JP2000268587A - Synchronizing type semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Synchronizing type semiconductor integrated circuit device

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JP2000268587A
JP2000268587A JP7561099A JP7561099A JP2000268587A JP 2000268587 A JP2000268587 A JP 2000268587A JP 7561099 A JP7561099 A JP 7561099A JP 7561099 A JP7561099 A JP 7561099A JP 2000268587 A JP2000268587 A JP 2000268587A
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circuit
external signal
semiconductor integrated
integrated circuit
output
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Japanese (ja)
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Akihiro Sawada
昭弘 澤田
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a synchronizing type semiconductor integrated circuit device in which the setup time, holding time, access time, and data holding time can be easily changed, the developing period of a system can be shortened and the manufacturing cost can be reduced. SOLUTION: This device is provided with input circuits 1, 1-1 to 1-n of a first external signal and a second external signal, variable delay circuits 2-a, 2-b, 2-1 to 2-n, external signal judging circuits 3-1 to 3-n judging the output of the variable delay circuit 2-1 to 2-n synchronizing with the output of the variable delay circuit 2-b, an internal logic circuit 4 performing a prescribed internal operation by their output and first external signal, output control circuits 5-1 to 5-n outputting the result synchronizing with the output of the variable delay circuit 2-a, and a storage circuit 6.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、外部から入力され
る信号に同期し、その他の入力信号の取り込み及び出力
信号の出力を行う同期型半導体集積回路装置に関するも
ので、セットアップ時間、ホールド時間及びアクセス時
間、データホールド時間を容易に変更できる同期型半導
体集積回路装置を提供するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a synchronous semiconductor integrated circuit device which synchronizes with an externally input signal, takes in other input signals, and outputs an output signal. An object of the present invention is to provide a synchronous semiconductor integrated circuit device in which an access time and a data hold time can be easily changed.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の同期型半導体集積回路装置の構成
を示す回路図を図5に示す。同図に示す構成では、基準
信号となる第一の外部信号及び複数の第二の外部信号
に、それぞれに設けられた入力回路1,1−1〜1−n
と、あらかじめ定められた遅延量に固定され入力信号を
遅延させる固定遅延回路7−1〜7−nと、第一の外部
信号に同期し、第二の外部信号に設けられた遅延回路7
−1〜7−nの出力の論理レベル(ハイまたはロウ)を
判定する外部信号判定回路3−1〜3−nと、それらの
結果を用いて所定の内部動作を行う内部論理回路4と、
外部クロックに同期し内部論理回路4で得られた結果を
半導体集積回路装置外へ出力する出力制御回路5−1〜
5−mを有している。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional synchronous semiconductor integrated circuit device. In the configuration shown in the figure, input circuits 1, 1-1 to 1-n provided respectively for a first external signal serving as a reference signal and a plurality of second external signals are provided.
A fixed delay circuit 7-1 to 7-n which is fixed to a predetermined delay amount and delays an input signal; and a delay circuit 7 which is synchronized with the first external signal and provided for the second external signal.
External signal determination circuits 3-1 to 3-n for determining the logic levels (high or low) of the outputs of -1 to 7-n, an internal logic circuit 4 for performing a predetermined internal operation using the results,
An output control circuit 5-1 for outputting a result obtained by the internal logic circuit 4 to the outside of the semiconductor integrated circuit device in synchronization with an external clock.
5-m.

【0003】このような構成では、基準信号となる第一
の外部信号と第二の外部信号との間のセットアップ時
間、ホールド時間は、第二の外部信号に設けられた遅延
回路7−1〜7−nの固定された遅延量に応じ決定され
る。
In such a configuration, a setup time and a hold time between a first external signal and a second external signal serving as reference signals are determined by delay circuits 7-1 to 7-1 provided for the second external signal. 7-n is determined according to the fixed delay amount.

【0004】また、このセットアップ時間、ホールド時
間を変更できる様に、状態設定コマンドとアドレス入力
により状態を設定し信号を出力する状態設定回路を有
し、この状態設定回路の出力信号に応じ、第二の外部信
号に遅延をかけ、セットアップ時間、ホールド時間が決
定できるような同期型半導体集積回路装置も提案されて
いる。
Also, a state setting circuit for setting a state by a state setting command and an address input and outputting a signal is provided so that the setup time and the hold time can be changed. A synchronous semiconductor integrated circuit device has also been proposed in which a setup time and a hold time can be determined by delaying two external signals.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】前述したように、従来
の固定された遅延量に従いセットアップ時間、ホールド
時間(通常1ns〜3ns程度)が決まる同期型半導体
集積回路装置では、この半導体集積回路装置を動作させ
る場合は、その規定された時間内に入力信号を半導体集
積回路へ入力しなければならなかった。さらに、同期型
半導体集積回路装置から出力される信号に関しても、第
一の外部信号に同期して出力され、そのデータホールド
時間(通常2ns〜3ns)も上記のセットアップ時
間、ホールド時間と同様ある決まった時間になり(決ま
った時間で出力信号が切れてしまう)、その時間内に他
の同期型半導体集積回路装置の信号を受け取ることを完
了しなければならなかった。そのため、同期型半導体集
積回路装置と信号のやりとりを行う別の半導体集積回路
装置においては、基準信号となる第一の外部信号とその
他の第二の外部信号のタイミング調整と第一の外部信号
と受け取る信号の微妙なタイミング調整のための半導体
集積回路装置自体の設計工数の増大や、上記第一の外部
信号とその他の信号のタイミングずれの少ない多層基板
の使用等により、システムとしてコストアップの要因と
なっていた。
As described above, in a conventional synchronous semiconductor integrated circuit device in which a setup time and a hold time (typically about 1 ns to 3 ns) are determined according to a fixed delay amount, a conventional semiconductor integrated circuit device is used. When operating, an input signal must be input to the semiconductor integrated circuit within the prescribed time. Further, the signal output from the synchronous semiconductor integrated circuit device is also output in synchronization with the first external signal, and its data hold time (usually 2 ns to 3 ns) is determined in the same manner as the setup time and the hold time. Time (the output signal is cut off at a fixed time), and within that time, it is necessary to complete the reception of the signal of another synchronous semiconductor integrated circuit device. Therefore, in another semiconductor integrated circuit device that exchanges signals with the synchronous semiconductor integrated circuit device, the first external signal serving as a reference signal and the timing adjustment of other second external signals and the first external signal are used. Increased design man-hours of the semiconductor integrated circuit device itself for delicate timing adjustment of received signals, and the use of a multi-layer substrate with less timing deviation between the first external signal and other signals cause factors in cost increase as a system. Had become.

【0006】また、状態設定コマンドとアドレス入力に
より状態を設定し、信号を出力する状態設定回路による
信号により、セットアップ時間、ホールド時間を決定で
きる同期型半導体集積回路装置では、その同期型半導体
集積回路装置へデータを送る別の同期型半導体集積回路
装置が上記状態設定回路へ状態を設定できるようにあら
かじめ設計されていなければならず、システムを構築し
た際に、半導体集積回路装置の設計または半導体集積回
路装置間の基板の問題で、第一の外部信号と第二の外部
信号との遅延差が大きく発生し、状態設定回路への設定
情報の変更が発生した場合、その設計変更のため、設計
工数の増大、開発期間の遅れを生じることになる。
Further, in a synchronous semiconductor integrated circuit device in which a state is set by a state setting command and an address input and a setup time and a hold time can be determined by a signal from a state setting circuit for outputting a signal, the synchronous semiconductor integrated circuit is provided. Another synchronous semiconductor integrated circuit device that sends data to the device must be designed in advance so that the state can be set to the state setting circuit, and when the system is constructed, the design of the semiconductor integrated circuit device or the semiconductor integrated circuit When a delay difference between the first external signal and the second external signal is large due to a problem of a board between circuit devices and a change in setting information to the state setting circuit occurs, the design change is performed. This increases the man-hours and delays the development period.

【0007】本発明は、同期型半導体集積回路装置のセ
ットアップ時間、ホールド時間及びアクセス時間、デー
タホールド時間を容易に変更することが可能で、同期型
半導体集積回路装置を用いたシステムの開発期間の短縮
とコスト削減が可能な同期型半導体集積回路装置を提供
することを目的とする。
According to the present invention, the setup time, the hold time, the access time, and the data hold time of a synchronous semiconductor integrated circuit device can be easily changed. It is an object of the present invention to provide a synchronous semiconductor integrated circuit device capable of shortening and reducing costs.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の同期型半
導体集積回路装置は、第一の外部信号に同期して、複数
の第二の外部信号を入力するとともに複数の信号を出力
する半導体集積回路装置であって、 第一の外部信号および第二の外部信号を取り込む入力回
路と、 この入力回路の出力を遅延させることができる可変遅延
回路と、 第一の外部信号の可変遅延回路の出力に同期して第二の
外部信号の可変遅延回路の出力の論理レベルの判定を行
う外部信号判定回路と、 入力回路で取り込んだ第一の外部信号および外部信号判
定回路の出力より所定の内部動作を行う内部論理回路
と、 この内部論理回路で得られた結果を第一の外部信号の可
変遅延回路の出力に同期して半導体集積回路外へ出力す
る出力制御回路と、 プログラム可能な記憶回路とを備え、 記憶回路に記憶されている情報に応じ、複数の可変遅延
回路の遅延量が独立して変更できることを特徴とするも
のである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a synchronous semiconductor integrated circuit device which inputs a plurality of second external signals and outputs a plurality of signals in synchronization with a first external signal. An integrated circuit device, comprising: an input circuit for receiving a first external signal and a second external signal; a variable delay circuit capable of delaying an output of the input circuit; and a variable delay circuit for the first external signal. An external signal determining circuit for determining the logical level of the output of the second external signal variable delay circuit in synchronization with the output; and a predetermined internal circuit based on the output of the first external signal and the external signal determining circuit captured by the input circuit. An internal logic circuit for performing an operation, an output control circuit for outputting a result obtained by the internal logic circuit to the outside of the semiconductor integrated circuit in synchronization with an output of the first external signal variable delay circuit, and a programmable storage circuit The provided, depending on the information stored in the memory circuit, it is characterized in that the delay amounts of the plurality of variable delay circuit can be changed independently.

【0009】請求項1記載の同期型半導体集積回路装置
によれば、同期型半導体集積回路装置のセットアップ、
ホールド時間、またアクセス、データホールド時間を簡
単に変更することができる。これにより、本発明の同期
型半導体集積回路装置とデータのやり取りを行なう別の
同期型半導体集積回路装置に最適なセットアップ、ホー
ルド時間、またアクセス、データホールド時間を設定す
ることができ、これらの同期型半導体集積回路を含んだ
システム開発の効率化を図ることができる。
According to the synchronous semiconductor integrated circuit device of the first aspect, the setup of the synchronous semiconductor integrated circuit device,
The hold time, access, and data hold time can be easily changed. This makes it possible to set the optimal setup, hold time, access, and data hold time for another synchronous semiconductor integrated circuit device that exchanges data with the synchronous semiconductor integrated circuit device of the present invention. The efficiency of development of a system including a semiconductor integrated circuit can be improved.

【0010】請求項2記載の同期型半導体集積回路装置
は、請求項1において、第一の外部信号の入力回路に接
続された可変遅延回路は、入力判定回路及び出力制御回
路用の2つの回路より構成されるものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a synchronous semiconductor integrated circuit device according to the first aspect, wherein the variable delay circuit connected to the first external signal input circuit has two circuits for an input determination circuit and an output control circuit. It is composed of

【0011】請求項2記載の同期型半導体集積回路装置
によれば、請求項1と同様な効果のほか、同期型半導体
集積回路装置のセットアップ、ホールド時間とアクセ
ス、データホールド時間をそれぞれ個別に、変更するこ
とができる。これにより、よりフレキシブルな同期型半
導体集積回路装置が実現できる。
According to the synchronous semiconductor integrated circuit device of the second aspect, in addition to the same effects as those of the first aspect, the setup, hold time and access, and data hold time of the synchronous semiconductor integrated circuit device are individually set. Can be changed. As a result, a more flexible synchronous semiconductor integrated circuit device can be realized.

【0012】請求項3記載の同期型半導体集積回路装置
は、請求項1において、記憶回路が、任意に書き換え可
能な不揮発性メモリを用いたものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a synchronous semiconductor integrated circuit device according to the first aspect, wherein the storage circuit uses an arbitrarily rewritable nonvolatile memory.

【0013】請求項3記載の同期型半導体集積回路装置
によれば、請求項1と同様な効果がある。
According to the synchronous semiconductor integrated circuit device of the third aspect, the same effect as that of the first aspect is obtained.

【0014】請求項4記載の同期型半導体集積回路装置
は、請求項1において、記憶回路が、電源投入時の、第
二の外部信号の電位の状態により書き換え可能なレジス
タを用いたものである。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a synchronous semiconductor integrated circuit device according to the first aspect, wherein the storage circuit uses a register which can be rewritten according to the state of the potential of the second external signal when the power is turned on. .

【0015】請求項4記載の同期型半導体集積回路装置
によれば、請求項1と同様な効果がある。
According to the synchronous semiconductor integrated circuit device of the fourth aspect, the same effect as that of the first aspect is obtained.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
1から図4により説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0017】図1は、本発明の一実施の形態の半導体集
積回路装置の構成を示すものである。同図に示すよう
に、基準信号となる第一の外部信号及び半導体集積回路
装置の制御を行う複数の第二の外部信号1〜nを半導体
集積回路装置内に取り込む入力回路1、1−1〜1−n
と、第一の外部信号および第二の外部信号の入力回路の
出力を遅延させることができる可変遅延回路2−a、2
−b、2−1〜2−nと、第一の外部信号の可変遅延回
路2−bの出力信号に同期して第二の外部信号の可変遅
延回路2−1〜2−nの出力の論理レベル(ハイまたは
ロウ)の判定を行う外部信号判定回路3−1〜3−n
と、第一の外部信号及び外部信号判定回路3−1〜3−
nの出力結果より所定の内部動作を行う内部論理回路4
と、内部論理回路4で得られた結果を第一の外部信号の
可変遅延回路2−aの出力に同期して半導体集積回路装
置外へ出力する出力制御回路5−1〜5−mと、プログ
ラム可能な記憶回路6とを備え、記憶回路6の出力はそ
の記憶されている情報に応じ、可変遅延回路の遅延量が
独立して決められるように、可変遅延回路2−a、2−
bおよび2−1〜2−nに接続された構成になってい
る。第一の外部信号の入力回路1に接続された可変遅延
回路2−a、2−bは、入力判定回路及び出力制御回路
用の2つの回路より構成されている。
FIG. 1 shows a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to one embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, input circuits 1 and 1-1 for taking into a semiconductor integrated circuit device a first external signal serving as a reference signal and a plurality of second external signals 1 to n for controlling the semiconductor integrated circuit device. ~ 1-n
And variable delay circuits 2-a, 2-a that can delay the output of the input circuit for the first external signal and the second external signal.
-B, 2-1 to 2-n, and the output of the second external signal variable delay circuits 2-1 to 2-n in synchronization with the output signal of the first external signal variable delay circuit 2-b. External signal determination circuits 3-1 to 3-n for determining a logic level (high or low)
And a first external signal and external signal determination circuit 3-1 to 3-
n internal logic circuit 4 which performs a predetermined internal operation based on the output result of n
Output control circuits 5-1 to 5-m for outputting the result obtained by the internal logic circuit 4 to the outside of the semiconductor integrated circuit device in synchronization with the output of the first external signal variable delay circuit 2-a; And a programmable storage circuit 6. The output of the storage circuit 6 is controlled so that the delay amount of the variable delay circuit is independently determined according to the stored information.
b and 2-1 to 2-n. The variable delay circuits 2-a and 2-b connected to the first external signal input circuit 1 include two circuits for an input determination circuit and an output control circuit.

【0018】図2は、可変遅延回路2−a、2−b、2
−1〜nの動作原理を示した図である。記憶回路6の情
報をもとに、入力となる信号に異なる遅延量を加えた出
力のうちどれか一つをセレクタによって選択し出力する
ようになっている。図2の例では、2ビットの記憶情報
をもとに、遅延量の違う4つの信号A、B、C、Dのう
ちどれかひとつを選択できるようになっている。例え
ば、記憶情報信号1、2がそれぞれ0、0の場合は最も
遅延量の少ない遅延信号Aを選択し、記憶情報信号1、
2がそれぞれ1、0の場合は、次に遅延量が少ない遅延
信号Bを選択し、記憶情報信号1、2がそれぞれ0、1
の場合は、次に遅延量が少ない遅延信号Cを選択し、記
憶情報信号1、2がそれぞれ1、1の場合には、最も遅
延量の大きい遅延信号Dを選択するようになっている。
FIG. 2 shows variable delay circuits 2-a, 2-b, 2
FIG. 3 is a diagram illustrating the operation principle of −1 to n. Based on the information in the storage circuit 6, one of the outputs obtained by adding different delay amounts to the input signal is selected by a selector and output. In the example of FIG. 2, any one of four signals A, B, C, and D having different delay amounts can be selected based on 2-bit storage information. For example, when the stored information signals 1 and 2 are 0 and 0, respectively, the delay signal A having the smallest delay amount is selected, and the stored information signals 1 and 2 are selected.
2 is 1 and 0 respectively, the delay signal B with the next smallest delay is selected, and the stored information signals 1 and 2 are 0 and 1 respectively.
In the case of (1), the delay signal C having the next smallest delay amount is selected, and when the storage information signals 1 and 2 are 1, 1 respectively, the delay signal D having the largest delay amount is selected.

【0019】図3(a)に、記憶回路6に記憶された情
報に応じ、遅延量が変更された場合の第一および第二の
外部信号の動作タイミング波形を示す。本実施の形態で
は、第一の外部信号として、ある周期でクロックが入力
され、そのクロックの立ち上がりエッジで、第二の外部
信号のレベルを判定し、内部の動作を決定する半導体集
積回路装置の例を示す。従って、第二の外部信号の遷移
から第一の外部信号立ち上がりエッジまでがセットアッ
プ時間ts、ts1 、第一の外部信号の立ち上がりエッ
ジから第二の外部信号の遷移までがホールド時間th、
th1 となる。セットアップ時間にマージンが少ない場
合には、記憶情報信号1、2がそれぞれ0、0になるよ
うに記憶回路6に情報を記憶させておくと、図(a1
のように、第二の外部信号の遅延量は少なくなり、半導
体集積回路装置内部では、よりセットアップ時間のマー
ジンが拡大し、より小さなセットアップ時間でも正常に
動作し、また、ホールド時間にマージンが少ない場合に
は、図(a2 )のように記憶情報信号1、2がそれぞれ
1、1になるように記憶回路6に情報を記憶させておく
と、第二の外部信号の遅延量は大きくなり、半導体集積
回路装置内部では、よりホールド時間のマージンは拡大
し、より小さなホールド時間でも正常に動作することに
なる。
FIG. 3A shows operation timing waveforms of the first and second external signals when the amount of delay is changed in accordance with the information stored in the storage circuit 6. In the present embodiment, a clock is input as a first external signal at a certain period, and at the rising edge of the clock, the level of the second external signal is determined and the internal operation is determined. Here is an example. Accordingly, the setup times ts, ts 1 are from the transition of the second external signal to the rising edge of the first external signal, and the hold times th, from the rising edge of the first external signal to the transition of the second external signal.
th 1 to become. If the margin is small in set-up time, when the stored information signal 1 is allowed to store information in the memory circuit 6 so as to 0,0, respectively, Fig. (A 1)
As described above, the amount of delay of the second external signal is reduced, the margin of the setup time is further expanded inside the semiconductor integrated circuit device, the device operates normally even with the smaller setup time, and the margin of the hold time is small. case, when allowed to store information in the memory circuit 6 as stored information signal 1 is 1,1, respectively, as in FIG. (a 2), the delay amount of the second external signal is increased In the semiconductor integrated circuit device, the margin of the hold time is further expanded, and the semiconductor device operates normally even with a shorter hold time.

【0020】図3(b)に、遅延量が変更された時の出
力信号の動作タイミング波形を示す。アクセス時間にマ
ージンが少ない(本半導体集積回路装置の信号を受ける
半導体集積回路装置のセットアップ時間にマージンがな
い)場合には、図(b1 )に示すように、第一の外部信
号の入力回路1に接続されている可変遅延回路内で遅延
の少ない信号を選択する事により、アクセス時間(セッ
トアップ時間)のマージンを最大にすることができ、ま
た、データホールド時間にマージンが少ない(本半導体
集積回路装置の信号を受ける半導体集積回路装置のホー
ルド時間にマージンがない)場合には、図(b2 )に示
すように、第一の外部信号に接続されている可変遅延回
路内で遅延の大きい信号を選択する事により、データホ
ールド時間(ホールド時間)のマージンを最大にするこ
とができる。
FIG. 3B shows an operation timing waveform of the output signal when the delay amount is changed. Less margin access time when (Margin no setup time of a semiconductor integrated circuit device which receives a signal of the semiconductor integrated circuit device), as shown in FIG. (B 1), the input circuit of the first external signal By selecting a signal with a small delay in the variable delay circuit connected to No. 1, the margin of the access time (setup time) can be maximized, and the margin of the data hold time is small (this semiconductor integrated circuit). If there is no margin in the hold time of a semiconductor integrated circuit device which receives a signal of the circuit arrangement), as shown in FIG. (b 2), a large delay in the first variable delay circuit which is connected to an external signal By selecting a signal, the margin of the data hold time (hold time) can be maximized.

【0021】このように記憶回路6に蓄えられた情報を
もとに、可変遅延回路2−a、2−b、2−1〜2−n
の遅延量を任意に変更し、外部信号判定回路3で、第一
の外部信号に同期して判定できるようにすることや、出
力信号を制御することにより、セットアップ、ホールド
時間及びアクセス時間、データホールド時間を任意に変
更することができるようになる。従って、このような同
期型半導体集積回路装置を使用して、システムを構築す
る場合、当初規定された半導体集積回路装置間のセット
アップ時間、ホールド時間にズレが生じ、正常な動作が
行えないような場合でも、本発明の半導体集積回路を用
いることにより、半導体集積回路装置内の記憶回路の記
憶情報を変えて使用することにより、システムが正常に
動作するセットアップ時間、ホールド時間に変更するこ
とができるようになる。従って、システム設計の当初か
ら、半導体集積回路装置間のセットアップ時間、ホール
ド時間をあまり気にすることなくシステムの設計が行え
ることとなり、その工数が削減できる。また、第一の外
部信号と第二の外部信号の伝達遅延差をあまり気にしな
い、より安価な基板の使用が可能となる。
Based on the information stored in the storage circuit 6, the variable delay circuits 2-a, 2-b, 2-1 to 2-n
Arbitrarily change the amount of delay, and allow the external signal determination circuit 3 to determine in synchronization with the first external signal, and by controlling the output signal, the setup, hold time and access time, data The hold time can be arbitrarily changed. Therefore, when a system is constructed using such a synchronous semiconductor integrated circuit device, the setup time and the hold time between the initially specified semiconductor integrated circuit devices are shifted, and normal operation cannot be performed. Even in this case, by using the semiconductor integrated circuit of the present invention and changing and using the storage information of the storage circuit in the semiconductor integrated circuit device, the setup time and the hold time during which the system operates normally can be changed. Become like Therefore, from the beginning of the system design, the system can be designed without much concern for the setup time and the hold time between the semiconductor integrated circuit devices, and the number of steps can be reduced. In addition, it is possible to use a less expensive substrate that does not care much about the transmission delay difference between the first external signal and the second external signal.

【0022】また、記憶回路6には、任意に書き換え可
能なフラッシュメモリ等の不揮発性メモリ、または、電
源投入時の外部信号の電位を判定し、記憶情報を格納で
きるレジスタ等を用いることにより、記憶情報は本半導
体集積回路装置の製造後に任意にプログラムできるよう
になり、本半導体集積回路装置とデータのやりとりを行
う別の半導体集積回路装置には一切の変更を加えず同期
型半導体集積回路装置を使用したシステムを構築でき
る。
The memory circuit 6 may be a nonvolatile memory such as a flash memory which can be arbitrarily rewritten, or a register which can determine the potential of an external signal at power-on and store the stored information. The stored information can be programmed arbitrarily after the manufacture of the semiconductor integrated circuit device, and the synchronous semiconductor integrated circuit device does not make any changes to another semiconductor integrated circuit device that exchanges data with the semiconductor integrated circuit device. Can be used to build a system.

【0023】図4には、電源投入時の外部信号の電位を
判定し、記憶情報を格納出来る手段を備え、特定の外部
信号状態のときに情報を記憶できるレジスタを用いた場
合の記憶回路の構成図を示す。
FIG. 4 shows means for judging the potential of an external signal at the time of power-on and storing information, and using a register capable of storing information in a specific external signal state. FIG.

【0024】電源が投入された時(0Vから所定の電源
レベルまで電位が上昇する時)、その電位変化を検知し
てその出力信号を発生する電源投入検知回路10と、電
源投入検知回路10の出力を利用して、その時の外部信
号を入力する入力ピンの電位レベルを判定する入力ピン
レベル判定回路11と、入力ピンレベル判定回路11で
得られた情報を格納するレジスタ12と、レジスタ12
の情報を出力するためのレジスタ出力回路13で構成さ
れている。
When the power is turned on (when the potential rises from 0 V to a predetermined power supply level), a power-on detection circuit 10 for detecting a change in the potential and generating an output signal thereof; An input pin level determination circuit 11 for determining a potential level of an input pin for inputting an external signal at that time using an output; a register 12 for storing information obtained by the input pin level determination circuit 11;
And a register output circuit 13 for outputting the above information.

【0025】このような構成で、記憶回路6を構成する
ことにより、記憶回路6への情報の記憶に関しては、情
報記憶に必要な入力ピンを基板上で抵抗を介して、電源
に接続するか、グランドに接続するかで実現できる。こ
れは、本同期型半導体集積回路装置と信号のやりとりを
行う半導体集積回路装置自身には、一切の設計変更は必
要なくなり、開発期間の短縮とコストダウンのメリット
は極めて大きい。
By configuring the storage circuit 6 with such a configuration, regarding storage of information in the storage circuit 6, it is necessary to connect an input pin required for information storage to a power supply via a resistor on a substrate. And by connecting to ground. This means that the semiconductor integrated circuit device that exchanges signals with the synchronous semiconductor integrated circuit device itself does not require any design change, and the advantages of shortening the development period and reducing the cost are extremely large.

【0026】このように、この実施の形態によれば、プ
ログラム可能な記憶回路に情報を格納し、その情報によ
り第一及び第二の外部信号に接続された可変遅延回路の
遅延量を独立して変化させることができる。これによ
り、基準信号となる第一の外部信号と第二の外部信号と
の位相、及び、第一の外部信号と出力信号の位相を調整
することができ、第二の外部信号のセットアップ時間、
ホールド時間及びアクセス時間、データホールド時間を
容易に変更することができ、それぞれ独立して任意に変
えられる同期型半導体集積回路装置が実現できる。従っ
て、他の同期型半導体集積回路装置に対し一切の設計変
更することなく、システム設計当初の半導体集積回路装
置間でのセットアップ、ホールド時間のミスマッチによ
る誤動作を容易に回避でき、設計変更等の回数が減り開
発期間の短縮が図れると共に、システム設計時の工数の
低減や、基準信号とその他の信号の伝達遅延差をあまり
気にしなくてすむことから基板においても安価なものが
使用でき、システムのコストダウンが図れ、その効果は
きわめて大きい。
As described above, according to this embodiment, information is stored in the programmable storage circuit, and the delay amount of the variable delay circuit connected to the first and second external signals is independently controlled by the information. Can be changed. Thereby, the phase of the first external signal and the second external signal serving as the reference signal, and the phase of the first external signal and the output signal can be adjusted, the setup time of the second external signal,
The hold time, the access time, and the data hold time can be easily changed, and a synchronous semiconductor integrated circuit device that can be independently and arbitrarily changed can be realized. Therefore, it is possible to easily avoid a malfunction due to a mismatch in setup and hold time between the semiconductor integrated circuit devices at the beginning of the system design without any design change for other synchronous semiconductor integrated circuit devices, and to reduce the number of design changes. In addition, the development time can be shortened, the man-hours required for system design can be reduced, and the difference in transmission delay between the reference signal and other signals can be reduced. The cost can be reduced, and the effect is extremely large.

【0027】記憶回路が任意に書き換え可能な不揮発性
メモリを用いると、本半導体集積回路装置とデータのや
りとりを行う別の半導体集積回路装置に対しては一切の
変更なしでシステムを作ることが可能となる。
By using a nonvolatile memory whose storage circuit can be arbitrarily rewritten, a system can be created without any change for another semiconductor integrated circuit device which exchanges data with the present semiconductor integrated circuit device. Becomes

【0028】[0028]

【発明の効果】請求項1記載の同期型半導体集積回路装
置によれば、同期型半導体集積回路装置のセットアッ
プ、ホールド時間、またアクセス、データホールド時間
を簡単に変更することができる。これにより、本発明の
同期型半導体集積回路装置とデータのやり取りを行なう
別の同期型半導体集積回路装置に最適なセットアップ、
ホールド時間、またアクセス、データホールド時間を設
定することができ、これらの同期型半導体集積回路を含
んだシステム開発の効率化を図ることができる。
According to the synchronous semiconductor integrated circuit device of the first aspect, the setup, hold time, access, and data hold time of the synchronous semiconductor integrated circuit device can be easily changed. Thereby, the optimum setup for another synchronous semiconductor integrated circuit device that exchanges data with the synchronous semiconductor integrated circuit device of the present invention,
A hold time, an access time, and a data hold time can be set, and the efficiency of system development including these synchronous semiconductor integrated circuits can be improved.

【0029】請求項2記載の同期型半導体集積回路装置
によれば、請求項1と同様な効果のほか、同期型半導体
集積回路装置のセットアップ、ホールド時間とアクセ
ス、データホールド時間をそれぞれ個別に、変更するこ
とができる。これにより、よりフレキシブルな同期型半
導体集積回路装置が実現できる。
According to the synchronous semiconductor integrated circuit device of the second aspect, in addition to the same effects as those of the first aspect, the setup, hold time and access, and data hold time of the synchronous semiconductor integrated circuit device are individually set. Can be changed. As a result, a more flexible synchronous semiconductor integrated circuit device can be realized.

【0030】請求項3記載の同期型半導体集積回路装置
によれば、請求項1と同様な効果がある。
According to the synchronous semiconductor integrated circuit device of the third aspect, the same effect as that of the first aspect is obtained.

【0031】請求項4記載の同期型半導体集積回路装置
によれば、請求項1と同様な効果がある。
According to the synchronous semiconductor integrated circuit device of the fourth aspect, the same effect as that of the first aspect is obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態における半導体集積回路
装置のブロック構成図である。
FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態における可変遅延回路の
ブロック構成図である。
FIG. 2 is a block diagram of a variable delay circuit according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施の形態における動作タイミング
波形図である。
FIG. 3 is an operation timing waveform chart according to the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施の形態における記憶回路のブロ
ック構成図である。
FIG. 4 is a block diagram of a storage circuit in one embodiment of the present invention.

【図5】従来例の半導体集積回路装置のブロック構成図
である。
FIG. 5 is a block diagram of a conventional semiconductor integrated circuit device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1−1〜1−n 入力回路 2−1〜2−n 可変遅延回路 5−1〜5−m 出力制御回路 1 入力回路 2−a 可変遅延回路 2−b 可変遅延回路 3 外部信号判定回路 4 内部論理回路 6 記憶回路 7 固定遅延回路 10 電源投入検知回路 11 入力ピンレベル判定回路 12 レジスタ 13 レジスタ出力回路 1-1 to 1-n input circuit 2-1 to 2-n variable delay circuit 5-1 to 5-m output control circuit 1 input circuit 2-a variable delay circuit 2-b variable delay circuit 3 external signal determination circuit 4 Internal logic circuit 6 Storage circuit 7 Fixed delay circuit 10 Power-on detection circuit 11 Input pin level judgment circuit 12 Register 13 Register output circuit

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第一の外部信号に同期して、複数の第二
の外部信号を入力するとともに複数の信号を出力する半
導体集積回路装置であって、 前記第一の外部信号および前記第二の外部信号を取り込
む入力回路と、 この入力回路の出力を遅延させることができる可変遅延
回路と、 前記第一の外部信号の前記可変遅延回路の出力に同期し
て前記第二の外部信号の前記可変遅延回路の出力の論理
レベルの判定を行う外部信号判定回路と、 前記入力回路で取り込んだ前記第一の外部信号および前
記外部信号判定回路の出力より所定の内部動作を行う内
部論理回路と、 この内部論理回路で得られた結果を第一の外部信号の前
記可変遅延回路の出力に同期して半導体集積回路外へ出
力する出力制御回路と、 プログラム可能な記憶回路とを備え、 前記記憶回路に記憶されている情報に応じ、複数の前記
可変遅延回路の遅延量が独立して変更できることを特徴
とする同期型半導体集積回路装置。
1. A semiconductor integrated circuit device that inputs a plurality of second external signals and outputs a plurality of signals in synchronization with a first external signal, wherein the first external signal and the second An input circuit that captures an external signal of; a variable delay circuit that can delay an output of the input circuit; and an output circuit of the second external signal in synchronization with an output of the variable delay circuit of the first external signal. An external signal determination circuit that determines a logic level of an output of the variable delay circuit; and an internal logic circuit that performs a predetermined internal operation from an output of the first external signal and the external signal determination circuit captured by the input circuit. An output control circuit for outputting a result obtained by the internal logic circuit to the outside of the semiconductor integrated circuit in synchronization with an output of the variable delay circuit of a first external signal; and a programmable storage circuit. Depending on the information stored in the circuit, a synchronous semiconductor integrated circuit device, characterized in that the delay amount of the plurality of the variable delay circuit can be changed independently.
【請求項2】 第一の外部信号の入力回路に接続された
可変遅延回路は、入力判定回路及び出力制御回路用の2
つの回路より構成される請求項1記載の同期型半導体集
積回路装置。
2. A variable delay circuit connected to an input circuit for a first external signal, comprising: a variable delay circuit for an input determination circuit and an output control circuit;
2. The synchronous semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein said synchronous semiconductor integrated circuit device comprises two circuits.
【請求項3】 記憶回路は、任意に書き換え可能な不揮
発性メモリを用いた請求項1記載の同期型半導体集積回
路装置。
3. The synchronous semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the storage circuit uses an arbitrarily rewritable nonvolatile memory.
【請求項4】 記憶回路は、電源投入時の、第二の外部
信号の電位の状態により書き換え可能なレジスタを用い
た請求項1記載の同期型半導体集積回路装置。
4. The synchronous semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the memory circuit uses a register that can be rewritten according to the state of the potential of the second external signal when the power is turned on.
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JP2008176929A (en) * 2008-04-14 2008-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Memory system and semiconductor integrated circuit

Cited By (2)

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JP4606477B2 (en) * 2008-04-14 2011-01-05 パナソニック株式会社 Memory system and semiconductor integrated circuit

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