JP2000183433A - Solid-state shg laser - Google Patents

Solid-state shg laser

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JP2000183433A
JP2000183433A JP10354798A JP35479898A JP2000183433A JP 2000183433 A JP2000183433 A JP 2000183433A JP 10354798 A JP10354798 A JP 10354798A JP 35479898 A JP35479898 A JP 35479898A JP 2000183433 A JP2000183433 A JP 2000183433A
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JP
Japan
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laser
crystal
solid
resonator
nonlinear optical
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JP10354798A
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Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Suzutsuchi
剛 鈴▲土▼
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Ricoh Co Ltd
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Ricoh Co Ltd
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  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solid-stage second harmonic generation(SHG) laser capable of stabilizing an output, without receiving adverse effects due to heat generated by a laser crystal. SOLUTION: This solid-state SHG laser device 31 can stabilize output by discharging heat generated from a laser crystal 34 to the side of a nonlinear optical crystal 33 arranged in a laser resonator 36 without the use of a specific cooling wheel by using end surface exciting structure for bringing the crystal 34 into contact with the crystal 33 at extraction of a 2nd higher harmonic wave converted by the crystal 33 and making excited light generated from a laser exciting light source 32 incident from the side of the crystal 33 emit to the crystal 34.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光ピックアップや
レーザプリンタ用の書込み光源、或いは、光計測用光
源、非線形波長変換用の励起用光源等に応用可能な固体
レーザ装置、特に、そのレーザ共振器内部に非線形光学
結晶が配設されてSHG(第2高調波)を生成・出力し
得る固体SHGレーザ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid-state laser device applicable to a writing light source for an optical pickup or a laser printer, a light source for optical measurement, a light source for excitation for nonlinear wavelength conversion, and the like. The present invention relates to a solid-state SHG laser device in which a non-linear optical crystal is provided inside a vessel and can generate and output SHG (second harmonic).

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、高出力半導体レーザの低価格化に
伴い半導体レーザ励起固体レーザ装置の研究開発・商品
化が盛んになってきている。半導体レーザ励起固体レー
ザ装置は、従来のランプ励起と比較して、励起光源のス
ペクトル幅が狭いため、非常に高効率であり、また、励
起光源である半導体レーザも小さく、小型化・高効率化
に適したレーザである。また、半導体レーザ励起固体レ
ーザは高出力の室温連続発振、高品質ビームのレーザ発
振などが可能なだけでなく、エネルギーの蓄積性、周波
数の安定性にも大変優れている、という特徴を有する。
このため、小型高効率かつ高品質のレーザ光源としてか
なり期待されている。
2. Description of the Related Art In recent years, research and development and commercialization of a semiconductor laser pumped solid-state laser device have been actively pursued with a reduction in the price of a high-power semiconductor laser. Semiconductor laser-pumped solid-state laser devices have very high efficiency because the excitation light source has a narrower spectral width than conventional lamp pumping, and the semiconductor laser, which is the pumping light source, is also small, making it more compact and more efficient. It is a suitable laser. Further, the semiconductor laser pumped solid-state laser is characterized by not only being capable of continuous oscillation at room temperature with high output and laser oscillation of high quality beam, but also being extremely excellent in energy storage and frequency stability.
Therefore, it is expected to be a small, highly efficient and high quality laser light source.

【0003】また、このような固体レーザと非線形光学
結晶を用いた波長変換技術も盛んに研究開発・商品化が
進んでいる。特に、固体レーザ基本波の第2高調波発生
は固体レーザ基本波の良好なビーム特性を損なわず波長
のみを半分に変換できることから、将来のブルー、グリ
ーンなどの可視光源として、さらに、第4高調波発生に
よる紫外光源用励起光源として期待され、研究・商品開
発が盛んに行なわれている。
[0003] Also, research and development and commercialization of a wavelength conversion technology using such a solid-state laser and a nonlinear optical crystal have been actively pursued. In particular, since the second harmonic generation of the solid-state laser fundamental wave can convert only the wavelength to half without deteriorating the good beam characteristics of the solid-state laser fundamental wave, it can be used as a visible light source such as blue and green in the future. It is expected as an excitation light source for ultraviolet light sources by wave generation, and research and product development are being actively conducted.

【0004】これらのレーザ光源の用途は、加工、計
測、通信など多岐にわたっているが、レーザプリンタ用
光源や光ピックアップ用光源などの光源では、光源とし
ての安定性や高効率化、横モード品質などの高品質化が
望まれている。また、これらのレーザ光源の商品化に関
しては、デバイス製作コストや部品コストなどを低減さ
せることによる低コスト化も望まれている。即ち、高効
率、高品質、かつ、低価格なレーザ光源が商品として期
待されている。このようなことから、これまでに様々な
発明や研究がなされている。
[0004] These laser light sources are used in a wide variety of applications such as processing, measurement, and communication. However, light sources such as a laser printer light source and an optical pickup light source are more stable, have higher efficiency, and have better lateral mode quality. There is a demand for higher quality. In addition, with regard to commercialization of these laser light sources, cost reduction by reducing device manufacturing costs, component costs, and the like is also desired. That is, a high-efficiency, high-quality, and low-cost laser light source is expected as a commercial product. For this reason, various inventions and researches have been made so far.

【0005】固体SHGレーザ光源の出力安定化を目的
とした一つの従来例として、特開平8−181374号
公報に示されるレーザダイオード励起固体レーザがある
(第1の従来例)。これは、出力安定化のためにAPC
駆動を行なっているが、さらなる安定化のため、光学部
品での温度不安定性による出力不安定性を改善するため
に、光学部品全体を温度調節手段を用いて温度の安定化
を図るようにしたものである。具体的には、図7及び図
8に示すように、Nd:YAG結晶(レーザ結晶)1と
共振器ミラー2とにより構成されたファブリペロ型の共
振器3から出射される固体レーザビーム(第2高調波)
4の光強度をAPC用の光検出器5により検出し、この
光検出器5の出力信号に基づいてAPC回路6により励
起用の半導体レーザ7の駆動を制御するレーザダイオー
ド励起固体レーザにおいて、固体レーザビーム(第2高
調波)4が光検出器5に至るまでの光路に配設させたダ
イクロイックフィルタ8等の光学部品を、ペルチェ素子
9等の温度調節手段により所定の温度に保つようにした
ものである。10はヒートシンクである。これにより、
レーザ出力の安定化を達成できるというものである。
As one conventional example for stabilizing the output of a solid state SHG laser light source, there is a laser diode pumped solid state laser disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-181374 (first conventional example). This is APC for output stabilization.
Drives, but in order to further stabilize the output instability due to temperature instability in the optical components, to stabilize the temperature of the entire optical components using temperature control means It is. Specifically, as shown in FIGS. 7 and 8, a solid-state laser beam (second laser beam) emitted from a Fabry-Perot resonator 3 including an Nd: YAG crystal (laser crystal) 1 and a resonator mirror 2 is used. harmonic)
4 is detected by an APC photodetector 5, and based on an output signal of the photodetector 5, an APC circuit 6 controls the driving of a pumping semiconductor laser 7. Optical components such as a dichroic filter 8 disposed in an optical path where the laser beam (second harmonic) 4 reaches the photodetector 5 are maintained at a predetermined temperature by a temperature control means such as a Peltier element 9. Things. 10 is a heat sink. This allows
The laser output can be stabilized.

【0006】また、同様に、固体SHGレーザ光源の出
力安定化を目的とした他の従来例として、特開平9−6
4471号公報に示される固体レーザ装置がある(第2
の従来例)。これは、出力安定化のために、縦モードの
単一化を図り、モード競合のノイズを抑制するようにし
たものである。具体的には、図9に示すように、レーザ
媒質11及び非線形光学素子12を含む光共振器13
と、レーザ媒質11を励起する半導体レーザ14とを備
え、レーザ媒質11で生じた基本波15を非線形光学素
子12によって第2高調波に変換して出力光16を放射
する固体レーザ装置において、基本波15が光共振器1
3を一度通過するときに第2高調波に変換される効率
が、基本波15が光共振器13を1往復するときのロス
の1/2以上であり、かつ、非線形光学素子12におけ
る波長変換効率の半値波長全幅がレーザ媒質11の自然
発光強度の半値波長全幅の1/2以上となるように構成
されている。これにより、いわゆるグリーンプロブレム
は解消され、出力が安定化する。
Another conventional example for stabilizing the output of a solid-state SHG laser light source is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-6 / 1997.
There is a solid-state laser device disclosed in Japanese Patent No. 4471 (No. 2).
Conventional example). This is to stabilize the output by stabilizing the vertical mode and to suppress noise due to mode competition. Specifically, as shown in FIG. 9, an optical resonator 13 including a laser medium 11 and a nonlinear optical element 12 is provided.
And a semiconductor laser 14 that excites the laser medium 11, and converts a fundamental wave 15 generated in the laser medium 11 into a second harmonic by a nonlinear optical element 12 and emits output light 16. Wave 15 is optical resonator 1
3 is once more than half the loss of the fundamental wave 15 when the fundamental wave 15 makes one round trip through the optical resonator 13, and the wavelength conversion in the nonlinear optical element 12 is performed. The full width at half maximum of the efficiency is set to be equal to or more than の of the full width at half maximum of the natural emission intensity of the laser medium 11. As a result, the so-called green problem is eliminated, and the output is stabilized.

【0007】さらに、固体SHGレーザ光源の出力安定
化を目的とした他の従来例として、特開平9−1162
16号公報に示されるレーザダイオード励起固体レーザ
装置がある(第3の従来例)。これは、出力安定化のた
めに共振器などを保持する部品を熱的、機械的に安定な
状態に置くことで出力の安定化を図るようにしたもので
ある。具体的には、図10に示すように、レーザダイオ
ード21が出力する励起光を共振器22内に設置された
固体レーザ結晶23に照射して励起状態とさせることよ
り発振を行なうレーザダイオード励起固体レーザ装置に
おいて、固体レーザ結晶23及び共振器22を構成する
全反射ミラー24及び出力ミラー25の各々が異なる保
持部材26,27,28により保持し、固体レーザ結晶
23用の保持部材26を熱伝導率の高い材質により形成
し、全反射ミラー24及び出力ミラー25用の保持部材
27,28を熱膨張係数の小さい材質により形成したも
のである。これにより、熱的に安定した装置となり、出
力が安定するというものである。
Another conventional example for stabilizing the output of a solid-state SHG laser light source is disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No.
There is a laser-diode-pumped solid-state laser device disclosed in Japanese Patent Application Publication No. 16 (third conventional example). This is to stabilize the output by placing a component holding a resonator or the like in a thermally and mechanically stable state for output stabilization. More specifically, as shown in FIG. 10, a laser diode pumped solid-state device that oscillates by irradiating a solid-state laser crystal 23 provided in a resonator 22 with pumping light output from a laser diode 21 to make it excited. In the laser device, each of the solid-state laser crystal 23 and the total reflection mirror 24 and the output mirror 25 constituting the resonator 22 are held by different holding members 26, 27, and 28, and the holding member 26 for the solid-state laser crystal 23 is thermally conducted. The holding members 27 and 28 for the total reflection mirror 24 and the output mirror 25 are formed of a material having a small coefficient of thermal expansion. As a result, the device becomes thermally stable, and the output is stabilized.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところが、第1の従来
例による場合、レーザ結晶1の励起部分での発熱が大き
く、これによる温度変化はレーザ結晶1自体の温度上昇
や熱レンズ効果による出力不安定を引き起こす。図7及
び図8に示す例によれば、レーザ結晶1の放熱をレーザ
結晶1の励起方向と直交する方向に行なっており、上記
の熱的問題が改善されない。即ち、レーザ結晶1自体の
熱分布やこの熱分布による出力不安定性は改善されてい
ないものである。加えて、部品点数も多く、小型化や低
コスト化を図る上でも支障をきたす。
However, in the case of the first conventional example, the heat generated in the excitation portion of the laser crystal 1 is large, and the temperature change due to this causes the output rise due to the temperature rise of the laser crystal 1 itself and the thermal lens effect. Causes stability. According to the examples shown in FIGS. 7 and 8, the heat dissipation of the laser crystal 1 is performed in a direction orthogonal to the excitation direction of the laser crystal 1, and the above-mentioned thermal problem is not improved. That is, the heat distribution of the laser crystal 1 itself and the output instability due to this heat distribution are not improved. In addition, the number of components is large, which hinders miniaturization and cost reduction.

【0009】第2の従来例による場合も同様であり、レ
ーザ媒質11の励起部分での発熱が大きく、これによる
温度変化はレーザ媒質11自体の温度上昇や熱レンズ効
果による出力不安定を引き起こす。図9に示す例によれ
ば、レーザ媒質11の放熱をレーザ媒質11の励起方向
と直交する方向に行なっており、上記の熱的問題が改善
されない。即ち、レーザ媒質11自体の熱分布やこの熱
分布による出力不安定性は改善されていないものであ
る。加えて、励起用の半導体レーザ14と光学部品とを
独立して温調する構成であったり、半導体レーザ14の
集光光学系に大きなレンズを使用することによる装置の
大型化や低コスト化を図れないという問題がある。
The same applies to the case of the second conventional example, in which the heat generated in the excitation portion of the laser medium 11 is large, and a temperature change due to this causes an increase in the temperature of the laser medium 11 itself and output instability due to a thermal lens effect. According to the example shown in FIG. 9, heat is radiated from the laser medium 11 in a direction orthogonal to the excitation direction of the laser medium 11, and the above-described thermal problem is not improved. That is, the heat distribution of the laser medium 11 itself and the output instability due to the heat distribution are not improved. In addition, the temperature of the semiconductor laser 14 for excitation and the optical components are independently controlled, and the size and cost of the apparatus can be reduced by using a large lens for the condensing optical system of the semiconductor laser 14. There is a problem that cannot be achieved.

【0010】第3の従来例による場合も同様であり、固
体レーザ結晶23の励起部分での発熱が大きく、これに
よる温度変化は固体レーザ結晶23自体の温度上昇や熱
レンズ効果による出力不安定を引き起こす。図10に示
す例によれば、固体レーザ結晶23の放熱を固体レーザ
結晶23の励起方向と直交する方向に行なっており、上
記の熱的問題が改善されない。即ち、固体レーザ結晶2
3自体の熱分布やこの熱分布による出力不安定性は改善
されていないものである。加えて、共振器ミラーを2枚
使用したり、レーザダイオード21の集光光学系に大き
なレンズを使用することによる装置の大型化や低コスト
化を図れないという問題がある。
The same applies to the case of the third conventional example, in which the heat generated in the excited portion of the solid-state laser crystal 23 is large, and the temperature change due to this raises the temperature rise of the solid-state laser crystal 23 itself and the output instability due to the thermal lens effect. cause. According to the example shown in FIG. 10, the heat radiation of the solid-state laser crystal 23 is performed in a direction orthogonal to the excitation direction of the solid-state laser crystal 23, and the above-mentioned thermal problem is not improved. That is, the solid-state laser crystal 2
The heat distribution of 3 itself and the output instability due to this heat distribution are not improved. In addition, there is a problem that the use of two resonator mirrors or the use of a large lens for the condensing optical system of the laser diode 21 makes it impossible to increase the size and cost of the device.

【0011】このように、従来構造による場合、出力の
安定化は意図されているものの、レーザ結晶の発熱を効
率よく取り除けるものがなく、装置自体の小型化にも限
界がある。即ち、出力安定性がよくて小型・高効率でビ
ーム品質に優れた固体SHGレーザ装置は、未だに完成
しておらず、その開発が望まれている。
As described above, although the conventional structure is intended to stabilize the output, there is nothing that can efficiently remove the heat generated by the laser crystal, and there is a limit to miniaturization of the device itself. That is, a solid-state SHG laser device having good output stability, small size, high efficiency, and excellent beam quality has not been completed yet, and its development is desired.

【0012】そこで、本発明は、レーザ結晶の発熱によ
る悪影響を受けることなく出力を安定化させ得る固体S
HGレーザ装置を提供することを目的とする。
Therefore, the present invention provides a solid S which can stabilize the output without being adversely affected by the heat generated by the laser crystal.
An object of the present invention is to provide an HG laser device.

【0013】また、本発明は、加えて、小型化及び低コ
スト化を図り得る固体SHGレーザ装置を提供すること
を目的とする。
Another object of the present invention is to provide a solid-state SHG laser device that can be reduced in size and cost.

【0014】また、本発明は、併せて、横モードの改善
や高効率化を図り得る固体SHGレーザ装置を提供する
ことを目的とする。
Another object of the present invention is to provide a solid-state SHG laser device capable of improving the transverse mode and increasing the efficiency.

【0015】さらに、本発明は、併せて、高効率化及び
ビーム品質の向上を図り得る固体SHGレーザ装置を提
供することを目的とする。
A further object of the present invention is to provide a solid-state SHG laser device capable of improving efficiency and improving beam quality.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
レーザ結晶、レーザ光を共振させるためのレーザ共振
器、前記レーザ結晶を励起させるレーザ励起光源、及
び、前記レーザ共振器内に第2高調波を発生させるため
の非線形光学結晶を備えた固体SHGレーザ装置におい
て、前記レーザ結晶と前記非線形光学結晶とが接触し、
前記非線形光学結晶側より前記レーザ結晶に対して励起
光を入射させる端面励起構造を有する。
According to the first aspect of the present invention,
A solid-state SHG laser including a laser crystal, a laser resonator for resonating laser light, a laser excitation light source for exciting the laser crystal, and a nonlinear optical crystal for generating a second harmonic in the laser resonator. In the apparatus, the laser crystal and the nonlinear optical crystal are in contact with each other,
An end face pumping structure is provided in which pumping light enters the laser crystal from the nonlinear optical crystal side.

【0017】従って、レーザ励起光源からの励起光をレ
ーザ結晶に入射させると、レーザ結晶に添加されている
イオンが励起され、或る波長の蛍光が発光される。ここ
で、励起光の強度を強くしていくに従って蛍光の強度が
強くなり、レーザ共振器によって誘導放出が始まり、さ
らに励起光の強度を強くしていくとレーザ発振が開始さ
れ、レーザ出力が得られる。この際に、共振器内部に非
線形光学結晶を配設し、かつ、共振器の反射率設定をレ
ーザ基本波を閉じ込めて第2高調波を出力させ得る構成
とすることにより、第2高調波を効率よく得ることがで
きる。ここに、レーザ結晶と非線形光学結晶とを接触さ
せ、非線形光学結晶側より励起を行なう端面励起構造と
することによって、レーザ結晶で発生した熱を特別な放
熱板などを用いることなく非線形光学結晶側へ放出させ
ることができる。
Therefore, when the excitation light from the laser excitation light source is made incident on the laser crystal, the ions added to the laser crystal are excited, and fluorescence of a certain wavelength is emitted. Here, as the intensity of the excitation light is increased, the intensity of the fluorescent light is increased, the stimulated emission is started by the laser resonator, and when the intensity of the excitation light is further increased, laser oscillation is started to obtain a laser output. Can be At this time, the second harmonic is output by arranging the nonlinear optical crystal inside the resonator and setting the reflectivity of the resonator so as to confine the laser fundamental wave and output the second harmonic. It can be obtained efficiently. Here, the laser crystal and the nonlinear optical crystal are brought into contact with each other, and the end face excitation structure that excites from the nonlinear optical crystal side is used, so that heat generated by the laser crystal can be transferred to the nonlinear optical crystal side without using a special heat sink. Can be released to

【0018】請求項2記載の発明は、請求項1記載の固
体SHGレーザ装置において、前記レーザ共振器は、前
記レーザ結晶の端面と前記非線形光学結晶の端面とより
なる。
According to a second aspect of the present invention, in the solid-state SHG laser device according to the first aspect, the laser resonator includes an end face of the laser crystal and an end face of the nonlinear optical crystal.

【0019】従って、請求項1記載の固体SHGレーザ
装置を達成する上で、レーザ共振器がレーザ結晶の端面
と非線形光学結晶の端面とよりなるので、小型化及び低
コスト化を図れる。
Therefore, in order to achieve the solid-state SHG laser device of the first aspect, the laser resonator is composed of the end face of the laser crystal and the end face of the nonlinear optical crystal, so that the size and cost can be reduced.

【0020】請求項3記載の発明は、請求項2記載の固
体SHGレーザ装置において、前記非線形光学結晶の光
軸方向の長さが、有効結晶長の1/5以下である。
According to a third aspect of the present invention, in the solid-state SHG laser device according to the second aspect, the length of the nonlinear optical crystal in the optical axis direction is 1/5 or less of the effective crystal length.

【0021】非線形光学結晶の有効結晶長Leff は、結
晶中のビーム半径をWs,ウォークオフ角度をρとした
とき、 Leff =2Ws/(ρ/21/2) で示されるが、非線形光学結晶の光軸方向の長さを有効
結晶長Leff の1/5以下とすることで、位相整合の角
度許容幅を大きくでき、安定な出力を得ることができ
る。
The effective crystal length Leff of the nonlinear optical crystal is represented by Leff = 2Ws / (ρ / 2 1/2 ), where Ws is the beam radius in the crystal and ρ is the walk-off angle. By setting the length in the optical axis direction to 1/5 or less of the effective crystal length Leff, the allowable angle width of the phase matching can be increased and a stable output can be obtained.

【0022】請求項4記載の発明は、請求項1,2又は
3記載の固体SHGレーザ装置において、前記レーザ励
起光源が、半導体レーザである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the solid-state SHG laser device according to the first, second or third aspect, the laser excitation light source is a semiconductor laser.

【0023】従って、レーザ励起光源として発光波長の
半値幅の狭い半導体レーザを用いて半導体レーザ励起固
体SHG装置として構成することにより、レーザ励起光
源の安定性を保てるので、小型にしてより一層の出力安
定化を図れる。
Therefore, by using a semiconductor laser having a narrow half-width of the emission wavelength as a laser excitation light source and configuring it as a semiconductor laser excitation solid state SHG device, the stability of the laser excitation light source can be maintained. Stabilization can be achieved.

【0024】請求項5記載の発明は、請求項4記載の固
体SHGレーザ装置において、光学的に透明な基板上に
集光機能を持たせた曲率形状が形成されて前記半導体レ
ーザからの励起光を前記レーザ共振器に向けて集光する
集光用光学素子を有する。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the solid-state SHG laser device according to the fourth aspect, wherein a curvature shape having a condensing function is formed on an optically transparent substrate, and the excitation light from the semiconductor laser is formed. And a condensing optical element for converging light toward the laser resonator.

【0025】従って、半導体レーザからの励起光をレー
ザ共振器に向けて集光するための集光用光学素子を備え
ることで、横モードの改善や高効率化を図れる。
Therefore, by providing a condensing optical element for condensing the excitation light from the semiconductor laser toward the laser resonator, the transverse mode can be improved and the efficiency can be improved.

【0026】請求項6記載の発明は、請求項5記載の固
体SHGレーザ装置において、前記集光用光学素子は、
前記非線形光学結晶に固着されて一体化されている。
According to a sixth aspect of the present invention, in the solid-state SHG laser device according to the fifth aspect, the condensing optical element comprises:
It is fixed to and integrated with the nonlinear optical crystal.

【0027】従って、請求項5記載の固体SHGレーザ
装置を達成する上で、一層の低コスト化を図れる。
Therefore, in order to achieve the solid-state SHG laser device according to the fifth aspect, the cost can be further reduced.

【0028】請求項7記載の発明は、請求項1ないし6
の何れか一に記載の固体SHGレーザ装置において、前
記レーザ共振器を形成する前記レーザ結晶の端面が曲率
半径形状に加工されている。
[0028] The invention according to claim 7 provides the invention according to claims 1 to 6.
In the solid-state SHG laser device according to any one of the above, an end face of the laser crystal forming the laser resonator is processed to have a radius of curvature.

【0029】従って、レーザ共振器が半共焦点共振器構
成となり、高効率化とビーム品質の向上を図る上で有利
となる。
Accordingly, the laser resonator has a semi-confocal resonator configuration, which is advantageous in achieving high efficiency and improving beam quality.

【0030】請求項8記載の発明は、請求項1ないし6
の何れか一に記載の固体SHGレーザ装置において、前
記非線形光学結晶の端面が曲率半径形状に加工されてい
る。
[0030] The invention according to claim 8 provides the invention according to claims 1 to 6.
In the solid-state SHG laser device according to any one of the above, an end face of the nonlinear optical crystal is processed into a radius of curvature shape.

【0031】従って、レーザ共振器が半共焦点共振器構
成となり、高効率化とビーム品質の向上を図る上で有利
となる上に、レーザ励起光源からの励起光に対する集光
機能を持たせることもできる。
Accordingly, the laser resonator has a semi-confocal resonator configuration, which is advantageous for improving the efficiency and improving the beam quality, and has a function of condensing the excitation light from the laser excitation light source. Can also.

【0032】請求項9記載の発明は、請求項1ないし6
の何れか一に記載の固体SHGレーザ装置において、前
記レーザ共振器を形成する前記レーザ結晶の端面及び前
記非線形光学結晶の端面が曲率半径形状に加工されてい
る。
The ninth aspect of the present invention relates to the first to sixth aspects.
In the solid-state SHG laser device according to any one of the above, an end face of the laser crystal forming the laser resonator and an end face of the nonlinear optical crystal are processed into a radius of curvature.

【0033】従って、レーザ共振器が共焦点共振器構成
となり、高効率化とビーム品質の向上を図る上で有利と
なる上に、レーザ励起光源からの励起光に対する集光機
能を持たせることもできる。
Accordingly, the laser resonator has a confocal resonator configuration, which is advantageous in improving the efficiency and improving the beam quality, and also has a function of condensing the pump light from the laser pump light source. it can.

【0034】[0034]

【発明の実施の形態】本発明の第一の実施の形態を図1
に基づいて説明する。図1は本実施の形態の固体SHG
レーザ31を示す側面図である。この固体SHGレーザ
装置31は、レーザ励起光源としての半導体レーザ32
と非線形光学結晶33とレーザ結晶34とレーザ出力ミ
ラー35とを光軸上に順に配設させることにより構成さ
れている。ここに、非線形光学結晶33の半導体レーザ
32側の端面33aとレーザ出力ミラー35とによりレ
ーザ共振器36が形成されており、その共振器長は例え
ば25mmとされている。従って、レーザ結晶34と非
線形光学結晶33とはレーザ共振器36の内部に配設さ
れていることになる。励起に関しては、端面励起構造で
あり、レーザ光37の出力方向と励起方向とが一致して
いる。また、レーザ結晶34と非線形光学結晶33とは
光学的に透明な接着剤を用いて接触状態で固着されてい
る。
FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
It will be described based on. FIG. 1 shows a solid SHG of the present embodiment.
FIG. 3 is a side view showing a laser 31. The solid-state SHG laser device 31 includes a semiconductor laser 32 as a laser excitation light source.
And a non-linear optical crystal 33, a laser crystal 34, and a laser output mirror 35 are sequentially arranged on the optical axis. Here, a laser resonator 36 is formed by the end face 33a of the nonlinear optical crystal 33 on the semiconductor laser 32 side and the laser output mirror 35, and the resonator length is, for example, 25 mm. Therefore, the laser crystal 34 and the nonlinear optical crystal 33 are disposed inside the laser resonator 36. As for the pumping, the end face pumping structure is used, and the output direction of the laser light 37 coincides with the pumping direction. The laser crystal 34 and the non-linear optical crystal 33 are fixed in contact with each other using an optically transparent adhesive.

【0035】ここに、各部品について、より詳細に説明
する。まず、レーザ結晶34を励起させる半導体レーザ
32としては、発光中心波長808nm、最大出力パワ
ー1W、発光エリアが1×100μmのものが用いられ
ている。光の広がり角はV面方向(活性層に垂直な方
向)で86.4°(=1/e2)、H面方向(活性層に
平行な方向)で13.6°(=1/e2)となってい
る。
Here, each component will be described in more detail. First, as the semiconductor laser 32 for exciting the laser crystal 34, a semiconductor laser having an emission center wavelength of 808 nm, a maximum output power of 1 W, and an emission area of 1 × 100 μm is used. The spread angle of light is 86.4 ° (= 1 / e 2 ) in the V plane direction (direction perpendicular to the active layer) and 13.6 ° (= 1 / e) in the H plane direction (direction parallel to the active layer). 2 ).

【0036】レーザ結晶34は、Ndを1.1at%添
加したaカットのYVO4 結晶であり、その結晶サイズ
は断面サイズが3×3mm2 であり、結晶長が1mmで
ある。その両面には、レーザ発振が可能となるように多
層膜コーティングが施してあり、非線形光学結晶33と
接触しているレーザ光入射側端面は励起光である波長8
08nmに対して透過率が高く(T>99%)、レーザ
基本波である波長1064nmと第2高調波である波長
532nmに対しても透過率が高く(T>99%)設定
されている。レーザ出力ミラー側端面も、レーザ基本波
である波長1064nmと第2高調波である波長532
nmに対しても透過率が高く(T>99%)設定されて
いる。
The laser crystal 34 is an a-cut YVO 4 crystal in which Nd is added at 1.1 at%, and has a crystal size of 3 × 3 mm 2 in cross section and 1 mm in crystal length. The both surfaces are coated with a multilayer film so as to enable laser oscillation, and the end face on the laser light incident side which is in contact with the nonlinear optical crystal 33 has a wavelength 8 which is excitation light.
The transmissivity is set higher than 08 nm (T> 99%), and the transmissivity is also set higher (T> 99%) at a wavelength of 1064 nm, which is a laser fundamental wave, and at a wavelength of 532 nm, which is a second harmonic. The laser output mirror side end face also has a wavelength of 1064 nm which is a fundamental laser beam and a wavelength of 532 which is a second harmonic.
The transmittance is also set high (T> 99%) for nm.

【0037】非線形光学結晶33としては、KTP結晶
が用いられている。その結晶サイズは、断面サイズが4
×4mm2 であり、結晶長(光軸方向の厚さ)が1mm
とされている。この場合、KTP結晶の有効結晶長は約
6.9mm(共振器36中のレーザ基本波サイズが11
0μmであるため)となるが、その1/5以下の長さと
している。結晶のカット角度は、レーザ基本波である波
長1064nmに対してタイプII位相整合が可能である
ようにθ=90°、φ=23.5°とされている。その
両端面には、レーザ発振が可能となるように多層膜コー
ティングが施されている。レーザ結晶34と接触してい
る面は励起光である波長808nmに対して透過率が高
く(T>99%)、レーザ基本波である波長1064n
mと第2高調波である波長532nmに対しても透過率
が高く(T>99%)設定されている。半導体レーザ側
端面も、励起光である波長808nmに対して透過率が
高く(T>99%)、レーザ基本波である波長1064
nmと第2高調波である波長532nmに対して反射率
が高く(R>99%)設定されている。
As the nonlinear optical crystal 33, a KTP crystal is used. Its crystal size is 4
× 4 mm 2 , and the crystal length (thickness in the optical axis direction) is 1 mm
It has been. In this case, the effective crystal length of the KTP crystal is about 6.9 mm (the laser fundamental wave size in the resonator 36 is 11 mm).
0 μm), but the length is 以下 or less. The cut angle of the crystal is set to θ = 90 ° and φ = 23.5 ° so that type II phase matching can be performed with respect to a wavelength of 1064 nm which is a laser fundamental wave. Both end surfaces are coated with a multilayer film so as to enable laser oscillation. The surface in contact with the laser crystal 34 has a high transmittance (T> 99%) with respect to the wavelength of 808 nm, which is the excitation light, and has a wavelength of 1064 n, which is the laser fundamental wave.
The transmittance is also set high (T> 99%) for m and the wavelength 532 nm as the second harmonic. The semiconductor laser side end face also has a high transmittance (T> 99%) with respect to the wavelength of 808 nm which is the excitation light, and has the wavelength 1064 which is the laser fundamental wave.
The reflectance is set to be high (R> 99%) with respect to the wavelength of 532 nm and the second harmonic wavelength of 532 nm.

【0038】レーザ出力ミラー35は曲率半径が50m
mで直径が12.5mmのミラーが用いられている。こ
のレーザ出力ミラー35は第2高調波を効率よく取り出
せるように、レーザ基本波である波長1064nmに対
しては反射率が高く(R>99%)、第2高調波である
波長532nmに対して透過率が高く(99%)なるよ
うに形成されている。このようなミラー構成とすること
により、レーザ結晶34から発生するレーザ基本波をレ
ーザ共振器36内部に閉じ込めることができ、レーザ光
37として高効率の第2高調波出力が得られる。
The laser output mirror 35 has a radius of curvature of 50 m.
A mirror with a diameter of 12.5 mm and a diameter of 12.5 mm is used. The laser output mirror 35 has a high reflectivity (R> 99%) for a laser fundamental wavelength of 1064 nm and a second harmonic wavelength of 532 nm so that the second harmonic can be efficiently extracted. It is formed to have a high transmittance (99%). With such a mirror configuration, a laser fundamental wave generated from the laser crystal 34 can be confined inside the laser resonator 36, and a highly efficient second harmonic output can be obtained as the laser light 37.

【0039】このような構成において、半導体レーザ3
2からの励起光出力はKTP結晶による非線形光学結晶
33を通してNd:YVO4 結晶よるレーザ結晶34に
入射する。これにより、レーザ結晶34から中心波長1
064nmの蛍光が発生し、レーザ共振器36内で誘導
放出が起こりレーザ発振が開始する。ここで、レーザ共
振器36の設定を上記のようにレーザ基本波(励起光の
中心波長)1064nmを閉じ込めることができるよう
にしているので、レーザ共振器36内には高い強度のレ
ーザ基本波が存在することになる。この際に、レーザ共
振器36内に非線形光学結晶33としてKTP結晶を配
置させているので、レーザ共振器36内の高い強度のレ
ーザ基本波を用いて第2高調波への変換を高効率で行な
うことができる。これにより、レーザ出力ミラー35よ
りレーザ光37として第2高調波の出力を高効率で出力
できることになる。
In such a configuration, the semiconductor laser 3
The excitation light output from 2 is incident on a laser crystal 34 made of Nd: YVO 4 crystal through a nonlinear optical crystal 33 made of KTP crystal. Thereby, the center wavelength 1
064 nm fluorescence is generated, stimulated emission occurs in the laser resonator 36, and laser oscillation starts. Here, the laser resonator 36 is set so as to confine the laser fundamental wave (center wavelength of the excitation light) of 1064 nm as described above. Will exist. At this time, since the KTP crystal is arranged as the nonlinear optical crystal 33 in the laser resonator 36, the conversion to the second harmonic is performed with high efficiency by using the high-intensity laser fundamental wave in the laser resonator 36. Can do it. As a result, the output of the second harmonic can be output from the laser output mirror 35 as the laser light 37 with high efficiency.

【0040】この際、この種の固体SHGレーザ装置1
の出力の不安定性の原因の1つに、レーザ結晶34の発
熱が挙げられる。これは、励起波長と発振波長とのエネ
ルギー差によって発生するが、固体SHGレーザ装置1
のような短面励起構造の場合には励起部分の中心かガウ
ス分布のような温度勾配が発生する。ここに、レーザ結
晶34の熱伝導率によってはその温度勾配を或る程度な
だらかにし得るが、空気中においた場合には放熱に限度
があるため、これによる屈折率分布が発生し、レーザ共
振器36が不安定になる。また、その発熱はレーザ結晶
34の励起側端面で最も大きいので、この部分から熱を
取り除くことが最も有効といえる。この点、本実施の形
態では、レーザ結晶34と非線形光学結晶33とを接触
させているため、レーザ結晶34で発生した熱を非線形
光学結晶33により積極的に取り除ける上に、レーザ結
晶34での発熱の最も大きい部分からの放熱が可能とな
り、熱的に安定する。これにより、熱的悪影響を受ける
ことがなく、出力を安定化させることができる。
At this time, this type of solid SHG laser device 1
One of the causes of the instability of the output is heat generation of the laser crystal 34. This is caused by the energy difference between the excitation wavelength and the oscillation wavelength.
In the case of such a short-plane excitation structure, a temperature gradient such as the center of the excitation portion or a Gaussian distribution is generated. Here, depending on the thermal conductivity of the laser crystal 34, the temperature gradient can be moderated to some extent. However, when the laser crystal 34 is placed in the air, there is a limit to heat dissipation, so that a refractive index distribution occurs, and the laser resonator 36 becomes unstable. Further, since the heat generation is greatest at the excitation side end face of the laser crystal 34, it can be said that removing the heat from this portion is most effective. In this regard, in the present embodiment, since the laser crystal 34 and the nonlinear optical crystal 33 are in contact with each other, the heat generated in the laser crystal 34 can be positively removed by the nonlinear optical crystal 33 and the laser crystal 34 Heat can be radiated from the portion generating the largest amount of heat, and it is thermally stable. Thus, the output can be stabilized without being adversely affected by heat.

【0041】また、非線形光学結晶33の有効結晶長L
eff は、結晶中のビーム半径をWs,ウォークオフ角度
をρとしたとき、 Leff =2Ws/(ρ/21/2) で示されるが、本実施の形態では、非線形光学結晶33
の光軸方向の長さが1mmであり、有効結晶長Leff の
1/5以下とされている。通常、第2高調波発生におい
ては非線形光学結晶の結晶長としては約5mm程度のも
のが使いやすさと小型化とのために用いられる。ところ
が、非線形光学結晶の第2高調波への変換においては、
結晶角度の許容幅は結晶長と反比例している。即ち、結
晶長5mmの一般例と結晶長1mmの本実施の形態例と
では角度許容幅に5倍差があることとなる。また、結晶
長5mm程度の一般例による場合には許容幅の狭さから
アライメントが必要になるが、結晶長1mmの本実施の
形態例によればレーザ結晶34と接触させるのみで効率
よく第2高調波を得ることができる。加えて、第2高調
波へ変換されたレーザ基本波は内部損失と同様な効果に
より、基本波強度の低下を招くが、本実施の形態例のよ
うに、結晶長を1/5にすることにより、内部損失を1
/25に激減させることができる。よって、不安定度が
1/100以下となり、出力を大幅に安定させることが
できる。また、本実施の形態では、レーザ共振器36が
平行平板共振器となるため、共振器長が短ければ短い
程、レーザ出力が安定するため、非線形光学結晶33を
1mm以下とすることは重要である。
The effective crystal length L of the nonlinear optical crystal 33 is
eff is represented by Leff = 2Ws / (ρ / 2 1/2 ), where Ws is the beam radius in the crystal and ρ is the walk-off angle. In the present embodiment, the nonlinear optical crystal 33 is used.
Has a length of 1 mm in the optical axis direction, and is 以下 or less of the effective crystal length Leff. Usually, in the second harmonic generation, a nonlinear optical crystal having a crystal length of about 5 mm is used for ease of use and miniaturization. However, in the conversion of the nonlinear optical crystal to the second harmonic,
The allowable width of the crystal angle is inversely proportional to the crystal length. That is, there is a 5-fold difference in the allowable angle width between the general example having a crystal length of 5 mm and the present embodiment having a crystal length of 1 mm. In the case of a general example having a crystal length of about 5 mm, alignment is required due to the narrow allowable width. However, according to the present embodiment having a crystal length of 1 mm, the second example can be efficiently performed only by contacting the laser crystal 34. Harmonics can be obtained. In addition, the laser fundamental wave converted into the second harmonic causes a reduction in the fundamental wave intensity due to the same effect as the internal loss, but the crystal length is reduced to 1/5 as in the present embodiment. Reduces internal loss by 1
/ 25 can be drastically reduced. Therefore, the degree of instability becomes 1/100 or less, and the output can be largely stabilized. In this embodiment, since the laser resonator 36 is a parallel plate resonator, the shorter the resonator length is, the more stable the laser output is. Therefore, it is important to set the nonlinear optical crystal 33 to 1 mm or less. is there.

【0042】また、本実施の形態では、レーザ励起光源
として発光波長の半値幅の狭い半導体レーザ32を用い
ているので、励起光源の安定性を保つことができ、より
一層の出力安定化を図れる上に小型化を図る上でも有利
となる。
In this embodiment, since the semiconductor laser 32 having a narrow half width of the emission wavelength is used as the laser excitation light source, the stability of the excitation light source can be maintained, and the output can be further stabilized. This is also advantageous for miniaturization.

【0043】本発明の第二の実施の形態を図2に基づい
て説明する。図2は本実施の形態の固体SHGレーザ4
1を示す側面図である。この固体SHGレーザ装置41
は、レーザ励起光源としての半導体レーザ42と非線形
光学結晶43とレーザ結晶44とを光軸上に順に配設さ
せることにより構成されている。ここに、非線形光学結
晶43の半導体レーザ42側の端面43aとレーザ結晶
44のレーザ出力方向端面44aとによりレーザ共振器
45が形成されており、その共振器長は例えば約2mm
とされている。従って、レーザ結晶44と非線形光学結
晶43とはレーザ共振器45の内部に配設されているこ
とになる。励起に関しては、端面励起構造であり、レー
ザ光46の出力方向と励起方向とが一致している。ま
た、レーザ結晶44と非線形光学結晶43とは光学的に
透明な接着剤を用いて接触状態で固着されている。
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 shows the solid-state SHG laser 4 of the present embodiment.
FIG. This solid SHG laser device 41
Is configured by sequentially disposing a semiconductor laser 42, a nonlinear optical crystal 43, and a laser crystal 44 as laser excitation light sources on an optical axis. Here, a laser resonator 45 is formed by the end face 43a of the nonlinear optical crystal 43 on the semiconductor laser 42 side and the end face 44a of the laser crystal 44 in the laser output direction, and the length of the resonator is, for example, about 2 mm.
It has been. Therefore, the laser crystal 44 and the nonlinear optical crystal 43 are disposed inside the laser resonator 45. As for the pumping, the end face pumping structure is used, and the output direction of the laser beam 46 and the pumping direction match. The laser crystal 44 and the nonlinear optical crystal 43 are fixed in a contact state using an optically transparent adhesive.

【0044】ここに、各部品について説明する。まず、
半導体レーザ42としては、半導体レーザ32と全く同
じものが用いられている。レーザ結晶44は、基本的に
はレーザ結晶34と同じであるが、透過率、反射率の設
定に関してレーザ出力側は出力ミラーの機能も兼ねるた
め、レーザ出力方向端面44aはレーザ基本波である波
長1064nmに対しては反射率が高く(R>99
%)、第2高調波である波長532nmに対して透過率
が高く(99%)なるように多層膜が形成されている。
非線形光学結晶43としては、非線形光学結晶33と全
く同じものが用いられている。このようなレーザ共振器
45の構成とすることにより、レーザ結晶44から発生
するレーザ基本波をレーザ共振器45の内部に閉じ込め
ることができ、レーザ光46として高効率の第2高調波
出力が得られる。
Here, each component will be described. First,
As the semiconductor laser 42, exactly the same as the semiconductor laser 32 is used. The laser crystal 44 is basically the same as the laser crystal 34, but the laser output side also functions as an output mirror with respect to the setting of the transmittance and the reflectance. For 1064 nm, the reflectance is high (R> 99).
%), And a multilayer film is formed such that the transmittance is high (99%) with respect to the wavelength 532 nm as the second harmonic.
As the nonlinear optical crystal 43, exactly the same as the nonlinear optical crystal 33 is used. With such a configuration of the laser resonator 45, a laser fundamental wave generated from the laser crystal 44 can be confined inside the laser resonator 45, and a highly efficient second harmonic output can be obtained as the laser beam 46. Can be

【0045】このような構成において、半導体レーザ4
2からの励起光出力はKTP結晶による非線形光学結晶
43を通してNd:YVO4 結晶よるレーザ結晶44に
入射する。これにより、レーザ結晶44から中心波長1
064nmの蛍光が発生し、レーザ共振器45内で誘導
放出が起こりレーザ発振が開始する。ここで、レーザ共
振器45の設定をレーザ基本波(励起光の中心波長)1
064nmを閉じ込めることができるようにしているの
で、レーザ共振器45内には高い強度のレーザ基本波が
存在することになる。この際に、レーザ共振器45内に
非線形光学結晶43としてKTP結晶を配置させている
ので、レーザ共振器45内の高い強度のレーザ基本波を
用いて第2高調波への変換を高効率で行なうことができ
る。これにより、レーザ共振器45よりレーザ光46と
して第2高調波の出力を高効率で出力できることにな
る。
In such a configuration, the semiconductor laser 4
The excitation light output from 2 is incident on a laser crystal 44 made of Nd: YVO 4 crystal through a nonlinear optical crystal 43 made of KTP crystal. As a result, the center wavelength 1
064 nm fluorescence is generated, stimulated emission occurs in the laser resonator 45, and laser oscillation starts. Here, the setting of the laser resonator 45 is set to the laser fundamental wave (the center wavelength of the excitation light) 1.
Since 064 nm can be confined, a high-intensity laser fundamental wave exists in the laser resonator 45. At this time, since the KTP crystal is arranged as the nonlinear optical crystal 43 in the laser resonator 45, the conversion to the second harmonic is performed with high efficiency by using the high-intensity laser fundamental wave in the laser resonator 45. Can do it. As a result, the output of the second harmonic as the laser beam 46 from the laser resonator 45 can be output with high efficiency.

【0046】この際、本実施の形態でも、レーザ結晶4
4と非線形光学結晶43とを接触させているため、レー
ザ結晶44で発生した熱を非線形光学結晶43により積
極的に取り除ける上に、レーザ結晶44での発熱の最も
大きい部分からの放熱が可能となり、熱的に安定する。
これにより、熱的悪影響を受けることがなく、出力を安
定化させることができる。また、レーザ共振器45が非
線形光学結晶43の端面43aとレーザ結晶44の端面
44aとにより構成されているので、部品点数を低減さ
せて固体SHGレーザ装置41の小型化を図れる上に、
低コスト化を図れる。
At this time, also in this embodiment, the laser crystal 4
Since the non-linear optical crystal 43 is in contact with the non-linear optical crystal 43, the heat generated in the laser crystal 44 can be positively removed by the non-linear optical crystal 43, and the heat can be radiated from the portion of the laser crystal 44 which generates the most heat. Be thermally stable.
Thus, the output can be stabilized without being adversely affected by heat. Further, since the laser resonator 45 is constituted by the end face 43a of the nonlinear optical crystal 43 and the end face 44a of the laser crystal 44, the number of components can be reduced and the solid-state SHG laser device 41 can be miniaturized.
Cost reduction can be achieved.

【0047】また、非線形光学結晶43の光軸方向の長
さが1mmであり、有効結晶長Leff の1/5以下とし
ているので、第一の実施の形態の場合と同様に、レーザ
結晶44と接触させるのみで効率よく第2高調波を得る
ことができ、内部損失を1/25に激減させることがで
き、よって、不安定度が1/100以下となり、出力を
大幅に安定させることができる。また、本実施の形態で
は、レーザ共振器45が平行平板共振器となるため、共
振器長が短ければ短い程、レーザ出力が安定するため、
非線形光学結晶43を1mm以下とすることは重要であ
る。
Further, since the length of the nonlinear optical crystal 43 in the optical axis direction is 1 mm and is not more than 1/5 of the effective crystal length Leff, the laser crystal 44 and the laser crystal 44 have the same length as in the first embodiment. The second harmonic can be obtained efficiently only by contact, the internal loss can be drastically reduced to 1/25, the instability becomes 1/100 or less, and the output can be largely stabilized. . Further, in this embodiment, since the laser resonator 45 is a parallel plate resonator, the shorter the resonator length is, the more stable the laser output is.
It is important that the nonlinear optical crystal 43 be 1 mm or less.

【0048】また、本実施の形態でも、レーザ励起光源
として発光波長の半値幅の狭い半導体レーザ42を用い
ているので、励起光源の安定性を保つことができ、より
一層の出力安定化を図れる上に小型化を図る上でも有利
となる。
Also, in this embodiment, since the semiconductor laser 42 having a narrow half width of the emission wavelength is used as the laser excitation light source, the stability of the excitation light source can be maintained, and the output can be further stabilized. This is also advantageous for miniaturization.

【0049】本発明の第三の実施の形態を図3に基づい
て説明する。本実施の形態は、第二の実施の形態をベー
スとするものであり、図2で示した部分と同一部分は同
一符号を用いて示し、説明も省略する(以降の各実施の
形態でも同様とする)。図3は本実施の形態の固体SH
Gレーザ51を示す側面図である。本実施の形態の固体
SHGレーザ51では、固体SHGレーザ41に対して
半導体レーザ42とレーザ共振器45との間に位置させ
て集光用光学素子52が付加されている。この集光用光
学素子52は非線形光学素子43のレーザ側の端面43
aに対して接着剤53により固着されている。ここに、
集光用光学素子52は光学的に透明な基板52a上に集
光機能を持つ曲率形状52bが形成されて半導体レーザ
42からの励起レーザ光を集光させるためのものであ
り、本実施の形態では、厚さ550μmの石英基板上に
両凸レンズ形状が形成されている。励起光入射側の曲率
形状52b部分の凸レンズ形状は曲率半径50×400
μmのトーリックレンズ形状とされ、曲率半径の小さい
方向に半導体レーザ42の広がり角の大きい方向を対応
させている。励起光出射側の曲率形状52bは曲率半径
が400μmの円形レンズ形状とされている。また、そ
の両端には誘電体膜による反射防止膜が形成されてお
り、半導体レーザ42の励起光の波長である808nm
に対する反射防止策が施されている。
A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. This embodiment is based on the second embodiment, and the same portions as those shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted (the same applies to each of the following embodiments). And). FIG. 3 shows the solid SH of the present embodiment.
FIG. 2 is a side view showing a G laser 51. In the solid-state SHG laser 51 of the present embodiment, a condensing optical element 52 is added between the solid-state SHG laser 41 and the semiconductor laser 42 and the laser resonator 45. The condensing optical element 52 is a laser-side end face 43 of the nonlinear optical element 43.
a is fixed by an adhesive 53. here,
The condensing optical element 52 has a curvature shape 52b having a condensing function formed on an optically transparent substrate 52a for condensing the excitation laser light from the semiconductor laser 42. In the example, a biconvex lens shape is formed on a quartz substrate having a thickness of 550 μm. The convex lens shape at the curvature shape 52b on the excitation light incident side has a radius of curvature of 50 × 400.
It has a toric lens shape of μm, and the direction in which the radius of curvature of the semiconductor laser 42 is large corresponds to the direction in which the radius of curvature is small. The curvature shape 52b on the excitation light emission side is a circular lens shape having a radius of curvature of 400 μm. Further, an antireflection film made of a dielectric film is formed on both ends thereof, and the wavelength of the excitation light of the semiconductor laser 42 is 808 nm.
Anti-reflection measures are taken.

【0050】本実施の形態による場合も、基本的には第
二の実施の形態の場合と同様に動作し、同様な効果が得
られる。加えて、本実施の形態にあっては、光学的に透
明な基板52a上に曲率形状52bが形成された半導体
レーザ42からの励起光を集光させる集光用光学素子5
2が付加されているので、レーザ結晶44に入射させる
励起光の効率を向上させることができる上に、曲率形状
52bに応じて横モードの品質を向上させることもでき
る。同時に、このような集光用光学素子52が非線形光
学結晶43に固着されて一体化されているので、組立工
程を簡略化させ、低コスト化を図ることもできる。
Also in the case of the present embodiment, operation is basically performed in the same manner as in the second embodiment, and similar effects are obtained. In addition, in the present embodiment, the condensing optical element 5 for condensing the excitation light from the semiconductor laser 42 having the curvature shape 52b formed on the optically transparent substrate 52a.
Since the number 2 is added, the efficiency of the excitation light to be incident on the laser crystal 44 can be improved, and the quality of the transverse mode can be improved according to the curvature shape 52b. At the same time, since the condensing optical element 52 is fixed to and integrated with the nonlinear optical crystal 43, the assembling process can be simplified and the cost can be reduced.

【0051】本発明の第四の実施の形態を図4に基づい
て説明する。図4は本実施の形態の固体SHGレーザ6
1を示す側面図である。本実施の形態の固体SHGレー
ザ61では、前述した固体SHGレーザ41においてレ
ーザ共振器45を形成するレーザ結晶44のレーザ出力
側端面44aに曲率4mmの凸形状の曲率半径形状62
が形成されている。これにより、本実施の形態のレーザ
共振器45は半共焦点共振器構造とされている。この他
の点は、固体SHGレーザ41と同様である。
A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 shows a solid state SHG laser 6 according to the present embodiment.
FIG. In the solid-state SHG laser 61 of the present embodiment, a convex-shaped radius of curvature 62 having a curvature of 4 mm is formed on the laser output side end surface 44a of the laser crystal 44 forming the laser resonator 45 in the solid-state SHG laser 41 described above.
Are formed. Thus, the laser resonator 45 of the present embodiment has a semi-confocal resonator structure. Other points are the same as those of the solid-state SHG laser 41.

【0052】本実施の形態による場合も、基本的には第
二の実施の形態の場合と同様に動作し、同様な効果が得
られる。加えて、本実施の形態にあっては、レーザ共振
器45が半共焦点共振器構造とされているので、平行平
板共振器構造に比べて非線形光学結晶44内でのレーザ
基本波強度を大きくさせることができ、より一層高効率
化を図ることができる。同時に、レーザの横モード品質
を改善することもできる。
In the present embodiment, basically, the operation is the same as that of the second embodiment, and the same effect is obtained. In addition, in the present embodiment, since the laser resonator 45 has a semi-confocal resonator structure, the laser fundamental wave intensity in the nonlinear optical crystal 44 is larger than that of the parallel plate resonator structure. And the efficiency can be further improved. At the same time, the transverse mode quality of the laser can be improved.

【0053】本発明の第五の実施の形態を図5に基づい
て説明する。図5は本実施の形態の固体SHGレーザ7
1を示す側面図である。本実施の形態の固体SHGレー
ザ71では、前述した固体SHGレーザ41においてレ
ーザ共振器45を形成する非線形光学結晶43のレーザ
入射側の端面43aに曲率4mmの凸形状の曲率半径形
状72が形成されている。これにより、本実施の形態の
レーザ共振器45は半共焦点共振器構造とされている。
この他の点は、固体SHGレーザ41と同様である。
A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 shows a solid-state SHG laser 7 of the present embodiment.
FIG. In the solid-state SHG laser 71 of the present embodiment, a convex-shaped radius of curvature 72 having a curvature of 4 mm is formed on the laser incident side end surface 43a of the nonlinear optical crystal 43 forming the laser resonator 45 in the solid-state SHG laser 41 described above. ing. Thus, the laser resonator 45 of the present embodiment has a semi-confocal resonator structure.
Other points are the same as those of the solid-state SHG laser 41.

【0054】本実施の形態による場合も、基本的には第
二の実施の形態の場合と同様に動作し、同様な効果が得
られる。加えて、本実施の形態にあっては、レーザ共振
器45が半共焦点共振器構造とされているので、平行平
板共振器構造に比べて非線形光学結晶44内でのレーザ
基本波強度を大きくさせることができ、より一層高効率
化を図ることができる。同時に、レーザの横モード品質
を改善することもできる。さらには、凸形状の曲率半径
形状72が半導体レーザ42の励起光の入射側に位置し
ており、その励起光に対して集光機能を持つため、レー
ザ結晶44に対して励起光を小さなスポットに集光で
き、この点でもより一層の高効率化を図れる。
In the case of the present embodiment, basically, the operation is the same as that of the second embodiment, and the same effect is obtained. In addition, in the present embodiment, since the laser resonator 45 has a semi-confocal resonator structure, the laser fundamental wave intensity in the nonlinear optical crystal 44 is larger than that of the parallel plate resonator structure. And the efficiency can be further improved. At the same time, the transverse mode quality of the laser can be improved. Further, the convex-shaped radius of curvature 72 is located on the side of the excitation light of the semiconductor laser 42 and has a function of condensing the excitation light. In this respect, the efficiency can be further improved.

【0055】本発明の第六の実施の形態を図6に基づい
て説明する。図6は本実施の形態の固体SHGレーザ8
1を示す側面図である。本実施の形態の固体SHGレー
ザ81では、前述した固体SHGレーザ41においてレ
ーザ共振器45を形成するレーザ結晶44のレーザ出力
側端面44aに曲率2mmの凸形状の曲率半径形状82
が形成されているとともに、レーザ共振器45を形成す
る非線形光学結晶43のレーザ入射側の端面43aに曲
率2mmの凸形状の曲率半径形状83が形成されてい
る。これにより、本実施の形態のレーザ共振器45は共
焦点共振器構造とされている。この他の点は、固体SH
Gレーザ41と同様である。
A sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 shows a solid state SHG laser 8 of the present embodiment.
FIG. In the solid-state SHG laser 81 of the present embodiment, the solid-state SHG laser 41 has a convex curvature radius shape 82 with a curvature of 2 mm on the laser output side end face 44a of the laser crystal 44 forming the laser resonator 45 in the solid-state SHG laser 41 described above.
Are formed, and a convex-shaped radius of curvature 83 having a curvature of 2 mm is formed on an end face 43 a on the laser incident side of the nonlinear optical crystal 43 forming the laser resonator 45. Thus, the laser resonator 45 of the present embodiment has a confocal resonator structure. Another point is that solid SH
It is similar to the G laser 41.

【0056】本実施の形態による場合も、基本的には第
二の実施の形態の場合と同様に動作し、同様な効果が得
られる。加えて、本実施の形態にあっては、レーザ共振
器45が共焦点共振器構造とされているので、平行平板
共振器構造に比べて非線形光学結晶44内でのレーザ基
本波強度を大きくさせることができ、より一層高効率化
を図ることができる。同時に、レーザの横モード品質を
改善することもできる。さらには、半導体レーザ42の
励起光の入射側に凸形状の曲率半径形状83を有し、励
起光に対して集光機能を持つため、レーザ結晶44に対
して励起光を小さなスポットに集光でき、この点でもよ
り一層の高効率化を図れる。
In the present embodiment, basically, the operation is the same as that of the second embodiment, and the same effect is obtained. In addition, in the present embodiment, since the laser resonator 45 has a confocal resonator structure, the laser fundamental wave intensity in the nonlinear optical crystal 44 is increased as compared with the parallel plate resonator structure. The efficiency can be further improved. At the same time, the transverse mode quality of the laser can be improved. Further, the semiconductor laser 42 has a convex radius of curvature 83 on the incident side of the excitation light and has a function of condensing the excitation light, so that the excitation light is condensed on the laser crystal 44 into a small spot. In this respect, the efficiency can be further improved.

【0057】なお、これらの各実施の形態では、レーザ
励起光源である半導体レーザ32,42として1種類の
半導体レーザを示したが、レーザ結晶34,44の吸収
波長に合せた発振波長を持つ半導体レーザであれば使用
可能であり、他の特性の半導体レーザであっても用い得
る。レーザ結晶34,44に関しても、4準位系Nd:
YVO4 結晶の例で説明したが、特にこれに限られるも
のではなく、例えば、4準位系Nd:YAGやNd:L
SBや、3準位系のレーザ結晶(例えば、Yb:YA
G)等であっても適用可能である。また、非線形光学結
晶33,43としても、KTPに限らず、例えば、BB
O結晶やCLBO,LBO,KNなどレーザ基本波に対
して位相整合のとれる結晶材料であれば適用可能であ
る。
In each of these embodiments, one type of semiconductor laser is shown as the semiconductor lasers 32 and 42 as the laser excitation light sources. However, the semiconductor lasers having an oscillation wavelength matching the absorption wavelength of the laser crystals 34 and 44 are shown. Any laser can be used, and a semiconductor laser having other characteristics can also be used. Regarding the laser crystals 34 and 44, the four-level system Nd:
Although described with reference to the example of a YVO 4 crystal, the present invention is not particularly limited to this. For example, a four-level system Nd: YAG or Nd: L
SB or a three-level laser crystal (for example, Yb: YA
G) and the like are applicable. Further, the nonlinear optical crystals 33 and 43 are not limited to KTP, but may be, for example, BB.
Any crystal material such as O crystal, CLBO, LBO, KN, etc., which can be phase-matched to the laser fundamental wave, can be applied.

【0058】[0058]

【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、レーザ結
晶と非線形光学結晶とが接触し、非線形光学結晶側より
レーザ結晶に対して励起光を入射させる端面励起構造を
有するので、第2高調波を効率よく得る上で、レーザ結
晶で発生した熱を特別な放熱板などを用いることなく非
線形光学結晶側へ放出させることができ、出力を安定さ
せることができる。
According to the first aspect of the present invention, the laser crystal and the nonlinear optical crystal are in contact with each other, and the laser crystal has an end face pumping structure in which excitation light is incident on the laser crystal from the nonlinear optical crystal side. In order to efficiently obtain harmonics, heat generated by the laser crystal can be emitted to the nonlinear optical crystal without using a special heat sink or the like, and the output can be stabilized.

【0059】請求項2記載の発明によれば、請求項1記
載の固体SHGレーザ装置を達成する上で、レーザ共振
器がレーザ結晶の端面と非線形光学結晶の端面とよりな
るので、小型化及び低コスト化を図ることができる。
According to the second aspect of the present invention, in order to achieve the solid-state SHG laser device of the first aspect, the laser resonator is formed by the end face of the laser crystal and the end face of the nonlinear optical crystal, so that the size and size can be reduced. Cost reduction can be achieved.

【0060】請求項3記載の発明によれば、請求項2記
載の固体SHGレーザ装置において、非線形光学結晶の
光軸方向の長さを有効結晶長の1/5以下としたので、
位相整合の角度許容幅を大きくでき、安定な出力を得る
ことができる。
According to the third aspect of the present invention, in the solid-state SHG laser device according to the second aspect, the length of the nonlinear optical crystal in the optical axis direction is set to 1/5 or less of the effective crystal length.
The angle tolerance of the phase matching can be increased, and a stable output can be obtained.

【0061】請求項4記載の発明によれば、請求項1,
2又は3記載の固体SHGレーザ装置において、レーザ
励起光源として発光波長の半値幅の狭い半導体レーザを
用いて半導体レーザ励起固体SHG装置として構成した
ので、レーザ励起光源の安定性を保つことができ、小型
にしてより一層の出力安定化を図ることができる。
According to the invention described in claim 4, according to claim 1,
In the solid-state SHG laser device described in 2 or 3, the semiconductor laser-excited solid-state SHG device is configured by using a semiconductor laser having a narrow half-width of the emission wavelength as the laser excitation light source, so that the stability of the laser-excitation light source can be maintained. The output can be further stabilized by reducing the size.

【0062】請求項5記載の発明によれば、請求項4記
載の固体SHGレーザ装置において、半導体レーザから
の励起光をレーザ共振器に向けて集光するための集光用
光学素子を備えるので、横モードの改善や高効率化を図
ることができる。
According to the fifth aspect of the present invention, the solid-state SHG laser device according to the fourth aspect is provided with the condensing optical element for condensing the excitation light from the semiconductor laser toward the laser resonator. In addition, the lateral mode can be improved and the efficiency can be increased.

【0063】請求項6記載の発明によれば、請求項5記
載の固体SHGレーザ装置において、集光用光学素子が
非線形光学結晶に固着されて一体化されているので、請
求項5記載の固体SHGレーザ装置を達成する上で、一
層の低コスト化を図ることができる。
According to the sixth aspect of the present invention, in the solid state SHG laser device according to the fifth aspect, the condensing optical element is fixed to and integrated with the nonlinear optical crystal. In achieving the SHG laser device, further cost reduction can be achieved.

【0064】請求項7記載の発明によれば、請求項1な
いし6の何れか一に記載の固体SHGレーザ装置におい
て、レーザ共振器を形成するレーザ結晶の端面が曲率半
径形状に加工されているので、レーザ共振器が半共焦点
共振器構成となり、高効率化とビーム品質の向上を図る
上で有利となる。
According to a seventh aspect of the present invention, in the solid-state SHG laser device according to any one of the first to sixth aspects, the end face of the laser crystal forming the laser resonator is processed into a radius of curvature. Therefore, the laser resonator has a semi-confocal resonator configuration, which is advantageous in achieving high efficiency and improving beam quality.

【0065】請求項8記載の発明によれば、請求項1な
いし6の何れか一に記載の固体SHGレーザ装置におい
て、非線形光学結晶の端面が曲率半径形状に加工されて
いるので、レーザ共振器が半共焦点共振器構成となり、
高効率化とビーム品質の向上を図る上で有利となる上
に、励起光源からの励起光に対する集光機能を持たせる
こともできる。
According to the eighth aspect of the present invention, in the solid-state SHG laser device according to any one of the first to sixth aspects, the end face of the nonlinear optical crystal is processed into a radius of curvature, so that the laser resonator is formed. Becomes a semi-confocal resonator configuration,
In addition to being advantageous in achieving high efficiency and improving the beam quality, it can also have a function of condensing the excitation light from the excitation light source.

【0066】請求項9記載の発明によれば、請求項1な
いし6の何れか一に記載の固体SHGレーザ装置におい
て、レーザ共振器を形成するレーザ結晶の端面及び非線
形光学結晶の端面が曲率半径形状に加工されているの
で、レーザ共振器が共焦点共振器構成となり、高効率化
とビーム品質の向上を図る上で有利となる上に、励起光
源からの励起光に対する集光機能を持たせることもでき
る。
According to the ninth aspect of the present invention, in the solid-state SHG laser device according to any one of the first to sixth aspects, the end face of the laser crystal forming the laser resonator and the end face of the nonlinear optical crystal have a radius of curvature. Because it is processed into a shape, the laser resonator has a confocal resonator configuration, which is advantageous for achieving high efficiency and improving beam quality, and has a function of condensing excitation light from the excitation light source. You can also.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第一の実施の形態の固体SHGレーザ
を示す側面図である。
FIG. 1 is a side view showing a solid-state SHG laser according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第二の実施の形態の固体SHGレーザ
を示す側面図である。
FIG. 2 is a side view showing a solid-state SHG laser according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第三の実施の形態の固体SHGレーザ
を示す側面図である。
FIG. 3 is a side view showing a solid-state SHG laser according to a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第四の実施の形態の固体SHGレーザ
を示す側面図である。
FIG. 4 is a side view showing a solid-state SHG laser according to a fourth embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第五の実施の形態の固体SHGレーザ
を示す側面図である。
FIG. 5 is a side view showing a solid-state SHG laser according to a fifth embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第六の実施の形態の固体SHGレーザ
を示す側面図である。
FIG. 6 is a side view showing a solid-state SHG laser according to a sixth embodiment of the present invention.

【図7】第一の従来例を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a first conventional example.

【図8】その側面図である。FIG. 8 is a side view thereof.

【図9】第二の従来例を示す側面図である。FIG. 9 is a side view showing a second conventional example.

【図10】第三の従来例を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a third conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

32 半導体レーザ、レーザ励起光源 33 非線形光学結晶 34 レーザ結晶 36 レーザ共振器 42 半導体レーザ、レーザ励起光源 43 非線形光学結晶 43a 端面 44 レーザ結晶 44a 端面 45 レーザ共振器 52 集光用光学素子 52a 基板 52b 曲率形状 62,72,82,83 曲率半径形状 Reference Signs List 32 semiconductor laser, laser excitation light source 33 nonlinear optical crystal 34 laser crystal 36 laser resonator 42 semiconductor laser, laser excitation light source 43 nonlinear optical crystal 43a end face 44 laser crystal 44a end face 45 laser resonator 52 light-collecting optical element 52a substrate 52b curvature Shape 62,72,82,83 Radius of curvature

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レーザ結晶、レーザ光を共振させるため
のレーザ共振器、前記レーザ結晶を励起させるレーザ励
起光源、及び、前記レーザ共振器内に第2高調波を発生
させるための非線形光学結晶を備えた固体SHGレーザ
装置において、 前記レーザ結晶と前記非線形光学結晶とが接触し、前記
非線形光学結晶側より前記レーザ結晶に対して励起光を
入射させる端面励起構造を有することを特徴とする固体
SHGレーザ装置。
1. A laser crystal, a laser resonator for resonating laser light, a laser excitation light source for exciting the laser crystal, and a non-linear optical crystal for generating a second harmonic in the laser resonator. A solid-state SHG laser device comprising: a solid-state SHG having an end-face excitation structure in which the laser crystal and the nonlinear optical crystal are in contact with each other and excitation light is incident on the laser crystal from the nonlinear optical crystal side. Laser device.
【請求項2】 前記レーザ共振器は、前記レーザ結晶の
端面と前記非線形光学結晶の端面とよりなることを特徴
とする請求項1記載の固体SHGレーザ装置。
2. The solid-state SHG laser device according to claim 1, wherein said laser resonator comprises an end face of said laser crystal and an end face of said nonlinear optical crystal.
【請求項3】 前記非線形光学結晶の光軸方向の長さ
が、有効結晶長の1/5以下であることを特徴とする請
求項2記載の固体SHGレーザ装置。
3. The solid-state SHG laser device according to claim 2, wherein the length of the nonlinear optical crystal in the optical axis direction is 1/5 or less of the effective crystal length.
【請求項4】 前記レーザ励起光源が、半導体レーザで
あることを特徴とする請求項1,2又は3記載の固体S
HGレーザ装置。
4. The solid state S according to claim 1, wherein said laser excitation light source is a semiconductor laser.
HG laser device.
【請求項5】 光学的に透明な基板上に集光機能を持た
せた曲率形状が形成されて前記半導体レーザからの励起
光を前記レーザ共振器に向けて集光する集光用光学素子
を有することを特徴とする請求項4記載の固体SHGレ
ーザ装置。
5. A condensing optical element having a curved shape having a condensing function formed on an optically transparent substrate and condensing excitation light from the semiconductor laser toward the laser resonator. The solid-state SHG laser device according to claim 4, comprising:
【請求項6】 前記集光用光学素子は、前記非線形光学
結晶に固着されて一体化されていることを特徴とする請
求項5記載の固体SHGレーザ装置。
6. The solid-state SHG laser device according to claim 5, wherein said condensing optical element is fixed to and integrated with said nonlinear optical crystal.
【請求項7】 前記レーザ共振器を形成する前記レーザ
結晶の端面が曲率半径形状に加工されていることを特徴
とする請求項1ないし6の何れか一に記載の固体SHG
レーザ装置。
7. The solid SHG according to claim 1, wherein an end face of the laser crystal forming the laser resonator is processed to have a radius of curvature.
Laser device.
【請求項8】 前記非線形光学結晶の端面が曲率半径形
状に加工されていることを特徴とする請求項1ないし6
の何れか一に記載の固体SHGレーザ装置。
8. An end face of said nonlinear optical crystal is processed into a radius of curvature shape.
The solid-state SHG laser device according to any one of the above.
【請求項9】 前記レーザ共振器を形成する前記レーザ
結晶の端面及び前記非線形光学結晶の端面が曲率半径形
状に加工されていることを特徴とする請求項1ないし6
の何れか一に記載の固体SHGレーザ装置。
9. An end face of said laser crystal forming said laser resonator and an end face of said nonlinear optical crystal are processed into a radius of curvature.
The solid-state SHG laser device according to any one of the above.
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