JP2000258923A - Method of forming tin oxide conductive pattern - Google Patents

Method of forming tin oxide conductive pattern

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JP2000258923A
JP2000258923A JP11058921A JP5892199A JP2000258923A JP 2000258923 A JP2000258923 A JP 2000258923A JP 11058921 A JP11058921 A JP 11058921A JP 5892199 A JP5892199 A JP 5892199A JP 2000258923 A JP2000258923 A JP 2000258923A
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Japan
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tin oxide
pattern
substrate
etching
film
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JP11058921A
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Japanese (ja)
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Koji Hisamatsu
晧二 久松
Kiyoshi Tomita
清 冨田
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Yokohama Oils and Fats Industry Co Ltd
Original Assignee
Yokohama Oils and Fats Industry Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming a high precise pattern of conductive tin oxide having excellent wear resistance on the surface of a substrate by a wet etching method regardless of the size of the non-conductive substrate and without polluting the working environment in a roam. SOLUTION: The tin oxide conductive pattern is formed on the surface of the non-conductive substrate by forming successively a tin oxide conductive film and a photoresist resin film on the surface of the non-conductive substrate in layer and after forming the desired pattern on the resist resin film, applying a coating aq. paste containing fine powdery zinc and adjusted to have 3,000-50,000 cp viscosity on the surface by a screen printing, etching the coated surface to form the tin oxide conductive pattern and removing the remaining resist resin.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス基板やシリ
コンウエハのような非導電性基板面に酸化錫の導電性パ
ターンを形成させる方法に関し、特に、酸化錫の微細な
パターンをウェット方式で効率良く形成させる方法に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a conductive pattern of tin oxide on the surface of a non-conductive substrate such as a glass substrate or a silicon wafer. It relates to a method of forming well.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、代表的エッチング技術としてウェ
ット方式とドライ方式が知られている。工業的にも操作
面からもウェット方式が有利であり、また、非導電性基
板として用いられる大型のガラス基板におけるエッチン
グもウェット方式による処理が望ましく、極めて実用的
である。事実、透明導電膜として一般的に普及している
インジウムと錫の酸化物(ITO)の膜は、含有される
それぞれの金属酸化物のエッチング速度の絶対値は異な
るが、例えば、塩酸あるいは塩酸と塩化第二鉄との組合
せ等のエッチング液で処理するウエット方式により、効
率よく且つ工業的に有利に導電パターンに形成されてい
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, a wet method and a dry method are known as typical etching techniques. The wet method is advantageous both industrially and in terms of operation, and the etching of a large glass substrate used as a non-conductive substrate is preferably performed by the wet method, which is extremely practical. In fact, a film of indium and tin oxide (ITO), which is widely used as a transparent conductive film, has different absolute values of the etching rates of the respective metal oxides contained therein. The conductive pattern is formed efficiently and industrially advantageously by a wet method in which an etching solution such as a combination with ferric chloride is used.

【0003】しかし、酸化錫は、優れた耐薬品性,耐熱
性及び高い耐摩耗性を有し、これまでフォトリソグラフ
ィ法によるウエット方式でエッチングして高精度の酸化
錫パターンを再現性よく得ることは技術的に困難であっ
た。しかもウエット方式による酸化錫膜のエッチング
は、極めて高度の職人的技術が要求され、事実、酸化錫
膜のエッチング処理は、熟練者による手作業で実験室的
に行われているにすぎず、ウエット方式による大量パタ
ーン処理は現在行われていない。このように、ウエット
方式により酸化錫の導電性微細パターンを形成させる工
業的に満足し得るエッチング方法はまだ確立されていな
い。それ故、酸化錫のパターン形成方法は、操作が厄介
なリフトオフ法によるドライエッチング方式で行われて
おり、工業的には、フォトレジストのネガパターンが形
成された基板にプラズマエッチングや反応性イオンエッ
チング等で化学蒸着させることにより酸化錫パターンを
形成させる方法がもっぱら採用されている。
However, tin oxide has excellent chemical resistance, heat resistance, and high abrasion resistance. Until now, it has been difficult to obtain a high-precision tin oxide pattern with good reproducibility by etching with a wet method by photolithography. Was technically difficult. Moreover, the etching of the tin oxide film by the wet method requires an extremely high level of craftsmanship, and in fact, the etching treatment of the tin oxide film is performed only manually by a skilled person in a laboratory. Large pattern processing by the method is not currently performed. Thus, an industrially satisfactory etching method for forming a conductive fine pattern of tin oxide by a wet method has not yet been established. Therefore, the tin oxide pattern formation method is performed by a dry etching method using a lift-off method, which is cumbersome to operate, and industrially, plasma etching or reactive ion etching is performed on a substrate on which a photoresist negative pattern is formed. For example, a method of forming a tin oxide pattern by chemical vapor deposition is generally employed.

【0004】米国特許第 2,606,566号明細書には、ガラ
ス基板上に形成された酸化錫の被膜を除去する方法とし
て、例えば、亜鉛,カドミウム,アルミニウム,鉄のよ
うな錫より電気陽性の金属の粉末と水分散性バインダー
を含有する混合物を酸化錫被膜上にコーティングし、そ
の後、非酸化性の鉱酸類、例えば、塩酸,硫酸,燐酸や
トリクロロ酢酸を金属被覆基板に適用して、ガラス基板
の電気伝導度を低減させる方法が記載されている。該明
細書は、透明な導電性酸化錫含有被膜が形成されたガラ
ス基板面に前記混合物を直接適用して、ガラス基板の全
面又は限定された領域の導電性を低減させ、あるいは酸
化錫含有被膜を除去するマクロ的方法を教えているだけ
で、酸化錫の微細なパターンの形成における微細パター
ンの切れ残り現象を克服する高い技術については、記載
も示唆もない。
US Pat. No. 2,606,566 discloses a method of removing a tin oxide film formed on a glass substrate, for example, by using a powder of a metal that is more positive than tin such as zinc, cadmium, aluminum and iron. And a mixture containing water and a water-dispersible binder is coated on a tin oxide film, and then a non-oxidizing mineral acid such as hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid or trichloroacetic acid is applied to the metal-coated substrate, and the electric power of the glass substrate is reduced. A method for reducing conductivity is described. The specification discloses that the mixture is directly applied to a glass substrate surface on which a transparent conductive tin oxide-containing coating is formed to reduce the conductivity of the entire surface or a limited area of the glass substrate, or that the tin oxide-containing coating is There is no description or suggestion of a high technique for overcoming the fine pattern uncut phenomenon in the formation of a fine pattern of tin oxide merely by teaching a macroscopic method of removing fine patterns.

【0005】また、近年、液晶プロセス(LCD)プラ
ズマディスプレー(PDP)の大型サイズ化に伴って、
大型ガラス基板に微細な電極回路パターンを微細加工す
ることが要望されている。かかる社会的要求に沿った大
型基板へのITO膜や酸化錫膜等のウエットエッチング
による微細パターンの製造においては、しばしば切れ残
りが生じ、特に、酸化錫の微細導電性パターンを工業的
に安定してガラス基板等の面に形成させることができな
いという致命的な問題があった。それ故、現在、リフト
オフ法による大型ガラス基板への酸化錫膜の微細パター
ンの形成は、ドライエッチング以外の方法では難しいと
考えられている。
[0005] In recent years, with the increase in size of a liquid crystal process (LCD) plasma display (PDP),
There is a demand for fine processing of a fine electrode circuit pattern on a large glass substrate. In the production of a fine pattern by wet etching of an ITO film or a tin oxide film on a large-sized substrate in accordance with such a social demand, uncut portions often occur, and particularly, a fine conductive pattern of tin oxide is industrially stabilized. There is a fatal problem that it cannot be formed on a surface such as a glass substrate. Therefore, at present, it is considered that forming a fine pattern of a tin oxide film on a large glass substrate by a lift-off method is difficult by a method other than dry etching.

【0006】本発明者らは、酸化錫膜のウエット方式に
よるエッチング方法について研究を重ね、工業的に望ま
しいエッチング助剤液を用いる酸化錫微細パターンの形
成方法を見出して先に提案した(特願平9−30212
0号)。この方法によれば、そのエッチング助剤液は、
粉末状亜鉛,水溶性樹脂及びシリカ系無機質微粒材料を
含有する特定のコーティング用水性液であって、この水
性液は、酸によるエッチングに先立ってレジスト樹脂パ
ターンが形成された基板面に接触処理される。その特異
なコーティング用水性助剤液は粘度が低いので、基板を
水性助剤液に浸漬したり、液を噴霧し、あるいは刷毛塗
りやローラーコート,バーコート等の塗布手段によって
酸化錫膜基板面に塗布する方法が採用される。
The present inventors have conducted research on a wet etching method for a tin oxide film, and have found and proposed a method for forming a fine pattern of tin oxide using an industrially desirable etching aid liquid (Japanese Patent Application No. 2002-214,197). Hei 9-30212
No. 0). According to this method, the etching aid liquid is
A specific coating aqueous liquid containing powdered zinc, a water-soluble resin, and a silica-based inorganic fine particle material. This aqueous liquid is subjected to contact treatment on a substrate surface on which a resist resin pattern has been formed prior to etching with an acid. You. Since the unique aqueous auxiliary liquid for coating has a low viscosity, the surface of the tin oxide film substrate is immersed in the aqueous auxiliary liquid, sprayed with a liquid, or applied by a brush, a roller coat, a bar coat or the like. Is applied.

【0007】しかし、この塗布手段には、技術的に種々
の問題がある。例えば、基板を水性助剤液に浸漬する方
法では、液を均質に保つために絶えず撹拌混合すること
が要求され、また浸漬基板を慎重に且つゆっくり引き上
げる必要がある。更に、液の粘度が5センチポイズ以下
では均一な塗膜が得られ難く、100 センチポイズ以上で
は逆にコーティング膜が厚くなり不都合である。液の粘
度範囲が10〜50センチポイズで良好な膜が形成される
が、浸漬法では、基板の側面にもコーティング膜が付着
形成され、コストアップを招くので工業的に不利であ
る。この浸漬法は、基板の径が12インチ程度のものでは
特に操作上の問題はないが、例えば、径が40インチ以上
の基板では、基板が自重によって若干たわむため均一な
コーティング膜を形成させることが難しい。
However, this coating means has various technical problems. For example, in the method of immersing the substrate in the aqueous auxiliary liquid, it is necessary to constantly stir and mix the liquid to keep the liquid homogeneous, and it is necessary to carefully and slowly lift the immersed substrate. Further, if the viscosity of the liquid is less than 5 centipoise, it is difficult to obtain a uniform coating film, and if the viscosity is more than 100 centipoise, the coating film becomes thicker, which is inconvenient. Although a good film is formed when the viscosity of the liquid is in the range of 10 to 50 centipoise, the immersion method is industrially disadvantageous because a coating film is formed on the side surface of the substrate, resulting in an increase in cost. This immersion method has no operational problem particularly when the diameter of the substrate is about 12 inches, but for example, for a substrate having a diameter of 40 inches or more, a uniform coating film is formed because the substrate is slightly bent by its own weight. Is difficult.

【0008】刷毛塗り,ローラーコートやバーコート等
の塗布方法は、径が12インチ程度の基板では不都合はな
いが、40インチ以上の径の基板の刷毛塗りでは、むらが
でき易く均一膜を形成させるために何回も重ね塗りをし
なければならないので、必然的に膜厚が厚くなりコスト
アップの要因となる。また、ローラーコートやワイヤー
バーコートの場合にも、40インチ以上の基板では、自重
によるたわみで均一な塗布が困難である。コーティング
用水性液を噴霧する塗布方法は、基板の大きさに無関係
に均一塗布ができるが、塗着効率が60%程度に過ぎず、
40%程度は霧状の微細粒となって雰囲気中に飛散し、室
内の環境を悪化させる原因となる。
The coating method such as brush coating, roller coating and bar coating is not inconvenient for a substrate having a diameter of about 12 inches, but it is easy to form a uniform film by brush coating a substrate having a diameter of 40 inches or more. In order to achieve this, multiple coatings must be performed, so that the film thickness is inevitably increased, resulting in an increase in cost. Also, in the case of a roller coat or a wire bar coat, it is difficult to uniformly apply a substrate having a size of 40 inches or more due to deflection due to its own weight. The application method of spraying the aqueous liquid for coating enables uniform application regardless of the size of the substrate, but the application efficiency is only about 60%,
Approximately 40% becomes mist-like fine particles and scatters in the atmosphere, causing deterioration of the indoor environment.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、特に、
コーティング用水性助剤液の均一塗布に係る上記諸欠点
を克服する実用的に望ましい改善方法について各種の試
作研究を行った。従って、本発明の課題は、湿式エッチ
ング法において、酸化錫導電膜上にフォトレジスト樹脂
のパターンが形成された基板面にコーティング用水性助
剤液を、基板の大きさに係わりなく均一に塗布し且つ室
内の作業環境を汚染することのない実用的方法を提供す
ることにある。また他の課題は、耐摩耗性の優れた導電
性酸化錫の高精度パターンが形成された非導電性基板、
例えば、タッチパネル用ガラス基板,PDP用ガラス基
板やアモルファス太陽電池用ガラス基板等を工業的に有
利に提供することにある。
The present inventors have, in particular,
Various trials and researches were conducted on practically desirable improvement methods for overcoming the above-mentioned drawbacks related to the uniform application of the aqueous auxiliary liquid for coating. Therefore, an object of the present invention is to provide a wet etching method in which a coating aqueous auxiliary liquid is uniformly applied to a substrate surface on which a pattern of a photoresist resin is formed on a tin oxide conductive film, regardless of the size of the substrate. Another object of the present invention is to provide a practical method that does not pollute the indoor working environment. Another problem is that a non-conductive substrate on which a high-precision pattern of conductive tin oxide having excellent wear resistance is formed,
For example, it is to provide a glass substrate for a touch panel, a glass substrate for a PDP, a glass substrate for an amorphous solar cell, or the like in an industrially advantageous manner.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記特許請求
の範囲の請求項1に記載の要件から成る非導電性基板表
面に、微細な高精度の酸化錫の導電性パターンを容易且
つ安定に形成させる工業的に有利な実用的方法を提供す
る。しかして、本発明の方法は、特に、非導電性基板面
に酸化錫の導電膜を形成させ、該導電膜の上にフォトレ
ジスト樹脂の所望パターンを形成させて、その表面に微
細粉末状亜鉛を含有する特定高粘度範囲に調整されたコ
ーティング用水性ペーストをスクリーン印刷により塗布
し、エッチングするウエット方式によるパターニングに
技術的特徴がある。
According to the present invention, a fine and high-precision conductive pattern of tin oxide is easily and stably formed on the surface of a non-conductive substrate according to the requirements of claim 1. To provide an industrially advantageous practical method of forming In particular, the method of the present invention includes forming a conductive film of tin oxide on the surface of a non-conductive substrate, forming a desired pattern of a photoresist resin on the conductive film, and forming fine powdered zinc on the surface. There is a technical feature in patterning by a wet method in which an aqueous paste for coating adjusted to a specific high viscosity range containing is applied by screen printing and etched.

【0011】上記のように、本発明の方法は、非導電性
基板表面の導電性酸化錫膜のエッチングに先立って、そ
のエッチングを効率的に行わせる前処理剤として、微細
粉末状亜鉛を高濃度に含有し、且つ粘度が3,000 〜50,0
00cpの範囲に調整された特定のコーティング用水性ペ
ーストをスクリーン印刷により酸化錫膜の所望領域に塗
布して酸化錫膜に予め密に接触させる点が特徴的であ
る。高粘度の水性ペーストは、径が40インチ以上の大き
な基板に対しても均一な塗布が保証され、また塗布する
所望の確定領域に対応して印刷されるので予備処理剤の
ロスが大幅に抑制され、続くウエットエッチング処理の
エッチング効率を高めることもできるという利点を有す
る。
As described above, in the method of the present invention, prior to the etching of the conductive tin oxide film on the surface of the non-conductive substrate, fine powdered zinc is used as a pretreatment agent for efficiently performing the etching. Concentration and viscosity 3,000-50,0
A characteristic feature is that a specific coating aqueous paste adjusted to a range of 00 cp is applied to a desired region of the tin oxide film by screen printing, and is brought into close contact with the tin oxide film in advance. The high-viscosity aqueous paste ensures uniform coating even on large substrates with a diameter of 40 inches or more, and is printed in accordance with the desired defined area to be coated, so loss of pretreatment agents is greatly reduced. This has the advantage that the etching efficiency of the subsequent wet etching process can be increased.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】本発明の方法において導電性パタ
ーンを形成させる非導電性の基板は、微細な導電性パタ
ーンを形成させてTFT用LCD、PDPやタッチパネ
ル,太陽電池用パネルなどに有用な電子部品を提供し得
る非導電性基板素材類が包含され、かかる基板の具体例
としては、例えば、ガラス,シリコンウエハ,アモルフ
ァス型太陽電池用ガラス基板等が代表的に挙げられる。
また、本発明の方法において、非導電性の基板表面に酸
化錫の被膜を形成させる方法としては、例えば、酸化錫
を電気めっき,スパッタリング,イオンプレーティング
あるいは金属蒸着等の通常知られたいずれの方法も採用
できる。形成される皮膜の厚さは、通常、30nm〜1500
nmの範囲であって、基板の大きさや適用対象等によっ
て適宜選択される。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A non-conductive substrate on which a conductive pattern is formed in the method of the present invention is useful for forming a fine conductive pattern to be used for LCDs for TFTs, PDPs, touch panels, panels for solar cells, and the like. Non-conductive substrate materials capable of providing electronic components are included. Specific examples of such a substrate include, for example, glass, a silicon wafer, and a glass substrate for an amorphous solar cell.
In the method of the present invention, as a method of forming a tin oxide film on the surface of a non-conductive substrate, for example, tin oxide may be formed by any commonly known method such as electroplating, sputtering, ion plating or metal deposition. A method can also be adopted. The thickness of the formed film is usually from 30 nm to 1500
It is in the range of nm, and is appropriately selected depending on the size of the substrate, the application target, and the like.

【0013】次に、その酸化錫導電膜の面に、フォトレ
ジスト樹脂液が塗布され、乾燥してレジスト層(膜)が
形成される。フォトレジスト樹脂の乾燥膜厚は、エッチ
ング液によるエッチング処理において、そのレジスト樹
脂膜でカバーされた酸化錫膜を安定に防護することがで
きる厚さであれば可及的薄い膜でよく、例えば、1〜2
μm程度が実用的であるが限定されない。またフォトレ
ジスト用樹脂としては、従来知られた各種の光硬化性樹
脂類がすべて使用できる。かかる樹脂としては、例え
ば、クレゾール・ノボラック樹脂,フェノール・ノボラ
ック樹脂及び置換フェノール・ノボラック樹脂等が代表
的に挙げられる。
Next, a photoresist resin solution is applied to the surface of the tin oxide conductive film and dried to form a resist layer (film). The dry film thickness of the photoresist resin may be a film as thin as possible as long as it can stably protect the tin oxide film covered with the resist resin film in the etching treatment with the etching solution. 1-2
A thickness of about μm is practical but not limited. As the resin for the photoresist, any of various conventionally known photocurable resins can be used. Typical examples of such resins include cresol-novolak resins, phenol-novolak resins, and substituted phenol-novolak resins.

【0014】次いで、フォトレジスト樹脂膜が形成され
た基板に所望のパターンを有するフォトマスクを載せ、
そのマスクを介して紫外線,プラズマその他の適切な化
学線を照射し、次いで、このレジスト膜を現像しリンス
して、例えば、光が照射されなかった部分の樹脂を適切
な溶剤で溶解除去して微細なレジスト樹脂のポジパター
ンを形成させる。このように樹脂パターンが形成された
基板は、通常、導電膜への密着性及び耐食性を向上さ
せ、パターンを安定化させるために、例えば 100〜200
℃の範囲の温度で焼き付けられる。
Next, a photomask having a desired pattern is placed on the substrate on which the photoresist resin film is formed,
The resist film is irradiated with ultraviolet rays, plasma, or other suitable actinic rays through the mask, and then the resist film is developed and rinsed. A fine resist resin positive pattern is formed. The substrate on which the resin pattern is formed as described above generally improves adhesion and corrosion resistance to a conductive film and stabilizes the pattern.
It is baked at a temperature in the range of ° C.

【0015】本発明においては、このようにレジスト樹
脂パターンが形成された基板面に、エッチングに先立
ち、微細亜鉛粉末を含有する特定粘度範囲内に粘度調整
されたコーティング用水性ペーストがエッチング処理用
予備処理助剤として適用される。このコーティング用水
性ペーストに使用される亜鉛粉末は、実用上10μm以下
の微粉末であって、5μm以下のものが特に好ましい
が、あまり微細すぎると取扱いが厄介になるので歓迎で
きない。実用的に望ましい亜鉛粉末の大きさは、0.1〜
5μmの範囲である。
In the present invention, prior to etching, an aqueous paste for coating whose viscosity has been adjusted to a specific viscosity range containing fine zinc powder is preliminarily etched on the substrate surface on which the resist resin pattern has been formed. Applied as a processing aid. The zinc powder used in the coating aqueous paste is practically a fine powder having a size of 10 μm or less, and a powder having a size of 5 μm or less is particularly preferable. Practically desirable zinc powder size is 0.1 ~
The range is 5 μm.

【0016】また、水性ペースト中に含有させる亜鉛粉
末の濃度は、10〜85重量%の広い範囲で適用することが
できる。亜鉛粉末の含有量が10重量%より少ないと30n
mの酸化錫パタ−ンに切れ残り現象を生ずる恐れがあ
り、また、85重量%を超えると水性ペーストの粘性が増
大しすぎて印刷作業に悪影響を及ぼすので好ましくな
い。コーティング用水性ペ−ストの亜鉛粉末の濃度は、
エッチングにおける切れ残り現象を考慮して、更に、エ
ッチングされるべき酸化錫膜の厚さに応じて選択するこ
とが好ましく、通常、厚さ30〜 100nm程度の酸化錫膜
には、亜鉛粉末含有濃度が30〜60重量%の範囲が実用的
であり、厚い酸化錫膜、例えば 800〜2000nmの酸化錫
膜のエッチングには、亜鉛を70〜85重量%程度含有する
高濃度のペーストが好ましく用いられる。
The concentration of the zinc powder contained in the aqueous paste can be applied in a wide range of 10 to 85% by weight. 30n when the content of zinc powder is less than 10% by weight
m tin oxide pattern may cause the uncut portion, and if it exceeds 85% by weight, the viscosity of the aqueous paste becomes too large and adversely affects the printing operation. The concentration of zinc powder in the aqueous paste for coating is:
In consideration of the uncut phenomenon in the etching, it is preferable to further select according to the thickness of the tin oxide film to be etched. Usually, the tin oxide film having a thickness of about 30 to 100 nm has a zinc powder-containing concentration. The range of 30 to 60% by weight is practical, and a high-concentration paste containing about 70 to 85% by weight of zinc is preferably used for etching a thick tin oxide film, for example, a tin oxide film having a thickness of 800 to 2000 nm. .

【0017】また、本発明の方法に用いられる水性ペー
ストは、スクリーン印刷された領域からはみ出すように
流れ出ることがなく、且つ基板面への密着性の良好な粘
度、例えば、 3,000〜50,000cpの範囲の粘度に調整さ
れる。かかる度調整は、所望の亜鉛粉末量を含有する液
に、通常、添加剤を添加することによって行われる。そ
のような添加剤としては、例えば、増粘剤,水溶性樹
脂,シリカ系その他の微粉末状無機材料及び界面活性剤
等が包含される。また、スクリーン印刷及び酸化錫膜の
エッチングに悪影響を与えない他の添加剤の少量を添加
することもできる。ペーストの粘度が 3,000cp未満で
は、低粘度のために均一なスクリーン印刷が困難とな
り、印刷後にインクが基板面から流れ出るのでロスとな
るから工業的に不利である。また、50,000cpを超える
と高すぎる粘度のため印刷作業性が著しく低下するので
不都合である。実用的に望ましい粉末亜鉛含有水性ペー
ストの粘度は、5,000 〜40,000cpで、特に、10,000〜
30,000cpが好ましい。
The aqueous paste used in the method of the present invention does not flow out of the screen-printed area and has good adhesion to the substrate surface, for example, 3,000 to 50,000 cp. The viscosity is adjusted to Such a degree adjustment is generally performed by adding an additive to a liquid containing a desired amount of zinc powder. Such additives include, for example, thickeners, water-soluble resins, silica-based and other finely divided inorganic materials, and surfactants. Also, a small amount of other additives that do not adversely affect the screen printing and the etching of the tin oxide film can be added. If the viscosity of the paste is less than 3,000 cp, uniform screen printing becomes difficult due to the low viscosity, and the ink flows out of the substrate surface after printing, resulting in a loss, which is industrially disadvantageous. On the other hand, if it exceeds 50,000 cp, the printing workability is remarkably reduced due to too high viscosity, which is disadvantageous. Practically desirable aqueous zinc-containing aqueous pastes have a viscosity of 5,000 to 40,000 cp, in particular 10,000 to
30,000 cp is preferred.

【0018】上記コーティング用水性液に添加剤として
使用される増粘剤には、例えば、ベントナイト,シリカ
ゲル,でん粉等が挙げられる。水溶性樹脂は、水親和性
の強い水溶性ないし自己分散性熱可塑性樹脂類が包含さ
れ、そのような樹脂として、例えば、カルボキシメチル
セルロースナトリウム,メチルセルロース,ポリアクリ
ルサンナトリウム,アラビアガム,グアーガム,タラカ
ントガム,ペクチン及びローカストビーンガムなどが挙
げられる。これら水溶性樹脂は、通常、コーティング液
に基づいて、0.1 〜10重量%の範囲量で使用される。更
に、コーティング液に添加されるシリカ系無機材料とし
ては、代表的には、例えば、カオリン,珪藻土,コロイ
ダルシリカ,シリカゲル,タルク,パーライト及びベン
トナイト等が挙げられる。これらのシリカ系無機材料の
添加量は、通常、コーティング液基準で 0.1〜10重量%
程度である。
Examples of the thickener used as an additive in the coating aqueous liquid include bentonite, silica gel, starch and the like. The water-soluble resin includes water-soluble or self-dispersible thermoplastic resins having strong water affinity. Examples of such a resin include sodium carboxymethylcellulose, methylcellulose, sodium polyacrylsan, gum arabic, guar gum, taracant gum, and the like. Pectin and locust bean gum. These water-soluble resins are usually used in an amount of 0.1 to 10% by weight based on the coating liquid. Further, typical examples of the silica-based inorganic material added to the coating liquid include kaolin, diatomaceous earth, colloidal silica, silica gel, talc, perlite, bentonite, and the like. The addition amount of these silica-based inorganic materials is usually 0.1 to 10% by weight based on the coating solution.
It is about.

【0019】本発明の方法においては、上記コーティン
グ用水性液に、更に、必要に応じて親水性有機溶剤や界
面活性剤を添加することができる。親水性有機溶剤とし
ては、メタノール,エタノール,イソプロピルアルコー
ル,エチレングリコール,プロピレングリコール,グリ
セリン及び糖アルコール等が挙げられる。これら有機溶
剤は、単独でもよいし二種以上を組合せて使用してもよ
い。その添加量は、コ−ティング液基準で、例えば、0.
1 〜10重量%の濃度範囲である。
In the method of the present invention, a hydrophilic organic solvent or a surfactant can be further added to the aqueous solution for coating, if necessary. Examples of the hydrophilic organic solvent include methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethylene glycol, propylene glycol, glycerin, and sugar alcohol. These organic solvents may be used alone or in combination of two or more. The addition amount is, for example, 0.
The concentration ranges from 1 to 10% by weight.

【0020】また、界面活性剤としては、ノニオン系界
面活性剤及びアニオン系界面活性剤が用いられる。ノニ
オン系界面活性剤には、例えば、アルキルフェノール
(アルキル基の炭素原子数は6〜14)のアルキレンオ
キシド(アルキレンの炭素原子数は2〜4)付加物(付
加モル数は、通常、4〜30程度),高級アルコ−ル
(炭素数12〜22)のアルキレンオキシド付加物(付加モ
ル数、通常、4〜30程度),パーフルオロアルキル(ア
ルキル基の炭素原子数は6〜14)スルフォンアミドア
ルコールのアルキレンオキシド付加物及びN−(パ−フ
ルオロアシル)ーアルキレンジアミンのアルキレンオキ
シド付加物等が代表的に挙げられる。アニオン系界面活
性剤は、通常知られたものはすべて使用可能であるが、
パーフルオロアルキル(アルキル基の炭素原子数8〜1
4)スルフォン酸のアルカリ金属塩類が好ましく用いら
れる。これらの界面活性剤は、単独でもよいが二種以上
を組合せて使用することもできる。
As the surfactant, a nonionic surfactant and an anionic surfactant are used. Nonionic surfactants include, for example, alkyl phenol (alkyl group having 6 to 14 carbon atoms) alkylene oxide (alkylene has 2 to 4 carbon atoms) adduct (addition mole number is usually 4 to 30). Alkylene oxide adduct of higher alcohol (12 to 22 carbon atoms) (addition mole number, usually about 4 to 30), perfluoroalkyl (alkyl group has 6 to 14 carbon atoms) sulfonamide alcohol And alkylene oxide adducts of N- (perfluoroacyl) -alkylenediamine and the like. As the anionic surfactant, any of those generally known can be used,
Perfluoroalkyl (alkyl group having 8 to 1 carbon atoms)
4) Sulfonic acid alkali metal salts are preferably used. These surfactants may be used alone or in combination of two or more.

【0021】これらの界面活性剤の中で好ましいもの
は、アルキルフェノールのアルキレンオキシド付加物,
パーフルオロアルキルスルフォネート及びパーフルオロ
アルキルスルフォンアミドアルコールのアルキレンオキ
シド付加物であり、特に好ましいものは、ノニルフェノ
ールのエチレンオキシド10モル付加物,ドデシルフェノ
ールのエチレンオキシド10モル・プロピレンオキシド2
モル付加物,パーフルオロデシルスルフォネートのカリ
ウム塩及びパーフルオロオクチルスルフォンアミドエタ
ノルのエチレンオキシド20モル付加物である。本発明の
方法において、コーティング用水性液に存在させる界面
活性剤は、通常、水性ペーストに基づいて、通常、0.5
重量%以下の少量であって、実用的には、0.0005〜0.25
重量%の範囲が好ましい。少量の界面活性剤の添加は、
エッチング処理における導電パターンの切れ残り率を低
減させ、またパターンの形成精度を向上させるので好ま
しい。
Among these surfactants, preferred are alkylene oxide adducts of alkyl phenols,
Perfluoroalkyl sulfonates and alkylene oxide adducts of perfluoroalkyl sulfonamide alcohols, particularly preferred are 10 moles of ethylene oxide of nonylphenol, 10 moles of ethylene oxide of dodecylphenol and propylene oxide 2
A molar adduct, a potassium salt of perfluorodecyl sulfonate and a 20 mol adduct of ethylene oxide with perfluorooctylsulfonamide ethanol. In the method of the present invention, the surfactant to be present in the aqueous liquid for coating is usually 0.5% based on the aqueous paste.
A small amount of not more than 0.0005 to 0.25% by weight.
A range of weight% is preferred. The addition of a small amount of surfactant
This is preferable because the rate of uncut portions of the conductive pattern in the etching process is reduced and the accuracy of pattern formation is improved.

【0022】粘度調整されたエッチング前処理用水性ペ
ーストは、通常、酸化錫膜及びフォトレジスト樹脂パタ
ーンが形成された基板面を印刷し得る印刷領域が形成さ
れたスクリーンを介してスクィジーにより印刷塗布され
る。本発明の方法のスクリーン印刷に用いられるスクリ
ーンは、例えば、100 〜 400メッシュ程度の網目のもの
が好適に使用される。そのスクリーンの選択は、主とし
てエッチングされるべき基板面の酸化錫膜の厚さが考慮
され、また、前記ペースト中の亜鉛粉末の大きさとその
含有濃度及び単位面積当たりの所望塗布量等に関連して
選択される。このスクリーン印刷においては、亜鉛末含
有ペーストの粘度が高いので、塗布された領域外にペー
ストがはみ出し状に流れる恐れが実質的になく、適用領
域が制限される場合にも好都合に対応させることができ
るので、操作性においてもまたペーストのロスが小さく
抑えられる点においても工業的に極めて望ましい。
The aqueous paste for etching pretreatment whose viscosity has been adjusted is usually applied by printing with a squeegee through a screen in which a printing area capable of printing on the substrate surface on which the tin oxide film and the photoresist resin pattern are formed is formed. You. As the screen used for screen printing in the method of the present invention, for example, a screen having a mesh of about 100 to 400 mesh is suitably used. The selection of the screen mainly takes into consideration the thickness of the tin oxide film on the substrate surface to be etched, and also relates to the size and the concentration of zinc powder in the paste and the desired coating amount per unit area. Selected. In this screen printing, since the viscosity of the zinc dust-containing paste is high, there is substantially no possibility that the paste will flow out of the applied region in a protruding state, and it is possible to conveniently cope with the case where the application region is limited. Since it is possible, it is industrially extremely desirable in terms of operability and also in that the loss of the paste can be kept small.

【0023】印刷された水性ペーストの酸化錫膜への接
触時間は、エッチングされる酸化錫膜の厚さやペースト
の亜鉛濃度及び流動性(粘度)によって多少異なるが、
長時間は必要でない。例えば、1分以下の短時間でも有
効であって、通常、1〜10分程度の接触時間が好適に採
用されるが、最適時間は、簡単な実験により容易に決定
することができる。ペーストが印刷された基板は、次い
で、エッチング処理される。亜鉛粉末含有ペーストが接
触した酸化錫膜は、エッチング液処理により極めて効率
的にエッチング除去され、レジスト樹脂パターン部を残
して溶解される。本発明のウエット方式によれば、従
来、ウエット方式では避けられなかった切れ残り等の不
都合現象は効果的に解消され、非導電性基板面に極めて
容易且つ高い精度で酸化錫のパタ−ンが形成される。そ
の優れたエッチング効果が得られる理由は明らかではな
いが、高濃度の亜鉛微粉末を含有する上記水性ペースト
のスクリーン印刷による予備処理が極めて有効に作用す
るものと推定される。
The contact time of the printed aqueous paste with the tin oxide film varies somewhat depending on the thickness of the tin oxide film to be etched, the zinc concentration of the paste and the fluidity (viscosity).
Long hours are not required. For example, it is effective even for a short time of 1 minute or less, and usually, a contact time of about 1 to 10 minutes is preferably employed, but the optimum time can be easily determined by a simple experiment. The substrate on which the paste is printed is then etched. The tin oxide film in contact with the zinc powder-containing paste is very efficiently etched away by etching solution treatment, and is dissolved leaving the resist resin pattern portion. According to the wet method of the present invention, inconvenient phenomena such as uncut parts, which were unavoidable in the conventional wet method, are effectively eliminated, and the tin oxide pattern is extremely easily and highly accurately formed on the surface of the non-conductive substrate. It is formed. The reason why the excellent etching effect is obtained is not clear, but it is presumed that the preliminary treatment by screen printing of the aqueous paste containing high-concentration zinc fine powder works extremely effectively.

【0024】上記エッチング処理に使用されるエッチン
グ液は、従来の金属のエッチングに使用される各種酸エ
ッチング液が好都合に使用できる。そのようなエッチン
グ液として、例えば、硫酸,硝酸,燐酸,ふっ酸,蓚
酸,酢酸,沃化水素酸,トリクロロ酢酸,王水,塩化第
二鉄と塩酸溶液,塩酸と硝酸,硫酸と塩酸,燐酸と硝
酸,燐酸と塩酸,過酸化水素酸と硫酸などの酸液類が挙
げられる。通常、それらの酸液は、その酸に適切な濃度
の水溶液に調整され使用される。これらのエッチング液
は、スプレー等で塗布してもよいし、基板をエッチング
液の中に浸漬処理することもできる。浸漬処理は、例え
ば、液を10〜40℃の温度に保ち、その中に30〜60秒程度
の時間浸漬したのち、その基板は水洗される。この浸漬
処理に代えてエッチング液を含浸した不織布をペースト
の印刷面に押圧接触させてエッチング処理することもで
きる。
As the etchant used for the above-mentioned etching treatment, various acid etchants used for conventional metal etching can be conveniently used. Examples of such an etchant include sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, hydrofluoric acid, oxalic acid, acetic acid, hydroiodic acid, trichloroacetic acid, aqua regia, ferric chloride and hydrochloric acid solution, hydrochloric acid and nitric acid, sulfuric acid and hydrochloric acid, and phosphoric acid And acid liquids such as nitric acid, phosphoric acid and hydrochloric acid, and hydrogen peroxide and sulfuric acid. Usually, these acid solutions are prepared and used in an aqueous solution having an appropriate concentration for the acid. These etchants may be applied by spraying or the like, or the substrate may be immersed in the etchant. In the immersion treatment, for example, after the liquid is kept at a temperature of 10 to 40 ° C. and immersed therein for about 30 to 60 seconds, the substrate is washed with water. Instead of the immersion treatment, the nonwoven fabric impregnated with the etching solution may be pressed against the printed surface of the paste to perform the etching treatment.

【0025】このようにエッチング処理された基板は、
最後に、パターン表層に残留するレジスト樹脂層が除去
される。その除去処理は、光硬化レジスト樹脂を溶解し
得る適切な溶剤に接触溶解させることにより容易に遂行
される。このようにして大形基板の場合にも、切れ残り
のない極めて高精度の酸化錫導電パターンの形成された
非導電性基板を工業的に有利に得ることができる。レジ
スト樹脂を溶解させる溶剤は、光硬化レジスト樹脂の種
類によって異なるが、例えば、アセトン,メチル−エチ
ルケトン,ディメチルフォルマミドのような有機溶剤及
びアルカリ水溶液や温水等が挙げられる。これらの溶剤
は、酸化錫パターンを害することがなく且つ使用したレ
ジスト樹脂の溶解に好適なものが選択使用される。
The substrate thus etched is:
Finally, the resist resin layer remaining on the pattern surface layer is removed. The removal treatment is easily performed by contacting and dissolving in a suitable solvent capable of dissolving the photocurable resist resin. In this way, even in the case of a large-sized substrate, a non-conductive substrate on which an extremely high-precision tin oxide conductive pattern having no uncut portions can be industrially advantageously obtained. The solvent for dissolving the resist resin varies depending on the type of the photocurable resist resin, and examples thereof include an organic solvent such as acetone, methyl-ethylketone, and dimethylformamide, an alkaline aqueous solution, and warm water. As these solvents, those which do not harm the tin oxide pattern and are suitable for dissolving the resist resin used are selected and used.

【0026】[0026]

【実施例】次に、具体例により、本発明の特徴を更に詳
細に説明する。なお、例中の部数及び%は、特に記載が
ない限り重量による。また、各具体例におけるエッチン
グの性能評価は、ガラス面に形成された酸化錫パターン
を顕微鏡で観察し、全面積に対する切れ残り面積の割合
をを切れ残り率(不良率)%として表示した。
Next, the features of the present invention will be described in more detail with reference to specific examples. In addition, the number of parts and% in the examples are by weight unless otherwise specified. In the evaluation of the etching performance in each specific example, the tin oxide pattern formed on the glass surface was observed with a microscope, and the ratio of the uncut area to the total area was indicated as the uncut rate (defective rate)%.

【0027】[実施例1]3インチ角のガラス基板の片
方の面に、スパッタリングにより膜厚30nmの薄い酸化
錫膜を形成させ、次に、これをガラス基板洗浄剤(横浜
油脂工業社製の商品名:セミクリーンKG)で洗浄し乾
燥した。その酸化錫膜の上にフォトレジスト感光液[東
京応化工業社製の商品名:OFPR− 800(35cp)]
をMIKASA SPINNER IX−DX(ミカサ
社製)を用い、回転数3,000rpmで3秒間スピンコートし
た。コーティングされたフォトレジスト樹脂膜は、いず
れも温風乾燥機を用いて80℃の温度で30分間プリベーク
した。
Example 1 A thin tin oxide film having a thickness of 30 nm was formed on one surface of a 3 inch square glass substrate by sputtering, and then this was washed with a glass substrate cleaning agent (Yokohama Yushi Kogyo Co., Ltd.). (Product name: Semi-clean KG) and dried. Photoresist photosensitive solution [trade name: OFPR-800 (35 cp) manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.] on the tin oxide film
Was spin-coated at 3,000 rpm for 3 seconds using MIKASA SPINNER IX-DX (manufactured by Mikasa Corporation). Each of the coated photoresist resin films was prebaked at a temperature of 80 ° C. for 30 minutes using a warm air dryer.

【0028】次に、パターン形成精度を調べるために、
テストパターンの線の太さが2μm,5μm,10μm,
20μm,30μm及び40μmの各種フォトマスクを使用
し、マスクアライメント装置(ミカサ社製)を用いて光
照射してそれぞれのマスクについてレジスト樹脂パター
ンを形成させた。光照射は、それぞれ化学線を5秒間ず
つ照射した。これを現像液NMD−3(東京応化工業社
製)を用いて、浸漬搖動法により常温で60秒間、現像処
理した。現像処理された基板面を直ちに純水で60秒間リ
ンスし、次いで、5秒間純水シャワーで洗浄したのちポ
ストベークを30秒間行って、それぞれのフォトマスクの
ネガレジストパターンが形成された各種のガラス基板を
得た。レジスト樹脂のパターンが形成されたガラス基板
面にテトロン製 180メッシュのSN−シルクスクリーン
(新日本造形社製)を置き、そのスクリーンを介して下
記組成を有する粘度10,000cpの水性ペースト約0.5 g
をスクィジーで印刷塗布した。
Next, in order to check the pattern formation accuracy,
The test pattern line thickness is 2 μm, 5 μm, 10 μm,
Using various photomasks of 20 μm, 30 μm, and 40 μm, light irradiation was performed using a mask alignment device (manufactured by Mikasa Corporation) to form a resist resin pattern for each mask. The light irradiation was performed by irradiating each with actinic radiation for 5 seconds. This was developed at room temperature for 60 seconds by immersion rocking method using a developing solution NMD-3 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.). Immediately rinse the developed substrate surface with pure water for 60 seconds, then wash with a pure water shower for 5 seconds, and post-bake for 30 seconds to obtain various types of glass on which the negative resist pattern of each photomask was formed. A substrate was obtained. A 180-mesh SN-silk screen (manufactured by Shin Nihon Zokei Co., Ltd.) made of Tetron is placed on the glass substrate surface on which the resist resin pattern is formed, and about 0.5 g of a 10,000 cp viscosity aqueous paste having the following composition is passed through the screen.
Was applied by printing with a squeegee.

【0029】 (水性ペースト) (%) 亜鉛粉末 20 メチルセルローズ 2 シリカゲル 30 プロピレングリコール 0.5 ラウリルアルコールのエチレンオキシド12モル付加物 0.1 水 47.4(Aqueous paste) (%) Zinc powder 20 Methyl cellulose 2 Silica gel 30 Propylene glycol 0.5 Ethylene oxide 12 mol adduct of lauryl alcohol 0.1 Water 47.4

【0030】次に、コーティング処理された基板を10%
塩酸水溶液中に常温で60秒間浸漬してエッチング処理
し、取出して充分水洗したのち、残留するレジスト樹脂
をアセトンで溶解除去した。また、エッチング液として
5%塩酸水溶液で同様にエッチング処理し比較した。こ
の操作を各種線幅のテストパターンについて行い、それ
ぞれについての切れ残り率(%)調べた。それらの結果
を下掲表1に示す。パタ−ン形成精度として、ガラス基
板面に線幅10μmで切れ残りのないシャープな細線パタ
ーンが形成された。 (表1) エッチング液 パ タ ー ン 線 幅 塩酸濃度 % 2μm 5μm 10μm 20μm 30μm 40μm 5 11 4 0 0 0 0 10 5 3 0 0 0 0
Next, the coated substrate is reduced to 10%
After being immersed in an aqueous hydrochloric acid solution at room temperature for 60 seconds to perform etching treatment, taken out and sufficiently washed with water, the remaining resist resin was dissolved and removed with acetone. In addition, etching treatment was similarly performed using a 5% hydrochloric acid aqueous solution as an etching solution, and comparison was made. This operation was performed for test patterns of various line widths, and the uncut ratio (%) was examined for each of them. The results are shown in Table 1 below. As a pattern formation precision, a sharp fine line pattern with a line width of 10 μm and no uncut portion was formed on the glass substrate surface. (Table 1) Etching solution pattern Line width Hydrochloric acid concentration% 2 μm 5 μm 10 μm 20 μm 30 μm 40 μm 5 11 4 0 0 0 10 10 5 3 0 0 0 0 0

【0031】[比較例1]比較のために、実施例1と同
様に操作して、膜厚30nmの酸化錫膜上に形成されたフ
ォトレジスト樹脂膜に各種線幅のテストパターン用フォ
トマスクを用いて各種のレジストパターニングが施され
た3インチ角のガラス基板それぞれを、エッチングに先
だって、米国特許第 2,606,566号明細書に記載された下
記組成の代表的コーティング液を用いて同様に処理し
た。 脱イオン水 971.4 ml グリセリン 14 ml 亜硝酸ナトリウム 2.8 g ピロ燐酸ナトリウム 1.4 g ベントナイト 6.9 g 使用に際しては、上記混合液 700gに粉末亜鉛 300gを
加えて亜鉛含量30%のコーティング水溶液を調製し使用
した。
COMPARATIVE EXAMPLE 1 For comparison, a photomask for a test pattern having various line widths was formed on a photoresist resin film formed on a tin oxide film having a thickness of 30 nm in the same manner as in Example 1. Each of the 3-inch square glass substrates having been subjected to various resist patterning processes was similarly treated with a representative coating solution having the following composition described in U.S. Pat. No. 2,606,566 prior to etching. Deionized water 971.4 ml Glycerin 14 ml Sodium nitrite 2.8 g Sodium pyrophosphate 1.4 g Bentonite 6.9 g When using, 300 g of powdered zinc was added to 700 g of the above mixed solution to prepare and use a coating aqueous solution having a zinc content of 30%.

【0032】このように調製されたコーティング水性液
0.5gを、フォトレジストパターンが施された3インチ
角のガラス基板に、実施例1と同じスクリーンを用いて
同様にスクリーン印刷で塗布し、実施例1と同じ5%又
は10%の塩酸水溶液に60秒間浸漬してエッチング処理し
た。取り出されたガラス基板を充分水洗したのち、残留
するレジスト樹脂をアセトンで溶解除去して酸化錫パタ
ーンを有するタッチパネル用ガラス基板を得た。同様に
処理して得られた各種線幅の酸化錫パターン基板の切れ
残り率%(不良率)を顕微鏡観察で測定し、それらの結
果を表2に示す。
The aqueous coating solution thus prepared
0.5 g of a 5% or 10% hydrochloric acid aqueous solution is applied to a 3-inch square glass substrate on which a photoresist pattern has been applied, using the same screen as in Example 1 by screen printing. It was immersed for 60 seconds for etching. After sufficiently removing the removed glass substrate with water, the remaining resist resin was dissolved and removed with acetone to obtain a glass substrate for a touch panel having a tin oxide pattern. The percentage of uncut portion (defective rate) of tin oxide pattern substrates having various line widths obtained by the same treatment was measured by microscopic observation, and the results are shown in Table 2.

【0033】 (表2) エッチング液 パ タ ー ン 線 幅 塩酸濃度 % 2μm 5μm 10μm 20μm 30μm 40μm 5 56 45 34 21 10 5 10 60 22 18 15 5 3 ガラス面に40μmの線幅で切れ残りのパターンが形成さ
れた。
(Table 2) Etching solution pattern Line width Hydrochloric acid concentration% 2 μm 5 μm 10 μm 20 μm 30 μm 40 μm 5 56 45 34 21 10 5 10 60 22 18 15 5 3 Remaining pattern with a line width of 40 μm on the glass surface Was formed.

【0034】[実施例2]実施例1と同様にして80nm
の酸化錫が形成され、その上に同様の各種線幅のテスト
パターンのフォトマスクによりフォトレジスト膜がパタ
ーニングされた3インチ角のPDP用ガラス基板面に、
下記組成の水性ペースト約0.5 gをスクリーン印刷法で
塗布し、コーティング乾燥膜を形成させた。 (水性ペースト) (%) 亜鉛粉末 30 カルボキシメチルセルロースナトリウム 3 アエロジル200 5 カオリン 25 イソプロピアルコール 0.5 ノニルフェノールのエチレンオキシド10モル付加物 0.1 水 36.4
[Example 2] 80 nm in the same manner as in Example 1.
Is formed on the surface of a 3-inch square PDP glass substrate on which a photoresist film is patterned by a photomask of a test pattern having the same various line widths.
About 0.5 g of an aqueous paste having the following composition was applied by a screen printing method to form a dried coating film. (Aqueous paste) (%) Zinc powder 30 Sodium carboxymethylcellulose 3 Aerosil 2005 Kaolin 25 Isopropanol 0.5 Ethyl oxide 10 mol adduct of nonylphenol 0.1 Water 36.4

【0035】次に、このコーティング膜が形成された基
板を、60秒間5%塩酸水溶液と10%塩酸水溶液それぞれ
のエッチング液について浸漬処理した。処理基板を充分
水洗したのち、アセトンで残留するレジスト樹脂を溶解
除去した。それぞれの切れ残り率%を下掲表3に示し
た。 (表3) エッチング液 パ タ ー ン 線 幅 塩酸濃度 % 2μm 5μm 10μm 20μm 30μm 40μm 5 15 8 3 0 0 0 10 8 5 2 0 0 0 ガラス面には、20μmで切れ残りのないシャープな細線
パターンが得られた。
Next, the substrate on which the coating film was formed was immersed in an etching solution of a 5% hydrochloric acid aqueous solution and a 10% hydrochloric acid aqueous solution for 60 seconds. After thoroughly washing the treated substrate with water, the remaining resist resin was dissolved and removed with acetone. Table 3 below shows the percentage of uncut portions. (Table 3) Etching solution pattern Line width Hydrochloric acid concentration% 2 μm 5 μm 10 μm 20 μm 30 μm 40 μm 5 15 8 3 0 0 0 10 8 5 2 0 0 0 Sharp fine line pattern with 20 μm on the glass surface was gotten.

【0036】[実施例3]実施例1と同様に、3インチ
角のガラス基板の一方の面に厚さ30nmの酸化錫膜及び
フォトレジスト樹脂膜を形成させ、同様に六種の線の太
さの異なるテストパターンのマスクにより、それぞれの
フォトレジストパターンを形成させた。それぞれの面に
下記組成のコーティング用水性ペースト約 0.5gを180
メッシュのスクリーンを用いてスクリーン印刷し、乾燥
させてペーストの乾燥コーティング膜を得た。
Example 3 As in Example 1, a 30-nm thick tin oxide film and a photoresist resin film were formed on one surface of a 3-inch square glass substrate. The respective photoresist patterns were formed using masks of different test patterns. 180 g of the aqueous paste for coating of the following composition
Screen printing was performed using a mesh screen and dried to obtain a dry coating film of the paste.

【0037】 (水性ペースト) (%) 亜鉛粉末 40 グァガム 3 サイリシア770 20 ソルビトール70 0.5 パーフルオロオクチルスルホンアミドの エチレンオキシド20モル付加物 0.1 水 36.4(Aqueous paste) (%) zinc powder 40 guar gum 3 thyricia 770 20 sorbitol 70 0.5 perfluorooctylsulfonamide ethylene oxide 20 mol adduct 0.1 water 36.4

【0038】このペーストコーティング膜が形成された
基板を塩酸水溶液に浸漬し、常温で60秒間エッチング処
理した。エッチングは、比較のために5%と10%塩酸水
溶液に二種について行った。これを液から取出して充分
水洗し、アセトンで残留するレジスト樹脂を溶解除去し
た。各基板に形成されたパターンの切れ残り率%を調べ
た結果を、下掲表4に示した。
The substrate on which the paste coating film was formed was immersed in an aqueous hydrochloric acid solution and subjected to an etching treatment at room temperature for 60 seconds. Etching was performed for two types in 5% and 10% hydrochloric acid aqueous solutions for comparison. This was taken out of the solution, washed sufficiently with water, and the remaining resist resin was dissolved and removed with acetone. Table 4 below shows the result of examining the percentage of uncut portion of the pattern formed on each substrate.

【0039】 (表4) エッチング液 パ タ ー ン 線 幅 塩酸濃度 % 2μm 5μm 10μm 20μm 30μm 40μm 5 5 3 0 0 0 0 10 3 1 0 0 0 0 ガラス面には、10μmでも切れ残りのないシャープな高
精度の微細線のパターンが得られた。またこの水性ペー
ストを用いて、タッチパネル用ガラス基板にITO膜に
代えて、スパッタリングで形成させた酸化錫の透明導電
膜を同様に処理することにより、優れた電極回路の微細
パターンを得ることができた。
(Table 4) Etching solution pattern Line width Hydrochloric acid concentration% 2 μm 5 μm 10 μm 20 μm 30 μm 40 μm 5 5 300 0 0 0 10 3 1 0 0 0 Sharp that is not cut off even at 10 μm on the glass surface A highly accurate fine line pattern was obtained. In addition, by using this aqueous paste and treating the transparent conductive film of tin oxide formed by sputtering in the same manner in place of the ITO film on the glass substrate for the touch panel, a fine pattern of an excellent electrode circuit can be obtained. Was.

【0040】[実施例4]3インチ角のTFT用ガラス
基板の片方の面に、スパッタリングにより膜厚が約30n
mの酸化錫の薄い膜を形成させた。その酸化錫膜形成基
板を洗浄剤:セミクリーンLGL(横浜油脂工業社製の
ガラス基板洗浄剤)で洗浄し、乾燥させたのち、実施例
1と同様に処理してレジスト膜の形成させ、パターニン
グを行って所望のレジスト樹脂パターンを得た。このレ
ジストパターンが形成されたガラス基板面に、下記組成
のコーティング用水性ペースト(粘度が約30,000cp)
0.5 gをスクリーン印刷法で塗布し、乾燥させた。
Example 4 A film having a thickness of about 30 n was formed on one surface of a 3-inch square glass substrate for TFT by sputtering.
m of tin oxide was formed. The substrate on which the tin oxide film is formed is washed with a cleaning agent: semi-clean LGL (a glass substrate cleaning agent manufactured by Yokohama Yushi Kogyo Co., Ltd.), dried and then processed in the same manner as in Example 1 to form a resist film and patterning. To obtain a desired resist resin pattern. An aqueous paste for coating having the following composition (viscosity of about 30,000 cp) is applied to the glass substrate surface on which the resist pattern is formed.
0.5 g was applied by a screen printing method and dried.

【0041】 (水性ペースト) (%) 亜鉛粉末 60 ポリアクリル酸ナトリウム 3 ベントナイト 10 プロピレングリコール 0.5 ラウリルアルコールのエチレンオキシド12モル付加物 0.1 水 26.4(Aqueous paste) (%) Zinc powder 60 Sodium polyacrylate 3 Bentonite 10 Propylene glycol 0.5 12 mol ethylene oxide adduct of lauryl alcohol 0.1 Water 26.4

【0042】乾燥コーティング膜が形成された基板を常
温の塩酸水溶液のエッチング液に60秒間浸漬し、取出し
て充分水洗したのちアセトンでレジスト樹脂を溶解除去
した。六種のテストパターン及び二種のエッチング塩酸
濃度水溶液により実施例3と同様に行ったガラス基板の
酸化錫パターンの切れ残り率%を表5にまとめて示す。
The substrate on which the dried coating film was formed was immersed in an etching solution of a hydrochloric acid aqueous solution at room temperature for 60 seconds, taken out and sufficiently washed with water, and then the resist resin was dissolved and removed with acetone. Table 5 shows the percentage of uncut remaining percentage of the tin oxide pattern on the glass substrate in the same manner as in Example 3 using six types of test patterns and two types of aqueous hydrochloric acid solutions.

【0043】 (表5) エッチング液 パ タ ー ン 線 幅 塩酸濃度 % 2μm 5μm 10μm 20μm 30μm 40μm 5 3 0 0 0 0 0 10 2 0 0 0 0 0 ガラス面に、5μmでも切れ残りのないシャープな酸化
錫の細線パターンを有するガラス基板が得られた。
(Table 5) Etching solution pattern Line width Hydrochloric acid concentration% 2 μm 5 μm 10 μm 20 μm 30 μm 40 μm 5300 0 0 0 0 0 0 0 0 0 Sharp with no residue even at 5 μm on the glass surface A glass substrate having a fine pattern of tin oxide was obtained.

【0044】[実施例5]実施例1と同様に操作して、
3インチ角のガラス基板面に膜厚 800nm酸化錫膜を形
成させ、その上にフォトレジストパターンを形成させ
た。このパターニングが施された酸化錫膜付きアモルフ
ァス型太陽電池用ガラス基板に、下記組成を有する粘度
15,000cpの水性ペースト 0.5gを印刷法で塗布乾燥さ
せ、乾燥コ−ティング膜を形成させた。
Example 5 The same operation as in Example 1 was performed.
An 800 nm-thick tin oxide film was formed on a 3-inch square glass substrate surface, and a photoresist pattern was formed thereon. The patterned glass substrate for an amorphous solar cell with a tin oxide film has a viscosity having the following composition:
0.5 g of a 15,000 cp aqueous paste was applied by a printing method and dried to form a dry coating film.

【0045】 (水性ペースト) (%) 亜鉛粉末 70 グァガム 3 ベントナイト 1 グリセリン 0.5 ドデシルフェノールエチレンオキシド10モル付加物 0.1 水 25.4(Aqueous paste) (%) zinc powder 70 guar gum 3 bentonite 1 glycerin 0.5 dodecylphenol ethylene oxide 10 mol adduct 0.1 water 25.4

【0046】コーティング膜の形成された太陽電池ガラ
ス基板を、実施例1と同様にして各種線幅のテストパタ
ーンを用いてそれぞれのレジスト樹脂パターンを形成さ
せ、また、5%と10%に塩酸水溶液二種でそれぞれエッ
チング処理して酸化錫パタ−ンの形成されたガラス基板
を得た。各基板に形成された酸化錫パターンの切れ残り
率%を調べ、それらの結果を表6に示した。
On the solar cell glass substrate on which the coating film was formed, each resist resin pattern was formed using test patterns of various line widths in the same manner as in Example 1, and a 5% and 10% hydrochloric acid aqueous solution was used. Each of the two types was etched to obtain a glass substrate on which a tin oxide pattern was formed. The percentage of uncut portion of the tin oxide pattern formed on each substrate was examined, and the results are shown in Table 6.

【0047】 (表6) エッチング液 パ タ ー ン 線 幅 塩酸濃度 % 2μm 5μm 10μm 20μm 30μm 40μm 5 10 4 0 0 0 0 10 4 2 0 0 0 0 基板面に、10μmの線幅で切れ残りのないシャープなパ
ターンの形成された太陽電池用ガラス基板が得られた。
(Table 6) Etching solution pattern Line width Hydrochloric acid concentration% 2 μm 5 μm 10 μm 20 μm 30 μm 40 μm 5 10 4 0 0 0 0 0 0 10 4 0 0 0 0 0 A glass substrate for a solar cell with no sharp pattern was obtained.

【0048】[0048]

【発明の効果】本発明の方法によれば、従来、リフトオ
フ法というドライ方式で行われていた酸化錫膜のエッチ
ングをウエット方式で処理することができ、エッチング
残渣による切れ残りや短絡等の不都合のないシャープな
酸化錫導電性微細パターンを非導電性基板面に効率よく
形成させることができる。また、本発明の方法は、実質
的に室内の作業環境を汚染しないので、クリーンルーム
で連続的に生産することができ、しかも基板の大きさに
関係なく微細パターンを容易に形成することができるの
で、PDP用大型ガラス基板,TFT用ガラス基板,タ
ッチパネル用ガラス基板や太陽電池用ガラス基板などへ
の酸化錫の導電パターニングに好適であり、大量生産に
も好適であるから工業的に極めて望ましい。
According to the method of the present invention, the etching of a tin oxide film, which has been conventionally performed by a dry method called a lift-off method, can be processed by a wet method. A sharp tin oxide conductive fine pattern without defects can be efficiently formed on the non-conductive substrate surface. Further, since the method of the present invention does not substantially pollute the indoor working environment, it can be continuously produced in a clean room, and a fine pattern can be easily formed regardless of the size of the substrate. It is suitable for conductive patterning of tin oxide on a large glass substrate for PDP, a glass substrate for TFT, a glass substrate for touch panel, a glass substrate for solar cell, and the like, and is also industrially extremely desirable because it is suitable for mass production.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // G02F 1/1343 H01L 31/04 M ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) // G02F 1/1343 H01L 31/04 M

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】非導電性基板面に酸化錫導電膜及び該導電
膜の表面にフォトレジスト樹脂膜を順次積層状に形成さ
せ、該レジスト樹脂膜に所望パターンを有するフォトマ
スクを介して光を照射し、現像してフォトレジスト樹脂
パターンを形成させたのち、その表面に微細粉末状亜鉛
を含有し、粘度が 3,000〜50,000cpの範囲に調整され
たコーティング用水性ペーストをスクリーン印刷により
塗布し、次いで、その塗布面をエッチング処理して酸化
錫導電パターンを形成させ、そのパターン上に残留する
レジスト層を除去することを特徴とする非導電性基板面
に酸化錫導電性パターンを形成させる方法。
1. A method according to claim 1, wherein a tin oxide conductive film is formed on the surface of the non-conductive substrate and a photoresist resin film is sequentially formed on the surface of the conductive film. After irradiating and developing to form a photoresist resin pattern, an aqueous paste for coating containing fine powdered zinc on the surface and having a viscosity adjusted in the range of 3,000 to 50,000 cp is applied by screen printing, Next, a method of forming a tin oxide conductive pattern on a non-conductive substrate surface, comprising etching the applied surface to form a tin oxide conductive pattern and removing a resist layer remaining on the pattern.
【請求項2】前記コーティング用水性ペーストが、増粘
剤,水溶性樹脂,親水性有機溶剤,界面活性剤及び無機
質微粉末材料より成る群から選択される添加剤により粘
度調整される請求項1に記載の方法。
2. The viscosity of the aqueous paste for coating is adjusted by an additive selected from the group consisting of a thickener, a water-soluble resin, a hydrophilic organic solvent, a surfactant, and an inorganic fine powder material. The method described in.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6584675B1 (en) * 2000-06-09 2003-07-01 Sunder S. Rajan Method for fabricating three dimensional traveling wave tube circuit elements using laser lithography
WO2010056076A2 (en) * 2008-11-17 2010-05-20 일진소재산업(주) Electrode wire for a solar battery, and manufacturing method thereof
KR101130136B1 (en) * 2009-11-23 2012-03-28 강지현 Printable eching paste
KR101367503B1 (en) * 2006-06-02 2014-02-28 메르크 파텐트 게엠베하 Use of phosphinic acids and/or phosphonic acids in redox processes

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6584675B1 (en) * 2000-06-09 2003-07-01 Sunder S. Rajan Method for fabricating three dimensional traveling wave tube circuit elements using laser lithography
KR101367503B1 (en) * 2006-06-02 2014-02-28 메르크 파텐트 게엠베하 Use of phosphinic acids and/or phosphonic acids in redox processes
WO2010056076A2 (en) * 2008-11-17 2010-05-20 일진소재산업(주) Electrode wire for a solar battery, and manufacturing method thereof
WO2010056076A3 (en) * 2008-11-17 2010-08-19 일진소재산업(주) Electrode wire for a solar battery, and manufacturing method thereof
KR101130136B1 (en) * 2009-11-23 2012-03-28 강지현 Printable eching paste

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