JP2000171524A - Semiconductor integrated circuit and its inspection method - Google Patents

Semiconductor integrated circuit and its inspection method

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    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/31712Input or output aspects
    • G01R31/31716Testing of input or output with loop-back

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To inspect a semiconductor device driving at high speed with use of an inspecting apparatus of a lower drive speed than the device. SOLUTION: An inspection enable signal Data-En is output from a data- generating device 11 of an inspecting apparatus 10 to a DUT (device to be inspected) 20. A first logic circuit 21 in the DUT 20 converts a signal pattern of a normal signal transmission rate stored in a register 28 to a high speed signal pattern SpeedData-Tx of a high signal transmission rate, and a transmitting circuit 22 transmits the high speed signal. At an inspection, a switch circuit 24 is closed and the transmitted high speed signal is received by a receiving circuit 23. The received high speed signal is output to a second logic circuit 26. The logic circuit 26 converts the signal to a low speed signal Data-Rx of the normal rate and outputs to the inspecting apparatus 10. A comparator 12 compares the received low speed signal with an expected value.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高速に動作する半
導体集積回路の改良に関し、詳しくは、半導体集積回路
の持つ動作速度よりも低速で動作する検査装置を用いて
検査可能な半導体集積回路の構成に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement of a semiconductor integrated circuit which operates at a high speed, and more particularly, to a semiconductor integrated circuit which can be inspected by using an inspection device which operates at a lower speed than the operation speed of the semiconductor integrated circuit. Regarding the configuration.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、超高速インターフェイス技術の研
究が進んで、IEEE1394規格の通り高速伝送され
た画像データをディスプレイに表示できるようになり、
LSIの高速動作化は飛躍的に進歩している。しかし、
高速動作するLSIを検査するための検査装置の開発
は、LSIの開発速度に比較して遅れがあるのが現状で
ある。
2. Description of the Related Art In recent years, research on ultra-high-speed interface technology has been advanced, and image data transmitted at high speed according to the IEEE 1394 standard can be displayed on a display.
High-speed operation of LSI has been dramatically advanced. But,
At present, there is a delay in the development of an inspection apparatus for inspecting an LSI that operates at a high speed, as compared with the development speed of the LSI.

【0003】従来より、高速LSIを検査する検査装置
には、被検査LSIの高速動作に対応してデータを高速
に発生するデータ発生装置と、高速LSIの検査結果と
して得られた転送レートの高い高速信号を期待値と比較
する高速用比較器とを備える。通常、高速動作するデバ
イスを検査する場合、高速データ送信試験では、検査装
置のデータ発生装置から所定パターンの低速データを被
検査デバイスに入力し、その後、被検査デバイスの論理
回路内のPLL(位相同期ループ)等を用いて前記入力
データを高速に分周して、転送レートの高い高速データ
とし、この高速データを被検査デバイス内の高速送信回
路で検査装置に送信し、検査装置内で高速比較器を用い
て前記受信された高速データを期待値と比較している。
一方、高速データ受信試験では、検査装置のデータ発生
装置から転送レートの高い高速データを被検査デバイス
に送信し、この被検査デバイス内で、前記高速データを
高速受信回路で受信し、その後、内部の論理回路で転送
レートの低い低速データに分周し、この低速データを検
査装置内の比較器で期待値と比較して、検査を行ってい
る。
Conventionally, an inspection apparatus for inspecting a high-speed LSI includes a data generator for generating data at a high speed corresponding to a high-speed operation of an LSI to be inspected, and a high transfer rate obtained as a result of inspection of the high-speed LSI. A high-speed comparator for comparing the high-speed signal with an expected value. Normally, when testing a device operating at high speed, in a high-speed data transmission test, low-speed data of a predetermined pattern is input to a device under test from a data generator of an inspection device, and then a PLL (phase-locked loop) in a logic circuit of the device under test is input. The input data is frequency-divided at high speed using a synchronous loop or the like to obtain high-speed data having a high transfer rate. The high-speed data is transmitted to the inspection device by a high-speed transmission circuit in the device under test, and the high-speed data is transmitted in the inspection device. The received high-speed data is compared with an expected value using a comparator.
On the other hand, in the high-speed data reception test, high-speed data having a high transfer rate is transmitted from the data generator of the inspection apparatus to the device under test, and the high-speed data is received by the high-speed reception circuit in the device under test, and then the internal Is divided into low-speed data having a low transfer rate by the logic circuit described above, and the low-speed data is compared with an expected value by a comparator in the inspection apparatus for inspection.

【0004】図7は、従来の検査装置を用いた高速デバ
イスの検査の構成の一例を示す。この一例は、米国テラ
ダイン(TERADYNE)社の高速LSIテスターJ
971のテスト構成である。同図において、DUT(被
検査デバイス)70が高速転送処理を必要とする場合、
高速データ送信試験では、検査装置60のデータ発生装
置61が転送レートが通常の例えば50Mbps の入力パ
ターンをDUT70に入力する。その入力パターンはD
UT70内の第1の論理回路71が受信し、この第1の
論理回路71内のPLL等(図示せず)で高速に分周し
た後、この転送レートの高い例えば400Mbps の高速
パターン信号を高速送信回路72から検査装置60へ出
力する。検査装置60では、比較器62は受信結果であ
る高速パターンとデータ発生装置61からの期待値パタ
ーンとを比較して、検査結果を出力する。
FIG. 7 shows an example of a configuration for testing a high-speed device using a conventional testing apparatus. An example of this is a high-speed LSI tester J from Teradyne, USA.
971 is a test configuration. In the figure, when a DUT (device under test) 70 requires high-speed transfer processing,
In the high-speed data transmission test, the data generating device 61 of the inspection device 60 inputs an ordinary input pattern having a transfer rate of, for example, 50 Mbps to the DUT 70. The input pattern is D
The first logic circuit 71 in the UT 70 receives the signal, divides it at a high speed by a PLL or the like (not shown) in the first logic circuit 71, and then converts a high-speed pattern signal having a high transfer rate, for example, 400 Mbps, to a high-speed Output from the transmission circuit 72 to the inspection device 60. In the inspection device 60, the comparator 62 compares the high-speed pattern, which is the reception result, with the expected value pattern from the data generation device 61, and outputs the inspection result.

【0005】一方、高速データ受信試験では、検査装置
60の高速用データ発生装置63は、DUT70のデー
タ転送速度に等しい転送速度で高速パターン信号をDU
T70に出力し、DUT70では、高速受信回路73が
前記高速パターン信号を受信し、第2の論理回路74で
この高速パターン信号を低速に分周して、通常の転送レ
ート(50Mbps)の低速パターンとし、その後、受信
結果である前記低速パターンを検査装置60内の比較器
64で期待値と比較する。
On the other hand, in the high-speed data reception test, the high-speed data generator 63 of the inspection device 60 converts the high-speed pattern signal into a DU at a transfer rate equal to the data transfer rate of the DUT 70.
In the DUT 70, the high-speed receiving circuit 73 receives the high-speed pattern signal, and the second logic circuit 74 divides the high-speed pattern signal into a low-speed signal to generate a low-speed pattern at a normal transfer rate (50 Mbps). Then, the low-speed pattern, which is the reception result, is compared with an expected value by the comparator 64 in the inspection device 60.

【0006】従って、従来の検査装置60では、高速デ
ータ送信試験では高速用比較器62を、高速データ受信
試験では高速用データ発生装置63を各々搭載する必要
がある。
Therefore, in the conventional inspection apparatus 60, it is necessary to mount the high-speed comparator 62 in the high-speed data transmission test and the high-speed data generator 63 in the high-speed data reception test.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、検査装
置60の高速用データ発生装置63及び高速用比較器6
2は非常に高価であって、コスト面から見ると、検査コ
ストの増大が大きな問題となっている。
However, the high-speed data generator 63 and the high-speed comparator 6 of the inspection device 60
2 is very expensive, and from the viewpoint of cost, an increase in inspection cost is a major problem.

【0008】また、近年の半導体集積回路はより一層の
高速化を目差しており、このため、LSI検査装置は、
半導体集積回路の高速化に良好に追随していないのが現
状である。また、半導体集積回路の高速化の速度に追随
したとしても、半導体集積回路が高速化される毎に、そ
の高速化に対応して検査装置を交換するのは莫大なコス
トを要する。更に、LSIが高速化する毎にLSI検査
装置を変更する場合に、異なるメーカーのLSI検査装
置を使用すれば、プログラムの変換等に長時間を要する
等の問題も生じる。
In recent years, semiconductor integrated circuits have been aiming at further higher speeds.
At present, it has not been well followed to increase the speed of semiconductor integrated circuits. Further, even if the speed of the semiconductor integrated circuit is increased, every time the speed of the semiconductor integrated circuit is increased, it is enormous cost to replace the inspection apparatus in accordance with the increase in the speed. Further, when the LSI inspection apparatus is changed every time the speed of the LSI is increased, if an LSI inspection apparatus of a different maker is used, a problem such as a long time is required for conversion of a program.

【0009】更に、被検査デバイスが高速になると、転
送された信号の遅延スキューや信号配線に起因する転送
信号の電位降下に対しても検査が必要になるものの、従
来では、検査装置において遅延時間や電位降下量等を制
御していたため、被検査デバイスが受信する信号の遅延
スキュー等のワーストケースの検査は可能であるが、被
検査デバイス内で生じる遅延スキューや信号の電位降下
量のワーストケースの検査は行い得なかった。
Further, as the speed of the device under test increases, it is necessary to test for the delay skew of the transferred signal and the potential drop of the transfer signal caused by the signal wiring. Worst case such as delay skew of the signal received by the device under test is possible, but the worst case of delay skew and potential drop of the signal occurring within the device under test is possible. Could not be tested.

【0010】本発明は、前記従来の問題点を解決するも
のであり、その目的は、通常の低速信号用の検査装置で
検査可能な半導体集積回路を提供することにある。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit which can be inspected by an ordinary inspection apparatus for low-speed signals.

【0011】また、本発明の他の目的は、前記目的に加
えて、検査される半導体集積回路内で意図的に電位降下
と遅延スキューとを起こさせ、高速信号の転送時に半導
体集積回路内で起こり得るワーストケースの検査を行う
ことが可能な半導体集積回路を提供することにある。
Another object of the present invention, in addition to the above-mentioned object, is to intentionally cause a potential drop and delay skew in a semiconductor integrated circuit to be inspected and to reduce the potential in a semiconductor integrated circuit during high-speed signal transfer. It is an object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit capable of performing a worst case test that can occur.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明では、半導体集積回路内の送信回路で送信す
る高速信号を自己の半導体集積回路内の受信回路で受信
し、この受信した高速信号を低速信号に変換し、この低
速信号に基づいて検査する構成を採用する。
In order to achieve the above object, according to the present invention, a high-speed signal transmitted by a transmitting circuit in a semiconductor integrated circuit is received by a receiving circuit in its own semiconductor integrated circuit, and the high-speed signal is received by the receiving circuit. A configuration is employed in which a high-speed signal is converted into a low-speed signal and inspection is performed based on the low-speed signal.

【0013】更に、検査される半導体集積回路内に、高
速信号の電位を降下させる電位制御回路を設けたり、高
速差動信号を構成する2つの信号間に遅延スキューを強
制的に生じさせる遅延回路を設ける。
Further, a potential control circuit for lowering the potential of a high-speed signal is provided in a semiconductor integrated circuit to be tested, or a delay circuit for forcibly generating a delay skew between two signals constituting a high-speed differential signal. Is provided.

【0014】即ち、請求項1記載の発明の半導体集積回
路は、転送レートの高い高速信号を送信する送信回路
と、受信回路とを備えると共に、外部検査装置に接続さ
れる検査時に前記外部検査装置から転送レートの低い低
速信号が入力され、前記高速信号を生成して前記送信回
路に出力する第1の論理回路と、前記送信回路と前記受
信回路とを結ぶ信号配線と、前記信号配線に配置され、
前記検査時に閉じて、前記送信回路から送信される高速
信号を前記受信回路に送るスイッチ手段と、前記受信回
路が受信した高速信号を入力し、この高速信号を他の低
速信号に変換する第2の論理回路とを備えたことを特徴
としている。
That is, a semiconductor integrated circuit according to the first aspect of the present invention includes a transmitting circuit for transmitting a high-speed signal having a high transfer rate, and a receiving circuit. A first logic circuit that receives a low-speed signal having a low transfer rate, generates the high-speed signal, and outputs the generated high-speed signal to the transmission circuit; a signal line that connects the transmission circuit and the reception circuit; And
A switch for closing the inspection and sending a high-speed signal transmitted from the transmission circuit to the reception circuit; and a second means for inputting the high-speed signal received by the reception circuit and converting the high-speed signal into another low-speed signal. And a logic circuit.

【0015】請求項2記載の発明は、前記請求項1記載
の半導体集積回路において、前記第1の論理回路は、生
成する高速信号の電位レベルを高く又は低く制御する電
位制御回路を備えることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit according to the first aspect, the first logic circuit includes a potential control circuit for controlling a potential level of a generated high-speed signal to be higher or lower. Features.

【0016】請求項3記載の発明の半導体集積回路は、
転送レートの高い高速差動信号を送信する送信回路と、
受信回路とを備えると共に、外部検査装置に接続される
検査時に前記外部検査装置から転送レートの低い低速信
号が入力され、前記高速差動信号を生成して前記送信回
路に出力する第1の論理回路と、前記送信回路と前記受
信回路とを結ぶ2本の配線より成る差動信号配線と、前
記差動信号配線に配置され、前記検査時に閉じて、前記
送信回路から送信される高速差動信号を前記受信回路に
送るスイッチ手段と、前記受信回路が受信した高速差動
信号を入力し、この高速差動信号を他の低速信号に変換
する第2の論理回路と、前記第2の論理回路に入力され
る高速差動信号を構成する2つの信号の何れか一方を遅
延させる遅延回路とを備えたことを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit comprising:
A transmission circuit for transmitting a high-speed differential signal having a high transfer rate;
A first logic for receiving a low-speed signal having a low transfer rate from the external inspection device at the time of inspection connected to the external inspection device, generating the high-speed differential signal, and outputting the generated high-speed differential signal to the transmission circuit; Circuit, a differential signal wiring composed of two wirings connecting the transmission circuit and the reception circuit, and a high-speed differential signal arranged on the differential signal wiring, closed at the time of the test, and transmitted from the transmission circuit. Switch means for sending a signal to the receiving circuit; a second logic circuit for receiving a high-speed differential signal received by the receiving circuit and converting the high-speed differential signal into another low-speed signal; A delay circuit for delaying one of the two signals constituting the high-speed differential signal input to the circuit.

【0017】請求項4記載の発明は、前記請求項3記載
の半導体集積回路において、前記第1の論理回路は、生
成する高速差動信号の電位レベルを高く又は低く制御す
る電位制御回路を備えることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit according to the third aspect, the first logic circuit includes a potential control circuit for controlling a potential level of a generated high-speed differential signal to be higher or lower. It is characterized by the following.

【0018】請求項5記載の発明の半導体集積回路は、
外部の検査装置に接続される検査時に、前記検査装置か
ら転送レートの低い信号が入力され、データ信号及びス
トローブ信号より成る転送レートの高い高速差動信号を
生成して出力する第1の論理回路と、前記第1の論理回
路が生成した高速差動信号を送信する送信回路と、前記
検査時に前記送信回路が送信した高速差動信号を、その
データ信号とストローブ信号とを入れ換えて受信する受
信回路と、前記受信回路が受信した高速差動信号を入力
し、この高速差動信号に含まれる前記ストローブ信号を
転送レートの低い低速信号に変換する第2の論理回路
と、前記第2の論理回路により変換される低速信号の期
待値が予め記憶された記憶回路とを備えたことを特徴と
する。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit comprising:
A first logic circuit for receiving a signal having a low transfer rate from the inspection device and generating and outputting a high-speed differential signal having a high transfer rate comprising a data signal and a strobe signal at the time of inspection connected to an external inspection device; A transmission circuit for transmitting a high-speed differential signal generated by the first logic circuit; and a reception circuit for receiving the high-speed differential signal transmitted by the transmission circuit during the test by exchanging the data signal and the strobe signal. A second logic circuit that inputs a high-speed differential signal received by the receiving circuit and converts the strobe signal included in the high-speed differential signal into a low-speed signal having a low transfer rate; A storage circuit in which an expected value of the low-speed signal converted by the circuit is stored in advance.

【0019】請求項6記載の発明の半導体集積回路は、
転送レートの高い高速差動信号を送信する送信回路と、
受信回路とを1ポートとして、前記送信回路及び受信回
路を2ポート備えると共に、外部検査装置に接続される
検査時に前記外部検査装置から転送レートの低い低速信
号が入力され、前記高速差動信号を生成して前記一方の
組の送信回路に出力する第1の論理回路を備え、前記一
方のポートの送信回路と他方のポートの受信回路とは、
前記検査時に差動ケーブルにより接続され、更に、前記
検査時に前記送信回路から送信されて前記差動ケーブル
を経て前記受信回路で受信された高速差動信号を転送レ
ートの低い低速信号に変換する第2の論理回路とを備え
たことを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit comprising:
A transmission circuit for transmitting a high-speed differential signal having a high transfer rate;
With the receiving circuit as one port, the transmitting circuit and the receiving circuit are provided with two ports, and at the time of inspection connected to an external inspection device, a low-speed signal having a low transfer rate is input from the external inspection device, and the high-speed differential signal is A first logic circuit for generating and outputting to the one set of transmission circuits, wherein the transmission circuit of one port and the reception circuit of the other port are:
The high-speed differential signal, which is connected by a differential cable during the inspection and is transmitted from the transmission circuit at the inspection and received by the receiving circuit through the differential cable during the inspection, is converted into a low-speed signal having a low transfer rate. And two logic circuits.

【0020】請求項7記載の発明の半導体集積回路の検
査方法は、転送レートの高い高速信号を送信する送信回
路と、受信回路とを備えた半導体集積回路の検査方法で
あって、転送レートの低い低速信号を受けて、前記高速
信号を生成し、前記生成された高速信号を前記送信回路
から送信し、前記送信された高速信号を前記受信回路で
受信し、前記受信された高速信号を低速信号に変換し、
前記変換された低速信号をこの低速信号の期待値と比較
することを特徴とする。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method for inspecting a semiconductor integrated circuit, comprising: a transmitting circuit for transmitting a high-speed signal having a high transfer rate; and a receiving circuit. The low-speed signal is received, the high-speed signal is generated, the generated high-speed signal is transmitted from the transmission circuit, the transmitted high-speed signal is received by the reception circuit, and the received high-speed signal is transmitted at a low speed. Convert it to a signal,
The converted low-speed signal is compared with an expected value of the low-speed signal.

【0021】請求項8記載の発明の半導体集積回路の検
査方法は、データ信号及びストローブ信号より成る転送
レートの高い高速差動信号を送信する送信回路と、受信
回路とを備えた半導体集積回路の検査方法であって、前
記送信回路から送信された高速差動信号を前記データ信
号とストローブ信号を入れ換えて受信し、前記受信した
高速差動信号のストローブ信号をこのストローブ信号の
期待値と比較することを特徴とする。
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a method for testing a semiconductor integrated circuit, comprising: a transmission circuit for transmitting a high-speed differential signal having a high transfer rate comprising a data signal and a strobe signal; and a reception circuit. In the inspection method, a high-speed differential signal transmitted from the transmission circuit is received by exchanging the data signal and the strobe signal, and a strobe signal of the received high-speed differential signal is compared with an expected value of the strobe signal. It is characterized by the following.

【0022】以上の構成により、請求項1ないし請求項
7記載の発明では、従来の検査で送信回路が外部の検査
装置へ出力する高速データを被検査デバイス内の受信回
路で受信して、被検査デバイス内で低速データに変換
し、この低速データに基づいて検査するので、検査装置
には従来のように高速用比較器62や高速用データ発生
装置63が不要である。従って、安価な検査装置を使用
して、データを高速転送する半導体集積回路を良好に検
査することができる。
With the above arrangement, according to the first to seventh aspects of the present invention, the reception circuit in the device under test receives the high-speed data output from the transmission circuit to the external inspection apparatus in the conventional test, and Since the data is converted into low-speed data in the inspection device and the inspection is performed based on the low-speed data, the inspection device does not require the high-speed comparator 62 and the high-speed data generator 63 as in the related art. Therefore, a semiconductor integrated circuit that transfers data at high speed can be satisfactorily inspected using an inexpensive inspection device.

【0023】特に、請求項2及び請求項4記載の発明で
は、被検査デバイスの検査時には、電位制御回路が、送
信回路から送信する高速信号の電位レベルを所定電圧
(例えば3.3V)から段階的に低下させることができ
るので、この被検査デバイスを使用した通常動作時に前
記高速信号の電位レベルがどれだけ降下した時点で誤動
作に至るかの電位降下のワーストケースの検査をするこ
とが可能になる。
In particular, according to the present invention, at the time of testing the device under test, the potential control circuit raises the potential level of the high-speed signal transmitted from the transmission circuit from a predetermined voltage (for example, 3.3 V). In the normal operation using the device under test, it is possible to perform a worst case test of a potential drop at a time when the potential level of the high-speed signal drops to reach a malfunction. Become.

【0024】また、請求項3記載の発明では、遅延回路
が高速差動信号のスキューを強制的に作り出すので、前
記高速差動信号のスキューがどれだけ大きな値になれば
誤動作に至るかの遅延のワーストケースの検査をするこ
とが可能になる。
According to the third aspect of the present invention, since the delay circuit forcibly generates the skew of the high-speed differential signal, the delay of how large the skew of the high-speed differential signal leads to a malfunction may occur. Worst case inspection.

【0025】更に、請求項5及び請求項8記載の発明で
は、検査時に受信回路が高速差動信号のデータ信号とス
トローブ信号とを入れ換えて受信しても、記憶回路に
は、予め、前記受信回路にはストローブ信号として受信
した本来のデータ信号の期待値が記憶されているので、
前記受信回路が受信したストローブ信号と記憶回路に記
憶された期待とを比較することにより、被検査デバイス
の検査が可能である。
Further, according to the fifth and eighth aspects of the present invention, even if the receiving circuit exchanges and receives the data signal of the high-speed differential signal and the strobe signal at the time of inspection, the storage circuit stores the received signal in advance. Since the expected value of the original data signal received as the strobe signal is stored in the circuit,
By comparing the strobe signal received by the receiving circuit with the expectation stored in the storage circuit, the device under test can be inspected.

【0026】加えて、請求項6記載の発明では、検査時
には、一方のポートの送信回路と他方のポートの受信回
路とが差動ケーブルで接続されるので、前記送信回路か
ら送信された高速差動信号に含まれるデータ信号は、受
信回路でそのままデータ信号として受信される。
In addition, according to the present invention, at the time of inspection, the transmission circuit of one port and the reception circuit of the other port are connected by a differential cable, so that the high-speed differential transmitted from the transmission circuit is transmitted. The data signal included in the moving signal is received as it is by the receiving circuit as a data signal.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0028】(第1の実施の形態)図1は第1の実施の
形態の半導体集積回路を検査する場合のブロック構成を
示す。同図において、10は検査装置、20は被検査デ
バイス(半導体集積回路)である。
(First Embodiment) FIG. 1 shows a block configuration for inspecting a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment. In FIG. 1, reference numeral 10 denotes an inspection apparatus, and reference numeral 20 denotes a device to be inspected (semiconductor integrated circuit).

【0029】前記検査装置10は、検査イネーブル信号
Data_Enを出力するデータ発生装置11と、被検
査デバイス(以下、DUTという)20から出力される
低転送レート(例えば50Mbps程度)の出力信号パ
ターンData_Rxとデータ発生装置11からの期待
値とを比較する比較器12とを備える。
The inspection apparatus 10 includes a data generation apparatus 11 that outputs an inspection enable signal Data_En, an output signal pattern Data_Rx of a low transfer rate (for example, about 50 Mbps) output from a device under test (hereinafter, referred to as a DUT) 20, A comparator for comparing the expected value from the data generator with an expected value;

【0030】前記DUT20は、検査装置10のデータ
発生装置11からの検査イネーブル信号Data_En
を入力する第1の論理回路21を有する。この第1の論
理回路21は、通常の転送レート(例えば50Mbp
s)の低速信号パターンを予め記憶するレジスタ28を
内蔵する。更に、前記第1の論理回路21は、前記検査
イネーブル信号Data_Enが入力された検査時に、
前記レジスタ28の低速信号パターンを分周して、前記
通常の転送レートよりも高い転送レート(例えば400
Mbps程度の転送レート)の高速信号パターンSpe
edData_Txを生成し、この高速信号パターンS
peedData_Txを出力する。
The DUT 20 receives a test enable signal Data_En from the data generator 11 of the tester 10.
Is input to the first logic circuit 21. The first logic circuit 21 operates at a normal transfer rate (for example, 50 Mbp).
A register 28 for storing the low-speed signal pattern of s) in advance is built in. Further, the first logic circuit 21 performs a test at the time when the test enable signal Data_En is input,
The low-speed signal pattern of the register 28 is frequency-divided and a transfer rate higher than the normal transfer rate (for example, 400
High-speed signal pattern Spe (transfer rate of about Mbps)
edData_Tx is generated, and the high-speed signal pattern S
Outputs speedData_Tx.

【0031】更に、前記DUT20は、前記高速信号S
peedData_Txを送信する高速送信回路22
と、高速受信回路23とを有する。前記高速送信回路2
2と高速受信回路23との間は信号配線27で接続さ
れ、この信号配線27にはスイッチ回路(スイッチ手
段)24が配置され、このスイッチ回路24はテスト制
御回路25により制御される。前記テスト制御回路25
は、DUT20が前記検査装置10からの検査イネーブ
ル信号Data_Enを受けた検査時に、前記スイッチ
回路24を閉じて、高速送信回路22が出力する高速信
号パターンSpeedData_Txを前記高速受信回
路23に受信させるものである。
Further, the DUT 20 outputs the high-speed signal S
High-speed transmission circuit 22 for transmitting speedData_Tx
And a high-speed receiving circuit 23. The high-speed transmission circuit 2
2 and the high-speed receiving circuit 23 are connected by a signal wiring 27, and a switch circuit (switch means) 24 is arranged on the signal wiring 27, and the switch circuit 24 is controlled by a test control circuit 25. The test control circuit 25
When the DUT 20 receives the test enable signal Data_En from the test apparatus 10, the switch circuit 24 is closed to allow the high-speed receiving circuit 23 to receive the high-speed signal pattern SpeedData_Tx output from the high-speed transmitting circuit 22. is there.

【0032】加えて、前記DUT20には、高速受信回
路23が受信した400Mbps程度の高速信号パター
ンSpeedData_Txを、逆に50Mbps程度
の通常レートの低速信号パターンData_Rxに逆変
換する第2の論理回路26が備えられる。この逆変換さ
れた低速信号パターンData_Rxは、検査装置10
に出力される。
In addition, the DUT 20 has a second logic circuit 26 for inversely converting the high-speed signal pattern SpeedData_Tx of about 400 Mbps received by the high-speed receiving circuit 23 into a low-speed signal pattern Data_Rx of a normal rate of about 50 Mbps. Be provided. The inversely converted low-speed signal pattern Data_Rx is supplied to the inspection device 10
Is output to

【0033】次に、本実施の形態の半導体集積回路の検
査を具体的に説明する。図1において、検査装置10の
データ発生装置11が検査イネーブル信号Data_E
nをDUT20に出力すると、このDUT20内の第1
の論理回路21は、レジスタ28に記憶された50Mb
ps程度の低転送レートのテストパターンを高転送レー
トの例えば400Mbps程度の高速信号(テストパタ
ーン)SpeedData_Txに変換し、このテスト
パターンは高速送信回路22から送信される。
Next, the inspection of the semiconductor integrated circuit of the present embodiment will be specifically described. In FIG. 1, a data generation device 11 of a test device 10 has a test enable signal Data_E
n to the DUT 20, the first in the DUT 20
The logic circuit 21 of 50Mb stored in the register 28
The test pattern having a low transfer rate of about ps is converted into a high-speed signal (test pattern) SpeedData_Tx having a high transfer rate of, for example, about 400 Mbps, and the test pattern is transmitted from the high-speed transmission circuit 22.

【0034】この検査時には、DUT20内のスイッチ
回路24が閉じられ、DUT20内部では高速受信回路
23が前記テストパターンSpeedData_Txを
そのまま受信することになる。前記スイッチ回路24の
ON/OFFはテスト制御回路25によって制御され
る。テスト制御回路25はテスト時にスイッチ回路24
をON、通常動作ではOFFに制御する。DUT20内
部での短絡により、高速受信回路23は400Mbps
程度の前記テストパターンSpeedData_Txを
受信し、受信した結果のパターンを高速のまま第2の論
理回路26へ疾駆する。第2の論理回路26は、400
Mbpsの受信結果パターンSpeedData_Tx
を、今度は検査装置10の比較器12が対応できる50
Mbps程度の通常転送レートの低速パターンData
_Rxに分周して、検査装置10の比較器12に出力す
る。前記比較器12は、DUT20の低速パターンDa
ta_Rxと、検査装置10のデータ発生装置11の期
待値パターンとを50Mbpsの転送レートで比較す
る。
At the time of this inspection, the switch circuit 24 in the DUT 20 is closed, and in the DUT 20, the high-speed receiving circuit 23 receives the test pattern SpeedData_Tx as it is. ON / OFF of the switch circuit 24 is controlled by a test control circuit 25. The test control circuit 25 switches the switch circuit 24 during the test.
Is turned on, and is turned off in the normal operation. Due to the short circuit inside the DUT 20, the high-speed receiving circuit 23
The test pattern SpeedData_Tx of the degree is received, and the pattern of the received result is driven to the second logic circuit 26 while maintaining the high speed. The second logic circuit 26 includes 400
Mbps reception result pattern SpeedData_Tx
This time, the comparator 12 of the inspection apparatus 10 can handle 50
Low-speed pattern Data of normal transfer rate of about Mbps
_Rx and output to the comparator 12 of the inspection apparatus 10. The comparator 12 detects the low-speed pattern Da of the DUT 20.
ta_Rx is compared with the expected value pattern of the data generator 11 of the inspection device 10 at a transfer rate of 50 Mbps.

【0035】従って、図1においてDUT20の高速送
信回路22と高速受信回路23とが、検査時にはスイッ
チ回路24により内部で短絡され、且つ受信回路23で
受信された高速テストパターンSpeedData_T
xが通常転送レートの低速パターンData_Rxに変
換されるので、検査装置10では50Mbps程度の通
常転送レートの検査イネーブル信号Data_Enでも
って高速データの転送検査が可能である。換言すれば、
高速送信回路22で出力された400Mbps程度の高
速信号パターンSpeedData_Txは従来のよう
に直ちに検査装置10には送信されず、DUT20内の
受信回路23で前記高速信号パターンSpeedDat
a_Txを受信し、第2の論理回路26で再び50Mb
ps程度の低速パターンData_RXに分周した後に
検査装置10に出力し、検査装置10内の比較器12で
検査するので、検査装置10に高速信号用のデータ発生
装置及び高速信号用比較器を必要としない。
Therefore, in FIG. 1, the high-speed transmission circuit 22 and the high-speed reception circuit 23 of the DUT 20 are internally short-circuited by the switch circuit 24 at the time of inspection, and the high-speed test pattern SpeedData_T received by the reception circuit 23.
Since x is converted into the low-speed pattern Data_Rx of the normal transfer rate, the inspection apparatus 10 can perform the high-speed data transfer inspection using the inspection enable signal Data_En of the normal transfer rate of about 50 Mbps. In other words,
The high-speed signal pattern SpeedData_Tx of about 400 Mbps output from the high-speed transmission circuit 22 is not immediately transmitted to the inspection apparatus 10 as in the related art, and the high-speed signal pattern SpeedData_Tx is received by the reception circuit 23 in the DUT 20.
a_Tx is received, and the second logic circuit 26 again receives 50 Mb
Since the frequency is divided into a low-speed pattern Data_RX of about ps and then output to the inspection device 10 and inspected by the comparator 12 in the inspection device 10, the inspection device 10 requires a data generator for high-speed signals and a comparator for high-speed signals. And not.

【0036】また、スイッチ回路24及びテスト制御回
路25を備えるので、被検査デバイスの通常動作から検
査への切り換え時には、高速送信回路22と高速受信回
路23とを短絡させて検査を行うことができる。
Since the switch circuit 24 and the test control circuit 25 are provided, when switching from the normal operation of the device under test to the test, the test can be performed by short-circuiting the high-speed transmission circuit 22 and the high-speed reception circuit 23. .

【0037】(第2の実施の形態)図2は本発明の第2
の実施の形態を示す。同図に示すDUT20’では、第
1の論理回路21’内に電位制御回路29を含む。この
電位制御回路29は、第1の論理回路21によって40
0Mbps程度の転送レートに変換された高速信号パタ
ーンの中心電位(例えば1.8V)を任意の電圧範囲
(例えば0.5Vの範囲)で降下させて、この高速信号
SpeedData_Txを送信回路22へ出力する。
前記電位制御回路29は、外部から4ビットのレベル制
御信号Level In1、Level In2、Level In3及びLevel In4
を受け、これ等の制御信号の組合せにより、高速信号S
peedData_Txの電位レベルの降下幅又は上昇
幅が決定される。例えば、これ等信号の組合せが「00
01」であれば10mV降下させ、「0100」であれ
ば100mV上昇させる。
(Second Embodiment) FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention.
An embodiment will be described. In the DUT 20 'shown in the figure, a potential control circuit 29 is included in a first logic circuit 21'. The potential control circuit 29 is controlled by the first logic circuit 21 to
The central potential (for example, 1.8 V) of the high-speed signal pattern converted to a transfer rate of about 0 Mbps is lowered in an arbitrary voltage range (for example, 0.5 V range), and this high-speed signal SpeedData_Tx is output to the transmission circuit 22. .
The potential control circuit 29 has a 4-bit level control signal Level In1, Level In2, Level In3 and Level In4 from the outside.
And the combination of these control signals causes the high-speed signal S
The width of decrease or increase in the potential level of the speed_data_Tx is determined. For example, if the combination of these signals is “00”
If it is "01", it is lowered by 10 mV, and if it is "0100", it is raised by 100 mV.

【0038】その他の構成は前記第1の実施の形態と同
様である。高速送信回路22は高速受信回路23に高速
信号パターンSpeedData_Txを出力し、第2
の論理回路26は中心電位の降下した高速受信信号パタ
ーンSpeedData_Txを受信し、50Mbps
程度の低速信号パターンData_Rxに変換して、検
査装置10へ出力する。
The other structure is the same as that of the first embodiment. The high-speed transmission circuit 22 outputs the high-speed signal pattern SpeedData_Tx to the high-speed reception circuit 23, and outputs the second
Logic circuit 26 receives the high-speed reception signal pattern SpeedData_Tx whose central potential has dropped, and receives the 50 Mbps signal.
The signal is converted into a low-speed signal pattern Data_Rx and output to the inspection apparatus 10.

【0039】ここで、前記電位制御回路29により、高
速信号パターンSpeedData_Txの中心電位を
所定電圧範囲(例えば0.5Vの範囲)内で降下変動さ
せることができるので、DUT20の通常使用時にDU
T20内で生じる高速信号の電圧降下のワーストケース
を検査することが可能である。
Here, since the central potential of the high-speed signal pattern SpeedData_Tx can be dropped and fluctuated within a predetermined voltage range (for example, a range of 0.5 V) by the potential control circuit 29, the DU is used during normal use of the DUT 20.
It is possible to inspect the worst case of the voltage drop of the high-speed signal occurring in T20.

【0040】(第3の実施の形態)次に、本発明の第3
の実施の形態を説明する。図3は本発明の第3の実施の
形態の半導体集積回路を検査する場合の全体構成を示す
ブロック図である。
(Third Embodiment) Next, a third embodiment of the present invention will be described.
An embodiment will be described. FIG. 3 is a block diagram showing an overall configuration for testing a semiconductor integrated circuit according to the third embodiment of the present invention.

【0041】同図において、DUT30は、検査装置1
0に搭載されたデータ発生装置11からの図4(a)に
示す検査イネーブル信号Data_Enを入力する第1
の論理回路31を有する。この第1の論理回路31は、
図4(b)に示すような通常の転送レート(例えば50
Mbps)の低速信号パターンを予め記憶するレジスタ
38を内蔵する。更に、前記第1の論理回路31は、前
記検査イネーブル信号Data_Enが入力された検査
時に、前記レジスタ38の低速信号パターンを分周し
て、前記通常の転送レートよりも高い転送レート(例え
ば400Mbps程度の転送レート)の高速差動信号パ
ターンSpeedData_Txを生成するDSエンコ
ーダ(符号化器)(図示せず)を有し、この生成した高
速差動信号パターンSpeedData_Txを出力す
る。前記高速差動信号パターンSpeedData_T
xは、図4(c)に示すように、データ信号Dataと
ストローブ信号Strobeとの2つの信号よりなる差
動信号である。
In the figure, the DUT 30 is an inspection device 1
0 is input from the data generation device 11 mounted on the data generation device 0 to the inspection enable signal Data_En shown in FIG.
Logic circuit 31. This first logic circuit 31
A normal transfer rate as shown in FIG.
A register 38 for storing a low-speed signal pattern (Mbps) in advance. Further, the first logic circuit 31 divides the low-speed signal pattern of the register 38 at the time of inspection when the inspection enable signal Data_En is input, and transfers the data at a transfer rate higher than the normal transfer rate (for example, about 400 Mbps). And a DS encoder (encoder) (not shown) that generates a high-speed differential signal pattern SpeedData_Tx having a transfer rate of (a transfer rate), and outputs the generated high-speed differential signal pattern SpeedData_Tx. The high-speed differential signal pattern SpeedData_T
x is a differential signal composed of two signals, a data signal Data and a strobe signal Strobe, as shown in FIG.

【0042】また、前記DUT30は、前記第1の論理
回路31からの高速差動信号パターンSpeedDat
a_Txを送信する高速送信回路32と、高速受信回路
33とを有する。この高速送信回路32と高速受信回路
33との間には、差動信号線路37が配置され、この差
動信号線路37にはスイッチ回路34が配置される。テ
スト制御回路35は、検査時にスイッチ回路34を閉じ
て、高速送信回路32が出力する高速差動信号パターン
SpeedData_TxをDUT30内で高速受信回
路33に受信させる。
The DUT 30 is provided with a high-speed differential signal pattern SpeedDat from the first logic circuit 31.
It has a high-speed transmission circuit 32 for transmitting a_Tx and a high-speed reception circuit 33. A differential signal line 37 is disposed between the high-speed transmission circuit 32 and the high-speed reception circuit 33, and a switch circuit 34 is disposed on the differential signal line 37. The test control circuit 35 closes the switch circuit 34 at the time of inspection, and causes the high-speed reception circuit 33 to receive the high-speed differential signal pattern SpeedData_Tx output from the high-speed transmission circuit 32 in the DUT 30.

【0043】更に、前記DUT30は第2の論理回路3
6を備える。この第2の論理回路36は、前記高速受信
回路33が受信した400bps程度の高速差動信号パ
ターンSpeedData_Txを、50Mbps程度
の通常転送レートの低速差動信号パターンに逆変換する
DSデコーダ(復号化器)(図示せず)を有する。この
逆変換された低速差動信号パターンは、前記高速差動信
号パターンと同様に、データ信号とストローブ信号とか
ら成る。更に、前記第2の論理回路36にはレジスタ
(記憶回路)39が備えられる。このレジスタ39は、
前記逆変換された低速信号パターンの期待値を予め記憶
する。前記第2の論理回路36は、前記逆変換した低速
信号パターンと前記レジスタ39の期待値とを比較し、
その比較結果信号Data_Rxを検査装置10に出力
する。この比較結果信号を図4(e)に示す。図3にお
いて、前記高速受信回路33と第2の論理回路36との
間の差動信号配線のうち、ストローブ信号が伝送される
配線には、遅延回路Dが配置される。
Further, the DUT 30 is connected to the second logic circuit 3
6 is provided. The second logic circuit 36 reversely converts the high-speed differential signal pattern SpeedData_Tx of about 400 bps received by the high-speed receiving circuit 33 into a low-speed differential signal pattern of a normal transfer rate of about 50 Mbps. ) (Not shown). The inversely converted low-speed differential signal pattern includes a data signal and a strobe signal, similarly to the high-speed differential signal pattern. Further, the second logic circuit 36 includes a register (storage circuit) 39. This register 39
An expected value of the inversely converted low-speed signal pattern is stored in advance. The second logic circuit 36 compares the inversely converted low-speed signal pattern with an expected value of the register 39,
The comparison result signal Data_Rx is output to the inspection device 10. This comparison result signal is shown in FIG. In FIG. 3, a delay circuit D is disposed on a line through which a strobe signal is transmitted among differential signal lines between the high-speed receiving circuit 33 and the second logic circuit 36.

【0044】以下、本実施の形態の半導体集積回路の検
査を具体的に説明する。図3において、検査装置10の
データ発生装置11が検査イネーブル信号Data_E
nをDUT30内の第1の論理回路31に送る。
Hereinafter, the inspection of the semiconductor integrated circuit according to the present embodiment will be specifically described. In FIG. 3, the data generation device 11 of the inspection device 10 has the inspection enable signal Data_E.
n to the first logic circuit 31 in the DUT 30.

【0045】DUT30では、第1の論理回路31が5
0Mbps程度の検査イネーブル信号Data_Enを
受けて、DUT30が本来持つ動作周波数(例えば、4
00Mbps)の高速テストパターンSpeedDat
a_Txを生成する。その際、第1の論理回路31のD
Sエンコーダは、高速テストパターンSpeedDat
a_Txとして、データ信号とストローブ信号とから成
る差動信号パターンを生成し、高速送信回路32へ出力
する。
In the DUT 30, the first logic circuit 31
Upon receiving the inspection enable signal Data_En of about 0 Mbps, the operating frequency (for example, 4
00Mbps) High-speed test pattern SpeedDat
Generate a_Tx. At this time, D of the first logic circuit 31
The S encoder uses the high-speed test pattern SpeedDat
As a_Tx, a differential signal pattern including a data signal and a strobe signal is generated and output to the high-speed transmission circuit 32.

【0046】DUT30内では、スイッチ回路34がテ
スト制御回路35により制御されて閉じられている。従
って、高速送信回路32から送信された高速差動信号S
peedData_Txは、DUT30内で高速受信回
路33でそのまま受信される。受信された高速差動パタ
ーンSpeedData_Txは高速のまま第2の論理
回路36へ出力される。
In the DUT 30, the switch circuit 34 is controlled and closed by the test control circuit 35. Therefore, the high-speed differential signal S transmitted from the high-speed transmission circuit 32
The speedData_Tx is received by the high-speed receiving circuit 33 in the DUT 30 as it is. The received high-speed differential pattern SpeedData_Tx is output to the second logic circuit 36 at high speed.

【0047】前記高速差動信号パターンSpeedDa
ta_Txが高速受信回路33から第2の論理回路36
へ出力される際、ストローブ配線上に配置された遅延回
路Dを通過する。この遅延回路Dは、ストローブ信号パ
ターンを強制的に遅延させ、この遅延したストローブ信
号が第2の論理回路36内のDSデコーダに入力され
る。前記第2の論理回路36のDSデコーダは、符号化
された高速差動信号パターンを復号化して、400Mb
psの高速受信結果パターンSpeedData_Tx
を50Mbps程度の通常周波数の低速差動信号パター
ンData_Rxに戻す。この低速差動信号パターン
は、第2の論理回路36内のレジスタ39に記憶された
期待値と比較され、その比較結果信号Data_Rxが
検査装置10に出力される。検査装置10では、比較器
12が前記DUT30からの比較結果信号Data_R
xをデータ発生装置11からの期待値と照合する。
The high-speed differential signal pattern SpeedDa
ta_Tx is transmitted from the high-speed reception circuit 33 to the second logic circuit 36
When the signal is output to the strobe line, the signal passes through the delay circuit D arranged on the strobe wiring. The delay circuit D forcibly delays the strobe signal pattern, and the delayed strobe signal is input to the DS decoder in the second logic circuit 36. The DS decoder of the second logic circuit 36 decodes the encoded high-speed differential signal pattern to generate a 400 Mb
ps high-speed reception result pattern SpeedData_Tx
Is returned to the low-speed differential signal pattern Data_Rx of the normal frequency of about 50 Mbps. This low-speed differential signal pattern is compared with the expected value stored in the register 39 in the second logic circuit 36, and the comparison result signal Data_Rx is output to the inspection device 10. In the inspection device 10, the comparator 12 outputs the comparison result signal Data_R from the DUT 30.
x is compared with an expected value from the data generator 11.

【0048】ここに、遅延回路Dは高速差動信号に含ま
れるストローブ信号を強制的に遅延させるので、検査装
置等と接続している場合の高速差動信号の任意のスキュ
ー値をDUT30内に持たせることができる。従って、
遅延回路Dの遅延値を種々変更すれば、高速差動信号の
スキューのワーストケース(最大スキュー値)を検査で
きる。
Here, since the delay circuit D forcibly delays the strobe signal included in the high-speed differential signal, an arbitrary skew value of the high-speed differential signal when connected to an inspection device or the like is stored in the DUT 30. You can have. Therefore,
By changing the delay value of the delay circuit D variously, the worst case (maximum skew value) of the skew of the high-speed differential signal can be inspected.

【0049】更に、第1の論理回路31がDSエンコー
ダを含むので、検査時には、その検査目的に合致した適
切なデータ信号とストローブ信号とから成る差動信号パ
ターンを生成できる。また、データ信号とストローブ信
号とに基づいてクロック信号を生成するので、送信回路
32及び受信回路33は高速のクロック信号で動作す
る。加えて、前記生成されたクロック信号のエッジは、
データ信号のエッジに対して遅延するので、遅延回路D
により遅延されたストローブ信号をクロック信号で確実
にラッチできる。
Further, since the first logic circuit 31 includes the DS encoder, it is possible to generate a differential signal pattern composed of a data signal and a strobe signal suitable for the purpose of the test at the time of the test. Further, since the clock signal is generated based on the data signal and the strobe signal, the transmission circuit 32 and the reception circuit 33 operate with the high-speed clock signal. In addition, the edge of the generated clock signal is
Since the delay is with respect to the edge of the data signal, the delay circuit D
Thus, the strobe signal delayed by the clock signal can be reliably latched by the clock signal.

【0050】尚、本実施の形態では、遅延回路Dをスト
ローブ信号配線に配置したが、データ信号配線に配置し
ても良いのは勿論である。つまり、遅延回路Dは、受信
回路33と第2の論理回路36との間の差動信号配線の
何れか一方の配線に配置すれば良い。
In the present embodiment, the delay circuit D is arranged on the strobe signal wiring, but may be arranged on the data signal wiring. That is, the delay circuit D may be disposed on any one of the differential signal lines between the receiving circuit 33 and the second logic circuit 36.

【0051】また、図3に示した第1の論理回路31を
図2に示した第1の論理回路21’に変更して、第1の
論理回路の内部に電位制御回路29を備えても良い。
Further, the first logic circuit 31 shown in FIG. 3 may be changed to the first logic circuit 21 'shown in FIG. 2, and a potential control circuit 29 may be provided inside the first logic circuit. good.

【0052】(第4の実施の形態)続いて、本発明の第
4の実施の形態を図5に基づいて説明する。本実施の形
態は、IEEE1394規格の物理層LSIの送受信回
路を持つ半導体集積回路を検査する場合を示している。
(Fourth Embodiment) Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. This embodiment shows a case where a semiconductor integrated circuit having a transceiver circuit of a physical layer LSI of the IEEE 1394 standard is inspected.

【0053】同図において、DUT40内部の高速送受
信回路42の信号出力側から信号入力側までの短絡構造
を利用して、検査モードの設定により、高速送受信回路
42の内部でデータ信号をストローブ信号として受信さ
せる。通常動作では、データ信号をストローブ信号とし
て受信することはできない。検査モード時にデータ信号
をストローブ信号として受け取る場合には、第2の論理
回路46内のレジスタ49には、前記ストローブ信号の
期待値が予め記憶される。具体的に説明すると、次の通
りである。
In the same figure, by using a short-circuit structure from the signal output side to the signal input side of the high-speed transmission / reception circuit 42 inside the DUT 40, by setting the inspection mode, the data signal is converted into a strobe signal inside the high-speed transmission / reception circuit 42. Let it be received. In normal operation, a data signal cannot be received as a strobe signal. When a data signal is received as a strobe signal in the test mode, an expected value of the strobe signal is stored in a register 49 in the second logic circuit 46 in advance. This will be specifically described as follows.

【0054】IEEE1394規格では、データ信号と
ストローブ信号とのエクスクルーシブORでクロック信
号を生成する構造を採用する。また、この検査モード時
には、図4(d)に示すように、データ信号Dataと
ストローブ信号Strobeとが入れ換って受信される
ことになる。例えば、データ信号として「010110
10」を高速送信した場合には、高速送受信回路42は
内部でストローブ信号「00001111」を高速受信
する。この関係上、前記受信したストローブ信号のパタ
ーンを期待値としてレジスタ49に持たせておけば、検
査が可能になる。
The IEEE 1394 standard employs a structure in which a clock signal is generated by an exclusive OR of a data signal and a strobe signal. In the test mode, as shown in FIG. 4D, the data signal Data and the strobe signal Strobe are exchanged and received. For example, “010110” is used as a data signal.
When "10" is transmitted at high speed, the high-speed transmission / reception circuit 42 internally receives the strobe signal "000011111" at high speed. In this connection, if the register 49 has the pattern of the received strobe signal as an expected value, the inspection can be performed.

【0055】前記送受信回路42内の短絡構造には、前
記第1及び第2の実施の形態のスイッチ回路27、37
は配置されない。その他の構成は、前記第3の実施の形
態と同様であるので、その説明を省略する。
The short circuit structure in the transmission / reception circuit 42 includes the switch circuits 27 and 37 of the first and second embodiments.
Is not placed. The other configuration is the same as that of the third embodiment, and the description is omitted.

【0056】(第5の実施の形態)次に、本発明の第5
の実施の形態を説明する。本実施の形態は、IEEE1
394規格の差動ケーブルを使用して検査を行う場合を
示す。図6は本実施の形態の半導体集積回路を検査する
場合の全体構成を示すブロック図である。
(Fifth Embodiment) Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.
An embodiment will be described. This embodiment is based on IEEE1.
The case where an inspection is performed using a 394 standard differential cable is shown. FIG. 6 is a block diagram showing an overall configuration for inspecting the semiconductor integrated circuit of the present embodiment.

【0057】図6では、検査装置10とDUT50とを
備える。DUT50は2つのポートを持つ構成であり、
ポート1及びポート2には、各々、前記第3の実施の形
態のDUT20と同様に、レジスタ38を持つ第1の論
理回路31、高速送信回路32、高速受信回路33、レ
ジスタ39を持つ第2の論理回路36、前記高速送信回
路32から高速受信回路33に至る短絡構造とが設けら
れる。前記短絡構造には図3のスイッチ回路34は配置
されない。検査装置10は第3の実施の形態の検査装置
10と同一構成である。
In FIG. 6, an inspection device 10 and a DUT 50 are provided. The DUT 50 has a configuration having two ports,
Each of the port 1 and the port 2 has a first logic circuit 31 having a register 38, a high-speed transmission circuit 32, a high-speed reception circuit 33, and a second port having a register 39, similarly to the DUT 20 of the third embodiment. And a short circuit structure from the high-speed transmission circuit 32 to the high-speed reception circuit 33. The switch circuit 34 of FIG. 3 is not arranged in the short circuit structure. The inspection device 10 has the same configuration as the inspection device 10 of the third embodiment.

【0058】前記ポート1の高速送信回路32とポート
2の高速受信回路33とは、検査時に、IEEE139
4規格の差動ケーブル57により接続される。同様に、
ポート2の高速送信回路32とポート1の高速受信回路
33とは、検査時に、IEEE1394規格の差動ケー
ブル57により接続される。テスト制御回路55は、検
査時に、複数ポートを使用する検査モードに切り換え
て、例えばポート1の高速送信回路32により高速信号
データSpeedData_Txを送信し、この高速信
号データSpeedData_TxをDUT50の外部
で差動ケーブル57を経由して再びDUT内のポート2
の受信回路33で受信するように、各ポートの論理回路
31、36を制御する。
The high-speed transmission circuit 32 of the port 1 and the high-speed reception circuit 33 of the port 2 are connected to the IEEE139
It is connected by a differential cable 57 of four standards. Similarly,
The high-speed transmission circuit 32 of the port 2 and the high-speed reception circuit 33 of the port 1 are connected by an IEEE1394 standard differential cable 57 at the time of inspection. At the time of inspection, the test control circuit 55 switches to an inspection mode using a plurality of ports, transmits high-speed signal data SpeedData_Tx by, for example, the high-speed transmission circuit 32 of the port 1, and transmits this high-speed signal data SpeedData_Tx to the differential cable outside the DUT 50. Port 2 in the DUT again via 57
The logic circuits 31 and 36 of each port are controlled so that the receiving circuit 33 receives the signals.

【0059】つまり、本実施の形態では、前記第4の実
施の形態で行ったように送信回路42の出力側と受信回
路43の入力側との短絡構造を利用した高速差動信号の
送受信に代えて、その高速差動信号の送受信をDUT5
0外部の差動ケーブル57でループバックさせて行った
ものである。
That is, in the present embodiment, the transmission and reception of a high-speed differential signal using a short-circuit structure between the output side of the transmission circuit 42 and the input side of the reception circuit 43 as in the fourth embodiment is performed. Instead, transmission and reception of the high-speed differential signal is performed by the DUT 5.
0 is looped back by an external differential cable 57.

【0060】従って、本実施の形態では、検査モード時
には、差動ケーブル57を使用して、一方のポートの送
信回路32から送信された高速差動信号を一旦外部の差
動ケーブル57に出力し、この差動ケーブル57を経て
他方のポートの受信回路33で受信する構成であるの
で、送信回路32から送信された高速差動信号に含まれ
る高速データ信号は、前記第4の実施の形態のように高
速ストローブ信号としてではなく、そのままデータ信号
として受信される。従って、各ポートの第2の論理回路
36に内蔵するレジスタ39には、予め、データ信号の
期待値を記憶すればよい。また、DUT50の通常動作
時に実際に使用する差動ケーブルを用いるので、高速差
動信号のより確かな保証が可能になる。
Therefore, in the present embodiment, in the inspection mode, the differential cable 57 is used to temporarily output the high-speed differential signal transmitted from the transmission circuit 32 of one port to the external differential cable 57. The high-speed data signal included in the high-speed differential signal transmitted from the transmission circuit 32 is the same as that of the fourth embodiment because the reception circuit 33 of the other port receives the signal via the differential cable 57. Instead of being received as a high-speed strobe signal, it is received as it is as a data signal. Therefore, the expected value of the data signal may be stored in advance in the register 39 incorporated in the second logic circuit 36 of each port. Further, since the differential cable actually used during the normal operation of the DUT 50 is used, a more reliable guarantee of a high-speed differential signal can be achieved.

【0061】尚、以上の説明では、検査装置10のデー
タ発生装置11からは検査イネーブル信号Data_E
nを発生させたが、50Mbpsの低速信号パターン
(テストパターン)を発生してDUTに出力する構成を
採用しても良い。また、DUT内の第2の論理回路内に
期待値を記憶するレジスタを設け、検査時に得られた低
速信号をこのレジスタの期待値と比較したが、本発明は
これに限定されず、その他、検査装置10内に期待値を
格納しておき、DUTからは検査時に得られた低速信号
を検査装置10に出力し、検査装置10内で前記低速信
号と期待値との比較を行う場合も含むものである。
In the above description, the inspection enable signal Data_E is sent from the data generation device 11 of the inspection device 10.
Although n is generated, a configuration in which a low-speed signal pattern (test pattern) of 50 Mbps is generated and output to the DUT may be adopted. Further, a register for storing an expected value is provided in the second logic circuit in the DUT, and a low-speed signal obtained at the time of inspection is compared with the expected value of this register. However, the present invention is not limited to this. An expected value is stored in the inspection apparatus 10, a low-speed signal obtained at the time of inspection is output from the DUT to the inspection apparatus 10, and the inspection apparatus 10 compares the low-speed signal with the expected value. It is a thing.

【0062】[0062]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1ないし請
求項7記載の発明によれば、送信回路から送信される高
速信号を自らの受信回路で受信し、低速信号に変換する
ので、信号の高速転送を行う半導体集積回路の検査であ
っても、検査装置の高速用比較器及び高速用データ発生
装置を不要にして、低コストの検査装置を使用した検査
が可能である。
As described above, according to the first to seventh aspects of the present invention, a high-speed signal transmitted from a transmission circuit is received by its own reception circuit and converted into a low-speed signal. Even when testing a semiconductor integrated circuit that performs high-speed transfer, a high-speed comparator and a high-speed data generator of the testing device are not required, and testing using a low-cost testing device is possible.

【0063】特に、本発明の請求項2及び請求項4記載
の発明によれば、信号配線長に起因する高速信号の電位
の降下検査も可能になる。
In particular, according to the second and fourth aspects of the present invention, it is also possible to perform a drop test of a potential of a high-speed signal caused by a signal wiring length.

【0064】更に、本発明の請求項3記載の発明によれ
ば、遅延回路が高速差動信号のスキューを強制的に作り
出すので、遅延スキューの検査をも行うことができる。
Further, according to the third aspect of the present invention, since the delay circuit forcibly creates the skew of the high-speed differential signal, the delay skew can be inspected.

【0065】加えて、請求項6記載の発明によれば、検
査時には、一方のポートの送信回路と他方のポートの受
信回路とを差動ケーブルで接続して検査するので、被検
査デバイスの実際の使用時とほぼ同様の状況で検査する
ことが可能である。
In addition, according to the invention of claim 6, at the time of inspection, the transmission circuit of one port and the reception circuit of the other port are connected by a differential cable for inspection. It is possible to perform the inspection in almost the same situation as when using.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態の半導体集積回路を
検査する場合の全体構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration when testing a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention;

【図2】本発明の第2の実施の形態の半導体集積回路を
検査する場合の全体構成を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating an overall configuration when testing a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention;

【図3】本発明の第3の実施の形態の半導体集積回路を
検査する場合の全体構成を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating an overall configuration when testing a semiconductor integrated circuit according to a third embodiment of the present invention;

【図4】(a)は第3の実施の形態における検査イネー
ブル信号の波形を示す図、(b)は第1の論理回路のレ
ジスタに記憶する低速信号データの波形を示す図、
(c)は高速差動信号波形を示す図、(d)は第4の実
施の形態における第2の論理回路が変換した低速信号デ
ータの波形を示す図、(e)は第3の実施の形態におけ
る第2の論理回路から検査装置に出力される比較結果信
号を示す図である。
4A is a diagram illustrating a waveform of a test enable signal according to a third embodiment, FIG. 4B is a diagram illustrating a waveform of low-speed signal data stored in a register of a first logic circuit,
(C) is a diagram illustrating a high-speed differential signal waveform, (d) is a diagram illustrating a waveform of low-speed signal data converted by the second logic circuit in the fourth embodiment, and (e) is a diagram illustrating the third embodiment. FIG. 10 is a diagram showing a comparison result signal output from the second logic circuit in the embodiment to the inspection device.

【図5】本発明の第4の実施の形態の半導体集積回路を
検査する場合の全体構成を示す図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating an overall configuration when testing a semiconductor integrated circuit according to a fourth embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第5の実施の形態の半導体集積回路を
検査する場合の全体構成を示す図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating an overall configuration when testing a semiconductor integrated circuit according to a fifth embodiment of the present invention.

【図7】従来のテスト回路装置の構成図である。FIG. 7 is a configuration diagram of a conventional test circuit device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 検査装置 11 データ発生装置 12 比較器 20、30 被検査デバイス(半導体集積回
路) 21、31 第1の論理回路 22、32 高速送信回路 23、33 高速受信回路 24、34 スイッチ回路(スイッチ手段) 25、35、55 テスト制御回路 26、36 第2の論理回路 27 信号配線 28 レジスタ D 遅延回路 29 電位制御回路 37 差動信号配線 39 レジスタ(記憶回路) 57 差動ケーブル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Inspection apparatus 11 Data generation apparatus 12 Comparator 20 and 30 Device under test (semiconductor integrated circuit) 21, 31 1st logic circuit 22, 32 High-speed transmission circuit 23, 33 High-speed reception circuit 24, 34 Switch circuit (switch means) 25, 35, 55 Test control circuit 26, 36 Second logic circuit 27 Signal wiring 28 Register D delay circuit 29 Potential control circuit 37 Differential signal wiring 39 Register (storage circuit) 57 Differential cable

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 転送レートの高い高速信号を送信する送
信回路と、 受信回路とを備えると共に、 外部検査装置に接続される検査時に前記外部検査装置か
ら転送レートの低い低速信号が入力され、前記高速信号
を生成して前記送信回路に出力する第1の論理回路と、 前記送信回路と前記受信回路とを結ぶ信号配線と、 前記信号配線に配置され、前記検査時に閉じて、前記送
信回路から送信される高速信号を前記受信回路に送るス
イッチ手段と、 前記受信回路が受信した高速信号を入力し、この高速信
号を他の低速信号に変換する第2の論理回路とを備えた
ことを特徴とする半導体集積回路。
A transmitting circuit for transmitting a high-speed signal having a high transfer rate; and a receiving circuit, wherein a low-speed signal having a low transfer rate is input from the external inspection device at the time of inspection connected to the external inspection device, A first logic circuit that generates a high-speed signal and outputs the high-speed signal to the transmission circuit; a signal line that connects the transmission circuit and the reception circuit; Switch means for transmitting a high-speed signal to be transmitted to the receiving circuit; and a second logic circuit for receiving the high-speed signal received by the receiving circuit and converting the high-speed signal into another low-speed signal. Semiconductor integrated circuit.
【請求項2】 前記第1の論理回路は、生成する高速信
号の電位レベルを高く又は低く制御する電位制御回路を
備えることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回
路。
2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein said first logic circuit includes a potential control circuit for controlling a potential level of a generated high-speed signal to be higher or lower.
【請求項3】 転送レートの高い高速差動信号を送信す
る送信回路と、 受信回路とを備えると共に、 外部検査装置に接続される検査時に前記外部検査装置か
ら転送レートの低い低速信号が入力され、前記高速差動
信号を生成して前記送信回路に出力する第1の論理回路
と、 前記送信回路と前記受信回路とを結ぶ2本の配線より成
る差動信号配線と、 前記差動信号配線に配置され、前記検査時に閉じて、前
記送信回路から送信される高速差動信号を前記受信回路
に送るスイッチ手段と、 前記受信回路が受信した高速差動信号を入力し、この高
速差動信号を他の低速信号に変換する第2の論理回路
と、 前記第2の論理回路に入力される高速差動信号を構成す
る2つの信号の何れか一方を遅延させる遅延回路とを備
えたことを特徴とする半導体集積回路。
3. A transmission circuit for transmitting a high-speed differential signal having a high transfer rate, and a reception circuit, and a low-speed signal having a low transfer rate is input from the external inspection device at the time of inspection connected to the external inspection device. A first logic circuit that generates the high-speed differential signal and outputs the high-speed differential signal to the transmission circuit; a differential signal line including two lines connecting the transmission circuit and the reception circuit; A switch unit that is closed at the time of the inspection and sends a high-speed differential signal transmitted from the transmitting circuit to the receiving circuit; and a high-speed differential signal received by the receiving circuit is input. And a delay circuit that delays one of the two signals constituting the high-speed differential signal input to the second logic circuit. Characteristic semiconductor collection Product circuit.
【請求項4】 前記第1の論理回路は、生成する高速差
動信号の電位レベルを高く又は低く制御する電位制御回
路を備えることを特徴とする請求項3記載の半導体集積
回路。
4. The semiconductor integrated circuit according to claim 3, wherein said first logic circuit includes a potential control circuit for controlling a potential level of a generated high-speed differential signal to be higher or lower.
【請求項5】 外部の検査装置に接続される検査時に、
前記検査装置から転送レートの低い信号が入力され、デ
ータ信号及びストローブ信号より成る転送レートの高い
高速差動信号を生成して出力する第1の論理回路と、 前記第1の論理回路が生成した高速差動信号を送信する
送信回路と、 前記検査時に前記送信回路が送信した高速差動信号を、
そのデータ信号とストローブ信号とを入れ換えて受信す
る受信回路と、 前記受信回路が受信した高速差動信号を入力し、この高
速差動信号に含まれる前記ストローブ信号を転送レート
の低い低速信号に変換する第2の論理回路と、 前記第2の論理回路により変換される低速信号の期待値
が予め記憶された記憶回路とを備えたことを特徴とする
半導体集積回路。
5. An inspection connected to an external inspection device,
A first logic circuit to which a signal having a low transfer rate is input from the inspection device and which generates and outputs a high-speed differential signal having a high transfer rate composed of a data signal and a strobe signal; and A transmission circuit for transmitting a high-speed differential signal; and a high-speed differential signal transmitted by the transmission circuit during the inspection.
A receiving circuit that exchanges and receives the data signal and the strobe signal, and receives the high-speed differential signal received by the receiving circuit, and converts the strobe signal included in the high-speed differential signal into a low-speed signal having a low transfer rate. A semiconductor integrated circuit, comprising: a second logic circuit configured to store the expected value of the low-speed signal converted by the second logic circuit.
【請求項6】 転送レートの高い高速差動信号を送信す
る送信回路と、受信回路とを1ポートとして、前記送信
回路及び受信回路を2ポート備えると共に、 外部検査装置に接続される検査時に前記外部検査装置か
ら転送レートの低い低速信号が入力され、前記高速差動
信号を生成して前記一方の組の送信回路に出力する第1
の論理回路を備え、 前記一方のポートの送信回路と他方のポートの受信回路
とは、前記検査時に差動ケーブルにより接続され、 更に、前記検査時に前記送信回路から送信されて前記差
動ケーブルを経て前記受信回路で受信された高速差動信
号を転送レートの低い低速信号に変換する第2の論理回
路とを備えたことを特徴とする半導体集積回路。
6. A transmission circuit for transmitting a high-speed differential signal having a high transfer rate, and a reception circuit as one port, the transmission circuit and the reception circuit are provided in two ports, and the inspection circuit is connected to an external inspection device at the time of inspection. A first low-speed signal having a low transfer rate is input from an external inspection apparatus, and the first low-speed signal is generated to output the high-speed differential signal to the one set of transmission circuits.
The transmission circuit of the one port and the reception circuit of the other port are connected by a differential cable at the time of the inspection, and further transmitted from the transmission circuit at the time of the inspection to connect the differential cable. And a second logic circuit for converting the high-speed differential signal received by the receiving circuit into a low-speed signal having a low transfer rate.
【請求項7】 転送レートの高い高速信号を送信する送
信回路と、受信回路とを備えた半導体集積回路の検査方
法であって、 転送レートの低い低速信号を受けて、前記高速信号を生
成し、 前記生成された高速信号を前記送信回路から送信し、 前記送信された高速信号を前記受信回路で受信し、 前記受信された高速信号を低速信号に変換し、 前記変換された低速信号をこの低速信号の期待値と比較
することを特徴とする半導体集積回路の検査方法。
7. A method for inspecting a semiconductor integrated circuit, comprising: a transmitting circuit for transmitting a high-speed signal having a high transfer rate; and a receiving circuit, comprising: receiving a low-speed signal having a low transfer rate, and generating the high-speed signal. Transmitting the generated high-speed signal from the transmission circuit, receiving the transmitted high-speed signal at the reception circuit, converting the received high-speed signal into a low-speed signal, and converting the converted low-speed signal into a low-speed signal. A method for inspecting a semiconductor integrated circuit, wherein the method is compared with an expected value of a low-speed signal.
【請求項8】 データ信号及びストローブ信号より成る
転送レートの高い高速差動信号を送信する送信回路と、
受信回路とを備えた半導体集積回路の検査方法であっ
て、 前記送信回路から送信された高速差動信号を前記データ
信号とストローブ信号を入れ換えて受信し、 前記受信した高速差動信号のストローブ信号をこのスト
ローブ信号の期待値と比較することを特徴とする半導体
集積回路の検査方法。
8. A transmission circuit for transmitting a high-speed differential signal having a high transfer rate comprising a data signal and a strobe signal;
A method for testing a semiconductor integrated circuit comprising a receiving circuit, wherein the high-speed differential signal transmitted from the transmitting circuit is received by exchanging the data signal and the strobe signal, and a strobe signal of the received high-speed differential signal is provided. Is compared with an expected value of the strobe signal.
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