JP2000114006A - Resistance element - Google Patents

Resistance element

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JP2000114006A
JP2000114006A JP10284420A JP28442098A JP2000114006A JP 2000114006 A JP2000114006 A JP 2000114006A JP 10284420 A JP10284420 A JP 10284420A JP 28442098 A JP28442098 A JP 28442098A JP 2000114006 A JP2000114006 A JP 2000114006A
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distance
internal electrodes
electrodes
thermistor
internal
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JP10284420A
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Japanese (ja)
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Kazuto Miyagawa
和人 宮川
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress a short circuit between internal electrodes and to adjust a resistance value by specifying positive/negative of a distance between first and second planes, that between end parts of an external electrode which is on the side closer to a counter part, and that in the direction connecting first and second end surfaces between tip ends of an internal electrode. SOLUTION: A thermister element body 2 of semiconductor ceramics of negative temperature characteristics comprises first and second end surfaces 2a and 2b facing each other, and first and second internal electrodes 3 and 4 are formed on first and second planes at different level, respectively, in the element body 2. Related to the first and second internal electrodes 3 and 4, they overlap each other in thickness direction as shown with a diagonal-line part A, so that a distance between them is a distance L in the direction connecting the first and second end surfaces 2a and 2b. The distance L between tip ends 3a and 4a is negative when overlapped each other while positive when not overlapped. With an absolute value L of a distance connecting between first and second end surfaces of a region A set smaller than an inter-plane distance H, a resistance adjustment range of the thermister element 1 is enlarged, with an inter-end-part distance(d)of external electrodes 5 and 6 being larger than L.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、負特性サーミスタ
(NTC)素子、正特性サーミスタ(PTC)素子ある
いはバリスタなどの抵抗素子に関し、より詳細には、複
数の内部電極を有する抵抗素子に関する。
The present invention relates to a resistance element such as a negative temperature coefficient thermistor (NTC) element, a positive temperature coefficient thermistor (PTC) element or a varistor, and more particularly to a resistance element having a plurality of internal electrodes.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、プリント回路基板などの表面実装
し得るチップ型抵抗素子として種々のものが提案されて
いる。例えば、特開平4−283902号公報には、図
8に示すチップ型サーミスタ素子が開示されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, various types of chip-type resistive elements that can be surface-mounted such as a printed circuit board have been proposed. For example, Japanese Patent Laying-Open No. 4-283902 discloses a chip type thermistor element shown in FIG.

【0003】サーミスタ素子51は、半導体セラミック
スよりなるサーミスタ素体52を有する。サーミスタ素
体52は、対向し合う端面52a,52bを有する。端
面52aに引き出されるように、サーミスタ素体52内
に第1の内部電極53が形成されている。また、端面5
2bに引き出されるように、第2の内部電極54が形成
されている。
The thermistor element 51 has a thermistor element 52 made of semiconductor ceramics. The thermistor body 52 has opposed end faces 52a and 52b. A first internal electrode 53 is formed in the thermistor body 52 so as to be drawn out to the end face 52a. End face 5
A second internal electrode 54 is formed so as to be drawn out to 2b.

【0004】第1,第2の内部電極53,54は同一高
さ位置に、すなわち、同一平面に形成されており、先端
53aと先端54aとが、所定距離Xを隔てて対向され
ている。なお、端面52a,52bには、それぞれ、外
部電極55,56が形成されている。外部電極55,5
6は、端面52a,52bだけでなく、サーミスタ素体
52の両面、下面及び両側面にも至るように形成されて
いる。
[0004] The first and second internal electrodes 53 and 54 are formed at the same height position, that is, on the same plane, and a front end 53a and a front end 54a are opposed to each other with a predetermined distance X therebetween. External electrodes 55 and 56 are formed on the end surfaces 52a and 52b, respectively. External electrodes 55, 5
6 is formed so as to reach not only the end surfaces 52a and 52b but also both surfaces, a lower surface and both side surfaces of the thermistor body 52.

【0005】サーミスタ素子51では、第1,第2の内
部電極53,54の先端53a,54a間の距離Xを調
整することにより、抵抗値を容易に調整することができ
るとされている。
In the thermistor element 51, the resistance value can be easily adjusted by adjusting the distance X between the tips 53a, 54a of the first and second internal electrodes 53, 54.

【0006】他方、特開昭62−137804号公報に
は、複数の内部電極を厚み方向においてサーミスタ素体
層を介して重なり合わせるように配置することにより、
低抵抗化を図り得るサーミスタ素子が開示されている。
図9は、この先行技術に記載のサーミスタ素子を示す断
面図である。
On the other hand, Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 62-137804 discloses that a plurality of internal electrodes are arranged so as to overlap in the thickness direction via a thermistor element layer.
A thermistor element capable of reducing the resistance is disclosed.
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a thermistor element described in the related art.

【0007】サーミスタ素子57では、半導体セラミッ
クスよりなるサーミスタ素体58が用いられている。サ
ーミスタ素体58は、対向し合う端面58a,58bを
有する。サーミスタ素体58内には、異なる高さ位置
に、内部電極59a〜59dが形成されている。内部電
極59a,59cは、端面58aに引き出されており、
他方、内部電極59b,59dは端面58bに引き出さ
れている。
In the thermistor element 57, a thermistor body 58 made of semiconductor ceramics is used. The thermistor body 58 has opposed end faces 58a and 58b. In the thermistor body 58, internal electrodes 59a to 59d are formed at different height positions. The internal electrodes 59a and 59c are drawn out to the end face 58a,
On the other hand, the internal electrodes 59b and 59d are extended to the end face 58b.

【0008】内部電極59a〜59dは、先端側部分に
おいて、図9に示す距離Yの範囲でサーミスタ素体層を
介して厚み方向に重なり合っている。なお、端面58a
上には、外部電極60が形成されており、外部電極60
は内部電極59a,59cに接続されている。同様に、
端面58b上には、外部電極61が形成されており、外
部電極61は、内部電極59b,59dに接続されてい
る。
The internal electrodes 59a to 59d are overlapped in the thickness direction at the front end portion with the thermistor element layer interposed therebetween within a range of a distance Y shown in FIG. The end face 58a
An external electrode 60 is formed on the upper surface.
Are connected to the internal electrodes 59a and 59c. Similarly,
An external electrode 61 is formed on the end face 58b, and the external electrode 61 is connected to the internal electrodes 59b and 59d.

【0009】サーミスタ素子57では、上記のように、
複数の内部電極59a〜59dをサーミスタ素体層を介
して厚み方向に重なり合うように配置することにより、
低抵抗化を図り得るとされている。
In the thermistor element 57, as described above,
By arranging the plurality of internal electrodes 59a to 59d so as to overlap in the thickness direction via the thermistor body layer,
It is said that resistance can be reduced.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】図8に示したサーミス
タ素子51では、内部電極53,54の先端53a,5
4a間の距離Xを調整することにより抵抗値を調整し得
るが、距離Xが短くなった場合、内部電極53,54間
で短絡するおそれがあった。従って、距離Xについて
は、短絡を確実に防止し得るように選ばれる必要があ
り、抵抗値の調整範囲に制限があった。
In the thermistor element 51 shown in FIG. 8, tips 53a, 5a of internal electrodes 53, 54 are provided.
Although the resistance value can be adjusted by adjusting the distance X between the electrodes 4a, when the distance X is shortened, there is a possibility that the internal electrodes 53 and 54 may be short-circuited. Therefore, it is necessary to select the distance X so as to reliably prevent a short circuit, and the adjustment range of the resistance value is limited.

【0011】加えて、本発明者の実験によれば、外部電
極55,56のサーミスタ素体52へのかぶり深さ、す
なわち外部電極55,56のサーミスタ素体52の上
面、下面及び両側面に至っている部分の長さによって
は、第1,第2の内部電極53,54間の距離Xを変化
させたとしても、抵抗値を十分に変化させ得ないことが
確かめられた。
In addition, according to the experiment of the present inventor, according to the experiment of the present invention, the covering depth of the external electrodes 55 and 56 on the thermistor body 52, that is, the upper and lower surfaces and both side surfaces of the thermistor body 52 of the external electrodes 55 and 56 are shown. It was confirmed that depending on the length of the reaching portion, the resistance value could not be sufficiently changed even if the distance X between the first and second internal electrodes 53 and 54 was changed.

【0012】また、図9に示したサーミスタ素子57で
は、内部電極59a〜59dが重なり合っている領域の
第1,第2の端面58a,58bを結ぶ方向の距離Yが
大きくなると、内部電極59a〜59dの積層数を低減
したとしても、抵抗値をあまり変化させることができな
かった。すなわち、内部電極59a〜59dの積層数を
増加させることによってしか、抵抗値を大きく変化させ
ることができなかった。
In the thermistor element 57 shown in FIG. 9, when the distance Y in the direction connecting the first and second end faces 58a and 58b in the region where the internal electrodes 59a to 59d overlap each other increases, the internal electrodes 59a to 59d become larger. Even if the number of layers of 59d was reduced, the resistance value could not be changed much. That is, the resistance value can be largely changed only by increasing the number of stacked internal electrodes 59a to 59d.

【0013】上記のような問題は、サーミスタ素子だけ
でなく、対向されている第1,第2の内部電極や複数の
内部電極を積層した構造を有するバリスタや固定抵抗素
子においても同様に見られた。
[0013] The above-mentioned problem is similarly observed not only in thermistor elements but also in varistors and fixed resistance elements having a structure in which first and second internal electrodes facing each other and a plurality of internal electrodes are laminated. Was.

【0014】よって、本発明の目的は、上述した従来技
術の欠点を解消し、内部電極間の短絡が生じ難く、抵抗
値の調整が可能であるだけでなく、抵抗値調整範囲が大
きな抵抗素子を提供することにある。
Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned disadvantages of the prior art, to prevent a short circuit between internal electrodes from occurring, to make it possible to adjust a resistance value, and to provide a resistance element having a large resistance value adjustment range. Is to provide.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明に
係る抵抗素子は、対向し合う第1,第2の端面を有する
抵抗素体と、前記抵抗素体の第1,第2の端面に形成さ
れた第1,第2の外部電極と、第1,第2の外部電極に
それぞれ接続されており、サーミスタ素体内に延ばされ
た第1,第2の内部電極とを備え、前記第1,第2の内
部電極は抵抗素体の異なる高さ位置にある第1,第2の
平面にそれぞれ形成されており、第1,第2の平面間の
距離をH、第1,第2の外部電極の相手方に近い側の端
部間の距離をd、第1,第2の内部電極の先端間の第
1,第2の端面を結ぶ方向に沿う距離をLとしたとき
に、Lが負の場合、H>|L|、Lが正の場合にはd>
Lとされていることを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a resistor element having first and second end faces opposed to each other, and a first and second resistor element. A first and a second external electrode formed on the end face, and a first and a second internal electrode connected to the first and the second external electrode, respectively, and extended into the thermistor body; The first and second internal electrodes are formed on first and second planes at different height positions of the resistor element, respectively, and a distance between the first and second planes is H, When the distance between the ends of the second external electrodes closer to the other end is d, and the distance along the direction connecting the first and second end surfaces between the tips of the first and second internal electrodes is L. , L is negative, H> | L |, and if L is positive, d>
L.

【0016】請求項1に記載の発明に係る抵抗素子にお
いては、第1,第2の内部電極の幅は同一である必要は
必ずしもなく、異ならされていてもよい。また、第1,
第2の内部電極は、それぞれ複数設けられてもよく、こ
の場合、第1,第2の内部電極が抵抗素体内において厚
み方向に交互に配置されていてもよい。
In the resistance element according to the first aspect of the present invention, the widths of the first and second internal electrodes do not necessarily have to be the same, but may be different. In addition, the first
A plurality of second internal electrodes may be provided, and in this case, the first and second internal electrodes may be alternately arranged in the thickness direction in the resistor element.

【0017】また、本発明に係る抵抗素子は、負の抵抗
温度特性を有する半導体セラミックスよりなる抵抗素体
を用いた負特性サーミスタ素子に好適に適用することが
できるが、その他、PTC素子、バリスタ、固定抵抗な
どの様々な抵抗素子に適用することができる。
The resistance element according to the present invention can be suitably applied to a negative-characteristic thermistor element using a resistor element made of semiconductor ceramics having a negative resistance-temperature characteristic. And various resistance elements such as fixed resistors.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
非限定的な実施例を挙げることにより、本発明を明らか
にする。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be clarified below by giving non-limiting embodiments of the present invention with reference to the drawings.

【0019】(第1の実施例)図1(a)及び(b)
は、本発明の第1の実施例に係る抵抗素子を説明するた
めの平面断面図及び正面断面図であり、図2は外観を示
す斜視図である。
(First Embodiment) FIGS. 1A and 1B
FIG. 2 is a plan sectional view and a front sectional view for explaining a resistance element according to a first example of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view showing an appearance.

【0020】本実施例のNTC素子1は、抵抗素体とし
てのサーミスタ素体2を有する。サーミスタ素体2は、
負の抵抗温度特性を有する半導体セラミックスにより構
成されている。
The NTC element 1 of this embodiment has a thermistor element 2 as a resistance element. The thermistor body 2 is
It is made of a semiconductor ceramic having a negative resistance temperature characteristic.

【0021】サーミスタ素体2は、対向し合う第1,第
2の端面2a,2bを有する。サーミスタ素体2内に
は、第1の内部電極3及び第2の内部電極4が、サーミ
スタ素体2の異なる高さ位置にある第1,第2の平面に
それぞれ形成されている。なお、第1,第2の平面と
は、それぞれ、内部電極3,4が形成されている平面を
いうものとする。
The thermistor body 2 has first and second end faces 2a and 2b facing each other. In the thermistor body 2, a first internal electrode 3 and a second internal electrode 4 are formed on first and second planes at different height positions of the thermistor body 2, respectively. The first and second planes are planes on which the internal electrodes 3 and 4 are formed, respectively.

【0022】第1の内部電極3は、端面2aに引き出さ
れており、他方、第2の内部電極4は、端面2bに引き
出されている。内部電極3,4は、図1(a)に示すよ
うに、同じ幅寸法を有する矩形形状の金属膜により構成
されている。なお、第1,第2の内部電極3,4は、サ
ーミスタ素体層を介して厚み方向に重なり合っている。
すなわち、先端3aと、先端4aとの間の第1,第2の
端面2a,2bを結ぶ方向に沿う距離がLとなるよう
に、第1,第2の内部電極3,4が厚み方向に重なり合
っている。
The first internal electrode 3 is extended to the end face 2a, while the second internal electrode 4 is extended to the end face 2b. As shown in FIG. 1A, the internal electrodes 3 and 4 are formed of rectangular metal films having the same width. The first and second internal electrodes 3 and 4 overlap in the thickness direction via the thermistor body layer.
That is, the first and second internal electrodes 3 and 4 are arranged in the thickness direction such that the distance along the direction connecting the first and second end faces 2a and 2b between the tip 3a and the tip 4a is L. Overlapping.

【0023】なお、先端3a,4a間の距離Lは、図示
のように内部電極3,4が重なり合っている場合を負、
重なり合っていない場合は正とする。また、図1(a)
においては、第1の内部電極3と、第2の内部電極4と
が厚み方向に重なり合っている領域Aが、斜線のハッチ
ングを付して示されている。
The distance L between the tips 3a and 4a is negative when the internal electrodes 3 and 4 overlap as shown in the figure.
If they do not overlap, it shall be positive. FIG. 1 (a)
In FIG. 5, a region A where the first internal electrode 3 and the second internal electrode 4 overlap in the thickness direction is indicated by hatching.

【0024】端面2aには、第1の外部電極5が形成さ
れており、第1の内部電極3に電気的に接続されてい
る。第1の外部電極5は、端面2a上だけでなく、サー
ミスタ素体2の上面2c、下面2d及び両側面2e,2
fにも至るように形成されている。
A first external electrode 5 is formed on the end face 2a, and is electrically connected to the first internal electrode 3. The first external electrode 5 is provided not only on the end face 2a, but also on the upper face 2c, the lower face 2d, and both side faces 2e and 2e of the thermistor body 2.
It is formed so as to reach f.

【0025】同様に、端面2b上に第2の外部電極6が
形成されており、第2の内部電極4に電気的に接続され
ている。第2の外部電極6も、端面2bだけでなく、上
面2c、下面2d及び両側面2e,2fに至るように形
成されている。
Similarly, a second external electrode 6 is formed on the end face 2b, and is electrically connected to the second internal electrode 4. The second external electrode 6 is also formed so as to reach not only the end face 2b but also the upper face 2c, the lower face 2d, and both side faces 2e and 2f.

【0026】第1,第2の内部電極3,4は、AgやA
g−PdあるいはNi、Cuなどの適宜の金属材料によ
り構成することができる。また、第1,第2の外部電極
5,6についても、AgやAg−Pdなどの適宜の金属
材料により構成することができる。また、外部電極5,
6は、複数の金属層を積層した構造であってもよい。
The first and second internal electrodes 3 and 4 are made of Ag or A
It can be made of g-Pd or an appropriate metal material such as Ni or Cu. Further, the first and second external electrodes 5 and 6 can also be made of an appropriate metal material such as Ag or Ag-Pd. In addition, external electrodes 5,
6 may have a structure in which a plurality of metal layers are stacked.

【0027】本実施例のサーミスタ素子1の特徴は、上
記内部電極3,4が重なり合っている領域の第1,第2
の端面を結ぶ方向に沿う距離の絶対値Lが、第1,第2
の内部電極3,4が形成されている第1,第2の平面間
の距離Hよりも小さいことにある。本実施例では、H>
|L|とすることにより、サーミスタ素子1における抵
抗値調整範囲が広げられる。
The feature of the thermistor element 1 of this embodiment is that the first and second regions of the region where the internal electrodes 3 and 4 overlap each other are described.
The absolute value L of the distance along the direction connecting the end faces of the
Is smaller than the distance H between the first and second planes on which the internal electrodes 3 and 4 are formed. In this embodiment, H>
By | L |, the resistance value adjustment range of the thermistor element 1 is expanded.

【0028】(第2の実施例)図3(a)及び(b)
は、本発明の第2の実施例に係るサーミスタ素子の平面
断面図及び正面断面図である。
(Second Embodiment) FIGS. 3A and 3B
FIG. 3 is a plan sectional view and a front sectional view of a thermistor element according to a second embodiment of the present invention.

【0029】サーミスタ素子11は、内部電極構造を除
いては、第1の実施例にサーミスタ素子1と同様に構成
されている。従って、同一部分については、同一の参照
番号を付することにより、第1の実施例において行った
説明を援用することにより省略する。
The thermistor element 11 has the same structure as the thermistor element 1 in the first embodiment, except for the internal electrode structure. Therefore, the same portions are denoted by the same reference numerals, and the description thereof in the first embodiment is omitted to omit the description.

【0030】サーミスタ素子11では、第1,第2の内
部電極3,4は、サーミスタ素体2内において厚み方向
には重なり合っていない。すなわち、第1の内部電極3
の先端3aと、第2の内部電極4の先端4aとは、第
1,第2の端面2a,2bを結ぶ方向において距離L
(L>0)だけ隔てられている。
In the thermistor element 11, the first and second internal electrodes 3 and 4 do not overlap in the thickness direction in the thermistor body 2. That is, the first internal electrode 3
A distance L in the direction connecting the first and second end faces 2a and 2b.
(L> 0).

【0031】また、第1,第2の外部電極5,6の相手
側に近い端部5a,6a間の距離をdとしたときに、d
>Lとされている。サーミスタ素子11では、d>Lと
されているため、後述の実験例から明らかなように、抵
抗値調整範囲が広げられている。
When the distance between the ends 5a and 6a of the first and second external electrodes 5 and 6 near the other side is d, d
> L. In the thermistor element 11, since d> L, the resistance value adjustment range is widened as is clear from an experimental example described later.

【0032】(実験例)次に、具体的な実験例に基づ
き、第1,第2の実施例に係るサーミスタ素子1,11
において抵抗値調整範囲の広げられることを説明する。
(Experimental Example) Next, based on specific experimental examples, thermistor elements 1 and 11 according to the first and second embodiments will be described.
The fact that the resistance value adjustment range can be widened will be described.

【0033】(第1の実験例)サーミスタ素体2とし
て、Mn、Ni、Co、Alの酸化物からなり、長さ
2.0mm×幅1.25mm×厚さ0.9mmのものを
用意した。このサーミスタ素体2内においては、下面か
ら0.3mmの高さ位置にある第2の平面に、第2の内
部電極4を、第2の内部電極4よりも0.3mm高い第
1の平面に第1の内部電極3を形成した。従って、H=
0.3mmとなる。
(First Experimental Example) As the thermistor element 2, an element of Mn, Ni, Co, and Al having a length of 2.0 mm, a width of 1.25 mm and a thickness of 0.9 mm was prepared. . In the thermistor body 2, the second internal electrode 4 is placed on a second plane located at a height of 0.3 mm from the lower surface by a first plane that is 0.3 mm higher than the second internal electrode 4. Then, the first internal electrode 3 was formed. Therefore, H =
0.3 mm.

【0034】また、第2の内部電極4の長さ、すなわち
端面2bから先端4aまでの長さを1.0mmとし、第
1の内部電極3の長さ、すなわち端面2aから先端3a
までの長さを種々変化させ、先端3a,4a間の第1,
第2の端面を結ぶ方向に沿う距離Lを変化させて種々の
サーミスタ素子を作製した。
The length of the second internal electrode 4, that is, the length from the end face 2 b to the tip 4 a is 1.0 mm, and the length of the first internal electrode 3, that is, the length from the end face 2 a to the tip 3 a
The length of the first 3a, 4a,
Various thermistor elements were manufactured by changing the distance L along the direction connecting the second end faces.

【0035】なお、上記先端3a,4a間の第1,第2
の端面2a,2bを結ぶ方向に沿う距離Lが0の場合、
先端3a,4aが厚み方向に見たときに同じ位置に位置
する。距離Lが正の値の場合、先端3a,4aが隔てら
れており、第2の実施例に相当し、負の場合、第1,第
2の内部電極3,4が厚み方向に重なり、第1の実施例
に相当する。
The first and second portions between the tips 3a and 4a
When the distance L along the direction connecting the end faces 2a and 2b of the
The tips 3a and 4a are located at the same position when viewed in the thickness direction. When the distance L is a positive value, the tips 3a and 4a are separated from each other, which corresponds to the second embodiment. When the distance L is negative, the first and second internal electrodes 3 and 4 overlap in the thickness direction. This corresponds to one embodiment.

【0036】なお、外部電極5,6については、Ag−
Pd導電ペーストを塗布し、焼き付けることにより形成
し、外部電極5,6の先端5a,6a間の距離dを、
1.4mmとした。
The external electrodes 5 and 6 are made of Ag-
It is formed by applying and baking a Pd conductive paste, and the distance d between the tips 5a, 6a of the external electrodes 5, 6 is defined as:
1.4 mm.

【0037】上記のようにして得られた種々のサーミス
タ素子の外部電極5,6間の抵抗値を測定した。結果を
図4に示す。図4から明らかなように、横軸の距離Lが
負の場合−0.3〜0.0の範囲で抵抗値が距離Lにほ
ぼ比例して大きく変化し、−0.3以下の場合には、あ
まり抵抗値が変化しないことがわかる。従って、第1の
実施例のサーミスタ素子1において、H>|L|とする
ことにより、H≦|L|とした場合よりも抵抗値調整範
囲を広げ得ることがわかる。
The resistance values between the external electrodes 5 and 6 of the various thermistor elements obtained as described above were measured. FIG. 4 shows the results. As is clear from FIG. 4, when the distance L on the horizontal axis is negative, the resistance value greatly changes substantially in proportion to the distance L in the range of -0.3 to 0.0, and when the distance L is -0.3 or less. Shows that the resistance value does not change much. Therefore, in the thermistor element 1 according to the first embodiment, it can be seen that the resistance adjustment range can be expanded by setting H> | L | as compared with the case where H ≦ | L |.

【0038】また、図4から明らかなように、距離Lが
正の値の領域では、Lが1.4mmより小さい範囲で抵
抗値が距離Lにほぼ比例して大きく変化し、1.4mm
以上となった場合には抵抗値があまり変化しないことが
わかる。
As is apparent from FIG. 4, in a region where the distance L is a positive value, the resistance value largely changes in proportion to the distance L within a range where the distance L is smaller than 1.4 mm and is 1.4 mm.
It can be seen that the resistance value does not change much when the above is reached.

【0039】従って、距離Lを、外部電極5,6の端部
5a,6a間の距離dよりも小さくすることにより、距
離Lを変更するだけで、抵抗値を広い範囲で調整し得る
ことがわかる。
Therefore, by making the distance L smaller than the distance d between the ends 5a and 6a of the external electrodes 5 and 6, the resistance value can be adjusted in a wide range only by changing the distance L. Understand.

【0040】すなわち、H=0.3mmとした本実験例
のサーミスタ素子においては、Lが負の場合には|L|
を、距離Hより小さく、Lが正の場合には距離Lを距離
dよりも小さくすることにより、距離|L|にほぼ比例
して抵抗値を大きく変化させることができ、抵抗値調整
範囲を拡大し得ることがわかる。
That is, in the thermistor element of this experimental example where H = 0.3 mm, when L is negative, | L |
Is smaller than the distance H, and when the distance L is positive, the distance L is smaller than the distance d, whereby the resistance value can be largely changed substantially in proportion to the distance | L |. It can be seen that it can be enlarged.

【0041】(実験例2)サーミスタ素体2として、M
n、Ni、Co、Alの酸化物からなり、長さ2.0m
m×幅1.25mm×厚さ0.9mmのものを用意し
た。このサーミスタ素体2内においては、下面から0.
41mmの高さ位置にある第2の平面に、第2の内部電
極4を、第2の内部電極4よりも0.08mm高い第1
の平面において第1の内部電極3を形成した。
(Experimental Example 2) As the thermistor body 2, M
Made of oxides of n, Ni, Co and Al, 2.0 m long
m × 1.25 mm × 0.9 mm thickness was prepared. In the thermistor body 2, the lower surface is set at 0.
The second internal electrode 4 is placed on the second plane at a height of 41 mm by 0.08 mm higher than the second internal electrode 4.
The first internal electrode 3 was formed in the plane of FIG.

【0042】また、第2の内部電極4の長さ、すなわち
端面2bから先端4aまでの長さを1.0mmとし、第
1の内部電極3の長さ、すなわち端面2aから先端3a
までの長さを種々変化させ、先端3a,4a間の第1,
第2の端面を結ぶ方向に沿う距離Lを変化させて種々の
サーミスタ素子を作製した。
The length of the second internal electrode 4, that is, the length from the end face 2 b to the tip 4 a is 1.0 mm, and the length of the first internal electrode 3, that is, the length from the end face 2 a to the tip 3 a
The length of the first 3a, 4a,
Various thermistor elements were manufactured by changing the distance L along the direction connecting the second end faces.

【0043】なお、上記先端3a,4a間の第1,第2
の端面2a,2bを結ぶ方向に沿う距離が0の場合、先
端3a,4aが厚み方向に見たときに同じ位置に位置す
る場合であり、正の値の場合、両者が隔てられており、
第2の実施例に相当し、負の場合第1の実施例に相当す
る。
The first and second portions between the tips 3a and 4a
When the distance along the direction connecting the end surfaces 2a and 2b is 0, the tips 3a and 4a are located at the same position when viewed in the thickness direction, and when the distance is positive, they are separated from each other.
This corresponds to the second embodiment, and a negative value corresponds to the first embodiment.

【0044】なお、外部電極5,6については、Ag−
Pd導電ペーストを塗布し、焼き付けることにより形成
し、外部電極5,6の先端5a,6a間の距離dを、
0.3mmとした。
The external electrodes 5 and 6 are made of Ag-
It is formed by applying and baking a Pd conductive paste, and the distance d between the tips 5a, 6a of the external electrodes 5, 6 is defined as:
0.3 mm.

【0045】上記のようにして得られた種々のサーミス
タ素子の外部電極5,6間の抵抗値を測定した。結果を
図5に示す。図5から明らかなように、横軸の距離Lが
−0.3〜0.0の範囲で抵抗値が|L|にほぼ比例し
て大きく変化し、−0.3以下の場合には、あまり抵抗
値が変化しないことがわかる。従って、第1の実施例の
サーミスタ素子1において、H>|L|とすることによ
り、H≦Lとした場合よりも抵抗値調整範囲を広げ得る
ことがわかる。
The resistance values between the external electrodes 5 and 6 of the various thermistor elements obtained as described above were measured. FIG. 5 shows the results. As is clear from FIG. 5, when the distance L on the horizontal axis is in the range of −0.3 to 0.0, the resistance value largely changes in proportion to | L |. It can be seen that the resistance value does not change much. Therefore, in the thermistor element 1 of the first embodiment, it can be seen that the resistance adjustment range can be expanded by setting H> | L | as compared with the case where H ≦ L.

【0046】また、図5から明らかなように、Lが正の
値の領域では、Lが1.4mmより小さい範囲で抵抗値
が距離Lにほぼ比例して大きく変化し、1.4mm以上
となった場合には抵抗値があまり変化しないことがわか
る。
Further, as is apparent from FIG. 5, in the region where L is a positive value, the resistance value largely changes in proportion to the distance L within a range where L is less than 1.4 mm. It can be seen that the resistance value does not change so much when it becomes.

【0047】従って、距離Lを、外部電極5,6の端部
5a,6a間の距離dよりも小さくすることにより、距
離Lを変更するだけで、抵抗値を広い範囲で調整し得る
ことがわかる。
Therefore, by making the distance L smaller than the distance d between the ends 5a and 6a of the external electrodes 5 and 6, the resistance can be adjusted in a wide range only by changing the distance L. Understand.

【0048】すなわち、H=0.08mmとした本実験
例のサーミスタ素子においても、距離Lが負の場合には
距離Lを、距離Hより小さく、距離Lが正の場合には距
離dよりも小さくすることにより、|L|にほぼ比例し
て抵抗値を大きく変化させることができ、抵抗値調整範
囲を拡大し得ることがわかる。
That is, in the thermistor element of this experimental example where H = 0.08 mm, the distance L is smaller than the distance H when the distance L is negative and smaller than the distance d when the distance L is positive. It can be seen that by making the value smaller, the resistance value can be changed largely in proportion to | L | and the resistance value adjustment range can be expanded.

【0049】従って、第1,第2の実験例から明らかな
ように、上記内部電極3,4の先端間の距離Lを上記特
定の範囲内で、該距離Lのみを変更することにより、広
い抵抗値範囲から所望の抵抗値を容易に実現し得ること
ができる。従って、サーミスタ素体の組成、内部電極の
枚数並びに厚み方向に沿う内部電極間の距離Hを変更せ
ずとも、広い抵抗値範囲で抵抗値を調整することができ
る。
Therefore, as is clear from the first and second experimental examples, the distance L between the tips of the internal electrodes 3 and 4 can be increased by changing only the distance L within the above-mentioned specific range. A desired resistance value can be easily realized from the resistance value range. Therefore, the resistance value can be adjusted in a wide resistance value range without changing the composition of the thermistor body, the number of internal electrodes, and the distance H between the internal electrodes along the thickness direction.

【0050】(変形例)第1,第2の実施例では、第
1,第2の内部電極3,4は、同一幅の矩形の金属膜に
より構成されていたが、本発明においては、第1,第2
の内部電極3,4の幅は異ならされていてもよい。すな
わち、図6(a)及び(b)に、それぞれ、平面断面図
及び正面断面図で示すように、第1の内部電極3の幅寸
法W1 を、第2の内部電極4の幅寸法W2 よりも大きく
してもよく、逆に、第2の内部電極4の幅寸法W2 を、
第1の内部電極3の幅寸法W1 よりも大きくしてもよ
い。
(Modification) In the first and second embodiments, the first and second internal electrodes 3 and 4 are formed of rectangular metal films having the same width. 1st, 2nd
The width of the internal electrodes 3 and 4 may be different. That is, as shown in the plan sectional view and the front sectional view in FIGS. 6A and 6B, respectively, the width dimension W 1 of the first internal electrode 3 is changed to the width dimension W of the second internal electrode 4. 2 , and conversely, the width W 2 of the second internal electrode 4 is
The width W1 of the first internal electrode 3 may be larger than the width W1.

【0051】このように、第1,第2の内部電極3,4
の幅寸法を異ならせた場合、幅方向に第1,第2の内部
電極の積層位置がずれたとしても、幅寸法W2 の小さい
側の内部電極4が、幅寸法W1 が大きい第1の内部電極
3が位置している領域内において先端側部分が重なって
いる限り、重なり面積(図6の斜線のハッチングを付し
た示した領域P)は変化しない。従って、抵抗値は、内
部電極3,4の先端間の第1,第2の端面2a,2bを
結ぶ方向に沿う距離Lによってのみ定まる。
As described above, the first and second internal electrodes 3 and 4
If having different width dimensions, a first width direction, a stacked position of the second internal electrode is displaced, the first small side internal electrode 4 of the width dimension W 2 is larger width dimension W 1 The overlapping area (the area P shown by hatching in FIG. 6) does not change as long as the tip side portions overlap in the area where the internal electrode 3 is located. Therefore, the resistance value is determined only by the distance L along the direction connecting the first and second end surfaces 2a and 2b between the tips of the internal electrodes 3 and 4.

【0052】また、第1,第2の実施例では、第1,第
2の内部電極3,4をサーミスタ素体2内に配置した
が、第1,第2の内部電極はそれぞれ複数形成されてい
てもよい。図7に示す変形例のサーミスタ素子31で
は、2枚の第1の内部電極3,33と、2枚の第2の内
部電極4,34が配置されており、第1,第2の内部電
極が厚み方向において交互に配置されている。
In the first and second embodiments, the first and second internal electrodes 3 and 4 are arranged in the thermistor body 2. However, a plurality of first and second internal electrodes are formed. May be. In the thermistor element 31 of the modified example shown in FIG. 7, two first internal electrodes 3 and 33 and two second internal electrodes 4 and 34 are arranged, and the first and second internal electrodes 3 and 4 are arranged. Are alternately arranged in the thickness direction.

【0053】このように、複数枚の第1の内部電極3,
33及び第2の内部電極4,34を用いた場合において
も、本発明に従って、H>|L|あるいはd>Lを満た
す限り、第1,第2の実施例と同様に、広い抵抗値範囲
で所望の抵抗値を容易に得ることができる。
As described above, the plurality of first internal electrodes 3
Even in the case of using the internal electrodes 33 and the second internal electrodes 4 and 34, as long as H> | L | or d> L according to the present invention, as in the first and second embodiments, a wide resistance value range Thus, a desired resistance value can be easily obtained.

【0054】また、第1,第2の内部電極の数を増大さ
せることにより、同じサーミスタ素体2を用いた場合で
あっても、より低い抵抗値を得ることができる。
By increasing the number of the first and second internal electrodes, a lower resistance value can be obtained even when the same thermistor body 2 is used.

【0055】[0055]

【発明の効果】請求項1に記載の発明に係る抵抗素子で
は、サーミスタ素体の異なる高さ位置にある第1,第2
の平面にそれぞれ第1,第2の内部電極が形成されてお
り、第1,第2の平面間の距離をH、第1,第2の外部
電極の相手方に近い側の端部間の距離をd、第1,第2
の内部電極の先端間の第1,第2の端面を結ぶ方向に沿
う距離Lとしたときに、Lが負であり、第1,第2の内
部電極の先端側部分が厚み方向に重なり合っている場合
には、H>|L|とされており、Lが正の場合、すなわ
ち第1,第2の内部電極が厚み方向に重なり合っていな
い場合には、d>Lとされているので、第1,第2の内
部電極の先端間の距離の絶対値|L|にほぼ比例して抵
抗値が変化する。従って、抵抗素体の固有抵抗値すなわ
ち組成、内部電極の枚数、内部電極間の厚み方向に沿う
距離を一定とした場合であっても、上記距離Lを調整す
るだけで、広い抵抗値範囲にわたり抵抗値を調整するこ
とができる。
According to the resistance element according to the first aspect of the present invention, the first and second resistance elements at different heights of the thermistor element body are provided.
The first and second internal electrodes are formed on the respective planes, and the distance between the first and second planes is H, and the distance between the ends of the first and second external electrodes closer to the other side. To d, the first and second
When the distance L along the direction connecting the first and second end faces between the tips of the internal electrodes is L, L is negative and the tip side portions of the first and second internal electrodes overlap in the thickness direction. H> | L |, and if L is positive, that is, if the first and second internal electrodes do not overlap in the thickness direction, then d> L. The resistance value changes substantially in proportion to the absolute value | L | of the distance between the tips of the first and second internal electrodes. Therefore, even when the specific resistance value of the resistive element, that is, the composition, the number of internal electrodes, and the distance along the thickness direction between the internal electrodes are fixed, only by adjusting the distance L, a wide resistance value range can be obtained. The resistance value can be adjusted.

【0056】よって、第1,第2の内部電極を有する抵
抗素子における抵抗値の設計が容易となると共に、材料
コストや工程数の削減を果たすことができ、様々な抵抗
値の抵抗素子を安価に提供することが可能となる。加え
て、第1,第2の内部電極は抵抗素体の異なる高さ位置
に配置されているため、第1,第2の内部電極間におけ
る短絡も生じ難い。
Accordingly, the resistance value of the resistance element having the first and second internal electrodes can be easily designed, the material cost and the number of steps can be reduced, and the resistance elements having various resistance values can be manufactured at low cost. Can be provided. In addition, since the first and second internal electrodes are arranged at different height positions of the resistance element, a short circuit between the first and second internal electrodes hardly occurs.

【0057】請求項2に記載の発明に係る抵抗素子で
は、第1,第2の内部電極の幅が異ならされているの
で、第1,第2の内部電極の積層位置が幅方向にずれた
場合であっても、幅寸法の小さい側の内部電極が幅方向
位置において幅方向寸法の大きな内部電極の領域内に配
置されている限り、抵抗値が変化しない。従って、第
1,第2の内部電極の幅方向の積層精度をさほど高めず
とも、第1,第2の内部電極の先端間の距離Lを調整す
るだけで、広い抵抗値範囲において所望とする抵抗値を
実現することができる。
In the resistance element according to the second aspect of the present invention, since the widths of the first and second internal electrodes are different, the lamination positions of the first and second internal electrodes are shifted in the width direction. Even in this case, the resistance value does not change as long as the internal electrode having the smaller width dimension is arranged in the region of the internal electrode having the larger width dimension at the width direction position. Therefore, a desired resistance can be obtained in a wide resistance value range only by adjusting the distance L between the tips of the first and second internal electrodes without significantly increasing the lamination accuracy in the width direction of the first and second internal electrodes. A resistance value can be realized.

【0058】請求項3に記載の発明では、複数枚の第1
の内部電極と、複数枚の第2の内部電極とを有し、第
1,第2の内部電極が抵抗素体内において厚み方向にお
いて交互に配置されているので、内部電極の積層数を増
大させることにより、小さな抵抗値の抵抗素子を提供す
ることができると共に、本発明に従って第1,第2の内
部電極間の先端間の距離Lを調整するだけで広い抵抗値
範囲にわたり抵抗値を調整することができる。
According to the third aspect of the present invention, a plurality of first
, And a plurality of second internal electrodes, and the first and second internal electrodes are alternately arranged in the thickness direction in the resistor element, so that the number of stacked internal electrodes is increased. Thus, a resistance element having a small resistance value can be provided, and the resistance value can be adjusted over a wide resistance value range only by adjusting the distance L between the tips between the first and second internal electrodes according to the present invention. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)及び(b)は、それぞれ、本発明の第1
の実施例に係るサーミスタ素子を示す平面断面図及び正
面断面図。
1 (a) and 1 (b) respectively show a first embodiment of the present invention.
FIGS. 3A and 3B are a plan cross-sectional view and a front cross-sectional view illustrating a thermistor element according to the example of FIG.

【図2】本発明の第1の実施例に係るサーミスタ素子の
外観を示す斜視図。
FIG. 2 is a perspective view showing the appearance of a thermistor element according to the first embodiment of the present invention.

【図3】(a)及び(b)は、それぞれ、第2の実施例
に係るサーミスタ素子の平面断面図及び正面断面図。
FIGS. 3A and 3B are a plan sectional view and a front sectional view, respectively, of a thermistor element according to a second embodiment.

【図4】第1の実験例の結果を示し、第1,第2の内部
電極の先端間の距離Lと、抵抗値との関係を示す図。
FIG. 4 is a diagram showing a result of the first experimental example, and showing a relationship between a distance L between tips of first and second internal electrodes and a resistance value.

【図5】第2の実験例の結果を示し、第1,第2の内部
電極の先端間の距離Lと、抵抗値との関係を示す図。
FIG. 5 is a diagram showing a result of a second experimental example, and showing a relationship between a distance L between tips of first and second internal electrodes and a resistance value.

【図6】(a)及び(b)は、それぞれ、本発明の抵抗
素子の変形例を示す平面断面図及び正面断面図。
FIGS. 6A and 6B are a plan sectional view and a front sectional view, respectively, showing a modification of the resistance element of the present invention.

【図7】本発明の抵抗素子のさらに他の変形例を示す正
面断面図。
FIG. 7 is a front sectional view showing still another modified example of the resistance element of the present invention.

【図8】従来のサーミスタ素子を説明するための正面断
面図。
FIG. 8 is a front sectional view for explaining a conventional thermistor element.

【図9】従来のサーミスタ素子の他の例を示す正面断面
図。
FIG. 9 is a front sectional view showing another example of a conventional thermistor element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…サーミスタ素子 2…サーミスタ素体 2a,2b…第1,第2の端面 2c…上面 2d…下面 2e,2f…側面 3…第1の内部電極 4…第2の内部電極 3a,4a…先端 5…第1の外部電極 6…第2の外部電極 5a,6a…端部 11…サーミスタ素子 21…サーミスタ素子 31…サーミスタ素子 33…第1の内部電極 34…第2の内部電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Thermistor element 2 ... Thermistor element body 2a, 2b ... 1st, 2nd end surface 2c ... Upper surface 2d ... Lower surface 2e, 2f ... Side surface 3 ... 1st internal electrode 4 ... 2nd internal electrode 3a, 4a ... Tip 5 First external electrode 6 Second external electrode 5a, 6a End 11 Thermistor element 21 Thermistor element 31 Thermistor element 33 First internal electrode 34 Second internal electrode

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 対向し合う第1,第2の端面を有する抵
抗素体と、 前記抵抗素体の第1,第2の端面に形成された第1,第
2の外部電極と、 第1,第2の外部電極にそれぞれ接続されており、サー
ミスタ素体内に延ばされた第1,第2の内部電極とを備
え、 前記第1,第2の内部電極は抵抗素体の異なる高さ位置
にある第1,第2の平面にそれぞれ形成されており、 第1,第2の平面間の距離をH、第1,第2の外部電極
の相手方に近い側の端部間の距離をd、第1,第2の内
部電極の先端間の第1,第2の端面を結ぶ方向に沿う距
離をLとしたときに、Lが負の場合にはH>|L|、L
が正の場合にはd>Lとされていることを特徴とする、
抵抗素子。
A resistor element having first and second end faces facing each other; first and second external electrodes formed on first and second end faces of the resistor element; , A second internal electrode connected to the second external electrode and extending inside the thermistor body, wherein the first and second internal electrodes have different heights of the resistance element body. The distance between the first and second planes is H, and the distance between the ends of the first and second external electrodes closer to the other side is H. d, where L is the distance along the direction connecting the first and second end faces between the tips of the first and second internal electrodes, and if L is negative, H> | L |, L
Is positive when d> L,
Resistance element.
【請求項2】 前記第1,第2の内部電極の幅が異なら
されている、請求項1に記載の抵抗素子。
2. The resistance element according to claim 1, wherein the first and second internal electrodes have different widths.
【請求項3】 複数枚の第1の内部電極と、複数枚の第
2の内部電極とを有し、第1,第2の内部電極が抵抗素
体内において厚み方向において交互に配置されているこ
とを特徴とする、請求項1または2に記載の抵抗素子。
3. A plurality of first internal electrodes and a plurality of second internal electrodes, wherein the first and second internal electrodes are alternately arranged in the thickness direction in the resistor element. The resistance element according to claim 1, wherein:
【請求項4】 前記抵抗素体が負の抵抗温度特性を有す
る半導体セラミックスよりなり、負特性サーミスタ素子
であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記
載の抵抗素子。
4. The resistance element according to claim 1, wherein said resistance element is made of a semiconductor ceramic having a negative resistance temperature characteristic, and is a negative characteristic thermistor element.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003092203A (en) * 2001-09-19 2003-03-28 Ishizuka Electronics Corp Laminated chip thermistor

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