JP2000294197A

JP2000294197A - 発光デバイス

Info

Publication number: JP2000294197A
Application number: JP11097307A
Authority: JP
Inventors: Makoto Inohara; 誠猪野原; Nobuhiro Shimizu; 伸浩清水; Hideo Nishiyama; 英夫西山; Teruaki Shigeta; 照明重田; Tomizo Matsuoka; 富造松岡
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-04-05
Filing date: 1999-04-05
Publication date: 2000-10-20

Abstract

(57)【要約】【課題】発光デバイスの光出力を向上する。【解決手段】対峙する２枚のガラス基板１，２の各々
の面に電極３，４、透明誘電体層５，６、蛍光体層７，
８を形成し、且つ、一方のガラス基板側の電極が放電発
光出力を取り出せるように透明電極とした発光デバイス
において、放電発光出力を取り出すガラス基板１側の蛍
光体層７の蛍光体の散乱係数を０．０５〜０.２ｃｍ²／
ｍｇ、ガラス基板２側の蛍光体層８の散乱係数を、
（１）反射率が０．７以上の下地または電極がある場合
には０.１〜０．５ｃｍ²／ｍｇ（２）反射率の高い下地
や電極が無い場合には０．３〜０.６ｃｍ²／ｍｇとした
ことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、蛍光発光を利用し
た発光デバイスに関するもので、具体的には例えば一般
照明用ランプや液晶表示装置のようなディスプレイ用光
源として使用することを目的とした発光デバイスに関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、対峙する２枚のガラス基板に電
極、誘電体層、蛍光体層を設けた発光デバイスとして図
２に示すような構成のものがある。

【０００３】図２において、５１，５２はガラス基板、
５３、５４は電極、５５，５６は透明誘電体層、５７，
５８は蛍光体層である。５０は放電空間であり、この中
には放電のための物質、例えば水銀やキセノンなどの希
ガスが封入されている。電極５１と５２との間に電圧を
印加しガス放電させることによって発生する紫外線で蛍
光体層５７，５８の蛍光体を励起発光させ、この発光を
デバイスの外に取り出すものである。このような発光デ
バイスにおいて光取り出し効率を高くするためには、光
取り出し側に対向するガラス基板側の電極としてアルミ
蒸着膜電極を使用することにより放電空間５０の実効反
射率を高めることが行われている。

【０００４】さらに、蛍光体層５７の膜厚を薄くし光取
り出しのための透過率を高めたり、蛍光体層５８の膜厚
を厚くし放電空間５０の実効反射率を高めることにより
発光効率を高くすることが行われている。具体的には、
特開平８−１６２０６９号公報のように蛍光体層５７の
膜厚を５〜１０μ、蛍光体層５８の膜厚を２５〜４０μ
とすることにより、発光デバイスの光を取り出し、効率
を高めたものがある。

【０００５】また、蛍光体層の透過率を高めるために、
蛍光体の粒径を大きく、反射率を高くするには粒径を小
さくすることが有効であることが蛍光ランプやＣＲＴ用
蛍光体について知られている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２に
示す従来のデバイスにおいて、光出力を最大にするため
の蛍光体層５７と５８の膜厚は使用する蛍光体の粒径や
形状により異なる。一般に蛍光体の平均粒径が大きくな
ると光の散乱係数が小さくなるため、蛍光体の塗布量が
一定とすると、蛍光体の粒径が大きくなるほど蛍光体層
の透過率は増大する。しかし使用する蛍光体の平均粒径
が同一であったとしてもその蛍光体の形状により散乱係
数が異なり、最適膜厚条件も変わってくる。

【０００７】したがって図２に示すような構成の発光デ
バイスにおいて、発光効率を高めるためには、使用する
蛍光体の光散乱係数と膜厚と光出力との関係を明らかに
し、その結果をもとに効率の高い発光デバイスを開発、
実用化することが求められている。

【０００８】本発明は、前記課題を解決し、従来より高
い効率の発光デバイスを提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決する発光
デバイスを得るために、まず蛍光体の光散乱係数ｓと膜
厚ｔによって蛍光体層からの光出力がどのように変化す
るかを解析検討した。

【００１０】図３は、蛍光体層にある一定強度の紫外線
を照射したときに発生する蛍光発光のうちこの蛍光体層
を透過する透過出力Ｍｔおよび蛍光体を励起する紫外線
励起光源側への反射出力Ｍｒがどのようになるかを求め
た例である。図３から分かるように、透過出力Ｍｔを高
くするには、散乱係数が低い蛍光体を利用し、反射出力
Ｍｒを高くするには、散乱係数が高い蛍光体を利用する
ことが効果的である。

【００１１】本発明はこのようなデータを基本とし、さ
らにデバイスにおける相互反射効果を勘案し、光出力を
従来より向上させた発光デバイスとするための蛍光体条
件を求め、実用化したものである。

【００１２】第１の発明の発光デバイスは、対峙する２
枚のガラス基板の各々の面に電極、透明誘電体層、蛍光
体層を形成し、前記２枚のガラス基板の電極に電圧を印
加することによってガス放電により発生する紫外放射で
蛍光体層の蛍光体を励起発光させ、前記発行を取り出せ
るように前記２枚のガラス基板の一方の電極を透明電極
とした発光デバイスにおいて、前記放電発光出力を取り
出すガラス基板側の蛍光体層の蛍光体の散乱係数を０.
０５〜０．３ｃｍ²／ｍｇと低くし透過出力が高くなる
ようにするとともに、もう一方のガラス基板側の蛍光体
層の蛍光体の光散乱係数が０．３〜０.５ｃｍ²／ｍｇと
相対的に高くして反射効果を高め光出力を向上したこと
を特徴とする。

【００１３】第２の発明の発光デバイスは、対峙する２
枚のガラス基板の一方の面に少なくとも一対の透明電
極、誘電体層、蛍光体層を、もう一方のガラス基板に蛍
光体層を形成し、且つ、前記電極間に電圧を印加するこ
とによりガス放電により発生する紫外放射で蛍光体層の
蛍光体を励起発光させ、前記発光を電極装着側のガラス
基板から取り出すようにした発光デバイスにおいて、前
記透明電極を設けたガラス基板側の蛍光体層の蛍光体の
散乱係数を０.０５〜０．３ｃｍ²／ｍｇと低くし透過出
力が高くなるようにするとともに、もう一方のガラス基
板側の蛍光体層の蛍光体の散乱係数を０．３〜０.５ｃ
ｍ²／ｍｇと相対的に高くして反射効果を高め光出力を
向上したことを特徴とする。

【００１４】第３の発明の発光デバイスは、対峙する２
枚のガラス基板の一方の面に少なくとも一対の透明電
極、誘電体層、蛍光体層を、もう一方のガラス基板に蛍
光体層と反射率が０．７以上の下地を形成し、且つ、前
記電極間に電圧を印加することによってガス放電により
発生する紫外放射で蛍光体層の蛍光体を励起発光させ、
前記発光を透明電極を装着したガラス基板から取り出す
ようにした発光デバイスにおいて、前記透明電極を設け
たガラス基板側の蛍光体層の蛍光体の散乱係数を０．０
５〜０.３ｃｍ²／ｍｇと低くし透過出力を高めるように
すると共に、蛍光体の下地のの反射効果によりもう一方
のガラス基板側の蛍光体の散乱係数を０．１〜０．５ｃ
ｍ²／ｍｇとしたことを特徴とする。

【００１５】第４の発明の発光デバイスは、対峙する２
枚のガラス基板の各々の面に電極、透明誘電体層、蛍光
体層を形成し、前記２枚のガラス基板の電極に電圧を印
加することによってガス放電により発生する紫外放射で
蛍光体層の蛍光体を励起発光させ、前記発光を取り出せ
るように２枚のガラス基板の一方の基板の電極を透明電
極とし、もう一方のガラス基板に装着する電極面積のガ
ラス基板面積に対する比率と前記電極の反射率の積が
０．７以上であるような発光デバイスにおいて、第３の
発明の発光デバイスの場合と同様な理由により、前記放
電発光出力を取り出すガラス基板側の蛍光体層の蛍光体
の散乱係数が０．０５〜０.２５ｃｍ²／ｍｇ、もう一方
のガラス基板側の蛍光体層の散乱係数が０．１〜０.５
ｃｍ²／ｍｇとしたことを特徴とする。

【００１６】また、上記構成において、少なくとも光出
力取り出し側の蛍光体層の蛍光体が球状蛍光体を利用し
非球状蛍光体よりも光取り出し効率を高めたことを特徴
とする。

【００１７】また、光出力取り出し側のガラス基板に対
峙するガラス基板に誘電体を装着しないことを特徴とす
る。

【００１８】また、対峙する２枚のガラス基板が平面、
同心円状の円筒、電球形状であることを特徴とする。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。

【００２０】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１を示す。ガラス基板１とガラス基板２と封止用の
フリットガラス９とで筐体を構成している。ガラス基板
１には、透明電極３、誘電体層５、蛍光体層７が順に形
成されている。

【００２１】ガラス基板２の上には、電極４、誘電体層
６、蛍光体層８が形成されている。１０は放電空間であ
り、この中にはガス放電のための希ガスが封入してあ
る。

【００２２】電極３は、ＩＴＯ透明電極、電極４は、ア
ルミ電極である。電極３と電極４との間に交流電界をか
け、放電を起こさせ希ガスを励起することにより紫外線
を放射させる。この紫外放射により蛍光体層７および８
の蛍光体が励起され、蛍光発光を生じ、この発光はガラ
ス基板１を通して外部に投射される。

【００２３】図１に示す発光デバイスにおいて、蛍光体
層７の蛍光体の散乱係数を０．１ｃｍ²/ｍｇと小さくす
ることにより透過率をできるだけ高くし、且つ、蛍光体
層８の蛍光体の散乱係数を０.４ｃｍ²／ｍｇと大きくす
ることにより反射率をできるだけ高くして蛍光発光の取
り出し効率、すなわちデバイスの発光効率を高くしてい
る。

【００２４】一般に、蛍光ランプやディスプレイに使用
される蛍光体の散乱係数は、０．１〜０．５程度であ
る。蛍光体層７および蛍光体層８の各々の蛍光体の散乱
係数を０．１及び０．５としたときにガラス基板１を通
して外に取り出せる光出力（相対値）がどのようになる
かをKubelka-Munkの式と相互反射理論を適用して求めた
計算結果を図４に示した。

【００２５】図４は、蛍光体層７（散乱係数Ｓ１）に塗
布する塗布量をＷ１とし、蛍光体層８（散乱係数Ｓ２）
の塗布量をＷ２とし、総量Ｗ＝ｗ１＋ｗ２（一定）と
し、蛍光体の散乱係数Ｓ１とＳ２の組み合わせを変えた
とき光出力がどのようになるかを示したもので、図４
（ａ）はｗ１が５ｍｇ/ｃｍ²一定としたとき、図４
（ｂ）はＷを８ｍｇ／ｃｍ²一定としたときの相対光出
力を示している。

【００２６】また図７（ｂ）に、蛍光体層７の塗布量を
ｗ２＝３ｍｇ/ｃｍ²一定とし、蛍光体８の塗布量ｗ１を
変えたときの光出力が散乱係数Ｓ１とＳ２の組み合わせ
によりどのように変化するかを示した。図４および図７
（ｂ）から明らかなように、蛍光体層８に散乱係数が大
きい蛍光体を、また蛍光体層７に散乱係数が小さい蛍光
体を利用すると光発光デバイスの光出力が大きくなり、
実施の形態１のデバイスの光出力が向上することが分か
る。

【００２７】なお、本実施の形態の放電空間１０におけ
る放電は誘電体バリア放電であり、電極はガラス基板の
ほぼ全面を覆うようなものであってもよいし、基板面状
に線状ないしはマトリックス状に形成したものであって
もよい。

【００２８】（実施の形態２）図５は、本発明の実施の
形態２を示す。実施の形態２のデバイスでは、ガラス基
板１およびガラス基板２とフリットガラス９とで筐体を
構成し、電極３と電極４とがガラス基板１に取り付けて
ある。これら２つの電極は、透明誘電体５でそれぞれ覆
われており、ガラス基板１とガラス基板２の上には蛍光
体層７と８が形成されている。

【００２９】１０は放電空間であり、ガス放電のための
キセノンや水銀などの放電物質が封入されている。電極
３と電極４との間に交流電界をかけ、放電させることに
より放電物質を励起し、紫外放射を起こさせる。この紫
外放射により励起・発光した可視放射をガラス基板１を
通して取り出すものである。

【００３０】この実施の形態２の発光デバイスの発光効
率を高めるための蛍光体層７及び８に対して求められる
蛍光体の散乱係数の条件は、基本的に、実施の形態１の
図１における蛍光体層７及び８に対して求められる散乱
係数の条件と同じであり、その理由は先に実施の形態１
で説明した通りである。

【００３１】実施の形態２を示す図４では、電極が一対
線状にある場合を一例として掲げたが、放電を起こさせ
るための電極は何対あってもよい。

【００３２】（実施の形態３）図６は、本発明の実施の
形態３を示す。実施の形態３の構成は、図５を用いて説
明した実施の形態２とよく似ているが、基本的な違いは
蛍光体と下地反射材１１が形成されていることである。

【００３３】本構成のデバイスでは、効率的な光の取り
出しのために、蛍光体層７の蛍光体の散乱係数は例えば
０．１５と小さくしてあるが、蛍光体層８に用いる蛍光
体の散乱係数の値は特に考慮せず０．１〜０．５の範囲
のどんなものでもよく、蛍光体としては安価で手に入り
やすいものを利用している。

【００３４】実施の形態３の構成のデバイスの背景を説
明するために、蛍光体層７および８の散乱係数を変化さ
せたときの光出力Ｍがどのように変化するかをシミュレ
ーションした結果を図７に示す。

【００３５】図７から、図６に示す構成の発光デバイス
では、光取り出し側の蛍光体層の散乱係数は、例えば
０．１〜０．２のように小さいものを利用するのが効率
的であるが、蛍光体層８に用いる蛍光体の散乱係数は、
０．７以上の高い反射率の下地材による相互反射効果に
よりほとんど問題とならないことがわかる。したがって
蛍光体層８としては散乱係数の値にこだわらず一般に安
価で手に入りやすいものを利用することが可能である。

【００３６】（実施の形態４）本発明の実施の形態４の
構成は図１に示したものと同じであるが、光取り出し側
のガラス基板に対向するガラス基板側の電極として、反
射率の高い、例えばアルミニウム蒸着電極を用い、且つ
その面積が大きい場合には下地反射材としての相互反射
効果が期待でき、本デバイスの光出力を高めるための蛍
光体層７および８に対する条件は実施の形態３と同じに
なることは、先に述べた実施の形態３の説明から明らか
である。

【００３７】（実施の形態５）本発明の実施の形態５
は、実施の形態１として図１に示した構成の発光デバイ
スにおいて、光取り出し側のガラス基板の蛍光体層に球
状蛍光体を利用したものである。

【００３８】蛍光体は一般に広く使用されている非球状
蛍光体に比べて劣化特性の点で優れていることから長時
間の利用という点では球状の方が優れている。

【００３９】一例としてＹ₂Ｏ₃：Ｅｕ蛍光体について粒
子の形状を球状と非球状とした場合とで散乱係数を比較
すると、球状蛍光体の散乱係数が０．１０５、非球状の
従来蛍光体の散乱係数が０．１９５であり（参考文献：
「アジアディスプレイ’９５」（A.K.Albessard他、S
26-3 Phosphor Layer Made of Spherical Particles,As
ia Display '95 (1995)））、球状蛍光体を利用するこ
とによる発光デバイスの効率の向上効果が認められるこ
とは図３および図４を用いて説明したことから明白であ
る。

【００４０】なお、球状蛍光体を前記した実施の形態
２、実施の形態３、実施の形態４のデバイスで用いても
光出力の向上に効果があることは明らかである。

【００４１】（実施の形態６）本発明の実施の形態６
は、図１において、誘電体層６を取り除いた構成のもの
である。このような構成の場合でも電極３と電極４との
間に時間的に変化する電界をかけることにより放電を発
生させることができ、このような構成の発光デバイスに
あっても、発光デバイスの発光効率向上のための蛍光体
層７および８の蛍光体の散乱係数についての条件は、実
施の形態１の場合の条件と同一であることはその構造か
らして明らかである。

【００４２】（実施の形態７）実施の形態１では、対峙
する２枚のガラス基板が平面としたが、この面は必ずし
も平面である必要はなく曲面であってもよい。

【００４３】図８は、本発明の実施の形態７を示したも
ので、ガラス基板１とガラス基板２はそれぞれ円筒状で
あり、この二つの円筒状のガラス基板はガラス２で同心
円状になるように固定してある。

【００４４】ガラス基板１の外側には外部電極３が、ま
た内側には蛍光体層７が形成されている。ガラス基板２
の内側には内部電極４が、また外側には蛍光体層８が形
成されている。

【００４５】１３は、絶縁膜で、例えばＳｉ₃Ｎ₄であ
る。９は、同心円状に配した２枚の円筒状ガラス基板を
固定するものであり、光出力の取り出しやすいガラスで
できている。１０は放電空間であり、この中にはガス放
電のための希ガスや水銀などの放電物質が封入してあ
る。

【００４６】外部電極４と内部電極３との間に電源１２
により交流電圧を印加して放電させ放電物質を励起し、
紫外放射を放出させる。この紫外放射により蛍光体層７
及び８の蛍光体を励起・発光させ、ガラス基板１を通し
て発光出力を取り出すものである。

【００４７】図８のような構成の発光デバイスにおいて
も、蛍光体層７の蛍光体の散乱係数を蛍光体層８の蛍光
体の散乱係数に比べて小さくすることにより本デバイス
の発光効率を高くできることは、実施の形態１で説明し
たことから明らかである。

【００４８】（実施の形態８）図９に本発明の実施の形
態８を示す。本デバイスにおいて、２枚の対峙するガラ
ス基板１及び２の形状は、電球状であり、基本的な構成
は実施の形態１や実施の形態２と基本的に同じである。

【００４９】図９において、３および４は電極、１３は
絶縁膜、例えばガラス質絶縁膜やＳｉ₃Ｎ₄である。電極
４は放電空間１０で発生した紫外放射により励起発光す
る蛍光発光をできるだけ反射するようにアルミニウム蒸
着電極が用いてある。

【００５０】また電極３は、できるだけ蛍光発光を外部
に取り出せるようにするために透明性とし、ＩＴＯ膜電
極を用いている。７および８は蛍光体であり、蛍光体７
は光デバイスからの光出力を高めるために散乱係数が
０.０５〜０．２ｃｍ²／ｍｇのものを、蛍光体８として
は放電空間１０における相互反射効果を高めるため散乱
係数が３〜５ｃｍ²/ｍｇのものを使用している。蛍光体
７と８との条件をこのような条件とすることによって本
デバイスの発光効率を高くできる理由は、実施の形態１
で説明した通りである。

【００５１】

【発明の効果】以上のように、本発明は、対峙する２枚
のガラス基板の各々の面に電極、透明誘電体層、蛍光体
層を形成し、且つ、一方のガラス基板側の電極が放電発
光出力を取り出せるように透明電極とした発光デバイス
において、前記放電発光出力を取り出すガラス基板側の
蛍光体層の蛍光体の散乱係数が０.０５〜０．２ｃｍ²／
ｍｇ、もう一方のガラス基板側の蛍光体層の散乱係数が
０.３〜０．６ｃｍ²／ｍｇとし光出力を従来より向上さ
せた発光デバイスを提供できる。

【００５２】また、放電発光出力の取り出し側に対向す
るガラス基板に反射率の高いアルミニウムのような電極
を使用したデバイス、あるいは蛍光体とガラス基板との
間に反射率の高いＭｇＯのような反射材を利用する場合
には、光取り出し側のガラス基板に使用する蛍光体層の
散乱係数が０．１〜０.２ｃｍ²／ｍｇ、光取り出し側ガ
ラス基板に対向するガラス基板の蛍光体の散乱係数が
０．１〜０.５ｃｍ²／ｍｇとすることにより本構成の発
光デバイスの光出力を大幅に向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）本発明の実施の形態１としての発光デバ
イスを示す平面図（ｂ）同略断面図

【図２】（ａ）従来の発光デバイスを示す平面図（ｂ）同略断面図

【図３】（ａ）蛍光体の散乱係数と透過出力を示す特性
図（ｂ）蛍光体の散乱係数と反射出力を示す特性図

【図４】（ａ），（ｂ）実施の形態１において、総塗布
量を一定とした場合の光出力を示す図

【図５】（ａ）本発明の実施の形態２としての発光デバ
イスを示す平面図（ｂ）同略断面図

【図６】（ａ）本発明の実施の形態３としての発光デバ
イスを示す平面図（ｂ）同略断面図

【図７】（ａ）下地反射材の光出力への効果を示す特性
図（ｂ）下地反射材が無い場合の光出力を示す特性図

【図８】本発明の実施の形態７としての発光デバイスを
示す概略図

【図９】本発明の実施の形態８としての発光デバイスを
示す概略図

【符号の説明】

１ガラス基板２ガラス基板３透明電極４電極５誘電体層６誘電体層７蛍光体層８蛍光体層９ガラス１０放電空間１１下地反射材１２電源１３絶縁膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者西山英夫大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者重田照明大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者松岡富造大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5C015 FF02 FF03 5C043 AA02 BB04 CC09 CD08 CD19 DD28 EB01 EC20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対峙する２枚のガラス基板の各々の面に
電極、透明誘電体層、蛍光体層を形成し、前記２枚のガ
ラス基板の電極に電圧を印加することによってガス放電
により発生する紫外放射で蛍光体層の蛍光体を励起発光
させ、前記発光を取り出せるように前記２枚のガラス基
板の一方の電極を透明電極とした発光デバイスであっ
て、前記放電発光出力を取り出すガラス基板側の蛍光体層の
蛍光体の光散乱係数が０.０５〜０．３ｃｍ²／ｍｇ、も
う一方のガラス基板側の蛍光体層の蛍光体の光散乱係数
が０．３〜０．５ｃｍ²／ｍｇであることを特徴とした
発光デバイス。
【請求項２】対峙する２枚のガラス基板の一方の面に
少なくとも一対の透明電極、誘電体層、蛍光体層を、も
う一方のガラス基板に蛍光体層を形成し、且つ、前記電
極間に電圧を印加することによりガス放電により発生す
る紫外放射で蛍光体層の蛍光体を励起発光させ、前記発
光を電極装着側のガラス基板から取り出すようにした発
光デバイスであって、前記透明電極を設けたガラス基板側の蛍光体層の蛍光体
の光散乱係数が０．０５〜０.３ｃｍ²／ｍｇ、もう一方
のガラス基板側の蛍光体の光散乱係数が０．３〜０．５
ｃｍ²／ｍｇであることを特徴とした発光デバイス。
【請求項３】対峙する２枚のガラス基板の一方の面に
少なくとも一対の透明電極、誘電体層、蛍光体層を、も
う一方のガラス基板に蛍光体層と反射率が０．７以上の
反射率を有する下地を形成し、且つ、前記電極間に電圧
を印加することによってガス放電により発生する紫外放
射で蛍光体層の蛍光体を励起発光させ、前記発光を透明
電極を装着したガラス基板から取り出すようにした発光
デバイスであって、前記透明電極を設けたガラス基板側
の蛍光体層の蛍光体の光散乱係数が０．０５〜０.３ｃ
ｍ²／ｍｇ、もう一方のガラス基板側の蛍光体の光散乱
係数が０．１〜０．５ｃｍ²／ｍｇであることを特徴と
した発光デバイス。
【請求項４】対峙する２枚のガラス基板の各々の面に
電極、透明誘電体層、蛍光体層を形成し、前記２枚のガ
ラス基板の電極に電圧を印加することによってガス放電
により発生する紫外放射で蛍光体層の蛍光体を励起発光
させ、前記発光を取り出せるように２枚のガラス基板の
一方のガラス基板の電極を透明電極とし、且つ、もう一
方のガラス基板に装着する電極面積のガラス基板面積に
対する比率と前記電極の反射率の積が０．７以上である
ような発光デバイスであって、前記放電発光出力を取り
出すガラス基板側の蛍光体層の蛍光体の光散乱係数が
０．０５〜０.２５ｃｍ²／ｍｇ、もう一方のガラス基板
側の蛍光体層の光散乱係数が０．１〜０．５ｃｍ²／ｍ
ｇであることを特徴とした発光デバイス。
【請求項５】少なくとも光出力取り出し側の蛍光体層
の蛍光体が球状蛍光体であることを特徴とする請求項１
〜４のいずれかに記載の発光デバイス。
【請求項６】光出力取り出し側のガラス基板に対峙す
るガラス基板に誘電体を装着しないことを特徴とした請
求項１または４記載の発光デバイス。
【請求項７】対峙する２枚のガラス基板が平面である
請求項１〜４のいずれかに記載の発光デバイス。
【請求項８】対峙する２枚のガラス基板が同心円状の
円柱である請求項１〜４のいずれかに記載の発光デバイ
ス。
【請求項９】対峙する２枚のガラス基板が電球形状で
ある請求項１〜４のいずれかに記載の発光デバイス。