JP2000113510A - Information recording medium - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は情報記録媒体に関
し、さらに詳しくはプラスチックスの基体上に形成され
る表面改質層および記録媒体層上に形成される表面保護
層に特徴を有する情報記録媒体に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an information recording medium, and more particularly to an information recording medium characterized by a surface modified layer formed on a plastic substrate and a surface protective layer formed on the recording medium layer. About.
【０００２】[0002]
【従来の技術】光ディスクなどの情報記録媒体の作製に
おいて、従来は、プラスチックスの基体上に、ハードコ
ート用の樹脂塗料を数μｍスピンコートなどにより塗布
し、その上に記録媒体を形成後、さらにその上に表面保
護層としてＳｉＯ2 、ＳｉＮx、炭素などの薄膜を形成
することにより設けていた。これらの表面保護層は、蒸
着、スパッタ、イオンプレーティング、ＣＶＤ(Chemica
l Vapor deposition) 、イオンビーム蒸着、イオンビー
ムスパッタなどにより、硬質な薄膜が形成されている。
また、プラスチックスの基体へイオンを照射して、その
表面を改質して表面改質層を形成する方法として、半導
体産業で使用されるイオン照射装置（イオン注入装置と
も呼ばれる）を使用する方法が行われている（例えば、
特開昭６２−２５６４２８号公報、米国特許第４，７４
３，４９３号参照）。2. Description of the Related Art Conventionally, in manufacturing an information recording medium such as an optical disk, a resin coating for hard coating is applied on a plastic substrate by a few μm spin coating or the like, and a recording medium is formed thereon. Further, a thin film of SiO 2 , SiN x , carbon or the like is formed thereon as a surface protective layer. These surface protective layers are formed by vapor deposition, sputtering, ion plating, CVD (Chemica
l Vapor deposition), ion beam evaporation, ion beam sputtering, etc., to form a hard thin film.
Further, as a method of irradiating a plastic substrate with ions and modifying the surface thereof to form a surface-modified layer, a method using an ion irradiation apparatus (also called an ion implantation apparatus) used in the semiconductor industry. (For example,
JP-A-62-256428, U.S. Pat.
3,493).
【０００３】しかしながら、特に炭素を用いたこれらの
表面保護層や表面改質層は、いわゆるＤＬＣ構造を示す
ものであるが、ＳＰ2 結合（グラファイト構造）とＳＰ
3 結合（ダイアモンド状構造）が混在する構造を示し、
ダイアモンド薄膜にはおよばない硬度特性を有するもの
であった。However, these surface protective layers and surface modified layers using carbon in particular have a so-called DLC structure, but have an SP 2 bond (graphite structure) and an SP 2 bond.
Shows a structure in which three bonds (diamond-like structure) are mixed,
It had hardness characteristics that were inferior to diamond thin films.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる問題
点に鑑み、プラスチックスの基体上に表面改質層と、記
録媒体層上に表面保護層を形成することにより、その表
面が優れた硬度を具備する情報記録媒体を提供すること
を課題とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, the present invention provides an improved surface by forming a surface modified layer on a plastic substrate and a surface protective layer on a recording medium layer. It is an object to provide an information recording medium having hardness.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明の情報記録媒体
は、プラスチックスの基体と、基体上にイオン照射によ
り表面が改質された表面改質層と、表面改質層上に形成
された記録媒体層と、記録媒体層上にイオン照射により
形成された表面保護層とを具備することを特徴とする。
プラスチックスは、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリカーボネートおよびアモルファスポリ
オレフィンのうちの少なくともいずれか１種であること
が望ましいが、これらに限定されない。情報記録媒体
は、光ディスク、光磁気ディスクおよび磁気ディスクの
うちのいずれか１種に用いられることが望ましい。An information recording medium according to the present invention comprises a plastic substrate, a surface modified layer having a surface modified by ion irradiation on the substrate, and a surface modified layer formed on the surface modified layer. It is characterized by comprising a recording medium layer and a surface protective layer formed on the recording medium layer by ion irradiation.
The plastic is desirably at least one of acrylic resin, polyethylene terephthalate, polycarbonate, and amorphous polyolefin, but is not limited thereto. The information recording medium is desirably used for any one of an optical disk, a magneto-optical disk, and a magnetic disk.
【０００６】表面改質層または表面保護層は、イオン源
を用いたイオンの照射により形成されることが望まし
い。イオンは、炭素イオン、アルミニウムイオン、チタ
ンイオン、タングステンイオン、アルゴンイオン、窒素
イオンおよびシリコンイオンのうちの少なくともいずれ
か１種であることが望ましい。イオン源は、質量分離型
イオン源、カソーディックアークイオン源、ＩＣＰイオ
ン源、ＥＣＲプラズマイオン源、ヘリコン波プラズマイ
オン源のうちのいずれか１種であることが望ましい。The surface modification layer or the surface protection layer is preferably formed by ion irradiation using an ion source. The ions are desirably at least one of carbon ions, aluminum ions, titanium ions, tungsten ions, argon ions, nitrogen ions, and silicon ions. The ion source is desirably any one of a mass separation type ion source, a cathodic arc ion source, an ICP ion source, an ECR plasma ion source, and a helicon wave plasma ion source.
【０００７】表面保護層は、レーザアブレーション法に
より薄膜形成されることが望ましい。この薄膜形成に用
いるターゲットは、炭素、アルミニウム、チタン、タン
グステンおよびシリコンのうちの少なくともいずれか１
種であることが望ましい。The surface protective layer is desirably formed as a thin film by a laser ablation method. The target used for forming the thin film is at least one of carbon, aluminum, titanium, tungsten and silicon.
Desirably a seed.
【０００８】表面改質層および表面保護層は、ＳＰ2 結
合に比べてＳＰ3 結合を多く含むＤＬＣであることが望
ましい。It is preferable that the surface modification layer and the surface protective layer are DLCs containing more SP 3 bonds than SP 2 bonds.
【０００９】本発明の情報記録媒体によれば、プラスチ
ックスの基体にイオン照射により、表面改質層および記
録媒体層上にイオン照射を用いて表面保護層を形成しつ
つ、高密度のイオンと大きなイオン電流密度による反応
エネルギーを用いて、高硬度な複合層を形成することが
可能となる。また、グラファイト構造を示すＳＰ2 結合
に比べてダイアモンド状構造を示すＳＰ3 結合を多く含
むＤＬＣを形成することができるので、ダイアモンド薄
膜に近い硬度特性を得ることができる。According to the information recording medium of the present invention, a plastic substrate is irradiated with ions to form a surface protective layer on the surface-modified layer and the recording medium layer by ion irradiation, and a high-density ion is formed. It is possible to form a high hardness composite layer by using reaction energy due to a large ion current density. Further, it is possible to form the DLC containing a large amount of SP 3 bond showing a diamond-like structure compared to the SP 2 bond showing the graphite structure, it is possible to obtain a hardness characteristics similar to diamond film.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】本発明の情報記録媒体の実施の形
態を、カソーディックアークイオン源を用いたイオン照
射方法およびレーザアブレーション装置を用いた薄膜形
成法により作製した情報記録媒体の実施の形態の一例で
ある図１〜図４を参照して説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the information recording medium of the present invention is an embodiment of an information recording medium manufactured by an ion irradiation method using a cathodic arc ion source and a thin film forming method using a laser ablation apparatus. A description will be given with reference to FIGS.
【００１１】カソーディックアークイオン源を用いるイ
オン照射装置を使用して炭素イオンを情報記録媒体のプ
ラスチックスの基体に照射する事例を説明する。図１は
カソーディックアークイオン源を用いたイオン照射装置
の一例を示し、図２はカソーディックアークイオン源の
一例の拡大図を示す。イオン照射装置１は、図１のよう
に、カソーディックアークイオン源２、引き出し電極
３、質量分離用電磁石４、加速管５、走査電極６および
プラスチックスの基体７により構成される。この装置の
到達真空度は例えば１．３３×１０-6Ｐａであり、ま
た、プラスチックスの基体７の裏側には冷却水または液
体窒素が循環しており、基体７の温度が５０℃以上に上
昇しないようになっている。An example of irradiating a plastic substrate of an information recording medium with carbon ions using an ion irradiation apparatus using a cathodic arc ion source will be described. FIG. 1 shows an example of an ion irradiation apparatus using a cathodic arc ion source, and FIG. 2 shows an enlarged view of an example of a cathodic arc ion source. As shown in FIG. 1, the ion irradiation apparatus 1 includes a cathodic arc ion source 2, an extraction electrode 3, a mass separation electromagnet 4, an accelerating tube 5, a scanning electrode 6, and a plastic base 7. The ultimate degree of vacuum of this apparatus is, for example, 1.33 × 10 −6 Pa. Cooling water or liquid nitrogen is circulated on the back side of the plastic base 7 so that the temperature of the base 7 becomes 50 ° C. or more. Not to rise.
【００１２】カソーディックアークイオン源２は、図２
のように、高真空に保たれた装置内に設けられ、カソー
ド２ａは、例えば炭素をターゲットとし、アノード２ｂ
はコイル状であり双方とも水冷されており、カソード２
ａ−アノード２ｂ間には、イオン化エネルギーとして例
えば５０ｅＶを供給し、トリガー手段２ｃにより例えば
数ｋＶを瞬間的に加えてアーク放電を励起し、プラズマ
イオン源８を発生させ、イオンビーム９として引き出
す。カソード２ａ部は、コイル２ｄによりイオンが収束
されるように制御されている。この炭素ターゲットから
のイオンビームは、図１において、例えば中心磁場３０
０Ｇの質量分離用電磁石４により、中性粒子や巨大な粒
子が除去されて炭素イオンが引き出される。さらに、例
えば３段の加速管５により、例えば１０ｅＶ〜１００ｋ
ｅＶまで加速され、走査電極６により、例えばプラスチ
ックスの基体７面内を一定速度で走査することができ
る。上記のプラズマイオン源８としては、炭素イオンの
他に、チタンイオン、アルミニウムイオン、タングステ
ンイオン、あるいは導入ガスによりアルゴンイオン、窒
素イオンあるいはシリコンイオンなどを用いることがで
きる。The cathodic arc ion source 2 is shown in FIG.
The cathode 2a is provided, for example, with carbon as the target and the anode 2b
Are coil-shaped and both are water-cooled, cathode 2
Between the a-anode 2b, for example, 50 eV is supplied as ionization energy, and for example, several kV is momentarily applied by the trigger means 2c to excite the arc discharge, thereby generating the plasma ion source 8 and extracting it as the ion beam 9. The cathode 2a is controlled so that the ions are converged by the coil 2d. In FIG. 1, the ion beam from the carbon target is, for example, a central magnetic field 30
Neutral particles and giant particles are removed by the 0 G mass separation electromagnet 4 to extract carbon ions. Further, for example, by using a three-stage accelerator tube 5, for example, 10 eV to 100 k
It is accelerated to eV, and the scanning electrode 6 can scan the surface of, for example, a plastic substrate 7 at a constant speed. As the plasma ion source 8, in addition to carbon ions, titanium ions, aluminum ions, tungsten ions, or argon ions, nitrogen ions, or silicon ions depending on the introduced gas can be used.
【００１３】この場合、例えば、炭素イオンの照射を２
０ｋｅＶで１平方センチメートルあたり１０17イオン行
うものとして、そのイオン源として、イオンを分離前の
イオン電流が１０Ａ／ｃｍ2 で、質量分離用電磁石４に
より中心磁場３００Ｇで分離後、３段の加速管５により
１０ｅＶ〜１００ｋｅＶまで加速されたイオンを、走査
電極６によりビーム走査しながら、基体７表面上に照射
する。その場合、ラングミュアプローブによる測定で
は、基体７上で数１００ｍＡ／ｃｍ2 のイオン電流密
度を達成できる。この場合、例えば、１６ｃｍ2 の面積
のポリカーボネートやアモルファスポリオレフィンなど
のプラスチックス製のディスク基体へのイオン照射時間
は、ほぼ１５秒である。In this case, for example, irradiation with carbon ions is performed for 2 hours.
As performing 10 17 ions per square centimeter 0KeV, as its ion source, the ion current is 10A / cm 2 before the separation of the ions, after separation in center field 300G by mass separation electromagnet 4, the acceleration tube of the three stages 5 The ions accelerated to 10 eV to 100 keV are irradiated onto the surface of the base 7 while performing beam scanning with the scanning electrode 6. In that case, an ion current density of several hundred mA / cm 2 can be achieved on the substrate 7 by the measurement using the Langmuir probe. In this case, for example, the ion irradiation time on a disc substrate made of plastics such as polycarbonate or amorphous polyolefin having an area of 16 cm 2 is approximately 15 seconds.
【００１４】このようなカソーディックアークイオン源
によるイオン照射装置１を用いたイオン照射による注入
の深さは、コンピュータソフトとしてＳＩＭＳなどに使
われているトリムソフトでの計算では例えば２０ｋｅＶ
では表面から０．１μｍ程度までの注入が行われる。The depth of implantation by ion irradiation using the cathodic arc ion source using the ion irradiation apparatus 1 is, for example, 20 keV by calculation using trim software used for SIMS or the like as computer software.
In this case, implantation is performed up to about 0.1 μm from the surface.
【００１５】上記の高密度プラズマイオン源としては、
カソーディックアークイオン源の他に質量分離型イオン
源、ＩＣＰイオン源、ＥＣＲプラズマイオン源やヘリコ
ン波プラズマイオン源を用いることもできる。As the above high-density plasma ion source,
In addition to the cathodic arc ion source, a mass separation type ion source, an ICP ion source, an ECR plasma ion source, and a helicon wave plasma ion source can also be used.
【００１６】次に、レーザアブレーション装置を用いた
薄膜形成法によりプラスチックスの基体へ表面保護層を
形成する事例をレーザアブレーション装置の一例である
図４を参照して以下に説明する。レーザアブレーション
装置１０において、真空チャンバ１１内に配設したター
ゲット１２にレーザ１３を用いてレーザビーム１４を照
射し、ターゲット１２に対向する基体１５にターゲット
原子を照射する。真空チャンバ１１は、真空ポンプ１６
により排気され、例えば真空度は、５×１０-6Ｐａに保
ち、イオン照射時には、８×１０-5Ｐａである。ターゲ
ット１２は炭素として高配向性のグラファイトを用い、
例えば１５０ｒｐｍで回転させる。基体１５には、ポリ
カーボネートやアモルファスポリオレフィンなどのプラ
スチックスの基体を用い、照射前に例えばクリーニング
イオン銃１８を用いて例えば２００ｅＶでプラズマエッ
チングを行い、表面をクリーニングすることができる。
レーザ１３は、ＫｒＦレーザ（２４８ｎｍ）を用い、基
体１５に対し４５度の方向から球面レンズ１８を通し、
ターゲット１２上に焦点を結ぶように照射する。レーザ
フルエンスは、例えば、０．２〜７．９Ｊ／ｃｍ2 の間
で発振する。成膜される炭素膜の評価は、不図示のエネ
ルギーフィルタ付き透過電子顕微鏡を用い、エネルギー
損失スペクトルＥＥＬＳ(Electron Energy Loss Spectr
oscopy) の解析を行うことができる。Next, an example in which a surface protective layer is formed on a plastic substrate by a thin film forming method using a laser ablation apparatus will be described below with reference to FIG. 4, which is an example of a laser ablation apparatus. In the laser ablation apparatus 10, a laser beam 14 is applied to a target 12 provided in a vacuum chamber 11 using a laser 13, and a base 15 facing the target 12 is irradiated with target atoms. The vacuum chamber 11 includes a vacuum pump 16
For example, the degree of vacuum is kept at 5 × 10 −6 Pa and is 8 × 10 −5 Pa during ion irradiation. The target 12 uses highly oriented graphite as carbon,
For example, it is rotated at 150 rpm. As the substrate 15, a substrate made of plastics such as polycarbonate or amorphous polyolefin is used, and before irradiation, plasma etching is performed at, for example, 200 eV using a cleaning ion gun 18 to clean the surface.
The laser 13 uses a KrF laser (248 nm) and passes through a spherical lens 18 from a direction of 45 degrees with respect to the base 15.
Irradiate so as to focus on the target 12. Laser fluence oscillates, for example, between 0.2 and 7.9 J / cm 2 . The carbon film to be formed was evaluated using a transmission electron microscope with an energy filter (not shown) and an energy loss spectrum EELS (Electron Energy Loss Spectr).
oscopy) analysis.
【００１７】上記のターゲットとしては、炭素の他に、
アルミニウム、チタン、タングステンおよびシリコンな
どを用いることができる。As the above target, in addition to carbon,
Aluminum, titanium, tungsten, silicon, or the like can be used.
【００１８】上記のように、カソ−ディックアークイオ
ン源を用いたイオン照射またはレーザアブレーション装
置を用いた薄膜形成により、炭素を用いてポリカーボネ
ートやアモルファスポリオレフィンなどのプラスチック
スの基体に形成した薄膜のラマンスペクトルは、例えば
図３（ａ）または図３（ｂ）のような波形を示す。図３
（ａ）の波形は、２つのピークを持つブロードな波形を
示し、図３（ｃ）に示すように、それぞれ１３５０ｃｍ
-1と１５３０ｃｍ-1にピークをもつ２つの波形に分離さ
れる（点線部は図３（ａ）の波形を示す）。この波形は
ＤＬＣ構造を示し、この薄膜のＥＥＬＳの解析によれ
ば、ＳＰ2 結合に比べてＳＰ3 結合を多く含む構造とな
っていることがわかる。一方、図３（ｂ）の波形は、１
５５０ｃｍ-1近辺だけに単一のピークを持つ波形となっ
ており、ＥＥＬＳの解析によると、ＳＰ2 結合（２０
％）に比べてＳＰ3 結合（８０％）を多く含む構造とな
っており、ダイアモンド薄膜に近い構造のＤＬＣが形成
されていることがわかる。As described above, by Raman irradiation of a thin film formed on a plastic substrate such as polycarbonate or amorphous polyolefin using carbon by ion irradiation using a cathodic arc ion source or thin film formation using a laser ablation apparatus. The spectrum shows a waveform as shown in FIG. 3A or 3B, for example. FIG.
The waveform of (a) shows a broad waveform having two peaks, and as shown in FIG.
It is separated into two waveforms having peaks at -1 and 1530 cm -1 (the dotted line shows the waveform of FIG. 3A). This waveform shows a DLC structure, and EELS analysis of this thin film shows that the thin film has a structure containing more SP 3 bonds than SP 2 bonds. On the other hand, the waveform in FIG.
The waveform has a single peak only at around 550 cm −1, and according to EELS analysis, SP 2 binding (20
%), The structure has more SP 3 bonds (80%), indicating that a DLC having a structure close to a diamond thin film is formed.
【００１９】さらに、上記のように、カソ−ディックア
ークイオン源を用いたイオン照射またはレーザアブレー
ション装置を用いた薄膜形成により、試験用基体上に作
製した炭素薄膜の硬度特性を、例えばＮＥＣ製薄膜硬度
計ＭＨＡ４００を用いて測定した結果、薄膜硬度は、４
０〜５０ＧＰａの面圧換算値を示し、通常のイオンビー
ム蒸着の場合の最大硬さの２０ＧＰａを大きく上回る特
性を得る。これは、ダイアモンド薄膜の１００ＧＰａに
比較しても極めて優れた硬度特性を有するといえる。Further, as described above, the hardness characteristics of the carbon thin film formed on the test substrate by ion irradiation using a cathodic arc ion source or by forming a thin film using a laser ablation apparatus are evaluated by, for example, an NEC thin film. As a result of measurement using a hardness meter MHA400, the film hardness was 4
A surface pressure conversion value of 0 to 50 GPa is shown, and characteristics that greatly exceed the maximum hardness of 20 GPa in the case of ordinary ion beam deposition are obtained. This can be said to have extremely excellent hardness characteristics as compared with 100 GPa of the diamond thin film.
【００２０】[0020]
【実施例】本発明の実施例として、カソーディックアー
クイオン源を用いたイオン照射装置により、例えば３．
５インチのプラスチックスの基体の光磁気ディスクなど
の情報記録媒体を作製した事例を、この情報記録媒体の
概略構成断面図である図５を参照して以下に説明する。
情報記録媒体１９において、厚さ１．２ｍｍのポリカー
ボネートのプラスチックスの基体２０表面には、上記の
カソーディックアークイオン源を用いたイオン照射装置
により炭素イオンの照射を行い表面改質層２１を形成
し、その上に光磁気記録媒体などの記録媒体層２２を成
膜後に、さらに記録媒体層２２上に上記のカソーディッ
クアークイオン源を用いたイオン照射装置により炭素イ
オンのイオン照射を行い、２０ｎｍの表面保護層２３を
形成した。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As an embodiment of the present invention, for example, an ion irradiation apparatus using a cathodic arc ion source will be described in, for example, "3.
An example in which an information recording medium such as a magneto-optical disk having a 5-inch plastic substrate is manufactured will be described below with reference to FIG. 5 which is a schematic sectional view of the information recording medium.
In the information recording medium 19, the surface of a polycarbonate plastic substrate 20 having a thickness of 1.2 mm is irradiated with carbon ions by an ion irradiation apparatus using the cathodic arc ion source to form a surface modified layer 21. After forming a recording medium layer 22 such as a magneto-optical recording medium thereon, the recording medium layer 22 is further irradiated with carbon ions by an ion irradiation apparatus using the above-described cathodic arc ion source. Was formed.
【００２１】その結果、この情報記録媒体１９につい
て、上記の薄膜硬度計により、表面保護層２３側から先
端半径０．５μｍのバーコビッチ圧子により押し込み距
離１００ｎｍまで押し込み、さらに加重２．９ｍＮまで
測定を行ったが、表面保護層２３には、なんら圧痕が見
られず、歪み変位曲線よりも変形がほとんどないことを
示した。このことは、プラスチックスの基体２０上に形
成した複合層に応力による変形がないことを示し、これ
らの表面処理が有効なことを表している。As a result, the information recording medium 19 was pushed from the surface protective layer 23 side to a pushing distance of 100 nm by a Berkovich indenter having a tip radius of 0.5 μm from the surface protective layer 23 side, and the information recording medium 19 was further measured to a weight of 2.9 mN. However, no indentation was observed on the surface protective layer 23, indicating that the surface protective layer 23 was hardly deformed than the strain displacement curve. This indicates that the composite layer formed on the plastic substrate 20 has no deformation due to stress, indicating that these surface treatments are effective.
【００２２】[0022]
【発明の効果】本発明の情報記録媒体によれば、カソー
ディックアークイオン源などの高密度プラズマイオン源
やレーザアブレーションを用いたイオン照射を行うこと
により、プラスチックスの基体の表面でイオン密度を大
とし、イオン電流密度を大としつつ、プラスチックス基
体表面に表面改質層を形成するとともに、記録媒体層上
に表面保護層を形成できるので、ＳＰ2 結合に比べてＳ
Ｐ3 結合を多く含むダイアモンド薄膜に近い優れた硬度
特性を有するＤＬＣを形成することができる。また、こ
れを用いた硬度特性および耐久性に優れた光ディスク、
光磁気ディスクまたは磁気ディスクを得ることができ
る。According to the information recording medium of the present invention, by performing ion irradiation using a high-density plasma ion source such as a cathodic arc ion source or laser ablation, the ion density can be reduced on the surface of a plastic substrate. large cities, while a large ion current density, to form a surface modification layer on the plastic substrate surface, it is possible to form a surface protective layer on the recording medium layer, as compared to the SP 2 bond S
A DLC having excellent hardness characteristics close to a diamond thin film containing many P 3 bonds can be formed. In addition, an optical disc using this and having excellent hardness characteristics and durability,
A magneto-optical disk or a magnetic disk can be obtained.
【図１】 本発明に用いるカソーディックアークイオン
源を用いたイオン照射装置の一例である。FIG. 1 is an example of an ion irradiation apparatus using a cathodic arc ion source used in the present invention.
【図２】 本発明に用いるカソーディックアークイオン
源の一例である。FIG. 2 is an example of a cathodic arc ion source used in the present invention.
【図３】 （ａ）、（ｂ）本発明のイオン照射によるプ
ラスチックスのラマンスペクトルの一例であり、（ｃ）
は、（ａ）を波形分離したものである。FIGS. 3A and 3B are examples of Raman spectra of plastics obtained by ion irradiation according to the present invention, and FIG.
Is obtained by separating the waveform of FIG.
【図４】 本発明に用いるレーザアブレーション装置の
一例である。FIG. 4 is an example of a laser ablation device used in the present invention.
【図５】 本発明の情報記録媒体の概略構成断面図であ
る。FIG. 5 is a schematic sectional view of the configuration of the information recording medium of the present invention.
１…イオン照射装置、２…カソーディックアークイオン
源、２ａ…カソード、２ｂ…アノード、２ｃ…トリガー
手段、２ｄ…コイル、３…引き出し電極、４…質量分離
用電磁石、５…加速管、６…走査電極、７…基体、８…
プラズマイオン源、９…イオンビーム、１０…レーザア
ブレーション装置、１１…真空チャンバ、１２…ターゲ
ット、１３…レーザ、１４…レーザビーム、１５…基
体、１６…真空ポンプ、１７…クリーニングイオン銃、
１８…球面レンズ、１９…情報記録媒体、２０…基体、
２１…表面改質層、２２…記録媒体層、２３…表面保護
層DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ion irradiation apparatus, 2 ... Cathodic arc ion source, 2a ... Cathode, 2b ... Anode, 2c ... Trigger means, 2d ... Coil, 3 ... Extraction electrode, 4 ... Electromagnet for mass separation, 5 ... Acceleration tube, 6 ... Scanning electrode, 7 ... base, 8 ...
Plasma ion source, 9 ion beam, 10 laser ablation device, 11 vacuum chamber, 12 target, 13 laser, 14 laser beam, 15 substrate, 16 vacuum pump, 17 cleaning ion gun,
18 spherical lens, 19 information recording medium, 20 base,
21: surface modification layer, 22: recording medium layer, 23: surface protection layer
Claims (10)
層と、 前記表面改質層上に形成された記録媒体層と、 前記記録媒体層上に形成された表面保護層とを具備する
ことを特徴とする情報記録媒体。1. A substrate made of plastics; a surface modified layer obtained by modifying the surface of the substrate by ion irradiation; a recording medium layer formed on the surface modified layer; An information recording medium comprising: a formed surface protective layer.
脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネートお
よびアモルファスポリオレフィンのうちの少なくともい
ずれか１種であることを特徴とする請求項１に記載の情
報記録媒体。2. The information recording medium according to claim 1, wherein the plastics is at least one of acrylic resin, polyethylene terephthalate, polycarbonate, and amorphous polyolefin.
気ディスクおよび磁気ディスクのうちのいずれか１種に
用いられることを特徴とする請求項１に記載の情報記録
媒体。3. The information recording medium according to claim 1, wherein the information recording medium is used for any one of an optical disk, a magneto-optical disk, and a magnetic disk.
オンの照射により形成されることを特徴とする請求項１
に記載の情報記録媒体。4. The method according to claim 1, wherein the surface modification layer is formed by ion irradiation using an ion source.
An information recording medium according to claim 1.
オンの照射により形成されることを特徴とする請求項１
に記載の情報記録媒体。5. The method according to claim 1, wherein the surface protection layer is formed by ion irradiation using an ion source.
An information recording medium according to claim 1.
ムイオン、チタンイオン、タングステンイオン、アルゴ
ンイオン、窒素イオンおよびシリコンイオンのうちの少
なくともいずれか１種であることを特徴とする請求項４
または請求項５に記載の情報記録媒体。6. The method according to claim 4, wherein the ions are at least one of carbon ions, aluminum ions, titanium ions, tungsten ions, argon ions, nitrogen ions, and silicon ions.
Alternatively, the information recording medium according to claim 5.
カソーディックアークイオン源、ＩＣＰ (Inductive Co
upled plasma)イオン源、ＥＣＲ (Electron Cyclotron
Resonance)プラズマイオン源およびヘリコン波プラズマ
イオン源のうちのいずれか１種であることを特徴とする
請求項４または請求項５に記載の情報記録媒体。7. The ion source according to claim 1, wherein the ion source is a mass separation type ion source,
Cathodic arc ion source, ICP (Inductive Co
upled plasma) ion source, ECR (Electron Cyclotron)
The information recording medium according to claim 4, wherein the information recording medium is any one of a plasma ion source and a helicon wave plasma ion source.
法を用いて薄膜形成されたことを特徴とする請求項１に
記載の情報記録媒体。8. The information recording medium according to claim 1, wherein said surface protection layer is formed as a thin film using a laser ablation method.
素、アルミニウム、チタン、タングステンおよびシリコ
ンのうちの少なくともいずれか１種であることを特徴と
する請求項８に記載の情報記録媒体。9. The information recording medium according to claim 8, wherein a target used for forming the thin film is at least one of carbon, aluminum, titanium, tungsten, and silicon.
は、ＳＰ2 結合に比べてＳＰ3 結合を多く含むＤＬＣ(D
iamond Like Carbon) であることを特徴とする請求項１
に記載の情報記録媒体。10. The surface modified layer and the surface protective layer each include a DLC (DLC) containing more SP 3 bonds than SP 2 bonds.
Claim 1 characterized by being (Iamond Like Carbon)
An information recording medium according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10287078A JP2000113510A (en) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | Information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10287078A JP2000113510A (en) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | Information recording medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000113510A true JP2000113510A (en) | 2000-04-21 |
Family
ID=17712780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10287078A Pending JP2000113510A (en) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | Information recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000113510A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015038843A1 (en) * | 2013-09-13 | 2015-03-19 | Corning Incorporated | Fracture-resistant layered-substrates and articles including the same |
-
1998
- 1998-10-08 JP JP10287078A patent/JP2000113510A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015038843A1 (en) * | 2013-09-13 | 2015-03-19 | Corning Incorporated | Fracture-resistant layered-substrates and articles including the same |
| JP2016533316A (en) * | 2013-09-13 | 2016-10-27 | コーニング インコーポレイテッド | Multilayer substrate having fracture resistance and article comprising multilayer substrate having fracture resistance |
| US10160688B2 (en) | 2013-09-13 | 2018-12-25 | Corning Incorporated | Fracture-resistant layered-substrates and articles including the same |
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