JP2000099652A - Semiconductor recording media and recording and reproduction system using the same - Google Patents

Semiconductor recording media and recording and reproduction system using the same

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JP2000099652A
JP2000099652A JP10271668A JP27166898A JP2000099652A JP 2000099652 A JP2000099652 A JP 2000099652A JP 10271668 A JP10271668 A JP 10271668A JP 27166898 A JP27166898 A JP 27166898A JP 2000099652 A JP2000099652 A JP 2000099652A
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Japan
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light
semiconductor
recording medium
recording
rewriting
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Hiroyasu Otsubo
宏安 大坪
Hiroshi Chiba
浩 千葉
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To surely set a re-write prohibiting state by a simple work. SOLUTION: The package of a semiconductor recording media 1 is provided with an optical window 6, and when a light is made incident through the optical window 6, a photoelectric converting means 2 converts this into an electric signal A, and a light detecting means 3 compares this with a threshold value, and outputs a detection signal B. A memory cell controlling means 4 turns a memory cell 5 into a rewritable state by the detected signal B. When an opaque seal is attached to the optical window 6, a light from the outside part is shielded, and the memory cell controlling means 4 turns the memory cell 5 into a rewriting inhibiting state by the detection signal B outputted from the light detecting means 3. When this semiconductor recording media is mounted on a prescribed device, this light is irradiated for a definite period of time, and the light detecting means is provided with a function for holding the detection signal B even after the lapse of this irradiating time.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体メモリを備
えた半導体記録メディアとこれを用いた記録再生システ
ムに係り、特に、音声信号や画像信号などのデータの記
録に好適な半導体記録メディアとこれを用いた記録再生
システムに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor recording medium having a semiconductor memory and a recording / reproducing system using the same, and more particularly, to a semiconductor recording medium suitable for recording data such as audio signals and image signals, and The present invention relates to a recording / reproducing system using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】音声信号や画像信号を記録する記録装置
として、従来、磁気テープを記録メディアとする磁気記
録装置、即ち、テープレコーダやビデオテープレコーダ
(VTR)が知られている。そして、このような磁気テ
ープを内蔵したカセット(テープカセット)、特に、V
HS規格のテープカセットやコンパクトオーディオカセ
ットでは、そのケースに再書込みを禁止させるための
「爪」が設けられており、保存したい記録データが再書
込みによって消去されるのを防ぐことができるようにし
ている。即ち、この「爪」の有無によって再書込みの可
不可を決めるものであり、この「爪」を折って取り除く
ことにより、磁気テープへの書込みを禁止することがで
きるようにしている。
2. Description of the Related Art As a recording device for recording an audio signal or an image signal, a magnetic recording device using a magnetic tape as a recording medium, that is, a tape recorder or a video tape recorder (VTR) is conventionally known. And a cassette (tape cassette) incorporating such a magnetic tape, in particular, V
HS tape cassettes and compact audio cassettes are provided with "claws" in the case to prohibit rewriting, so that the recording data to be preserved can be prevented from being erased by rewriting. I have. That is, whether or not rewriting is possible is determined based on the presence or absence of the "claw". By folding and removing the "claw", writing to the magnetic tape can be prohibited.

【0003】また、再書込みを禁止することができるよ
うにするための他の方法として、カセットにスライドす
る部分を設ける方法がある。これは、この部分のスライ
ドによって設けられている所定の穴を塞げる構造とする
ものであって、この穴が塞がっているか、いないかに応
じて記録メディアへの再書込みの可否を決めるものであ
る。この穴が塞がっているか、いないかの検出方法とし
ては、光学的な方法と機械的な方法とがある。かかる方
法は、例えば、「最新フロッピ・ディスクとその応用ノ
ウハウ」CQ出版社発行 pp.14−27に記載のよう
に、フロッピディスク、MD、MOなどの記録メディア
に採用されている。
As another method for prohibiting rewriting, there is a method of providing a sliding portion in a cassette. This is a structure for closing a predetermined hole provided by the slide of this part, and determines whether or not rewriting to the recording medium is possible depending on whether or not this hole is closed. is there. As a method of detecting whether this hole is closed or not, there are an optical method and a mechanical method. Such a method has been adopted for recording media such as floppy disks, MDs, and MOs, as described in, for example, "Latest Floppy Disk and Its Application Know-how", pp. 14-27, published by CQ Publishing Company.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年の半導
体技術の進歩は目覚しく、半導体プロセスの微細化によ
り、半導体メモリを用いた半導体記録メディアのメモリ
容量が急激に増大している。また、不揮発性のメディア
も開発され、ディジタルの画像記録メディアとしてフラ
ッシュメモリなどが開発されて、ディジタルスチルカメ
ラに採用されている。そして、将来的に、さらに半導体
プロセスの微細化が進み、高集積な半導体メモリが開発
されるようになると、1個のメモリチップまたは複数個
のメモリを同一パッケージに実装した半導体メモリに音
声信号及び画像信号を1時間〜2時間以上記録すること
が可能になる。
By the way, the progress of semiconductor technology in recent years has been remarkable, and the memory capacity of a semiconductor recording medium using a semiconductor memory has rapidly increased due to the miniaturization of the semiconductor process. In addition, non-volatile media have been developed, and flash memories and the like have been developed as digital image recording media, which have been adopted for digital still cameras. In the future, further miniaturization of the semiconductor process will progress and a highly integrated semiconductor memory will be developed. As a result, audio signals and audio signals will be transferred to a semiconductor memory in which one memory chip or a plurality of memories are mounted in the same package. It becomes possible to record the image signal for 1 hour to 2 hours or more.

【0005】このような半導体メモリを用いた半導体記
録メディアでも、ユーザが安易に再書込みなどの操作ミ
スを行なって必要な記録データを消去してしまうような
事態を防止するために、再書込み防止機構が必須であ
る。しかし、例えば、せいぜい20mm角程度のサイズ
のLSIのパッケージのようなケースに上記のような機
械的なスライド機能による誤消去防止機能を設けること
は、信頼性及び操作性の両面で問題が多い。なぜなら、
かかるパッケージに設ける機械的スライド機構は、それ
自体非常に小さいものになって強度的に弱いものであ
り、破壊し易いなどの問題があるし、また、非常に小型
であるので、ユーザがこのスライドを操作することが非
常に難しい。ピンセットなどでこのスライド部分を移動
させるようにすれば、できるかもしれないが、非現実的
である。
[0005] Even in the case of a semiconductor recording medium using such a semiconductor memory, in order to prevent a situation in which a user easily performs an operation error such as rewriting and erases necessary recording data, rewriting is prevented. A mechanism is essential. However, providing an erroneous erasure prevention function by a mechanical sliding function as described above in a case such as an LSI package having a size of at most about 20 mm square has many problems in terms of both reliability and operability. Because
The mechanical slide mechanism provided in such a package is very small in itself and weak in strength, and has problems such as easy breakage. Very difficult to operate. If this slide part is moved by tweezers or the like, it may be possible, but it is impractical.

【0006】本発明の目的は、かかる問題を解消し、ユ
ーザが再書込みの禁止/解除の操作を容易にかつ確実に
することができるようにした誤書込み防止機構を備えた
半導体記録メディア及び記録再生システムを提供するこ
とにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor recording medium and a recording medium provided with an erroneous writing prevention mechanism capable of solving such a problem and enabling a user to easily and surely perform an operation of prohibiting / releasing rewriting. It is to provide a reproduction system.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明による半導体メモリを備えた半導体記録メデ
ィアは、外部から一定期間発生される光の受光の有無を
検出する第1の手段と、該第1の手段の検出出力を保持
し、該受光の有無を表わす検出信号を連続して発生する
第2の手段と、該検出信号に応じて該半導体メモリでの
データの書込みの可否を決定する第3の手段とからなる
再書込み禁止/許可機構を設ける。
In order to attain the above object, a semiconductor recording medium provided with a semiconductor memory according to the present invention comprises a first means for detecting the presence or absence of light received from outside for a predetermined period of time. A second means for holding a detection output of the first means and continuously generating a detection signal indicating the presence or absence of the light reception; and determining whether data can be written in the semiconductor memory in accordance with the detection signal. A rewriting prohibition / permission mechanism comprising the third means for determining is provided.

【0008】かかる光は、この半導体記録メモリが装着
されるデバイスから発生されるものであり、常時発光さ
れるものではないので、発光手段での消費電力を低減で
きるし、また、このように発光させても、上記第2の手
段の保持機能により、上記第3の手段の決定が維持され
て半導体メモリの再書込みの禁止状態や許可状態が安定
に維持される。
Such light is generated from a device in which the semiconductor recording memory is mounted and is not always emitted, so that power consumption by the light emitting means can be reduced. Even if this is done, the determination function of the third means is maintained by the holding function of the second means, and the prohibition state and the permission state of rewriting of the semiconductor memory are stably maintained.

【0009】また、上記のように、外部で光が発生して
も、この光を遮蔽するという簡単に方法でもって第3の
手段での決定を変更させることが可能である。
Further, as described above, even if light is generated outside, it is possible to change the determination by the third means by a simple method of shielding this light.

【0010】上記目的を達成するために、本発明による
半導体記録メディアを用いた記録再生システムは、該記
録再生装置に光学的な反射手段を設けるとともに、該半
導体記録メディアに、発光手段と、該発光手段で発生し
た光を外部に出射させ、該反射手段からの光を入射させ
る光学窓と、該発光手段で発生されて該反射手段で反射
された光を該光学窓を介して受光する位置に配置された
光電変換手段と、該光電変換手段の出力信号から該光学
変換手段での該光の受光の有無を検出する光検出手段
と、該光検出手段の出力信号に応じて該半導体メモリで
のデータの再書込みの可否を決定する制御手段とからな
る再書込み禁止/許可機構を設け、該光学窓を遮光状態
にするか否かに応じて、該半導体メモリでのデータの再
書込みを禁止または許可するようにする。
In order to achieve the above object, a recording / reproducing system using a semiconductor recording medium according to the present invention includes an optical reflecting means provided in the recording / reproducing apparatus, and a light emitting means, An optical window through which light generated by the light emitting means is emitted to the outside and light from the reflecting means is incident thereon, and a position at which light generated by the light emitting means and reflected by the reflecting means is received through the optical window. Photoelectric conversion means, light detection means for detecting whether or not the light is received by the optical conversion means from an output signal of the photoelectric conversion means, and the semiconductor memory according to an output signal of the light detection means. A rewriting prohibition / permission mechanism comprising control means for determining whether or not data can be rewritten in the semiconductor memory according to whether or not the optical window is to be in a light-shielded state. Prohibited or So as to availability.

【0011】かかる構成により、半導体記録メディア側
に発光手段を設けるものであるから、記録再生装置側に
かかる手段を設ける必要がないし、また、光学窓に不透
明なシールなどを貼ったり、剥がしたりするという簡単
な作業でもって、半導体記録メディアのデータ再書込み
禁止と許可とを切り換えることができる。しかも、この
光学窓は発光手段から光電変換手段への光を通すだけの
ものであるから、格別大きなものとする必要がなく、従
って、LSIパッケージ程度の小さなサイズの半導体記
録メディアにも適用可能である。
With this configuration, since the light emitting means is provided on the semiconductor recording medium side, there is no need to provide such means on the recording / reproducing apparatus side, and an opaque seal or the like is stuck or peeled off the optical window. With this simple operation, it is possible to switch between rewriting inhibition and permission of data rewriting of the semiconductor recording medium. In addition, since the optical window only transmits light from the light emitting means to the photoelectric conversion means, it is not necessary to make the optical window particularly large. Therefore, the optical window can be applied to a semiconductor recording medium as small as an LSI package. is there.

【0012】本発明による半導体記録メディアを用いた
記録再生システムは、また、記録再生装置に、発光手段
と、半導体記録メディアからの光を受光する光電変換手
段と、該光電変換手段での該光の受光の有無を検出する
光検出手段と、該光検出手段の検出出力に応じて該半導
体メモリでのデータの書込みの可否を決定する制御第3
の手段とからなる再書込み禁止/許可機構を設け、かつ
半導体記録メディアに、該発光手段からの光を該光電変
換手段の方向へ反射し、かつ反射率を変更可能とする、
あるいは、該光電変換手段の方向とそれ以外の方向とへ
反射方向を変更可能とする光反射手段を設ける。
A recording / reproducing system using a semiconductor recording medium according to the present invention provides a recording / reproducing apparatus with a light emitting means, a photoelectric conversion means for receiving light from the semiconductor recording medium, Light detecting means for detecting the presence or absence of light reception, and control for determining whether data can be written in the semiconductor memory according to the detection output of the light detecting means.
Means for rewriting / prohibiting rewriting, and reflecting light from the light emitting means in the direction of the photoelectric conversion means on the semiconductor recording medium, and changing the reflectance.
Alternatively, there is provided a light reflecting means capable of changing the reflection direction between the direction of the photoelectric conversion means and the other direction.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて説明する。図1は本発明による半導体記録メディ
アの一実施形態を示す構成図であって、1はこの実施形
態の半導体記録メディア、2は光電変換手段、3は光検
出手段、4は制御手段、5はメモリセル(半導体メモ
リ)、6は光学的な窓(以下、光学窓という)、7は入
出力端子である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing one embodiment of a semiconductor recording medium according to the present invention, wherein 1 is a semiconductor recording medium of this embodiment, 2 is a photoelectric conversion unit, 3 is a light detection unit, 4 is a control unit, and 5 is a control unit. A memory cell (semiconductor memory), 6 is an optical window (hereinafter referred to as an optical window), and 7 is an input / output terminal.

【0014】同図において、半導体記録メディア1内に
は、データが書き込まれるメモリセル5が設けられてお
り、メモリセル制御手段4の制御のもとに、入出力端子
7から入力される音声信号や画像信号などのデータの書
込みが行なわれ、また、メモリセル5からデータが読み
出されて入出力端子7から外部に出力される。
In FIG. 1, a memory cell 5 to which data is written is provided in a semiconductor recording medium 1, and an audio signal input from an input / output terminal 7 under the control of a memory cell control means 4. And data such as image signals are written, and data is read from the memory cell 5 and output from the input / output terminal 7 to the outside.

【0015】また、半導体記録メディア1内には、光電
変換手段2が設けられており、半導体記録メディア1に
設けられた光学窓6を通して外部から照射される光を受
光し、これを電気信号に変換する。この光電変換手段2
から出力されるこの電気信号Aは光検出手段3に供給さ
れる。光検出手段3は、光電変換手段2からの電気信号
Aを予め設定された閾値とレベル比較し、電気信号Aの
レベルがこの閾値以上のとき、光学窓6を介して光を受
光したと判定し、電気信号Aのレベルがこの閾値未満の
とき、光学窓6を介して光を受光しないと判定すること
により、外部からの光照射の有無を検出し、この検出結
果を示す検出信号Bを出力する。以下では、外部からの
光照射が有りと判定した場合の検出信号Bを論理的に
“1”とし、外部からの光照射が無しと判定した場合の
検出信号Bを論理的に“0”とする。メモリセル制御手
段4は、この検出信号Bに応じて、メモリセル5でのデ
ータの書込みを禁止したり、その禁止を解除する。
A photoelectric conversion means 2 is provided in the semiconductor recording medium 1 to receive light radiated from outside through an optical window 6 provided in the semiconductor recording medium 1 and convert the light into an electric signal. Convert. This photoelectric conversion means 2
Is supplied to the light detecting means 3. The light detection unit 3 compares the level of the electric signal A from the photoelectric conversion unit 2 with a preset threshold value, and determines that light has been received through the optical window 6 when the level of the electric signal A is equal to or greater than the threshold value. Then, when the level of the electric signal A is less than the threshold value, it is determined that no light is received through the optical window 6 to detect the presence or absence of external light irradiation, and a detection signal B indicating the detection result is output. Output. Hereinafter, the detection signal B when it is determined that there is external light irradiation is logically “1”, and the detection signal B when it is determined that there is no external light irradiation is logically “0”. I do. In response to the detection signal B, the memory cell control means 4 prohibits the writing of data in the memory cell 5 and releases the prohibition.

【0016】かかる実施形態は、例えば、ディジタル音
声記録器やディジタルカメラなどのデバイスにおける記
録再生装置に装着され、このように装着されたときに、
かかるデバイスに設けられた発光手段から光学窓6を通
して光電変換手段に光が照射される。この場合には、光
検出手段3からの検出信号Bは“1”となって、光学窓
6を通して外部から光が照射されたことを表わしてお
り、これにより、メモリセル制御手段4は、メモリセル
5での再書込みを可能にする。従って、この場合には、
入出力端子7から入力されるデータはメモリセル5に書
き込まれる。
This embodiment is mounted on a recording / reproducing apparatus in a device such as a digital audio recorder or a digital camera.
Light is emitted from the light emitting means provided in the device to the photoelectric conversion means through the optical window 6. In this case, the detection signal B from the light detection means 3 becomes "1", indicating that light is radiated from the outside through the optical window 6, whereby the memory cell control means 4 Enables rewriting in cell 5. Therefore, in this case,
Data input from the input / output terminal 7 is written to the memory cell 5.

【0017】一方、光学窓6を介して光が照射されず、
光電変換手段2が受光しない場合には、光検出手段3か
ら出力される検出信号Bは“0”となる。これにより、
メモリセル制御手段4は、メモリセル5へのデータの書
込みを禁止する。そこで、メモリセル5へのデータの再
書込みを禁止し、メモリセル5にすでに書き込まれてい
る所望データの誤消去を防止するためには、光電変換手
段2への光照射を遮蔽するように、例えば、シールなど
で光学窓6の開口部を塞ぐようにすればよい。
On the other hand, no light is irradiated through the optical window 6,
When the photoelectric conversion unit 2 does not receive light, the detection signal B output from the light detection unit 3 is “0”. This allows
The memory cell control means 4 prohibits writing of data to the memory cell 5. Therefore, in order to prohibit rewriting of data to the memory cell 5 and prevent erroneous erasure of desired data already written to the memory cell 5, light irradiation to the photoelectric conversion unit 2 is blocked. For example, the opening of the optical window 6 may be closed with a seal or the like.

【0018】半導体記録メディア1がサイズの小さいも
のである場合、光学窓6も非常に小さいものとなるが、
光学的窓6の開口部をシールなどで塞ぐという簡単な作
業により、メモリセル5での再書込みを禁止できる。
When the size of the semiconductor recording medium 1 is small, the optical window 6 is also very small.
Rewriting in the memory cell 5 can be prohibited by a simple operation of closing the opening of the optical window 6 with a seal or the like.

【0019】なお、光検出手段3で、上記にように、閾
値を設定したのは、光電変換手段2が外部から光を受光
したか否かを正確に判定することができるようにするた
めである。例えば、光学窓6の開口部を塞いだシールな
どの遮光率が低い場合、光電変換手段2は外部からの光
の一部を受光することになり、光電変換手段2からはこ
の受光量に応じたレベルの電気信号Aが出力され、光検
出手段3はメモリセル5での書込みを可とする誤判断を
する。かかる誤判断を防止するために、上記の閾値を設
定しているのである。これが問題にならなければ(例え
ば、光電変換手段2が、その変換特性により、ある程度
の受光量までは電気信号Aを出力しないなど)、上記の
閾値を設ける必要はない。
The reason why the threshold value is set in the light detecting means 3 as described above is that it is possible to accurately determine whether or not the photoelectric conversion means 2 has received light from outside. is there. For example, when the light blocking ratio of a seal or the like that closes the opening of the optical window 6 is low, the photoelectric conversion unit 2 receives a part of the light from the outside. Is output, and the light detection means 3 makes an erroneous determination that writing into the memory cell 5 is permitted. In order to prevent such an erroneous determination, the above-mentioned threshold is set. If this does not cause a problem (for example, the photoelectric conversion unit 2 does not output the electric signal A until a certain amount of light is received due to its conversion characteristics), it is not necessary to provide the above threshold.

【0020】図2は図1に示した実施形態の構造の一具
体例を示す透視斜視図であって、1aは半導体記録メデ
ィア1のパッケージ、8はチップまたは基板であり、図
1に対応する部分には同一符号を付けている。
FIG. 2 is a perspective view showing a specific example of the structure of the embodiment shown in FIG. 1, wherein 1a is a package of the semiconductor recording medium 1, 8 is a chip or a substrate, and corresponds to FIG. Parts are given the same reference numerals.

【0021】同図において、半導体記録メディア1のパ
ッケージ1aには、半導体チップまたは図1に示した各
手段が実装された基板8が内蔵されており、光学窓6が
このパッケージ1aの広い面積の面の1つのコーナ付近
に配置されている。そして、光電変換手段2は、この光
学窓6に対向し、この光学窓6を通って入射される光を
受光できるうちに配置されている。
In FIG. 1, a package 1a of the semiconductor recording medium 1 incorporates a semiconductor chip or a substrate 8 on which each unit shown in FIG. 1 is mounted, and an optical window 6 covers a wide area of the package 1a. It is located near one corner of the surface. The photoelectric conversion unit 2 is disposed so as to face the optical window 6 and receive light incident through the optical window 6.

【0022】なお、半導体記録メディアでは、必ずしも
同一の半導体チップに集積されている必要がなく、複数
の部品に分割されていてもよい。また、この実施形態で
は、半導体記録メディアはそのパッケージ1aが小型の
形状のものとし、そこに再書込み禁止機構を設けること
を主目的にしているが、半導体記録メディアは必ずしも
形状が小型でなくてもよく、このようなものでも、本発
明は有効である。
It should be noted that the semiconductor recording medium does not necessarily have to be integrated on the same semiconductor chip, but may be divided into a plurality of components. In this embodiment, the semiconductor recording medium has a package 1a having a small size and its main purpose is to provide a rewrite inhibiting mechanism. However, the semiconductor recording medium is not necessarily small in size. The present invention is also effective in such a case.

【0023】また、光学窓6は、図2では、パッケージ
1aの面積の広い面の1つのコーナー付近に配置するよ
うにしているが、この面の他の場所に設けるようにして
もよいし、また、他の面、例えば、面積の狭い側面に配
置するようにしてもよい。
Although the optical window 6 is arranged near one corner of the wide surface of the package 1a in FIG. 2, it may be provided at another place on this surface. Moreover, you may make it arrange | position to another surface, for example, the side surface with a small area.

【0024】さらに、パッケージ1aの形状について
も、特に制約はなく、任意の形状であってよい。
Further, the shape of the package 1a is not particularly limited, and may be any shape.

【0025】さらにまた、上記の実施形態において、光
電変換手段2に光が照射されていないとき、メモリセル
5での書込みを可能とし、光電変換手段2に光が照射さ
れているとき、書込み禁止とするようにしてもよい。こ
の場合には、図1におけるメモリ制御手段4が検出信号
Bに応じて上記のように動作するとすると、単に、光検
出器3から出力される検出信号Bの極性を反転すればよ
い。
Further, in the above-described embodiment, when the photoelectric conversion means 2 is not irradiated with light, writing in the memory cell 5 is enabled, and when the photoelectric conversion means 2 is irradiated with light, writing is inhibited. You may make it. In this case, assuming that the memory control means 4 in FIG. 1 operates as described above according to the detection signal B, the polarity of the detection signal B output from the photodetector 3 may be simply inverted.

【0026】そして、以上のことは、後述する他の実施
形態についても同様である。
The same applies to other embodiments described later.

【0027】図3は図2に示した構造の図1に示した実
施形態での光学窓6の塞ぎ方法の一具体例を示す図であ
って、9はシールであり、図2に対応する部分には同一
符号を付けている。
FIG. 3 is a diagram showing a specific example of a method of closing the optical window 6 in the embodiment shown in FIG. 1 having the structure shown in FIG. 2, and 9 is a seal, which corresponds to FIG. Parts are given the same reference numerals.

【0028】図3(a)は光学窓が塞がれていないとき
の状態を示すものであって、この光学窓6を通して、パ
ッケージ1aの内部に光が入射され、メモリセル5(図
1)は書込み可能となる。
FIG. 3A shows a state in which the optical window is not closed. Light enters the package 1a through the optical window 6 and the memory cell 5 (FIG. 1). Becomes writable.

【0029】図3(b)はシール9によって光学窓6が
塞がれ、メモリセル5が書込み禁止状態にあるのを示し
ている。シール9は片面を粘着性の接着面を有する不透
明なものであって、パッケージ1aの光学窓6が設けら
れている面をほぼ全面にわたって貼り付けるようにする
ことにより、光学窓6の部分だけに貼付るようにするよ
りも、貼り付け作業が簡単になる。
FIG. 3B shows that the optical window 6 is closed by the seal 9 and the memory cell 5 is in the write-protected state. The seal 9 is an opaque material having an adhesive surface on one side. By sticking the surface of the package 1a on which the optical window 6 is provided to almost the entire surface, the seal 9 is applied only to the optical window 6 portion. Pasting work becomes easier than pasting.

【0030】図4は図1における光電変換手段2の一具
体例を示す図であって、10はフォトトランジスタであ
る。
FIG. 4 is a diagram showing a specific example of the photoelectric conversion means 2 in FIG. 1, and 10 is a phototransistor.

【0031】同図において、光電変換手段2はフォトト
ランジスタ10から構成されており、このフォトトラン
ジスタ10のベースに光が照射されると、フォトトラン
ジスタ10では、光電変換によって生じたベース電流に
より、そのコレクタに照射された光量(受光量)に応じ
て電流Iが流れ、これが電気信号Aとして出力される。
ここでは、フォトトランジスタ10がnpn型であるか
ら、電流Iは図示の矢印方向、即ち、外部から入力され
る方向に流れる。再書込み禁止の状態では、光が入射さ
れないから、フォトトランジスタ10では、光電変換が
行われず、電流Iは流れない。
In FIG. 1, the photoelectric conversion means 2 comprises a phototransistor 10. When light is applied to the base of the phototransistor 10, the phototransistor 10 receives the base current generated by the photoelectric conversion. A current I flows according to the amount of light (the amount of light received) applied to the collector, and this is output as an electric signal A.
Here, since the phototransistor 10 is of the npn type, the current I flows in the direction of the arrow shown in FIG. In the state where rewriting is prohibited, no light is incident, so that photoelectric conversion is not performed in the phototransistor 10, and no current I flows.

【0032】図5は図1における光検出手段3の一具体
例を示す回路図であって、11は比較器、12は抵抗、
13は基準電圧源である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a specific example of the light detecting means 3 in FIG. 1, where 11 is a comparator, 12 is a resistor,
13 is a reference voltage source.

【0033】同図において、光検出手段3は比較器11
と抵抗12と基準電圧源13とから構成されており、比
較器11の+(プラス)端子に基準電圧源13の基準電圧
Esが、−(マイナス)端子に抵抗12を介して電源電圧
Egが夫々供給される。ここで、比較器11の−端子に
供給される電圧Eiは、抵抗12の抵抗値をR、この抵
抗にながれる電流をIとすると、 Ei=Eg−I・R となる。ここで、比較器11の−端子は図4に示した光
電変換手段2のフォトトランジスタ10のコレクタに接
続されており、従って、抵抗12に流れる電流Iは、ま
た、上記電気信号Aとしてのこのフォトトランジスタ1
0のコレクタ電流Iでもある。
In the figure, the light detecting means 3 is a comparator 11
And a reference voltage source 13. The reference voltage Es of the reference voltage source 13 is connected to the + (plus) terminal of the comparator 11, and the power supply voltage Eg is connected to the − (minus) terminal via the resistor 12. Supplied respectively. Here, the voltage Ei supplied to the minus terminal of the comparator 11 is given by Ei = Eg-IR, where R is the resistance value of the resistor 12 and I is the current flowing through the resistor. Here, the negative terminal of the comparator 11 is connected to the collector of the phototransistor 10 of the photoelectric conversion means 2 shown in FIG. Phototransistor 1
It is also a collector current I of zero.

【0034】そこで、抵抗12に流れる電流Iは光電変
換手段2の受光量に応じたものであり、上記の式から、
比較器11の入力電圧Eiは、光電変換手段2の受光量
が大きいほど低くなり、受光量が小さいほど高くなっ
て、光学窓6が塞がれて受光量=ほぼ0のとき、電源電
圧Egにほぼ等しく最大となる。
Therefore, the current I flowing through the resistor 12 depends on the amount of light received by the photoelectric conversion means 2. From the above equation,
The input voltage Ei of the comparator 11 decreases as the amount of received light of the photoelectric conversion unit 2 increases, and increases as the amount of received light decreases. When the optical window 6 is closed and the amount of received light is almost 0, the power supply voltage Eg Is almost equal to the maximum.

【0035】基準電圧源13の基準電圧Esは上記の閾
値に相当するものであって、 Eg>Es に設定されており、光電変換手段2の受光量が大きくて
Ei≦Esのときには、比較器11の出力電圧Eoは高
レベルとなる。これが上記の論理“1”の検出信.号B
である。また、光電変換手段2の受光量が小さくて、あ
るいは受光量がほぼ0でEi>Esのときには、比較器
11の出力電圧Eoは低レベルとなる。これが上記の論
理“0”の検出信号Bである。
The reference voltage Es of the reference voltage source 13 corresponds to the above threshold value, and is set so that Eg> Es. When the light receiving amount of the photoelectric conversion unit 2 is large and Ei ≦ Es, the comparator The output voltage Eo of No. 11 is at a high level. This is the detection signal of the above logic "1". Issue B
It is. Further, when the amount of light received by the photoelectric conversion means 2 is small, or when the amount of received light is almost 0 and Ei> Es, the output voltage Eo of the comparator 11 becomes low. This is the above-mentioned detection signal B of logic "0".

【0036】このようにして、基準電圧Es、即ち、閾
値を適宜に設定することにより、遮光率が低いシールで
光学窓6を塞いだシールの遮光率が低いため、外部から
の光の一部がこの光学窓6からは入り込んでも、メモリ
セル5の書込みを可とする誤動作を防止することができ
る。
By appropriately setting the reference voltage Es, that is, the threshold value in this manner, the seal that closes the optical window 6 with the seal having a low light blocking rate has a low light blocking rate. However, even if the light enters through the optical window 6, it is possible to prevent a malfunction in which writing into the memory cell 5 is enabled.

【0037】図6は図1における光検出手段3の他の具
体例を示す回路図であって、14はラッチ回路、15は
制御回路であり、図5に対応する部分には同一符号を付
けて重複する説明を省略する。また、図7は図6におけ
る各部の信号波形を示す図であって、図6に対応する部
分は同一符号を付けている。
FIG. 6 is a circuit diagram showing another specific example of the light detecting means 3 in FIG. 1. In FIG. 6, reference numeral 14 denotes a latch circuit, 15 denotes a control circuit, and portions corresponding to those in FIG. And a duplicate description will be omitted. FIG. 7 is a diagram showing signal waveforms at various portions in FIG. 6, and portions corresponding to FIG. 6 are denoted by the same reference numerals.

【0038】同図において、この具体例は、図5に示し
た具体例にラッチ回路14と制御回路15とを付加し、
このラッチ回路14で比較器11の出力電圧B’のレベ
ルを保持するようにしたものである。
In this figure, this example is different from the example shown in FIG. 5 in that a latch circuit 14 and a control circuit 15 are added.
The latch circuit 14 holds the level of the output voltage B ′ of the comparator 11.

【0039】次に、図7を用いてこの具体例の動作を説
明すると、ディジタルカメラなどのこの実施形態である
半導体記録メディアを使用するデバイスは、この半導体
記録メディアが装着されるとともに、所定の発光手段に
より、一定時間光を発生させる。この光は、図1におけ
る光学窓6が閉じられていなければ、この光学窓6を通
して光電変換手段2(図1,図4)に照射され、この光
電変換手段2から図6に示す光検出手段3に、この発光
期間“H”(高レベル)となる電気信号Aが供給され
る。図7におけるこの電気信号Aの“H”レベル期間T
Hが上記デバイスの発光期間である。
Next, the operation of this specific example will be described with reference to FIG. 7. In a device such as a digital camera using the semiconductor recording medium according to this embodiment, the semiconductor recording medium is mounted and a predetermined Light is generated by the light emitting means for a certain period of time. This light is applied to the photoelectric conversion means 2 (FIGS. 1 and 4) through the optical window 6 unless the optical window 6 in FIG. 1 is closed. 3 is supplied with an electric signal A which is in the light emitting period “H” (high level). "H" level period T of this electric signal A in FIG.
H is the light emission period of the device.

【0040】光検出手段3では、この“H”の電気信号
Aが供給されるとともに、図5で説明したように、比較
器11からこの電気信号Aの“H”の期間THにほぼ等
しい期間“H”となる信号B’が出力され、入力データ
としてラッチ回路14に供給される。一方、制御回路1
5は、上記デバイスの発光期間内に短かいパルス幅のラ
ッチパルスPRを1乃至複数回出力し、このラッチパル
スPRにより、入力データB’がラッチ回路14にラッ
チされる。このラッチ回路14のQ出力が上記の検出信
号Bとしてメモリセル制御手段4(図1)に供給され
る。
[0040] In the light detecting means 3, together with the electric signal A of "H" is supplied, as described in FIG. 5, approximately equal to the period T H of the "H" of the electric signal A from the comparator 11 A signal B ′ which is “H” for a period is output and supplied to the latch circuit 14 as input data. On the other hand, the control circuit 1
5, a latch pulse P R of shorter pulse width in the arc period of the device outputs one or plural times by the latch pulse P R, the input data B 'is latched by the latch circuit 14. The Q output of the latch circuit 14 is supplied to the memory cell control means 4 (FIG. 1) as the detection signal B.

【0041】光学窓6(図1)が塞がっている場合には、
上記デバイスの発光期間THには、.入力される電気信
号Aは“H”とならない。従って、ラッチ回路14には
“L”(低レベル)の信号B’がラッチされることにな
り、このラッチ回路14からは“L”の検出信号Bが出
力されることになる。
When the optical window 6 (FIG. 1) is closed,
During the light emission period TH of the device,. The input electric signal A does not become “H”. Therefore, the signal B 'of "L" (low level) is latched by the latch circuit 14, and the detection signal B of "L" is output from the latch circuit 14.

【0042】このように、この具体例では、半導体記録
メディアがデバイスに装着された状態では、光学窓6の
状態(即ち、塞がっているかどうか)を変更することがで
きないから、ラッチ回路14を設けてかかる状態に応じ
た比較器11の出力信号B’を保持することにより、上
記デバイスとしては、半導体記録メディアが装着された
ときに短時間だけ光を発生させるだけでよく、常時光を
発生させ続ける必要がないので、デバイスでの消費電力
を低減させることができる。
As described above, in this specific example, the state of the optical window 6 (ie, whether or not the optical window 6 is closed) cannot be changed when the semiconductor recording medium is mounted on the device. By holding the output signal B ′ of the comparator 11 according to the state, the device only needs to emit light for a short time when the semiconductor recording medium is mounted, and always emits light. Since there is no need to continue, power consumption in the device can be reduced.

【0043】なお、ラッチパルスPRは、制御回路15
が比較器11に入力される電気信号Aの立上りエッジあ
るいは比較器11の出力電圧B’の立上りエッジを検出
したり、デバイスから半導体記録メディアが装着された
ことを示す信号を受信したりなどして形成することがで
きる。あるいはまた、半導体記録メディアに制御ピンを
設け、これにより、制御回路15が半導体記録メディア
のデバイスへの装着を検出してラッチパルスPR を形成
するようにすることもできる。
Incidentally, the latch pulse P R, the control circuit 15
Detects the rising edge of the electric signal A input to the comparator 11 or the rising edge of the output voltage B ′ of the comparator 11 or receives a signal indicating that the semiconductor recording medium is mounted from the device. Can be formed. Alternatively, the control pin to the semiconductor recording medium provided, thereby, the control circuit 15 may be adapted to form a detect and latch pulse P R to attachment to the semiconductor recording medium device.

【0044】図8は本発明による半導体記録メモリの他
の一実施形態を示す構成図であって、図1に対応する部
分には同一符号を付けて重複する説明を省略する。
FIG. 8 is a block diagram showing another embodiment of the semiconductor recording memory according to the present invention. The parts corresponding to those in FIG.

【0045】同図において、光検出手段3から出力され
る検出信号Bは、図1に示した実施形態と同様にメモリ
セル制御手段4に供給されるとともに、この実施形態で
ある半導体記録メディアを使用する上記のデバイスにも
供給するようにしたものである。このデバイスでは、上
記光の発光期間、この検出信号Bを取り込んでそのレベ
ルを判定し、メモリセル5が再書込み禁止になっている
かどうかを検知する。これにより、デバイスとしては、
メモリセル5が再書込み禁止であるときには、このメモ
リセル5に対する無駄な書込みアクセスをする必要がな
くなり、無駄な動作を省ける。
In the figure, the detection signal B output from the light detection means 3 is supplied to the memory cell control means 4 as in the embodiment shown in FIG. The above device used is also supplied. This device captures the detection signal B during the light emission period, determines the level of the detection signal B, and detects whether the memory cell 5 is prohibited from being rewritten. As a result, as a device,
When the memory cell 5 is prohibited from being rewritten, unnecessary write access to the memory cell 5 does not need to be performed, and unnecessary operation can be omitted.

【0046】光検出手段3が図6に示した構成をなすと
きには、光検出手段3でのメモリセル5の再書込みの可
否を決定終了したタイミングを示す信号C(例えば、ラ
ッチパルスPR(図6))をもデバイスに供給するよう
にする。これにより、デバイス側では、メモリセル5の
再書込みの可否を正確に検知するタイミングを知ること
ができる。例えば、光検出手段3が図6に示した構成を
なす場合、デバイス側では、光検出手段3からの検出信
号Bのみを用いてメモリセル5の再書込みの可否を検知
する場合、ラッチパルスPR以前のタイミングで検知す
るように設定されると、正確な検知をすることができな
い。これに対し、ラッチパルスPRを取り込んでから検
出信号Bによりこの検知を行なうと、このときの検出信
号Bはメモリセル5の再書込みの可否を正確に表わして
いるので、メモリセル5の再書込みの可否を正確に検知
することができる。
When the light detecting means 3 has the configuration shown in FIG. 6, a signal C (for example, a latch pulse PR (see FIG. 6) indicating the timing at which the light detecting means 3 has determined whether or not the memory cell 5 can be rewritten. )) Is also supplied to the device. Thus, the device can know the timing of accurately detecting whether or not the memory cell 5 can be rewritten. For example, when the light detecting means 3 has the configuration shown in FIG. 6, when the device side detects the possibility of rewriting of the memory cell 5 using only the detection signal B from the light detecting means 3, the latch pulse PR If the detection is set at the previous timing, accurate detection cannot be performed. On the other hand, if the detection is performed by the detection signal B after the latch pulse PR is captured, the detection signal B at this time accurately indicates whether the memory cell 5 can be rewritten. Can be accurately detected.

【0047】図9は本発明による半導体記録メディアを
用いた記録再生システムの一実施形態を示す構成図であ
って、16は発光手段、17はミラーであり、図1に対
応する部分には同一符号を付けて重複する説明を省略す
る。
FIG. 9 is a block diagram showing one embodiment of a recording / reproducing system using a semiconductor recording medium according to the present invention, wherein 16 is a light emitting means, 17 is a mirror, and the portions corresponding to FIG. The reference numerals are given and duplicate description is omitted.

【0048】同図において、この実施形態は、図1に示
した第1の実施形態の構成に発光手段16を付加し、ま
た、この実施形態を使用する上記デバイス側にミラー1
7を設けたものである。
In this embodiment, a light emitting means 16 is added to the configuration of the first embodiment shown in FIG. 1 and a mirror 1 is provided on the device side using this embodiment.
7 is provided.

【0049】半導体記録メディア1を上記デバイスに装
着すると、このデバイスに設けられているミラー17が
光学窓6に対向した位置に配置される。そして、デバイ
ス側が電源電圧が供給されると、発光手段16を光を発
生する。このとき、光学窓6が塞がれていないならば、
発光手段16で発生した光は光学窓6を通して外部に照
射され、ミラー17で反射されて再び光学窓6を通り、
光電変換手段2で受光される。これにより、光検出手段
3からは、メモリセル5の再書込みを許可する検出信号
Bが出力される。
When the semiconductor recording medium 1 is mounted on the device, a mirror 17 provided on the device is arranged at a position facing the optical window 6. When the power supply voltage is supplied to the device, the light emitting means 16 emits light. At this time, if the optical window 6 is not closed,
The light generated by the light emitting means 16 is emitted to the outside through the optical window 6, reflected by the mirror 17, passes through the optical window 6 again, and
The light is received by the photoelectric conversion means 2. As a result, the light detection unit 3 outputs a detection signal B for permitting rewriting of the memory cell 5.

【0050】また、光学窓6がシールなどによって塞が
れている場合には、発光手段16から発生される光はこ
のシールなどによって遮断され、光電変換手段2には光
が照射されない。これにより、光検出手段3からは、メ
モリセル5の再書込みを禁止する検出信号Bが出力され
る。この場合のシールなどは、発光手段16側の面の光
反射率が充分小さくなければならない。
When the optical window 6 is closed by a seal or the like, the light generated from the light emitting means 16 is blocked by the seal or the like, and the light is not applied to the photoelectric conversion means 2. As a result, the light detection means 3 outputs a detection signal B for inhibiting the rewriting of the memory cell 5. In this case, the light reflectance of the surface on the light emitting means 16 side of the seal or the like must be sufficiently small.

【0051】この実施形態によると、デバイス側に発光
手段やこの発光手段の駆動手段が不要となるし、この駆
動手段を働かせるための制御動作も不要となる。半導体
記録メディア側においては、勿論、発光手段16に発光
素子の駆動手段が必要であるが、この駆動手段はデバイ
ス側から電源電圧が供給されるだけで動作するように構
成することができ、デバイス側の発光手段16に対する
制御動作は必要ない。従って、デバイス側の制御動作の
種類が低減することになる。
According to this embodiment, the light emitting means and the driving means of the light emitting means are not required on the device side, and the control operation for operating the driving means is also unnecessary. On the semiconductor recording medium side, of course, the light emitting means 16 needs light emitting element driving means, but this driving means can be configured to operate only by supplying a power supply voltage from the device side. No control operation is necessary for the light emitting means 16 on the side. Therefore, the types of control operations on the device side are reduced.

【0052】なお、特に、光学窓6にシールなどが取り
付けられた場合、発光手段16から光電変換手段2に光
が直接入り込まないようにすることが必要であり、この
ためには、これら発光手段16と光電変換手段2との配
置関係を考慮する必要があるし、また、発光手段16と
光電変換手段2との夫々毎に光学窓を設けるようにして
対処することもできる。
In particular, when a seal or the like is attached to the optical window 6, it is necessary to prevent light from directly entering the photoelectric conversion means 2 from the light emitting means 16; It is necessary to consider the arrangement relationship between the light emitting means 16 and the photoelectric conversion means 2, and it is also possible to provide an optical window for each of the light emitting means 16 and the photoelectric conversion means 2.

【0053】また、図9に示す実施形態は、図1に示し
た実施形態に、半導体記録メディア1に発光手段6を、
記録再生装置にミラー17を夫々設けたものであるが、
図8に示した第2の実施形態においても、同様にして、
図9に示す実施形態のような発光手段16やミラー17
を設けるようにしてもよい。
Further, the embodiment shown in FIG. 9 is different from the embodiment shown in FIG.
The recording and reproducing apparatus is provided with mirrors 17 respectively.
Similarly, in the second embodiment shown in FIG.
The light emitting means 16 and the mirror 17 as in the embodiment shown in FIG.
May be provided.

【0054】なお、以上の実施形態は、さらに、次のよ
うに構成することもできる。
The above embodiment can be further configured as follows.

【0055】(1)光電変換手段2に照射される光を赤
外光などの非可視光とし、かつ書込み禁止のためのシー
ル9として、かかる非可視光を遮断し、可視光を通すフ
ィルムを用いるようにしてもよい。この場合には、半導
体記録メディアのパッケージの表面に図柄や文字が印刷
されている場合、かかるシールを貼りつけてメモリセル
5の再書込みを禁止するようにしても、かかるフィルム
を通して図柄や文字を見ることができる。
(1) The light applied to the photoelectric conversion means 2 is made into invisible light such as infrared light, and a film 9 that blocks such invisible light and transmits visible light is used as a seal 9 for writing protection. It may be used. In this case, when a design or a character is printed on the surface of the package of the semiconductor recording medium, even if the sticker is attached to prohibit the rewriting of the memory cell 5, the design or the character can be printed through the film. You can see.

【0056】(2)この半導体記録メディアに対し、出
荷前、ROMなどの書込みを禁止して再生専用とするよ
うに用途が決められている場合には、その出荷前、光学
窓6を光を遮断する塗料でペイントするようにしてもよ
い。
(2) Before the shipment, if the use of the semiconductor recording medium is determined so that writing to a ROM or the like is prohibited and the data is read-only, before the shipment, the optical window 6 is exposed to light. You may make it paint with the paint which shuts off.

【0057】(3)光学窓6を複数個半導体記録メディ
アに設けることにより、シールなどが一部はがれたこと
による誤書込みを防止するようにすることもできる。
(3) By providing a plurality of optical windows 6 in the semiconductor recording medium, it is possible to prevent erroneous writing due to a part of the seal or the like coming off.

【0058】(4)上記のようにして再書込みが禁止さ
れるのはメモリセル5の一部のメモリ領域とし、他のメ
モリ領域については、常に書込み可能とすることもでき
る。
(4) Rewriting may be inhibited in a part of the memory area of the memory cell 5 as described above, and the other memory area may always be made writable.

【0059】(5)メモリセル5を複数のメモリ領域に
区分し、これら夫々のメモリ領域毎に光学窓6や上記の
光電変換手段2などからなる再書込み禁止機構を設け、
これらメモリ領域毎に独立に再書込みの可否を設定する
ように構成することもできる。
(5) The memory cell 5 is divided into a plurality of memory areas, and a rewrite inhibiting mechanism including the optical window 6 and the photoelectric conversion means 2 is provided for each of these memory areas.
It is also possible to configure so that rewriting is enabled or disabled independently for each of these memory areas.

【0060】図10は本発明による半導体記録メディア
の記録再生システムの他の実施形態を示す構成図であっ
て、1’は半導体記録メディア、18は記録再生装置、
19は発光手段、20は光電変換手段、21は光検出手
段、22はメディア制御手段、23は光反射手段であ
る。
FIG. 10 is a block diagram showing another embodiment of a recording / reproducing system for a semiconductor recording medium according to the present invention, wherein 1 'is a semiconductor recording medium, 18 is a recording / reproducing apparatus,
19 is a light emitting means, 20 is a photoelectric conversion means, 21 is a light detecting means, 22 is a media control means, and 23 is a light reflecting means.

【0061】同図において、記録再生手段18は、例え
ば、ディジタル音声記録器やディジタルカメラなどのデ
バイスに設けられているものであって、これに半導体記
録メディア1’が着脱可能であって、再書込みが可能な
状態での記録時には、音声信号や画像信号などのデータ
Sがメディア制御手段22を介して半導体記録メディア
1’に供給されて書き込まれ、また、再生時には、半導
体記録メディア1’から読み出されたデータSがメディ
ア制御手段22を介して図示しない処理回路に供給され
る。
In the figure, a recording / reproducing means 18 is provided in a device such as a digital audio recorder or a digital camera, and the semiconductor recording medium 1 'is detachable therefrom. At the time of recording in a writable state, data S such as an audio signal and an image signal is supplied to the semiconductor recording medium 1 ′ via the media control means 22 and written therein, and at the time of reproduction, the data S is transmitted from the semiconductor recording medium 1 ′. The read data S is supplied to a processing circuit (not shown) via the media control unit 22.

【0062】記録再生装置18には、発光手段19と光
電変換手段20と光検出手段21とが設けられており、
また、半導体記録メディア1’には、それを記録再生装
置18に装着したときに、発光手段19や光電変換手段
20と対向するように、光反射手段23が設けられてい
る。この光反射手段23は、その反射率を大きく変化さ
せることが可能であり、あるいは反射方向を変更可能で
ある。
The recording / reproducing device 18 is provided with a light emitting means 19, a photoelectric conversion means 20, and a light detecting means 21.
The semiconductor recording medium 1 'is provided with a light reflecting means 23 so as to face the light emitting means 19 and the photoelectric conversion means 20 when the semiconductor recording medium 1' is mounted on the recording / reproducing device 18. The light reflecting means 23 can change its reflectance greatly, or can change the reflection direction.

【0063】記録再生装置18に装着された半導体記録
メディア1’での光反射手段23の反射率が大きく設定
されているときには、発光手段19から発生された光が
この光反射手段23で反射され、光電変換手段20に入
射される。この光電変換手段20は図1や図8,図9に
示した光電変換手段2と同様のものであり、受光量に応
じた電気信号A’を出力する。この電気信号A’は光検
出手段21に供給されるが、この光検出手段21も図1
や図8,図9に示した光検出手段3と同様のものであ
り、電気信号A’が入力されると、検出信号B’を出力
する。光電変換手段20が光反射手段23の反射光を受
光することにより、光検出手段21から出力される検出
信号B’は“H”であり、これにより、メディア制御手
段22は半導体記録メディア1’を再書込み可能とす
る。
When the reflectance of the light reflecting means 23 on the semiconductor recording medium 1 'mounted on the recording / reproducing apparatus 18 is set to be large, the light generated from the light emitting means 19 is reflected by the light reflecting means 23. Is incident on the photoelectric conversion means 20. This photoelectric conversion means 20 is similar to the photoelectric conversion means 2 shown in FIGS. 1, 8 and 9, and outputs an electric signal A 'according to the amount of received light. The electric signal A 'is supplied to the light detecting means 21.
And the same as the light detecting means 3 shown in FIGS. 8 and 9, and outputs a detection signal B ′ when an electric signal A ′ is input. When the photoelectric conversion unit 20 receives the light reflected by the light reflection unit 23, the detection signal B ′ output from the light detection unit 21 is “H”, whereby the media control unit 22 transmits the signal to the semiconductor recording medium 1 ′. Can be rewritten.

【0064】光反射手段23の反射率が充分小さく、あ
るいは反射方向が上記とは異なるように変更された場合
には、発光手段19が光を発生しても、光電変換手段2
0には、光反射手段23から光が入力されない。このた
め、光検出手段21から出力される検出信号B’は
“L”であり、メディア制御手段22は半導体記録メデ
ィア1’を再書込み禁止状態とする。
If the reflectivity of the light reflecting means 23 is sufficiently small, or if the reflection direction is changed so as to be different from the above, even if the light emitting means 19 generates light, the photoelectric conversion means 2
No light is input from the light reflecting means 23 to 0. Therefore, the detection signal B ′ output from the light detection unit 21 is “L”, and the media control unit 22 puts the semiconductor recording medium 1 ′ in a rewrite prohibition state.

【0065】このようにして、光反射手段23の操作に
より、半導体記録メディア1’を再書込み可能な状態と
再書込み禁止状態とに切換え設定することができる。
In this way, by operating the light reflecting means 23, it is possible to switch and set the semiconductor recording medium 1 'between a state in which rewriting is possible and a state in which rewriting is prohibited.

【0066】なお、この実施形態においても、先に説明
した半導体記録メディア1と同様の機能を持たせること
ができる。例えば、光検出手段21を図6に示す構成と
することにより、発光手段19の発光期間を半導体記録
メディア1’が装着されたときの短かい一定期間とする
ことができる。
In this embodiment, the same function as the semiconductor recording medium 1 described above can be provided. For example, when the light detecting means 21 is configured as shown in FIG. 6, the light emitting period of the light emitting means 19 can be a short fixed period when the semiconductor recording medium 1 'is mounted.

【0067】上記のように、半導体記録メディア1’の
メモリセルでの再書込みが禁止されるのはこのメモリセ
ルの一部のメモリ領域とし、他のメモリ領域について
は、常に書込み可能とすることもできるし、また、この
メモリセルを複数のメモリ領域に区分し、これら夫々の
メモリ領域毎に発光手段19や上記の光電変換手段20
などからなる再書込み禁止機構を設け、これらメモリ領
域毎に独立に再書込みの可否を設定するように構成する
こともできる。
As described above, rewriting in the memory cell of the semiconductor recording medium 1 'is prohibited only in a part of the memory area of the memory cell, and in the other memory area, writing is always allowed. Alternatively, the memory cell is divided into a plurality of memory areas, and the light emitting means 19 and the photoelectric conversion means 20 are provided for each of these memory areas.
It is also possible to provide a rewriting prohibition mechanism composed of such as to set the rewriting permission / inhibition independently for each of these memory areas.

【0068】図11は図10における光反射手段23の
一具体例を示す図であって、同図(a)は正面図、同図
(b)は同図(a)の分断線α−α’に沿う断面図、同
図(c)は同図(b)の分断線β−β’に沿う断面図で
あり、24は光照射面、25はスライドカバー、26は
溝、27は突起である。
FIG. 11 is a view showing a specific example of the light reflecting means 23 in FIG. 10, wherein FIG. 11 (a) is a front view, and FIG. 11 (b) is a section line α-α of FIG. , And (c) is a cross-sectional view along the parting line β-β ′ in (b) of the figure, 24 is a light irradiation surface, 25 is a slide cover, 26 is a groove, and 27 is a projection. is there.

【0069】図11(a)において、光反射手段23は
光照射面24とスライドカバー25と溝26とから構成
されており、半導体記録メディア1’のパッケージの1
つの側面に配置されている。
In FIG. 11A, the light reflecting means 23 comprises a light irradiation surface 24, a slide cover 25, and a groove 26, and is one of the packages of the semiconductor recording medium 1 '.
Are located on one side.

【0070】光照射面24はほぼ0%の低反射率のもの
であって、このパッケージの側面に固定されており、ス
ライドカバー25は、その表面の反射率がほぼ100%
の高反射率であって、このパッケージの側面に沿って矢
印方向に移動可能に取り付けられており、一方の端部側
に移動した状態では、光照射面24の全面を露出し、他
方の端部側に移動した状態では、光照射面24の全面を
覆う状態となる。
The light irradiation surface 24 has a low reflectance of almost 0% and is fixed to the side surface of the package. The slide cover 25 has a surface reflectance of almost 100%.
Is mounted so as to be movable in the direction of the arrow along the side surface of the package, and when it is moved to one end, the entire surface of the light irradiation surface 24 is exposed and the other end is exposed. In the state moved to the unit side, the light irradiation surface 24 is entirely covered.

【0071】ここで、半導体記録メディア1’が記録再
生装置18(図10)に装着された状態では、この記録
装置18の発光手段19(図10)がこの光照射面24
に向かって光を発生するものであり、光照射面24がス
ライドカバー25で覆われていない状態では、この発光
手段19からの光を光電変換手段20(図10)に反射
しない。この光照射面24がスライドカバー25で覆わ
れている状態では、この発光手段19からの光が、スラ
イドカバー25により、光電変換手段20の方に反射さ
れる。このようにして、光反射手段23では、その反射
率をほぼ100%とほぼ0%とに切換え選択できる。
Here, when the semiconductor recording medium 1 ′ is mounted on the recording / reproducing device 18 (FIG. 10), the light emitting means 19 (FIG. 10) of the recording device 18
When the light irradiation surface 24 is not covered with the slide cover 25, the light from the light emitting unit 19 is not reflected to the photoelectric conversion unit 20 (FIG. 10). When the light irradiation surface 24 is covered with the slide cover 25, the light from the light emitting unit 19 is reflected by the slide cover 25 toward the photoelectric conversion unit 20. In this way, the light reflection means 23 can switch and select the reflectance between approximately 100% and approximately 0%.

【0072】ここで、半導体記録メディア1’をLSI
のパッケージとすると、通常、その表面に黒のモールド
が使用される。従って、この場合には、光照射面24は
このパッケージの表面そのものであり、このパッケージ
表面での上記発光手段19が光照射する部分を光照射面
24とするものである。また、スライドカバー25の表
面は、金属で鏡面処理を施こすことにより、ほぼ100
%の反射面とすることができる。
Here, the semiconductor recording medium 1 ′ is
In general, a black mold is used on the surface of the package. Therefore, in this case, the light irradiation surface 24 is the surface of the package itself, and the portion of the package surface to which the light emitting means 19 emits light is the light irradiation surface 24. The surface of the slide cover 25 is mirror-finished with a metal so that
% Reflecting surface.

【0073】かかるスライドカバー25は、半導体記録
メディア1’が、例えば、20mm角程度の小型サイズ
のものであるときには、非常に小さいものであるが、そ
の表面に突起を設けるなどして、指先などで簡単に移動
させることができるようにすることができる。
The slide cover 25 is very small when the semiconductor recording medium 1 ′ has a small size of, for example, about 20 mm square. Can be easily moved.

【0074】半導体記録メディア1’のパッケージのこ
の光反射手段23が設けられている側面に接する2つの
面に夫々、図11(b)に示すように、互いに平行な溝
26が設けられており、横断面がコ字に形成されている
スライドカバー25の両側辺部がこれら溝26に嵌合し
ている。これにより、スライドカバー25は、このパッ
ケージから外れることなく、図11(a)に示した方向
にスライド可能となっている。
As shown in FIG. 11B, grooves 26 parallel to each other are provided on two surfaces of the package of the semiconductor recording medium 1 'which are in contact with the side surface on which the light reflecting means 23 is provided. The sides of the slide cover 25 having a U-shaped cross section are fitted into these grooves 26. This allows the slide cover 25 to slide in the direction shown in FIG. 11A without detaching from the package.

【0075】また、溝26はスライドカバー25が移動
する範囲にわたって形成されているが、図11(c)に
示すように、一方の溝26のほぼ中央部に小さな突起2
7を設けることにより、この溝26での突起27に対し
て一方側にあるスライドカバー25を、外部から力が加
わらない限り、この突起27に対して同じ側に保持する
ようにすることができる(勿論、この突起27は、指先
でスライドカバー25に力を加えると、このスライドカ
バー25がこの突起27を乗り越えて移動できる程度の
大きさのものである)。これにより、光反射手段23で
は、一旦一方の反射率が選択されると、このスライドカ
バー25を指先で動かすようなことをしない限り、同じ
反射率が維持されることになる。
The groove 26 is formed over the range in which the slide cover 25 moves, and as shown in FIG.
With the provision of 7, the slide cover 25 on one side with respect to the projection 27 in the groove 26 can be held on the same side with respect to this projection 27 unless a force is applied from the outside. (Of course, the protrusion 27 is large enough to allow the slide cover 25 to move over the protrusion 27 when a force is applied to the slide cover 25 with a fingertip.) Thus, in the light reflecting means 23, once one reflectance is selected, the same reflectance is maintained unless the slide cover 25 is moved with a fingertip.

【0076】このように、この具体例は、反射率を切換
え可能とする方法として極めてシンプルな方法であり、
非常に小型に実現できるものであり、LSIパッケージ
のような小型なパッケージでも、容易に実現できる。
As described above, this specific example is an extremely simple method for enabling the reflectance to be switched.
It can be realized in a very small size, and can be easily realized even in a small package such as an LSI package.

【0077】なお、この具体例において、上記とは逆
に、光照射面24を反射率の高いものとし、スライドカ
バー25の表面をに反射率の低いものとしてもよい、こ
の場合には、記録再生装置18側での検出信号B’に基
づく書込み禁止か否かの判断が上記とは逆になる。
In this specific example, contrary to the above, the light irradiation surface 24 may have a high reflectivity and the surface of the slide cover 25 may have a low reflectivity. The determination on whether or not to prohibit writing based on the detection signal B 'on the reproducing apparatus 18 side is reversed from the above.

【0078】図12は図10における光反射手段23の
他の具体例を示す正面図であって、28は光照射面、2
9は塗装部材、30はシールであり、同図(a)は光照
射面28に塗装部材29を施した状態を、同図(b)は
この塗装部材29を除いた状態を、同図(c)は光照射
面28にシール30を貼付た状態を夫々示している。
FIG. 12 is a front view showing another specific example of the light reflecting means 23 in FIG.
Numeral 9 denotes a coating member, and numeral 30 denotes a seal. FIG. 9A shows a state in which a coating member 29 is applied to the light irradiation surface 28, and FIG. 9B shows a state in which the coating member 29 is removed. (c) shows the state where the seal 30 is attached to the light irradiation surface 28, respectively.

【0079】図12(a)において、図11で説明した
具体例と同様、半導体記録メディア1’をLSIのパッ
ケージとしており、半導体記録メディア1’の側面の一
部を光照射面28としている。ここで、図11で説明し
た具体例と同様、半導体記録メディア1’をLSIのパ
ッケージとしており、従って、このパッケージの表面全
体は黒であって、光照射面28はほぼ0%の反射率の面
ということになる。
In FIG. 12A, as in the specific example described with reference to FIG. 11, the semiconductor recording medium 1 ′ is an LSI package, and a part of the side surface of the semiconductor recording medium 1 ′ is a light irradiation surface. Here, as in the specific example described with reference to FIG. 11, the semiconductor recording medium 1 ′ is an LSI package. Therefore, the entire surface of this package is black, and the light irradiation surface 28 has a reflectance of almost 0%. It is a plane.

【0080】この具体例では、出荷状態のとき、光照射
面28を覆うように、白または銀色などのような反射率
がほぼ100%程度の高反射率の面となる塗装部材29
が擦り落とし可能に塗装されており、この状態で図10
に示した記録再生装置18に用いると、その発光手段1
9からの光がこの塗装部材29の表面で反射され、光電
変換手段20で受光されて、メディア制御手段22は半
導体記録メディア1’を書込み可能とする。
In this specific example, in the shipping state, the coating member 29 having a high reflectance such as white or silver having a reflectance of about 100% so as to cover the light irradiation surface 28.
Is painted so that it can be scraped off.
When used in the recording / reproducing device 18 shown in FIG.
The light from 9 is reflected on the surface of the coating member 29 and received by the photoelectric conversion means 20, and the media control means 22 makes the semiconductor recording medium 1 'writable.

【0081】そこで、かかる半導体記録メディア1’を
データ再書込み禁止状態とするためには、この塗装部材
29を擦り落とし、図12(b)に示す状態とすればよ
い。これにより、図10に示した記録再生装置18での
発光手段19からの光が光照射面28に照射されるが、
ここで反射されず、光電変換手段20は光を受光しな
い。従って、メディア制御手段22は半導体記録メディ
ア1’をデータ書込み禁止状態とする。従って、図12
(a)に示した状態の半導体記録メディア1’を入手し
てデータの書込みを行ない、しかる後、その塗装部材2
9を擦り取って図12(b)に示す状態とすることによ
り、再書込みができなくなるので、この書き込んだデー
タが破壊されずに保存されることになる。
In order to prevent the semiconductor recording medium 1 'from rewriting data, the paint member 29 may be scraped off to obtain the state shown in FIG. As a result, light from the light emitting means 19 in the recording / reproducing device 18 shown in FIG.
Here, the light is not reflected, and the photoelectric conversion means 20 does not receive light. Therefore, the media control means 22 sets the semiconductor recording medium 1 'in a data write-inhibited state. Therefore, FIG.
(A) The semiconductor recording medium 1 'in the state shown in FIG. 1 (a) is obtained and data is written.
By scraping 9 to the state shown in FIG. 12B, rewriting cannot be performed, and the written data is stored without being destroyed.

【0082】また、図12(b)に示した状態にある半
導体記録メディア1’をデータ書込み可能な状態とする
ためには、図12(c)に示すように、反射率がほぼ1
00%のシールを、光照射面28を覆うように、貼り付
ければよい。
In order for the semiconductor recording medium 1 'in the state shown in FIG. 12B to be in a state in which data can be written, as shown in FIG.
A 00% seal may be attached so as to cover the light irradiation surface 28.

【0083】このようにして、この具体例においても、
簡単な作業でもって、半導体記録メディア1’での光反
射手段23の反射率を変更させることができ、従って、
簡単な作業でもって、この半導体記録メディア1’をデ
ータの再書込み可能状態,再書込み禁止状態のいずれか
に選択設定することができる。
Thus, in this specific example,
With a simple operation, it is possible to change the reflectivity of the light reflecting means 23 on the semiconductor recording medium 1 '.
With a simple operation, the semiconductor recording medium 1 'can be selectively set to one of a data rewrite enabled state and a data rewrite prohibited state.

【0084】なお、図12に示した実施形態において、
図12(a)に示す状態で反射率がほぼ0%のシールを
光照射面28に貼り付けることにより、この半導体記録
メディア1’をデータの再書込み禁止状態とし、このシ
ールを剥がすことにより、データの再書込み可能状態に
するようにすることもできる。
In the embodiment shown in FIG.
By sticking a seal having a reflectance of almost 0% to the light irradiation surface 28 in the state shown in FIG. 12A, the semiconductor recording medium 1 'is set in a data rewrite inhibition state, and the seal is peeled off. The data can be rewritten.

【0085】また、図11,図12に示した具体例は、
光反射手段23の反射率を変更するものであったが、光
反射手段23の反射方向を変更可能とすることにより、
発光手段19からの光を光電変換手段20の方向に反射
したり、それ以外の方向に反射したりすることもでき
る。このためには、例えば、半導体記録メディア1’の
パッケージに、鏡面処理を施した金属板を、多少角度が
変えられるように、取り付けておけばよい。
The specific examples shown in FIGS. 11 and 12 are as follows.
Although the reflectivity of the light reflecting means 23 has been changed, the reflection direction of the light reflecting means 23 can be changed.
The light from the light emitting means 19 can be reflected in the direction of the photoelectric conversion means 20 or can be reflected in other directions. For this purpose, for example, a mirror-finished metal plate may be attached to the package of the semiconductor recording medium 1 'so that the angle can be slightly changed.

【0086】[0086]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、パッケ
ージに設けた光学窓にシールなどによって遮蔽を行なう
という極めて簡単な手法により、再書込みによるデータ
の消去を防止する機構を実現できる。
As described above, according to the present invention, a mechanism for preventing erasure of data by rewriting can be realized by an extremely simple method of shielding an optical window provided in a package with a seal or the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による半導体記録メディアの一実施形態
を示す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing one embodiment of a semiconductor recording medium according to the present invention.

【図2】図1に示した実施形態の構造の一具体例を示す
透視斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a specific example of the structure of the embodiment shown in FIG. 1;

【図3】図1に示した実施形態での光学窓の開放状態と
遮蔽状態とを示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an open state and a closed state of an optical window in the embodiment shown in FIG. 1;

【図4】図1における光電変換手段の一具体例を示す回
路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a specific example of a photoelectric conversion unit in FIG. 1;

【図5】図1における光検出手段の一具体例を示す構成
図である。
FIG. 5 is a configuration diagram showing a specific example of a light detection unit in FIG. 1;

【図6】図1における光検出手段の他の具体例を示す構
成図である。
FIG. 6 is a configuration diagram showing another specific example of the light detection means in FIG. 1;

【図7】図6に示した具体例での各部の信号を示す波形
図である。
FIG. 7 is a waveform chart showing signals of respective units in the specific example shown in FIG. 6;

【図8】本発明による半導体記録メディアの他の実施形
態を示す構成図である。
FIG. 8 is a configuration diagram showing another embodiment of the semiconductor recording medium according to the present invention.

【図9】本発明による半導体記録メディアを用いた記録
再生システムの一実施形態を示す構成図である。
FIG. 9 is a configuration diagram showing an embodiment of a recording / reproducing system using a semiconductor recording medium according to the present invention.

【図10】本発明による半導体記録メディアを用いた記
録再生システムの他の実施形態を示す構成図である。
FIG. 10 is a configuration diagram showing another embodiment of a recording / reproducing system using a semiconductor recording medium according to the present invention.

【図11】図10における反射手段の一具体例を示す図
である。
FIG. 11 is a diagram showing a specific example of a reflection unit in FIG.

【図12】図10における反射手段の他の具体例を示す
図である。
FIG. 12 is a diagram showing another specific example of the reflection means in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1’ 半導体記録メディア 1a パッケージ 2 光電変換手段 3 光検出手段 4 メモリセル制御手段 5 メモリセル 6 光学的窓 7 入出力端子 9 シール 10 光トランジスタ 11 比較器 12 抵抗 13 基準電圧電源 14 ラッチ手段 15 制御回路 16 発光手段 17 ミラー 18 記録再生装置 19 発光手段 20 光電変換手段 21 光検出手段 22 メディア制御手段 23 反射手段 1, 1 'Semiconductor recording medium 1a Package 2 Photoelectric conversion means 3 Photodetection means 4 Memory cell control means 5 Memory cell 6 Optical window 7 I / O terminal 9 Seal 10 Optical transistor 11 Comparator 12 Resistance 13 Reference voltage power supply 14 Latch means Reference Signs List 15 control circuit 16 light emitting means 17 mirror 18 recording / reproducing device 19 light emitting means 20 photoelectric conversion means 21 light detection means 22 media control means 23 reflection means

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5B017 AA02 BA00 BB03 CA14 5B035 BA03 BB09 BC00 BC05 CA01 CA29 5B058 CA28  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5B017 AA02 BA00 BB03 CA14 5B035 BA03 BB09 BC00 BC05 CA01 CA29 5B058 CA28

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体メモリを備えた半導体記録メディ
アにおいて、 外部から一定期間発生される光の受光の有無を検出する
第1の手段と、 該第1の手段の検出出力を保持し、該受光の有無を表わ
す検出信号を連続して発生する第2の手段と、 該検出信号に応じて該半導体メモリでのデータの書込み
の可否を決定する第3の手段とからなる再書込み禁止/
許可機構を設けたことを特徴とする半導体記録メディ
ア。
1. A semiconductor recording medium having a semiconductor memory, a first means for detecting the presence or absence of light received from the outside for a certain period of time, holding a detection output of the first means, and A second means for continuously generating a detection signal indicating the presence / absence of data, and a third means for determining whether data can be written in the semiconductor memory according to the detection signal.
A semiconductor recording medium provided with a permission mechanism.
【請求項2】 請求項1において、 前記再書込み禁止/許可機構は、前記半導体メモリの一
部のメモリ領域に対して作用し、他のメモリ領域に対し
ては、データの再書込みを許可した状態とすることを特
徴とする半導体記録メディア。
2. The rewriting inhibition / permission mechanism according to claim 1, wherein the rewriting prohibition / permission mechanism acts on a part of the memory area of the semiconductor memory and permits rewriting of data on another memory area. A semiconductor recording medium characterized by being in a state.
【請求項3】 請求項1において、 前記半導体メモリは複数のメモリ領域に区分され、該メ
モリ領域毎に前記再書込み禁止/許可機構を設けたこと
を特徴とする半導体記録メディア。
3. The semiconductor recording medium according to claim 1, wherein the semiconductor memory is divided into a plurality of memory areas, and the rewrite prohibition / permission mechanism is provided for each of the memory areas.
【請求項4】 半導体メモリを備えた半導体記録メディ
アと該半導体メモリでデータ書込み/読出しを行なわせ
るための記録再生装置とからなる記録再生システムにお
いて、 該記録再生装置に光学的な反射手段を設けるとともに、 該半導体記録メディアに、 発光手段と、 該発光手段で発生した光を外部に出射させ、該反射手段
からの光を入射させる光学窓と、 該発光手段で発生されて該反射手段で反射された光を該
光学窓を介して受光する位置に配置された光電変換手段
と、 該光電変換手段の出力信号から該光学変換手段での該光
の受光の有無を検出する光検出手段と、 該光検出手段の出力信号に応じて該半導体メモリでのデ
ータの再書込みの可否を決定する制御手段とからなる再
書込み禁止/許可機構を設け、該光学窓を遮光状態にす
るか否かに応じて、該半導体メモリでのデータの再書込
みを禁止または許可することを特徴とする半導体記録メ
ディアを用いた記録再生システム。
4. A recording / reproducing system comprising a semiconductor recording medium provided with a semiconductor memory and a recording / reproducing device for writing / reading data in / from the semiconductor memory, wherein the recording / reproducing device is provided with an optical reflecting means. A light emitting means, an optical window through which light generated by the light emitting means is emitted to the outside, and light from the reflecting means is incident on the semiconductor recording medium, and a light generated by the light emitting means and reflected by the reflecting means. Photoelectric conversion means arranged at a position to receive the light through the optical window, light detection means for detecting the presence or absence of the light reception by the optical conversion means from an output signal of the photoelectric conversion means, A rewriting prohibition / permission mechanism comprising control means for deciding whether to rewrite data in the semiconductor memory in accordance with an output signal of the light detection means, and setting the optical window in a light-shielding state; Whether according to recording and reproducing system using a semiconductor recording medium and inhibits or permits the rewriting of data in the semiconductor memory.
【請求項5】 請求項4において、 前記発光手段は、前記半導体記録メディアが前記記録再
生装置に装着されると、前記光を一定期間発生し、 前記光検出手段は、前記光学変換手段の前記受光の有無
の検出結果を保持する手段を有することを特徴とする半
導体記録メディアを用いた記録再生システム。
5. The light-emitting device according to claim 4, wherein the light-emitting unit generates the light for a predetermined period when the semiconductor recording medium is mounted on the recording / reproducing device. A recording / reproducing system using a semiconductor recording medium, comprising: means for holding a detection result of presence / absence of light reception.
【請求項6】 半導体メモリを備えた半導体記録メディ
アと該半導体メモリでデータの書込み/読出しを行なわ
せるための記録再生装置とからなる記録再生システムに
おいて、 該記録再生装置に、 該半導体記録メディアからの光を受光する光電変換手段
と、 該光電変換手段での該光の受光の有無を検出する光検出
手段と、 該光検出手段の検出出力に応じて該半導体メモリでのデ
ータの書込みの可否を決定する制御第3の手段とからな
る再書込み禁止/許可機構を設けたことを特徴とする半
導体記録メディアを用いた記録再生システム。
6. A recording / reproducing system comprising a semiconductor recording medium provided with a semiconductor memory and a recording / reproducing apparatus for writing / reading data in / from the semiconductor memory, wherein the recording / reproducing apparatus includes: Photoelectric conversion means for receiving the light, light detection means for detecting whether or not the light is received by the photoelectric conversion means, and whether or not data can be written in the semiconductor memory according to the detection output of the light detection means A recording / reproducing system using a semiconductor recording medium, wherein a rewriting prohibition / permission mechanism including a third means for determining the rewriting is provided.
【請求項7】 請求項6において、 前記記録再生装置に発光手段を設けるとともに、 前記半導体記録メディアに、該発光手段からの光を前記
光電変換手段の方向へ反射しかつ反射率を変更可能とす
る光反射手段を設けたことを特徴とする半導体記録メデ
ィアを用いた記録再生装置。
7. The recording / reproducing apparatus according to claim 6, wherein a light emitting means is provided in the recording / reproducing apparatus, and light from the light emitting means is reflected on the semiconductor recording medium in a direction of the photoelectric conversion means and a reflectance can be changed. A recording / reproducing apparatus using a semiconductor recording medium, comprising: a light reflecting means.
【請求項8】 請求項6において、 前記記録再生装置に発光手段を設けるとともに、 前記半導体記録メディアに、該発光手段からの光を前記
光電変換手段の方向へ反射する第1の状態と該光を前記
光電変換手段の方向とは異なる方向へ反射する第2の状
態とに変更可能とする光反射手段を設けたことを特徴と
する半導体記録メディアを用いた記録再生装置。
8. The light emitting device according to claim 6, further comprising: a light emitting unit provided in the recording / reproducing device; and a first state in which light from the light emitting unit is reflected on the semiconductor recording medium in a direction of the photoelectric conversion unit. A recording / reproducing apparatus using a semiconductor recording medium, wherein a light reflecting means is provided which can be changed to a second state of reflecting light in a direction different from the direction of the photoelectric conversion means.
【請求項9】 請求項7または8において、 前記発光手段は、前記半導体記録メディアが前記記録再
生装置に装着されると、前記光を一定期間発生し、 前記光検出手段は、前記光学変換手段での前記受光の有
無の検出結果を保持する手段を有することを特徴とする
半導体記録メディア。
9. The light-emitting device according to claim 7, wherein the light-emitting device generates the light for a predetermined period when the semiconductor recording medium is mounted on the recording / reproducing device. A means for holding a detection result of the presence or absence of light reception in the semiconductor recording medium.
【請求項10】 請求項4〜9のいずれか1つにおい
て、 前記再書込み禁止/許可機構は、前記半導体メモリの一
部のメモリ領域に対して作用し、他のメモリ領域につい
ては、データの再書込みを許可した状態とすることを特
徴とする半導体記録メディア。
10. The rewriting prohibition / permission mechanism according to claim 4, wherein the rewriting prohibition / permission mechanism operates on a part of the memory area of the semiconductor memory, and on the other memory area, the data rewriting is performed. A semiconductor recording medium wherein rewriting is permitted.
【請求項11】 請求項4〜9のいずれか1つにおい
て、 前記半導体メモリは複数のメモリ領域に区分され、該メ
モリ領域毎に前記再書込み禁止/許可機構を設けたこと
を特徴とする半導体記録メディア。
11. The semiconductor device according to claim 4, wherein the semiconductor memory is divided into a plurality of memory areas, and the rewrite prohibition / permission mechanism is provided for each of the memory areas. Recording media.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006510099A (en) * 2002-12-12 2006-03-23 アエスカ エス.ア. How to safely change the data recorded on the memory card

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