JP2000208298A - Inductive coupling type plasma generator - Google Patents
Inductive coupling type plasma generatorInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、誘導結合によって
プラズマを生成する誘導結合型プラズマ生成装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inductively coupled plasma generator for generating plasma by inductive coupling.
【０００２】[0002]
【従来の技術】固体デバイスの基板（半導体デバイスの
ウェーハや液晶表示デバイスのガラス基板等）にエッチ
ング、成膜、スパッタリング等の処理を施す基板処理装
置として、プラズマを使って処理を施す装置がある。2. Description of the Related Art As a substrate processing apparatus for performing processing such as etching, film formation, and sputtering on a substrate of a solid-state device (a wafer of a semiconductor device or a glass substrate of a liquid crystal display device), there is an apparatus for performing processing using plasma. .
【０００３】このような基板処理装置においては、プラ
ズマを生成する装置が必要になる。このプラズマ生成装
置においては、近年、基板の処理速度の高速化に伴っ
て、高密度のプラズマの生成が求められている。また、
この装置においては、基板サイズの大型化に伴って、広
い範囲に亘って密度の均一なプラズマの生成が求められ
ている。さらに、この装置においては、固体デバイスの
微細化に伴って、低いガス圧力でのプラズマの生成と、
不純物の少ないプラズマの生成とが求められている。具
体的には、１００〜０．１Ｐａ程度の低ガス圧下で、広
範囲に亘って均一で高密度のプラズマを生成することが
求められている。In such a substrate processing apparatus, an apparatus for generating plasma is required. In recent years, in this plasma generation apparatus, generation of high-density plasma has been demanded with an increase in the processing speed of a substrate. Also,
In this apparatus, generation of plasma having a uniform density over a wide range is required with an increase in substrate size. Furthermore, in this apparatus, with the miniaturization of solid-state devices, generation of plasma at low gas pressure,
There is a demand for the generation of plasma with less impurities. Specifically, it is required to generate uniform and high-density plasma over a wide range under a low gas pressure of about 100 to 0.1 Pa.
【０００４】この要望に応えるプラズマ生成装置とし
て、誘導結合によってプラズマを生成する誘導結合型プ
ラズマ生成装置がある。図１０および図１１は、従来の
誘導結合型プラズマ生成装置の構成を示す図である。As a plasma generating apparatus that meets this demand, there is an inductively coupled plasma generating apparatus that generates plasma by inductive coupling. 10 and 11 are views showing a configuration of a conventional inductively coupled plasma generation device.
【０００５】図１０に示す装置は、円筒状の真空容器１
を容器本体１０１と天板１０２とに分割し、天板１０２
を誘電体によって構成することにより、プラズマ生成領
域Ｒを規定する領域規定体とし、この天板１０２の上部
にコイルアンテナ２を配設し、このコイルアンテナ２に
高周波電源３から高周波電流を供給するようになってい
る。[0005] The device shown in FIG.
Is divided into a container body 101 and a top plate 102, and the top plate 102
Is constituted by a dielectric material, thereby forming a region defining body that defines the plasma generation region R, a coil antenna 2 is disposed above the top plate 102, and a high-frequency current is supplied to the coil antenna 2 from a high-frequency power source 3. It has become.
【０００６】図１１に示す装置は、円筒状の真空容器１
１を上側容器部１１１と下側容器部１１２とに分割し、
上側容器部１１１を誘電体によって構成することによ
り、プラズマ生成領域Ｒを規定する領域規定体とし、こ
の上側容器部１１１の周辺部にコイルアンテナ１２を配
設し、このコイルアンテナ１２に高周波電源１３から高
周波電流を供給するようになっている。[0006] The apparatus shown in FIG.
1 is divided into an upper container portion 111 and a lower container portion 112,
The upper container portion 111 is made of a dielectric material to provide a region defining body that defines the plasma generation region R. A coil antenna 12 is provided around the upper container portion 111, and a high-frequency power source 13 is connected to the coil antenna 12. Supplies a high frequency current.
【０００７】このような誘導結合型プラズマ生成装置に
よれば、低ガス圧力下で、１０１１〜１０１２ｃｍ−３
程度の高密度のプラズマを広範囲に亘って生成すること
ができる。また、プラズマ生成領域の直径と高さの比の
値（直径／高さ）が２〜５程度に設定することができる
ため、装置をコンパクトにすることができる。[0007] According to such an inductively coupled plasma generating apparatus, under low gas pressure, 10 11 to 10 12 cm -3.
A high density plasma can be generated over a wide range. Further, since the value of the ratio of the diameter to the height of the plasma generation region (diameter / height) can be set to about 2 to 5, the apparatus can be made compact.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の誘導結合型プラズマ生成装置においては、領域
規定体（天板１０２や上側容器部１１１）からのスパッ
タリングによりプラズマ中に不純物が生じるという問題
があった。However, in the above-described conventional inductively coupled plasma generating apparatus, there is a problem that impurities are generated in the plasma by sputtering from the region defining member (the top plate 102 or the upper container 111). there were.
【０００９】すなわち、誘導結合型プラズマ生成装置に
おいては、コイルアンテナ２，１２の容量結合によるプ
ラズマが存在する。特に、ターン数の少ないコイルアン
テナ２，１２の場合、容量結合によりプラズマ生成領域
Ｒからコイルアンテナ２，１２に向かう静電界が強く誘
起される。すなわち、図１０の場合、コイルアンテナ２
に向かって上方に静電界が誘起され、図１１の場合、コ
イルアンテナ１２に向かってその半径方向に静電界が誘
起される。この静電界により、プラズマ中の電子が領域
規定体に達する。これにより、領域規定体の表面に負の
直流自己バイアスが発生する。その結果、コイルアンテ
ナ２，１２に向かってプラスイオンが加速される。これ
により、プラスイオンが領域規定体と衝突する。その結
果、領域規定体からのスパッタリングにより、プラズマ
中に不純物が生じる。That is, in the inductively coupled plasma generating apparatus, there exists plasma due to the capacitive coupling of the coil antennas 2 and 12. In particular, in the case of the coil antennas 2 and 12 having a small number of turns, an electrostatic field from the plasma generation region R toward the coil antennas 2 and 12 is strongly induced by capacitive coupling. That is, in the case of FIG.
, An electrostatic field is induced upward toward the coil antenna 12 in the case of FIG. The electrons in the plasma reach the region defining body by the electrostatic field. As a result, a negative DC self-bias is generated on the surface of the region defining body. As a result, positive ions are accelerated toward the coil antennas 2 and 12. As a result, positive ions collide with the region defining body. As a result, impurities are generated in the plasma by sputtering from the region defining body.
【００１０】そこで、本発明は、領域規定体からのスパ
ッタリングによって、プラズマ中に不純物が発生するの
を抑制することができる誘導結合型プラズマ生成装置を
提供することを目的とする。Accordingly, an object of the present invention is to provide an inductively-coupled plasma generator capable of suppressing generation of impurities in plasma by sputtering from a region defining member.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１記載の誘導結合型プラズマ生成装置は、誘導
結合によってプラズマを生成する装置において、誘電体
によって構成され、プラズマ生成領域を規定する領域規
定体と、この領域規定体の外側に設けられたコイルアン
テナと、このコイルアンテナに高周波電流を供給する高
周波電流供給手段と、コイルアンテナを挟むように前記
領域規定体の外側に設けられ、コイルアンテナを環状に
取り巻くような磁界を形成する磁石対とを備えたことを
特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided an inductively-coupled plasma generating apparatus for generating plasma by inductive coupling, comprising a dielectric and defining a plasma generating region. A region defining body to be provided, a coil antenna provided outside the region defining body, a high-frequency current supply means for supplying a high-frequency current to the coil antenna, and a coil antenna provided outside the region defining body so as to sandwich the coil antenna. And a magnet pair that forms a magnetic field that surrounds the coil antenna in a ring shape.
【００１２】この請求項１記載の装置では、高周波電流
供給手段によりコイルアンテナに高周波電流が供給され
る。これにより、高周波の磁界が生じる。この高周波磁
界により誘導された高周波の電界の働きで、誘導結合に
よるプラズマが生成される。また、同時に、コイルアン
テナの容量結合によるプラズマも生成される。In the apparatus according to the first aspect, a high-frequency current is supplied to the coil antenna by the high-frequency current supply means. As a result, a high-frequency magnetic field is generated. By the action of the high-frequency electric field induced by the high-frequency magnetic field, plasma is generated by inductive coupling. At the same time, plasma is generated by capacitive coupling of the coil antenna.
【００１３】この場合、コイルアンテナの容量結合によ
り、コイルアンテナに向かって静電界が強く誘起され
る。しかしながら、この場合、磁石対の作用によりコイ
ルアンテナの近傍の領域規定体の表面に負の直流自己バ
イアスが発生することを抑制することができる。これに
より、領域規定体からのスパッタリングによって、プラ
ズマ中に不純物が発生するのを抑制することができる。In this case, an electrostatic field is strongly induced toward the coil antenna by capacitive coupling of the coil antenna. However, in this case, generation of a negative DC self-bias on the surface of the region defining body near the coil antenna due to the action of the magnet pair can be suppressed. Thereby, generation of impurities in plasma due to sputtering from the region defining body can be suppressed.
【００１４】すなわち、上記構成では、磁石対によりコ
イルアンテナを環状に取り巻くような磁界が形成され
る。これにより、領域規定体の表面には、コイルアンテ
ナに向かう静電界のほかに、コイルアンテナを環状に取
り巻くような磁界が形成される。その結果、プラズマ中
の電子とプラスイオンが上記静電界と上記磁界の両方に
垂直な方向にサイクロトロン運動する。That is, in the above configuration, a magnetic field is formed by the magnet pair so as to surround the coil antenna in a ring shape. Thereby, in addition to the electrostatic field toward the coil antenna, a magnetic field surrounding the coil antenna in an annular shape is formed on the surface of the region defining body. As a result, electrons and positive ions in the plasma perform cyclotron motion in a direction perpendicular to both the electrostatic field and the magnetic field.
【００１５】これにより、領域規定体の周辺部近傍に生
成された高密度プラズマが閉じ込められる。その結果、
プラズマ中の電子が領域規定体に達するのを少なくする
ことができる。これにより、領域規定体の表面に負の直
流自己バイアスが発生するのを抑制することができる。
その結果、コイルアンテナの方向にプラスイオンが加速
されにくくすることができる。これにより、プラスイオ
ンが領域規定体と衝突しなくなる。その結果、領域規定
体からのスパッタリングによって、プラズマ中に不純物
が発生するのを抑制することができる。Thus, high-density plasma generated near the periphery of the region defining body is confined. as a result,
Electrons in the plasma can be prevented from reaching the region defining body. As a result, it is possible to suppress the occurrence of a negative DC self-bias on the surface of the region defining body.
As a result, positive ions can be hardly accelerated in the direction of the coil antenna. Thus, the positive ions do not collide with the region defining body. As a result, generation of impurities in the plasma due to sputtering from the region defining body can be suppressed.
【００１６】また、プラズマの閉じ込め能力が向上する
ため、高密度で、好みの、または、高均一性で、しか
も、クリーンなプラズマを生成することができる。In addition, since the confinement capability of the plasma is improved, it is possible to generate a clean, high-density, desired or highly uniform plasma.
【００１７】請求項２記載の誘導結合型プラズマ生成装
置は、請求項１記載の装置において、コイルアンテナが
複数設けられ、高周波電流供給手段が複数のコイルアン
テナに高周波電流を同位相で供給するように構成され、
磁石対が各コイルアンテナごとに設けられ、この磁石対
によって形成される磁界の向きが隣り合うコイルアンテ
ナの間で反対になるように設定されていることを特徴と
する。According to a second aspect of the present invention, there is provided an inductively coupled plasma generating apparatus according to the first aspect, wherein a plurality of coil antennas are provided, and the high-frequency current supply means supplies a high-frequency current to the plurality of coil antennas in the same phase. Is composed of
A magnet pair is provided for each coil antenna, and the direction of the magnetic field formed by the magnet pair is set to be opposite between adjacent coil antennas.
【００１８】この請求項２記載の装置では、あるコイル
アンテナに流れる高周波電流によって形成される磁界
と、このコイルアンテナを挟むように配設された磁石対
によってこのコイルアンテナを環状に取り囲むように形
成された磁界との向きが同じ場合は、生成されたプラズ
マに供給される磁界が強められ、反対の場合は、弱めら
れる。In the device according to the second aspect, a magnetic field formed by a high-frequency current flowing through a certain coil antenna and a magnet pair disposed so as to sandwich the coil antenna are formed so as to surround the coil antenna in a ring shape. When the direction of the generated magnetic field is the same, the magnetic field supplied to the generated plasma is increased, and when the direction is opposite, the generated plasma is weakened.
【００１９】このような構成において、複数のコイルア
ンテナには、同位相の高周波電流が供給されている。ま
た、磁石対によって形成される磁界の向きは、隣り合う
コイルアンテナの間で反対になるように設定されてい
る。これにより、生成されたプラズマに対して、連続的
に強め合う磁界を供給することができる。その結果、プ
ラズマの生成効率を高めることができ、高密度のプラズ
マを生成することができる。In such a configuration, a high-frequency current having the same phase is supplied to the plurality of coil antennas. The direction of the magnetic field formed by the magnet pair is set to be opposite between adjacent coil antennas. As a result, it is possible to supply a continuously reinforcing magnetic field to the generated plasma. As a result, the plasma generation efficiency can be increased, and high-density plasma can be generated.
【００２０】[0020]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態を詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００２１】［１］第１の実施の形態 ［１−１］構成 図１は、本発明の第１の実施の形態の構成を示す側断面
図である。[1] First Embodiment [1-1] Configuration FIG. 1 is a side sectional view showing a configuration of a first embodiment of the present invention.
【００２２】図示の誘導結合型プラズマ生成装置は、例
えば、円筒形の真空容器２１を有する。この真空容器２
１は、例えば、上側容器部２１１と、中央容器部２１２
と、下側容器部２１２とを有するように水平に分割され
ている。これらは、密封装着されている。ここで、上側
容器部２１１と下側容器部２１２とは、例えば、石英に
よって構成されている。また、中央容器部２１２は、誘
電体によって構成され、プラズマ生成領域Ｒを規定する
領域規定体とされている。The illustrated inductively coupled plasma generator has, for example, a cylindrical vacuum vessel 21. This vacuum vessel 2
1 is, for example, an upper container portion 211 and a central container portion 212
And a lower container part 212. These are hermetically mounted. Here, the upper container part 211 and the lower container part 212 are made of, for example, quartz. The central container 212 is made of a dielectric material, and is a region defining member that defines the plasma generation region R.
【００２３】中央容器部２１１の外側には、例えば、２
つのコイルアンテナ２２，２３が配設されている。これ
らは、中央容器部２１１を取り囲むように、この中央容
器部２１１と同軸的に配設されている。また、これら
は、その中心軸（中央容器部２１２の中心軸と一致）方
向に所定間隔離れるように配設されている。さらに、こ
れらのターン数は、例えば、１に設定されている。さら
にまた、これらの径は、同じ値に設定されている。ま
た、これらの一端部は、１つの高周波電源２４に接続さ
れ、他端部は接地されている。これにより、コイルアン
テナ２２，２３には、同相の高周波電流が供給されるよ
うになっている。Outside the central container 211, for example,
Two coil antennas 22 and 23 are provided. These are disposed coaxially with the central container 211 so as to surround the central container 211. In addition, they are arranged at predetermined intervals in the direction of the central axis (coincident with the central axis of the central container part 212). Further, the number of these turns is set to, for example, one. Furthermore, these diameters are set to the same value. Further, these one ends are connected to one high-frequency power supply 24, and the other ends are grounded. As a result, in-phase high-frequency current is supplied to the coil antennas 22 and 23.
【００２４】中央容器部２１１の外側には、さらに、例
えば、３つのリング状の永久磁石２５，２６，２７が配
設されている。これらは、中央容器部２１２を取り囲む
ように、この中央容器部２１２と同軸的に配設されてい
る。また、これらは、その中心軸方向（中央容器部２１
２の中心軸と一致）に所定間隔離れるように配設されて
いる。Outside the central container 211, for example, three ring-shaped permanent magnets 25, 26 and 27 are further arranged. These are arranged coaxially with the central container 212 so as to surround the central container 212. In addition, these are arranged in the direction of the central axis (the central container portion 21).
2 (which coincides with the central axis 2).
【００２５】図２は、コイルアンテナ２２，２３と永久
磁石２５，２６，２７との配置関係を示す斜視図であ
る。図示のごとく、永久磁石２５は、コイルアンテナ２
２の上方に位置するように配設され、永久磁石２６は、
コイルアンテナ２２とコイルアンテナ２３との間に位置
するように配設され、永久磁石２７は、コイルアンテナ
２３の下方に位置するように配設されている。これによ
り、永久磁石２５，２６は、コイルアンテナ２２をこの
アンテナ２２の中心軸方向から挟む磁石対をなす。ま
た、永久磁石２６，２７は、コイルアンテナ２３をこの
アンテナ２３の中心軸方向から挟む磁石対をなす。FIG. 2 is a perspective view showing the positional relationship between the coil antennas 22, 23 and the permanent magnets 25, 26, 27. As shown, the permanent magnet 25 is connected to the coil antenna 2.
2, and the permanent magnet 26 is disposed
The permanent magnet 27 is provided so as to be located between the coil antenna 22 and the coil antenna 23, and the permanent magnet 27 is provided so as to be located below the coil antenna 23. Thus, the permanent magnets 25 and 26 form a magnet pair that sandwiches the coil antenna 22 from the central axis direction of the antenna 22. The permanent magnets 26 and 27 form a magnet pair that sandwiches the coil antenna 23 from the direction of the center axis of the antenna 23.
【００２６】図３は、永久磁石２５，２６，２７の着磁
状態を示す断面図である。図示のごとく、永久磁石２
５，２６，２７は、いずれもその半径方向に着磁されて
いる。この場合、永久磁石２５は、例えば、内側がＳ
極、外側がＮ極となるように着磁され、永久磁石２６
は、内側がＮ極、外側がＳ極となるように着磁され、永
久磁石２７は、内側がＳ極、外側がＮ極となるように着
磁されている。これにより、永久磁石２５，２６，２７
は、隣り合う磁極の磁性が互いに反対となるように着磁
されている。その結果、コイルアンテナ２３，２４を環
状に取り巻くような磁界Ｈ１，Ｈ２が形成される。この
場合、これらの向きは反対となる。FIG. 3 is a sectional view showing the magnetized state of the permanent magnets 25, 26, 27. As shown, the permanent magnet 2
5, 26 and 27 are all magnetized in the radial direction. In this case, for example, the inside of the permanent magnet 25 is S
The poles and the outside are magnetized so as to be N poles.
Are magnetized so that the inside has an N pole and the outside has an S pole, and the permanent magnet 27 is magnetized so that the inside has an S pole and the outside has an N pole. Thereby, the permanent magnets 25, 26, 27
Are magnetized so that the magnetic poles of adjacent magnetic poles are opposite to each other. As a result, magnetic fields H1 and H2 are formed so as to surround the coil antennas 23 and 24 in a ring shape. In this case, these directions are reversed.
【００２７】［１−２］動作 上記構成において、図１を参照しながら、動作を説明す
る。[1-2] Operation The operation of the above configuration will be described with reference to FIG.
【００２８】上記構成では、プラズマを生成する場合、
高周波電源２４からコイルアンテナ２２，２３に高周波
電流が供給される。これにより、コイルアンテナ２２，
２３を環状に取り巻くような高周波の磁界Ｈ３，Ｈ４が
形成される。この高周波磁界Ｈ３，Ｈ４の時間変動によ
り、高周波の電界が誘起される。この高周波電界の働き
で、誘導結合によるプラズマが生成される。また、同時
に、コイルアンテナ２２，２３の容量結合によるプラズ
マも生成される。In the above configuration, when plasma is generated,
High frequency current is supplied from the high frequency power supply 24 to the coil antennas 22 and 23. Thereby, the coil antenna 22,
High-frequency magnetic fields H3 and H4 are formed so as to surround the ring 23 in a ring shape. Due to the time variation of the high-frequency magnetic fields H3 and H4, a high-frequency electric field is induced. The high-frequency electric field generates plasma by inductive coupling. At the same time, plasma is generated by the capacitive coupling of the coil antennas 22 and 23.
【００２９】この場合、コイルアンテナ２２，２３の容
量結合により、コイルアンテナ２２，２３に向かってそ
の半径方向に静電界が強く誘起される。しかしながら、
この場合、永久磁石２５，２６，２７の作用により、コ
イルアンテナ２２，２３の近傍の中央容器部２１２の表
面に負の直流自己バイアスが発生することを抑制するこ
とができる。これにより、中央容器部２１２の表面から
のスパッタリングによって、プラズマ中に不純物が発生
するのを抑制することができる。In this case, due to the capacitive coupling between the coil antennas 22 and 23, an electrostatic field is strongly induced toward the coil antennas 22 and 23 in the radial direction. However,
In this case, the action of the permanent magnets 25, 26, 27 can suppress the occurrence of a negative DC self-bias on the surface of the central container 212 near the coil antennas 22, 23. Accordingly, generation of impurities in plasma due to sputtering from the surface of the central container 212 can be suppressed.
【００３０】すなわち、上記構成では、永久磁石２５，
２６によってコイルアンテナ２２を環状に取り巻くよう
な磁界Ｈ１が形成される。また、永久磁石２６，２７に
よってコイルアンテナ２３を環状に取り巻くような磁界
Ｈ２が形成される。これにより、中央容器部２１２の表
面には、コイルアンテナ２２，２３の半径方向の静電界
のほかに、コイルアンテナ２２，２３を環状に取り巻く
ような磁界Ｈ１，Ｈ２が形成される。その結果、プラズ
マ中の電子とプラスイオンとが上記静電界と上記磁界Ｈ
１，Ｈ２の両方に垂直な方向にサイクロトロン運動す
る。That is, in the above configuration, the permanent magnets 25,
26 forms a magnetic field H1 surrounding the coil antenna 22 in an annular shape. Further, a magnetic field H2 is formed by the permanent magnets 26 and 27 so as to surround the coil antenna 23 in an annular shape. Accordingly, in addition to the radial electrostatic field of the coil antennas 22 and 23, magnetic fields H1 and H2 surrounding the coil antennas 22 and 23 in an annular shape are formed on the surface of the central container 212. As a result, the electrons and the positive ions in the plasma are separated by the static electric field and the
Cyclotron motion perpendicular to both H1 and H2.
【００３１】これにより、中央容器部２１２の周辺部近
傍に生成された高密度プラズマが閉じ込められる。その
結果、プラズマ中の電子が中央容器部２１２に達するの
を少なくすることができる。これにより、中央容器部２
１２の表面に負の直流自己バイアスが発生するのを抑制
することができる。その結果、コイルアンテナ２２，２
３の半径方向にプラスイオンが加速されにくくすること
ができる。これにより、プラスイオンが中央容器部２１
２と衝突しなくなる。その結果、中央容器部２１２から
のスパッタリングによって、プラズマ中に不純物が発生
するのを抑制することができる。As a result, the high-density plasma generated near the periphery of the central container 212 is confined. As a result, the number of electrons in the plasma reaching the central container 212 can be reduced. Thereby, the central container part 2
12 can be suppressed from generating a negative DC self-bias on the surface. As a result, the coil antennas 22, 2
The positive ions can be hardly accelerated in the radial direction of No. 3. As a result, the positive ion is
No longer collide with 2. As a result, generation of impurities in the plasma by sputtering from the central container 212 can be suppressed.
【００３２】また、プラズマの閉じ込め能力が向上する
ため、高密度で、好みの、または、高均一性で、しか
も、クリーンなプラズマを生成することができる。Further, since the plasma confinement ability is improved, it is possible to generate clean, high density, favorite or highly uniform plasma.
【００３３】また、上記構成では、コイルアンテナ２２
に流れる高周波電流によって形成される磁界Ｈ３の向き
は、高周波電流の半周期ごとに反対となる。これによ
り、この磁界Ｈ３の向きは、高周波電流の半周期ごと
に、永久磁石２５，２６によって形成される磁界Ｈ１の
向きと同じになったり、反対になったりする。ここで、
磁界Ｈ３の向きが磁界Ｈ１の向きと同じ場合は、生成さ
れたプラズマに供給される磁界が強められ、反対の場合
は、弱められる。In the above configuration, the coil antenna 22
The direction of the magnetic field H3 formed by the high-frequency current flowing in each of the half-cycles of the high-frequency current is reversed. As a result, the direction of the magnetic field H3 becomes the same as or opposite to the direction of the magnetic field H1 formed by the permanent magnets 25 and 26 every half cycle of the high-frequency current. here,
When the direction of the magnetic field H3 is the same as the direction of the magnetic field H1, the magnetic field supplied to the generated plasma is strengthened, and when the direction is opposite, it is weakened.
【００３４】同様に、コイルアンテナ２３に流れる高周
波電流によって形成される磁界Ｈ４の向きは、高周波電
流の半周期ごとに反対となる。これにより、この磁界Ｈ
４の向きは、高周波電流の半周期ごとに、永久磁石２
６，２７によって形成される磁界Ｈ２の向きと同じにな
ったり、反対になったりする。ここで、磁界Ｈ４の向き
が磁界Ｈ２の向きと同じ場合は、生成されたプラズマに
供給される磁界が強められ、反対の場合は、弱められ
る。Similarly, the direction of the magnetic field H4 formed by the high-frequency current flowing through the coil antenna 23 is reversed every half cycle of the high-frequency current. Thereby, this magnetic field H
4. The direction of the permanent magnet 2 is changed every half cycle of the high-frequency current.
The direction of the magnetic field H2 formed by the magnetic field 6, 27 is the same as or opposite to the direction of the magnetic field H2. Here, when the direction of the magnetic field H4 is the same as the direction of the magnetic field H2, the magnetic field supplied to the generated plasma is strengthened, and when the direction is opposite, it is weakened.
【００３５】このような構成において、２つのコイルア
ンテナ２２，２３には、同位相の高周波電流が供給され
ている。また、永久磁石２５，２６によって形成される
磁界Ｈ１の向きは、永久磁石２６，２７によって形成さ
れる磁界Ｈ２の向きと反対になるように設定されてい
る。これにより、生成されたプラズマに対して、高周波
電流のある半周期では、コイルアンテナ２２側から強め
合う磁界を供給することができ、次の半周期では、コイ
ルアンテナ２３側から強め合う磁界を供給することがで
きる。その結果、生成されたプラズマに対して、連続的
に強め合う磁界を供給することができる。これにより、
プラズマの生成効率を高めることができる。その結果、
高密度のプラズマを生成することができる。In such a configuration, high-frequency currents having the same phase are supplied to the two coil antennas 22 and 23. The direction of the magnetic field H1 formed by the permanent magnets 25 and 26 is set to be opposite to the direction of the magnetic field H2 formed by the permanent magnets 26 and 27. In this way, the generated magnetic field can be supplied from the coil antenna 22 side to the generated plasma in a certain half cycle of the high-frequency current, and the reinforcing magnetic field can be supplied from the coil antenna 23 side in the next half cycle. can do. As a result, a continuously reinforcing magnetic field can be supplied to the generated plasma. This allows
Plasma generation efficiency can be increased. as a result,
High-density plasma can be generated.
【００３６】［１−３］効果 以上詳述した本実施の形態によれば、次のような効果を
得ることができる。[1-3] Effects According to the present embodiment described in detail above, the following effects can be obtained.
【００３７】（１）まず、本実施の形態によれば、永久
磁石２５，２６，２７によってコイルアンテナ２２，２
３を環状に取り巻くような磁界Ｈ１，Ｈ２を形成するよ
うになっている。これにより、中央容器部２１２の周辺
部近傍に生成された高密度プラズマを閉じ込めることが
できる。その結果、中央容器部２１２の表面に負の直流
自己バイアスが発生するのを抑制することができる。こ
れにより、中央容器部２１２からのスパッタリングによ
って、プラズマ中に不純物が発生するのを抑制すること
ができる。(1) First, according to the present embodiment, the coil antennas 22 and 2 are
The magnetic fields H1 and H2 surrounding the ring 3 in a ring shape are formed. Accordingly, high-density plasma generated near the peripheral portion of the central container 212 can be confined. As a result, it is possible to suppress the occurrence of a negative DC self-bias on the surface of the central container 212. Thus, generation of impurities in plasma due to sputtering from the central container 212 can be suppressed.
【００３８】（２）また、本実施の形態によれば、プラ
ズマの閉じ込め能力を向上させることができることによ
り、高密度で、好みの、または、高均一性で、しかも、
クリーンなプラズマを生成することができる。(2) According to the present embodiment, the capability of confining plasma can be improved, so that high density, desired or high uniformity can be achieved.
A clean plasma can be generated.
【００３９】（３）さらに、本実施の形態によれば、コ
イルアンテナ２２，２３に同相の高周波電流を供給する
とともに、永久磁石２５，２６，２７によって形成され
る磁界Ｈ１，Ｈ２の向きを反対に設定するようになって
いる。これにより、生成されたプラズマに対し、強調さ
れた磁界を連続的に供給することができる。その結果、
プラズマの生成効率を向上させることができる。(3) Further, according to the present embodiment, in-phase high-frequency currents are supplied to the coil antennas 22 and 23, and the directions of the magnetic fields H1 and H2 formed by the permanent magnets 25, 26 and 27 are reversed. Is set to. Thereby, the enhanced magnetic field can be continuously supplied to the generated plasma. as a result,
Plasma generation efficiency can be improved.
【００４０】（４）さらにまた、本実施の形態によれ
ば、永久磁石として、リング状の永久磁石２５，２６，
２７が用いられる。これにより、円筒状１極磁界を形成
することができる。その結果、プラズマ生成領域Ｒの円
周方向の全体に亘って強調された磁界を形成することが
できる。(4) Further, according to the present embodiment, the ring-shaped permanent magnets 25, 26,
27 is used. Thereby, a cylindrical monopole magnetic field can be formed. As a result, an enhanced magnetic field can be formed over the entire plasma generating region R in the circumferential direction.
【００４１】［２］第２の実施の形態 図４は、本発明の第２の実施の形態の構成を示す側断面
図である。なお、図４において、先の図１に示す装置の
構成部分とほぼ同じ機能を果たす構成部分には、同一符
号を付して詳細な説明を省略する。[2] Second Embodiment FIG. 4 is a side sectional view showing a configuration of a second embodiment of the present invention. In FIG. 4, components that perform substantially the same functions as the components of the apparatus shown in FIG. 1 described above are given the same reference numerals, and detailed descriptions thereof will be omitted.
【００４２】先の実施の形態では、真空容器として、筒
状の真空容器２１を用いる場合を説明した。これに対
し、本実施の形態は、ドーム状の真空容器３１を用いる
ようにしたものである。この場合、真空容器３１は、ド
ーム状の上側容器部３１１と円筒状の下側容器部３１２
とを有するように、水平に分割されている。これらは、
密封装着されている。ドーム状の上側容器部３１１は、
例えば、誘電体によって形成され、円筒状の下側容器部
３１２は、例えば、石英によって形成されている。この
場合、上側容器部３１１がプラズマ生成領域Ｒを規定す
る領域規定体となる。したがって、コイルアンテナ２
２，２３と永久磁石２５，２６，２７は、この上側容器
部３１１の外側に配設されている。In the above embodiment, the case where the cylindrical vacuum vessel 21 is used as the vacuum vessel has been described. On the other hand, in the present embodiment, a dome-shaped vacuum vessel 31 is used. In this case, the vacuum container 31 includes a dome-shaped upper container portion 311 and a cylindrical lower container portion 312.
And is horizontally divided so as to have They are,
Sealed and mounted. The dome-shaped upper container portion 311 includes:
For example, the lower container part 312 made of a dielectric and having a cylindrical shape is made of, for example, quartz. In this case, the upper container part 311 is an area defining body that defines the plasma generation area R. Therefore, the coil antenna 2
The permanent magnets 2, 23 and the permanent magnets 25, 26, 27 are disposed outside the upper container 311.
【００４３】このように真空容器として、ドーム状の真
空容器３１を有する装置においても、先の第１の実施の
形態とほぼ同様の効果を得ることができる。As described above, even in the apparatus having the dome-shaped vacuum vessel 31 as the vacuum vessel, substantially the same effects as those of the first embodiment can be obtained.
【００４４】［３］第３の実施の形態 図５は、本発明の第３の実施の形態の構成を示す側断面
図である。なお、図５において、先の図１に示す装置の
構成部分とほぼ同じ機能を果たす構成部分には、同一符
号を付して詳細な説明を省略する。[3] Third Embodiment FIG. 5 is a side sectional view showing a configuration of a third embodiment of the present invention. In FIG. 5, components that perform substantially the same functions as the components of the apparatus shown in FIG. 1 are given the same reference numerals, and detailed descriptions thereof will be omitted.
【００４５】本実施の形態は、コイルアンテナ２２，２
３の中心軸方向の距離を調整する距離調整部４１と、コ
イルアンテナ２２，２３と永久磁石２５，２６，２７と
の距離を調整する距離調整部４２と、永久磁石２５，２
６，２７の磁界強度を調整する磁界強度調整部４３とを
設けるようにしたものである。なお、図には、これら調
整部４１，４２，４３を概念的に示すが、これらは、例
えば、機構的な構成によって構成される。In this embodiment, the coil antennas 22, 2
3, a distance adjusting unit 41 for adjusting the distance between the coil antennas 22 and 23 and the permanent magnets 25, 26 and 27, a distance adjusting unit 42 for adjusting the distance between the coil antennas 22 and 23, and the permanent magnets 25 and 2.
6, 27 and a magnetic field strength adjusting unit 43 for adjusting the magnetic field strength. Although the adjustment units 41, 42, and 43 are conceptually shown in the drawing, they are configured by, for example, a mechanical configuration.
【００４６】このような構成によれば、プラズマの密度
や分布を調整することができる。これにより、所望の密
度や分布のプラズマを生成することができる。According to such a configuration, the density and distribution of the plasma can be adjusted. As a result, a plasma having a desired density and distribution can be generated.
【００４７】［４］第４の実施の形態 図６は、本発明の第４の実施の形態の要部の構成を示す
平面図である。[4] Fourth Embodiment FIG. 6 is a plan view showing a configuration of a main part of a fourth embodiment of the present invention.
【００４８】先の実施の形態では、永久磁石として、リ
ング状の永久磁石２５，２６，２７を用いることによ
り、円筒状１極磁界を形成する場合を説明した。これに
対し、本実施の形態では、小さな棒状の永久磁石５１を
リング状に配設することにより、円筒状多極磁界を形成
するようにしたものである。In the above embodiment, a case has been described in which a cylindrical monopole magnetic field is formed by using ring-shaped permanent magnets 25, 26, and 27 as permanent magnets. On the other hand, in the present embodiment, a cylindrical multipole magnetic field is formed by arranging small rod-shaped permanent magnets 51 in a ring shape.
【００４９】このような構成によであって、永久磁石５
１の数を増やすことにより、プラズマ生成領域Ｒの円周
方向の全体に亘って強調された磁界を形成することがで
きる。With such a configuration, the permanent magnet 5
By increasing the number of 1, it is possible to form a magnetic field that is enhanced over the entire circumferential direction of the plasma generation region R.
【００５０】なお、図６では、隣り合う永久磁石５１の
磁極の磁性を同じにする場合を示す。しかしながら、こ
れを異ならせるようにすれば、コイルアンテナ２２，２
３のいずれの側においても、強調された磁界を連続的に
形成することができる。FIG. 6 shows a case where the magnetic poles of adjacent permanent magnets 51 have the same magnetism. However, if this is made different, the coil antennas 22, 2
On either side of 3, an enhanced magnetic field can be formed continuously.
【００５１】［５］第５の実施の形態 図７は、本発明の第５の実施の形態の要部の構成を示す
平面図である。[5] Fifth Embodiment FIG. 7 is a plan view showing a configuration of a main part of a fifth embodiment of the present invention.
【００５２】本実施の形態は、図１０に示すように、真
空容器１の天板１０２が領域規定体とされた装置に本発
明を適用したものである。この場合、リング状の永久磁
石２５，２６，２７は、コイルアンテナ２２，２３をそ
の半径方向から挟むように配設される。In the present embodiment, as shown in FIG. 10, the present invention is applied to a device in which the top plate 102 of the vacuum vessel 1 is a region defining body. In this case, the ring-shaped permanent magnets 25, 26, 27 are arranged so as to sandwich the coil antennas 22, 23 from the radial direction.
【００５３】このように真空容器として、天板１０２を
領域規定体とするような真空容器１を有する装置におい
ても、先の第１の実施の形態とほぼ同様の効果を得るこ
とができる。As described above, even in an apparatus having the vacuum vessel 1 in which the top plate 102 is used as a region defining body as the vacuum vessel, substantially the same effects as those of the first embodiment can be obtained.
【００５４】なお、詳細な説明は省略するが、本発明
は、真空容器として、図１１に示すように、上側容器部
１１１を領域規定体とするような真空容器１１を有する
装置にも適用可能なことは勿論である。Although not described in detail, the present invention can be applied to an apparatus having a vacuum vessel 11 in which the upper vessel section 111 is a region defining body as shown in FIG. Of course.
【００５５】［６］その他の実施の形態 以上、本発明の一実施の形態を詳細に説明したが、本発
明は、上述したような実施の形態に限定されるものでは
ない。[6] Other Embodiments While one embodiment of the present invention has been described in detail, the present invention is not limited to the above embodiment.
【００５６】（１）例えば、先の実施の形態では、コイ
ルアンテナ２１，２２に高周波電流を供給する場合、同
相の高周波電流を供給する場合を説明した。しかしなが
ら、本発明は、位相の異なる高周波電流を供給するよう
にしてもよい。このような構成によれば、生成されたプ
ラズマに対し、強調された磁界を間欠的に供給すること
ができる。これにより、強調された磁界をまったく供給
しない場合に比べ、プラズマの生成効率等を高めること
ができる。(1) For example, in the above embodiment, the case where the high-frequency current is supplied to the coil antennas 21 and 22 and the case where the same-phase high-frequency current is supplied are described. However, the present invention may supply high-frequency currents having different phases. According to such a configuration, the enhanced magnetic field can be intermittently supplied to the generated plasma. Thereby, the plasma generation efficiency and the like can be improved as compared with the case where no enhanced magnetic field is supplied.
【００５７】（２）また、先の実施の形態では、コイル
アンテナとして、１ターンのコイルアンテナ２２，２３
を用いる場合を説明した。しかしながら、本発明では、
複数ターンのコイルアンテナを用いるようにしてもよ
い。(2) In the above embodiment, the one-turn coil antennas 22 and 23 are used as the coil antennas.
Has been described. However, in the present invention,
A multi-turn coil antenna may be used.
【００５８】（３）さらに、先の実施の形態では、コイ
ルアンテナを配設する場合、２つのコイルアンテナ２
２，２３を配設する場合を説明した。しかしながら、本
発明では、３つ以上のコイルアンテナを配設するように
してもよい。また、本発明では、１つのコイルアンテナ
を配設するようにしてもよい。このような構成であって
も、生成されたプラズマに対して、高周波電流の半周期
ごとに強調された磁界を供給することができる。(3) Further, in the above embodiment, when a coil antenna is provided, two coil antennas 2
The case where 2 and 23 are provided has been described. However, in the present invention, three or more coil antennas may be provided. In the present invention, one coil antenna may be provided. Even with such a configuration, the enhanced magnetic field can be supplied to the generated plasma every half cycle of the high-frequency current.
【００５９】（４）さらにまた、先の実施の形態では、
永久磁石によって磁界を形成する場合、円筒状１極磁界
または円筒状多極磁界を形成する場合を説明した。しか
しながら、本発明は、円筒状磁界ではなく、部分的な磁
界を形成するようにしてもよい。このような構成であっ
ても、生成されたプラズマに対して強調された磁界を部
分的に供給することができる。(4) Furthermore, in the above embodiment,
The case where the magnetic field is formed by the permanent magnet and the case where the cylindrical monopole magnetic field or the cylindrical multipole magnetic field is formed have been described. However, the present invention may form a partial magnetic field instead of a cylindrical magnetic field. Even with such a configuration, the enhanced magnetic field can be partially supplied to the generated plasma.
【００６０】（５）この他にも、本発明は、その要旨を
逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論で
ある。(5) In addition, it goes without saying that the present invention can be variously modified and implemented without departing from the scope of the invention.
【００６１】［７］応用例 ［７−１］第１の応用例 図８は、本発明の第１の応用例の構成を示す側断面図で
ある。本応用例は、本発明のプラズマ生成装置をプラズ
マエッチング装置またはプラズマＣＶＤ（Chemical Vap
or Deposition ）装置のプラズマ生成装置に適用した場
合のプラズマエッチング装置またはプラズマＣＶＤ装置
の構成の一例を示す図である。なお、図には、プラズマ
生成装置として、図１に示すプラズマ生成装置を用いる
場合を代表として示す。[7] Application Example [7-1] First Application Example FIG. 8 is a side sectional view showing a configuration of a first application example of the present invention. In this application example, the plasma generating apparatus of the present invention is used as a plasma etching apparatus or a plasma CVD (Chemical Vap).
FIG. 3 is a diagram showing an example of the configuration of a plasma etching apparatus or a plasma CVD apparatus when applied to a plasma generation apparatus of the apparatus. Note that FIG. 1 shows a case where the plasma generation apparatus shown in FIG. 1 is used as a representative example.
【００６２】図示のプラズマエッチング装置またはプラ
ズマＣＶＤ装置では、真空容器２１の底板２１４に、基
板Ｋを保持する基板ホルダ６１が配設されている。この
基板ホルダ６１は、静電チャックも兼ねている。このた
め、この基板ホルダ６１には、バイアス用高周波電源６
２が接続されている。また、この真空容器２１の天板２
１５には、絶縁体６３を介してガス導入部としてのガス
シャワー板６４が密封装着されている。このガスシャワ
ー板６４は、上部電極も兼ねている。このため、このガ
スシャワー板６４には、上部電極用高周波電源６５が接
続されている。In the illustrated plasma etching apparatus or plasma CVD apparatus, a substrate holder 61 for holding a substrate K is provided on the bottom plate 214 of the vacuum vessel 21. This substrate holder 61 also serves as an electrostatic chuck. For this reason, the substrate high frequency power supply 6
2 are connected. Also, the top plate 2 of this vacuum vessel 21
A gas shower plate 64 as a gas introduction unit is hermetically mounted on an insulator 15 via an insulator 63. The gas shower plate 64 also serves as an upper electrode. Therefore, a high-frequency power supply 65 for the upper electrode is connected to the gas shower plate 64.
【００６３】［７−２］第２の応用例 図９は、本発明の第２の応用例の構成を示す側断面図で
ある。本応用例は、本発明のプラズマ生成装置をプラズ
マスパッタリング装置のプラズマ生成装置に適用した場
合のプラズマスパッタリング装置の構成の一例を示す図
である。なお、図９において、図８に示す装置の構成部
分とほぼ同一の機能を果たす構成部分には、同一符号を
付して詳細な説明を省略する。[7-2] Second Application Example FIG. 9 is a side sectional view showing a configuration of a second application example of the present invention. This application example is a diagram illustrating an example of a configuration of a plasma sputtering device when the plasma generation device of the present invention is applied to a plasma generation device of a plasma sputtering device. In FIG. 9, components having substantially the same functions as those of the device shown in FIG. 8 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【００６４】図示のプラズマスパッタリング装置では、
真空容器２１の天板２１５に、絶縁体７１を介してター
ゲット部７２が密封装着されている。このターゲット部
７２は、ターゲット７２１を装着したカソード電極７２
２からなる。カソード電極７２２には、カソード電極用
高周波電源７３に接続されている。In the illustrated plasma sputtering apparatus,
A target portion 72 is hermetically mounted on a top plate 215 of the vacuum vessel 21 via an insulator 71. The target section 72 includes a cathode electrode 72 on which a target 721 is mounted.
Consists of two. The cathode electrode 722 is connected to the cathode electrode high frequency power supply 73.
【００６５】[0065]
【発明の効果】以上詳述したように請求項１記載の誘導
結合型プラズマ生成装置によれば、コイルアンテナを挟
むように配設された磁石対によってコイルアンテナを環
状に取り巻くような磁界を形成するようになっている。
これにより、領域規定体からのスパッタリングによっ
て、プラズマ中に不純物が発生するのを抑制することが
できる。また、このような構成によれば、プラズマの閉
じ込め能力を向上させることができるので、高密度で、
好みの、または、高均一性で、しかも、クリーンなプラ
ズマを生成することができる。As described in detail above, according to the inductively coupled plasma generator of the first aspect, a magnetic field surrounding the coil antenna is formed by a pair of magnets arranged so as to sandwich the coil antenna. It is supposed to.
Thereby, generation of impurities in plasma due to sputtering from the region defining body can be suppressed. In addition, according to such a configuration, the ability to confine the plasma can be improved,
A favorite or highly uniform and clean plasma can be generated.
【００６６】また、請求項２記載の誘導結合型プラズマ
生成装置によれば、複数のコイルアンテナを設け、これ
ら複数のコイルアンテナに同相の高周波電流を供給する
とともに、各コイルアンテナごとに設けられる磁石対に
よって形成される磁界の向きが隣り合うコイルアンテナ
間で反対になるように設定されている。これにより、生
成されたプラズマに対し、強調された磁界を連続的に供
給することができる。その結果、プラズマの生成効率を
向上させることができる。According to the inductively-coupled plasma generating apparatus of the second aspect, a plurality of coil antennas are provided, a high-frequency current having the same phase is supplied to the plurality of coil antennas, and a magnet is provided for each coil antenna. The direction of the magnetic field formed by the pair is set to be opposite between the adjacent coil antennas. Thereby, the enhanced magnetic field can be continuously supplied to the generated plasma. As a result, the plasma generation efficiency can be improved.
【図１】本発明の第１の実施の形態の構成を示す側断面
図である。FIG. 1 is a side sectional view showing a configuration of a first exemplary embodiment of the present invention.
【図２】第１の実施の形態におけるコイルアンテナと永
久磁石との配置関係を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view illustrating an arrangement relationship between a coil antenna and a permanent magnet according to the first embodiment.
【図３】第１の実施の形態における永久磁石の着磁状態
を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a magnetized state of a permanent magnet according to the first embodiment.
【図４】本発明の第２の実施の形態の構成を示す側断面
図である。FIG. 4 is a side sectional view showing a configuration of a second exemplary embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第３の実施の形態の構成を示す側断面
図である。FIG. 5 is a side sectional view showing a configuration of a third exemplary embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第４の実施の形態の構成を示す側断面
図である。FIG. 6 is a side sectional view showing a configuration of a fourth embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第４の実施の形態の構成を示す側断面
図である。FIG. 7 is a side sectional view showing a configuration of a fourth embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第１の応用例の構成を示す側断面図で
ある。FIG. 8 is a side sectional view showing a configuration of a first application example of the present invention.
【図９】本発明の第２の応用例の構成を示す側断面図で
ある。FIG. 9 is a side sectional view showing a configuration of a second application example of the present invention.
【図１０】従来の誘導結合型プラズマ生成装置の一例の
構成を示す側断面図である。FIG. 10 is a side sectional view showing a configuration of an example of a conventional inductively coupled plasma generation device.
【図１１】従来の誘導結合型プラズマ生成装置の他の例
の構成を示す側断面図である。FIG. 11 is a side sectional view showing the configuration of another example of the conventional inductively coupled plasma generation device.
２１…真空容器、２１１…上側容器部、２１２…中央容
器部、２１３…下側容器部、２１４…底板、２１５…天
板、２２，２３…コイルアンテナ、２４…高周波電源、
２５，２６，２７…永久磁石、３１…真空容器、３１１
…上側容器、３１２…下側容器、４１，４２…距離調整
部、４３…磁界強度調整部、５１…永久磁石、６１…基
板ホルダ、６２…バイアス用高周波電源、６３…絶縁
体、６４…ガスシャワー板、６５…上部電極用高周波電
源、７１…絶縁体、７２…ターゲット部、７３…カソー
ド用高周波電源、７２１…ターゲット、７２２…カソー
ド電極。21: vacuum container, 211: upper container, 212: central container, 213: lower container, 214: bottom plate, 215: top plate, 22, 23: coil antenna, 24: high frequency power supply,
25, 26, 27: permanent magnet, 31: vacuum vessel, 311
... upper container, 312 ... lower container, 41, 42 ... distance adjustment unit, 43 ... magnetic field intensity adjustment unit, 51 ... permanent magnet, 61 ... substrate holder, 62 ... bias high frequency power supply, 63 ... insulator, 64 ... gas Shower plate, 65: high frequency power supply for upper electrode, 71: insulator, 72: target unit, 73: high frequency power supply for cathode, 721: target, 722: cathode electrode.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/31 H01L 21/302 B
Claims (2)
導結合型プラズマ生成装置において、 誘電体によって構成され、プラズマ生成領域を規定する
領域規定体と、 この領域規定体の外側に配設されるコイルアンテナと、 このコイルアンテナに高周波電流を供給する高周波電流
供給手段と、 前記コイルアンテナを挟むように前記領域規定体の外側
に設けられ、前記コイルアンテナを環状に取り囲むよう
な磁界を形成する磁石対とを備えたことを特徴とする誘
導結合型プラズマ生成装置。1. An inductively coupled plasma generating apparatus for generating plasma by inductive coupling, comprising: an area defining body formed of a dielectric and defining a plasma generating area; and a coil antenna disposed outside the area defining body. A high-frequency current supply unit that supplies a high-frequency current to the coil antenna; and a magnet pair that is provided outside the region defining body so as to sandwich the coil antenna and forms a magnetic field that annularly surrounds the coil antenna. An inductively coupled plasma generator comprising:
前記高周波電流を同位相で供給するように構成され、 前記磁石対が各コイルアンテナごとに設けられ、この磁
石対によって形成される磁界の向きが隣り合うコイルア
ンテナの間で反対になるように設定されていることを特
徴とする請求項１記載の誘導結合型プラズマ生成装置。2. A plurality of said coil antennas are provided, said high-frequency current supply means is configured to supply said high-frequency current to said plurality of coil antennas in the same phase, and said magnet pair is provided for each coil antenna. 2. The inductively coupled plasma generation device according to claim 1, wherein a direction of a magnetic field formed by the pair of magnets is set to be opposite between adjacent coil antennas.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11008329A JP2000208298A (en) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | Inductive coupling type plasma generator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11008329A JP2000208298A (en) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | Inductive coupling type plasma generator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208298A true JP2000208298A (en) | 2000-07-28 |
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ID=11690157
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|---|---|---|---|
| JP11008329A Pending JP2000208298A (en) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | Inductive coupling type plasma generator |
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1999
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