JP2000237705A - Substrate cleaning method and device therefor - Google Patents
Substrate cleaning method and device thereforInfo
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- JP2000237705A JP2000237705A JP11044589A JP4458999A JP2000237705A JP 2000237705 A JP2000237705 A JP 2000237705A JP 11044589 A JP11044589 A JP 11044589A JP 4458999 A JP4458999 A JP 4458999A JP 2000237705 A JP2000237705 A JP 2000237705A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造で使用
される半導体ウエハ等や、ＬＣＤ等のＦＰＤ製造に使用
されるガラス基板等の基板洗浄方法及び装置に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for cleaning a substrate such as a semiconductor wafer used in the manufacture of semiconductors and a glass substrate used in the manufacture of FPDs such as LCDs.
【０００２】[0002]
【従来の技術】現在の半導体等の製造分野において、加
工の微細化が進むにつれ、パーティクルや有機物、金属
等の汚染物質、自然酸化膜の除去等の基板洗浄技術が重
要となっている。この基板洗浄方法としては、主として
ウエット洗浄技術が用いられている。2. Description of the Related Art In the current field of manufacturing semiconductors and the like, as the processing becomes finer, substrate cleaning techniques such as removal of contaminants such as particles, organic substances, and metals, and natural oxide films have become important. As the substrate cleaning method, a wet cleaning technique is mainly used.
【０００３】ウエット洗浄では、被処理基板に付着した
パーティクルや汚染物質等の除去対象に合わせて選択し
たＡＰＭ（ＮＨ4ＯＨ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ）、ＨＰＭ（ＨＣ
ｌ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ）、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）等による
薬液洗浄処理と、該洗浄処理の終了した被処理基板を超
純水等により水洗し付着した薬液の液滴を除去するリン
ス処理と、該リンス処理の終了した被処理基板を回転さ
せて遠心力により付着した水滴を除去する方法、又はイ
ソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の有機溶剤により水
滴と置換して乾燥させる乾燥処理の組合せが一般的であ
る。In wet cleaning, APM (NH 4 OH / H 2 O 2 / H 2 O) and HPM (HC) selected in accordance with an object to be removed such as particles and contaminants adhered to a substrate to be processed.
1 / H 2 O 2 / H 2 O), chemical cleaning treatment with DHF (HF / H 2 O), etc., and a liquid droplet of a chemical adhered after washing the substrate to be processed after the cleaning treatment with ultrapure water or the like. Rinsing treatment for removing water droplets, a method of rotating the substrate after the rinsing treatment to remove water droplets attached by centrifugal force, or drying by replacing water droplets with an organic solvent such as isopropyl alcohol (IPA) and drying. Combinations of treatments are common.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現状の
基板洗浄方法では被処理基板に付着した薬液を除去する
被処理基板の超純水等によるリンス後の乾燥処理中に被
処理基板表面に付着した水滴中でシリコンと溶存酸素が
反応してＳｉＯ2を生成し、乾燥後にウォーターマーク
と呼ばれる斑点状のしみを生成したり、乾燥させるため
のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）による有機物汚染
や可燃性溶媒であるための安全対策という問題を生じて
いる。However, in the current substrate cleaning method, the chemical liquid attached to the substrate to be processed adheres to the surface of the substrate during the drying process after the substrate is rinsed with ultrapure water or the like. Silicon and dissolved oxygen react with each other in water droplets to form SiO 2, and after drying, spot-like stains called watermarks are formed, and organic substances are contaminated with isopropyl alcohol (IPA) for drying and are combustible solvents. There is a problem of security measures.
【０００５】本発明は、ウォーターマークの発生を極力
抑制することが可能で、且つイソプロピルアルコール等
の有機溶剤の消費量を削減可能な基板洗浄方法及び装置
を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method and an apparatus for cleaning a substrate, which can suppress generation of a watermark as much as possible and reduce the consumption of an organic solvent such as isopropyl alcohol.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は、被処理基板を洗浄液で洗浄す
る工程、洗浄した被処理基板に付着した洗浄液を除去す
るリンス工程、リンスした被処理基板に付着したリンス
液を除去する乾燥工程からなる基板洗浄方法であって、
リンス工程はリンス槽に貯留したリンス液に被処理基板
を浸漬すること又は被処理基板にリンス液を噴射するこ
とにより該被処理基板に付着した洗浄液の液滴を除去す
る工程であり、該リンス槽に付与した冷却機能で該リン
ス槽内のリンス液を冷却するリンス液冷却工程及び／又
は冷却したリンス液を該リンス槽又は噴射部に供給する
冷却リンス液供給工程を有することを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 includes a step of cleaning a substrate to be processed with a cleaning liquid, a rinsing step of removing the cleaning liquid adhered to the cleaned substrate to be processed, and a rinsing step. A substrate cleaning method comprising a drying step of removing a rinse liquid attached to the substrate to be processed,
The rinsing step is a step of immersing the processing target substrate in a rinsing liquid stored in a rinsing tank or spraying a rinsing liquid onto the processing target substrate to remove droplets of the cleaning liquid attached to the processing target substrate. A rinsing liquid cooling step of cooling the rinsing liquid in the rinsing tank with a cooling function provided to the rinsing tank, and / or a cooling rinsing liquid supply step of supplying the cooled rinsing liquid to the rinsing tank or the injection unit. .
【０００７】また、請求項２に記載の発明は、被処理基
板を洗浄液で洗浄する工程、洗浄した被処理基板に付着
した洗浄液を除去するリンス工程、リンスした被処理基
板に付着したリンス液を除去する乾燥工程からなる基板
洗浄方法であって、乾燥工程は被処理基板を回転させて
該被処理基板に付着したリンス液の液滴を除去する工程
であり、回転中の被処理基板に冷却した超純水を吹き付
ける水洗工程を有することを特徴とする。Further, the invention according to claim 2 is a step of cleaning the substrate to be processed with a cleaning liquid, a rinsing step of removing the cleaning liquid adhered to the cleaned substrate to be processed, and a step of removing the rinse liquid adhered to the rinsed substrate to be processed. A substrate cleaning method comprising a drying step of removing, wherein the drying step is a step of rotating a target substrate to remove droplets of a rinsing liquid adhered to the target substrate, and cooling the target substrate during rotation. And a washing step of spraying ultrapure water.
【０００８】また、請求項２に記載の洗浄方法におい
て、乾燥工程実行時に少なくとも乾燥しようとする被処
理基板が収納された空間を不活性ガスで置換するガスパ
ージ置換工程を有することを特徴とする。Further, the cleaning method according to the present invention is characterized in that the cleaning method further comprises a gas purge replacement step of replacing at least a space containing the substrate to be dried with an inert gas when the drying step is performed.
【０００９】また、請求項３に記載の発明は、被処理基
板を洗浄液で洗浄する洗浄機構、洗浄した被処理基板に
付着した洗浄液を除去するリンス機構、リンスした被処
理基板に付着したリンス液を除去する乾燥機構からなる
基板洗浄装置であって、リンス機構はリンス液を貯留す
るリンス槽又はリンス液を噴射するノズルを具備し、洗
浄の終了した被処理基板を該リンス槽内のリンス液に浸
漬すること又はリンス液を噴射することにより該被処理
基板に付着した洗浄液の液滴を除去する機構であり、該
リンス槽内に貯留されているリンス液を冷却するリンス
液冷却機構及び／又は冷却したリンス液を該リンス槽又
は該噴射ノズルに供給する冷却リンス液供給機構を具備
することを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, there is provided a cleaning mechanism for cleaning a substrate to be processed with a cleaning liquid, a rinsing mechanism for removing the cleaning liquid attached to the cleaned substrate to be processed, and a rinsing liquid attached to the rinsed substrate to be processed. A rinsing mechanism including a rinsing tank for storing a rinsing liquid or a nozzle for jetting the rinsing liquid, and cleaning the substrate to be cleaned after rinsing in the rinsing liquid in the rinsing tank. A rinsing liquid cooling mechanism for cooling the rinsing liquid stored in the rinsing tank, wherein the rinsing liquid is a mechanism for removing droplets of the cleaning liquid adhered to the substrate to be processed by immersing in the rinsing liquid or spraying the rinsing liquid. Alternatively, a cooling rinsing liquid supply mechanism for supplying a cooled rinsing liquid to the rinsing tank or the spray nozzle is provided.
【００１０】また、請求項４に記載の発明は、被処理基
板を洗浄液で洗浄する洗浄機構、洗浄した被処理基板に
付着した洗浄液を除去するリンス機構、リンスした被処
理基板に付着したリンス液を除去する乾燥機構からなる
基板洗浄装置であって、乾燥機構は被処理基板を回転さ
せて該被処理基板に付着したリンス液の液滴を除去する
被処理基板回転機構と、回転中の被処理基板に冷却した
リンス液を吹き付ける水洗機構を具備することを特徴と
する。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a cleaning mechanism for cleaning a substrate to be processed with a cleaning liquid, a rinsing mechanism for removing the cleaning liquid attached to the cleaned substrate to be processed, and a rinsing liquid attached to the rinsed substrate to be processed. A substrate cleaning apparatus comprising a drying mechanism for removing a substrate, wherein the drying mechanism rotates the substrate to be processed to remove droplets of a rinsing liquid attached to the substrate to be processed, and a rotating substrate. It is characterized by comprising a washing mechanism for spraying a cooled rinsing liquid onto the processing substrate.
【００１１】また、請求項４に記載の基板洗浄装置にお
いて、乾燥機構は少なくとも乾燥しようとする被処理基
板が収納された空間を不活性ガスで置換するガスパージ
機構を具備することを特徴とする。Further, in the substrate cleaning apparatus according to the present invention, the drying mechanism includes a gas purge mechanism for replacing at least a space containing the substrate to be dried with an inert gas.
【００１２】上記請求項１又は３に記載の発明によれ
ば、被処理基板をリンス処理する際に、リンス液として
冷却した超純水を利用することにより、被処理基板の基
材と超純水の反応性が低下し、被処理基板の表面からの
基材の溶出及び酸化が抑制されることにより、ウォータ
ーマークの発生を極力抑えることが可能となる。According to the first or third aspect of the present invention, when rinsing the substrate to be processed, the ultrapure water cooled is used as a rinsing liquid, so that the base material of the substrate to be processed can be purified. Water reactivity is reduced, and elution and oxidation of the base material from the surface of the substrate to be processed are suppressed, thereby making it possible to minimize the generation of a watermark.
【００１３】一例として通常の超純水（水温；２７〜２
８℃）と冷却した超純水（水温；１２〜１８℃）に、そ
れぞれＤＨＦ洗浄した６インチのシリコンウエハを浸漬
させた時のシリコン（Ｓｉ）溶出量を図１に示す。図１
において、曲線Ａは通常の超純水、曲線Ｂは冷却した超
純水を示す。図１で明らかなように、冷却した超純水の
場合は通常の超純水の場合と比較して、シリコン溶出量
が抑制されるから、ウォーターマークの発生を抑えるこ
とができる。As an example, ordinary ultrapure water (water temperature; 27 to 2)
FIG. 1 shows the amounts of silicon (Si) eluted when a 6-inch DHF-cleaned silicon wafer was immersed in 8 ° C.) and cooled ultrapure water (water temperature: 12 to 18 ° C.). FIG.
, Curve A represents ordinary ultrapure water, and curve B represents cooled ultrapure water. As is clear from FIG. 1, the amount of silicon eluted in the case of cooled ultrapure water is suppressed as compared with the case of ordinary ultrapure water, so that generation of a watermark can be suppressed.
【００１４】また、リンス処理の際に使用する超純水の
溶存酸素濃度（ＤＯ）を抑えることにより、被処理基板
の表面の自然酸化膜の生成も抑制可能となる。Further, by suppressing the dissolved oxygen concentration (DO) of the ultrapure water used in the rinsing process, the formation of a natural oxide film on the surface of the substrate to be processed can be suppressed.
【００１５】上記請求項２又は４に記載の発明によれ
ば、被処理基板を回転乾燥する際のわずかな時間で、被
処理基板の基板表面に付着したリンス液の液滴中に被処
理基板の基材が溶出しウォーターマークを生成してしま
うが、乾燥時に冷却した超純水を吹き付けることによ
り、生成したウォーターマークをより溶出量の少ない超
純水で洗浄除去しながら乾燥させることが出来るため、
ウォーターマークの発生を極力抑えることが可能とな
る。According to the second or fourth aspect of the present invention, the substrate to be processed is reduced in the droplet of the rinsing liquid attached to the surface of the substrate to be processed in a short time when the substrate to be processed is rotated and dried. The base material is eluted and a watermark is generated, but by spraying cooled ultrapure water during drying, the generated watermark can be dried while being washed and removed with ultrapure water with a smaller elution amount. For,
It is possible to minimize the occurrence of watermarks.
【００１６】また、乾燥処理の際に使用する超純水の溶
存酸素濃度（ＤＯ）を抑えることにより、被処理基板の
表面の自然酸化膜の生成も抑制可能となる。Further, by suppressing the dissolved oxygen concentration (DO) of the ultrapure water used in the drying process, the formation of a natural oxide film on the surface of the substrate to be processed can be suppressed.
【００１７】被処理基板は大気中に放置しておいただけ
で、除々に自然酸化膜を生成してしまう。従って、大気
に接触している時間が長い乾燥処理を自然酸化が進行し
ない環境、例えば窒素（Ｎ2）等の不活性ガス環境中で
行うことにより、自然酸化膜の生成を抑制することが可
能となる。更に、パージする不活性ガスを乾燥状態で供
給することにより、乾燥処理により発生した湿度を吸収
し、乾燥系内で結露することなく被処理基板を乾燥させ
ることが可能になる。Since the substrate to be processed is left alone in the air, a natural oxide film is gradually generated. Therefore, by performing the drying treatment for a long time in contact with the atmosphere in an environment in which natural oxidation does not proceed, for example, in an inert gas environment such as nitrogen (N 2 ), the formation of a natural oxide film can be suppressed. Becomes Further, by supplying the inert gas to be purged in a dry state, it is possible to absorb the humidity generated by the drying process and dry the substrate to be processed without dew condensation in the drying system.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態例を説明
する。図２は本発明に係る基板洗浄装置の構成例を示す
図である。なお、本実施形態例では被洗浄基板として半
導体用シリコンウエハを用いる場合を例に説明するが被
処理基板としてはこれに限定されるものではないことは
当然である。本基板洗浄装置１は大きく区分して、洗浄
機構３、リンス機構４と、乾燥機構５により構成され
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of the substrate cleaning apparatus according to the present invention. In this embodiment, a case where a silicon wafer for semiconductor is used as a substrate to be cleaned will be described as an example, but the substrate to be processed is not limited to this. The substrate cleaning apparatus 1 is roughly divided into a cleaning mechanism 3, a rinsing mechanism 4, and a drying mechanism 5.
【００１９】洗浄機構３は、例えば被洗浄基板Ｗの表面
に洗浄液として薬液Ｑ1を噴射し、ブラシ等の洗浄具を
用いて、該表面に付着しているパーティクル等の汚染物
質及び酸化膜を除去するように構成されている。洗浄機
構３で汚染物質及び酸化膜を除去された被洗浄基板Ｗは
搬送経路２ａを経由して該リンス機構４に搬送される。
リンス機構４は、リンス液を貯留するリンス槽を具備
し、該リンス槽のリンス液中に被洗浄基板Ｗを浸漬し、
表面に付着した薬液を濯いで除去するが、冷却器６を通
して冷却した超純水をリンス液Ｑ2としてリンス槽に供
給している。The cleaning mechanism 3, the drug solution Q 1 injected as a wash for example on the surface of the cleaned the substrate W, using a cleaning tool such as a brush, contaminants and the oxide film such as particles adhering to the surface Configured to remove. The substrate W to be cleaned from which the contaminants and the oxide film have been removed by the cleaning mechanism 3 is transferred to the rinsing mechanism 4 via the transfer path 2a.
The rinsing mechanism 4 includes a rinsing tank for storing a rinsing liquid, and the substrate W to be cleaned is immersed in the rinsing liquid in the rinsing tank.
Removing rinse the chemical solution adhering to the surface, it is supplied to the rinsing tank ultrapure water cooled through cooler 6 as a rinse Q 2.
【００２０】上記のように、リンス液Ｑ2として冷却器
６で冷却した超純水をリンス機構４のリンス槽に供給す
ることにより、被処理基板Ｗの基材であるシリコンと超
純水の反応性が低下し、被処理基板Ｗの表面からのシリ
コンの溶出及び酸化が抑制され、ウォーターマークの発
生を極力抑えることが可能となる。また、リンス処理の
際に使用する超純水の溶存酸素濃度（ＤＯ）を抑えるこ
とにより、被処理基板の表面の自然酸化膜の生成も抑制
可能となる。[0020] As described above, by supplying ultrapure water cooled by the cooler 6 as a rinse Q 2 to the rinse bath of the rinse mechanism 4, the silicon and ultra-pure water which is a base material of the substrate to be processed W The reactivity is reduced, the elution and oxidation of silicon from the surface of the substrate W to be processed are suppressed, and the generation of a watermark can be suppressed as much as possible. Also, by suppressing the dissolved oxygen concentration (DO) of the ultrapure water used in the rinsing process, it is possible to suppress the formation of a natural oxide film on the surface of the substrate to be processed.
【００２１】上記のように、リンス機構４のリンス槽に
リンス液Ｑ2として、冷却器６で冷却した超純水を供給
する代わりに、又は機能補強として、図３に示すよう
に、リンス槽４ａの外周部に冷却機構７を設置し、直接
リンス槽４ａを冷却するようにしてもよい。また、冷却
機構７からの影響がない場合には、該冷却機構７をリン
ス槽４ａの内部に設置することも可能である。[0021] As described above, as a rinse Q 2 to the rinse bath of the rinse mechanism 4, instead of supplying ultrapure water cooled by a cooler 6, or as a function reinforcement, as shown in FIG. 3, the rinsing tank A cooling mechanism 7 may be provided on the outer periphery of the rinsing tank 4a to directly cool the rinsing tank 4a. If there is no influence from the cooling mechanism 7, the cooling mechanism 7 can be installed inside the rinsing tank 4a.
【００２２】リンス機構４のリンス槽４ａのリンス液Ｑ
2中に被洗浄基板Ｗを浸漬し、表面に付着した薬液を除
去した被洗浄基板Ｗは搬送経路２ｂを経由して乾燥機構
５に搬送される。乾燥機構５は被洗浄基板Ｗを回転させ
て該被洗浄基板Ｗに付着したリンス液（超純水）Ｑ2の
液滴を遠心力を利用して除去するものである。The rinsing liquid Q in the rinsing tank 4a of the rinsing mechanism 4
The substrate W to be cleaned is immersed in the substrate 2 , and the substrate W to be cleaned from which the chemical liquid attached to the surface has been removed is transported to the drying mechanism 5 via the transport path 2b. Drying mechanism 5 is designed to remove by rinsing liquid by rotating the substrate to be cleaned W adhered to said cleaning substrate W (the ultra-pure water) Q 2 'droplets using centrifugal force.
【００２３】図４は乾燥機構の構成を示す図である。被
洗浄基板Ｗをチャック９で固定した後、回転機１０によ
り被洗浄基板Ｗをチャック９ごと回転させることによ
り、乾燥処理が行われる。しかしながら、そのまま回転
乾燥させたので、被洗浄基板Ｗの表面にウォーターマー
クが発生してしまうので、ノズル８から冷却器６を通し
て冷却した超純水Ｑ3を適当量吹き付けて回転乾燥させ
ることにより、被洗浄基板Ｗの表面に溶出したシリコン
は洗い流され、ウォーターマークの発生が抑制される。FIG. 4 shows the structure of the drying mechanism. After the substrate to be cleaned W is fixed by the chuck 9, the rotating process is performed to rotate the substrate to be cleaned W together with the chuck 9 to perform a drying process. However, since the substrate was directly rotated and dried, a watermark was generated on the surface of the substrate W to be cleaned. Therefore, by spraying an appropriate amount of ultrapure water Q 3 cooled from the nozzle 8 through the cooler 6 and rotating and drying the substrate, The silicon eluted on the surface of the substrate W to be cleaned is washed away, and generation of a watermark is suppressed.
【００２４】更に、乾燥機構５のノズル８、チャック
９、回転機１０が収容される槽５ａ内の空間（特にチャ
ック９で保持された被洗浄基板Ｗが収納された空間）を
常時、乾燥した窒素（Ｎ2）等の不活性ガスでパージす
ることにより、被洗浄基板Ｗの表面に自然酸化膜の発生
を抑えると共に、槽５ａ内の湿気を除去し、被洗浄基板
Ｗへの結露を防止することが可能となる。Further, the space in the tank 5a accommodating the nozzle 8, the chuck 9, and the rotating machine 10 of the drying mechanism 5 (particularly, the space accommodating the substrate W to be cleaned held by the chuck 9) is constantly dried. By purging with an inert gas such as nitrogen (N 2 ), generation of a natural oxide film on the surface of the substrate W to be cleaned is suppressed, and moisture in the tank 5a is removed to prevent dew condensation on the substrate W to be cleaned. It is possible to do.
【００２５】なお、上記実施形態例では、被洗浄基板Ｗ
を１枚ずつ乾燥させる枚葉式の乾燥機構を説明したが、
乾燥機構の構成は複数枚の被洗浄基板Ｗを収納したカセ
ットを該カセットごと回転乾燥させるバッチ式の乾燥機
構でもよい。また、図４では被洗浄基板Ｗの中心にノズ
ル８をセットしているが、乾燥機構５の被洗浄基板Ｗの
回転方法等の構造により、ノズル８の位置は変更するこ
とが可能となる。In the above embodiment, the substrate W to be cleaned is
Has explained the single-wafer drying mechanism for drying
The configuration of the drying mechanism may be a batch type drying mechanism for rotatingly drying a cassette containing a plurality of substrates W to be cleaned together with the cassette. In FIG. 4, the nozzle 8 is set at the center of the substrate W to be cleaned. However, the position of the nozzle 8 can be changed by the structure of the drying mechanism 5 such as the rotation method of the substrate W to be cleaned.
【００２６】更に、本実施形態例ではリンス機構と乾燥
機構を別途設けるようになっているが、枚葉式の場合に
は両機構を組み合わせて使用することも可能である。Further, in this embodiment, a rinsing mechanism and a drying mechanism are separately provided. However, in the case of a single wafer type, both mechanisms can be used in combination.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上説明したように、各請求項に記載の
発明によれば、下記のような優れた効果が得られる。As described above, according to the invention described in each claim, the following excellent effects can be obtained.
【００２８】請求項１又は３に記載の発明によれば、被
処理基板をリンス処理する際に、リンス液として冷却し
た超純水を利用することにより、被処理基板の基材と超
純水の反応性が低下し、被処理基板の表面からの基材の
溶出及び酸化が抑制されることにより、ウォーターマー
クの発生を極力抑えることが可能となると共に、ＩＰＡ
等の有機溶剤の使用量を削減できる。According to the first or third aspect of the present invention, when the substrate to be processed is rinsed, cooled ultrapure water is used as a rinsing liquid, so that the substrate of the substrate to be processed and the ultrapure water are used. Is reduced, and the elution and oxidation of the base material from the surface of the substrate to be processed are suppressed, whereby the generation of a watermark can be suppressed as much as possible.
And the amount of organic solvent used can be reduced.
【００２９】また、請求項２又は４に記載の発明によれ
ば、上記効果に加え、被処理基板を回転乾燥する際のわ
ずかな時間で、被処理基板の基板表面に付着したリンス
液の液滴中に被処理基板の基材が溶出しウォーターマー
クを生成してしまうが、乾燥時に冷却した超純水を吹き
付けることにより、生成したウォーターマークをより溶
出量の少ない超純水で洗浄除去しながら乾燥させること
が出来るため、ウォーターマークの発生を極力抑えるこ
とが可能となると共に、ＩＰＡ等の有機溶剤の使用量を
削減できる。According to the second or fourth aspect of the present invention, in addition to the above-described effects, the rinsing liquid adhered to the substrate surface of the substrate to be processed can be removed in a short time when the substrate to be processed is rotated and dried. The substrate of the substrate to be processed is eluted in the droplets to generate a watermark, but by spraying cooled ultrapure water during drying, the generated watermark is washed away with ultrapure water with a smaller elution amount. While drying can be performed, the generation of watermarks can be suppressed as much as possible, and the amount of organic solvent such as IPA used can be reduced.
【図１】シリコンウエハを超純水中に浸漬した場合のＳ
ｉ溶出量を示す図である。FIG. 1 is a graph showing S when a silicon wafer is immersed in ultrapure water.
It is a figure which shows the i elution amount.
【図２】本発明に係る基板洗浄装置の構成例を示す図で
ある。FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of a substrate cleaning apparatus according to the present invention.
【図３】本発明に係る基板洗浄装置のリンス機構の構成
例を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of a rinsing mechanism of the substrate cleaning apparatus according to the present invention.
【図４】本発明に係る基板洗浄装置の乾燥機構の構成例
を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration example of a drying mechanism of the substrate cleaning apparatus according to the present invention.
１ 基板洗浄装置 ２ａ 搬送経路 ２ｂ 搬送経路 ３ 洗浄機構 ４ リンス機構 ４ａ リンス槽 ５ 乾燥機構 ６ 冷却器 ７ 冷却機構 ８ ノズル ９ チャック １０ 回転機 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate cleaning apparatus 2a Transport path 2b Transport path 3 Cleaning mechanism 4 Rinse mechanism 4a Rinse tank 5 Drying mechanism 6 Cooler 7 Cooling mechanism 8 Nozzle 9 Chuck 10 Rotary machine
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６５１ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６５１Ａ (72)発明者 小澤 卓 神奈川県藤沢市本藤沢４丁目２番１号 株 式会社荏原総合研究所内 (72)発明者 山田 かおる 神奈川県藤沢市本藤沢４丁目２番１号 株 式会社荏原総合研究所内 Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB01 BA11 BB21 BB92 BB93 BB96 CB25 CC01 CC13──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/304 651 H01L 21/304 651A (72) Inventor Taku Ozawa 4-2-2 Motofujisawa, Fujisawa City, Kanagawa Prefecture No. 1 In EBARA Research Institute, Ltd. (72) Kaoru Yamada 4-2-1, Motofujisawa, Fujisawa-shi, Kanagawa F-term in EBARA Research Institute, Ltd. (Reference) 3B201 AA03 AB01 BA11 BB21 BB92 BB93 BB96 CB25 CC01 CC13
Claims (4)
浄した被処理基板に付着した洗浄液を除去するリンス工
程、リンスした被処理基板に付着したリンス液を除去す
る乾燥工程からなる基板洗浄方法であって、 前記リンス工程はリンス槽に貯留したリンス液に被処理
基板を浸漬すること又は被処理基板にリンス液を噴射す
ることにより該被処理基板に付着した洗浄液の液滴を除
去する工程であり、該リンス槽に付与した冷却機能で該
リンス槽内のリンス液を冷却するリンス液冷却工程及び
／又は冷却したリンス液を該リンス槽又は噴射部に供給
する冷却リンス液供給工程を有することを特徴とする基
板洗浄方法。1. A substrate cleaning method comprising: a step of cleaning a substrate to be processed with a cleaning liquid; a rinsing step of removing a cleaning liquid attached to the cleaned substrate to be processed; and a drying step of removing a rinse liquid attached to the rinsed substrate of the processing target. In the rinsing step, a step of immersing the substrate to be processed in a rinsing liquid stored in a rinsing bath or spraying the rinsing liquid onto the substrate to be processed to remove droplets of the cleaning liquid attached to the substrate to be processed A rinsing liquid cooling step of cooling the rinsing liquid in the rinsing tank with a cooling function provided to the rinsing tank, and / or a cooling rinsing liquid supply step of supplying the cooled rinsing liquid to the rinsing tank or the injection unit. A method for cleaning a substrate, comprising:
浄した被処理基板に付着した洗浄液を除去するリンス工
程、リンスした被処理基板に付着したリンス液を除去す
る乾燥工程からなる基板洗浄方法であって、 前記乾燥工程は被処理基板を回転させて該被処理基板に
付着したリンス液の液滴を除去する工程であり、回転中
の被処理基板に冷却した超純水を吹き付ける水洗工程を
有することを特徴とする基板洗浄方法。2. A substrate cleaning method comprising: a step of cleaning a substrate to be processed with a cleaning liquid; a rinsing step of removing a cleaning liquid attached to the cleaned substrate to be processed; and a drying step of removing a rinse liquid attached to the rinsed substrate of the processing target. Wherein the drying step is a step of rotating the substrate to be processed to remove rinsing liquid droplets attached to the substrate to be processed, and a washing step of spraying cooled ultrapure water onto the rotating substrate to be processed. A method for cleaning a substrate, comprising:
構、洗浄した被処理基板に付着した洗浄液を除去するリ
ンス機構、リンスした被処理基板に付着したリンス液を
除去する乾燥機構からなる基板洗浄装置であって、 前記リンス機構はリンス液を貯留するリンス槽又はリン
ス液を噴射するノズルを具備し、洗浄の終了した前記被
処理基板を該リンス槽内のリンス液に浸漬すること又は
リンス液を噴射することにより該被処理基板に付着した
洗浄液の液滴を除去する機構であり、該リンス槽内に貯
留されているリンス液を冷却するリンス液冷却機構及び
／又は冷却したリンス液を該リンス槽又は該噴射ノズル
に供給する冷却リンス液供給機構を具備することを特徴
とする基板洗浄装置。3. A substrate cleaning apparatus comprising: a cleaning mechanism for cleaning a substrate to be processed with a cleaning liquid; a rinsing mechanism for removing a cleaning liquid adhered to the cleaned substrate to be processed; and a drying mechanism for removing a rinsing liquid adhered to the rinsed substrate to be processed. An apparatus, wherein the rinsing mechanism includes a rinsing tank for storing a rinsing liquid or a nozzle for injecting the rinsing liquid, and immersing the substrate to be processed, which has been cleaned, in a rinsing liquid in the rinsing tank, or a rinsing liquid. A rinsing liquid cooling mechanism for cooling the rinsing liquid stored in the rinsing tank, and / or a rinsing liquid for cooling the rinsing liquid stored in the rinsing tank. A substrate cleaning device comprising a cooling rinsing liquid supply mechanism for supplying a rinsing bath or the spray nozzle.
構、洗浄した被処理基板に付着した洗浄液を除去するリ
ンス機構、リンスした被処理基板に付着したリンス液を
除去する乾燥機構からなる基板洗浄装置であって、 前記乾燥機構は被処理基板を回転させて該被処理基板に
付着したリンス液の液滴を除去する被処理基板回転機構
と、回転中の被処理基板に冷却したリンス液を吹き付け
る水洗機構を具備することを特徴とする基板洗浄装置。4. A substrate cleaning apparatus comprising: a cleaning mechanism for cleaning a substrate to be processed with a cleaning liquid; a rinsing mechanism for removing a cleaning liquid adhered to the cleaned substrate to be processed; and a drying mechanism for removing a rinsing liquid adhered to the rinsed substrate to be processed. An apparatus, wherein the drying mechanism rotates a substrate to be processed, and removes a droplet of a rinsing liquid attached to the substrate to be processed. A substrate cleaning apparatus comprising a water washing mechanism for spraying.
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| WO2006009003A1 (en) * | 2004-07-16 | 2006-01-26 | Tohoku University | Process liquid for semiconductor device, processing method, and apparatus for manufacturing semiconductor |
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| JPWO2006009003A1 (en) * | 2004-07-16 | 2008-05-01 | 国立大学法人東北大学 | Semiconductor device processing liquid, processing method, and semiconductor manufacturing apparatus |
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