JP2000216098A - 固体デバイス製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 あるガス使用部にガスを供給中に、他のガス
使用部にガスを供給する場合、ガスの粘性等に関係な
く、ガスを供給中のガス使用部に供給されるガスの流量
が一時的に変動することを抑制することができるように
する。 【解決手段】 ＣＶＤ装置は、２つの成膜容器２１
（１），２２（２）を有する。これら２つの成膜容器２
１（１），２２（２）には、それぞれガス供給ライン２
２（１），２１（２）が設けられている。これら２つの
ガス供給ライン２２（１），２１（２）は、共通ガス供
給ライン２３を介してガスタンク２４に接続されてい
る。また、これら２つのガス供給ライン２２（１），２
１（２）には、それぞれ螺旋状配管２２４（１），２２
４（２）とオリフィス２２５（１），２２５（２）とが
設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、固体デバイスの製
造工程で用いられる装置であって、ガスを使用する固体
デバイス製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】固体デバイス（半導体デバイスや液晶表
示デバイス等）の製造工程では、ガスを使用する固体デ
バイス製造装置が用いられることがある。

【０００３】例えば、基板（半導体デバイスのウェーハ
や液晶表示デバイスのガラス基板等）の表面に所定の薄
膜を形成する場合は、ガスを使った化学反応によって成
膜を行うＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置が
用いられることがある。

【０００４】このＣＶＤ装置としては、枚葉式のＣＶＤ
装置がある。この枚葉式のＣＶＤ装置においては、通
常、複数の成膜容器が用いられる。この複数の成膜容器
では、同じガスが用いられることがある。

【０００５】このような場合、ＣＶＤ装置においては、
通常、各成膜容器ごとにガス供給ラインを設け、１つの
ガス供給源からこれら複数のガス供給ラインを介して複
数の成膜容器にガスを供給するようになっている。

【０００６】図５は、このようなガス供給システムを備
えた枚葉式のＣＶＤ装置の構成を示す図である。図に
は、２つの成膜容器を備えた装置を代表として示す。

【０００７】図示の装置は、２つの成膜容器１１
（１），１１（２）のそれぞれにガス供給ライン１２
（１），１２（２）を設け、ガスタンク１３から共通ガ
ス供給ライン１４を介して供給されるガスを、ガス供給
ライン１２（１），１２（２）を介して対応する成膜容
器１１（１），１１（２）に供給するようになってい
る。

【０００８】なお、ガス供給ライン１２（１），１２
（２）には、配管１２１（１），１２１（２）、バルブ
１２２（１），１２２（２），１２５（１），１２５
（２）、ガスフィルタ１２３（１），１２３（２）、流
量制御器１２４（１），１２４（２）等が設けられてい
る。また、共通ガス供給ライン１４には、配管１４１等
が設けられている。

【０００９】しかしながら、このような構成では、ガス
供給ライン１２（１）を介して成膜容器１１（１）にガ
スを供給中に、ガス供給ライン１２（２）を介して成膜
容器１１（２）にガスを供給する場合、成膜容器１１
（１）に供給されるガスが一時的に大きく変動するとい
う問題がある。これを、図５を参照しながら説明する。

【００１０】今、成膜容器１１（１）にガスを供給し、
成膜容器１１（２）にガスを供給していないものとす
る。この場合、ガス供給ライン１２（２）において、バ
ルブ１２２（２）より下流の部分では、減圧状態になっ
ている。これは、成膜容器１１（２）に収容されている
基板の成膜処理が終了し、この成膜容器１１（２）の内
部を真空排気する場合、バルブ１２２（２）より下流の
部分も一緒に真空排気されるからである。

【００１１】この状態で、成膜容器１１（２）で次の基
板の成膜処理を実行するために、ガス供給ライン１２
（２）のバルブ１２２（２），１２５（２）を開いて、
成膜容器１１（２）にガスを供給するものとする。この
場合、バルブ１２２（２）の上流側より下流側の方が圧
力が低いため、共通ガス供給ライン１４の配管１４１を
流れているガスが、一時的に、配管１２１（２）に大量
に流れ込む。

【００１２】これにより、配管１４１の圧力が低下す
る。その結果、ガス供給ライン１２（１）の配管１２１
（１）を流れていたガスが一時的に逆流し、ガス供給ラ
イン１２（２）の配管１２１（２）に流れる。これによ
り、成膜容器１１（１）に供給されるガスが一時的に大
きく減少する。

【００１３】しかしながら、このとき、流量制御器１２
４（１）が成膜容器１１（１）に供給されるガスを増加
させようとする。これにより、成膜容器１１（１）に供
給されるガスは、一時的に減少した後、増加する。

【００１４】図６は、この変動の様子を示す特性図であ
る。図において、横軸は、時間を示し、縦軸は、成膜容
器１１（１），１１（２）に供給されるガスの流量を示
す。また、横軸において、ｔ１は、成膜容器１１（１）
に対するガスの供給開始時刻を示し、ｔ２は、成膜容器
１１（２）に対するガスの供給開始時刻を示す。さら
に、Ｃ１は、成膜容器１１（１）に供給されるガスの流
量の変化を示し、Ｃ２は、成膜容器１１（２）に供給さ
れるガスの流量の変化を示す。

【００１５】図示のごとく、成膜容器１１（１）にガス
を供給中に、成膜容器１１（２）にガスを供給すると、
その時点で、成膜容器１１（１）に供給されるガスの流
量が一時的に減少した後（図６の破線部ＡのＡ１参
照）、増加する（図６の破線部ＡのＡ２参照）。

【００１６】なお、この問題は、成膜容器１１（２）に
ガスを供給中に、成膜容器１１（１）にガスを供給する
場合も生じる。

【００１７】この問題を解決するために、従来は、図７
に示すように、ガス供給ライン１２（１），１２（２）
にレギュレータ１２６（１），１２６（２）を設けるこ
とにより、ガス供給ライン１２（１），１２（２）の配
管コンダクタンスを下げるようになっていた。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成では、ガスの流量の変動を十分に抑制すること
ができないという問題があった。

【００１９】すなわち、レギュレータ１２６（１），１
２６（２）は、ガスの逆流を抑制することができるもの
の、ガスの圧力の一時的な変動によるガスの流量の一時
的な変動を抑制することができない。これにより、従来
の構成では、成膜容器１１（１）（または１１（２））
にガスを供給中に、成膜容器１１（２）（または１１
（１））にガス供給する場合、成膜容器１１（１）（ま
たは１１（２））に供給されるガスの流量の一時的な変
動を十分に抑制することができなかった。

【００２０】特に、従来の構成では、ガスがＨ２ガス等
のような粘性の小さなガスである場合に、この傾向が強
かった。また、従来の構成では、供給配管の太さや供給
ガスの圧力により、抑制効果が異なるという問題があっ
た。

【００２１】そこで、本発明は、あるガス使用部にガス
を供給中に、他のガス使用部にガスを供給する場合、ガ
スの粘性等に関係なく、ガスを供給中のガス使用部に供
給されるガスの流量の一時的な変動を抑制することがで
きる固体デバイス製造装置を提供することを目的とす
る。

【００２２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１記載の固体デバイス製造装置は、固体デバイ
スの製造工程で用いられる装置であって、ガスを使用す
る装置において、ガスを使用する複数のガス使用部と、
この複数のガス使用部のそれぞれに設けられ、１つのガ
ス供給源から対応するガス使用部にガスを供給するもの
であって、螺旋状配管を有する複数のガス供給ラインと
を備えたことを特徴とする。

【００２３】この請求項１記載の装置では、各ガス供給
ラインに螺旋状配管が設けられている。これにより、各
ガス供給ラインの配管長を長くすることができる。その
結果、ガスの溜まり部分を多くすることができる。これ
により、螺旋状配管の下流側または上流側でガスの圧力
が低下しても、この低下を螺旋状配管で吸収することが
できる。以上から、あるガス使用部にガスを供給中に、
他のガス使用部にガスを供給する場合、ガスの粘性等に
関係なく、ガスを供給中のガス使用部に供給されるガス
の流量が一時的に変動することを抑制することができ
る。

【００２４】また、請求項２記載の固体デバイス製造装
置は、請求項１記載の装置と同じような装置において、
複数のガス供給ラインがそれぞれオリフィスを有するこ
とを特徴とする。

【００２５】この請求項２記載の装置では、各ガス供給
ラインにオリフィスが設けられている。これにより、各
ガス供給ラインの配管を部分的に細くすることができ
る。その結果、オリフィスの下流側または上流側でガス
の圧力が低下しても、オリフィスの上流側または下流側
からオリフィスの下流側または上流側にガスを流れるの
を抑制することができる。以上から、あるガス使用部に
ガスを供給中に、他のガス使用部にガスを供給する場
合、ガスの粘性等に関係なく、ガスを供給中のガス使用
部に供給されるガスの流量が一時的に変動することを抑
制することができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態を詳細に説明する。

【００２７】［１］一実施の形態 ［１−１］構成 図１は、本発明の一実施の形態の構成を示す図である。
なお、以下の説明では、本発明を枚葉式のＣＶＤ装置に
適用した場合を代表として説明する。

【００２８】図示のＣＶＤ装置は、２つの成膜容器２１
（１），２１（２）を有する。これら２つの成膜容器２
１（１），２１（２）には、それぞれガス供給ライン２
２（１），２２（２）が設けられている。このガス供給
ライン２２（１），２２（２）の下流側端部は、対応す
る成膜容器２１（１），２１（２）に接続され、上流側
端部は、共通ガス供給ライン２３の下流側端部に接続さ
れている。この共通ガス供給ライン２３の上流側端部
は、ガスタンク２４に接続されている。

【００２９】ガス供給ライン２２（１），２２（２）
は、それぞれ配管２２１（１），２２１（２）を有す
る。この配管２２１（１），２２１（２）には、それぞ
れレギュレータ２２２（１），２２２（２）、ガスフィ
ルタ２２３（１），２２３（２）と、螺旋状配管２２４
（１），２２４（２）、オリフィス２２５（１），２２
５（２）、バルブ２２６（１），２２６（２）、流量制
御器２２７（１），２２７（２）、バルブ２２８
（１），２２８（２）等が挿入されている。この場合、
これらは、この順序で上流側から順次挿入されている。
共通ガス供給ライン２３も、配管２３１等を有する。

【００３０】なお、ガス供給ライン２２（１），２２
（２）は、例えば、ＣＶＤ装置側に設けられ、共通ガス
供給ライン２３とガスタンク２４は、例えば、工場の設
備として設けられる。

【００３１】図２は、螺旋状配管２２４（１），２２４
（２）の構成を示す斜視図である。図示のごとく、螺旋
状配管２２４（１），２２４（２）は、配管を螺旋状に
巻回した構成を有する。

【００３２】図３は、オリフィス２２５（１），２２５
（２）の構成を示す図である。ここで、図３（ａ）は、
オリフィス２２５（１），２２５（２）の平面構造を示
す平面図であり、同図（ｂ）は、オリフィス２２５
（１），２２５（２）を配管２２１（１），２２１
（２）に挿入した状態を示す側断面図である。

【００３３】図３（ａ）に示すごとく、オリフィス２２
５（１），２２５（２）は、円板１ａの中央部に小さな
穴２ａを開けたような構成を有する。また、このオリフ
ィス２２４（１），２２４（２）は、図３（ｂ）に示す
ごとく、配管２２１（１），２２１（２）の内部に、ガ
スの流れる方向に対して垂直となるように挿入されてい
る。

【００３４】［１−２］動作 上記構成において、動作を説明する。

【００３５】成膜容器２１（１）で成膜処理を行う場合
は、バルブ２２６（１），２２８（１）が開かれる。こ
れにより、ガスタンク２４から共通ガス供給ライン２３
とガス供給ライン２２（１）を介して成膜容器２１
（１）にガスが供給される。その結果、成膜容器２１
（１）に収容されている基板の表面に所定の薄膜が形成
される。

【００３６】この場合、成膜容器２１（１）に供給され
るガスの流量は、流量制御器２２７（１）によって目標
値に設定される。また、配管２２１（１）内の圧力は、
レギュレータ２２２（１）によって流量制御器２２７
（１）の動作圧力まで下げられる。さらに、成膜容器２
１（１）に供給されるガスに含まれる不純物は、フィル
タ２２３（１）によって除去される。

【００３７】この成膜処理が終了すると、上流側のバル
ブ２２６（１）が閉じられる。これにより、成膜容器２
１（１）に対するガスの供給が停止する。この後、真空
排気処理が実行される。これにより、成膜容器２１
（１）が真空排気される。また、ガス供給ライン２２
（１）のうち、バルブ２２６（１）より下流側の部分も
同時に真空排気される。その結果、この部分は、減圧状
態に設定される。この真空排気処理が終了すると、下流
側のバルブ２２８（１）が閉じられる。

【００３８】以下、同様に、１枚の基板の成膜処理が終
了するたびに、上述した動作が繰り返される。なお、詳
細な説明は省略するが、成膜容器２１（２）で成膜処理
を行う場合も同じような動作が行われる。

【００３９】このように動作する装置において、今、例
えば、成膜容器２１（１）にガスが供給され、成膜容器
２１（２）にガスが供給されていないものとする。この
場合、ガス供給ライン２２（２）では、ガスがバルブ２
２６（２）の位置で止まった状態になっている。したが
って、この場合、バルブ２２６（２）の下流側は、減圧
状態になっている。

【００４０】この状態で、成膜容器２１（２）にガスを
供給するために、ガス供給ライン２２（２）のバルブ２
２６（２），２２８（２）を開いたとする。この場合、
バルブ２２６（２）の下流側が減圧状態になっているた
め、共通ガス供給ライン２３の配管２３１を流れている
ガスが、一時的に、配管２２１（２）に大量に流れ込む
可能性がある。

【００４１】しかしながら、本実施の形態では、バルブ
２２６（２）の上流側に、螺旋状配管２２４（２）とオ
リフィス２２５（２）とが設けられている。これによ
り、バルブ２２６（２）の上流側で、ガス供給ライン２
２（１）の配管コンダクタンスを下げることができる。
その結果、配管２３１を流れているガスが配管２２１
（２）に一時的に大量に流れ込むことを防止することが
できる。

【００４２】すなわち、ガス供給ライン２２（２）に螺
旋状配管２２４（２）を設けることにより、このガス供
給ライン２２（２）の配管長を長くすることができる。
これにより、ガスの溜まり部分が多くすることができ
る。その結果、バルブ２２６（２）を開くことによっ
て、螺旋状配管２２４（２）の下流側の圧力が低下して
も、この低下を螺旋状配管２２４（２）で吸収すること
ができる。これにより、この場合、配管２３１から配管
２２１（２）に一時的に大量のガスが流れ込むのを防止
することができる。

【００４３】同様に、ガス供給ライン２２（２）にオリ
フィス２２５（２）を設けることにより、このガス供給
ライン２２（２）の配管２２１（２）を部分的に細くす
ることができる。これにより、バルブ２２６（２）を開
くことによって、オリフィス２２５（２）の下流側の圧
力が低下しても、オリフィス２２５（２）の上流側から
下流側にガスを流れるのを抑制することができる。その
結果、配管２３１から配管２２１（２）に一時的に大量
のガスが流れ込むのを防止することができる。

【００４４】配管２３１から配管２２１（２）に一時的
に大量のガスが流れ込むのを防止することができること
により、配管２３１内のガスの圧力が一時的に低下する
ことを抑制することができる。これにより、ガス供給ラ
イン２２（１）の配管２２１（１）を流れるガスの流量
が一時的に減少することを抑制することができる。その
結果、成膜容器２１（１）に供給されるガスの流量が一
時的に減少することを抑制することができる。

【００４５】また、配管２２１（１）を流れるガスの流
量が一時的に減少することを抑制することができること
により、流量制御器２２７（１）に供給されるガスの流
量が一時的に減少することを抑制することができる。こ
れにより、この流量制御器２２７（１）によって、成膜
容器２１（１）に供給されるガスを増加させるための制
御が行われることを抑制することができる。その結果、
成膜容器２１（１）に供給されるガスの流量が一時的に
増加することを抑制することができる。

【００４６】以上から、成膜容器２１（１）にガスを供
給中に、成膜容器２１（２）にガスを供給する場合、成
膜容器２１（１）に供給されるガスの流量が一時的に変
動することを抑制することができる。

【００４７】なお、仮に、成膜容器２１（２）にガスを
供給することによって、配管２３１内のガスの圧力が一
時的に低下したとしても、成膜容器２１（１）に供給さ
れるガスの流量が一時的に変動することを抑制すること
ができる。これは、ガス供給ライン２２（１）のバルブ
２２６（１）の上流側にも、螺旋状配管２２４（１）と
オリフィス２２５（１）とが設けられているからであ
る。

【００４８】すなわち、ガス供給ライン２２（１）に螺
旋状配管２２４（１）を設けることにより、このガス供
給ライン２２（１）の配管長を長くすることができる。
これにより、ガスの溜まり部分が多くすることができ
る。その結果、螺旋状配管２２４（１）の上流側の圧力
が低下しても、この低下を螺旋状配管２２４（１）で吸
収することができる。これにより、この場合、螺旋状配
管２２４（１）の下流側で、ガスの流量が一時的に減少
するのを抑制することができる。

【００４９】また、ガス供給ライン２２（１）にオリフ
ィス２２５（１）を設けることにより、このガス供給ラ
イン２２（１）の配管２２１（１）を部分的に細くする
ことができる。これにより、螺旋状配管２２４（１）の
上流側の圧力が低下しても、オリフィス２２５（１）の
下流側から上流側にガスを流れるのを抑制することがで
きる。その結果、この場合、オリフィス２２５（１）の
下流側で、ガスの流量が一時的に減少するのを抑制する
ことができる。

【００５０】螺旋状配管２２４（１）とオリフィス２２
５（１）の下流側で、ガスの流量が一時的に減少するの
を抑制することができることにより、成膜容器２１
（１）と流量制御器２２７（１）に供給されるガスの流
量が一時的に減少することを抑制することができる。ま
た、流量制御器２２７（１）に供給されるガスの流量が
一時的に減少することを抑制することができることによ
り、この流量制御器２２７（１）によって、成膜容器２
１（１）に供給されるガスを増加させるための制御が行
われることを抑制することができる。その結果、成膜容
器２１（１）に供給されるガスの流量が一時的に増加す
ることを抑制することができる。

【００５１】以上から、仮に、成膜容器２１（２）にガ
スを供給することによって、配管２３１内のガスの圧力
が一時的に低下したとしても、成膜容器２１（１）に供
給されるガスの流量が一時的に変動することを抑制する
ことができる。

【００５２】図４は、この様子を示す特性図である。図
において、横軸は、時間を示し、縦軸は、ガスの流量を
示す。また、ｔ１，ｔ２は、成膜容器２１（１），２１
（２）へのガスの供給開始時刻を示し、Ｃ１，Ｃ２は、
成膜容器２１（１），２１（２）に供給されるガスの流
量の変化を示す。図示のごとく、本実施の形態では、成
膜容器２１（１）にガスを供給中に、成膜容器２１
（２）にガスを供給しても、成膜容器２１（１）に供給
されるガスの流量が一時的に変動することがない（図４
の破線部Ａ参照）。

【００５３】実験では、ガスがＳｉＨ４ガス、ＮＨ３ガ
ス、Ｈ２ガス、ＰＨ３ガス、Ｎ２ガスのいずれであって
も、流量変動をほぼ零にすることができることが確かめ
られている。また、実験では、配管の太さやガスの圧力
に関係なく、流量変動をほぼ零にすることができること
が確かめられている。

【００５４】なお、詳細な説明は省略するが、成膜容器
２１（２）にガスを供給中に、成膜容器２１（１）にガ
スを供給する場合も、同じようにして、成膜容器２１
（２）に供給されるガスの流量が一時的に変動すること
を抑制することができる。

【００５５】［１−５］効果以上詳述した本実施の形態
によれば、次のような効果を得ることができる。

【００５６】（１）まず、本実施の形態によれば、ガス
供給ライン２２（１），２２（２）に螺旋状配管２２３
（１），２２３（２）とオリフィス２２４（１），２２
４（２）とを設けるようにしたので、ガス供給ライン２
２（１），２２（２）の配管コンダクタンスを下げるこ
とができる。これにより、成膜容器２１（１）にガスを
供給中に、成膜容器２１（２）にガスを供給する場合、
成膜容器２１（１）に供給されるガスの流量が一時的に
変動することを抑制することができる。これは、成膜容
器２１（２）にガスを供給中に、成膜容器２１（１）に
ガスを供給する場合も同じである。

【００５７】（２）また、本実施の形態によれば、ガス
供給ライン２２（１），２２（２）に、螺旋状配管２２
４（１），２２４（２）とオリフィス２２５（１），２
２５（２）とのいずれか一方ではなく、両方を設けるよ
うになっている。これにより、いずれか一方を設ける場
合より、ガスの変動を抑制する効果を高めることができ
る。

【００５８】（３）さらに、本実施の形態によれば、螺
旋状配管２２４（１），２２４（２）とオリフィス２２
５（１），２２５（２）とをバルブ２２６（１），２２
６（２）の上流側に設けるようになっている。これによ
り、バルブ２２６（１），２２６（２）を閉じて、真空
排気処理を行う場合、螺旋状配管２２４（１），２２４
（２）とオリフィス２２５（１），２２５（２）とをバ
ルブ２２６（１），２２６（２）と流量制御器２２７
（１），２２７（２）との間に設ける場合より、真空排
気時間を短縮することができる。

【００５９】また、このような構成によれば、成膜容器
２１（１）にガスを供給中に、成膜容器２１（２）にガ
スを供給する場合、成膜容器２１（１）側の螺旋状配管
２２４（１）およびオリフィス２２５（１）と、成膜容
器２１（２）側の螺旋状配管２２４（２）およびオリフ
ィス２２５（２）とで、成膜容器２１（１）に供給され
るガスの一時的な変動を抑制することができる。これに
より、螺旋状配管２２４（１），２２４（２）とオリフ
ィス２２５（１），２２５（２）とをバルブ２２６
（１），２２６（２）と流量制御器２２７（１），２２
７（２）との間に設ける場合より、流量変動の抑制効果
を高めることができる。これは、成膜容器２１（２）に
ガスを供給中に、成膜容器２１（１）にガスを供給する
場合も同じである。

【００６０】［２］その他の実施の形態 以上、本発明の一実施の形態を詳細に説明したが、本発
明は、上述したような実施の形態に限定されるものでは
ない。

【００６１】（１）例えば、先の実施の形態では、螺旋
状配管２２４（１），２２４（２）とオリフィス２２５
（１），２２５（２）とをバルブ２２６（１），２２６
（２）の上流側に設ける場合を説明した。しかしなが
ら、本発明は、これらを流量制御器２２７（１），２２
７（２）の上流側に設ける構成であれば、別の位置に設
けるようにしてもよい。例えば、バルブ２２６（１），
２２６（２）と流量制御器２２７（１），２２７（２）
との間に設けるようにしてもよい。

【００６２】このような構成であっても、成膜容器２１
（１）にガスを供給中に、成膜容器２１（２）にガスを
供給する場合、成膜容器２１（１）側の螺旋状配管２２
４（１）とオリフィス２２５（１）とによって、成膜容
器２１（１）に供給されるガスの一時的な変動を抑制す
ることができる。これは、成膜容器２１（２）にガスを
供給中に、成膜容器２１（１）にガスを供給する場合も
同じである。なお、螺旋状配管２２４（１），２２４
（２）とオリフィス２２５（１），２２５（２）とを流
量制御器２２７（１），２２７（２）の上流側に設ける
必要があるのは、流量制御器２２７（１），２２７
（２）に供給されるガスの流量の変動を抑制する必要が
あるからである。

【００６３】また、本発明は、螺旋状配管２２４
（１），２２４（２）とオリフィス２２５（１），２２
５（２）とのいずれか一方をバルブ２２６（１），２２
６（２）の上流側に設け、他方をバルブ２２６（１），
２２６（２）と流量制御器２２７（１），２２７（２）
との間に設けるようにしてもよい。

【００６４】（２）また、先の実施の形態では、２つの
成膜容器２１（１），２１（２）にガスを供給する場合
に、本発明を適用する場合を説明した。しかしながら、
本発明は、３つ以上の成膜容器にガスを供給する場合に
も適用することができる。また、本発明は、成膜容器以
外の容器にガスを供給する場合にも適用することができ
る。例えば、本発明は、ロードロック用の容器にガスを
供給する場合にも適用することができる。さらに、本発
明は、成膜容器とロードロック容器にガスを供給する場
合にも適用することができる。さらにまた、本発明は、
容器以外のガス使用部にガスを供給する場合にも適用す
ることができる。

【００６５】（３）さらに、先の実施の形態では、本発
明を枚葉式のＣＶＤ装置に適用する場合を説明した。し
かしながら、本発明は、ＣＶＤ装置以外の固体デバイス
製造装置にも適用することができる。また、本発明は、
枚葉式の装置だけでなく、バッチ式の装置にも適用する
ことができる。

【００６６】（４）この他にも、本発明は、その要旨を
逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論で
ある。

【００６７】

【発明の効果】以上詳述したように請求項１または２記
載の固体デバイス製造装置によれば、ガス供給ラインに
螺旋状配管またはオリフィスを設けるようにしたので、
ガス供給ラインの配管コンダクタンスを下げることがで
きる。これにより、あるガス使用部にガスを供給中に、
他のガス使用部にガスを供給する場合、ガスを供給中の
ガス使用部に供給されるガスの流量が一時的に変動する
ことを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態の構成を示す図である。

【図２】本発明の一実施の形態における螺旋状配管の構
成を示す図である。

【図３】本発明の一実施の形態におけるオリフィスの構
成を示す図である。

【図４】本発明の一実施の形態の動作を説明するための
特性図である。

【図５】従来の枚葉式のＣＶＤ装置の一例の構成を示す
図である。

【図６】従来の枚葉式のＣＶＤ装置の一例の動作を説明
するための特性図である。

【図７】従来の枚葉式のＣＶＤ装置の他の例の構成を示
す図である。

【符号の説明】

２１（１），２１（２）…成膜容器、２２（１），２２
（２）…ガス供給ライン、２３…共通ガス供給ライン、
２４…ガスタンク、２２１（１），２２１（２）…配
管、２２２（１），２２２（２）…レギュレータ、２２
３（１），２２３（２）…ガスフィルタ、２２４
（１），２２４（２）…螺旋状配管、２２５（１），２
２５（２）…オリフィス、２２６（１），２２６
（２），２２８（１），２２８（２）…バルブ、２２７
（１），２２７…流量制御器、１ａ…円板、２ａ…穴。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 固体デバイスの製造工程で用いられる装
   置であって、ガスを使用する固体デバイス製造装置にお
   いて、 前記ガスを使用する複数のガス使用部と、 この複数のガス使用部のそれぞれに設けられ、１つのガ
   ス供給源から対応するガス使用部に前記ガスを供給する
   ものであって、螺旋状配管を有する複数のガス供給ライ
   ンとを備えたことを特徴とする固体デバイス製造装置。
2. 【請求項２】 固体デバイスの製造工程で用いられる装
   置であって、ガスを使用する固体デバイス製造装置にお
   いて、 前記ガスを使用する複数のガス使用部と、 この複数のガス使用部のそれぞれに設けられ、１つのガ
   ス供給源から対応するガス使用部に前記ガスを供給する
   ものであって、オリフィスを有する複数のガス供給ライ
   ンとを備えたことを特徴とする固体デバイス製造装置。