JP2000101180A - Semiconductor laser-heating device - Google Patents

Semiconductor laser-heating device

Info

Publication number
JP2000101180A
JP2000101180A JP10270863A JP27086398A JP2000101180A JP 2000101180 A JP2000101180 A JP 2000101180A JP 10270863 A JP10270863 A JP 10270863A JP 27086398 A JP27086398 A JP 27086398A JP 2000101180 A JP2000101180 A JP 2000101180A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
current
output
power supply
light energy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10270863A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Taido Muto
泰道 武藤
Keiya Shiraishi
圭哉 白石
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP10270863A priority Critical patent/JP2000101180A/en
Publication of JP2000101180A publication Critical patent/JP2000101180A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser-heating device for ensuring the reproducibility of an application position in heating output and aiming light output. SOLUTION: A device is provided with a light output measuring instrument 11 for measuring light output for a supply current to a semiconductor laser 1, a data retention means 70 where storage means 70a-70c of the measurement data are provided, and an operation means 70e for calculating the correction coefficient of light output from the measurement data. In this case, the device is provided with a controller for calculating the threshold current of the semiconductor laser 1 from the operation means 70e and for setting the supply current to the semiconductor laser, when light is to be outputted as aiming light to a calculated threshold current or less.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザの光
出力を用いて局部加熱を可能にした半導体レーザ加熱装
置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser heating apparatus capable of locally heating using the optical output of a semiconductor laser.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体レーザを用い、この光エネ
ルギー出力を光ファイバに入力し、その光エネルギー出
力を集光し、はんだ付けや細径ポリウレタン線の皮膜除
去などに適した、非接触局部加熱装置として半導体レー
ザ加熱装置が広く使用され始めている。
2. Description of the Related Art In recent years, using a semiconductor laser, this light energy output is input to an optical fiber, the light energy output is condensed, and a non-contact local area suitable for soldering or removal of a thin polyurethane wire film. Semiconductor laser heating devices have begun to be widely used as heating devices.

【0003】以下に従来の半導体レーザ加熱装置につい
て説明する。図3に示すブロック図において、1は半導
体レーザで、光ファイバ2の主ファイバ部2bの受光端
が組込まれている。9はエイミングライト光源で、光フ
ァイバ2の分岐部2cの受光端が組込まれている。3は
レンズユニットで、光ファイバ2出射端2aより出射し
た光エネルギー出力を集光する化学レンズ系が組み込ま
れている。4は半導体レーザ1に供給する電流を設定す
る定電流電源回路、5は定電流電源回路4により半導体
レーザ1に供給される電流を検出する電流検出器、6は
加熱出力を所望の値に設定する光出力設定器、7は制御
器で電流検出器5の出力により出力設定器6の設定出力
値となるように定電流電源回路4を制御して半導体レー
ザ1に供給する電流を調整する。
A conventional semiconductor laser heating device will be described below. In the block diagram shown in FIG. 3, reference numeral 1 denotes a semiconductor laser in which the light receiving end of the main fiber portion 2b of the optical fiber 2 is incorporated. Reference numeral 9 denotes an aiming light source, in which the light receiving end of the branching portion 2c of the optical fiber 2 is incorporated. Reference numeral 3 denotes a lens unit, in which a chemical lens system for condensing the light energy output from the emission end 2a of the optical fiber 2 is incorporated. Reference numeral 4 denotes a constant current power supply circuit for setting a current supplied to the semiconductor laser 1, reference numeral 5 denotes a current detector for detecting a current supplied to the semiconductor laser 1 by the constant current power supply circuit 4, and reference numeral 6 sets a heating output to a desired value. An optical output setting device 7 controls the constant current power supply circuit 4 to adjust the current supplied to the semiconductor laser 1 so that the output value of the output setting device 6 becomes the output value of the output setting device 6 by the controller.

【0004】10はエイミングライト光源9に供給する
電流を設定する定電流電源回路、11はエイミングライ
ト指令器であり、制御器7にエイミングライト指令器1
1より指令信号が出力されると、制御器7は定電流電源
回路10を制御してエイミングライト光源9に一定電流
を供給する。
[0004] Reference numeral 10 denotes a constant current power supply circuit for setting a current to be supplied to the aiming light source 9, and reference numeral 11 denotes an aiming light commander.
When a command signal is output from the controller 1, the controller 7 controls the constant current power supply circuit 10 to supply a constant current to the aiming light source 9.

【0005】以上のように構成された従来の半導体レー
ザ加熱装置において、加熱出力時には、電流検出器5の
出力信号により、光出力設定器6の設定値となるように
定電流電源回路4を制御して半導体レーザ1に供給する
電流を調整することにより、半導体レーザ1の光エネル
ギー出力が一定となるようにしている。この半導体レー
ザ1の光エネルギー出力は、光ファイバ2を通過してそ
の出射端2aより出射し、レンズユニット3で集光さ
れ、被加熱物に照射される。
In the conventional semiconductor laser heating apparatus configured as described above, at the time of heating output, the constant current power supply circuit 4 is controlled by the output signal of the current detector 5 so as to become the set value of the light output setter 6. By adjusting the current supplied to the semiconductor laser 1, the light energy output of the semiconductor laser 1 is made constant. The optical energy output of the semiconductor laser 1 passes through the optical fiber 2, exits from the exit end 2a, is condensed by the lens unit 3, and irradiates the object to be heated.

【0006】半導体レーザ1の光エネルギー出力が一定
であるため、被加熱物に照射される光エネルギー出力も
一定となる。なお、被加熱部の照射位置やレンズユニッ
ト3と照射部の高さの確認調整時には、人体に対して安
全な出力レベルのエイミングライト(ガイド光)を出力
する。エイミングライト出力時には定電流電源回路10
より一定電流がエイミングライト光源9に供給され、エ
イミングライト光源9の光エネルギーは、光ファイバ2
を通過してその出射端2aより出射し、レンズユニット
3で集光され、被加熱物に人体に対して安全なレベルの
出力にて照射される。
Since the light energy output of the semiconductor laser 1 is constant, the light energy output applied to the object to be heated is also constant. At the time of confirming and adjusting the irradiation position of the heated section and the height of the lens unit 3 and the irradiation section, an aiming light (guide light) having a safe output level to the human body is output. At the time of aiming light output, the constant current power supply circuit 10
A more constant current is supplied to the aiming light source 9, and the light energy of the aiming light source 9 is
, And exits from the exit end 2a, is condensed by the lens unit 3, and irradiates the object to be heated with a safe level output to the human body.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体レー
ザ加熱装置では、エイミングライト光源9の光出力を制
御するものであったために光ファイバ2は、半導体レー
ザ1に受光端が組込まれる主ファイバ部2bとエイミン
グライト光源9に受光端が組込まれる分岐部2cとから
構成される必要があった。
In the above-mentioned conventional semiconductor laser heating apparatus, the optical output of the aiming light source 9 is controlled. 2b and a branching portion 2c in which the light receiving end is incorporated into the aiming light source 9.

【0008】さらに、エイミングライト光源9により被
部加熱部の照射位置、レンズユニット3と照射部の高さ
の確認調整時の精度を確保するために、図4に示す光フ
ァイバ構成図のように、光ファイバ照射端2aにて光フ
ァイバ2の中心部に位置する光ファイバがエイミングラ
イト光源9に組込まれる分岐部2cとなるように、受光
端にて光ファイバを選別する必要があった。
Further, in order to ensure the accuracy of confirmation and adjustment of the irradiation position of the heated part by the aiming light source 9 and the height of the lens unit 3 and the irradiation part, as shown in the optical fiber configuration diagram shown in FIG. In addition, it is necessary to select the optical fiber at the light receiving end so that the optical fiber located at the center of the optical fiber 2 at the optical fiber irradiation end 2a becomes the branching portion 2c incorporated into the aiming light source 9.

【0009】また、半導体レーザ1とは別にエイミング
ライト光源9と定電流電源回路10を必要とした。
In addition, an aiming light source 9 and a constant current power supply circuit 10 are required separately from the semiconductor laser 1.

【0010】本発明はこれら従来の問題を解消すること
を目的とするものである。
An object of the present invention is to solve these conventional problems.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、請求項1記載の本発明は、光エネルギーを出力する
半導体レーザと、前記半導体レーザに少なくとも2つの
値の電流を供給する定電流電源回路と、供給電流を設定
する信号を定電流電源回路へ出力する制御器を有し、前
記半導体レーザのしきい値電流を算出する演算手段を設
け、前記供給電流の一方の値をしきい値電流以下にする
半導体レーザ加熱装置である。
In order to achieve this object, the present invention is directed to a semiconductor laser for outputting light energy, and a constant current for supplying at least two values of current to the semiconductor laser. A power supply circuit; a controller for outputting a signal for setting a supply current to a constant current power supply circuit; and a calculating means for calculating a threshold current of the semiconductor laser; and a threshold for determining one value of the supply current. It is a semiconductor laser heating device that makes the current value or less.

【0012】請求項2記載の本発明は、半導体レーザの
光エネルギー出力を測定する光出力測定器と、前記光出
力測定器からの信号を記憶し、記憶した値を演算手段に
出力する記憶手段を設けた請求項1記載の半導体レーザ
加熱装置である。
According to a second aspect of the present invention, there is provided an optical output measuring device for measuring an optical energy output of a semiconductor laser, and a storage unit for storing a signal from the optical output measuring device and outputting the stored value to an arithmetic unit. The semiconductor laser heating device according to claim 1, further comprising:

【0013】請求項3記載の本発明は、半導体レーザの
しきい値電流とともに光エネルギー出力の補正係数を演
算手段で演算する請求項2記載の半導体レーザ加熱装置
である。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the semiconductor laser heating apparatus according to the second aspect, wherein the correction coefficient of the light energy output is calculated by the calculating means together with the threshold current of the semiconductor laser.

【0014】請求項4記載の本発明は、半導体レーザに
流れる電流を検出し、該検出値を定電流電源回路および
制御器に出力する電流検出器を設けた請求項1から3の
いずれかに記載の半導体レーザ加熱装置である。
According to a fourth aspect of the present invention, in any one of the first to third aspects, a current detector for detecting a current flowing through the semiconductor laser and outputting the detected value to a constant current power supply circuit and a controller is provided. It is a semiconductor laser heating device of the description.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】上記の構成により、しきい値以下
の供給電流の光エネルギー出力を得ることができるの
で、エイミングライトとして光出力する場合に、人体に
対して安全なレベルの出力とすることができるように制
御する作用を有するものである。
According to the above configuration, a light energy output of a supply current equal to or less than a threshold value can be obtained. Therefore, when light is output as an aiming light, the output is at a safe level for the human body. It has an action of controlling so that it can be performed.

【0016】(実施の形態1)以下、本発明の実施の形
態を図1に沿って説明する。
(Embodiment 1) An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

【0017】本実施の形態の概略構成図において、従来
例(図3)に示したものと同様のものは、同一符号を付
して説明を省略する。
In the schematic configuration diagram of this embodiment, the same components as those shown in the conventional example (FIG. 3) are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

【0018】ところで、半導体レーザ1への供給電流I
(A)と光ファイバ2からの光エネルギー出力P(W)
の特性は図2に示すように、低電流では、発光ダイオー
ドと同様に自然放出により供給電流に対して光エネルギ
ー出力は微増するが、電流がしきい値電流を越えると、
レーザ作用により供給電流に対して光エネルギー出力が
急速に直線的に増加する。そして、供給電流が増加する
につれて、光エネルギー出力の増加の割合は減少してく
る。また、半導体レーザ加熱装置では、レーザ作用によ
り加熱に必要な光エネルギー出力が十分に得られるしき
い値電流を越えた電流領域で加熱パワーが得られる。
The current I supplied to the semiconductor laser 1 is
(A) and the light energy output P (W) from the optical fiber 2
As shown in FIG. 2, at low current, the light energy output slightly increases with respect to the supply current due to spontaneous emission as in the case of the light emitting diode, but when the current exceeds the threshold current,
The laser effect causes the light energy output to increase rapidly and linearly with the supply current. Then, as the supply current increases, the rate of increase of the light energy output decreases. Further, in the semiconductor laser heating device, the heating power can be obtained in a current region exceeding a threshold current at which a light energy output required for heating can be sufficiently obtained by the laser action.

【0019】図1において、12は出力補正指令器で、
光出力を補正するときに補正指令を出す。13は定電流
設定器で、前記出力補正指令器12により半導体レーザ
1の出力補正を実施する場合に、前記半導体レーザ1へ
の供給電流を少なくとも異なる電流(IL,IM)に設定
する。14は光出力測定器で、レンズユニット3からの
光エネルギー出力を測定し、制御器70のデータ保持手
段70cの記憶手段70a,70bに光エネルギー出力
L,PMを出力する。
In FIG. 1, reference numeral 12 denotes an output correction command device.
When a light output is corrected, a correction command is issued. Reference numeral 13 denotes a constant current setting unit which sets the current supplied to the semiconductor laser 1 to at least different currents ( IL , IM ) when the output correction of the semiconductor laser 1 is performed by the output correction command unit 12. 14 is a light output measuring instrument, the optical energy output from the lens unit 3 is measured, the storage means 70a of the data holding means 70c of the controller 70, 70b to the optical energy output P L, and outputs the P M.

【0020】以上のように構成された半導体レーザ加熱
装置について、その動作を説明する。
The operation of the semiconductor laser heating device configured as described above will be described.

【0021】半導体レーザ1の光エネルギー出力を補正
する場合、出力補正指令器12より出力補正指令信号を
出力する。予め定電流設定器13により設定されている
値の異なる設定電流が、制御器70、定電流電源回路4
を介して順次半導体レーザ1に供給されている。すなわ
ち、第1設定電流ILが半導体レーザに供給されると、
レンズユニット3からの光エネルギー出力は光出力測定
器14に取込まれて、光エネルギー出力PLは制御器7
0の記憶手段70a,70b,70cに保持される。つ
ぎに、第1設定電流ILの供給後、第2設定電流IMが半
導体レーザ1に供給される。さらに第1設定電流IL
場合と同様に、光エネルギー出力PMは制御器70にて
保持される。そして、光エネルギー出力PL、PMは次回
の出力補正により、そのデータが更新されるまで制御器
70にて保持される。さらに、詳細に説明すると、制御
器70にて光エネルギー出力PL、PMから、光エネルギ
ー出力P(W)と半導体レーザ1への供給電流I(A)
との関係は、つぎの数式で計算される。
When correcting the light energy output of the semiconductor laser 1, an output correction command signal is output from the output correction command unit 12. A set current having a different value set in advance by the constant current setter 13 is supplied to the controller 70 and the constant current power supply circuit 4.
Are sequentially supplied to the semiconductor laser 1. That is, when the first set current I L is supplied to the semiconductor laser,
Light energy output from the lens unit 3 is incorporated in the light output measuring instrument 14, the light energy output P L is the controller 7
0 is stored in the storage means 70a, 70b, 70c. Then, after the supply of the first set current I L, the second set current I M is supplied to the semiconductor laser 1. As with addition of the first set current I L, the light energy output P M is held by the controller 70. The light energy outputs P L and P M are held by the controller 70 until the data is updated by the next output correction. Further, describing in detail, the light energy output P L by the control unit 70, the supply current from the P M, the light energy output P (W) to the semiconductor laser 1 I (A)
Is calculated by the following equation.

【0022】[0022]

【数1】 (Equation 1)

【0023】しきい値電流Ithは、(数1)式を用い、
P=PL,I=IL,またはP=PM,I=IMとして算出
されるものである。このしきい値電流Ith以上の供給電
流により光エネルギー出力Pが加熱パワーを持つことに
なる。
The threshold current I th is calculated by using the following equation (1).
It is calculated as P = P L , I = I L , or P = P M , I = I M. The light energy output P has the heating power by the supply current equal to or more than the threshold current Ith.

【0024】また、半導体レーザ1をエイミングライト
として使用する場合の供給電流IAは、つぎの数式で計
算される。
Further, the supply current I A when using the semiconductor laser 1 as aiming light is calculated by the following equation.

【0025】[0025]

【数2】 (Equation 2)

【0026】そして、出力補正指令器9からの指令によ
り、しきい値電流Ith以下の領域にて(数1)式および
(数2)式により、半導体レーザ1への供給電流が決定
され、定電流電源回路4の出力を変化させ、半導体レー
ザ1への供給電流を調整することにより、レンズユニッ
ト3からの光エネルギー出力を安全なレベルに補正する
ことができる。
[0026] Then, by a command from the output correction command unit 9, by at threshold current I th following areas (number 1) and (Equation 2), the supply current to the semiconductor laser 1 is determined, By changing the output of the constant current power supply circuit 4 and adjusting the current supplied to the semiconductor laser 1, the light energy output from the lens unit 3 can be corrected to a safe level.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、エイミン
グライトに加熱時と同一の半導体レーザを使用すること
ができ、装置構成の簡素化および被加熱部の照射位置、
レンズユニットと照射部の高さの確認調整時の再現性を
確保した半導体レーザ加熱装置を実現できる優れた効果
を奏するものである。
As described above, according to the present invention, the same semiconductor laser can be used for the aiming light as at the time of heating.
The present invention has an excellent effect of realizing a semiconductor laser heating device that ensures reproducibility when confirming and adjusting the height of the lens unit and the irradiation unit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態の半導体レーザ加熱装置の
構成を示すブロック図
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor laser heating device according to an embodiment of the present invention.

【図2】半導体レーザの供給電流I(A)と光出力P
(W)との関係を示す特性図
FIG. 2 shows a supply current I (A) and an optical output P of a semiconductor laser.
Characteristic diagram showing the relationship with (W)

【図3】従来の半導体レーザ加熱装置の構成を示すブロ
ック図
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a conventional semiconductor laser heating device.

【図4】従来の光ファイバの構成図FIG. 4 is a configuration diagram of a conventional optical fiber.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザ 2 光ファイバ 4 定電流電源回路 5 電流検出器 6 光出力設定器 12 出力補正指令器 13 定電流設定器 14 光出力測定器 70 制御器 70a,70b 記憶手段 70c データ保持手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor laser 2 Optical fiber 4 Constant current power supply circuit 5 Current detector 6 Optical output setting device 12 Output correction command device 13 Constant current setting device 14 Optical output measuring device 70 Controller 70a, 70b Storage means 70c Data holding means

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4E068 AH01 CA02 CB01 CK01 5F072 AB13 GG09 HH02 HH04 HH06 JJ05 KK30 YY06 5F073 AB28 BA09 EA15 GA15 GA20 GA38  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4E068 AH01 CA02 CB01 CK01 5F072 AB13 GG09 HH02 HH04 HH06 JJ05 KK30 YY06 5F073 AB28 BA09 EA15 GA15 GA20 GA38

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光エネルギーを出力する半導体レーザ
と、前記半導体レーザに少なくとも2つの値の電流を供
給する定電流電源回路と、供給電流を設定する信号を定
電流電源回路へ出力する制御器を有し、前記半導体レー
ザのしきい値電流を算出する演算出段を設け、前記供給
電流の一方の値をしきい値電流以下にする半導体レーザ
加熱装置。
1. A semiconductor laser for outputting light energy, a constant current power supply circuit for supplying at least two current values to the semiconductor laser, and a controller for outputting a signal for setting a supply current to the constant current power supply circuit. A semiconductor laser heating device having a calculation output stage for calculating a threshold current of the semiconductor laser, wherein one of the supply currents is equal to or less than a threshold current.
【請求項2】 半導体レーザの光エネルギー出力を測定
する光出力測定器と、前記光出力測定器からの信号を記
憶し、記憶した値を演算手段に出力する記憶手段を設け
た請求項1記載の半導体レーザ加熱装置。
2. An optical output measuring device for measuring an optical energy output of a semiconductor laser, and storage means for storing a signal from the optical output measuring device and outputting the stored value to an arithmetic means. Semiconductor laser heating equipment.
【請求項3】 半導体レーザのしきい値電流とともに光
エネルギー出力の補正係数を演算手段で演算する請求項
2記載の半導体レーザ加熱装置。
3. The semiconductor laser heating device according to claim 2, wherein the correction coefficient of the light energy output is calculated by the calculating means together with the threshold current of the semiconductor laser.
【請求項4】 半導体レーザに流れる電流を検出し、該
検出値を定電流電源回路および制御器に出力する電流検
出器を設けた請求項1から3のいずれかに記載の半導体
レーザ加熱装置。
4. The semiconductor laser heating apparatus according to claim 1, further comprising a current detector for detecting a current flowing through the semiconductor laser and outputting the detected value to a constant current power supply circuit and a controller.
JP10270863A 1998-09-25 1998-09-25 Semiconductor laser-heating device Pending JP2000101180A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10270863A JP2000101180A (en) 1998-09-25 1998-09-25 Semiconductor laser-heating device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10270863A JP2000101180A (en) 1998-09-25 1998-09-25 Semiconductor laser-heating device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000101180A true JP2000101180A (en) 2000-04-07

Family

ID=17492033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10270863A Pending JP2000101180A (en) 1998-09-25 1998-09-25 Semiconductor laser-heating device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000101180A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6796710B2 (en) System and method of measuring and controlling temperature of optical fiber tip in a laser system
EP1002242B1 (en) Semiconductor wafer fabrication system having two energy detectors for a laser
EP3766623B1 (en) Laser processing device, and laser power control method
KR100795859B1 (en) Cosmetic treatment apparatus
US7366283B2 (en) Method to control anodic current in an x-ray source
JP2009279631A (en) Laser beam machining controller and laser beam machining apparatus
JP2000101180A (en) Semiconductor laser-heating device
US5778146A (en) Light beam heating apparatus
US6822977B1 (en) Method and apparatus for compensation of beam property drifts detected by measurement systems outside of an excimer laser
JPH11254159A (en) Semiconductor laser heating device for optical fiber output
KR102439233B1 (en) Calibration of photoelectromagnetic sensor in a laser source
US9239269B1 (en) Calibration of photoelectromagnetic sensor in a laser source
EP0506178A2 (en) Power supply apparatus
JP2785157B2 (en) Light intensity control device and exposure device
KR102560079B1 (en) Control system for multiple deep ultraviolet optical oscillators
US9239268B1 (en) Calibration of photoelectromagnetic sensor in a laser source
US5671324A (en) Light beam heating apparatus with optical energy correction compensating for lamp electrode wear and aging
US20060285107A1 (en) Method for sensing and controlling radiation incident on substrate
EP1010040A4 (en) Laser-illuminated stepper or scanner with energy sensor feedback
JPS62104089A (en) Laser output controller
JP2009289579A (en) X-ray device with pulse fluoroscopy mode
JPH0193098A (en) Pulse x-ray generation device
JPH04274314A (en) Electron beam drawing device
JPH0371987A (en) Laser beam machining method
JPH02177314A (en) Exposure