JP2000182918A - Developing device - Google Patents

Developing device

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JP2000182918A
JP2000182918A JP10360113A JP36011398A JP2000182918A JP 2000182918 A JP2000182918 A JP 2000182918A JP 10360113 A JP10360113 A JP 10360113A JP 36011398 A JP36011398 A JP 36011398A JP 2000182918 A JP2000182918 A JP 2000182918A
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Japan
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liquid
temperature
developing
solution
wafer
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Shiyouji Nohama
祥二 野浜
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To control the temperature of a developer liquid and rinse liquid (normally, water of high purity) supplied on a body to be processed, for example, a semiconductor wafer to an optimum value according to the kind of developer liquid. SOLUTION: A developer liquid and rinse liquid are supplied on a wafer 8 through an inner pipe 13 of pipings 13a and 14a of double piping structure, respectively, while a constant temperature liquid for the temperature for adjusting with developer liquid and rinse liquid is allowed to pass outer pipes 19 and 20. The constant temperature liquid is circulated between the outer pipes 19 and 20 of the pipings 13a and 14a and a constant-temperature liquid- temperature adjusting circulation device through a supply pipe and discharge pipe so that the temperature is stably kept at a specified value.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、現像装置、特に、
被処理体の表面に現像液とリンス液を供給して現像を行
う現像装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a developing device,
The present invention relates to a developing device that performs development by supplying a developing solution and a rinsing liquid to the surface of a processing target.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の製造において、フォトリソ
グラフィ技術は不可欠であり、そのフォトリソグラフィ
技術には露光と共に現像が不可欠である。図3(A)は
半導体装置の製造に用いられる露光塗布現像装置の概略
を示す平面図である。図において、1はインデクサ、2
はホットプレート、3はクーリングプレート、4はホッ
トプレート、5はクーリングプレート、6は露光投影装
置、7はウェハカセット、8はウェハ、9は塗布ユニッ
ト、10はウェハ搬送ロボット、11は現像装置(現像
ユニット)、12は現像装置11の塗布機構であり、こ
れらの装置、機構は図3(A)に示すように配置されて
いる。
2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, photolithography technology is indispensable, and the photolithography technology requires development as well as exposure. FIG. 3A is a plan view schematically showing an exposure coating and developing apparatus used for manufacturing a semiconductor device. In the figure, 1 is an indexer, 2
Is a hot plate, 3 is a cooling plate, 4 is a hot plate, 5 is a cooling plate, 6 is an exposure projection device, 7 is a wafer cassette, 8 is a wafer, 9 is a coating unit, 10 is a wafer transfer robot, and 11 is a developing device ( Developing units) and 12 are coating mechanisms of the developing device 11, and these devices and mechanisms are arranged as shown in FIG.

【0003】図3(B)は現像装置の従来例を示す概略
構成図であり、13はリンス液(一般には純水)を供給
するリンス液ノズル、14は現像液を供給する現像液ノ
ズル、15はウェハチャック、16は現像カップ、17
は該ウェハチャック15の回転方向を示す矢印、18は
チャック回転モータである。
FIG. 3B is a schematic configuration diagram showing a conventional example of a developing device. A rinsing liquid nozzle 13 supplies a rinsing liquid (generally pure water), a developing liquid nozzle 14 supplies a developing liquid, 15 is a wafer chuck, 16 is a developing cup, 17
Denotes an arrow indicating the rotation direction of the wafer chuck 15, and 18 denotes a chuck rotation motor.

【0004】先ず、図3(A)に従って露光がどのよう
に行われるかについて説明する。露光ユニット9内にて
感光性の有機材料であるフォトレジストを表面に塗布し
たウェハ8をホットプレート2やクーリングプレート3
を経て露光投影装置6内に送り、該装置6内においてウ
ェハ8表面にマスク越しにUV光を照射して露光する。
その後、そのウェハ8を更にホットプレート4、クーリ
ングプレート5を経て現像装置11に送り、そこで現像
を行うのである。
First, how the exposure is performed will be described with reference to FIG. In the exposure unit 9, the wafer 8 coated with a photoresist, which is a photosensitive organic material, is coated on the hot plate 2 or the cooling plate 3.
After that, the wafer 8 is sent into an exposure projection apparatus 6, where the surface of the wafer 8 is irradiated with UV light through a mask in the apparatus 6 for exposure.
After that, the wafer 8 is further sent to the developing device 11 via the hot plate 4 and the cooling plate 5, where the development is performed.

【0005】現像装置11では、リンス液ノズル13か
らリンス液である純水がウェハ8表面上に供給され、現
像液ノズル14からは純水、アルカリ現像液の順で液が
ウェハ8表面上にかけられ、該アルカリ現像液が盛られ
た状態で約60秒間放置し、その後、再び上記リンス液
ノズル13から純水をウェハ8上にかけてリンスし、そ
の後、ウェハ8を高速回転させてその純水を振り切る。
これによりウェハ8上におけるパターニングが終了す
る。
In the developing device 11, pure water as a rinsing liquid is supplied from a rinsing liquid nozzle 13 onto the surface of the wafer 8, and pure water and an alkali developing liquid are applied from the developing liquid nozzle 14 on the surface of the wafer 8 in this order. Then, the substrate is left standing for about 60 seconds in a state where the alkaline developer is filled, and thereafter, pure water is rinsed again from the rinsing liquid nozzle 13 onto the wafer 8, and then the wafer 8 is rotated at a high speed to remove the pure water. Shake off.
Thus, the patterning on the wafer 8 is completed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、パターニン
グにおいて重要なことの一つは、ウェハ上に均一に所定
パターンを転写することであり、均一にパターンを転写
するには、ウェハ上に供給された現像液の温度を適切な
温度範囲にすることが必要である。もし、その温度範囲
外だと、パターンの転写の均一性が悪くなり、全体に渡
って高くて均一な解像度でのパターニングが難しくな
る。
One of the important things in patterning is to transfer a predetermined pattern uniformly on a wafer. In order to transfer the pattern uniformly, it is necessary to transfer a predetermined pattern onto the wafer. It is necessary to keep the temperature of the developer within an appropriate temperature range. If the temperature is out of the range, the uniformity of pattern transfer deteriorates, and it becomes difficult to perform patterning with high and uniform resolution over the whole.

【0007】しかるに、従来においては一般的に現像装
置11へ純水を供給する純水ライン及び現像液を供給す
る現像液ラインにおける温度調節が行われていなかっ
た。従って、パターンの転写の均一性を充分に高くする
ことが難しく、また、現像に要する時間も長くなりがち
であった。尤も、現像ラインについて温度調整するよう
にする場合も存在したが、しかし、その場合でも純水に
ついては温度調整が為されていないので、温度制御は不
完全であり、転写の均一性は充分に高めることが難しい
という問題からは解放されていなかった。
Conventionally, however, temperature control in a pure water line for supplying pure water to the developing device 11 and a developing solution line for supplying a developing solution has not been generally performed. Therefore, it is difficult to sufficiently increase the uniformity of pattern transfer, and the time required for development tends to be long. Of course, there were cases where the temperature was adjusted for the development line, but even in that case, the temperature was not adjusted for pure water, so the temperature control was incomplete, and the uniformity of transfer was sufficiently high. It was not free from the problem of difficulty in raising.

【0008】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、被処理体、例えば半導体ウェハ上に
供給された現像液とリンス液の該ウェハ上における温度
を最適値に制御できるようにすることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and controls the temperature of an object to be processed, for example, a developing solution and a rinsing solution supplied on a semiconductor wafer to an optimum value. The purpose is to be able to.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1の現像装置は、
現像液及びリンス液をそれぞれ二重配管構造の配管の内
管と外管のいずれか一方を通じて被処理体上に供給する
ようにし、他方に現像液、リンス液を温度調整する恒温
液を通すようにすることを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a developing device comprising:
The developer and the rinsing liquid are supplied onto the workpiece through one of the inner pipe and the outer pipe of the double-pipe structure, and the developing liquid and the rinsing liquid are passed through a constant temperature liquid for adjusting the temperature of the rinsing liquid. It is characterized by the following.

【0010】従って、請求項1の現像装置によれば、現
像液とリンス液をそれぞれ恒温液により温度制御するこ
とができ、延いてはウェハ上に供給された現像液とリン
ス液のウェハ上における温度を最適値になるように制御
することが可能になる。
Therefore, according to the developing device of the first aspect, the temperature of the developing solution and the rinsing solution can be controlled by the constant temperature solution, and the developing solution and the rinsing solution supplied onto the wafer are extended on the wafer. It is possible to control the temperature to an optimum value.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本発明は、基本的には、被処理体
の表面に現像液とリンス液を供給して現像を行う現像装
置において、現像液及びリンス液をそれぞれ二重配管構
造の配管の内管と外管のいずれか一方を通じて被処理体
上に供給するようにし、他方に現像液、リンス液を温度
調整する恒温液を通すようにするものであり、一般に
は、内管の方に現像液やリンス液を通すようにし、外管
の方に温度調整用の恒温液を通すようにする方が良い。
というのは、現像液、リンス液を周りから効果的に加温
することができ、所定温度に調整することができ易いか
らである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention is basically directed to a developing apparatus for developing by supplying a developing solution and a rinsing solution to the surface of an object to be processed. The pipe is supplied onto the processing object through one of the inner pipe and the outer pipe, and a developing solution and a constant temperature liquid for controlling the temperature of the rinsing liquid are passed through the other pipe. It is better to let the developing solution and the rinsing solution pass through, and pass the constant temperature solution for temperature adjustment to the outer tube.
This is because the developer and the rinsing solution can be effectively heated from the surroundings and can be easily adjusted to a predetermined temperature.

【0012】そして、被処理体の表面に供給されるリン
ス液と現像液を温度制御する恒温液を所定温度に保つ恒
温液温度調節循環経路に循環させるようにすると良い。
なぜならば、安定に温度制御でき、温度変化をなくする
ことができるからである。恒温液は例えば水がよいが、
必ずしもそれに限定されるものではない。また、リンス
液は一般に高純度の純水が用いられるが、必ずしもそれ
に限定されず、純水に特殊な物質を混ぜたものを用いて
も良いことはいうまでもない。
It is preferable that the rinsing liquid and the developing liquid supplied to the surface of the object to be processed are circulated through a constant temperature liquid circulating path for controlling the temperature of the developing liquid at a predetermined temperature.
This is because the temperature can be stably controlled and the temperature change can be eliminated. The constant temperature liquid is preferably water, for example,
It is not necessarily limited to this. In addition, high-purity pure water is generally used as the rinsing liquid, but it is not necessarily limited thereto, and it goes without saying that pure water mixed with a special substance may be used.

【0013】[0013]

【実施例】以下、本発明を図示実施例に従って詳細に説
明する。図1(A)、(B)は本発明現像装置の一つの
実施例を示すもので、(A)は要部の構成図、(B)は
平面図、第2図は図1に示した現像装置を備えた露光塗
布現像装置の概略平面図である。図において、1はイン
デクサ、2はホットプレート、3はクーリングプレー
ト、4はホットプレート、5はクーリングプレート、6
は露光投影装置、7はウェハカセット、8はウェハ、9
は塗布ユニット、10はウェハ搬送ロボット、11は本
発明現像装置(現像ユニット)、12は現像装置11の
塗布機構、21は恒温液供給管、22は恒温液排出管、
23は恒温液温度調節循環装置であり、これ等は図1
(A)に示すように配置されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to the illustrated embodiments. 1A and 1B show one embodiment of the developing device of the present invention, wherein FIG. 1A is a configuration diagram of a main part, FIG. 1B is a plan view, and FIG. FIG. 2 is a schematic plan view of an exposure coating and developing device provided with a developing device. In the figure, 1 is an indexer, 2 is a hot plate, 3 is a cooling plate, 4 is a hot plate, 5 is a cooling plate, 6
Is an exposure projection device, 7 is a wafer cassette, 8 is a wafer, 9
Denotes a coating unit, 10 denotes a wafer transfer robot, 11 denotes a developing device of the present invention (developing unit), 12 denotes a coating mechanism of the developing device 11, 21 denotes a constant temperature liquid supply pipe, 22 denotes a constant temperature liquid discharge pipe,
Reference numeral 23 denotes a thermostatic liquid temperature control circulation device, which is shown in FIG.
They are arranged as shown in FIG.

【0014】塗布機構12は図1(B)に示すように二
重配管構造のリンス液用配管13aと、二重配管構造の
現像液用配管14aとからなる。リンス液(一般には純
水)を供給するリンス液供給用配管13aは、内管13
がリンス液を通し、外管19がリンス液をその周りから
加温する恒温液を通すようになっている。現像液を供給
する現像液供給用配管14aは内管14が現像液を通
し、外管20がリンス液をその周りから加温する恒温液
を通すようになっている。
As shown in FIG. 1B, the coating mechanism 12 includes a rinse pipe 13a having a double pipe structure and a developer pipe 14a having a double pipe structure. A rinsing liquid supply pipe 13a for supplying a rinsing liquid (generally pure water) is an inner pipe 13
Are passed through the rinsing liquid, and the outer tube 19 passes through a constant temperature liquid that heats the rinsing liquid from around the rinsing liquid. The developing solution supply pipe 14a for supplying the developing solution is such that the inner tube 14 passes the developing solution, and the outer tube 20 passes the constant temperature solution for heating the rinsing solution from around the tube.

【0015】そして、その外管19、20にて内管13
のリンス液、現像液を所定温度に加温する恒温液は恒温
液温度調節循環装置23から恒温液供給管21を通じて
現像装置11内に供給され、現像装置11から恒温液排
出管22に還流される。このように、恒温液は恒温液温
度調節循環装置23にて加温されながらそれにより循環
せしめられるて一定温度に保たれるようになっている。
そして、調節温度も現像液の種類に応じて切り換えるこ
とができるようになっている。
Then, the outer pipes 19 and 20 are connected to the inner pipe 13.
The rinsing liquid and the constant temperature liquid for heating the developing liquid to a predetermined temperature are supplied from the constant temperature liquid circulating device 23 to the developing device 11 through the constant temperature liquid supply pipe 21, and are returned from the developing apparatus 11 to the constant temperature liquid discharge pipe 22. You. In this way, the constant temperature liquid is heated and circulated by the constant temperature liquid temperature adjusting and circulating device 23 so as to be maintained at a constant temperature.
Further, the adjustment temperature can be switched according to the type of the developer.

【0016】15はウェハチャック、16は現像カッ
プ、17は該ウェハチャック15の回転方向を示す矢
印、18はチャック回転モータである。
Reference numeral 15 denotes a wafer chuck, 16 denotes a developing cup, 17 denotes an arrow indicating the rotation direction of the wafer chuck 15, and 18 denotes a chuck rotation motor.

【0017】露光は次のように行われる。露光ユニット
9内にて感光性の有機材料であるフォトレジストを表面
に塗布したウェハ8をホットプレート2やクーリングプ
レート3を経て露光投影装置6内に送り、該装置6内に
おいてウェハ8表面にマスク越しにUV光を照射して露
光する。その後、そのウェハ8を更にホットプレート
4、クーリングプレート5を経て現像装置11に送り、
そこで現像を行うのである。
The exposure is performed as follows. In an exposure unit 9, a wafer 8 coated with a photoresist, which is a photosensitive organic material, is sent into an exposure projection device 6 via a hot plate 2 or a cooling plate 3, and a mask is formed on the surface of the wafer 8 in the device 6. It is exposed by irradiating UV light through it. Thereafter, the wafer 8 is further sent to the developing device 11 via the hot plate 4 and the cooling plate 5, and
Therefore, development is performed.

【0018】現像装置11では、リンス液ノズル13か
らリンス液である純水がウェハ8表面上に供給され、現
像液用配管14aのノズル14からは純水、アルカリ現
像液の順で液がウェハ8表面上にかけられ、該アルカリ
現像液が盛られた状態で約60秒間放置し、その後、再
び上記リンス液用配管13aのノズル13から純水をウ
ェハ8上にかけてリンスし、その後、ウェハ8を高速回
転させてその純水を振り切る。これによりウェハ8上に
おけるパターニングが終了する。
In the developing device 11, pure water as a rinsing liquid is supplied onto the surface of the wafer 8 from a rinsing liquid nozzle 13, and the pure water and alkali developing liquid are supplied from the nozzle 14 of the developing liquid pipe 14a in the order of the wafer. 8 and left standing for about 60 seconds with the alkali developer on it, then rinse the pure water again from the nozzle 13 of the rinsing liquid pipe 13a onto the wafer 8 and then rinse the wafer 8 Spin at high speed to shake off the pure water. Thus, the patterning on the wafer 8 is completed.

【0019】この場合、恒温液温度調節循環装置23に
より恒温液の温度を現像に用いる現像液の種類に応じて
調整し、リンス液及び現像液をそれぞれその現像液の種
類に最も適した温度でウェハ8上に供給して現像を行う
ことができる。従って、パターンの転写の均一性を高く
することができ、全体に渡って高くて均一な解像度での
パターニングが可能になる。また、リンス液及び現像液
の温度が現像液の種類に応じて適切な温度にされている
ので、現像に要する時間も短縮することができる。これ
は当然のことながら生産性の向上に繋がる。
In this case, the temperature of the constant temperature solution is adjusted by the constant temperature solution circulating device 23 in accordance with the type of the developing solution used for development, and the rinsing solution and the developing solution are each adjusted to a temperature most suitable for the type of the developing solution. It can be supplied onto the wafer 8 for development. Therefore, the uniformity of pattern transfer can be increased, and patterning with high and uniform resolution over the whole can be performed. Further, since the temperature of the rinsing liquid and the temperature of the developing solution are set to appropriate temperatures according to the type of the developing solution, the time required for development can be reduced. This naturally leads to an increase in productivity.

【0020】[0020]

【発明の効果】請求項1の現像装置によれば、現像液と
リンス液をそれぞれ恒温液により温度制御することがで
きる。従って、ウェハ上に供給された現像液とリンス液
のウェハ上における温度を最適値になるように制御する
ことが可能になる。従って、被処理体表面全域に渡って
均一な精度、解像度でパターンを転写することができ、
また、現像に要する時間を短縮することができる。
According to the first aspect of the present invention, the temperature of each of the developing solution and the rinsing solution can be controlled by the constant temperature solution. Accordingly, it is possible to control the temperature of the developing solution and the rinsing liquid supplied on the wafer on the wafer to an optimum value. Therefore, the pattern can be transferred with uniform accuracy and resolution over the entire surface of the object to be processed,
Further, the time required for development can be shortened.

【0021】請求項2の現像装置によれば、リンス液と
現像液を温度制御する恒温液を所定温度に保つ恒温液温
度調節循環経路に循環させるようにするので、安定に温
度制御でき、温度変化を少なく、或いはなくすることが
できる。
According to the second aspect of the present invention, the rinsing liquid and the constant temperature liquid for controlling the temperature of the developing liquid are circulated through the constant temperature liquid circulation path for maintaining the temperature at a predetermined temperature. Changes can be reduced or eliminated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(A)、(B)は本発明現像装置の一つの実施
例を示すもので、(A)は要部の構成図、(B)は平面
図である。
FIGS. 1A and 1B show an embodiment of the developing device of the present invention, wherein FIG. 1A is a configuration diagram of a main part, and FIG. 1B is a plan view.

【図2】図1に示した現像装置を備えた露光塗布現像装
置の概略平面図である。
FIG. 2 is a schematic plan view of an exposure coating and developing apparatus including the developing apparatus shown in FIG.

【図3】(A)、(B)は従来例を説明するためのもの
で、(A)は半導体装置の製造に用いられる露光塗布現
像装置の構成の概略を示す平面図、(B)は現像装置の
要部を示す構成図である。
FIGS. 3A and 3B are views for explaining a conventional example, in which FIG. 3A is a plan view schematically showing the configuration of an exposure coating and developing apparatus used for manufacturing a semiconductor device, and FIG. FIG. 2 is a configuration diagram illustrating a main part of the developing device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

12・・・塗布装置、13a・・・二重配管構造のリン
ス液用配管、13・・・リンス液用ノズル、14a・・
・二重配管構造の現像液用配管、14・・・現像液用配
管、19、20・・・外管、23・・・恒温液温度調節
循環装置。
12 ... Coating device, 13a ... Rinse liquid pipe with double pipe structure, 13 ... Rinse liquid nozzle, 14a ...
・ Development solution piping of double piping structure, 14 ・ ・ ・ Development solution piping, 19, 20 ・ ・ ・ Outer tube, 23 ・ ・ ・ Constant temperature solution temperature circulating device.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理体の表面に現像液とリンス液を供
給して現像を行う現像装置において、 上記現像液及びリンス液をそれぞれ二重配管構造を有す
る各配管の内管と外管の一方を通じて供給するように
し、 上記各配管の内管と外管の他方に温度調整用恒温液を通
して上記現像液及びリンス液を温度調節するようにして
なることを特徴とする現像装置。
1. A developing device for performing development by supplying a developing solution and a rinsing liquid to the surface of an object to be processed, wherein the developing solution and the rinsing liquid are supplied to an inner pipe and an outer pipe of each pipe having a double pipe structure. A developing device, wherein the developing solution and the rinsing solution are supplied through one side, and the temperature of the developing solution and the rinsing solution is adjusted by passing a constant temperature solution for temperature adjustment through the other of the inner pipe and the outer pipe of each pipe.
【請求項2】 恒温液を所定温度に保つ恒温液温度調節
循環経路に循環させるようにしてなることを特徴とする
請求項1記載の現像装置。
2. The developing apparatus according to claim 1, wherein the constant temperature liquid is circulated through a constant temperature liquid temperature control circulation path for maintaining a predetermined temperature.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2018046205A (en) * 2016-09-15 2018-03-22 株式会社Screenホールディングス Substrate processing device and substrate processing method

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US11243469B2 (en) 2016-09-15 2022-02-08 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method

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