JP2000173778A - Organic el display device - Google Patents
Organic el display deviceInfo
- Publication number
- JP2000173778A JP2000173778A JP10356900A JP35690098A JP2000173778A JP 2000173778 A JP2000173778 A JP 2000173778A JP 10356900 A JP10356900 A JP 10356900A JP 35690098 A JP35690098 A JP 35690098A JP 2000173778 A JP2000173778 A JP 2000173778A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic
- display device
- substrate
- titanium oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-1-(5-methylfuran-2-yl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)C(CN)C1=CC=C(C)O1 KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 10
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 39
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 13
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 6
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 181
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 42
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 42
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 30
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 7
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- -1 aluminum quinolinol Chemical compound 0.000 description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 4
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 1-phenylanthracene Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12 BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 3
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFYQEBBUVNLYBR-UHFFFAOYSA-N 12-phthaloperinone Chemical class C1=CC(N2C(=O)C=3C(=CC=CC=3)C2=N2)=C3C2=CC=CC3=C1 XFYQEBBUVNLYBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000434 metal complex dye Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical group [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009103 reabsorption Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物を用い
た有機ＥＬ表示装置に関し、さらに詳細には、発光を取
り出す光取り出し面の構造に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an organic EL display device using an organic compound, and more particularly to a structure of a light extraction surface for extracting light emission.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、有機ＥＬ素子が盛んに研究されて
いる。これは、ホール注入電極上にトリフェニルジアミ
ン（ＴＰＤ）などのホール輸送材料を蒸着により薄膜と
し、さらにアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）などの
蛍光物質を発光層として積層し、さらにＭｇなどの仕事
関数の小さな金属電極（電子注入電極）を形成した基本
構成を有する素子で、１０Ｖ前後の電圧で数１００から
数１００００cd/m2ときわめて高い輝度が得られること
で注目されている。2. Description of the Related Art In recent years, organic EL devices have been actively studied. This is because a hole transporting material such as triphenyldiamine (TPD) is deposited on the hole injecting electrode to form a thin film, and a phosphor such as an aluminum quinolinol complex (Alq3) is laminated as a light emitting layer. It is an element having a basic structure in which a small metal electrode (electron injection electrode) is formed, and is attracting attention because a very high luminance of several hundreds to several 10,000 cd / m 2 can be obtained at a voltage of about 10 V.
【０００３】有機ＥＬ表示装置は、前述のように基板上
に電子注入電極、有機層、ホール注入電極等を有する有
機ＥＬ構造体が成膜されている基本構成を有し、通常、
発光した光はホール注入電極を介して基板側から取り出
される。An organic EL display device has a basic structure in which an organic EL structure having an electron injection electrode, an organic layer, a hole injection electrode, and the like is formed on a substrate as described above.
The emitted light is extracted from the substrate side via the hole injection electrode.
【０００４】一般に基板は絶縁材料により形成されてい
るため、表示面は電気的に浮遊した状態となり、静電気
を生じたり、これを蓄積する恐れがある。表示面に電荷
が蓄積されると、これが放電する際にディスプレイを構
成する有機ＥＬ表示装置や、その駆動回路、制御回路等
を破壊したり、損傷を与えたりする。有機ＥＬ表示装置
が損傷を受けた場合、リーク電流等を生じ、誤発光や異
常発光として認識される。特に、ディスプレイ本体と、
これを駆動するための電気回路基板を組み付けたり、組
み立てた後の搬送工程等において、静電破壊が生じやす
い。In general, since the substrate is formed of an insulating material, the display surface is in an electrically floating state, and there is a possibility that static electricity may be generated or accumulated. When the electric charge is accumulated on the display surface, when the electric charge is discharged, the organic EL display device constituting the display, its driving circuit, the control circuit, and the like are destroyed or damaged. When the organic EL display device is damaged, a leak current or the like is generated, which is recognized as erroneous light emission or abnormal light emission. In particular, the display body,
Electrostatic breakdown is likely to occur in the assembly of an electric circuit board for driving this or in the transport process after the assembly.
【０００５】有機ＥＬ素子をディスプレイ等に応用した
場合、表示面となる基板裏面側（有機ＥＬ構造体が積層
されている面の反対側）が空気中の凝集水分により曇っ
たり、ぼやけたりして、表示面の視認性を著しく低下さ
せることがある。このような凝集水分による曇りは、広
い用途での応用が期待され、種々の条件下での使用が期
待される有機ＥＬ素子のディスプレイでは重要な問題で
あり、防曇性能が多用途向けのディスプレイとしての応
用範囲を左右する。When the organic EL element is applied to a display or the like, the back surface of the substrate serving as the display surface (the side opposite to the surface on which the organic EL structure is laminated) is clouded or blurred by the coagulated moisture in the air. The visibility of the display surface may be significantly reduced. Such fogging due to coagulated moisture is an important problem in displays of organic EL devices which are expected to be used in a wide range of applications and are expected to be used under various conditions. Determines the application range.
【０００６】また、表示面に人の手が触れたり、大気中
の細かい塵が堆積したりして表示面に汚染物質が付着す
ることがある。このような汚染物質が付着することによ
り、さらに表示面は曇りやすくなるとともに、汚染物質
自体により、視認性も妨げられる。[0006] In addition, the display surface may be touched by a human hand, or fine dust in the air may accumulate, and contaminants may adhere to the display surface. When such a contaminant adheres, the display surface is more likely to be fogged, and the visibility is impaired by the contaminant itself.
【０００７】一般に有機ＥＬ素子は自発光素子である
が、発光光が外部に取り出される際に、外来光（例えば
太陽光や室内照明）が基板で反射した光と一緒になり、
コントラスト比を低下させたりして、ディスプレイの視
認性を悪化させることが知られている。In general, an organic EL element is a self-luminous element. When emitted light is extracted to the outside, extraneous light (for example, sunlight or indoor lighting) is combined with light reflected by a substrate.
It is known that the visibility of a display is deteriorated by lowering the contrast ratio.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、表示
面に蓄積する静電気を防止し、静電破壊の恐れのない有
機ＥＬ表示装置を実現することである。また、表示面の
凝集水分の付着による曇りを防止し、汚染物質の付着を
防止することで、高い視認性と表示品質を長期間維持で
きる有機ＥＬ表示装置を実現することである。また、外
部光の反射を抑制して高い視認性を確保することのでき
る有機ＥＬ表示装置を実現することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to realize an organic EL display device which prevents static electricity from accumulating on a display surface and has no fear of electrostatic breakdown. Another object of the present invention is to realize an organic EL display device that can maintain high visibility and display quality for a long period of time by preventing clouding due to adhesion of cohesive moisture on a display surface and preventing adhesion of contaminants. Another object of the present invention is to realize an organic EL display device capable of suppressing reflection of external light and ensuring high visibility.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】すなわち上記目的は、以
下の本発明により達成される。 （１） 基板と、この基板上に形成された有機ＥＬ構造
体とを有し、 前記基板の有機ＥＬ構造体成膜面と反対
側の表示面には、薄膜積層体であって、最外層に酸化チ
タンを含有する層を有し、その下層にはこれよりも抵抗
率の低い導電層を有し、前記酸化チタンを含有する層に
含有される酸化チタンをＴｉＯx と表したとき、ｘ＝
１．５〜２．２である有機ＥＬ表示装置。 （２） 前記導電層の２５℃での抵抗率は、１０-6 μ
Ω・cm以下である上記（１）の有機ＥＬ表示装置。 （３） 前記導電層は、有機ＥＬ構造体の電極構成物質
で形成されている上記（１）または（２）の有機ＥＬ表
示装置。 （４） 前記導電層は、チタンまたは一酸化チタンによ
り形成され、このチタンまたは一酸化チタンをＴｉＯy
と表したとき、ｙ＝０〜１．５である上記（１）または
（２）の有機ＥＬ表示装置。 （５） 基板と、この基板上に形成された有機ＥＬ構造
体とを有し、 前記基板の有機ＥＬ構造体成膜面と反対
側の表示面には、薄膜積層体であって、最外層に酸化チ
タンを含有する層を有し、その下層には屈折率を調整す
るための屈折率調整層を有し、前記酸化チタンを含有す
る層に含有される酸化チタンをＴｉＯx と表したとき、
ｘ＝１．５〜２．２である有機ＥＬ表示装置。 （６） 前記最外層および屈折率調整層は、外部から入
射する発光波長帯域の光の垂直入射成分に対する垂直反
射成分の比の極小値が、４．２％以下である上記（５）
の有機ＥＬ表示装置。 （７） 前記屈折率調整層の発光波長帯域の屈折率が、
ｎ＝２．５〜４．０である上記（５）または（６）の有
機ＥＬ表示装置。That is, the above object is achieved by the present invention described below. (1) a substrate, and an organic EL structure formed on the substrate; and a display surface of the substrate opposite to the surface on which the organic EL structure is formed is a thin-film laminate, the outermost layer Has a layer containing titanium oxide, a lower layer has a conductive layer having a lower resistivity than this, and when the titanium oxide contained in the layer containing titanium oxide is represented as TiO x , x =
An organic EL display device having a size of 1.5 to 2.2. (2) The resistivity of the conductive layer at 25 ° C. is 10 −6 μm.
The organic EL display device according to the above (1), which is Ω · cm or less. (3) The organic EL display device according to (1) or (2), wherein the conductive layer is formed of an electrode constituent material of an organic EL structure. (4) the conductive layer is formed of titanium or titanium monoxide, TiO y the titanium or titanium monoxide
The organic EL display device according to (1) or (2) above, wherein y = 0 to 1.5. (5) a substrate, and an organic EL structure formed on the substrate; a display surface of the substrate opposite to the surface on which the organic EL structure is formed is a thin film laminate, Has a layer containing titanium oxide, a lower layer has a refractive index adjustment layer for adjusting the refractive index, when the titanium oxide contained in the layer containing titanium oxide is represented as TiO x ,
An organic EL display device in which x = 1.5 to 2.2. (6) The minimum value of the ratio of the vertical reflection component to the vertical incidence component of light in the emission wavelength band incident from the outside of the outermost layer and the refractive index adjustment layer is 4.2% or less.
Organic EL display device. (7) The refractive index in the emission wavelength band of the refractive index adjustment layer is:
The organic EL display device according to the above (5) or (6), wherein n = 2.5 to 4.0.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】本発明の有機ＥＬ表示装置は、基
板と、この基板上に形成された有機ＥＬ構造体とを有
し、前記基板の有機ＥＬ構造体成膜面と反対側の面に
は、薄膜積層体であって、最外層に酸化チタンを含有す
る層を有し、その下層にはこれよりも抵抗率の低い導電
層を有し、前記酸化チタンを含有する層に含有される酸
化チタンをＴｉＯx と表したとき、ｘ＝１．５〜２．２
である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An organic EL display device of the present invention has a substrate and an organic EL structure formed on the substrate, and a surface of the substrate opposite to a surface on which the organic EL structure is formed. Has a layer containing titanium oxide in the outermost layer, a lower layer has a conductive layer having a lower resistivity than this, and is contained in the layer containing titanium oxide. X = 1.5 to 2.2, where TiO x represents
It is.
【００１１】このように、有機ＥＬ表示装置の表示面、
つまり有機ＥＬ構造体成膜面と反対側の面のコーティン
グを２層とし、最外層に酸化チタンを含有する層を有
し、その下層にはこれよりも導電率の良好な導電層を有
することで、表面の電荷を速やかに排除し、静電気の発
生を防止するとともに、最外層の酸化チタンを含有する
層により凝集水分の付着による曇りと、汚染物質の付着
を防止することができる。As described above, the display surface of the organic EL display device,
In other words, the coating on the surface opposite to the surface on which the organic EL structure is formed is made of two layers, the outermost layer has a layer containing titanium oxide, and the lower layer has a conductive layer having better conductivity than this. Thus, the charge on the surface can be quickly eliminated, static electricity can be prevented from being generated, and the outermost layer containing titanium oxide can prevent clouding due to adhesion of coagulated water and adhesion of contaminants.
【００１２】最外層の酸化チタンを含有する層は、酸化
チタンをＴｉＯx と表したとき、ｘ＝１．５〜２．２の
組成範囲であり、好ましくは、ｘ＝１．７〜２．０の組
成範囲である。The outermost layer containing titanium oxide has a composition range of x = 1.5 to 2.2 when titanium oxide is expressed as TiO x, and preferably, x = 1.7 to 2.2. The composition range is 0.
【００１３】ｘが大きすぎても、ｘが小さすぎても、光
触媒としての機能や、超親水性が劣ってくる。最外層の
酸化チタンは、光触媒として機能し、超親水性を示して
防曇作用を有するとともに、表面に付着した汚染物質を
分解する。If x is too large or x is too small, the function as a photocatalyst and the superhydrophilicity will be poor. The outermost layer of titanium oxide functions as a photocatalyst, exhibits superhydrophilicity, has an antifogging action, and decomposes contaminants attached to the surface.
【００１４】ＴｉＯx のｘの値は、例えば、蛍光Ｘ線分
析により、ＴｉとＯとのカウント比から求めることがで
きる。The value of x in TiO x can be determined from the count ratio between Ti and O, for example, by X-ray fluorescence analysis.
【００１５】最外層の厚さは、光触媒としての機能を果
たし、表面の濡れ性を改善しうる一定以上の厚さとすれ
ば良く、１０nm以上、好ましくは１００nm以上とすれば
よい。また、後述の反射率を膜厚により調整する場合に
は、最適な反射率を与える厚さとすればよい。The thickness of the outermost layer may be a certain value or more that can function as a photocatalyst and improve the wettability of the surface, and may be 10 nm or more, preferably 100 nm or more. In the case where the reflectance, which will be described later, is adjusted by the film thickness, the thickness may be set so as to provide an optimum reflectance.
【００１６】この最外層の下層（基板側）には、最外層
より抵抗率の低い導電層を下地層として有する。下層に
導電層を有することで、表示面表面に静電気が蓄積する
のを防止でき、有機ＥＬ表示装置や、その駆動回路、制
御回路等を静電破壊から保護することができる。Under the outermost layer (substrate side), a conductive layer having a lower resistivity than the outermost layer is provided as a base layer. By having a conductive layer as a lower layer, accumulation of static electricity on the surface of the display surface can be prevented, and the organic EL display device, its driving circuit, control circuit, and the like can be protected from electrostatic breakdown.
【００１７】前記導電層の電気抵抗率は、最外層より低
いものであれば特に限定されるものではないが、好まし
くは２５℃で１０6 μΩ・cm以下、より好ましくは１０
4 μΩ・cm以下、特に好ましくは１０3 μΩ・cm以下で
ある、また、その下限としては、特に限定されるもので
はないが、通常、１．５μΩ・cm程度である。The electrical resistivity of the conductive layer is not particularly limited as long as it is lower than that of the outermost layer, but is preferably 10 6 μΩ · cm or less at 25 ° C., more preferably 10 6 μΩ · cm.
It is 4 μΩ · cm or less, particularly preferably 10 3 μΩ · cm or less, and the lower limit is not particularly limited, but is usually about 1.5 μΩ · cm.
【００１８】前記導電層を構成する材料としては、上記
のような電気抵抗率となるものであれば特に限定される
ものではないが、有機ＥＬ構造体の電極構成物質で形成
されていることが好ましい。有機ＥＬ構造体の電極構成
物質、特に透明電極により構成することが好ましい。有
機ＥＬ構造体の電極構成物質により、導電層を形成する
ことにより、有機ＥＬ構造体の電極形成工程と、導電層
形成工程を連続、または同時に行うことができ、製造上
有利である。また、導電層は発光した光を取り出す側で
あるため、光透過性を有する透明電極の構成材料である
ことが好ましい。具体的には、ＩＴＯ（錫ドープ酸化イ
ンジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）、Ｚ
ｎＯ、ＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 等が挙げられる。The material constituting the conductive layer is not particularly limited as long as it has the above-mentioned electric resistivity, but it is preferable that the material is formed of an electrode constituting material of the organic EL structure. preferable. It is preferable that the organic EL structure is formed of an electrode constituent material, particularly a transparent electrode. By forming the conductive layer using the electrode constituent material of the organic EL structure, the electrode forming step of the organic EL structure and the conductive layer forming step can be performed continuously or simultaneously, which is advantageous in manufacturing. Further, since the conductive layer is on the side from which emitted light is extracted, it is preferable that the conductive layer is a constituent material of a transparent electrode having light transmittance. Specifically, ITO (tin-doped indium oxide), IZO (zinc-doped indium oxide), Z
nO, SnO 2 , In 2 O 3 and the like.
【００１９】導電層は、チタンまたは一酸化チタンによ
り形成されていてもよい。この場合、チタンまたは一酸
化チタンをＴｉＯy と表したとき、 好ましくはｙ＝０〜１．５ より好ましくはｙ＝０．１〜１．２ 特に好ましくはｙ＝０．４〜１．１である。The conductive layer may be made of titanium or titanium monoxide. In this case, when titanium or titanium monoxide is represented as TiO y , preferably y = 0 to 1.5, more preferably y = 0.1 to 1.2, particularly preferably y = 0.4 to 1.1. is there.
【００２０】導電層をチタンまたは一酸化チタンにより
形成することで、１つのターゲットで導電層と最外層と
を成膜することができ、連続的な工程での成膜が可能と
なる。ＴｉＯの２５℃での電気抵抗率は、４００〜７０
０μΩ・cm程度である。一酸化チタンのＯ量が少なすぎ
ると金属光沢を有するようになり、ディスプレイの視認
性を低下させる場合がある。一酸化チタンのＯ量が多す
ぎると電気抵抗率が増大し、導電層として必要な機能を
発揮できなくなってくる。By forming the conductive layer from titanium or titanium monoxide, the conductive layer and the outermost layer can be formed with one target, and the film can be formed in a continuous process. The electrical resistivity of TiO at 25 ° C. is 400-70.
It is about 0 μΩ · cm. If the O content of the titanium monoxide is too small, the titanium monoxide has a metallic luster, which may lower the visibility of the display. If the O content of titanium monoxide is too large, the electrical resistivity increases, and the function required as a conductive layer cannot be exhibited.
【００２１】酸化チタン（二酸化チタン）薄膜と、一酸
化チタン薄膜とを同一のターゲットで成膜する方法とし
ては、酸化チタン（二酸化チタン）をターゲットとし、
これを用いて成膜する際のＯ2 流量を調整すればよい。As a method of forming a titanium oxide (titanium dioxide) thin film and a titanium monoxide thin film with the same target, titanium oxide (titanium dioxide) is used as a target.
It is only necessary to adjust the O 2 flow rate when forming a film by using this.
【００２２】導電層の厚さは、導電層としての機能を果
たしうる一定以上の厚さとすれば良く、１〜２０nm、好
ましくは５〜１０nmとすればよい。また、後述の反射率
を膜厚により調整する場合には、最適な反射率を与える
厚さとすればよい。The thickness of the conductive layer may be a certain thickness or more that can function as a conductive layer, and may be 1 to 20 nm, preferably 5 to 10 nm. In the case where the reflectance, which will be described later, is adjusted by the film thickness, the thickness may be set so as to provide an optimum reflectance.
【００２３】最外層、および導電層はＣＶＤ法等でも形
成することができるが、スパッタ法で形成することが好
ましい。スパッタ時のスパッタガスの圧力は、好ましく
は０．１〜５Paの範囲が好ましい。スパッタガスは、通
常のスパッタ装置に使用される不活性ガスや、反応性ス
パッタではこれに加えて、Ｏ2 等の反応性ガスが使用可
能である。The outermost layer and the conductive layer can be formed by a CVD method or the like, but are preferably formed by a sputtering method. The pressure of the sputtering gas during sputtering is preferably in the range of 0.1 to 5 Pa. As the sputtering gas, an inert gas used in a normal sputtering apparatus, or a reactive gas such as O 2 can be used in addition to the reactive gas in the reactive sputtering.
【００２４】スパッタ法としてはＤＣスパッタ法や、Ｒ
Ｆ電源を用いた高周波スパッタ法等を用いることができ
るが、なかでもＤＣスパッタ法が好ましい。投入電力と
しては、０．１〜１０Ｗ／cm2 の範囲が好ましく、成膜
レートは０．５〜１０nm／min 、特に１〜５nm／min の
範囲が好ましい。As the sputtering method, DC sputtering, R
A high frequency sputtering method or the like using an F power source can be used, and among them, a DC sputtering method is preferable. The input power is preferably in the range of 0.1 to 10 W / cm 2 , and the deposition rate is preferably in the range of 0.5 to 10 nm / min, particularly preferably in the range of 1 to 5 nm / min.
【００２５】前記下層には屈折率を調整するための屈折
率調整層を有してもよい。下層にこのような屈折率調整
層を有することにより、外部から入射する光の反射率を
低下させることができる。すなわち、前記最外層および
屈折率調整層は、外部から入射する発光波長帯域の光の
垂直入射成分に対する垂直反射成分の比の極小値が、
４．２％以下となるように調整してもよい。ここで発光
波長帯域の光とは、形成される有機ＥＬ構造体の構成に
より異なるが、通常、３６０〜７００nm程度の範囲であ
る。The lower layer may have a refractive index adjusting layer for adjusting the refractive index. By having such a refractive index adjusting layer in the lower layer, the reflectance of light incident from the outside can be reduced. That is, the outermost layer and the refractive index adjustment layer, the minimum value of the ratio of the vertical reflection component to the vertical incidence component of light in the emission wavelength band incident from the outside,
It may be adjusted to be 4.2% or less. Here, the light in the emission wavelength band varies depending on the configuration of the organic EL structure to be formed, but is usually in the range of about 360 to 700 nm.
【００２６】外部から入射する発光波長帯域の光の反射
率を、好ましくは４．２％以下、より好ましくは３％以
下とすることにより、有機ＥＬ構造体からの発光光と、
反射光とのコントラスト比を増大させることができ、視
認性が向上する。本発明における反射率は、外部から入
射する発光波長帯域の光であって、その垂直入射成分に
より評価する。すなわち、垂直入射成分に対する垂直反
射成分の光の比を求めて得ることができる。By setting the reflectance of the light in the emission wavelength band incident from the outside to preferably 4.2% or less, more preferably 3% or less, the light emitted from the organic EL structure and
The contrast ratio with the reflected light can be increased, and the visibility is improved. The reflectance in the present invention is light in a light emission wavelength band which is incident from the outside, and is evaluated by its normal incidence component. That is, it can be obtained by calculating the ratio of the light of the vertical reflection component to the vertical incidence component.
【００２７】反射率を上記範囲とするには、例えば図１
に示すようなモデルで考えると以下のような一般式に従
えばよいことがわかる。すなわち、図１において、no：
空気の屈折率、n1：最外層の屈折率、n2：下層（屈折率
調整層）の屈折率、ns：基板（ガラス）の屈折率、λ0
：入射光の波長とすると、最外層の膜厚＝λ0 ／4n1、
最外層の膜厚＝λ0 ／4n1 のとき、 式Ｉ （n2／n1）2 ＝ns／no となつて、無反射条件を満足することがわかる。なお、
通常、no＝１，ns＝１．５である。To set the reflectance within the above range, for example, FIG.
It can be understood from the model shown in FIG. That is, in FIG.
Refractive index of air, n1: refractive index of outermost layer, n2: refractive index of lower layer (refractive index adjusting layer), ns: refractive index of substrate (glass), λ0
: Assuming the wavelength of the incident light, the film thickness of the outermost layer = λ0 / 4n1,
When the film thickness of the outermost layer = λ0 / 4n1, the expression I (n2 / n1) 2 = ns / no is satisfied, which satisfies the non-reflection condition. In addition,
Usually, no = 1 and ns = 1.5.
【００２８】具体的には、最外層の酸化チタン含有層の
発光波長帯域での屈折率をｎ＝２．４〜２．６とした場
合、屈折率調整層の発光波長帯域での屈折率を、好まし
くはｎ＝２．５〜４．０、より好ましくはｎ＝２．８〜
３．８、特に好ましくはｎ＝３．１〜３．３とするとよ
い。この場合、最外層の膜厚としては、４０〜５０nm、
特に４４〜４８nmであることが好ましく、このときの屈
折率調整層の膜厚としては、３０〜４０nm、特に３４〜
３７nmであることが好ましい。これらの膜厚は、最外層
と屈折率調整層とのそれぞれの屈折率や膜厚により、最
適なものに調整すればよい。Specifically, when the refractive index of the outermost layer containing titanium oxide in the emission wavelength band is n = 2.4 to 2.6, the refractive index of the refractive index adjusting layer in the emission wavelength band is , Preferably n = 2.5-4.0, more preferably n = 2.8-
3.8, particularly preferably n = 3.1 to 3.3. In this case, the thickness of the outermost layer is 40 to 50 nm,
In particular, the thickness is preferably from 44 to 48 nm, and the thickness of the refractive index adjusting layer at this time is from 30 to 40 nm, particularly from 34 to 48 nm.
Preferably it is 37 nm. These film thicknesses may be adjusted to optimum values by the respective refractive indices and film thicknesses of the outermost layer and the refractive index adjusting layer.
【００２９】屈折率を調整する場合、屈折率調整層を屈
折率の異なる２層以上の層に分けて積層してもよい。２
層以上分けて積層する場合の好ましい屈折率の組み合わ
せとしては、例えば、第１層がｎ＝２．２〜２．８、第
２層がｎ＝３．０〜３．６程度とすればよい。When adjusting the refractive index, the refractive index adjusting layer may be divided into two or more layers having different refractive indexes and laminated. 2
As a preferable combination of the refractive indices in the case of laminating the layers separately, for example, the first layer may be about n = 2.2 to 2.8, and the second layer may be about n = 3.0 to 3.6. .
【００３０】上記のような屈折率を与える屈折率調整層
の構成材料としては、特に限定されるものではないが、
例えば、Ｓｉ（ｎ＝３．４）、Ｇｅ（ｎ＝４．４）や、
これらの酸化物等を挙げることができる。屈折率は酸化
物中のＯ量を増減させることで調節することができる。The constituent material of the refractive index adjusting layer for providing the refractive index as described above is not particularly limited.
For example, Si (n = 3.4), Ge (n = 4.4),
These oxides can be mentioned. The refractive index can be adjusted by increasing or decreasing the amount of O in the oxide.
【００３１】最外層、および下層の光透過率は、可視光
領域、特に波長４００〜７００nmにおける光透過率、好
ましくは有機ＥＬ表示装置の発光光の光透過率が４０〜
１００％、より好ましくは５０〜９９％、さらには６０
〜９９％であることが好ましい。光透過率が低すぎる
と、発光を取り出すことが困難になってくる。The light transmittance of the outermost layer and the lower layer is such that the light transmittance in the visible light region, particularly in the wavelength of 400 to 700 nm, and preferably the light transmittance of the light emitted from the organic EL display device is 40 to 40.
100%, more preferably 50-99%, even 60
Preferably it is ~ 99%. If the light transmittance is too low, it becomes difficult to extract light emission.
【００３２】薄膜積層体が成膜される基板の材料として
は、好ましくは平板状であって、ガラスや石英、樹脂等
の透明ないし半透明材料が挙げられるが、特にガラスが
好ましい。このようなガラス材として、コストの面から
アルカリガラスが好ましいが、この他、ソーダ石灰ガラ
ス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケ
イ酸ガラス、シリカガラス等のガラス組成のものも好ま
しい。特に、ソーダガラスで、表面処理の無いガラス材
が安価に使用でき、好ましい。基板としては、ガラス板
以外にも、プラスチック板等の樹脂材料を用いることも
できる。The material of the substrate on which the thin film laminate is formed is preferably a flat plate, and may be a transparent or translucent material such as glass, quartz, resin, etc., and glass is particularly preferred. As such a glass material, an alkali glass is preferable from the viewpoint of cost, and in addition, a glass composition such as soda lime glass, lead alkali glass, borosilicate glass, aluminosilicate glass, and silica glass is also preferable. In particular, soda glass, a glass material having no surface treatment, can be used at low cost and is preferable. As the substrate, other than a glass plate, a resin material such as a plastic plate can be used.
【００３３】本発明の有機ＥＬ表示装置は、例えば図２
に示すように、基板上１に有機ＥＬ構造体４が形成され
るとともに、この有機ＥＬ構造体４上に所定の間隔をあ
けて封止板６が配置され、封止用樹脂（接着剤）５によ
り封止・固定されている。この有機ＥＬ構造体は、一対
の電極４１，４３間に少なくとも発光機能に関与する有
機物質を含有した有機層４２を有する。一対の電極４
１，４３は、通常、基板１側がホール注入電極（透明電
極）となり、その対向する側が電子注入電極（金属電
極）となる。有機層は、例えば、ホール注入輸送層、発
光層、電子注入輸送層等の機能性薄膜が積層されたもの
であり、ホール注入輸送層、電子注入輸送層などは無機
物質にて形成することもできる。The organic EL display device of the present invention is, for example, shown in FIG.
As shown in (1), an organic EL structure 4 is formed on a substrate 1, and a sealing plate 6 is disposed on the organic EL structure 4 at a predetermined interval, and a sealing resin (adhesive) is provided. 5, sealed and fixed. This organic EL structure has an organic layer 42 containing at least an organic substance involved in a light emitting function between a pair of electrodes 41 and 43. A pair of electrodes 4
The substrates 1 and 43 usually have a hole injection electrode (transparent electrode) on the substrate 1 side and an electron injection electrode (metal electrode) on the opposite side. The organic layer is, for example, a layer in which functional thin films such as a hole injection / transport layer, a light emitting layer, and an electron injection / transport layer are laminated, and the hole injection / transport layer, the electron injection / transport layer, and the like may be formed of an inorganic substance. it can.
【００３４】そして、基板１の有機ＥＬ構造体４が形成
されている面と反対側となる表示面側には、上記の下層
２および最外層３が形成されている。The lower layer 2 and the outermost layer 3 are formed on the display surface of the substrate 1 opposite to the surface on which the organic EL structure 4 is formed.
【００３５】有機ＥＬ構造体は、次のようなものであ
る。The organic EL structure is as follows.
【００３６】発光層は、ホール（正孔）および電子の注
入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結合によ
り励起子を生成させる機能を有する。発光層には、比較
的電子的にニュートラルな化合物を用いることが好まし
い。The light emitting layer has a function of injecting holes (holes) and electrons, a function of transporting them, and a function of generating excitons by recombination of holes and electrons. It is preferable to use a relatively electronically neutral compound for the light emitting layer.
【００３７】ホール注入輸送層は、ホール注入電極から
のホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送
する機能および電子を妨げる機能を有するものであり、
電子注入輸送層は、電子注入電極からの電子の注入を容
易にする機能、電子を安定に輸送する機能およびホール
を妨げる機能を有するものである。これらの層は、発光
層に注入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再
結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。The hole injecting and transporting layer has a function of facilitating the injection of holes from the hole injecting electrode, a function of stably transporting holes, and a function of preventing electrons.
The electron injection transport layer has a function of facilitating injection of electrons from the electron injection electrode, a function of stably transporting electrons, and a function of preventing holes. These layers increase and confine holes and electrons injected into the light emitting layer, optimize the recombination region, and improve luminous efficiency.
【００３８】発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さお
よび電子注入輸送層の厚さは、特に制限されるものでは
なく、形成方法によっても異なるが、通常５〜５００nm
程度、特に１０〜３００nmとすることが好ましい。The thickness of the light emitting layer, the thickness of the hole injecting and transporting layer, and the thickness of the electron injecting and transporting layer are not particularly limited, and vary depending on the forming method.
It is preferable that the thickness be in the range of 10 to 300 nm.
【００３９】ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸
送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光
層の厚さと同程度または１／１０〜１０倍程度とすれば
よい。ホールまたは電子の各々の注入層と輸送層とを分
ける場合は、注入層は１nm以上、輸送層は１nm以上とす
るのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの上
限は、通常、注入層で５００nm程度、輸送層で５００nm
程度である。このような膜厚については、注入輸送層を
２層設けるときも同じである。The thickness of the hole injecting and transporting layer and the thickness of the electron injecting and transporting layer depend on the design of the recombination / light emitting region, but may be about the same as the thickness of the light emitting layer or about 1/10 to 10 times. When the hole or electron injection layer and the transport layer are separated from each other, it is preferable that the injection layer has a thickness of 1 nm or more and the transport layer has a thickness of 1 nm or more. At this time, the upper limit of the thickness of the injection layer and the transport layer is usually about 500 nm for the injection layer and 500 nm for the transport layer.
It is about. Such a film thickness is the same when two injection / transport layers are provided.
【００４０】有機ＥＬ構造体の発光層には、発光機能を
有する化合物である蛍光性物質を含有させる。このよう
な蛍光性物質としては、例えば、特開昭６３−２６４６
９２号公報に開示されているような化合物、例えばキナ
クリドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選
択される少なくとも１種が挙げられる。また、トリス
（８−キノリノラト）アルミニウム等の８−キノリノー
ルまたはその誘導体を配位子とする金属錯体色素などの
キノリン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラ
セン、ペリレン、コロネン、１２−フタロペリノン誘導
体等が挙げられる。さらには、特開平８−１２６００号
公報（特願平６−１１０５６９号）に記載のフェニルア
ントラセン誘導体、特開平８−１２９６９号公報（特願
平６−１１４４５６号）のテトラアリールエテン誘導体
等を用いることができる。The light emitting layer of the organic EL structure contains a fluorescent substance which is a compound having a light emitting function. Examples of such a fluorescent substance include, for example, JP-A-63-2646.
No. 92, for example, at least one selected from compounds such as quinacridone, rubrene, styryl dyes and the like. In addition, quinoline derivatives such as metal complex dyes having 8-quinolinol or a derivative thereof as a ligand, such as tris (8-quinolinolato) aluminum, tetraphenylbutadiene, anthracene, perylene, coronene, and 12-phthaloperinone derivatives. Further, phenylanthracene derivatives described in JP-A-8-12600 (Japanese Patent Application No. 6-110569), tetraarylethene derivatives described in JP-A-8-12969 (Japanese Patent Application No. 6-114456), and the like are used. be able to.
【００４１】また、それ自体で発光が可能なホスト物質
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は０．０１〜２０wt% 、さらには０．
１〜１５wt% であることが好ましい。ホスト物質と組み
合わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長
特性を変化させることができ、長波長に移行した発光が
可能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上す
る。Further, it is preferable to use in combination with a host substance capable of emitting light by itself, and it is preferable to use it as a dopant. In such a case, the content of the compound in the light emitting layer is 0.01 to 20% by weight, and more preferably 0.1 to 20% by weight.
It is preferably 1 to 15% by weight. When used in combination with a host substance, the emission wavelength characteristics of the host substance can be changed, light emission shifted to a longer wavelength becomes possible, and the luminous efficiency and stability of the device are improved.
【００４２】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには８−キノリノールまたはその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭６３−２６４６９
２号、特開平３−２５５１９０号、特開平５−７０７３
３号、特開平５−２５８８５９号、特開平６−２１５８
７４号等に開示されているものを挙げることができる。As the host substance, a quinolinolato complex is preferable, and an aluminum complex having 8-quinolinol or a derivative thereof as a ligand is preferable. Such an aluminum complex is disclosed in JP-A-63-26469.
No. 2, JP-A-3-255190, JP-A-5-7073
3, JP-A-5-258859, JP-A-6-2158
No. 74 and the like.
【００４３】具体的には、まず、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネ
シウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜
鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、
トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−
８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−
キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−
８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜
鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メ
タン］等がある。Specifically, first, tris (8-quinolinolato) aluminum, bis (8-quinolinolato) magnesium, bis (benzo {f} -8-quinolinolato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum Oxide, tris (8-quinolinolato) indium,
Tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, 8-quinolinolatolithium, tris (5-chloro-
8-quinolinolato) gallium, bis (5-chloro-8-
Quinolinolato) calcium, 5,7-dichloro-8-quinolinolatoaluminum, tris (5,7-dibromo-
8-hydroxyquinolinolato) aluminum and poly [zinc (II) -bis (8-hydroxy-5-quinolinyl) methane].
【００４４】このほかのホスト物質としては、特開平８
−１２６００号公報（特願平６−１１０５６９号）に記
載のフェニルアントラセン誘導体や特開平８−１２９６
９号公報（特願平６−１１４４５６号）に記載のテトラ
アリールエテン誘導体なども好ましい。Other host materials are disclosed in
Phenylanthracene derivative described in JP-A-12600 (Japanese Patent Application No. 6-110569) and JP-A-8-1296
No. 9 (Japanese Patent Application No. 6-114456) is also preferable.
【００４５】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであ
ってもよく、このような場合はトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム等を使用することが好ましい。これら
の蛍光性物質を蒸着すればよい。The light emitting layer may also serve as the electron injection / transport layer. In such a case, it is preferable to use tris (8-quinolinolato) aluminum or the like. These fluorescent substances may be deposited.
【００４６】また、発光層は、必要に応じて、少なくと
も１種のホール注入輸送性化合物と少なくとも１種の電
子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、
さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが
好ましい。このような混合層における化合物の含有量
は、０．０１〜２０wt% 、さらには０．１〜１５wt% と
することが好ましい。The light emitting layer is preferably a mixed layer of at least one kind of hole injecting and transporting compound and at least one kind of electron injecting and transporting compound, if necessary.
Further, it is preferable that a dopant is contained in the mixed layer. The content of the compound in such a mixed layer is preferably 0.01 to 20% by weight, more preferably 0.1 to 15% by weight.
【００４７】混合層では、キャリアのホッピング伝導パ
スができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるた
め、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命
がのびるという利点がある。また、前述のドーパントを
このような混合層に含有させることにより、混合層自体
のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長
を長波長に移行させることができるとともに、発光強度
を高め、素子の安定性を向上させることもできる。In the mixed layer, a carrier hopping conduction path is formed, so that each carrier moves in a material having a favorable polarity, and carrier injection of the opposite polarity is less likely to occur, so that the organic compound is less likely to be damaged. This has the advantage that the element life is extended. Further, by including the above-described dopant in such a mixed layer, the emission wavelength characteristics of the mixed layer itself can be changed, the emission wavelength can be shifted to a longer wavelength, and the emission intensity is increased, The stability of the device can be improved.
【００４８】混合層に用いられるホール注入輸送性化合
物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール
注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物
の中から選択すればよい。なかでも、ホール注入輸送層
用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、
例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導
体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。The hole injecting and transporting compound and the electron injecting and transporting compound used in the mixed layer may be selected from the compounds for the hole injecting and transporting layer and the compounds for the electron injecting and transporting layer described below, respectively. Among them, compounds for the hole injection transport layer include amine derivatives having strong fluorescence,
For example, it is preferable to use a triphenyldiamine derivative which is a hole transport material, a styrylamine derivative, or an amine derivative having an aromatic condensed ring.
【００４９】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには８−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。As the compound capable of injecting and transporting electrons, it is preferable to use a quinoline derivative, furthermore a metal complex having 8-quinolinol or a derivative thereof as a ligand, particularly tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq3). It is also preferable to use the above-mentioned phenylanthracene derivatives and tetraarylethene derivatives.
【００５０】ホール注入輸送層用の化合物としては、強
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送
材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチ
リルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を
用いるのが好ましい。As the compound for the hole injecting and transporting layer, an amine derivative having strong fluorescence, for example, a triphenyldiamine derivative as the above-described hole transporting material, a styrylamine derivative, or an amine derivative having an aromatic condensed ring is used. Is preferred.
【００５１】この場合の混合比は、それぞれのキャリア
移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注
入輸送性化合物の化合物／電子注入輸送機能を有する化
合物の重量比が、１／９９〜９９／１、さらに好ましく
は１０／９０〜９０／１０、特に好ましくは２０／８０
〜８０／２０程度となるようにすることが好ましい。The mixing ratio in this case depends on the respective carrier mobility and carrier concentration. In general, the weight ratio of the compound of the hole injecting and transporting compound / the compound having the electron injecting and transporting function is 1/99 to less. 99/1, more preferably 10/90 to 90/10, particularly preferably 20/80
It is preferable to set it to about 80/20.
【００５２】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが
好ましい。具体的には１〜８５nmとすることが好まし
く、さらには５〜６０nm、特には５〜５０nmとすること
が好ましい。The thickness of the mixed layer is preferably not less than the thickness corresponding to one molecular layer and less than the thickness of the organic compound layer. Specifically, the thickness is preferably 1 to 85 nm, more preferably 5 to 60 nm, particularly preferably 5 to 50 nm.
【００５３】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧（蒸
発温度）が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させ
てコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに
形成する。As a method of forming a mixed layer, co-evaporation in which evaporation is performed from different evaporation sources is preferable. However, when the vapor pressures (evaporation temperatures) are approximately the same or very close, they are mixed in advance in the same evaporation board. Alternatively, it can be deposited. In the mixed layer, it is preferable that the compounds are uniformly mixed, but in some cases, the compounds may exist in an island shape. The light-emitting layer is generally formed to a predetermined thickness by vapor-depositing an organic fluorescent substance or by dispersing and coating the resin in a resin binder.
【００５４】ホール注入輸送層には、例えば、特開昭６
３−２９５６９５号公報、特開平２−１９１６９４号公
報、特開平３−７９２号公報、特開平５−２３４６８１
号公報、特開平５−２３９４５５号公報、特開平５−２
９９１７４号公報、特開平７−１２６２２５号公報、特
開平７−１２６２２６号公報、特開平８−１００１７２
号公報、ＥＰ０６５０９５５Ａ１等に記載されている各
種有機化合物を用いることができる。例えば、テトラア
リールベンジシン化合物（トリアリールジアミンないし
トリフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三級アミン、
ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール
誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサ
ジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。これらの
化合物は、１種のみを用いても、２種以上を併用しても
よい。２種以上を併用するときは、別層にして積層した
り、混合したりすればよい。The hole injecting and transporting layer is described in, for example,
JP-A-3-295695, JP-A-2-191694, JP-A-3-792, JP-A-5-234681
JP, JP-A-5-239455, JP-A-5-5-2
JP-A-99174, JP-A-7-126225, JP-A-7-126226, JP-A-8-100172
Various organic compounds described in JP-A No. 06509555 A1 and the like can be used. For example, a tetraarylbendicine compound (triaryldiamine or triphenyldiamine: TPD), an aromatic tertiary amine,
Examples include hydrazone derivatives, carbazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives, oxadiazole derivatives having an amino group, and polythiophene. These compounds may be used alone or in combination of two or more. When two or more kinds are used in combination, they may be stacked as separate layers or mixed.
【００５５】ホール注入輸送層をホール注入層とホール
輸送層とに分けて積層する場合は、ホール注入輸送層用
の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いるこ
とができる。このとき、ホール注入電極（ＩＴＯ等）側
からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の順に積層す
ることが好ましい。また、ホール注入電極表面には薄膜
性の良好な化合物を用いることが好ましい。このような
積層順については、ホール注入輸送層を２層以上設ける
ときも同様である。このような積層順とすることによっ
て、駆動電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポ
ットの発生・成長を防ぐことができる。また、素子化す
る場合、蒸着を用いているので１〜１０nm程度の薄い膜
も均一かつピンホールフリーとすることができるため、
ホール注入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視部
に吸収をもつような化合物を用いても、発光色の色調変
化や再吸収による効率の低下を防ぐことができる。ホー
ル注入輸送層は、発光層等と同様に上記の化合物を蒸着
することにより形成することができる。When the hole injecting and transporting layer is divided into a hole injecting layer and a hole transporting layer, a preferable combination can be selected from the compounds for the hole injecting and transporting layer. At this time, it is preferable to laminate the compounds in order from the hole injecting electrode (ITO or the like) with the smallest ionization potential. Further, it is preferable to use a compound having a good thin film property on the surface of the hole injection electrode. Such a stacking order is the same when two or more hole injection transport layers are provided. With such a stacking order, the driving voltage is reduced, and the occurrence of current leakage and the occurrence and growth of dark spots can be prevented. In addition, in the case of forming an element, since a thin film of about 1 to 10 nm can be made uniform and pinhole-free because evaporation is used,
Even if a compound having a small ionization potential and having absorption in the visible region is used for the hole injection layer, it is possible to prevent a change in the color tone of the emission color and a decrease in efficiency due to reabsorption. The hole injecting and transporting layer can be formed by vapor deposition of the above compound in the same manner as the light emitting layer and the like.
【００５６】電子注入輸送層には、トリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）等の８−キノリノー
ルまたはその誘導体を配位子とする有機金属錯体などの
キノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘
導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリ
ン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオ
レン誘導体等を用いることができる。電子注入輸送層は
発光層を兼ねたものであってもよく、このような場合は
トリス（８−キノリノラト）アルミニウム等を使用する
ことが好ましい。電子注入輸送層の形成は、発光層と同
様に、蒸着等によればよい。The electron injecting / transporting layer includes a quinoline derivative such as an organometallic complex having 8-quinolinol such as tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq3) or a derivative thereof as a ligand, an oxadiazole derivative, a perylene derivative, or the like. A pyridine derivative, a pyrimidine derivative, a quinoxaline derivative, a diphenylquinone derivative, a nitro-substituted fluorene derivative, or the like can be used. The electron injection / transport layer may also serve as the light emitting layer. In such a case, it is preferable to use tris (8-quinolinolato) aluminum or the like. The electron injecting and transporting layer may be formed by vapor deposition or the like, similarly to the light emitting layer.
【００５７】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層
とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合
物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることが
できる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値
の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については、電子注入輸送層を２層以上設け
るときも同様である。When the electron injecting and transporting layer is divided into an electron injecting layer and an electron transporting layer, a preferable combination can be selected from the compounds for the electron injecting and transporting layer. At this time, it is preferable to stack the compounds in descending order of the electron affinity value from the electron injection electrode side. Such a stacking order is the same when two or more electron injection / transport layers are provided.
【００５８】ホール注入輸送層、発光層および電子注入
輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、
真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用い
た場合、アモルファス状態または結晶粒径が０．２μm
以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が０．２μm を
超えていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を
高くしなければならなくなり、電荷の注入効率も著しく
低下する。In forming the hole injection transport layer, the light emitting layer and the electron injection transport layer, a uniform thin film can be formed.
It is preferable to use a vacuum deposition method. When vacuum deposition is used, the amorphous state or the crystal grain size is 0.2 μm
The following homogeneous thin film is obtained. If the crystal grain size exceeds 0.2 μm, the light emission becomes non-uniform, the driving voltage of the device must be increased, and the charge injection efficiency is significantly reduced.
【００５９】真空蒸着の条件は特に限定されないが、１
０-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は０．０１〜１nm／
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりする
ことができる。The conditions for vacuum deposition are not particularly limited.
The degree of vacuum is 0 -4 Pa or less, and the deposition rate is 0.01 to 1 nm /
It is preferable to set it to about sec. Further, it is preferable to form each layer continuously in a vacuum. If they are formed continuously in a vacuum, impurities can be prevented from adsorbing at the interface between the layers, so that high characteristics can be obtained. Further, the driving voltage of the element can be reduced, and the occurrence and growth of dark spots can be suppressed.
【００６０】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、１層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。In the case where a plurality of compounds are contained in one layer when a vacuum evaporation method is used to form each of these layers, it is preferable to co-deposit each boat containing the compounds by individually controlling the temperature.
【００６１】また、有機ＥＬ構造体は上記有機層の他
に、基板および基板上に有機層を挟み込むように形成さ
れた、ホール注入電極、電子注入電極等の機能性薄膜を
有する。The organic EL structure has, besides the organic layer, a substrate and a functional thin film such as a hole injection electrode or an electron injection electrode formed on the substrate so as to sandwich the organic layer.
【００６２】電子注入電極としては、低仕事関数の物質
が好ましく、例えば、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚ
ｎ、Ｚｒ等の金属元素単体、または安定性を向上させる
ためにそれらを含む２成分、３成分の合金系を用いるこ
とが好ましい。合金系としては、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａ
ｇ：０．１〜５０at％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．０１
〜１４at％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０at％）、
Ａｌ・Ｃａ（Ｃａ：０．０１〜２０at％）等が挙げられ
る。なお、電子注入電極は蒸着法やスパッタ法でも形成
することが可能である。As the electron injection electrode, a substance having a low work function is preferable. For example, K, Li, Na, Mg, La, C
e, Ca, Sr, Ba, Al, Ag, In, Sn, Z
It is preferable to use a single metal element such as n or Zr, or a two-component or three-component alloy system containing them for improving the stability. As an alloy system, for example, Ag · Mg (A
g: 0.1 to 50 at%), Al.Li (Li: 0.01)
１４14 at%), In · Mg (Mg: 50 to 80 at%),
Al.Ca (Ca: 0.01 to 20 at%) and the like. Note that the electron injection electrode can also be formed by an evaporation method or a sputtering method.
【００６３】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすれば良く、０．５nm以上、
好ましくは１nm以上、より好ましくは３nm以上とすれば
よい。また、その上限値には特に制限はないが、通常膜
厚は３〜５００nm程度とすればよい。電子注入電極の上
には、さらに補助電極ないし保護電極を設けてもよい。The thickness of the electron injecting electrode thin film may be a certain thickness or more for sufficiently injecting electrons.
The thickness is preferably 1 nm or more, more preferably 3 nm or more. The upper limit is not particularly limited, but the thickness may be generally about 3 to 500 nm. An auxiliary electrode or a protection electrode may be further provided on the electron injection electrode.
【００６４】蒸着時の圧力は好ましくは１×１０-8〜１
×１０-5Torrで、蒸発源の加熱温度は、金属材料であれ
ば１００〜１４００℃、有機材料であれば１００〜５０
０℃程度が好ましい。The pressure during the deposition is preferably 1 × 10 −8 to 1
The heating temperature of the evaporation source is 100 to 1400 ° C. for a metal material and 100 to 50 ° C. for an organic material at × 10 −5 Torr.
About 0 ° C. is preferable.
【００６５】ホール注入電極は、発光した光を取り出す
ため、透明ないし半透明な電極が好ましい。透明電極と
しては、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ
（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 、Ｉ
ｎ2 Ｏ3 等が挙げられるが、好ましくはＩＴＯ（錫ドー
プ酸化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウ
ム）が好ましい。ＩＴＯは、通常Ｉｎ2 Ｏ3 とＳｎＯと
を化学量論組成で含有するが、Ｏ量は多少これから偏倚
していてもよい。ホール注入電極は、透明性が必要でな
いときは、不透明の公知の金属材質であってもよい。The hole injection electrode is preferably a transparent or translucent electrode for extracting emitted light. As the transparent electrode, ITO (tin-doped indium oxide), IZO
(Zinc-doped indium oxide), ZnO, SnO 2 , I
Examples include n 2 O 3 , and preferably ITO (tin-doped indium oxide) and IZO (zinc-doped indium oxide). ITO usually contains In 2 O 3 and SnO in a stoichiometric composition, but the amount of O may slightly deviate from this. When transparency is not required, the hole injection electrode may be made of a known opaque metal material.
【００６６】ホール注入電極の厚さは、ホール注入を十
分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは５
０〜５００nm、さらには５０〜３００nmの範囲が好まし
い。また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと
剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、製造時の
膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問題がある。The thickness of the hole injecting electrode may be a certain value or more so as to sufficiently inject holes, and is preferably 5 or more.
The range is preferably from 0 to 500 nm, more preferably from 50 to 300 nm. The upper limit is not particularly limited, but if the thickness is too large, there is a fear of peeling or the like. If the thickness is too small, there is a problem in the film strength at the time of manufacturing, the hole transport ability, and the resistance value.
【００６７】このホール注入電極層は蒸着法等によって
も形成できるが、好ましくはスパッタ法、特にパルスＤ
Ｃスパッタ法により形成することが好ましい。The hole injecting electrode layer can be formed by a vapor deposition method or the like.
It is preferable to form by the C sputtering method.
【００６８】有機ＥＬ構造体各層を成膜した後に、Ｓｉ
ＯX 等の無機材料、テフロン、塩素を含むフッ化炭素重
合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成してもよい。
保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の厚さ
は５０〜１２００nm程度とする。保護膜は、前記の反応
性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着法、Ｐ
ＥＣＶＤ法等により形成すればよい。After forming each layer of the organic EL structure, the Si
Inorganic materials O X such as Teflon, a protective film may be formed using an organic material such as fluorocarbon polymers containing chlorine.
The protective film may be transparent or opaque, and the thickness of the protective film is about 50 to 1200 nm. The protective film can be formed by a general sputtering method, a vapor deposition method,
It may be formed by an ECVD method or the like.
【００６９】基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む
色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコン
トロールしてもよい。The emission color may be controlled by using a color filter film, a color conversion film containing a fluorescent substance, or a dielectric reflection film on the substrate.
【００７０】有機ＥＬ構造体は、通常直流駆動やパルス
駆動等される。印加電圧は、通常、２〜３０V 程度であ
る。The organic EL structure is usually driven by direct current or pulse. The applied voltage is usually about 2 to 30V.
【００７１】[0071]
【実施例】＜実験例１＞ガラス基板上にＤＣスパッタ法
でＴｉＯ層を、膜厚：１００nmに成膜し、さらにその上
にＴｉＯx 層を、膜厚：１００nmに成膜した。成膜条件
としては、ターゲットにＴｉを用い、膜速度：１０nm／
sec で酸素流量を調整してＴｉＯ層およびＴｉＯx 層を
成膜した。また、このときＴｉＯx 層のｘの値を０．４
〜２と変化させ、それぞれＯ量の異なるサンプルを作製
した。得られた各サンプルについて、成膜直後とＵＶ光
１時間照射した後の水との接触角を測定し、濡れ性につ
いて評価した。結果を図３に示す。EXAMPLES <Experimental Example 1> A TiO layer was formed to a thickness of 100 nm on a glass substrate by DC sputtering, and a TiO x layer was formed thereon to a thickness of 100 nm. As for the film forming conditions, Ti was used as a target, and a film speed: 10 nm /
The oxygen flow rate was adjusted in sec to form a TiO layer and a TiO x layer. At this time, the value of x of the TiO x layer is set to 0.4.
~ 2, and samples having different amounts of O were prepared. For each of the obtained samples, the contact angles with water immediately after film formation and after irradiation with UV light for 1 hour were measured, and the wettability was evaluated. The results are shown in FIG.
【００７２】図３から明らかなように、ＵＶ照射後にｘ
＝０．４〜２の範囲で良好な濡れ性が得られることがわ
かる。As is clear from FIG. 3, after UV irradiation, x
It can be seen that good wettability can be obtained in the range of 0.4 to 2.
【００７３】＜実験例２＞ガラス基板上にＲＦスパッタ
法でＴｉＯx 層を、膜厚：１００nmに成膜した。成膜条
件としては、ターゲットにはＴｉを用い、成膜速度：１
０nm／sec で酸素流量を調整してＴｉＯ層およびＴｉＯ
x 層を成膜した。また、このとき実験例１と同様にし
て、ＴｉＯx 層のｘの値を０〜２と変化させ、それぞれ
Ｏ量の異なるサンプルを作製した。得られた各サンプル
について抵抗率を測定し、その結果を図４に示す。<Experimental Example 2> A TiO x layer was formed to a thickness of 100 nm on a glass substrate by RF sputtering. As the film forming conditions, Ti was used as a target, and a film forming speed was 1: 1.
The oxygen flow rate is adjusted at 0 nm / sec and the TiO layer and TiO
An x layer was formed. At this time, in the same manner as in Experimental Example 1, the value of x in the TiO x layer was changed from 0 to 2, and samples having different amounts of O were produced. The resistivity of each of the obtained samples was measured, and the results are shown in FIG.
【００７４】図４から明らかなように、ｘ＝１．５以上
になると抵抗率が著しく増大していることがわかる。As is clear from FIG. 4, when x = 1.5 or more, the resistivity is remarkably increased.
【００７５】＜実験例３＞実験例２と同様にして、酸素
流量を変化させ、Ｏ量の異なるサンプルを作製した。得
られた各サンプルの屈折率を図５に示す。なお得られた
各サンプルは、流量比：０．１５のサンプルでｘ＝１．
０３９、流量比：０．２のサンプルでｘ＝１．７９９、
流量比：０．２５のサンプルでｘ＝１．８０５、流量
比：０．３のサンプルでｘ＝１．８６０、流量比：１の
サンプルでｘ＝１．８１８であった。<Experimental Example 3> In the same manner as in Experimental Example 2, samples having different O contents were prepared by changing the oxygen flow rate. FIG. 5 shows the refractive index of each sample obtained. Each sample obtained was a sample having a flow rate ratio of 0.15 and x = 1.
039, x = 1.799 for a sample with a flow ratio: 0.2,
X = 1.805 for the sample with the flow ratio of 0.25, x = 1.860 for the sample with the flow ratio of 0.3, and x = 1.818 for the sample with the flow ratio of 1: 1.
【００７６】図５から明らかなように、流量比：０．
２、ｘ＝１．７９９のサンプルで１．２程度の屈折率、
それ以上のサンプルで、ｎ＝２．４〜２．６程度の屈折
率となっていることがわかる。As is clear from FIG.
2, a refractive index of about 1.2 for a sample of x = 1.799,
It is understood that the refractive index of n = about 2.4 to 2.6 is obtained for samples larger than that.
【００７７】＜実験例４＞実験例１と同様にして、下層
（屈折率調整層）および最外層を成膜した。ただし、屈
折率調整層の構成材料として、ｎ＝３．２のＳｉＯ0.2
を用い、最外層の構成材料としてｎ＝２．６のＴｉＯ
x ：ｘ＝１．８を用いた。そしてこれらの膜厚を、サン
プル１：基準波長λ0 ＝４６００オングストロームに対
して、ｎ＝２．６の膜で３５９オングストローム、ｎ＝
３．２の膜で４４２オングストローム、サンプル２：基
準波長λ0 ＝５２００オングストロームに対して、ｎ＝
２．６の膜で４８１オングストローム、ｎ＝３．２の膜
で３９１オングストローム、サンプル３：基準波長λ0
＝６３００オングストロームに対して、ｎ＝２．６の膜
で６０６オングストローム、ｎ＝３．２の膜で４９２オ
ングストロームの膜厚に成膜した。また、サンプル１の
比較例として、ｎ＝２．６の単独膜で８８５オングスト
ローム、サンプル２の比較例として、ｎ＝２．６の単独
膜で９６２オングストローム、サンプル３の比較例とし
て、ｎ＝２．６の単独膜で１２１２オングストローム、
の膜厚に成膜したサンプルも用意した。それぞれのサン
プル、比較サンプルについて波長−反射率特性を測定し
た。反射率は、各波長の垂直入射成分に対する垂直反射
成分の比を求めることにより得た。その結果を図６〜８
に示す。<Experimental Example 4> In the same manner as in Experimental Example 1, a lower layer (refractive index adjusting layer) and an outermost layer were formed. However, as a constituent material of the refractive index adjusting layer, SiO 0.2 of n = 3.2 was used.
And TiO of n = 2.6 as a constituent material of the outermost layer
x : x = 1.8 was used. Then, the film thicknesses of these samples were set to 359 Å and n = 2.6 with respect to Sample 1: reference wavelength λ 0 = 4600 Å, and n = 2.6.
3.2 film at 442 Å, sample 2: n = 5200 Å for reference wavelength λ 0 = 5200 Å
481 Å for 2.6 film, 391 Å for n = 3.2 film, sample 3: reference wavelength λ 0
The film thickness of n = 2.6 and the film thickness of n = 3.2 were 606 Å and 492 Å, respectively. In addition, as a comparative example of sample 1, 885 angstroms with a single film of n = 2.6, as a comparative example of sample 2, 962 angstroms with a single film of n = 2.6, and n = 2 as a comparative example of sample 3. .12 angstroms with a single membrane of 6.
A sample having a film thickness of 1 was also prepared. The wavelength-reflectance characteristics of each sample and comparative sample were measured. The reflectance was obtained by calculating the ratio of the vertical reflection component to the vertical incidence component of each wavelength. The results are shown in FIGS.
Shown in
【００７８】図６〜８から明らかなように、基準波長に
対して、最外層および屈折率調整層の屈折率と膜厚を調
整することにより、反射率２％以下の優れた反射特性が
得られることがわかる。As apparent from FIGS. 6 to 8, by adjusting the refractive index and the film thickness of the outermost layer and the refractive index adjusting layer with respect to the reference wavelength, excellent reflection characteristics with a reflectance of 2% or less can be obtained. It is understood that it is possible.
【００７９】＜実施例１＞３６５mmｘ４６０mmのガラス
基板の裏面（表示面）上に、実験例４と同様なＳｉＯ
0.2 およびＴｉＯｘ ：ｘ＝１．８の２層コーティング
薄膜層を形成した。このときの膜厚は、下層が３９１オ
ングストローム、最外層が４８１オングストロームであ
った。<Example 1> On the back surface (display surface) of a glass substrate of 365 mm x 460 mm, the same SiO
A two-layer coating thin film layer of 0.2 and TiOx: x = 1.8 was formed. At this time, the film thickness of the lower layer was 391 Å and the outermost layer was 481 Å.
【００８０】さらに、この基板の表面側にＩＴＯ透明電
極（ホール注入電極）を膜厚８５nmで成膜し、６４ドッ
ト×７ラインの画素（一画素当たり２８０μm Ｘ２８０
μm）を構成するような表示装置のパターンを、基板上
に配置してバターニングを行つた。Further, an ITO transparent electrode (hole injection electrode) having a film thickness of 85 nm was formed on the surface side of this substrate, and 64 dots × 7 lines of pixels (280 μm × 280 per pixel)
μm) was arranged on a substrate and patterned.
【００８１】この基板をＵＶ／Ｏ3 洗浄した後、蒸着室
に搬入し、室内を１×１０-4Pa以下まで減圧した。ｍ−
ＭＴＤＡＴＡを蒸着速度０．２nm／sec で４０nmの厚さ
に蒸着してホール注入層とし、次いで減圧状態を保った
まま、ＴＰＤを蒸着速度０．２nm／sec で３５nmの厚さ
に蒸着してホール輸送層とした。さらに、滅圧を保った
まま、Ａｌｑ3 を蒸着速度０．２nm／sec で５０nmの厚
さに蒸着して電子注入輸送・発光層とした。次いで、滅
圧を保ったまま基板を金属蒸着室へ搬送し、ＭｇＡｇを
共蒸着（２元蒸着）で蒸着速度比ＭｇＡｇ＝１：１０に
て２００nmの圧さに成膜して電子注入電極とした。さら
に、減圧を保ったまま基板をスパッタ室へ搬送し、Ａｌ
ターゲットを用いたＤＣスパッタ法により、スパッタ圧
力０．３PaにてＡｌ保護電極を２００nmの厚さに成膜し
た。この時のスパッタガスにはＡｒを用い、投入電力は
５ｋＷ、ターゲットの大きさは６００mm×７００mm、基
板とターゲットの距離は１００mmとした。After the substrate was washed with UV / O 3, it was carried into a vapor deposition chamber, and the pressure in the chamber was reduced to 1 × 10 −4 Pa or less. m-
MTDATA is deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 40 nm to form a hole injection layer. Then, while maintaining the reduced pressure, TPD is deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 35 nm to form a hole. It was a transport layer. Further, while maintaining the decompression pressure, Alq3 was deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 50 nm to form an electron injection transport / light-emitting layer. Next, the substrate is transported to the metal deposition chamber while maintaining the decompression pressure, and MgAg is formed by co-evaporation (binary evaporation) at a deposition rate ratio of MgAg = 1: 10 to a pressure of 200 nm to form a film with an electron injection electrode. did. Further, the substrate is transferred to the sputtering chamber while maintaining the reduced pressure, and the Al
An Al protective electrode was formed to a thickness of 200 nm by a DC sputtering method using a target at a sputtering pressure of 0.3 Pa. At this time, Ar was used as the sputtering gas, the input power was 5 kW, the size of the target was 600 mm × 700 mm, and the distance between the substrate and the target was 100 mm.
【００８２】さらに、接着剤と所定の大きさのスペーサ
を用いて、ガラス材を封止板として接着し、密封して有
機ＥＬ表示装置を得た。また、表示面にコーティング層
を形成しない以外は同様にして作製した比較サンプルも
用意した。Further, using an adhesive and a spacer of a predetermined size, a glass material was adhered as a sealing plate and sealed to obtain an organic EL display device. A comparative sample prepared in the same manner except that no coating layer was formed on the display surface was also prepared.
【００８３】得られた有機ＥＬ表示装置１０サンプル、
および比較サンプル１０サンプルを、大気雰囲気中で直
流電圧を印可し、１０mA／cm2 の一定電流密度で連続駆
動させた。発光色はいずれも緑色であり、発光極大波長
入max ＝５２０nmであった。The obtained organic EL display device had 10 samples,
A DC voltage was applied to the comparative sample and 10 comparative samples in an air atmosphere, and the sample was continuously driven at a constant current density of 10 mA / cm 2 . The emission color was green, and the maximum emission wavelength was max = 520 nm.
【００８４】さらに、各サンプルの有機ＥＬ表示装置を
１０mA／cm2 の一定電流密度で所定のパターンに発光さ
せ、白色蛍光灯による照明下で視認性に関する調査を１
００人の被験者に対して行ったところ、１００人中、全
員が比較サンプルより発明サンプルの方が見やすいと回
答した。Further, the organic EL display device of each sample was caused to emit light in a predetermined pattern at a constant current density of 10 mA / cm 2 , and a study on visibility under illumination by a white fluorescent lamp was performed.
When the test was performed on 00 subjects, out of 100, all answered that the invention sample was easier to see than the comparative sample.
【００８５】[0085]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、表示面に
蓄積する静電気を防止し、静電破壊の恐れのない有機Ｅ
Ｌ表示装置を実現することができる。また、表示面の凝
集水分の付着による曇りを防止し、汚染物質の付着を防
止することで、高い視認性と表示品質を長期間維持でき
る有機ＥＬ表示装置を実現することができる。また、外
部光の反射を抑制して高い視認性を確保することのでき
る有機ＥＬ表示装置を実現することができる。As described above, according to the present invention, it is possible to prevent static electricity from accumulating on the display surface and prevent the organic E from being destroyed.
An L display device can be realized. Further, an organic EL display device that can maintain high visibility and display quality for a long period of time by preventing fogging due to adhesion of cohesive moisture on the display surface and preventing adhesion of contaminants can be realized. Further, it is possible to realize an organic EL display device capable of suppressing reflection of external light and securing high visibility.
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置のコーティング層の
反射率特性を説明するための模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram for explaining the reflectance characteristics of a coating layer of an organic EL display device of the present invention.
【図２】本発明の有機ＥＬ表示装置の基本構成を示す概
略断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view showing a basic configuration of an organic EL display device of the present invention.
【図３】酸化チタンのＯ量と電気抵抗率の関係を示すグ
ラフである。FIG. 3 is a graph showing the relationship between the O content of titanium oxide and the electrical resistivity.
【図４】成膜されたＴｉＯx と水との接触の関係を示し
たグラフである。FIG. 4 is a graph showing the relationship between the contact between the formed TiO x and water.
【図５】酸化チタン成膜時のＯ2流量比と屈折率の関係
を示すグラフである。FIG. 5 is a graph showing the relationship between the O 2 flow rate ratio and the refractive index when forming titanium oxide.
【図６】コーティング層を２層として、膜厚と屈折率を
調整したときの波長−反射率特性を示した図である。FIG. 6 is a diagram showing wavelength-reflectance characteristics when adjusting the film thickness and the refractive index by using two coating layers.
【図７】コーティング層を２層として、膜厚と屈折率を
調整したときの波長−反射率特性を示した図である。FIG. 7 is a diagram showing wavelength-reflectance characteristics when the film thickness and the refractive index are adjusted with two coating layers.
【図８】コーティング層を２層として、膜厚と屈折率を
調整したときの波長−反射率特性を示した図である。FIG. 8 is a diagram showing wavelength-reflectance characteristics when the film thickness and the refractive index are adjusted with two coating layers.
【符号の説明】 １ 基板 ２ 下層 ３ 最外層 ４ 有機ＥＬ構造体 ５ 封止樹脂 ６ 封止板[Description of Signs] 1 substrate 2 lower layer 3 outermost layer 4 organic EL structure 5 sealing resin 6 sealing plate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB05 AB06 AB13 AB17 BB00 BB06 CA01 CA02 CA05 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA03 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 3K007 AB00 AB05 AB06 AB13 AB17 BB00 BB06 CA01 CA02 CA05 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA03
Claims (7)
Ｌ構造体とを有し、 前記基板の有機ＥＬ構造体成膜面と反対側の表示面に
は、薄膜積層体であって、最外層に酸化チタンを含有す
る層を有し、その下層にはこれよりも抵抗率の低い導電
層を有し、 前記酸化チタンを含有する層に含有される酸化チタンを
ＴｉＯx と表したとき、 ｘ＝１．５〜２．２である有機ＥＬ表示装置。1. A substrate and an organic E formed on the substrate.
An L-type structure, and a display surface of the substrate opposite to the organic EL structure film-forming surface is a thin film laminate having a titanium oxide-containing layer as an outermost layer, and a lower layer Has an electrically conductive layer having a lower resistivity than this, and when titanium oxide contained in the layer containing titanium oxide is represented by TiO x , x = 1.5 to 2.2. .
-6 μΩ・cm以下である請求項１の有機ＥＬ表示装置。2. The resistance of the conductive layer at 25 ° C. is 10
2. The organic EL display device according to claim 1, wherein the organic EL display device has a thickness of -6 μΩ · cm or less.
成物質で形成されている請求項１または２の有機ＥＬ表
示装置。3. The organic EL display device according to claim 1, wherein the conductive layer is formed of an electrode constituent material of an organic EL structure.
ンにより形成され、 このチタンまたは一酸化チタンをＴｉＯy と表したと
き、 ｙ＝０〜１．５である請求項１または２の有機ＥＬ表示
装置。Wherein said conductive layer is formed of titanium or titanium monoxide, when the titanium or titanium monoxide expressed as TiO y, according to claim 1 or 2 organic EL is y = 0 to 1.5 Display device.
Ｌ構造体とを有し、 前記基板の有機ＥＬ構造体成膜面と反対側の表示面に
は、薄膜積層体であって、最外層に酸化チタンを含有す
る層を有し、その下層には屈折率を調整するための屈折
率調整層を有し、 前記酸化チタンを含有する層に含有される酸化チタンを
ＴｉＯx と表したとき、 ｘ＝１．５〜２．２である有機ＥＬ表示装置。5. A substrate and organic E formed on the substrate.
An L-type structure, and a display surface of the substrate opposite to the organic EL structure film-forming surface is a thin film laminate having a titanium oxide-containing layer as an outermost layer, and a lower layer Has an index adjusting layer for adjusting the index of refraction. When the titanium oxide contained in the layer containing the titanium oxide is represented by TiO x , x = 1.5 to 2.2. Display device.
する垂直反射成分の比の極小値が、４．２％以下である
請求項５の有機ＥＬ表示装置。6. The minimum value of a ratio of a vertical reflection component to a vertical incidence component of light in an emission wavelength band incident from the outside of the outermost layer and the refractive index adjustment layer is 4.2% or less. Organic EL display device.
率が、 ｎ＝２．５〜４．０である請求項５または６の有機ＥＬ
表示装置。7. The organic EL device according to claim 5, wherein the refractive index of the refractive index adjustment layer in the emission wavelength band is n = 2.5 to 4.0.
Display device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10356900A JP2000173778A (en) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | Organic el display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10356900A JP2000173778A (en) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | Organic el display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000173778A true JP2000173778A (en) | 2000-06-23 |
Family
ID=18451331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10356900A Withdrawn JP2000173778A (en) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | Organic el display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000173778A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004510051A (en) * | 2000-09-20 | 2004-04-02 | サン−ゴバン グラス フランス | Substrate with photocatalytic coating |
| JP2005322633A (en) * | 2004-04-07 | 2005-11-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device, electronic apparatus, and television apparatus |
| JP2007066775A (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacturing method of organic el element and organic el element |
| US7264979B2 (en) | 2001-02-19 | 2007-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing light emitting device |
| JP2009048942A (en) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Luminaire |
| CN114446208A (en) * | 2020-11-02 | 2022-05-06 | 欧富莱斯有限公司 | Display panel and display device comprising same |
-
1998
- 1998-12-01 JP JP10356900A patent/JP2000173778A/en not_active Withdrawn
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004510051A (en) * | 2000-09-20 | 2004-04-02 | サン−ゴバン グラス フランス | Substrate with photocatalytic coating |
| US9768405B2 (en) | 2001-02-19 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7264979B2 (en) | 2001-02-19 | 2007-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing light emitting device |
| SG143946A1 (en) * | 2001-02-19 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| SG143942A1 (en) * | 2001-02-19 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US8866184B2 (en) | 2001-02-19 | 2014-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9502679B2 (en) | 2001-02-19 | 2016-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9954196B2 (en) | 2001-02-19 | 2018-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2005322633A (en) * | 2004-04-07 | 2005-11-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device, electronic apparatus, and television apparatus |
| JP2007066775A (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacturing method of organic el element and organic el element |
| JP2009048942A (en) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Luminaire |
| CN114446208A (en) * | 2020-11-02 | 2022-05-06 | 欧富莱斯有限公司 | Display panel and display device comprising same |
| CN114446208B (en) * | 2020-11-02 | 2023-10-20 | 欧富莱斯有限公司 | Display panel and display device comprising same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6188176B1 (en) | Organic electroluminescent device and preparation method with ITO electrode (111) orientation | |
| KR100527191B1 (en) | Organic electroluminescent display device using low resistance cathode | |
| JP4142782B2 (en) | Organic EL device | |
| KR101094737B1 (en) | Organic light emitting device having improved stability | |
| JP3824798B2 (en) | Organic EL device | |
| JPH1131590A (en) | Organic el element | |
| JPH11195487A (en) | Organic el element | |
| JP3758369B2 (en) | Organic EL display device and manufacturing method thereof | |
| JP4543446B2 (en) | Organic EL device | |
| JP2001176673A (en) | Organic electroluminescent element | |
| JP4255041B2 (en) | Organic EL device | |
| JPH11185955A (en) | Organic el color display | |
| JP2000252074A (en) | Organic el element | |
| JP2000215985A (en) | Organic el element | |
| JP2000223272A (en) | Organic el element | |
| JP2000357587A (en) | Organic el display device | |
| JPH1167444A (en) | Organic el element | |
| JP2000100575A (en) | Organic el element | |
| JP2001155867A (en) | Organic el display device | |
| US6262433B1 (en) | Organic electroluminescent device | |
| JP2001035667A (en) | Organic el element | |
| JP2000223273A (en) | Organic el element | |
| JP2000173778A (en) | Organic el display device | |
| JP2001057286A (en) | Organic el element | |
| JPH11260546A (en) | Organic el element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040601 |
|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060207 |