JP2000266710A - Circuit board deterioration diagnostic device - Google Patents

Circuit board deterioration diagnostic device

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JP2000266710A
JP2000266710A JP11068625A JP6862599A JP2000266710A JP 2000266710 A JP2000266710 A JP 2000266710A JP 11068625 A JP11068625 A JP 11068625A JP 6862599 A JP6862599 A JP 6862599A JP 2000266710 A JP2000266710 A JP 2000266710A
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Japan
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circuit board
characteristic
power supply
supply voltage
data
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Japanese (ja)
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Yuji Minami
裕二 南
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Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve diagnosis precision and reliability by using a difference between an heating tendency to a power source voltage in a normal time and that in a deteriorated time for diagnosing deterioration of a mounted circuit board in a device using an electronic/electric part. SOLUTION: A thermal analyzer 1 is constructed of a heating characteristic extracting device 11 and a diagnostic means 12. A thermal analysis means 111 in the heating characteristic extracting device 11 inputs a transitionally varying thermal condition (a) of a mounting surface when a mounted circuit board is exited/actuated, and extracts a characteristic amount of the transitionally varying thermal condition. A heating characteristic extracting means 112 inputs an extracted characteristic amount (b) and connected to a characteristic data base 113 for inputting a normal value data (c) of a heating characteristic. From the characteristic amount (b) tendency data to a power source voltage and the normal value data (c), a heating characteristic (d) is extracted so as to be stored in the characteristic data base 113. The diagnostic means 12 inputs heating characteristic history data and a life characteristic data (e) outputted from the characteristic data base 113 so as to estimate presence/absence of deterioration and a life.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、実装回路基板及び
実装部品の熱解析に関わり,特に熱状態の特徴量から劣
化を診断することを特徴とする回路基板劣化診断装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermal analysis of a mounted circuit board and mounted components, and more particularly to a circuit board deterioration diagnosis apparatus which diagnoses deterioration from a characteristic amount of a thermal state.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、実装回路基板の熱解析による劣化
診断に関しては,特願平9−168925(発明名称:
実装基板の劣化診断方法および装置)と特願平10−0
18864(発明名称:熱画像解析方法及び装置)を既
に出願している。両者とも実装回路基板(単に実装基板
とも言う)が経年使用で劣化により実装表面の発熱状態
が変化する現象から診断するものである。
2. Description of the Related Art Conventionally, deterioration diagnosis by thermal analysis of a mounted circuit board has been disclosed in Japanese Patent Application No. 9-168925 (name of invention:
Method and apparatus for diagnosing deterioration of mounting board) and Japanese Patent Application No. Hei 10-0
18864 (invention name: thermal image analysis method and apparatus) has already been filed. In both cases, the diagnosis is made based on a phenomenon that the heat generation state of the mounting surface changes due to deterioration of the mounted circuit board (also simply referred to as a mounted board) due to aging.

【0003】前者は発熱の変化量を温度や熱画像から求
めたフラクタル次元(熱画像の画像濃度曲面の起伏の複
雑さを数値化したもの)を相関係数等で定量化し、その
トレンドから劣化を診断する装置である。また,後者は
熱分布の変化を熱画像から高感度に検出するために、フ
ラクタル次元を演算するためのスケールを最適に分割
し、その分割スケール範囲でフラクタル次元を演算する
こととした熱解析装置である。
The former quantifies a fractal dimension (a quantified complexity of undulation of an image density curved surface of a thermal image) obtained from a temperature or a thermal image in terms of a change in heat generation, and quantifies the fractal dimension by a correlation coefficient or the like, and degrades from the trend. Is a device for diagnosing. The latter is a thermal analysis device that optimally divides the scale for calculating the fractal dimension and calculates the fractal dimension within the divided scale range in order to detect changes in the heat distribution from the thermal image with high sensitivity. It is.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】これら2つの先願発明
では、実装回路基板は劣化しているが、その影響が大き
な発熱変化として現れない場合に、その劣化検出には限
界があるという欠点があった。それで、先の2つの先願
発明の効果を更に向上させるためには、正常時と劣化時
とで大きな発熱変化が生じる必要があった。
In these two prior inventions, the mounted circuit board is deteriorated, but when the influence does not appear as a large change in heat generation, there is a drawback that detection of the deterioration is limited. there were. Therefore, in order to further improve the effects of the first two inventions, it was necessary to generate a large change in heat generation between a normal state and a deteriorated state.

【0005】そこで本発明は、電気部品や電子部品を使
用する回路基板において、正常時と劣化時で異なる電源
電圧に対する発熱傾向を利用し、その傾向差から抽出で
きる温度の最大差分量等(大きな発熱変化を特徴付ける
諸量)から部品、又は部品を実装した実装回路基板の劣
化を高感度に検出し、診断精度を上げる回路基板劣化診
断装置を提供することを目的としている。
Accordingly, the present invention utilizes the tendency of heat generation for different power supply voltages in a normal state and a deteriorated state in a circuit board using an electric component or an electronic component, and extracts a maximum difference in temperature or the like (a large amount) from the tendency difference. It is an object of the present invention to provide a circuit board deterioration diagnosis apparatus which detects, with high sensitivity, deterioration of a component or a mounted circuit board on which the component is mounted from various amounts characterizing a change in heat generation, and improves diagnosis accuracy.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の回路基板劣化診
断装置は、電子部品または電気部品を使用する装置に対
して、電源電圧に対する発熱傾向が正常時と劣化時で異
なることを利用し、電子部品または電気部品を実装した
実装回路基板の劣化を診断することを特徴としており、
電源電圧に対する発熱傾向が正常時と劣化時で異なるこ
とを利用し、その最大差から得られる発熱特性の諸量を
劣化診断指標とするので、劣化検出感度が高く、かつ高
精度な診断が可能になる。
The circuit board deterioration diagnosis apparatus of the present invention utilizes the fact that the tendency of heat generation with respect to a power supply voltage differs between a normal state and a deterioration state with respect to an apparatus using electronic parts or electric parts. It is characterized by diagnosing the deterioration of a mounted circuit board on which electronic components or electrical components are mounted,
Utilizing the fact that the tendency of heat generation with respect to power supply voltage differs between normal time and deterioration, and using the amount of heat generation characteristics obtained from the maximum difference as a deterioration diagnosis index, high deterioration detection sensitivity and highly accurate diagnosis are possible. become.

【0007】また、本発明の回路基板劣化診断装置は、
実装回路基板を通電又は動作させた場合の実装表面の熱
状態経時データを入力し、熱状態経時データの特徴量を
抽出する熱解析手段と、実装回路基板の実装部品に供給
する電源電圧を可変として各電源電圧値で通電又は動作
させた場合の特徴量を熱解析手段から入力し電源電圧に
対する特徴量の傾向データと正常状態を表す手段と、電
源電圧に対する特徴量の傾向データから実装回路基板の
電源電圧に対する発熱特性を抽出する発熱特性抽出手段
とを備えたことを特徴としているので、実装回路基板の
実装部品に供給する電源電圧を可変として、各電源電圧
値で通電又は動作させた場合の特徴量を熱解析手段から
得て、電源電圧に対する特徴量の傾向データと正常状態
を表す「電源電圧に対する特徴量の傾向データ」とから
実装回路基板の電源電圧に対する発熱特性を抽出するこ
とができ、正常時と劣化時で最大差から得られる発熱特
性の諸量を抽出することができる。
[0007] The circuit board deterioration diagnosis apparatus of the present invention comprises:
Thermal analysis means for inputting thermal state temporal data of the mounting surface when the mounting circuit board is energized or operated, and extracting the characteristic amount of the thermal state temporal data, and variable power supply voltage supplied to the mounted components of the mounting circuit board Means for inputting the characteristic amount when energized or operated at each power supply voltage value from the thermal analysis means, and means for representing the characteristic amount trend data for the power supply voltage and the normal state, and the mounting circuit board from the characteristic amount trend data for the power supply voltage And a heat generation characteristic extracting means for extracting heat generation characteristics with respect to the power supply voltage of the power supply voltage. From the thermal analysis means, and based on the characteristic data trend data for the power supply voltage and the "characteristic trend data for the power supply voltage" indicating a normal state, the power of the mounted circuit board is determined. Can extract heat generation characteristic with respect to voltage, it is possible to extract the quantities of heat generation characteristics obtained from the maximum difference in the time degradation and normal.

【0008】さらに、本発明の回路基板劣化診断装置
は、電源電圧に対する特徴量の傾向データから実装回路
基板の電源電圧に対する発熱特性を抽出する発熱特性抽
出手段と、この発熱特性抽出手段で抽出した発熱特性を
格納するとともに抽出した発熱特性の履歴データ及び寿
命特性データを格納する特性データベースと、この特性
データベースに格納されたデータを入力し実装回路基板
の劣化有無及び寿命推定を行う診断手段と、を備えたこ
とを特徴とするので、発熱特性抽出装置で抽出した発熱
特性を診断指標として、実装回路基板の「劣化有無及び
寿命推定」を行うことができ、劣化有無の検出感度及び
寿命推定精度が向上する。
Further, in the circuit board deterioration diagnosis apparatus of the present invention, the heat generation characteristic extracting means for extracting the heat generation characteristic of the mounted circuit board with respect to the power supply voltage from the characteristic amount tendency data with respect to the power supply voltage, and the heat generation characteristic extraction means. A characteristic database for storing heat generation characteristics and storing history data and life characteristic data of the extracted heat generation characteristics, a diagnosis unit for inputting the data stored in the characteristic database and estimating whether or not the mounted circuit board has deteriorated and estimating the life, As a diagnostic index, the heat generation characteristics extracted by the heat generation characteristic extraction device can be used to perform “presence / absence and life estimation” of the mounted circuit board. Is improved.

【0009】さらに、本発明の回路基板劣化診断装置
は、抽出する発熱特性を正常状態を表す「電源電圧に対
する特徴量の傾向データ」と経年使用した実装回路基板
の「電源電圧に対する特徴量の傾向データ」間の最大差
分量とすることを特徴とするので、正常状態を表す「電
源電圧に対する特徴量の傾向データ」と経年使用した実
装回路基板の「電源電圧に対する特徴量の傾向データ」
間の最大差分量を抽出でき、かつ、最大差分量を診断指
標とした診断装置が提供できる。なおここで正常状態と
は診断対象である実装回路基板の正常時又は前記実装回
路基板と同種の正常品を意味している。
Further, the circuit board deterioration diagnosis apparatus of the present invention is characterized in that "the tendency data of the characteristic amount with respect to the power supply voltage" indicating the normal state of the heat generation characteristic to be extracted and "the tendency of the characteristic amount with respect to the power supply voltage" of the mounted circuit board used over time. It is characterized by the maximum difference between data, so that "the trend data of the characteristic amount with respect to the power supply voltage" indicating the normal state and "the trend data of the characteristic amount with respect to the power supply voltage" of the mounted circuit board used over time.
It is possible to provide a diagnostic device that can extract the maximum difference amount between the two and uses the maximum difference amount as a diagnostic index. Here, the normal state means a normal state of the mounted circuit board to be diagnosed or a normal product of the same type as the mounted circuit board.

【0010】さらに、本発明の回路基板劣化診断装置
は、発熱特性抽出装置において抽出する発熱特性を正常
状態を表す「電源電圧に対する特徴量の傾向データ」と
経年使用した実装回路基板の「電源電圧に対する特徴量
の傾向データ」間のすべての差分量とすることを特徴と
しているので、正常状態を表す「電源電圧に対する特徴
量の傾向データ」と経年使用した実装回路基板の「電源
電圧に対する特徴量の傾向データ」間のすべての差分量
を抽出でき、かつ差分量を診断指標とした診断装置が提
供できる。
Further, the circuit board deterioration diagnosis apparatus of the present invention is characterized in that the heat generation characteristics extracted by the heat generation characteristic extraction device are represented by "characteristic tendency data with respect to the power supply voltage" indicating a normal state and "power supply voltage of a mounted circuit board used over time. The characteristic amount is defined as all the differences between the characteristic amount tendency data and the characteristic amount tendency data with respect to the power supply voltage indicating the normal state. , The amount of difference between the “trend data” and the diagnostic device using the amount of difference as a diagnostic index can be provided.

【0011】さらに、本発明の回路基板劣化診断装置
は、発熱特性抽出装置において抽出する発熱特性を正常
状態を表す「電源電圧に対する特徴量の傾向データ」と
経年使用した前記実装回路基板の「電源電圧に対する特
微量の傾向データ」間の差分量を一定とした場合の電源
電圧幅とすることを特徴としているので、正常状態を表
す「電源電圧に対する特徴量の傾向データ」と経年使用
した実装回路基板の「電源電圧に対する特微量の傾向デ
ータ」間の差分量を一定とした場合の電源電圧幅を抽出
でき、かつ電源電圧幅を診断指標とした診断装置が提供
できる。
Further, the circuit board deterioration diagnosis apparatus according to the present invention is characterized in that the heat generation characteristic extracted by the heat generation characteristic extraction apparatus is "characteristic tendency data with respect to the power supply voltage" indicating a normal state, and the "power supply It is characterized by the power supply voltage width when the amount of difference between "extremely small amount of trend data with respect to voltage" is fixed, and "Tendency data of characteristic amount with respect to power supply voltage" indicating a normal state and mounted circuits used over time It is possible to provide a diagnostic apparatus that can extract the power supply voltage width when the amount of difference between the “extremely small amount of trend data with respect to the power supply voltage” of the substrate is constant and uses the power supply voltage width as a diagnostic index.

【0012】さらに、本発明の回路基板劣化診断装置
は、発熱特性抽出装置において抽出する発熱特性を正常
状態を表す「電源電圧に対する特徴量の傾向データ」と
経年使用した前記実装回路基板の「電源電圧に対する特
徴量の傾向データ」間の最大差分量を与える電源電圧値
とすることを特徴としたので、正常状態を表す「電源電
圧に対する特徴量の傾向データ」と経年使用した実装回
路基板の「電源電圧に対する特徴量の傾向データ」間の
最大差分量を与える電源電圧値を抽出でき,かつ電源電
圧値を診断指標とした診断装置が提供できる。
Further, the circuit board deterioration diagnosis apparatus according to the present invention is characterized in that the heat generation characteristic extracted by the heat generation characteristic extraction apparatus is represented by “characteristic tendency data with respect to the power supply voltage” indicating a normal state, and the “power supply It is characterized by the power supply voltage value that gives the maximum difference between the `` characteristic amount trend data on voltage '' and the `` characteristic amount trend data on power supply voltage '' indicating a normal state and the `` mounting circuit board '' It is possible to provide a diagnostic apparatus that can extract a power supply voltage value that gives the maximum difference amount between “the trend data of the characteristic amount with respect to the power supply voltage” and that uses the power supply voltage value as a diagnostic index.

【0013】さらに、本発明の回路基板劣化診断装置
は、発熱特性抽出装置において抽出する発熱特性を正常
状態を表す「電源電圧に対する特徴量の傾向データの変
化量」及び経年使用した実装回路基板の「電源電圧に対
する特徴量の傾向データの変化量」とすることを特徴と
するので、正常状態を表す「電源電圧に対する特徴量の
傾向データの変化量」及び経年使用した実装回路基板の
「電源電圧に対する特徴量の傾向データの変化量」を抽
出でき、かつ変化量を診断指標とした診断装置が提供で
きる。
Furthermore, the circuit board deterioration diagnosis apparatus of the present invention provides a heat characteristic extracted by the heat characteristic extracting device in a "change amount of characteristic data tendency data with respect to a power supply voltage" indicating a normal state and a mounted circuit board which has been used over time. Since it is characterized by "the amount of change in the tendency data of the characteristic amount with respect to the power supply voltage", the "amount of change in the tendency data of the characteristic amount with respect to the power supply voltage" indicating a normal state and the "power supply voltage of the mounted circuit board used over time" The amount of change in the tendency data of the characteristic amount with respect to "" can be extracted, and a diagnostic apparatus using the amount of change as a diagnostic index can be provided.

【0014】さらに、本発明の回路基板劣化診断装置
は、発熱特性抽出装置において抽出する発熱特性を正常
状態を表す「電源電圧に対する特徴量の傾向データ」と
経年使用した実装回路基板の「電源電圧に対する特徴量
の傾向データ」間の最大差分量を与える経年使用した実
装回路基板の「電源電圧に対する特徴量」とすることを
特徴とするので、正常状態を表す「電源電圧に対する特
徴量の傾向データ」と経年使用した実装回路基板の「電
源電圧に対する特徴量の傾向データ」間の最大差分量を
与える経年使用した実装回路基板の「電源電圧に対する
特徴量」を抽出でき、かつ特徴量を診断指標とした診断
装置が提供できる。
Further, the circuit board deterioration diagnosis apparatus of the present invention is characterized in that the heat generation characteristic extracted by the heat generation characteristic extraction device is represented by "characteristic tendency data on power supply voltage" indicating a normal state and "power supply voltage of a mounted circuit board used over time. The characteristic data for the power supply voltage, which represents the normal state, is characterized by the characteristic amount for the power supply voltage of the mounted circuit board used over time that gives the maximum difference between the characteristic data for the ”And“ Amount of characteristic for power supply voltage ”of a mounted circuit board that has been used over time that gives the maximum difference between“ Tendency data of characteristic amount with respect to power supply voltage ”of the mounted circuit board that has been used over time, and the characteristic amount can be used as a diagnostic index. The diagnostic device described above can be provided.

【0015】さらに、本発明の回路基板劣化診断装置
は、特性データベースに格納している寿命特性データを
実装回路基板の故障発生時間で正規化することで得られ
る寿命消費率に対する発熱特性とすることを特徴とする
ので、特性データベースに格納している寿命特性データ
を実装回路基板の故障発生時間で正規化することで得ら
れる寿命消費率に対する発熱特性とし、発熱特性による
寿命推定の特性モデルとして利用することができる。
Further, in the circuit board deterioration diagnosis apparatus of the present invention, the heat generation characteristic with respect to the life consumption rate obtained by normalizing the life characteristic data stored in the characteristic database by the failure occurrence time of the mounted circuit board. The life characteristics data stored in the characteristics database is normalized to the failure occurrence time of the mounted circuit board, and this is used as the heat generation characteristic for the life consumption rate, and used as a characteristic model for life estimation based on the heat generation characteristics. can do.

【0016】さらに、本発明の回路基板劣化診断装置
は、診断手段での劣化有無を発熱特性のしきい値判定で
行うこととし、診断対象である実装回路基板が同種品又
は測定環境条件でばらつく発熱特性を確率分布で表現
し、確率分布から決定した所定の誤差幅をしきい値とす
ることを特徴とするので、診断手段での劣化有無を発熱
特性のしきい値判定で行うこととし、診断対象である実
装回路基板が同種品又は測定環境条件でばらつく発熱特
性を確率分布で表現し、確率分布から決定した所定の誤
差幅をしきい値とし、統計的に正常でない場合(劣化)
を判定できる。
Further, in the circuit board deterioration diagnosis apparatus according to the present invention, the presence or absence of deterioration by the diagnosis means is determined by the threshold value determination of the heat generation characteristic, and the mounted circuit boards to be diagnosed vary depending on the same kind of product or measurement environment conditions. The heat generation characteristic is represented by a probability distribution, and a predetermined error width determined from the probability distribution is used as a threshold value. When the heat generation characteristic of the mounted circuit board to be diagnosed varies under the same kind of product or under measurement environment conditions is represented by a probability distribution, and a predetermined error width determined from the probability distribution is used as a threshold value, and when it is not statistically normal (deterioration)
Can be determined.

【0017】さらに、本発明の回路基板劣化診断装置
は、診断手段での寿命推定を寿命特性からA時間の経年
使用している実装回路基板の寿命消費率Bを決定し、余
寿命=A×{(1/B)−1}で示される数式から実装
回路基板の余寿命を推定することを特徴とするので、診
断手段での寿命推定を寿命特性からA時間の経年使用し
ている実装回路基板の寿命消費率Bを決定し、余寿命の
数式を適用することで、発熱特性から実装回路基板の余
寿命を推定することが可能になる。
Further, the circuit board deterioration diagnosis apparatus of the present invention determines the life consumption rate B of the mounted circuit board which has been used for A hours from the life characteristics by estimating the life by the diagnosis means. Since the remaining life of the mounted circuit board is estimated from a mathematical expression represented by {(1 / B) -1}, the life estimation by the diagnostic means is performed using the A circuit over time based on the life characteristic. By determining the life consumption rate B of the board and applying the equation of the remaining life, it becomes possible to estimate the remaining life of the mounted circuit board from the heat generation characteristics.

【0018】さらに、本発明の回路基板劣化診断装置
は、実装回路基板の正常または劣化で異なる電源電圧の
発熱傾向から求めた電源電圧値で、実装回路基板を通電
又は動作させた場合の実装表面の熱状態経時データを入
力し、熱状態経時データの特徴量を抽出する熱解析手段
と、この熱解析手段で抽出した特徴量を入力し特徴量と
劣化データとを比較照合して実装回路基板の劣化モード
を判定する劣化モード判定手段と、を備えたことを特徴
とするので、実装回路基板の正常または劣化で異なる電
源電圧の発熱傾向から求めた電源電圧値で実装回路基板
を通電又は動作させた場合の実装表面の熱状態の経時デ
ータを入力し、「熱状態の経時データ」の特徴量を抽出
することができ、正常時と比較して最大発熱差となる熱
状態の特徴量を抽出することができる。また、熱解析手
段で抽出した特徴量を入力し、特徴量と劣化データとを
比較照合して実装回路基板の劣化モードを判定するので
劣化モードを特定することが可能になる。
Further, the circuit board deterioration diagnosis apparatus of the present invention provides a mounting surface when a mounting circuit board is energized or operated with a power supply voltage value obtained from a heating tendency of a power supply voltage which differs depending on whether the mounting circuit board is normal or deteriorated. Thermal analysis means for inputting the thermal state temporal data and extracting the characteristic amount of the thermal state temporal data, and a characteristic amount extracted by the thermal analysis means and comparing and comparing the characteristic amount and the deterioration data with the mounting circuit board And a deterioration mode judging means for judging a deterioration mode of the mounting circuit board. By inputting the time-dependent data of the thermal state of the mounting surface in the case of the above, it is possible to extract the characteristic amount of the “time-dependent data of the thermal state”. Extraction Rukoto can. In addition, since the characteristic amount extracted by the thermal analysis unit is input and the characteristic amount is compared with the deterioration data to determine the deterioration mode of the mounted circuit board, the deterioration mode can be specified.

【0019】さらに、本発明の回路基板劣化診断装置
は、劣化データを「熱状態の測定環境条件」又は「同種
の正常品間」における特徴量のばらつき量以上に劣化モ
−ドを有する実装回路基板の特徴量が変化している場合
に「有意差あり」と判定し、変化のない場合に「有意差
なし」と判定して結果Aとする第1の劣化モード判定手
段と、経年使用している「実装回路基板と同種品」の特
徴量がばらつき量以上に変化している場合に「有意差あ
り」と判定し、変化していなければ「有意差なし」と判
定して結果Bとする第2の劣化モード判定手段と、結果
Aと結果Bを条件別試験毎の結果とすることを可能と
し、結果Aと結果Bとを比較照合し、劣化モードを判定
する第3の劣化モード判定手段と、を備えたことを特徴
とするので、劣化を特徴量の数値解釈で判断する必要が
なくなり、劣化判定のロバスト性が向上し、また条件別
試験毎の結果でもよしとするため、組み合わせ試験によ
る正確性の高い判定が可能になる。
Further, the circuit board deterioration diagnosis apparatus of the present invention provides a mounting circuit having a deterioration mode in which the deterioration data is equal to or more than the variation in the characteristic amount between "measurement environmental conditions of thermal state" or "between normal products of the same type". A first deterioration mode determining unit that determines that there is a significant difference when the feature amount of the substrate is changed, determines that there is no significant difference when there is no change, and obtains result A; If the characteristic amount of the “same product as the mounted circuit board” has changed more than the amount of variation, it is determined to be “significantly different”, and if not changed, it is determined to be “no significant difference” and the result B A second deterioration mode determining means, and a third deterioration mode for determining the deterioration mode by comparing the result A and the result B with the result A and the result B, and comparing the result A with the result B. And a judgment means. It is not necessary to determine a numerical interpretation amounts improves the robustness of the deterioration determination, and to a good even in the results of each condition by testing, allowing the determination of high accuracy by the combination study.

【0020】さらに、本発明の回路基板劣化診断装置
は、実装回路基板上の特定の実装部品のみを対象とする
発熱特性抽出装置を備えたことを特徴とするので、実装
状態の部品を非破壊で診断することが可能になる。
Further, the circuit board deterioration diagnosis apparatus of the present invention is characterized in that it has a heat generation characteristic extracting device for only a specific mounted component on the mounted circuit board, so that the mounted component is not destroyed. Can be diagnosed.

【0021】さらに、本発明の回路基板劣化診断装置
は、特徴量を熱分布の次元変化率又は次元定常値又は実
装部品の温度変化率又は定常温度とする発熱特性抽出装
置を備えたことを特徴とするので、熱状態の経時特性の
特徴を定量化でき、かつ装置の信頼性を向上させること
ができる。
Further, the circuit board deterioration diagnosis apparatus according to the present invention is characterized in that the apparatus has a heat generation characteristic extraction device for setting a characteristic amount to a dimensional change rate or a dimensional steady value of a heat distribution or a temperature change rate or a steady temperature of a mounted component. Therefore, it is possible to quantify the characteristics of the aging characteristics of the thermal state and improve the reliability of the device.

【0022】すなわち、本発明の回路基板劣化診断装置
はプリント基板の動作状態で発生する熱による温度の経
年変化により、プリント基板又は構成部品の劣化、故障
を判断する方法であって、プリント基板を定格電圧に対
して最大、最小電圧間で動作させ、各電圧での温度を測
定することにより、従来観察できなかった経年変化が検
出できるものである。
That is, the circuit board deterioration diagnosis apparatus of the present invention is a method for judging deterioration or failure of a printed circuit board or component parts based on the aging of temperature due to heat generated in the operation state of the printed circuit board. By operating between the maximum voltage and the minimum voltage with respect to the rated voltage and measuring the temperature at each voltage, it is possible to detect aging which could not be observed conventionally.

【0023】また温度の検出を温度分布濃淡画像のフラ
クタル次元により行なうことも−実施形態である。
It is also an embodiment of the present invention to detect the temperature based on the fractal dimension of the temperature distribution density image.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】次に本発明の回路基板劣化診断装
置の実施の形態を説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, an embodiment of a circuit board deterioration diagnosis apparatus according to the present invention will be described.

【0025】以下、本発明の実施の形態を図1に示す機
能ブロック図に基づいて説明する。電子・電気部品を実
装した実装回路基板において、熱解析手段111は実装
回路基板を通電又は動作させた場合の過渡変化する実装
表面の熱状態aを入力し、過渡変化する熱状態の特徴量
を抽出する手段である。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to a functional block diagram shown in FIG. In the mounted circuit board on which the electronic / electric components are mounted, the thermal analysis unit 111 inputs the transiently changing thermal state a of the mounting surface when the mounted circuit board is energized or operated, and calculates the characteristic amount of the transiently changing thermal state. It is a means to extract.

【0026】発熱特性抽出手段112は熱解析手段11
1に接続され、熱解析手段111において抽出した特徴
量bを入力し、また特性データベース113に接続さ
れ、特性データベース113から発熱特性の正常値デー
タcを入力する。そして電源電圧に対する特徴量bの傾
向データと正常値データcとから発熱特性dを抽出し、
データdを特性データベース113に格納する。
The heat generation characteristic extracting means 112 includes
1, the characteristic amount b extracted by the thermal analysis means 111 is input, and the characteristic value b is connected to the characteristic database 113, and normal value data c of the heat generation characteristic is input from the characteristic database 113. Then, a heat generation characteristic d is extracted from the tendency data of the characteristic amount b with respect to the power supply voltage and the normal value data c,
The data d is stored in the characteristic database 113.

【0027】特性データベース113は発熱特性抽出手
段112に接続され、発熱特性データ及び寿命特性デー
タを格納している。そして熱解析手段111と、発熱特
性抽出手段112と、特性データベース113とによっ
て発熱特性抽出装置11を構成している。
The characteristic database 113 is connected to the exothermic characteristic extracting means 112 and stores exothermic characteristic data and life characteristic data. The heat analysis unit 111, the heat generation characteristic extraction unit 112, and the characteristic database 113 constitute the heat generation characteristic extraction device 11.

【0028】診断手段12は特性データベース113か
ら出力された「発熱特性の履歴データ及び寿命特性デー
タ」eを入力し、「劣化有無及び寿命推定」fを行う手
段であり、発熱特性抽出装置11と診断手段12が連動
して動作して熱解析装置1を構成している。
The diagnosis means 12 is a means for inputting the "history data of heat generation characteristics and life characteristics data" e output from the characteristics database 113 and performing the "estimation of deterioration and life estimation" f. The diagnostic means 12 operates in conjunction with each other to configure the thermal analysis device 1.

【0029】(処理ステップ1)熱解析装置1は実装回
路基板を通電又は動作させた場合の過渡変化する実装表
面の熱状態aを入力し、過渡変化する熱状態aの特徴量
bを抽出する。この場合、実装回路基板とは電気・電子
部品を実装し、これら部品で電子・電気回路が構成され
た基板を言う。
(Processing Step 1) The thermal analysis apparatus 1 inputs a transiently changing thermal state a of the mounting surface when the circuit board is energized or operated, and extracts a characteristic amount b of the transiently changing thermal state a. . In this case, the mounted circuit board refers to a board on which electric / electronic parts are mounted and an electronic / electric circuit is formed by these parts.

【0030】図2は実装回路基板を示す模式図の一例で
ある。パッケージIC01〜IC05は半導体集積回路
チップを含む部品であり,すべての半導体関連集積回路
チップを含むパッケージを指す。抵抗R01〜R03お
よびコンデンサC01、C02はそれぞれ基板B01に
取り付けられた電子部品である。
FIG. 2 is an example of a schematic diagram showing a mounted circuit board. The packages IC01 to IC05 are components including a semiconductor integrated circuit chip, and indicate a package including all semiconductor-related integrated circuit chips. The resistors R01 to R03 and the capacitors C01 and C02 are electronic components mounted on the board B01.

【0031】本実施の形態において、実装回路基板の実
装表面の熱状態と言う場合には、図2に例示するように
基板B01の全体ばかりでなく、一部の領域AR1や部
品1個を含む領域AR2など、その実装表面の一部の領
域の熱状態aでも良い。すなわち実装回路基板全体ばか
りてなく、その一部だけを対象とする場合も含む。
In this embodiment, when referring to the thermal state of the mounting surface of the mounted circuit board, it includes not only the entire board B01 but also a partial area AR1 and one component as shown in FIG. The thermal state a of a partial area of the mounting surface such as the area AR2 may be used. In other words, not only the whole mounted circuit board but also a part thereof is included.

【0032】ここで領域AR2の場合には部品1個であ
るので、回路の一部を構成する部品を実装状態のまま診
断することを意味している。つまりこのAR2の場合に
は、実装回路基板の発熱特性抽出及び診断がこの実装部
品の発熱特性抽出及び診断を意味する。
Here, in the case of the area AR2, since there is only one component, it means that the diagnosis is performed on the components constituting a part of the circuit in the mounted state. That is, in the case of AR2, the extraction and diagnosis of the heat generation characteristic of the mounted circuit board means the extraction and diagnosis of the heat generation characteristic of the mounted component.

【0033】また図3に示すように、あらかじめ実装回
路基板に実装されている部品ではなく、部品単体の診断
を行いたい場合に、この部品(図3では半導体集積回路
パッケージIC06を例示)を通電又は動作させるため
に、必要ならば配線構成を行って基板に実装した基板B
02を実装回路基板に含むものとしている。
As shown in FIG. 3, when it is desired to diagnose not a component mounted on a mounting circuit board in advance but a component alone, the component (FIG. 3 exemplifies the semiconductor integrated circuit package IC06) is energized. Or a board B mounted on the board after wiring configuration if necessary
02 is included in the mounting circuit board.

【0034】すなわち電気・電子部品が基板に実装(半
田付け接続の有無は問わない)されていれば、これらす
べてを実装回路基板と本実施の形態では意味している。
That is, as long as the electric / electronic parts are mounted on the board (with or without soldering connection), all of these are meant in the mounted circuit board and the present embodiment.

【0035】次に特徴量bは、熱分布の次元変化率、次
元定常値、実装部品の温度変化率、および定常温度であ
る。次元変化率と定常次元に関しは従来のものと同じで
ある。また、過渡変化する熱分布の特徴量として、次元
変化率及び次元定常値が抽出できる他方法及び装置を使
用しても本実施例の実施は可能である。
Next, the characteristic amount b is a dimensional change rate of the heat distribution, a dimensional steady value, a temperature change rate of the mounted component, and a steady temperature. The dimension change rate and the stationary dimension are the same as the conventional one. In addition, the present embodiment can be implemented by using another method and apparatus that can extract a dimensional change rate and a dimensional steady-state value as a characteristic amount of a transiently changing heat distribution.

【0036】これら特徴量bの概念を図4、図5で説明
する。
The concept of the feature amount b will be described with reference to FIGS.

【0037】図4はプリント基板に通電し、一定時間経
過した時点での温度を測定するための測定時点の特定の
ためのグラフであり、実装回路基板を時間t1(電源O
N)〜時間t5まで通電し、時間t5以降は、入力信号
等を与えて動作させたときの実装部品の昇温FTを模式
(説明のための図)したものである。この模式図の特徴
は時間t5より以降、さらに温度上昇する点にある。
FIG. 4 is a graph for specifying the measurement time point for measuring the temperature at the time when a certain time has elapsed after the printed circuit board is energized.
N) to the time t5, and after the time t5, the temperature rise FT of the mounted component when operated by supplying an input signal or the like is schematically (illustration for illustration). The feature of this schematic diagram is that the temperature further rises after time t5.

【0038】温度変化率とは温度Tの時間変化率であ
る。温度Tが経過時間tに対して変化する任意の時間範
囲で計算できる。推奨は温度の立ち上がり付近の温度変
化率(周囲温度の影響が少ないため)であるが、時間変
化する範囲であれば任意に時間範囲を選択して良い。
The temperature change rate is a time change rate of the temperature T. It can be calculated in any time range in which the temperature T changes with respect to the elapsed time t. The recommendation is the temperature change rate near the rise of the temperature (because the influence of the ambient temperature is small), but any time range may be selected as long as the time changes.

【0039】例えば温度立ち上がり付近とは、時間に対
する温度変化の直線性が保たれる範囲(近似的にt1〜
t3間)である。その範囲で温度データを線形最小二乗
近似し、その近似直線XAの傾きを温度変化率θAとす
る。また,同図でt1〜t4、t2〜t4など、温度変
化する時間範囲を選択して、その範囲で温度データを線
形最小二乗近似し、その近似直線の傾きを温度変化率と
してもよい。さらに、動作開始点t5〜t6間の近似直
線XBから温度変化率θBを選んでも良い。なお温度変
化率を計算する時問範囲が図4に限定されるわけではな
い。
For example, the vicinity of the temperature rise refers to a range in which the linearity of the temperature change with respect to time is maintained (approximately t1 to t1).
(during t3). In this range, the temperature data is approximated by linear least squares, and the slope of the approximate line XA is defined as a temperature change rate θA. Alternatively, a time range in which the temperature changes, such as t1 to t4 and t2 to t4, may be selected, and the temperature data may be linearly least-squares-approximated in that range, and the slope of the approximate line may be used as the temperature change rate. Further, the temperature change rate θB may be selected from the approximate straight line XB between the operation start points t5 and t6. Note that the time range for calculating the temperature change rate is not limited to FIG.

【0040】次に定常温度は温度が定常状態に到った時
の温度である。図4では定常状態が2つあり、その定常
温度はTA,TBである。実際は定常付近の平均値でも
良い。この定常温度は周囲温度からの上昇温度の定常値
としても良い。
Next, the steady temperature is the temperature when the temperature reaches the steady state. In FIG. 4, there are two steady states, and the steady temperatures are TA and TB. In practice, the average value near the steady state may be used. This steady temperature may be a steady value of the temperature rise from the ambient temperature.

【0041】次元変化率及び次元定常値の概念は従来と
同様である。熱分布をフラクタル次元定で定量化し、熱
分布の過波変化もフテクタル次元の変化として表す。そ
の場合、フラクタル次元の時間変化率を次元変化率と呼
んでいる。またフラクタル次元が時間的に定常状態に到
ったときの値を次元定常値と呼んでいる。
The concepts of the dimension change rate and the dimension steady value are the same as those in the related art. The heat distribution is quantified by the fractal dimension constant, and the overwave change of the heat distribution is also expressed as the change of the fractal dimension. In that case, the time change rate of the fractal dimension is called a dimension change rate. A value when the fractal dimension reaches a steady state in time is called a dimension steady value.

【0042】図5で説明する。実装回路基板を通電又は
動作させたときの、過渡変化する実装表面の熱分布をフ
ラクタル次元FDで定量化する。定量化は従来の方法で
可能である。定量化した概念図が図5である。実装回路
基板の一定の動作条件で、フラクタル次元FDが減少す
るパターンF1、上昇するパターンF2、ある遅れ時間
後に上昇してくるパターンF3を示している。但し、パ
ターンがこの3つしかないというわけではなく、単なる
例示である。
Referring to FIG. The heat distribution on the mounting surface, which changes transiently when the mounting circuit board is energized or operated, is quantified by the fractal dimension FD. Quantification is possible with conventional methods. FIG. 5 shows a quantified conceptual diagram. A pattern F1 in which the fractal dimension FD decreases, a pattern F2 in which the fractal dimension FD increases, and a pattern F3 in which the fractal dimension FD increases after a certain delay time are shown under a certain operating condition of the mounted circuit board. However, the pattern is not limited to these three, but is merely an example.

【0043】これらのパターンに対して、例えば次元変
化率は立ち上がり付近の時間t7〜t9間の線形最小二
乗近似した近似直線XC,XDの傾告θC、θD、また
t10〜t12間の近似直線XEの傾きθEを次元変化
率とする。温度変化率の場合と同様にこれは推奨範囲で
ある。しかし、一般に温度変化率の場合と同様に、任意
の時間範囲を選んで良い。例えばt8〜t9、t11〜
t12間などである。さらに、動作条件を変えて発熱変
化する時間t13からフラクタル次元FDも変化するの
で、この場合、時間t13〜t14間の近似直線XFの
傾きθFを次元変化率とすることもできる。なお、次元
変化率を計算する時間範囲は図5に限定されないことは
言うまでもない。
With respect to these patterns, for example, the dimensional change rates are the linear approximation lines XC and XD obtained by linear least-squares approximation between times t7 and t9 near the rise, and the approximation lines XE and XD between t10 and t12. Is the dimensional change rate. This is a recommended range, as is the case with the rate of temperature change. However, as in the case of the temperature change rate, an arbitrary time range may be generally selected. For example, t8 to t9, t11 to
For example, during t12. Furthermore, since the fractal dimension FD also changes from the time t13 at which the heat generation changes by changing the operating conditions, in this case, the gradient θF of the approximate straight line XF between the times t13 and t14 can be used as the dimensional change rate. It is needless to say that the time range for calculating the dimensional change rate is not limited to FIG.

【0044】図5は3つの異なるスケールで測定したフ
ラクタル次元を示すグラフであり、図6、7はその実測
値グラフである。次元定常値は図5ではYC、YD、Y
E、YFが示すフラクタル次元FD値である。実際は定
常近傍の平均値でも良い。従来の方法及び装置で熱分布
の過渡変化を定量化したフラクタル次元FDデータの実
例を図6、図7に示す。F4、F5、F6はフラクタル
次元を計算するスケール範囲を分割して計算したデータ
である。このスケール分割法は従来の方法及び装置で開
示した方法である。なお、図6はVmin〜Vmaxに
対する正常ICと劣化ICとのフラクタルグラフであ
る。
FIG. 5 is a graph showing fractal dimensions measured at three different scales, and FIGS. 6 and 7 are graphs of actual measured values. The dimensional steady values are YC, YD, Y in FIG.
It is a fractal dimension FD value indicated by E and YF. Actually, the average value near the steady state may be used. FIGS. 6 and 7 show examples of fractal dimension FD data obtained by quantifying transient changes in heat distribution by a conventional method and apparatus. F4, F5, and F6 are data calculated by dividing the scale range for calculating the fractal dimension. This scale division method is the method disclosed in the conventional method and apparatus. FIG. 6 is a fractal graph of a normal IC and a deteriorated IC with respect to Vmin to Vmax.

【0045】(処理ステップ2)発熱特性抽出手段11
2では発熱特性を抽出する。
(Processing step 2) Heat generation characteristic extracting means 11
In step 2, heat generation characteristics are extracted.

【0046】まず、発熱特性を得るための対象データを
説明する。対象データは熱解析手段111の出力値であ
る。この出力値は実装回路基板の実装部品に供給する電
源電圧を可変とし、各電源電圧値で通電・動作させた場
合の過渡変化する実装表面の熱状態aに対し、熱解析手
段111で抽出した全特徴量である。これらは電源電圧
に対する特徴量bの傾向データとなる。
First, target data for obtaining heat generation characteristics will be described. The target data is an output value of the thermal analysis unit 111. This output value is obtained by making the power supply voltage supplied to the mounted components of the mounting circuit board variable, and extracting the thermal state a of the mounting surface that changes transiently when energized and operated at each power supply voltage value by the thermal analysis unit 111. These are all features. These become trend data of the characteristic amount b with respect to the power supply voltage.

【0047】次に電源電圧Vに対する特徴量Pの傾向を
図8に模式的に示す。
FIG. 8 schematically shows the tendency of the characteristic amount P with respect to the power supply voltage V.

【0048】図8において実装回路基板が正常である場
合の傾向が曲線N、熱解析手段111で抽出した経年使
用している実装回路基板の傾向が曲線ANとする。ここ
で、曲線Nは実装回路基板と同種の正常品で代用しても
よい。曲線ANは特徴量bを各電源電圧Vに対してグラ
フ上にプロットすることで作成する。電源電圧は実装部
品が動作可能な最低電源電圧Vmin〜最大定格電圧V
maxまでの範囲とする。この図8の正常値曲線Nのデ
ータcはあらかじめ熱解析手段111で抽出したもので
ある。このデータは特性データベース113に予め格納
しておき、発熱特性抽出手段112の動作時に特性デー
タベース113からこの正常値データcを取り出す。
In FIG. 8, a curve N indicates a tendency when the mounted circuit board is normal, and a curve AN indicates a tendency of the mounted circuit board used over time extracted by the thermal analysis means 111. Here, the curve N may be replaced with a normal product of the same type as the mounted circuit board. The curve AN is created by plotting the characteristic amount b with respect to each power supply voltage V on a graph. The power supply voltage ranges from the minimum power supply voltage Vmin to the maximum rated voltage V at which the mounted component can operate.
max. The data c of the normal value curve N in FIG. 8 is extracted in advance by the thermal analysis unit 111. This data is stored in the characteristic database 113 in advance, and the normal value data c is extracted from the characteristic database 113 when the heat generation characteristic extracting unit 112 operates.

【0049】図8の実データを図10〜図13に示す。
図9〜図13は具体的なオペアンプのフラクタル次元グ
ラフの実例であり、特定の動作電圧において正常部品と
劣化部品とのフラクタル次元値の差が現れることがわか
る。
The actual data of FIG. 8 is shown in FIGS.
9 to 13 are actual examples of fractal dimension graphs of specific operational amplifiers, and it can be seen that a difference in fractal dimension value between a normal component and a deteriorated component appears at a specific operating voltage.

【0050】図10は図9の実装回路基板を9V、11
V、13V、15Vで動作(入力信号は矩形波+10〜
−10V、200mHz)させた時に、半導体集積回路
(ここではオペアンプWを使っている)のパッケージ表
面の過渡変化する温度から抽出した温度変化率P2をプ
ロットした実データである。
FIG. 10 shows the mounting circuit board of FIG.
Operates at V, 13V, 15V (input signal is square wave +10
This is actual data plotting a temperature change rate P2 extracted from a transiently changing temperature on the package surface of a semiconductor integrated circuit (here, an operational amplifier W is used) when -10V and 200 mHz are applied.

【0051】図9はオペアンプW、抵抗R1(2M
Ω)、R2(2KΩ)、コンデンサC1(静電容量0.
1μF又は0.22μF)からなる回路基板である。
FIG. 9 shows an operational amplifier W and a resistor R1 (2M
Ω), R2 (2 KΩ), capacitor C1 (capacitance 0.
1 F or 0.22 F).

【0052】図11は図9の実装回路基板を9V、11
V、13V,15Vで動作(入力信号は矩形波+10〜
−10V、200mHz)させた時に,半導体集積回路
のパッケージ表面の過渡変化する温度から抽出した定常
温度P3をプロット(周囲温度からの温度上昇値をプロ
ットしている)した実データである。
FIG. 11 shows the mounting circuit board of FIG.
Operates at V, 13V, 15V (input signal is square wave +10
This is actual data obtained by plotting the steady-state temperature P3 extracted from the transiently changing temperature on the package surface of the semiconductor integrated circuit when (−10 V, 200 mHz) is applied (a temperature rise value from the ambient temperature is plotted).

【0053】図12は図9の実装回路基板を9V、11
V、13V、15Vで動作させた時に、その過渡変化す
る回路基板全体の熱分布から次元変化率P4を抽出し、
プロットしたものである。また図13は図9の実装回路
基板を9V、11V、13V、15Vで動作させた時
に、その過渡変化する回路基板全体の熱分布から次元定
常値P5を抽出し、プロットしたものである。
FIG. 12 shows the mounting circuit board of FIG.
When operated at V, 13V, and 15V, the dimension change rate P4 is extracted from the heat distribution of the entire circuit board that changes transiently,
It is a plot. FIG. 13 is a plot of the dimensional steady-state value P5 extracted from the heat distribution of the entire circuit board that changes transiently when the mounted circuit board of FIG. 9 is operated at 9 V, 11 V, 13 V, and 15 V.

【0054】また、図10〜図13では、それぞれのデ
ータの条件を次の通りとしている。 A:正常品の半導体集積回路、静電容量0.1μFのコ
ンデンサの実装時 B:正常品の半導体集積回路、静電容量0.22μFの
コンデンサの実装時 C:劣化品1の半導体集積回路,静電容量0.22μF
のコンデンサの実装時 D:劣化品2の半導体集積回路,静電容量0.22μF
のコンデンサの実装時の条件で、電源電圧及び入力信号
をONし、熱状態を測定(測定は15秒間隔)し、熱解
析手段111で特徴量を抽出している。
In FIGS. 10 to 13, the conditions of each data are as follows. A: When a normal semiconductor integrated circuit and a capacitor with a capacitance of 0.1 μF are mounted B: A normal semiconductor integrated circuit and when a capacitor with a capacitance of 0.22 μF is mounted C: A semiconductor integrated circuit with a deteriorated product 1 Capacitance 0.22μF
D: deteriorated product 2 semiconductor integrated circuit, capacitance 0.22 μF
The power supply voltage and the input signal are turned on under the conditions at the time of mounting the capacitor, the thermal state is measured (measurement is performed at intervals of 15 seconds), and the characteristic amount is extracted by the thermal analysis unit 111.

【0055】また半導体集積回路の劣化品は高温、高湿
の恒温槽内に通電した状態に長時間設置し劣化させたも
のである。(劣化品が2個あるので劣化品1、2と区別
して表記している) 図10〜図13から明らかなように、半導体集積回路は
劣化すると、電源電圧Vに対する発熱特性(A、Bデー
タと他データ間に大きな差が見られる。)が変わってく
る。本発明はこの特徴を利用するものである。尚、図1
0〜図13は半導体集積回路の一例としてオペアンプの
実データを示しているがオペアンプに限定されるもので
はない。すべての半導体関運の集積回路を対象とする。
Further, the deteriorated semiconductor integrated circuit is one that has been deteriorated by being installed in a high-temperature, high-humidity constant-temperature bath for a long period of time while being energized. (Since there are two deteriorated products, they are distinguished from deteriorated products 1 and 2.) As is clear from FIGS. 10 to 13, when the semiconductor integrated circuit deteriorates, the heat generation characteristics (A, B data And a big difference is seen between other data.) The present invention takes advantage of this feature. FIG.
FIGS. 0 to 13 show actual data of the operational amplifier as an example of the semiconductor integrated circuit, but the present invention is not limited to the operational amplifier. It covers all semiconductor-related integrated circuits.

【0056】発熱特性抽出手段112では、図8のデー
タから電源電圧に対する発熱特性を抽出する。抽出する
発熱特性は以下の通りである。
The heat generation characteristic extracting means 112 extracts heat generation characteristics for the power supply voltage from the data shown in FIG. The exothermic characteristics to be extracted are as follows.

【0057】・電源電圧Vに対する正常品(又は正常
時)データNとデータANの最大差分量ΔPmax値 ・電源電圧Vに対する正常品(又は正常時)データNと
データANのすべての差分量ΔPの特性 ・差分量ΔPが一定の場合の電源電圧幅ΔV ・最大差分量ΔPmax値を与える電源電圧V0 ・電源電圧Vに対する曲線Nと曲線ANの変化量ΔPV
(図8はPV1〜PV2、PV2〜PV3、PV1〜P
V3、PV11〜PV21、PV21〜PV31、PV
11〜PV31間の特徴量Pの変化量である。但しこれ
は例示である。任意の間で特徴量Pの変化量をとって良
い。また変化量だけでなく変化率も抽出対象としても良
い。) ・電源電圧VOのときの曲線AN上の特徴量Pvoの値
以上の発熱特性データ以上の発熱特性データdを特性デ
ータベース113に格納する。
The maximum difference ΔPmax value between the normal product (or normal) data N and the data AN with respect to the power supply voltage V ・ The total difference ΔP between the normal product (or normal) data N and the data AN with respect to the power supply voltage V Characteristics • Power supply voltage width ΔV when difference ΔP is constant • Power supply voltage V0 giving maximum difference ΔPmax value • Change ΔPV between curves N and AN with respect to power supply voltage V
(FIG. 8 shows PV1 to PV2, PV2 to PV3, PV1 to P
V3, PV11-PV21, PV21-PV31, PV
This is a change amount of the feature amount P between 11 and PV31. However, this is only an example. The change amount of the feature amount P may be taken between arbitrary times. Further, not only the amount of change but also the rate of change may be extracted. The heat generation characteristic data d equal to or larger than the heat characteristic data equal to or larger than the value of the characteristic amount Pvo on the curve AN at the time of the power supply voltage VO is stored in the characteristic database 113.

【0058】発熱特性抽出手段112では、経年使用し
ている実装回路基板の各経年時期毎に本実施例装置で抽
出した上記発熱特性データにより、以下の履歴データを
逐次更新する。履歴データは特性データベース113に
格納されている。
The heat generation characteristic extracting means 112 sequentially updates the following history data based on the heat generation characteristic data extracted by the apparatus of this embodiment at each aging time of the mounted circuit board used over time. The history data is stored in the characteristic database 113.

【0059】・最大差分量ΔPmaxの履歴データ ・差分量ΔP、電源電圧V、時間の関係データ ・電源電圧幅ΔVの履歴データ ・電源電圧V0の履歴データ ・電源電圧Vに対する曲線ANの変化量ΔPVの履歴デ
ー夕 ・電源電圧V0のときの曲線AN上の特徴量Pvoの履
歴データ 発熱特性抽出手段112では、実装回路基板の電源電圧
を可変として、各電源電圧で通電又は動作させたときの
熱データを熱解析手段111で処理した結果(特徴量
b)が必要である。
History data of the maximum difference amount ΔPmax data relating to the difference amount ΔP, the power supply voltage V, and time history data of the power supply voltage width ΔV history data of the power supply voltage V0 change amount ΔPV of the curve AN with respect to the power supply voltage V The history data of the characteristic amount Pvo on the curve AN at the time of the power supply voltage V0 The heat generation characteristic extracting means 112 makes the power supply voltage of the mounted circuit board variable, and the heat generated when the power supply voltage is applied or operated at each power supply voltage. The result (feature b) of processing the data by the thermal analysis means 111 is required.

【0060】以下,電源電圧可変方法を述べる。Hereinafter, a method of varying the power supply voltage will be described.

【0061】電源電圧を可変とし、各電圧値の動作時の
熱データを必要とするのは、半導体集積回路の正常時と
劣化時において、電源電圧に対して異なる発熱傾向から
種々の発熱特性を抽出し、これが有用な診断情報として
利用できるからである。
The reason why the power supply voltage is variable and the thermal data during the operation of each voltage value is required is that the semiconductor integrated circuit has various heat generation characteristics due to different heat generation tendency with respect to the power supply voltage when the semiconductor integrated circuit is normal and when it is deteriorated. This is because it can be used as useful diagnostic information.

【0062】実装回路基板において、実装状態の半導休
集積回路の劣化状態を見るためには、半導体集積回路に
供給する電源電圧を外部から可変とする事ができる必要
がある。
In order to check the state of deterioration of the mounted semiconductor integrated circuit on the mounted circuit board, it is necessary that the power supply voltage supplied to the semiconductor integrated circuit can be made variable from the outside.

【0063】(方法1) 実装回路基板の回路内に定電
圧電源回路等がなく、外部の電源から回路基板上の半導
体集積回路に必要な電圧を直接供給する形態(半導体集
積回路を例えばDC5Vで通電する場合、そのDC5V
を外部定電圧電源から直接得る形)では、外部定電圧電
源の出力値を手動て調整する方法がある。またDC電圧
発生器から半導体集積回路への電源電圧の供給を受ける
場合、計算機等による自動リモート操作で電圧値を可変
とする方法もある。また外部電源ど実装回路基板の間に
電圧可変器(最も簡単には可変抵抗器)等を挿入し、手
動または自動で操作しても良い。
(Method 1) An embodiment in which a constant voltage power supply circuit or the like is not provided in the circuit of the mounting circuit board, and a necessary voltage is directly supplied from an external power supply to the semiconductor integrated circuit on the circuit board (for example, when the semiconductor integrated circuit is DC 5 V When energized, its DC5V
Is obtained directly from an external constant voltage power supply), there is a method of manually adjusting the output value of the external constant voltage power supply. When a power supply voltage is supplied from a DC voltage generator to a semiconductor integrated circuit, there is a method of changing a voltage value by automatic remote operation by a computer or the like. Alternatively, a voltage variable device (variable resistor, in the simplest case) or the like may be inserted between the external power supply and the mounting circuit board, and may be operated manually or automatically.

【0064】(方法2) 実装回路基板の回路内に定電
圧電源回路等がある場合、この電源回路の出力が直接、
実装半導体集積回路の電源として供給される。この場
合、外部電源を可変にしても、実装回路基板の定電圧電
源回路で出力電圧は一定に保たれるため、実装半導体集
積回路の電源電圧を可変にすることができない。そこ
で、予め実装回路基板の電源回路を可変電圧可能な構成
として作り込んでおく。例えば可変型電源電圧回路を使
用するか、定電圧回路の出力側に可変抵抗を接続する方
法がある。両者いずれにしても手動又はリモートで操作
する。手動では回路基板上の可変抵抗の可変操作部で直
接調整する方法が最も簡単である。この場合、可変電圧
値が分かるように、可変抵抗器の操作部に可変電圧値の
目盛りを付すなどすると使い易い。
(Method 2) When there is a constant voltage power supply circuit or the like in the circuit of the mounting circuit board, the output of this power supply circuit is directly
It is supplied as power for the mounted semiconductor integrated circuit. In this case, even if the external power supply is made variable, the output voltage is kept constant by the constant voltage power supply circuit of the mounting circuit board, so that the power supply voltage of the mounted semiconductor integrated circuit cannot be made variable. Therefore, the power supply circuit of the mounting circuit board is created in advance as a configuration capable of variable voltage. For example, there is a method of using a variable power supply voltage circuit or connecting a variable resistor to the output side of the constant voltage circuit. In either case, the operation is performed manually or remotely. The simplest method is to adjust it manually by using the variable operation section of the variable resistor on the circuit board. In this case, it is easy to use if the operation section of the variable resistor is provided with a scale of the variable voltage value so that the variable voltage value can be recognized.

【0065】(処理ステップ3)特性データベース11
3は発熱特性の履歴データど寿命特性データを格納して
いる。寿命特性データについて説明する。寿命特性デー
タは次の6つである。これら寿命特性データは試験値又
はフィールドデータ(稼働している装置の実装回路基板
の定期的な検査時に行った熱解析データ)から得る。
(Processing Step 3) Characteristic Database 11
Numeral 3 stores life characteristic data such as history data of heat generation characteristics. The life characteristic data will be described. There are the following six life characteristic data. These life characteristic data are obtained from test values or field data (thermal analysis data performed during a periodic inspection of a mounted circuit board of an operating device).

【0066】・寿命消費率に対する最大差分量ΔPma
xデータ ・差分量ΔP、電源電圧V、寿命消費率の関係データ ・寿命消費率に対する電源電圧幅ΔVデータ ・寿命消費率に対する電源電圧V0データ ・寿命消費率に対する変化量ΔPVデー夕 ・寿命消費率に対する特徴量Pvoデー夕 まず、寿命消費率に対する最大差分量ΔPmaxデータ
を図14、図15に基づき説明する。図14はΔPma
x値の経年変化グラフで、図15の右側はこれをTE4
で正規化した寿命グラフである。
The maximum difference ΔPma with respect to the life consumption rate
x data ・ Data related to difference ΔP, power supply voltage V, life consumption rate ・ Power supply voltage width ΔV data for life consumption rate ・ Power supply voltage V0 data for life consumption rate ・ Change ΔPV data for life consumption rate ・ Life consumption rate First, the maximum difference ΔPmax data with respect to the life consumption rate will be described with reference to FIGS. 14 and 15. FIG. 14 shows ΔPma
15 is a graph showing the secular change of the x value.
7 is a life graph normalized by.

【0067】実装回路基板を試験的に劣化させ故障に到
るまでにある周期で熱解析した結果とする。試験的と
は、例えば電子部品の信頼性試験で行われる温湿度スト
レス試験、電圧ストレス試験等であり、劣化を加速させ
る試験てあれば何でも良い。
The result of thermal analysis is performed at a certain period before the mounted circuit board is deteriorated on a test basis and a failure occurs. The test is, for example, a temperature / humidity stress test, a voltage stress test, or the like performed in a reliability test of an electronic component, and any test may be used as long as the test accelerates deterioration.

【0068】同図は試験時間TEと最大差分量ΔPma
xのグラフである。各試験時間TE1、TE2、TE
3、TE4で劣化進行した実装回路基板の熱解析を熱解
析手段111及び手段112で行なう。そして、抽出し
た各時間TEにおける最大差分量ΔPmaxを示す。
The figure shows the test time TE and the maximum difference ΔPma.
It is a graph of x. Each test time TE1, TE2, TE
3. Thermal analysis of the mounted circuit board that has deteriorated in TE4 is performed by the thermal analysis means 111 and 112. The maximum difference amount ΔPmax at each extracted time TE is shown.

【0069】そのプロット点を結んだ線(又は、直線、
曲線近似したもの)が最大差分量ΔPmaxの時間特性
データ系列FPEである。また試験時間TE4において
実装回路基板に故障が発生したものとする。但しTE4
を故障発生の直前時間、又は故障発生時よりーつ手前の
時間点(図14ではTE3の時点)で代用してもよい。
以後の全文においてTE4はこの但し書きの場合も含む
ものとして説明している。
A line connecting the plot points (or a straight line,
The curve characteristic approximation) is the time characteristic data series FPE of the maximum difference amount ΔPmax. It is also assumed that a failure has occurred in the mounted circuit board during the test time TE4. However, TE4
May be substituted at the time immediately before the occurrence of the failure or at a time point immediately before the occurrence of the failure (the point of time TE3 in FIG. 14).
In the following entire text, TE4 is described as including the case of this proviso.

【0070】故障発生時の最大差分量ΔPmaxをΔP
2とする。
The maximum difference ΔPmax at the time of occurrence of a fault is represented by ΔP
Let it be 2.

【0071】この試験データから寿命消費率に対する最
大差分量ΔPmaxデータFPLを作成し、次式から寿
命消費率を計算する。
The maximum difference ΔPmax data FPL with respect to the life consumption rate is created from the test data, and the life consumption rate is calculated from the following equation.

【0072】 寿命消費率TL=各試験時間TE/故障発生時間TE4.....(1) 図14の試験時間軸TEを(1)式の寿命消費率TLに
置き換えることで,寿命消費率に対する最大差分量ΔP
maxデータFPLが作成される。図15の右側のグラ
フがこれに相当する。
Life consumption rate TL = each test time TE / fault occurrence time TE4. . . . . (1) By replacing the test time axis TE in FIG. 14 with the life consumption rate TL of the equation (1), the maximum difference ΔP
The max data FPL is created. The graph on the right side of FIG. 15 corresponds to this.

【0073】次に差分量ΔP、電源電圧V、および寿命
消費率の関係データを図16に基づき説明する。図16
も図14の場合と同様に、実装回路基板を試験的に劣化
させ故障に到るまでにある周期で熱解析した結果とす
る。「試験的」の意味は図14での説明と同様である。
即ち電源電圧V、差分量ΔP、時間TEのグラフであ
る。ここで時間TEは試験時間TEである。時間TE1
4,TE15,TE16,TE17で劣化進行した実装
回路基板の熱解析を熱解析手段111及び発熱特性抽出
手段112で行う。そして抽出した各時間TEにおける
電源電圧Vに対する差分量ΔPをプロットした様子を示
す。
Next, the relationship data between the difference ΔP, the power supply voltage V, and the life consumption rate will be described with reference to FIG. FIG.
Also, as in the case of FIG. 14, it is assumed that the mounted circuit board is experimentally deteriorated and a thermal analysis is performed at a certain period until a failure occurs. The meaning of “experimental” is the same as that described with reference to FIG.
That is, it is a graph of the power supply voltage V, the difference ΔP, and the time TE. Here, the time TE is the test time TE. Time TE1
4, the thermal analysis of the mounted circuit board that has deteriorated in TE15, TE16, and TE17 is performed by the thermal analysis unit 111 and the heat generation characteristic extraction unit 112. A state where the difference ΔP with respect to the power supply voltage V at each extracted time TE is plotted is shown.

【0074】そのプロット点を結んだ線(又は曲線近似
したもの)が電源電圧Vに対する正常品(又は正常時)
データNとデータANの差分量ΔPの特性データ系列で
ある。また試験時間TE17において実装回路基板に
(図14の試験時間TE14の但し書き説明「故障発生
直前、一つ前の時点」と同様の意味をTE17も有す)
が発生したものとする。また電源電圧Vは実装回路基板
力慟作する最低電圧から最大定格電圧までの範囲として
いる。
A line (or a curve approximation) connecting the plot points is a normal product (or a normal product) with respect to the power supply voltage V.
This is a characteristic data series of a difference ΔP between data N and data AN. At the test time TE17, the printed circuit board is mounted on the mounted circuit board (TE17 also has the same meaning as the proviso description of the test time TE14 in FIG.
Is assumed to have occurred. The power supply voltage V ranges from the lowest voltage required by the mounted circuit board to the maximum rated voltage.

【0075】この試験データから寿命消費率に対する
「差分量ΔP、電源電圧V、寿命消費率の関係データ」
を作成する。次式から寿命消費率を計算する。
From this test data, “Relationship data of difference ΔP, power supply voltage V, life consumption rate” for life consumption rate
Create The life consumption rate is calculated from the following equation.

【0076】 寿命消費率=各試験時間TE/故障発生時間TE17.....(2) 図16の試験時間TEを(2)式の寿命消費率に置き換
えることで、「差分量ΔP、電源電圧V、および寿命消
費率の関係データ」となる。
Life consumption rate = each test time TE / failure occurrence time TE17. . . . . (2) By replacing the test time TE of FIG. 16 with the life consumption rate of the equation (2), “relation data of the difference ΔP, the power supply voltage V, and the life consumption rate” is obtained.

【0077】次に寿命消費率に対する電源電圧幅ΔVデ
−タを図16、図17に基づき説明する。そして寿命消
費率に対する電源電圧幅ΔVデータを得るために、図1
6から図17を作成する。図16で差分量ΔPを一定と
した場合の電源電圧幅ΔVを計算する。いまこの一定値
をΔP3とすると、L2線と各試験時間TEデータが交
差する電源電圧幅を計算する。
Next, the power supply voltage width ΔV data with respect to the life consumption rate will be described with reference to FIGS. In order to obtain the power supply voltage width ΔV data with respect to the life consumption rate, FIG.
FIG. 17 is created from FIG. In FIG. 16, the power supply voltage width ΔV when the difference ΔP is constant is calculated. Assuming that this constant value is ΔP3, the power supply voltage width at which the L2 line intersects with each test time TE data is calculated.

【0078】時間TE14データではV4〜V5間の電
圧幅ΔV1 時間TE15データではV3〜V6間の電圧幅ΔV2 時間TE16データではV2〜V7間の電圧幅ΔV3 時間TE17データではV1〜V8間の電圧幅ΔV4 となる。これを試験時間TEに対してプロットしたもの
が図17としている。
In the time TE14 data, a voltage width ΔV1 between V4 and V5. In the time TE15 data, a voltage width ΔV2 between V3 and V6. In the time TE16 data, a voltage width ΔV3 between V2 and V7. In the time TE17 data, a voltage width between V1 and V8. ΔV4. FIG. 17 is a plot of this against the test time TE.

【0079】ここでΔP3の選び方としては、例えば故
障発生時間TE17のデータに対しL2ラインを上下に
動かして、とり得る最大電源電圧幅を与えるL2ライン
の位置の差分量ΔPを選ぶ(但しこの選び方は限定では
なく,自由に選んで良い)。
Here, as a method of selecting ΔP3, for example, by moving the L2 line up and down with respect to the data of the failure occurrence time TE17, a difference amount ΔP of the position of the L2 line that gives the maximum possible power supply voltage width is selected (however, this selection method is used). Is not limited and can be freely selected).

【0080】またこのΔP3を劣化判定値としてもよ
い。劣化判定値の決め方として例えば多数の正常品の曲
線N間におけるΔPmax(曲線ANとの比較ではなく
曲線N間でのΔPmax)のばらつき量とする方法があ
る。このばらつき量はΔPmaxの確率分布の幅から評
価する方法でも良い。このばらつき量以上のΔPmax
であれば劣化と判定できるからである。図16ではばら
つき量をΔP3とし、これよりΔPmaxが大きくなる
と言うことは「ΔV>0」となることを意味する。
This ΔP3 may be used as a deterioration judgment value. As a method of determining the deterioration determination value, for example, there is a method of determining a variation amount of ΔPmax between the curves N of a number of normal products (ΔPmax between the curves N instead of comparison with the curve AN). This variation amount may be evaluated from the width of the probability distribution of ΔPmax. ΔPmax equal to or greater than this variation amount
If so, it can be determined to be deteriorated. In FIG. 16, the variation amount is ΔP3, and the fact that ΔPmax becomes larger than this means that “ΔV> 0”.

【0081】図17のプロット点を結んだ線(又は直
線、曲線近似したもの)が電源電圧幅ΔVの試験時間デ
ータ系列となる。この試験データから寿命消費率に対す
る電源電圧幅ΔVを作成する。図17の試験時間TEを
(2)式の寿命消費率に置き換えたものが寿命消費率に
対する電源電圧幅ΔVデータである。
A line (or a straight line or a curve approximation) connecting the plot points in FIG. 17 is a test time data series of the power supply voltage width ΔV. A power supply voltage width ΔV for the life consumption rate is created from the test data. The power supply voltage width ΔV data with respect to the life consumption rate is obtained by replacing the test time TE in FIG. 17 with the life consumption rate of the equation (2).

【0082】次に寿命消費率に対する電源電圧V0デー
タは、寿命消費率に対する最大差分量ΔPmaxデータ
の作成方法と同様にして作成できる。即ち「寿命消費率
に対する最大差分量ΔPmaxデータ」の説明文で最大
差分量ΔPmaxを電源電圧VOに読み変えれば本説明
となる。
Next, the power supply voltage V0 data for the life consumption rate can be created in the same manner as the method of creating the maximum difference ΔPmax data for the life consumption rate. In other words, this description will be explained if the maximum difference ΔPmax is replaced with the power supply voltage VO in the description of “the maximum difference ΔPmax data with respect to the life consumption rate”.

【0083】寿命消費率に対する変化量ΔPVデータも
寿命消費率に対する最大差分量ΔPmaxデータの作成
方法と同様にして作成できる。即ち「寿命消費率に対す
る最大差分量ΔPmaxデータ」の説明文で最大差分量
ΔPmaxを変化量ΔPVに読み変えれば本説明とな
る。ここで,正常データ曲線Nから求めた変化量ΔPV
は曲線ANから求めた変化量ΔPVの初期値とすること
もできる。
The change amount ΔPV data for the life consumption rate can be created in the same manner as the method for creating the maximum difference amount ΔPmax data for the life consumption rate. In other words, the description will be described by reading the maximum difference amount ΔPmax into the change amount ΔPV in the description of “the maximum difference amount ΔPmax data with respect to the life consumption rate”. Here, the change amount ΔPV obtained from the normal data curve N
May be an initial value of the change amount ΔPV obtained from the curve AN.

【0084】次に寿命消費率に対する特徴量Pvoデー
タについて説明する。これは、寿命消費率に対する最大
差分量ΔPmaxデータの作成方法と同様にして作成で
きる。即ち、「寿命消費率に対する最大差分量ΔPma
xデータ」の説明文において、最大差分量ΔPmaxを
特徴量Pvoデータに読み替えれば本説明となる。ここ
で、正常データ曲線Nから求めた特徴量Pvoデータを
曲線ANから求めた特徴量Pvoデータの初期値とする
こともできる。以上が発熱特性抽出装置11の作用であ
る。
Next, the feature amount Pvo data for the life consumption rate will be described. This can be created in the same manner as the method of creating the maximum difference ΔPmax data for the life consumption rate. That is, “the maximum difference ΔPma with respect to the life consumption rate
In the description of “x data”, the maximum difference ΔPmax is replaced with the feature amount Pvo data, and the description will be made. Here, the feature amount Pvo data obtained from the normal data curve N may be used as an initial value of the feature amount Pvo data obtained from the curve AN. The above is the operation of the heat generation characteristic extraction device 11.

【0085】(処理ステップ4)診断手段12は、特性
データベース113から履歴データ及び寿命消費率関連
データeを入力し、実装回路基板の劣化有無及び寿命推
定を行う。劣化有無と寿命推定方法を図15を例に説明
する。
(Processing Step 4) The diagnostic means 12 inputs the history data and the life consumption rate related data e from the characteristic database 113, and estimates whether or not the mounted circuit board has deteriorated and the life is estimated. The method of estimating the deterioration and estimating the life will be described with reference to FIG.

【0086】劣化有無の判定は発熱特性の履歴データの
しきい値判定で行う。即ち、図15において、しきい値
をΔP1とすると、最大差分量ΔPmaxがしきい値ラ
インL1を超えると劣化有りと判定し、しきい値以下の
場合には劣化無しと判定する。そして、図15のグラフ
の左側を履歴データとする。この場合、経年時間TRの
時間TR2における点PBがしきい値ラインL1を超え
ているため、時間TR2において劣化有りと判定する。
The judgment of the presence or absence of deterioration is made by the threshold value judgment of the history data of the heat generation characteristic. That is, in FIG. 15, when the threshold value is ΔP1, it is determined that there is deterioration when the maximum difference amount ΔPmax exceeds the threshold line L1, and it is determined that there is no deterioration when the maximum difference amount ΔPmax is equal to or less than the threshold value. Then, the left side of the graph in FIG. In this case, since the point PB at the time TR2 of the aging time TR exceeds the threshold line L1, it is determined that there is deterioration at the time TR2.

【0087】では、しきい値L1の決め方について説明
する。正常な同種の実装回路基板を多数用意し、熱解析
手段111で各々の特徴量bを抽出し、図8の曲線Nを
作成する。30枚の同種の実装回路基板があれば、30
本の曲線Nが得られることになる。この場合、各曲線N
間での最大差分量ΔPmaxを求める。こうして求めた
最大差分量ΔPmaxからこの最大差分量ΔPmaxを
確率変数とする確率分布(又は頻度分布)を作成する。
この確率分布から所定の最大差分量ΔPmaxの幅をば
らつき量とみなす。ここで、所定とは、例えば確早分布
の平均μ、標準偏差ρから μ+ρ、 μ+ρ×1.22、 μ+ρ×2 2(μ+ρ)、 2(μ+ρ×1.22)、 2(μ+
ρ×2) などと決めればよい。つまり、ばらつき量は正常品が統
計的にとるばらつき範囲を示すものであれば何でも良
い。このばらつき量より最大蓋分量ΔPmaxが大きけ
れば、正常でないと統計的に考えられるので劣化と判定
するのである。この考えからばらつき量をしきい値ΔP
1とする。また、以上は正常品間のばらつき量である
が、これを熱計測時の環境条件による誤差量としても良
い。
Now, how to determine threshold value L1 will be described. A number of normal mounted circuit boards of the same type are prepared, and the characteristic amount b is extracted by the thermal analysis unit 111, and a curve N in FIG. 8 is created. If there are 30 same-type mounting circuit boards, 30
The curve N is obtained. In this case, each curve N
The maximum difference ΔPmax between the two is obtained. A probability distribution (or frequency distribution) using the maximum difference amount ΔPmax as a random variable is created from the maximum difference amount ΔPmax thus obtained.
From the probability distribution, the width of the predetermined maximum difference amount ΔPmax is regarded as the variation amount. Here, “predetermined” means, for example, μ + ρ, μ + ρ × 1.22, μ + ρ × 22 (μ + ρ), 2 (μ + ρ × 1.22), 2 (μ +
ρ × 2). That is, the variation amount may be any value as long as it indicates a variation range that a normal product statistically takes. If the maximum lid amount ΔPmax is larger than this variation amount, it is statistically considered to be abnormal, so that it is determined to be deteriorated. From this idea, the amount of variation is determined by the threshold ΔP
Let it be 1. Although the above is the variation amount between normal products, this may be used as an error amount due to environmental conditions at the time of heat measurement.

【0088】以上、最大差分量ΔPmaxから劣化有無
の判定を行う方法を述べたが、他の発熱特性(電源電圧
幅ΔV、電源電圧V0、変化量ΔPV、特徴量Pvo)
も同様の方法で劣化有無を判定する。但し、図13とは
逆に履歴データの発熱特性量が時間とともに減少するタ
イプは、しきい値より小さくなれば劣化有りと判定する
ことになる。
The method of determining the presence or absence of deterioration from the maximum difference amount ΔPmax has been described above. Other heat generation characteristics (power supply voltage width ΔV, power supply voltage V0, change amount ΔPV, feature amount Pvo)
Also determines the presence or absence of deterioration in the same manner. However, in contrast to FIG. 13, the type in which the heat generation characteristic amount of the history data decreases with time is judged to be deteriorated if the heat generation characteristic amount becomes smaller than the threshold value.

【0089】次に寿命の診断方法を図15で説明する。
いま経年時間TR2とすると、その点PBの最大差分量
ΔPmaxをとる寿命消費率TLは曲線FPLからTL
1と求まる。この時間TR2での実装回路基板の余寿命
は以下の通り計算できる。
Next, a method of diagnosing the life will be described with reference to FIG.
Assuming now that the aging time TR2, the life consumption rate TL that takes the maximum difference amount ΔPmax of the point PB is calculated from the curve FPL to TL.
I get 1. The remaining life of the mounted circuit board at this time TR2 can be calculated as follows.

【0090】 余寿命=TR2(1/TL1−1)........(3) 例えばTR2=10年、寿命消費率TL1=0.8とす
ると、式(3)から余寿命2.5年となる。以上、最大
差分量ΔPmaxから余寿命を診断する方法を述べた
が、他の発熱特性(電源電圧幅ΔV、電源電圧V0、変
化量ΔPV、特徴量Pvo)も同様の方法で余寿命が診
断できる。そして劣化判定および寿命診断結果fは外部
へ出力される。
Remaining life = TR2 (1 / TL1-1). . . . . . . . (3) For example, if TR2 = 10 years and the life consumption rate TL1 = 0.8, the remaining life is 2.5 years from the equation (3). Although the method of diagnosing the remaining life from the maximum difference amount ΔPmax has been described above, the remaining life can be diagnosed by the same method for other heat generation characteristics (power supply voltage width ΔV, power supply voltage V0, change amount ΔPV, feature amount Pvo). . Then, the deterioration judgment and life diagnosis result f are output to the outside.

【0091】以上のように本実施の態様が構成されてい
るので、発熱特性抽出装置11により電源電圧に対する
実装回路基板及び実装部品の発熱特性を抽出できると言
う効果がある。これにより診断のための有益な情報を提
供できる。また発熱特性抽出装置11と診断手段12が
連動するために、正常時と劣化時で変化する電源電圧に
対する発熱傾向の特徴を利用し、且つ正常時と劣化時の
発熱の特徴量が最大差をとる発熱諸量で診断するので、
高感度な劣化検出および診断が可能である。
Since the present embodiment is configured as described above, there is an effect that the heat generation characteristics of the mounted circuit board and the mounted components with respect to the power supply voltage can be extracted by the heat generation characteristics extraction device 11. This can provide useful information for diagnosis. Further, since the heat generation characteristic extracting device 11 and the diagnosis means 12 are linked, the characteristic of the heat generation tendency with respect to the power supply voltage which changes between the normal state and the deterioration state is used, and the characteristic amount of the heat generation between the normal state and the deterioration state has the maximum difference. Because the diagnosis is based on the amount of heat generated,
Highly sensitive deterioration detection and diagnosis are possible.

【0092】以下、第2の実施の態様について図18に
示す機能ブロック図で説明する。
Hereinafter, the second embodiment will be described with reference to a functional block diagram shown in FIG.

【0093】電子・電気部品を実装した実装回路基板に
おいて,実装回路基板の正常,劣化で異なる電源電圧の
発熱傾向から求めた実施の態様1の電源電圧V0で実装
回路基板を通電・動作させた場合の過渡変化する実装表
面の熱状態aを入力し、過渡変化する熱状態の特徴量を
抽出する熱解析手段111と、熱解析手段111で抽出
した特徴量bを入力し、診断用データベース14から劣
化デー夕gを入力し、実装回路基板の劣化モードを判定
する劣化モード判定手段13と、劣化データを格納した
診断用データベース14とが連動して動作する劣化診断
装置である。この実施の態様の作用を図19に基づいて
説明する。
In the mounted circuit board on which the electronic and electric components were mounted, the mounted circuit board was energized and operated at the power supply voltage V0 according to the first embodiment obtained from the heat generation tendency of the power supply voltage which was different depending on whether the mounted circuit board was normal or deteriorated. The thermal state a of the mounting surface that changes transiently in the case is input, and the thermal analysis unit 111 that extracts the characteristic amount of the thermal state that transiently changes, and the characteristic amount b extracted by the thermal analysis unit 111 are input, and the diagnostic database 14 is input. This is a deterioration diagnosis device in which a deterioration mode determining means 13 for inputting deterioration data g from the PC and determining a deterioration mode of the mounted circuit board and a diagnostic database 14 storing the deterioration data operate in conjunction with each other. The operation of this embodiment will be described with reference to FIG.

【0094】熱解析手段111は電源電圧をV0とし、
入出カ条件等を変えた条件別試験(例えば試験α,試験
β:試験αは周波数200mHzの矩形波信号入力で出
力はオープン、試験βは周波数50Hzの矩形波信号入
力で出力側に負荷電流を流した場合等で通電または動作
させる)での実装回路基板の熱状態aを入力する。条件
別試験数に制約はない。1試験のみでも良い。尚、実施
の態様例2で述べる実装回路基板の意味はステップS1
に示すように実施の態様例1と同様である。ステップS
1で入力した熱状態aの熱解析を実施する。熱解析の内
容はステップS2に示すように実施の態様例1の熱解析
手段111で説明済みである。劣化モード判定手段13
は熱解析手段111で抽出した特徴量b(次元変化率、
次元定常値又は温度変化率、定常温度)を入力する。ま
た診断用データベース14から劣化データgを入力す
る。この劣化データgを説明のための図で実データでは
ないが図20に示す。
The thermal analysis means 111 sets the power supply voltage to V0,
Tests under different conditions (for example, test α, test β: test α is a rectangular wave signal input with a frequency of 200 mHz and the output is open, and test β is a rectangular wave signal input with a frequency of 50 Hz and the load current is output to the output side. (A state of energization or operation when flowing) is input. There is no restriction on the number of tests for each condition. Only one test may be used. Note that the meaning of the mounted circuit board described in the second embodiment is described in step S1.
As shown in FIG. Step S
The thermal analysis of the thermal state a input in 1 is performed. The content of the thermal analysis has already been described in the thermal analysis unit 111 of the first embodiment as shown in step S2. Deterioration mode determination means 13
Is the feature amount b (dimensional change rate,
(Dimensional steady value or temperature change rate, steady temperature). Further, the deterioration data g is input from the diagnostic database 14. This degraded data g is a diagram for explanation and is not actual data but is shown in FIG.

【0095】入出力条件等を変えた条件別試験を、ここ
では試験α、試験βとした場合を仮定している。表中の
C2はコンデンサ、R3、R4は抵抗、ICは半導体集
積回路を意味する。またPTは次元変化率、PSは次元
定常値である。K表はコンデンサC2、抵抗R3、R4
および半導体集積回路IC等の劣化した部品を実装した
実装回路基板を、各試験条件α、βで動作させ、実装回
路基板の熱解析で抽出した次冗変化率PT、次元定常値
PSの数値を表記している。
Here, it is assumed that the tests by conditions in which the input / output conditions are changed are test α and test β. In the table, C2 indicates a capacitor, R3 and R4 indicate resistors, and IC indicates a semiconductor integrated circuit. PT is a dimension change rate, and PS is a dimension steady value. Table K shows capacitor C2, resistors R3 and R4.
And the mounted circuit board on which the deteriorated parts such as the semiconductor integrated circuit IC are mounted are operated under the respective test conditions α and β, and the numerical values of the next-order change rate PT and the dimensional steady-state value PS extracted by the thermal analysis of the mounted circuit board are obtained. Notation.

【0096】L表は後述するコンデンサC2、抵抗R
3、R4、半導体集積回路IC等の劣化した部品を実装
した実装回路基板を、各試験条件α、βで動作させ、実
装回路基板の熱解析で抽出した結果に対し、正常時(又
は正常品)の実装回路基板との特徴量PT、PSの有意
差判定した結果を表記している。なお○印は有意差あ
り,×印は有意差なしの判定結果である。
Table L shows a capacitor C2 and a resistor R which will be described later.
3, R4, the mounted circuit board on which the deteriorated parts such as the semiconductor integrated circuit IC are mounted are operated under the respective test conditions α and β, and the result of the thermal analysis of the mounted circuit board is compared with the result of normal (or normal product). 3) shows the result of the determination of the significant difference between the feature amounts PT and PS from the mounted circuit board. In addition, the mark “○” indicates a significant difference, and the mark “X” indicates a result of no significant difference.

【0097】K表、L表は診断対象の実装回路基板に対
し、実装回路甚板と同種の実装同路基板に対し、事前に
劣化を模擬した場合、又は環境試験等で実際に劣化させ
たときの状態から作成した劣化データである。これらの
表ではあらゆる劣化モードを表記してよい。
Tables K and L indicate that the mounted circuit board to be diagnosed was simulated beforehand for the same type of mounted circuit board as the mounted circuit board, or actually deteriorated by an environmental test or the like. This is the deterioration data created from the state at the time. In these tables, any deterioration mode may be indicated.

【0098】図20は単にデバイス名(C2,R3,R
4,IC)のみ記しているが、例えば半導体集積回路I
Cならば、その劣化特性で場合分けして増やしてもよ
い。例えばオペアンプなら入カオフセット電圧が劣化し
た半導体集積回路IC、電源電流異常のある劣化した半
導体集積回路IC等と場合分けして次元変化率PT及び
次元定常値PSを表記してよい。またコンデンサならば
静電容量低下したコンデンサ、tanデルタに異常のあ
るコンデンサ等としてよい。
FIG. 20 simply shows the device names (C2, R3, R
4, IC), but for example, the semiconductor integrated circuit I
In the case of C, it may be increased depending on the deterioration characteristic. For example, in the case of an operational amplifier, the dimensional change rate PT and the dimensional steady-state value PS may be described separately for a semiconductor integrated circuit IC having a deteriorated input offset voltage, a deteriorated semiconductor integrated circuit IC having a power supply abnormality, and the like. In the case of a capacitor, a capacitor having a reduced capacitance, a capacitor having an abnormal tan delta, or the like may be used.

【0099】尚、特徴量が温度変化率、定常温度の場合
には、1個の実装部品の劣化モード判定になるので、K
表、L表の劣化モードは「1個の実装部品」の劣化モー
ドを列記することになる。なおPSはステップS3に示
すように温度変化率、PTは定常温度である。
When the characteristic amount is a temperature change rate and a steady temperature, the deterioration mode of one mounted component is determined.
The deterioration modes of the table and the L table list the deterioration modes of “one mounted component”. Note that PS is a temperature change rate as shown in step S3, and PT is a steady temperature.

【0100】劣化モード判定手段13では、K表に基づ
く数値比較による劣化モード判定とL表に基づく有意差
判定に基づく劣化モード判定の両者を選択して行うこと
ができる。以下、L表に基づく劣化モード判定法につい
て説明する。
The deterioration mode determination means 13 can select and perform both the deterioration mode determination based on the numerical comparison based on the K table and the deterioration mode determination based on the significant difference determination based on the L table. Hereinafter, the deterioration mode determination method based on the L table will be described.

【0101】特徴量データbの有意差判定を行う。有意
差判定とは多数の正常品を熱解析手段111で解析し、
抽出される特徴量のばらつき量以上に経年使用している
実装回路基板の特徴量が、初期値(又は同種の多数の実
装回路基板の正常品の特徴量の平均値等)から変化して
いる場合に、初期値と比較して有意差があると判定する
ことを言う。この有意差がある場合には劣化ありと判定
する。
A significant difference judgment of the feature data b is performed. The determination of a significant difference means that a large number of normal products are analyzed by the thermal analysis means 111,
The feature amount of the mounted circuit board that has been used for a long time than the variation amount of the extracted feature amount has changed from the initial value (or the average value of the feature amounts of normal products of a large number of the same type of mounted circuit boards). In this case, it means that it is determined that there is a significant difference compared with the initial value. If there is a significant difference, it is determined that there is deterioration.

【0102】ここで、熱解析手段111が計測時の周囲
温度や湿度や風量等の環境条件で結果の誤差が大きい場
合には、環境条件に対する特徴量の誤差幅で有意差判定
しても良い。有意差判定を行うための具体例を以下に示
す。以下の例は環境条件に対する特徴量の誤差幅で有意
差判定を行う方法である。
Here, when the thermal analysis means 111 has a large error in the result under environmental conditions such as ambient temperature, humidity, and air volume at the time of measurement, a significant difference may be determined based on the error width of the characteristic amount with respect to the environmental conditions. . A specific example for performing a significant difference determination is shown below. The following example is a method of performing a significant difference determination based on an error width of a feature amount with respect to an environmental condition.

【0103】手順1:異なる周囲温度で正常な実装回路
基板を通電・動作させ、熱状態aを計測する。
Procedure 1: A normal mounted circuit board is energized and operated at different ambient temperatures, and the thermal state a is measured.

【0104】手順2:熱解析手段111で正常な実装回
路基板の特徴量を計算する。
Step 2: The characteristic amount of the normal mounted circuit board is calculated by the thermal analysis means 111.

【0105】手順3:各周囲温度条件での各特徴量デー
タから平均値mと標準偏差σを計算する。
Step 3: An average value m and a standard deviation σ are calculated from each feature amount data under each ambient temperature condition.

【0106】手順4:標準偏差σから第3水準値(m±
σ×1.22)の誤差幅{2×(m+σ×1.22)}
を評価する。
Step 4: From the standard deviation σ, the third level value (m ±
σ × 1.22) error width {2 × (m + σ × 1.22)}
To evaluate.

【0107】手順5:平均値mに対する誤差幅の関係を
グラフにプロットする。
Step 5: The relationship between the error width and the average value m is plotted on a graph.

【0108】手順6:プロット値を最小二乗近似し近似
直線を得る。
Step 6: Approximate lines are obtained by least square approximation of the plot values.

【0109】手順7:近似直線から平均値mに対する推
定誤差幅の一覧表を作成する。
Step 7: A list of estimated error widths with respect to the average value m is created from the approximate straight line.

【0110】手順8:診断対象の特徴量bと正常時(又
は正常品)の特徴量に対し、差の絶対値を計算し、次の
式4が成立する場合、「有意差あり」と判定する。
Step 8: Calculate the absolute value of the difference between the characteristic amount b to be diagnosed and the characteristic amount in a normal state (or a normal product). If the following equation 4 is satisfied, it is determined that there is a significant difference. I do.

【0111】Difference>E(M) x=Max(yl、y2) Difference=(y1−y2)の絶対値 但し、ここでy1は正常時(又は正常品)の特徴量、y
2は診断対象の特徴量b、E(M)は図23および図2
4の一覧表から得られる特徴量Mに対する推定誤差幅、
Max(yl、y2)はy1と、y2の最大値、Mはm
j<x<mj+1の場合にはM=mj+1であり、m
j、mj+1は図23および図24に示す推定誤差幅の
一覧表に記載した特徴量である。
Difference> E (M) x = Max (yl, y2) Difference = absolute value of (y1-y2) Here, y1 is a feature amount in a normal state (or a normal product), y
2 is the feature amount b of the object to be diagnosed, and E (M) is FIG. 23 and FIG.
4, the estimated error width for the feature value M obtained from the list of 4,
Max (yl, y2) is the maximum value of y1 and y2, and M is m
If j <x <mj + 1, then M = mj + 1 and m
j and mj + 1 are the feature amounts described in the list of estimated error widths shown in FIGS.

【0112】図21および図22は手順1〜手順6を実
データから計算した結果である。
FIG. 21 and FIG. 22 show the results obtained by calculating procedures 1 to 6 from actual data.

【0113】図21は手順説明の平均値mに相当する次
元変化率PTとその誤差幅PTEの関係グラフである。
プロット点に対して、手順6に従って最小二乗近似した
ものが直線近似Z1である。
FIG. 21 is a graph showing the relationship between the dimension change rate PT corresponding to the average value m in the description of the procedure and the error width PTE.
A linear approximation Z1 is obtained by performing a least-squares approximation on the plot points according to the procedure 6.

【0114】図22は手順説明の平均値mに相当する次
元定常値PSとその誤差幅PSEの関係を示したグラフ
である。プロット点に対して、手順6に従って最小二乗
近似したものが直線近似Z2である。
FIG. 22 is a graph showing the relationship between the dimensional stationary value PS corresponding to the average value m in the explanation of the procedure and the error width PSE. A linear approximation Z2 is obtained by performing a least-squares approximation on the plot points according to the procedure 6.

【0115】図23は図21および図22の直線近似Z
1、Z2の近似式に表中の次元変化率PT及び次元定常
値PSを代入して計算したE(M)に相当する推定誤差
幅を実データとして表記している。なお、特徴量を温度
変化率、定常温度とした場合も上記手順で有意差判定で
きる。以上の例に対し次のように変更した使い方も可能
である。
FIG. 23 shows a linear approximation Z of FIGS. 21 and 22.
The estimated error width corresponding to E (M) calculated by substituting the dimension change rate PT and the dimension steady value PS in the table into the approximate expressions of 1, Z2 is shown as actual data. It should be noted that a significant difference can be determined by the above procedure even when the characteristic amount is a temperature change rate and a steady temperature. The above example can be modified as follows.

【0116】即ち、手順1、手順3において、周囲温度
別ではなく周囲温度一定で、「多数の同種の正常品間
で」とすれば正常品の特徴量の誤差幅(即ちばらつき
量)を考慮した有意差判定となる。
In other words, in Steps 1 and 3, if the ambient temperature is not constant but the ambient temperature is constant and “between many normal products of the same type”, the error width (that is, the variation) of the characteristic amount of the normal product is considered. This is a significant difference judgment.

【0117】また、手順4で第3水準値(m±σ×1.
22)の誤差幅(2×(m十σ×1.22))を誤差幅
(m+σX1.22)、誤差幅m+σ、誤差幅2×(m
+σ)などのように厳しくみるか否かで決る。尚、これ
は例示であり特徴量の確率分布から、厳しくみるか否か
等の目的に応じて自由に設定して良い。
In step 4, the third level value (m ± σ × 1.
22), the error width (m × σ × 1.22), the error width m + σ, and the error width 2 × (m
+ Σ) and so on. Note that this is merely an example, and the probability distribution of the feature amount may be set freely according to the purpose such as whether or not to look strictly.

【0118】更に手順6では、直線近似しているが、当
然のこと曲線近似でも良い。近似精度を向上させたい場
合にはステップS4に示すように曲線近似を選べばよ
い。
Further, in the procedure 6, a straight line approximation is used, but a curve approximation may be used as a matter of course. To improve the approximation accuracy, a curve approximation may be selected as shown in step S4.

【0119】次に、特徴量bに対して有意差判定した結
果をL表と照合させる。
Next, the result of the significant difference determination for the feature value b is collated with the L table.

【0120】図20の特徴量blのデータ及び正常時の
特徴量データb2(表の数値は説明のために付したした
値)に、第23図から上記説明した手順で有意差判定し
た結果を示している。図20の表b3は正常時(又は正
常品、初期値)b2と特徴量blの差分値(式4のDi
fferenceの結果)である。
The result of the significant difference judgment of the data of the feature bl and the data of the feature b2 in the normal state (the numerical values in the table are given for explanation) in FIG. Is shown. A table b3 in FIG. 20 shows a difference value between the normal state (or a normal product, the initial value) b2 and the feature amount bl (Di in Equation 4).
reference result).

【0121】この例では式4のXは各特徴量すべてbl
表の値である。blから図23を用いて式4に従って判
定した結果が表b4である。この判定結果b4とL表を
照合すると、ステップS5に示すようにICの欄と同じ
判定結果の組み合わせとなっている。よって、実装回路
基板の劣化モード判定はIC劣化となる。劣化を詳しく
分類すれば詳細な劣化モード判定力河能である。これは
ステップS7として先に述べた。尚、照合の結果該当す
る劣化モードがなく、かつ有意差判定の結果がすべて有
意差無しの場合には、判定結果を「劣化なし」とするこ
ともできる。
In this example, X in Expression 4 is bl
These are the values in the table. Table b4 shows the result determined from bl with reference to Equation 4 using FIG. When this determination result b4 is compared with the L table, the combination of the determination results in the column of IC is obtained as shown in step S5. Therefore, the deterioration mode determination of the mounted circuit board is IC deterioration. If the deterioration is classified in detail, it is a detailed deterioration mode judgment power. This has been described above as step S7. If there is no corresponding deterioration mode as a result of the comparison and all the results of the significant difference determination have no significant difference, the determination result can be set to “no deterioration”.

【0122】次にK表に基づく劣化モードの判定法を図
20で説明する。
Next, a method of determining a deterioration mode based on the K table will be described with reference to FIG.

【0123】特徴量b1の数値とK表の数値を比較照合
する。K表の数値との同一性は誤差幅を考慮して判定す
るようにしても良い。この場合、誤差幅決定の具体例は
次の通り(例示)である。
The numerical value of the characteristic amount b1 is compared with the numerical value of the K table. The identity with the numerical value in the K table may be determined in consideration of the error width. In this case, a specific example of the error width determination is as follows (illustration).

【0124】・K表を作成する際に、複数の同種の実装
回路基板で劣化データ(劣化時の特徴量がK表の数値)
を収集する。そして同種かつ同一劣化モードでの特徴量
のばらつき量を誤差輻とする。
When creating the K table, deterioration data (a characteristic amount at the time of deterioration is a numerical value in the K table) for a plurality of the same type of mounted circuit boards.
To collect. Then, the amount of variation of the feature amount in the same type and the same deterioration mode is set as the error radiation.

【0125】・熱状態計測時の環境条件による特徴量の
ばらつき量を誤差幅とする。
The amount of variation in the characteristic amount due to the environmental conditions at the time of measuring the thermal state is defined as the error width.

【0126】・上記2つの方法の組み合わせ 尚、照合の結果該当する劣化モードがない場合には、ス
テップS6、S7に示すように、判定結果を「劣化な
し」とすることもできる。
Combination of the above two methods If there is no corresponding deterioration mode as a result of the collation, the determination result can be "no deterioration" as shown in steps S6 and S7.

【0127】実施の態様例2は以上のように構成したの
で次の効果を得ることができる。
[0127] Since Embodiment 2 is configured as described above, the following effects can be obtained.

【0128】・正常時と劣化時で特徴量の最大変化量を
与える電源電圧V0で診断対象を動作させるため、劣化
検出感度が向上し、精度の高い診断が可能になる。
Since the diagnosis target is operated at the power supply voltage V0 that gives the maximum change amount of the characteristic amount between the normal state and the deterioration state, the deterioration detection sensitivity is improved, and the diagnosis can be performed with high accuracy.

【0129】・試験組み合わせのK表の数値比較判定法
(単一試験でも可)により、劣化モードを照合するの
で、劣化モードを特定できる。また、この方法は劣化進
行で特徴量がある特定値に収束していく場合に特に有効
である。K表数値になれば劣化したと判定できるためで
ある。但しこの場合にしか効果がないと言うわけではな
い。所定の劣化判定しきい値をK表の特徴量の値とすれ
ばよいからである。
The deterioration mode is collated by the numerical comparison and judgment method of the K table of the test combination (a single test is also possible), so that the deterioration mode can be specified. Further, this method is particularly effective when the characteristic amount converges to a specific value as the deterioration proceeds. This is because it can be determined that the battery has deteriorated when the value in the K table is reached. However, this does not mean that it is effective only in this case. This is because the predetermined deterioration determination threshold value may be set to the value of the characteristic amount in the K table.

【0130】・試験組み合わせのL表の有意差判定法
(単一試験でも可)により、劣化モードを照合するの
で、劣化モードを特定できる。また、この方法は劣化進
行で特徴量が増加または減少し続ける場合に特に有効で
ある。一定値にならないので、K表のように数値比較し
にくい。よって正常時との有意差で判定する。
The deterioration modes are collated by the significant difference judgment method of the L table of the test combination (a single test is also possible), so that the deterioration mode can be specified. This method is particularly effective when the feature value continues to increase or decrease due to the progress of deterioration. Since it does not become a constant value, it is difficult to compare numerical values as shown in Table K. Therefore, it is determined based on a significant difference from the normal state.

【0131】次に実施の態様例3について説明する。Next, a third embodiment will be described.

【0132】実施の態様例1、2において、特定の実装
部品のみ、実施の態様例1、2の対象とする場合には、
赤外線光ファイバーケーブルや熱電対等(計測系は限定
ではなく単なる例示に過ぎない)の部品の一箇所の温度
のみ計測し、特徴量を温度変化率又は定常温度としても
よい。
In the first and second embodiments, when only a specific mounting component is the object of the first and second embodiments,
It is also possible to measure only the temperature of one location of a component such as an infrared optical fiber cable or a thermocouple (the measurement system is not limited and is merely an example), and the characteristic amount may be a temperature change rate or a steady temperature.

【0133】次に実施の態様例4について説明する。Next, a fourth embodiment will be described.

【0134】本発明の適用対象として、実施の態様例
1、2では実装回路基板及びその実装部品としている。
これに対し基板に実装していない電子部品の外観面でも
良い。また、パッケージ等で囲まれたパッケージの中の
電子回路を対象としても良い。例えば半導体集積回路パ
ッケージの中にある回路チップなどである。回路チップ
の場合には、バッケージを開封して中のチップの熱状態
を計測する。高倍率の赤外線温度カメラ等で計測でき
る。
In the first and second embodiments, the present invention is applied to a mounted circuit board and its mounted parts.
On the other hand, the external surface of the electronic component not mounted on the substrate may be used. Further, an electronic circuit in a package surrounded by a package or the like may be used. For example, it is a circuit chip in a semiconductor integrated circuit package. In the case of a circuit chip, the package is opened and the thermal state of the chip inside is measured. It can be measured with a high magnification infrared temperature camera or the like.

【0135】本発明の実施の態様は上記のような構成お
よび作用を有するので次のような効果を示すことができ
る。
Since the embodiment of the present invention has the above-described configuration and operation, the following effects can be obtained.

【0136】(1)電源電圧に対する発熱傾向が正常時
と劣化時で異なることを利用し、その最大差から得られ
る発熱特性の諸量を劣化診断指標とするので、劣化検出
感度が高く、かつ高精度な診断が可能になる。
(1) By utilizing the fact that the tendency of heat generation with respect to the power supply voltage differs between a normal state and a deteriorated state, and various amounts of heat generation characteristics obtained from the maximum difference are used as deterioration diagnosis indices, deterioration detection sensitivity is high, and High-precision diagnosis is possible.

【0137】(2)正常時と劣化時での最大差から得ら
れる発熱特性の諸量を抽出できる。
(2) Various amounts of heat generation characteristics obtained from the maximum difference between a normal state and a deteriorated state can be extracted.

【0138】(3)発熱特性抽出装置で抽出した発熱特
性を診断指標として、実装回路基板の「劣化有無及び寿
命推定」を行うことを特徴とするため、劣化有無の検出
感度及び寿命推定精度が向上する。
(3) Since the "existence of deterioration and life estimation" of the mounted circuit board is performed using the heat generation characteristic extracted by the heat generation characteristic extraction device as a diagnostic index, the detection sensitivity and the life estimation accuracy of the presence or absence of deterioration are improved. improves.

【0139】(4)特性データベースに格納している寿
命特性データを、実装回路基板の故障発生時間で正規化
することで得られる寿命消費率に対する発熱特性とする
ので、発熱特性による寿命推定の特性モデルとして利用
することができる。
(4) Since the life characteristic data stored in the characteristic database is used as the heat generation characteristic with respect to the life consumption rate obtained by normalizing the failure occurrence time of the mounted circuit board, the characteristic of the life estimation based on the heat generation characteristic is obtained. Can be used as a model.

【0140】(5)劣化有無を発熱特性のしきい値判定
で行うこととし、診断対象である実装回路基板が同種品
又は測定環境条件でばらつく発熱特性を確率分布で表現
し、確率分布から決定した所定の誤差幅をしきい値とす
るので、統計的に正常でない場合(劣化)を判定でき
る。
(5) Deterioration is determined by determining the threshold value of the heat generation characteristic, and the heat generation characteristic in which the mounted circuit board to be diagnosed varies with the same type of product or under measurement environment conditions is represented by a probability distribution and determined from the probability distribution. Since the predetermined error width is used as a threshold value, it is possible to determine a case where the state is not statistically normal (deterioration).

【0141】(6)発熱特性から実装回路基板の余寿命
を推定することができる。
(6) The remaining life of the mounted circuit board can be estimated from the heat generation characteristics.

【0142】(7)劣化モードを特定することがてき
る。
(7) The deterioration mode can be specified.

【0143】(8)正常状態との有意差判定法を使うの
で、劣化を特徴量の数値解釈で判断する必要がなくな
り、劣化判定のロバスト性が向上し、また条件別試験毎
の結果でもよしとするため、組み合わせ試験による正確
性の高い判定を行うことができる。
(8) Since the method of judging a significant difference from a normal state is used, it is not necessary to judge deterioration by numerical interpretation of a feature quantity, the robustness of deterioration judgment is improved, and the result of each test for each condition is acceptable. Therefore, a highly accurate determination can be made by the combination test.

【0144】(9)実装状態の部品を非破壊で診断する
ことができる。
(9) A component in a mounted state can be diagnosed nondestructively.

【0145】(10)特徴量を熱分布の次元変化率又は
次元定常値又は実装部品の温度変化率又は定常温度とす
ることで、熱状態の過渡変化の特徴を定量化でき、かつ
従来の装置の効果をさらに向上することができる。
(10) By defining the characteristic amount as a dimensional change rate or a dimensional steady value of a heat distribution or a temperature change rate or a steady temperature of a mounted component, the characteristic of a transient change in a thermal state can be quantified. Can be further improved.

【0146】[0146]

【発明の効果】本発明により、回路基板劣化診断装置の
信頼性を向上させることができる。
According to the present invention, the reliability of the apparatus for diagnosing circuit board deterioration can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の態様の−例を示す回路基板劣化
診断装置の構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a circuit board deterioration diagnosis apparatus showing an example of an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す実装回路基板の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of the mounting circuit board shown in FIG.

【図3】図1に示す実装回路基板の斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of the mounting circuit board shown in FIG. 1;

【図4】図1における温度変化率と定常温度との関係を
示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a relationship between a temperature change rate and a steady temperature in FIG.

【図5】図1における次元変化率と次元定常値との関係
を示す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a relationship between a dimension change rate and a dimension steady value in FIG. 1;

【図6】図1における熱分布のフラクタル次元データを
示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing fractal dimension data of a heat distribution in FIG.

【図7】図1における熱分布のフラクタル次元データを
示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing fractal dimension data of a heat distribution in FIG. 1;

【図8】図1における正常ICと劣化ICの特徴量の傾
向を示す説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram showing a tendency of a feature amount of a normal IC and a deteriorated IC in FIG. 1;

【図9】図1に示す実装回路基板回路の説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of the mounted circuit board circuit shown in FIG. 1;

【図10】図1におけるICの温度変化率の傾向を示す
説明図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram showing a tendency of a temperature change rate of the IC in FIG. 1;

【図11】図1におけるICの定常温度の傾向を示す説
明図である。
FIG. 11 is an explanatory diagram showing a tendency of a steady temperature of the IC in FIG. 1;

【図12】図1におけるICの次元変化率の傾向を示す
説明図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram showing a tendency of a dimensional change rate of the IC in FIG. 1;

【図13】図1におけるICの次元定常値の傾向を示す
説明図である。
FIG. 13 is an explanatory diagram showing the tendency of the dimensional steady-state value of the IC in FIG. 1;

【図14】図1における最大差分量△Pmaxの時間特
性を示す説明図である。
FIG. 14 is an explanatory diagram showing a time characteristic of the maximum difference amount ΔPmax in FIG. 1;

【図15】図1における最大差分量△Pmaxの履歴グ
ラフを示す説明図である。
FIG. 15 is an explanatory diagram showing a history graph of the maximum difference amount ΔPmax in FIG. 1;

【図16】図1における差分量△P、電源電圧、時間の
関係を示す説明図である。
FIG. 16 is an explanatory diagram showing a relationship between a difference ΔP, a power supply voltage, and time in FIG. 1;

【図17】図1における電源電圧幅△Vの時間特性を示
す説明図である。
FIG. 17 is an explanatory diagram showing a time characteristic of a power supply voltage width ΔV in FIG. 1;

【図18】本発明の他の実施の態様を示す機能ブロック
説明図である。
FIG. 18 is a functional block diagram showing another embodiment of the present invention.

【図19】図18の作用を示すフロー説明図である。FIG. 19 is a flowchart illustrating the operation of FIG. 18;

【図20】図18における劣化モード判定を示す説明図
である。
FIG. 20 is an explanatory diagram showing deterioration mode determination in FIG. 18;

【図21】図18における次元変化率と誤差幅の関係を
示す説明図である。
FIG. 21 is an explanatory diagram showing a relationship between a dimension change rate and an error width in FIG. 18;

【図22】図18における次元定常値と誤差幅の関係を
示す説明図である。
FIG. 22 is an explanatory diagram showing a relationship between a steady-state value and an error width in FIG. 18;

【図23】図18における推定誤差幅を示す説明図であ
る。
FIG. 23 is an explanatory diagram showing an estimated error width in FIG. 18;

【図24】図18における推定誤差幅を示す説明図であ
る。
FIG. 24 is an explanatory diagram showing an estimated error width in FIG. 18;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 熱解析装置 11 発熱特性抽出装置 12 診断手段 111 熱解析手段 112 熱特性抽出手段 113 特性データベース DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Thermal analysis device 11 Heat generation characteristic extraction device 12 Diagnostic means 111 Thermal analysis means 112 Thermal characteristic extraction means 113 Characteristic database

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子部品または電気部品を使用する装置
に対して、電源電圧に対する発熱傾向が正常時と劣化時
で異なることを利用し、前記電子部品または前記電気部
品を実装した実装回路基板の劣化を診断することを特徴
とする回路基板劣化診断装置。
An apparatus using an electronic component or an electric component, based on the fact that the tendency of heat generation with respect to a power supply voltage differs between a normal state and a deteriorated state, using a mounting circuit board on which the electronic component or the electric part is mounted. A circuit board deterioration diagnosis device for diagnosing deterioration.
【請求項2】実装回路基板を通電又は動作させた場合の
実装表面の熱状態経時データを入力し、前記熱状態経時
データの特徴量を抽出する熱解析手段と、 前記実装回路基板の実装部品に供給する電源電圧を可変
として、各電源電圧値で通電又は動作させた場合の前記
特徴量を前記熱解析手段から入力し、前記電源電圧に対
する前記特徴量の傾向データと正常状態を表す手段と、 前記電源電圧に対する特徴量の傾向データから、前記実
装回路基板の前記電源電圧に対する発熱特性を抽出する
発熱特性抽出手段と、 を備えたことを特徴とする回路基板劣化診断装置。
2. Thermal analysis means for inputting thermal state temporal data of a mounting surface when a mounted circuit board is energized or operated, and extracting a characteristic amount of the thermal state temporal data, and a mounted component of the mounted circuit board The power supply voltage supplied to the power supply is variable, and the characteristic amount when energized or operated at each power supply voltage value is input from the thermal analysis unit, and means for indicating the trend data of the characteristic amount with respect to the power supply voltage and a normal state. A circuit board deterioration diagnosis device, comprising: heat generation characteristic extracting means for extracting heat generation characteristics of the mounted circuit board with respect to the power supply voltage from characteristic data of the characteristic amount with respect to the power supply voltage.
【請求項3】電源電圧に対する特徴量の傾向データか
ら、実装回路基板の前記電源電圧に対する発熱特性を抽
出する発熱特性抽出手段と、 この発熱特性抽出手段で抽出した発熱特性を格納すると
ともに、抽出した前記発熱特性の履歴データ及び寿命特
性データを格納する特性データベースと,この特性デー
タベースに格納されたデータを入力し、前記実装回路基
板の劣化有無及び寿命推定を行う診断手段と、を備えた
ことを特徴とする回路基板劣化診断装置。
3. Heat generation characteristic extraction means for extracting heat generation characteristics of the mounted circuit board with respect to the power supply voltage from tendency data of the characteristic amount with respect to the power supply voltage, and storing and extracting the heat generation characteristics extracted by the heat generation characteristic extraction means. A characteristic database for storing the history data and the life characteristic data of the heat generation characteristic, and a diagnosis unit for inputting the data stored in the characteristic database and estimating whether or not the mounted circuit board has deteriorated and estimating the life. A circuit board deterioration diagnosis apparatus characterized by the above-mentioned.
【請求項4】 抽出する発熱特性を正常状態を表す「電
源電圧に対する特徴量の傾向データ」と経年使用した実
装回路基板の「電源電圧に対する特徴量の傾向データ」
間の最大差分量とすることを特徴とする請求項2または
請求項3に記載された回路基板劣化診断装置。
4. "Tendency data of characteristic amount with respect to power supply voltage" indicating a normal state of heat generation characteristics to be extracted and "trend data of characteristic amount with respect to power supply voltage" of a mounted circuit board used over time.
The circuit board deterioration diagnosis apparatus according to claim 2, wherein the maximum difference amount is a difference between the two.
【請求項5】 前記発熱特性抽出装置において、抽出す
る発熱特性を正常状態を表す「電源電圧に対する特徴量
の傾向データ」と経年使用した前記実装回路基板の「電
源電圧に対する特徴量の傾向データ」間のすべての差分
量とすることを特徴とする請求項2または請求項3に記
載された回路基板劣化診断装置。
5. In the heat generation characteristic extraction device, “the trend data of the characteristic amount with respect to the power supply voltage” indicating the normal state of the heat generation characteristic to be extracted and “the trend data of the characteristic amount with respect to the power supply voltage” of the mounted circuit board used over time. 4. The apparatus for diagnosing deterioration of a circuit board according to claim 2, wherein all difference amounts between the two are set.
【請求項6】 前記発熱特性抽出装置において、抽出す
る発熱特性を正常状態を表す「電源電圧に対する特徴量
の傾向データ」と経年使用した前記実装回路基板の「電
源電圧に対する特微量の傾向データ」間の差分量を一定
とした場合の電源電圧幅とすることを特徴とする請求項
2または請求項3に記載された回路基板劣化診断装置。
6. In the heat generation characteristic extraction device, “characteristic amount trend data with respect to power supply voltage” indicating a normal state of heat generation characteristics to be extracted and “extremely small amount of trend data with respect to power supply voltage” of the mounted circuit board used over time. The circuit board deterioration diagnosis apparatus according to claim 2 or 3, wherein the power supply voltage width is set when the difference between the two is constant.
【請求項7】 前記発熱特性抽出装置において、抽出す
る発熱特性を正常状態を表す「電源電圧に対する特徴量
の傾向データ」と経年使用した前記実装回路基板の「電
源電圧に対する特徴量の傾向データ」間の最大差分量を
与える電源電圧値とすることを特徴とする請求項2また
は請求項3に記載された回路基板劣化診断装置。
7. In the heat generation characteristic extracting device, “characteristic amount trend data for power supply voltage” indicating a normal state of the heat generation characteristic to be extracted and “characteristic amount trend data for power supply voltage” of the mounted circuit board used over time. The circuit board deterioration diagnosis apparatus according to claim 2 or 3, wherein the power supply voltage value gives a maximum difference between the power supply voltage values.
【請求項8】 前記発熱特性抽出装置において、抽出す
る発熱特性を正常状態を表す「電源電圧に対する特徴量
の傾向データの変化量」及び経年使用した前記実装回路
基板の「電源電圧に対する特徴量の傾向データの変化
量」とすることを特徴とする請求項2または請求項3に
記載された回路基板劣化診断装置。
8. The heat generation characteristic extraction device according to claim 1, wherein the heat generation characteristics to be extracted indicate a normal state of “a change amount of characteristic amount tendency data with respect to a power supply voltage” and “a characteristic amount with respect to a power supply voltage of the mounted circuit board used over time”. 4. The circuit board deterioration diagnosis apparatus according to claim 2, wherein the amount of change is tendency data.
【請求項9】 前記発熱特性抽出装置において、抽出す
る発熱特性を正常状態を表す「電源電圧に対する特徴量
の傾向データ」と経年使用した前記実装回路基板の「電
源電圧に対する特徴量の傾向データ」間の最大差分量を
与える前記経年使用した前記実装回路基板の「電源電圧
に対する特徴量」とすることを特徴とする請求項2また
は請求項3に記載された回路基板劣化診断装置。
9. In the heat generation characteristic extraction device, “the trend data of the characteristic amount with respect to the power supply voltage” indicating the normal state of the heat generation characteristic to be extracted and “the trend data of the characteristic amount with respect to the power supply voltage” of the mounted circuit board used over time. The circuit board deterioration diagnosis apparatus according to claim 2, wherein a characteristic amount with respect to a power supply voltage of the aged used circuit board that gives a maximum difference amount between the two is set as “a characteristic amount with respect to a power supply voltage”. 5.
【請求項10】 前記特性データベースに格納している
寿命特性データを実装回路基板の故障発生時間で正規化
することで得られる寿命消費率に対する発熱特性とする
ことを特徴とする請求項4乃至請求項9に記載された回
路基板劣化診断装置。
10. The heat generation characteristic with respect to the life consumption rate obtained by normalizing the life characteristic data stored in the characteristic database with the failure occurrence time of the mounted circuit board. Item 10. A circuit board deterioration diagnosis apparatus according to Item 9.
【請求項11】 診断手段での劣化有無を発熱特性のし
きい値判定で行うこととし、診断対象である実装回路基
板が同種品又は測定環境条件でばらつく発熱特性を確率
分布で表現し、前記確率分布から決定した所定の誤差幅
を前記しきい値とすることを特徴とする回路基板劣化診
断装置。
11. A method for determining whether or not deterioration has occurred in the diagnostic means by determining a threshold value of the heat generation characteristic, wherein the heat generation characteristic in which the mounted circuit board to be diagnosed varies under the same kind of product or under measurement environment conditions is represented by a probability distribution. A circuit board deterioration diagnosis apparatus, wherein a predetermined error width determined from a probability distribution is used as the threshold value.
【請求項12】 診断手段での寿命推定を寿命特性から
A時間の経年使用している実装回路基板の寿命消費率B
を決定し、余寿命=A×{(1/B)−1}で示される
数式から前記実装回路基板の余寿命を推定することを特
徴とする回路基板劣化診断装置。
12. The lifetime consumption rate B of a mounted circuit board used for a long time of A hours based on the lifetime characteristic by the lifetime estimation by the diagnostic means.
And estimating the remaining life of the mounted circuit board from a mathematical expression represented by remaining life = A × {(1 / B) −1}.
【請求項13】 実装回路基板の正常または劣化で異な
る電源電圧の発熱傾向から求めた電源電圧値で、前記実
装回路基板を通電又は動作させた場合の実装表面の熱状
態経時データを入力し、前記熱状態経時データの特徴量
を抽出する熱解析手段と、この熱解析手段で抽出した特
徴量を入力し特徴量と劣化データとを比較照合して前記
実装回路基板の劣化モードを判定する劣化モード判定手
段と、を備えたことを特徴とする回路基板劣化診断装
置。
13. Inputting thermal state temporal data of a mounting surface when the mounting circuit board is energized or operated with a power supply voltage value obtained from a heating tendency of a power supply voltage that differs depending on whether the mounting circuit board is normal or deteriorated, Thermal analysis means for extracting the characteristic amount of the thermal state time-lapse data, and deterioration which determines the deterioration mode of the mounted circuit board by inputting the characteristic amount extracted by the thermal analysis means, comparing and comparing the characteristic amount with the deterioration data A circuit board deterioration diagnosis device, comprising: a mode determination unit.
【請求項14】 劣化データを熱状態の測定環境条件又
は同種の正常品間における特徴量のばらつき量以上に劣
化モ−ドを有する実装回路基板の特徴量が変化している
場合に有意差ありと判定し、変化のない場合に有意差な
しと判定して結果Aとする第1の劣化モード判定手段
と、経年使用している実装回路基板と同種品の特徴量が
前記ばらつき量以上に変化している場合に有意差ありと
判定し、変化していなければ有意差なしと判定して結果
Bとする第2の劣化モード判定手段と、前記結果Aと前
記結果Bを条件別試験毎の結果とすることを可能とし、
前記結果Aと前記結果Bとを比較照合し、劣化モードを
判定する第3の劣化モード判定手段と、を備えたことを
特徴とする回路基板劣化診断装置。
14. Deterioration data is significantly different when a characteristic amount of a mounted circuit board having a deterioration mode is changed more than a measurement environment condition of a thermal state or a characteristic amount variation between normal products of the same type. The first degradation mode determination means that determines that there is no significant difference when there is no change, and sets the result to A, and the feature amount of the same kind as the mounted circuit board used for a long time changes more than the variation amount. A second deterioration mode determining unit that determines that there is a significant difference when the determination is made, and determines that there is no significant difference if the determination is not made, and sets the result B as the result B; To be the result,
A circuit board deterioration diagnosis device comprising: a third deterioration mode determination unit that compares the result A with the result B to determine a deterioration mode.
【請求項15】 実装回路基板上の特定の実装部品のみ
を対象とする発熱特性抽出装置を備えたことを特徴とす
る請求項2乃至請求項14のいずれかに記載された回路
基板劣化診断装置。
15. The apparatus for diagnosing deterioration of a circuit board according to claim 2, further comprising a heat generation characteristic extracting apparatus for only a specific mounted component on the mounted circuit board. .
【請求項16】 特徴量を熱分布の次元変化率又は次元
定常値又は実装部品の温度変化率又は定常温度とする発
熱特性抽出装置を備えたことを特徴とする請求項2乃至
請求項15のいずれかに記載された回路基板劣化診断装
置。
16. A heat generation characteristic extracting device according to claim 2, wherein the characteristic amount is a dimensional change rate or a dimensional steady value of a heat distribution, or a temperature change rate of a mounted component or a steady temperature. A circuit board deterioration diagnosis device according to any one of the above.
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