JP2000150581A - Semiconductor device and manufacture thereof and bonding device used therefor - Google Patents

Semiconductor device and manufacture thereof and bonding device used therefor

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JP2000150581A
JP2000150581A JP10318538A JP31853898A JP2000150581A JP 2000150581 A JP2000150581 A JP 2000150581A JP 10318538 A JP10318538 A JP 10318538A JP 31853898 A JP31853898 A JP 31853898A JP 2000150581 A JP2000150581 A JP 2000150581A
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JP
Japan
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bonding
bonding tool
inner lead
electrode pad
semiconductor chip
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JP10318538A
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Japanese (ja)
Inventor
Kunihiro Tsuchiya
邦浩 土屋
Masayuki Mochizuki
政幸 望月
Yoshifumi Katayama
善文 片山
Tatsuyuki Okubo
達行 大久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily detect the damage and abnormal abrasion of a bonding tool. SOLUTION: A bonding device 20, in which each of electrode pads 14 of a chip 12 bonded to a tape carrier 2 having a plural inner leads 7 on a main surface by an insulating film 10 is bonded to each of the inner leads 7 by a bonding tool 25, has a camera 31, a recognition section 32, a registration section 34 and a judgment section 33. The bonding tool 25 is landed to a dummy pad 15 formed on a chip 12 and the image 42 of the landing impression 40 is taken by a camera 31 and recognized by the recognition section 32. The judgment section 33 compares the actual image 42 of the landing impression 40 to a normal image of landing impression registered in the registration section 34 and judges whether it is abnormal or not. This enables the bonding tool to be checked for damage or abnormal abrasion without removing it from a bonding arm and hence can improve an availability factor and a production yield.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術、特に、半導体チップ(以下、チップという。)に
形成された電極パッドにキャリアに敷設されたインナリ
ードをボンディングするボンディング技術に関し、例え
ば、チップのサイズと同等または略同等のサイズのチッ
プ・サイズ・パッケージ(Chip Size Pac
kageまたはChip Scale Packag
e。以下、CSPという。)を備えている半導体集積回
路装置(以下、ICという。)の製造方法に利用して有
効なものに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technology for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a bonding technology for bonding an inner lead laid on a carrier to an electrode pad formed on a semiconductor chip (hereinafter referred to as a chip). , A chip size package (Chip Size Pac) having a size equal to or substantially equal to the size of the chip.
kage or Chip Scale Package
e. Hereinafter, it is called CSP. ) That are effective for use in a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device (hereinafter, referred to as an IC).

【0002】[0002]

【従来の技術】ICを使用する電子機器の小型薄形化に
伴って、ICのパッケージの縮小が要望されている。こ
の要望に応ずるために各種のCSPが開発されており、
その一例として、次のように構成されているマイクロ・
ボール・グリッド・アレイパッケージ(以下、μBGA
という。)がある。すなわち、チップの電極パッド側の
主面にはテープキャリアが絶縁膜によって機械的に接続
されているとともに、テープキャリアに敷設された各イ
ンナリードがチップの各電極パッドにボンディングされ
ており、各アウタリードに各外部端子としてのバンプが
それぞれ半田付けされて突設されている。
2. Description of the Related Art As electronic devices using ICs have become smaller and thinner, there has been a demand for smaller IC packages. Various CSPs have been developed to meet this demand,
As an example, a micro
Ball grid array package (hereinafter referred to as μBGA
That. ). That is, a tape carrier is mechanically connected to the main surface on the electrode pad side of the chip by an insulating film, and each inner lead laid on the tape carrier is bonded to each electrode pad of the chip. In addition, bumps as external terminals are protruded by soldering.

【0003】このμBGAにおけるインナリードのボン
ディング方法として、チップの全面にわたって配置され
た各電極パッドに多数本のインナリードが1本ずつボン
ディング工具によって次々に圧接されて行くシングルポ
イントボンディング法(以下、単にボンディング方法と
いう。)がある。
As a bonding method of inner leads in the μBGA, a single point bonding method (hereinafter simply referred to as simply referred to as a single point bonding method) in which a large number of inner leads are pressed one after another by a bonding tool on each electrode pad arranged over the entire surface of a chip. Bonding method).

【0004】なお、シングルポイントボンディング技術
を述べてある例としては、株式会社工業調査会1990
年1月16日発行「TAB技術入門」P193〜P19
6、がある。
[0004] As an example describing the single point bonding technique, see the Industrial Research Council 1990
January 19, 2013 "TAB technology introduction" P193-P19
There are six.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】前記したボンディング
方法においては、ボンディングツールの形状が電極パッ
ドとインナリードとのボンディング状態に影響を及ぼす
が、ボンディングツールの損傷が発生したり異常摩耗が
発生した場合に、当該損傷や異常摩耗を確認する手段が
ないため、ボンディング作業がそのまま継続されてしま
う。そして、ボンディング後の選別検査によってボンデ
ィング状態の不良が発見されると、ボンディングツール
がボンディング装置から取り外され、ボンディングツー
ルの損傷や異常摩耗の有無が検査される。そのため、ボ
ンディング装置の稼働時間が低下するばかりでなく、I
Cの製造歩留りも低下する。
In the above-mentioned bonding method, the shape of the bonding tool affects the bonding state between the electrode pad and the inner lead. However, when the bonding tool is damaged or abnormal wear occurs. In addition, since there is no means for confirming the damage or abnormal wear, the bonding operation is continued. Then, when a defect in the bonding state is found by the sorting inspection after bonding, the bonding tool is removed from the bonding apparatus, and the bonding tool is inspected for damage or abnormal wear. Therefore, not only the operation time of the bonding apparatus decreases, but also
The production yield of C also decreases.

【0006】本発明の目的は、ボンディングツールの損
傷や異常摩耗を容易に検出することができるボンディン
グ技術を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a bonding technique which can easily detect damage or abnormal wear of a bonding tool.

【0007】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
[0007] The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
The outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application is as follows.

【0009】すなわち、一主面に複数本のインナリード
が敷設されたキャリアに絶縁膜を介して機械的に接続さ
れている半導体チップの各電極パッドが、前記各インナ
リードにボンディングツールによってボンディングされ
るボンディング装置において、前記ボンディングツール
が前記半導体チップに形成されたダミーパッドに着地さ
れ、このダミーパッドのボンディングツールの着地圧痕
の形状により前記ボンディングツールの形状が検査され
ることを特徴とする。
That is, each electrode pad of a semiconductor chip, which is mechanically connected via an insulating film to a carrier having a plurality of inner leads laid on one principal surface, is bonded to each inner lead by a bonding tool. Wherein the bonding tool is landed on a dummy pad formed on the semiconductor chip, and the shape of the bonding tool is inspected by the shape of a landing impression of the bonding tool on the dummy pad.

【0010】また、前記ボンディングツールが前記キャ
リアに形成されたダミーインナリードに着地され、この
ダミーインナリードのボンディングツールの着地圧痕の
形状により前記ボンディングツールの形状が検査される
ことを特徴とする。
Further, the bonding tool is landed on a dummy inner lead formed on the carrier, and the shape of the bonding tool is inspected by the shape of a landing impression of the bonding tool of the dummy inner lead.

【0011】前記した手段によれば、ボンディングツー
ルの着地圧痕の形状によって、ボンディングツールの形
状を検査することができるため、ボンディングツールを
ボンディング装置から外さずにボンディングツールの損
傷や異常摩耗の有無を検査することができる。したがっ
て、ボンディングツールの損傷や異常摩耗による半導体
装置の不良数を低減することができ、製造歩留りを向上
することができる。また、ボンディングツールをボンデ
ィング装置から外さずに、ボンディングツールを検査す
ることができるため、ボンディング装置の稼働効率を高
めることができ、スループットを向上することができ
る。
According to the above-described means, since the shape of the bonding tool can be inspected based on the shape of the landing impression of the bonding tool, the presence or absence of damage or abnormal wear of the bonding tool can be checked without removing the bonding tool from the bonding apparatus. Can be inspected. Therefore, the number of defective semiconductor devices due to damage or abnormal wear of the bonding tool can be reduced, and the manufacturing yield can be improved. Further, since the bonding tool can be inspected without removing the bonding tool from the bonding apparatus, the operation efficiency of the bonding apparatus can be improved, and the throughput can be improved.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施形態である
ボンディング装置を示す模式図である。図2はワークを
示しており、(a)は一部省略平面図、(b)は一部省
略正面断面図である。図3はμBGA・ICを示してお
り、(a)は一部切断平面図、(b)は一部切断正面図
である。図4は本発明の一実施形態であるボンディング
方法を示す各拡大部分断面図である。図5はその作用を
説明するための各画面図である。
FIG. 1 is a schematic view showing a bonding apparatus according to an embodiment of the present invention. 2A and 2B show a workpiece, in which FIG. 2A is a partially omitted plan view, and FIG. 2B is a partially omitted front sectional view. 3A and 3B show a μBGA · IC. FIG. 3A is a partially cut plan view, and FIG. 3B is a partially cut front view. FIG. 4 is an enlarged partial sectional view showing a bonding method according to an embodiment of the present invention. FIG. 5 is a screen diagram for explaining the operation.

【0013】本実施形態において、本発明に係る半導体
装置の製造方法は、μBGAを備えているIC(以下、
μBGA・ICという。)の製造方法に使用されてい
る。μBGA・ICの製造方法におけるボンディング工
程は図1に示されているボンディング装置によって実施
される。μBGA・ICの製造方法のボンディング工程
におけるワーク1は、図2に示されているように構成さ
れている。
In the present embodiment, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention is directed to an IC having a μBGA (hereinafter referred to as an IC).
It is called μBGA · IC. )). The bonding step in the method of manufacturing the μBGA · IC is performed by the bonding apparatus shown in FIG. The work 1 in the bonding step of the method of manufacturing the μBGA · IC is configured as shown in FIG.

【0014】すなわち、ワーク1はテープキャリア2に
チップ12が絶縁層を介して機械的に接続されて構成さ
れている。キャリアとしてのテープキャリア2はTCP
・IC(テープ・キャリア・パッケージを備えているI
C)の製造方法に使用されているTAB(テープ・オー
トメイテッド・ボンディング)テープに相当するもので
ある。テープキャリア2は同一パターンが長手方向に繰
り返されているため、その構成の説明および図示は一単
位だけについて行われている。
That is, the work 1 is configured such that the chip 12 is mechanically connected to the tape carrier 2 via the insulating layer. The tape carrier 2 as a carrier is TCP
IC (I with tape carrier package)
This corresponds to a TAB (tape automated bonding) tape used in the manufacturing method C). Since the same pattern is repeated in the tape carrier 2 in the longitudinal direction, the description and illustration of the configuration are made for only one unit.

【0015】テープキャリア2はポリイミド等の絶縁性
樹脂が用いられて同一パターンが長手方向に連続するテ
ープ形状に一体成形されているキャリア本体3を備えて
おり、キャリア本体3には正方形のバンプ形成部4が長
手方向に一列横隊に整列されている。バンプ形成部4に
はバンプホール5が多数個、正方形の環状線上において
整列されて開設されており、各バンプホール5にはバン
プがアウタリードに電気的に接続するように構成される
ようになっている。バンプ形成部4の四辺には台形の長
孔形状に形成された窓孔6が4本、正方形の枠形状に配
置されて開口されている。
The tape carrier 2 has a carrier body 3 integrally formed in a tape shape in which the same pattern is continuous in the longitudinal direction using an insulating resin such as polyimide. The parts 4 are longitudinally aligned in a row. A large number of bump holes 5 are formed in the bump forming section 4 and arranged on a square annular line. Each of the bump holes 5 is configured such that the bump is electrically connected to the outer lead. I have. On four sides of the bump forming portion 4, four window holes 6 formed in a trapezoidal long hole shape are arranged and opened in a square frame shape.

【0016】キャリア本体3の片側主面(以下、下面と
する。)にはインナリード7が複数本、各窓孔6を短手
方向に跨ぐようにしてそれぞれ配線されている。各イン
ナリード7のバンプ形成部4側に位置する一端(以下、
内側端とする。)には、各アウタリード8がそれぞれ一
連に連設されており、互いに一連になったインナリード
7とアウタリード8とは機械的かつ電気的に一体の状態
になっている。インナリード7群およびアウタリード8
群は、銅や金等の導電性を有する材料が使用されて形成
されている。インナリード7群およびアウタリード8群
の形成方法としては、キャリア本体3に溶着や接着等の
適当な手段によって固着させた銅箔や金箔をリソグラフ
ィー処理およびエッチング処理によってパターニングす
る方法や、キャリア本体3にリソグラフィー処理によっ
て選択的に金めっき処理する方法等がある。各アウタリ
ード8のバンプホール5に対向する部位は、バンプ形成
部4から露出した状態になっている。
A plurality of inner leads 7 are wired on one main surface (hereinafter, referred to as a lower surface) of the carrier body 3 so as to straddle the window holes 6 in the lateral direction. One end of each inner lead 7 located on the bump forming portion 4 side (hereinafter, referred to as “the
The inside edge. ), Each of the outer leads 8 is connected in series, and the inner leads 7 and the outer leads 8 which are connected to each other are mechanically and electrically integrated with each other. Inner lead 7 group and outer lead 8
The group is formed using a conductive material such as copper or gold. The inner lead 7 group and the outer lead 8 group can be formed by, for example, patterning a copper foil or a gold foil fixed to the carrier body 3 by appropriate means such as welding or bonding by lithography and etching. There is a method of selectively performing a gold plating process by a lithography process. The portion of each outer lead 8 facing the bump hole 5 is exposed from the bump forming section 4.

【0017】インナリード7群は各窓孔6の長手方向に
間隔を置かれて互いに平行に配線されている。各インナ
リード7の窓孔6に架橋した部分における両端辺には三
角形状のノッチ9が一対、尖端側を内向きに切り込まれ
るようにそれぞれ形成されている。つまり、インナリー
ド7は両ノッチ9、9を結ぶ線において容易に切断され
得るようになっている。各インナリード7において、一
対のノッチ9、9は中央から窓孔6におけるバンプ形成
部4と反対側(以下、外側とする。)に片寄った位置に
配されている。すなわち、インナリード7における両ノ
ッチ9、9が窓孔6の外側に寄った側の部分(以下、短
い部分という。)7aの長さは、インナリード7におけ
る両ノッチ9、9が窓孔6の内側辺から遠のいた側の部
分(以下、長い部分という。)7bの長さよりも短くな
っている。
The inner leads 7 are arranged in parallel with each other at intervals in the longitudinal direction of each window hole 6. A pair of triangular notches 9 are formed at both ends of a portion of each inner lead 7 bridged to the window hole 6 so as to cut inward at the pointed end. That is, the inner lead 7 can be easily cut at the line connecting the notches 9. In each inner lead 7, the pair of notches 9, 9 are arranged at positions offset from the center on the opposite side of the window hole 6 from the bump forming portion 4 (hereinafter referred to as the outside). That is, the length of the portion (hereinafter referred to as a short portion) 7a of the inner lead 7 on which the notches 9 and 9 are shifted toward the outside of the window hole 6 is such that the notches 9 and 9 of the inner lead 7 The length of the portion farther from the inner side (hereinafter, referred to as a long portion) 7b is shorter than the length of the portion 7b.

【0018】キャリア本体3の下面にはエラストマやシ
リコンゴム製の絶縁膜10が接着等の適当な手段によっ
て被着されており、インナリード7群およびアウタリー
ド8群は絶縁膜10によって被覆されている。絶縁膜1
0におけるキャリア本体3の各窓孔6に対向する部位に
は、長方形孔形状の窓孔11がインナリード7群を外部
に露出させるように、キャリア本体3の窓孔6よりも若
干大きめに開口されている。したがって、テープキャリ
ア2はキャリア本体3、インナリード7群、アウタリー
ド8群および絶縁膜10によって構成されている。
An insulating film 10 made of an elastomer or silicone rubber is applied to the lower surface of the carrier body 3 by an appropriate means such as adhesion, and the inner lead 7 group and the outer lead 8 group are covered with the insulating film 10. . Insulating film 1
At a position facing each window 6 of the carrier body 3 at 0, a window hole 11 having a rectangular hole shape is slightly larger than the window 6 of the carrier body 3 so that the inner leads 7 are exposed to the outside. Have been. Therefore, the tape carrier 2 includes the carrier body 3, the inner lead 7 group, the outer lead 8 group, and the insulating film 10.

【0019】図2に示されているように、チップ12は
テープキャリア2の一単位と略等しい大きさの正方形の
平板形状に形成されており、その一主面側(以下、アク
ティブ・エリア側という。)には、半導体素子を含む所
望の半導体集積回路が作り込まれている。すなわち、チ
ップ12は所謂IC製造の前工程において半導体ウエハ
の状態でアクティブ・エリア側に半導体集積回路を作り
込まれ、ダイシング工程において正方形の平板形状に分
断されて製造される。チップ12のアクティブ・エリア
側の表面は、パッシベーション膜13によって被覆され
ており、パッシベーション膜13に形成された開口部に
は電極パッド14が外部に露出する状態に形成されてい
る。電極パッド14は複数形成されており、テープキャ
リア2における各インナリード7に対応されている。チ
ップ12のアクティブ・エリア側の表面における電極パ
ッド14の無い位置には、ボンディングツールが着地可
能なダミーパッド15が形成されている。
As shown in FIG. 2, the chip 12 is formed in the shape of a square plate having a size substantially equal to one unit of the tape carrier 2, and its one main surface side (hereinafter referred to as an active area side). ), A desired semiconductor integrated circuit including a semiconductor element is manufactured. That is, the chip 12 is manufactured by forming a semiconductor integrated circuit on the active area side in a state of a semiconductor wafer in a so-called IC manufacturing pre-process, and dividing the chip into a square plate shape in a dicing process. The surface on the active area side of the chip 12 is covered with a passivation film 13, and an electrode pad 14 is formed in an opening formed in the passivation film 13 so as to be exposed to the outside. A plurality of electrode pads 14 are formed and correspond to the respective inner leads 7 of the tape carrier 2. A dummy pad 15 on which a bonding tool can land is formed at a position on the active area side surface of the chip 12 where no electrode pad 14 is provided.

【0020】このように構成されたチップ12は前記構
成に係るテープキャリア2に、図2に示されているよう
に機械的に接続されている。すなわち、チップ12はテ
ープキャリア2に各電極パッド14が各インナリード7
にそれぞれ整合するように配されて、パッシベーション
膜13と絶縁膜10との間で接着されて機械的に接続さ
れる。この状態において、各インナリード7は各電極パ
ッド14に絶縁膜10および接着層の厚さ分だけ上方に
離れた位置でそれぞれ対向した状態になっている。各イ
ンナリード7において、一対のノッチ9、9は電極パッ
ド14の真上よりも左方に片寄った位置に配された状態
になっており、インナリード7の長い部分7bの略中央
部が電極パッド14の真上に位置した状態になってい
る。
The chip 12 configured as described above is mechanically connected to the tape carrier 2 according to the above configuration, as shown in FIG. In other words, the chip 12 is such that each electrode pad 14 is
And are mechanically connected between the passivation film 13 and the insulating film 10 by bonding. In this state, each inner lead 7 is in a state of facing each electrode pad 14 at a position separated upward by the thickness of the insulating film 10 and the adhesive layer. In each of the inner leads 7, the pair of notches 9, 9 are arranged at a position deviated to the left from directly above the electrode pad 14, and a substantially central portion of a long portion 7b of the inner lead 7 is It is located just above the pad 14.

【0021】図1に示されているボンディング装置20
はステージ21を備えており、ステージ21は前記構成
に係るワーク1を水平に保持するように構成されてい
る。ステージ21の片脇にはXYテーブル22が設備さ
れており、XYテーブル22はその上に搭載されたボン
ディングヘッド23をXY方向に移動させるように構成
されている。ボンディングヘッド23には先端にボンデ
ィングツール25を取り付けられたボンディングアーム
24の一端部が支持されており、ボンディングヘッド2
3はボンディングアーム24を操作することによりボン
ディングツール25を上下動させるように構成されてい
る。
The bonding apparatus 20 shown in FIG.
Has a stage 21, and the stage 21 is configured to horizontally hold the work 1 according to the above configuration. An XY table 22 is provided on one side of the stage 21, and the XY table 22 is configured to move a bonding head 23 mounted thereon in the XY directions. The bonding head 23 supports one end of a bonding arm 24 having a bonding tool 25 attached to the tip.
Reference numeral 3 is configured to move the bonding tool 25 up and down by operating the bonding arm 24.

【0022】ボンディングアーム24には位置検出セン
サ26が設備されており、位置検出センサ26は後記す
るメインコントローラに接続されている。XYテーブル
22およびボンディングヘッド23には、これらの作動
を制御するコントローラ(以下、作動コントローラとい
う。)27が接続されており、作動コントローラ27に
は作動を指令するコントローラ(以下、メインコントロ
ーラという。)28が接続されている。メインコントロ
ーラ28にはディスプレー29が接続されている。ま
た、ボンディングアーム24には超音波発振器30が接
続されており、超音波発振器30はボンディングアーム
24を介してボンディングツール27を振動させるよう
になっている。
The bonding arm 24 is provided with a position detecting sensor 26, and the position detecting sensor 26 is connected to a main controller described later. The XY table 22 and the bonding head 23 are connected to a controller (hereinafter, referred to as an operation controller) 27 for controlling the operation thereof, and a controller (hereinafter, referred to as a main controller) for instructing the operation to the operation controller 27. 28 are connected. A display 29 is connected to the main controller 28. Further, an ultrasonic oscillator 30 is connected to the bonding arm 24, and the ultrasonic oscillator 30 vibrates the bonding tool 27 via the bonding arm 24.

【0023】XYテーブル22には画像取り込み装置と
しての工業用テレビカメラ(以下、カメラという。)3
1がスタンド35によって設備されており、カメラ31
はステージ21上のワーク1を撮映するようになってい
る。カメラ31にはダミーパッド15に形成されたボン
ディングツール25の圧痕を認識する認識部32が接続
されており、認識部32には判定部33が接続されてい
る。判定部33には正常なボンディングツール25の画
像を登録する登録部34が接続されており、判定部33
は登録部34からのデータと認識部32からのデータを
照合して同否を判定するように構成されている。判定部
33はメインコントローラ28に接続されており、判定
結果をメインコントローラ28に送信するようになって
いる。カメラ31には照明装置36が付帯されており、
照明装置36は光量調整装置37によって光量が調整さ
れるようになっている。
The XY table 22 has an industrial television camera (hereinafter referred to as a camera) 3 as an image capturing device.
1 is equipped with a stand 35 and a camera 31
Is adapted to shoot the work 1 on the stage 21. The camera 31 is connected to a recognition unit 32 for recognizing the impression of the bonding tool 25 formed on the dummy pad 15, and a recognition unit 32 is connected to the recognition unit 32. A registration unit 34 for registering a normal image of the bonding tool 25 is connected to the determination unit 33.
Is configured to collate the data from the registration unit 34 with the data from the recognition unit 32 to determine whether they are the same. The determination unit 33 is connected to the main controller 28, and transmits a determination result to the main controller 28. The camera 31 is provided with a lighting device 36,
The illumination device 36 is configured such that the light amount is adjusted by a light amount adjustment device 37.

【0024】次に、前記構成に係るボンディング装置に
よる本発明の一実施形態であるボンディング方法を、図
4によって説明する。
Next, a bonding method according to an embodiment of the present invention using the bonding apparatus having the above configuration will be described with reference to FIG.

【0025】図4(a)に示されているように、ボンデ
ィングツール25がインナリード7の長い部分7bのノ
ッチ9の近くの部位を押し下げると、インナリード7は
両ノッチ9、9を結ぶ線から切断される。
As shown in FIG. 4A, when the bonding tool 25 pushes down a portion of the long portion 7b of the inner lead 7 near the notch 9, the inner lead 7 is connected to a line connecting the notches 9, 9. Disconnected from

【0026】図4(b)に示されているように、ボンデ
ィングツール25がさらに下降されることにより、イン
ナリード7の長い部分7bの切断部片が押し下げられて
チップ12の上面に着地される。
As shown in FIG. 4B, when the bonding tool 25 is further lowered, the cut piece of the long portion 7b of the inner lead 7 is pushed down and lands on the upper surface of the chip 12. .

【0027】ボンディングツール25がチップ12の上
面にインナリード7を介して着地したか否かは、ボンデ
ィングアーム24に設備された位置検出センサ26から
の位置データを分析することによってメインコントロー
ラ28において判定される。ボンディングツール25が
チップ12の上面に着地していないと判定した場合に
は、メインコントローラ28はブザー等の警報装置を警
報作動させるとともに、ディスプレー29に警報内容を
表示させる。次いで、作業者によるキーボードの手動操
作またはメインコントローラ28による自動指令制御に
よって、ボンディングツール25は徐々に下降されてチ
ップ12の上面にインナリード7を介して着地される。
The main controller 28 determines whether or not the bonding tool 25 has landed on the upper surface of the chip 12 via the inner lead 7 by analyzing position data from a position detection sensor 26 provided on the bonding arm 24. Is done. If it is determined that the bonding tool 25 has not landed on the upper surface of the chip 12, the main controller 28 activates a warning device such as a buzzer and displays the contents of the warning on the display 29. Next, the bonding tool 25 is gradually lowered by the manual operation of the keyboard by the operator or the automatic command control by the main controller 28, and is landed on the upper surface of the chip 12 via the inner lead 7.

【0028】そして、ボンディングツール25がチップ
12の上面にインナリード7を介して着地したと判定す
ると、メインコントローラ28は着地時における位置検
出センサ26からの位置データを読み込んで、チップ1
2の上面における着地点の高さを測定する。
When it is determined that the bonding tool 25 has landed on the upper surface of the chip 12 via the inner lead 7, the main controller 28 reads the position data from the position detection sensor 26 at the time of landing and reads the chip 1
The height of the landing point on the upper surface of 2 is measured.

【0029】ボンディングツール25の高さを測定した
メインコントローラ28は、ボンディングツール25を
予め設定された所定の高さHだけ図4(c)に示されて
いるように上昇させる。所定の高さHは実験やコンピュ
ータによるシュミレーションおよび過去の実績データ等
の経験的手法によって、異なるボンディング条件毎に対
応した最適値が求められ、予め、キーボードによってメ
インコントローラ28に記憶されている。メインコント
ローラ28は所定の高さHを作動コントローラ27に指
令する。作動コントローラ27はボンディングヘッド2
3を制御してボンディングアーム24を揺動させること
により、ボンディングツール25を所定高さHだけ上昇
させる。
The main controller 28 having measured the height of the bonding tool 25 raises the bonding tool 25 by a predetermined height H as shown in FIG. 4C. For the predetermined height H, an optimum value corresponding to each different bonding condition is obtained by an experiment, simulation by a computer, and empirical methods such as past performance data, and is stored in the main controller 28 in advance by a keyboard. The main controller 28 commands the predetermined height H to the operation controller 27. The operation controller 27 is a bonding head 2
The bonding tool 25 is raised by a predetermined height H by swinging the bonding arm 24 by controlling 3.

【0030】ボンディングツール25が所定の高さHだ
け上昇すると、図4(c)に示されているように、イン
ナリード7の長い部分7bの切断部片は、インナリード
7のスプリングバックによってチップ12の上面から離
れるように若干上昇する。インナリード7の長い部分7
bの切断部片がチップ12から上昇した状態において、
所定の高さHだけ上昇したボンディングツール25は、
インナリード7の長い部分7bの切断部片の上面から離
れた状態になっている。
When the bonding tool 25 is raised by a predetermined height H, as shown in FIG. 4C, the cut piece of the long portion 7b of the inner lead 7 is chipped by the springback of the inner lead 7. 12 slightly above the upper surface. The long part 7 of the inner lead 7
In the state where the cut piece of b has risen from the chip 12,
The bonding tool 25 raised by a predetermined height H is
The long part 7b of the inner lead 7 is separated from the upper surface of the cut piece.

【0031】続いて、図4(d)に示されているよう
に、ボンディングツール25はそのままの高さを維持し
た状態で、バンプ形成部4の方向に電極パッド14の真
上まで平行移動される。この平行移動に伴って、インナ
リード7の長い部分7bの切断部片はボンディングツー
ル25によってバンプ形成部4の方向へずらされるとと
もに、斜め下方に押し下げられるため、その切断部片は
所定のループ形状を形成された状態になるとともに、そ
の先端部下面は電極パッド14の上面に当接された状態
になる。
Subsequently, as shown in FIG. 4D, the bonding tool 25 is translated in the direction of the bump forming portion 4 to a position directly above the electrode pad 14 while maintaining the same height. You. Along with this parallel movement, the cut piece of the long portion 7b of the inner lead 7 is displaced in the direction of the bump forming section 4 by the bonding tool 25 and is pushed down obliquely, so that the cut piece has a predetermined loop shape. Is formed, and the lower surface of the tip portion is brought into contact with the upper surface of the electrode pad 14.

【0032】次いで、図4(e)に示されているよう
に、ボンディングツール25は下降されてインナリード
7の長い部分7bの切断部片を押し下げる。この押し下
げにより、インナリード7の長い部分7bの切断部片の
切り口側端部は、所定のループ形状を形成したまま電極
パッド14に押接される。ボンディングツール25はイ
ンナリード7の長い部分7bの切断部片の切り口側端部
を電極パッド14に押接させるとともに、熱および超音
波エネルギを作用させることにより熱圧着(圧接)させ
る。すなわち、インナリード7は電極パッド14にボン
ディングツール25によってボンディングされたことに
なる。
Next, as shown in FIG. 4E, the bonding tool 25 is lowered to push down the cut piece of the long portion 7b of the inner lead 7. Due to this depression, the cut-side end of the cut portion of the long portion 7b of the inner lead 7 is pressed against the electrode pad 14 while forming a predetermined loop shape. The bonding tool 25 presses the cut-side end of the cut portion of the long portion 7b of the inner lead 7 against the electrode pad 14, and performs thermocompression (pressure contact) by applying heat and ultrasonic energy. That is, the inner lead 7 is bonded to the electrode pad 14 by the bonding tool 25.

【0033】その後、前記したボンディング方法が各イ
ンナリード7毎に繰り返されることにより、チップ12
がテープキャリア2に電気的に接続される。
Thereafter, the bonding method described above is repeated for each inner lead 7, so that the chip 12
Are electrically connected to the tape carrier 2.

【0034】全てのインナリード7について前記したボ
ンディング作業が終了すると、図3に示されているよう
に、テープキャリア2の各窓孔6の内部にエラストマや
シリコンゴム等の絶縁性材料がポッティングされること
によって、インナリード7群が樹脂封止部17によって
樹脂封止される。
When the above-described bonding operation has been completed for all the inner leads 7, as shown in FIG. 3, an insulating material such as an elastomer or silicon rubber is potted inside each window 6 of the tape carrier 2. Thus, the inner lead 7 group is resin-sealed by the resin sealing portion 17.

【0035】次いで、テープキャリア2の各アウタリー
ド8における各バンプホール5の底で露出した部位に半
田ボールが半田付けされることにより、図3に示されて
いるように、バンプ形成部4の上面から突出したバンプ
18がテープキャリア2に形成される。以上のようにし
て図3に示されているμBGA・IC19が製造された
ことになる。
Next, solder balls are soldered to the exposed portions of the outer leads 8 of the tape carrier 2 at the bottoms of the bump holes 5, as shown in FIG. A bump 18 protruding from the tape carrier 2 is formed. As described above, the μBGA IC 19 shown in FIG. 3 is manufactured.

【0036】ところで、前記したボンディング方法にお
いては、ボンディングツール25の形状が電極パッド1
4とインナリード7とのボンディング状態に影響を及ぼ
す。従来のボンディング装置においては、ボンディング
ツール25が損傷したり異常摩耗した場合に、当該損傷
や異常摩耗を確認する手段がないため、前記したボンデ
ィング作業がそのまま継続されてしまう。そして、ボン
ディング後の選別検査によってボンディング状態の不良
が発見されると、ボンディングツール25がボンディン
グアーム24から取り外され、ボンディングツール25
の損傷や異常摩耗の有無が検査される。そのため、ボン
ディング装置の稼働時間が低下するばかりでなく、IC
の製造歩留りも低下する。
In the bonding method described above, the shape of the bonding tool 25 is different from that of the electrode pad 1.
4 and the inner lead 7. In the conventional bonding apparatus, when the bonding tool 25 is damaged or abnormally worn, there is no means for confirming the damage or abnormal wear, so that the bonding operation described above is continued as it is. Then, when a defect in the bonding state is found by the sorting inspection after bonding, the bonding tool 25 is detached from the bonding arm 24 and the bonding tool 25 is removed.
Inspection for damage and abnormal wear. Therefore, not only the operation time of the bonding apparatus is reduced, but also the IC
Production yield also decreases.

【0037】そこで、本実施形態においては、前記した
ボンディング作業が実施される以前にボンディングツー
ル25の損傷や異常摩耗の有無が検査される。次に、こ
の検査方法を説明する。
Therefore, in this embodiment, before the above-described bonding operation is performed, the bonding tool 25 is inspected for damage or abnormal wear. Next, this inspection method will be described.

【0038】ワーク1がステージ21に位置決めされる
と、ボンディングツール25の先端がワーク1のチップ
12に形成されたダミーパッド15に対向され、ボンデ
ィングヘッド23によって前記した通常のボンディング
と同等の条件によってボンディングツール25が押し付
けられる。このボンディングツール25の押し付け作動
によって、ダミーパッド15にはボンディングツール2
5の先端形状の圧痕40が、図3に示されているように
刻印された状態になる。
When the work 1 is positioned on the stage 21, the tip of the bonding tool 25 is opposed to the dummy pad 15 formed on the chip 12 of the work 1, and is bonded by the bonding head 23 under the same conditions as in the normal bonding described above. The bonding tool 25 is pressed. By the pressing operation of the bonding tool 25, the bonding tool 2 is attached to the dummy pad 15.
The indentation 40 having the tip shape of No. 5 is engraved as shown in FIG.

【0039】ダミーパッド15に圧痕40が刻印される
と、ボンディングツール25はダミーパッド15の位置
から移動される。続いて、ダミーパッド15に形成され
たボンディングツール25の圧痕40はカメラ31によ
って撮映され、認識部32によって認識される。認識部
32によって認識されたボンディングツール25の圧痕
40の画像は判定部33に送信される。
When the impression 40 is imprinted on the dummy pad 15, the bonding tool 25 is moved from the position of the dummy pad 15. Subsequently, the impression 40 of the bonding tool 25 formed on the dummy pad 15 is photographed by the camera 31 and recognized by the recognition unit 32. The image of the impression 40 of the bonding tool 25 recognized by the recognition unit 32 is transmitted to the determination unit 33.

【0040】判定部33は登録部34に予め登録された
正常なボンディングツール25の圧痕画像と、認識部3
2から送信されて来た実際の画像とを照合し、相違点が
許容範囲を越えている場合には損傷や異常摩耗が有る異
常と判定する。例えば、正常なボンディングツール25
の圧痕画像が図5(a)に示されている画像41であ
り、認識部32から送信されて来た実際のボンディング
ツール25の画像が図5(b)に示されている画像42
である場合には、ボンディングツール25に欠けが発生
しているため、異常と判定される。
The judging section 33 compares the indentation image of the normal bonding tool 25 registered in the registration section 34 in advance with the recognition section 3.
The actual image transmitted from the second image is compared with the actual image, and if the difference is outside the allowable range, it is determined that there is an abnormality with damage or abnormal wear. For example, a normal bonding tool 25
5A is an image 41 shown in FIG. 5A, and an image of the actual bonding tool 25 transmitted from the recognition unit 32 is an image 42 shown in FIG.
In the case of, the chipping of the bonding tool 25 has occurred, so that it is determined to be abnormal.

【0041】異常と判定した場合には、判定部33はメ
インコントローラ28にボンディングツール25に異常
が発生している旨を送信する。メインコントローラ28
はボンディング作業の継続を中止し、作業者にボンディ
ングツール25に異常が発生している旨をブザーやディ
スプレイ29によって警報する。
When it is determined that the bonding tool 25 is abnormal, the determination unit 33 transmits to the main controller 28 that the bonding tool 25 has an abnormality. Main controller 28
Stops the continuation of the bonding operation, and alerts the operator to the buzzer or the display 29 that an abnormality has occurred in the bonding tool 25.

【0042】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。
According to the above embodiment, the following effects can be obtained.

【0043】1) インナリードを電極パッドにボンディ
ングツールによってボンディングするに際して、インナ
リードがチップの電極パッドにボンディングツールによ
ってボンディングされる以前に、ボンディングツールに
よってダミーパッドに圧痕を刻印しこの刻印によってボ
ンディングツールの形状を検査することにより、ボンデ
ィングツールの損傷や異常摩耗の有無を確認することが
できるため、ボンディングツールの損傷や異常摩耗等の
形状異常によるボンディング不良の発生を未然に防止す
ることができる。
1) When bonding the inner lead to the electrode pad by the bonding tool, before the inner lead is bonded to the electrode pad of the chip by the bonding tool, an indent is imprinted on the dummy pad by the bonding tool, and the bonding tool is formed by the engraving. By inspecting the shape of the bonding tool, it is possible to confirm the presence or absence of damage or abnormal wear of the bonding tool. Therefore, it is possible to prevent occurrence of bonding failure due to shape abnormality such as damage or abnormal wear of the bonding tool.

【0044】2) ボンディングツールの損傷や異常摩耗
等の形状異常によるボンディング不良の発生を未然に防
止することにより、ボンディング方法およびμBGA・
ICの製造方法の製造歩留りを高めることができる。
2) By preventing the occurrence of bonding failure due to abnormal shape such as damage or abnormal wear of the bonding tool, the bonding method and μBGA /
The manufacturing yield of the IC manufacturing method can be improved.

【0045】3) ボンディングツールをボンディングア
ームから外さずにボンディングツールに損傷や異常摩耗
が発生しているか否かを検査することができるため、ボ
ンディング装置の稼働効率を高めることができ、生産性
を高めることができる。
3) Since the bonding tool can be inspected for damage or abnormal wear without removing the bonding tool from the bonding arm, the operation efficiency of the bonding apparatus can be improved, and the productivity can be improved. Can be enhanced.

【0046】4) 予め登録した正常のボンディングツー
ルの圧痕画像と、実際のボンディングツールの圧痕画像
とをパターンマッチング方法によって比較し、ボンディ
ングツールの欠けや異常摩耗の有無を自動的に判断する
ことにより、人間の目視による判定ではなく定量的な判
定が可能になるため、省力化することができ、かつ、人
為的ミスや判定の誤差の発生を防止することができる。
4) The indentation image of the normal bonding tool registered in advance and the indentation image of the actual bonding tool are compared by a pattern matching method, and the presence or absence of chipping or abnormal wear of the bonding tool is automatically determined. In addition, since a quantitative determination can be made instead of a visual determination by a human, labor can be saved, and a human error and a determination error can be prevented.

【0047】図6は本発明の他の実施形態であるμBG
A・ICを示しており、(a)は一部切断平面図、
(b)は一部切断正面図である。
FIG. 6 shows a μBG according to another embodiment of the present invention.
A and IC are shown, (a) is a partially cut plan view,
(B) is a partially cut front view.

【0048】本実施形態が前記実施形態と異なる点は、
ボンディングツール25が押し付けられるダミーインナ
リード16が設けられており、ダミーインナリード16
にボンディングツール25の圧痕40が刻印されている
点である。
This embodiment is different from the above embodiment in that
A dummy inner lead 16 against which the bonding tool 25 is pressed is provided.
Is that an indentation 40 of the bonding tool 25 is imprinted.

【0049】本実施形態においても、ダミーインナリー
ド16に刻印された圧痕40によってボンディングツー
ル25の形状を検査することができるため、前記実施形
態と同様の作用効果が奏される。
Also in this embodiment, since the shape of the bonding tool 25 can be inspected by the impression 40 imprinted on the dummy inner lead 16, the same operation and effect as those of the above embodiment can be obtained.

【0050】図7は本発明の他の実施形態であるボンデ
ィング方法を説明するための各模式図である。
FIG. 7 is a schematic view for explaining a bonding method according to another embodiment of the present invention.

【0051】本実施形態に係るボンディング方法におい
ては、ボンディングツールの高さ位置によってボンディ
ングツールの損傷や異常摩耗が検査される。すなわち、
図1について説明したように、メインコントローラ28
には位置検出センサ26からボンディングツール25の
高さ位置が送信されて来る。メインコントローラ28は
位置検出センサ26から送信されて来た実際のボンディ
ングツール25の高さと、予め登録された正常なボンデ
ィングツール25の高さとを照合し、その差が許容範囲
を越えている場合には損傷や異常摩耗が有る異常と判定
する。例えば、正常なボンディングツール25の高さが
図7(a)に示されている高さ51であり、位置検出セ
ンサ26から送信されて来た実際のボンディングツール
25の高さが図7(b)に示されている高さ52である
場合には、ボンディングツール25に欠けが発生してい
るため、異常と判定される。
In the bonding method according to the present embodiment, damage or abnormal wear of the bonding tool is inspected according to the height position of the bonding tool. That is,
As described with reference to FIG.
, The height position of the bonding tool 25 is transmitted from the position detection sensor 26. The main controller 28 collates the actual height of the bonding tool 25 transmitted from the position detection sensor 26 with the height of the normal bonding tool 25 registered in advance, and if the difference exceeds the allowable range. Is judged to be abnormal with damage or abnormal wear. For example, the height of the normal bonding tool 25 is the height 51 shown in FIG. 7A, and the actual height of the bonding tool 25 transmitted from the position detection sensor 26 is shown in FIG. If the height 52 is shown in ()), it is determined that the bonding tool 25 is abnormal because the bonding tool 25 is chipped.

【0052】本実施形態によれば、ダミーパッドやダミ
ーインナリードを設けずに、ボンディングツールの損傷
や異常摩耗を自動的に検査することができる。
According to this embodiment, it is possible to automatically inspect the bonding tool for damage or abnormal wear without providing dummy pads or dummy inner leads.

【0053】以上本発明者によってなされた発明を実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
The invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiments. However, the invention is not limited to the above-described embodiments, and can be variously modified without departing from the gist of the invention. Needless to say, there is.

【0054】例えば、ボンディングツールの検査作業
は、ボンディング作業の開始以前に実施するに限らず、
ボンディング作業の終了以後等に実施してもよい。ま
た、ボンディングツールの検査作業は、一個の製品毎に
実施するに限らず、複数個置きに間欠的に実施してもよ
いし、ボンディング状態に変化が発生した時等に不定期
的に実施してもよい。
For example, the inspection work of the bonding tool is not limited to be performed before the start of the bonding work.
It may be carried out after the end of the bonding operation or the like. In addition, the inspection work of the bonding tool is not limited to being performed for each product, but may be performed intermittently every other product, or may be performed irregularly when a change occurs in the bonding state. You may.

【0055】ダミーパッドはボンディングツールの圧痕
を付け易くするために、アルミニウムによって形成して
もよい。また、ダミーインナリードはボンディングツー
ルの圧痕を付け易くするために、金メッキ被膜や銀メッ
キ被膜を被着してもよい。
The dummy pad may be formed of aluminum in order to easily make an impression of the bonding tool. Further, the dummy inner lead may be coated with a gold plating film or a silver plating film in order to easily make an impression of the bonding tool.

【0056】ダミーパッドまたはダミーインナリードに
刻印したボンディングツールの圧痕の認識およびそれに
基づく判定は、自動的に実行するに限らず、人間がディ
スプレイ等を見て実行してもよい。
The recognition of the indentation of the bonding tool imprinted on the dummy pad or the dummy inner lead and the determination based on the indentation are not limited to being automatically performed, and may be performed by a human looking at a display or the like.

【0057】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるμBG
A・ICの製造方法に適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではなく、その他のCSP・
ICの製造方法やTCP・IC等に使用されるボンディ
ング技術全般に適用することができる。
In the above description, the invention made mainly by the present inventor has been applied to the μBG
A case where the present invention is applied to a method for manufacturing an A / IC has been described, but the present invention is not limited to this.
The present invention can be applied to an IC manufacturing method and a general bonding technique used for TCP / IC.

【0058】[0058]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
The effects obtained by typical aspects of the invention disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0059】ボンディングツールをダミーパッドまたは
ダミーインナリードに着地させて形成したボンディング
ツールの圧痕の形状によってボンディングツールの形状
を検査することにより、ボンディングツールの損傷や異
常摩耗の有無を検査することができるため、ボンディン
グツールの損傷や異常摩耗による半導体装置の不良数を
低減することができ、製造歩留りを向上することができ
る。また、ボンディングツールをボンディング装置から
外さずに、ボンディングツールを検査することができる
ため、ボンディング装置の稼働効率を高めることがで
き、スループットを向上することができる。
By inspecting the shape of the bonding tool based on the shape of the indentation of the bonding tool formed by landing the bonding tool on the dummy pad or the dummy inner lead, it is possible to inspect whether the bonding tool is damaged or abnormally worn. Therefore, the number of defective semiconductor devices due to damage or abnormal wear of the bonding tool can be reduced, and the manufacturing yield can be improved. Further, since the bonding tool can be inspected without removing the bonding tool from the bonding apparatus, the operation efficiency of the bonding apparatus can be improved, and the throughput can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態であるボンディング装置を
示す模式図である。
FIG. 1 is a schematic view showing a bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】ワークを示しており、(a)は一部省略平面
図、(b)は一部省略正面断面図である。
FIGS. 2A and 2B show a workpiece, wherein FIG. 2A is a partially omitted plan view, and FIG.

【図3】μBGA・ICを示しており、(a)は一部切
断平面図、(b)は一部切断正面図である。
3A and 3B show a μBGA · IC, wherein FIG. 3A is a partially cut plan view, and FIG. 3B is a partially cut front view.

【図4】本発明の一実施形態であるボンディング方法の
各工程を示す各拡大部分断面図である。
FIG. 4 is an enlarged partial sectional view showing each step of a bonding method according to an embodiment of the present invention.

【図5】その作用を説明するための各画面図である。FIG. 5 is a screen diagram for explaining the operation.

【図6】本発明の他の実施形態であるμBGA・ICを
示しており、(a)は一部切断平面図、(b)は一部切
断正面図である。
6A and 6B show a μBGA IC according to another embodiment of the present invention, wherein FIG. 6A is a partially cut plan view, and FIG. 6B is a partially cut front view.

【図7】本発明の他の実施形態であるボンディング方法
を説明するための各模式図である。
FIG. 7 is a schematic view for explaining a bonding method according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ワーク、2…テープキャリア、3…キャリア本体、
4…バンプ形成部、5…バンプホール、6…窓孔、7…
インナリード、8…アウタリード、9…ノッチ、10…
絶縁膜、11…窓孔、12…チップ(半導体チップ)、
13…パッシベーション膜、14…電極パッド、15…
ダミーパッド、16…ダミーインナリード、17…樹脂
封止部、18…バンプ、19…μBGA・IC(半導体
装置)、20…ボンディング装置、21…ステージ、2
2…XYテーブル、23…ボンディングヘッド、24…
ボンディングアーム、25…ボンディングツール、26
…位置検出センサ、27…作動コントローラ、28…メ
インコントローラ、29…ディスプレー、30…超音波
発振器、31…カメラ、32…認識部、33…判定部、
34…登録部、35…スタンド、36…照明装置、37
…光量調整装置、40…ボンディングツールの圧痕、4
1…正常な圧痕画像、42…実際の圧痕画像、51…正
常なボンディングツールの高さ、52…実際のボンディ
ングツールの高さ。
1 ... Work, 2 ... Tape carrier, 3 ... Carrier body,
4 ... Bump forming part, 5 ... Bump hole, 6 ... Window hole, 7 ...
Inner lead, 8 ... Outer lead, 9 ... Notch, 10 ...
Insulating film, 11: window hole, 12: chip (semiconductor chip),
13 ... passivation film, 14 ... electrode pad, 15 ...
Dummy pad, 16: dummy inner lead, 17: resin sealing portion, 18: bump, 19: μBGA / IC (semiconductor device), 20: bonding device, 21: stage, 2
2 ... XY table, 23 ... bonding head, 24 ...
Bonding arm, 25 Bonding tool, 26
... Position detection sensor, 27 ... Operation controller, 28 ... Main controller, 29 ... Display, 30 ... Ultrasonic oscillator, 31 ... Camera, 32 ... Recognition unit, 33 ... Determination unit,
34 ... registration unit, 35 ... stand, 36 ... lighting device, 37
... light amount adjusting device, 40 ... indentation of bonding tool, 4
1: Normal indentation image, 42: Actual indentation image, 51: Normal bonding tool height, 52: Actual bonding tool height

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 望月 政幸 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 片山 善文 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 大久保 達行 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 Fターム(参考) 5F044 MM38 NN03 NN10 PP02  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Masayuki Mochizuki 3-3-2 Fujibashi, Ome-shi, Tokyo Inside Hitachi Tokyo Electronics Co., Ltd. (72) Inventor Yoshifumi Katayama 3-2-2 Fujibashi, Ome-shi, Tokyo Hitachi East Within Kyoto Electronics Co., Ltd. (72) Inventor Tatsuyuki Okubo 3-3-2 Fujibashi, Ome-shi, Tokyo F-term within Hitachi Tokyo Electronics Co., Ltd. 5F044 MM38 NN03 NN10 PP02

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一主面に複数本のインナリードが敷設さ
れたキャリアに半導体チップが絶縁膜を介して機械的に
接続されており、この半導体チップの各電極パッドが前
記各インナリードにボンディングされている半導体装置
において、前記インナリードと前記電極パッドとをボン
ディングするボンディングツールの着地可能なダミーパ
ッドが前記半導体チップに形成されていることを特徴と
する半導体装置。
A semiconductor chip is mechanically connected via an insulating film to a carrier having a plurality of inner leads laid on one principal surface, and each electrode pad of the semiconductor chip is bonded to each of the inner leads. The semiconductor device according to claim 1, wherein a dummy pad which can be landed by a bonding tool for bonding the inner lead and the electrode pad is formed on the semiconductor chip.
【請求項2】 一主面に複数本のインナリードが敷設さ
れたキャリアに半導体チップが絶縁膜を介して機械的に
接続されており、この半導体チップの各電極パッドが前
記各インナリードにボンディングされている半導体装置
において、前記インナリードと前記電極パッドとをボン
ディングするボンディングツールの着地可能なダミーイ
ンナリードが前記キャリアに形成されていることを特徴
とする半導体装置。
2. A semiconductor chip is mechanically connected via an insulating film to a carrier having a plurality of inner leads laid on one main surface, and each electrode pad of the semiconductor chip is bonded to each inner lead. The semiconductor device according to claim 1, wherein a dummy inner lead, which can be landed by a bonding tool for bonding the inner lead and the electrode pad, is formed on the carrier.
【請求項3】 一主面に複数本のインナリードが敷設さ
れたキャリアに半導体チップが絶縁膜を介して機械的に
接続され、この半導体チップの各電極パッドが前記各イ
ンナリードにボンディングされる半導体装置の製造方法
において、前記インナリードと前記電極パッドとをボン
ディングするボンディングツールの着地可能なダミーパ
ッドが前記半導体チップに形成され、前記ボンディング
ツールが前記ダミーパッドに着地され、このダミーパッ
ドのボンディングツールの着地圧痕の形状により前記ボ
ンディングツールの形状が検査されることを特徴とする
半導体装置の製造方法。
3. A semiconductor chip is mechanically connected via an insulating film to a carrier having a plurality of inner leads laid on one main surface, and each electrode pad of the semiconductor chip is bonded to each of the inner leads. In the method of manufacturing a semiconductor device, a landable dummy pad of a bonding tool for bonding the inner lead and the electrode pad is formed on the semiconductor chip, the bonding tool is landed on the dummy pad, and the bonding of the dummy pad is performed. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein a shape of the bonding tool is inspected based on a shape of a landing impression of the tool.
【請求項4】 一主面に複数本のインナリードが敷設さ
れたキャリアに半導体チップが絶縁膜を介して機械的に
接続され、この半導体チップの各電極パッドが前記各イ
ンナリードにボンディングされる半導体装置の製造方法
において、前記インナリードと前記電極パッドとをボン
ディングするボンディングツールの着地可能なダミーイ
ンナリードが前記キャリアに形成され、前記ボンディン
グツールが前記ダミーインナリードに着地され、このダ
ミーインナリードのボンディングツールの着地圧痕の形
状により前記ボンディングツールの形状が検査されるこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. A semiconductor chip is mechanically connected, via an insulating film, to a carrier having a plurality of inner leads laid on one principal surface, and each electrode pad of the semiconductor chip is bonded to each of the inner leads. In the method of manufacturing a semiconductor device, a landable dummy inner lead of a bonding tool for bonding the inner lead and the electrode pad is formed on the carrier, and the bonding tool is landed on the dummy inner lead. A method of manufacturing the semiconductor device, wherein the shape of the bonding tool is inspected according to the shape of the landing impression of the bonding tool.
【請求項5】 一主面に複数本のインナリードが敷設さ
れたキャリアに半導体チップが絶縁膜を介して機械的に
接続され、この半導体チップの各電極パッドが前記各イ
ンナリードにボンディングされる半導体装置の製造方法
において、前記インナリードと前記電極パッドとをボン
ディングする時のボンディングツールの高さが正常時の
ボンディングツールの高さと比較されることにより、前
記ボンディングツールの形状が検査されることを特徴と
する半導体装置の製造方法。
5. A semiconductor chip is mechanically connected via an insulating film to a carrier having a plurality of inner leads laid on one main surface, and each electrode pad of the semiconductor chip is bonded to each inner lead. In the method of manufacturing a semiconductor device, the shape of the bonding tool is inspected by comparing the height of the bonding tool when bonding the inner lead and the electrode pad with the height of the bonding tool when normal. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
【請求項6】 一主面に複数本のインナリードが敷設さ
れたキャリアに絶縁膜を介して機械的に接続されている
半導体チップの各電極パッドが、前記各インナリードに
ボンディングツールによってボンディングされるボンデ
ィング装置において、前記ボンディングツールが前記半
導体チップに形成されたダミーパッドに着地され、この
ダミーパッドのボンディングツールの着地圧痕の形状に
より前記ボンディングツールの形状が検査されることを
特徴とするボンディング装置。
6. An electrode pad of a semiconductor chip which is mechanically connected via an insulating film to a carrier having a plurality of inner leads laid on one main surface thereof is bonded to each inner lead by a bonding tool. Wherein the bonding tool is landed on a dummy pad formed on the semiconductor chip, and the shape of the bonding tool is inspected by the shape of a landing impression of the bonding tool on the dummy pad. .
【請求項7】 一主面に複数本のインナリードが敷設さ
れたキャリアに絶縁膜を介して機械的に接続されている
半導体チップの各電極パッドが、前記各インナリードに
ボンディングツールによってボンディングされるボンデ
ィング装置において、前記ボンディングツールが前記キ
ャリアに形成されたダミーインナリードに着地され、こ
のダミーインナリードのボンディングツールの着地圧痕
の形状により前記ボンディングツールの形状が検査され
ることを特徴とするボンディング装置。
7. An electrode pad of a semiconductor chip, which is mechanically connected to a carrier having a plurality of inner leads laid on one main surface thereof via an insulating film, is bonded to the inner leads by a bonding tool. Wherein the bonding tool is landed on a dummy inner lead formed on the carrier, and the shape of the bonding tool is inspected by the shape of the landing impression of the bonding tool of the dummy inner lead. apparatus.
【請求項8】 一主面に複数本のインナリードが敷設さ
れたキャリアに絶縁膜を介して機械的に接続されている
半導体チップの各電極パッドが、前記各インナリードに
ボンディングツールによってボンディングされるボンデ
ィング装置において、前記インナリードと前記電極パッ
ドとをボンディングする時の前記ボンディングツールの
高さが正常時のボンディングツールの高さと比較される
ことにより、前記ボンディングツールの形状が検査され
ることを特徴とするボンディング装置。
8. An electrode pad of a semiconductor chip mechanically connected to a carrier having a plurality of inner leads laid on one main surface thereof via an insulating film, the electrode pads being bonded to the inner leads by a bonding tool. In the bonding apparatus, the shape of the bonding tool is inspected by comparing the height of the bonding tool when bonding the inner lead and the electrode pad with the height of the bonding tool when normal. Characteristic bonding equipment.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20110259525A1 (en) * 2010-04-23 2011-10-27 Masayuki Mochizuki Reaction absorber and semiconductor assembling system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20110259525A1 (en) * 2010-04-23 2011-10-27 Masayuki Mochizuki Reaction absorber and semiconductor assembling system
US9177937B2 (en) * 2010-04-23 2015-11-03 Fasford Technology Co., Ltd. Reaction absorber and semiconductor assembling system

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