JP2000252755A - Linearizer - Google Patents

Linearizer

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JP2000252755A
JP2000252755A JP11056709A JP5670999A JP2000252755A JP 2000252755 A JP2000252755 A JP 2000252755A JP 11056709 A JP11056709 A JP 11056709A JP 5670999 A JP5670999 A JP 5670999A JP 2000252755 A JP2000252755 A JP 2000252755A
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JP
Japan
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linearizer
thermistor
phase
gain
parallel
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JP11056709A
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Japanese (ja)
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Toru Tochi
亨 土地
Kosaku Yamagata
浩作 山縣
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a linearizer with low distortion by compensating the phase and gain characteristics of a high-output amplifier even if there is temperature variation by providing a thermistor for coping with temperature variations of the phase and gain characteristics of the high-output amplifier. SOLUTION: This linearizer is connected to the high-output amplifier to have the opposite characteristics from the phase and gain characteristics of the high-output amplifier and equipped with a diode 5 and a resistor 4 for bias supply which are connected in parallel to a signal path where an input signal is supplied to an input terminal and outputted from an output terminal and the thermistor 9 which is connected in parallel to the signal path and connected in series with the diode 5 and varies in resistance value with temperature. For example, this thermistor 9 in use increases in resistance value as the temperature drops and decreases in resistance value as the temperature rises. As the temperature rises, the delay of the phase becomes large and an increase in the gain becomes large.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、移動体通信機器
や衛星通信機器等に使用される高出力増幅器について、
その位相及び利得の低歪の補償を温度変化に応じて高精
度に行うリニアライザに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-power amplifier used for mobile communication equipment, satellite communication equipment and the like.
The present invention relates to a linearizer that compensates for low distortion of the phase and the gain with high accuracy according to a temperature change.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のリニアライザに関し、衛星通信機
器等には高出力増幅器としてGaAsFETが使用され
るが、この種の高出力増幅器は、一般に入力信号の増加
に伴い利得が低下し、位相が進む特性を有することが知
られている。このため、この種の高出力増幅器の特性と
は逆特性、即ち、入力信号の増加に伴い利得が増加し、
位相が遅れる特性を得るため、従来のリニアライザとし
て順方向にバイアスされたダイオードの非線形特性を利
用したものが知られている。一方、従来のリニアライザ
として、特開昭63ー86603号公報に記載されてい
るように、進行波管増幅器のためのリニアライザとし
て、ショットキーダイオードを利用して入力信号の増加
に伴い振幅を増大させて増幅器の飽和領域に近づく駆動
領域において直線性を得ようとするものが知られてい
る。
2. Description of the Related Art With respect to a conventional linearizer, a GaAs FET is used as a high-output amplifier for a satellite communication device or the like. In general, a high-output amplifier of this type has a reduced gain and an advanced phase as the input signal increases. It is known to have properties. For this reason, the characteristic is opposite to the characteristic of this type of high-power amplifier, that is, the gain increases with an increase in the input signal,
In order to obtain a phase delay characteristic, a conventional linearizer utilizing the nonlinear characteristic of a forward-biased diode is known. On the other hand, as described in JP-A-63-86603, as a conventional linearizer, as a linearizer for a traveling-wave tube amplifier, a Schottky diode is used to increase the amplitude as the input signal increases. There is known a device that attempts to obtain linearity in a drive region approaching a saturation region of an amplifier.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来において
はリニアライザを構成する各素子に温度特性はほとんど
ないことから、従来のリニアライザの位相及び利得は温
度変化に対してほとんど変化せず、このため特に衛星通
信機器等に使用される高出力増幅器については十分な低
歪を実現し得ないという課題があった。この発明は、か
かる課題を解決するためになされたものであり、高出力
増幅器における位相及び利得特性の温度変化に対応する
ためのサーミスタを設けることにより、温度変化によっ
ても高出力増幅器の位相及び利得特性を補償して低歪を
実現しうる新規なリニアライザを提供することを目的と
する。
However, in the prior art, since each element constituting the linearizer has almost no temperature characteristic, the phase and the gain of the conventional linearizer hardly change with a temperature change. There is a problem that a sufficiently low distortion cannot be realized for a high-output amplifier used for a satellite communication device or the like. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and provides a thermistor for responding to a temperature change in the phase and gain characteristics of a high-power amplifier. It is an object of the present invention to provide a novel linearizer capable of realizing low distortion by compensating characteristics.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
るリニアライザは、高出力増幅器の位相及び利得特性に
対して逆特性を有するように上記高出力増幅器に接続さ
れたリニアライザであって、入力信号が入力端に供給さ
れて出力端から出力される信号路に対して並列接続され
たダイオード及びバイアス供給用抵抗体と、上記信号路
に並列接続され、かつ、上記ダイオードに直列接続され
た温度に応じて抵抗値が変化するサーミスタとを備えた
ものである。
A linearizer according to a first aspect of the present invention is a linearizer connected to the high power amplifier so as to have characteristics opposite to the phase and gain characteristics of the high power amplifier, An input signal is supplied to an input terminal, and a diode and a bias supply resistor are connected in parallel to a signal path output from an output terminal, and are connected in parallel to the signal path, and are connected in series to the diode. And a thermistor whose resistance changes according to the temperature.

【0005】この発明の請求項2に係るリニアライザ
は、請求項1において、上記サーミスタに直列又は並列
に接続された固定抵抗体を備えたものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a linearizer according to the first aspect, further comprising a fixed resistor connected in series or parallel to the thermistor.

【0006】この発明に係る請求項3に係るリニアライ
ザは、請求項1において、上記サーミスタに並列接続さ
れた第1の固定抵抗体と、上記サーミスタ及び上記第1
の固定抵抗体の並列回路に直列接続された第2の固定抵
抗体とを備えたものである。
A linearizer according to a third aspect of the present invention is the linearizer according to the first aspect, wherein the first fixed resistor connected in parallel to the thermistor;
And a second fixed resistor connected in series to a parallel circuit of the fixed resistors.

【0007】この発明の請求項4に係るリニアライザ
は、請求項1乃至3にいずれかにおいて、上記ダイオー
ドはショットキーダイオードであって、上記ショットキ
ーダイオードに並列接続されたキャパシタ、及び上記サ
ーミスタに直列接続されたインダクタを備えたものであ
る。
A linearizer according to a fourth aspect of the present invention is the linearizer according to any one of the first to third aspects, wherein the diode is a Schottky diode, and is connected in series to the capacitor connected in parallel to the Schottky diode and the thermistor. It has a connected inductor.

【0008】この発明の請求項5に係るリニアライザ
は、請求項1において、上記ダイオード、上記バイアス
供給用抵抗体、及び上記サーミスタが電子機器本体に内
臓されたものである。
A linearizer according to a fifth aspect of the present invention is the linearizer according to the first aspect, wherein the diode, the bias supply resistor, and the thermistor are incorporated in an electronic device body.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、この発明に係るリニアライ
ザの実施の形態について図を用いて説明する。図1は、
この発明に係るリニアライザの回路構成図である。図1
において、高周波入力信号が入力端RF INに供給さ
れ、高周波出力信号が出力端RF OUTから出力され
る信号路を形成する。同図中、1及び2は信号路に設け
られた直流阻止用キャパシタ、3は一端がバイアス電圧
Vdに接続され、他端がアースされたノイズカット用キ
ャパシタである。4はバイアス電圧Vdとキャパシタ1
及び2の接続点Aとの間に設けられたバイアス供給用抵
抗、5は信号路に対して並列接続されたショットキーダ
イオードである。7はショットキーダイオード5に並列
接続されたキャパシタ、8は一端がショットキーダイオ
ード5に接続され、他端がアースされたインダクタであ
る。9は信号路に対して並列接続され、ショットキーダ
イオード5に直列接続されたサーミスタである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of a linearizer according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG.
FIG. 2 is a circuit configuration diagram of a linearizer according to the present invention. FIG.
, A high-frequency input signal is supplied to an input terminal RF IN and a high-frequency output signal is formed from an output terminal RF OUT to form a signal path. In the figure, reference numerals 1 and 2 denote DC blocking capacitors provided in the signal path, and reference numeral 3 denotes a noise cut capacitor having one end connected to the bias voltage Vd and the other end grounded. 4 is the bias voltage Vd and the capacitor 1
A bias supply resistor 5 provided between the first and second connection points A is a Schottky diode connected in parallel to the signal path. Reference numeral 7 denotes a capacitor connected in parallel to the Schottky diode 5, and reference numeral 8 denotes an inductor having one end connected to the Schottky diode 5 and the other end grounded. 9 is a thermistor connected in parallel to the signal path and connected in series to the Schottky diode 5.

【0010】このサーミスタ9は、図2に示すような構
成とすることもできる。図2(a)はサーミスタ10と
固定抵抗体11を直列接続し、図2(b)はサーミスタ
12と固定抵抗体13を並列接続し、図2(c)はサー
ミスタ14と固定抵抗体15の並列回路に固定抵抗体1
6を直列接続した回路図である。図1に示すようなリニ
アライザは、その出力端RF OUTが図示しない高出
力増幅器、例えば衛星通信機器等に使用されるGaAs
FETに接続される。
The thermistor 9 may be configured as shown in FIG. 2A shows a case where the thermistor 10 and the fixed resistor 11 are connected in series, FIG. 2B shows a case where the thermistor 12 and the fixed resistor 13 are connected in parallel, and FIG. Fixed resistor 1 in parallel circuit
6 is a circuit diagram in which 6 are connected in series. The linearizer as shown in FIG. 1 has a high-output amplifier whose output terminal RF OUT is not shown, for example, GaAs used for satellite communication equipment or the like.
Connected to FET.

【0011】一般に、高出力増幅器の位相・利得(振
幅)特性は、入力信号の増加とともに利得は低下し、位
相は進む特性を有する。図1に示すリニアライザにおい
て、サーミスタ9の代わりに固定抵抗体(図示せず。)
を使用したとき、そのリニアライザの位相・利得特性
は、その固定抵抗体、キャパシタ7、及びインダクタ8
の各値の変更により、変化させることができる。例え
ば、その固定抵抗体の抵抗値を増大させたとき、そのリ
ニアライザの位相・利得特性は図3(a)、(b)に示
すような特性図になる。即ち、図3(a)(b)の矢印
で示すようにその固定抵抗体の抵抗値を増大させると、
入力信号の増加に伴い位相の遅れは図3(a)の矢印で
示すようにその抵抗値が小さい場合に比べて小さくな
り、利得の増加は図3(b)の矢印で示すようにその抵
抗値が小さい場合に比べて小さくなる。また、バイアス
電圧Vdもそのリニアライザの位相・利得特性を決める
パラメータ素子であるため、そのバイアス電圧Vdを変
えることによっても、そのリニアライザの位相・利得特
性を変化させることができる。従って、そのリニアライ
ザのその固定抵抗体の抵抗値を適当に設定して高出力増
幅器の位相・利得特性と逆特性とすることにより、高出
力増幅器の位相・利得特性の低歪を実現しうる。
Generally, the phase and gain (amplitude) characteristics of a high-output amplifier are such that the gain decreases as the input signal increases and the phase advances. In the linearizer shown in FIG. 1, a fixed resistor (not shown) is used instead of the thermistor 9.
Is used, the phase and gain characteristics of the linearizer are determined by the fixed resistor, the capacitor 7, and the inductor 8
Can be changed by changing the values of For example, when the resistance value of the fixed resistor is increased, the phase / gain characteristics of the linearizer are as shown in FIGS. 3A and 3B. That is, when the resistance value of the fixed resistor is increased as shown by arrows in FIGS.
As the input signal increases, the phase lag becomes smaller as compared with the case where the resistance value is small as shown by the arrow in FIG. 3A, and the gain increase increases as shown by the arrow in FIG. 3B. The value is smaller than when the value is small. Further, since the bias voltage Vd is also a parameter element that determines the phase / gain characteristics of the linearizer, the phase / gain characteristics of the linearizer can be changed by changing the bias voltage Vd. Accordingly, by appropriately setting the resistance value of the fixed resistor of the linearizer to be opposite to the phase-gain characteristics of the high-output amplifier, low distortion of the phase-gain characteristics of the high-output amplifier can be realized.

【0012】しかし、一般に高出力増幅器の位相・利得
特性は温度に依存するため、リニアライザも温度依存性
を有さなければ、高出力増幅器の位相・利得特性を十分
に低歪化しえない。図4(a)は、一般に高出力増幅器
の温度依存性を示した位相・利得特性図である。図4
(a)において、Tlは低温(ー40°C〜ー30°
C)、Tmは常温(25°C)、Thは高温(50°C
〜60°C)時の位相・利得特性を示す。この図4
(a)から明らかなように、入力信号が増加すると、利
得は温度上昇に伴い低下し、位相は温度上昇に伴い進む
特性を有する。このため、リニアライザについも、図1
に示すようなサーミスタ9を用いて温度特性を持たせ
る。
However, since the phase / gain characteristics of a high-output amplifier generally depend on temperature, the phase-gain characteristics of a high-output amplifier cannot be sufficiently reduced unless the linearizer also has temperature dependence. FIG. 4A is a phase / gain characteristic diagram generally showing the temperature dependence of a high-output amplifier. FIG.
In (a), Tl is a low temperature (−40 ° C. to −30 °).
C), Tm is room temperature (25 ° C), Th is high temperature (50 ° C)
5 shows the phase / gain characteristics at 60 ° C.). This figure 4
As can be seen from (a), when the input signal increases, the gain decreases as the temperature rises, and the phase has the characteristic of progressing as the temperature rises. For this reason, the linearizer is also shown in FIG.
A temperature characteristic is provided by using a thermistor 9 as shown in FIG.

【0013】ここで、図1に示すサーミスタ9に、温度
が低下すると抵抗値が上昇し、温度が上昇すると抵抗値
が下降するという特性を持ったものを使用したとする。
温度が低下すると、即ち、温度がTmからTlになる
と、抵抗値が上昇するので、図3(a)に示すところか
ら位相の遅れは小さくなり、図3(b)に示すところか
ら利得の増加は小さくなる。一方、温度が上昇すると、
即ち、温度がTmからThになると、抵抗値が下降する
ので、図3(a)(b)より位相の遅れは大きくなり、
利得の増加は大きくなる。従って、このようなサーミス
タ9を用いることにより、リニアライザの位相・利得特
性を低温Tl、常温Tm、高温Thに亘って、図4
(b)に示すような特性を得ることができる。よって、
高出力増幅器の位相・利得特性を実効的に図4(c)に
示すようにすることができる。
Here, it is assumed that the thermistor 9 shown in FIG. 1 has a characteristic that the resistance value increases when the temperature decreases, and the resistance value decreases when the temperature increases.
When the temperature decreases, that is, when the temperature changes from Tm to Tl, the resistance value increases, so that the phase delay decreases from the position shown in FIG. 3A and the gain increases from the position shown in FIG. Becomes smaller. On the other hand, when the temperature rises,
That is, when the temperature changes from Tm to Th, the resistance value decreases, so that the phase delay is larger than in FIGS.
The increase in gain is large. Therefore, by using such a thermistor 9, the phase / gain characteristics of the linearizer can be changed over a low temperature Tl, a normal temperature Tm, and a high temperature Th, as shown in FIG.
The characteristics as shown in FIG. Therefore,
The phase / gain characteristics of the high power amplifier can be effectively made as shown in FIG.

【0014】また、図3(a)(b)よれば、抵抗値が
下降すると位相の遅れも利得の増加も大きくなり、抵抗
値が上昇すると位相の遅れも利得の増加も小さくなる。
一方、図5(a)(b)は図1に示すキャパシタ7のキ
ャパシタンスを増加させたときの入力信号に対するリニ
アライザの位相、利得の変化の様子を示すキャパシタン
スー位相及び利得特性図である。図6(a)(b)は図
1に示すインダクタ8のインダクタンスを増加させたと
きの入力信号に対するリニアライザの位相、利得の変化
の様子を示すインダクタンスー位相及び利得特性図であ
る。図7(a)(b)は図1に示すバイアス電圧Vdを
大きくしたときの入力信号に対するリニアライザの位相
及び利得の変化の様子を示すバイアス電圧ー位相、利得
特性図である。例えば、図7(a)よりバイアス電圧V
dが大きくなると位相の遅れは小さくなり、図6(a)
よりインダクタンスを大きくすれば位相の遅れも小さく
なる。従って、サーミスタ9を用いることにより、リニ
アライザの位相・利得特性を図4(b)に示すような特
性に近づけるとともに、更にキャパシタンス、インダク
タンス、バイアス電圧Vdを調整することにより、一層
高精度に図4(c)の特性を得ることが可能となる。
According to FIGS. 3 (a) and 3 (b), when the resistance value decreases, the phase delay and the gain increase increase, and when the resistance value increases, the phase delay and the gain increase decrease.
On the other hand, FIGS. 5A and 5B are capacitance-phase and gain characteristic diagrams showing how the phase and gain of the linearizer change with respect to the input signal when the capacitance of the capacitor 7 shown in FIG. 1 is increased. FIGS. 6A and 6B are inductance phase and gain characteristic diagrams showing how the phase and gain of the linearizer change with respect to the input signal when the inductance of the inductor 8 shown in FIG. 1 is increased. FIGS. 7A and 7B are bias voltage-phase and gain characteristic diagrams showing how the phase and gain of the linearizer change with respect to the input signal when the bias voltage Vd shown in FIG. 1 is increased. For example, as shown in FIG.
As d increases, the phase lag decreases, and FIG.
The larger the inductance, the smaller the phase delay. Therefore, by using the thermistor 9, the phase / gain characteristics of the linearizer can be made closer to the characteristics shown in FIG. 4B, and the capacitance, inductance, and bias voltage Vd can be further adjusted to achieve higher accuracy. The characteristic (c) can be obtained.

【0015】更に、高精度のリニアライザを得るため、
図2(a)(b)(c)のように、サーミスタ10に直
列に固定抵抗体11を接続し、サーミスタ12に並列に
固定抵抗体13を接続し、あるいはサーミスタ14に固
定抵抗体15を並列に接続した並列回路に固定抵抗体1
6を直列に接続したものを図1に示すサーミスタ9に代
えて用いることも可能である。この場合には、高出力増
幅器の低歪を高精度に要求されるときに使用する。即
ち、図1に示すサーミスタ9の抵抗値やその温度変化率
では、高出力増幅器の位相・利得特性の温度による変化
に十分に対応し難い場合に、図2(a)(b)(c)の
ような接続構成の固定抵抗体11、13、15、16を
用いることにより、サーミスタ9の抵抗値やその温度変
化率を微調整するためである。
Further, in order to obtain a highly accurate linearizer,
As shown in FIGS. 2A, 2B, and 2C, the fixed resistor 11 is connected in series to the thermistor 10, the fixed resistor 13 is connected in parallel to the thermistor 12, or the fixed resistor 15 is connected to the thermistor 14. Fixed resistor 1 in parallel circuit connected in parallel
6 can be used in place of the thermistor 9 shown in FIG. In this case, it is used when low distortion of the high power amplifier is required with high accuracy. In other words, when it is difficult to sufficiently respond to the temperature-dependent changes in the phase and gain characteristics of the high-output amplifier with the resistance value of the thermistor 9 and its temperature change rate shown in FIG. 1, FIG. By using the fixed resistors 11, 13, 15, and 16 having such a connection configuration, the resistance value of the thermistor 9 and the temperature change rate thereof are finely adjusted.

【0016】このようなリニアライザは、単体の高出力
増幅器の場合は主にその前段に、多段の高出力増幅器の
場合は低歪が実現出来る最適名場所に入れ、これらの高
出力増幅器とともにハイブリッド回路構成等の小型化を
して、各種の電子機器、例えば移動体通信機器や衛星通
信機器等に内臓される。
Such a linearizer is mainly placed in the preceding stage in the case of a single high-power amplifier, and is placed in an optimal location where low distortion can be realized in the case of a multi-stage high-power amplifier. It is built in various electronic devices, for example, mobile communication devices and satellite communication devices, by reducing the size of the configuration and the like.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上のようにこの発明は、高出力増幅器
における位相及び利得の温度変化に対応するためのサー
ミスタを設けることにより、温度変化によっても高出力
増幅器の位相及び利得特性の低歪を高精度に補償するこ
とができる。
As described above, according to the present invention, by providing a thermistor for responding to the temperature change of the phase and the gain in the high power amplifier, the distortion of the phase and the gain characteristic of the high power amplifier can be reduced even by the temperature change. High accuracy can be compensated.

【0018】[0018]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明に係るリニアライザの回路構成図で
ある。
FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a linearizer according to the present invention.

【図2】 この発明に係るリニアライザに使用するサー
ミスタに係る回路構成図である。
FIG. 2 is a circuit diagram of a thermistor used in the linearizer according to the present invention.

【図3】 この発明に係るリニアライザの位相及び利得
特性図である。
FIG. 3 is a phase and gain characteristic diagram of the linearizer according to the present invention.

【図4】 この発明に係る高出力増幅器の温度依存性を
示した位相・利得特性図、リニアライザの温度依存性を
示す位相・利得特性図、及び高出力増幅器の実効的な位
相・利得特性図である。
FIG. 4 is a phase / gain characteristic diagram showing the temperature dependence of the high-output amplifier according to the present invention, a phase-gain characteristic diagram showing the temperature dependence of the linearizer, and an effective phase-gain characteristic diagram of the high-output amplifier. It is.

【図5】 図1に示すキャパシタ7のキャパシタンスを
増加させたときの入力信号に対するキャパシタンスー位
相及び利得特性図である。
FIG. 5 is a graph showing capacitance-phase and gain characteristics with respect to an input signal when the capacitance of the capacitor 7 shown in FIG. 1 is increased.

【図6】 図1に示すインダクタ8のインダクタンスを
増加させたときの入力信号に対するインダクタンスー位
相及び利得特性図である。
6 is an inductance phase and gain characteristic diagram for an input signal when the inductance of the inductor 8 shown in FIG. 1 is increased.

【図7】 図1に示すバイアス電圧Vdを大きくした
ときの入力信号に対するバイアス電圧ー位相及び利得特
性図である。
7 is a bias voltage-phase and gain characteristic diagram for an input signal when the bias voltage Vd shown in FIG. 1 is increased.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

5…ショットキーダイオード、7…キャパシタ、8…イ
ンダクタ、9,10,12、14…サーミスタ、11,
13,15,16…固定抵抗体
5: Schottky diode, 7: Capacitor, 8: Inductor, 9, 10, 12, 14 ... Thermistor, 11,
13, 15, 16 ... fixed resistor

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Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 高出力増幅器の位相及び利得特性に対し
て逆特性を有するように上記高出力増幅器に接続された
リニアライザにおいて、入力信号が入力端に供給されて
出力端から出力される信号路に対して並列接続されたダ
イオード及びバイアス供給用抵抗体と、上記信号路に並
列接続され、かつ、上記ダイオードに直列接続された温
度変化に応じて抵抗値が変化するサーミスタとを備えた
ことを特徴とするリニアライザ。
1. A linearizer connected to a high-power amplifier so as to have characteristics opposite to the phase and gain characteristics of the high-power amplifier, wherein an input signal is supplied to an input terminal and output from the output terminal. And a bias supply resistor connected in parallel to the signal path, and a thermistor connected in parallel to the signal path and connected in series to the diode and having a resistance value that changes in accordance with a temperature change. Features a linearizer.
【請求項2】 上記サーミスタに直列又は並列に接続さ
れた固定抵抗体を備えたことを特徴とする請求項1に記
載のリニアライザ。
2. The linearizer according to claim 1, further comprising a fixed resistor connected to the thermistor in series or in parallel.
【請求項3】 上記サーミスタに並列接続された第1の
固定抵抗体と、上記サーミスタ及び上記第1の固定抵抗
体の並列回路に直列接続された第2の固定抵抗体とを備
えたことを特徴とする請求項1に記載のリニアライザ。
3. A semiconductor device comprising: a first fixed resistor connected in parallel to the thermistor; and a second fixed resistor connected in series to a parallel circuit of the thermistor and the first fixed resistor. The linearizer according to claim 1, wherein:
【請求項4】 上記ダイオードはショットキーダイオー
ドであって、上記ショットキーダイオードに並列接続さ
れたキャパシタ、及び上記サーミスタに直列接続された
インダクタを備えたことを特徴とする請求項1乃至3の
いずれかに記載のリニアライザ。
4. The Schottky diode according to claim 1, further comprising a capacitor connected in parallel with the Schottky diode, and an inductor connected in series with the thermistor. The linearizer described in Crab.
【請求項5】 上記ダイオード、上記バイアス供給用抵
抗体、及び上記サーミスタが電子機器本体に内臓された
ことを特徴とする請求項1に記載のリニアライザ。
5. The linearizer according to claim 1, wherein the diode, the bias supply resistor, and the thermistor are incorporated in an electronic device main body.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006093857A (en) * 2004-09-21 2006-04-06 Furuno Electric Co Ltd Distortion compensation circuit
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