JP2000225482A - レーザ穴あけ加工方法 - Google Patents
レーザ穴あけ加工方法Info
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- JP2000225482A JP2000225482A JP11028198A JP2819899A JP2000225482A JP 2000225482 A JP2000225482 A JP 2000225482A JP 11028198 A JP11028198 A JP 11028198A JP 2819899 A JP2819899 A JP 2819899A JP 2000225482 A JP2000225482 A JP 2000225482A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 紫外光パルスレーザを用いてプリント回路基
板等に対して穴あけ加工する際、加工速度の向上を図る
こと。 【解決手段】 レーザ発振器１１として、Ｎｄ；ＹＬＦ
パルスレーザあるいはＮｄ；ＹＡＧパルスレーザを用
い、該パルスレーザのパルス幅を１００〜３００（ｎｓ
ｅｃ）に設定して加工する。
板等に対して穴あけ加工する際、加工速度の向上を図る
こと。 【解決手段】 レーザ発振器１１として、Ｎｄ；ＹＬＦ
パルスレーザあるいはＮｄ；ＹＡＧパルスレーザを用
い、該パルスレーザのパルス幅を１００〜３００（ｎｓ
ｅｃ）に設定して加工する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を用いて
プリント回路基板のような樹脂層に穴あけ加工を行うた
めのレーザ穴あけ加工方法に関する。
プリント回路基板のような樹脂層に穴あけ加工を行うた
めのレーザ穴あけ加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型化、高密度実装化に伴
う、プリント回路基板の高密度化の要求に応えて、近
年、複数のプリント回路基板を積層した多層プリント回
路基板が登場してきた。このような多層プリント回路基
板では、上下に積層されたプリント回路基板間で導電層
（通常、銅パターン）同士を電気的に接続する必要があ
る。このような接続は、プリント回路基板の絶縁樹脂層
（ポリイミド、エポキシ系樹脂等のポリマー）に、下層
の導電層に達するバイアホールと呼ばれる穴を形成し、
その穴の内部にメッキを施すことによって実現される。
う、プリント回路基板の高密度化の要求に応えて、近
年、複数のプリント回路基板を積層した多層プリント回
路基板が登場してきた。このような多層プリント回路基
板では、上下に積層されたプリント回路基板間で導電層
（通常、銅パターン）同士を電気的に接続する必要があ
る。このような接続は、プリント回路基板の絶縁樹脂層
（ポリイミド、エポキシ系樹脂等のポリマー）に、下層
の導電層に達するバイアホールと呼ばれる穴を形成し、
その穴の内部にメッキを施すことによって実現される。
【０００３】このような穴あけ加工に、最近ではレーザ
光が利用されはじめている。レーザ光を利用したレーザ
穴あけ加工装置は、機械的な微細ドリルを用いる機械加
工に比べて加工速度や、穴の径の微細化に対応できる点
で優れている。レーザ光としては、エキシマレーザや、
ＣＯ2 レーザ、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・
ガーネット）レーザ等が一般に利用されている。
光が利用されはじめている。レーザ光を利用したレーザ
穴あけ加工装置は、機械的な微細ドリルを用いる機械加
工に比べて加工速度や、穴の径の微細化に対応できる点
で優れている。レーザ光としては、エキシマレーザや、
ＣＯ2 レーザ、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・
ガーネット）レーザ等が一般に利用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ここで、エキシマレー
ザについて言えば、紫外光の光源として使用されるのが
主流であり、ガス種をＫｒＦ、ＡｒＦ、ＸｅＦ、ＸｅＣ
ｌと変更することで発振波長を変更することができる。
しかし、これらのレーザはガスレーザであり、その発振
時間、すなわちパルス幅は一般的には１０〜２０（ｎｓ
ｅｃ）程度で、極めて短かい。従って、レーザビームを
加工対象物に照射するとレーザビームは加工対象物の表
面近傍で吸収され、深さを有する材料に対しては、穿孔
能力は、熱加工であるＣＯ2 レーザあるいはＹＡＧレー
ザに比べ低下する。基本的に波長の長短によって材料に
対する吸収係数が異なるために、１パルス当りの加工深
さは制限される。言い換えれば、波長が短かくなるに従
い、加工深さは低下する。
ザについて言えば、紫外光の光源として使用されるのが
主流であり、ガス種をＫｒＦ、ＡｒＦ、ＸｅＦ、ＸｅＣ
ｌと変更することで発振波長を変更することができる。
しかし、これらのレーザはガスレーザであり、その発振
時間、すなわちパルス幅は一般的には１０〜２０（ｎｓ
ｅｃ）程度で、極めて短かい。従って、レーザビームを
加工対象物に照射するとレーザビームは加工対象物の表
面近傍で吸収され、深さを有する材料に対しては、穿孔
能力は、熱加工であるＣＯ2 レーザあるいはＹＡＧレー
ザに比べ低下する。基本的に波長の長短によって材料に
対する吸収係数が異なるために、１パルス当りの加工深
さは制限される。言い換えれば、波長が短かくなるに従
い、加工深さは低下する。
【０００５】従って、ＣＯ2 レーザ、Ｎｄ；ＹＡＧレー
ザに比べて、エキシマレーザやＮｄ；ＹＬＦレーザ、Ｎ
ｄ；ＹＡＧレーザ、Ｎｄ；ＹＶＯ4 レーザの３倍波、４
倍波、５倍波（第３高調波、第４高調波、第５高調波）
の１パルス当りの加工速度（穿孔速度）は低くなる。こ
のため、これらの紫外光レーザを光源とするプリント回
路基板等の穴あけ加工装置を構成すると、その波長に依
存した形で処理能力、特に加工速度が低下するという欠
点を有していた。
ザに比べて、エキシマレーザやＮｄ；ＹＬＦレーザ、Ｎ
ｄ；ＹＡＧレーザ、Ｎｄ；ＹＶＯ4 レーザの３倍波、４
倍波、５倍波（第３高調波、第４高調波、第５高調波）
の１パルス当りの加工速度（穿孔速度）は低くなる。こ
のため、これらの紫外光レーザを光源とするプリント回
路基板等の穴あけ加工装置を構成すると、その波長に依
存した形で処理能力、特に加工速度が低下するという欠
点を有していた。
【０００６】そこで、本発明の課題は、紫外光パルスレ
ーザを用いてプリント回路基板等に対して穴あけ加工す
る際、パルスレーザのパルス幅を適宜設定することで加
工速度の向上を図ることにある。
ーザを用いてプリント回路基板等に対して穴あけ加工す
る際、パルスレーザのパルス幅を適宜設定することで加
工速度の向上を図ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、樹脂基板にレ
ーザ光を照射して穴あけを行う穴あけ加工方法におい
て、Ｎｄ；ＹＬＦパルスレーザあるいはＮｄ；ＹＡＧパ
ルスレーザを用い、該パルスレーザのパルス幅を１００
〜３００（ｎｓｅｃ）に設定して加工することを特徴と
する。
ーザ光を照射して穴あけを行う穴あけ加工方法におい
て、Ｎｄ；ＹＬＦパルスレーザあるいはＮｄ；ＹＡＧパ
ルスレーザを用い、該パルスレーザのパルス幅を１００
〜３００（ｎｓｅｃ）に設定して加工することを特徴と
する。
【０００８】なお、前記パルス幅の設定は、レーザ発振
器の共振器ミラーの間隔を調整して行う。
器の共振器ミラーの間隔を調整して行う。
【０００９】また、前記パルスレーザは、前記Ｎｄ；Ｙ
ＬＦパルスレーザあるいは前記Ｎｄ；ＹＡＧパルスレー
ザの基本波、第２〜第５高調波のいずれかであることが
好ましい。
ＬＦパルスレーザあるいは前記Ｎｄ；ＹＡＧパルスレー
ザの基本波、第２〜第５高調波のいずれかであることが
好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて説明する。本発明では、紫外光レーザの加工速度を
向上させることを目的として、レーザ発振器の構成に起
因するパルス幅に着目した。すなわち、レーザ発振器に
おいては、共振器を構成する一対のミラーの間隔を調整
することでパルス幅を調整することができる。
いて説明する。本発明では、紫外光レーザの加工速度を
向上させることを目的として、レーザ発振器の構成に起
因するパルス幅に着目した。すなわち、レーザ発振器に
おいては、共振器を構成する一対のミラーの間隔を調整
することでパルス幅を調整することができる。
【００１１】ここでは、パルス幅の異なるレーザ、即
ち、エキシマレーザであるＸｅＦレーザ（波長３５１ｎ
ｍ）及びＮｄ；ＹＬＦパルスレーザの第３高調波（波長
３５１ｎｍ）を用いて両者の穴あけ加工性能を比較し
た。
ち、エキシマレーザであるＸｅＦレーザ（波長３５１ｎ
ｍ）及びＮｄ；ＹＬＦパルスレーザの第３高調波（波長
３５１ｎｍ）を用いて両者の穴あけ加工性能を比較し
た。
【００１２】両者のパルス幅はＸｅＦレーザが約２０
（ｎｓｅｃ）であり、Ｎｄ；ＹＬＦパルスレーザの第３
高調波を約１７０（ｎｓｅｃ）とした。
（ｎｓｅｃ）であり、Ｎｄ；ＹＬＦパルスレーザの第３
高調波を約１７０（ｎｓｅｃ）とした。
【００１３】図１は、穴あけ加工を行うためのシステム
構成を示す。レーザ発振器１１としては、ＸｅＦレーザ
あるいはＮｄ；ＹＬＦパルスレーザが使用され、Ｎｄ；
ＹＬＦパルスレーザの場合にはその第３高調波が使用さ
れる。これらのレーザ光はミラー１２、アッテネータ１
３、ミラー１４を介してマスク１５に照射される。この
マスクの像をミラー１６を経由し、ｆθレンズと呼ばれ
る加工レンズ１７で加工対象物１８上に縮小投影させ
る。この加工対象物１８はＸＹステージ１９上に配さ
れ、加工対象物１８の任意の位置に穿孔を行うことがで
きる。
構成を示す。レーザ発振器１１としては、ＸｅＦレーザ
あるいはＮｄ；ＹＬＦパルスレーザが使用され、Ｎｄ；
ＹＬＦパルスレーザの場合にはその第３高調波が使用さ
れる。これらのレーザ光はミラー１２、アッテネータ１
３、ミラー１４を介してマスク１５に照射される。この
マスクの像をミラー１６を経由し、ｆθレンズと呼ばれ
る加工レンズ１７で加工対象物１８上に縮小投影させ
る。この加工対象物１８はＸＹステージ１９上に配さ
れ、加工対象物１８の任意の位置に穿孔を行うことがで
きる。
【００１４】なお、アッテネータ１３は、出力の大きな
ＸｅＦレーザのエネルギーを調整するために配されるも
のであり、Ｎｄ；ＹＬＦパルスレーザの場合には除去さ
れても良い。このようにして、加工対象物１８上のレー
ザビームのフルエンス（エネルギー密度）をほぼ同一に
なるように調整した。
ＸｅＦレーザのエネルギーを調整するために配されるも
のであり、Ｎｄ；ＹＬＦパルスレーザの場合には除去さ
れても良い。このようにして、加工対象物１８上のレー
ザビームのフルエンス（エネルギー密度）をほぼ同一に
なるように調整した。
【００１５】加工対象物１８としてはポリイミドフィル
ム（カプトンフィルム厚さ１００μｍ+ ）を用いた。両
者のレーザに波長の違いはなく、両者の差異はパルス幅
のみである。ＸｅＦレーザ及びＮｄ；ＹＬＦパルスレー
ザの第３高調波を用いて双方とも材料面にて１０（Ｊ／
ｃｍ2 ）の照射エネルギーで加工を試みた。その結果、
１パルス当りの加工深さは前者が約２（μｍ）、後者の
場合は約７（μｍ）であった。
ム（カプトンフィルム厚さ１００μｍ+ ）を用いた。両
者のレーザに波長の違いはなく、両者の差異はパルス幅
のみである。ＸｅＦレーザ及びＮｄ；ＹＬＦパルスレー
ザの第３高調波を用いて双方とも材料面にて１０（Ｊ／
ｃｍ2 ）の照射エネルギーで加工を試みた。その結果、
１パルス当りの加工深さは前者が約２（μｍ）、後者の
場合は約７（μｍ）であった。
【００１６】上記の結果から、Ｎｄ；ＹＬＦパルスレー
ザの第３高調波の方が穿孔能力が高いことが判る。この
理由はパルス幅を短かくするとレーザ照射が短時間に終
了し、光エネルギーが加工対象物の表面近傍に蓄積さ
れ、材料への熱量の浸透が低い。これに対し、パルス幅
が長い場合は、材料への熱拡散が大きいため、熱による
アブレーション反応あるいは照射部分の熱変質が加速
し、その結果、穿孔速度が向上するものと推察される。
これらは、Ｎｄ；ＹＬＦパルスレーザあるいはＮｄ；Ｙ
ＡＧパルスレーザの基本波、第２〜第５高調波にも言え
ることである。例えば、Ｎｄ；ＹＡＧパルスレーザの第
３高調波でパルス幅１５０（ｎｓｅｃ）としても穿孔速
度が上昇した。そして、好ましいパルス幅の範囲は、１
００〜３００（ｎｓｅｃ）であることが確認されてい
る。
ザの第３高調波の方が穿孔能力が高いことが判る。この
理由はパルス幅を短かくするとレーザ照射が短時間に終
了し、光エネルギーが加工対象物の表面近傍に蓄積さ
れ、材料への熱量の浸透が低い。これに対し、パルス幅
が長い場合は、材料への熱拡散が大きいため、熱による
アブレーション反応あるいは照射部分の熱変質が加速
し、その結果、穿孔速度が向上するものと推察される。
これらは、Ｎｄ；ＹＬＦパルスレーザあるいはＮｄ；Ｙ
ＡＧパルスレーザの基本波、第２〜第５高調波にも言え
ることである。例えば、Ｎｄ；ＹＡＧパルスレーザの第
３高調波でパルス幅１５０（ｎｓｅｃ）としても穿孔速
度が上昇した。そして、好ましいパルス幅の範囲は、１
００〜３００（ｎｓｅｃ）であることが確認されてい
る。
【００１７】なお、本発明は、穴あけ加工のみならず、
ポリマー等の有機材料の穿孔、表面ハク離処理、表面改
質処理などへの応用が考えられる。
ポリマー等の有機材料の穿孔、表面ハク離処理、表面改
質処理などへの応用が考えられる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、紫外光パルスレーザ、特にＮｄ；ＹＬＦパルスレー
ザやＮｄ；ＹＡＧパルスレーザを用いてプリント回路基
板等に対して穴あけ加工する際、パルスレーザのパルス
幅を適宜設定することで加工速度（穿孔速度）の向上を
図ることができる。
ば、紫外光パルスレーザ、特にＮｄ；ＹＬＦパルスレー
ザやＮｄ；ＹＡＧパルスレーザを用いてプリント回路基
板等に対して穴あけ加工する際、パルスレーザのパルス
幅を適宜設定することで加工速度（穿孔速度）の向上を
図ることができる。
【図１】本発明が適用される穴あけ加工装置のシステム
構成を示した図である。
構成を示した図である。
１１ レーザ発振器 １２、１４、１６ ミラー １３ アッテネータ １５ マスク １７ 加工レンズ １８ 加工対象物 １９ ＸＹステージ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年１月１７日（２０００．１．１
７）
７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、プリント回路
基板にレーザ光を照射して穴あけを行う穴あけ加工方法
において、Ｎｄ；ＹＬＦパルスレーザあるいはＮｄ；Ｙ
ＡＧパルスレーザを用い、パルス幅が１００〜３００
（ｎｓｅｃ）であるレーザ光をプリント回路基板の樹脂
層に照射することを特徴とする。
基板にレーザ光を照射して穴あけを行う穴あけ加工方法
において、Ｎｄ；ＹＬＦパルスレーザあるいはＮｄ；Ｙ
ＡＧパルスレーザを用い、パルス幅が１００〜３００
（ｎｓｅｃ）であるレーザ光をプリント回路基板の樹脂
層に照射することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】更に、前記プリント回路基板は樹脂層の下
層に導電層を有し、前記穴あけ加工は前記導電層に達す
る穴を形成するものである。
層に導電層を有し、前記穴あけ加工は前記導電層に達す
る穴を形成するものである。
Claims (3)
- 【請求項１】 樹脂基板にレーザ光を照射して穴あけを
行う穴あけ加工方法において、Ｎｄ；ＹＬＦパルスレー
ザあるいはＮｄ；ＹＡＧパルスレーザを用い、該パルス
レーザのパルス幅を１００〜３００（ｎｓｅｃ）に設定
して加工することを特徴とするレーザ穴あけ加工方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のレーザ穴あけ加工方法に
おいて、前記パルス幅の設定を、レーザ発振器の共振器
ミラーの間隔を調整して行うことを特徴とするレーザ穴
あけ加工方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のレーザ穴あけ加工方法に
おいて、前記パルスレーザは、前記Ｎｄ；ＹＬＦパルス
レーザあるいは前記Ｎｄ；ＹＡＧパルスレーザの基本
波、第２〜第５高調波のいずれかであることを特徴とす
るレーザ穴あけ加工方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02819899A JP3245820B2 (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | レーザ穴あけ加工方法 |
| TW089110482A TW449520B (en) | 1999-02-05 | 2000-05-30 | Working method for a laser-bore |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02819899A JP3245820B2 (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | レーザ穴あけ加工方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001254981A Division JP3479890B2 (ja) | 2001-08-24 | 2001-08-24 | レーザ穴あけ加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000225482A true JP2000225482A (ja) | 2000-08-15 |
| JP3245820B2 JP3245820B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=12241986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02819899A Expired - Fee Related JP3245820B2 (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | レーザ穴あけ加工方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3245820B2 (ja) |
| TW (1) | TW449520B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261422A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Cmk Corp | パルスレーザを用いた非貫通孔の加工方法 |
-
1999
- 1999-02-05 JP JP02819899A patent/JP3245820B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-05-30 TW TW089110482A patent/TW449520B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261422A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Cmk Corp | パルスレーザを用いた非貫通孔の加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3245820B2 (ja) | 2002-01-15 |
| TW449520B (en) | 2001-08-11 |
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|---|---|---|---|
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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