JP2000215509A - Optical recording medium and its production - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、結晶状態と非結晶
状態との間の相変化が可逆的に生じる相変化材料からな
る記録層を備え、光線を照射して上記記録層に相変化を
生じさせることにより情報信号の記録及び／又は再生が
行われる光記録媒体及びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention comprises a recording layer made of a phase change material in which a phase change between a crystalline state and an amorphous state reversibly occurs. The present invention relates to an optical recording medium in which recording and / or reproduction of an information signal is performed by causing the recording medium and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、データ記録の分野において、安価
な大容量ファイルの実現を可能とする記録方式として、
光学記録方式に関する研究が進められており、産業用か
ら民生用まで幅広い用途が考えられている。2. Description of the Related Art In recent years, in the field of data recording, as a recording method capable of realizing an inexpensive large-capacity file,
Research on optical recording methods is underway, and a wide range of applications from industrial use to consumer use is considered.
【０００３】光学記録方式のうち、書換可能型のメモリ
ー形態に対応したものとして相変化型光ディスク等が挙
げられる。この相変化型光ディスクでは、結晶状態と非
結晶状態との間の相変化が可逆的に生じる相変化材料か
らなる記録層を備え、レーザ光等の照射により記録層を
昇温させ、記録層に相変化を生じさせて情報が記録又は
消去される。また、この相変化型光ディスクでは、光学
的に情報信号の読み出しが行われる。[0003] Among the optical recording systems, a phase-change optical disk or the like can be cited as one corresponding to a rewritable memory mode. This phase-change type optical disc includes a recording layer made of a phase-change material in which a phase change between a crystalline state and an amorphous state reversibly occurs, and the temperature of the recording layer is increased by irradiation with laser light or the like. Information is recorded or erased by causing a phase change. In this phase change optical disk, an information signal is optically read.
【０００４】このような相変化型光ディスク等に用いら
れる相変化材料としては、Ｇｅ−Ｔｅ系合金材料、Ｇｅ
−Ｔｅ−Ｓｂ系合金材料、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金材
料、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金材料等のいわゆるカルコゲ
ン系合金材料が知られている。The phase change material used for such a phase change type optical disk or the like includes a Ge—Te alloy material, a Ge—Te alloy material,
So-called chalcogen-based alloy materials such as -Te-Sb-based alloy materials, In-Sb-Te-based alloy materials, and Ge-Sn-Te-based alloy materials are known.
【０００５】また、特開昭62-53886号公報、特開昭63-2
25934号公報、特開平3-80635号公報、特公平8-32482号
公報等では、相変化材料の高速結晶化特性等の向上を目
的としてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金材料の組成比が特定さ
れている。また、特開平6-166268号公報、特開平4-2327
79号公報等では、耐久性の向上を目的として、Ａｇ−Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金材料の組成比を特定している。Further, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. Sho 62-53886 and
In 25934, JP-A-3-80635, JP-B8-32482, etc., the composition ratio of a Ge-Sb-Te-based alloy material is specified for the purpose of improving the high-speed crystallization characteristics of a phase change material. ing. Also, JP-A-6-166268, JP-A-4-2327
No. 79, etc., for the purpose of improving durability, Ag-I
The composition ratio of the n-Sb-Te alloy material is specified.
【０００６】さらに、特開平10-134414号公報、特開平1
0-16393号公報等では、繰り返し特性の向上を目的とし
て、窒素又は酸素等を界面部分に存在せしめることで、
記録層と誘電体膜との界面部分の熱伝導率を下げてい
る。Further, JP-A-10-134414 and JP-A-1
In the publication No. 0-16393, for the purpose of improving the repetition characteristics, by allowing nitrogen or oxygen to be present at the interface,
The thermal conductivity at the interface between the recording layer and the dielectric film is reduced.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような相変化型光ディスクにおいては、高線速度、高
密度における信号特性などは、まだ十分なレベルにある
とは言えず、更なる特性向上が望まれている。However, in the above-mentioned phase change type optical disk, the signal characteristics at high linear velocity and high density cannot be said to be at a sufficient level yet, and further improvement in characteristics is required. Is desired.
【０００８】本発明は、このような従来の実情に鑑みて
提案されたものであり、高線速度における記録・再生特
性、及び高密度での信号特性においても十分な特性を有
し、さらに耐久性に優れた光記録媒体及びその製造方法
を提供することを目的とする。The present invention has been proposed in view of such a conventional situation, and has a sufficient recording / reproducing characteristic at a high linear velocity and a sufficient signal characteristic at a high density. An object of the present invention is to provide an optical recording medium having excellent performance and a method for manufacturing the same.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の光記録媒体は、
結晶状態と非結晶状態との間の相変化が可逆的に生じる
相変化材料からなる記録層を備え、光線を照射して上記
記録層に相変化を生じさせることにより情報信号の記録
及び／又は消去が行われる光記録媒体であって、上記記
録層は、窒素を含有する相変化材料からなる第１の記録
膜と、上記第１の記録膜上に形成され、酸素を含有する
相変化材料からなる第２の記録膜と、上記第２の記録膜
上に形成され、窒素を含有する相変化材料からなる第３
の記録膜とを少なくとも有することを特徴とする。The optical recording medium of the present invention comprises:
A recording layer made of a phase change material in which a phase change between a crystalline state and an amorphous state occurs reversibly, and recording and / or recording of an information signal by irradiating a light beam to cause a phase change in the recording layer; An optical recording medium on which erasing is performed, wherein the recording layer comprises a first recording film made of a phase change material containing nitrogen, and a phase change material formed on the first recording film and containing oxygen. And a third recording film formed on the second recording film and made of a phase change material containing nitrogen.
And at least a recording film.
【００１０】上述したような本発明に係る光記録媒体で
は、酸素を含有する第２の記録膜が、窒素を含有する第
１の記録膜と第３の記録膜とで挟まれているので、結晶
化速度が熱的、光学的にコントロールされ、広い線速度
でも良好な信号特性が得られる。In the optical recording medium according to the present invention as described above, the second recording film containing oxygen is sandwiched between the first recording film containing nitrogen and the third recording film. The crystallization rate is controlled thermally and optically, and good signal characteristics can be obtained even at a wide linear velocity.
【００１１】また、本発明の光記録媒体の製造方法は、
結晶状態と非結晶状態との間の相変化が可逆的に生じる
相変化材料からなる記録層を備え、光線を照射して上記
記録層に相変化を生じさせることにより情報信号の記録
及び／又は消去が行われる光記録媒体の製造方法であっ
て、上記記録層を形成するに際し、窒素を含有するスパ
ッタガスを用いたスパッタリングにより相変化材料を被
着させて第１の記録膜を形成する第１の工程と、上記第
１の工程で形成された上記第１の記録膜上に、酸素を含
有するスパッタガスを用いたスパッタリングにより、相
変化材料を被着させて第２の記録膜を形成する第２の工
程と、上記第２の工程で形成された上記第２の記録膜上
に、窒素を含有するスパッタガスを用いたスパッタリン
グにより相変化材料を被着させて第３の記録膜を形成す
る第３の工程とを少なくとも有することを特徴とする。Further, the method for manufacturing an optical recording medium according to the present invention comprises:
A recording layer made of a phase change material in which a phase change between a crystalline state and an amorphous state occurs reversibly, and recording and / or recording of an information signal by irradiating a light beam to cause a phase change in the recording layer; A method for manufacturing an optical recording medium in which erasing is performed, wherein a step of forming a first recording film by depositing a phase change material by sputtering using a sputtering gas containing nitrogen when forming the recording layer. Step 1 and forming a second recording film by depositing a phase change material on the first recording film formed in the first step by sputtering using a sputtering gas containing oxygen. And a phase change material is deposited on the second recording film formed in the second step by sputtering using a sputtering gas containing nitrogen to form a third recording film. And the third step of forming Characterized in that it has even without.
【００１２】上述したような本発明に係る光記録媒体の
製造方法では、酸素を含有する第２の記録膜を、窒素を
含有する第１の記録膜と第３の記録膜とで挟むことで、
結晶化速度が熱的、光学的にコントロールされ、広い線
速度でも良好な信号特性を有する光記録媒体が得られ
る。In the method for manufacturing an optical recording medium according to the present invention as described above, the second recording film containing oxygen is sandwiched between the first recording film containing nitrogen and the third recording film. ,
The crystallization rate is controlled thermally and optically, and an optical recording medium having good signal characteristics can be obtained even at a wide linear velocity.
【００１３】また、本発明の光記録媒体の製造方法は、
結晶状態と非結晶状態との間の相変化が可逆的に生じる
相変化材料からなる記録層を備え、光線を照射して上記
記録層に相変化を生じさせることにより情報信号の記録
及び／又は消去が行われる光記録媒体の製造方法であっ
て、上記記録層を形成するに際し、窒素を含有するスパ
ッタガスを用いたスパッタリングにより相変化材料を被
着させて第１の記録膜を形成する第１の工程と、上記第
１の工程で形成された上記第１の記録膜上に、ＣＯ又は
ＣＯ2を含有するスパッタガスを用いたスパッタリング
により、相変化材料を被着させて第２の記録膜を形成す
る第２の工程と、上記第２の工程で形成された上記第２
の記録膜上に、窒素を含有するスパッタガスを用いたス
パッタリングにより相変化材料を被着させて第３の記録
膜を形成する第３の工程とを少なくとも有することを特
徴とする。Further, the method for manufacturing an optical recording medium according to the present invention comprises:
A recording layer made of a phase change material in which a phase change between a crystalline state and an amorphous state occurs reversibly, and recording and / or recording of an information signal by irradiating a light beam to cause a phase change in the recording layer; A method for manufacturing an optical recording medium in which erasing is performed, wherein a step of forming a first recording film by depositing a phase change material by sputtering using a sputtering gas containing nitrogen when forming the recording layer. Step 1 and a step of depositing a phase-change material on the first recording film formed in the first step by sputtering using a sputtering gas containing CO or CO 2 to perform second recording. A second step of forming a film, and the second step formed in the second step.
And a third step of forming a third recording film by depositing a phase-change material on the recording film by sputtering using a sputtering gas containing nitrogen.
【００１４】上述したような本発明に係る光記録媒体の
製造方法では、酸素を含有する第２の記録膜を、窒素を
含有する第１の記録膜と第３の記録膜とで挟むことで、
結晶化速度が熱的、光学的にコントロールされ、広い線
速度でも良好な信号特性を有する光記録媒体が得られ
る。In the method for manufacturing an optical recording medium according to the present invention as described above, the second recording film containing oxygen is sandwiched between the first recording film containing nitrogen and the third recording film. ,
The crystallization rate is controlled thermally and optically, and an optical recording medium having good signal characteristics can be obtained even at a wide linear velocity.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。Embodiments of the present invention will be described below.
【００１６】図１は、本発明に係る光記録媒体の一構成
例を模式的に示す断面図である。この光記録媒体は、相
変化型のディスク状光記録媒体（以下、光ディスクと称
する。）である。この光ディスク１は、基板２の一主面
２ａ上に、第１の誘電体層３と、記録層４と、第２の誘
電体層５と、熱拡散層６と、保護層７とが順次積層形成
されてなる。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing one configuration example of the optical recording medium according to the present invention. This optical recording medium is a phase-change type disk-shaped optical recording medium (hereinafter, referred to as an optical disk). In this optical disc 1, a first dielectric layer 3, a recording layer 4, a second dielectric layer 5, a heat diffusion layer 6, and a protective layer 7 are sequentially formed on one main surface 2a of a substrate 2. It is formed by lamination.
【００１７】基板２は、ポリカーボネートやガラス等、
レーザ光を透過し得る材料からなる。The substrate 2 is made of polycarbonate, glass, etc.
It is made of a material that can transmit laser light.
【００１８】第１の誘電体層３及び第２の誘電体層５は
少なくともＺｎＳを含有する材料よりなることが好まし
く、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2等が挙げられる。この第１
の誘電体層３の厚さとしては６０ｎｍ〜２２０ｎｍが好
ましく、具体的には、例えば８５ｎｍである。また、第
２の誘電体層５の厚さとしては１０ｎｍ〜３５ｎｍが好
ましく、具体的には、例えば１５ｎｍである。The first dielectric layer 3 and the second dielectric layer 5 are preferably made of a material containing at least ZnS, such as ZnS-SiO 2 . This first
The thickness of the dielectric layer 3 is preferably from 60 nm to 220 nm, specifically, for example, 85 nm. Further, the thickness of the second dielectric layer 5 is preferably from 10 nm to 35 nm, and specifically, for example, 15 nm.
【００１９】記録層４は、第１の記録膜４ａと、第２の
記録膜４ｂと、第３の記録膜４ｃとが積層されてなる３
層構成とされている。The recording layer 4 is formed by laminating a first recording film 4a, a second recording film 4b, and a third recording film 4c.
It has a layer structure.
【００２０】第１の記録膜４ａ及び第３の記録膜４ｃ
は、窒素を含むＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料、又は窒
素を含むＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料等、窒素を含有する相
変化材料からなる。また、第２の記録膜４ｂは、例えば
酸素を含むＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料、あるいは酸
素を含むＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料等、酸素を含有する相
変化材料からなる。First recording film 4a and third recording film 4c
Is made of a nitrogen-containing phase change material such as a nitrogen-containing Ag-In-Sb-Te-based material or a nitrogen-containing Ge-Sb-Te-based material. The second recording film 4b is made of an oxygen-containing phase change material such as an oxygen-containing Ag-In-Sb-Te-based material or an oxygen-containing Ge-Sb-Te-based material.
【００２１】すなわち、この記録層４は、酸素を含有す
る第２の記録膜４ｂが、窒素を含有する第１の記録膜４
ａと第３の記録膜４ｃとで挟まれた構造とされている。
酸素を含有する第２の記録膜４ｂを、窒素を含有する第
１の記録膜４ａと第３の記録膜４ｃとで挟むことで、広
い線速度範囲、高密度でも大きな信号振幅が得られ、繰
り返し記録耐久性も向上させることができる。That is, in this recording layer 4, the second recording film 4b containing oxygen is replaced with the first recording film 4 containing nitrogen.
a and the third recording film 4c.
By sandwiching the second recording film 4b containing oxygen between the first recording film 4a containing nitrogen and the third recording film 4c, a large signal amplitude can be obtained even in a wide linear velocity range and high density. The durability of repeated recording can also be improved.
【００２２】第２の記録膜４ｂを、第１の記録膜４ａと
第３の記録膜４ｃとで挟んだ構造とすることで、信号特
性が向上する理由としては、以下のようなことが考えら
れる。The reason why the signal characteristics are improved by adopting a structure in which the second recording film 4b is sandwiched between the first recording film 4a and the third recording film 4c is considered as follows. Can be
【００２３】相変化材料の相変化速度を広い線速度に対
応させるには、記録層を構成する相変化材料に窒素や酸
素等を添加することにより結晶化速度をコントロールす
る必要がある。また、繰り返し特性などを向上させるに
は、記録層の界面窒化が有効である。In order to make the phase change speed of the phase change material correspond to a wide linear speed, it is necessary to control the crystallization speed by adding nitrogen, oxygen or the like to the phase change material constituting the recording layer. In order to improve the repetition characteristics and the like, the interface nitriding of the recording layer is effective.
【００２４】しかし、単層構成の記録層の界面窒化だけ
では、窒化による光学定数の変化により信号振幅は小さ
くなる。一方、相変化材料へ酸素を添加することで、窒
化と同様に結晶化速度をコントロールでき、その上、光
学定数の変化に、信号振幅をエンハンスできるような値
を持たせることができる。そのため、記録層４を、酸素
を添加した相変化材料を、窒素を添加した相変化材料で
挟んだ３層構成とすることにより、結晶化速度の熱的、
光学的なコントロールが行われ、広い線速度でも、良好
な信号特性が得られるものと考えられる。However, if only the interface nitriding of the recording layer having a single-layer structure is used, the signal amplitude becomes small due to a change in the optical constant due to the nitriding. On the other hand, by adding oxygen to the phase change material, the crystallization rate can be controlled in the same manner as in nitriding, and further, the change in the optical constant can be given a value that can enhance the signal amplitude. Therefore, by forming the recording layer 4 into a three-layer structure in which the oxygen-added phase change material is sandwiched between the nitrogen-added phase change materials, the thermal crystallization speed and
It is considered that optical control is performed and good signal characteristics can be obtained even at a wide linear velocity.
【００２５】熱拡散層６は、例えばアルミニウム等から
なる。この熱拡散層６の厚さとしては６０ｎｍ〜１５０
ｎｍが好ましく、具体的には、例えば１２０ｎｍであ
る。The thermal diffusion layer 6 is made of, for example, aluminum or the like. The thickness of the heat diffusion layer 6 is 60 nm to 150 nm.
nm is preferable, and specifically, for example, 120 nm.
【００２６】保護層７は、例えば紫外線硬化型樹脂等か
らなる。The protective layer 7 is made of, for example, an ultraviolet curable resin.
【００２７】このような光ディスク１に対して情報の記
録を行う場合には、基板２の一主面２ａとは反対側の主
面２ｂからレーザ光等の記録光を部分的に照射して記録
層４の一部を所定の結晶相或いは非結晶相に相変化させ
ることにより記録を行う。上述したような相変化材料で
は、加熱温度によって異なるが、例えば急速加熱又は急
冷することにより非晶質状態となり、徐冷することによ
り結晶状態となる。このように、情報信号に応じて、記
録層４に結晶部分と非結晶部分とを形成することで情報
の記録が行われる。When information is recorded on such an optical disc 1, recording light such as laser light is partially irradiated from the main surface 2b opposite to the main surface 2a of the substrate 2 to perform recording. Recording is performed by changing a part of the layer 4 to a predetermined crystalline phase or amorphous phase. The above-described phase change material varies depending on the heating temperature. For example, the material changes to an amorphous state by rapid heating or rapid cooling, and changes to a crystalline state by slow cooling. As described above, information is recorded by forming a crystalline portion and an amorphous portion in the recording layer 4 according to the information signal.
【００２８】また、この光ディスク１から情報の再生を
行う場合には、基板２の一主面２ａとは反対側の主面２
ｂ側から記録層４にレーザ光等の再生光を照射して、記
録層４中の異なる結晶相或いは非結晶相間の反射率の差
異により、結晶相及び非結晶相に対応した情報の再生を
行う。なお、この再生光は、記録層４に相変化を起こさ
ないようなものであることが必要である。When information is reproduced from the optical disk 1, the main surface 2a on the opposite side of the main surface 2a of the substrate 2 is used.
By irradiating the recording layer 4 with reproduction light such as a laser beam from the b side, reproduction of information corresponding to the crystal phase and the amorphous phase is performed due to the difference in reflectance between different crystalline phases or amorphous phases in the recording layer 4. Do. It is necessary that the reproducing light does not cause a phase change in the recording layer 4.
【００２９】以下、このような光ディスク１の製造方法
について説明する。なお、以下の説明では光ディスク１
を構成する各層の具体的な厚さ等を挙げて説明するが、
これらの各層の厚さは、使用される線速度や記録条件等
に応じて適宜変化させることが好ましく、これらの値に
限定されるものではない。Hereinafter, a method for manufacturing such an optical disc 1 will be described. In the following description, the optical disk 1
It will be described with specific thickness of each layer constituting,
The thickness of each of these layers is preferably changed as appropriate according to the linear velocity and recording conditions used, and is not limited to these values.
【００３０】まず、ポリカーボネートやガラス等、レー
ザ光を透過し得る材料からなり、トラッキング用のグル
ーブがスパイラル状に形成された基板２を用意する。First, a substrate 2 made of a material capable of transmitting laser light, such as polycarbonate or glass, and having tracking grooves formed in a spiral shape is prepared.
【００３１】次に、基板２のグルーブが形成された面上
に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等をスパッタリングにより被着さ
せて、第１の誘電体層３を形成する。スパッタリング時
の真空度は、例えば０．４Ｐａとする。この第１の誘電
体層３の厚さとしては６０ｎｍ〜２２０ｎｍが好まし
く、具体的には、例えば８５ｎｍとする。Next, on the surface of the substrate 2 on which the grooves are formed, ZnS-SiO 2 or the like is applied by sputtering to form the first dielectric layer 3. The degree of vacuum during sputtering is, for example, 0.4 Pa. The thickness of the first dielectric layer 3 is preferably from 60 nm to 220 nm, specifically, for example, 85 nm.
【００３２】そして、第１の誘電体層３上に、Ｇｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ系材料又はＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料等の
相変化材料をスパッタリングにより被着させて第１の記
録膜４ａを形成する。スパッタリング時の真空度は、例
えば０．４Ｐａとする。スパッタリングにより第１の記
録膜４ａを形成するとき、スパッタガスとして、Ｎ2を
含有するＡｒガスを用いる。スパッタガス中にＮ2を含
有させることで、相変化材料中に窒素が取り込まれる。
この第１の記録膜４ａの厚さとしては、相変化材料とし
てＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料を用いる場合には１０ｎｍ以
上が好ましく、具体的には例えば１０ｎｍである。ま
た、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料を用いる場合には５
ｎｍ以下が好ましく、具体的には例えば３ｎｍである。Then, Ge-S is formed on the first dielectric layer 3.
A first recording film 4a is formed by depositing a phase-change material such as a b-Te-based material or an Ag-In-Sb-Te-based material by sputtering. The degree of vacuum during sputtering is, for example, 0.4 Pa. When forming the first recording film 4a by sputtering, an Ar gas containing N 2 is used as a sputtering gas. By including N 2 in the sputtering gas, nitrogen is taken into the phase change material.
The thickness of the first recording film 4a is preferably 10 nm or more when a Ge-Sb-Te-based material is used as the phase change material, specifically, for example, 10 nm. In the case where an Ag-In-Sb-Te-based material is used, 5
nm or less, specifically, for example, 3 nm.
【００３３】次に、第１の記録膜４ａ上に、Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ系材料又はＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料等の相
変化材料をスパッタリングにより被着させて第２の記録
膜４ｂを形成する。スパッタリング時の真空度は、例え
ば０．４Ｐａとする。スパッタリングにより第２の記録
膜４ｂを形成するとき、スパッタガスとして、Ｏ2を含
有するＡｒガスを用いる。スパッタガス中にＯ2を含有
させることで、相変化材料中に酸素が取り込まれる。こ
の第２の記録膜４ｂの厚さとしては、相変化材料として
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料を用いる場合には６ｎｍ以上が
好ましく、具体的には例えば６ｎｍである。また、Ａｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料を用いる場合には１９ｎｍ以
下が好ましく、具体的には例えば１９ｎｍである。Next, Ge-Sb is formed on the first recording film 4a.
The second recording film 4b is formed by depositing a phase change material such as a -Te material or an Ag-In-Sb-Te material by sputtering. The degree of vacuum during sputtering is, for example, 0.4 Pa. When forming the second recording film 4b by sputtering, an Ar gas containing O 2 is used as a sputtering gas. By including O 2 in the sputtering gas, oxygen is taken in the phase change material. The thickness of the second recording film 4b is preferably 6 nm or more when a Ge-Sb-Te-based material is used as the phase change material, and specifically, for example, 6 nm. Also, Ag
When an -In-Sb-Te-based material is used, the thickness is preferably 19 nm or less, specifically, for example, 19 nm.
【００３４】次に、第２の記録膜４ｂ上に、Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ系材料又はＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料等の相
変化材料をスパッタリングにより被着させて第３の記録
膜４ｃを形成する。スパッタリング時の真空度は、例え
ば０．４Ｐａとする。スパッタリングにより第３の記録
膜４ｃを形成するとき、スパッタガスとして、Ｎ2を含
有するＡｒガスを用いる。スパッタガス中にＮ2を含有
させることで、相変化材料中に窒素が取り込まれる。こ
の第３の記録膜４ｃの厚さとしては、相変化材料として
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料を用いる場合には１０ｎｍ以上
が好ましく、具体的には例えば１０ｎｍである。また、
Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料を用いる場合には５ｎｍ
以下が好ましく、具体的には例えば３ｎｍである。Next, Ge-Sb is formed on the second recording film 4b.
The third recording film 4c is formed by depositing a phase change material such as a -Te material or an Ag-In-Sb-Te material by sputtering. The degree of vacuum during sputtering is, for example, 0.4 Pa. When forming the third recording film 4c by sputtering, an Ar gas containing N 2 is used as a sputtering gas. By including N 2 in the sputtering gas, nitrogen is taken into the phase change material. The thickness of the third recording film 4c is preferably 10 nm or more when a Ge-Sb-Te-based material is used as the phase change material, and specifically, for example, 10 nm. Also,
5 nm when using an Ag-In-Sb-Te-based material
The following is preferable, and specifically, for example, 3 nm.
【００３５】このようにして、酸素を含有する第２の記
録膜４ｂが、窒素を含有する第１の記録膜４ａと第３の
記録膜４ｃとで挟まれた３層構造を有する記録層４が形
成される。In this manner, the recording layer 4 having a three-layer structure in which the second recording film 4b containing oxygen is sandwiched between the first recording film 4a and the third recording film 4c containing nitrogen. Is formed.
【００３６】次に、記録層４上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等
をスパッタリングにより被着させて、第２の誘電体層５
を形成する。スパッタリング時の真空度は、例えば０．
４Ｐａとする。この第２の誘電体層５の厚さとしては１
０ｎｍ〜３５ｎｍが好ましく、具体的には、例えば１５
ｎｍとする。Next, ZnS—SiO 2 or the like is deposited on the recording layer 4 by sputtering to form a second dielectric layer 5.
To form The degree of vacuum at the time of sputtering is, for example, 0.
4 Pa. The thickness of the second dielectric layer 5 is 1
0 nm to 35 nm is preferable, and specifically, for example, 15 nm
nm.
【００３７】次に、第２の誘電体層５上に、アルミニウ
ム等を被着させて熱拡散層６を形成する。スパッタリン
グ時の真空度は、例えば０．２Ｐａとする。この熱拡散
層６の厚さとしては６０ｎｍ〜１５０ｎｍが好ましく、
具体的には、例えば１２０ｎｍとする。Next, a heat diffusion layer 6 is formed on the second dielectric layer 5 by depositing aluminum or the like. The degree of vacuum during sputtering is, for example, 0.2 Pa. The thickness of the heat diffusion layer 6 is preferably 60 nm to 150 nm,
Specifically, it is set to, for example, 120 nm.
【００３８】最後に、熱拡散層６上に、紫外線硬化型樹
脂等をスピンコート法によって塗布することにより保護
層７を形成して、光ディスク１が得られる。Finally, the protective layer 7 is formed on the heat diffusion layer 6 by applying an ultraviolet curable resin or the like by spin coating, and the optical disc 1 is obtained.
【００３９】なお、この光ディスク１では、記録層４の
第２の記録膜４ｂを、酸素及び炭素を含むＡｇ−Ｉｎ−
Ｓｂ−Ｔｅ系材料、酸素及び炭素を含むＧｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系材料等、酸素と炭素とを含有する相変化材料から構
成することもできる。In this optical disc 1, the second recording film 4b of the recording layer 4 is made of Ag-In- containing oxygen and carbon.
Ge-Sb-T containing Sb-Te based material, oxygen and carbon
It can also be composed of a phase change material containing oxygen and carbon, such as an e-based material.
【００４０】第２の記録膜４ｂを、酸素と炭素とを含有
する相変化材料から構成する場合、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系
材料又はＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料等の相変化材料
をスパッタリングにより被着させる際に、スパッタガス
として、ＣＯ又はＣＯ2を含有するＡｒガスを用いる。
スパッタガス中にＣＯ又はＣＯ2を含有させることで、
相変化材料中に酸素及び炭素が取り込まれる。この場合
にも、第２の記録膜４ｂの厚さとしては、Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ系材料を用いる場合には６ｎｍ以上が好ましく、具
体的には例えば６ｎｍである。また、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ系材料を用いる場合には、第２の記録膜４ｂの厚
さは１９ｎｍ以下が好ましく、具体的には例えば１９ｎ
ｍである。When the second recording film 4b is made of a phase change material containing oxygen and carbon, a phase change material such as a Ge-Sb-Te material or an Ag-In-Sb-Te material is sputtered. by the time of depositing, as a sputtering gas, an Ar gas is used containing CO or CO 2.
By containing CO or CO 2 in the sputtering gas,
Oxygen and carbon are incorporated into the phase change material. Also in this case, the thickness of the second recording film 4b is Ge-Sb-
When a Te-based material is used, the thickness is preferably 6 nm or more, specifically, for example, 6 nm. Ag-In-Sb
In the case of using a -Te-based material, the thickness of the second recording film 4b is preferably 19 nm or less, and specifically, for example, 19 n
m.
【００４１】[0041]
【実施例】つぎに、上述したような光ディスクを作製
し、その特性を評価した実験例について説明する。Next, a description will be given of an experimental example in which an optical disk as described above was manufactured and its characteristics were evaluated.
【００４２】本実施例では、記録層を構成する第１，第
２及び第３の記録膜を形成する際に、それぞれの材料と
膜厚、スパッタリング時のスパッタガス中に含有される
Ｎ2、Ｏ2又はＣＯ2ガスの割合をそれぞれ変化させて光
ディスクを作製し、それらの光ディスクの特性を評価し
た。In this embodiment, when forming the first, second and third recording films constituting the recording layer, the respective materials and film thickness, N 2 contained in the sputtering gas at the time of sputtering, Optical disks were manufactured by changing the ratio of the O 2 or CO 2 gas, respectively, and the characteristics of the optical disks were evaluated.
【００４３】まず、一主面上にトラッキングの為のグル
ーブが０．７４μｍのピッチでスパイラル状に形成され
ている、ポリカーボネート製の基板を用意し、この基板
のグルーブが形成された面上に、スパッタリングにより
ＺｎＳ−ＳｉＯ2を８５ｎｍの厚みに被着させて第１の
誘電体層を形成した。First, a polycarbonate substrate in which grooves for tracking are formed in a spiral shape at a pitch of 0.74 μm on one principal surface is prepared, and on the surface of the substrate on which the grooves are formed, forming a first dielectric layer was deposited a ZnS-SiO 2 to a thickness of 85nm by sputtering.
【００４４】次に、この第１の誘電体層の上に、スパッ
タリングにより相変化材料を被着させて第１の記録膜
と、第２の記録膜と、第３の記録膜とをこの順に積層し
て記録層を形成した。Next, on the first dielectric layer, a phase-change material is applied by sputtering to form a first recording film, a second recording film, and a third recording film in this order. The recording layer was formed by lamination.
【００４５】このとき、第１の記録膜、第２の記録膜及
び第３の記録膜を形成する際に、材料、膜厚、スパッタ
ガス中に添加されるＮ2、Ｏ2又はＣＯ2ガスの割合を、
後掲する表１に示すようにそれぞれ変えて行った。な
お、表１において、膜厚はｎｍ単位で示してあり、ま
た、添加ガス量は、スパッタガスの全流量に対する
Ｎ2、Ｏ2又はＣＯ2ガスの割合（％）を示している。At this time, when forming the first recording film, the second recording film and the third recording film, the material, film thickness, N 2 , O 2 or CO 2 gas added to the sputtering gas Of the
The procedure was changed as shown in Table 1 below. In Table 1, the film thickness is shown in units of nm, and the added gas amount indicates the ratio (%) of N 2 , O 2 or CO 2 gas to the total flow rate of the sputtering gas.
【００４６】次に、この記録層の上にスパッタリングに
よりＺｎＳ−ＳｉＯ2を１５ｎｍの厚みに被着させて第
２の誘電体層を形成した。Next, a second dielectric layer was formed on the recording layer by depositing ZnS-SiO 2 to a thickness of 15 nm by sputtering.
【００４７】さらに、この第２の誘電体層の上にスパッ
タリングによりＡｌ合金を１２０ｎｍの厚みに被着させ
て熱拡散層を形成した。Further, an Al alloy was applied to a thickness of 120 nm on the second dielectric layer by sputtering to form a thermal diffusion layer.
【００４８】これら各層のスパッタリングは各材料ごと
に分かれたチャンバーを有するスパッタリング装置を用
いて行うこととし、スパッタリングの際には各チャンバ
ー内の真空度を５×１０-5Ｐａ以下とした後、スパッタ
ガスを導入して所定の真空度とした。The sputtering of each of these layers is performed by using a sputtering apparatus having a chamber separated for each material. During the sputtering, the degree of vacuum in each chamber is set to 5 × 10 −5 Pa or less, and then the sputtering is performed. A predetermined degree of vacuum was introduced by introducing gas.
【００４９】さらに、各層が形成された基板をスパッタ
リング装置から取り出し、上記熱拡散層上にスピンコー
ト法により紫外線硬化樹脂よりなる保護層を形成し、実
施例１〜実施例５及び比較例１〜比較例７の１２種類の
光ディスクを完成した。Further, the substrate on which each layer was formed was taken out of the sputtering apparatus, and a protective layer made of an ultraviolet curable resin was formed on the heat diffusion layer by a spin coating method. Twelve types of optical disks of Comparative Example 7 were completed.
【００５０】次に、これらの光ディスクを初期化した。
ここで言う初期化とは、この光ディスクの記録層を安定
な所定の結晶層にしておくことを示す。Next, these optical disks were initialized.
Here, the initialization means that the recording layer of the optical disk is a stable predetermined crystal layer.
【００５１】そして、実施例１〜実施例５及び比較例１
〜比較例７の光ディスクについて、繰り返し耐久性と信
号振幅との関係を評価した。Examples 1 to 5 and Comparative Example 1
With respect to the optical disks of Comparative Example 7, the relationship between the repetition durability and the signal amplitude was evaluated.
【００５２】評価を行うには、まず、これらの光ディス
クに対して相変化型光記録再生装置により、図２に示す
ような発光パターンを用いて、線速度３．５ｍ／秒、５
ｍ／秒、７ｍ／秒で、１．５５μｍ長の１１Ｔ信号を記
録した。Ｔはチャンネルクロックを示す。パルス幅は、
各線速度３．５ｍ／秒、５ｍ／秒、７ｍ／秒に対し、そ
れぞれ０．６Ｔである２０×１０-9秒、１４×１０
-9秒、１０×１０-9秒とした。また、図２中、Ｐｈ，Ｐ
ｌ及びＰｃは、ジッター値が最良になるパワーとした。
ここで、ジッター値とは、クロックに対して各マークエ
ッジの標準偏差をウィンドウ幅で規格した値をいう。In order to carry out the evaluation, a linear velocity of 3.5 m / sec and a speed of 3.5 m / sec were first applied to these optical disks by a phase-change optical recording / reproducing apparatus using a light emission pattern as shown in FIG.
At 11 m / s and 7 m / s, a 1.55 μm long 11T signal was recorded. T indicates a channel clock. The pulse width is
For each linear velocity of 3.5 m / sec, 5 m / sec, and 7 m / sec, 20 × 10 −9 sec, 14 × 10, which is 0.6 T, respectively.
-9 seconds, 10 × 10 -9 seconds. In FIG. 2, Ph, P
l and Pc were powers at which the jitter value was the best.
Here, the jitter value refers to a value obtained by standardizing a standard deviation of each mark edge with respect to a clock by a window width.
【００５３】評価は、各線速度における繰り返し記録に
対する１１Ｔのジッター値と変調度とを評価した。高密
度記録では、狭いトラックピッチと線密度から高い信号
特性を得るために変調度を大きくする必要がある。ここ
では、変調度が５０％以上のとき、変調度特性をＯＫと
した。また、ジッター値については、ジッター値が、エ
ラー訂正可能な１５％以下であるとき、ジッター特性を
ＯＫとした。In the evaluation, the jitter value of 11T and the degree of modulation for repeated recording at each linear velocity were evaluated. In high-density recording, it is necessary to increase the degree of modulation to obtain high signal characteristics from a narrow track pitch and linear density. Here, when the degree of modulation is 50% or more, the degree of modulation characteristic is OK. As for the jitter value, when the jitter value was equal to or less than 15% at which error correction was possible, the jitter characteristic was determined to be OK.
【００５４】そして、線速度３．５ｍ／秒、５ｍ／秒、
７ｍ／秒でそれぞれ１０００回のオーバーライト後の変
調度とジッター特性とを評価し、その両方の特性が共に
ＯＫの場合に、総合判定としての特性をＯＫとした。変
調度とジッター特性とのどちらか一方でもＮＧの場合に
は、特性の総合判定をＮＧとした。Then, the linear velocity is 3.5 m / sec, 5 m / sec,
The modulation degree and the jitter characteristic after overwriting 1000 times at 7 m / sec were evaluated, and when both of the characteristics were OK, the characteristic as the overall judgment was OK. When either one of the modulation degree and the jitter characteristic was NG, the overall judgment of the characteristic was NG.
【００５５】第１，第２及び第３の記録膜を形成する際
に用いた相変化材料、スパッタガスへの添加ガスとその
添加量及び各膜の膜厚と、特性の総合判定とをまとめて
表１に示す。The phase change material used for forming the first, second and third recording films, the added gas to the sputter gas, the added amount thereof, the film thickness of each film, and the comprehensive judgment of the characteristics are summarized. The results are shown in Table 1.
【００５６】[0056]
【表１】 [Table 1]
【００５７】表１から明らかなように、記録層を、酸
素、又は酸素及び炭素を含む相変化材料からなる第２の
記録膜を、窒素を含む相変化材料からなる第１の記録膜
と第３の記録膜とで挟んだ３層構成とした実施例１〜実
施例５の光ディスクでは、総合判定がいずれもＯＫとさ
れており、変調度、ジッター特性ともに優れていること
がわかる。As is apparent from Table 1, the recording layer is composed of a second recording film made of oxygen or a phase change material containing oxygen and carbon, and a first recording film made of a phase change material containing nitrogen. In the optical discs of Examples 1 to 5 having a three-layer structure sandwiched between the recording films of Nos. 3 and 5, the comprehensive judgment is all OK, and it can be seen that the modulation degree and the jitter characteristics are excellent.
【００５８】一方、記録層成膜時に、スパッタガスに添
加ガスを添加しなかった比較例１及び比較例５、添加ガ
スとして窒素ガスのみを用いた比較例２及び比較例６で
は、総合判定がＮＧとされており、十分な特性が得られ
ていないことがわかる。On the other hand, in Comparative Examples 1 and 5 in which no additional gas was added to the sputtering gas at the time of forming the recording layer, and Comparative Examples 2 and 6 in which only nitrogen gas was used as the additional gas, comprehensive judgment was made. NG, indicating that sufficient characteristics were not obtained.
【００５９】また、比較例３及び比較例７のように、酸
素を含まない第２の記録膜を、窒素を含む第１の記録膜
と第３の記録膜とで挟んだ場合には、十分な特性が得ら
れていないことがわかる。また、比較例４のように、窒
素を含む第２の記録膜を、酸素及び炭素を含む第１の記
録膜と第３の記録膜とで挟んだ場合にも、十分な特性が
得られず、本発明の効果は得られないことがわかる。Further, when the second recording film containing no oxygen is sandwiched between the first recording film containing nitrogen and the third recording film as in Comparative Examples 3 and 7, It can be seen that excellent characteristics were not obtained. Further, even when the second recording film containing nitrogen is sandwiched between the first recording film containing oxygen and carbon and the third recording film as in Comparative Example 4, sufficient characteristics cannot be obtained. It can be seen that the effects of the present invention cannot be obtained.
【００６０】また、実施例１、比較例２及び比較例３の
光ディスクについて、線速度と信号振幅との関係を図３
に示す。なお、図３中、実施例１の光ディスクについて
は●で示す。また、比較例２の光ディスクについては□
で示し、比較例３の光ディスクについては△で示す。FIG. 3 shows the relationship between the linear velocity and the signal amplitude for the optical discs of Example 1, Comparative Examples 2 and 3.
Shown in In FIG. 3, the optical disk of the first embodiment is indicated by ●. In addition, the optical disk of Comparative Example 2
The optical disk of Comparative Example 3 is indicated by Δ.
【００６１】図３から明らかなように、実施例１の光デ
ィスクでは、すべての線速度で信号振幅が大きく、広い
線速度範囲で、良好な信号振幅が得られていることがわ
かる。一方、比較例２及び比較例３の光ディスクでは、
実施例１の光ディスクに比べて信号振幅が小さく、その
上、線速度が大きくなるにつれて信号振幅が小さくなっ
てしまっている。As is apparent from FIG. 3, the optical disk of Example 1 has a large signal amplitude at all linear velocities, and a good signal amplitude is obtained over a wide linear velocity range. On the other hand, in the optical disks of Comparative Examples 2 and 3,
The signal amplitude is smaller than that of the optical disk of the first embodiment, and further, the signal amplitude decreases as the linear velocity increases.
【００６２】また、実施例４、比較例５及び比較例７の
光ディスクについて、線速度とジッター特性との関係を
図４に示す。なお、図４中、実施例４の光ディスクにつ
いては●で示す。また、比較例５の光ディスクについて
は□で示し、比較例７の光ディスクについては△で示
す。FIG. 4 shows the relationship between the linear velocity and the jitter characteristics of the optical discs of Example 4, Comparative Examples 5 and 7. In FIG. 4, the optical disk of the fourth embodiment is indicated by ●. The optical disk of Comparative Example 5 is indicated by □, and the optical disk of Comparative Example 7 is indicated by Δ.
【００６３】図４から明らかなように、実施例４の光デ
ィスクでは、全ての線速度でジッター値が１５％以下で
あり、良好なジッター特性が得られていることがわか
る。一方、比較例５及び比較例７の光ディスクでは、実
施例４の光ディスクに比べてジッター値が大きく、１５
％以下のジッター値が得られているのは限られた線速度
範囲のみであった。As is apparent from FIG. 4, in the optical disc of Example 4, the jitter value was 15% or less at all linear velocities, and it was found that good jitter characteristics were obtained. On the other hand, the optical discs of Comparative Examples 5 and 7 have a larger jitter value than the optical disc of Example 4 and have a jitter of 15%.
% Was obtained only in a limited linear velocity range.
【００６４】以上の結果より、相変化型光ディスクの記
録層を、酸素、又は酸素及び炭素を含む相変化材料から
なる第２の記録膜を、窒素を含む相変化材料からなる第
１の記録膜と第３の記録膜とで挟んだ３層以上の構成と
することで、高密度でも広い線速度範囲で、良好な信号
振幅及びジッター特性が得られることがわかる。From the above results, it was found that the recording layer of the phase-change type optical disk was replaced by a second recording film made of oxygen or a phase change material containing oxygen and carbon, and a first recording film made of a phase change material containing nitrogen. It can be seen that with the configuration of three or more layers sandwiched between the first and third recording films, good signal amplitude and jitter characteristics can be obtained in a wide linear velocity range even at high density.
【００６５】[0065]
【発明の効果】本発明では、記録層を、酸素を含む相変
化材料を、窒素を含む相変化材料で挟んだ少なくとも３
層以上の構成とすることで、高密度ながらも、広い線速
度範囲で良好な信号特性、繰り返し耐久性を有する光記
録媒体を実現することができる。According to the present invention, the recording layer is formed by sandwiching a phase change material containing oxygen with a phase change material containing nitrogen.
With a structure having more than two layers, it is possible to realize an optical recording medium having good signal characteristics and good repetition durability in a wide linear velocity range, even though it has a high density.
【図１】本発明の光記録媒体の一構成例を示す断面図で
ある。FIG. 1 is a cross-sectional view showing one configuration example of an optical recording medium of the present invention.
【図２】光ディスクのジッター特性を評価するための記
録発光パターンを示した図である。FIG. 2 is a diagram showing a recording light emission pattern for evaluating a jitter characteristic of an optical disk.
【図３】実施例で作製された光ディスクについて、線速
度と信号振幅との関係を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a relationship between a linear velocity and a signal amplitude for an optical disc manufactured in an example.
【図４】実施例で作製された光ディスクについて、線速
度とジッター特性との関係を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a relationship between a linear velocity and a jitter characteristic of the optical disc manufactured in the example.
【符号の説明】 １ 光ディスク、 ２ 基板、 ３ 第１の誘電体層、
４ 記録層、 ４ａ第１の記録膜、 ４ｂ 第２の記
録膜、 ４ｃ 第３の記録膜、 ５ 第２の誘電体層、
６ 熱拡散層、 ７ 保護層[Description of Signs] 1 optical disk, 2 substrate, 3 first dielectric layer,
4 recording layer, 4a first recording film, 4b second recording film, 4c third recording film, 5 second dielectric layer,
6 Thermal diffusion layer, 7 Protective layer
Claims (4)
可逆的に生じる相変化材料からなる記録層を備え、光線
を照射して上記記録層に相変化を生じさせることにより
情報信号の記録及び／又は消去が行われる光記録媒体に
おいて、 上記記録層は、 窒素を含有する相変化材料からなる第１の記録膜と、 上記第１の記録膜上に形成され、酸素を含有する相変化
材料からなる第２の記録膜と、 上記第２の記録膜上に形成され、窒素を含有する相変化
材料からなる第３の記録膜とを少なくとも有することを
特徴とする光記録媒体。An information signal is provided by providing a recording layer made of a phase change material in which a phase change between a crystalline state and an amorphous state reversibly occurs, and irradiating a light beam to cause the phase change in the recording layer. In the optical recording medium in which recording and / or erasing is performed, the recording layer includes a first recording film made of a phase change material containing nitrogen, and an oxygen-containing film formed on the first recording film. An optical recording medium comprising at least a second recording film made of a phase change material, and a third recording film formed on the second recording film and made of a phase change material containing nitrogen.
ることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。2. The optical recording medium according to claim 1, wherein said second recording film contains carbon.
可逆的に生じる相変化材料からなる記録層を備え、光線
を照射して上記記録層に相変化を生じさせることにより
情報信号の記録及び／又は消去が行われる光記録媒体の
製造方法において、 上記記録層を形成するに際し、 窒素を含有するスパッタガスを用いたスパッタリングに
より、相変化材料を被着させて第１の記録膜を形成する
第１の工程と、 上記第１の工程で形成された上記第１の記録膜上に、酸
素を含有するスパッタガスを用いたスパッタリングによ
り、相変化材料を被着させて第２の記録膜を形成する第
２の工程と、 上記第２の工程で形成された上記第２の記録膜上に、窒
素を含有するスパッタガスを用いたスパッタリングによ
り、相変化材料を被着させて第３の記録膜を形成する第
３の工程とを少なくとも有することを特徴とする光記録
媒体の製造方法。3. An information signal comprising a recording layer made of a phase change material in which a phase change between a crystalline state and an amorphous state reversibly occurs, and irradiating a light beam to cause a phase change in the recording layer. In the method for manufacturing an optical recording medium in which recording and / or erasing is performed, in forming the recording layer, a first recording film is formed by applying a phase change material by sputtering using a sputtering gas containing nitrogen. A phase change material is deposited on the first recording film formed in the first step by sputtering using a sputtering gas containing oxygen. A second step of forming a recording film; and depositing a phase-change material on the second recording film formed in the second step by sputtering using a sputtering gas containing nitrogen. Shape 3 recording film A third method of manufacturing an optical recording medium, wherein at least a step of.
可逆的に生じる相変化材料からなる記録層を備え、光線
を照射して上記記録層に相変化を生じさせることにより
情報信号の記録及び／又は消去が行われる光記録媒体の
製造方法において、 上記記録層を形成するに際し、 窒素を含有するスパッタガスを用いたスパッタリングに
より、相変化材料を被着させて第１の記録膜を形成する
第１の工程と、 上記第１の工程で形成された上記第１の記録膜上に、Ｃ
Ｏ又はＣＯ2を含有するスパッタガスを用いたスパッタ
リングにより、相変化材料を被着させて第２の記録膜を
形成する第２の工程と、 上記第２の工程で形成された上記第２の記録膜上に、窒
素を含有するスパッタガスを用いたスパッタリングによ
り、相変化材料を被着させて第３の記録膜を形成する第
３の工程とを少なくとも有することを特徴とする光記録
媒体の製造方法。4. A recording layer comprising a phase change material in which a phase change between a crystalline state and an amorphous state reversibly occurs, and the information signal is generated by irradiating a light beam to cause the phase change in the recording layer. In the method for manufacturing an optical recording medium in which recording and / or erasing is performed, in forming the recording layer, a first recording film is formed by applying a phase change material by sputtering using a sputtering gas containing nitrogen. A first step of forming C, and C on the first recording film formed in the first step.
A second step of forming a second recording film by depositing a phase change material by sputtering using a sputtering gas containing O or CO 2, and the second step formed in the second step. A third step of forming a third recording film by depositing a phase-change material on the recording film by sputtering using a nitrogen-containing sputtering gas to form a third recording film. Production method.
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|---|---|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1999
- 1999-01-22 JP JP11014520A patent/JP2000215509A/en not_active Withdrawn
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