JP2000114858A - Slot power feeder microstrip antenna - Google Patents

Slot power feeder microstrip antenna

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JP2000114858A
JP2000114858A JP10278840A JP27884098A JP2000114858A JP 2000114858 A JP2000114858 A JP 2000114858A JP 10278840 A JP10278840 A JP 10278840A JP 27884098 A JP27884098 A JP 27884098A JP 2000114858 A JP2000114858 A JP 2000114858A
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JP
Japan
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slot
microstrip line
noise amplifier
low noise
microstrip antenna
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JP10278840A
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Fumiyoshi Ogawa
文良 小川
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Fujitsu General Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a transmission loss caused by a microstrip line. SOLUTION: A laminate structure is provided by overlapping a first dielectric substrate 1a having an antenna pattern (patch) 7 and a second dielectric substrate 1b having a ground conductor 3, a slot 2, a first microstrip line 4a, a second microstrip line 4b and a low noise amplifier 5 or the like. In this case, the first microstrip line 4a having neatly the length of/4 is provided almost vertically to the slot 2, the low noise amplifier 5 is provided on the opposite side of the first microstrip line 4a with the slot 2 in between, and a signal input lead wire 5a of the low noise amplifier 5 is connected to the first microstrip line 4a almost orthogonally to the slot 2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、BS、CS等を受
信するために用いられるスロット給電型マイクロストリ
ップアンテナに関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a slot-fed microstrip antenna used for receiving BS, CS, and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】図2は、従来のスロット給電型マイクロ
ストリップアンテナの要部拡大縦断面図(イ)及び、要
部拡大平面図(ロ)である。このアンテナは、アンテナ
パターン(パッチ)7を有する第一誘電体基板1aと、ス
ロット2、接地導体3及びマイクロストリップライン
4、及び低雑音増幅器5等を有する第二誘電体基板1bと
を重ね合わせた積層構造で構成される。
2. Description of the Related Art FIGS. 2A and 2B are an enlarged longitudinal sectional view (A) and an enlarged plan view (B) of a main part of a conventional slot-fed microstrip antenna. In this antenna, a first dielectric substrate 1a having an antenna pattern (patch) 7 is superimposed on a second dielectric substrate 1b having a slot 2, a ground conductor 3, a microstrip line 4, a low noise amplifier 5, and the like. It has a laminated structure.

【0003】例えば、図示しない、パラボラアンテナの
焦点位置に設置された一次放射器で電波を捕捉し、この
一次放射器と一体に構成したLNB(Low Noise Block
)内に収納しているアンテナパターン7で電波を受信
し、この電波の信号をアンテナパターン7と結合したス
ロット2を経由し、さらに、このスロット2と結合した
マイクロストリップライン4を伝送して、低雑音増幅
器、例えば、HEMT(High Electron Mobility Trans
istor )5等に供給し、HEMT5にて前記信号を低雑
音増幅する。尚、LNB内のHEMT5以降の回路説明
は本技術に無関係であるので省略する。
For example, a primary radiator installed at the focal point of a parabolic antenna (not shown) captures radio waves, and an LNB (Low Noise Block) integrally formed with the primary radiator.
The antenna pattern 7 received in the antenna pattern 7 receives a radio wave, and the signal of the radio wave is transmitted through the slot 2 coupled to the antenna pattern 7 and further transmitted through the microstrip line 4 coupled to the slot 2. Low noise amplifier, for example, HEMT (High Electron Mobility Trans
istor) 5 or the like, and the signal is amplified by the HEMT 5 with low noise. Note that the description of the circuits after the HEMT 5 in the LNB is irrelevant to the present technology, and thus will be omitted.

【0004】しかし、従来はスロット2と、HEMT5
の間のマイクロストリップライン4を信号伝送するとき
に所定の伝送損失が生ずるため、HEMT5に供給する
信号電力(C)が減少し、そのため雑音電力(N)との
比の値(C/N)が減少するので、低雑音増幅器におけ
る雑音指数(NF)が劣化する問題があった。
However, conventionally, slot 2 and HEMT5
, A predetermined transmission loss occurs when transmitting a signal through the microstrip line 4, the signal power (C) supplied to the HEMT 5 is reduced, and the ratio value (C / N) to the noise power (N) is thus reduced. Therefore, there is a problem that the noise figure (NF) in the low noise amplifier is deteriorated.

【0005】また、一般に、マイクロストリップライン
4の特性インピーダンス、例えば、50Ωなどと、低雑
音増幅器、例えば、HEMT5等の入力インピーダンス
とは値が異なるため、両者のインピーダンス整合をとる
必要があった。
In general, since the characteristic impedance of the microstrip line 4, for example, 50Ω, and the input impedance of a low-noise amplifier, for example, HEMT5, are different, it is necessary to match both impedances.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みなされたもので、マイクロストリップラインに起因
する伝送損失を低減するとともに、インピーダンス整合
を容易としたスロット給電型マイクロストリップアンテ
ナを提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and provides a slot-fed type microstrip antenna which reduces transmission loss caused by a microstrip line and facilitates impedance matching. The purpose is to:

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、アンテナパターン(パッチ)を有する第一誘電体基
板と、スロット、接地導体、第一マイクロストリップラ
イン、第二マイクロストリップライン及び低雑音増幅器
等を有する第二誘電体基板とを備えたスロット給電型マ
イクロストリップアンテナにおいて、スロットに対して
ほぼ垂直方向にスロットの一側に設けた第一マイクロス
トリップラインと、信号入力リード線を前記スロットに
ほぼ直交させて第一マイクストリップラインに接続する
スロットの他側に設けた低雑音増幅器と、前記低雑音増
幅器の信号出力リード線を接続したスロットの他側に設
けた第二マイクロストリップラインとでなる構成とし
た。
In order to achieve the above object, a first dielectric substrate having an antenna pattern (patch), a slot, a ground conductor, a first microstrip line, a second microstrip line, and a low noise A slot-fed microstrip antenna comprising a second dielectric substrate having an amplifier and the like, wherein a first microstrip line provided on one side of the slot in a direction substantially perpendicular to the slot, and a signal input lead wire is connected to the slot. A low-noise amplifier provided on the other side of the slot connected to the first microphone strip line substantially orthogonal to the second microstrip line provided on the other side of the slot connected to the signal output lead of the low-noise amplifier. .

【0008】また、上記低雑音増幅器を、HEMTで構
成した。
Further, the low noise amplifier is constituted by a HEMT.

【0009】また、第一マイクロストリップラインの端
部を開放とし、その長さを、λを使用電波の波長とした
場合、ほぼλ/4の奇数倍とするとする構成とした。
Further, the end of the first microstrip line is opened and its length is set to an odd multiple of approximately λ / 4, where λ is the wavelength of the radio wave used.

【0010】また、上記奇数倍を1倍とする構成とし
た。
[0010] Further, the odd multiple is set to one.

【0011】また、上記第一マイクロストリップライン
の端部を接地とし、その長さを、λを使用電波の波長と
した場合、ほぼλ/2の正の整数倍とする構成とした。
The end of the first microstrip line is grounded, and its length is substantially a positive integer multiple of λ / 2, where λ is the wavelength of the radio wave used.

【0012】また、上記スロットを、矩形スロットとす
る構成とした。
Further, the above-mentioned slot is configured to be a rectangular slot.

【0013】また、上記低雑音増幅器の信号入力リード
線がスロットにほぼ直交する位置をスロットの中心以外
とする構成とした。
The position where the signal input lead wire of the low-noise amplifier is substantially perpendicular to the slot is set at a position other than the center of the slot.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以上のように構成したので、以
下、本発明によるスロット給電型マイクロストリップア
ンテナについて、図を用いて詳細に説明する。図1は本
発明によるスロット給電型マイクロストリップアンテナ
の一実施例の要部拡大縦断面図(イ)、要部拡大平面図
(ロ)、他の実施例の要部拡大平面図(ハ)及び別の実
施例の要部拡大平面図(ニ)である。本発明によるスロ
ット給電型マイクロストリップアンテナは、アンテナパ
ターン(パッチ)7を有する第一誘電体基板1aと、接地
導体3、接地導体3の相応位置の導体を、例えば、矩形
等に切り欠いて形成したスロット2、前記スロット2の
一側に設けた開放端を有する第一マイクロストリップラ
イン4a、前記スロット2の他側に設けた第二マイクロス
トリップライン4b及び低雑音増幅器5等を有する第二誘
電体基板1bとを重ね合わせて積層構造とし、λを使用電
波の波長とした場合、ほぼλ/4の長さの前記第一マイ
クロストリップライン4aを、前記スロット2に対してほ
ぼ垂直方向に一側に設け、前記低雑音増幅器5をスロッ
ト2の他側に設け、低雑音増幅器5の信号入力リード線
5aを、前記スロット2にほぼ直交して前記第一マイクロ
ストリップライン4aに接続するとともに、信号出力リー
ド線を前記第二マイクロストリップライン4bに接続し
た。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS With the above configuration, a slot-fed microstrip antenna according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is an enlarged longitudinal sectional view (a) of an essential part of an embodiment of a slot-fed microstrip antenna according to the present invention, an enlarged plan view (b) of an essential part, and an enlarged plan view (c) of an essential part of another embodiment. It is a principal part enlarged plan view (d) of another Example. The slot-fed microstrip antenna according to the present invention is formed by cutting a first dielectric substrate 1a having an antenna pattern (patch) 7, a ground conductor 3, and a conductor at a position corresponding to the ground conductor 3 into, for example, a rectangular shape. Slot 2, a first microstrip line 4a having an open end provided on one side of the slot 2, a second microstrip line 4b provided on the other side of the slot 2, a second dielectric strip having a low noise amplifier 5, and the like. When λ is the wavelength of the radio wave used, the first microstrip line 4a having a length of approximately λ / 4 is connected to the slot 2 in a direction substantially perpendicular to the slot 2. , And the low-noise amplifier 5 is provided on the other side of the slot 2, and a signal input lead wire of the low-noise amplifier 5 is provided.
5a was connected to the first microstrip line 4a substantially orthogonal to the slot 2, and a signal output lead was connected to the second microstrip line 4b.

【0015】本発明によるスロット給電型マイクロスト
リップアンテナは、低雑音増幅器5、例えば、HEMT
(High Electron Mobility Transistor )、の信号入力
リード線5aと、スロット2とをほぼ直交状態で交差する
ように配置しているので、スロット2を経由した信号は
前記リード線5aと直接に結合できる。言い換えると、結
合した信号はマイクロストリップライン4(図2)を通
過することなく、直接に信号入力リード線5aのみを伝送
してHEMT5に供給される。従って、結合した信号は
ほとんど伝送損失を生ずることなくHEMT5で低雑音
増幅できるので、低雑音増幅器5における雑音指数(N
F)の劣化を防止できる。
The slot-fed microstrip antenna according to the present invention includes a low-noise amplifier 5, for example, a HEMT.
Since the signal input lead wire 5a (High Electron Mobility Transistor) and the slot 2 are arranged so as to intersect in a substantially orthogonal state, a signal passing through the slot 2 can be directly coupled to the lead wire 5a. In other words, the combined signal does not pass through the microstrip line 4 (FIG. 2) but is transmitted directly to the HEMT 5 only through the signal input lead 5a. Accordingly, since the combined signal can be amplified with low noise by the HEMT 5 with almost no transmission loss, the noise figure (N
F) can be prevented from deteriorating.

【0016】尚、第一マイクロストリップライン4aは端
部を開放状態に設置しているので、λを使用電波の波長
とした場合、ほぼλ/4の奇数倍の位置で電界の方向が
切り替わることになり、この位置に設けたスロット2を
経由してアンテナパターン(パッチ)7と、低雑音増幅
器5の信号入力リード線5aとが一番効率良く結合する。
従って、ほぼλ/4、3×λ/4、5×λ/4、・・・
等の位置で最適な結合状態が得られる。
Since the end of the first microstrip line 4a is set in an open state, when λ is the wavelength of the radio wave used, the direction of the electric field is switched at a position almost an odd multiple of λ / 4. The antenna pattern (patch) 7 and the signal input lead 5a of the low-noise amplifier 5 are most efficiently coupled via the slot 2 provided at this position.
Therefore, approximately λ / 4, 3 × λ / 4, 5 × λ / 4,...
The optimum coupling state can be obtained at such positions.

【0017】さらに、別の実施例について説明する。図
1(ニ)に示したように、第一マイクロストリップライ
ン4aの端部を、例えば、スルーホール6等を利用して、
第二誘電体基板1bの他面に設けた接地導体3(図1
(イ))に接地した場合、ほぼλ/2の正の整数倍の位
置で電界の方向が切り替わることになり、この位置にス
ロット2を設けるようにすればアンテナパターン(パッ
チ)7と、低雑音増幅器5の信号入力リード線5aとが一
番効率良く結合する。従って、ほぼλ/2、λ、3×λ
/2、・・・等の位置で最適な結合状態が得られる。
Further, another embodiment will be described. As shown in FIG. 1 (d), the end of the first microstrip line 4a is
The ground conductor 3 provided on the other surface of the second dielectric substrate 1b (FIG. 1)
In the case of (b), the direction of the electric field is switched at a position substantially equal to a positive integer multiple of λ / 2, and if the slot 2 is provided at this position, the antenna pattern (patch) 7 and the low The signal input lead 5a of the noise amplifier 5 is most efficiently coupled. Therefore, approximately λ / 2, λ, 3 × λ
..,...

【0018】また、他の実施例について説明する。図1
(ハ)に示したように、上記低雑音増幅器5の信号入力
リード線5aがスロット2にほぼ直交する位置を、スロッ
ト2の中心から端部に移動して最適な位置となるように
位置決めすることにより、第一マイクロストリップライ
ン4aの特性インピーダンスと、HEMT5等の入力イン
ピーダンスとの整合を簡易に最良状態にできる。
Another embodiment will be described. FIG.
As shown in (c), the position where the signal input lead wire 5a of the low-noise amplifier 5 is substantially orthogonal to the slot 2 is moved from the center of the slot 2 to the end and positioned so as to be the optimum position. Thereby, the matching between the characteristic impedance of the first microstrip line 4a and the input impedance of the HEMT 5 or the like can be easily brought to the best state.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上説明したように、本発明はマイクロ
ストリップラインに起因する伝送損失を低減するととも
に、インピーダンス整合を容易としたスロット給電型マ
イクロストリップアンテナを提供する。従って、HEM
T5のリードに直接結合するように構成した本発明は、
スロット2と、HEMT5の間のマイクロストリップラ
イン4を信号伝送するときに所定の伝送損失が生ずるた
め低雑音増幅器における雑音指数(NF)が劣化する従
来のスロット給電型マイクロストリップアンテナでの問
題を解消できるメリットがある。
As described above, the present invention provides a slot-fed microstrip antenna that reduces transmission loss caused by a microstrip line and facilitates impedance matching. Therefore, HEM
The present invention, configured to couple directly to the T5 lead,
When a signal is transmitted through the microstrip line 4 between the slot 2 and the HEMT 5, a predetermined transmission loss occurs, so that the noise figure (NF) in the low-noise amplifier is degraded. There are merits that can be done.

【0020】また、第一マイクロストリップライン4aの
長さを最短状態ではλ/4と小さい寸法で作成できるの
で、アンテナの小型化に有効な技術である。
Further, since the length of the first microstrip line 4a can be made as small as λ / 4 in the shortest state, this is an effective technique for miniaturizing the antenna.

【0021】さらに、第一マイクロストリップライン4a
の特性インピーダンスと、HEMT5等の入力インピー
ダンスとのインピーダンス整合をとる必要があったが、
本発明はマイクロストリップラインにおいては、HEM
T5の信号入力リード線5aがスロット2にほぼ直交する
位置を、スロット2の中心から端部に移動して最適な位
置となるように位置決めすることにより、第一マイクロ
ストリップライン4aの特性インピーダンスと、HEMT
5等の入力インピーダンスとの整合を簡易に最良状態に
できる。
Further, the first microstrip line 4a
And the input impedance of the HEMT5 and the like had to be matched,
The present invention relates to a microstrip line,
The position where the signal input lead wire 5a of T5 is substantially orthogonal to the slot 2 is moved from the center of the slot 2 to the end and positioned so as to be an optimum position, so that the characteristic impedance of the first microstrip line 4a is reduced. , HEMT
Matching with an input impedance such as 5 can be easily made the best state.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明によるスロット給電型マイクロストリッ
プアンテナの一実施例の要部拡大縦断面図(イ)、要部
拡大平面図(ロ)、他の実施例の要部拡大平面図(ハ)
及び別の実施例の要部拡大平面図(ニ)である。
FIG. 1 is an enlarged vertical sectional view of a main part of an embodiment of a slot-fed microstrip antenna according to the present invention (a), an enlarged plan view of a main part (b), and an enlarged plan view of a main part of another embodiment (c).
It is a principal part enlarged plan view (d) of another Example.

【図2】従来のスロット給電型マイクロストリップアン
テナの要部拡大縦断面図(イ)及び、要部拡大平面図
(ロ)である。
FIGS. 2A and 2B are an enlarged longitudinal sectional view (A) and an enlarged plan view (B) of a main part of a conventional slot-fed microstrip antenna.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a 第一誘電体基板 1b 第二誘電体基板 2 スロット 3 接地導体 4 マイクロストリップライン 4a 第一マイクロストリップライン 4b 第二マイクロストリップライン 5 低雑音増幅器(HEMT) 5a 信号入力リード線 6 スルーホール 7 アンテナパターン(パッチ) 1a First dielectric substrate 1b Second dielectric substrate 2 Slot 3 Ground conductor 4 Microstrip line 4a First microstrip line 4b Second microstrip line 5 Low noise amplifier (HEMT) 5a Signal input lead 6 Through hole 7 Antenna Pattern (patch)

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 アンテナパターン(パッチ)を有する第
一誘電体基板と、スロット、接地導体、第一マイクロス
トリップライン、第二マイクロストリップライン及び低
雑音増幅器等を有する第二誘電体基板とを備えたスロッ
ト給電型マイクロストリップアンテナにおいて、 スロットに対してほぼ垂直方向にスロットの一側に設け
た第一マイクロストリップラインと、信号入力リード線
を前記スロットにほぼ直交させて第一マイクストリップ
ラインに接続するスロットの他側に設けた低雑音増幅器
と、前記低雑音増幅器の信号出力リード線を接続したス
ロットの他側に設けた第二マイクロストリップラインと
でなるスロット給電型マイクロストリップアンテナ。
1. A semiconductor device comprising: a first dielectric substrate having an antenna pattern (patch); and a second dielectric substrate having a slot, a ground conductor, a first microstrip line, a second microstrip line, a low noise amplifier, and the like. A first microstrip line provided on one side of the slot in a direction substantially perpendicular to the slot, and a signal input lead wire connected to the first microphone strip line substantially orthogonal to the slot. And a second microstrip line provided on the other side of the slot to which the signal output lead wire of the low noise amplifier is connected.
【請求項2】 上記低雑音増幅器を、HEMT(High E
lectron Mobility Transistor )で構成した請求項1記
載のスロット給電型マイクロストリップアンテナ。
2. The low noise amplifier according to claim 1, wherein the low noise amplifier is a HEMT (High E
2. A slot-fed microstrip antenna according to claim 1, wherein the slot-fed microstrip antenna is constituted by an electron mobility transistor.
【請求項3】 上記第一マイクストリップラインの端部
を開放とし、その長さを、λを使用電波の波長とした場
合、ほぼλ/4の奇数倍とする請求項1記載のスロット
給電型マイクロストリップアンテナ。
3. The slot feeding type according to claim 1, wherein an end of said first microphone strip line is opened and its length is an odd multiple of approximately λ / 4, where λ is the wavelength of a radio wave used. Microstrip antenna.
【請求項4】 上記奇数倍を1倍とする請求項3記載の
スロット給電型マイクロストリップアンテナ。
4. The slot-fed microstrip antenna according to claim 3, wherein the odd multiple is set to one.
【請求項5】 上記第一マイクストリップラインの端部
を接地とし、その長さを、λを使用電波の波長とした場
合、ほぼλ/2の正の整数倍とする請求項1記載のスロ
ット給電型マイクロストリップアンテナ。
5. The slot according to claim 1, wherein an end of the first microphone strip line is grounded, and a length thereof is substantially a positive integer multiple of λ / 2, where λ is a wavelength of a radio wave used. Feed type microstrip antenna.
【請求項6】 上記スロットを、矩形スロットとする請
求項1記載のスロット給電型マイクロストリップアンテ
ナ。
6. The slot-fed microstrip antenna according to claim 1, wherein said slot is a rectangular slot.
【請求項7】 上記低雑音増幅器の信号入力リード線が
スロットに対してほぼ直交する位置を、スロットの中心
以外とする請求項1記載のスロット給電型マイクロスト
リップアンテナ。
7. The slot-fed microstrip antenna according to claim 1, wherein the position where the signal input lead wire of the low noise amplifier is substantially orthogonal to the slot is other than the center of the slot.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004350163A (en) * 2003-05-23 2004-12-09 Anritsu Corp Dielectric body leak wave antenna
JP2005012375A (en) * 2003-06-17 2005-01-13 Mitsumi Electric Co Ltd Antenna device
US11637227B2 (en) 2017-01-25 2023-04-25 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device including multiple distributed bragg reflector layers

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