量と管理情報に含まれるサ
イズの情報から、空き領域の存在を求めてもよい。

【００６６】書き込みバッファ４０２に空き領域がない
場合には、Ｓ４１１において書き込み制御手段１１１
は、書き込み手段３０２に対し書き込み指示を行なう。
書き込み指示の内容は実施の形態１と同様である。書き
込み指示を受けた書き込み手段３０２は、消去ブロック
バッファ１０３に現在記録されているデータをフラッシ
ュメモリ１０１に書き込む。続いて、Ｓ４０４からＳ４
０７の処理を、消去単位番号の記録が存在しない場合と
同様に行なう。

【００６７】Ｓ４１０で書き込みバッファに空き領域が
存在した場合には、Ｓ４１２において、書き込みデータ
を書き込みバッファ４０２へ書き込む。次にＳ４１３に
おいて、書き込みバッファ管理領域４０３に、Ｓ４１２
で書き込んだ書き込みデータに関する管理情報を記録す
る。管理情報は、消去単位番号とその中での位置を特定
するオフセット、及び書き込みデータの大きさを記録す
る。書き込みバッファ管理領域４０３における管理情報
と、書き込みバッファ４０２における書き込みデータの
対応づけは、各エリアにおけるアドレス上の順序が同一
になるように記録されることで行われる。尚、書き込み
バッファ管理領域４０３に、書き込みデータが記録され
ている書き込みバッファ内のアドレスを記録することに
より、各管理情報と書き込みデータの対応づけを行って
もよい。

【００６８】Ｓ４０９で書き込み要求領域と同一の領域
に書き込みを行なうデータが既に存在すると判定された
場合には、Ｓ４１４において、書き込みデータを書き込
みバッファの同一領域のデータが記録されているエリア
に書き込む。Ｓ４０８で、Ｓ４０２で算出した消去単位
番号が消去単位番号保持領域２０２に存在する記録と一
致すると判定された場合には、Ｓ４１５において、書き
込み要求データを消去ブロックバッファに書き込む。書
き込み要求データの消去ブロックバッファへの書き込み
動作については実施の形態１と同様である。

【００６９】次に、メモリからのデータ読み出し時の動
作を図１１を用いて説明する。以下の各処理は、断りが
ない限り読み出し手段２０１の動作である。まずＳ４５
１において、読み出し要求を受ける。この読み出し要求
の内容は実施の形態２と同様である。次にＳ４５２にお
いて、読み出し要求領域を含むフラッシュメモリの消去
単位番号を求める。消去単位の番号を求める動作は実施
の形態２と同様である。続いてＳ４５３において、消去
単位番号保持領域２０２を参照し、消去単位番号の記録
が存在するかを判定する。消去単位番号の記録が存在し
ない場合には、Ｓ４５４において、書き込みバッファ管
理領域４０３の管理情報を参照し、読み出し要求領域と
して特定された領域に書き込まれるべきデータが書き込
みバッファ４０２に存在するかを判定する。

【００７０】読み出し要求領域として特定された領域に
書き込まれるべきデータが書き込みバッファ４０２に存
在する場合には、Ｓ４５５において、その領域のデータ
を書き込みバッファ４０２から読み出す。読み出し要求
領域として特定された領域に書き込まれるべきデータが
書き込みバッファ４０２に存在しない場合には、Ｓ４５
６において、読み出しデータをフラッシュメモリ１０１
から読み出す。Ｓ４５３で消去単位番号保持領域２０２
に消去単位番号の記録が存在し、かつＳ４５２で求めた
消去単位番号と一致する場合には、読み出し領域のデー
タは消去ブロックバッファ１０３に保持されているの
で、Ｓ４５７において、消去ブロックバッファ１０３か
ら読み出しデータを読み出す。以上の処理が読み出し要
求が発生する度に実行される。

【００７１】本実施の形態の情報処理装置によれば、不
揮発メモリ１０２上に、消去ブロックバッファ１０３に
加えて、書き込みデータを記録する書き込みバッファ４
０２を設けているので、異なる消去単位領域に対する複
数の書き込みデータを記録することができ、実施の形態
３の奏する効果に加え、フラッシュメモリ１０１への書
き込み回数をさらに低減でき、フラッシュメモリ１０１
の劣化を低減することが可能となる。又、特にバッテリ
バックアップＳＲＡＭは、記録容量あたりの値段が高い
こともあり、その効率的利用が強く求められているが、
本実施の形態のように、消去ブロックバッファ１０３に
加えて、不変データを記録せずに書き込みデータを記録
するエリアとして書き込みバッファ４０２を設けること
により、複数の消去ブロックバッファを設ける場合に比
較し、効率的に不揮発メモリ１０２を利用つつ、フラッ
シュメモリの劣化を大きく低減することが可能となる。

【００７２】この実施の形態において、書き込みバッフ
ァ４０２は、不変データを記憶することなく書き込みデ
ータを記憶する書き込みバッファの一例であり、書き込
み制御手段１１１は、第１の消去単位領域に第１の書き
込みデータを書き込むことを要求する第１の書き込み要
求に対し、前記第１の書き込みデータを前記消去ブロッ
クバッファに書き込む書き込みデータ書き込み手段、お
よび第２の消去単位領域に第２の書き込みデータを書き
込むことを要求する第２の書き込み要求に対して、前記
第２の書き込みデータを前記書き込みバッファに書き込
む書き込みバッファ書き込み手段の一例である。この実
施の形態では、データ書き込み手段とバッファ書き込み
手段の機能を書き込み制御手段１１１にて果たしてい
る。待避手段１１２は、第１の消去単位領域に第１の書
き込みデータを書き込むことを要求する第１の書き込み
要求に対し、第１の消去単位領域内の不変データを前記
消去ブロックバッファに書き込む待避手段の一例であ
る。

【００７３】実施の形態５．図１２は本実施の形態にお
ける情報処理装置の構成を示す図である。図において、
５０１は書き込みバッファ４０２のデータを移動するバ
ッファ移動手段である。他の構成は、既に説明した構成
の同一もしくは相当部であり、説明を省略する。本実施
形態の基本的動作は実施の形態４と同様であるが、バッ
ファ移動手段５０１によって、書き込みバッファ４０２
内の同一の消去単位領域に含まれるデータを、消去ブロ
ックバッファ１０３に移動する処理を有する点で実施の
形態４と相違する。実施の形態５における書き込み時の
動作を、図１３および図１４を用いて説明する。以下の
各処理は、断りがない限り書き込み制御手段１１１の動
作である。まずＳ５０１において、データの書き込み要
求を受ける。書き込み要求の内容は実施の形態１と同様
である。次にＳ５０２において、書き込み要求領域が含
まれるフラッシュメモリの消去単位の番号を求める。消
去単位番号を求める動作は実施の形態１と同様である。

【００７４】続いてＳ５０３において、消去単位番号保
持領域２０２を参照し、消去単位番号の記録が存在する
かを判定する。消去単位番号保持領域２０２に消去番号
の記録が存在しなければ、Ｓ５０４において、書き込み
データを消去ブロックバッファ１０３に書き込む。さら
にＳ５０５において、待避手段１１２に対して待避指示
を行なう。待避指示の内容は実施の形態１と同様であ
る。待避指示を受けた待避手段１１２は、待避処理とし
て不変データを消去ブロックバッファ１０３へ書き込
む。続いて、Ｓ５０６において、Ｓ５０２において求め
た消去単位番号を消去単位番号保持領域２０２に記録す
る。次にＳ５０７において、消去命令手段３０１に対し
て消去指示を出す。消去指示の内容は実施の形態１と同
様である。消去指示を受けた消去命令手段３０１は、す
でに消去ブロックバッファ１０３への待避が完了した消
去単位領域内のデータを消去するようにフラッシュメモ
リ１０１に命令を出す。

【００７５】Ｓ５０３で消去単位番号保持領域２０２に
消去単位番号の記録が存在した場合には、Ｓ５０８にお
いて、Ｓ５０２において求めた消去単位番号が消去単位
番号保持領域２０２に存在する記録と一致するかを判定
する。Ｓ５０８において消去単位番号が異なる場合に
は、Ｓ５０９において、書き込みバッファ管理領域４０
３を参照し、書き込み要求領域と同一の領域に書き込ま
れるデータが既に書き込みバッファに存在するかを判定
する。Ｓ５０９で書き込み要求領域と同一の領域に書き
込まれるデータが書き込みバッファに存在しないと判定
された場合には、Ｓ５１０の処理として、Ｓ５０２にお
いて求めた消去単位番号と同じ消去単位番号のデータが
書き込みバッファ４０２に存在するかを書き込みバッフ
ァ管理領域４０３を参照して判定する。

【００７６】Ｓ５１０で同じ消去単位番号のデータが書
き込みバッファ４０２に存在する場合には、バッファデ
ータ移動処理を行なうが、これについては後述する。Ｓ
５１０で同じ消去単位番号のデータが書き込みバッファ
４０２に存在しない場合には、さらにＳ５１１におい
て、書き込み要求データを書き込むことができる領域が
書き込みバッファ４０２に存在するかを判定する。Ｓ５
１１において空き領域がないと判断した場合には、Ｓ５
１２において書き込み制御手段１１１は、書き込み手段
３０２に対し書き込み指示を行なう。書き込み指示を受
けた書き込み手段３０２は、現在の消去ブロックバッフ
ァ１０３のデータをフラッシュメモリ１０１に書き込
む。これ以降、Ｓ５０４〜Ｓ５０７の処理を行ない、消
去単位番号の記録が存在しない場合と同一の処理を行な
う。

【００７７】Ｓ５１１で書き込みバッファ４０２に空き
領域が存在すると判断した場合には、Ｓ５１３において
書き込み制御手段１１１は、書き込みデータを書き込み
バッファ４０２の空き領域へ書き込む。Ｓ５１４におい
て、書き込みバッファ管理領域に、管理情報として、消
去単位番号とその中でのオフセット、及び書き込みデー
タの大きさを記録する。Ｓ５０９で書き込み要求領域と
同一の領域に書き込まれるデータが書き込みバッファに
存在すると判定された場合には、Ｓ５１６において書き
込み制御手段１１１は、書き込み要求領域と同一の領域
に書き込まれるデータが存在するエリアに書き込み要求
データを上書きする。Ｓ５０８においてＳ５０２で算出
した消去単位番号が消去単位番号保持領域２０２に存在
する記録と一致すると判定された場合には、Ｓ５１７に
おいて、書き込み要求データの消去単位番号と同一の消
去単位番号のデータが記憶されている消去ブロックバッ
ファ１０３内のエリアに書き込み要求データを上書きす
る。

【００７８】Ｓ５１０において、同じ消去単位番号のデ
ータが書き込みバッファ４０２に存在する場合に行われ
る、バッファデータ移動処理の動作を図１４を用いて説
明する。以下の各処理は、断りがない限り書き込み制御
手段１１１の動作である。まずＳ５２１において、消去
ブロックバッファ１０３に現在登録されているデータを
フラッシュメモリ１０１に書き込む。次にＳ５２２にお
いて、書き込み要求データを消去ブロックバッファ１０
３へ書き込む。続いてＳ５２３において、バッファ移動
手段５０１は書き込みバッファ４０２に記録されている
データの内、書き込み要求データの消去単位と同一の消
去単位に含まれる全ての書き込みデータを、消去ブロッ
クバッファ１０３へ移動する。書き込み要求データの書
き込み要求領域と、既に書き込みバッファ４０２に記憶
されている書き込みデータの書き込み要求領域とが異な
る場合には、書き込み要求データ及び書き込みバッファ
４０２に記憶されている書き込みデータがすべて消去ブ
ロックバッファ１０３に記憶される。書き込み要求デー
タの書き込み要求領域と、既に書き込みバッファ４０２
に記憶されている書き込みデータの書き込み要求領域と
が一部重複する場合には、重複する領域については書き
込み要求データが優先的に消去ブロックバッファ１０３
に書き込まれ、重複しない部分については書き込み要求
データ及び書き込みバッファ４０２に記憶されている書
き込みデータがそれぞれ消去ブロックバッファ１０３に
書き込まれる。

【００７９】さらにＳ５２４において、待避手段１１２
に対して待避指示を行ない、待避指示を受けた待避手段
１１２は、Ｓ５２３において消去ブロックバッファ１０
３へ書き込まれた領域以外のデータである不変データ
を、フラッシュメモリの当該消去単位から待避する。続
いて、Ｓ５２５において消去単位番号を消去単位番号保
持領域２０２に記録し、Ｓ５２６において、書き込みバ
ッファ４０２から消去ブロックバッファ１０３へ移動に
伴う書き込みバッファ管理領域４０３の更新を行う。最
後にＳ５２７において、消去命令手段３０１に対して消
去指示を出し、消去指示を受けた消去命令手段３０１は
消去ブロックバッファ１０３へ待避された消去単位の消
去を行なうようにフラッシュメモリ１０１に命令を出
す。以上の処理が書き込み要求が発生する度に実行され
る。

【００８０】尚、実施の形態５における読み出し時の動
作は、実施の形態４の場合と同一である。この実施の形
態の情報処理装置によれば、フラッシュメモリ１０１の
同一消去単位領域に含まれる書き込みバッファ４０３上
の書き込みデータ及び書き込み要求データを消去ブロッ
クバッファ１０３にまとめることにより、書き込みバッ
ファ４０２を効率よく使用することができるので、実施
の形態４の効果に加え、フラッシュメモリ１０１への書
き込み回数をより低減でき、フラッシュメモリ１０１の
劣化を低減することができるという効果がある。

【００８１】尚、本実施の形態において、書き込みデー
タの移動を、書き込み要求データの消去単位と同一の消
去単位に含まれる書き込みデータ及び書き込み要求デー
タではなく、書き込みバッファ４０２に記憶されている
複数の書き込みデータを移動するようにしてもよい。即
ち、書き込みバッファ４０２に記録されている書き込み
データであって、同一の消去単位に含まれる複数の書き
込みデータを移動するようにしてもよい。この場合、Ｓ
５１０において、書き込み制御手段１１１は、書き込み
バッファ管理領域４０３を参照し、書き込みバッファ４
０２に記憶されている書き込みデータの一番多い消去単
位を判定する。これは、書き込みバッファ管理領域４０
３内の消去単位番号を参照することにより判定可能であ
る。Ｓ５１０において同一の消去単位に含まれる書き込
みデータが書き込みバッファ４０２内に存在しない場合
には、Ｓ５１１の処理に進む。Ｓ５１０において同一の
消去単位に含まれる書き込みデータが書き込みバッファ
４０２内に存在する場合には、Ｓ５１０で書き込みデー
タの一番多い消去単位を判定し、Ｓ５１５において、書
き込みバッファ４０２内に記憶されている複数の書き込
みデータのバッファデータ移動処理を行う。

【００８２】バッファデータ移動処理においては、Ｓ５
２１、Ｓ５２２の処理を行わず、Ｓ５１０で一番多い消
去単位として判定された消去単位を書き込み先として持
つ書き込みデータをすべて書き込みバッファ４０２から
消去ブロックバッファ１０３に移動する。書き込みデー
タの書き込み要求領域が互いに異なる場合には、書き込
みバッファ４０２に記憶されている書き込みデータがす
べて消去ブロックバッファ１０３に記憶される。書き込
み要求データの書き込み要求領域が互いに一部重複する
場合には、重複する領域について新しい書き込みデータ
が優先的に消去ブロックバッファ１０３に書き込まれ
る。消去ブロックバッファ１０３に書き込みが完了した
後、移動したデータが記憶されていた書き込みバッファ
４０２のエリアのデータが消去される。その後、Ｓ５２
５とＳ５２６の間において、書き込み要求データを書き
込みバッファ４０２に書き込む。Ｓ５２６において新た
な書き込みデータに基づき管理情報の更新を行い、最後
にＳ５２７の処理を行う。以上のように、書き込みデー
タの一番多い消去単位の書き込みデータを消去ブロック
バッファ１０３に移動することで、さらに効率的に不揮
発性メモリ１０２を利用することが可能となる。

【００８３】実施の形態６．実施の形態６における情報
処理装置の構成は、実施の形態５の場合と同一である。
但し、書き込みバッファ管理領域４０３には、図９で示
したものに加えて、書き込みバッファ４０２の領域の使
用頻度に関する情報が記録される。ここでは、図１５に
示すように、バッファの領域を使用する使用頻度の情報
の一例として、書き込みバッファ４０２へのデータ書き
込みが行われる度に１ずつ加算され、書き込まれた順番
を特定する書き込みの一連番号と、バッファ領域への書
き込み回数とを記録するものとする。本実施形態は、実
施の形態５と基本的動作において同様であるが、特に、
書き込みバッファ４０２へのの領域を使用する使用頻度
に基づき、書き込みデータの移動を行うものである。

【００８４】実施の形態６における書き込み時の動作
を、図１６および図１７を用いて説明する。以下の各処
理は、断りがない限り書き込み制御手段１１１の動作で
ある。まずＳ６０１において、データの書き込み要求を
受け、さらにＳ６０２において、書き込み要求領域を含
むフラッシュメモリの消去単位の番号を求める。書き込
み要求の内容と消去単位の番号を求める動作は実施の形
態１と同様である。続いてＳ６０３において、消去単位
番号保持領域２０２を参照し、消去単位番号の記録が存
在するかを判定する。消去番号の記録が存在しなけれ
ば、Ｓ６０４において、書き込み要求データを消去ブロ
ックバッファ１０３に書き込む。

【００８５】次にＳ６０５において、待避手段１１２に
対して待避指示を行ない、待避指示を受けた待避手段１
１２が消去単位内の不変データを消去ブロックバッファ
１０３に書き込むことにより待避させる。続いてＳ６０
６において、Ｓ６０２において求めた消去単位番号を消
去単位番号保持領域２０２に記録する。さらにＳ６０７
において、消去命令手段３０１に対して消去指示を出
し、消去指示を受けた消去命令手段３０１がすでに消去
ブロックバッファ１０３へ待避された消去単位の消去を
行なうようにフラッシュメモリ１０１に命令を出す。消
去指示の内容は実施の形態１と同様である。

【００８６】Ｓ６０３で消去単位番号の記録が存在する
場合、Ｓ６０８において、Ｓ６０２で求めた消去単位番
号が消去単位番号保持領域３０２に存在する記録と一致
するかを判定する。Ｓ６０８で消去単位番号が異なる場
合には、Ｓ６０９において、書き込みバッファ管理領域
４０３を参照し、書き込みバッファに書き込み要求領域
と同一領域のデータが存在するかを判定する。Ｓ６０９
で同一領域のデータが存在しない場合には、Ｓ６１０の
処理として、Ｓ６０２において求めた消去単位番号と同
じ消去単位のデータが書き込みバッファに存在するか
を、書き込みバッファ管理領域４０３を参照して判定す
る。

【００８７】Ｓ６１０で同じ消去単位のデータが書き込
みバッファに存在する場合には、Ｓ６２０においてバッ
ファデータ移動処理(１)を行なうが、これは図１４に示
された実施の形態５のバッファデータ移動処理と同一で
あり、説明を省略する。Ｓ６１０で同じ消去単位のデー
タが書き込みバッファに存在しない場合には、さらにＳ
６１１において、書き込み制御手段１１１は書き込み要
求のデータを書き込むことができる領域が書き込みバッ
ファ４０２に存在するかを判定する。Ｓ６１１で空き領
域がない場合には、Ｓ６１２でバッファデータ移動処理
(２)を行なうが、これについては後述する。

【００８８】Ｓ６１１で書き込みバッファに空き領域が
存在した場合には、Ｓ６１３において書き込み制御手段
１１１は、書き込み要求データを書き込みバッファへ書
き込む。次に、Ｓ６１４において、書き込みバッファ管
理領域４０３内のデータの書き込まれたバッファに対応
する部分に、フラッシュメモリ上での位置を示す情報と
して、消去単位番号とその中でのオフセット、書き込ま
れた大きさを記録するとともに、バッファの領域の使用
頻度の情報として、書き込みの一連番号と、バッファ書
き込み回数の初期値として１を記録する。

【００８９】Ｓ６０９で書き込み要求と同一領域のデー
タが存在すると判定された場合には、Ｓ６３０におい
て、書き込み制御手段１１１は、書き込み要求データを
書き込みバッファに書き込む。続いてＳ６３１におい
て、書き込みバッファ管理領域４０３内の、対応する領
域についてのバッファの領域の使用頻度の情報として、
書き込みの一連番号を記録し、バッファ書き込み回数を
１加算したものに更新する。Ｓ６０８においてＳ６０２
で算出した消去単位番号が消去単位番号保持手段３０２
に存在する記録と一致すると判定された場合には、Ｓ６
３０において、書き込み要求データを消去ブロックバッ
ファ１０３に書き込む。

【００９０】Ｓ６１１で書き込みバッファに空き領域が
ない場合に行われる、バッファデータ移動処理（２）
（Ｓ６１１）の動作を図１７を用いて説明する。以下の
動作は、断りがない限り書き込み制御手段１１１の動作
である。まず、Ｓ６８１で現在の消去ブロックバッファ
１０３のデータをフラッシュメモリ１０１に書き込む。
Ｓ６８２において、書き込みバッファ管理領域４０３を
検索し、使用頻度の低い書き込みバッファの領域を選択
する。使用頻度の判定は、書き込みバッファ管理領域４
０３内の書き込みの一連番号および書き込み回数を用い
て行ない、一連番号が最も小さく、かつ書き込み回数が
最も少ない領域があれば、その領域を選択する。一連番
号が最小の領域と、書き込み回数が最少の領域が一致し
ない場合には、一連番号が小さい順に書き込み回数を調
べていき、書き込み回数が最少のものを選択する。尚、
書き込み回数が最少のものではなく、一連番号が最小の
ものを選択してもよい。

【００９１】Ｓ６８３においては、Ｓ６８２で選択され
た書き込みバッファのデータを消去ブロックバッファへ
１０３移動する。続いてＳ６８４において、書き込み要
求データを、消去ブロックバッファ１０３へ移動された
データが記録されていた書き込みバッファ内の領域へ書
き込む。次にＳ６８５において、消去ブロックバッファ
１０３へ移動されたデータを含むフラッシュメモリ１０
１の消去単位について、待避手段３０１に対し待避指示
を行なう。待避指示をうけた待避手段３０１は、待避指
示に従い、消去単位の不変データを消去ブロックバッフ
ァ１０３へ書き込むことにより待避させる。

【００９２】さらにＳ６８６において、Ｓ６８５で待避
された消去単位番号を消去単位番号保持領域２０２に記
録する。続いてＳ６８７において、書き込みバッファ管
理領域４０３の、書き込みバッファ４０２から消去ブロ
ックバッファ１０３へ移動されたエリアに対応する部分
を、新たに書き込まれたデータに対応するように更新す
る。最後にＳ６８８において消去命令手段３０１に対し
て消去指示を出し、消去指示を受けた消去命令手段３０
１は、消去ブロックバッファ１０３へ待避された消去単
位の消去を行なうようにフラッシュメモリ１０１に命令
を出す。以上の処理が書き込み要求が発生する度に実行
される。

【００９３】尚、実施の形態６における読み出し時の動
作は、実施の形態４の場合と同一である。以上のよう
に、本実施の形態の情報処理装置によれば、書き込みバ
ッファ上で使用頻度の低い領域を先にフラッシュメモリ
に書き込むことにより、書き込みバッファを効率よく使
用することができるので、実施の形態５の効果に加え、
フラッシュメモリへの書き込み回数をさらに低減でき、
フラッシュメモリの劣化を低減することができるという
効果がある。

【００９４】実施の形態７．図１９は発明の実施の形態
７における情報処理装置の概略を示す構成図である。図
において、６０１は不揮発性メモリ１０２内のエリアで
あって、消去単位番号領域２０２内の値と同じ値が記録
される消去単位番号確認領域、６１１は情報処理装置の
起動時に実行され、消去単位番号領域２０２,および消
去単位番号確認領域６０１内のデータを元に、消去ブロ
ックバッファ１０３の内容をフラッシュメモリ１０１に
書き戻す復旧手段である。他の構成は、図１において説
明した構成の同一又は相当部であり、説明を省略する。

【００９５】本実施の形態において、メモリへのデータ
書き込み時の動作を図２０を用いて説明する。以下の各
処理は断りがない限り書き込み制御手段１１１の動作で
ある。図２０において、Ｓ７０１、Ｓ７０２、Ｓ７０
４、Ｓ７０５、Ｓ７０７は実施の形態１の処理（図３の
Ｓ１０１、Ｓ１０２、Ｓ１０３、Ｓ１０４、Ｓ１０５）
と同一であるので説明を省略する。この実施の形態では
Ｓ７０３、Ｓ７０６、Ｓ７０８の処理を有する点で相違
するため、この点を中心に説明する。

【００９６】Ｓ７０１にて書き込み要求を受けた後、Ｓ
７０２においてフラッシュメモリ１０１上の消去単位番
号を求める。続いて、Ｓ７０３にてＳ７０２において求
められた消去単位番号を消去単位番号保持領域２０２に
書き込む。その後、Ｓ７０４で消去ブロックバッファ１
０３へ書き込み要求データを書き込み、Ｓ７０５で待避
手段１１２に待避指示を出す。

【００９７】続いて、Ｓ７０６にてＳ７０２において求
められた消去単位番号を消去単位番号確認領域６０１に
書き込む。これにより、消去単位番号保持領域２０２お
よび消去単位番号確認領域６０１の値が同一の場合、消
去ブロックバッファ１０３への書き込みは全て完了した
ことを示すことになる。次に、Ｓ７０７にて消去命令手
段３０１に対して消去指示を出した後、書き込み手段３
０２に書き込み指示を出す。

【００９８】続いて、Ｓ７０８にて消去単位番号保持領
域２０２と消去単位番号確認領域６０１の内容をクリア
する。これにより、消去ブロックバッファ６０１にはデ
ータが残っていないことを示す。以上がメモリへのデー
タ書き込み時の動作である。

【００９９】次に、情報処理装置の起動時に実行される
復旧手段６１１の動作を図２１を用いて説明する。復旧
手段６１１はまず、Ｓ７８１において、消去単位番号保
持領域２０２内の値と消去単位番号確認領域６０１の値
を読み出す。続いてＳ７８２にて、消去単位番号保持領
域２０２内と消去単位番号確認領域６０１にフラッシュ
メモリ内の消去単位番号が存在するかチェックする。

【０１００】番号が存在しない場合、消去ブロックバッ
ファにはデータがないので、復旧手段６１１の処理を終
了する。Ｓ７８２にて、番号が存在する場合、Ｓ７８３
にて、消去単位番号保持領域２０２内の値と消去単位番
号確認領域６０１の値が同一かをチェックする。

【０１０１】値が同一な場合、メモリへのデータ書き込
み時において、消去ブロックバッファ１０３の内容をフ
ラッシュメモリ１０１に書き込む最中、即ち図２０にお
いて、Ｓ７０６からＳ７０８の間に電源断が発生し、情
報処理装置が再起動されたことになるので、復旧手段６
１１はＳ７８４にて、消去命令手段３０１に対し消去指
示を出した後、書き込み手段３０２に書き込み指示を出
し、消去ブロックバッファ１０３の内容をフラッシュメ
モリ１０１に書き込む。この消去指示および書き込み指
示の内容は、メモリへのデータ書き込み時の動作（図２
０）のＳ７０７と同様である。

【０１０２】値が同一でない場合、消去ブロックバッフ
ァにデータを書き込んでいる最中、即ち図２０において
Ｓ７０３からＳ７０５の間に電源断が発生し、情報処理
装置が再起動されたことになり、消去ブロックバッファ
１０３内のデータは途中までの書き込みデータしか存在
しないので、復旧手段６１１はＳ７８５にて、情報処理
装置にエラー通知を行う。これにより情報処理装置は書
き込み途中の電源断を検出することができる。

【０１０３】Ｓ７８４またはＳ７８５の処理が終了する
と、復旧手段６１１はＳ７８６にて、消去単位番号保持
領域２０２および消去単位番号確認領域６０１をクリア
する。これは、Ｓ７８４経由の場合、消去ブロックバッ
ファへの書き込みが完了したことを意味し、Ｓ７８５経
由の場合はエラー通知にて、消去ブロックバッファのエ
ラーを通知したので、再度消去ブロックバッファを利用
可能状態にするために実施する。以上が復旧手段６１１
の動作である。

【０１０４】以上のように、この実施の形態によれば、
メモリへのデータ書き込み時において、消去ブロックバ
ッファへのデータ書き込み前に消去番号保持領域に消去
単位番号を書き込み、待避手段に待避指示を出した後に
消去単位番号確認領域に消去番号を格納するようにした
ので、電源断の復旧時に書き込み要求処理中に電源断が
発生したかを検知することができる情報処理装置を得る
ことができる。さらに、不揮発性メモリが電池などでデ
ータの内容を保持するようなメモリの場合において、電
源断後の電池の電圧降下により、不揮発性メモリの内容
が不定になった場合でも、復旧手段に消去番号保持領域
および消去番号確認領域内の値をチェックするようにし
たので、不揮発性メモリの内容が不安定になっているか
を検知することができる情報処理装置を得ることができ
る。

【０１０５】尚、本実施の形態においては、Ｓ７８５に
てエラー通知の後、Ｓ７８６を処理するようにしている
が、Ｓ７８５の処理終了後、復旧手段６１１を終了さ
せ、情報処理装置の再起動時に再度エラー通知させても
構わない。また、消去単位番号確認領域に書き込む値を
消去単位番号保持領域の値と同一のものとしているが、
消去単位番号保持領域の値と伴って変化する値、例え
ば、消去単位番号保持領域の値のNOT値を設定し、復旧
手段６１１のＳ７８３にて消去単位番号保持領域の値と
消去番号確認領域の値のNOT値が等しいかでチェックし
てもよい。

【０１０６】また、復旧手段６１１は情報処理押す値の
再起動時に実行されると記載しているが、復旧手段６１
１を書き込み要求時に実行してもよい。

【０１０７】実施の形態８．図２２は発明の実施の形態
８における情報処理装置の概略を示す構成図である。図
において、６０２は不揮発性メモリ１０２内のエリアで
あって、消去ブロックバッファ１０３の内容が正しいこ
とを示すチェック値を格納する消去ブロックバッファ確
認領域である。他の構成は、図１９において説明した構
成の同一又は相当部であり、説明を省略する。

【０１０８】本実施の形態において、メモリへのデータ
書き込み時の動作を図２３を用いて説明する。以下の各
処理は断りがない限り書き込み制御手段１１１の動作で
ある。図２３において、Ｓ８０１〜Ｓ８０６、Ｓ８０
８、Ｓ８０９は実施の形態７の処理（図２０のＳ７０１
〜Ｓ７０６、Ｓ７０７、Ｓ７０８）と同一であるので説
明を省略する。この実施の形態ではＳ８０７の処理を有
する点で相違するため、この点を中心に説明する。

【０１０９】Ｓ８０１〜Ｓ８０６の後、Ｓ８０７にて消
去ブロックバッファ内のデータが有効であるか否かのチ
ェックに用いる値を消去ブロックバッファ確認領域６０
２に書き込む。この値は消去ブロックバッファ内に書き
込まれているデータが正しいか否かをチェック際に用い
られるものであり、消去ブロックバッファ内のデータ値
をすべて加算したチェックサム値などが入る。Ｓ８０７
の後、Ｓ８０８、Ｓ８０９の処理を実行する。以上がメ
モリへのデータ書き込み時の動作である。

【０１１０】次に、情報処理装置の起動時に実行される
復旧手段６１１の動作を図２４を用いて説明する。図２
４において、Ｓ８８１〜Ｓ８８３、Ｓ８８６〜Ｓ８８８
は実施の形態７の処理（図２１のＳ７８１〜Ｓ７８３、
Ｓ７８４〜Ｓ７８６）と同一であるので説明を省略す
る。この実施の形態ではＳ８８４、Ｓ８８５の処理を有
する点で相違するため、この点を中心に説明する。

【０１１１】Ｓ８８１〜Ｓ８８３を実施し、Ｓ８８３に
て、消去単位番号保持領域２０２の内の値と消去単位番
号確認領域６０１の値が同一である場合、Ｓ８８４に進
む。Ｓ８８４では、消去ブロックバッファ１０３内のデ
ータをチェックし、消去ブロックバッファ確認領域６０
２の値と比較する。即ち図２３でのＳ８０７での処理と
同様の規則で消去ブロックバッファ１０３内のデータを
計算することで得られる値と、消去ブロックバッファ確
認領域６０２の値とを比較する。通常、両者の値は同一
値になるが、消去ブロックバッファに本発明の手段以外
の操作によりデータが書きまれたり、消去ブロックバッ
ファ１０３が使用している不揮発性メモリが故障した場
合には両者の値は一致しない。両者の値が一致しなけれ
ば、Ｓ８８５にて値が妥当でないと判断する。

【０１１２】Ｓ８８５にて値が妥当でないと判断された
場合、Ｓ８８６に進み情報処理装置にエラー通知を行
う。そして、Ｓ８８９にて消去単位番号保持領域２０２
と消去単位番号確認領域６０１の内容をクリアする。こ
れにより、消去ブロックバッファを利用可能状態にす
る。Ｓ８８５にて値が妥当であると判断した場合、Ｓ８
８７、Ｓ８８８の処理を実行する。以上が復旧手段６１
１の動作である。

【０１１３】以上のように、この実施の形態によれば、
消去ブロックバッファ内のデータが正しいことを示す値
を保持する消去ブロックバッファ確認領域を備えるよう
にしたので、消去ブロックバッファを保持している不揮
発性メモリが故障し、消去ブロックバッファ内のデータ
が不正になっても、情報処理装置がそれを検出すること
ができる。さらに、消去ブロックバッファに他手段から
不正なデータ書き込みがあっても、それを検出すること
ができる。

【０１１４】実施の形態９．図２５は発明の実施の形態
９における情報処理装置の概略を示す構成図である。図
において、６０３は不揮発性メモリ１０２内のエリアで
あって、消去ブロックバッファ１０３およびフラッシュ
メモリ１０１に対する書き込みを禁止または許可するこ
とを意味する値を格納する書き込み禁止フラグ領域であ
る。また図において、６１２は書き込み禁止フラグ領域
６０３に書き込み許可を意味する値を書き込む書き込み
許可指示手段、６１３は書き込み禁止フラグ領域６０３
に書き込み禁止を意味する値を書き込む書き込み禁止指
示手段である。他の構成は図４において説明した構成の
同一または相当部であり、説明を省略する。

【０１１５】本実施の形態において、メモリへのデータ
書き込み時の動作を図２６を用いて説明する。以下の各
処理は断りがない限り書き込み制御手段１１１の動作で
ある。図２６において、Ｓ９０１、Ｓ９０４〜９１１は
実施の形態２の処理（図５のＳ２０１、Ｓ２０２〜２０
９）と同一であるので説明を省略する。この実施の形態
ではＳ９０２、Ｓ９０３の処理を有する点で相違するた
め、この点を中心に説明する。

【０１１６】まず、Ｓ９０１にてデータの書き込み要求
を受けた後、Ｓ９０２にて書き込み禁止フラグ領域をチ
ェックし、その領域の値が書き込み禁止を意味する値に
なっているかをチェックする。もし、値が書き込み禁止
を意味する値になっていた場合、Ｓ９０３に進み、情報
処理装置にエラー通知を行い処理を終了する。これによ
り、書き込み禁止が指定されている限り、消去ブロック
バッファ１０３およびフラッシュメモリ１０１にデータ
書き込みは発生しない。Ｓ９０２にて書き込み禁止フラ
グ領域の値が書き込み禁止を意味する値でない場合、Ｓ
９０４に進む。Ｓ９０４以降の処理は実施の形態２と同
様である。以上がメモリへのデータ書き込み時の動作で
ある。

【０１１７】次に、書き込み許可指示手段６１２の動作
について図２７を用いて説明する。書き込み許可指示手
段６１２は、書き込み許可指示を受けるとＳ９５２にて
書き込み禁止フラグ領域６０３に書き込み許可を意味す
る値を書き込み、処理を終了する。これにより、以降の
メモリへのデータ書き込み時に、データを書き込むこと
が可能になる。以上が書き込み許可指示手段６１２の動
作である。

【０１１８】次に、書き込み禁止指示手段６１３の動作
を図２８を用いて説明する。まず、Ｓ９８２において、
消去単位番号保持領域６０３の内容を参照し、消去単位
番号の記録が存在するか判定する。存在しない場合、Ｓ
９８５へ進む。

【０１１９】Ｓ９８２において、消去単位番号保持領域
６０３に消去単位番号の記録が存在する場合、消去ブロ
ックバッファにデータが残っているので、これをフラッ
シュメモリ１０１に書き戻す処理を行う。まず、Ｓ９８
３において、消去命令手段３０１に対し消去指示を出し
た後、書き込み手段３０２に書き込み指示を出し、消去
ブロックバッファ１０３の内容をフラッシュメモリ１０
１に書き込む。この消去指示および書き込み指示の内容
は、実施の形態７におけるデータ書き込み時の動作（図
２３）のＳ８０８の処理と同様である。続いて、Ｓ９８
４にて消去単位番号保持領域２０２をクリアし、消去ブ
ロックバッファにデータが存在しないことを示す。

【０１２０】次に、Ｓ９８５にて、書き込み禁止フラグ
領域６０３に書き込み禁止を意味する値を書き込む。こ
れにより、以降のメモリへのデータ書き込み時に、デー
タを書き込むことを抑制することが可能となる。以上が
書き込み禁止指示手段６１３の動作である。

【０１２１】以上のように、この実施の形態によれば、
書き込み禁止フラグ領域を設け、書き込み許可指示手段
において、書き込みを許可する値を設定し、書き込み禁
止手段において書き込みを禁止する値を設定し、書き込
み制御手段は書き込み禁止フラグ領域の値が書き込み許
可を示すときのみ書き込みを実施するようにしたので、
データの書き込みを抑制する情報処理装置を得ることが
できる。また、書き込み禁止指示時に、消去ブロックバ
ッファの内容をフラッシュメモリに書き込むようにし、
書き込み禁止状態では不揮発性メモリにデータが残らな
いようにしたので、不揮発性メモリが電池などでデータ
の内容を保持するようなメモリの場合において、電源断
後の電池の電圧降下による不揮発性メモリ内のデータ破
壊においても、データが消去されないようにすることが
できる。

【０１２２】実施の形態１０．図２９は実施の形態１０
における情報処理装置の概略を示す構成図である。図に
おいて、６０１は不揮発性メモリ１０２内のエリアであ
って、消去単位番号保持領域２０２内の値と同じ値が記
録される消去単位番号確認領域、６１１は情報処理装置
の起動時に実行され、消去単位番号保持領域２０２, お
よび消去単位番号確認領域６０１内のデータを元に、消
去ブロックバッファ１０３の内容をフラッシュメモリ１
０１に書き戻す復旧手段である。他の構成は図４におい
て説明した構成の同一または相当部であり、説明を省略
する。

【０１２３】本実施の形態において、メモリへのデータ
書き込み時の動作を図３０を用いて説明する。以下の各
処理は、断りのない限り書き込み制御手段１１１の動作
である。図３０において、Ｓ１００１〜Ｓ１００３、Ｓ
１００５、Ｓ１００６、Ｓ１００８、Ｓ１００９、Ｓ１
０１１は実施の形態２の処理（図５のＳ２０１〜Ｓ２０
３、Ｓ２０４、Ｓ２０５、Ｓ２０７、Ｓ２０８、Ｓ２０
９）と同一であるので説明を省略する。この実施の形態
ではＳ１００４、Ｓ１００７、Ｓ１０１０の処理を有す
る点で相違するため、この点を中心に説明する。

【０１２４】Ｓ１００１で書き込み要求を受け、Ｓ１０
０２で書き込み要求領域を含むフラッシュメモリ１０１
上の消去単位番号を求め、Ｓ１００３で消去単位番号保
持領域２０２を参照し、消去単位番号保持領域２０２に
消去単位番号の記録が存在するかを判定する。

【０１２５】消去単位番号の記録が存在しなければ、Ｓ
１００４にてＳ１００２にて求められた消去単位番号を
消去単位番号保持領域２０２に書き込む。続いて、Ｓ１
００５で書き込みデータを消去ブロックバッファ１０３
に書き込み、Ｓ１００６で待避手段１１２に対して待避
指示を行う。待避手段１１２は、Ｓ１００２で求めた番
号のフラッシュメモリの消去単位領域から、不変データ
を消去ブロックバッファ１０３に書き込む。

【０１２６】続いて、Ｓ１００７にて、Ｓ１００２にお
いて求められた消去単位番号を消去単位番号確認領域６
０１に書き込む。これにより、消去単位番号保持領域２
０２および消去単位番号確認領域６０１の値が同一の場
合、消去ブロックバッファ１０３への書き込みは全て完
了したことを示すことになる。Ｓ１００７の処理が終了
すると、フラッシュメモリ１０１にデータを書き込むこ
となく、メモリへのデータ書き込み処理を終了する。

【０１２７】Ｓ１００３において、消去単位番号保持領
域２０２に消去単位番号の記録が存在する場合には、Ｓ
１００８、Ｓ１００９により消去ブロックバッファ１０
３の内容をフラッシュメモリ１０１内に書き込んだ後、
Ｓ１０１０にて消去単位番号保持領域２０２および消去
単位番号確認領域６０１の内容をクリアする。即ち、消
去単位番号保持領域２０２および消去単位番号確認領域
６０１がクリアされているということは消去ブロックバ
ッファ１０３にデータがないことを示す。

【０１２８】続いて、消去単位番号の記録が存在しない
場合と同様に、Ｓ１００４からＳ１００７の処理を行
い、消去単位番号保持領域への消去単位番号の設定、書
き込みデータの消去ブロックバッファへの書き込み、フ
ラッシュメモリからのデータの待避、消去単位番号確認
領域への消去単位番号の設定を行う。

【０１２９】Ｓ１００８で、Ｓ１００２で求めた消去単
位番号が消去単位番号保持領域２０２に存在する記録と
一致する場合には、Ｓ１０１１において、書き込み要求
データを消去ブロックバッファ１０３へ書き込む。以上
がメモリへのデータ書き込み時の動作である。

【０１３０】次に、情報処理装置の起動時に実行される
復旧手段６１１の動作を図３１を用いて説明する。復旧
手段はまず、Ｓ１０５１において、消去単位番号保持領
域２０２内の値と消去単位番号確認領域６０１の値を読
み出す。続いてＳ１０５２にて、消去単位番号保持領域
２０２内の値と消去単位番号確認領域６０１にフラッシ
ュメモリ内の消去単位番号が存在するかチェックする。

【０１３１】番号が存在しない場合、消去ブロックバッ
ファにはデータがないので、復旧手段の処理を終了す
る。Ｓ１０５２にて、番号が存在する場合、Ｓ１０５３
にて、消去単位番号保持領域２０２内の値と消去単位番
号確認領域６０１の値が同一かを判定する。値が同一な
場合、消去ブロックバッファにはデータが残っているこ
とを示すので、復旧手段６１１はＳ１０５４にて、消去
命令手段３０１に対し消去指示を出した後、書き込み手
段３０２に書き込み指示を出し、消去ブロックバッファ
１０３の内容をフラッシュメモリ１０１に書き込む。こ
の消去指示および書き込み指示の内容は、実施の形態７
におけるデータ書き込み時の動作（図２３）のＳ８０８
の処理と同様である。

【０１３２】値が同一でない場合、まだ消去ブロックバ
ッファの内容が完成していない、即ち図３０において、
Ｓ１００５からＳ１００７の間に電源断が発生し、情報
処理装置が再起動されたことになり、消去ブロックバッ
ファ１０３内のデータは途中までの書き込みデータしか
存在しないので、復旧手段６１１はＳ１０５５にて、情
報処理装置にエラー通知を行う。これにより、情報処理
装置は書き込み途中の電源断を検出することができる。

【０１３３】Ｓ１０５４またはＳ１０５５の処理が終了
すると、復旧手段６１１はＳ１０５６にて、消去単位番
号保持領域２０２および消去単位番号確認領域６０１を
クリアする。これは、Ｓ１０５４経由の場合、消去ブロ
ックバッファへの書き込みが完了したことを意味し、Ｓ
１０５５経由の場合はエラー通知にて、消去ブロックバ
ッファのエラーを通知したので、再度消去ブロックバッ
ファを利用可能状態にするために実施される。以上が復
旧手段６１１の動作である。

【０１３４】以上のように、この実施の形態によれば、
メモリへのデータ書き込み時において、消去ブロックバ
ッファへのデータ書き込み前に消去番号保持領域消去単
位番号を書き込み、待避手段に待避指示を出した後に消
去単位番号確認領域に消去単位番号を格納するようにし
たので、電源断の復旧時に書き込み要求処理中に電源断
が発生したかを検知することができる情報処理装置を得
ることができる。

【０１３５】さらに、復旧時に消去ブロックバッファの
内容をフラッシュメモリに書き戻すようにしたので、復
旧後に、データの書き込みを行わない限り、データは全
てフラッシュメモリ上に存在し、電池等でバックアップ
する不揮発性メモリを消去ブロックバッファに使うよう
な場合、電源断後の電圧降下による不揮発性メモリ内の
内容が不正になることによる、データ破壊を防ぐことが
できる。

【０１３６】実施の形態１１．本発明の他の実施形態に
おける情報処理装置について説明する。情報処理装置の
構成は、実施の形態１０と同様であり、図２９に示され
る。本実施の形態の基本動作は復旧手段６１１の処理動
作以外は実施の形態１０と同じである。本実施の形態に
おける復旧手段６１１の動作を図３２を用いて説明す
る。

【０１３７】復旧手段はまず、Ｓ１１０１において、消
去単位番号保持領域２０２内の値と消去単位番号確認領
域６０１の値を読み出す。続いて、Ｓ１１０２におい
て、消去単位番号保持領域２０２内の値と消去単位番号
確認領域６０１にフラッシュメモリ内の消去単位番号が
存在するか判定する。

【０１３８】番号が存在しない場合、消去ブロックバッ
ファにはデータがないので、復旧手段の処理を終了す
る。Ｓ１１０２にて番号が存在する場合、Ｓ１１０３に
て、消去単位番号保持領域２０２内の値と消去単位番号
確認領域６０１の値が同一かを判定する。値が同一な場
合、消去ブロックバッファにはデータが残っていること
を意味し、処理を終了する。

【０１３９】値が同一でない場合、消去ブロックバッフ
ァ１０３内のデータは途中までの書き込みデータしか存
在しないので、復旧手段６１１はＳ１１０４にて、情報
処理装置にエラー通知を行う。これにより、情報処理装
置は書き込み途中の電源断を検出することができる。続
いて、Ｓ１１０５にて、再度消去ブロックバッファを利
用可能状態にするため、消去単位番号保持領域２０２お
よび消去単位番号確認領域６０１の内容をクリアする。
以上が復旧手段６１１の動作である。

【０１４０】以上のように、この実施の形態によれば、
復旧時に消去単位番号保持領域の内容と消去単位番号確
認領域の内容が一致していた場合はなにもせず、一致し
ていない場合のみエラー通知および消去単位番号保持領
域・消去単位番号確認領域のクリアを行うようにしたの
で、消去ブロックバッファに内容が残っている場合の復
旧処理を速くすることができる。

【０１４１】実施の形態１２．図３３は、実施の形態１
１における情報処理装置の概略を示す構成図である。図
において、６０１は不揮発性メモリ１０２内のエリアで
あって、消去単位番号保持領域２０２内の値と同じ値が
記録される消去単位番号確認領域、６０４は消去ブロッ
クバッファを一定サイズ毎に区切り、各区域内のデータ
が正しいことを示すチェック値が格納された消去ブロッ
クバッファ管理領域である。

【０１４２】また図において、６１１は情報処理装置の
起動時に実行され、消去単位番号領域２０２、および消
去単位番号確認領域６１１、および消去ブロックバッフ
ァ管理領域６０４内のデータを元に、消去ブロックバッ
ファ１０３の内容をフラッシュメモリ１０１に書き戻す
復旧手段であり、６１４は書き込み制御手段１１１およ
び待避手段１１２からの書き込み指示により、書き込み
データを消去ブロックバッファに書き込むとともに、書
き込んだ領域に対応するチェック値を消去ブロックバッ
ファ管理領域６０４に書き込む消去ブロックバッファ書
き込み手段である。これ以外の構成については、図４と
同様である。

【０１４３】次に、消去ブロックバッファ管理領域６０
４の構造を図３４を用いて説明する。消去ブロックバッ
ファ管理領域６０４は消去ブロックバッファ１０３を一
定サイズ、例えば４Ｋバイト毎に区切り、各区域に対し
て、その区域内のデータチェックに用いる値、例えば区
域内のデータをすべて加算したチェックサム値などが入
る。

【０１４４】図３４の例では、書き込み領域１のデータ
チェック値（チェックサム値）が「０x１２３４５６７
８」、書き込み領域２のデータチェック値（チェックサ
ム値）が「０x７８９a１２３」、書き込み領域３のデー
タチェック値（チェックサム値）が「０xa１b８９０
１」となっている(０xは１６進数を示す)。書き込み領
域１、書き込み領域２、書き込み領域３は消去ブロック
バッファ１０３内の一定サイズの区域を示す。

【０１４５】消去ブロックバッファ書き込み手段６１４
は、書き込み領域１への書き込みがあった場合、消去ブ
ロックバッファ１０３にデータを書き込むとともに、消
去ブロックバッファ管理領域の書き込み領域１に対応す
る領域、即ち図３４において、「０x１２３４５６７
８」が格納されている領域に書き込み領域１のデータチ
ェック値を書き込む。

【０１４６】次に本実施の形態におけるメモリへのデー
タ書き込み時の動作を図３５を用いて説明する。以下の
各処理は断りがない限り書き込み制御手段１１１の動作
である。図３５において、Ｓ１２０１〜Ｓ１２０３、Ｓ
１２０４、Ｓ１２０７〜Ｓ１２１０は実施の形態１０の
処理（図２９のＳ１００１〜Ｓ１００３、Ｓ１００４、
Ｓ１００７〜Ｓ１０１０）と同一であるので説明を省略
する。この実施の形態ではＳ１２０５、Ｓ１２０６、Ｓ
１２１１の処理を有する点で相違するため、この点を中
心に説明する。

【０１４７】Ｓ１２０１〜Ｓ１２０４までを実施の形態
１０と同様に実行する。そして、Ｓ１２０４を実行した
後、Ｓ１２０５において書き込みデータを消去ブロック
バッファに書き込むため消去ブロックバッファ書き込み
手段６１４に指示を行う。この指示には、書き込みデー
タの消去ブロックバッファ１０３上の位置およびサイズ
および書き込みデータが含まれる。消去ブロックバッフ
ァ書き込み手段６１４の具体的な処理内容については後
述する。

【０１４８】次に、Ｓ１２０６において、待避手段１１
２に対して待避指示を行う。待避手段１１２の処理内容
については後述する。続いて、Ｓ１２０７でＳ１２０２
において求められた消去単位番号を消去単位番号確認領
域６０１に書き込む。Ｓ１２０７の処理が終了すると、
フラッシュメモリ１０１にデータを書き込むことなく、
メモリへのデータ書き込み処理を終了する。

【０１４９】Ｓ１２０８で、Ｓ１２０２で求めた消去単
位番号が消去単位番号保持領域２０２に存在する記録と
一致する場合には、Ｓ１２１１において消去ブロックバ
ッファ書き込み手段に指示し、書き込み要求データを消
去ブロックバッファ１０３へ書き込む。この指示には、
書き込みデータの消去ブロックバッファ１０３上の位置
およびサイズおよび書き込みデータが含まれる。消去ブ
ロックバッファ書き込み手段６１４の具体的な処理内容
については後述する。以上がメモリへのデータ書き込み
時の動作である。

【０１５０】次に、フラッシュメモリ１０１内の不変デ
ータを消去ブロックバッファ１０３に書き込む待避手段
１１２の動作を、図３６を用いて説明する。待避手段１
１２は、まずＳ１２３１において書き込み要求データが
含まれるフラッシュメモリ１０１内の消去単位領域の先
頭から、書き込み要求データが含まれる領域の先頭まで
のデータをフラッシュメモリ１０１から読み出し、消去
ブロックバッファ書き込み手段６１４に指示し、読み出
したデータを消去ブロックバッファ１０３に書き込む。
この時、消去ブロックバッファ書き込み手段６１４への
指示には、消去単位領域の先頭アドレス、消去単位領域
の先頭アドレスから書き込み要求領域の先頭までのサイ
ズ、およびフラッシュメモリ１０１から読み出したデー
タが含まれる。

【０１５１】次に待避手段１１２はＳ１２３２におい
て、書き込み要求データが含まれるフラッシュメモリ１
０１内の消去単位領域の書き込み要求領域の最後から消
去単位領域の最後までのデータをフラッシュメモリ１０
１から読み出し、消去ブロックバッファ書き込み手段６
１４に指示し、読み出したデータを消去ブロックバッフ
ァ１０３に書き込む。この時、消去ブロックバッファ書
き込み手段６１４への指示には、消去単位領域内の書き
込み要求領域の最後方アドレス、消去単位領域内の書き
込み要求領域の最後方アドレスから消去単位領域の最後
方アドレスまでのサイズ、およびフラッシュメモリ１０
１から読み出したデータが含まれる。以上が、待避手段
１１２の動作である。これにより、消去単位領域内の不
変データが消去ブロックバッファ１０３に書き込まれ
る。

【０１５２】次に、消去ブロックバッファ１０３にデー
タを書き込む消去ブロックバッファ書き込み手段６１４
の動作を図３７を用いて説明する。まず、Ｓ１２５１に
おいて、消去ブロックバッファ１０３への書き込み要求
を受ける。この書き込み要求には、書き込むデータとし
ての書き込み要求データ、データを書き込む消去ブロッ
クバッファ１０３上のアドレスを特定する書き込み要求
領域、そしてデータの大きさの情報が含まれている。

【０１５３】次にＳ１２５２において、書き込み要求デ
ータを消去ブロックバッファ管理領域で管理するサイズ
に分割する。例えば、管理するサイズの単位が１０００
バイトで、書き込み要求データが消去ブロックバッファ
の先頭からのオフセットで１００〜２０９９のところま
でを占める場合、書き込み要求データは、消去ブロック
バッファの先頭からのオフセットで、１００〜９９９、
１０００〜１９９９,２０００〜２０９９の３つに分割
される。これは、書き込み要求領域から見たオフセット
では、０〜８９９, ９００〜１８９９, １９００〜１９
９９の領域となる。以降、この分割された領域を先頭か
ら順に処理していく。即ち、まず１００〜９９９の領
域、次に１０００〜１９９９の領域、２０００〜２０９
９の領域が処理されていく。

【０１５４】次にＳ１２５３において、消去ブロックバ
ッファに分割された書き込み要求データを書き込む。こ
の時、書き込み要求データ以外の領域、例えば、１００
〜９９９に対する書き込みの場合の、０〜９９の部分に
対する書き込みは実施しない。続いてＳ１２５４におい
て、書き込んだ領域に対するチェック値を求め、それを
消去ブロックバッファ管理領域の対応するチェック値領
域に書き込む。例えば、１００〜９９９までの書き込み
をＳ１２５３にて行った場合、Ｓ１２５４は図３４の書
き込み領域１のデータチェック値に消去ブロックバッフ
ァ１０３内のオフセット０〜９９９までのデータチェッ
ク値を書き込む。このデータチェック値は対応する領域
内のデータが正しいか否かをチェックする基準値として
用いられるものであり、領域内のデータ値を全て加算し
たチェックサム値などが入る。

【０１５５】次にＳ１２５５において、書き込み要求デ
ータが全て消去ブロックバッファに書き込まれたかをチ
ェックする。Ｓ１２５５において、まだ書き込み要求デ
ータがすべて書き込まれていない場合は、次の分割され
た書き込み要求領域、即ち１００〜９９９に対する書き
込みを行っていた場合は、１０００〜１９９９までの領
域に対し、Ｓ１２５３およびＳ１２５４の処理を行う。
以上が消去ブロックバッファ書き込み手段の動作であ
る。

【０１５６】次に、情報処理装置の起動時に実行される
復旧手段６１１の動作を図３８を用いて説明する。復旧
手段はまず、Ｓ１２８１において、消去番号保持領域２
０２内の値と消去単位番号確認領域６０１の値を読み出
す。続いて、Ｓ１２８２にて、消去単位番号保持領域２
０２内の値と消去単位番号確認領域６０１にフラッシュ
メモリ内の消去単位番号が存在するかチェックする。

【０１５７】Ｓ１２８１で番号が存在しない場合、消去
ブロックバッファにはデータがないので、復旧手段の処
理を終了する。Ｓ１２８２で番号が存在する場合、Ｓ１
２８３にて、消去単位番号保持領域２０２内の値と消去
単位番号確認領域６０１の値が同一かをチェックする。

【０１５８】Ｓ１２８３で値が同一でない場合、Ｓ１２
８７に進み、情報処理装置にエラー通知を行う。これに
より情報処理装置は書き込み途中の電源断を検出するこ
とができる。その後、Ｓ１２８８にて、消去単位番号保
持領域２０２および消去単位番号確認領域６０１をクリ
アする。これにより、消去ブロックバッファを利用可能
状態にする。Ｓ１２８３で消去単位番号保持領域２０２
内の値と消去単位番号確認領域６０１の値が同一である
場合、Ｓ１２８４に進む。

【０１５９】Ｓ１２８４では、消去ブロックバッファ管
理領域６０４内の各書き込み領域のデータチェック値を
読み出す。また、対応する消去ブロックバッファ１０３
内の領域の値を算出する（この算出規則は書き込み領域
のデータチェック値の算出規則と同様の規則にて行う、
例えばデータチェック値がチェックサム値であれば、デ
ータの合計値を算出する）。そして、消去ブロックバッ
ファ管理領域６０４内の各書き込み領域のデータチェッ
ク値と消去ブロックバッファ１０３内の領域の計算値と
を比較する。

【０１６０】両者の値が一致すれば、消去ブロックバッ
ファ１０３のデータが妥当であると判定する。消去ブロ
ックバッファ内の領域のデータが妥当でない場合、Ｓ１
２８７に進み情報処理装置にエラー通知を行う。これに
より、本発明の手段以外の操作により消去ブロックバッ
ファ１０３にデータが書き込まれたり、消去ブロックバ
ッファ１０３が使用している不揮発性メモリが故障した
場合のエラーを検出することができる。そして、Ｓ１２
８８にて消去単位番号保持領域２０２と消去単位番号確
認領域６０１の内容をクリアする。これにより、消去ブ
ロックバッファを利用可能状態にする。

【０１６１】Ｓ１２８５にて、消去ブロックバッファ管
理領域６０４内の値が妥当であると判断した場合、Ｓ１
２８６に進む。Ｓ１２８６では、消去ブロックバッファ
内のデータチェックが最終領域まで達したかを判定す
る。最終領域まで達していない場合、次の領域へ進み、
Ｓ１２８４〜Ｓ１２８６の処理を続行する。Ｓ１２８６
にて、消去ブロックバッファ内の最終領域まで到達した
場合、処理を終了する。これにより、復旧後、消去ブロ
ックバッファ内のデータは正しいことがわかる。

【０１６２】以上のように、この実施の形態によれば、
消去ブロックバッファ内を一定のサイズに分割し、個々
の領域に対するデータチェック値を格納する消去ブロッ
クバッファ管理領域を設けたので、消去ブロックバッフ
ァを保持している不揮発性メモリが故障し、消去ブロッ
クバッファ内のデータが不正になっても、情報処理装置
がそれを検出することができる。

【０１６３】さらに、消去ブロックバッファ内を一定サ
イズに分割したので、消去ブロックバッファに格納され
ている消去単位領域と同一の領域に対する書き込み要求
があった場合、その書き込み要求領域に付随する領域の
みデータチェック値を更新すればよく、消去ブロックバ
ッファ全体のデータチェック値を再計算する必要がない
ので、メモリへのデータ書き込み処理が速くなる。

【０１６４】実施の形態１３．本発明の他の実施形態に
おける情報処理装置について説明する。情報処理装置の
構成は、実施の形態１２と同様であり、図３３に示され
る。本実施の形態では、消去ブロックバッファ管理領域
６０４の構造と消去ブロックバッファ書き込み手段６１
４および復旧手段６１１の動作以外は実施の形態１２と
同様である。

【０１６５】図３９は本実施の形態における消去ブロッ
クバッファ管理領域６０４の構造である。本実施の形態
では、消去ブロックバッファを任意のサイズで管理する
ため、消去ブロックバッファ管理領域には領域を示す情
報として、消去ブロックバッファ内のオフセット値、領
域のサイズ、データチェック値の３つのデータが保持さ
れる。図において、「−１」となっているのは、領域情
報が格納されていないことを示す。

【０１６６】本実施の形態における消去ブロックバッフ
ァ書き込み手段６１４の動作を図４０を用いて説明す
る。まず、Ｓ１３０１にて、消去ブロックバッファ１０
３への書き込み要求を受ける。この書き込み要求には、
書き込みデータとしての書き込み要求データ、データを
書き込み消去ブロックバッファ１０３上のアドレスを特
定する書き込み要求領域、そしてデータの大きさの情報
が含まれている。

【０１６７】続いて、Ｓ１３０２において、書き込み要
求データを消去ブロックバッファに１０３に書き込む。
次に、Ｓ１３０３において、消去ブロックバッファ管理
領域６０４を検索する。Ｓ１３０４において、Ｓ１３０
１で受けた書き込み要求の書き込み要求領域が消去ブロ
ックバッファ管理領域６０４に登録されている領域と同
一領域か判定する。もし、同一領域が存在する場合、Ｓ
１３０５に進み、既に消去ブロックバッファ管理領域６
０４に保持されているデータチェック値を書き込み要求
データのデータチェック値に更新し、処理を終了する。

【０１６８】Ｓ１３０４で同一の領域でないと判定した
場合、Ｓ１３０６において、書き込み要求領域が消去ブ
ロックバッファ管理領域６０４に登録されている領域に
含まれる（例えば、オフセット０〜１０００までの領域
が登録されていた時にオフセット２００〜４００まで領
域に対し書き込みがあった場合）か判定する。もし、含
まれる場合場合にはＳ１３０７にて、消去ブロックバッ
ファ管理領域６０４に登録されている領域のデータ（消
去ブロックバッファ内オフセット、サイズ、データチェ
ック値）を削除する。

【０１６９】そして、登録されていた領域の先頭から書
き込み要求データの先頭までの領域を新規に登録(Ｓ１
３０８)し、さらに書き込み要求領域を新規登録し（Ｓ
１３０９）、最後に書き込み要求データの最後から登録
されていた領域の最後までの領域を新規登録(Ｓ１３１
０)し、処理を終了する。それぞれ新規登録の際に、消
去ブロックバッファ内オフセット、サイズ、データチェ
ック値を書き込む。

【０１７０】Ｓ１３０６にて、消去ブロックバッファ管
理領域６０４に登録されている領域が書き込み要求領域
を含まなかった場合、Ｓ１３１１にて、消去ブロックバ
ッファ管理領域６０４に登録されている領域で、書き込
み要求領域が跨ぐ領域があるか判定する。

【０１７１】もし、跨ぐ領域が存在する場合、Ｓ１３１
２にて、消去ブロックバッファ管理領域６０４に登録さ
れている、書き込み要求領域が跨ぐ領域を全て削除す
る。続いて、跨れた領域の最初の領域の先頭から、書き
込み要求領域の先頭までを消去ブロックバッファ管理領
域６０４に新規登録(Ｓ１３１３)し、さらに書き込み要
求領域を消去ブロックバッファ管理領域６０４に新規登
録した(Ｓ１３１４)後、書き込み要求領域の最後から跨
れた領域の最後の領域の最後までを新規登録(Ｓ１３１
５)し、処理を終了する。それぞれ新規登録の際に、消
去ブロックバッファ内オフセット、サイズ、データチェ
ック値を書き込む。

【０１７２】Ｓ１３１１にて、消去ブロックバッファ管
理領域６０４に登録されている領域で、書き込み要求領
域が跨ぐ領域が存在しない場合、消去ブロックバッファ
管理領域６０４には書き込み要求領域に対する情報が格
納されていないので、Ｓ１３１６において、書き込み要
求領域を消去ブロックバッファ管理領域６０４に新規登
録する。この時、消去ブロックバッファ管理領域６０４
には、書き込み要求領域の消去ブロックバッファ１０３
上の位置（オフセット）、書き込み要求領域のサイズ、
および書き込み要求データが正しいことを示すチェック
値が格納される。以上が消去ブロックバッファ書き込み
手段６１４の動作である。

【０１７３】次に、消去ブロックバッファ管理領域６０
４内のデータ操作を図４１の例を用いて説明する。図４
１では、オフセット値０x２０００(０xは１６進数を示
す)、サイズ０x２０００、データチェック値０xfedca１
２３のデータを書き込んだ場合の、消去ブロックバッフ
ァ内のデータ操作を示している。

【０１７４】まず、最初の例（例１）は書き込み要求領
域が消去ブロックバッファ管理領域６０４に登録されて
いる領域と同一のものがあった場合の例である。この例
では、消去ブロックバッファ管理領域６０４には、オフ
セット０x２０００、サイズ０x２０００の領域が既に登
録されており、これは書き込み要求データと同じ領域で
ある。

【０１７５】この場合、消去ブロックバッファ書き込み
手段６１４は、図４０のＳ１３０５の処理、即ち、既に
登録されていた領域のチェック値を書き込み要求データ
に対するチェック値に更新する。これにより、データ書
き込み後は図４１中の網掛けの部分が更新される。

【０１７６】次の例（例２）は、書き込み要求領域が消
去ブロックバッファ管理領域６０４に登録されている領
域の中に含まれる場合の例である。この例では、消去ブ
ロックバッファ管理領域６０４には、オフセット０x１
０００、サイズ０x４０００の領域があり、書き込み要
求領域はこの領域に含まれる。この場合、消去ブロック
バッファ書き込み手段６１４は、図４０のＳ１３０７〜
Ｓ１３１０の処理を行う。

【０１７７】初めに、登録されている領域、即ちオフセ
ット０x１０００、サイズ０x４０００のデータを削除す
る（図４０、Ｓ１３０７）。次に登録されていた領域の
先頭から書き込み要求領域の先頭までの領域（オフセッ
ト０x１０００, サイズ０x１０００）を新規登録する
（図４０, Ｓ１３０８）。そして、書き込み要求領域
（オフセット０x２０００, サイズ０x２０００）を新規
登録する(図４０, Ｓ１３０９)。最後に、書き込み要求
データの最後から登録されていた領域の最後までの領域
(オフセット０x４０００,サイズ０x１０００)を新規登
録する(図４０, Ｓ１３１０)。これにより、データ書き
込み後は図４１中の網掛けの部分が更新される。

【０１７８】次の例(例３)は、書き込み要求領域が消去
ブロックバッファ管理領域６０４に登録されている領域
を跨ぐ場合の例である。この例では、書き込み要求領域
は、消去ブロックバッファ管理領域６０４に登録されて
いる２つの領域（オフセット０x００００,サイズ０x３
０００の領域およびオフセット０x３０００、サイズ０x
２０００の領域）を跨ぐ。この場合、消去ブロックバッ
ファ書き込み手段６１４は、図４０のＳ１３１２〜Ｓ１
３１５の処理を行う。

【０１７９】初めに、登録されている領域、即ちオフセ
ット０x００００,サイズ０x３０００の領域およびオフ
セット０x３０００,サイズ０x２０００の領域を削除す
る（図４０, Ｓ１３１２）。次に登録されていた領域の
内最初の領域（オフセット０x００００、サイズ０x３０
００）の先頭から、書き込み要求領域の先頭までの領域
（オフセット０x００００,サイズ０x２０００）を新規
登録する(図４０, Ｓ１３１３)。そして書き込み要求領
域（オフセット０x２０００, サイズ０x２０００）を新
規登録する（図４０, Ｓ１３１４）。最後に、書き込み
要求領域の最後から跨れた領域の最後の領域の最後まで
の領域（オフセット０x４０００, サイズ０x１０００）
を新規登録する（図４０, Ｓ１３１５）。これにより、
データ書き込み後は図４１中の網掛けの部分が更新され
る。

【０１８０】最後の例（例４）は、書き込み要求領域が
消去ブロックバッファ管理領域６０４に登録されていな
い場合の例である。この例では、消去ブロックバッファ
管理領域６０４には、オフセット０x４０００,サイズ０
xc０００の領域のみ登録されており、書き込み要求領域
（オフセット０x２０００, サイズ０x２０００）は登録
されていない。

【０１８１】この場合、消去ブロックバッファ書き込み
手段６１４は図４０のＳ１３１６の処理、即ち、書き込
み要求領域(オフセット０x２０００, サイズ０x１００
０)を消去ブロックバッファ管理領域６０４に新規登録
する。これにより、データ書き込み後は図４１中の網掛
けの部分が更新される。

【０１８２】次に本実施の形態における復旧手段６１１
の動作を図４２を用いて説明する。復旧手段６１１はま
ず、Ｓ１３５１において、消去単位番号保持領域２０２
内の値と消去単位番号確認領域６０１の値を読み出す。
続いて、Ｓ１２８２にて、消去単位番号保持領域２０２
内の値と消去単位番号確認領域６０１にフラッシュメモ
リ内の消去単位番号が存在するかチェックする。

【０１８３】番号が存在しない場合、消去ブロックバッ
ファにはデータがないので、復旧手段の処理を終了す
る。Ｓ１３５２において、番号が存在する場合、Ｓ１３
５３にて、消去単位番号保持領域２０２内の値と消去単
位番号確認領域６０１の値が同一かをチェックする。値
が同一でない場合、Ｓ１３５７に進み、情報処理装置に
エラー通知を行う。これにより、情報処理装置は書き込
み途中の電源断を検出することができる。その後、Ｓ１
３５８にて、消去単位番号保持領域２０２および消去単
位番号確認領域６０１をクリアする。これにより、消去
ブロックバッファを利用可能状態にする。

【０１８４】Ｓ１３５３にて、消去単位番号保持領域２
０２内の値と消去単位番号確認領域６０１の値が同一で
ある場合、Ｓ１３５４に進む。Ｓ１３５４では、消去ブ
ロックバッファ管理領域６０４に登録されている領域情
報に対応させて、消去ブロックバッファ１０３内のデー
タを読み出す。そして、消去ブロックバッファ１０３内
のデータを用いて値を算出する（この算出規則は書き込
み領域のデータチェック値の算出規則と同様の規則にて
行う、例えばデータチェック値がチェックサム値であれ
ば、データの合計値を算出する）。続いて、Ｓ１３５５
にて算出した値と消去ブロックバッファ管理領域６０４
の領域情報にあるデータチェック値をチェックする。

【０１８５】両者の値が一致すれば、消去ブロックバッ
ファ１０３のデータが妥当であると判定する。

【０１８６】Ｓ１３５５にて妥当でない、即ち消去ブロ
ックバッファ１０３内のデータが正しくない場合、Ｓ１
３５７に進み、情報処理装置にエラー通知を行う。これ
により、本発明の手段以外の操作により消去ブロックバ
ッファ１０３にデータが書き込まれたり、消去ブロック
バッファ１０３が使用している不揮発性メモリが故障し
たことを検出することができる。そして、Ｓ１３５８に
て消去単位番号保持領域２０２と消去単位番号確認領域
６０１の内容をクリアする。これにより、消去ブロック
バッファを利用可能状態にする。

【０１８７】Ｓ１３５５にて妥当であると判断した場
合、Ｓ１３５６に進む、。Ｓ１３５６では、消去ブロッ
クバッファ管理領域６０４に登録されている領域の最後
に到達したかチェックする。領域の最後まで到達してい
ない場合、次の領域に対し、Ｓ１３５４〜Ｓ１３５６の
処理を続行する。

【０１８８】Ｓ１３５６にて、消去ブロックバッファ管
理領域６０４に登録されている領域の最後に登録されて
いる領域まで達した場合、処理を終了する。これによ
り、復旧後、消去ブロックバッファには正しいデータの
み残る。以上のように、この実施の形態によれば、消去
ブロックバッファ管理領域に登録する領域を可変サイズ
にするようにしたので、消去ブロックバッファ書き込み
手段でバッファへの書き込み時に書き込み要求領域を分
割する必要がなく、メモリへのデータ書き込み処理を高
速に行うことができる。

【０１８９】実施の形態１４．本発明の他の実施の形態
における情報処理装置について説明する。情報処理装置
の構成は、実施の形態１２と同様であり、図３３に示さ
れる。本実施の形態では、読み出し手段の動作以外は実
施の形態１２と同様である。

【０１９０】本実施の形態における読み出し手段２０１
の動作を図４３を用いて説明する。図４３において、Ｓ
１４０１〜Ｓ１４０３、Ｓ１４０４は実施の形態２の処
理（図６のＳ２１１〜Ｓ２１３、Ｓ２１５）と同一であ
るので説明を省略する。この実施の形態ではＳ１４０
５、Ｓ１４０６、Ｓ１４０７の処理を有する点で相違す
るため、この点を中心に説明する。

【０１９１】Ｓ１４０１において読み出し要求を受ける
と、Ｓ１４０２において読み出し要求領域を含むフラッ
シュメモリの消去単位の番号を求め、Ｓ１４０３におい
て消去単位番号保持領域２０２の記録とＳ１４０２にお
いて求めた消去単位の番号とが一致するかを判定する。
消去単位番号の記録が消去単位番号保持領域２０２に存
在しないか、あるいは記録された消去番号がＳ１４０２
において求めたものと一致しない場合には、読み出し領
域のデータは消去ブロックバッファに保持されていない
ので、Ｓ１４０４において、フラッシュメモリからデー
タの読み出しを行う。

【０１９２】消去単位番号の記録がＳ１４０２において
求めたものと一致する場合、Ｓ１４０５に進み、読み込
み要求領域のデータを消去ブロックバッファ１０３から
読み出す。続いてＳ１４０６において、読み出した領域
に対応する消去ブロックバッファ管理領域６０４のデー
タチェック値を用いて、読み出した領域のデータが正し
いか否かを判定する。即ち、Ｓ１４０５で消去ブロック
バッファ１０３から読み出したデータを用いて値を算出
し（この算出規則は消去ブロックバッファ管理領域６０
４のデータチェック値を算出する算出規則と同様の規則
である。）、この算出値と読み出した領域に対応する消
去ブロックバッファ管理領域６０４のデータチェック値
とが同一か否かを判定する。両者が同一の値であれば、
消去ブロックバッファ１０３から読み出したデータが妥
当であると判断する。

【０１９３】Ｓ１４０６で妥当でないと判断した場合、
Ｓ１４０７にて情報処理装置にエラー通知を行い、処理
を終了する。Ｓ１４０６で妥当であると判断した場合、
読み出した領域のデータは正しい値であるので、そのま
ま処理を終了する。

【０１９４】以上のように本実施の形態によれば、消去
ブロックバッファ管理領域にあるデータチェック値をデ
ータ読み出し時のデータチェック用に利用するようにし
たので、本発明以外の手段により消去ブロックバッファ
にデータ書き込みが発生した場合や不揮発性メモリに故
障が発生した場合、読み出し時にそれをエラーとして検
出することができる。

【０１９５】実施の形態１５．本発明の他の実施の形態
における情報処理装置について説明する。情報処理装置
の構成は、実施の形態１２と同様であり、図３３に示さ
れる。本実施の形態では、読み出し手段の動作以外は実
施の形態１２と同様である。本実施の形態における読み
出し手段２０１の動作を図４４を用いて説明する。図４
４において、Ｓ１５０１〜Ｓ１５０６は実施の形態１４
の処理（図４３のＳ１４０１〜Ｓ１４０６）と同一であ
るので説明を省略する。

【０１９６】この実施の形態ではフラッシュメモリから
の読み出しＳ１５０４の処理をＳ１５０６において消去
ブロックバッファ１０３から読み出したデータが妥当で
なかった場合にも行う。Ｓ１５０４では、読み出し要求
領域に対応するフラッシュメモリ上の領域からデータを
読み込み、その後処理を終了する。尚、Ｓ１５０４の処
理は、消去単位番号の記録が消去単位番号保持領域２０
２に存在しないか、あるいは記録された消去番号がＳ１
５０２において求めたものと一致しない場合にも行う。

【０１９７】以上のように本実施の形態によれば、消去
ブロックバッファ１０３の読み出し時に、読み出したデ
ータが正しくない場合、消去ブロックバッファ１０３に
対応するフラッシュメモリ上の領域からデータを読み込
むようにしたので、書き込み前のデータを使い情報処理
装置の動作を継続することができる。

【０１９８】実施の形態１６．図４５は本発明の他の実
施の形態における情報処理装置の構成を示す図である。
図において、６０５は消去ブロックバッファの消去単位
番号情報や書き込みバッファの消去単位番号情報などが
入るバッファ管理領域である。また、６１１は情報処理
装置の起動時に実行され、バッファ管理領域６０５内の
情報に従い、消去ブロックバッファ１０３および書き込
みバッファ４０２のデータを復旧させる復旧手段であ
る。他の構成は、図８における構成の同一もしくは相当
部であり説明を省略する。なお、図８における消去単位
番号保持領域２０２は図４５ではバッファ管理領域６０
５内に設定される。

【０１９９】図４６は、バッファ管理領域６０５に記録
されているデータの内容を示す。バッファ管理領域６０
５は、消去ブロックバッファの情報を格納する消去ブロ
ックバッファ管理領域６０５１と、書き込みバッファの
情報を格納する書き込みバッファ管理領域６０５２とで
構成される。

【０２００】バッファ管理領域６０５の消去ブロックバ
ッファ管理領域６０５１には、消去ブロックバッファ１
０３が保持しているデータに対応するフラッシュメモリ
上の消去単位番号を記録する消去単位番号保持領域と、
消去単位番号保持領域と同じ値を持つ消去単位番号確認
領域と、消去ブロックバッファ内のデータが正しいか否
かのチェックに用いるデータチェック値を持つデータチ
ェック値領域が含まれる。

【０２０１】バッファ管理管理領域６０５の書き込みバ
ッファ管理領域６０５２には、書き込みバッファ４０２
に保存されてたデータが書き込まれるべきフラッシュメ
モリ１０１上の消去単位番号と、この消去単位領域内の
書き込み領域の位置を特定するオフセットと、書き込み
領域の大きさを示すサイズと、対応する書き込みバッフ
ァ内の領域のデータが正しいか否かのチェックに用いる
データチェック値と、この情報領域（消去単位番号領
域、消去単位内オフセット、サイズ、データチェック
値）のデータが正しいか否かのチェックに用いる管理領
域チェック値を保持する。消去単位番号の「−１」は、
これ以上書き込みデータが存在しないことを意味する。

【０２０２】本実施の形態におけるメモリへの書き込み
時の動作を図４７を用いて説明する。以下の各処理は断
りがない限り書き込み制御手段１１１の動作である。ま
ず、Ｓ１６０１でデータの書き込み要求を受けるとＳ１
６０２で書き込み要求がされたフラッシュメモリの消去
単位の番号を求める。この動作は、実施の形態１および
４と同様である。

【０２０３】続いて、Ｓ１６０３において、消去ブロッ
クバッファ管理領域６０５１の消去単位番号保持領域を
参照し、消去単位番号の記録が存在するかを判定する。
ここで消去番号の記録が存在しなければ、Ｓ１６０４に
おいて、書き込み制御手段１１１は、消去ブロックバッ
ファ管理領域６０５１内にある消去単位番号保持領域に
Ｓ１６０２で求めた消去単位番号を格納する。続いて、
Ｓ１６０５において書き込み要求データを消去ブロック
バッファ１０３に書き込み、Ｓ１６０６において待避手
段１１２に対して待避指示を行う。待避指示の内容およ
び待避手段の処理動作は実施の形態１および４と同様で
ある。

【０２０４】続いてＳ１６０７において、データチェッ
ク値を消去ブロックバッファ管理領域６０５１内にある
データチェック値領域に書き込む。この値は、消去ブロ
ックバッファ１０３内に書き込まれているデータが正し
いか否かをチェックするために用いられる値であり、消
去ブロックバッファ１０３内のデータ値をすべて加算し
たチェックサム値など、データが正しいか否かをチェッ
クできる値が入る。

【０２０５】さらにＳ１６０８において、Ｓ１６０２で
求められた消去単位番号を消去ブロックバッファ管理領
域６０５１内にある消去単位番号確認領域に格納する。
これにより、消去単位番号保持領域および消去単位番号
確認領域の値が同一の場合、消去ブロックバッファ１０
３への書き込みは全て完了したことになる。次に、Ｓ１
６０９において消去命令手段３０１に対して消去指示を
出す。消去指示の内容および消去命令手段３０１の動作
は実施の形態４と同様である。

【０２０６】Ｓ１６０３において消去ブロックバッファ
管理領域６０５１内の消去単位番号保持領域に消去単位
番号の記録が存在すると判断した場合には、Ｓ１６１０
において、Ｓ１６０２で求めた消去単位番号が消去ブロ
ックバッファ管理領域６０５１内の消去単位番号保持領
域に存在する記録と一致するかを判定する。

【０２０７】Ｓ１６１０で消去単位番号が異なると判断
した場合には、Ｓ１６１１において、書き込みバッファ
管理領域６０５２を参照し、書き込みバッファ管理領域
６０５２に記録されている情報から、書き込み要求領域
と同一の領域に書き込みを行うデータが既に書き込みバ
ッファ４０２に存在するかを判定する。この判定は、実
施の形態４と同様である。Ｓ１６１１で書き込み要求領
域と同一の領域に書き込みを行うデータが書き込みバッ
ファ４０２に存在しないと判断した場合には、さらにＳ
１６１２において書き込み制御手段１１１は書き込みバ
ッファ４０２の空き領域を調べる。この処理は、実施の
形態４と同様である。

【０２０８】書き込みバッファ４０２に空き領域が存在
しない場合には、Ｓ１６１３において書き込み制御手段
１１１は、書き込み手段３０１に対し書き込み指示を行
う。書き込み指示の内容および書き込み手段３０１の動
作は実施の形態１と同様である。続いて、Ｓ１６１４に
おいて消去ブロックバッファ管理領域６０５１の消去単
位番号保持領域と消去単位番号確認領域の内容をクリア
する。これにより、消去ブロックバッファ６０１にはデ
ータが残っていないことを示す。さらに、この後、Ｓ１
６０４からＳ１６０９の処理を、消去単位番号の記録が
存在しない場合と同様に行う。

【０２０９】Ｓ１６１２で書き込みバッファに空き領域
が存在した場合には、Ｓ１６１５において、書き込みデ
ータを書き込みバッファ４０２の空き領域へ書き込む。
次にＳ１６１６において、書き込みバッファ管理領域６
０５２に書き込みデータに関する管理情報を記録する。
管理情報は、消去単位番号、消去単位番号が示す領域内
で書き込みデータの位置を特定するオフセット、書き込
みデータのサイズ、書き込みデータが正しいか否かのチ
ェックに用いるデータチェック値、および前記３つの４
つのデータが正しいか否かのチェックに用いる管理領域
チェック値を記録する。書き込みバッファ管理領域６０
５２における管理情報と、書き込みバッファ４０２にお
ける書き込みデータの対応づけは、各エリアにおけるア
ドレス上の順序が同一になるように記録されていること
で行われる。

【０２１０】Ｓ１６１１で書き込み要求領域と同一の領
域に書き込みを行うデータが既に存在すると判定された
場合には、Ｓ１６１７において、書き込みデータを書き
込みバッファの同一領域のデータが記録されているエリ
アに書き込む。続いてＳ１６１８において、書き込みバ
ッファ管理領域６０５２の内、Ｓ１６１７で書き込みデ
ータを書き込んだ領域に関する領域情報を更新する。こ
の時更新される情報は、データチェック値および管理領
域チェック値である。

【０２１１】Ｓ１６１０で、Ｓ１６０２で算出した消去
単位番号が消去ブロックバッファ管理領域６０５１の消
去単位番号保持領域に存在する記録と一致すると判定さ
れた場合には、Ｓ１６１９において、書き込み要求デー
タを消去ブロックバッファ１０３に書き込む。続いて、
Ｓ１６２０において、消去ブロックバッファ管理領域６
０５１のデータチェック値領域に、更新された消去ブロ
ックバッファ１０３内のデータから求めたデータチェッ
ク値を書き込む。以上がメモリへのデータ書き込み時の
動作である。

【０２１２】次に、メモリからのデータ読み出し時の動
作を図４８を用いて説明する。以下の各処理は、断りの
ない限り読み出し手段２０１の動作である。まずＳ１６
５１において、読み出し要求を受ける。この読み出し要
求の内容は実施の形態４と同様である。Ｓ１６５２にお
いて、読み出し要求領域を含むフラッシュメモリの消去
単位番号を求める。消去単位番号を求める動作は実施の
形態４と同様である。

【０２１３】続いてＳ１６５３において、消去ブロック
バッファ管理領域６０５１の消去単位番号保持領域を参
照し、消去単位番号の記録が存在するかを判定する。消
去単位番号の記録が存在しない場合には、Ｓ１６５７に
おいて、書き込みバッファ管理領域６０５２の管理情報
を参照し、読み出し要求領域として特定された領域に書
き込まれるべきデータが書き込みバッファ４０２に存在
するかを判定する。

【０２１４】読み出し要求領域として特定された領域に
書き込まれるべきデータが書き込みバッファ４０２に存
在する場合には、Ｓ１６５９において、そのデータが正
しいものかどうかを書き込みバッファ管理領域６０５２
に登録されているデータチェック値を使用して判定す
る。即ち、読み出し要求領域として特定された領域に書
き込まれるべきデータを書き込みバッファ４０２から読
み出し、このデータを用いて値を算出する（この算出規
則は書き込みバッファ管理領域６０５２に登録されるデ
ータチェック値の算出規則を用いる）。そして、算出値
と書き込みバッファ管理領域６０５２に登録されている
データチェック値とを比較して、両者が同一値となれ
ば、書き込みバッファ４０２のデータが妥当であると判
断する。

【０２１５】データが妥当であると判定した場合、Ｓ１
６６１において、当該データを書き込みバッファ４０２
から読み出し、処理を終了する。データが妥当でないと
判定した場合、Ｓ１６５０において、情報処理装置にエ
ラーを通知し、処理を終了する。

【０２１６】Ｓ１６５７で読み出し要求領域として特定
された領域に書き込まれるべきデータが書き込みバッフ
ァ４０２に存在しない場合には、Ｓ１６５８において、
読み出しデータをフラッシュメモリ１０１から読み出
す。

【０２１７】Ｓ１６５３で消去ブロックバッファ管理領
域６０５１の消去単位番号保持領域に消去単位番号の記
録が存在し、かつＳ１６５２で求めた消去単位番号と一
致する場合には、読み出し要求領域のデータは消去ブロ
ックバッファ１０３に保持されているので、Ｓ１６５４
においてまず、消去ブロックバッファ１０３内のデータ
が正しいものであるか、消去ブロックバッファ管理領域
６０５１のデータチェック値値を使用して判定する。こ
の判断手順はＳ１６５９の手順と同様である。

【０２１８】データが妥当であると判定した場合、Ｓ１
６５５において、当該データを消去ブロックバッファか
ら読み出し、処理を終了する。データが妥当でないと判
定した場合、Ｓ１６５６において、情報処理装置にエラ
ーを通知し、処理を終了する。以上がメモリからのデー
タ読み出し時の動作である。

【０２１９】次に、情報処理装置の起動時に実行される
復旧手段６１１の動作を図４９を用いて説明する。復旧
手段６１１はまずＳ１６８１において、消去ブロックバ
ッファ管理領域６０５１の消去単位番号保持領域の値と
消去単位番号確認領域の値を読み出す。続いてＳ１６８
２において、消去単位番号保持領域と消去単位番号確認
領域にフラッシュメモリ内の消去単位番号が存在するか
を判定する。

【０２２０】消去単位番号が存在する場合、Ｓ１６８３
において、消去単位番号保持領域の値と消去単位番号確
認領域の値が同一かをチェックする。消去単位番号保持
領域の値と消去単位番号確認領域の値が同一の場合、Ｓ
１６８４において、消去ブロックバッファ管理領域６０
５１にあるデータチェック値を読み出す。

【０２２１】続いてＳ１６８５にて、消去ブロックバッ
ファ１０３内のデータが正しいかを読み出したデータチ
ェック値を用いて判定する。この判定は図４８のＳ１６
５４と同様である。Ｓ１６８５で、消去ブロックバッフ
ァ１０３内のデータが妥当である場合、消去ブロックバ
ッファ１０３内のデータは破壊されていないことになる
ので、書き込みバッファの状態を復旧させるために、Ｓ
１６８７でバッファ管理領域６０５の書き込みバッファ
管理領域の領域情報を読み出す。

【０２２２】次に、Ｓ１６８８において、書き込みバッ
ファ管理領域６０５２のデータが正しいかを、管理領域
チェック値を用いて判定する。この判定は、管理領域チ
ェック値以外の情報（消去単位番号、オフセット、サイ
ズ、データチェック値）を取出してチェックサム値を算
出し、算出して得られたチェックサム値と管理領域チェ
ック値とを比較する。そして両者が一致すれば書き込み
バッファ管理領域６０５２のデータが妥当であると判断
する。

【０２２３】Ｓ１６８８で、書き込みバッファ管理領域
６０５２のデータが妥当である場合、Ｓ１６８９におい
て、領域情報に対応する書き込みバッファ４０２内のデ
ータが正しいか、領域情報にあるデータチェック値を用
いて判定する。この判定も上記したチェックサムによる
判定方法などを利用して判定される。Ｓ１６８９で、書
き込みバッファ４０２内のデータが正しいと判断した場
合、Ｓ１６９１でこの領域情報が書き込みバッファ管理
領域に保持されている領域情報の最後かを判定する。領
域情報の最後である場合、処理を終了する。

【０２２４】Ｓ１６９１で、まだ領域情報の最後でない
場合、次の領域情報を読み出しその領域情報が正しいか
を判定するために、Ｓ１６８７〜Ｓ１６９１の処理を実
行する。Ｓ１６８９で、書き込みバッファのデータが正
しくない場合、Ｓ１６９０において、書き込みバッファ
管理領域６０５２の当該領域情報をクリアし、領域情報
および当該書き込みバッファを別のデータが使用するこ
とを可能にする。そして、Ｓ１６９１に進み、次の領域
情報へ処理を進める。

【０２２５】Ｓ１６８８で、領域情報のデータが正しく
ない場合、Ｓ１６９０において、書き込みバッファ管理
領域６０５２の当該領域情報をクリアし、領域情報およ
び当該書き込みバッファを別のデータが使用することを
可能にする。そして、Ｓ１６９１に進み、次の領域情報
へ処理を進める。

【０２２６】Ｓ１６８５で、消去ブロックバッファ１０
３内のデータが正しくないと判断した場合、Ｓ１６８６
において、消去ブロックバッファ管理領域６０５１の消
去単位番号保持領域および消去単位番号確認領域をクリ
アし、消去ブロックバッファを使用可能にする。そし
て、Ｓ１６８７〜Ｓ１６９１を実施し、書き込みバッフ
ァ１０４の復旧処理を行う。

【０２２７】Ｓ１６８３で、消去ブロックバッファ管理
領域６０５１の消去単位番号保持領域と消去単位番号確
認領域の値が同一でない場合、Ｓ１６８６において、消
去単位番号保持領域および消去単位番号確認領域をクリ
アし、消去ブロックバッファを使用可能にする。そし
て、Ｓ１６８７〜Ｓ１６９１を実施し、書き込みバッフ
ァ１０４の復旧処理を行う。Ｓ１６８２で、消去ブロッ
クバッファ管理領域６０５１にある消去単位番号保持領
域と消去単位番号確認領域に消去単位番号の記録がない
場合、Ｓ１６８７〜Ｓ１６９１を実施し、書き込みバッ
ファ１０４の復旧処理を行う。

【０２２８】以上のように本実施の形態によれば、バッ
ファ管理領域６０５に消去ブロックバッファを管理する
消去ブロックバッファ管理領域６０５１と書き込みバッ
ファを管理する書き込みバッファ管理領域６０５２を設
け、消去ブロックバッファ管理領域６０５１には、消去
単位番号保持領域の他に消去単位番号確認領域とデータ
チェック値領域を、書き込みバッファ管理領域６０５２
には、消去単位番号領域と消去単位内のオフセット値領
域と書き込みデータサイズ領域の他にデータチェック値
領域と管理領域チェック値を保持している。そのため、
メモリからのデータ読み出し時および情報処理装置の復
旧時に当該データチェック値を用い消去ブロックバッフ
ァおよび書き込みバッファのデータが正しいかをチェッ
クすることができ、消去ブロックバッファおよび書き込
みバッファを保持している不揮発性メモリが故障し、消
去ブロックバッファ内のデータが不正になっても、情報
処理装置がそれを検出することができる。さらに、消去
ブロックバッファおよび書き込みバッファに他手段から
不正なデータ書き込みがあっても、それを検出すること
ができる。

【０２２９】実施の形態１７．本発明の他の実施の形態
における情報処理装置について説明する。情報処理装置
の構成は、実施の形態１６と同様であり、図４５に示さ
れる。本実施の形態では、復旧手段の動作以外は実施の
形態１６と同様である。本実施の形態における復旧手段
６１１の動作を図５０を用いて説明する。図５０は、実
施の形態１６における復旧手段の動作が一部相違してい
る。

【０２３０】Ｓ１７０１〜Ｓ１７０５については実施の
形態１６で述べたＳ１６８１〜Ｓ１６８５の処理と同様
である。Ｓ１７０５で消去ブロックバッファのデータが
正しくないと判断した場合、Ｓ１７０７に進み、Ｓ１７
０７において消去単位番号保持領域と消去単位番号確認
領域をクリアし、消去ブロックバッファ１０３を再利用
可能にしてから、Ｓ１７０８に進み、書き込みバッファ
４０２の復旧処理を行う。

【０２３１】Ｓ１７０５で消去ブロックバッファのデー
タが正しいと判断した場合、Ｓ１７０６で消去命令手段
３０１に消去指示を行い、消去ブロックバッファに対応
するフラッシュメモリの消去単位領域を消去する。この
消去指示の内容は、実施の形態１と同様である。そし
て、書き込み手段３０２に書き込み指示を出し、消去ブ
ロックバッファの内容を、消去した領域に書き込む。こ
の書き込み指示の内容も実施の形態１と同様である。

【０２３２】そして、Ｓ１７０７において、消去ブロッ
クバッファ管理領域６０５１の消去単位番号保持領域と
消去単位番号確認領域をクリアする。Ｓ１７０２〜Ｓ１
７０７の処理により消去ブロックバッファ１０３の復旧
処理が完了すると、復旧手段６１１はＳ１７０８におい
て、書き込みバッファ管理領域６０５２の領域情報を読
み出す。

【０２３３】次に、Ｓ１７０９、Ｓ１７１０の処理を行
う。この処理は実施の形態１６で述べたＳ１６８８、Ｓ
１６８９の処理と同様である。Ｓ１７０９で書き込みバ
ッファ管理領域６０５２の領域情報が妥当でないと判断
した場合およびＳ１７１０で書き込みバッファ４０２内
のデータが正しくないと判断した場合、書き込みバッフ
ァ４０２の書き込み途中で電源断が発生したと考えられ
るので、Ｓ１７１６において、当該領域情報を書き込み
バッファ管理領域６０５２から削除し、書き込みバッフ
ァ４０２を再利用可能にする。

【０２３４】Ｓ１７１０で書き込みバッファ４０２内の
データが正しいと判断した場合、Ｓ１７１１において、
当該領域情報に対応する書き込みバッファ４０２のデー
タを消去ブロックバッファ１０３に書き込む。次にＳ１
７１２において、待避手段１１２に対して待避指示を行
う。待避指示の内容は実施の形態１と同様である。待避
指示を受けた待避手段１１２は、消去単位内の不変デー
タを消去ブロックバッファ１０３に書き込むことにより
待避させる。

【０２３５】続いてＳ１７１３において、消去ブロック
バッファ管理領域６０５１を更新、即ち、消去単位番号
保持領域および消去単位番号確認領域に消去単位番号を
書き込み、Ｓ１７１１およびＳ１７１２により消去ブロ
ックバッファ１０３に書き込まれたデータのデータチェ
ック値を書き込む。

【０２３６】次にＳ１７１４において、消去命令手段３
０１に消去指示を行い、消去ブロックバッファ１０３に
対応するフラッシュメモリの消去単位領域を消去する。
この消去指示の内容は、実施の形態１と同様である。そ
して書き込み手段３０２に書き込み指示を出し、消去ブ
ロックバッファ１０３の内容を、消去した領域に書き込
む。この書き込み指示の内容も実施の形態１と同様であ
る。

【０２３７】続いてＳ１７１５にて、消去ブロックバッ
ファ管理領域６０５１の消去単位番号保持領域と消去単
位番号確認領域をクリアする。次にＳ１７１６におい
て、Ｓ１７０８で読み出した領域情報を書き込みバッフ
ァ管理領域６０５２から削除し、書き込みバッファ４０
２の当該領域を再利用可能にする。

【０２３８】次に、Ｓ１７１７において、Ｓ１７０８で
読み出した領域情報が、バッファ管理領域６０５の書き
込みバッファ管理領域に登録されている領域情報の最後
かを判定する。書き込みバッファ管理領域の最後ではな
い場合、当該領域情報の次に登録されている領域情報に
対し、Ｓ１７０８〜Ｓ１７１７の処理を行う。書き込み
バッファ管理領域の最後である場合、書き込みバッファ
４０２には、データが残っていないので、処理を終了す
る。

【０２３９】以上のように本実施の形態によれば、情報
処理装置の復旧時に、消去ブロックバッファの内容と書
き込みバッファの内容をフラッシュメモリに書き込むよ
うにしたので、復旧後にメモリへのデータ書き込みを行
わない限り、不揮発性メモリの故障によるデータの破壊
を防ぐことができる。

【０２４０】実施の形態１８．図５１は本発明の他の実
施の形態における情報処理装置の構成を示す図である。
図において、１８５は揮発性メモリであるＤＲＡＭであ
り、ＤＲＡＭ１８５には、不揮発性メモリ１０２内の消
去単位番号保持領域２０２と同じ値を持つ消去単位番号
保持領域６０６と不揮発性メモリ１０２内の書き込みバ
ッファ管理領域４０３と同じ値を持つ書き込みバッファ
管理領域６０７とを備える。このＤＲＡＭ１８５は不揮
発性メモリ１０２よりもデータの読み書きが高速であ
る。また図において、６１１は情報処理装置の起動時に
実行される復旧手段である。他の構成は図８における構
成の同一もしくは相当部であり、説明を省略する。

【０２４１】次に本実施の形態におけるメモリへの書き
込み時の動作を、図５２を用いて説明する。以下の各処
理は断りのない限り書き込み制御手段１１１の動作であ
る。まず、Ｓ１８０１、Ｓ１８０２の処理は実施の形態
４と同様である。続いて、Ｓ１８０３において、ＤＲＡ
Ｍ１８５上の消去単位番号保持領域６０６を参照し、消
去単位番号の記録が存在するかを判定する。ここで消去
単位番号の記録が存在しなければ、Ｓ１８０４におい
て、書き込み制御手段１１１は書き込み要求データを消
去ブロックバッファ１０３に書き込む。

【０２４２】さらにＳ１８０５において、待避手段１１
２に対して待避指示を行う。待避指示の内容および待避
手段１１２の動作は、実施の形態４と同様である。続い
てＳ１８０６において、Ｓ１８０２で求めた消去単位番
号を不揮発性メモリ１０２上の消去単位番号保持領域２
０２およびＤＲＡＭ１８５上の消去単位番号保持領域６
０６に記録する。ＤＲＡＭ１８５への消去単位番号の書
き込み処理は図５４のＳ１８５１の処理に相当する。

【０２４３】さらにＳ１８０７において、消去命令手段
３０１に対して消去指示を出す。消去指示の内容および
消去命令手段３０１の動作は、実施の形態４と同様であ
る。Ｓ１８０３においてＤＲＡＭ１８５上の消去単位番
号保持領域６０６に消去単位番号の記録が存在する場合
には、Ｓ１８０８において、Ｓ１８０２で求めた消去単
位番号がＤＲＡＭ１８５上の消去単位番号保持領域６０
６に存在する記録と一致するかを判定する。

【０２４４】Ｓ１８０８において消去単位番号が異なる
場合には、Ｓ１８０９において、ＤＲＡＭ１８５上の書
き込みバッファ管理領域６０７を参照し、書き込みバッ
ファ管理領域６０７に記録されている情報から、書き込
み要求領域と同一の領域に書き込みを行うデータが既に
書き込みバッファ４０２に存在するかを判定する。この
判定は、ＤＲＡＭ１８５上の書き込みバッファ管理領域
６０７に記憶されている消去単位番号及び消去単位内オ
フセットおよびサイズから把握することができる。

【０２４５】Ｓ１８０９において書き込み要求領域と同
一の領域に書き込みを行うデータが書き込みバッファ４
０２に存在しない場合には、さらにＳ１８１０において
書き込み制御手段１１１は、書き込み要求のデータを書
き込むことができる領域が書き込みバッファ４０２に存
在するかを、書き込みバッファ４０２に空き領域を調べ
ることで判定する。空き領域の存在は、ＤＲＡＭ１８５
上の書き込みバッファ管理領域６０７に記録されている
情報から知ることができる。

【０２４６】書き込みバッファ４０２に空き領域がない
場合には、Ｓ１８１１において書き込み制御手段１１１
は、書き込み手段３０２に対し書き込み指示を行う。書
き込み指示の内容および書き込み手段３０２の動作は実
施の形態４と同様である。続いて、Ｓ１８０４からＳ１
８０７の処理を、消去単位番号の記録が存在しない場合
と同様に行う。

【０２４７】Ｓ１８１０で書き込みバッファに空き領域
が存在した場合には、Ｓ１８１２において、書き込みデ
ータを書き込みバッファ４０２へ書き込む。次にＳ１８
１３において、不揮発性メモリ１０２上の書き込みバッ
ファ管理領域４０３およびＤＲＡＭ１８５上の書き込み
バッファ管理領域６０７に、Ｓ１８１２で書き込んだ書
き込みデータに関する管理情報を記録する。管理情報
は、消去単位番号とその中での位置を特定するオフセッ
ト、及び書き込みデータの大きさを記録する。このＤＲ
ＡＭ１８５へ書き込みデータに関する管理情報を記録す
る処理は、図５４のＳ１８５２に相当する。

【０２４８】Ｓ１８０９で書き込み要求領域と同一の領
域に書き込みを行うデータが既に存在すると判定された
場合には、Ｓ１８１４において、書き込みデータを書き
込みバッファの同一領域のデータが記録されているエリ
アに書き込む。Ｓ１８０８で、Ｓ１８０２で算出した消
去単位番号がＤＲＡＭ１８５上の消去単位番号保持領域
６０６に存在する記録と一致すること判定された場合に
は、Ｓ１８１５において、書き込み要求データを消去ブ
ロックバッファ１０３に書き込む。

【０２４９】次に、メモリからのデータ読み出し時の動
作を図５３を用いて説明する。以下の各処理は、断りの
ない限り読み出し手段２０１の動作である。まずＳ１８
３１およびＳ１８３２は、実施の形態４と同様である。
続いてＳ１８３３において、ＤＲＡＭ１８５上の消去単
位番号保持領域６０６を参照し、消去単位番号の記録が
存在するかを判定する。

【０２５０】消去単位番号の記録が存在しない場合に
は、Ｓ１８３４において、ＤＲＡＭ１８５上の書き込み
バッファ管理領域６０７の管理情報を参照し、読み出し
要求領域として特定された領域に書き込まれるべきデー
タが書き込みバッファ４０２に存在するかを判定する。

【０２５１】読み出し要求領域として特定された領域に
書き込まれるべきデータが書き込みバッファ４０２に存
在する場合には、Ｓ１８３５において、その領域のデー
タを書き込みバッファ４０２から読み出す。読み出し要
求領域として特定された領域に書き込まれるべきデータ
が書き込みバッファ４０２に存在しない場合には、Ｓ１
８３６において、読み出しデータをフラッシュメモリ１
０１から読み出す。

【０２５２】Ｓ１８３３でＤＲＡＭ１８５上の消去単位
番号保持領域６０６に消去単位番号の記録が存在し、か
つＳ１８３２で求めた消去単位番号と一致する場合に
は、読み出し領域のデータは消去ブロックバッファ１０
３に保持されているので、Ｓ１８３７において、消去ブ
ロックバッファ１０３から読み出しデータを読み出す。
以上の処理がメモリからのデータ読み出し時の動作であ
る。

【０２５３】次に、復旧手段６１１の動作を図５４を用
いて説明する。復旧手段６１１はまず、Ｓ１８５１にお
いて、ＤＲＡＭ１８５上の消去単位番号保持領域６０６
に、不揮発性メモリ１０２上の消去単位番号保持領域２
０２の内容を書き込む。これは、ＤＲＡＭ１８５は揮発
性メモリであり、情報処理装置の再起動時にデータが消
去されてしまうためである。

【０２５４】次に、Ｓ１８５２において、ＤＲＡＭ１８
５上の書き込みバッファ管理領域６０７に、不揮発性メ
モリ１０２上の書き込みバッファ管理領域４０３の内容
を書き込む。以上が復旧手段の動作である。この動作に
より、復旧手段の処理完了後、不揮発性メモリ１０２上
の消去単位番号保持領域２０２および書き込みバッファ
管理領域４０３の内容と、ＤＲＡＭ１８５上の消去単位
番号保持領域６０６および書き込みバッファ管理領域６
０７の内容は同じになる。

【０２５５】以上のように、この実施の形態によれば、
消去単位番号保持領域と書き込みバッファ管理領域を不
揮発性メモリ１０２および不揮発性メモリ１０２よりも
高速なＤＲＡＭ１８５上に配置し、消去単位番号保持領
域および書き込みバッファ管理領域からの読み出しをＤ
ＲＡＭ１８５上のもので行い、消去単位番号保持領域お
よび書き込みバッファ管理領域への書き込みはＤＲＡＭ
１８５および不揮発性メモリ１０２双方に行い、復旧時
は不揮発性メモリ１０２の内容をＤＲＡＭ１８５にコピ
ーするようにしたので、電源断による消去単位番号保持
領域および書き込みバッファ管理領域の内容破壊を起こ
さずに、かつメモリへのデータの書き込みおよびメモリ
からのデータの読み込みを速く行うことができる。

【０２５６】実施の形態１９．本発明の他の実施形態に
おける情報処理装置について説明する。情報処理装置の
構成は実施の形態５と同様であり、図１２に示される。
実施の形態１９における書き込み時の動作を図５５を用
いて説明する。以下の各処理は断りがない限り書き込み
制御手段１１１の動作である。図５５において、Ｓ１９
０１〜Ｓ１９１０、Ｓ１９１４、Ｓ１９１５は実施の形
態５の処理（図１３のＳ５０１〜Ｓ５１０、Ｓ５１６、
Ｓ５１７）と同一であるので説明を省略する。この実施
の形態ではＳ１９１０の後にＳ１９１１、Ｓ１９１２、
Ｓ１９１３の処理を有する点で相違するため、この点を
中心に説明する。

【０２５７】Ｓ１９０１〜Ｓ１９１０については実施の
形態５と同様に処理を行う。Ｓ１９１０で空き領域が存
在すると判断した場合には、Ｓ１９１１において書き込
み制御手段１１１は、書き込みデータを書き込みバッフ
ァ４０２の空き領域へ書き込む。続いて、Ｓ１９１２に
おいて、書き込みバッファ管理領域４０３に管理情報と
して、消去単位番号とその中のオフセット、及び書き込
みデータの大きさを記録する。Ｓ１９１２が完了後、処
理を終了する。Ｓ１９１０において書き込みバッファ４
０２に空き領域が存在しない場合には、Ｓ１９１３にお
いてバッファデータ移動処理を行う。

【０２５８】バッファデータ移動処理の動作を図５６を
用いて説明する。以下の各処理は、断りのない限り書き
込み制御手段１１１の動作である。まず、Ｓ１９５１に
おいて、消去ブロックバッファ１０３に現在登録されて
いるデータをフラッシュメモリ１０１に書き込む。

【０２５９】次にＳ１９５２において、書き込みバッフ
ァ管理領域４０３と書き込み要求データを検索し、書き
込みバッファ管理領域４０３に登録されている領域およ
び書き込み要求データの内で、同一消去単位内に含まれ
る領域群にグループ分けした場合にグループ分けした領
域群のサイズが一番多い領域群を選択する。

【０２６０】例えば、書き込みバッファに消去単位番号
１に含まれる領域が２個あり、それぞれのサイズが１０
０バイトおよび２００バイトであったとする。さらに書
き込みバッファに消去単位番号２に含まれる領域が３個
あり、それぞれのサイズが１０バイトおよび２０バイト
および３０バイトであったとし、書き込み要求データは
消去単位番号３に対する書き込みでサイズが５０バイト
であったとする。この場合、Ｓ１９５２の処理では、消
去単位番号１の領域群のサイズが３００バイトと一番多
いので、この２つの領域が選択される。

【０２６１】次に、Ｓ１９５３においてバッファ移動手
段５０１は、書き込みバッファ４０２に記録されている
データおよび書き込み要求データの内、Ｓ１９５２で選
択された領域群のデータを消去ブロックバッファ１０３
へ移動する。続いて、Ｓ１９５４において、待避手段１
１２に対して待避指示を行い、待避指示を受けた待避手
段１１２は、Ｓ１９５３において消去ブロックバッファ
１０３へ書き込まれた領域以外のデータである不変デー
タを、フラッシュメモリの当該消去単位から待避する。
さらに、Ｓ１９５５において、消去単位番号を消去単位
番号保持領域２０２に記録する。

【０２６２】次に、Ｓ１９５６において書き込み制御手
段１１１は、Ｓ１９５３で消去ブロックバッファ１０３
へ移動した領域群に関する管理情報を書き込みバッファ
管理領域４０３から削除する。次に、Ｓ１９５７におい
て、Ｓ１９５２で算出した領域群に書き込み要求データ
が存在したか判定する。書き込み要求データが存在しな
かった場合、Ｓ１９５８において、Ｓ１９５６の動作に
よって空きができた書き込みバッファ４０２に書き込み
要求データを書き込み、書き込みバッファ管理領域４０
３に書き込み要求データに関する管理情報を登録する。

【０２６３】次にＳ１９５９において、消去命令手段３
０１に対して消去指示を出し、消去指示を受けた消去命
令手段３０１は消去ブロックバッファ１０３へ待避され
た消去単位の消去を行うようにフラッシュメモリ１０１
に命令を出す。以上はメモリ書き込み時の動作である。
尚、実施の形態１９における読み出し時の動作は、実施
の形態４と同一である。

【０２６４】以上のように、この実施の形態によれば、
書き込みバッファおよび書き込み要求データを、フラッ
シュメモリの１消去単位内に収まる領域毎にグループ化
し、その内で一番サイズが大きい領域グループを消去ブ
ロックバッファに移動することにより、書き込みバッフ
ァの空き領域を効率よく増やすことができるので、フラ
ッシュメモリへの書き込み回数を低減でき、フラッシュ
メモリの劣化を低減することができる。

【０２６５】実施の形態２０．本発明の他の実施形態に
おける情報処理装置について説明する。情報処理装置の
構成は実施の形態５と同様であり、図１２に示される。
また、メモリ書き込み時におけるバッファ移動処理以外
は実施の形態１９と同一である。書き込みバッファ４０
２に空き領域が存在しない場合に行われる、バッファデ
ータ移動処理の動作を図５７を用いて説明する。以下の
各処理は、断りのない限り書き込み制御手段１１１の動
作である。

【０２６６】図５７において、Ｓ２００１〜Ｓ２００９
は実施の形態１９の処理（図５６のＳ１９５１〜Ｓ１９
５９）と同一であるので説明を省略する。この実施の形
態ではＳ２００９以降の処理としてさらにＳ２０１０〜
Ｓ２０１８の処理を有する。

【０２６７】Ｓ２００１〜Ｓ２００９については実施の
形態１９のＳ１９５１〜Ｓ１９５９と同様に実行する。
Ｓ２０１０において書き込み制御手段１１１は、書き込
みバッファ管理領域４０３を検索し、書き込みバッファ
管理領域４０３に登録されている領域で、同一消去単位
内に含まれる領域群にグループ分けした場合にグループ
分けした領域群のサイズがｎバイトよりも小さい領域群
の群数を調べる。

【０２６８】続いて、Ｓ２０１１において、Ｓ２０１０
で調べた群数がｍ個よりも多いか判定する。群数がｍ個
よりも少ない場合、処理を終了する。Ｓ２０１１におい
て、群数がｍ個よりも大きい場合、書き込みバッファの
内容を空にする処理を行う。まず、Ｓ２０１２において
書き込み制御手段１１１は、書き込み手段３０２に書き
込み指示を行い、消去ブロックバッファの内容をフラッ
シュメモリ１０１に書き込む。

【０２６９】次に、Ｓ２０１３において、書き込みバッ
ファ管理領域４０３を検索し、書き込みバッファ管理領
域４０３に登録されている領域の内で、同一消去単位内
に含まれる領域群にグループ分けした場合にグループ分
けした領域群のサイズが一番多い領域群を選択する。

【０２７０】次に、Ｓ２０１４においてバッファ移動手
段５０１は、書き込みバッファ４０２に記録されている
データの内、Ｓ２０１３で選択された領域群のデータを
消去ブロックバッファ１０３へ移動する。続いて、Ｓ２
０１５において、待避手段１１２に待避指示を行い、待
避指示を受けた待避手段１１２は、Ｓ２０１４において
消去ブロックバッファ１０３へ書き込まれた領域以外の
データである不変データを、フラッシュメモリの当該消
去単位から待避する。さらに、Ｓ２０１６において、消
去単位番号を消去単位番号保持領域２０２に記録する。

【０２７１】次にＳ２０１７において書き込み制御手段
１１１は、Ｓ２０１４で消去ブロックバッファ１０３へ
移動した領域群に関する領域情報を書き込みバッファ管
理領域４０３から削除する。次に、Ｓ２１０８におい
て、Ｓ２０１７で更新された書き込みバッファ管理領域
４０３を検索し、まだ登録されている管理情報が存在す
るか判定する。登録されている管理情報が存在する場
合、Ｓ２０１２からＳ２０１８の処理をさらに続行す
る。登録されている管理情報が存在しない場合、処理を
終了する。これにより、書き込みバッファ４０３にはデ
ータが残らなくなる。

【０２７２】以上のように、この実施の形態によれば、
書き込みバッファに空きがない場合に、書き込みバッフ
ァの内容を消去ブロックバッファに移動した後、書き込
みバッファ管理領域を検索し、書き込みバッファ管理領
域に登録されている領域で、同一消去単位内に含まれる
領域群にグループ分けした場合に、グループ分けした領
域群のサイズがｎバイトより小さい領域群の群数がｍ個
よりも多い場合に、書き込みバッファの内容を空にする
ようにし、書き込みサイズが小さいものを強制的に書き
込みバッファから排除するようにしたので、実施の形態
１９よりもより効率よく書き込みバッファの空き領域を
増やすことができ、フラッシュメモリへの書き込み回数
を低減することができる。

【０２７３】

【発明の効果】この発明は、以上に説明したように構成
されているので、以下に記載されるような効果を奏す
る。

【０２７４】この発明におけるデータ記憶方法は、あら
かじめ定められた消去単位でデータの消去および書き込
みがなされる複数の消去単位領域を有するメモリと、前
記消去単位領域に書き込む書き込みデータおよび前記消
去単位領域内の不変データの双方を記憶する不揮発性の
消去ブロックバッファとを用いて前記メモリ内のデータ
の書き換えを行なうデータ記憶方法であって、前記メモ
リの第１の消去単位領域に第１の書き込みデータを書き
込むことを要求する第１の書き込み要求に対し、前記第
１の書き込みデータを前記消去ブロックバッファに書き
込む第１の消去ブロックバッファ書き込みステップと、
前記メモリの第１の消去単位領域に第１の書き込みデー
タを書き込むことを要求する第１の書き込み要求に対
し、前記第１の消去単位領域内の不変データを前記消去
ブロックバッファに書き込む第２の消去ブロックバッフ
ァ書き込みステップと、前記第２の消去ブロックバッフ
ァ書き込みステップの後、前記第１の消去単位領域のデ
ータを消去する消去ステップと、前記第１の消去ブロッ
クバッファ書き込みステップ及び前記消去ステップの
後、前記消去ブロックバッファに記憶された前記第１の
書き込みデータ及び前記不変データを前記第１の消去単
位領域に書き込むメモリ書き込みステップとを有するの
で、メモリ内の不変データを消去後、メモリ内に第１の
書き込みデータを書き込む前に電源断等の不備が生じた
場合にも、不変データおよび第１の書き込みデータが失
われることなく、メモリ内のデータの書き換えの信頼性
が向上する。

【０２７５】この発明におけるデータ記憶方法は、あら
かじめ定められた消去単位でデータの消去および書き込
みがなされる複数の消去単位領域を有するメモリと、前
記消去単位領域に書き込む書き込みデータおよび前記消
去単位領域内の不変データの双方を記憶する不揮発性の
消去ブロックバッファとを用いて前記メモリ内のデータ
の書き換えを行なうデータ記憶方法であって、前記メモ
リの第１の消去単位領域に第１の書き込みデータを書き
込むことを要求する第１の書き込み要求に対し、前記第
１の書き込みデータを前記消去ブロックバッファに書き
込む第１の消去ブロックバッファ書き込みステップと、
前記メモリの第１の消去単位領域に第１の書き込みデー
タを書き込むことを要求する第１の書き込み要求に対
し、前記第１の消去単位領域内の不変データを前記消去
ブロックバッファに書き込む第２の消去ブロックバッフ
ァ書き込みステップと、前記第１の消去ブロックバッフ
ァ書き込みステップの後、前記メモリに第２の書き込み
データを書き込むことを要求する第２の書き込み要求に
対して、前記第２の書き込みデータを前記消去ブロック
バッファに書き込む第３の消去ブロックバッファ書き込
みステップと、前記第２の消去ブロックバッファ書き込
みステップ及び前記第３の消去ブロックバッファ書き込
みステップの後、前記消去ブロックバッファに書き込ま
れたデータを前記第１の消去単位領域に書き込むメモリ
書き込みステップとを有するため、複数の書き込み要求
が生じても第１の消去単位領域に書き込む処理を一括し
て行なうことができ、メモリの劣化を低減することがで
きる。

【０２７６】また、前記第１の消去ブロックバッファ書
き込みステップの後、前記第１の書き込みデータの書き
込み先である消去単位領域と前記第２の書き込みデータ
の書き込み先である消去単位領域とを比較する比較ステ
ップとを有し、前記比較ステップにおける比較結果が同
一の場合に、前記第３の消去ブロックバッファ書き込み
ステップおよび前記メモリ書き込みステップを実行する
ものであるため、同一の消去単位領域への書き込み要求
が続く場合であっても、同一消去単位領域へ書き込み処
理を一括して行なうことができ、メモリの劣化を低減す
ることができる。

【０２７７】この発明におけるデータ記憶方法は、あら
かじめ定められた消去単位でデータの消去および書き込
みがなされる複数の消去単位領域を有するメモリと、前
記消去単位領域に書き込む書き込みデータおよび前記消
去単位領域内の不変データの双方を記憶する消去ブロッ
クバッファとを用いて前記メモリ内のデータの書き換え
を行なうデータ記憶方法であって、前記メモリの第１の
消去単位領域に第１の書き込みデータを書き込むことを
要求する第１の書き込み要求に対し、前記第１の書き込
みデータを前記消去ブロックバッファに書き込む第１の
消去ブロックバッファ書き込みステップと、前記メモリ
の第１の消去単位領域に第１の書き込みデータを書き込
むことを要求する第１の書き込み要求に対し、前記第１
の消去単位領域内の不変データを前記消去ブロックバッ
ファに書き込む第２の消去ブロックバッファ書き込みス
テップと、前記第２の消去ブロックバッファ書き込みス
テップの後、前記第１の消去単位領域のデータを消去す
る消去ステップと、前記メモリに第２の書き込みデータ
を書き込むことを要求する第２の書き込み要求を受けた
後に、前記消去ブロックバッファに記憶されたデータを
前記消去ステップにおいて消去された前記第１の消去単
位領域に書き込むメモリ書き込みステップとを有するた
め、メモリ書き込みステップの際に消去ステップを実行
する必要が無いため、メモリ書き込みステップの処理時
間を短縮することができる。

【０２７８】また、前記消去ステップの後、第１の書き
込みデータの書き込み先である消去単位領域と前記第２
の書き込みデータの書き込み先である消去単位領域とを
比較する比較ステップとを有し、 前記比較ステップの
比較結果が異なる場合に、前記メモリ書き込みステップ
を実行するため、メモリ書き込みステップの処理時間を
短縮することができる。

【０２７９】この発明におけるデータ記憶方法は、あら
かじめ定められた消去単位での消去および書き込みがな
される複数の消去単位領域を有するメモリと、前記消去
単位領域に書き込む書き込みデータおよび前記消去単位
領域内の不変データの双方を記憶する消去ブロックバッ
ファと、不変データを記憶することなく書き込みデータ
を記憶する書き込みバッファとを用いて前記メモリ内の
データの書き換えを行なうデータ記憶方法であって、前
記メモリの第１の消去単位領域に第１の書き込みデータ
を書き込むことを要求する第１の書き込み要求に対し、
前記第１の書き込みデータ及び前記第１の消去単位領域
内の不変データとを前記消去ブロックバッファに書き込
む消去ブロックバッファ書き込みステップと、前記消去
ブロックバッファ書き込みステップの後、前記メモリの
第２の消去単位領域に第２の書き込みデータを書き込む
ことを要求する第２の書き込み要求に対して、前記第２
の書き込みデータを前記書き込みバッファに書き込む第
１の書き込みバッファ書き込みステップと、前記第１の
書き込みバッファ書き込みステップの後、前記メモリの
消去単位領域に第３の書き込みデータを書き込むことを
要求する第３の書き込み要求に対して、前記第３の書き
込みデータを前記書き込みバッファに書き込む第２の書
き込みバッファ書き込みステップとを有するため、第
２、第３の書き込み要求に対する消去ブロックバッファ
を設ける場合に比較し、バッファの有効利用を図ること
ができる。

【０２８０】また、前記第２の書き込みデータの書き込
み先である前記メモリ内の位置を規定する書き込み要求
領域と、前記第３の書き込みデータの書き込み先である
前記メモリ内の位置を規定する書き込み要求領域とを比
較する比較ステップとを有し、前記第２の書き込みバッ
ファ書き込みステップは、前記第３の書き込みデータの
書き込み要求領域が前記第２の書き込みデータの書き込
み要求領域に含まれる場合に、前記第２の書き込みデー
タが書き込まれた前記書き込みバッファの領域に前記第
３の書き込みデータを上書きするため、メモリへの書き
込み回数を少なくすることができ、メモリの劣化を低減
することが可能となる。

【０２８１】この発明におけるデータ記憶方法は、あら
かじめ定められた消去単位でデータの消去および書き込
みがなされる複数の消去単位領域を有するメモリと、前
記消去単位領域に書き込む書き込みデータおよび前記消
去単位領域内の不変データの双方を記憶する消去ブロッ
クバッファと、不変データを記憶することなく書き込み
データを記憶する書き込みバッファとを用いて前記メモ
リ内のデータの書き換えを行なうデータ記憶方法であっ
て、前記メモリの第１の消去単位領域に第１の書き込み
データを書き込むことを要求する第１の書き込み要求に
対し、前記第１の書き込みデータ及び前記第１の消去単
位領域内の不変データとを前記消去ブロックバッファに
書き込む第１の消去ブロックバッファ書き込みステップ
と、前記メモリの第２の消去単位領域に第２の書き込み
データを書き込むことを要求する第２の書き込み要求に
対して、前記第１の消去ブロックバッファ書き込みステ
ップの後、前記第２の書き込みデータを前記書き込みバ
ッファに記憶する第１の書き込みバッファ書き込みステ
ップと、前記メモリの消去単位領域に第３の書き込みデ
ータを書き込むことを要求する第３の書き込み要求が発
生した場合に、前記第１の書き込みバッファ書き込みス
テップの後、前記消去ブロックバッファに書き込まれた
前記第１の書き込みデータ及び前記不変データとを前記
第１の消去単位領域に書き込むメモリ書き込みステップ
と、前記メモリ書き込みステップの後、前記第２の書き
込みデータ、前記第３の書き込みデータ、及び前記第２
の消去単位領域内の不変データを前記消去ブロックバッ
ファに書き込む第２の消去ブロックバッファ書き込みス
テップとを有するため、複数の書き込みデータおよび不
変データをブロックバッファ書き込みステップにまとめ
てメモリへの書き込み回数を低減することができ、メモ
リの劣化を低減することができる。

【０２８２】また、前記第１の書き込みバッファ書き込
みステップの後、前記第２の書き込みデータの書き込み
先である消去単位領域と、前記第３の書き込みデータの
書き込み先である消去単位領域とを比較する比較ステッ
プとを有し、前記比較ステップの比較結果が、前記第３
の書き込みデータの書き込み先である消去単位領域が前
記第２の書き込みデータの書き込み先である消去単位領
域と同じ場合に、前記メモリ書き込みステップ及び前記
第２の消去ブロックバッファ書き込みステップとを実行
するため、消去単位領域の同じ複数の書き込みデータの
書き込みを一括して行なうことが可能となり、メモリへ
の書き込み回数を低減することができる。

【０２８３】この発明における情報処理装置は、あらか
じめ定められた消去単位でデータの消去および書き込み
がなされる複数の消去単位領域を有するメモリと、前記
消去単位領域に記憶されたデータを前記消去単位で消去
する消去手段とを有し、前記消去単位領域に記憶された
データを第１の書き込みデータに書き換える情報処理装
置において、任意のデータ単位でデータの書き込みが可
能な不揮発性の消去ブロックバッファと、前記消去ブロ
ックバッファに前記第１の書き込みデータを書き込む書
き込みデータ書き込み手段と、前記メモリの消去単位領
域に記憶されたデータの内、前記第１の書き込みデータ
による書き換えが行われない不変データを前記消去ブロ
ックバッファに書き込む待避手段と、前記消去ブロック
バッファに書き込まれた前記第１の書き込みデータおよ
び前記不変データを前記消去手段によって消去された前
記消去単位領域に書き込むメモリ書き込み手段とを有す
るため、メモリ内の不変データを消去後、メモリ内に第
１の書き込みデータを書き込む前に電源断等の不備が生
じた場合にも、不変データおよび第１の書き込みデータ
が失われることなく、メモリ内のデータの書き換えの信
頼性が向上する。

【０２８４】この発明における情報処理装置は、あらか
じめ定められた消去単位でデータの消去および書き込み
がなされる複数の消去単位領域を有するメモリと、前記
消去単位領域に書き込む書き込みデータおよび前記消去
単位領域内の不変データの双方を記憶する消去ブロック
バッファとを用いて前記メモリ内のデータの書き換えを
行なう情報処理装置であって、前記メモリの第１の消去
単位領域に第１の書き込みデータを書き込むことを要求
する第１の書き込み要求に対し、前記第１の書き込みデ
ータを前記消去ブロックバッファに書き込む書き込みデ
ータ書き込み手段と、前記メモリの第１の消去単位領域
に第１の書き込みデータを書き込むことを要求する第１
の書き込み要求に対し、前記第１の消去単位領域内の不
変データを前記消去ブロックバッファに書き込む待避手
段と、前記消去ブロックバッファに書き込まれたデータ
を前記第１の消去単位領域に書き込むメモリ書き込み手
段とを有し、前記消去ブロックバッファは、前記第１の
書き込み要求後に発生する第２の書き込み要求まで前記
第１の書き込みデータ及び前記第１の消去単位領域内の
不変データを保持し、前記第２の書き込み要求が前記第
１の消去単位領域に第２の書き込みデータを書き込むこ
とを要求する場合に、前記書き込みデータ書き込み手段
は前記第２の書き込みデータを前記消去ブロックバッフ
ァに書き込み、前記メモリ書き込み手段は前記第２の書
き込みデータが書き込まれた前記消去ブロックバッファ
内のデータを前記第１の消去単位領域に書き込むため、
複数の書き込み要求が生じても第１の消去単位領域に書
き込む処理を一括して行なうことができ、メモリの劣化
を低減することができる。

【０２８５】この発明における情報処理装置は、あらか
じめ定められた消去単位での消去および書き込みがなさ
れる複数の消去単位領域を有するメモリと、前記消去単
位領域に書き込む書き込みデータおよび前記消去単位領
域内の不変データの双方を記憶する消去ブロックバッフ
ァと、不変データを記憶することなく書き込みデータを
記憶する書き込みバッファとを用いて前記メモリ内のデ
ータの書き換えを行なう情報処理装置であって、前記メ
モリの第１の消去単位領域に第１の書き込みデータを書
き込むことを要求する第１の書き込み要求に対し、前記
第１の書き込みデータを前記消去ブロックバッファに書
き込む書き込みデータ書き込み手段と、前記メモリの第
１の消去単位領域に第１の書き込みデータを書き込むこ
とを要求する第１の書き込み要求に対し、前記第１の消
去単位領域内の不変データを前記消去ブロックバッファ
に書き込む待避手段と、前記メモリの第２の消去単位領
域に第２の書き込みデータを書き込むことを要求する第
２の書き込み要求に対して、前記第２の書き込みデータ
を前記書き込みバッファに書き込む書き込みバッファ書
き込み手段とを有し、前記書き込みバッファは、前記第
２の書き込み要求後に発生する第３の書き込み要求まで
前記第２の書き込みデータを保持し、前記第３の書き込
み要求が前記第２の書き込みデータの書き込み要求領域
内に第３のデータを書き込むことを要求する場合に、前
記書き込みバッファ書き込み手段は、前記第３の書き込
みデータを前記書き込みバッファに書き込むため、第
２、第３の書き込み要求に対する消去ブロックバッファ
を設ける場合に比較し、バッファの有効利用を図ること
ができる。

【０２８６】この発明における情報処理装置は、あらか
じめ定められた消去単位でデータの消去および書き込み
がなされる複数の消去単位領域を有する第１のメモリ
と、前記消去単位領域に記憶されたデータを前記消去単
位で消去する消去手段とを有し、前記消去単位領域に記
憶されたデータを第１の書き込みデータに書き換える情
報処理装置において、消去ブロックバッファ、消去単位
番号保持領域および消去単位番号確認領域とを備え、任
意のデータ単位でデータの書き込みが可能な不揮発性の
第２のメモリと、前記消去単位領域に記憶されたデータ
の内、前記第１の書き込みデータによる書き換えが行わ
れない不変データを前記消去ブロックバッファに書き込
む待避手段と、前記第１の書き込みデータを書き込むべ
き消去単位領域を特定する情報を前記消去単位番号保持
領域に書き込み、前記第１の書き込みデータを前記消去
ブロックバッファに書き込み、前記第１の書き込みデー
タおよび前記不変データの書き込み完了後に、前記消去
単位番号保持領域に書き込んだ情報に対応する情報を前
記消去単位番号確認領域に書き込む書き込み制御手段
と、前記消去ブロックバッファに書き込まれた前記第１
の書き込みデータおよび前記不変データを前記消去単位
領域に書き込むメモリ書き込み手段と、前記情報処理装
置の復旧時に、前記消去単位番号保持領域と前記消去単
位番号確認領域の情報に基づいて復旧処理を行う復旧手
段とを有するため、復旧手段は第１の書き込みデータの
書き換え処理のどの段階で処理が中断したかを認識する
ことができ、適切な復旧処理が可能となる。

【０２８７】また、前記第２のメモリは、前記消去ブロ
ックバッファ内のデータを処理することで得られるデー
タチェック値が書き込まれる消去ブロックバッファ確認
領域を有し、前記書き込み制御手段は、前記データチェ
ック値を前記消去ブロックバッファ確認領域に書き込
み、前記復旧手段は、前記消去単位番号保持領域の値、
前記消去単位番号確認領域の値および前記消去ブロック
バッファ確認領域のデータチェック値に基づいて復旧処
理を行うため、消去ブロックバッファ内のデータが正常
なデータであるかを検出することができ、適切な復旧処
理を行うことができる。

【０２８８】この発明における情報処理装置は、あらか
じめ定められた消去単位でデータの消去および書き込み
がなされる複数の消去単位領域を有する第１のメモリ
と、前記消去単位領域に記憶されたデータを前記消去単
位で消去する消去手段とを有し、前記消去単位領域に記
憶されたデータを第１の書き込みデータに書き換える情
報処理装置において、消去ブロックバッファおよび書き
込み禁止フラグ領域を備えた任意のデータ単位でデータ
の書き込みが可能な不揮発性の第２のメモリと、前記第
１のメモリの第１の消去単位領域に前記第１の書き込み
データを書き込むことを要求する第１の書き込み要求に
対し、前記書き込み禁止フラグ領域の値が書き込み許可
状態になっている場合に、前記第１の書き込みデータを
前記消去ブロックバッファに書き込む書き込み制御手段
と、前記第１の書き込み要求に対し、前記書き込み禁止
フラグ領域の値が書き込み許可状態になっている場合
に、前記第１の消去単位領域内の不変データを前記消去
ブロックバッファに書き込む待避手段と、前記書き込み
禁止フラグ領域の値が書き込み許可状態になっている場
合に、前記消去ブロックバッファの内容を第１のメモリ
に書き込むメモリ書き込み手段とを備えたため、消去ブ
ロックバッファへのデータの書き込みを抑制することが
できる。

【０２８９】また、前記消去ブロックバッファは、前記
第１の書き込みデータの書き込み要求後に発生する第２
の書き込み要求まで前記第１の書き込みデータおよび前
記第１の消去単位領域内の不変データを保持し、前記第
２の書き込み要求が前記第１の消去単位領域に第２の書
き込みデータを書き込むことを要求する場合に、前記書
き込み制御手段は前記第２の書き込みデータを前記消去
ブロックバッファに書き込み、前記メモリ書き込み手段
は前記第２の書き込みデータが書き込まれた前記消去ブ
ロックバッファ内のデータを前記第１の消去単位領域に
書き込むため、複数の書き込み要求が生じても第１の消
去単位領域に書き込む処理を一括して行うことができ、
第１のメモリの劣化を低減することができる。

【０２９０】前記書き込み制御手段は、前記第１のメモ
リの消去単位領域への前記消去ブロックバッファ内のデ
ータの書き込みが完了した後、前記消去単位番号保持領
域および前記消去単位番号確認領域のデータを消去する
ため、復旧手段は前記消去単位番号保持領域および前記
消去単位番号確認領域のデータの有無により、前記第１
のメモリの消去単位領域への前記消去ブロックバッファ
内のデータの書き込みが完了したか否かを認識すること
ができる。

【０２９１】また、前記復旧手段は、前記消去単位番号
保持領域の値と前記消去単位番号確認領域の値とが同一
の場合に、前記消去ブロックバッファに書き込まれた前
記第１の書き込みデータおよび前記不変データを前記消
去手段によって消去された前記第１のメモリの消去単位
領域に書き込むよう前記メモリ書き込み手段に対して指
示するため、消去ブロックバッファに記憶されたデータ
を第１のメモリに記憶させることができ、データ破壊を
防止することができる。

【０２９２】さらに、前記復旧手段は、前記消去単位番
号保持領域の値と前記消去単位番号確認領域の値とが同
一でない場合に、前記消去単位番号保持領域の値と前記
消去単位番号確認領域の値を消去するため、復旧後も前
記消去単位番号保持領域と前記消去単位番号確認領域を
利用することができる。

【０２９３】さらにまた、前記第２のメモリは、前記消
去ブロックバッファ内の領域を分割して管理し、当該分
割領域内のデータを処理することで得られるデータチェ
ック値が格納される消去ブロックバッファ管理領域を有
し、前記書き込み制御手段は前記データチェック値を前
記消去ブロックバッファ確認領域に書き込み、前記復旧
手段は、前記消去単位番号保持領域の値、前記消去単位
番号確認領域の値および前記データチェック値に基づい
て復旧処理を行うため、消去ブロックバッファ内のデー
タが正しいか否かを細かい領域ごとに認識することがで
きる。

【０２９４】また、前記書き込み制御手段は、前記第２
の書き込みデータの書き込み要求領域が前記消去ブロッ
クバッファ管理領域に管理されている前記分割領域と同
一の場合に、前記データチェック値を書き換えるため、
消去ブロックバッファに記憶されているデータ全体のデ
ータチェック値を書き換える必要がない。

【０２９５】さらに、読み込み要求されたデータが前記
消去ブロックバッファに記憶されている場合に、前記消
去ブロックバッファからデータを読み込む読み込み手段
を備え、当該読み込み手段は、前記消去ブロックバッフ
ァ管理領域に記憶されている前記データチェック値に基
づいて前記消去ブロックバッファ内のデータが正しいと
判断した場合に、前記消去ブロックバッファからデータ
を読み込むため、正常でないデータの読み出しを未然に
防止することができる。

【０２９６】さらにまた、読み込み要求されたデータが
前記消去ブロックバッファに書き込まれている場合に、
前記消去ブロックバッファからデータを読み込む読み込
み手段を備え、当該読み込み手段は、前記消去ブロック
バッファ管理領域に記憶されている前記データチェック
値に基づいて前記消去ブロックバッファ内のデータが正
しくないと判断した場合には、前記第１のメモリからデ
ータを読み込むため、第１のメモリのデータを用いて情
報処理装置の動作を継続することができる。

【０２９７】あらかじめ定められた消去単位でデータの
消去および書き込みがなされる複数の消去単位領域を有
する第１のメモリと、前記消去単位領域に記憶されたデ
ータを前記消去単位で消去する消去手段とを有する情報
処理装置において、前記消去単位領域に書き込む書き込
みデータおよび前記消去単位領域内の不変データの双方
を記憶する消去ブロックバッファ、不変データを記憶す
ることなく書き込みデータを記憶する書き込みバッフ
ァ、前記消去ブロックバッファに記憶されるデータを処
理することにより得られる第１データチェック値の保持
領域、前記書き込みバッファに書き込まれたデータを処
理することにより得られる第２データチェック値の保持
領域を備え、任意のデータ単位でデータの書き込みが可
能な不揮発性の第２のメモリと、第１の消去単位領域に
第１の書き込みデータを書き込むことを要求する第１の
書き込み要求に対して当該第１の書き込みデータを前記
消去ブロックバッファに書き込み、第２の消去単位領域
に第２の書き込みデータを書き込むことを要求する第２
の書き込み要求に対して当該第２の書き込みデータを前
記書き込みバッファに書き込み、前記第１のデータチェ
ック値および前記第２のデータチェック値を前記第２の
メモリに書き込む書き込み制御手段と、前記第１の書き
込み要求に対し、前記第１の消去単位領域内の不変デー
タを前記消去ブロックバッファに書き込む待避手段と、
前記消去ブロックバッファに書き込まれた前記第１の書
き込みデータおよび前記不変データを前記消去手段によ
って消去された前記第１の消去単位領域に書き込むメモ
リ書き込み手段と、前記情報処理装置の復旧時に、前記
第２のメモリに書き込まれた前記第１のデータチェック
値および前記第２のデータチェック値に基づいて復旧処
理を行うため、前記消去ブロックバッファおよび前記書
き込みバッファに書き込まれたデータの正否を認識した
上で適切な復旧処理を行うことができる。

【０２９８】また、前記復旧手段は、前記第１のデータ
チェック値に基づいて前記消去ブロックバッファに記憶
されたデータが正しいと判断した場合に、前記消去ブロ
ックバッファに記憶されたデータを前記第１の消去単位
領域に書き込むことを前記メモリ書き込み手段に指示
し、前記第２のデータチェック値に基づいて前記書き込
みバッファに記憶されたデータが正しいと判断した場合
に、前記書き込みバッファに記憶された前記第２の書き
込みデータを前記消去ブロックバッファに書き込むこと
を前記書き込み制御手段に指示し、前記第２の消去単位
領域の不変データを前記消去ブロックバッファに書き込
むことを前記待避手段に指示するため、消去ブロックバ
ッファおよび書き込みバッファに書き込まれたデータの
破壊を防止することができる。

【０２９９】さらに、消去単位番号保持領域を備え、前
記第２のメモリよりもデータの読み出しが高速な第３の
メモリを有し、前記書き込み制御手段は、前記消去単位
領域を特定する情報を前記第２のメモリの消去単位番号
保持領域と前記第３のメモリの消去単位番号保持領域双
方に書き込むようにし、前記消去単位領域を特定する情
報を参照する際には、前記第３のメモリの消去単位番号
保持領域からデータを読み出すため、復旧作業を高速化
させることができる。

【０３００】あらかじめ定められた消去単位でデータの
消去および書き込みがなされる複数の消去単位領域を有
する第１のメモリと、前記消去単位領域に記憶されたデ
ータを前記消去単位で消去する消去手段とを有し前記消
去単位領域に記憶されたデータを第１の書き込みデータ
に書き換える情報処理装置において、前記第１の書き込
みデータおよび前記消去単位領域内の不変データの双方
を記憶する消去ブロックバッファと、不変データを記憶
することなく書き込みデータを記憶する書き込みバッフ
ァとを備え、任意のデータ単位でデータの書き込みが可
能な不揮発性の第２のメモリと、第１の消去単位領域に
第１の書き込みデータを書き込むことを要求する第１の
書き込み要求に対し、前記第１の書き込みデータを前記
消去ブロックバッファに書き込む消去ブロックバッファ
書き込み手段と、前記第１の書き込み要求に対し、前記
第１の消去単位領域内の不変データを前記消去ブロック
バッファに書き込む待避手段と、前記第１の書き込み要
求以外の複数の書き込み要求に対し、当該複数の書き込
みデータを前記書き込みバッファに書き込む書き込みバ
ッファ書き込み手段と、前記消去ブロックバッファ書き
込み手段に書き込まれた前記第１の書き込みデータおよ
び前記不変データを前記第１の消去単位領域に書き込む
メモリ書き込み手段と、前記書き込みバッファ内の複数
の書き込みデータについて、書き込み要求がされた消去
単位領域ごとにそのデータ量を計算し、この計算結果に
基づいて同一の消去単位領域に書き込む書き込みデータ
すべてを前記消去ブロックバッファに移動させるデータ
移動手段とを有し、前記待避手段は前記消去ブロックバ
ッファに移動された書き込みデータに対応する消去単位
領域内の不変データを前記消去ブロックバッファに書き
込むため、書き込みバッファの空き領域を効率良く増や
すことができる。

【０３０１】また、前記データ移動手段は、前記書き込
みバッファ内の書き込みデータの内、同一の消去単位領
域に書き込み要求がなされた書き込みデータのデータ量
が所定量よりも少なく、当該書き込みデータの数が所定
数よりも多い場合に、当該書き込みデータすべてを前記
消去ブロックバッファに移動させるため、第１のメモリ
への書き込み回数を低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施の形態１の情報処理装置の構成図であ
る。

【図２】 実施の形態１のシステムの概略を示す構成図
である。

【図３】 実施の形態１における情報処理装置がフラッ
シュメモリ上のデータを書き換える動作を示すフローチ
ャートである。

【図４】 実施の形態２の情報処理装置の構成図であ
る。

【図５】 実施の形態２における情報処理装置がフラッ
シュメモリ上のデータを書き換える動作を示すフローチ
ャートである。

【図６】 実施の形態２における情報処理装置がメモリ
からデータを読み出す動作を示すフローチャートであ
る。

【図７】 実施の形態３における情報処理装置がフラッ
シュメモリ上のデータを書き換える動作を示すフローチ
ャートである。

【図８】 実施の形態４における情報処理装置の構成図
である。

【図９】 書き込みバッファ管理領域に記録されている
データの内容を示す図である。

【図１０】 実施の形態４における情報処理装置がフラ
ッシュメモリ上のデータを書き換える動作を示すフロー
チャートである。

【図１１】 実施の形態４における情報処理装置がメモ
リからデータを読み出す動作を示すフローチャートであ
る。

【図１２】 実施の形態５における情報処理装置の構成
図である。

【図１３】 実施の形態５における情報処理装置がフラ
ッシュメモリ上のデータを書き換える動作を示すフロー
チャートである。

【図１４】 バッファデータ移動処理Ｓ５１５、Ｓ６２
０の動作を示すフローチャートである。

【図１５】 書き込みバッファの領域を使用する使用頻
度の情報の一例である。

【図１６】 実施の形態６における情報処理装置がフラ
ッシュメモリ上のデータを書き換える動作を示すフロー
チャートである。

【図１７】 バッファデータ移動処理Ｓ６１２の動作を
示すフローチャートである。

【図１８】 従来の回路の概略を示す構成図である。

【図１９】 実施の形態７における情報処理装置の構成
図である。

【図２０】 実施の形態７における情報処理装置がフラ
ッシュメモリ上のデータを書き換える動作を示すフロー
チャートである。

【図２１】 復旧手段６１１の動作を示すフローチャー
トである。

【図２２】 実施の形態８における情報処理装置の構成
図である。

【図２３】 実施の形態８における情報処理装置がフラ
ッシュメモリ上のデータを書き換える動作を示すフロー
チャートである。

【図２４】 復旧手段６１１の動作を示すフローチャー
トである。

【図２５】 実施の形態９における情報処理装置の構成
図である。

【図２６】 実施の形態９における情報処理装置がフラ
ッシュメモリ上のデータを書き換える動作を示すフロー
チャートである。

【図２７】 書き込み許可指示手段６１２の動作を示す
フローチャートである。

【図２８】 書き込み禁止指示手段６１３の動作を示す
フローチャートである。

【図２９】 実施の形態１０における情報処理装置の構
成図である。

【図３０】 実施の形態１０における情報処理装置がフ
ラッシュメモリ上のデータを書き換える動作を示すフロ
ーチャートである。

【図３１】 復旧手段６１１の動作を示すフローチャー
トである。

【図３２】 実施の形態１１における情報処理装置の復
旧手段６１１の動作を示すフローチャートである。

【図３３】 実施の形態１２における情報処理装置の構
成図である。

【図３４】 消去ブロックバッファ管理領域６０４の構
造図である。

【図３５】 実施の形態１２における情報処理装置がフ
ラッシュメモリ上のデータを書き換える動作を示すフロ
ーチャートである。

【図３６】 待避手段１１２の動作を示すフローチャー
トである。

【図３７】 消去ブロックバッファ書き込み手段６１４
の動作を示すフローチャートである。

【図３８】 復旧手段６１１の動作を示すフローチャー
トである。

【図３９】 実施の形態１３における消去ブロックバッ
ファ管理領域６０４の構造図である。

【図４０】 消去ブロックバッファ書き込み手段６１４
の動作を示すフローチャートである。

【図４１】 消去ブロックバッファ管理領域６０４のデ
ータ操作の例を示す図である。

【図４２】 復旧手段６１１の動作を示すフローチャー
トである。

【図４３】 実施の形態１４における情報処理装置のデ
ータ読み出し時の動作を示すフローチャートである。

【図４４】 実施の形態１５における情報処理装置のデ
ータ読み出し時の動作を示すフローチャートである。

【図４５】 実施の形態１６における情報処理装置の構
成図である。

【図４６】 バッファ管理領域６０５に記録されるデー
タの内容を示す図である。

【図４７】 実施の形態１６における情報処理装置がフ
ラッシュメモリ上のデータを書き換える動作を示すフロ
ーチャートである。

【図４８】 実施の形態１６における情報処理装置のデ
ータ読み出し時の動作を示すフローチャートである。

【図４９】 復旧手段６１１の動作を示すフローチャー
トである。

【図５０】 実施の形態１７における復旧手段６１１の
動作を示すフローチャートである。

【図５１】 実施の形態１８における情報処理装置の構
成図である。

【図５２】 実施の形態１８における情報処理装置がフ
ラッシュメモリ上のデータを書き換える動作を示すフロ
ーチャートである。

【図５３】 実施の形態１８における情報処理装置のデ
ータ読み出し時の動作を示すフローチャートである。

【図５４】 ＤＲＡＭ１５２へのデータの書き込み動作
を示すフローチャートである。

【図５５】 実施の形態１９における情報処理装置がフ
ラッシュメモリ上のデータを書き換える動作を示すフロ
ーチャートである。

【図５６】 バッファデータ移動処理の動作を示すフロ
ーチャートである。

【図５７】 実施の形態２０におけるバッファデータ移
動処理の動作を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１０１ フラッシュメモリ、１０２ 不揮発性メモリ、
１０３ 消去ブロックバッファ、１１１ 書き込み制御
手段、１１２ 待避手段、１８５ ＤＲＡＭ、２０１
読み出し手段、２０２ 消去単位番号保持領域、３０１
消去命令手段、３０２ 書き込み手段、４０２ 書き
込みバッファ、４０３ 書き込みバッファ管理領域、５
０１ バッファ移動手段、６０１ 消去単位番号確認領
域、６０２ 消去ブロックバッファ確認領域、６０３
書き込み禁止フラグ領域、６０４消去ブロックバッファ
管理領域、６０５ バッファ管理領域、６１１ 復旧手
段、６１４ 消去ブロックバッファ書き込み手段。

フロントページの続き (72)発明者 古林 三郎 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5B018 GA04 HA23 KA03 LA02 NA06 QA15 5B025 AD04 AD05 AD08 AE08

Claims (28)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 あらかじめ定められた消去単位でデータ
   の消去および書き込みがなされる複数の消去単位領域を
   有するメモリと、前記消去単位領域に書き込む書き込み
   データおよび前記消去単位領域内の不変データの双方を
   記憶する不揮発性の消去ブロックバッファとを用いて前
   記メモリ内のデータの書き換えを行なうデータ記憶方法
   であって、 前記メモリの第１の消去単位領域に第１の書き込みデー
   タを書き込むことを要求する第１の書き込み要求に対
   し、前記第１の書き込みデータを前記消去ブロックバッ
   ファに書き込む第１の消去ブロックバッファ書き込みス
   テップと、 前記メモリの第１の消去単位領域に第１の書き込みデー
   タを書き込むことを要求する第１の書き込み要求に対
   し、前記第１の消去単位領域内の不変データを前記消去
   ブロックバッファに書き込む第２の消去ブロックバッフ
   ァ書き込みステップと、 前記第２の消去ブロックバッファ書き込みステップの
   後、前記第１の消去単位領域のデータを消去する消去ス
   テップと、 前記第１の消去ブロックバッファ書き込みステップ及び
   前記消去ステップの後、前記消去ブロックバッファに記
   憶された前記第１の書き込みデータ及び前記不変データ
   を前記第１の消去単位領域に書き込むメモリ書き込みス
   テップとを有することを特徴とするデータ記憶方法。
2. 【請求項２】 あらかじめ定められた消去単位でデータ
   の消去および書き込みがなされる複数の消去単位領域を
   有するメモリと、前記消去単位領域に書き込む書き込み
   データおよび前記消去単位領域内の不変データの双方を
   記憶する不揮発性の消去ブロックバッファとを用いて前
   記メモリ内のデータの書き換えを行なうデータ記憶方法
   であって、 前記メモリの第１の消去単位領域に第１の書き込みデー
   タを書き込むことを要求する第１の書き込み要求に対
   し、前記第１の書き込みデータを前記消去ブロックバッ
   ファに書き込む第１の消去ブロックバッファ書き込みス
   テップと、 前記メモリの第１の消去単位領域に第１の書き込みデー
   タを書き込むことを要求する第１の書き込み要求に対
   し、前記第１の消去単位領域内の不変データを前記消去
   ブロックバッファに書き込む第２の消去ブロックバッフ
   ァ書き込みステップと、 前記第１の消去ブロックバッファ書き込みステップの
   後、前記メモリに第２の書き込みデータを書き込むこと
   を要求する第２の書き込み要求に対して、前記第２の書
   き込みデータを前記消去ブロックバッファに書き込む第
   ３の消去ブロックバッファ書き込みステップと、 前記第２の消去ブロックバッファ書き込みステップ及び
   前記第３の消去ブロックバッファ書き込みステップの
   後、前記消去ブロックバッファに書き込まれたデータを
   前記第１の消去単位領域に書き込むメモリ書き込みステ
   ップとを有することを特徴とするデータ記憶方法。
3. 【請求項３】 前記第１の消去ブロックバッファ書き込
   みステップの後、前記第１の書き込みデータの書き込み
   先である消去単位領域と前記第２の書き込みデータの書
   き込み先である消去単位領域とを比較する比較ステップ
   とを有し、 前記比較ステップにおける比較結果が同一の場合に、前
   記第３の消去ブロックバッファ書き込みステップおよび
   前記メモリ書き込みステップを実行することを特徴とす
   る請求項２記載のデータ記憶方法。
4. 【請求項４】 あらかじめ定められた消去単位でデータ
   の消去および書き込みがなされる複数の消去単位領域を
   有するメモリと、前記消去単位領域に書き込む書き込み
   データおよび前記消去単位領域内の不変データの双方を
   記憶する消去ブロックバッファとを用いて前記メモリ内
   のデータの書き換えを行なうデータ記憶方法であって、 前記メモリの第１の消去単位領域に第１の書き込みデー
   タを書き込むことを要求する第１の書き込み要求に対
   し、前記第１の書き込みデータを前記消去ブロックバッ
   ファに書き込む第１の消去ブロックバッファ書き込みス
   テップと、 前記メモリの第１の消去単位領域に第１の書き込みデー
   タを書き込むことを要求する第１の書き込み要求に対
   し、前記第１の消去単位領域内の不変データを前記消去
   ブロックバッファに書き込む第２の消去ブロックバッフ
   ァ書き込みステップと、 前記第２の消去ブロックバッファ書き込みステップの
   後、前記第１の消去単位領域のデータを消去する消去ス
   テップと、 前記メモリに第２の書き込みデータを書き込むことを要
   求する第２の書き込み要求を受けた後に、前記消去ブロ
   ックバッファに記憶されたデータを前記消去ステップに
   おいて消去された前記第１の消去単位領域に書き込むメ
   モリ書き込みステップとを有することを特徴とするデー
   タ記憶方法。
5. 【請求項５】 前記消去ステップの後、第１の書き込み
   データの書き込み先である消去単位領域と前記第２の書
   き込みデータの書き込み先である消去単位領域とを比較
   する比較ステップとを有し、 前記比較ステップの比較結果が異なる場合に、前記メモ
   リ書き込みステップを実行することを特徴とする請求項
   ４記載のデータ記憶方法。
6. 【請求項６】 あらかじめ定められた消去単位での消去
   および書き込みがなされる複数の消去単位領域を有する
   メモリと、前記消去単位領域に書き込む書き込みデータ
   および前記消去単位領域内の不変データの双方を記憶す
   る消去ブロックバッファと、不変データを記憶すること
   なく書き込みデータを記憶する書き込みバッファとを用
   いて前記メモリ内のデータの書き換えを行なうデータ記
   憶方法であって、 前記メモリの第１の消去単位領域に第１の書き込みデー
   タを書き込むことを要求する第１の書き込み要求に対
   し、前記第１の書き込みデータ及び前記第１の消去単位
   領域内の不変データとを前記消去ブロックバッファに書
   き込む消去ブロックバッファ書き込みステップと、 前記消去ブロックバッファ書き込みステップの後、前記
   メモリの第２の消去単位領域に第２の書き込みデータを
   書き込むことを要求する第２の書き込み要求に対して、
   前記第２の書き込みデータを前記書き込みバッファに書
   き込む第１の書き込みバッファ書き込みステップと、 前記第１の書き込みバッファ書き込みステップの後、前
   記メモリの消去単位領域に第３の書き込みデータを書き
   込むことを要求する第３の書き込み要求に対して、前記
   第３の書き込みデータを前記書き込みバッファに書き込
   む第２の書き込みバッファ書き込みステップとを有する
   ことを特徴とするデータ記憶方法。
7. 【請求項７】 前記第２の書き込みデータの書き込み先
   である前記メモリ内の位置を規定する書き込み要求領域
   と、前記第３の書き込みデータの書き込み先である前記
   メモリ内の位置を規定する書き込み要求領域とを比較す
   る比較ステップとを有し、 前記第２の書き込みバッファ書き込みステップは、前記
   第３の書き込みデータの書き込み要求領域が前記第２の
   書き込みデータの書き込み要求領域に含まれる場合に、
   前記第２の書き込みデータが書き込まれた前記書き込み
   バッファの領域に前記第３の書き込みデータを上書きす
   ることを特徴とする請求項６記載のデータ記憶方法。
8. 【請求項８】 あらかじめ定められた消去単位でデータ
   の消去および書き込みがなされる複数の消去単位領域を
   有するメモリと、前記消去単位領域に書き込む書き込み
   データおよび前記消去単位領域内の不変データの双方を
   記憶する消去ブロックバッファと、不変データを記憶す
   ることなく書き込みデータを記憶する書き込みバッファ
   とを用いて前記メモリ内のデータの書き換えを行なうデ
   ータ記憶方法であって、 前記メモリの第１の消去単位領域に第１の書き込みデー
   タを書き込むことを要求する第１の書き込み要求に対
   し、前記第１の書き込みデータ及び前記第１の消去単位
   領域内の不変データとを前記消去ブロックバッファに書
   き込む第１の消去ブロックバッファ書き込みステップ
   と、 前記メモリの第２の消去単位領域に第２の書き込みデー
   タを書き込むことを要求する第２の書き込み要求に対し
   て、前記第１の消去ブロックバッファ書き込みステップ
   の後、前記第２の書き込みデータを前記書き込みバッフ
   ァに記憶する第１の書き込みバッファ書き込みステップ
   と、 前記メモリの消去単位領域に第３の書き込みデータを書
   き込むことを要求する第３の書き込み要求が発生した場
   合に、前記第１の書き込みバッファ書き込みステップの
   後、前記消去ブロックバッファに書き込まれた前記第１
   の書き込みデータ及び前記不変データとを前記第１の消
   去単位領域に書き込むメモリ書き込みステップと、 前記メモリ書き込みステップの後、前記第２の書き込み
   データ、前記第３の書き込みデータ、及び前記第２の消
   去単位領域内の不変データを前記消去ブロックバッファ
   に書き込む第２の消去ブロックバッファ書き込みステッ
   プとを有することを特徴とするデータ記憶方法。
9. 【請求項９】 前記第１の書き込みバッファ書き込みス
   テップの後、前記第２の書き込みデータの書き込み先で
   ある消去単位領域と、前記第３の書き込みデータの書き
   込み先である消去単位領域とを比較する比較ステップと
   を有し、 前記比較ステップの比較結果が、前記第３の書き込みデ
   ータの書き込み先である消去単位領域が前記第２の書き
   込みデータの書き込み先である消去単位領域と異なる場
   合に、前記メモリ書き込みステップ及び前記第２の消去
   ブロックバッファ書き込みステップとを実行することを
   特徴とする請求項８記載のデータ記憶方法。
10. 【請求項１０】 あらかじめ定められた消去単位でデー
    タの消去および書き込みがなされる複数の消去単位領域
    を有するメモリと、前記消去単位領域に記憶されたデー
    タを前記消去単位で消去する消去手段とを有し、前記消
    去単位領域に記憶されたデータを第１の書き込みデータ
    に書き換える情報処理装置において、 任意のデータ単位でデータの書き込みが可能な不揮発性
    の消去ブロックバッファと、 前記消去ブロックバッファに前記第１の書き込みデータ
    を書き込む書き込みデータ書き込み手段と、 前記メモリの消去単位領域に記憶されたデータの内、前
    記第１の書き込みデータによる書き換えが行われない不
    変データを前記消去ブロックバッファに書き込む待避手
    段と、 前記消去ブロックバッファに書き込まれた前記第１の書
    き込みデータおよび前記不変データを前記消去手段によ
    って消去された前記消去単位領域に書き込むメモリ書き
    込み手段とを有することを特徴とする情報処理装置。
11. 【請求項１１】 あらかじめ定められた消去単位でデー
    タの消去および書き込みがなされる複数の消去単位領域
    を有するメモリと、前記消去単位領域に書き込む書き込
    みデータおよび前記消去単位領域内の不変データの双方
    を記憶する消去ブロックバッファとを用いて前記メモリ
    内のデータの書き換えを行なう情報処理装置であって、 前記メモリの第１の消去単位領域に第１の書き込みデー
    タを書き込むことを要求する第１の書き込み要求に対
    し、前記第１の書き込みデータを前記消去ブロックバッ
    ファに書き込む書き込みデータ書き込み手段と、 前記メモリの第１の消去単位領域に第１の書き込みデー
    タを書き込むことを要求する第１の書き込み要求に対
    し、前記第１の消去単位領域内の不変データを前記消去
    ブロックバッファに書き込む待避手段と、 前記消去ブロックバッファに書き込まれたデータを前記
    第１の消去単位領域に書き込むメモリ書き込み手段とを
    有し、 前記消去ブロックバッファは、前記第１の書き込み要求
    後に発生する第２の書き込み要求まで前記第１の書き込
    みデータ及び前記第１の消去単位領域内の不変データを
    保持し、 前記第２の書き込み要求が前記第１の消去単位領域に第
    ２の書き込みデータを書き込むことを要求する場合に、
    前記書き込みデータ書き込み手段は前記第２の書き込み
    データを前記消去ブロックバッファに書き込み、前記メ
    モリ書き込み手段は前記第２の書き込みデータが書き込
    まれた前記消去ブロックバッファ内のデータを前記第１
    の消去単位領域に書き込むことを特徴とする情報処理装
    置。
12. 【請求項１２】 あらかじめ定められた消去単位での消
    去および書き込みがなされる複数の消去単位領域を有す
    るメモリと、前記消去単位領域に書き込む書き込みデー
    タおよび前記消去単位領域内の不変データの双方を記憶
    する消去ブロックバッファと、不変データを記憶するこ
    となく書き込みデータを記憶する書き込みバッファとを
    用いて前記メモリ内のデータの書き換えを行なう情報処
    理装置であって、 前記メモリの第１の消去単位領域に第１の書き込みデー
    タを書き込むことを要求する第１の書き込み要求に対
    し、前記第１の書き込みデータを前記消去ブロックバッ
    ファに書き込む書き込みデータ書き込み手段と、 前記メモリの第１の消去単位領域に第１の書き込みデー
    タを書き込むことを要求する第１の書き込み要求に対
    し、前記第１の消去単位領域内の不変データを前記消去
    ブロックバッファに書き込む待避手段と、 前記メモリの第２の消去単位領域に第２の書き込みデー
    タを書き込むことを要求する第２の書き込み要求に対し
    て、前記第２の書き込みデータを前記書き込みバッファ
    に書き込む書き込みバッファ書き込み手段とを有し、 前記書き込みバッファは、前記第２の書き込み要求後に
    発生する第３の書き込み要求まで前記第２の書き込みデ
    ータを保持し、 前記第３の書き込み要求が前記第２の書き込みデータの
    書き込み要求領域内に第３のデータを書き込むことを要
    求する場合に、前記書き込みバッファ書き込み手段は、
    前記第３の書き込みデータを前記書き込みバッファに書
    き込むことを特徴とする情報処理装置。
13. 【請求項１３】 あらかじめ定められた消去単位でデー
    タの消去および書き込みがなされる複数の消去単位領域
    を有する第１のメモリと、前記消去単位領域に記憶され
    たデータを前記消去単位で消去する消去手段とを有し、
    前記消去単位領域に記憶されたデータを第１の書き込み
    データに書き換える情報処理装置において、消去ブロッ
    クバッファ、消去単位番号保持領域および消去単位番号
    確認領域とを備え、任意のデータ単位でデータの書き込
    みが可能な不揮発性の第２のメモリと、 前記消去単位領域に記憶されたデータの内、前記第１の
    書き込みデータによる書き換えが行われない不変データ
    を前記消去ブロックバッファに書き込む待避手段と、 前記第１の書き込みデータを書き込むべき消去単位領域
    を特定する情報を前記消去単位番号保持領域に書き込
    み、前記第１の書き込みデータを前記消去ブロックバッ
    ファに書き込み、前記第１の書き込みデータおよび前記
    不変データの書き込み完了後に、前記消去単位番号保持
    領域に書き込んだ情報に対応する情報を前記消去単位番
    号確認領域に書き込む書き込み制御手段と、 前記消去ブロックバッファに書き込まれた前記第１の書
    き込みデータおよび前記不変データを前記消去単位領域
    に書き込むメモリ書き込み手段と、 前記情報処理装置の復旧時に、前記消去単位番号保持領
    域と前記消去単位番号確認領域の情報に基づいて復旧処
    理を行う復旧手段とを有することを特徴とする情報処理
    装置。
14. 【請求項１４】 前記第２のメモリは、前記消去ブロッ
    クバッファ内のデータを処理することで得られるデータ
    チェック値が書き込まれる消去ブロックバッファ確認領
    域を有し、 前記書き込み制御手段は、前記データチェック値を前記
    消去ブロックバッファ確認領域に書き込み、 前記復旧手段は、前記消去単位番号保持領域の値、前記
    消去単位番号確認領域の値および前記消去ブロックバッ
    ファ確認領域のデータチェック値に基づいて復旧処理を
    行うことを特徴とする請求項１３記載の情報処理装置。
15. 【請求項１５】 あらかじめ定められた消去単位でデー
    タの消去および書き込みがなされる複数の消去単位領域
    を有する第１のメモリと、前記消去単位領域に記憶され
    たデータを前記消去単位で消去する消去手段とを有し、
    前記消去単位領域に記憶されたデータを第１の書き込み
    データに書き換える情報処理装置において、 消去ブロックバッファおよび書き込み禁止フラグ領域を
    備えた任意のデータ単位でデータの書き込みが可能な不
    揮発性の第２のメモリと、 前記第１のメモリの第１の消去単位領域に前記第１の書
    き込みデータを書き込むことを要求する第１の書き込み
    要求に対し、前記書き込み禁止フラグ領域の値が書き込
    み許可状態になっている場合に、前記第１の書き込みデ
    ータを前記消去ブロックバッファに書き込む書き込み制
    御手段と、 前記第１の書き込み要求に対し、前記書き込み禁止フラ
    グ領域の値が書き込み許可状態になっている場合に、前
    記第１の消去単位領域内の不変データを前記消去ブロッ
    クバッファに書き込む待避手段と、 前記書き込み禁止フラグ領域の値が書き込み許可状態に
    なっている場合に、前記消去ブロックバッファの内容を
    第１のメモリに書き込むメモリ書き込み手段とを備えた
    ことを特徴とする情報処理装置。
16. 【請求項１６】 前記消去ブロックバッファは、前記第
    １の書き込みデータの書き込み要求後に発生する第２の
    書き込み要求まで前記第１の書き込みデータおよび前記
    第１の消去単位領域内の不変データを保持し、 前記第２の書き込み要求が前記第１の消去単位領域に第
    ２の書き込みデータを書き込むことを要求する場合に、
    前記書き込み制御手段は前記第２の書き込みデータを前
    記消去ブロックバッファに書き込み、前記メモリ書き込
    み手段は前記第２の書き込みデータが書き込まれた前記
    消去ブロックバッファ内のデータを前記第１の消去単位
    領域に書き込むことを特徴とする請求項１３に記載の情
    報処理装置。
17. 【請求項１７】 前記書き込み制御手段は、前記第１の
    メモリの消去単位領域への前記消去ブロックバッファ内
    のデータの書き込みが完了した後、前記消去単位番号保
    持領域および前記消去単位番号確認領域のデータを消去
    することを特徴とする請求項１３または請求項１６記載
    の情報処理装置。
18. 【請求項１８】 前記復旧手段は、前記消去単位番号保
    持領域の値と前記消去単位番号確認領域の値とが同一の
    場合に、前記消去ブロックバッファに書き込まれた前記
    第１の書き込みデータおよび前記不変データを前記消去
    手段によって消去された前記第１のメモリの消去単位領
    域に書き込むよう前記メモリ書き込み手段に対して指示
    することを特徴とする請求項１３または請求項１６記載
    の情報処理装置。
19. 【請求項１９】 前記復旧手段は、前記消去単位番号保
    持領域の値と前記消去単位番号確認領域の値とが同一で
    ない場合に、前記消去単位番号保持領域の値と前記消去
    単位番号確認領域の値を消去することを特徴とする請求
    項１３または請求項１６に記載の情報処理装置。
20. 【請求項２０】 前記第２のメモリは、前記消去ブロッ
    クバッファ内の領域を分割して管理し、当該分割領域内
    のデータを処理することで得られるデータチェック値が
    格納される消去ブロックバッファ管理領域を有し、 前記書き込み制御手段は前記データチェック値を前記消
    去ブロックバッファ確認領域に書き込み、 前記復旧手段は、前記消去単位番号保持領域の値、前記
    消去単位番号確認領域の値および前記データチェック値
    に基づいて復旧処理を行うことを特徴とする請求項１６
    記載の情報処理装置。
21. 【請求項２１】 前記書き込み制御手段は、前記第２の
    書き込みデータの書き込み要求領域が前記消去ブロック
    バッファ管理領域に管理されている前記分割領域と同一
    の場合に、前記データチェック値を書き換えることを特
    徴とする請求項２０記載の情報処理装置。
22. 【請求項２２】 読み込み要求されたデータが前記消去
    ブロックバッファに記憶されている場合に、前記消去ブ
    ロックバッファからデータを読み込む読み込み手段を備
    え、 当該読み込み手段は、前記消去ブロックバッファ管理領
    域に記憶されている前記データチェック値に基づいて前
    記消去ブロックバッファ内のデータが正しいと判断した
    場合に、前記消去ブロックバッファからデータを読み込
    むことを特徴とする請求項２０記載の情報処理装置。
23. 【請求項２３】 読み込み要求されたデータが前記消去
    ブロックバッファに書き込まれている場合に、前記消去
    ブロックバッファからデータを読み込む読み込み手段を
    備え、 当該読み込み手段は、前記消去ブロックバッファ管理領
    域に記憶されている前記データチェック値に基づいて前
    記消去ブロックバッファ内のデータが正しくないと判断
    した場合には、前記第１のメモリからデータを読み込む
    ことを特徴とする請求項２０記載の情報処理装置。
24. 【請求項２４】 あらかじめ定められた消去単位でデー
    タの消去および書き込みがなされる複数の消去単位領域
    を有する第１のメモリと、前記消去単位領域に記憶され
    たデータを前記消去単位で消去する消去手段とを有する
    情報処理装置において、 前記消去単位領域に書き込む書き込みデータおよび前記
    消去単位領域内の不変データの双方を記憶する消去ブロ
    ックバッファ、不変データを記憶することなく書き込み
    データを記憶する書き込みバッファ、前記消去ブロック
    バッファに記憶されるデータを処理することにより得ら
    れる第１データチェック値の保持領域、前記書き込みバ
    ッファに書き込まれたデータを処理することにより得ら
    れる第２データチェック値の保持領域を備え、任意のデ
    ータ単位でデータの書き込みが可能な不揮発性の第２の
    メモリと、 第１の消去単位領域に第１の書き込みデータを書き込む
    ことを要求する第１の書き込み要求に対して当該第１の
    書き込みデータを前記消去ブロックバッファに書き込
    み、第２の消去単位領域に第２の書き込みデータを書き
    込むことを要求する第２の書き込み要求に対して当該第
    ２の書き込みデータを前記書き込みバッファに書き込
    み、前記第１のデータチェック値および前記第２のデー
    タチェック値を前記第２のメモリに書き込む書き込み制
    御手段と、 前記第１の書き込み要求に対し、前記第１の消去単位領
    域内の不変データを前記消去ブロックバッファに書き込
    む待避手段と、 前記消去ブロックバッファに書き込まれた前記第１の書
    き込みデータおよび前記不変データを前記消去手段によ
    って消去された前記第１の消去単位領域に書き込むメモ
    リ書き込み手段と、 前記情報処理装置の復旧時に、前記第２のメモリに書き
    込まれた前記第１のデータチェック値および前記第２の
    データチェック値に基づいて復旧処理を行うことを特徴
    とする復旧手段とを備えたことを特徴とする情報処理装
    置。
25. 【請求項２５】 前記復旧手段は、前記第１のデータチ
    ェック値に基づいて前記消去ブロックバッファに記憶さ
    れたデータが正しいと判断した場合に、前記消去ブロッ
    クバッファに記憶されたデータを前記第１の消去単位領
    域に書き込むことを前記メモリ書き込み手段に指示し、
    前記第２のデータチェック値に基づいて前記書き込みバ
    ッファに記憶されたデータが正しいと判断した場合に、
    前記書き込みバッファに記憶された前記第２の書き込み
    データを前記消去ブロックバッファに書き込むことを前
    記書き込み制御手段に指示し、前記第２の消去単位領域
    の不変データを前記消去ブロックバッファに書き込むこ
    とを前記待避手段に指示することを特徴とする請求項２
    ４記載の情報処理装置。
26. 【請求項２６】 消去単位番号保持領域を備え、前記第
    ２のメモリよりもデータの読み出しが高速な第３のメモ
    リを有し、 前記書き込み制御手段は、前記消去単位領域を特定する
    情報を前記第２のメモリの消去単位番号保持領域と前記
    第３のメモリの消去単位番号保持領域双方に書き込むよ
    うにし、 前記消去単位領域を特定する情報を参照する際には、前
    記第３のメモリの消去単位番号保持領域からデータを読
    み出すことを特徴とする請求項１３または請求項１６記
    載の情報処理装置。
27. 【請求項２７】 あらかじめ定められた消去単位でデー
    タの消去および書き込みがなされる複数の消去単位領域
    を有する第１のメモリと、前記消去単位領域に記憶され
    たデータを前記消去単位で消去する消去手段とを有し前
    記消去単位領域に記憶されたデータを第１の書き込みデ
    ータに書き換える情報処理装置において、 前記第１の書き込みデータおよび前記消去単位領域内の
    不変データの双方を記憶する消去ブロックバッファと、
    不変データを記憶することなく書き込みデータを記憶す
    る書き込みバッファとを備え、任意のデータ単位でデー
    タの書き込みが可能な不揮発性の第２のメモリと、 第１の消去単位領域に第１の書き込みデータを書き込む
    ことを要求する第１の書き込み要求に対し、前記第１の
    書き込みデータを前記消去ブロックバッファに書き込む
    消去ブロックバッファ書き込み手段と、 前記第１の書き込み要求に対し、前記第１の消去単位領
    域内の不変データを前記消去ブロックバッファに書き込
    む待避手段と、 前記第１の書き込み要求以外の複数の書き込み要求に対
    し、当該複数の書き込みデータを前記書き込みバッファ
    に書き込む書き込みバッファ書き込み手段と、前記消去
    ブロックバッファ書き込み手段に書き込まれた前記第１
    の書き込みデータおよび前記不変データを前記第１の消
    去単位領域に書き込むメモリ書き込み手段と、 前記書き込みバッファ内の複数の書き込みデータについ
    て、書き込み要求がされた消去単位領域ごとにそのデー
    タ量を計算し、この計算結果に基づいて同一の消去単位
    領域に書き込む書き込みデータすべてを前記消去ブロッ
    クバッファに移動させるデータ移動手段とを有し、 前記待避手段は前記消去ブロックバッファに移動された
    書き込みデータに対応する消去単位領域内の不変データ
    を前記消去ブロックバッファに書き込むことを特徴とす
    る情報処理装置。
28. 【請求項２８】 前記データ移動手段は、前記書き込み
    バッファ内の書き込みデータの内、同一の消去単位領域
    に書き込み要求がなされた書き込みデータのデータ量が
    所定量よりも少なく、当該書き込みデータの数が所定数
    よりも多い場合に、当該書き込みデータすべてを前記消
    去ブロックバッファに移動させることを特徴とする請求
    項２７記載の情報処理装置。