JP2000182764A - El device - Google Patents

El device

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JP2000182764A
JP2000182764A JP10360214A JP36021498A JP2000182764A JP 2000182764 A JP2000182764 A JP 2000182764A JP 10360214 A JP10360214 A JP 10360214A JP 36021498 A JP36021498 A JP 36021498A JP 2000182764 A JP2000182764 A JP 2000182764A
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JP
Japan
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layer
diffraction grating
light emitting
light
organic
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP10360214A
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Japanese (ja)
Inventor
Tomoko Koyama
智子 小山
Takeo Kaneko
丈夫 金子
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JP2000182764A publication Critical patent/JP2000182764A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an end luminescence type EL device having remarkably narrower spectral band width of luminescent wavelength compared with the conventional EL(electroluminescence) element, capable of applying to optical communication in addition to a display device, and emitting light having different wave lengths. SOLUTION: An end luminescence type EL device 1000 has an organic luminescent layer 40; a pair of electrode layers 30, 50 (50a, 50b) for applying an electric field to the organic luminescent layer 40; and a light guide channel for transmitting light generated in the organic luminescent layer 40 to the end. The light guide channel has a core layer 20 for mainly transmitting light and clad layers 10, 60 having smaller index of refraction than the core layer 20. The core layer 20 is made of a layer different from the organic luminescent layer 40. A diffraction grating 100 is formed between the core layer 20 and the clad layer 10. The diffraction grating 100 has two diffraction gratings 100a and 100b having different resonance wave lengths, and emits light having two different wave lengths.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、EL(エレクトロ
ルミネッセンス)を用いた発光装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device using EL (electroluminescence).

【0002】[0002]

【背景技術および発明が解決しようとする課題】例え
ば、光通信システムで用いられる光源としては、半導体
レーザが用いられる。半導体レーザは、波長選択性に優
れ、単一モードの光を出射できる点で好ましいが、多数
回にわたる結晶成長が必要であり、作成が容易でない。
また、半導体レーザでは、発光材料が限定され、種々の
波長の光を発光することができないという難点を有す
る。
2. Description of the Related Art For example, a semiconductor laser is used as a light source used in an optical communication system. A semiconductor laser is preferable because it has excellent wavelength selectivity and can emit a single-mode light, but requires many times of crystal growth and is not easy to fabricate.
Further, the semiconductor laser has a drawback that the light emitting material is limited and light of various wavelengths cannot be emitted.

【0003】また、従来のEL発光素子は、発光波長の
スペクトル幅が広く、表示体などの一部の用途では適用
されているものの、光通信などのスペクトル幅が狭い光
を要求される用途には不向きであった。
Further, the conventional EL light emitting device has a wide spectral width of an emission wavelength and is applied to some uses such as a display body, but is used for an application requiring light with a narrow spectral width such as optical communication. Was unsuitable.

【0004】本発明の目的は、発光波長のスペクトル幅
が従来のEL発光素子に比べて格段に狭く、かつ指向性
があり、表示体だけでなく光通信などにも適用でき、か
つ複数の異なる波長の光を出射できる、EL装置を提供
することにある。
An object of the present invention is to provide a light emitting wavelength spectrum width that is much narrower than that of a conventional EL light emitting element, has directivity, can be applied not only to a display, but also to optical communication and the like. An object of the present invention is to provide an EL device capable of emitting light of a wavelength.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明に係るEL装置
は、エレクトロルミネッセンスによって発光可能な発光
層と、前記発光層に電界を印加するための少なくとも一
対の電極層と、前記発光層において発生した光を伝搬す
るための光導波路と、を含み、前記光導波路に回折格子
が形成され、該回折格子は、ピッチの光学長が異なる複
数の回折格子からなり、各回折格子に対応して、複数の
異なる共振波長の光を出射することができる。
An EL device according to the present invention has a light emitting layer capable of emitting light by electroluminescence, at least one pair of electrode layers for applying an electric field to the light emitting layer, and a light emitting layer formed in the light emitting layer. An optical waveguide for propagating light, wherein a diffraction grating is formed in the optical waveguide, the diffraction grating comprises a plurality of diffraction gratings having different optical lengths of the pitch, and a plurality of diffraction gratings corresponding to each diffraction grating. Light having different resonance wavelengths can be emitted.

【0006】このEL装置によれば、少なくとも一対の
電極層、すなわち陰極と陽極とからそれぞれ電子とホー
ルとが発光層内に注入され、この電子とホールとを発光
層で再結合させて、分子が励起状態から基底状態に戻る
ときに光が発生する。発光層で発生した光は、光導波路
のいずれかの層に形成された回折格子により共振し、波
長選択性および指向性を有する。そして、ピッチの光学
長が異なる複数の回折格子が光の伝搬方向に形成されて
いるので、各回折格子の共振波長に対応する複数の光を
出射することができる。前記回折格子は、互いに屈折率
の異なる2種の領域が交互に周期的に配置された格子を
意味する。
According to this EL device, electrons and holes are injected into the light emitting layer from at least one pair of electrode layers, that is, a cathode and an anode, and the electrons and holes are recombined in the light emitting layer to form a molecule. Light is generated when returns to the ground state from the excited state. Light generated in the light emitting layer resonates by a diffraction grating formed in any layer of the optical waveguide, and has wavelength selectivity and directivity. Since a plurality of diffraction gratings having different pitch optical lengths are formed in the light propagation direction, a plurality of light beams corresponding to the resonance wavelength of each diffraction grating can be emitted. The diffraction grating means a grating in which two types of regions having different refractive indexes are alternately and periodically arranged.

【0007】前記複数の回折格子は、以下の構成(1)
〜(3)を取りうる。
The plurality of diffraction gratings have the following configuration (1)
To (3).

【0008】(1)複数の回折格子は、それぞれ、同じ
材料からなり、かつ異なるピッチ長を有する。
(1) The plurality of diffraction gratings are each made of the same material and have different pitch lengths.

【0009】(2)複数の回折格子は、それぞれ、異な
る材料からなり、かつ同じピッチ長を有する。
(2) The plurality of diffraction gratings are made of different materials and have the same pitch length.

【0010】(3)複数の回折格子は、それぞれ、異な
る材料からなり、かつ異なるピッチ長を有する。
(3) The plurality of diffraction gratings are made of different materials and have different pitch lengths.

【0011】さらに、前記電極層は、回折格子の数に対
応した対を構成するように形成され、前記複数の回折格
子のそれぞれに対応して、前記電極層を独立に制御でき
ることが望ましい。
Furthermore, it is preferable that the electrode layers are formed so as to form pairs corresponding to the number of diffraction gratings, and that the electrode layers can be independently controlled corresponding to each of the plurality of diffraction gratings.

【0012】前記回折格子は、分布帰還型または分布ブ
ラッグ反射型の回折格子であることが望ましい。このよ
うに、分布帰還型または分布ブラッグ型の回折格子を形
成することにより、波長選択性があり、発光スペクトル
幅が狭く、かつ指向性を有する光を得ることができる。
これらの回折格子においては、出射光の波長によって回
折格子のピッチの光学長および深さが設定される。
Preferably, the diffraction grating is a distributed feedback type or a distributed Bragg reflection type diffraction grating. As described above, by forming a distributed feedback type or a distributed Bragg type diffraction grating, light having wavelength selectivity, a narrow emission spectrum width, and directivity can be obtained.
In these diffraction gratings, the optical length and depth of the pitch of the diffraction grating are set according to the wavelength of the emitted light.

【0013】さらに、分布帰還型の前記回折格子をλ/
4位相シフト構造または利得結合型構造とすることによ
り、出射光をより単一モード化することができる。ここ
で、λは、光導波路内の光の波長を表す。
Further, the diffraction grating of the distributed feedback type has a wavelength of λ /
By using a four-phase shift structure or a gain-coupling type structure, emitted light can be made to have a single mode. Here, λ represents the wavelength of light in the optical waveguide.

【0014】特に、回折格子が分布帰還型であって、さ
らにλ/4位相シフト構造あるいは利得結合型構造を有
することは、本発明に係るEL装置において共通した望
ましい構成である。そして、この回折格子は、上述した
回折格子の機能を達成できればよく、その形成領域は光
導波路を構成するいずれかの層であればよい。
In particular, it is a desirable common configuration in the EL device according to the present invention that the diffraction grating is of a distributed feedback type and further has a λ / 4 phase shift structure or a gain coupling type structure. The diffraction grating only needs to be able to achieve the function of the above-described diffraction grating, and its formation region may be any layer constituting the optical waveguide.

【0015】前記発光層は、発光材料として有機発光材
料を含むことが好ましい。有機発光材料を用いることに
より、例えば半導体材料や無機材料を用いた場合に比べ
て材料の選択範囲が広く、種々の波長の光を発光するこ
とが可能となる。
The light emitting layer preferably contains an organic light emitting material as a light emitting material. By using an organic light emitting material, for example, a material selection range is wider than when a semiconductor material or an inorganic material is used, and light of various wavelengths can be emitted.

【0016】このようなEL装置は、例えば、以下の
(a)および(b)の態様をとることができる。
Such an EL device can take, for example, the following embodiments (a) and (b).

【0017】(a)第1の態様のEL装置は、前記光導
波路は、主として光が伝搬されるコア層と、該コア層よ
り屈折率が小さいクラッド層と、を含み、前記コア層
は、前記発光層と異なる層によって形成されている点に
特徴を有する。
(A) In the EL device according to the first aspect, the optical waveguide includes a core layer through which light mainly propagates, and a cladding layer having a lower refractive index than the core layer. It is characterized in that it is formed by a layer different from the light emitting layer.

【0018】前記コア層は、前記発光層より大きい屈折
率を有する材料から構成されることが望ましい。屈折率
がこのような関係を有することにより、発光層において
発生した光を効率よくコア層に導入することができる。
Preferably, the core layer is made of a material having a higher refractive index than the light emitting layer. When the refractive index has such a relationship, light generated in the light emitting layer can be efficiently introduced into the core layer.

【0019】前記コア層は、例えば前記発光層が有機材
料からなる場合には、光の伝搬のみを目的とする層のみ
ならず、ホール輸送層、電子輸送層、および透明な電極
層などの少なくともひとつを兼ねることもできる。ま
た、前記クラッド層は、前記コア層より屈折率が小さい
層であればよく、例えば前記発光層が有機材料からなる
場合には、光の閉じ込めのみを目的とする層のみなら
ず、電極層、基板、ホール輸送層および電子輸送層など
を兼ねることができる。
For example, when the light emitting layer is made of an organic material, the core layer includes not only a layer for only light propagation but also a hole transport layer, an electron transport layer, and a transparent electrode layer. It can also serve as one. Further, the clad layer may be a layer having a smaller refractive index than the core layer. For example, when the light emitting layer is made of an organic material, not only a layer only for confining light but also an electrode layer, It can also serve as a substrate, a hole transport layer, an electron transport layer, and the like.

【0020】(b)第2の態様のEL装置は、前記光導
波路は、主として光が伝搬されるコア層と、該コア層よ
り屈折率が小さいクラッド層と、を含み、前記コア層
は、前記発光層を含む点に特徴を有する。
(B) In the EL device according to a second aspect, the optical waveguide includes a core layer through which light is mainly propagated, and a clad layer having a smaller refractive index than the core layer. It is characterized in that it includes the light emitting layer.

【0021】前記コア層は、例えば前記発光層が有機材
料からなる場合には、さらに、ホール輸送層、電子輸送
層、および透明な電極層などの少なくともひとつを有す
ることができる。また、前記クラッド層は、前記コア層
より屈折率が小さい層であればよく、例えば前記発光層
が有機材料からなる場合には、光の閉じ込めのみを目的
とする層のみならず、電極層、基板、ホール輸送層およ
び電子輸送層など兼ねることができる。
The core layer may further include at least one of a hole transport layer, an electron transport layer, and a transparent electrode layer, for example, when the light emitting layer is made of an organic material. Further, the clad layer may be a layer having a smaller refractive index than the core layer. For example, when the light emitting layer is made of an organic material, not only a layer only for confining light but also an electrode layer, It can also serve as a substrate, a hole transport layer, an electron transport layer, and the like.

【0022】上記第1および第2の態様において、光導
波路における回折格子は、前記コア層、前記クラッド
層、および、前記クラッド層とコア層などの該クラッド
層と接する層の界面領域のいずれにおいても、前述の構
成(1)〜(3)によって形成することができる。
In the first and second aspects, the diffraction grating in the optical waveguide is provided in any one of the core layer, the cladding layer, and an interface region between the cladding layer and a layer such as the core layer which is in contact with the cladding layer. Can also be formed by the above-described configurations (1) to (3).

【0023】本発明のEL装置は、半導体レーザに比べ
てかなり簡易な成膜法で容易に製造でき、しかも、発光
波長のスペクトル幅が従来のEL発光素子に比べて格段
に狭く、かつ指向性を有し、表示体だけでなく光通信な
どにも適用できる。
The EL device of the present invention can be easily manufactured by a film forming method which is considerably simpler than a semiconductor laser, has a much narrower spectral width of an emission wavelength than a conventional EL light emitting device, and has a directivity. And can be applied not only to display bodies but also to optical communication and the like.

【0024】次に、本発明に係るEL装置の各部分に用
いることができる材料の一部を例示する。これらの材料
は、公知の材料の一部を示したにすぎず、例示したもの
以外の材料を選択できることはもちろんである。
Next, some of the materials that can be used for each part of the EL device according to the present invention will be described. These materials are only a part of known materials, and it is a matter of course that materials other than those exemplified can be selected.

【0025】(発光層)発光層の材料は、所定の波長の
発光を得るために公知の化合物から選択される。発光層
の材料としては、有機化合物および無機化合物のいずれ
でもよいが、種類の豊富さや成膜性の点から有機化合物
であることが望ましい。
(Light Emitting Layer) The material of the light emitting layer is selected from known compounds in order to obtain light emission of a predetermined wavelength. The material of the light emitting layer may be either an organic compound or an inorganic compound, but is preferably an organic compound from the viewpoint of abundant types and film-forming properties.

【0026】このような有機化合物としては、例えば、
特開平10−153967号公報に開示された、アロマ
ティックジアミン誘導体(TPD)、オキシジアゾール
誘導体(PBD)、オキシジアゾールダイマー(OXD
−8)、ジスチルアリーレン誘導体(DSA)、ベリリ
ウム−ベンゾキノリノール錯体(Bebq)、トリフェ
ニルアミン誘導体(MTDATA)、ルブレン、キナク
リドン、トリアゾール誘導体、ポリフェニレン、ポリア
ルキルフルオレン、ポリアルキルチオフェン、アゾメチ
ン亜鉛錯体、ポリフィリン亜鉛錯体、ベンゾオキサゾー
ル亜鉛錯体、フェナントロリンユウロピウム錯体などが
使用できる。
As such an organic compound, for example,
Aromatic diamine derivatives (TPD), oxydiazole derivatives (PBD), oxydiazole dimers (OXD) disclosed in JP-A-10-153967
-8), distilylylene derivative (DSA), beryllium-benzoquinolinol complex (Bebq), triphenylamine derivative (MTDATA), rubrene, quinacridone, triazole derivative, polyphenylene, polyalkylfluorene, polyalkylthiophene, azomethine zinc complex, Porphyrin zinc complex, benzoxazole zinc complex, phenanthroline europium complex and the like can be used.

【0027】より具体的には、有機発光層の材料として
は、特開昭63−70257号公報、同63−1758
60号公報、特開平2−135361号公報、同2−1
35359号公報、同3−152184号公報、さら
に、同8−248276号公報および同10−1539
67号公報に記載されているものなど、公知のものが使
用できる。これらの化合物は単独で用いてもよく、2種
類以上を混合して用いてもよい。
More specifically, examples of the material for the organic light emitting layer include those described in JP-A-63-70257 and JP-A-63-1758.
No. 60, JP-A-2-135361, 2-1.
JP-A-35359, JP-A-3-152184, JP-A-8-248276 and JP-A-10-1539
Known materials such as those described in JP-A-67 can be used. These compounds may be used alone or as a mixture of two or more.

【0028】無機化合物としては、ZnS:Mn(赤色
領域)、ZnS:TbOF(緑色領域)、SrS:C
u、SrS:Ag、SrS:Ce(青色領域)などが例
示される。
As inorganic compounds, ZnS: Mn (red region), ZnS: TbOF (green region), SrS: C
u, SrS: Ag, SrS: Ce (blue region), and the like.

【0029】(光導波路)光導波路は、コア層と該コア
層より屈折率が小さいクラッド層を含む。コア層および
クラッド層は、公知の無機材料および有機材料を用いる
ことができる。
(Optical Waveguide) The optical waveguide includes a core layer and a cladding layer having a smaller refractive index than the core layer. Known inorganic and organic materials can be used for the core layer and the clad layer.

【0030】代表的な無機材料としては、例えば特開平
5−273427号公報に開示されているような、Ti
2、TiO2−SiO2混合物、ZnO、Nb25、S
3 4、Ta25、HfO2またはZrO2などを例示す
ることができる。
Representative inorganic materials include, for example,
As disclosed in JP-A-5-273427, Ti
OTwo, TiOTwo-SiOTwoMixture, ZnO, NbTwoOFive, S
iThreeN Four, TaTwoOFive, HfOTwoOr ZrOTwoFor example
Can be

【0031】また、代表的な有機材料としては、各種の
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、および光硬化性樹脂な
ど、公知の樹脂を用いることができる。これらの樹脂
は、層の形成方法などを考慮して適宜選択される。例え
ば、熱および光の少なくとも一方のエネルギーによって
硬化することができる樹脂を用いることで、汎用の露光
装置やベイク炉、ホットプレートなどが利用できる。
As typical organic materials, known resins such as various thermoplastic resins, thermosetting resins, and photocurable resins can be used. These resins are appropriately selected in consideration of a method of forming a layer and the like. For example, by using a resin that can be cured by at least one of heat and light, a general-purpose exposure apparatus, a baking furnace, a hot plate, or the like can be used.

【0032】このような物質としては、例えば、本願出
願人による特願平10−279439号に開示された紫
外線硬化型樹脂がある。紫外線硬化型樹脂としては、ア
クリル系樹脂が好適である。様々な市販の樹脂や感光剤
を利用することで、透明性に優れ、また、短期間の処理
で硬化可能な紫外線硬化型のアクリル系樹脂を得ること
ができる。
As such a substance, for example, there is an ultraviolet curable resin disclosed in Japanese Patent Application No. 10-279439 filed by the present applicant. Acrylic resin is suitable as the UV-curable resin. By using various commercially available resins and photosensitizers, it is possible to obtain an ultraviolet-curable acrylic resin which is excellent in transparency and can be cured by a short-term treatment.

【0033】紫外線硬化型のアクリル系樹脂の基本構成
の具体例としては、プレポリマー、オリゴマー、または
モノマーがあげられる。
Specific examples of the basic constitution of the ultraviolet-curable acrylic resin include a prepolymer, an oligomer and a monomer.

【0034】プレポリマーまたはオリゴマーとしては、
例えば、エポキシアクリレート類、ウレタンアクリレー
ト類、ポリエステルアクリレート類、ポリエーテルアク
リレート類、スピロアセタール系アクリレート類等のア
クリレート類、エポキシメタクリレート類、ウレタンメ
タクリレート類、ポリエステルメタクリレート類、ポリ
エーテルメタクリレート類等のメタクリレート類等が利
用できる。
As the prepolymer or oligomer,
For example, acrylates such as epoxy acrylates, urethane acrylates, polyester acrylates, polyether acrylates, and spiroacetal acrylates; methacrylates such as epoxy methacrylates, urethane methacrylates, polyester methacrylates, and polyether methacrylates; Is available.

【0035】モノマーとしては、例えば、2−エチルヘ
キシルアクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレー
ト、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキ
シエチルメタクリレート、N−ビニル−2−ピロリド
ン、カルビトールアクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルアクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロ
ペンテニルアクリレート、1,3−ブタンジオールアク
リレート等の単官能性モノマー、1,6−ヘキサンジオ
ールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタ
クリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、
ネオペンチルグリコールジメタクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジア
クリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート等の
二官能性モノマー、トリメチロールプロバントリアクリ
レート、トリメチロールプロバントリメタクリレート、
ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサアクリレート等の多官能性モノマーが
利用できる。
Examples of the monomer include 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, N-vinyl-2-pyrrolidone, carbitol acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, isovol Monofunctional monomers such as nyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, and 1,3-butanediol acrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, neopentyl glycol diacrylate,
Bifunctional monomers such as neopentyl glycol dimethacrylate, ethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, pentaerythritol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate,
Polyfunctional monomers such as pentaerythritol triacrylate and dipentaerythritol hexaacrylate can be used.

【0036】以上、光の伝搬あるいは閉じ込めのみを考
慮した無機材料あるいは有機材料を例示したが、前述し
たように、コア層あるいはクラッド層としては、発光
層、ホール輸送層、電子輸送層および電極層の少なくと
も一層がコア層あるいはクラッド層として機能する場合
には、これらの層を構成する材料も光導波路を構成する
材料として採用し得る。
In the above, an inorganic material or an organic material considering only the propagation or confinement of light has been exemplified. As described above, the core layer or the clad layer may include a light emitting layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electrode layer. When at least one of the layers functions as a core layer or a cladding layer, the material forming these layers can also be adopted as the material forming the optical waveguide.

【0037】(ホール輸送層)必要に応じて設けられる
ホール輸送層の材料としては、公知の光伝導材料のホー
ル注入材料として用いられているもの、あるいは有機E
L装置のホール注入層に使用されている公知のものの中
から選択して用いることができる。ホール輸送層の材料
は、ホールの注入あるいは電子の障壁性のいずれかの機
能を有するものであり、有機物あるいは無機物のいずれ
でもよい。その具体例としては、例えば、特開平8−2
48276号公報に開示されているものを例示すること
ができる。
(Hole transporting layer) The material of the hole transporting layer provided as necessary may be a material used as a hole injecting material of a known photoconductive material or an organic E material.
It can be selected from known materials used for the hole injection layer of the L device. The material of the hole transport layer has a function of injecting holes or blocking electrons, and may be an organic substance or an inorganic substance. As a specific example, see, for example,
No. 48276 can be exemplified.

【0038】(電子輸送層)必要に応じて設けられる電
子輸送層の材料としては、陰極より注入された電子を発
光層に伝達する機能を有していればよく、その材料は公
知の物質から選択することができる。その具体例として
は、例えば、特開平8−248276号公報に開示され
たものを例示することができる。
(Electron Transporting Layer) The material of the electron transporting layer provided as necessary may have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer. You can choose. Specific examples thereof include those disclosed in JP-A-8-248276.

【0039】(電極層)陰極としては、仕事関数の小さ
い(例えば4eV以下)電子注入性金属、合金電気伝導
性化合物およびこれらの混合物を用いることができる。
このような電極物質としては、例えば特開平8−248
276号公報に開示されたものを用いることができる。
(Electrode Layer) As the cathode, an electron-injecting metal, an alloy electrically conductive compound or a mixture thereof having a small work function (for example, 4 eV or less) can be used.
Examples of such an electrode material include, for example, JP-A-8-248.
No. 276 can be used.

【0040】陽極としては、仕事関数の大きい(例えば
4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物またはこれ
らの混合物を用いることができる。陽極として光学的に
透明な材料を用いる場合には、CuI,ITO,SnO
2,ZnOなどの導電性透明材料を用いることができ、
透明性を必要としない場合には金などの金属を用いるこ
とができる。
As the anode, a metal, an alloy, an electrically conductive compound or a mixture thereof having a large work function (for example, 4 eV or more) can be used. When an optically transparent material is used for the anode, CuI, ITO, SnO
2 , conductive transparent materials such as ZnO can be used,
When transparency is not required, a metal such as gold can be used.

【0041】本発明において、回折格子の形成方法は特
に限定されるものではなく、公知の方法を用いることが
できる。その代表例を以下に例示する。
In the present invention, the method of forming the diffraction grating is not particularly limited, and a known method can be used. Representative examples are shown below.

【0042】リソブラフィーによる方法 ポジまたはネガレジストを紫外線やX線などで露光およ
び現像して、レジスト層をパターニングするこにより、
回折格子を作成する。ポリメチルメタクリレートあるい
はノボラック系樹脂などのレジストを用いたパターニン
グの技術としては、例えば特開平6−224115号公
報、同7−20637号公報などがある。
Lithography Method A positive or negative resist is exposed and developed with ultraviolet rays or X-rays to pattern the resist layer.
Create a diffraction grating. As a patterning technique using a resist such as polymethyl methacrylate or a novolak resin, there are, for example, JP-A-6-224115 and JP-A-7-20637.

【0043】また、ポリイミドをフォトリソブラフィー
によりパターニングする技術としては、例えば特開平7
−181689号公報および同1−221741号公報
などがある。さらに、レーザアブレーションを利用し
て、ガラス基板上にポリメチルメタクリレートあるいは
酸化チタンの回折格子を形成する技術として、例えば特
開平10−59743号公報がある。
A technique for patterning polyimide by photolithography is disclosed in, for example,
181689 and 1-222141. Furthermore, as a technique for forming a diffraction grating of polymethyl methacrylate or titanium oxide on a glass substrate by using laser ablation, there is, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-59743.

【0044】光照射による屈折率分布の形成による方
法 光導波路の光導波部(コア層)に屈折率変化を生じさせ
る波長の光を照射して、光導波部に屈折率の異なる部分
を周期的に形成することにより回折格子を形成する。こ
のような方法としては、特に、ポリマーあるいはポリマ
ー前駆体の層を形成し、光照射などにより部分的に重合
を行い、屈折率の異なる領域を周期的に形成させて回折
格子とすることが好ましい。この種の技術として、例え
ば、特開平9−311238号公報、同9−17890
1号公報、同8−15506号公報、同5−29720
2号公報、同5−32523号公報、同5−39480
号公報、同9−211728号公報、同10−2670
2号公報、同10−8300号公報、および同2−51
101号公報などがある。
Method of Forming Refractive Index Distribution by Light Irradiation Light of a wavelength causing a change in the refractive index is applied to the optical waveguide (core layer) of the optical waveguide, and a portion having a different refractive index is periodically applied to the optical waveguide. To form a diffraction grating. As such a method, it is particularly preferable to form a layer of a polymer or a polymer precursor, partially polymerize the layer by light irradiation or the like, and periodically form regions having different refractive indexes to form a diffraction grating. . Examples of this type of technology include, for example, JP-A-9-31238 and JP-A-9-17890.
No. 1, No. 8-15506, No. 5-29720
No. 2, No. 5-32523, No. 5-39480
JP, JP-A-9-211728, JP-A-10-2670
No. 2, No. 10-8300, and No. 2-51
No. 101 publication.

【0045】スタンピングによる方法 熱可塑性樹脂を用いたホットスタンピング(特開平6−
201907号公報)、紫外線硬化型樹脂を用いたスタ
ンピング(特願平10−279439号)、電子線硬化
型樹脂を用いたスタンピング(特開平7−235075
号公報)などのスタンピングによって回折格子を形成す
る。
Method by stamping Hot stamping using a thermoplastic resin (Japanese Unexamined Patent Publication No.
No. 201907), stamping using an ultraviolet curable resin (Japanese Patent Application No. 10-279439), stamping using an electron beam curable resin (Japanese Unexamined Patent Publication No. 7-235075).
A diffraction grating is formed by stamping as described in Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. H11-209686.

【0046】エッチングによる方法 リソグラフィーおよびエッチング技術を用いて、薄膜を
選択的に除去してパターニングし、回折格子を形成す
る。
Etching Method The thin film is selectively removed and patterned by lithography and etching techniques to form a diffraction grating.

【0047】キャピラリによる方法 基板に直接、回折格子を構成する材料をキャピラリによ
って選択的に塗布して、回折格子を形成する。キャピラ
リの技術を開示する公報としては、例えば、特開平9−
36337号公報、特開平8−160239号公報など
がある。
Method by Capillary A material constituting a diffraction grating is selectively applied directly to a substrate by a capillary to form a diffraction grating. Publications that disclose capillary technology include, for example,
36337 and JP-A-8-160239.

【0048】以上、回折格子の形成方法について述べた
が、要するに、回折格子は互いに異なる屈折率を有する
2領域から構成されていればよく、屈折率の異なる2種
の材料により2領域を形成する方法、一種の材料を部分
的に変性させるなどして、屈折率の異なる2領域を形成
する方法、などにより形成することができる。
The method of forming the diffraction grating has been described above. In short, the diffraction grating only needs to be composed of two regions having different refractive indices, and two regions having different refractive indices are formed. It can be formed by a method, a method of forming two regions having different refractive indexes by partially modifying a kind of material, or the like.

【0049】また、EL装置の各層は、公知の方法で形
成することができる。たとえば、発光層は、その材質に
よって好適な成膜方法が選択され、具体的には、蒸着
法、スピンコート法、LB法、インクジェット法などを
例示できる。
Each layer of the EL device can be formed by a known method. For example, a suitable film forming method is selected for the light emitting layer depending on its material, and specific examples include a vapor deposition method, a spin coating method, an LB method, and an ink jet method.

【0050】[0050]

【発明の実施の形態】(第1の実施の形態)図1は、本
実施の形態に係る端面発光型EL装置(以下、「有機E
L装置」という)1000を模式的に示す斜視図であ
り、図2は、図1のA−A線に沿った断面図であり、図
3は、図2のB−B線に沿った回折格子を示す断面図で
ある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (First Embodiment) FIG. 1 shows an edge-emitting EL device (hereinafter referred to as "organic E") according to this embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1, and FIG. 3 is a diffraction diagram taken along the line BB of FIG. It is sectional drawing which shows a grating | lattice.

【0051】有機EL装置1000は、第1のクラッド
層10、コア層20、陽極30、有機発光層40、陰極
50および第2のクラッド層60が、この順に積層され
ている。この有機EL装置1000は、第1のクラッド
層10および第2のクラッド層60の屈折率が、これら
の第1のクラッド層10と第2のクラッド層60との間
に存在する、光を透過する各層の屈折率より小さく設定
されている。
In the organic EL device 1000, a first cladding layer 10, a core layer 20, an anode 30, an organic light emitting layer 40, a cathode 50, and a second cladding layer 60 are laminated in this order. In the organic EL device 1000, the refractive index of the first clad layer 10 and the second clad layer 60 is such that light having a refractive index between the first clad layer 10 and the second clad layer 60 can be transmitted. Is set smaller than the refractive index of each layer to be formed.

【0052】本実施の形態では、回折格子100は、第
1のクラッド層10とコア層20との境界領域に、複数
(図示の例では2個)形成されている。回折格子100
は、図2および図3に示すように、光の伝搬方向に、第
1の回折格子100aと、第2の回折格子100bとが
併設されている。第1のクラッド層10の屈折率をn
1、コア層20の屈折率をn2とすると、n1<n2の
関係が成立する。そして、第1の回折格子100aのピ
ッチP1の光学長をL1、第2の回折格子100bのピ
ッチP2の光学長をL2とすると、L1>L2の関係が
成立する。つまり、この例では、2つの回折格子のピッ
チの光学長を変えることにより、共振波長を変えてい
る。ピッチの光学長は、回折格子の凹凸の幅dと屈折率
nと、以下の関係を有する。
In the present embodiment, a plurality of diffraction gratings 100 (two in the illustrated example) are formed in the boundary region between the first cladding layer 10 and the core layer 20. Diffraction grating 100
As shown in FIGS. 2 and 3, a first diffraction grating 100a and a second diffraction grating 100b are provided side by side in the light propagation direction. The refractive index of the first cladding layer 10 is n
1. Assuming that the refractive index of the core layer 20 is n2, a relationship of n1 <n2 holds. When the optical length of the pitch P1 of the first diffraction grating 100a is L1, and the optical length of the pitch P2 of the second diffraction grating 100b is L2, a relationship of L1> L2 is established. That is, in this example, the resonance wavelength is changed by changing the optical length of the pitch between the two diffraction gratings. The optical length of the pitch has the following relationship with the width d of the unevenness of the diffraction grating and the refractive index n.

【0053】L1=n1・d2+n2・d1 L2=n1・d4+n2・d3 ここで、n1:コア層20の屈折率 n2:第1のクラッド層10の屈折率 d1:第1の回折格子100aの凸部の幅 d2:第1の回折格子100aの凹部の幅 d3:第2の回折格子100bの凸部の幅 d4:第2の回折格子100bの凹部の幅 第1の回折格子100aおよび第2の回折格子100b
に対応して出射される共振波長をそれぞれλ1およびλ
2(λ1とλ2は異なる)とすると、下記の式が成立す
る。
L1 = n1 · d2 + n2 · d1 L2 = n1 · d4 + n2 · d3 where n1: refractive index of the core layer 20 n2: refractive index of the first cladding layer 10 d1: convex portion of the first diffraction grating 100a D2: the width of the concave portion of the first diffraction grating 100a d3: the width of the convex portion of the second diffraction grating 100b d4: the width of the concave portion of the second diffraction grating 100b The first diffraction grating 100a and the second diffraction Lattice 100b
And λ1 and λ, respectively.
If 2 (λ1 and λ2 are different), the following equation is established.

【0054】L1=λ1/2・(2m1+1) L2=λ2/2・(2m2+1) ここで、m1およびm2は0以上の整数である。L1 = λ1 / 2 · (2m 1 +1) L2 = λ2 · 2 (2m 2 +1) Here, m 1 and m 2 are integers of 0 or more.

【0055】回折格子100(100a,100b)
は、分布帰還型の回折格子であることが好ましい。この
ように分布帰還型の回折格子を形成することにより、光
導波路内で光を共振させ、波長選択性が優れ、発光スペ
クトル幅の狭い光を得ることができる。さらに、回折格
子100は、図示はしないが、λ/4位相シフト構造ま
たは利得結合型構造を有することが好ましい。このよう
にλ/4位相シフト構造または利得結合型構造を有する
ことにより、出射光をより単一モード化することができ
る。
The diffraction grating 100 (100a, 100b)
Is preferably a distributed feedback diffraction grating. By forming the distributed feedback type diffraction grating in this manner, light can resonate in the optical waveguide, and light having excellent wavelength selectivity and a narrow emission spectrum width can be obtained. Further, although not shown, the diffraction grating 100 preferably has a λ / 4 phase shift structure or a gain coupling type structure. By having the λ / 4 phase shift structure or the gain-coupling type structure as described above, the emitted light can be made into a single mode.

【0056】有機発光層40に電界を印加するための電
極層は、共振波長に対応して有機発光層40に異なる強
度の電界を印加するために、陽極および陰極の少なくと
も一方が分離されていることが望ましい。この例では、
図1に示すように、陽極30は共通電極として形成さ
れ、陰極は、絶縁層52によって第1の陰極50aと第
2の陰極50bとに分離されている。これらのことは、
他の実施の形態でも同様である。
In the electrode layer for applying an electric field to the organic light emitting layer 40, at least one of an anode and a cathode is separated in order to apply electric fields having different intensities to the organic light emitting layer 40 corresponding to the resonance wavelength. It is desirable. In this example,
As shown in FIG. 1, the anode 30 is formed as a common electrode, and the cathode is separated into a first cathode 50a and a second cathode 50b by an insulating layer 52. These things are
The same applies to other embodiments.

【0057】そして、陽極30は、有機発光層40にお
いて発生した光がコア層20に導入されるために、前記
光に対して透明な導電材料で構成される。このような透
明電極の材料としては、前述したものを用いることがで
きる。さらに、有機発光層40において発生した光がコ
ア層20に効率よく導入されるために、コア層20の屈
折率は、有機発光層40の屈折率より大きいことが望ま
しい。
The anode 30 is made of a conductive material transparent to the light, since the light generated in the organic light emitting layer 40 is introduced into the core layer 20. As the material of such a transparent electrode, the above-mentioned materials can be used. Further, in order for light generated in the organic light emitting layer 40 to be efficiently introduced into the core layer 20, it is desirable that the refractive index of the core layer 20 is larger than the refractive index of the organic light emitting layer 40.

【0058】有機EL装置1000は、図1に示すよう
に、一方の端面には低反射率の第1のコーティング層1
10が形成され、他方の端面には高反射率の第2のコー
ティング層120が形成されている。これらのコーティ
ング層110および120は、例えば一般的に半導体D
FBレーザで用いられる誘電体多層ミラーなどを用いる
ことができる。
As shown in FIG. 1, an organic EL device 1000 has a first coating layer 1 having a low reflectance on one end face.
10, and a second coating layer 120 having high reflectivity is formed on the other end face. These coating layers 110 and 120 are, for example, generally semiconductor D
For example, a dielectric multilayer mirror used for an FB laser can be used.

【0059】次に、この有機EL装置1000の動作お
よび作用について説明する。
Next, the operation and operation of the organic EL device 1000 will be described.

【0060】陽極30と第1および第2の陰極50a,
50bとに、所定の電圧がそれぞれ印加されることによ
り、陰極50a,50bから電子が、陽極30からホー
ルが、それぞれ有機発光層40内に注入される。有機発
光層40内では、この電子とホールとが再結合されるこ
とにより励起子が生成され、この励起子が失活する際に
蛍光や燐光などの光が発生する。有機発光層40におい
て発生した光は、一部は陰極50a,50bあるいは第
2のクラッド層60によって反射されて、一部はそのま
ま透明導電層からなる陽極30を経由してコア層20内
に導入される。コア層20内に導入された光は、第1の
回折格子100aおよび第2の回折格子100bによっ
てそれぞれ分布帰還型の伝搬が行われ、コア層20内を
その端面に向けて伝搬し、低反射率の第1のコーティン
グ層110より、出射する。このとき、第1の回折格子
100aによって共振された波長λ1の光と、第2の回
折格子100bによって共振された波長λ2の光とが、
独立に出射される。すなわち、各回折格子に対応する有
機発光層をそれぞれ独立に駆動制御し、各回折格子に対
応する領域から異なる共振波長の光を独立に出射させる
ことが可能である。
An anode 30 and first and second cathodes 50a,
When a predetermined voltage is applied to the organic light emitting layer 40 and the anode 30, holes are injected from the cathodes 50 a and 50 b respectively. In the organic light emitting layer 40, the electrons and holes are recombined to generate excitons, and when the excitons are deactivated, light such as fluorescence or phosphorescence is generated. Part of the light generated in the organic light emitting layer 40 is reflected by the cathodes 50a, 50b or the second cladding layer 60, and part of the light is introduced into the core layer 20 via the anode 30 made of a transparent conductive layer. Is done. The light introduced into the core layer 20 is distributed-propagation-type propagated by the first diffraction grating 100a and the second diffraction grating 100b, propagates through the core layer 20 toward the end face, and has low reflection. The light is emitted from the first coating layer 110 having the same ratio. At this time, the light of wavelength λ1 resonated by the first diffraction grating 100a and the light of wavelength λ2 resonated by the second diffraction grating 100b are
Emitted independently. That is, it is possible to independently drive and control the organic light emitting layers corresponding to the respective diffraction gratings, and to independently emit light having different resonance wavelengths from the regions corresponding to the respective diffraction gratings.

【0061】そして、出射光は、回折格子100a,1
00bによって分布帰還されて出射されるため、波長選
択性があり、発光スペクトル幅が狭く、かつ優れた指向
性を有する。さらに、回折格子100a,100bをそ
れぞれλ/4位相シフト構造または利得結合型構造とす
ることにより、出射光をより単一モード化することがで
きる。
The outgoing light is transmitted to the diffraction gratings 100a and 100a.
Since the light is emitted after being distributed and fed back by 00b, it has wavelength selectivity, a narrow emission spectrum width, and excellent directivity. Further, by making each of the diffraction gratings 100a and 100b have a λ / 4 phase shift structure or a gain coupling type structure, the emitted light can be made to have a single mode.

【0062】(回折格子の変形例)図4は、回折格子1
00の変形例を示す。この例では、回折格子のピッチ
(P3)を同じ長さに設定し、屈折率を変えることによ
り、ピッチの光学長を変えている。このように回折格子
の物理的な形状(ピッチ)を一様にすることで、製造工
程が簡略化される。このような回折格子は、特にインク
ジェットによる方法によって形成する場合に有効であ
る。例えば、第1の回折格子100aでは、屈折率n1
およびn2の材料を用い、第2の回折格子100bで
は、屈折率n1およびn3の材料を用いている。
(Modification of Diffraction Grating) FIG.
00 shows a modified example. In this example, the pitch (P3) of the diffraction grating is set to the same length, and the optical length of the pitch is changed by changing the refractive index. By thus making the physical shape (pitch) of the diffraction grating uniform, the manufacturing process is simplified. Such a diffraction grating is particularly effective when formed by an inkjet method. For example, in the first diffraction grating 100a, the refractive index n1
And n2, and the second diffraction grating 100b uses materials with refractive indices n1 and n3.

【0063】ピッチの光学長は、回折格子の凹凸の幅d
と屈折率nと、以下の関係を有する。
The optical length of the pitch is the width d of the unevenness of the diffraction grating.
And the refractive index n have the following relationship.

【0064】L3=n1・d2+n2・d1 L4=n2・d1+n3・d2 ここで、n1:第1の回折格子100aのコア層20の
屈折率 n2:第1のクラッド層10の屈折率 n3:第2の回折格子100bのコア層20の屈折率 d1:第1および第2の回折格子100aおよび100
bの凸部の幅 d2:第1および第2の回折格子100aおよび100
bの凹部の幅 第1の回折格子100aおよび第2の回折格子100b
に対応して出射される共振波長をそれぞれλ3およびλ
4(λ3とλ4は異なる)とすると、下記の式が成立す
る。
L3 = n1 · d2 + n2 · d1 L4 = n2 · d1 + n3 · d2 where n1: refractive index of the core layer 20 of the first diffraction grating 100a n2: refractive index of the first cladding layer 10 n3: second D1: Refractive index of core layer 20 of first diffraction grating 100b: first and second diffraction gratings 100a and 100
The width d2 of the protrusion of b: the first and second diffraction gratings 100a and 100
The width of the concave portion b The first diffraction grating 100a and the second diffraction grating 100b
And λ3 and λ, respectively.
4 (λ3 and λ4 are different), the following equation is established.

【0065】L3=λ3/2・(2m1+1) L4=λ4/2・(2m2+1) ここで、m1およびm2は0以上の整数である。L3 = λ3 / 2 · (2m 1 +1) L4 = λ4 / 2 · (2m 2 +1) Here, m 1 and m 2 are integers of 0 or more.

【0066】さらに、図示はしないが、回折格子のピッ
チと屈折率の両者を適宜変えることによって、ピッチの
光学長を変えることもできる。また、回折格子は、図示
の矩形状に限定されず、正弦波状など、種々の形態をと
りうる。
Although not shown, the optical length of the pitch can be changed by appropriately changing both the pitch and the refractive index of the diffraction grating. Further, the diffraction grating is not limited to the illustrated rectangular shape, but may take various forms such as a sine wave shape.

【0067】回折格子については、第1の実施の形態に
限定されず、以下に述べる他の実施の形態にも適用でき
る。
The diffraction grating is not limited to the first embodiment, but can be applied to other embodiments described below.

【0068】以下の実施の形態は、本発明の有機EL装
置の層構造の形態を示す一部の例であり、層構造は、回
折格子の形成位置などに応じて多くの形態をとりうる。
The following embodiments are some examples showing the form of the layer structure of the organic EL device of the present invention, and the layer structure can take many forms depending on the position where the diffraction grating is formed.

【0069】(第2の実施の形態)図5は、第2の実施
の形態に係る有機EL装置2000を模式的に示す断面
図である。有機EL装置2000は、ホール輸送層およ
び電子輸送層を有する点で、第1の実施の形態の有機E
L装置1000と異なる。図5では、端面のコーティン
グ層の図示を省略している。
(Second Embodiment) FIG. 5 is a sectional view schematically showing an organic EL device 2000 according to a second embodiment. The organic EL device 2000 according to the first embodiment is different from the organic EL device 2000 in that the organic EL device 2000 has a hole transport layer and an electron transport layer.
Different from the L device 1000. In FIG. 5, the illustration of the coating layer on the end face is omitted.

【0070】有機EL装置2000は、第1のクラッド
層10、陽極30、ホール輸送層70、有機発光層4
0、電子輸送層80、陰極50および第2のクラッド層
60が、この順序で積層されている。そして、この有機
EL装置2000は、第1のクラッド層10および第2
のクラッド層60の屈折率が、これらの第1のクラッド
層10と第2のクラッド層60との間に存在する、光を
透過する各層の屈折率より小さく設定されている。
The organic EL device 2000 includes a first clad layer 10, an anode 30, a hole transport layer 70, an organic light emitting layer 4
0, the electron transport layer 80, the cathode 50, and the second cladding layer 60 are stacked in this order. The organic EL device 2000 includes the first clad layer 10 and the second
Is set to be smaller than the refractive index of each light-transmitting layer existing between the first cladding layer 10 and the second cladding layer 60.

【0071】本実施の形態においては、ホール輸送層7
0が第1の実施の形態におけるコア層20としても機能
している点に特徴を有する。すなわち、ホール輸送層7
0は、上下の2層からなり、下層72と上層74とによ
って、光の伝搬方向に沿って回折格子100(図5で
は、一方の回折格子100aを図示する)が形成されて
いる。
In the present embodiment, the hole transport layer 7
0 has a feature in that it also functions as the core layer 20 in the first embodiment. That is, the hole transport layer 7
Numeral 0 is composed of upper and lower layers, and a lower layer 72 and an upper layer 74 form a diffraction grating 100 (one diffraction grating 100a is shown in FIG. 5) along the light propagation direction.

【0072】さらに、有機発光層40において発生した
光がホール輸送層70に効率よく導入されるために、ホ
ール輸送層70の屈折率は、有機発光層40の屈折率よ
り大きいことが望ましい。
Further, in order for the light generated in the organic light emitting layer 40 to be efficiently introduced into the hole transport layer 70, it is desirable that the refractive index of the hole transport layer 70 is larger than the refractive index of the organic light emitting layer 40.

【0073】回折格子100は、分布帰還型の回折格子
であることが好ましい。このように分布帰還型の回折格
子を形成することにより、波長選択性が優れ、発光スペ
クトル幅が狭く、かつ指向性のある光を得ることができ
る。さらに、回折格子100は、図示はしないが、λ/
4位相シフト構造または利得結合型構造を有することが
好ましい。このようにλ/4位相シフト構造または利得
結合型構造を有することにより、出射光をより単一モー
ド化することができる。
The diffraction grating 100 is preferably a distributed feedback type diffraction grating. By forming a distributed feedback diffraction grating in this manner, light having excellent wavelength selectivity, a narrow emission spectrum width, and directivity can be obtained. Further, although not shown, the diffraction grating 100 has a λ /
It is preferable to have a four phase shift structure or a gain coupling type structure. By having the λ / 4 phase shift structure or the gain-coupling type structure as described above, the emitted light can be made into a single mode.

【0074】有機EL装置2000においては、第1の
実施の形態と同様に、図示はしないが、一方の端面には
低反射率の第1のコーティング層が形成され、他方の端
面には高反射率の第2のコーティング層が形成されてい
る。これらのコーティング層は、例えば一般的に半導体
DFBレーザで用いられる誘電体多層ミラーなどを用い
ることができる。
In the organic EL device 2000, similarly to the first embodiment, although not shown, a first coating layer having a low reflectance is formed on one end surface, and a high reflection layer is formed on the other end surface. A second percentage of the coating layer is formed. For these coating layers, for example, a dielectric multilayer mirror generally used in a semiconductor DFB laser can be used.

【0075】次に、この有機EL装置2000の動作お
よび作用について説明する。
Next, the operation and action of the organic EL device 2000 will be described.

【0076】陽極30と陰極50とに所定の電圧が印加
されることにより、陰極50から電子輸送層80を介し
て電子が有機発光層40内に、また、陽極30からホー
ル輸送層70を介してホールが有機発光層40内に、注
入される。有機発光層40内では、この電子とホールと
が再結合されることにより励起子が生成され、この励起
子が失活する際に蛍光や燐光などの光が発生する。有機
発光層40において発生した光は、一部は陰極50ある
いは第2のクラッド層60によって反射されて、一部は
そのままホール輸送層70内に導入される。ホール輸送
層70内に導入された光は、回折格子100によって分
布帰還型の伝搬が行われ、ホール輸送層70内をその端
面に向けて伝搬し、低反射率の第1のコーティング層よ
り、出射する。この出射光は、回折格子100によって
ホール輸送層70で分布帰還されて出射されるため、波
長選択性があり、発光スペクトル幅が狭く、優れた指向
性を有する。さらに、回折格子100をλ/4位相シフ
ト構造または利得結合型構造とすることにより、出射光
をより単一モード化することができる。ここで、λは、
光導波路層内の光の波長を表す。そして、第1の回折格
子100aによって共振された波長λ1の光と、第2の
回折格子(図示せず)によって共振された波長λ2の光
とが、独立して出射される。
When a predetermined voltage is applied to the anode 30 and the cathode 50, electrons enter the organic light emitting layer 40 from the cathode 50 via the electron transport layer 80 and from the anode 30 via the hole transport layer 70. Holes are injected into the organic light emitting layer 40. In the organic light emitting layer 40, the electrons and holes are recombined to generate excitons, and when the excitons are deactivated, light such as fluorescence or phosphorescence is generated. A part of the light generated in the organic light emitting layer 40 is reflected by the cathode 50 or the second cladding layer 60 and a part is introduced into the hole transport layer 70 as it is. The light introduced into the hole transport layer 70 is distributed-propagation-type propagated by the diffraction grating 100, propagates through the hole transport layer 70 toward the end face thereof, and from the first coating layer having a low reflectance. Emit. The emitted light is distributed and fed back in the hole transport layer 70 by the diffraction grating 100 and is emitted. Therefore, the emitted light has wavelength selectivity, a narrow emission spectrum width, and excellent directivity. Furthermore, by making the diffraction grating 100 a λ / 4 phase shift structure or a gain-coupling type structure, the emitted light can be made into a single mode. Where λ is
Indicates the wavelength of light in the optical waveguide layer. Then, the light of wavelength λ1 resonated by the first diffraction grating 100a and the light of wavelength λ2 resonated by the second diffraction grating (not shown) are emitted independently.

【0077】この実施の形態では、ホール輸送層70に
回折格子100を設けた例を示したが、ホール輸送層の
代わりに電子輸送層の側に回折格子を設けることもでき
る。また、ホール輸送層と電子輸送層の両者を設ける必
要は必ずしもなく、いずれか一方の輸送層を設けるだけ
でもよい。このことは、他の実施の形態においても同様
である。
In this embodiment, an example in which the diffraction grating 100 is provided on the hole transport layer 70 has been described. However, a diffraction grating can be provided on the electron transport layer side instead of the hole transport layer. Further, it is not always necessary to provide both the hole transport layer and the electron transport layer, and only one of the transport layers may be provided. This is the same in other embodiments.

【0078】(第3の実施の形態)図6は、本実施の形
態に係る有機EL装置3000を模式的に示す断面図で
ある。この例においては、有機発光層に回折格子を設け
る点で、前述した第1および第2の実施の形態と異な
る。
(Third Embodiment) FIG. 6 is a sectional view schematically showing an organic EL device 3000 according to the present embodiment. This example is different from the first and second embodiments in that a diffraction grating is provided in the organic light emitting layer.

【0079】この有機EL装置3000は、有機発光層
40を挟む状態で、それぞれホール輸送層70および電
子輸送層80が形成されている。具体的には、有機EL
装置3000は、第1のクラッド層10、陽極30、ホ
ール輸送層70、有機発光層40、電子輸送層80、陰
極50および第2のクラッド層60が、この順に積層さ
れている。この有機EL装置3000は、第1のクラッ
ド層10および第2のクラッド層60の屈折率が、第1
のクラッド層10と第2のクラッド層60との間に存在
する、光を透過する層の屈折率より小さく設定されてい
る。
In the organic EL device 3000, a hole transport layer 70 and an electron transport layer 80 are formed with the organic light emitting layer 40 interposed therebetween. Specifically, organic EL
In the device 3000, a first clad layer 10, an anode 30, a hole transport layer 70, an organic light emitting layer 40, an electron transport layer 80, a cathode 50, and a second clad layer 60 are laminated in this order. In this organic EL device 3000, the refractive index of the first clad layer 10 and the second
Is set to be smaller than the refractive index of the light transmitting layer existing between the second clad layer 10 and the second clad layer 60.

【0080】本実施の形態では、有機発光層40が、光
が伝搬されるコア層として機能している。そして、回折
格子100(100a)は、有機発光層40と電子輸送
層80との間に形成されている。有機発光層40での光
の閉じこめを考慮すると、有機発光層40の屈折率と、
ホール輸送層70および電子輸送層80の屈折率とは異
なることが望ましい。
In this embodiment, the organic light emitting layer 40 functions as a core layer through which light propagates. The diffraction grating 100 (100a) is formed between the organic light emitting layer 40 and the electron transport layer 80. Considering the confinement of light in the organic light emitting layer 40, the refractive index of the organic light emitting layer 40,
It is desirable that the refractive indexes of the hole transport layer 70 and the electron transport layer 80 be different.

【0081】回折格子100は、分布帰還型の回折格子
であることが好ましい。このように分布帰還型の回折格
子を形成することにより、波長選択性が優れ、発光スペ
クトルが狭く、指向性のよい光を得ることができる。さ
らに、回折格子100は、図示はしないが、λ/4位相
シフト構造または利得結合型構造を有することが好まし
い。このようにλ/4位相シフト構造または利得結合型
構造を有することにより、出射光をより単一モード化す
ることができる。
The diffraction grating 100 is preferably a distributed feedback type diffraction grating. By forming a distributed feedback diffraction grating in this manner, light having excellent wavelength selectivity, a narrow emission spectrum, and good directivity can be obtained. Further, although not shown, the diffraction grating 100 preferably has a λ / 4 phase shift structure or a gain coupling type structure. By having the λ / 4 phase shift structure or the gain-coupling type structure as described above, the emitted light can be made into a single mode.

【0082】有機EL装置3000においては、図示は
しないが、一方の端面には低反射率の第1のコーティン
グ層が形成され、他方の端面には高反射率の第2のコー
ティング層が形成されている。これらのコーティング層
は、例えば一般的に半導体DFBレーザで用いられる誘
電体多層ミラーなどを用いることができる。
In the organic EL device 3000, although not shown, a first coating layer having a low reflectance is formed on one end face, and a second coating layer having a high reflectance is formed on the other end face. ing. For these coating layers, for example, a dielectric multilayer mirror generally used in a semiconductor DFB laser can be used.

【0083】次に、この有機EL装置3000の動作お
よび作用について説明する。
Next, the operation and action of the organic EL device 3000 will be described.

【0084】陽極30と陰極50とに所定の電圧が印加
されることにより、陰極50から電子輸送層80を介し
て電子が、陽極30からホール輸送層70を介してホー
ルが、それぞれ有機発光層40内に注入される。有機発
光層40内では、この電子とホールとが再結合されるこ
とにより励起子が生成され、この励起子が失活する際に
蛍光や燐光などの光が発生する。有機発光層40におい
て発生した光は、回折格子100によって分布帰還型の
伝搬が行われ、有機発光層40および電子輸送層80内
をその端面に向けて伝搬し、低反射率の第1のコーティ
ング層より、出射する。この出射光は、回折格子100
によって有機発光層40で分布帰還されて出射されるた
め、波長選択性があり、発光スペクトル幅が狭く、優れ
た指向性を有する。さらに、回折格子100をλ/4位
相シフト構造または利得結合型構造とすることにより、
出射光をより単一モード化することができる。ここで、
λは、光導波路層内の光の波長を表す。そして、第1の
回折格子100aによって共振された波長λ1の光と、
第2の回折格子(図示せず)によって共振された波長λ
2の光とが、独立して出射される。
By applying a predetermined voltage to the anode 30 and the cathode 50, electrons are emitted from the cathode 50 via the electron transport layer 80, holes are emitted from the anode 30 via the hole transport layer 70, and It is injected into 40. In the organic light emitting layer 40, the electrons and holes are recombined to generate excitons, and when the excitons are deactivated, light such as fluorescence or phosphorescence is generated. The light generated in the organic light emitting layer 40 is distributed and propagated by the diffraction grating 100, propagates through the organic light emitting layer 40 and the electron transport layer 80 toward the end face, and has a low reflectance of the first coating. Light is emitted from the layer. This outgoing light is reflected by the diffraction grating 100
As a result, the light is distributed and returned by the organic light emitting layer 40 and emitted, so that it has wavelength selectivity, a narrow emission spectrum width, and excellent directivity. Further, by making the diffraction grating 100 a λ / 4 phase shift structure or a gain coupling type structure,
The emitted light can be made into a single mode. here,
λ represents the wavelength of light in the optical waveguide layer. Then, light of wavelength λ1 resonated by the first diffraction grating 100a,
Wavelength λ resonated by a second diffraction grating (not shown)
And two lights are emitted independently.

【0085】この有機EL装置3000によれば、有機
発光層40において発生した光は、そのまま有機発光層
40内を伝搬するため、有機発光層40の材料を適宜選
択することにより、効率のよい発光がなされる。
According to the organic EL device 3000, the light generated in the organic light emitting layer 40 propagates through the organic light emitting layer 40 as it is. Is made.

【0086】(第4の実施の形態)図7は、本実施の形
態に係る有機EL装置4000を模式的に示す断面図で
ある。有機EL装置4000は、分布ブラッグ反射型の
回折格子を有する点で、上述の有機EL装置と異なる。
(Fourth Embodiment) FIG. 7 is a sectional view schematically showing an organic EL device 4000 according to the present embodiment. The organic EL device 4000 is different from the above-described organic EL device in having a distributed Bragg reflection type diffraction grating.

【0087】有機EL装置4000は、クラッド層1
0、陽極30、ホール輸送層70、有機発光層40およ
び陰極50が、この順序によって積層されている。この
有機EL装置4000は、クラッド層10の屈折率が、
光を透過する他の層の屈折率より小さく設定されてい
る。
The organic EL device 4000 includes the clad layer 1
0, the anode 30, the hole transport layer 70, the organic light emitting layer 40, and the cathode 50 are stacked in this order. In this organic EL device 4000, the cladding layer 10 has a refractive index of
The refractive index is set smaller than the refractive index of the other layer that transmits light.

【0088】回折格子100は、ホール輸送層70と空
気層90との境界領域に形成され、いわゆるエアギャッ
プを有する分布ブラッグ型の回折格子を構成している。
この場合、ホール輸送層の材料の選択範囲によっては、
回折格子を構成する2媒質の屈折率差を大きくとること
ができ、所望の光の波長に対して効率のよい回折格子を
形成することができる。そして、ホール輸送層70の表
面の一部に凹部42が形成され、この凹部42内に有機
発光層40が形成されている。有機発光層40の上には
陰極50が形成されている。この有機EL装置4000
においては、ホール輸送層70と空気層90とが光を伝
搬するコア層として機能する。
The diffraction grating 100 is formed in a boundary region between the hole transport layer 70 and the air layer 90, and forms a distributed Bragg diffraction grating having a so-called air gap.
In this case, depending on the selection range of the material of the hole transport layer,
The difference between the refractive indices of the two media constituting the diffraction grating can be increased, and a diffraction grating that is efficient with respect to a desired light wavelength can be formed. Then, a concave portion 42 is formed in a part of the surface of the hole transport layer 70, and the organic light emitting layer 40 is formed in the concave portion 42. On the organic light emitting layer 40, a cathode 50 is formed. This organic EL device 4000
In, the hole transport layer 70 and the air layer 90 function as a core layer for transmitting light.

【0089】このように分布ブラッグ型の回折格子10
0を形成することにより、光を共振させ、波長選択性お
よび指向性に優れた光を得ることができる。
As described above, the distributed Bragg type diffraction grating 10
By forming 0, light resonates, and light with excellent wavelength selectivity and directivity can be obtained.

【0090】有機EL装置4000においては、図示は
しないが、一方の端面には低反射率の第1のコーティン
グ層が形成され、他方の端面には高反射率の第2のコー
ティング層が形成されている。これらのコーティング層
は、例えば一般的に半導体DFBレーザで用いられる誘
電体多層ミラーなどを用いることができる。
In the organic EL device 4000, although not shown, a first coating layer having a low reflectivity is formed on one end face, and a second coating layer having a high reflectivity is formed on the other end face. ing. For these coating layers, for example, a dielectric multilayer mirror generally used in a semiconductor DFB laser can be used.

【0091】次に、この有機EL装置4000の動作お
よび作用について説明する。
Next, the operation and action of the organic EL device 4000 will be described.

【0092】陽極30と陰極50とに所定の電圧が印加
されることにより、陰極50から電子が、陽極30から
ホール輸送層70を介してホールが、それぞれ有機発光
層40内に注入される。有機発光層40内では、この電
子とホールとが再結合されることにより励起子が生成さ
れ、この励起子が失活する際に蛍光や燐光などの光が発
生する。
When a predetermined voltage is applied to the anode 30 and the cathode 50, electrons are injected from the cathode 50, and holes are injected from the anode 30 via the hole transport layer 70 into the organic light emitting layer 40, respectively. In the organic light emitting layer 40, the electrons and holes are recombined to generate excitons, and when the excitons are deactivated, light such as fluorescence or phosphorescence is generated.

【0093】そして、本実施の形態では、分布ブラッグ
反射型の回折格子100を有するので、有機発光層40
で発生した光は、該有機発光層40の両側の回折格子で
反射されて共振する。そのため、有機発光層40で発生
した光は、より効率よく共振し、ホール輸送層70およ
び空気層90内をその端面に向けて伝搬し、低反射率の
第1のコーティング層より出射する。この出射光は、分
布ブラッグ反射型の回折格子100によって共振して出
射されるため、波長選択性および指向性に優れるだけで
なく、高い効率で出射される。
In the present embodiment, since the diffraction grating 100 of the distributed Bragg reflection type is provided, the organic light emitting layer 40
Are reflected by the diffraction gratings on both sides of the organic light emitting layer 40 and resonate. Therefore, the light generated in the organic light emitting layer 40 resonates more efficiently, propagates in the hole transport layer 70 and the air layer 90 toward the end face, and is emitted from the first coating layer having a low reflectance. The emitted light is resonated and emitted by the distributed Bragg reflection type diffraction grating 100, so that it is not only excellent in wavelength selectivity and directivity but also emitted with high efficiency.

【0094】図示の例では、ホール輸送層70に回折格
子100を形成したが、ホール輸送層の代わりに電子輸
送層を設け、これに回折格子を設けてもよい。また、ホ
ール輸送層あるいは電子輸送層の代わりに、光の吸収が
小さい他の材料でコア層を形成することもできる。さら
に、図示の例では、回折格子のギャップをエアギャップ
によって構成しているが、空気層90の代わりに他の材
料で形成された層で回折格子を構成することもできる。
また、有機発光層40が埋め込まれる凹部42に、有機
発光層の他に、ホール輸送層および電子輸送層の少なく
とも一方を重ねて充填することもできる。
Although the diffraction grating 100 is formed on the hole transport layer 70 in the illustrated example, an electron transport layer may be provided instead of the hole transport layer, and a diffraction grating may be provided on the electron transport layer. Further, instead of the hole transport layer or the electron transport layer, the core layer can be formed of another material having low light absorption. Further, in the illustrated example, the gap of the diffraction grating is constituted by an air gap, but the diffraction grating may be constituted by a layer formed of another material instead of the air layer 90.
Further, in addition to the organic light emitting layer, at least one of the hole transport layer and the electron transport layer may be filled in the recess 42 in which the organic light emitting layer 40 is embedded.

【0095】図示の例では、回折格子100を陽極30
上のホール輸送層70と空気層90とによって形成した
が、例えば、陽極30の下に、屈折率の異なる2つの媒
質(例えば、クラッド層と空気層)を用いて分布ブラッ
グ反射型の回折格子を形成することもできる。
In the example shown, the diffraction grating 100 is connected to the anode 30.
Although formed by the upper hole transport layer 70 and the air layer 90, for example, a distributed Bragg reflection type diffraction grating using two media having different refractive indexes (for example, a clad layer and an air layer) under the anode 30 Can also be formed.

【0096】以上の実施の形態においては、波長が異な
る2つの出射光が得られる有機EL装置について述べた
が、本発明はこれに限定されず、3以上の異なる共振波
長が得られる有機EL装置にも適用できる。また、本発
明においては、クラッド層は、金属などからなる電極層
などによって導波路層内の光の閉じこめが十分な場合に
は、形成しなくともよい。
In the above embodiment, an organic EL device capable of obtaining two emitted lights having different wavelengths has been described. However, the present invention is not limited to this, and an organic EL device capable of obtaining three or more different resonance wavelengths is provided. Also applicable to Further, in the present invention, the cladding layer may not be formed when the confinement of light in the waveguide layer by the electrode layer made of metal or the like is sufficient.

【0097】さらに、上記の実施の形態では、発光層と
して有機発光層を用いたものについて述べたが、有機発
光層の代わりに無機材料からなる発光層を用いてもよ
い。
Further, in the above embodiment, the case where the organic light emitting layer is used as the light emitting layer has been described, but a light emitting layer made of an inorganic material may be used instead of the organic light emitting layer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係る有機EL装置
を模式的に示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an organic EL device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す有機EL装置をA−A線に沿って模
式的に示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the organic EL device shown in FIG. 1 along line AA.

【図3】図2に示す有機EL装置をB−B線に沿って模
式的に示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view schematically showing the organic EL device shown in FIG. 2 along line BB.

【図4】本発明の回折格子の変形例を模式的に示す断面
図である。
FIG. 4 is a sectional view schematically showing a modification of the diffraction grating of the present invention.

【図5】本発明の第2の実施の形態に係る有機EL装置
を模式的に示す断面図である。
FIG. 5 is a sectional view schematically showing an organic EL device according to a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第3の実施の形態に係る有機EL装置
を模式的に示す断面図である。
FIG. 6 is a sectional view schematically showing an organic EL device according to a third embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第4の実施の形態に係る有機EL装置
を模式的に示す断面図である。
FIG. 7 is a sectional view schematically showing an organic EL device according to a fourth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 第1のクラッド層 20 コア層 30 陽極 40 有機発光層 50(50a,50b) 陰極 60 第2のクラッド層 70 ホール輸送層 80 電子輸送層 100(100a,100b) 回折格子 110,120 コーティング層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 First clad layer 20 Core layer 30 Anode 40 Organic light emitting layer 50 (50a, 50b) Cathode 60 Second clad layer 70 Hole transport layer 80 Electron transport layer 100 (100a, 100b) Diffraction grating 110, 120 Coating layer

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】エレクトロルミネッセンスによって発光可
能な発光層と、 前記発光層に電界を印加するための少なくとも一対の電
極層と、 前記発光層において発生した光を伝搬するための光導波
路と、を含み、 前記光導波路に回折格子が形成され、該回折格子は、ピ
ッチの光学長が異なる複数の回折格子からなり、各回折
格子に対応して、複数の異なる共振波長の光を出射可能
なEL装置。
1. A light emitting layer capable of emitting light by electroluminescence, at least a pair of electrode layers for applying an electric field to the light emitting layer, and an optical waveguide for propagating light generated in the light emitting layer. A diffraction grating formed in the optical waveguide, the diffraction grating being composed of a plurality of diffraction gratings having different optical lengths of a pitch, and being capable of emitting light having a plurality of different resonance wavelengths corresponding to each diffraction grating; .
【請求項2】 請求項1において、 前記回折格子は、分布帰還型の回折格子であるEL装
置。
2. The EL device according to claim 1, wherein the diffraction grating is a distributed feedback diffraction grating.
【請求項3】 請求項2において、 前記回折格子は、λ/4位相シフト構造を有するEL装
置。
3. The EL device according to claim 2, wherein the diffraction grating has a λ / 4 phase shift structure.
【請求項4】 請求項2において、 前記回折格子は、利得結合型構造を有するEL装置。4. The EL device according to claim 2, wherein the diffraction grating has a gain coupling type structure. 【請求項5】 請求項1において、 前記回折格子は、分布ブラッグ反射型の回折格子である
EL装置。
5. The EL device according to claim 1, wherein the diffraction grating is a distributed Bragg reflection type diffraction grating.
【請求項6】 請求項1〜5のいずれかにおいて、 前記発光層は、発光材料として有機発光材料を含むEL
装置。
6. The EL according to claim 1, wherein the light emitting layer includes an organic light emitting material as a light emitting material.
apparatus.
【請求項7】 請求項1〜6のいずれかにおいて、 前記複数の回折格子は、それぞれ、同じ材料からなり、
かつ異なるピッチ長を有するEL装置。
7. The diffraction grating according to claim 1, wherein the plurality of diffraction gratings are each made of the same material,
EL devices having different pitch lengths.
【請求項8】 請求項1〜6のいずれかにおいて、 前記複数の回折格子は、それぞれ、異なる材料からな
り、かつ同じピッチ長を有するEL装置。
8. The EL device according to claim 1, wherein the plurality of diffraction gratings are made of different materials and have the same pitch length.
【請求項9】 請求項1〜6のいずれかにおいて、 前記複数の回折格子は、それぞれ、異なる材料からな
り、かつ異なるピッチ長を有するEL装置。
9. The EL device according to claim 1, wherein each of the plurality of diffraction gratings is made of a different material and has a different pitch length.
【請求項10】 請求項1〜9のいずれかにおいて、 前記光導波路は、主として光が伝搬されるコア層と、該
コア層より屈折率が小さいクラッド層と、を含み、 前記コア層は、前記発光層と異なる層からなるEL装
置。
10. The optical waveguide according to claim 1, wherein the optical waveguide includes a core layer through which light is mainly propagated, and a clad layer having a lower refractive index than the core layer. An EL device comprising a layer different from the light emitting layer.
【請求項11】 請求項10において、 前記コア層は、前記発光層より大きい屈折率を有するE
L装置。
11. The light emitting device according to claim 10, wherein the core layer has a higher refractive index than the light emitting layer.
L device.
【請求項12】 請求項1〜9のいずれかにおいて、 前記光導波路は、主として光が伝搬されるコア層と、該
コア層より屈折率が小さいクラッド層と、を含み、 前記コア層は、前記発光層を含む層からなるEL装置。
12. The optical waveguide according to claim 1, wherein the optical waveguide includes a core layer through which light mainly propagates, and a clad layer having a smaller refractive index than the core layer. An EL device comprising a layer including the light emitting layer.
【請求項13】 請求項1〜12のいずれかにおいて、 前記複数の回折格子のそれぞれに対応して、前記電極層
を独立に制御可能なEL装置。
13. The EL device according to claim 1, wherein the electrode layer can be independently controlled corresponding to each of the plurality of diffraction gratings.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100778582B1 (en) * 2005-02-10 2007-11-22 가부시끼가이샤 도시바 Organic el display
JP2008091129A (en) * 2006-09-29 2008-04-17 Casio Comput Co Ltd Light emitting device
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