JP2000199832A - Optical fiber supporting device and semiconductor device manufacturing device - Google Patents

Optical fiber supporting device and semiconductor device manufacturing device

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JP2000199832A
JP2000199832A JP116099A JP116099A JP2000199832A JP 2000199832 A JP2000199832 A JP 2000199832A JP 116099 A JP116099 A JP 116099A JP 116099 A JP116099 A JP 116099A JP 2000199832 A JP2000199832 A JP 2000199832A
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JP
Japan
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optical fiber
light
optical
cylindrical
supporting device
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Application number
JP116099A
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Japanese (ja)
Inventor
Kouji Eriguchi
浩二 江利口
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical fiber supporting device for monitoring, which is simple and high in condensing ability, and a semiconductor device manufacturing device. SOLUTION: The optical fiber supporting device Al is provided with a lens holder 1 housing optical lenses 3, 4 and an optical fiber fixing part 5 provided with a fiber coupler 6 for holding the end part of an optical fiber F at its tip. A screw groove 9 to be engaged with a male screw formed on a cylindrical surface inside of the holder 1 is formed on a cylindrical surface outside of the part 5. It is possible to make the focal position of the lens 4 coincide with the end surface of the fiber F while making the optical axes of the lenses 3, 4 and the center of the fiber F coincide with each other by relatively rotating the holder 1 and the part 5. Optical observation can be executed by using this device Al.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
装置に係り、特に半導体製造装置の製造工程中で光学的
評価を行うためのモニタリング装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, and more particularly, to a monitoring apparatus for performing an optical evaluation during a manufacturing process of a semiconductor manufacturing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化の進展
に伴い、MOSデバイスにおいても構成要素であるトラ
ンジスタ等の素子の微細化,高性能化が要求されてい
る。ただし、トランジスタ等の素子の微細化によってデ
バイス全体の信頼性が損なわれてはならない。そこで、
トランジスタ等の素子を構成する各要素の微細化と信頼
性の向上とが併せて求められている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the progress of high integration of semiconductor integrated circuits, there is a demand for miniaturization and high performance of elements such as transistors, which are constituent elements of MOS devices. However, miniaturization of elements such as transistors must not impair the reliability of the entire device. Therefore,
There is a demand for miniaturization and reliability improvement of each element constituting an element such as a transistor.

【0003】ところで、半導体装置の微細化と信頼性と
を併せて実現するためには、今後、半導体装置の製造プ
ロセスの良否をインラインで評価することが必要不可欠
になると考えられる。その場合、光学的評価方法は非破
壊検査であり、しかも製造プロセスを行なうための反応
室の内部を簡易に観察できる方法である。従って、光学
的評価方法は、製造プロセスのモニタリング手段として
きわめて有力な手段となりうる。
By the way, in order to realize both miniaturization and reliability of a semiconductor device, it will be indispensable in the future to evaluate the quality of a semiconductor device manufacturing process in-line. In that case, the optical evaluation method is a nondestructive inspection, and is a method that can easily observe the inside of the reaction chamber for performing the manufacturing process. Therefore, the optical evaluation method can be an extremely effective means for monitoring a manufacturing process.

【0004】例えば、光変調反射率分光は、半導体領域
に励起光を間欠的に照射しながら、測定光の反射率の変
化を検出することにより、半導体領域の特性を評価する
方法である。具体的には、励起光が照射されているとき
の反射率と励起光が照射されていないときの反射率との
差に基づいて、この反射率の変化割合のスペクトル形状
から半導体領域内の特性についての情報が得られる。そ
して、このような光学的評価を利用することにより、ド
ライエッチング,熱処理などの各種処理の適否を判定し
たり、プロセスの制御を行なうことが可能となる。光反
射率分光のような光学的測定は、測定光や励起光をウエ
ハの所定の被測定部に照射して、きわめて高感度かつ雑
音のできるだけ小さい信号を得る必要があるので、機構
的にも高精度の光学的測定装置が必要となる。
For example, light modulation reflectance spectroscopy is a method for evaluating the characteristics of a semiconductor region by detecting a change in the reflectance of measurement light while intermittently irradiating the semiconductor region with excitation light. Specifically, based on the difference between the reflectance when the excitation light is irradiated and the reflectance when the excitation light is not irradiated, the characteristic in the semiconductor region is determined from the spectral shape of the change rate of the reflectance. Information about is obtained. By utilizing such optical evaluation, it is possible to determine whether or not various processes such as dry etching and heat treatment are appropriate, and to control the processes. Optical measurement such as optical reflectance spectroscopy requires irradiating measurement light or excitation light to a predetermined portion of a wafer to be measured, and obtaining a signal with extremely high sensitivity and as little noise as possible. A high-precision optical measuring device is required.

【0005】また、チャンバー内のプラズマ発光の変化
からエッチング終点を検出したり、チャンバーの窓に付
着した堆積物による赤外線吸収率などからチャンバーの
メンテナンス時期などを判断する際にも、感度の高い光
学的観測を行う手段が求められる。
[0005] In addition, when detecting the etching end point from the change in plasma emission in the chamber, or when judging the maintenance time of the chamber based on the infrared absorptivity of deposits attached to the window of the chamber, etc., a highly sensitive optical system is used. Means for performing dynamic observation are required.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来、光学
的測定に用いられている光学系は、オプティカルベンチ
上に、光源、平行光線形成用光学レンズ、微小点に光束
を絞るための光学レンズ、位相板(偏光板)などを配置
したものであって、実験室的にはともかく半導体装置の
製造プロセスで用いるには適していない。特に、最近の
ように製造装置自体が集約されたスペースにコンパクト
化されて配置されるようになると、光学的測定装置を設
置するためのスペースはきわめて限定されている。ま
た、一般に光学系の光軸合わせなどの作業には熟練と多
大の時間とを要する。従って、上記従来のような光学系
をそのまま製造ラインでのモニタリングに使用すること
は現実には困難である。
However, an optical system conventionally used for optical measurement includes a light source, an optical lens for forming a parallel light beam, an optical lens for narrowing a light beam to a minute point, on an optical bench. Since a phase plate (polarizing plate) and the like are arranged, it is not suitable for use in a manufacturing process of a semiconductor device regardless of a laboratory. In particular, when a manufacturing apparatus itself is compactly arranged in a converged space as in recent years, a space for installing an optical measuring apparatus is extremely limited. In general, operations such as optical axis alignment of an optical system require skill and a great deal of time. Therefore, it is actually difficult to use the conventional optical system as it is for monitoring in a production line.

【0007】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、光ファイバーを利用しながら、光フ
ァイバーと光学的観測を行おうとするチャンバとの接合
部における光学系をコンパクトかつ高精度に構成しうる
手段を講ずることにより、インラインでの光学的モニタ
リングに適した光ファイバー支持装置及び半導体装置の
製造装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a compact and highly accurate optical system at a junction between an optical fiber and a chamber for performing optical observation while using the optical fiber. An object of the present invention is to provide an optical fiber supporting device and a semiconductor device manufacturing device suitable for in-line optical monitoring by taking measures that can be configured.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の光ファイバー支
持装置は、円筒面の少なくとも一部にネジが形成された
円筒状ホルダーと、上記円筒状ホルダーの内部に収納さ
れた少なくとも1つの光学レンズと、円筒面の少なくと
も一部に形成された上記円筒状ホルダーのネジと係合す
るネジと光ファイバーの端部を固定する機能とを有する
円筒状支持部材とを備え、上記円筒状ホルダーと上記円
筒状支持部材とを相対的に回転させることにより、上記
光学レンズの焦点位置を上記光ファイバーの端面に一致
させることが可能に構成されている。
An optical fiber supporting device according to the present invention comprises: a cylindrical holder having a thread formed on at least a part of a cylindrical surface; and at least one optical lens housed inside the cylindrical holder. A cylindrical support member having a screw engaged with a screw of the cylindrical holder formed on at least a part of the cylindrical surface and a function of fixing an end of the optical fiber, the cylindrical holder and the cylindrical By rotating the support member relatively, the focal position of the optical lens can be made to coincide with the end face of the optical fiber.

【0009】これにより、集光や平行光線形成のために
必要な光学系を円筒ホルダー内に収納することができ
る。そして、円筒ホルダーと円筒状支持部材との相対的
な回転によって、光ファイバーの端面位置に光学レンズ
の焦点位置を合わせるなどの作業の際に、光ファイバー
の中心と光学レンズの光軸とのずれはほとんど生じない
ので、光軸合わせに熟練や長時間の作業は不要となる。
そして、光ファイバーの端面から放射状に出るレーザー
光などの光を平行光線として容器内に導入したり、容器
内の微小点(例えばウエハの被測定部)に集光して照射
することが可能となる。逆に、容器内の一部位からの放
射光線や平行光線を効率よく集めて光ファイバーに送り
込むことも可能となる。
Thus, the optical system necessary for condensing and forming parallel rays can be housed in the cylindrical holder. The relative rotation between the cylindrical holder and the cylindrical support member causes almost no displacement between the center of the optical fiber and the optical axis of the optical lens when performing operations such as adjusting the focal position of the optical lens to the end face of the optical fiber. Since it does not occur, skill and long time work are not required for optical axis alignment.
Then, light such as laser light emitted radially from the end face of the optical fiber can be introduced into the container as a parallel light beam, or can be focused on a minute point (for example, a measured portion of a wafer) in the container and irradiated. . Conversely, it is also possible to efficiently collect the emitted light and the parallel light from one portion in the container and send it to the optical fiber.

【0010】従って、簡素な構造でありながら、光ファ
イバーを利用した光学的観測を高感度で行なうことが可
能になる。
Therefore, it is possible to perform optical observation using an optical fiber with high sensitivity while having a simple structure.

【0011】上記光ファイバー支持装置において、上記
円筒状ホルダーは、光学フィルターを着脱可能に支持す
る機構を有することが好ましい。
In the above-mentioned optical fiber supporting device, it is preferable that the cylindrical holder has a mechanism for detachably supporting the optical filter.

【0012】上記光ファイバー支持装置において、上記
円筒状ホルダーに2つの凸状の光学レンズを収納し、上
記2つの光学レンズのうち一方の光学レンズにより受け
た光を平行光線にするとともに他方の光学レンズにより
上記平行光線を焦点位置に集光させることにより、光フ
ァイバーから出た光を集光し、あるいは一部位から放射
される光を光ファイバーに効率よく送り込むことが可能
になる。
In the optical fiber supporting device, two convex optical lenses are housed in the cylindrical holder, and the light received by one of the two optical lenses is converted into a parallel light beam while the other optical lens is used. By condensing the parallel rays at the focal position, it becomes possible to condense the light emitted from the optical fiber or to efficiently send the light radiated from a part to the optical fiber.

【0013】本発明の半導体装置の製造装置は、ウエハ
を処理するための容器と、上記容器から出る光を観測す
るための観測手段と、上記容器から出る光を上記観測手
段まで案内するための光導出用光ファイバーと、上記容
器の一部に取り付けられ、上記光導出用光ファイバーを
支持するための光導出用光ファイバー支持装置とを備
え、上記光導出用光ファイバー支持装置は、円筒面の少
なくとも一部にネジが形成された円筒状ホルダーと、上
記円筒状ホルダーの内部に収納された少なくとも1つの
光学レンズと、円筒面の少なくとも一部に形成された上
記円筒状ホルダーのネジと係合するネジと光ファイバー
の端部を固定する機能とを有する円筒状支持部材とを有
し、上記円筒状ホルダーと上記円筒状支持部材とを相対
的に回転させることにより、上記光学レンズの焦点位置
を上記光導出用光ファイバーの端面に一致させることが
可能に構成されている。
A semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention comprises a container for processing a wafer, an observation means for observing light emitted from the container, and a light guide for guiding light emitted from the container to the observation means. A light guiding optical fiber and a light guiding optical fiber supporting device attached to a part of the container and supporting the light guiding optical fiber, wherein the light guiding optical fiber supporting device is at least a part of a cylindrical surface. A cylindrical holder having a screw formed therein, at least one optical lens housed inside the cylindrical holder, and a screw engaged with the screw of the cylindrical holder formed on at least a part of a cylindrical surface. A cylindrical support member having a function of fixing the end of the optical fiber, and relatively rotating the cylindrical holder and the cylindrical support member. More, and the focal position of the optical lens is configured to be able to match the end face of the optical fiber for the light derived.

【0014】これにより、上述のような小型化された構
造でありながら高い感度で光学的な観測が可能な光ファ
イバー支持装置を利用して、半導体装置の製造工程中の
インラインでの光学的観測を行うことが可能になる。
Thus, the optical observation in line during the manufacturing process of the semiconductor device can be performed by using the optical fiber supporting device capable of optical observation with high sensitivity while having the above-mentioned miniaturized structure. It is possible to do.

【0015】上記半導体装置の製造装置において、測定
用光を発生する光発生手段と、上記測定光を上記容器内
に案内するための光導入用光ファイバーと、上記光導入
用光ファイバーを支持するための光導入用光ファイバー
支持装置とをさらに備え、上記光導入用光ファイバー支
持装置に、円筒面の少なくとも一部にネジが形成された
円筒状ホルダーと、上記円筒状ホルダーの内部に収納さ
れた少なくとも1つの光学レンズと、円筒面の少なくと
も一部に形成された上記円筒状ホルダーのネジと係合す
るネジと光ファイバーの端部を固定する機能とを有する
円筒状支持部材とを設けて、上記円筒状ホルダーと上記
円筒状支持部材とを相対的に回転させることにより、上
記光学レンズの焦点位置を上記光導入用光ファイバーの
端面に一致させることが可能に構成し、上記光導出用光
ファイバー支持装置を、上記光導入用光ファイバー支持
装置から上記容器内に導入された測定光が上記容器から
出る位置に取り付けることができる。
In the semiconductor device manufacturing apparatus, a light generating means for generating measuring light, a light introducing optical fiber for guiding the measuring light into the container, and a light supporting optical fiber for supporting the light introducing optical fiber. The optical fiber supporting device for light introduction further includes a cylindrical holder in which a screw is formed on at least a part of a cylindrical surface, and at least one of the cylindrical holders housed in the cylindrical holder. An optical lens and a cylindrical support member having a screw engaging with a screw of the cylindrical holder formed on at least a part of the cylindrical surface and a function of fixing an end of the optical fiber; And the cylindrical support member are relatively rotated so that the focal position of the optical lens coincides with the end face of the light introducing optical fiber. Doo is capable constitute, the light derived optical fiber supporting unit, the measurement light introduced into the container from the light introducing optical fiber supporting unit can be attached to a position out from the container.

【0016】これにより、インラインでの測定光の反射
率や吸収率などの光学的観測が可能になる。
This makes it possible to perform in-line optical observation of the reflectance and absorptance of the measuring light.

【0017】上記半導体装置の製造装置において、上記
光導入用光ファイバー支持装置と上記光導出用光ファイ
バー支持装置とを球面上で保持するための球面部材をさ
らに設けることにより、測定光の焦点位置を変化させず
に、2つの光ファイバー支持装置同士の開き具合を微細
に調整することが可能になり、光学的観測を行う際の作
業性が向上する。
In the above-mentioned semiconductor device manufacturing apparatus, a spherical member for holding the light introducing optical fiber supporting device and the light guiding optical fiber supporting device on a spherical surface is further provided to change the focal position of the measuring light. Without doing so, it is possible to finely adjust the degree of opening between the two optical fiber supporting devices, and workability when performing optical observation is improved.

【0018】上記半導体装置の製造装置において、上記
球面部材を、上記光導入用光ファイバー支持装置と上記
光導出用光ファイバー支持装置とを球面上で互いに反対
方向に同じ量だけ連動して移動させることが可能に構成
することにより、光学的観測を行なう際の作業性がさら
に向上する。
In the above-described apparatus for manufacturing a semiconductor device, the spherical member may be moved by the same amount in a direction opposite to each other on the spherical surface so that the optical fiber supporting device for light introduction and the optical fiber supporting device for light deriving are moved. By making the configuration possible, the workability when performing optical observation is further improved.

【0019】上記半導体装置の製造装置において、上記
ウエハに間欠的に励起光を導入するための励起光供給手
段をさらに備え、上記観測手段を、上記ウエハに励起光
が照射されているときと照射されていないときとにおけ
る上記測定光の反射率を観測するものとし、上記観測手
段の観測結果に基づいて上記ウエハの被測定部の特性を
光変調反射率分光法によって評価することが可能に構成
することもできる。
The apparatus for manufacturing a semiconductor device may further include an excitation light supply means for intermittently introducing the excitation light into the wafer, and the observation means may determine whether the wafer is being irradiated with the excitation light. It is configured to observe the reflectance of the measurement light when it is not performed and to evaluate the characteristics of the measured portion of the wafer by light modulation reflectance spectroscopy based on the observation result of the observation means. You can also.

【0020】上記半導体装置の製造装置において、上記
容器を、ウエハに処理を施すための複数の処理室を含む
空間を大気から遮断した雰囲気に維持するように取り囲
む共通容器として、クラスタリングしておくことによ
り、ウエハを大気から遮断して表面上への汚れや自然酸
化膜の形成を抑制しつつ一連の処理を行なう際にも、ク
ラスタリングされた製造装置の優位性を損ねることな
く、インラインでの光学的観測を行うことができる。
In the above-described semiconductor device manufacturing apparatus, the containers may be clustered as a common container that surrounds a space including a plurality of processing chambers for processing a wafer in an atmosphere that is shielded from the atmosphere. Even when performing a series of processes while suppressing the formation of dirt and natural oxide film on the surface by shielding the wafer from the atmosphere, the inline optical system can be used without impairing the superiority of the clustered manufacturing equipment. Observations can be made.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】(第1の実施形態)図1は、本発
明の第1の実施形態に係る光導出用の光ファイバー支持
装置A1の内部構造を示す断面図である。図2は、上記
光ファイバー支持装置A1の外観構造を概略的に示す斜
視図である。以下、図1及び図2を参照しながら、本実
施形態に係る光ファイバー支持装置A1について説明す
る。
(First Embodiment) FIG. 1 is a sectional view showing the internal structure of an optical fiber supporting device A1 for guiding light according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a perspective view schematically showing an external structure of the optical fiber supporting device A1. Hereinafter, the optical fiber support device A1 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

【0022】図1及び図2において、1は内径が約20
mmの円筒状のレンズホルダー部、2は光学フィルタ
ー、3は光源11から出た放射状の光線10を平行光線
にするための第1の光学レンズ、4は平行光線を集光す
るための第2の光学レンズ、5は光ファイバー固定部、
6は光ファイバー固定部5に装着されたファイバーカッ
プラー、7は第1の光学レンズ3を固定するためのリン
グ、8は第1の光学レンズ3と第2の光学レンズ4との
距離を一定に保つとともに第2の光学レンズ4を固定す
るための円筒状の固定用部材である。そして、レンズホ
ルダー部1及び光ファイバー固定部5を合わせた長さ
は、約100mmを中心として両者の相対的な回転に応
じて調整できるように構成されている。
1 and 2, reference numeral 1 denotes an inner diameter of about 20.
mm is a cylindrical lens holder, 2 is an optical filter, 3 is a first optical lens for converting the radial light rays 10 emitted from the light source 11 into parallel light rays, and 4 is a second optical lens for condensing parallel light rays. Optical lens, 5 is an optical fiber fixing part,
Reference numeral 6 denotes a fiber coupler mounted on the optical fiber fixing portion 5, reference numeral 7 denotes a ring for fixing the first optical lens 3, and reference numeral 8 denotes a constant distance between the first optical lens 3 and the second optical lens 4. And a cylindrical fixing member for fixing the second optical lens 4. The combined length of the lens holder unit 1 and the optical fiber fixing unit 5 can be adjusted in accordance with the relative rotation between them, with a center of about 100 mm.

【0023】また、図2に示すように、光ファイバー固
定部5の外側円筒面には雄ネジ9が形成されている。一
方、図示していないが、レンズホルダー部1の内側円筒
面にも雌ネジが形成されており、この雌ネジと光ファイ
バー固定部5の雄ネジ9とが互いに係合するように構成
されている。そして、光ファイバー固定部5とレンズホ
ルダー部1とを相対的に回転させることにより、第2の
光学レンズ4とファイバーカップラー6との距離を調整
できるようになっている。すなわち、第2の光学レンズ
4の焦点位置を光ファイバーの基端面に一致させて、光
源11から出た光線10を光ファイバーに無駄なく集光
させることが可能に構成されている。また、固定用部材
8及びリング7の外側円筒面にも雄ネジが形成されてい
て、第1の光学レンズ3の位置を調整できるように構成
されている。
As shown in FIG. 2, a male screw 9 is formed on the outer cylindrical surface of the optical fiber fixing portion 5. On the other hand, although not shown, a female screw is also formed on the inner cylindrical surface of the lens holder portion 1, and the female screw and the male screw 9 of the optical fiber fixing portion 5 are configured to engage with each other. . The distance between the second optical lens 4 and the fiber coupler 6 can be adjusted by rotating the optical fiber fixing part 5 and the lens holder part 1 relatively. That is, the focal position of the second optical lens 4 is made coincident with the base end face of the optical fiber, and the light beam 10 emitted from the light source 11 can be focused on the optical fiber without waste. Male threads are also formed on the outer cylindrical surfaces of the fixing member 8 and the ring 7 so that the position of the first optical lens 3 can be adjusted.

【0024】図2に示す光ファイバー支持装置A1は、
光導入用の光ファイバー支持装置として使用することも
当然に可能である。その場合には、光ファイバーFの先
端側に光源が設置された状態となり、第2の光学レンズ
4により、光ファイバーFの基端面から放射される光を
平行光線にして、第1の光学レンズ3により平行光線を
集光して、被測定部に測定光を微小光束で照射するよう
に、各部の寸法を設定することができる。光源がレーザ
ー光を発光するものであっても、レーザー光は光ファイ
バーを通過した後光ファイバーの外に出たときに広がる
性質がある。そこで、本実施形態に係る光ファイバー支
持装置A1を、レーザー光を発光する光源で発生された
測定光を導入するための光ファイバー支持装置として
も、上述と同様の効果を発揮することができる。
The optical fiber supporting device A1 shown in FIG.
Naturally, it can be used as an optical fiber supporting device for introducing light. In that case, the light source is installed on the distal end side of the optical fiber F, and the light emitted from the base end face of the optical fiber F is converted into a parallel ray by the second optical lens 4, and the first optical lens 3 The dimensions of each part can be set so that the parallel rays are condensed and the measured light is irradiated on the part to be measured with a minute light beam. Even if the light source emits laser light, the laser light has a property of spreading when passing through the optical fiber and then out of the optical fiber. Therefore, the same effects as described above can be exerted even when the optical fiber supporting device A1 according to the present embodiment is used as an optical fiber supporting device for introducing measurement light generated by a light source that emits laser light.

【0025】上述のように、本実施形態の光ファイバー
支持装置A1によると、光学レンズの光軸Oaxを光ファ
イバーFの中心に合わせるいわゆる光軸合わせのために
格別の作業を行なう必要はなく、かつ、従来のオプティ
カルベンチを用いた光学系に比べ、光学系の構造を簡素
化することができる。しかも、このような光ファイバー
支持装置A1は、光学系が共通の円筒状部材内に集約し
て収納されているので、クラスタリングされた製造装置
などの極めて限られたスペースしかない製造装置にも容
易に取りつけることができる。
As described above, according to the optical fiber supporting device A1 of this embodiment, it is not necessary to perform any special operation for so-called optical axis alignment for aligning the optical axis Oax of the optical lens with the center of the optical fiber F, and The structure of the optical system can be simplified as compared with an optical system using a conventional optical bench. In addition, such an optical fiber supporting apparatus A1 has an optical system that is collectively housed in a common cylindrical member, so that it can be easily used in a manufacturing apparatus having only a very limited space, such as a clustered manufacturing apparatus. Can be installed.

【0026】また、光ファイバー固定部5の外側の円筒
面に雄ネジ9が形成され、レンズホルダー部1の内側の
円筒面にはこれに係合する雌ネジが形成されているの
で、第2の光学レンズ4の位置とファイバーカップラー
6とを容易に調整して、第2の光学レンズ4の焦点位置
を光ファイバーFの基端面に一致させることができる。
Further, a male screw 9 is formed on the outer cylindrical surface of the optical fiber fixing portion 5, and a female screw is formed on the inner cylindrical surface of the lens holder portion 1 so as to engage with the male screw. By easily adjusting the position of the optical lens 4 and the fiber coupler 6, the focal position of the second optical lens 4 can be made to coincide with the base end surface of the optical fiber F.

【0027】なお、光ファイバー固定部5の外側の円筒
面における雄ネジ9や、レンズホルダー部1の内側の円
筒面における雌ネジを設けずに、両者を相対的にスライ
ドする筒状の部材とし、レンズホルダー部1の円筒部に
垂直な止めネジを設けて、この止めネジで光ファイバー
固定部5を止める方法もありうる。しかし、そのような
方法では、止めネジで固定するときに内側の光ファイバ
ー固定部5がレンズホルダー部1の光軸に対して傾くた
めに、両者の光軸を合わせるために特別の作業が必要と
なる。それに対し、本実施形態の方法では、光ファイバ
ー固定部5とレンズホルダー部1とを相対的に回転させ
ているだけなので、両者間における機械的な光軸中心の
ずれがなくなる。そして、かかる光軸中心のずれがない
ので、焦点合わせを容易かつ高精度で行なうことが可能
になる。
Note that a male member 9 on the outer cylindrical surface of the optical fiber fixing portion 5 and a female member on the inner cylindrical surface of the lens holder portion 1 are not provided, and the two members are formed as a cylindrical member that slides relatively. There may be a method in which a vertical set screw is provided in the cylindrical portion of the lens holder unit 1 and the optical fiber fixing unit 5 is fixed with the set screw. However, in such a method, since the inner optical fiber fixing portion 5 is inclined with respect to the optical axis of the lens holder portion 1 when fixing with the set screw, a special operation is required to align the two optical axes. Become. On the other hand, in the method of the present embodiment, since the optical fiber fixing section 5 and the lens holder section 1 are only relatively rotated, there is no mechanical displacement of the optical axis center between the two. Since there is no shift of the center of the optical axis, focusing can be performed easily and with high accuracy.

【0028】その結果、本実施形態の光ファイバー支持
装置A1において、図1に示す光源11の位置をプラズ
マを発生している反応装置(チャンバ)内の被測定部に
合わせ、光ファイバーFの先端にフォトマルを設置し
て、被測定部からの光線の強度を測定するようにした場
合、つまり半導体製造装置におけるモニタリングに用い
た場合には、光ファイバーとファイバーカップラーのみ
の機構に比べ、格段に集光能力が上昇する。我々の観測
では、Arプラズマを100mTorr ,300WでRF
放電させて行なった際に、Arプラズマで発生する光を
受けるフォトマルの電圧が相対的に5倍以上に上昇し
た。
As a result, in the optical fiber supporting apparatus A1 of this embodiment, the position of the light source 11 shown in FIG. When a beam is installed to measure the intensity of the light beam from the part to be measured, that is, when it is used for monitoring in semiconductor manufacturing equipment, the light-gathering capacity is much higher than that of a mechanism using only an optical fiber and a fiber coupler. Rises. In our observations, Ar plasma was supplied at 100 mTorr and 300 W RF.
When the discharge was performed, the voltage of the photomultiplier receiving the light generated by the Ar plasma increased relatively five times or more.

【0029】なお、光学測定においては、レンズ径を大
きくすれば十分な光量を得ることが可能ではあるが、過
剰な光量は必要なく、本発明の光ファイバー支持装置A
1で、十分な光量は得られ、かつサイズも小さくでき
る。
In the optical measurement, it is possible to obtain a sufficient amount of light by increasing the lens diameter, but it is not necessary to use an excessive amount of light.
1, a sufficient amount of light can be obtained and the size can be reduced.

【0030】また、本実施形態における光ファイバー支
持装置A1に、光学フィルターなどを支持する機構をさ
らに設けることで、特定の波長領域での信号入手や分光
が容易になる。
Further, by further providing a mechanism for supporting an optical filter or the like in the optical fiber supporting device A1 in the present embodiment, it becomes easy to obtain a signal in a specific wavelength region or to obtain a spectrum.

【0031】なお、本実施形態に係る光ファイバー支持
装置A1には2つの凸レンズを配設したが、本発明はこ
のような形態に限定されるものではなく、3つ以上の光
学レンズ又は単一の光学レンズを配置してもよい。ま
た、光ファイバー支持装置A1内には、凸レンズだけで
なく凹レンズが含まれていてもよいものとする。
Although the optical fiber supporting device A1 according to the present embodiment is provided with two convex lenses, the present invention is not limited to such a configuration, and three or more optical lenses or a single An optical lens may be provided. The optical fiber supporting device A1 may include not only a convex lens but also a concave lens.

【0032】さらに、光ファイバー固定部5の径をレン
ズホルダー部1の径よりも大きくして、光ファイバー固
定部5の内側の円筒面に雌ネジを、レンズホルダー部1
の内側の円筒面に雄ネジをそれぞれ設けて、両者を互い
に係合させるように構成しても、本実施形態と同様の効
果を発揮することができる。
Further, the diameter of the optical fiber fixing part 5 is made larger than the diameter of the lens holder part 1, and a female screw is formed on the cylindrical surface inside the optical fiber fixing part 5, and
The same effect as in the present embodiment can be exerted by providing a male screw on each of the inner cylindrical surfaces and engaging the two with each other.

【0033】(第2の実施形態)次に、第2の実施形態
について説明する。図3は、第2の実施形態に係るプラ
ズマ加工装置の構成を示す縦断面図である。図3におい
て、各符号は各々以下の要素を示す。21は縦型円筒状
のチャンバー、22は被加工物であるポリシリコン膜が
堆積されたLSI用ウエハ、23は高周波電源(例えば
13.56MHz工業用電源)、24はカップリングコ
ンデンサ、25はウエハ取付部としても機能するカソー
ド電極、26はアノード電極、27はチャンバー21の
側部に設けられたモニター用の石英窓をそれぞれ示す。
上記チャンバー1により囲まれた閉空間が反応室Rreで
ある。そして、第1の実施形態で説明した光ファイバ
ー,光学レンズなどが設けられた光ファイバー支持装置
A1がチャンバー21の側面に取り付けられている。ま
た、30は反応室Rre内に形成されるプラズマ領域、3
2は光ファイバー支持装置A1からの光を案内するため
の光ファイバー、33はプラズマからの発光Lumを検
出,分析(分光)するための光検出・解析装置を示す。
(Second Embodiment) Next, a second embodiment will be described. FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing the configuration of the plasma processing apparatus according to the second embodiment. In FIG. 3, each symbol indicates the following element. 21 is a vertical cylindrical chamber, 22 is an LSI wafer on which a polysilicon film to be processed is deposited, 23 is a high frequency power supply (for example, a 13.56 MHz industrial power supply), 24 is a coupling capacitor, and 25 is a wafer. A cathode electrode which also functions as a mounting portion, 26 is an anode electrode, and 27 is a quartz window for monitoring provided on the side of the chamber 21.
A closed space surrounded by the chamber 1 is a reaction chamber Rre. The optical fiber supporting device A1 provided with the optical fiber, the optical lens, and the like described in the first embodiment is attached to the side surface of the chamber 21. Reference numeral 30 denotes a plasma region formed in the reaction chamber Rre;
Reference numeral 2 denotes an optical fiber for guiding the light from the optical fiber supporting device A1, and reference numeral 33 denotes a light detection / analysis device for detecting and analyzing (spectroscopy) light emission Lum from the plasma.

【0034】本実施形態のプラズマ加工装置において、
まず、エッチングガスであるHBrガス,Cl2 ガスを
チャンバー1内に導入し、圧力100mTorr で放電さ
せることで、チャンバー21内にプラズマ領域30が形
成される。この時に印加する電力は200Wである。プ
ラズマ領域30が形成されると、エッチング剤として機
能する活性種がウエハ22のポリシリコン膜に入射す
る。この活性種とウエハ22の表面上の物質とが反応し
てできたエッチング副生成物などがプラズマ領域30に
もどる。
In the plasma processing apparatus of this embodiment,
First, an HBr gas and a Cl 2 gas, which are etching gases, are introduced into the chamber 1 and discharged at a pressure of 100 mTorr, whereby a plasma region 30 is formed in the chamber 21. The power applied at this time is 200W. When the plasma region 30 is formed, active species functioning as an etching agent enter the polysilicon film of the wafer 22. Etching by-products formed by the reaction between the active species and the substance on the surface of the wafer 22 return to the plasma region 30.

【0035】図4は、ポリシリコン膜のプラズマエッチ
ング加工におけるBr−Br結合に由来すると考えられ
る波長470.5nmの発光強度の時間変化をモニター
した結果を示す図である。同図において、横軸はエッチ
ング時間(秒)を表し、縦軸は発光強度(相対値)を表
している。最初の1枚目の場合、同図の実線D1 に示す
ように、エッチング終了時点で明確な発光強度の増大を
示している。これは、ポリシリコン膜が完全に除去され
る前は、ポリシリコン膜から発生したSiと、HBrか
ら生成されたBrとが反応するために、Br−Br結合
を有する物質はプラズマ中ではほとんど存在しないが、
ポリシリコン膜が完全に除去されると、Br−Br結合
が多くプラズマ中に存在するようになるからである。そ
こで、この波長470.5nmの発光Lumの強度が急激
に増大する点を検出できれば、エッチング終点の検出は
容易である。ところが、1000枚のウエハの処理を行
なった後には、同図の点線D’1000に示すように、明確
な発光強度の増大を示しておらず、エッチング終了時期
の判定が困難となる。これは、プラズマ領域30からの
発光Lumを十分集光しきっていないために、発光強度の
感度が低下したことに起因する。そこで、従来は、メン
テナンスや発光強度の時間変化の解析のアルゴリズムを
駆使して、その判定を行っている。しかしながら、この
ような方法では、稼働率、精度などにおいて問題があっ
た。
FIG. 4 is a diagram showing the results of monitoring the time change of the emission intensity at a wavelength of 470.5 nm, which is considered to be derived from Br-Br bonds in the plasma etching of the polysilicon film. In the figure, the horizontal axis represents the etching time (second), and the vertical axis represents the emission intensity (relative value). For first sheet, as shown by the solid line D 1 of the drawing shows the increase in clear luminous intensity etching end point. This is because, before the polysilicon film is completely removed, Si generated from the polysilicon film reacts with Br generated from HBr, so that a substance having a Br—Br bond is almost present in the plasma. Not
This is because when the polysilicon film is completely removed, many Br-Br bonds are present in the plasma. Therefore, if it is possible to detect a point where the intensity of the light emission Lum having a wavelength of 470.5 nm sharply increases, it is easy to detect the etching end point. However, after the processing of 1,000 wafers, as shown by the dotted line D' 1000 in the figure, no clear increase in the light emission intensity is shown, and it is difficult to determine the end timing of the etching. This is because the luminous intensity Lum from the plasma region 30 has not been sufficiently collected, so that the luminous intensity sensitivity has decreased. Therefore, conventionally, the determination is performed by making full use of an algorithm of maintenance or an analysis of a temporal change in light emission intensity. However, such a method has problems in operation rate, accuracy, and the like.

【0036】それに対し、本実施形態のプラズマ加工装
置においては、光ファイバー支持装置A1を利用して、
プラズマ領域30からの発光Lumを広い範囲から集光で
きるので、プラズマの状態を効率よく高精度に観測でき
る。すなわち、図4の破線D 1000に示すように、100
0枚のウエハ処理後においても、エッチング終点を示す
発光強度の変化量が大きい。したがって、発光Lumを検
出している信号の強度の変化を大きく捕らえることがで
き、かつ十分なロット数まで観測することができるとい
う効果を発揮することができる。さらには、石英窓27
の内側の表面への堆積物による吸収によって発光レベル
が全体的に低下することから、メンテナンス時期の判断
も正確に行えるようになった。
On the other hand, the plasma processing apparatus of the present embodiment
In the installation, using the optical fiber supporting device A1,
The light emission Lum from the plasma region 30 can be collected from a wide range.
Can observe the state of the plasma efficiently and with high accuracy.
You. That is, the broken line D in FIG. 1000As shown in
Indicates end point of etching even after processing 0 wafers
The amount of change in emission intensity is large. Therefore, the light emission Lum is detected.
It is possible to catch a large change in the intensity of the output signal
And it is possible to observe a sufficient number of lots
The effect can be exhibited. Further, the quartz window 27
Emission level by absorption by deposits on the inner surface of the
Of the maintenance period because
Can now be performed accurately.

【0037】本実施形態のプラズマ加工装置によると、
狭いスペースに取り付けが可能で、しかも光軸合わせに
熟練を要しない光ファイバー支持装置A1をプラズマ加
工の終了時期を判定するためのモニターとして利用する
ことにより、作業性,測定精度,測定感度,コンパクト
性などの点でインプロセスにおけるモニタリングに最適
な機能を備えることができる。
According to the plasma processing apparatus of this embodiment,
The workability, measurement accuracy, measurement sensitivity, and compactness can be achieved by using the optical fiber support device A1, which can be installed in a narrow space and does not require skill in optical axis alignment, as a monitor for determining the end time of plasma processing. In this respect, it is possible to provide an optimal function for in-process monitoring.

【0038】(第3の実施形態)次に、本発明の第3の
実施形態について説明する。図5は、第3の実施形態に
係るプラズマ加工装置の縦断面図である。同図におい
て、図3に示す部材と同じ部材には図3中の符号と同じ
符号を付して、その説明を省略する。
(Third Embodiment) Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is a longitudinal sectional view of the plasma processing apparatus according to the third embodiment. 3, the same members as those shown in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals as those in FIG. 3, and description thereof will be omitted.

【0039】ここで、本実施形態では、赤外線発生装置
34と、赤外線発生装置34で発生された赤外線を案内
するための光ファイバー35と、光ファイバー35を支
持するための第1の光ファイバー支持装置A2と、チャ
ンバー21内を通過した赤外線Infを案内するための光
ファイバー36と、光ファイバー36を支持するための
第2の光ファイバー支持装置A3とを備えている。ただ
し、各光ファイバー支持装置A2,A3は、それぞれ石
英窓28,27の上に装着されている。
Here, in the present embodiment, an infrared ray generator 34, an optical fiber 35 for guiding the infrared ray generated by the infrared ray generator 34, and a first optical fiber supporting device A2 for supporting the optical fiber 35 are provided. , An optical fiber 36 for guiding the infrared light Inf that has passed through the inside of the chamber 21, and a second optical fiber supporting device A 3 for supporting the optical fiber 36. However, the optical fiber supporting devices A2 and A3 are mounted on quartz windows 28 and 27, respectively.

【0040】ここで、本実施形態においては、一方の石
英窓28から導入した赤外線Infが各石英窓28,27
の上に堆積したデポ膜Depを通過することにより受ける
吸収量を測定することにより、チャンバー21のメンテ
ナンス時期やプラズマ加工条件の適否などをモニターす
るようにしている。
In this embodiment, the infrared rays Inf introduced from one of the quartz windows 28 are applied to the quartz windows 28, 27.
The maintenance time of the chamber 21 and the suitability of the plasma processing conditions are monitored by measuring the amount of absorption received by passing through the deposition film Dep deposited on the substrate.

【0041】図6は、本実施形態で用いた光ファイバー
支持装置A2,A3の構造を示す断面図である。同図に
示すように、本実施形態に係る光ファイバー支持装置A
2,A3は、図1に示す光ファイバー支持装置A1中の
第1の光学レンズ3やリング7を除いた構造となってい
る。第1の光ファイバー支持装置A2においては、光学
レンズ4により、光ファイバー35から放射される赤外
線Infが平行光線に変えられてチャンバー21内に導入
される。一方、第2の光ファイバー支持装置A3におい
ては、光学レンズ4により、チャンバー21から平行光
線となって出てくる赤外線Infが光ファイバー36の基
端面に集光される。
FIG. 6 is a sectional view showing the structure of the optical fiber supporting devices A2 and A3 used in this embodiment. As shown in the figure, the optical fiber support device A according to the present embodiment
Reference numerals 2 and A3 have a structure in which the first optical lens 3 and the ring 7 in the optical fiber supporting device A1 shown in FIG. 1 are removed. In the first optical fiber supporting device A2, the infrared rays Inf emitted from the optical fiber 35 are converted into parallel rays by the optical lens 4 and introduced into the chamber 21. On the other hand, in the second optical fiber supporting device A3, the optical lens 4 condenses the infrared light Inf coming out of the chamber 21 as a parallel light beam on the base end surface of the optical fiber 36.

【0042】ただし、本実施形態においても、各光ファ
イバー支持装置A2,A3内に2つの光学レンズを配置
して、第1の実施形態と同様の作用を行なわせてもよ
い。その場合、第1の光ファイバー支持装置A2によ
り、いったん平行光線にした赤外線をチャンバー21内
の一部位に集光させ、第2の光ファイバー支持装置A3
により、いったん平行光線にした赤外線を光ファイバー
36に集光させることになる。また、各光ファイバー支
持装置A2,A3内に3つ以上の光学レンズを配置して
もよいことはいうまでもない。
However, also in the present embodiment, two optical lenses may be arranged in each of the optical fiber supporting devices A2 and A3 to perform the same operation as in the first embodiment. In this case, the first optical fiber supporting device A2 condenses the infrared rays, which have been once converted into parallel rays, to one portion in the chamber 21 and the second optical fiber supporting device A3.
As a result, the infrared rays once converted into parallel rays are focused on the optical fiber 36. Needless to say, three or more optical lenses may be arranged in each of the optical fiber supporting devices A2 and A3.

【0043】本実施形態によると、プラズマ加工装置に
よる半導体装置の製造工程において、赤外線吸収分光を
行なう際にも、光学系を組み込んだ光ファイバー支持装
置A2,A3を用いて、容易にプラズマ加工のモニタリ
ングを行なうことができる。特に、赤外線吸収分光の測
定の場合、一般的に入光側と出光側との光軸合わせが面
倒であるが、本実施形態の構造を利用することにより、
かかる光軸合わせに際して面倒な手間は不要となる。
According to the present embodiment, even when performing infrared absorption spectroscopy in a semiconductor device manufacturing process using a plasma processing apparatus, the plasma processing can be easily monitored using the optical fiber supporting devices A2 and A3 incorporating the optical system. Can be performed. In particular, in the case of measurement of infrared absorption spectroscopy, generally, the optical axis alignment between the light incident side and the light emitting side is troublesome, but by using the structure of the present embodiment,
No troublesome labor is required for such optical axis alignment.

【0044】(第4の実施形態)次に、第4の実施形態
について説明する。図7は、第4の実施形態に係る半導
体製造装置の一部である光学的測定用チャンバー50の
断面図である。本実施形態における光学的測定用チャン
バー50は、後述するように、クラスタリングされた製
造装置に配置されて、光変調反射率分光を行なうことが
可能に構成されていることを前提としている。光学的測
定用チャンバー50内には、ウエハ41と、ウエハ41
を載置するためのウエハ台42とが配置されている。チ
ャンバー40の天井面には石英窓44が設けられてお
り、石英板44の上に、光ファイバー支持装置46,4
7,48を設置するための球面部材45が載置されてい
る。ここで、上記各光ファイバー支持装置46〜48
は、いずれも上記第1の実施形態における図1に示す構
造を有している。上記球面部材45において各光ファイ
バー支持装置46,47が移動するためのスライド面の
曲率半径は、ウエハ41の被測定部を中心とする球の半
径にほぼ一致するように構成されている。
(Fourth Embodiment) Next, a fourth embodiment will be described. FIG. 7 is a sectional view of an optical measurement chamber 50 which is a part of the semiconductor manufacturing apparatus according to the fourth embodiment. The optical measurement chamber 50 in the present embodiment is assumed to be arranged in a clustered manufacturing apparatus and configured to be able to perform light modulation reflectance spectroscopy, as described later. The wafer 41 and the wafer 41 are placed in the optical measurement chamber 50.
And a wafer table 42 for placing the wafer. A quartz window 44 is provided on the ceiling surface of the chamber 40, and optical fiber supporting devices 46 and 4 are provided on the quartz plate 44.
A spherical member 45 for placing the 7, 48 is placed. Here, each of the above optical fiber supporting devices 46 to 48 is used.
Have the structure shown in FIG. 1 in the first embodiment. The radius of curvature of the slide surface on which the optical fiber supporting devices 46 and 47 move in the spherical member 45 is configured to substantially match the radius of a sphere centered on the measured portion of the wafer 41.

【0045】図8は、本実施形態に係るクラスタリング
された半導体装置の製造装置の構成を模式的に示すブロ
ック図である。同図において、51は洗浄用チャンバ、
52は高速酸化用(Rapid Thermal Processing)チャン
バ、53はロードロック室、54はウエハ冷却用チャン
バ、55はウエハロード・アンロード部をそれぞれ示
す。すなわち、ロードロック室53及びこれに房のよう
に取り付けられた各チャンバ50,51,52,54,
55が、大気から遮断された減圧雰囲気下の空間を取り
囲む共通容器として機能しており、いわゆるクラスタリ
ングされた製造装置となっている。例えば、酸化膜の形
成工程においては、ウエハは洗浄用チャンバ51で洗浄
された後、引き続いて高速酸化用チャンバ52で酸化さ
れることになる。その際、ウエハの洗浄工程で、ウエハ
上の自然酸化膜は除去される。また、ロードロック室5
3はウエハの搬送を最適化して処理するように構成され
ており、内部は減圧されている。そのため、洗浄工程を
終了した後にも、ウエハ表面が大気暴露などにより酸化
されることはない。そして、光学的測定用チャンバ50
がクラスタリングされた製造装置の共通空間内に配置さ
れていて、この光学的測定用チャンバ50には、励起光
用光源57(Arイオンレーザ)と、測定光用光源58
(150WのXeランプ)と、測定光の反射光の強度を
検出するための光検出器59と、各々測定光用光源5
8,光検出器59及び励起光用光源57と光学的測定用
チャンバ50との間における光の誘導路となる光ファイ
バー61,62,63と、光変調反射率分光による測定
の際の機器の制御やデータの算出,解析などを行なうた
めの制御・解析システム60とが配設されている。光フ
ァイバー支持装置48に誘導される励起光は500Hz
に変調されており、ウエハの半導体領域の表面を変調し
その時の反射率の変動を観測するしくみになっている。
この光変調反射率分光(参考文献:例えばA.Fujimoto
ら、Jpn.J.Appl.Phys. vol.34、p.804、1995)により、
ウエハ表面状態を正確に評価することが可能である。
FIG. 8 is a block diagram schematically showing a configuration of an apparatus for manufacturing a clustered semiconductor device according to the present embodiment. In the figure, 51 is a cleaning chamber,
52 is a high-speed oxidation (Rapid Thermal Processing) chamber, 53 is a load lock chamber, 54 is a wafer cooling chamber, and 55 is a wafer load / unload unit. That is, the load lock chamber 53 and the chambers 50, 51, 52, 54,
55 functions as a common container that surrounds a space under a reduced-pressure atmosphere shielded from the atmosphere, and is a so-called clustered manufacturing apparatus. For example, in the process of forming an oxide film, the wafer is cleaned in the cleaning chamber 51 and subsequently oxidized in the high-speed oxidation chamber 52. At that time, the natural oxide film on the wafer is removed in the wafer cleaning step. In addition, load lock room 5
Numeral 3 is configured to optimize and process the transfer of the wafer, and the inside thereof is reduced in pressure. Therefore, even after the completion of the cleaning step, the wafer surface is not oxidized due to exposure to the atmosphere. Then, the optical measurement chamber 50
Are arranged in a common space of the clustered manufacturing apparatus. In the optical measurement chamber 50, a light source 57 for excitation light (Ar ion laser) and a light source 58 for measurement light are provided.
(150 W Xe lamp), a photodetector 59 for detecting the intensity of the reflected light of the measurement light, and a light source 5 for the measurement light, respectively.
8. Optical fibers 61, 62, and 63 serving as light guide paths between the photodetector 59 and the light source 57 for excitation light and the optical measurement chamber 50, and control of equipment at the time of measurement by light modulation reflectance spectroscopy. And a control / analysis system 60 for calculating and analyzing data and the like. The excitation light guided to the optical fiber supporting device 48 is 500 Hz
This is a mechanism for modulating the surface of the semiconductor region of the wafer and observing a change in the reflectance at that time.
This light modulation reflectance spectroscopy (reference: for example, A. Fujimoto
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 34, p. 804, 1995)
It is possible to accurately evaluate the wafer surface condition.

【0046】図9は、球面部材45の立体構造を示す斜
視図である。同図に示すように、球面部材45には、光
ファイバー支持装置46,47が可動できるように、可
動部49が設けられている。その場合、図示しないが、
各光ファイバー支持装置46,47に取り付けられた2
つのラックと、球面部材45の中央に取り付けられたピ
ニオンとを係合させるようにした周知の構造により、各
光ファイバー支持装置46,47が互いに連動して逆方
向に移動し、その移動後の位置において各光ファイバー
支持装置46,47の中央部からの傾き角θが常に互い
に等しくなるように構成されている。さらに、球面部材
45全体を光学的測定用チャンバー50の石英窓44の
上で2次元的に移動して、被測定領域を選択できるよう
に構成されている。上述の各部の運動は遠隔制御により
行なわせることが可能に構成されている。このような構
造により、ウエハ表面の微小領域に測定光を集光させた
後、反射測定光を確実に検出できるように構成されてい
る。
FIG. 9 is a perspective view showing the three-dimensional structure of the spherical member 45. As shown in the figure, a movable portion 49 is provided on the spherical member 45 so that the optical fiber supporting devices 46 and 47 can move. In that case, not shown,
2 attached to each optical fiber support device 46, 47
With a known structure in which the two racks and a pinion attached to the center of the spherical member 45 are engaged with each other, the respective optical fiber supporting devices 46 and 47 move in the opposite direction in conjunction with each other, and the position after the movement. In this configuration, the inclination angles θ of the optical fiber supporting devices 46 and 47 from the center are always equal to each other. Further, the entire spherical member 45 is two-dimensionally moved on the quartz window 44 of the optical measurement chamber 50 so that a measurement area can be selected. The movement of each of the above-described units is configured to be performed by remote control. With such a structure, after the measurement light is converged on a minute area on the wafer surface, the reflected measurement light can be reliably detected.

【0047】なお、各光ファイバー支持装置46,47
の取り付け部における球面部材45の球面の法線に対し
て各光ファイバー支持装置46,47を微細に傾けるこ
とも可能になされている。この傾きによって、ウエハ4
1の被測定部における測定光の焦点位置を縦方向に調整
することができる。なお、図1に示す光ファイバー支持
装置A1におけるリング7及び固定用部材8によって第
1の光学レンズ3の位置を調整することができるので、
図1に示す第1の光学レンズ3に相当する各光ファイバ
ー支持装置46,47中の光学レンズ(図示せず)の焦
点位置をウエハ41の被測定部に合わせることは容易で
ある。
Each of the optical fiber supporting devices 46, 47
It is also possible to finely tilt each of the optical fiber supporting devices 46 and 47 with respect to the normal line of the spherical surface of the spherical member 45 at the mounting portion. Due to this inclination, the wafer 4
It is possible to adjust the focal position of the measurement light in the one measured section in the vertical direction. The position of the first optical lens 3 can be adjusted by the ring 7 and the fixing member 8 in the optical fiber supporting device A1 shown in FIG.
It is easy to adjust the focal position of an optical lens (not shown) in each of the optical fiber supporting devices 46 and 47 corresponding to the first optical lens 3 shown in FIG.

【0048】従来の光学系では、上述のように広い物理
的な空間を必要としていたが、本実施形態における光フ
ァイバー支持装置46〜47及び球面部材45を用いる
ことにより、必要な空間を小さくすることができる。従
って、クラスタリングされた製造装置のごとく極めて限
られたスペースしか確保できない製造装置においても、
インラインで光変調反射率分光を行なうことができるよ
うになった。特に、光ファイバーを利用しているので、
光源57,58や光検出器59などを製造装置外に配置
することができ、クラスタリングされた製造装置に適用
することで、著効を発揮することができる。
Although the conventional optical system requires a wide physical space as described above, the use of the optical fiber supporting devices 46 to 47 and the spherical member 45 in the present embodiment makes it possible to reduce the required space. Can be. Therefore, even in a manufacturing apparatus that can secure only a very limited space like a clustered manufacturing apparatus,
Light modulation reflectance spectroscopy can be performed in-line. In particular, because it uses optical fiber,
The light sources 57 and 58, the photodetector 59, and the like can be arranged outside the manufacturing apparatus. By applying the invention to a clustered manufacturing apparatus, a significant effect can be obtained.

【0049】また、光変調反射率分光などの光学的測定
においては、従来の光学系に光ファイバーを組み込んで
も十分感度が得られていなかったが、本実施形態の光フ
ァイバー支持装置46〜48を用いた場合には、十分高
い感度が得られる。
In optical measurement such as light modulation reflectance spectroscopy, sufficient sensitivity was not obtained even when an optical fiber was incorporated in a conventional optical system. However, the optical fiber supporting devices 46 to 48 of this embodiment were used. In such a case, a sufficiently high sensitivity can be obtained.

【0050】図10は、本実施形態における光変調反射
率分光で得られる信号(ΔR/R)のスペクトルについ
て、本実施形態の装置と従来の光学系に光ファイバーを
組み込んだ場合とを比較した図である。図10の縦軸
は、励起光が照射されているときの測定光の反射率
(R’)から励起光が照射されていないときの反射率
(R)を差し引いたものを、励起光が照射されていない
ときの反射率(R)で割って得られる反射率の変化割合
(ΔR/R)を表し、横軸は測定光の波長である。つま
り、図10は、測定光の波長を変化させて得られる反射
率の変化割合(ΔR/R)のスペクトルを示している。
FIG. 10 is a diagram showing the spectrum of a signal (ΔR / R) obtained by light modulation reflectance spectroscopy in the present embodiment, comparing the apparatus of the present embodiment with a conventional optical system in which an optical fiber is incorporated. It is. The vertical axis in FIG. 10 indicates the difference between the reflectance (R ′) of the measurement light when the excitation light is irradiated and the reflectance (R) when the excitation light is not irradiated, and the excitation light is irradiated. Represents the rate of change in reflectance (ΔR / R) obtained by dividing by the reflectance (R) when not performed, and the horizontal axis represents the wavelength of the measurement light. That is, FIG. 10 shows the spectrum of the change ratio (ΔR / R) of the reflectance obtained by changing the wavelength of the measurement light.

【0051】同図を参照するとわかるように、従来の装
置による信号Sconvでは十分な信号強度が得られていな
いのに対し、本実施形態の装置による信号Sinveは飛躍
的に大きな信号強度を示し、測定精度も向上している。
その結果、一貫した洗浄→ゲート絶縁膜形成を光学的に
高精度に管理することにより、高品質でトラブルのない
半導体装置の製造を進めることができる。
As can be seen from the figure, while the signal Sconv of the conventional device does not provide a sufficient signal strength, the signal Sinve of the device of the present embodiment shows a remarkably large signal strength. Measurement accuracy has also improved.
As a result, the manufacture of a high-quality and trouble-free semiconductor device can be promoted by optically and accurately managing the cleaning → the formation of the gate insulating film.

【0052】なお、本実施形態においては、各光ファイ
バー支持装置46,47を球面上で移動させるようにし
たが、平面上で移動させるようにしてもよい。その場
合、各光ファイバー支持装置46,47の傾き角θを変
えなければ、両者間の距離の変更により被測定部の縦方
向の位置を調整できる。また、両者の傾き角θの変更に
より被測定部の縦方向の位置を調整できる。
In the present embodiment, each of the optical fiber supporting devices 46 and 47 is moved on a spherical surface, but may be moved on a plane. In this case, if the inclination angle θ of each of the optical fiber supporting devices 46 and 47 is not changed, the vertical position of the measured portion can be adjusted by changing the distance between the two. The vertical position of the measured portion can be adjusted by changing the inclination angle θ between the two.

【0053】さらに、図7に示す構造において、球面部
材45の光ファイバー支持装置46,47のスライド面
の曲率半径をウエハ41の被測定部を中心とする球面の
半径の値とはわざとずらせて、傾き角θと縦方向の焦点
位置とを同時に調整できるようにしてもよい。
Further, in the structure shown in FIG. 7, the radius of curvature of the sliding surface of the optical fiber supporting devices 46 and 47 of the spherical member 45 is deviated from the value of the radius of the spherical surface centered on the measured portion of the wafer 41. The tilt angle θ and the vertical focus position may be adjusted simultaneously.

【0054】[0054]

【発明の効果】本発明の光ファイバー支持装置によれ
ば、光学レンズを保持する円筒状のホルダーと光ファイ
バーの端部を固定する円筒状支持用部材との各円筒面に
互いに係合するネジを設け、両部材の相対的な回転によ
り、光学レンズの焦点位置を光ファイバーの端部に一致
させることにより、光軸合わせに熟練や長時間の作業が
不要な光学系を構成することができ、光ファイバーを利
用したコンパクトで感度の高い光学的観測システムの提
供を図ることができる。
According to the optical fiber supporting device of the present invention, screws are provided for engaging each other on the cylindrical surfaces of the cylindrical holder for holding the optical lens and the cylindrical supporting member for fixing the end of the optical fiber. By aligning the focal position of the optical lens with the end of the optical fiber by the relative rotation of the two members, an optical system that does not require skilled or long-time work for optical axis alignment can be configured. It is possible to provide a compact and highly sensitive optical observation system that is used.

【0055】本発明の半導体装置の製造装置によれば、
ウエハの処理を行なう半導体装置の製造装置において、
光ファイバーと、上記光ファイバー支持装置と、観測手
段とを設けることにより、上述の光ファイバー支持装置
を利用した半導体装置の製造工程中のインラインでの光
学的観測を行うことが可能になる。
According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the present invention,
In a semiconductor device manufacturing apparatus for processing a wafer,
By providing the optical fiber, the optical fiber support device, and the observation means, it is possible to perform in-line optical observation during the manufacturing process of the semiconductor device using the optical fiber support device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態に係る光ファイバー支
持装置の断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of an optical fiber supporting device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施形態に係る光ファイバー支
持装置の斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view of the optical fiber support device according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第2の実施形態におけるプラズマ加工
装置の断面図である。
FIG. 3 is a sectional view of a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図4】第2の実施例におけるプラズマ加工装置での終
点検出機能のウエハ処理枚数による低下度合いを従来の
装置によるデータと比較する図である。
FIG. 4 is a diagram comparing the degree of decrease in the end point detection function of the plasma processing apparatus according to the second embodiment with the number of processed wafers with data obtained by a conventional apparatus.

【図5】本発明の第3の実施形態におけるプラズマ加工
装置の断面図である。
FIG. 5 is a sectional view of a plasma processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図6】第3の実施形態に用いられる光ファイバー支持
装置の断面図である。
FIG. 6 is a sectional view of an optical fiber support device used in a third embodiment.

【図7】本発明の第4の実施形態におけるチャンバーと
球面部材に取り付けた光ファイバー支持装置との断面図
である。
FIG. 7 is a cross-sectional view of a chamber and an optical fiber supporting device attached to a spherical member according to a fourth embodiment of the present invention.

【図8】第4の実施形態におけるクラスタリングされた
製造装置の構成を概略的に示すブロック図である。
FIG. 8 is a block diagram schematically illustrating a configuration of a clustered manufacturing apparatus according to a fourth embodiment.

【図9】第4の実施形態における球面部材に光ファイバ
ー支持装置をスライドさせる機能を付加したときの構造
を示す斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view showing a structure when a function of sliding an optical fiber supporting device is added to a spherical member according to a fourth embodiment.

【図10】第4の実施形態における光学システムを用い
て得られる変調反射率分光スペクトルを従来の光学的シ
ステムによるデータと比較して示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a modulated reflectance spectrum obtained by using the optical system according to the fourth embodiment in comparison with data obtained by a conventional optical system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レンズホルダー部(円筒状ホルダー) 2 光学フィルター 3 第1の光学レンズ 4 第2の光学レンズ 5 光ファイバー固定部(円筒状支持部材) 6 ファイバーカップラー 7 リング 8 固定用部材 9 ネジ溝 10 光線 11 光源 21 チャンバー 22 ウエハ 23 高周波電源 24 カップリングコンデンサ 25 カソード電極 26 アノード電極 27,28 石英窓 30 プラズマ領域 32 光ファイバー 33 光検出・解析装置 34 赤外線発生装置 35,36 光ファイバー A 光ファイバー支持装置 F 光ファイバー Oax 光軸 Dep デポ膜 Inf 赤外線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lens holder part (cylindrical holder) 2 Optical filter 3 1st optical lens 4 2nd optical lens 5 Optical fiber fixing part (cylindrical support member) 6 Fiber coupler 7 Ring 8 Fixing member 9 Screw groove 10 Light beam 11 Light source DESCRIPTION OF SYMBOLS 21 Chamber 22 Wafer 23 High frequency power supply 24 Coupling capacitor 25 Cathode electrode 26 Anode electrode 27, 28 Quartz window 30 Plasma area 32 Optical fiber 33 Optical detection / analysis apparatus 34 Infrared ray generator 35, 36 Optical fiber A Optical fiber support apparatus F Optical fiber Oax Optical axis Dep Depo film Inf Infrared

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H037 AA04 CA21 DA04 DA05 DA06 4K057 DA20 DB06 DD03 DE01 DE11 DJ02 DJ03 DJ07 DM02 DM03 DN01 5F004 AA16 BA04 BA09 CA06 CB02 DA00 DA04 5F045 DP01 DP02 DQ10 EH13 EH14 GB08 GB10  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H037 AA04 CA21 DA04 DA05 DA06 4K057 DA20 DB06 DD03 DE01 DE11 DJ02 DJ03 DJ07 DM02 DM03 DN01 5F004 AA16 BA04 BA09 CA06 CB02 DA00 DA04 5F045 DP01 DP02 DQ10 EH13 EH14 GB08 GB10

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 円筒面の少なくとも一部にネジが形成さ
れた円筒状ホルダーと、 上記円筒状ホルダーの内部に収納された少なくとも1つ
の光学レンズと、 円筒面の少なくとも一部に形成された上記円筒状ホルダ
ーのネジと係合するネジと光ファイバーの端部を固定す
る機能とを有する円筒状支持部材とを備え、 上記円筒状ホルダーと上記円筒状支持部材とを相対的に
回転させることにより上記光学レンズの焦点位置を上記
光ファイバーの端面に一致させることが可能に構成され
ていることを特徴とする光ファイバー支持装置。
1. A cylindrical holder in which a screw is formed on at least a part of a cylindrical surface, at least one optical lens housed inside the cylindrical holder, and the above-mentioned lens formed on at least a part of the cylindrical surface. A cylindrical support member having a screw engaging with a screw of the cylindrical holder and a function of fixing an end of the optical fiber; and a relative rotation of the cylindrical holder and the cylindrical support member, An optical fiber supporting device, wherein a focal position of an optical lens is made to coincide with an end face of the optical fiber.
【請求項2】 請求項1記載の光ファイバー支持装置に
おいて、 上記円筒状ホルダーは、光学フィルターを着脱可能に支
持する機構を有することを特徴とする光ファイバー支持
装置。
2. The optical fiber supporting device according to claim 1, wherein the cylindrical holder has a mechanism for detachably supporting the optical filter.
【請求項3】 請求項1又は2記載の光ファイバー支持
装置において、 上記円筒状ホルダーには、2つの凸状の光学レンズが収
納されており、上記2つの光学レンズのうち一方の光学
レンズにより受けた光を平行光線にするとともに他方の
光学レンズにより上記平行光線を焦点位置に集光させる
ように構成されていることを特徴とする光ファイバー支
持装置。
3. The optical fiber supporting device according to claim 1, wherein the cylindrical holder accommodates two convex optical lenses, and receives the convex optical lens by one of the two optical lenses. An optical fiber supporting device configured to convert the collimated light into a parallel light beam and to condense the parallel light beam to a focal position by another optical lens.
【請求項4】 ウエハを処理するための容器と、 上記容器から出る光を観測するための観測手段と、 上記容器から出る光を上記観測手段まで案内するための
光導出用光ファイバーと、 上記容器の一部に取り付けられ、上記光導出用光ファイ
バーを支持するための光導出用光ファイバー支持装置と
を備え、 上記光導出用光ファイバー支持装置は、 円筒面の少なくとも一部にネジが形成された円筒状ホル
ダーと、 上記円筒状ホルダーの内部に収納された少なくとも1つ
の光学レンズと、 円筒面の少なくとも一部に形成された上記円筒状ホルダ
ーのネジと係合するネジと光ファイバーの端部を固定す
る機能とを有する円筒状支持部材とを有し、 上記円筒状ホルダーと上記円筒状支持部材とを相対的に
回転させることにより上記光学レンズの焦点位置を上記
光導出用光ファイバーの端面に一致させることが可能に
構成されていることを特徴とする半導体装置の製造装
置。
4. A container for processing a wafer, observation means for observing light emitted from the container, an optical fiber for guiding light emitted from the container to the observation means, and the container And a light guiding optical fiber supporting device for supporting the light guiding optical fiber, wherein the light guiding optical fiber supporting device has a cylindrical shape in which a screw is formed on at least a part of a cylindrical surface. A holder; at least one optical lens housed inside the cylindrical holder; and a function for fixing an end of the optical fiber to a screw engaging with a screw of the cylindrical holder formed on at least a part of a cylindrical surface. And a cylindrical support member having the following: a focus of the optical lens by relatively rotating the cylindrical holder and the cylindrical support member. Apparatus for manufacturing a semiconductor device characterized by being configured to be capable to match the location on the end face of the optical fiber for the light derived.
【請求項5】 請求項4記載の半導体装置の製造装置に
おいて、 測定用光を発生する光発生手段と、 上記測定光を上記容器内に案内するための光導入用光フ
ァイバーと、 上記光導入用光ファイバーを支持するための光導入用光
ファイバー支持装置とをさらに備え、 上記光導入用光ファイバー支持装置は、 円筒面の少なくとも一部にネジが形成された円筒状ホル
ダーと、 上記円筒状ホルダーの内部に収納された少なくとも1つ
の光学レンズと、 円筒面の少なくとも一部に形成された上記円筒状ホルダ
ーのネジと係合するネジと光ファイバーの端部を固定す
る機能とを有する円筒状支持部材とを有し、 上記円筒状ホルダーと上記円筒状支持部材とを相対的に
回転させることにより上記光学レンズの焦点位置を上記
光導入用光ファイバーの端面に一致させることが可能に
構成されていて、 上記光導出用光ファイバー支持装置は、上記光導入用光
ファイバー支持装置から上記容器内に導入された測定光
が上記容器から出る位置に取り付けられていることを特
徴とする半導体装置の製造装置。
5. The apparatus for manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein: a light generating means for generating measuring light; a light introducing optical fiber for guiding the measuring light into the container; The optical fiber supporting device for light introduction for supporting an optical fiber is further provided, wherein the optical fiber supporting device for light introduction includes a cylindrical holder in which a screw is formed on at least a part of a cylindrical surface, and an inside of the cylindrical holder. At least one optical lens housed therein, and a cylindrical support member having a screw engaging with a screw of the cylindrical holder formed on at least a part of a cylindrical surface and having a function of fixing an end of the optical fiber. And, by relatively rotating the cylindrical holder and the cylindrical support member, the focal position of the optical lens is adjusted to the end face of the light introducing optical fiber. It is configured to be able to match, the light guiding optical fiber support device is attached at a position where the measurement light introduced into the container from the light introduction optical fiber support device is emitted from the container. Characteristic semiconductor device manufacturing equipment.
【請求項6】 請求項5記載の半導体装置の製造装置に
おいて、 上記光導入用光ファイバー支持装置と上記光導出用光フ
ァイバー支持装置とを球面上で保持するための球面部材
をさらに備えていることを特徴とする半導体装置の製造
装置。
6. An apparatus for manufacturing a semiconductor device according to claim 5, further comprising a spherical member for holding said light introducing optical fiber supporting device and said light guiding optical fiber supporting device on a spherical surface. Characteristic semiconductor device manufacturing equipment.
【請求項7】 請求項5記載の半導体装置の製造装置に
おいて、 上記球面部材は、上記光導入用光ファイバー支持装置と
上記光導出用光ファイバー支持装置とを球面上で互いに
反対方向に同じ量だけ連動して移動させることが可能に
構成されていることを特徴とする半導体装置の製造装
置。
7. The apparatus for manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein the spherical member interlocks the light introducing optical fiber supporting device and the light guiding optical fiber supporting device by the same amount in opposite directions on a spherical surface. An apparatus for manufacturing a semiconductor device, characterized in that the apparatus is configured to be able to be moved.
【請求項8】 請求項5記載の半導体装置の製造装置に
おいて、 上記ウエハに間欠的に励起光を導入するための励起光供
給手段をさらに備え、 上記観測手段は、上記ウエハに励起光が照射されている
ときと照射されていないときとにおける上記測定光の反
射率を観測するものであり、 上記観測手段の観測結果に基づいて上記ウエハの被測定
部の特性を光変調反射率分光法によって評価することが
可能に構成されていることを特徴とする半導体装置の製
造装置。
8. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 5, further comprising: an excitation light supply means for intermittently introducing excitation light into said wafer; and said observation means irradiating said wafer with excitation light. It is for observing the reflectance of the measurement light when it is being irradiated and when it is not illuminated. Based on the observation result of the above-mentioned observation means, the characteristics of the measured portion of the wafer are measured by light modulation reflectance spectroscopy. An apparatus for manufacturing a semiconductor device, which is configured to be able to be evaluated.
【請求項9】 請求項4〜8のうちいずれか1つに記載
の半導体装置の製造装置において、 上記容器は、ウエハに処理を施すための複数の処理室を
含む空間を大気から遮断した雰囲気に維持するように取
り囲む共通容器であり、クラスタリングされていること
を特徴とする半導体装置の製造装置。
9. An apparatus for manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein the container has a space in which a space including a plurality of processing chambers for processing a wafer is shielded from the atmosphere. An apparatus for manufacturing a semiconductor device, wherein the apparatus is a common container that is surrounded so as to be maintained in a cluster and is clustered.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6734983B2 (en) 2000-08-22 2004-05-11 Oki Electric Industry Co., Ltd. End point detector for etching equipment

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