JP2000147462A - Active matrix type liquid crystal display element - Google Patents

Active matrix type liquid crystal display element

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JP2000147462A
JP2000147462A JP36468099A JP36468099A JP2000147462A JP 2000147462 A JP2000147462 A JP 2000147462A JP 36468099 A JP36468099 A JP 36468099A JP 36468099 A JP36468099 A JP 36468099A JP 2000147462 A JP2000147462 A JP 2000147462A
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Japan
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liquid crystal
sub
pixel
pixels
molecules
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Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Asada
智 浅田
Mitsuhiro Uno
光宏 宇野
Yoneji Takubo
米治 田窪
Naomi Takada
尚美 高田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance the brightness of a display screen by specifying an angle to be formed by long axial directions of liquid crystal molecules in the intermediate layer of a liquid crystal layer and the boundary line between subpixels to prevent the generation of slipping offs of lights of the boundary part between the subpixels and to raise an opening ratio. SOLUTION: This active matrix type liquid crystal display device holds a liquid crystal layer between two sheets of insulated substrates placed opposite to each other and has plural pixels arranged in a matrix shape and each pixel is constituted of subpixels of at least two or more and a voltage control means impressing voltages whose magnitudes are different with each other is formed in each pixel. When the angle to be formed by the long axial directions of the liquid crystal melecules in the intermediate layer of liquid crystal layer and the boundary line between the subpixels is defined as ϕ, the ϕ does not include 0 deg. and the upper limit value of the ϕ is made to be 30 deg. so that the disturbance of the arrangement of the liquid molecules becomes small even when the arrangement of the liquid molecules of this part is affected by the inclined longitudinal electric field of the boundary part of the electrodes of the subpixels.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、AV・OA機器などの
平面ディスプレイとして用いることのできる液晶表示素
子のアクティブマトリックス型液晶表示素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device which can be used as a flat display of AV / OA equipment.

【0002】[0002]

【従来の技術】現在、液晶を用いた表示素子は、ビデオ
カメラのビューファインダーやポケットTVさらには高
精細投写型TV、パソコン、ワープロなどの情報表示端
末など種々の分野で応用されてきており、開発、商品化
が活発に行われている。その中で代表的なものとしてア
クティブマトリックス型の液晶表示素子があり、カラー
化、高画質化が実現できることから非常に注目されてい
る。その構造はマトリックス上に配置された画素電極に
それぞれスイッチ素子を設け、それらのスイッチ素子を
介して各画素電極に液晶の光学特性を制御する電気信号
を独立に供給する方式である。スイッチング素子として
は、薄膜トランジスタ(TFT)を用いたものが主流で
ある。このアクティブマトリックス型の方式は大容量の
表示を行っても高いコントラストが保たれるという大き
な特徴をもち、特に近年市場要望の極めて高い、ラップ
トップパソコンやノートパソコン、さらには、エンジニ
アリングワークステーション用の大型・大容量フルカラ
ーディスプレイの本命として開発、商品化が盛んであ
る。
2. Description of the Related Art At present, display devices using liquid crystals have been applied in various fields such as viewfinders of video cameras, pocket TVs, and information display terminals such as high-definition projection TVs, personal computers, and word processors. Active development and commercialization. Among them, a typical one is an active matrix type liquid crystal display element, which has attracted much attention because it can realize colorization and high image quality. The structure is such that a switching element is provided for each of the pixel electrodes arranged on the matrix, and an electric signal for controlling the optical characteristics of the liquid crystal is independently supplied to each pixel electrode via the switching elements. As a switching element, an element using a thin film transistor (TFT) is mainly used. This active matrix type has the major feature that high contrast is maintained even when a large-capacity display is performed. In particular, in recent years, the market demand has been extremely high, such as laptop computers, notebook computers, and even engineering workstations. Developed and commercialized as the favorite of large-capacity, large-capacity full-color displays.

【0003】この様なアクティブマトリックス方式の液
晶表示素子において、広く用いられている液晶表示モー
ドに、TN(Twisted Nematic)方式のNW(Normally
White)モードがある。TN方式は液晶層を狭持する
基板間で液晶分子が90゜捻れた構造をとるパネルを2
枚の偏光板によりはさんだものである。NWモードにお
いて2枚の偏光板は互いの偏光軸方向が直交し、一方の
偏光板はその偏光軸が一方の基板に接している液晶分子
の長軸方向と平行か垂直になるように配置されている。
この場合、電圧無印加または、しきい値電圧以下の電圧
において白表示、それより高い電圧を印加していくと、
徐々に光透過率が低下して黒表示となる。このような表
示特性が得られるのは、液晶パネルに電圧を印加すると
液晶分子は捻れ構造をほどきながら電界の向きに配列し
ようとし、この分子の配列状態により、パネルを透過し
てくる光の偏光状態が変わり、光の透過率が変調される
からである。しかし同じ分子配列状態でも、液晶パネル
に入射してくる光の入射方向によって透過光の偏光状態
は変化するので、入射方向に対応して光の透過率は異な
ってくる。すなわち液晶パネルの特性は視角依存性を持
つ。この視角特性は主視角方向(液晶層の中間層におけ
る液晶分子の長軸方向)に対し視点を斜めに傾けると輝
度の逆転現象を引き起こす。すなわち、この表示モード
の場合、ある電圧の時の表示輝度が、それより低い電圧
時の輝度より明るくなる現象をいい、特に黒表示のため
高電圧を印加した時の輝度逆転現象は、液晶パネルの画
質上、重要な課題となっている。
In such an active matrix type liquid crystal display device, a liquid crystal display mode widely used includes a TN (Twisted Nematic) type NW (Normally).
White) mode. In the TN mode, two panels having a structure in which liquid crystal molecules are twisted by 90 ° between substrates sandwiching a liquid crystal layer are used.
It is sandwiched between two polarizing plates. In the NW mode, the two polarizing plates are arranged so that their polarization axes are orthogonal to each other, and one of the polarizing plates is parallel or perpendicular to the long axis direction of the liquid crystal molecules in contact with one substrate. ing.
In this case, no voltage is applied, or white display is performed at a voltage lower than the threshold voltage, and when a higher voltage is applied,
The light transmittance gradually decreases, and the display becomes black. Such display characteristics are obtained because, when a voltage is applied to the liquid crystal panel, the liquid crystal molecules try to align in the direction of the electric field while untwisting the twisted structure. This is because the polarization state changes and the light transmittance is modulated. However, even in the same molecular alignment state, the polarization state of the transmitted light changes depending on the incident direction of the light incident on the liquid crystal panel, so that the light transmittance differs depending on the incident direction. That is, the characteristics of the liquid crystal panel have a viewing angle dependency. This viewing angle characteristic causes a luminance inversion phenomenon when the viewpoint is inclined obliquely to the main viewing angle direction (the major axis direction of the liquid crystal molecules in the intermediate layer of the liquid crystal layer). That is, in this display mode, a phenomenon in which the display luminance at a certain voltage becomes brighter than the luminance at a lower voltage, and in particular, the luminance reversal phenomenon when a high voltage is applied for a black display is caused by a liquid crystal panel. This is an important issue in terms of image quality.

【0004】この課題を解決するために、一つの画素電
極を複数の副画素に分割し、各副画素の液晶層に印加す
る電圧を各副画素間に具備された制御容量によって変化
させることによって、広い視野角で良好な多諧調表示を
させ視角特性を改善する方法(以下、画素分割法)が提
唱されている。この画素分割法の原理を簡単に説明す
る。図5は代表的な画素分割構成の等価回路である。図
に示すように画素が二つのの副画素に分割され、副画素
1(Clc1)には直接TFTのドレイン電極(D)が
接続されている。一方、副画素2(Clc2)は、制御
容量(Ccon)を介してドレイン電極(D)が接続さ
れている。したがって、TFTから供給された駆動電圧
(Vd)は、副画素1には同じ電圧値が供給されるが、
副画素2においては駆動電圧の一部が制御容量(Cco
n)に分割される。つまり、副画素1および副画素2に
供給される駆動電圧Vlc1およびVlc2は、それぞ
れ、Vlc1=VdVlc2=Vd*Ccon/(Cl
c2+Ccon)となり、明らかに、Vlc1>Vlc
2である。よって、主視角方向に視点を30゜傾けた場
合の駆動電圧−輝度特性は図6に示すように、副画素2
の特性は副画素1と同様に輝度反転を起こすものの、副
画素1と比較して高電圧側にシフトする。その結果、全
画素の駆動電圧−輝度特性は、二つの副画素の特性が合
成されたものとなり、従来観測された輝度反転現象はな
くなる。この様に画素分割法は、液晶表示素子の視野角
特性を改善する効果は大きい。
In order to solve this problem, one pixel electrode is divided into a plurality of sub-pixels, and a voltage applied to a liquid crystal layer of each sub-pixel is changed by a control capacitor provided between the sub-pixels. There has been proposed a method (hereinafter, referred to as a pixel division method) for improving a viewing angle characteristic by displaying a good multi-tone display with a wide viewing angle. The principle of this pixel division method will be briefly described. FIG. 5 is an equivalent circuit of a typical pixel division configuration. As shown in the figure, the pixel is divided into two sub-pixels, and the drain electrode (D) of the TFT is directly connected to the sub-pixel 1 (Clc1). On the other hand, the drain electrode (D) is connected to the sub-pixel 2 (Clc2) via the control capacitor (Ccon). Accordingly, the same voltage value is supplied to the sub-pixel 1 as the driving voltage (Vd) supplied from the TFT,
In the sub-pixel 2, a part of the driving voltage is controlled by the control capacitance (Cco
n). That is, the driving voltages Vlc1 and Vlc2 supplied to the sub-pixel 1 and the sub-pixel 2 are Vlc1 = VdVlc2 = Vd * Ccon / (Cl
c2 + Ccon), and clearly, Vlc1> Vlc
2. Therefore, the driving voltage-luminance characteristic when the viewpoint is inclined by 30 ° in the main viewing angle direction is, as shown in FIG.
The characteristic of (1) causes luminance inversion similarly to the sub-pixel 1, but shifts to a higher voltage side as compared with the sub-pixel 1. As a result, the driving voltage-luminance characteristics of all the pixels are obtained by combining the characteristics of the two sub-pixels, and the conventionally observed luminance inversion phenomenon disappears. As described above, the pixel division method has a great effect of improving the viewing angle characteristics of the liquid crystal display device.

【0005】この画素分割法を用いた液晶表示素子の例
として特開平5−289108「液晶表示装置及びその
製造方法」を挙げ、これに用いられている薄膜トランジ
スタ基板の平面構成を図7−(a)、また一点鎖線b−
b’における液晶表示素子の断面図を図7−(b)に示
す。複数の走査線(ゲート線)16と複数の信号線(ソ
ース線)17の各交差点に対応して副画素電極2a,2
bと薄膜トランジスタ(TFT)とが形成されている。
この副画素電極2a,2bとの間には制御容量19が具
備されており、この制御容量19は副画素電極2a,2
bと、制御容量電極20とで形成されている。図bにお
いて、4は第1絶縁体層を示し、ゲート絶縁膜として働
く。また6は第二絶縁体層を示す。そして液晶分子を所
定の方向に配列させるため、このアレイ基板1と、透明
電極膜11と遮光帯12が積層された対向基板13とに
配向膜を塗布した後、ラビング処理を施す。この二枚の
基板を数μmのギャップを保つように貼り合わせ、その
間に液晶を注入する。作製した液晶セルの両平面の外側
にに偏光板を各々一枚づつ貼り、そしてその一方にバッ
クライト(光源)を配置する。
As an example of a liquid crystal display device using this pixel division method, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-289108, "Liquid Crystal Display Device and Manufacturing Method Thereof," is shown, and a plan view of a thin film transistor substrate used therein is shown in FIG. ), And the alternate long and short dash line b-
FIG. 7B is a cross-sectional view of the liquid crystal display device at b ′. The sub-pixel electrodes 2a, 2a correspond to the respective intersections of the plurality of scanning lines (gate lines) 16 and the plurality of signal lines (source lines) 17.
b and a thin film transistor (TFT) are formed.
A control capacitor 19 is provided between the sub-pixel electrodes 2a and 2b.
b and the control capacitor electrode 20. In FIG. B, reference numeral 4 denotes a first insulator layer, which functions as a gate insulating film. Reference numeral 6 denotes a second insulator layer. Then, in order to arrange the liquid crystal molecules in a predetermined direction, an alignment film is applied to the array substrate 1 and the opposite substrate 13 on which the transparent electrode film 11 and the light-shielding band 12 are laminated, and then a rubbing process is performed. The two substrates are bonded so as to keep a gap of several μm, and a liquid crystal is injected between them. Polarizing plates are attached one by one to the outside of both planes of the manufactured liquid crystal cell, and a backlight (light source) is arranged on one of the polarizing plates.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この画
素分割法を用いた液晶表示素子は画素電極領域の分割方
向の差異により応答特性が悪化する問題が生じる。例と
して液晶中間層の液晶分子の長軸方向と副画素間の境界
線方向が平行な場合を図8に示し、説明する。図a、図
bは図7のTFT基板において一点鎖線c−c’で示す
副画素電極間の境界部分の断面図と平面図であり、液晶
分子18は液晶層の中間層での状態を示している。図
(1)は白表示、図(4)は黒表示、そして図(2)、
図(3)は順に白表示と黒表示の間の過渡状態を表して
いおり、液晶分子18が電界に対して配列していく様子
を表している。図8−(1)の様に、白表示の場合、中
間層の液晶分子18は対向電極19に対して数度の角度
(チルト角)をもって配列している。印加電圧を黒表示
に切り換えると画素電極上の液晶分子18は、副画素電
極2a,2bと対向電極19との間の電界によって、こ
のチルト角が徐々に急勾配になって立ち上がる。一方、
図8−(2)の破線に示すように、副画素電極2a,2
bの境界部分に斜めの縦電界が発生し、この部分の液晶
分子18の配列が影響を受ける。この結果、図8−
(2)、(3)の様に斜めの縦電界に沿って配列した部
分は他の部分と逆の配列となり、その境では光抜けが起
こり、白く光ってしまう。しかし、すぐに周りの正常な
配列の分子の弾性的な影響によって、図8−(4)のよ
うに逆配列のドメインは消滅し、黒表示になる。この様
に、印加電圧を白表示から黒表示に切り換えても、完全
に黒表示になるまで時間差が生じる。このため応答特性
が悪化し、表示画像では残像となって見える。これを解
決するため、制御容量電極を不透明材料を用いて形成す
ると、副画素間の部分が遮光され、応答特性は改善す
る。しかし制御容量電極の分だけ透過光が減少、すなわ
ち開口率(全画素における光透過部の面積比)が低くな
り、表示輝度が暗くなるという問題が生じる。
However, the liquid crystal display element using this pixel division method has a problem that the response characteristics are deteriorated due to the difference in the division direction of the pixel electrode region. As an example, FIG. 8 shows a case where the major axis direction of the liquid crystal molecules of the liquid crystal intermediate layer and the direction of the boundary line between the sub-pixels are parallel to each other. 7A and 7B are a cross-sectional view and a plan view of a boundary portion between sub-pixel electrodes indicated by a dashed line cc ′ in the TFT substrate of FIG. 7, and show a state of liquid crystal molecules 18 in an intermediate layer of a liquid crystal layer. ing. FIG. 1 shows a white display, FIG. 4 shows a black display, and FIG.
FIG. 3C illustrates a transition state between white display and black display in order, and illustrates a state where the liquid crystal molecules 18 are arranged with respect to the electric field. As shown in FIG. 8A, in the case of white display, the liquid crystal molecules 18 in the intermediate layer are arranged at an angle (tilt angle) of several degrees with respect to the counter electrode 19. When the applied voltage is switched to black display, the tilt angle of the liquid crystal molecules 18 on the pixel electrode rises gradually due to the electric field between the sub-pixel electrodes 2 a and 2 b and the counter electrode 19. on the other hand,
As shown by the broken lines in FIG. 8- (2), the sub-pixel electrodes 2a, 2a
An oblique vertical electric field is generated at the boundary portion b, and the arrangement of the liquid crystal molecules 18 in this portion is affected. As a result, FIG.
The portions arranged along the oblique vertical electric field as in (2) and (3) have an arrangement opposite to that of the other portions, and at that boundary, light leakage occurs and the device shines white. However, due to the elastic influence of the surrounding normal sequence molecules, the reverse sequence domain disappears immediately as shown in FIG. As described above, even if the applied voltage is switched from white display to black display, there is a time lag until the display completely becomes black. For this reason, the response characteristic deteriorates, and the displayed image appears as an afterimage. In order to solve this, if the control capacitor electrode is formed using an opaque material, the portion between the sub-pixels is shielded from light, and the response characteristic is improved. However, there is a problem in that transmitted light decreases by the amount of the control capacitor electrode, that is, the aperture ratio (area ratio of the light transmitting portion in all pixels) decreases, and the display luminance decreases.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために本発明のアクティブマトリックス型液晶表示素子
は、対向する二枚の絶縁基板に液晶層を狭持し、複数の
マトリックス状に配置された画素を有し、各画素が少な
くとも二つ以上の副画素により構成され、各画素には、
互いに異なる大きさの電圧を印加する電圧制御手段を形
成してなり、副画素の電極の境界部分の斜めの縦電界
で、この部分の液晶分子の配列が影響を受けても、液晶
分子の配列の乱れが小さくなるように、液晶層の中間層
における液晶分子の長軸方向と、副画素間の境界線とが
成す角度をφとするとき、φは0°を含まず、そのφの
上限値を30°とする。また、各副画素の全部または一
部の副画素に、各副画素が形成する液晶容量と直列に、
異なる大きさの制御容量を形成されることによって、電
圧制御手段とする。また、変調信号が供給される制御電
極と前記各副画素電極間に、異なる大きさの制御容量を
形成されることによって、前記電圧制御手段とする。
In order to solve the above-mentioned problems, an active matrix type liquid crystal display device of the present invention has a liquid crystal layer sandwiched between two opposing insulating substrates and is arranged in a plurality of matrixes. Each pixel is composed of at least two or more sub-pixels, and each pixel has
Voltage control means for applying voltages of different magnitudes is formed. Even if the arrangement of liquid crystal molecules in this portion is affected by the oblique vertical electric field at the boundary between the sub-pixel electrodes, the arrangement of the liquid crystal molecules is affected. When the angle between the major axis direction of the liquid crystal molecules in the intermediate layer of the liquid crystal layer and the boundary line between the sub-pixels is φ so that the disturbance of φ is small, φ does not include 0 ° and the upper limit of φ The value is 30 °. In addition, all or some of the sub-pixels are connected in series with a liquid crystal capacitor formed by each sub-pixel,
By forming control capacitances of different sizes, it becomes voltage control means. The voltage control means is formed by forming control capacitors of different sizes between a control electrode to which a modulation signal is supplied and each of the sub-pixel electrodes.

【0008】例として図9に示すように、液晶層の中間
層における液晶分子の長軸方向と、副画素電極の分割方
向を平行(図9−(1))にすることにより、副画素電
極2a,2bと対向電極19間に生ずる斜めの縦電界の
方向と液晶分子21の長軸方向の成す角度が90゜とな
る。これため図9−(2)、(3)のように液晶分子が
斜めの縦電界の影響を受けても、配列の乱れは小さく、
光抜けが発生するには至らない。
As an example, as shown in FIG. 9, by setting the major axis direction of the liquid crystal molecules in the intermediate layer of the liquid crystal layer and the dividing direction of the sub-pixel electrode to be parallel (FIG. 9- (1)), The angle between the direction of the oblique vertical electric field generated between 2a and 2b and the counter electrode 19 and the major axis direction of the liquid crystal molecules 21 is 90 °. Therefore, even if the liquid crystal molecules are affected by the oblique vertical electric field as shown in FIGS.
Light leakage does not occur.

【0009】それによって、本発明は、上記した液晶表
示素子の問題点を抜本的に解決することができ、残像が
無く、表示輝度の高い液晶表示素子を提供しようとす
る。
Accordingly, the present invention is able to drastically solve the above-mentioned problems of the liquid crystal display element, and aims to provide a liquid crystal display element having no display image and high display luminance.

【0010】[0010]

【実施の形態】以下、本発明に関わる具体的な実施の形
態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1
は本発明を説明するため第1の参考例の液晶表示素子に
用いた薄膜トランジスタアレイ基板のTFT画素部の平
面構成概略図を示したものである。また図(b)は図
(a)の一点鎖線a−a’における液晶表示素子の断面
図である。本第1の参考例では、図1に示すように副画
素電極2a、2bをスパッタリング法によって堆積させ
たITO(InOx−SnOx)を用いてアレイ基板1
上にパターン形成した。ここで副画素電極2a、2bの
境界線は所定の一方向の直線で構成される。クロムを用
いてゲート電極3aを形成した後、TFTのゲート絶縁
膜として働く第1絶縁体層4として窒化シリコン(Si
Nx)をその上に積層させる。次に、TFTのスイッチ
機能を司る半導体層5をプラズマCVD法によってアモ
ルファスシリコン(α−Si)を積層させる。6は第2
絶縁体層であり、窒化シリコン(SiNx)をパターン
化した。その後第1絶縁体層4と半導体層5をドライエ
ッチングすることによって開口部7a、7bを設け副画
素電極2aの一部が露出されることになる。次にスパッ
タリング法によって堆積させたチタン/アルミニウム
(Ti/Al)の二層を用い、ソース電極8a、ドレイ
ン電極8b、蓄積容量電極8d、および制御容量電極8
eを同時にパターン形成する。またこれと同時に半導体
層5がエッチングされる。この時開口部7aを介して、
副画素電極2aとドレイン電極8bが結合し、また同様
に開口部7bを介して、副画素電極2aと蓄積容量電極
8dが結合する。そして、制御容量電極8eと副画素電
極2bとの間で制御容量9aが形成され、前段のゲート
電極3aと蓄積容量電極8dとの間に蓄積容量10が形
成される。なおこの蓄積容量10は画素に供給された電
圧の保持特性するために設けられる。このように完成し
た薄膜トランジスタアレイ基板と透明電極膜11と遮光
帯12が積層された対向基板13に配向膜を塗布し、液
晶中間層の液晶分子の長軸方向と副画素間の境界線とが
平行になるように、図の方向にラビング処理を行う。そ
の後、約5μmのギャップを形成して貼り合わせ、その
間に液晶を注入して液晶表示素子を作製する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, specific embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG.
FIG. 1 is a schematic plan view of a TFT pixel portion of a thin film transistor array substrate used for a liquid crystal display element of a first reference example for explaining the present invention. FIG. 2B is a cross-sectional view of the liquid crystal display device taken along a dashed line aa ′ in FIG. In the first reference example, as shown in FIG. 1, the array substrate 1 is formed using ITO (InOx-SnOx) in which the sub-pixel electrodes 2a and 2b are deposited by a sputtering method.
Patterned on top. Here, the boundary line between the sub-pixel electrodes 2a and 2b is formed by a straight line in one predetermined direction. After the gate electrode 3a is formed using chromium, silicon nitride (Si) is used as the first insulator layer 4 serving as a gate insulating film of the TFT.
Nx) is laminated thereon. Next, amorphous silicon (α-Si) is laminated on the semiconductor layer 5 that controls the switching function of the TFT by a plasma CVD method. 6 is the second
It was an insulator layer and was patterned with silicon nitride (SiNx). Thereafter, the first insulator layer 4 and the semiconductor layer 5 are dry-etched to provide openings 7a and 7b, thereby exposing a part of the sub-pixel electrode 2a. Next, a source electrode 8a, a drain electrode 8b, a storage capacitor electrode 8d, and a control capacitor electrode 8 are formed using two layers of titanium / aluminum (Ti / Al) deposited by a sputtering method.
e is simultaneously patterned. At the same time, the semiconductor layer 5 is etched. At this time, through the opening 7a,
The sub-pixel electrode 2a and the drain electrode 8b are coupled, and the sub-pixel electrode 2a and the storage capacitor electrode 8d are similarly coupled via the opening 7b. Then, a control capacitor 9a is formed between the control capacitor electrode 8e and the sub-pixel electrode 2b, and a storage capacitor 10 is formed between the preceding gate electrode 3a and the storage capacitor electrode 8d. Note that the storage capacitor 10 is provided for maintaining characteristics of the voltage supplied to the pixel. An alignment film is applied to the thin film transistor array substrate thus completed, the opposite substrate 13 on which the transparent electrode film 11 and the light-shielding band 12 are laminated, and the long axis direction of the liquid crystal molecules of the liquid crystal intermediate layer and the boundary between the sub-pixels are aligned. A rubbing process is performed in the direction shown in the figure so that the rubbing process is parallel. Thereafter, a gap of about 5 μm is formed and bonded, and a liquid crystal is injected between them to manufacture a liquid crystal display element.

【0011】この液晶表示素子の点灯画像検査を行った
ところ、副画素間の境界部分には光抜けは発生せず、遮
光帯を設ける必要がないので表示画面の明るい高品質の
液晶表示素子を作製できる。
When the lighting image inspection of this liquid crystal display element was performed, no light leakage occurred at the boundary between the sub-pixels, and there was no need to provide a light-shielding band. Can be made.

【0012】次に本発明に関わる実施の形態1につい
て、図面を参照しながら説明する。図2は本発明の実施
の形態1の液晶表示素子に用いた薄膜トランジスタアレ
イ基板のTFT画素部の平面構成概略図を示したもので
ある。本実施の形態1では、副画素電極2a、2bをス
パッタリング法によって堆積させたITO(InOx−
SnOx)を用いてアレイ基板1上に図2のような形状
にパターン形成した。その他の薄膜トランジスタアレイ
基板および液晶表示素子の作製方法は第1の参考例と全
く同じである。ここで副画素間の境界線は液晶中間層の
液晶分子の長軸方向と30゜の角度を形成している。
Next, a first embodiment according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a schematic plan view of a TFT pixel portion of a thin film transistor array substrate used for the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention. In the first embodiment, ITO (InOx−) in which the sub-pixel electrodes 2a and 2b are deposited by a sputtering method is used.
Using SnOx), a pattern was formed on the array substrate 1 in a shape as shown in FIG. Other manufacturing methods of the thin film transistor array substrate and the liquid crystal display element are exactly the same as those of the first embodiment. Here, the boundary line between the sub-pixels forms an angle of 30 ° with the long axis direction of the liquid crystal molecules of the liquid crystal intermediate layer.

【0013】この液晶表示素子の点灯画像検査を行った
ところ、参考例と同様に、高品質の液晶表示素子を作製
することができた。また副画素間の境界線と液晶中間層
の液晶分子の長軸方向とが形成する角度(φ)を変化さ
せて液晶表示素子を作製したところ、0゜≦φ≦45゜
の範囲において、光抜けが発生しないことが判明した。
When a lighting image inspection of this liquid crystal display element was performed, a high quality liquid crystal display element could be manufactured as in the reference example. When a liquid crystal display element was manufactured by changing the angle (φ) formed between the boundary between the sub-pixels and the major axis direction of the liquid crystal molecules in the liquid crystal intermediate layer, the light intensity was 0 ° ≦ φ ≦ 45 °. It was found that no omission occurred.

【0014】次に本発明に関わる第2の参考例について
説明する。図3は第2の参考例の液晶表示素子に用いた
薄膜トランジスタアレイ基板のTFT画素部の平面構成
概略図を示したものである。薄膜トランジスタアレイ基
板および液晶表示素子の作製方法は第1の参考例と全く
同じである。しかし、画素電極2a,2bに対して各々
ドレイン電極8b,8cと制御容量電極8e,8fが形
成される構成とした。この等価回路を図4に示す。制御
容量(Cst1、Cst2)9a,9bは各々画素容量(Clc1、Cl
c2)と並列に形成されており、n−1番走査線14と電
気的に接続されている。そしてn番走査線15に接続し
ている寄生容量(Cgd1、Cgd2)はドレイン電極8b,8
cとn番走査線15との間に形成されている。同じく図
4にn−1、n番目の走査線に印加する信号波形を示
す。TFTのオン電位Vgt、TFTのオフ電位Vg
b、補償電位Vge(+)およびVge(−)の四電位
から成り、補償電位Vge(+)およびVge(−)は
走査線1本ごとに交互に印加される。これにより、TF
Tがオンになった瞬間の画素電極の電位Vsは、その後
寄生容量(Cgd)を介するn番走査線15の電位変化-(Vgt
-Vgb)*Cgd/(Cgd+Cst+Clc)と、蓄積容量(Cst)を介するn
−1番走査線14の電位変化+(Vgb-Vge(-))*Cgd/(Cgd+C
st+Clc)との影響を受ける。このため、画素電圧Vlc
は、対向電位Vcomより画素電極電位が高い場合をV
lc(+)、低い場合をVlc(−)とすると、 Vlc(+)=Vs+[Cst*(Vgb-Vge(-))-Cgd*(Vgt-Vgb)]/Ctot-Vc
om Vlc(-)=Vs-[Cst*(Vge(+)-Vgb)+Cgd*(Vgbt-Vgb)]/Ctot-V
comとなる。ここでCtot=Cgd+Cst+Clcである。従って、C
st/CtotまたはCgd/Ctotを副画素ごとに異なる値に設定
すると、副画素電極2a,2bが構成する副画素の液晶
印加電圧Vlc1,Vlc2を、異なる値にすることが
可能となる。
Next, a second embodiment according to the present invention will be described. FIG. 3 is a schematic plan view of a TFT pixel portion of a thin film transistor array substrate used for a liquid crystal display device of a second reference example. The method of manufacturing the thin film transistor array substrate and the liquid crystal display element is exactly the same as in the first reference example. However, the drain electrodes 8b and 8c and the control capacitance electrodes 8e and 8f are formed for the pixel electrodes 2a and 2b, respectively. This equivalent circuit is shown in FIG. The control capacitors (Cst1, Cst2) 9a and 9b are respectively pixel capacitors (Clc1, Cl1).
It is formed in parallel with c2) and is electrically connected to the (n-1) th scanning line 14. The parasitic capacitances (Cgd1, Cgd2) connected to the n-th scanning line 15 correspond to the drain electrodes 8b, 8g.
It is formed between the c-th and n-th scanning lines 15. Similarly, FIG. 4 shows signal waveforms applied to the (n-1) th and nth scanning lines. TFT on-potential Vgt, TFT off-potential Vg
b, four potentials of compensation potentials Vge (+) and Vge (-), and the compensation potentials Vge (+) and Vge (-) are applied alternately for each scanning line. Thereby, TF
The potential Vs of the pixel electrode at the moment when T is turned on is the potential change of the n-th scanning line 15 through the parasitic capacitance (Cgd) − (Vgt
-Vgb) * Cgd / (Cgd + Cst + Clc) and n via the storage capacity (Cst)
-1 potential change of scanning line 14+ (Vgb-Vge (-)) * Cgd / (Cgd + C
st + Clc). Therefore, the pixel voltage Vlc
Is V when the pixel electrode potential is higher than the counter potential Vcom.
Vlc (+) = Vs + [Cst * (Vgb-Vge (-))-Cgd * (Vgt-Vgb)] / Ctot-Vc
om Vlc (-) = Vs- [Cst * (Vge (+)-Vgb) + Cgd * (Vgbt-Vgb)] / Ctot-V
com. Here, Ctot = Cgd + Cst + Clc. Therefore, C
When st / Ctot or Cgd / Ctot is set to a different value for each sub-pixel, the liquid crystal application voltages Vlc1 and Vlc2 of the sub-pixels formed by the sub-pixel electrodes 2a and 2b can be set to different values.

【0015】第2の参考例については、Cst1とCs
t2、そしてClc1とClc2が異なっていることに
よって、それが可能となる。以上の構成と駆動方法によ
り、第1の参考例、実施の形態1に用いた画素分割法と
同様の効果が得られる。
For the second reference example, Cst1 and Cs1
This is made possible by the difference between t2 and Clc1 and Clc2. With the above configuration and driving method, the same effect as the pixel division method used in the first reference example and the first embodiment can be obtained.

【0016】この薄膜トランジスタアレイ基板を用いた
液晶表示素子に関して、画素電極2a、2bの境界線と
液晶中間層の液晶分子の長軸方向とが形成する角度
(φ)を変化させしたところ、0゜≦φ≦45゜の範囲
において、光抜けが発生しないことが判明し、第1の参
考例と同様に、高品質の液晶表示素子を作製することが
できた。
With respect to the liquid crystal display device using this thin film transistor array substrate, when the angle (φ) formed between the boundary between the pixel electrodes 2a and 2b and the major axis direction of the liquid crystal molecules in the liquid crystal intermediate layer was changed, the angle was 0 °. It was found that light leakage did not occur in the range of ≦ φ ≦ 45 °, and a high-quality liquid crystal display element could be manufactured as in the first reference example.

【0017】なお本発明は画素領域を二つの副画素に分
割する構成だけでなく、三つ以上に分割する構成におい
ても採用することができる。また副画素間の全境界線で
はなく、副画素間の大部分の境界線と液晶中間層の液晶
分子の長軸方向とが成す角度φは0°を含まず、そのφ
の上限値を30°ならば、本発明は有効である。
The present invention can be employed not only in a configuration in which a pixel region is divided into two sub-pixels, but also in a configuration in which the pixel region is divided into three or more. In addition, the angle φ formed by the major axis direction of the liquid crystal molecules in the liquid crystal intermediate layer and not the entire boundary line between the subpixels and the major axis direction of the liquid crystal molecules in the liquid crystal intermediate layer does not include 0 °.
The present invention is effective if the upper limit of the angle is 30 °.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
素子は、広視角を実現できる画素分割構成のアクティブ
マトリックス型液晶表示素子において、簡易な構成かつ
従来と同じ作製工程によって、画像品質上の課題である
副画素間の境界部分の光抜けの発生を防止することがで
き、副画素間の境界部分に遮光帯を設ける必要がないの
で開口率が上昇し、表示画面の明るさを向上することが
できる。
As described above, the liquid crystal display device according to the present invention can be used in an active matrix type liquid crystal display device having a pixel division structure capable of realizing a wide viewing angle, with a simple structure and the same manufacturing process as in the prior art, in terms of image quality. It is possible to prevent light leakage at the boundary between the sub-pixels, which is a problem of the above, and it is not necessary to provide a light-shielding band at the boundary between the sub-pixels, so that the aperture ratio is increased and the brightness of the display screen is improved. can do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)は本発明の第1の参考例の液晶表示素子
の薄膜トランジスタ基板の構成を示す平面図 (b)は同断面図
FIG. 1A is a plan view showing a configuration of a thin film transistor substrate of a liquid crystal display element according to a first reference example of the present invention; FIG.

【図2】本発明の実施の形態1の液晶表示素子の薄膜ト
ランジスタ基板の構成を示す平面図
FIG. 2 is a plan view showing a configuration of a thin film transistor substrate of the liquid crystal display element according to Embodiment 1 of the present invention.

【図3】本発明の第2の参考例の液晶表示素子の薄膜ト
ランジスタ基板の構成を示す平面図
FIG. 3 is a plan view showing a configuration of a thin film transistor substrate of a liquid crystal display element according to a second reference example of the present invention.

【図4】本発明の第2の参考例の液晶表示素子の等価回
路図
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal display element according to a second reference example of the present invention.

【図5】画素分割法を行ったTFT液晶表示素子の一画
素の等価回路図
FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a TFT liquid crystal display element subjected to a pixel division method.

【図6】画素分割法を行ったTFT液晶表示素子の主視
角方向に30゜視点を傾けた時の輝度−駆動電圧特性図
FIG. 6 is a luminance-driving voltage characteristic diagram of the TFT liquid crystal display element subjected to the pixel division method when the viewpoint is inclined at 30 ° in the main viewing angle direction.

【図7】(a)は従来の液晶表示素子の薄膜トランジス
タ基板の構成を示す平面図 (b)は同断面図
FIG. 7A is a plan view showing a configuration of a thin film transistor substrate of a conventional liquid crystal display element, and FIG.

【図8】(a)は液晶層中間層の液晶分子の長軸方向と
副画素間の境界線とが垂直な場合の、駆動電圧印加時に
おける液晶中間層の液晶分子の様子を示す、図7一点鎖
線c−c’部分の断面図 (b)は同平面図
FIG. 8A is a diagram illustrating a state of liquid crystal molecules in a liquid crystal intermediate layer when a driving voltage is applied, in a case where a major axis direction of liquid crystal molecules in the liquid crystal layer intermediate layer and a boundary line between sub-pixels are perpendicular to each other. 7 Cross-sectional view taken along dashed-dotted line cc '.

【図9】(a)は液晶層中間層の液晶分子の長軸方向と
副画素の境界線とが平行な場合の、駆動電圧印加時にお
ける液晶中間層の液晶分子の様子を示す、断面図 (b)は同平面図
FIG. 9A is a cross-sectional view illustrating a state of the liquid crystal molecules of the liquid crystal intermediate layer when a driving voltage is applied when the major axis direction of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer intermediate layer and the boundary line of the sub-pixel are parallel. (B) is the same plan view

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 アレイ基板 2a 画素電極 2b 画素電極 3 ゲート電極 4 第1絶縁体層 5 半導体層 6 第2絶縁体層 7a 開口部 7b 開口部 8a ソース電極 8b ドレイン電極 8c ドレイン電極 8d 蓄積容量電極 8e 制御容量電極 8f 制御容量電極 9a 制御容量 9b 制御容量 10 蓄積容量 11 透明電極膜 12 遮光帯 13 対向基板 14 n−1番走査線 15 n番走査線 16 走査線(ゲート線) 17 信号線(ソース線) 18 液晶分子 19 対向電極 Reference Signs List 1 array substrate 2a pixel electrode 2b pixel electrode 3 gate electrode 4 first insulator layer 5 semiconductor layer 6 second insulator layer 7a opening 7b opening 8a source electrode 8b drain electrode 8c drain electrode 8d storage capacitor electrode 8e control capacitor electrode 8f Control capacitor electrode 9a Control capacitor 9b Control capacitor 10 Storage capacitor 11 Transparent electrode film 12 Shielding band 13 Counter substrate 14 n-1st scan line 15 nth scan line 16 Scan line (gate line) 17 Signal line (source line) 18 Liquid crystal molecules 19 Counter electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田窪 米治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 高田 尚美 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Yoneharu Takubo 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 対向する二枚の絶縁基板に液晶層を狭持
し、複数のマトリックス状に配置された画素を有し、前
記各画素が少なくとも二つ以上の副画素により構成さ
れ、前記各画素には、互いに異なる大きさの電圧を印加
する電圧制御手段を形成してなるアクティブマトリック
ス型液晶表示素子であって、前記副画素の電極の境界部
分の斜めの縦電界で、この部分の液晶分子の配列が影響
を受けても、液晶分子の配列の乱れが小さくなるよう
に、前記液晶層の中間層における液晶分子の長軸方向
と、前記副画素間の境界線とが成す角度をφとすると
き、φは0°を含まず、そのφの上限値を30°とする
ことを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示素
子。
A liquid crystal layer is sandwiched between two opposing insulating substrates, and has a plurality of pixels arranged in a matrix. Each pixel is composed of at least two or more sub-pixels. The pixel is an active matrix type liquid crystal display element in which voltage control means for applying voltages of different magnitudes to each other are formed, and the liquid crystal in this portion is formed by an oblique vertical electric field at the boundary between the sub-pixel electrodes. Even if the arrangement of the molecules is affected, the angle formed by the major axis direction of the liquid crystal molecules in the intermediate layer of the liquid crystal layer and the boundary between the sub-pixels is φ so that the disturbance of the arrangement of the liquid crystal molecules is reduced. Wherein φ does not include 0 °, and the upper limit value of φ is set to 30 °.
【請求項2】 対向する二枚の絶縁基板に液晶層を狭持
し、複数のマトリックス状に配置された画素を有し、前
記各画素が少なくとも二つ以上の副画素により構成さ
れ、前記各画素には、互いに異なる大きさの電圧を印加
する電圧制御手段を形成してなるアクティブマトリック
ス型液晶表示素子であって、前記副画素の電極の境界部
分の斜めの縦電界で、この部分の液晶分子の配列が影響
を受けても、液晶分子の配列の乱れが小さくなるよう
に、前記液晶層の中間層における液晶分子の長軸方向
と、前記副画素間の境界線とが成す角度をφとすると
き、φは0°を含まず、そのφの上限値を30°とし、
さらに前記各副画素の全部または一部の副画素に、前記
各副画素が形成する液晶容量と直列に、異なる大きさの
制御容量を形成されることによって、前記電圧制御手段
とすることを特徴とするアクティブマトリックス型液晶
表示素子。
2. A liquid crystal layer sandwiched between two opposing insulating substrates, comprising a plurality of pixels arranged in a matrix, wherein each of said pixels is composed of at least two or more sub-pixels. The pixel is an active matrix type liquid crystal display element in which voltage control means for applying voltages of different magnitudes to each other are formed, and the liquid crystal in this portion is formed by an oblique vertical electric field at the boundary between the sub-pixel electrodes. Even if the arrangement of the molecules is affected, the angle formed by the major axis direction of the liquid crystal molecules in the intermediate layer of the liquid crystal layer and the boundary between the sub-pixels is φ so that the disturbance of the arrangement of the liquid crystal molecules is reduced. Does not include 0 °, the upper limit value of φ is 30 °,
Further, a control capacitor of a different size is formed in all or a part of each of the sub-pixels in series with a liquid crystal capacitor formed by each of the sub-pixels, thereby providing the voltage control means. Active matrix type liquid crystal display device.
【請求項3】 対向する二枚の絶縁基板に液晶層を狭持
し、複数のマトリックス状に配置された画素を有し、前
記各画素が少なくとも二つ以上の副画素により構成さ
れ、前記各画素には、互いに異なる大きさの電圧を印加
する電圧制御手段を形成してなるアクティブマトリック
ス型液晶表示素子であって、前記副画素の電極の境界部
分の斜めの縦電界で、この部分の液晶分子の配列が影響
を受けても、液晶分子の配列の乱れが小さくなるよう
に、前記液晶層の中間層における液晶分子の長軸方向
と、前記副画素間の境界線とが成す角度をφとすると
き、φは0°を含まず、そのφの上限値を30°とし、
さらに変調信号が供給される制御電極と前記各副画素電
極間に、異なる大きさの制御容量を形成されることによ
って、前記電圧制御手段とすることを特徴とするアクテ
ィブマトリックス型液晶表示素子。
3. A liquid crystal layer sandwiched between two opposing insulating substrates, a plurality of pixels arranged in a matrix, and each pixel is constituted by at least two or more sub-pixels. The pixel is an active matrix type liquid crystal display element in which voltage control means for applying voltages of different magnitudes to each other are formed, and the liquid crystal in this portion is formed by an oblique vertical electric field at the boundary between the sub-pixel electrodes. Even if the arrangement of the molecules is affected, the angle formed by the major axis direction of the liquid crystal molecules in the intermediate layer of the liquid crystal layer and the boundary between the sub-pixels is φ so that the disturbance of the arrangement of the liquid crystal molecules is reduced. Does not include 0 °, the upper limit value of φ is 30 °,
An active matrix type liquid crystal display device, wherein a control capacitor of a different size is formed between a control electrode to which a modulation signal is supplied and each of the sub-pixel electrodes, thereby serving as the voltage control means.
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