JP2000101417A - Inverter circuit and inverter buffer - Google Patents

Inverter circuit and inverter buffer

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JP2000101417A
JP2000101417A JP10264833A JP26483398A JP2000101417A JP 2000101417 A JP2000101417 A JP 2000101417A JP 10264833 A JP10264833 A JP 10264833A JP 26483398 A JP26483398 A JP 26483398A JP 2000101417 A JP2000101417 A JP 2000101417A
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channel transistor
channel
inverter
transistor
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Japanese (ja)
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Yukinobu Yoshikawa
幸伸 吉川
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an inverter circuit with low power consumption and low noise level by realizing a high-speed operation with a small amplitude for a CMOS LSI with high performance operated at a high speed, and to provide the inverter buffer. SOLUTION: This inverter circuit, consisting of a 1st P-channel transistor(TR) and a 1st N-channel TR in series connection through their drains in a CMOS LSI has a 2nd P-channel TR connected to a source of the 1st P-channel TR, a 2nd N-channel TR connected to a source of the 1st N-channel TR and a feedback means that feeds back an output signal of the inverter circuit to gates of the 2nd P-channel TR and the 2nd N-channel TR. The feedback means feeds back directly the output signal of the inverter circuit to the gates of the 2nd P-channel TR and the 2nd N-channel TR or feeds back the output signal of the inverter circuit that is subject to voltage division to the gates of the 2nd P-channel TR and the 2nd N-channel TR.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はCMOS LSIに
おけるドレインを介し直列接続したPチャネルトランジ
スタとNチャネルトランジスタにより構成されるインバ
ータ回路に関し、特に自己帰還するインバータ回路に関
する。
The present invention relates to an inverter circuit composed of a P-channel transistor and an N-channel transistor connected in series via a drain in a CMOS LSI, and more particularly to a self-feedback inverter circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のインバータ回路が直列に接続され
たインバータバッファの例として、LSI上の各マクロ
ブロック間のタイミングスキューの調整を行う構成の一
例を図3に示す。
2. Description of the Related Art FIG. 3 shows an example of a configuration for adjusting timing skew between macro blocks on an LSI as an example of an inverter buffer in which conventional inverter circuits are connected in series.

【0003】図によれば、マクロ1とマクロ2には、ク
ロック発生回路からのクロックが供給され、各マクロは
同期をとって動作する。LSIチップ上では各マクロブ
ロックの配置位置により、クロック発生回路からマクロ
1、及びマクロ2までの配線距離は同一になることはな
い。配線距離や経路の違いにより、配線抵抗および配線
容量に差がでることから、各々のマクロに供給されるク
ロックはスキューを生じる。各マクロのスキューをなく
すため、スキュー分の遅延値をもつ遅延回路をクロック
ラインに挿入することでタイミングの一致をとってい
る。従来、この遅延回路は、図6に示すようなインバー
タ回路が使用され、図3に示すように、インバータ回路
を直列接続したインバータバッファにより、その接続段
数により遅延値を調整していた。
According to the figure, a clock from a clock generation circuit is supplied to a macro 1 and a macro 2, and each macro operates in synchronization. On the LSI chip, the wiring distance from the clock generation circuit to the macro 1 and the macro 2 will not be the same depending on the arrangement position of each macro block. The clock supplied to each macro generates a skew because the wiring resistance and the wiring capacitance are different due to the difference in the wiring distance and the path. In order to eliminate the skew of each macro, the timing is matched by inserting a delay circuit having a delay value corresponding to the skew into the clock line. Conventionally, this delay circuit uses an inverter circuit as shown in FIG. 6, and as shown in FIG. 3, an inverter buffer in which inverter circuits are connected in series adjusts a delay value according to the number of connected stages.

【0004】近年、LSIシステムの高速化が進むにつ
れ、これらのインバータバッファの消費電流及びノイズ
の影響が無視できなくなり、それらを低減することが要
求されている。その対策として、トランジスタのゲート
幅やゲート長を変えたり、あるいは図7のようにトラン
ジスタを直列に少なくとも2段以上接続することでイン
バータ回路の能力を下げ、消費電流を低減するよう構成
していた。図7に示すようにトランジスタを直列に2段
接続したインバータ回路は、図8のタイミング図に従っ
て動作する。
[0004] In recent years, as the speed of LSI systems has increased, the effects of the current consumption and noise of these inverter buffers cannot be ignored, and it is required to reduce them. As a countermeasure, the gate width and gate length of the transistor are changed, or the transistors are connected in at least two stages in series as shown in FIG. 7, so that the capability of the inverter circuit is reduced and the current consumption is reduced. . An inverter circuit in which two transistors are connected in series as shown in FIG. 7 operates according to the timing chart of FIG.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、LSIシステ
ムが大規模なものとなりマクロ間の接続ラインの距離が
長くなってくると、インバータ回路の能力を下げる方法
では出力波形は鈍ってしまうため、高速動作の妨げとな
る。また、トランジスタを直列に接続したインバータ回
路では素子数が増えるためLSIの配置面積に不利とな
る。このため、インバータ回路の能力を上げると、結局
消費電流は増加しノイズの問題が生じる。また、微細化
が進み、隣接する配線同士の結合容量が無視できなくな
っている現状では、信号がノイズとして伝播してしまう
という問題がある。このように、高速動作と低消費電
流、低ノイズの両立は困難である。
However, if the LSI system becomes large-scale and the distance between the connection lines between the macros becomes long, the output waveform becomes dull in the method of lowering the capacity of the inverter circuit. It hinders operation. In addition, in an inverter circuit in which transistors are connected in series, the number of elements increases, which is disadvantageous for the layout area of the LSI. For this reason, if the capacity of the inverter circuit is increased, the current consumption will eventually increase, causing a problem of noise. In addition, under the current situation where miniaturization is progressing and the coupling capacitance between adjacent wirings cannot be ignored, there is a problem that signals propagate as noise. Thus, it is difficult to achieve both high-speed operation and low current consumption and low noise.

【0006】本発明の目的は、高速高性能なCMOS
LSIにおいて、小振幅、高速動作を実現し、低消費電
力、低ノイズなインバータ回路とインバータバッファを
提供することにある。
An object of the present invention is to provide a high-speed, high-performance CMOS.
An object of the present invention is to provide an inverter circuit and an inverter buffer which realize low amplitude, high speed operation, low power consumption and low noise in an LSI.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明のインバータ回路
は、CMOS LSIにおけるドレインを介し直列接続
した第1のPチャネルトランジスタと第1のNチャネル
トランジスタにより構成されるインバータ回路におい
て、第1のPチャネルトランジスタのソース側に接続し
た第2のPチャネルトランジスタと、第1のNチャネル
トランジスタのソース側に接続した第2のNチャネルト
ランジスタと、インバータ回路の出力信号を第2のPチ
ャネルトランジスタと第2のNチャネルトランジスタの
ゲートに帰還する帰還手段を有することを特徴とする。
An inverter circuit according to the present invention is an inverter circuit comprising a first P-channel transistor and a first N-channel transistor connected in series via a drain in a CMOS LSI. A second P-channel transistor connected to the source side of the channel transistor, a second N-channel transistor connected to the source side of the first N-channel transistor, and an output signal of the inverter circuit to the second P-channel transistor and the second P-channel transistor. And a feedback means for feeding back to the gates of the two N-channel transistors.

【0008】また、帰還手段は、第2のPチャネルトラ
ンジスタと第2のNチャネルトランジスタのゲートにイ
ンバータ回路の出力信号を直接帰還する帰還手段、ある
いは第2のPチャネルトランジスタと第2のNチャネル
トランジスタのゲートにインバータ回路の出力信号を分
圧帰還する帰還手段である。
Further, the feedback means directly feeds back the output signal of the inverter circuit to the gates of the second P-channel transistor and the second N-channel transistor, or the second P-channel transistor and the second N-channel transistor. Feedback means for dividing and feeding back the output signal of the inverter circuit to the gate of the transistor.

【0009】また、分圧帰還する帰還手段は、インバー
タ回路の出力信号とソース間に直列に接続する2個の抵
抗素子の接続点によりインバータ回路の出力信号を分圧
して帰還する抵抗分圧器、またはインバータ回路の出力
信号とソース間に直列に接続する抵抗素子とトランジス
タの組み合わせにより前記インバータ回路の出力信号を
分圧して帰還する中間電位発生回路を有する。
The feedback means for dividing and feeding back the output signal of the inverter circuit is divided by a connection point of two resistive elements connected in series between the output signal of the inverter circuit and the source. Alternatively, there is provided an intermediate potential generating circuit which divides the output signal of the inverter circuit by a combination of a resistor and a transistor connected in series between the output signal of the inverter circuit and the source and feeds back the divided voltage.

【0010】更に、第2のPチャネルトランジスタと第
2のNチャネルトランジスタは、該トランジスタのゲー
ト長とゲート幅の比率を変えてインバータ回路の出力信
号をゲートに帰還する帰還手段を有してもよい。
Further, the second P-channel transistor and the second N-channel transistor may have feedback means for changing the ratio between the gate length and the gate width of the transistors and feeding back the output signal of the inverter circuit to the gate. Good.

【0011】また更に、インバータ回路は、直列に接続
されてインバータバッファを形成することを特徴とす
る。
Still further, the inverter circuit is connected in series to form an inverter buffer.

【0012】本発明のインバータ回路は、具体的には、
高速高性能なCMOS LSIにおけるインバータ回路
において、直列接続したインバータ回路のソース側トラ
ンジスタに出力信号を帰還することにより、入出力利得
を抑え、小振幅、高速動作を実現し、低消費電力、低ノ
イズで動作することを特徴としている。
[0012] Specifically, the inverter circuit of the present invention comprises:
In an inverter circuit of a high-speed and high-performance CMOS LSI, an output signal is fed back to a source-side transistor of an inverter circuit connected in series, thereby suppressing input / output gain, realizing small-amplitude, high-speed operation, low power consumption, and low noise. It is characterized by operating on.

【0013】図1に示すように、本発明による最も基本
となるインバータの回路は、直列接続したPチャネルト
ランジスタとNチャネルトランジスタのインバータ回路
に対し、それぞれのトランジスタのソース側にエンハン
スメント型トランジスタを設ける。ソース側に付加した
トランジスタのゲートには、インバータの出力が接続さ
れる。このインバータ回路のソース側トランジスタは、
出力信号の帰還により、出力レベルを抑える働きをす
る。そのため、出力レベルは0vからVDDまでの振幅
を有することなく、中間電位レベルでの小振幅を有して
動作をする。
As shown in FIG. 1, in the most basic inverter circuit according to the present invention, an enhancement type transistor is provided on the source side of each of the P-channel transistor and N-channel transistor inverter circuits connected in series. . The output of the inverter is connected to the gate of the transistor added to the source side. The source side transistor of this inverter circuit is
It works to suppress the output level by the feedback of the output signal. Therefore, the output level operates with a small amplitude at the intermediate potential level without having an amplitude from 0 V to VDD.

【0014】従って、隣接する配線間の結合容量による
ノイズ伝播を低減することができるという効果が得られ
る。
Therefore, the effect that the noise propagation due to the coupling capacitance between the adjacent wirings can be reduced can be obtained.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して、詳細に説明する。図1は本発明に
よる最も基本となる直接帰還のインバータ回路図、図2
は本発明の接続中間電位発生回路による分圧帰還のイン
バータ回路図、図3はインバータ回路が直列接続された
インバータバッファの例として、LSI上の各マクロブ
ロック間のタイミングスキューの調整を行う回路図、図
4は本発明のインバータ回路の動作を説明するタイミン
グ図、図5は本発明のマクロブロック間のタイミングス
キューの調整を行う回路の動作を説明するタイミング図
である。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is the most basic direct feedback inverter circuit diagram according to the present invention, and FIG.
FIG. 3 is an inverter circuit diagram of voltage division feedback by the connection intermediate potential generation circuit of the present invention. FIG. 3 is a circuit diagram for adjusting timing skew between macro blocks on an LSI as an example of an inverter buffer in which inverter circuits are connected in series. FIG. 4 is a timing chart for explaining the operation of the inverter circuit of the present invention, and FIG. 5 is a timing chart for explaining the operation of the circuit for adjusting the timing skew between macro blocks of the present invention.

【0016】図1を参照すると、本発明の第1の実施例
としてのインバータ回路が示されている。本インバータ
回路は、出力帰還用トランジスタを有する。第1のPチ
ャネルトランジスタP1と第1のNチャネルトランジス
タN1はドレインを介し接続し、そのドレインは出力端
子“OUT”に接続する。また、これら第1のPチャネ
ルと第1のNチャネルトランジスタのゲートは入力端子
“IN”に接続する。第2のPチャネルトランジスタP
2のソースは電源VDDに接続し、ドレインは第1のP
チャネルトランジスタのソースに接続する。第2のNチ
ャネルトランジスタN2のソースは地極(以下グランド
と称す)に接地し、ドレインは第1のNチャネルトラン
ジスタのソースに接続する。第2のPチャネルと第2の
Nチャネルトランジスタのゲートは出力端子“OUT”
に接続される。
Referring to FIG. 1, there is shown an inverter circuit according to a first embodiment of the present invention. This inverter circuit has an output feedback transistor. The first P-channel transistor P1 and the first N-channel transistor N1 are connected via a drain, and the drain is connected to the output terminal "OUT". The gates of these first P-channel and first N-channel transistors are connected to the input terminal "IN". Second P-channel transistor P
2 has a source connected to the power supply VDD and a drain connected to the first P
Connect to the source of the channel transistor. The source of the second N-channel transistor N2 is grounded to a ground electrode (hereinafter referred to as ground), and the drain is connected to the source of the first N-channel transistor. The gates of the second P-channel and second N-channel transistors are connected to an output terminal “OUT”
Connected to.

【0017】このインバータ回路の出力信号は、第2の
Pチャネルと第2のNチャネルトランジスタのゲートに
供給され、自己帰還される。入力信号がローレベルから
ハイレベルに変化すると、その出力信号はハイレベルか
らローレベルに遷移しようとする。この変化に対し、本
発明に従って設けられた第2のトランジスタは、出力が
あるレベルに到達するとオフ状態になるので、出力はグ
ランドレベルまで遷移することなく、ある中間レベルを
保持する。出力がローレベルからハイレベルに変化する
場合も同様に、第2のトランジスタはあるレベルになる
とオフ状態となるので、出力はVDDレベルまで遷移す
ることなく中間レベルを保持する。
The output signal of the inverter circuit is supplied to the gates of the second P-channel and the second N-channel transistors, and is fed back. When the input signal changes from the low level to the high level, the output signal attempts to transition from the high level to the low level. In response to this change, the second transistor provided according to the present invention is turned off when the output reaches a certain level, so that the output does not transition to the ground level and maintains a certain intermediate level. Similarly, when the output changes from the low level to the high level, the second transistor is turned off at a certain level, so that the output maintains the intermediate level without transitioning to the VDD level.

【0018】これによりインバータ回路に高速なクロッ
クパルスが入力されると、小振幅信号として出力する。
Thus, when a high-speed clock pulse is input to the inverter circuit, it is output as a small amplitude signal.

【0019】次に、本実施例のインバータ回路の動作つ
いて図4のタイミング図を用いて説明する。インバータ
回路の動作であるので、入力に対して反転した信号を出
力する。
Next, the operation of the inverter circuit of this embodiment will be described with reference to the timing chart of FIG. Since the operation of the inverter circuit is performed, a signal inverted with respect to the input is output.

【0020】図によれば、入力“IN”がローレベルの
とき、第1のPチャネルトランジスタP1はオン状態、
第1のNチャネルトランジスタN1はオフ状態、第2の
PチャネルトランジスタP2はオフ状態、第2のNチャ
ネルトランジスタN2はオン状態となり、出力“OU
T”はVDDからPチャネルトランジスタの閾値電圧V
tの電位分だけ低い中間電位Hとなる。
According to the figure, when the input "IN" is at the low level, the first P-channel transistor P1 is in the ON state,
The first N-channel transistor N1 is turned off, the second P-channel transistor P2 is turned off, the second N-channel transistor N2 is turned on, and the output “OU” is output.
T ″ is the threshold voltage V of the P-channel transistor from VDD
The intermediate potential H becomes lower by the potential of t.

【0021】入力“IN”がローレベルからハイレベル
に変化するとき、第1のPチャネルトランジスタP1は
次第にオフ状態となり、第1のNチャネルトランジスタ
N1は次第にオン状態となり、出力“OUT”は中間電
位Hからローレベルに変化する。このとき、第2のPチ
ャネルトランジスタP2は次第にオン状態となり、第2
のNチャネルトランジスタN2は次第にオフ状態とな
る。出力“OUT”がNチャネルトランジスタの閾値電
圧Vt以下になったとき、第2のNチャネルトランジス
タN2は完全にオフ状態となり、出力“OUT”はその
時の中間電位Lを保持する。
When the input "IN" changes from the low level to the high level, the first P-channel transistor P1 is gradually turned off, the first N-channel transistor N1 is gradually turned on, and the output "OUT" is at the intermediate level. The potential changes from the potential H to a low level. At this time, the second P-channel transistor P2 is gradually turned on,
N-channel transistor N2 is gradually turned off. When the output “OUT” becomes equal to or lower than the threshold voltage Vt of the N-channel transistor, the second N-channel transistor N2 is completely turned off, and the output “OUT” holds the intermediate potential L at that time.

【0022】入力“IN”がハイレベルのとき、第1の
PチャネルトランジスタP1はオフ状態、第1のNチャ
ネルトランジスタN1はオン状態、第2のPチャネルト
ランジスタP2はオン状態、第2のNチャネルトランジ
スタN2はオフ状態となり、出力“OUT”は中間電位
Lを保持する。
When the input "IN" is at a high level, the first P-channel transistor P1 is turned off, the first N-channel transistor N1 is turned on, the second P-channel transistor P2 is turned on, and the second N-channel transistor P2 is turned on. The channel transistor N2 is turned off, and the output “OUT” holds the intermediate potential L.

【0023】入力“IN”がハイレベルからローレベル
に変化するとき、第1のPチャネルトランジスタP1は
次第にオン状態となり、第1のNチャネルトランジスタ
N1は次第にオフ状態となり、出力“OUT”は中間電
位Lからハイレベルに変化する。このとき、第2のPチ
ャネルトランジスタP2は次第にオフ状態となり、第2
のNチャネルトランジスタN2は次第にオン状態とな
る。出力“OUT”がVDDからPチャネルトランジス
タの閾値電圧Vt以下になったとき、第2のPチャネル
トランジスタP2は完全にオフ状態となり、出力“OU
T”はその時の中間電位Hを保持する。
When the input "IN" changes from the high level to the low level, the first P-channel transistor P1 is gradually turned on, the first N-channel transistor N1 is gradually turned off, and the output "OUT" is intermediate. The potential changes from the potential L to a high level. At this time, the second P-channel transistor P2 is gradually turned off,
N-channel transistor N2 is gradually turned on. When the output “OUT” falls from VDD to the threshold voltage Vt of the P-channel transistor or lower, the second P-channel transistor P2 is completely turned off, and the output “OU”
T ″ holds the intermediate potential H at that time.

【0024】このように出力が第2のPチャネルとNチ
ャネルトランジスタのゲートに帰還しているため、出力
電圧が第2のPチャネルとNチャネルトランジスタの閾
値電圧Vt以下になると、第2のPチャネルとNチャネ
ルトランジスタは、それぞれオフ状態となるため、出力
は0vからVDDまで完全に遷移せず、中間電位Hから
中間電位Lの間で小振幅で動作を繰り返す。
As described above, since the output is fed back to the gates of the second P-channel and N-channel transistors, when the output voltage becomes equal to or lower than the threshold voltage Vt of the second P-channel and N-channel transistors, Since the channel and the N-channel transistor are turned off, the output does not completely transition from 0 V to VDD, and the operation is repeated with a small amplitude between the intermediate potential H and the intermediate potential L.

【0025】このインバータ回路を使用した一実施例と
して、図3に示すようなLSI上における各マクロ間タ
イミングスキュー調整用の遅延回路があげられる。この
遅延回路については図7のタイミング図に従って動作す
る。即ち、遅延回路を構成する各インバータは上述した
ように動作するので、各位相の異なる出力Aと出力Bは
0vからVDDの間の中間電位での小振幅信号を出力す
る。
As one embodiment using this inverter circuit, there is a delay circuit for adjusting timing skew between macros on an LSI as shown in FIG. This delay circuit operates according to the timing chart of FIG. That is, since each inverter constituting the delay circuit operates as described above, the outputs A and B having different phases output small amplitude signals at an intermediate potential between 0 V and VDD.

【0026】次に本発明の第2の実施例として、出力信
号の帰還回路についてさらに工夫している。そのインバ
ータ回路を図2に示す。本図において、第2のPチャネ
ル及びNチャネルトランジスタのゲートには抵抗素子と
トランジスタの組み合わせにより構成される中間電位発
生回路または2個の抵抗素子で構成される抵抗分圧器が
接続される。この中間電位発生回路をトランジスタで構
成した場合、このトランジスタのオン状態のとき、抵抗
はゲートバイアスでコントロール可能であり、第2のP
チャネル及びNチャネルトランジスタのゲートには任意
にコントロールされた信号レベルが入力可能となる。
Next, as a second embodiment of the present invention, a feedback circuit for an output signal is further devised. FIG. 2 shows the inverter circuit. In the figure, the gates of the second P-channel and N-channel transistors are connected to an intermediate potential generation circuit composed of a combination of a resistance element and a transistor or a resistance voltage divider composed of two resistance elements. When this intermediate potential generating circuit is formed of a transistor, the resistance can be controlled by a gate bias when the transistor is on, and the second P
Arbitrarily controlled signal levels can be input to the gates of the channel and the N-channel transistor.

【0027】従って、第2のトランジスタの動作を任意
にコントロール可能となり、出力レベルを可変可能とす
ることができる。即ち、製造上のばらつきや環境変動に
よるばらつきを吸収し、最適な動作状態が設定可能とな
る。
Therefore, the operation of the second transistor can be arbitrarily controlled, and the output level can be made variable. That is, variations due to manufacturing and variations due to environmental variations are absorbed, and an optimal operation state can be set.

【0028】次に、本発明の第3の実施例では、第2の
PチャネルとNチャネルトランジスタのゲートバイアス
により動作ポイントを決めるため、さらに第1及び第2
のPチャネルならびにNチャネルトランジスタのゲート
長とゲート幅の比率を変えることにより動作ポイント及
び出力振幅のレベルを調整することができる。
Next, in the third embodiment of the present invention, the operating point is determined by the gate bias of the second P-channel and N-channel transistors.
The operating point and the level of the output amplitude can be adjusted by changing the ratio of the gate length to the gate width of the P-channel and N-channel transistors.

【0029】すなわち、各トランジスタのゲート長とゲ
ート幅の比率を切換え可能な構成にしておくことによ
り、最適なゲート長とゲート幅の比率を選択でき、出力
振幅の調整が可能となる。
That is, by setting the ratio between the gate length and the gate width of each transistor to be switchable, the optimum ratio between the gate length and the gate width can be selected, and the output amplitude can be adjusted.

【0030】[0030]

【実施例】次に、本発明の具体的な実施例について図面
を参照し、数値を挙げて詳細に説明する。
Next, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings and numerical values.

【0031】本発明は、信号レベルがローレベルからハ
イレベル、あるいはハイレベルからローレベルに遷移し
終わる前に、第2のPチャネルトランジスタあるいは第
2のNチャネルトランジスタをオフ状態とさせるため、
電流経路がカットされ貫通電流が低減される。図7に従
来のトランジスタが直列接続されたインバータ回路の一
例を示す。使用トランジスタは本発明と同じで、第2の
Pチャネルトランジスタのゲートはグランドに接地し、
第2のNチャネルトランジスタのゲートはVDDに接続
し、各トランジスタはオン状態となっている。図3に示
す遅延回路を例にとると、このインバータを使用した遅
延回路と、本発明のインバータを使用した遅延回路で
は、例えばインバータのトランジスタのゲート長L=
0.25μm、ゲート幅WP1=WP2=8μm,WN
1=WN2=4μmのとき、平均電流は図9に示す従来
回路の0.350mAに対し、本発明では図5に示すよ
うに0.246mAと約29.7%低減する。また、ピ
ーク電流は従来回路では図9に示すように0.790m
Aに対し、本発明では図5に示すように0.397mA
と約49.8%低減する。これにより、消費電力低減の
効果が得られ、さらには、電流変動も小さいためノイズ
の低減の効果が得られる。
According to the present invention, the second P-channel transistor or the second N-channel transistor is turned off before the signal level transitions from the low level to the high level or from the high level to the low level.
The current path is cut, and the through current is reduced. FIG. 7 shows an example of a conventional inverter circuit in which transistors are connected in series. The transistor used is the same as that of the present invention, the gate of the second P-channel transistor is grounded, and
The gate of the second N-channel transistor is connected to VDD, and each transistor is on. Taking the delay circuit shown in FIG. 3 as an example, in the delay circuit using this inverter and the delay circuit using the inverter of the present invention, for example, the gate length L of the transistor of the inverter is L =
0.25 μm, gate width WP1 = WP2 = 8 μm, WN
When 1 = WN2 = 4 μm, the average current is 0.346 mA in the conventional circuit shown in FIG. 9 and is 0.246 mA in the present invention, which is about 29.7%, as shown in FIG. The peak current is 0.790 m in the conventional circuit as shown in FIG.
In contrast, A in the present invention is 0.397 mA as shown in FIG.
About 49.8%. As a result, the effect of reducing power consumption is obtained, and further, the effect of reducing noise is obtained because the current fluctuation is small.

【0032】小振幅動作が可能になりノイズが低減され
るのは前述したように、出力が遷移し終わる前に、第2
のPチャネルあるいはNチャネルトランジスタがオフ状
態となり、出力レベルを抑える方向に働くためである。
例えばインバータのトランジスタのゲート長L=0.2
5μm、ゲート幅WP1=WP2=8μm,WN1=W
N2=4μm、VDD=2.5vのとき、従来回路では
出力は0v−2.5vの範囲で全振幅で動作するのに対
し、本発明の回路では出力は0.6v−1.9vの中間
電位の範囲の振幅で動作する。LSI上の各マクロ間の
タイミングスキュー調整を行う遅延回路において、本発
明のインバータを使用した場合、インバータの出力は小
振幅信号のため、0v−VDDの全振幅動作に比べ、隣
接した信号配線の結合容量による電位変動は相対的に小
さくなり、ノイズの影響度は低減される。例えば、イン
バータの出力に対し、0.1pFの容量をもつ隣接配線
が存在したとする。従来回路では、クロックパルスのよ
うに周期的に出力が変化する場合、隣接する信号には±
0.2vのノイズが生じるのに対し、本発明の回路で
は、ノイズは±0.1vとなり小さくなる。さらに出力
振幅を小さくすれば、ノイズの影響を無くすことが可能
となる。このように、小振幅動作によるノイズの低減効
果が得られる。
As described above, the small-amplitude operation is enabled and the noise is reduced before the output transition ends.
This is because the P-channel or N-channel transistor is turned off, and the output level is reduced.
For example, the gate length of the inverter transistor L = 0.2
5 μm, gate width WP1 = WP2 = 8 μm, WN1 = W
When N2 = 4 μm and VDD = 2.5 V, the output of the conventional circuit operates at full amplitude in the range of 0 V to 2.5 V, whereas the output of the circuit of the present invention is between 0.6 V and 1.9 V. Operates at an amplitude in the range of potentials. When the inverter of the present invention is used in the delay circuit for adjusting the timing skew between macros on the LSI, since the output of the inverter is a small amplitude signal, the output of the adjacent signal wiring is smaller than that of the full amplitude operation of 0v-VDD. Potential fluctuations due to the coupling capacitance become relatively small, and the influence of noise is reduced. For example, it is assumed that there is an adjacent wiring having a capacitance of 0.1 pF with respect to the output of the inverter. In the conventional circuit, when the output changes periodically like a clock pulse, the adjacent signal is ±
While 0.2 V of noise is generated, the noise of the circuit of the present invention is as small as ± 0.1 V. If the output amplitude is further reduced, the influence of noise can be eliminated. Thus, the effect of reducing noise by the small amplitude operation can be obtained.

【0033】本インバータ回路はトランジスタの能力を
下げることなく実現できるので、同じサイズ及び個数の
トランジスタを直列接続したインバータに対しスピード
が劣ることはない。例えばインバータのトランジスタの
ゲート長L=0.25μm、ゲート幅WP1=WP2=
8μm,WN1=WN2=4μm、VDD=2.5vの
とき、図3に示す遅延回路を例にとると、インバータを
2段直列に接続した場合の入力Aから出力Bまでの遅延
時間は、従来回路が図9に示すように0.14nsに対
し、本発明の回路も図5に示すように0.14nsであ
る。
Since the present inverter circuit can be realized without lowering the capacity of the transistor, the speed is not inferior to an inverter in which transistors of the same size and number are connected in series. For example, the gate length L of the transistor of the inverter = 0.25 μm, the gate width WP1 = WP2 =
When 8 μm, WN1 = WN2 = 4 μm, and VDD = 2.5 V, taking the delay circuit shown in FIG. 3 as an example, the delay time from input A to output B when inverters are connected in two stages in series is While the circuit is 0.14 ns as shown in FIG. 9, the circuit of the present invention is 0.14 ns as shown in FIG.

【0034】従来ではクロック配線とそれに隣接する配
線とは隣接容量を下げるため、十分に離していたが、小
振幅動作によるノイズの影響低減のため、この距離も短
縮することが可能となり、配線領域の面積縮小が可能と
なる。特に信号配線が密集した箇所において、クロック
信号と隣接する信号の配線制約は緩和されることにな
り、非常に有効である。例えば、幅0.5μm、長さ1
00μmの信号配線があるとする。これに隣接する信号
は、従来回路では結合容量によるノイズの影響を低減す
るため、間隔を2μmあけて配線するため、両側1本ず
つ計3本の配線領域は((0.5μm×3)+(2μm
×2))×100μm=550μm2となる。これに対
し本発明の回路では、容量カップリングによるノイズの
影響低減の効果により、従来と同レベルのノイズを実現
した場合、配線間隔を1μmに縮めることが可能とな
り、配線領域は、((0.5μm×3)+(1μm×
2))×100μm=350μm2で約36%の面積縮
小の効果が得られる。さらに、本発明は容易に回路構成
可能であり、回路素子数は増加しないため、レイアウト
面積も小規模で実現することが可能である。
Conventionally, the clock wiring and the wiring adjacent thereto are sufficiently separated to reduce the adjacent capacitance. However, this distance can be shortened to reduce the influence of noise due to the small amplitude operation. Area can be reduced. In particular, in places where signal wirings are densely arranged, wiring restrictions on signals adjacent to the clock signal are relaxed, which is very effective. For example, width 0.5 μm, length 1
It is assumed that there is a signal wiring of 00 μm. In the conventional circuit, signals adjacent to this are wired with an interval of 2 μm in order to reduce the influence of noise due to the coupling capacitance, so that a total of three wiring areas, one on each side, are ((0.5 μm × 3) + (2 μm
× 2)) × 100 μm = 550 μm 2 . On the other hand, in the circuit according to the present invention, when the same level of noise as that of the related art is realized by the effect of reducing the influence of noise due to the capacitive coupling, the wiring interval can be reduced to 1 μm, and the wiring area becomes ((0 0.5 μm × 3) + (1 μm ×
2)) × 100 μm = 350 μm 2 provides an effect of reducing the area by about 36%. Further, since the present invention can easily configure a circuit and does not increase the number of circuit elements, it is possible to realize a small layout area.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上の説明により本発明によるインバー
タ回路及びインバータバッファは以下の効果を有する。
第1の効果は、貫通電流が低減され低消費電力動作が可
能なことである。第2の効果は、小振幅動作が可能にな
りノイズが低減されることである。第3の効果は、高速
動作可能なことである。第4の効果は、面積縮小が可能
なことである。
As described above, the inverter circuit and the inverter buffer according to the present invention have the following effects.
The first effect is that the through current is reduced and low power consumption operation is possible. The second effect is that a small amplitude operation becomes possible and noise is reduced. A third effect is that high-speed operation is possible. The fourth effect is that the area can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による最も基本となる直接帰還のインバ
ータ回路図。
FIG. 1 is a most basic direct feedback inverter circuit diagram according to the present invention.

【図2】本発明の接続中間電位発生回路による分圧帰還
のインバータ回路図。
FIG. 2 is an inverter circuit diagram of voltage division feedback by a connection intermediate potential generation circuit of the present invention.

【図3】インバータ回路が直列接続されたインバータバ
ッファの例として、LSI上の各マクロブロック間のタ
イミングスキューの調整を行う回路図。
FIG. 3 is a circuit diagram for adjusting timing skew between macro blocks on an LSI as an example of an inverter buffer in which inverter circuits are connected in series;

【図4】本発明のインバータ回路の動作を説明するタイ
ミング図。
FIG. 4 is a timing chart illustrating the operation of the inverter circuit of the present invention.

【図5】本発明のマクロブロック間のタイミングスキュ
ーの調整を行う回路の動作を説明するタイミング図。
FIG. 5 is a timing chart for explaining the operation of a circuit for adjusting timing skew between macro blocks according to the present invention;

【図6】従来の最も基本となるインバータ回路図。FIG. 6 is a conventional most basic inverter circuit diagram.

【図7】従来のインバータ回路が直列接続されたインバ
ータバッファの回路図。
FIG. 7 is a circuit diagram of an inverter buffer in which conventional inverter circuits are connected in series.

【図8】従来の最も基本となるインバータ回路の動作を
説明するタイミング図。
FIG. 8 is a timing chart for explaining the operation of the most basic conventional inverter circuit.

【図9】従来のマクロブロック間のタイミングスキュー
の調整を行う回路の動作を説明するタイミング図。
FIG. 9 is a timing chart for explaining the operation of a conventional circuit for adjusting the timing skew between macro blocks.

─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成11年8月30日(1999.8.3
0)
[Submission date] August 30, 1999 (1999.8.3)
0)

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【特許請求の範囲】[Claims]

【手続補正2】[Procedure amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0007[Correction target item name] 0007

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明のインバータ回路
は、ドレインを介し直列接続した第1のNチャネルトラ
ンジスタと第1のPチャネルトランジスタとにより構成
されるCMOS LSIインバータ回路の第1のPチャ
ネルトランジスタのソース側に接続した第2のPチャネ
ルトランジスタと、第1のNチャネルトランジスタのソ
ース側に接続した第2のNチャネルトランジスタと、イ
ンバータ回路の出力信号を第2のPチャネルトランジス
タと第2のNチャネルトランジスタのゲートに帰還する
帰還手段とを有するインバータ回路において、帰還手段
がインバータ回路の出力信号とソース間に直列に接続す
る2個の抵抗素子の接続点により、インバータ回路の出
力信号を分圧して帰還する抵抗分圧器を有することを特
徴とする。
An inverter circuit according to the present invention comprises a first N-channel transistor connected in series via a drain.
Composed of a transistor and a first P-channel transistor
P channel of CMOS LSI inverter circuit to be used
Second P channel connected to the source side of the
Source transistor and the source of the first N-channel transistor.
A second N-channel transistor connected to the source side;
The output signal of the inverter circuit to a second P-channel transistor
And the gate of the second N-channel transistor
An inverter circuit having feedback means;
Is connected in series between the output signal of the inverter circuit and the source.
The connection point of the two resistive elements
It has a resistive voltage divider that divides the force signal and returns it.
Sign.

【手続補正3】[Procedure amendment 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0008[Correction target item name] 0008

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0008】また、分圧帰還する帰還手段は、インバー
タ回路の出力信号とソース間に直列に接続する抵抗素子
とトランジスタの組み合わせによりインバータ回路の出
力信号を分圧して帰還する中間電位発生回路を有する。
The feedback means for performing the partial pressure feedback is an invar.
Element connected in series between the output signal of the data circuit and the source
Output of the inverter circuit by the combination of
It has an intermediate potential generating circuit that divides the force signal and feeds back.

【手続補正4】[Procedure amendment 4]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0009[Correction target item name] 0009

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0009】また、第2のPチャネルトランジスタと第
2のNチャネルトランジスタのゲート長とゲート幅の比
率をそれぞれ変えることを特徴とする。
Further, the second P-channel transistor and the second P-channel transistor
Ratio of gate length and gate width of N-channel transistor 2
It is characterized by changing each rate.

【手続補正5】[Procedure amendment 5]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0010[Correction target item name] 0010

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0010】更に、インバータ回路を直列に接続してイ
ンバータバッファを形成することを特徴とする。
Further, an inverter circuit is connected in series to
An inverter buffer is formed.

【手続補正6】[Procedure amendment 6]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0011[Correction target item name] 0011

【補正方法】削除[Correction method] Deleted

【手続補正7】[Procedure amendment 7]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0013[Correction target item name] 0013

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0013】図1に示すように、本発明の最も基本とな
インバータの回路は、直列接続したPチャネルトラン
ジスタとNチャネルトランジスタのインバータ回路に対
し、それぞれのトランジスタのソース側にエンハンスメ
ント型トランジスタを設ける。ソース側に付加したトラ
ンジスタのゲートには、インバータの出力が接続され
る。このインバータ回路のソース側トランジスタは、出
力信号の帰還により、出力レベルを抑える働きをする。
そのため、出力レベルは0vからVDDまでの振幅を有
することなく、中間電位レベルでの小振幅を有して動作
をする。
As shown in FIG. 1, the most basic feature of the present invention is shown.
In the inverter circuit, an enhancement-type transistor is provided on the source side of each transistor with respect to the inverter circuit of a P-channel transistor and an N-channel transistor connected in series. The output of the inverter is connected to the gate of the transistor added to the source side. The source-side transistor of this inverter circuit works to suppress the output level by feedback of the output signal.
Therefore, the output level operates with a small amplitude at the intermediate potential level without having an amplitude from 0 V to VDD.

【手続補正8】[Procedure amendment 8]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0015[Correction target item name] 0015

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して、詳細に説明する。図1は本発明の
最も基本となる直接帰還のインバータ回路図、図2は本
発明の接続中間電位発生回路による分圧帰還のインバー
タ回路図、図3はインバータ回路が直列接続されたイン
バータバッファの例として、LSI上の各マクロブロッ
ク間のタイミングスキューの調整を行う回路図、図4は
本発明のインバータ回路の動作を説明するタイミング
図、図5は本発明のマクロブロック間のタイミングスキ
ューの調整を行う回路の動作を説明するタイミング図で
ある。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. Figure 1 of the present invention
The most basic direct feedback inverter circuit diagram, FIG. 2 is a voltage division feedback inverter circuit diagram of the connection intermediate potential generating circuit of the present invention, and FIG. 3 is an example of an inverter buffer in which inverter circuits are connected in series. FIG. 4 is a circuit diagram for adjusting the timing skew between the macroblocks, FIG. 4 is a timing chart for explaining the operation of the inverter circuit of the present invention, and FIG. 5 is an operation of the circuit for adjusting the timing skew between the macroblocks of the present invention. FIG. 6 is a timing chart for explaining.

【手続補正9】[Procedure amendment 9]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0016[Correction target item name] 0016

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0016】図1を参照すると、本インバータ回路は、
出力帰還用トランジスタを有する。第1のPチャネルト
ランジスタP1と第1のNチャネルトランジスタN1は
ドレインを介し接続し、そのドレインは出力端子“OU
T”に接続する。また、これら第1のPチャネルと第1
のNチャネルトランジスタのゲートは入力端子“IN”
に接続する。第2のPチャネルトランジスタP2のソー
スは電源VDDに接続し、ドレインは第1のPチャネル
トランジスタのソースに接続する。第2のNチャネルト
ランジスタN2のソースは地極(以下グランドと称す)
に接地し、ドレインは第1のNチャネルトランジスタの
ソースに接続する。第2のPチャネルと第2のNチャネ
ルトランジスタのゲートは出力端子“OUT”に接続さ
れる。
[0016] Referring to FIG. 1 Then, the inverter circuit,
It has an output feedback transistor. The first P-channel transistor P1 and the first N-channel transistor N1 are connected via a drain, and the drain is connected to the output terminal “OU”.
T ". The first P channel and the first P channel
The gate of the N-channel transistor is an input terminal "IN".
Connect to The source of the second P-channel transistor P2 is connected to the power supply VDD, and the drain is connected to the source of the first P-channel transistor. The source of the second N-channel transistor N2 is a ground electrode (hereinafter referred to as ground).
And the drain is connected to the source of the first N-channel transistor. The gates of the second P-channel and second N-channel transistors are connected to the output terminal “OUT”.

【手続補正10】[Procedure amendment 10]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0026[Correction target item name] 0026

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0026】次に本発明の第1の実施例として、出力信
号の帰還回路についてさらに工夫している。そのインバ
ータ回路を図2に示す。本図において、第2のPチャネ
ル及びNチャネルトランジスタのゲートには抵抗素子と
トランジスタの組み合わせにより構成される中間電位発
生回路または2個の抵抗素子で構成される抵抗分圧器が
接続される。この中間電位発生回路をトランジスタで構
成した場合、このトランジスタのオン状態のとき、抵抗
はゲートバイアスでコントロール可能であり、第2のP
チャネル及びNチャネルトランジスタのゲートには任意
にコントロールされた信号レベルが入力可能となる。
Next, as a first embodiment of the present invention, a feedback circuit for an output signal is further devised. FIG. 2 shows the inverter circuit. In the figure, the gates of the second P-channel and N-channel transistors are connected to an intermediate potential generation circuit composed of a combination of a resistance element and a transistor or a resistance voltage divider composed of two resistance elements. When this intermediate potential generating circuit is formed of a transistor, the resistance can be controlled by a gate bias when the transistor is on, and the second P
Arbitrarily controlled signal levels can be input to the gates of the channel and the N-channel transistor.

【手続補正11】[Procedure amendment 11]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0028[Correction target item name] 0028

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0028】次に、本発明の第2の実施例では、第2の
PチャネルとNチャネルトランジスタのゲートバイアス
により動作ポイントを決めるため、さらに第1及び第2
のPチャネルならびにNチャネルトランジスタのゲート
長とゲート幅の比率を変えることにより動作ポイント及
び出力振幅のレベルを調整することができる。すなわ
ち、各トランジスタのゲート長とゲート幅の比率を切換
え可能な構成にしておくことにより、最適なゲート長と
ゲート幅の比率を選択でき、出力振幅の調整が可能とな
る。
Next, in the second embodiment of the present invention, the operating point is determined by the gate bias of the second P-channel and N-channel transistors.
The operating point and the level of the output amplitude can be adjusted by changing the ratio of the gate length to the gate width of the P-channel and N-channel transistors. That is, by setting the ratio between the gate length and the gate width of each transistor to be switchable, the optimum ratio between the gate length and the gate width can be selected, and the output amplitude can be adjusted.

【手続補正12】[Procedure amendment 12]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】図1[Correction target item name] Fig. 1

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【図1】本発明の最も基本となる直接帰還のインバータ
回路図。
FIG. 1 is a direct feedback inverter circuit diagram which is the most basic of the present invention .

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 CMOS LSIにおけるドレインを介
し直列接続した第1のPチャネルトランジスタと第1の
Nチャネルトランジスタにより構成されるインバータ回
路において、 前記第1のPチャネルトランジスタのソース側に接続し
た第2のPチャネルトランジスタと、 前記第1のNチャネルトランジスタのソース側に接続し
た第2のNチャネルトランジスタと、 前記インバータ回路の出力信号を第2のPチャネルトラ
ンジスタと第2のNチャネルトランジスタのゲートに帰
還する帰還手段を有することを特徴とするインバータ回
路。
1. An inverter circuit comprising a first P-channel transistor and a first N-channel transistor connected in series via a drain in a CMOS LSI, wherein a second P-channel transistor connected to a source side of the first P-channel transistor is provided. A P-channel transistor, a second N-channel transistor connected to the source of the first N-channel transistor, and an output signal of the inverter circuit connected to the gates of the second P-channel transistor and the second N-channel transistor. An inverter circuit having feedback means for feeding back.
【請求項2】 前記帰還手段が、 前記第2のPチャネルトランジスタと第2のNチャネル
トランジスタのゲートに前記インバータ回路の出力信号
を直接帰還する帰還手段である請求項1記載のインバー
タ回路。
2. The inverter circuit according to claim 1, wherein said feedback means is a feedback means for directly feeding back the output signal of said inverter circuit to the gates of said second P-channel transistor and said second N-channel transistor.
【請求項3】 前記帰還手段が、 前記第2のPチャネルトランジスタと第2のNチャネル
トランジスタのゲートに前記インバータ回路の出力信号
を分圧帰還する帰還手段である請求項1記載のインバー
タ回路。
3. The inverter circuit according to claim 1, wherein said feedback means is a feedback means for dividing and feeding back the output signal of said inverter circuit to the gates of said second P-channel transistor and said second N-channel transistor.
【請求項4】 前記分圧帰還する帰還手段が、 前記インバータ回路の出力信号とソース間に直列に接続
する2個の抵抗素子の接続点により前記インバータ回路
の出力信号を分圧して帰還する抵抗分圧器を有する請求
項3記載のインバータ回路。
4. A resistor for dividing the output signal of the inverter circuit by a connection point of two resistor elements connected in series between the output signal of the inverter circuit and the source, and providing feedback. The inverter circuit according to claim 3, further comprising a voltage divider.
【請求項5】 前記分圧帰還する帰還手段が、 前記インバータ回路の出力信号とソース間に直列に接続
する抵抗素子とトランジスタの組み合わせにより前記イ
ンバータ回路の出力信号を分圧して帰還する中間電位発
生回路を有する請求項3記載のインバータ回路。
5. A feedback means for dividing and feeding back an intermediate potential for dividing and outputting the output signal of the inverter circuit by a combination of a resistor and a transistor connected in series between the output signal of the inverter circuit and the source. The inverter circuit according to claim 3, further comprising a circuit.
【請求項6】 前記第2のPチャネルトランジスタと
第2のNチャネルトランジスタが、 該トランジスタのゲート長とゲート幅の比率を変えて前
記インバータ回路の出力信号をゲートに帰還する帰還手
段を有する請求項1乃至5の何れかに記載のインバータ
回路。
6. The second P-channel transistor and the second N-channel transistor have feedback means for changing the ratio of the gate length to the gate width of the transistors and feeding back the output signal of the inverter circuit to the gate. Item 6. The inverter circuit according to any one of Items 1 to 5.
【請求項7】 前記インバータ回路が、 直列に接続されてインバータバッファを形成することを
特徴とする請求項1乃至6の何れかに記載のインバータ
回路。
7. The inverter circuit according to claim 1, wherein the inverter circuits are connected in series to form an inverter buffer.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103577374A (en) * 2012-08-09 2014-02-12 拉碧斯半导体株式会社 Data synchronization circuit and semiconductor device

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