JP2000150119A - Thin film heater and its manufacture - Google Patents

Thin film heater and its manufacture

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JP2000150119A
JP2000150119A JP10313276A JP31327698A JP2000150119A JP 2000150119 A JP2000150119 A JP 2000150119A JP 10313276 A JP10313276 A JP 10313276A JP 31327698 A JP31327698 A JP 31327698A JP 2000150119 A JP2000150119 A JP 2000150119A
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JP
Japan
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heating
film heater
wiring
forming
thin
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JP10313276A
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Japanese (ja)
Inventor
Mikio Minonishi
幹夫 箕西
Toshio Yoshimitsu
利男 吉光
Masato Suwa
正登 諏訪
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Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film heater having a heater pattern divided into plural zones, capable of supplying an uniform quantity of heat. SOLUTION: A heating resistance wire body 12 is etched on an insulating material 11 of polyimide film, a wiring pattern is disposed under the heating resistance wire body 12 insulated with a polyimide coat, and a heating layer and a wiring layer of a thin film heater 10 are separated so that the current from an electric energy control part 14 is outputted to the heating resistance wire body 12 through this wiring pattern.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、発熱抵抗線状体を
それぞれ別個に敷設した複数の加熱領域を有し、各加熱
領域の発熱抵抗線状体への通電によって各加熱領域が発
熱する薄膜ヒータ及びその製造方法に関し、特に、配線
の自由度を確保しつつ目的とする温度分布を実現するこ
とができる複数の加熱領域からなる薄膜ヒータ及びその
製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film having a plurality of heating regions in which heating resistance linear bodies are separately laid, and in which each heating region generates heat by energizing the heating resistance linear bodies in each heating region. The present invention relates to a heater and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a thin film heater including a plurality of heating regions capable of achieving a target temperature distribution while securing a degree of freedom of wiring, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体の製造工程には、塗布した
レジスト膜に残存する溶剤を取り除くために基板を加熱
するベーク等の加熱工程や、加熱した基板を室温レベル
まで冷却するクーリング等の冷却工程が含まれる。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor manufacturing process, a heating process such as baking for heating a substrate in order to remove a solvent remaining in a coated resist film, and a cooling process such as cooling for cooling the heated substrate to a room temperature level. Steps are included.

【0003】このため、かかる半導体を製造する際に
は、高熱伝導性材料によって成形した中空のプレート
と、このプレートの上面に設けた薄膜ヒータと、プレー
トの中空部に対して冷却流体を循環供給する流体循環供
給系とを備え、該プレートの上面に基板を載置させた状
態で、薄膜ヒータおよび流体循環供給系を択一的に作動
させて、当該基板の加熱・冷却を行う温度制御装置が用
いられることが多い。
[0003] Therefore, when manufacturing such a semiconductor, a hollow plate formed of a highly heat conductive material, a thin film heater provided on the upper surface of the plate, and a cooling fluid circulating to the hollow portion of the plate are supplied. A temperature control device for heating and cooling the substrate by selectively operating the thin film heater and the fluid circulation supply system in a state where the substrate is placed on the upper surface of the plate. Is often used.

【0004】ここで、この薄膜ヒータは、ポリイミド等
の絶縁性樹脂からなるフィルム(以下「絶縁フィルム」
と言う。)に貼り付けた金属箔をエッチングして、発熱
体パターンを形成したものである。
Here, this thin film heater is a film made of an insulating resin such as polyimide (hereinafter referred to as an "insulating film").
Say The heating element pattern is formed by etching the metal foil attached to ()).

【0005】なお、かかる発熱工程で用いる薄膜ヒータ
は、通常、一様な加熱を実現するために場所ごとの発熱
量を独立して制御できなくければならないので、この薄
膜ヒータに形成される発熱体パターンは、複数のゾーン
に分割されることが多い。
The thin-film heater used in the heat-generating step usually needs to be able to independently control the amount of heat generated at each location in order to achieve uniform heating. The body pattern is often divided into a plurality of zones.

【0006】例えば、円形の基盤に熱量を供給する薄膜
ヒータでは、基盤に直接熱量を供給する円形の第1ゾー
ンと、この第1ゾーンが供給する熱量の拡散を防ぐ中空
円形状の第2ゾーンとにゾーン分割し、この第1ゾーン
よりもやや高い熱量を第2ゾーンから供給して、基盤に
加わる熱量分布を均一化する技術が知られている。ま
た、プレートの中空部に循環供給する冷却流体を考慮し
て、さらに多数のゾーンに分割することもある。
For example, in a thin film heater for supplying heat to a circular substrate, a circular first zone for directly supplying heat to the substrate, and a hollow circular second zone for preventing diffusion of the heat supplied by the first zone. There is known a technique in which the heat is supplied from the second zone, and the distribution of the heat applied to the base is made uniform, by supplying a slightly higher amount of heat than the first zone. Further, in consideration of the cooling fluid circulating and supplied to the hollow portion of the plate, the plate may be divided into a larger number of zones.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、薄膜ヒ
ータの発熱体パターンをなす発熱抵抗線状体には、パタ
ーンエッチング等で形成した配線パターンを用いて給電
を行う必要があるので、この配線パターンをいかに配設
するかが問題となる。
However, since it is necessary to supply power to the heating resistor linear body forming the heating element pattern of the thin-film heater by using a wiring pattern formed by pattern etching or the like, this wiring pattern is used. How to arrange it becomes a problem.

【0008】例えば、上記第1ゾーンを完全に取り囲む
ように第2ゾーンを設けた場合には、外側に位置する第
2ゾーンには容易に給電できるものの、第1ゾーンに給
電できなくなる。
For example, when the second zone is provided so as to completely surround the first zone, power can be easily supplied to the outer second zone, but cannot be supplied to the first zone.

【0009】このため、従来は、この第2ゾーンの一部
に切り欠け部分を設け、この切り欠け部分を通る配線パ
ターンを介して第1ゾーンに給電せざるを得ないが、こ
のような第2ゾーンの切り欠け部分では、配線パターン
からの発熱量を第1ゾーンと独立に制御できないので、
目的とする加熱が実現できない。
Conventionally, a cutout portion is provided in a part of the second zone, and power must be supplied to the first zone via a wiring pattern passing through the cutout portion. In the notched portion of the two zones, the amount of heat generated from the wiring pattern cannot be controlled independently of the first zone.
The desired heating cannot be achieved.

【0010】このような基盤に印加する熱量に分布が生
じると、この熱量分布が半導体製造溶接の化学反応に影
響して、結果的に所望の半導体製造を行えないという問
題が生じる。
If a distribution of the amount of heat applied to such a substrate occurs, the distribution of the amount of heat affects the chemical reaction of semiconductor manufacturing welding, resulting in a problem that a desired semiconductor cannot be manufactured.

【0011】そこで、本発明では、上記問題点を解決し
て、配線の自由度を保ちつつ一様な熱量を供給すること
ができる複数の加熱領域からなる薄膜ヒータ及びその製
造方法を提供することを目的とする。
In view of the above, the present invention has been made to solve the above problems, and to provide a thin film heater comprising a plurality of heating regions capable of supplying a uniform amount of heat while maintaining the degree of freedom of wiring, and a method of manufacturing the same. With the goal.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段及び作用効果】上記目的を
達成するため、請求項1に係る発明は、発熱抵抗線状体
をそれぞれ別個に敷設した複数の加熱領域を有し、各加
熱領域の発熱抵抗線状体への通電によって各加熱領域が
発熱する薄膜ヒータにおいて、前記複数の加熱領域にそ
れぞれ発熱抵抗線状体を敷設した発熱層と、各加熱領域
の発熱抵抗線状体に通電する配線を敷設した配線層とを
別層としたので、下記に示す効果が得られる。
In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 has a plurality of heating areas in which heating resistance linear bodies are separately laid, respectively. In the thin-film heater in which each heating region generates heat by energizing the heating resistor linear body, a heating layer in which the heating resistor linear bodies are respectively laid in the plurality of heating regions and a heating resistor linear body in each heating region are energized. Since the wiring layer on which the wiring is laid is a separate layer, the following effects can be obtained.

【0013】1)配線の自由度を保つことができる。1) The degree of freedom in wiring can be maintained.

【0014】2)一様な熱量を容易に供給することがで
きる。
2) A uniform amount of heat can be easily supplied.

【0015】また、請求項2に係る発明は、前記複数の
加熱領域の温度を検知する温度センサを前記配線層に敷
設したため、加熱領域の発熱温度を容易に検知すること
ができる。
According to the second aspect of the present invention, since the temperature sensors for detecting the temperatures of the plurality of heating regions are laid on the wiring layer, it is possible to easily detect the heat generation temperature of the heating regions.

【0016】また、請求項3に係る発明は、発熱抵抗線
状体をそれぞれ別個に敷設した複数の加熱領域を有し、
各加熱領域の発熱抵抗線状体への通電によって各加熱領
域が発熱する薄膜ヒータの製造方法において、所定の絶
縁体上の各加熱領域に前記発熱抵抗線状体をそれぞれ敷
設した発熱層を形成する第1の工程と、前記第1の工程
で形成した発熱抵抗線状体の通電穴部以外を絶縁した絶
縁層を形成する第2の工程と、前記第2の工程で形成し
た絶縁層の上部に配線を敷設して配線層を形成して、各
配線を前記発熱抵抗線状体に結合する第3の工程とを含
むよう構成したので、下記に示す効果が得られる。
Further, the invention according to claim 3 has a plurality of heating regions in which heating resistance linear bodies are separately laid, respectively.
In a method of manufacturing a thin film heater in which each heating region generates heat by energizing a heating resistor linear body in each heating region, a heating layer in which the heating resistor linear body is laid on each heating region on a predetermined insulator is formed. A second step of forming an insulating layer that insulates other than the current-carrying hole of the heating resistor linear body formed in the first step; and a step of forming the insulating layer formed in the second step. A third step of laying wiring on the top to form a wiring layer and coupling each wiring to the heating resistor linear body is included, so that the following effects can be obtained.

【0017】1)配線の引き回しが容易になる。1) The wiring can be easily routed.

【0018】2)全面に一様な熱量を供給することがで
きる。
2) A uniform amount of heat can be supplied to the entire surface.

【0019】3)発熱抵抗線状体と配線パターンとを異
なる材料で形成することができる。
3) The heating resistor linear body and the wiring pattern can be formed of different materials.

【0020】また、請求項4に係る発明は、前記第3の
工程は、温度抵抗係数の高い第1の金属層を前記第2の
工程で形成した絶縁層の上部に形成する工程と、この工
程で形成した第1の金属層の上部であって前記通電穴部
及び温度センサ部以外の領域に対して抵抗値が低い第2
の金属層をさらに形成する工程と、形成した第1及び第
2の金属層をエッチングして配線パターン及び温度セン
サを形成する工程とを含むよう構成したので、温度セン
サを配線パターンとともに作り込むことができる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the third step, a step of forming a first metal layer having a high temperature resistance coefficient on the insulating layer formed in the second step, A second metal layer having a lower resistance value than the first metal layer formed in the step and having a lower resistance than a region other than the conductive hole and the temperature sensor;
Forming the temperature sensor together with the wiring pattern, since the method further includes a step of further forming the metal layer and a step of forming the wiring pattern and the temperature sensor by etching the formed first and second metal layers. Can be.

【0021】また、請求項5に係る発明は、発熱抵抗線
状体をそれぞれ別個に敷設した複数の加熱領域を有し、
各加熱領域の発熱抵抗線状体への通電によって各加熱領
域が発熱する薄膜ヒータの製造方法において、前記発熱
抵抗線状体をなす第1の金属箔と発熱抵抗線状体の配線
をなす第2の金属箔とを通電穴部を有する絶縁膜を介し
て結合して、多層シートを形成する第1の工程と、前記
第1の工程で形成した多層シートをエッチングして、発
熱抵抗線状体および配線を絶縁膜を介して接着した薄膜
ヒータを作成する第2の工程とを含むよう構成したの
で、さらに薄膜ヒータを確実に作成でき、かつ薄膜ヒー
タを量産することができる。
Further, the invention according to claim 5 has a plurality of heating regions in which heating resistance linear bodies are separately laid, respectively.
In a method for manufacturing a thin film heater in which each heating region generates heat by energizing a heating resistor linear body in each heating region, a first metal foil forming the heating resistor linear member and a wire forming the heating resistor linear member are formed. A first step of forming a multi-layer sheet by bonding the second metal foil and an insulating film having a current-carrying hole, and etching the multi-layer sheet formed in the first step to form a heating resistor linear shape. Since the method includes the second step of producing a thin film heater in which the body and the wiring are bonded via an insulating film, the thin film heater can be produced more reliably and the thin film heater can be mass-produced.

【0022】また、請求項6に係る発明は、前記第2の
金属箔は、温度抵抗係数の高い第1の金属材料からな
り、前記第2の工程は、前記第1の工程で形成した多層
シートの第1の金属箔側の上部であって前記通電穴部及
び温度センサ部以外の領域に対して抵抗値が低い金属層
を形成する工程と、この工程で形成した金属層と前記第
1の金属箔とをエッチングして配線パターン及び温度セ
ンサを形成する工程とを含むよう構成したので、温度セ
ンサを配線パターンとともに作り込むことができる。
According to a sixth aspect of the present invention, the second metal foil is made of a first metal material having a high temperature resistance coefficient, and the second step is a multi-layered structure formed in the first step. Forming a metal layer having a low resistance value in an area other than the current-carrying hole portion and the temperature sensor portion above the first metal foil side of the sheet; and forming the metal layer formed in this step and the first And the step of forming a wiring pattern and a temperature sensor by etching the metal foil of the above. Therefore, the temperature sensor can be built together with the wiring pattern.

【0023】また、請求項7に係る発明は、前記複数の
加熱領域は、少なくとも一の加熱領域が他の加熱領域に
囲まれていることを特徴とする。
Further, the invention according to claim 7 is characterized in that at least one of the plurality of heating regions is surrounded by another heating region.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。なお、この実施の形態で
は、本発明を半導体の温度制御装置に適用した場合につ
いて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In this embodiment, a case where the present invention is applied to a semiconductor temperature control device will be described.

【0025】(第1の実施の形態)図1は、本実施の形
態で用いる温度制御装置の全体構成を示すブロック図で
ある。
(First Embodiment) FIG. 1 is a block diagram showing the overall configuration of a temperature control device used in this embodiment.

【0026】図1に示す温度制御装置は、以下に示す
(1)〜(8)プロセスを経てレジスト膜を成膜する半
導体製造工程において(3)または(4)の際に用いら
れる。
The temperature control device shown in FIG. 1 is used in (3) or (4) in a semiconductor manufacturing process for forming a resist film through the following processes (1) to (8).

【0027】(1)ウェハ洗浄 (2)レジストコーティング (3)プリベーキング(110〜130℃)+クーリン
グ(20℃) (4)露光 (5)現像 (6)リンス (7)ポストベーキング(120〜150℃)+クーリ
ング(20℃) (8)エッチング (3)および(4)プロセスでは、最初に被温度制御対
象物であるウェハWを高温に加熱し(ベーキング)、そ
の後このウェハWを室温まで冷却する(クーリング)と
いうサイクルをウェハ単位に数十秒間隔で繰り返す制御
が行われる。
(1) Wafer cleaning (2) Resist coating (3) Pre-baking (110-130 ° C.) + Cooling (20 ° C.) (4) Exposure (5) Development (6) Rinsing (7) Post-baking (120-130) (150 ° C.) + Cooling (20 ° C.) (8) Etching In the processes (3) and (4), first, the wafer W to be controlled is heated to a high temperature (baking), and then the wafer W is cooled to room temperature. Control for repeating a cycle of cooling (cooling) at intervals of several tens of seconds for each wafer is performed.

【0028】すなわち、この温度制御装置は、加熱の際
の目標温度と、冷却の際の目標温度という2つの目標温
度をもっており、加熱・冷却を交互に繰り返す制御を行
うものである。
That is, this temperature control device has two target temperatures, a target temperature for heating and a target temperature for cooling, and performs control to alternately repeat heating and cooling.

【0029】図1に示すように、この温度制御装置は、
アルミニウムやアルミニウム合金、あるいはアルミナ
(Al2 O3 )等の熱伝導率の高い材質によって中空円
柱状に成形したベースプレート(基台)1を備えてい
る。
As shown in FIG. 1, this temperature control device
A base plate (base) 1 is formed in a hollow cylindrical shape from a material having high thermal conductivity such as aluminum, an aluminum alloy, or alumina (Al2 O3).

【0030】このベースプレート1は、その上面が水平
となる状態で設置されており、その底壁に排出口1aと
流入口1bとを有している。
The base plate 1 is installed with its upper surface being horizontal, and has a discharge port 1a and an inflow port 1b on its bottom wall.

【0031】ベースプレート1の排出口1aは、排出通
路2を通じて蓄熱タンク3に接続され、ベースプレート
1の流入口1bは、供給通路4を通じて同蓄熱タンク3
に接続されている。
The outlet 1a of the base plate 1 is connected to the heat storage tank 3 through the discharge passage 2, and the inlet 1b of the base plate 1 is connected to the heat storage tank 3 through the supply passage 4.
It is connected to the.

【0032】蓄熱タンク3は、その内部に、フッ化炭素
液(=フロリナート:登録商標)、エチレングリコー
ル、オイル、水、窒素、空気、ヘリウム等の温度流体を
貯留し、かつチラータンク5との間においてこの温度流
体を循環させることにより、当該温度流体を20℃近傍
の温度に調整維持するものである。
The heat storage tank 3 stores therein a temperature fluid such as a fluorocarbon liquid (= Fluorinert (registered trademark)), ethylene glycol, oil, water, nitrogen, air, helium, and the like. By circulating this temperature fluid, the temperature fluid is adjusted and maintained at a temperature near 20 ° C.

【0033】またこの温度制御装置は、ベースプレート
1の上面に加熱手段である薄膜ヒータ10を備えてい
る。この薄膜ヒータ10は、ベースプレート1の上面と
同一の外径を有した円板状を成すもので、絶縁層11の
内部に発熱抵抗線状体12と温度センサ13とを備えて
いる。
The temperature control device has a thin film heater 10 as a heating means on the upper surface of the base plate 1. The thin film heater 10 has a disk shape having the same outer diameter as the upper surface of the base plate 1, and includes a heating resistor linear body 12 and a temperature sensor 13 inside an insulating layer 11.

【0034】発熱抵抗線状体12は、ニッケルクロム合
金や鉄クロム合金等のように単位長さあたりの電気抵抗
が高い金属、あるいはその合金によって構成しており、
通電制御部14から加熱電力が供給された場合に発熱し
てウェハWの加熱を行う。
The heating resistance linear body 12 is made of a metal having a high electric resistance per unit length, such as a nickel chromium alloy or an iron chromium alloy, or an alloy thereof.
When the heating power is supplied from the power supply control unit 14, heat is generated to heat the wafer W.

【0035】図2は、この薄膜ヒータ10の発熱抵抗線
状体12がなす発熱体パターンの一例を示す図であり、
同図に示すように、この発熱体パターンは、最も外側に
位置するゾーン21、最も内側に位置するゾーン23、
これらのゾーンに挟まれるゾーン22という同心円状の
3つのゾーンからなる。なお、各ゾーンに内在する発熱
抵抗線状体12は、その全領域が等発熱密度となるよう
に単一層状に配置されている。
FIG. 2 is a diagram showing an example of a heating element pattern formed by the heating resistance linear body 12 of the thin film heater 10.
As shown in the drawing, the heating element pattern includes a zone 21 located at the outermost side, a zone 23 located at the innermost side,
It consists of three concentric zones called zone 22 sandwiched between these zones. The heating resistance linear bodies 12 existing in each zone are arranged in a single layer so that the entire area has the same heat generation density.

【0036】このように、薄膜ヒータ10の発熱体パタ
ーンを3つのゾーンに分割し、かつ、ゾーン21及びゾ
ーン22に切り欠け部分を設けないこととすると、ゾー
ン22及びゾーン23に対する給電が問題となるので、
本発明に係るこの薄膜ヒータ10では、ゾーン22及び
ゾーン23に給電を行う配線層を発熱層と別層にするこ
とにより、これらのゾーン22及びゾーン23に対する
給電を可能にしている。
As described above, if the heating element pattern of the thin-film heater 10 is divided into three zones, and no cutout portions are provided in the zones 21 and 22, the power supply to the zones 22 and 23 becomes a problem. Because
In the thin-film heater 10 according to the present invention, power is supplied to the zones 22 and 23 by providing a wiring layer for supplying power to the zones 22 and 23 separately from the heating layer.

【0037】図3は、この薄膜ヒータ10の一部を拡大
した斜視図であり、この薄膜ヒータ10は、ポリイミド
フィルム等の絶縁体11上に発熱抵抗線状体31、32
及び33をエッチングし、これらの発熱抵抗線状体31
〜33をポリイミドコートにより絶縁して絶縁層34を
形成し、その上部に配線パターン35及び36を配設し
ている。
FIG. 3 is an enlarged perspective view of a part of the thin-film heater 10. The thin-film heater 10 includes heat-generating resistor wires 31 and 32 on an insulator 11 such as a polyimide film.
And 33 are etched and these heating resistance linear bodies 31 are etched.
33 are insulated by a polyimide coat to form an insulating layer 34, on which wiring patterns 35 and 36 are provided.

【0038】例えば、この発熱抵抗線状体31がゾーン
21を形成し、また発熱抵抗線状体33がゾーン22を
形成する場合には、配線パターン35を用いて発熱抵抗
線状体31に給電するとともに、配線パターン36を用
いてゾーン22の発熱抵抗線状体33に給電することが
できる。
For example, in a case where the heating resistance linear body 31 forms the zone 21 and the heating resistance linear body 33 forms the zone 22, power is supplied to the heating resistance linear body 31 using the wiring pattern 35. At the same time, power can be supplied to the heating resistance linear body 33 in the zone 22 using the wiring pattern 36.

【0039】このため、この薄膜ヒータ10を用いた場
合には、ゾーン21に切り欠けを設けることなく、該ゾ
ーン21に内包されるゾーン22及びゾーン23に給電
することができる。
Therefore, when the thin film heater 10 is used, power can be supplied to the zones 22 and 23 included in the zone 21 without providing a cutout in the zone 21.

【0040】なお、これらの発熱抵抗線状体は約40ミ
クロン程度で形成でき、また絶縁体11、絶縁層34及
び配線パターン35は、それぞれ約25ミクロン程度で
形成できるため、100ミクロン程度の薄膜ヒータ10
を形成できる。
It is to be noted that these heating resistance linear bodies can be formed at about 40 microns, and the insulator 11, the insulating layer 34 and the wiring pattern 35 can be formed at about 25 microns each. Heater 10
Can be formed.

【0041】また、配線パターン35及び36には、銀
や銅のような電気伝導性の大きな金属材料を用いること
ができる。
For the wiring patterns 35 and 36, a metal material having high electric conductivity such as silver or copper can be used.

【0042】温度センサ13は、薄膜ヒータ10の温度
を測定し、その測定結果を上記通電制御部14に出力す
るものである。なお、後述する第2の実施の形態では、
この温度センサ13を配線パターンとともに作り込む場
合について説明するが、ここではこの温度センサ13を
配線パターンと別個に埋め込むものとする。
The temperature sensor 13 measures the temperature of the thin-film heater 10 and outputs the measurement result to the power supply controller 14. In a second embodiment described later,
The case where the temperature sensor 13 is formed together with the wiring pattern will be described. Here, it is assumed that the temperature sensor 13 is embedded separately from the wiring pattern.

【0043】次に、図1に示す薄膜ヒータ10の製造方
法について図4及び図5を用いて説明する。図4は、図
1に示す薄膜ヒータ10の製造工程を示す図であり、図
中の左欄は製造過程での薄膜ヒータ10の斜視図であ
り、図中の右欄は対応する側面拡大図を示している。
Next, a method of manufacturing the thin film heater 10 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a view showing a manufacturing process of the thin-film heater 10 shown in FIG. 1, wherein the left column in the figure is a perspective view of the thin-film heater 10 during the manufacturing process, and the right column in the figure is a corresponding enlarged side view. Is shown.

【0044】図4(a)に示すように、まず最初に絶縁
体11上に発熱抵抗線状体をエッチングして図5(a)
に示すような発熱体パターンを作成する。なお、ポリイ
ミドフィルム等の絶縁体上に、ニッケルクロム合金や鉄
クロム合金のような電気抵抗が高い金属層を積層した材
料は市販されているため、この金属層をエッチングする
ことにより、容易に発熱体パターンを作成することがで
きる。
As shown in FIG. 4A, first, a heating resistor linear body is etched on the insulator 11, and FIG.
The heating element pattern shown in FIG. Since a material in which a metal layer having a high electric resistance such as a nickel chromium alloy or an iron chromium alloy is laminated on an insulator such as a polyimide film is commercially available, heat is easily generated by etching this metal layer. Body patterns can be created.

【0045】次に、図4(b)に示すように、この発熱
体パターン上に図5(b)に示す絶縁膜を形成する印刷
パターンをスクリーン印刷で塗布する。ただし、このス
クリーン印刷を行う際には、シルクスクリーン等で通電
穴部をマスキングすることによって、発熱パターンの通
電穴部に対する塗布は行わない。
Next, as shown in FIG. 4B, a printing pattern for forming an insulating film shown in FIG. 5B is applied on the heating element pattern by screen printing. However, when this screen printing is performed, the heat-generating pattern is not applied to the current-carrying holes by masking the current-carrying holes with a silk screen or the like.

【0046】その後、図4(c)に示すように、全面に
亘って厚く無電解銅メッキするとともに不要な部分を溶
かして配線パターンを残すエッチングを行うことによ
り、図4(d)及び図5(c)に示すような配線パター
ンを形成する。
Thereafter, as shown in FIG. 4 (c), the entire surface is electrolessly copper-plated thickly, and an unnecessary portion is melted to leave an interconnect pattern, thereby performing an etching to leave the wiring pattern. A wiring pattern as shown in FIG.

【0047】上述してきたように、本実施の形態では、
ポリイミドフィルム等の絶縁体上に発熱抵抗線状体をエ
ッチングし、これらの発熱抵抗線状体層31〜33をポ
リイミドコートにより絶縁した上部に配線パターンを配
設して、発熱層と配線層とが分離された薄膜ヒータ10
を用いるよう構成したので、下記に示す効果が得られ
る。
As described above, in this embodiment,
The heating resistance linear body is etched on an insulator such as a polyimide film, and a wiring pattern is disposed on the heating resistance linear body layers 31 to 33 insulated by polyimide coating. Thin film heater 10 from which
The following effects can be obtained because the configuration is adopted.

【0048】(1)基盤全面に一様な熱量を供給するこ
とができる。
(1) A uniform amount of heat can be supplied to the entire surface of the substrate.

【0049】(2)配線パターンの引き回しが容易にな
る。
(2) The wiring pattern can be easily routed.

【0050】(3)発熱抵抗線状体と配線パターンとを
異なる材料で形成することができる。
(3) The heating resistor linear body and the wiring pattern can be formed of different materials.

【0051】また、かかる薄膜ヒータ10は、絶縁体1
1に発熱抵抗線状体をエッチングした発熱体パターンを
作成し、通電穴部をマスキングしつつ発熱体パターン上
に絶縁膜をスクリーン印刷で塗布し、その全面に亘って
無電解銅メッキをしてエッチングを行って配線パターン
を形成する手順で容易に製造することができる。
Further, the thin-film heater 10 is provided with the insulator 1
1. A heating element pattern was prepared by etching the heating resistance linear body, and an insulating film was applied on the heating element pattern by screen printing while masking the current-carrying holes, and electroless copper plating was applied over the entire surface. It can be easily manufactured by a procedure of forming a wiring pattern by etching.

【0052】(第2の実施の形態)ところで、上記第1
の実施の形態では、薄膜ヒータ10の温度センサ13を
配線パターンと別個に設けた場合を示したが、かかる温
度センサは、配線パターンとともに作成することもでき
る。
(Second Embodiment) By the way, the first embodiment
In the embodiment, the case where the temperature sensor 13 of the thin film heater 10 is provided separately from the wiring pattern has been described. However, such a temperature sensor can be formed together with the wiring pattern.

【0053】このため、この第2の実施の形態では、薄
膜ヒータ10の温度センサを配線パターンとともに作成
する場合を示すこととする。なお、この場合の温度制御
装置の全体構成は図1に示すものと同様のものになるの
で、該温度制御装置の全体構成についての説明は省略す
る。
Therefore, in the second embodiment, a case will be described in which the temperature sensor of the thin-film heater 10 is formed together with the wiring pattern. In this case, since the overall configuration of the temperature control device is the same as that shown in FIG. 1, the description of the overall configuration of the temperature control device will be omitted.

【0054】図6は、第2の実施の形態で用いる薄膜ヒ
ータ60の一部を拡大した斜視図であり、この薄膜ヒー
タ60は、ポリイミドフィルム等の絶縁体61上に発熱
抵抗線状体62、63及び64をエッチングし、これら
の発熱抵抗線状体62〜64をポリイミドコートにより
絶縁し、その上部に配線パターン65及び66と温度セ
ンサ67とを配設している。
FIG. 6 is an enlarged perspective view of a part of a thin-film heater 60 used in the second embodiment. This thin-film heater 60 has a heating resistor linear member 62 on an insulator 61 such as a polyimide film. , 63 and 64 are etched to insulate these heating resistance linear members 62 to 64 with a polyimide coat, and wiring patterns 65 and 66 and a temperature sensor 67 are disposed thereon.

【0055】なお、この発熱抵抗線状体62が図2に示
すゾーン21を形成し、また発熱抵抗線状体64が同図
に示すゾーン22を形成する場合には、配線パターン6
5を用いて発熱抵抗線状体62に給電するとともに、配
線パターン66を用いてゾーン22の発熱抵抗線状体6
4に給電することができる。
When the heating resistor linear body 62 forms the zone 21 shown in FIG. 2 and the heating resistor linear body 64 forms the zone 22 shown in FIG.
5 is used to supply power to the heating resistor linear body 62 and the wiring pattern 66 is used to supply heat to the heating resistor linear body 6 in the zone 22.
4 can be powered.

【0056】このため、この薄膜ヒータ60を用いた場
合には、図3に示す薄膜ヒータ10と同様に、ゾーン2
1に切り欠けを設けることなく、該ゾーン21に内包さ
れるゾーン22及びゾーン23に給電することができ
る。
For this reason, when the thin film heater 60 is used, the zone 2 is used similarly to the thin film heater 10 shown in FIG.
It is possible to supply power to the zones 22 and 23 included in the zone 21 without providing a cutout in 1.

【0057】ここで、この薄膜ヒータ60に配設する配
線パターン65及び66は、ニッケル等の温度抵抗係数
が高い金属材料と抵抗値が低い銅などの金属材料とを積
層したものであり、温度センサ66は、ニッケル等の温
度抵抗係数が高い金属材料のみからなる。なお、以下で
は、ニッケル及び銅を用いた場合を説明する。
The wiring patterns 65 and 66 provided on the thin film heater 60 are formed by laminating a metal material having a high temperature resistance coefficient such as nickel and a metal material such as copper having a low resistance value. The sensor 66 is made of only a metal material having a high temperature resistance coefficient such as nickel. Hereinafter, a case where nickel and copper are used will be described.

【0058】このように、ニッケルメッキ上にさらに銅
メッキを施して配線パターン65及び66を形成するこ
ととすると、銅メッキを施さない部分を温度センサ67
として使用することができるので、薄膜ヒータ60の構
造を簡素化することができ、また温度センサ67の作成
も容易になる。
As described above, if the wiring patterns 65 and 66 are formed by further performing copper plating on the nickel plating, a portion where the copper plating is not performed is performed by the temperature sensor 67.
Therefore, the structure of the thin-film heater 60 can be simplified, and the temperature sensor 67 can be easily formed.

【0059】すなわち、このニッケルは、温度と抵抗値
の相関があるのでプラチナと同様に温度センサ67とし
て使用することができ、またニッケルのみではその抵抗
値が大きいため、配線パターン65及び66部分にはさ
らに銅メッキを施しているのである。
That is, since nickel has a correlation between temperature and resistance value, it can be used as a temperature sensor 67 like platinum, and since nickel alone has a large resistance value, it can be used in the wiring patterns 65 and 66. Is further plated with copper.

【0060】次に、図6に示す薄膜ヒータ60の製造方
法について図7及び図8を用いて説明する。図7は、図
6に示す薄膜ヒータ60の製造工程を示す図であり、図
中の左欄は製造過程での薄膜ヒータ60の斜視図であ
り、図中の右欄は対応する側面拡大図を示している。
Next, a method of manufacturing the thin film heater 60 shown in FIG. 6 will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a view showing a manufacturing process of the thin film heater 60 shown in FIG. 6, wherein the left column in the figure is a perspective view of the thin film heater 60 in the manufacturing process, and the right column in the figure is a corresponding enlarged side view. Is shown.

【0061】図7(a)に示すように、まず最初に絶縁
体上に発熱抵抗線状体をエッチングして図8(a)に示
すような発熱体パターンを作成する。なお、ポリイミド
フィルム等の絶縁体上に、ニッケルクロム合金や鉄クロ
ム合金のような電気抵抗が高い金属層を積層した材料は
市販されているため、この金属層をエッチングすること
により、容易に発熱体パターンを作成することができ
る。
As shown in FIG. 7A, first, a heating resistor linear body is etched on an insulator to form a heating element pattern as shown in FIG. 8A. Since a material in which a metal layer having a high electric resistance such as a nickel chromium alloy or an iron chromium alloy is laminated on an insulator such as a polyimide film is commercially available, heat is easily generated by etching this metal layer. Body patterns can be created.

【0062】次に、図7(b)に示すように、この発熱
体パターン上に図8(b)に示す絶縁膜を形成する印刷
パターンをスクリーン印刷で塗布する。ただし、このス
クリーン印刷を行う際には、シルクスクリーン等で通電
穴部をマスキングすることによって、発熱パターンの通
電穴部に対する塗布は行わない。
Next, as shown in FIG. 7B, a printing pattern for forming an insulating film shown in FIG. 8B is applied on the heating element pattern by screen printing. However, when this screen printing is performed, the heat-generating pattern is not applied to the current-carrying holes by masking the current-carrying holes with a silk screen or the like.

【0063】その後、図7(c)に示すように全面に亘
ってニッケルメッキを行い、さらに図8(c)に示す銅
メッキマスクパターンを用いて図7(d)に示すように
銅メッキを行う。なお、図8に示す銅メッキマスクパタ
ーンは、温度センサ部分の銅メッキをマスクする形状と
し当該マスク部分には銅メッキ処理が施されないように
しているので、このマスク部分は温度センサとして機能
する。
Thereafter, nickel plating is performed on the entire surface as shown in FIG. 7 (c), and copper plating is further performed using the copper plating mask pattern shown in FIG. 8 (c) as shown in FIG. 7 (d). Do. The copper plating mask pattern shown in FIG. 8 has a shape that masks the copper plating of the temperature sensor portion so that the copper plating process is not performed on the mask portion, so that this mask portion functions as a temperature sensor.

【0064】その後、このニッケルメッキ及び銅メッキ
の不要な部分を溶かして配線パターン及び温度センサを
残すエッチングを行うことにより、図7(e)及び図8
(d)に示すような配線パターン及び温度センサを形成
する。
Then, the unnecessary portions of the nickel plating and the copper plating are melted and etched to leave the wiring pattern and the temperature sensor.
A wiring pattern and a temperature sensor as shown in FIG.

【0065】上記一連の手順を踏まえることにより、薄
膜ヒータ60を製造する際に、配線パターンとともに温
度センサを容易に作り込むことができる。
By manufacturing the thin film heater 60 based on the above series of procedures, a temperature sensor can be easily formed together with a wiring pattern.

【0066】次に、図6に示す薄膜ヒータ60の別の製
造方法について図9を用いて説明する。図9は、図6に
示す薄膜ヒータ60の別の製造工程を示す図であり、図
中の左欄は製造過程での薄膜ヒータ60の斜視図であ
り、図中の右欄は対応する側面拡大図を示している。
Next, another method of manufacturing the thin film heater 60 shown in FIG. 6 will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a view showing another manufacturing process of the thin film heater 60 shown in FIG. 6, in which the left column is a perspective view of the thin film heater 60 during the manufacturing process, and the right column in the figure is the corresponding side surface. It shows an enlarged view.

【0067】図9(a)に示すように、発熱抵抗線状体
をなすSUS箔及びニッケル箔を通電穴部付きのポリイ
ミドフィルムを介して挟み、これを真空中でホットプレ
スし、さらに通電穴部でのスポット溶接を行ってシート
化する。
As shown in FIG. 9 (a), a SUS foil and a nickel foil forming a heating resistance linear body are sandwiched via a polyimide film having a current-carrying hole, which is hot-pressed in a vacuum, and It is made into a sheet by performing spot welding at the section.

【0068】その後、同図(b)に示すように、ニッケ
ル箔側にさらに銅メッキを行い、この銅メッキ側をエッ
チングして配線パターン及び温度センサを形成するとと
もに、SUS箔側をエッチングして、同図(c)に示す
薄膜ヒータ60を形成することができる。
Thereafter, as shown in FIG. 7B, copper plating is further performed on the nickel foil side, the copper plating side is etched to form a wiring pattern and a temperature sensor, and the SUS foil side is etched. The thin film heater 60 shown in FIG.

【0069】かかる手順を用いると、図7及び図8で示
したような樹脂へのメッキという技術が必要なくなるの
で、SUS箔、ポリイミドフィルム及びニッケル箔のホ
ットプレス及びスポット溶接という工程を要するもの
の、確実に薄膜ヒータ60を作成することができる。
When such a procedure is used, the technique of plating on the resin as shown in FIGS. 7 and 8 becomes unnecessary, and thus the steps of hot pressing and spot welding of SUS foil, polyimide film and nickel foil are required. The thin-film heater 60 can be reliably manufactured.

【0070】上述してきたように、本実施の形態では、
第1の実施例のように発熱層と配線層とを分離するだけ
ではなく、ニッケル等の温度抵抗係数が高い金属材料と
抵抗値が低い銅などの金属材料とを積層した配線パター
ン65及び66とともに、かかる温度抵抗係数が高い金
属材料を用いて温度センサ66を作り込んだ薄膜ヒータ
60を用いるよう構成したので、下記に示す効果が得ら
れる。
As described above, in the present embodiment,
As in the first embodiment, in addition to separating the heating layer and the wiring layer, wiring patterns 65 and 66 in which a metal material having a high temperature resistance coefficient such as nickel and a metal material such as copper having a low resistance value are laminated. In addition, since the thin-film heater 60 in which the temperature sensor 66 is formed using a metal material having a high temperature resistance coefficient is used, the following effects can be obtained.

【0071】(1)基盤全面に一様な熱量を供給するこ
とができる。
(1) A uniform amount of heat can be supplied to the entire surface of the substrate.

【0072】(2)配線パターンの引き回しが容易にな
る。
(2) The wiring pattern can be easily arranged.

【0073】(3)発熱抵抗線状体と配線パターンとを
異なる材料で形成することができる。
(3) The heating resistor linear body and the wiring pattern can be formed of different materials.

【0074】(4)温度センサを配線パターンとともに
作り込むことができる。
(4) The temperature sensor can be formed together with the wiring pattern.

【0075】(5)薄膜ヒータを容易に量産することが
できる。
(5) The thin-film heater can be easily mass-produced.

【0076】また、かかる薄膜ヒータ60は、絶縁体に
発熱抵抗線状体をエッチングした発熱体パターンを作成
し、通電穴部をマスキングしつつ発熱体パターン上に絶
縁膜をスクリーン印刷で塗布し、その全面に亘ってニッ
ケルメッキを行った後に温度センサ部分をマスキングし
つつ銅メッキを施し、エッチングを行って配線パターン
及び温度センサを形成する手順で容易に製造することが
できる。
Further, the thin film heater 60 forms a heating element pattern by etching a heating resistance linear body on an insulator, and applies an insulating film on the heating element pattern by screen printing while masking a current-carrying hole. After nickel plating is performed over the entire surface, copper plating is performed while masking the temperature sensor portion, and etching is performed to form a wiring pattern and a temperature sensor.

【0077】また、発熱抵抗線状体をなすSUS箔及び
ニッケル箔を通電穴部付きのポリイミドフィルムを介し
て挟み、これを真空中でホットプレスし、さらに通電穴
部でのスポット溶接を行ってシート化し、ニッケル箔側
にさらに銅メッキを行い、この銅メッキ側をエッチング
して配線パターン及び温度センサを形成するとともに、
SUS箔側をエッチングして薄膜ヒータ60を製造した
ので、樹脂へのメッキという技術が必要なくなり、確実
に薄膜ヒータ60を作成することができる。
Further, a SUS foil and a nickel foil forming a heating resistance linear body are sandwiched between polyimide films having a current-carrying hole, hot-pressed in a vacuum, and spot-welded at the current-carrying hole. Sheeting, further copper plating on the nickel foil side, etching this copper plating side to form a wiring pattern and temperature sensor,
Since the thin-film heater 60 is manufactured by etching the SUS foil side, the technique of plating on the resin is not required, and the thin-film heater 60 can be reliably manufactured.

【0078】なお、第2の実施の形態では、温度センサ
を配線パターンとともに作り込む場合を示したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、温度センサのみを
作る場合に適用することもできる。
In the second embodiment, the case where the temperature sensor is formed together with the wiring pattern has been described. However, the present invention is not limited to this, and may be applied to the case where only the temperature sensor is formed. it can.

【0079】また、上記第1及び第2の実施の形態で
は、各発熱ゾーンが他の発熱ゾーンに同心円状に囲まれ
ている場合を示したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、他の発熱ゾーンに囲まれていない場合に適用
することもできる。
In the first and second embodiments, the case where each heat generating zone is concentrically surrounded by other heat generating zones has been described. However, the present invention is not limited to this. Alternatively, the present invention can be applied to a case where the heat generating zone is not surrounded by other heat generating zones.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施の形態で用いる温度制御装置の全体
構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating an overall configuration of a temperature control device used in a first embodiment.

【図2】図1に示す薄膜ヒータの発熱抵抗線状体がなす
発熱体パターンの一例を示す図である。
FIG. 2 is a view showing an example of a heating element pattern formed by a heating resistance linear body of the thin film heater shown in FIG.

【図3】図1に示す薄膜ヒータの一部を拡大した斜視図
である。
FIG. 3 is an enlarged perspective view of a part of the thin film heater shown in FIG.

【図4】図1に示す薄膜ヒータの製造工程を示す図であ
る。
FIG. 4 is a diagram showing a manufacturing process of the thin-film heater shown in FIG.

【図5】図4に示す製造工程で用いるメッキマスクパタ
ーン等の一例を示す図である。
5 is a diagram showing an example of a plating mask pattern and the like used in the manufacturing process shown in FIG.

【図6】第2の実施の形態で用いる薄膜ヒータの一部を
拡大した斜視図である。
FIG. 6 is an enlarged perspective view of a part of a thin film heater used in a second embodiment.

【図7】図6に示す薄膜ヒータの製造工程を示す図であ
る。
FIG. 7 is a diagram showing a manufacturing process of the thin film heater shown in FIG.

【図8】図7に示す製造工程で用いるメッキマスクパタ
ーン等の一例を示す図である。
8 is a diagram showing an example of a plating mask pattern and the like used in the manufacturing process shown in FIG.

【図9】図6に示す薄膜ヒータの別の製造工程を示す図
である。
9 is a diagram showing another manufacturing process of the thin film heater shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ベースプレート、 1a…排出口、 1b…流入
口、2…排出通路、 3…蓄熱タンク、 4…供給通
路、5…チラータンク、 10…薄膜ヒータ、 11…
絶縁層、12…発熱抵抗線状体、 13…温度センサ、
14…通電制御部、21,22,23…ゾーン、 3
1,32,33…発熱抵抗線状体、34…絶縁層、 3
5,36…配線パターン、60…薄膜ヒータ、 61…
絶縁体、62,63,64…発熱抵抗線状体、 65,
66…配線パターン、67…温度センサ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base plate, 1a ... Outlet, 1b ... Inlet, 2 ... Discharge passage, 3 ... Heat storage tank, 4 ... Supply passage, 5 ... Chiller tank, 10 ... Thin film heater, 11 ...
Insulating layer, 12: heating resistance wire, 13: temperature sensor,
14 ... energization control section, 21, 22, 23 ... zone, 3
1, 32, 33 ... heating resistance linear body, 34 ... insulating layer, 3
5, 36: wiring pattern, 60: thin film heater, 61:
Insulator, 62, 63, 64 ... heating resistance linear body, 65,
66: wiring pattern, 67: temperature sensor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 諏訪 正登 神奈川県平塚市万田1200 株式会社小松製 作所研究所内 Fターム(参考) 3K034 AA02 AA15 AA16 AA21 AA22 AA23 AA33 AA34 BA13 BA15 BB08 BB13 BB14 BC12 BC15 BC17 CA02 CA14 CA17 DA05 DA08 FA13 JA01 JA09 3K058 AA86 BA01 BA11 CA02 CA22 CA52 CA57 CA93 CE02 CE13 CE19 CE31 GA03 GA05 GA06 ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Inventor Masato Suwa 1200 Manda, Hiratsuka-shi, Kanagawa Prefecture F-term in the Komatsu Ltd. Research Laboratory 3K034 AA02 AA15 AA16 AA21 AA22 AA23 AA33 AA34 BA13 BA15 BB08 BB13 BB14 BC12 BC15 BC17 CA02 CA14 CA17 DA05 DA08 FA13 JA01 JA09 3K058 AA86 BA01 BA11 CA02 CA22 CA52 CA57 CA93 CE02 CE13 CE19 CE31 GA03 GA05 GA06

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 発熱抵抗線状体をそれぞれ別個に敷設し
た複数の加熱領域を有し、各加熱領域の発熱抵抗線状体
への通電によって各加熱領域が発熱する薄膜ヒータにお
いて、 前記複数の加熱領域にそれぞれ発熱抵抗線状体を敷設し
た発熱層と、各加熱領域の発熱抵抗線状体に通電する配
線を敷設した配線層とを別層としたことを特徴とする薄
膜ヒータ。
1. A thin-film heater comprising: a plurality of heating regions in which heating resistance linear bodies are separately laid, wherein each heating region generates heat by energizing the heating resistance linear bodies in each heating region; A thin-film heater comprising: a heating layer in which a heating resistor linear body is laid in each heating area; and a wiring layer in which wiring for energizing the heating resistor linear body in each heating area is separate layers.
【請求項2】 前記複数の加熱領域の温度を検知する温
度センサを前記配線層に敷設したことを特徴とする請求
項1記載の薄膜ヒータ。
2. The thin-film heater according to claim 1, wherein a temperature sensor for detecting a temperature of the plurality of heating regions is laid on the wiring layer.
【請求項3】 発熱抵抗線状体をそれぞれ別個に敷設し
た複数の加熱領域を有し、各加熱領域の発熱抵抗線状体
への通電によって各加熱領域が発熱する薄膜ヒータの製
造方法において、 所定の絶縁体上の各加熱領域に前記発熱抵抗線状体をそ
れぞれ敷設した発熱層を形成する第1の工程と、 前記第1の工程で形成した発熱抵抗線状体の通電穴部以
外を絶縁した絶縁層を形成する第2の工程と、 前記第2の工程で形成した絶縁層の上部に配線を敷設し
て配線層を形成して、各配線を前記発熱抵抗線状体に結
合する第3の工程とを含むことを特徴とする薄膜ヒータ
の製造方法。
3. A method of manufacturing a thin-film heater, comprising: a plurality of heating regions in which heating resistance linear bodies are separately laid, wherein each heating region generates heat by energizing the heating resistance linear bodies in each heating region. A first step of forming a heating layer in which each of the heating resistor linear bodies is laid in each heating region on a predetermined insulator; and a step other than a conduction hole of the heating resistor linear body formed in the first step. A second step of forming an insulated insulating layer; laying a wiring on the insulating layer formed in the second step to form a wiring layer; and coupling each wiring to the heating resistor linear body. And a third step.
【請求項4】 前記第3の工程は、 温度抵抗係数の高い第1の金属層を前記第2の工程で形
成した絶縁層の上部に形成する工程と、 この工程で形成した第1の金属層の上部であって前記通
電穴部及び温度センサ部以外の領域に対して抵抗値が低
い第2の金属層をさらに形成する工程と、 形成した第1及び第2の金属層をエッチングして配線パ
ターン及び温度センサを形成する工程とを含むことを特
徴とする請求項3記載の薄膜ヒータの製造方法。
4. The third step includes: forming a first metal layer having a high temperature resistance coefficient on the insulating layer formed in the second step; and forming the first metal layer in this step. A step of further forming a second metal layer having a low resistance value in a region above the layer and other than the current-carrying hole portion and the temperature sensor portion; and etching the formed first and second metal layers. 4. The method according to claim 3, further comprising: forming a wiring pattern and a temperature sensor.
【請求項5】 発熱抵抗線状体をそれぞれ別個に敷設し
た複数の加熱領域を有し、各加熱領域の発熱抵抗線状体
への通電によって各加熱領域が発熱する薄膜ヒータの製
造方法において、 前記発熱抵抗線状体をなす第1の金属箔と発熱抵抗線状
体の配線をなす第2の金属箔とを通電穴部を有する絶縁
膜を介して結合して、多層シートを形成する第1の工程
と、 前記第1の工程で形成した多層シートをエッチングし
て、発熱抵抗線状体および配線を絶縁膜を介して接着し
た薄膜ヒータを作成する第2の工程とを含むことを特徴
とする薄膜ヒータの製造方法。
5. A method of manufacturing a thin-film heater, comprising: a plurality of heating regions in which heating resistance linear bodies are separately laid, wherein each heating region generates heat by energizing the heating resistance linear bodies in each heating region. The first metal foil forming the heating resistance linear body and the second metal foil forming the wiring of the heating resistance linear body are connected via an insulating film having a conductive hole to form a multilayer sheet. And a second step of etching the multilayer sheet formed in the first step to form a thin-film heater in which the heating resistance linear body and the wiring are bonded via an insulating film. A method for manufacturing a thin film heater.
【請求項6】 前記第2の金属箔は、 温度抵抗係数の高い第1の金属材料からなり、 前記第2の工程は、 前記第1の工程で形成した多層シートの第1の金属箔側
の上部であって前記通電穴部及び温度センサ部以外の領
域に対して抵抗値が低い金属層を形成する工程と、 この工程で形成した金属層と前記第1の金属箔とをエッ
チングして配線パターン及び温度センサを形成する工程
とを含むことを特徴とする請求項5記載の薄膜ヒータの
製造方法。
6. The second metal foil is made of a first metal material having a high temperature coefficient of resistance, and the second step is a first metal foil side of the multilayer sheet formed in the first step. Forming a metal layer having a low resistance value in a region other than the current-carrying hole portion and the temperature sensor portion, and etching the metal layer formed in this step and the first metal foil. 6. The method for manufacturing a thin film heater according to claim 5, comprising a step of forming a wiring pattern and a temperature sensor.
【請求項7】 前記複数の加熱領域は、 少なくとも一の加熱領域が他の加熱領域に囲まれている
ことを特徴とする請求項1又は2記載の薄膜ヒータ。
7. The thin film heater according to claim 1, wherein at least one of the plurality of heating regions is surrounded by another heating region.
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