JP2000138204A - Etching method for metal film - Google Patents
Etching method for metal filmInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路を
製造する場合等に用いられる金属膜のエッチング方法に
関し、特に、金属膜の上にチタン系の反射防止膜が形成
されている場合におけるプラズマエッチング方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for etching a metal film used for manufacturing a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a method for etching a metal film on which a titanium-based antireflection film is formed. It relates to an etching method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路の金属配線等を形成する
場合、プラズマエッチングが広く一般に採用されてい
る。また、例えばアルミニウム膜（Ａｌ膜）やフルミニ
ウム合金膜（Ａｌ合金膜）、銅膜（Ｃｕ膜）をプラズマ
エッチングする場合、エッチングガスとしてＣｌ2やＢ
Ｃｌ3、ＣＣｌ4のようなＣｌ原子を含むガスを用いるの
が一般的である。2. Description of the Related Art When forming metal wiring and the like of a semiconductor integrated circuit, plasma etching is widely and generally employed. For example, when plasma etching is performed on an aluminum film (Al film), a flunium alloy film (Al alloy film), and a copper film (Cu film), Cl 2 or B is used as an etching gas.
In general, a gas containing Cl atoms, such as Cl 3 and CCl 4 , is used.
【０００３】一方、金属膜のプラズマエッチングにおい
ては、マスク材料として主にフォトレジストが使用さ
れ、金属膜とフォトレジスト膜との間にはＴｉＮ膜等の
Ｔｉ系膜が反射防止膜として形成される場合がある。On the other hand, in plasma etching of a metal film, a photoresist is mainly used as a mask material, and a Ti-based film such as a TiN film is formed as an antireflection film between the metal film and the photoresist film. There are cases.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属
膜、Ｔｉ系の反射防止膜、フォトレジスト膜が順に形成
されている基板に対し、Ｃｌ含有ガスをエッチングガス
として用いて金属膜をドライエッチングする従来方法で
は、反射防止膜に隣接する金属膜の一部にノッチが形成
されたり残渣が生じたりするというエッチング特性の低
下がみられ、場合によっては配線形状の維持も困難とな
っていた。However, dry etching of a metal film on a substrate on which a metal film, a Ti-based antireflection film, and a photoresist film are sequentially formed using a Cl-containing gas as an etching gas is performed. In the method, notch is formed or a residue is generated in a part of the metal film adjacent to the anti-reflection film, so that the etching characteristics are deteriorated. In some cases, it is difficult to maintain the wiring shape.
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みて為され
たものであり、その目的は、金属膜をプラズマエッチン
グする場合において、ノッチ形成や残渣の発生を抑制す
ることのできる手段を提供することにある。The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a means capable of suppressing notch formation and generation of residues when plasma etching a metal film. It is in.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、Ａｌ、Ａｌ合金又はＣｕから成る金属
膜、その上にＴｉ系の反射防止膜、更にその上にフォト
レジスト膜が形成されている被処理基板を処理チャンバ
内に配置し、前記処理チャンバ内を所定圧力に減圧し、
前記処理チャンバ内にエッチングガスを供給すると共
に、前記処理チャンバ内にプラズマを生成して、前記金
属膜をエッチングするエッチング方法において、前記エ
ッチングガスを、Ｃｌ含有ガスと、Ｃ及びＦを含有する
ＣＦ系ガスとを含むものとしたことを特徴としている。To achieve the above object, the present invention provides a metal film made of Al, an Al alloy or Cu, a Ti-based antireflection film thereon, and a photoresist film thereon. Placing the formed substrate to be processed in a processing chamber, depressurizing the processing chamber to a predetermined pressure,
In an etching method for supplying an etching gas into the processing chamber and generating plasma in the processing chamber to etch the metal film, the etching gas may be a Cl-containing gas and a CF containing C and F. And a system gas.
【０００７】前記ＣＦ系ガスは、ＣＦ4、ＣＨＦ3、ＣＨ
2Ｆ2、ＣＨ3Ｆ及びＣ2Ｆ6からなる群より選ばれる少な
くとも１つであるとするのが好適である。また、Ｃｌ含
有ガスは、Ｃｌ2ガス及びＢＣｌ3ガスを含むものが好ま
しい。Ｔｉ系の反射防止膜としては、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ｔ
ｉＮ／Ｔｉ、Ｓｉ／ＴｉＮ、Ｐ−ＳｉＯＮ／ＴｉＮ又は
ＯＸ（酸化物）／ＴｉＮから成るものがある。The CF-based gas includes CF 4 , CHF 3 , CH
Preferably, it is at least one selected from the group consisting of 2 F 2 , CH 3 F and C 2 F 6 . Further, the Cl-containing gas preferably contains a Cl 2 gas and a BCl 3 gas. TiN, Ti, T
Some are composed of iN / Ti, Si / TiN, P-SiON / TiN or OX (oxide) / TiN.
【０００８】このような本発明による方法では、金属膜
におけるノッチの発生が大幅に低減される。これは、Ｃ
Ｆ系ガス中のＦはＴｉ系の反射防止膜のエッチングレー
トを高めるように働くためと考えられる。すなわち、金
属膜と反射防止膜との間のエッチングレーシの差が小さ
くなるからである。また、ＣＦ系ガスのＣは、エッチン
グパターンの側壁面に側壁保護膜を形成するため、これ
によってもノッチの発生が抑制されると推定される。更
に、ＣＨＦ3のようなガスを添加すれば、Ｈも側壁保護
膜に寄与する。In the method according to the present invention, the occurrence of the notch in the metal film is greatly reduced. This is C
It is considered that F in the F-based gas works to increase the etching rate of the Ti-based antireflection film. That is, the difference in etching rate between the metal film and the antireflection film is reduced. In addition, since C of the CF-based gas forms a sidewall protection film on the sidewall surface of the etching pattern, it is presumed that this also suppresses the occurrence of notches. Further, if a gas such as CHF 3 is added, H also contributes to the sidewall protection film.
【０００９】一方、本発明の方法によれば、残渣の発生
も抑制される。これは、残渣の一原因となる処理チャン
バ内の酸素が、主としてＣＦ系ガスのＣと結合し除去さ
れるからと考えられる。On the other hand, according to the method of the present invention, generation of residues is also suppressed. This is considered to be because oxygen in the processing chamber, which is one cause of the residue, is mainly combined with C of the CF-based gas and removed.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
適な実施形態について詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１１】図１は、本発明によるエッチング方法が適
用されるシリコンウェハ（被処理基板）Ｗの構成を概略
的に示す断面図である。図示するように、シリコンウェ
ハの下地１上にはＳｉＯ2膜２が形成されており、この
ＳｉＯ2膜２上にはＴｉ又はＴｉ／ＴｉＮから成るバリ
アメタル層３、その上にＡｌやＡｌ合金、銅から成る金
属膜４が形成されている。更に、この金属膜４上には、
Ｔｉ系の反射防止膜５を介して、フォトレジスト膜が所
望のパターンで形成されている。反射防止膜としては、
ＴｉＮ、Ｔｉ、ＴｉＮ／Ｔｉ、Ｓｉ／ＴｉＮ、Ｐ−Ｓｉ
ＯＮ／ＴｉＮ又はＯＸ（酸化物）／ＴｉＮから成る。FIG. 1 is a sectional view schematically showing the structure of a silicon wafer (substrate to be processed) W to which the etching method according to the present invention is applied. As shown in the figure, an SiO 2 film 2 is formed on a base 1 of a silicon wafer, a barrier metal layer 3 made of Ti or Ti / TiN is formed on the SiO 2 film 2, and an Al or Al alloy is formed thereon. , A metal film 4 made of copper is formed. Furthermore, on this metal film 4,
A photoresist film is formed in a desired pattern via a Ti-based antireflection film 5. As an anti-reflection film,
TiN, Ti, TiN / Ti, Si / TiN, P-Si
It consists of ON / TiN or OX (oxide) / TiN.
【００１２】また、図２は、本発明によるエッチング方
法を適用することのできるプラズマ式エッチング装置１
０を示す概略図である。このエッチング装置１０は、内
部が減圧される処理チャンバ１２を備えている。処理チ
ャンバ１２は、円筒形のチャンバ本体１４と、その上部
に取り付けられた放電用部品である蓋体１６とから構成
されている。FIG. 2 shows a plasma etching apparatus 1 to which the etching method according to the present invention can be applied.
FIG. The etching apparatus 10 includes a processing chamber 12 whose inside is decompressed. The processing chamber 12 comprises a cylindrical chamber body 14 and a lid 16 which is a discharge component attached to an upper part thereof.
【００１３】処理チャンバ１２の内部には、被処理基板
であるシリコンウェハＷを載置するサセプタ１８が配置
されている。このサセプタ１８の上面には、シリコンウ
ェハＷを固定するための静電チャック２０が設けられて
いる。サセプタ１８は電極としても機能し、整合器２１
及び高周波バイアス電源２２を介して接地されている。
従って、接地されたチャンバ本体１４に対して高周波バ
イアス電圧が印加されると、サセプタ１８がカソードと
して機能しチャンバ本体１４がアノードとして機能する
ようになる。A susceptor 18 on which a silicon wafer W as a substrate to be processed is placed is disposed inside the processing chamber 12. On the upper surface of the susceptor 18, an electrostatic chuck 20 for fixing the silicon wafer W is provided. The susceptor 18 also functions as an electrode.
And a high-frequency bias power supply 22.
Therefore, when a high frequency bias voltage is applied to the grounded chamber main body 14, the susceptor 18 functions as a cathode and the chamber main body 14 functions as an anode.
【００１４】また、チャンバ本体１４には、処理チャン
バ１２内部の排気を行うための真空ポンプ（図示せず）
に接続される排気口２４が設けられており、更に、エッ
チングガスを内部に導入するためのガス供給口２６が設
けられている。A vacuum pump (not shown) for evacuating the inside of the processing chamber 12 is provided in the chamber body 14.
Is provided, and a gas supply port 26 for introducing an etching gas into the inside is provided.
【００１５】ガス供給口２６には、配管２８を介してガ
ス混合室３０が接続されている。このガス混合室３０は
各種ガスを均一に混合する装置である。ガス混合室３０
には、Ｃｌ2ガス供給源３２、ＢＣｌ3ガス供給源３４及
びＣＦ系ガス供給源３６が流量調節バルブ４０，４２，
４４を介して接続されている。各流量調整バルブ４０，
４２，４４は、マイクロコンピュータ等から成る制御装
置４８により、その開閉が制御され、各ガスの流量が調
節される。従って、各ガスの混合割合等を所定値に設定
することが可能となっている。A gas mixing chamber 30 is connected to the gas supply port 26 via a pipe 28. The gas mixing chamber 30 is a device for mixing various gases uniformly. Gas mixing chamber 30
A Cl 2 gas supply source 32, a BCl 3 gas supply source 34, and a CF-based gas supply source 36 include flow rate control valves 40, 42,
44 are connected. Each flow control valve 40,
The opening and closing of the control units 48 and 44 are controlled by a control unit 48 composed of a microcomputer or the like, and the flow rate of each gas is adjusted. Therefore, it is possible to set the mixing ratio of each gas to a predetermined value.
【００１６】本発明のこの実施形態では、Ｃｌ2ガス及
びＢＣｌ3ガスをエッチングガスの主成分として用い、
ＣＦ系ガスを添加ガスとして用いている。ＣＦ系ガスと
しては、ＣＦ4、ＣＨＦ3、ＣＨ2Ｆ2、ＣＨ3Ｆ、Ｃ2Ｆ6
等が使用でき、これらのガスを１種のみで、或いはま
た、２種以上を混合して使用することができる。In this embodiment of the present invention, Cl 2 gas and BCl 3 gas are used as main components of the etching gas,
A CF-based gas is used as an additive gas. CF-based gases include CF 4 , CHF 3 , CH 2 F 2 , CH 3 F, C 2 F 6
These gases can be used alone or in combination of two or more.
【００１７】また、処理チャンバ１２の一部である蓋体
１６は、誘電体材料から構成されている。蓋体１６の外
周にはコイルアンテナ５０が配設されており、コイルア
ンテナ５０により蓋体１６を介して処理チャンバ１２の
内部に電磁界が誘起されて、エッチングガスの存在下、
プラズマが発生し、更にこのプラズマ中の電子にエネル
ギが供給されて、プラズマは高密度で維持される。な
お、コイルアンテナ５０には、整合器５２を介して高周
波電源５４が接続されている。更に、蓋体１６の外側に
はシールド５６が設けられており、発生する高周波が外
部に漏れるのを防止している。The lid 16 which is a part of the processing chamber 12 is made of a dielectric material. A coil antenna 50 is provided on the outer periphery of the lid 16, and an electromagnetic field is induced inside the processing chamber 12 via the lid 16 by the coil antenna 50, and in the presence of an etching gas,
Plasma is generated and energy is supplied to the electrons in the plasma, so that the plasma is maintained at a high density. Note that a high-frequency power supply 54 is connected to the coil antenna 50 via a matching unit 52. Further, a shield 56 is provided outside the lid 16 to prevent generated high frequency from leaking to the outside.
【００１８】次に、上記構成のエッチング装置１０を用
いて、図１に示す層構成のシリコンウェハＷに対して本
発明のエッチング方法を適用して金属膜４をエッチング
処理する場合について説明する。Next, a description will be given of a case where the metal film 4 is etched by applying the etching method of the present invention to the silicon wafer W having the layer structure shown in FIG. 1 using the etching apparatus 10 having the above structure.
【００１９】まず、処理チャンバ１２内のサセプタ１８
上にシリコンウェハＷを載置し、静電チャック２０によ
り固定する。次いで、処理チャンバ１２内を真空ポンプ
により所定の真空度に減圧する。First, the susceptor 18 in the processing chamber 12
A silicon wafer W is placed on the top and fixed by the electrostatic chuck 20. Next, the pressure inside the processing chamber 12 is reduced to a predetermined degree of vacuum by a vacuum pump.
【００２０】次に、制御装置４８からの信号により流量
調節バルブ４０，４２，４４を所要の開度で開き、ガス
供給源３２，３４，４６のそれぞれからＣｌ2ガス、Ｂ
Ｃｌ3ガス及びＣＦ系ガスを導出する。これらのガスは
ガス混合室３０内で混合され、エッチングガスとしてガ
ス供給口２６から処理チャンバ１２内に供給される。Next, the flow control valves 40, 42, and 44 are opened at a required opening in accordance with a signal from the control device 48, and Cl 2 gas and B 2 are supplied from the gas supply sources 32, 34, and 46, respectively.
A Cl 3 gas and a CF-based gas are derived. These gases are mixed in the gas mixing chamber 30 and supplied into the processing chamber 12 from the gas supply port 26 as an etching gas.
【００２１】これらのガスの供給が開始されたならば、
高周波バイアス電源２２を投入し、チャンバ本体１４と
サセプタ１８との間に例えば１３．５６ＭＨｚの高周波
バイアス電力を印加する。チャンバ本体１４は接地され
ているため、サセプタ１８は負電位とされ、カソードと
して機能する。また、コイルアンテナ５０に高周波電源
５４により例えば１２．５６ＭＨｚの高周波電力を印加
すると、処理チャンバ１２内にプラズマが発生し、且つ
また、高密度で維持される。エッチングガスがプラズマ
により解離され、このプラズマ中に存在するＣｌの活性
種及びイオンが主として金属膜４のエッチングに寄与
し、エッチングが進行していく。この際、Ｃｌイオンは
負電位のサセプタ１８に向かって進むため、垂直方向の
異方性エッチングが行われる。When the supply of these gases is started,
The high frequency bias power supply 22 is turned on, and a high frequency bias power of, for example, 13.56 MHz is applied between the chamber body 14 and the susceptor 18. Since the chamber body 14 is grounded, the susceptor 18 is set to a negative potential and functions as a cathode. When high frequency power of, for example, 12.56 MHz is applied to the coil antenna 50 by the high frequency power supply 54, plasma is generated in the processing chamber 12 and is maintained at a high density. The etching gas is dissociated by the plasma, and the active species and ions of Cl present in the plasma mainly contribute to the etching of the metal film 4, and the etching proceeds. At this time, the Cl ions proceed toward the susceptor 18 having a negative potential, so that vertical anisotropic etching is performed.
【００２２】ＣＦ系ガスは、処理チャンバ１２内のプラ
ズマにより解離され、Ｃ及びＦ（Ｈが構成成分に含まれ
ている場合はＨも）を処理チャンバ１２内に供給する。
このうち、Ｆについては、Ｔｉ系反射防止膜５のエッチ
ングレートを上げ、Ａｌ合金等の金属膜４のエッチング
レートを下げる効果があり、Ｔｉ系膜対金属膜の選択比
を下げることによりノッチを防ぐことができると考えら
れる。また、Ｆは、フォトレジスト膜６のエッチングを
加速しＴｉ系反射防止膜５と金属膜４との間の界面にデ
ポ供給し、これによってもノッチを防ぐことができると
いう効果を奏するまた、ＣＦ系ガスが解離して生ずるＣ
及びＨは、エッチングパターンの側壁部に側壁保護膜を
形成するので、これによってもノッチが防止される。The CF-based gas is dissociated by the plasma in the processing chamber 12 and supplies C and F (or H when H is included in the constituent components) into the processing chamber 12.
Among them, F has the effect of increasing the etching rate of the Ti-based antireflection film 5 and decreasing the etching rate of the metal film 4 such as an Al alloy. It is thought that it can be prevented. Further, F accelerates the etching of the photoresist film 6 and supplies a deposit to the interface between the Ti-based antireflection film 5 and the metal film 4, which also has the effect of preventing a notch. C generated by dissociation of system gas
Since H and H form a sidewall protective film on the sidewall of the etching pattern, this also prevents notches.
【００２３】ここで、エッチングプロセス中、処理チャ
ンバ１２の内壁面や下地層（特にＳｉＯ2膜２）から酸
素が発生されるが、この酸素はフォトレジスト膜６中の
Ｃ及びＨと結合し、本来であればフォトレジスト膜６か
ら得られるＣとＨを減少させる働きがある。しかし、Ｃ
Ｆ系ガスを添加することで、処理チャンバ１２内の酸素
は、ＣＯ2やＣＯ、ＣＯＨ、ＯＨ、ＣＯＨＦ2等となり、
フォトレジストからのＣ及びＨの供給量減少という酸素
による影響を防ぐことができる。よって、フォトレジス
トからのＣ及びＨによるノッチ防止効果も期待できる。Here, during the etching process, oxygen is generated from the inner wall surface of the processing chamber 12 and the underlying layer (particularly, the SiO 2 film 2), and this oxygen combines with C and H in the photoresist film 6, Originally, it has a function of reducing C and H obtained from the photoresist film 6. But C
By adding the F-based gas, the oxygen in the processing chamber 12 becomes CO 2 , CO, COH, OH, COHF 2, etc.
It is possible to prevent the influence of oxygen such as a decrease in the supply of C and H from the photoresist. Therefore, the effect of preventing notch due to C and H from the photoresist can be expected.
【００２４】更に、処理チャンバ内の酸素は、金属膜の
アルミニウムや銅と反応してＡｌ2Ｏ3やＣｕＯを生成す
る。これらが残渣となるものであるが、ＣＦ系ガスを導
入した場合、前述したように酸素が除去されるため、酸
素が原因となる残渣の発生も防止される。Further, oxygen in the processing chamber reacts with aluminum or copper of the metal film to generate Al 2 O 3 or CuO. These are residues, but when a CF-based gas is introduced, oxygen is removed as described above, so that generation of residues caused by oxygen is also prevented.
【００２５】図３は、Ｃｌ2とＢＣｌ3の混合ガスにＣＨ
Ｆ3ガスを添加した場合の上記効果を表した図面であ
る。ＣＦ系ガスを全く添加しなかったときの状態を表し
た図４と比較した場合、エッングパターンの側壁面及び
底面の粗さから、本発明による効果が如何に優れている
かが理解されよう。FIG. 3 shows that a mixed gas of Cl 2 and BCl 3 is CH 2
It is a diagram showing the effect of adding the F 3 gas. Compared to FIG. 4 showing a state in which no CF-based gas was added, it can be understood from the roughness of the side wall surface and the bottom surface of the etching pattern how much the effect of the present invention is excellent.
【００２６】なお、かかるメカニズムにおいては、ＣＦ
系ガスが２％未満であれば、ノッチや残渣の防止効果は
殆ど得られないと考えられる。一方、ＣＦ系ガスを多量
に供給した場合、Ｆが過剰に処理チャンバ１２内に存在
することになり、これは残渣の原因ともなるので好まし
くない。この防止効果やＦによる残渣発生効果は膜の厚
さ等によって変化するため、ＣＦ系ガスの添加量は適宜
最適化する必要があるるIn this mechanism, CF
If the amount of the system gas is less than 2%, it is considered that the effect of preventing notches and residues is hardly obtained. On the other hand, when a large amount of the CF-based gas is supplied, F is excessively present in the processing chamber 12, which is not preferable because it causes residues. Since the prevention effect and the residue generation effect due to F change depending on the film thickness and the like, it is necessary to appropriately optimize the addition amount of the CF-based gas.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、金
属膜、Ｔｉ系反射防止膜及びフォトレジスト膜が順に形
成されている被処理基板のプラズマエッチングに使用す
るエッチングガスにＣＦ系ガスを添加することで、ノッ
チ形成及び残渣発生が防止ないしは抑制され、優れたエ
ッチング特性が得られる。従って、製造される半導体集
積回路の特性や歩留まりも向上するという効果が得られ
る。As described above, according to the present invention, a CF-based gas is used as an etching gas for plasma etching of a substrate on which a metal film, a Ti-based antireflection film and a photoresist film are sequentially formed. Notch formation or residue generation is prevented or suppressed, and excellent etching characteristics can be obtained. Therefore, the effect of improving the characteristics and yield of the manufactured semiconductor integrated circuit is obtained.
【図１】本発明の方法によりエッチング処理される処理
前のシリコンウェハの層構成を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing a layer configuration of a silicon wafer before being subjected to an etching process by a method of the present invention.
【図２】本発明のエッチング方法を適用することができ
るエッチング装置を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing an etching apparatus to which the etching method of the present invention can be applied.
【図３】本発明による方法によってエッチングされたシ
リコンウェハのＳＥＭ写真を中間解像図として表した図
である。FIG. 3 is a diagram showing an SEM photograph of a silicon wafer etched by the method according to the present invention as an intermediate resolution diagram.
【図４】従来方法によってエッチングされたシリコンウ
ェハのＳＥＭ写真を中間解像図として表した図である。FIG. 4 is a diagram showing an SEM photograph of a silicon wafer etched by a conventional method as an intermediate resolution diagram.
１…下地、４…金属膜、５…反射防止膜、６…フォトレ
ジスト膜、１０…エッチング装置、１２…処理チャン
バ、１８…サセプタ、２２…高周波バイアス電源、２４
…排気口、２６…ガス供給口、３２…Ｃｌ2ガス供給
源、３４…ＢＣｌ3ガス供給源、３６…ＣＦ系ガス供給
源、５０…アンテナコイル、５４…高周波電源、Ｗ…シ
リコンウェハ（被処理基板）。REFERENCE SIGNS LIST 1 base, 4 metal film, 5 antireflection film, 6 photoresist film, 10 etching device, 12 processing chamber, 18 susceptor, 22 high frequency bias power supply, 24
... exhaust port, 26 ... gas supply port, 32 ... Cl 2 gas supply source, 34 ... BCl 3 gas supply source, 36 ... CF-based gas supply source, 50 ... antenna coil, 54 ... high frequency power supply, W ... silicon wafer (the Processing substrate).
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 朴 世烈 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 小河 慶子 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 西澤 孝則 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 Ｆターム(参考） 4K057 DA20 DB04 DB05 DB08 DD01 DE01 DE04 DE06 DE07 DE08 DE09 DM37 DM40 DN01 4M104 AA01 BB02 BB04 BB14 DD65 EE05 EE14 FF17 FF18 GG13 HH20 5F004 AA01 BA20 BB11 BB13 BD02 DA00 DA01 DA04 DA11 DA15 DA16 DB01 DB08 DB09 DB12 DB16 EA22 5F033 HH08 HH11 HH18 HH33 QQ03 QQ08 QQ10 QQ12 QQ15 QQ16 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Seiraku Park 14-3 Shinsen, Narita-shi, Chiba Applied Materials Japan Co., Ltd. (72) Keiko Ogawa 14-3 Shinsen, Narita-shi, Chiba Nogedaira Industrial Park Applied Materials Japan Co., Ltd. (72) Inventor Takanori Nishizawa 14-3 Shinizumi, Narita-shi, Chiba Pref. DE01 DE04 DE06 DE07 DE08 DE09 DM37 DM40 DN01 4M104 AA01 BB02 BB04 BB14 DD65 EE05 EE14 FF17 FF18 GG13 HH20 5F004 AA01 BA20 BB11 BB13 BD02 DA00 DA01 DA04 DA11 DA15 DA16 DB01 DB08 DB09 DB12 DB16 EA22Q03 Q16 H11
Claims (4)
から成る金属膜、その上にチタン系の反射防止膜、更に
その上にフォトレジスト膜が形成されている被処理基板
を処理チャンバ内に配置し、 前記処理チャンバ内を所定圧力に減圧し、 前記処理チャンバ内にエッチングガスを供給すると共
に、前記処理チャンバ内にプラズマを生成して、前記金
属膜をエッチングするエッチング方法であって、 前記エッチングガスが、Ｃｌ含有ガスと、Ｃ及びＦを含
有するＣＦ系ガスとを含むことを特徴とする金属膜のエ
ッチング方法。A metal substrate made of aluminum, an aluminum alloy or copper, a titanium-based antireflection film thereon, and a substrate on which a photoresist film is further formed are disposed in a processing chamber; An etching method for reducing the pressure in the processing chamber to a predetermined pressure, supplying an etching gas into the processing chamber, and generating plasma in the processing chamber to etch the metal film, wherein the etching gas is: A method for etching a metal film, comprising a Cl-containing gas and a CF-based gas containing C and F.
Ｈ2Ｆ2、ＣＨ3Ｆ及びＣ2Ｆ6からなる群より選ばれる少
なくとも１つであることを特徴とする請求項１に記載の
金属膜のエッチング方法。2. The CF-based gas includes CF 4 , CHF 3 , C
H 2 F 2, CH 3 etching method for a metal film according to claim 1, characterized in that F is at least one selected from the group consisting of and C 2 F 6.
ガスを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の金
属膜のエッチング方法。3. The Cl-containing gas comprises Cl 2 gas and BCl 3 gas.
3. The method for etching a metal film according to claim 1, further comprising a gas.
Ｔｉ、ＴｉＮ／Ｔｉ、Ｓｉ／ＴｉＮ、Ｐ−ＳｉＯＮ／Ｔ
ｉＮ又はＯＸ（酸化物）／ＴｉＮから成るものであるこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の金
属膜のエッチング方法。4. The titanium-based antireflection film comprises TiN,
Ti, TiN / Ti, Si / TiN, P-SiON / T
The method for etching a metal film according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal film is made of iN or OX (oxide) / TiN.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10310653A JP2000138204A (en) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | Etching method for metal film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10310653A JP2000138204A (en) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | Etching method for metal film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000138204A true JP2000138204A (en) | 2000-05-16 |
Family
ID=18007842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10310653A Pending JP2000138204A (en) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | Etching method for metal film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000138204A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008244479A (en) * | 2007-03-23 | 2008-10-09 | Tokyo Electron Ltd | Method and system for dry-etching metal nitride |
-
1998
- 1998-10-30 JP JP10310653A patent/JP2000138204A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008244479A (en) * | 2007-03-23 | 2008-10-09 | Tokyo Electron Ltd | Method and system for dry-etching metal nitride |
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