JP2000098627A - Exposure method and exposing device - Google Patents

Exposure method and exposing device

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JP2000098627A
JP2000098627A JP10271997A JP27199798A JP2000098627A JP 2000098627 A JP2000098627 A JP 2000098627A JP 10271997 A JP10271997 A JP 10271997A JP 27199798 A JP27199798 A JP 27199798A JP 2000098627 A JP2000098627 A JP 2000098627A
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JP
Japan
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mask
work
pattern
planar
movement
Prior art date
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JP10271997A
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Japanese (ja)
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Kazuhiro Hane
一博 羽根
Minoru Sasaki
佐々木  実
Atsushi Yashiro
淳 家城
Keiji Matsui
圭司 松井
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Okuma Corp
Original Assignee
Okuma Corp
Okuma Machinery Works Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture accurately a diffraction grating on a side surface of a rotary shaft of a motor, a side surface of a rotary shaft of a finger joint of a robot, and the like, directly. SOLUTION: A pattern on a mask 1 being an original plate is transcribed to a non-flat plane work 10. The mask 1 is moved in the prescribed direction in a state in which the mask 1 is irradiated with a luminous flux L from an exposure light source. And the pattern on the mask 1 is transcribed on the non-flat plane work 10 by rotating the non-flat plane work 10 by rotation quantity corresponding to movement of this mask 1. Thereby, exposure for performing accurate transcription on a non-flat plane work can be realized. Also, it is preferable that a mask is contacted with a non-flat work and the non-flat work is rotated in accordance with movement of a mask.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、モータの回転軸や
ロボットの指関節の回転軸などの曲面上に、直接、回折
格子などを描画する露光装置に関する。
The present invention relates to an exposure apparatus for directly drawing a diffraction grating or the like on a curved surface such as a rotation axis of a motor or a rotation axis of a finger joint of a robot.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般にモータの回転軸やロボットの指関
節の回転軸などの回転量を検出する装置として光学式エ
ンコーダが用いられる。光学式エンコーダは、光束を発
する発光ユニットと、光束を透過させる2つの回折格子
と、2つの回折格子の後方に配置される光電変換素子と
を有し、2つの回折格子を透過した光を光電変換素子に
より検出し、2つの回折格子の相対移動によって生じる
光の強度の変化を基に、回転量や移動量を検出する。そ
して、回転角度を検出する光学式エンコーダは、回折格
子が刻まれた円板状のスケールが、回転軸に対して垂直
に配置される。そのため、モータの回転軸やロボットの
指関節の回転軸などの回転量を検出する場合、その円板
状のスケールを、回転軸の端部に配置する必要があっ
た。
2. Description of the Related Art In general, an optical encoder is used as a device for detecting a rotation amount of a rotation axis of a motor or a finger joint of a robot. The optical encoder includes a light emitting unit that emits a light beam, two diffraction gratings that transmit the light beam, and a photoelectric conversion element that is disposed behind the two diffraction gratings. The amount of rotation and the amount of movement are detected based on a change in light intensity caused by the relative movement of the two diffraction gratings. In the optical encoder that detects the rotation angle, a disk-shaped scale on which a diffraction grating is engraved is arranged perpendicular to the rotation axis. Therefore, when detecting the amount of rotation of the rotation axis of the motor or the rotation axis of the finger joint of the robot, it is necessary to arrange the disk-shaped scale at the end of the rotation axis.

【0003】これに対し、スケールを軸の途中に配置し
たい場合もあり、スケールを中空構造として構成する方
法がある。しかし、この方法では、回転軸の周囲にスケ
ールが配置されるため、スケールが広い断面を占有して
しまい、小型化の妨げとなるという問題を有していた。
また、各種の機構を介して回転軸とスケールが結合され
ているため、耐振動性に問題があったり、回転軸とスケ
ールの熱膨張係数差による熱ひずみやこれらに起因する
精度劣化などの問題があった。
On the other hand, there is a case where it is desired to arrange a scale in the middle of a shaft, and there is a method of configuring the scale as a hollow structure. However, in this method, the scale is arranged around the rotation axis, so that the scale occupies a wide cross section, which hinders miniaturization.
In addition, since the rotating shaft and scale are connected via various mechanisms, there is a problem in vibration resistance, a problem such as thermal distortion due to a difference in thermal expansion coefficient between the rotating shaft and the scale, and deterioration in accuracy due to these. was there.

【0004】これらの問題を解決するために、回転軸の
円筒面などに、直接回折格子を描画する技術が従来より
提案されている。この従来技術における露光方法につい
て説明する。微細パターンが刻まれているマスクは、フ
レキシブルマスクといわれる柔軟かつ紫外線を透過する
材質で出来ている。フレキシブルなマスク上に非透過材
質であるクロムなどの薄膜が形成される。そして、クロ
ムのみがフォトリソグラフィープロセスで微細加工され
微細パターンがフレキシブルマスク上に形成される。こ
のマスクは、レジストが塗布された円筒面などの非平面
に貼り付けられる。貼り付けられた状態で、紫外線光源
などで露光することにより、円筒面のレジストはマスク
のパターンを転写する形で露光される。
[0004] In order to solve these problems, a technique of directly drawing a diffraction grating on a cylindrical surface of a rotating shaft or the like has been conventionally proposed. An exposure method according to this conventional technique will be described. The mask on which the fine pattern is engraved is made of a flexible and ultraviolet-permeable material called a flexible mask. A thin film of a non-transmissive material such as chromium is formed on a flexible mask. Then, only chromium is finely processed by a photolithography process, and a fine pattern is formed on the flexible mask. This mask is attached to a non-planar surface such as a cylindrical surface to which a resist is applied. By exposing it with an ultraviolet light source or the like in the attached state, the resist on the cylindrical surface is exposed so as to transfer the pattern of the mask.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の方法では、フレキシブルマスクが伸縮してしまうた
め精密に非平面に取りつけることが困難であり、折角精
密に製作したマスクの精度通りに転写することができな
いという問題があった。
However, in this conventional method, it is difficult to mount the flexible mask precisely on a non-planar surface because the flexible mask expands and contracts. There was a problem that can not be.

【0006】本発明は上述した事情から成されたもので
あり、本発明の目的は、非平面な金属などの表面上に微
細なパターンを精密に形成するための露光方法を提供す
ることにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an exposure method for precisely forming a fine pattern on a surface of a non-planar metal or the like. .

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、非平面上に微
細なパターンを形成するための露光方法及び装置であっ
て、微細なパターンの原版となるマスクを用いて、この
マスクを光束により露光しながら、マスクを直線移動さ
せ、このマスクの移動と同期して微細なパターンを形成
すべき被露光用非平面ワークを回転させることを特徴と
する。これによって、非平面ワーク上に精密な転写を行
うための露光が実現できる。また、マスクと非平面ワー
クを接触させ、非平面ワークをマスクの移動に応じて回
転させることが好適である。また、非平面ワークの回転
手段を備え、マスクの移動と回転手段の回転を同期制御
することも好適である。さらに、マスクまたは非平面ワ
ークの表面に、マスクと非平面ワーク表面のパターン形
成面との間隙を一定に保つためのスペーサ接触面を設け
ることも好適である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to an exposure method and apparatus for forming a fine pattern on a non-planar surface. While exposing, the mask is linearly moved, and the non-planar workpiece to be exposed on which a fine pattern is to be formed is rotated in synchronization with the movement of the mask. Thereby, exposure for performing precise transfer on a non-planar work can be realized. Further, it is preferable that the non-planar work is brought into contact with the mask, and the non-planar work is rotated according to the movement of the mask. It is also preferable to provide a rotating means for the non-planar work, and to synchronously control the movement of the mask and the rotation of the rotating means. Further, it is preferable to provide a spacer contact surface on the surface of the mask or the non-planar work for maintaining a constant gap between the mask and the pattern forming surface of the non-planar work surface.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
(以下、実施形態と記す)を図面に従って説明する。図
1は、本発明の第1実施形態の露光装置に関する構造図
であり、本実施形態の露光装置は、紫外線などの光束L
を照射する光源(図示せず)と、転写すべきパターンの
基となるパターンが刻まれているマスク1と、被露光用
ワーク10をマスク1の移動に応じて回転するように支
持するローラ11を含む回転機構と、光源から発せられ
た光束Lを制限するスリット13と、マスク1を直線移
動させるマスク移動手段20からなっている。マスク1
は、ワーク10に対して図中の下向きの力で押しつけら
れている。従って、マスク1と被露光用ワーク10は接
触しており、マスク1を直線移動させるマスク移動手段
20によるマスク1の直線移動に伴って、被露光用ワー
ク10は転動し回転する。その結果、マスク1の直線移
動量と被露光用ワーク10の円周上の回転移動量は等し
くなるように被露光用ワーク10は転動される。このよ
うな構成において、光源から発せられた紫外線などの光
束Lは、スリット13にて制限されマスク1とワーク1
0が密着もしくは近接している領域に照射される。一
方、円筒ワーク10の円筒側面にはレジスト12が塗布
してあり、マスク1の移動に従い円筒ワーク10のレジ
スト塗布面は順次露光されマスクパターンが転写され
る。スリット13の幅は、露光光の強度を考慮して決定
する。露光光の強度は、マスク1とワーク10が密着し
ている領域と近接している領域とで若干異なる。レジス
ト塗布面におけるパターンのコントラストを0.7以上
に保つには、光束が照射されるマスク1とワーク10の
表面の間隙の大きさZを下式の範囲に抑えればよく、こ
れを満たすようにスリットの幅を決定すればよい。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention (hereinafter, referred to as embodiments) will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a structural view of an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.
Light source (not shown), a mask 1 on which a pattern to be a pattern to be transferred is engraved, and a roller 11 for supporting a workpiece 10 to be exposed so as to rotate in accordance with the movement of the mask 1 , A slit 13 for limiting the light beam L emitted from the light source, and a mask moving means 20 for linearly moving the mask 1. Mask 1
Is pressed against the work 10 by a downward force in the figure. Accordingly, the mask 1 and the work 10 to be exposed are in contact with each other, and the work 10 to be exposed rolls and rotates with the linear movement of the mask 1 by the mask moving means 20 for linearly moving the mask 1. As a result, the work 10 to be exposed is rolled so that the linear movement amount of the mask 1 and the rotational movement amount on the circumference of the work 10 to be exposed become equal. In such a configuration, the light flux L such as ultraviolet light emitted from the light source is restricted by the slit 13 and the mask 1 and the work 1
0 is applied to a region that is in close contact or in proximity. On the other hand, a resist 12 is applied to the cylindrical side surface of the cylindrical work 10, and the resist applied surface of the cylindrical work 10 is sequentially exposed and the mask pattern is transferred according to the movement of the mask 1. The width of the slit 13 is determined in consideration of the intensity of the exposure light. The intensity of the exposure light is slightly different between a region where the mask 1 and the work 10 are in close contact and a region where the mask 1 is in close proximity. In order to maintain the contrast of the pattern on the resist-coated surface at 0.7 or more, the size Z of the gap between the mask 1 to be irradiated with the light beam and the surface of the work 10 may be suppressed within the range of the following expression. The width of the slit may be determined in advance.

【数1】Z≦ P2/64λ 但し、Pはマスク上の格子パターンの周期、λは光束の
波長である。露光以降の工程は、通常のフォトリソグラ
フィー工程によりパターンが形成されワーク10の円筒
側面上に回折格子が形成される。なお、回折格子は反射
型の回折格子となるので、エンコーダとしての構成は、
一般的な反射型光学式エンコーダとして構成すればよ
い。透過物質上に回折格子を形成した際は透過型光学式
エンコーダとして構成すればよい。ここで、マスク1
は、ガラス、樹脂やシリコンなどの剛性を有する透明基
板上に、Crなどの金属のパターンを形成したものが好
ましい。また、マスク移動手段20には、サーボモータ
やステッピングモータを利用したものなど各種のものが
採用できる。マスク1の移動速度は、正確に移動でき、
適切な露光時間を得られるものに設定するとよい。
[Number 1] Z ≦ P 2 / 64λ where, P is the period of the grating pattern on the mask, lambda is the wavelength of the light beam. In the process after exposure, a pattern is formed by a normal photolithography process, and a diffraction grating is formed on the cylindrical side surface of the work 10. Since the diffraction grating is a reflection type diffraction grating, the configuration as an encoder is as follows.
What is necessary is just to comprise as a general reflection type optical encoder. When a diffraction grating is formed on a transmission material, it may be configured as a transmission optical encoder. Here, mask 1
It is preferable that a metal pattern such as Cr is formed on a rigid transparent substrate such as glass, resin or silicon. Further, as the mask moving means 20, various types such as those using a servomotor or a stepping motor can be adopted. The moving speed of the mask 1 can be moved accurately,
The exposure time may be set so as to obtain an appropriate exposure time.

【0009】続いて、上述の実施形態をさらに改善する
第2の実施形態について図2をもとに説明する。図1に
おける上述の露光装置では、被露光用ワーク10に非常
に微細な回折格子パターンを一周にわたって転写する場
合、転写の開始点と終了点でのパターンのつなぎ精度を
確保するのが困難な場合がある。この理由は、マスク1
の直線移動量と被露光用ワーク10の円周上の回転移動
量とが等しくなるように転動されるため、被露光用ワー
ク10が一回転する距離(円周長さ)と、対応するマス
クパターンの長さとを精密に一致させる必要があるから
である。従って、転写パターンにおけるパターン一周部
のつなぎ目誤差を小さくするためには、露光用ワーク1
0の直径の精度を一定精度以内に押さえる必要があっ
た。
Next, a second embodiment which further improves the above-described embodiment will be described with reference to FIG. In the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, when a very fine diffraction grating pattern is transferred over the work to be exposed 10 over one round, it is difficult to ensure the pattern connection accuracy at the start and end points of the transfer. There is. The reason is that mask 1
Is rolled so that the amount of linear movement of the work to be exposed and the amount of rotational movement on the circumference of the work to be exposed 10 are equal, so that the work to be exposed 10 makes one rotation (circumferential length). This is because it is necessary to precisely match the length of the mask pattern. Therefore, in order to reduce the joint error at one peripheral portion of the transfer pattern, the exposure work 1
It was necessary to keep the precision of the diameter of 0 within a certain precision.

【0010】これらをより改善するために第2の実施形
態では、マスク1と被露光用ワーク10は非接触となっ
ておりそれぞれの移動や回転は同期して制御されるよう
になっている。ワーク10の回転機構側には、ワーク1
0を回転させるワーク回転手段21が備えられており、
マスク1と被露光用ワーク10は非接触となっている。
また、マスク1を直線移動させるマスク移動手段20と
精密にワーク10の回転角度を制御するワーク回転手段
21とを同期制御させる同期制御部22が備えられてい
る。例えば、マスク上の100μmピッチの格子パター
ンを、円筒形状の被露光用ワーク側面上に、1回転あた
り100本の格子パターンの割合で転写する場合、マス
ク移動手段20は10mm(100μm×100)移動
する。これに対して、ワーク回転手段21は1回転移動
し、同期制御部22はこれらを同期させる。この構成に
より、マスク1の移動量と被露光用ワーク10の回転量
が精密に同期が取れる。このため、被露光用ワーク10
が一回転する距離(円周長さ)と、対応するマスクパタ
ーンの長さを精密に一致させることができ、転写パター
ンにおけるパターン一周部のつなぎ目誤差を生じさせな
い。また、露光用ワーク10の直径に誤差があっても、
マスク1の移動量とワーク10の回転量の同期を取って
いるため、その影響を受けずつなぎ目誤差を生じさせな
い。このように、本実施形態によれば、被露光用ワーク
10の直径についての精度はそれ程高くなくても、つな
ぎ目の問題を解消して回折格子パターンを形成すること
ができる。
In order to improve these problems, in the second embodiment, the mask 1 and the work 10 to be exposed are not in contact with each other, and their movements and rotations are controlled synchronously. On the rotating mechanism side of the work 10, the work 1
Work rotating means 21 for rotating 0 is provided,
The mask 1 and the work 10 to be exposed are not in contact with each other.
Further, there is provided a synchronization control section 22 for synchronously controlling a mask moving means 20 for linearly moving the mask 1 and a work rotating means 21 for precisely controlling the rotation angle of the work 10. For example, when transferring a grid pattern of 100 μm pitch on a mask onto the side surface of a cylindrical workpiece to be exposed at a rate of 100 grid patterns per rotation, the mask moving unit 20 moves by 10 mm (100 μm × 100). I do. On the other hand, the work rotating unit 21 makes one rotation, and the synchronization control unit 22 synchronizes them. With this configuration, the amount of movement of the mask 1 and the amount of rotation of the workpiece 10 can be precisely synchronized. Therefore, the work 10 to be exposed
The distance (circumferential length) of one rotation of the pattern and the length of the corresponding mask pattern can be precisely matched, and no joint error occurs in the transfer pattern at one circumferential portion of the pattern. Also, even if there is an error in the diameter of the exposure work 10,
Since the movement amount of the mask 1 and the rotation amount of the work 10 are synchronized, a seam error does not occur independently of the influence. As described above, according to the present embodiment, it is possible to form the diffraction grating pattern while eliminating the joint problem, even if the accuracy of the diameter of the workpiece 10 to be exposed is not so high.

【0011】さらに第2の実施形態を改善する第3の実
施形態について図3をもとに説明する。第2の実施形態
においては、近接露光であってマスク1とワーク10は
平行に保たれ、例えば10〜30μm程度離されて露光
が行われるが、この際、マスク1とワーク10の間隙量
は被露光用ワーク10の機械的な回転精度によって変化
してしまう場合がある。ワーク10の回転精度は、ミク
ロンレベルで管理することは可能であるが、この管理に
は細心の注意を払う必要がありその調整には工数を要す
る。もしもマスク1とワーク10の間隙量が変化する
と、マスク1を照射して被露光用ワーク上に生じる光強
度が変化してしまい、転写されるパターンの明暗やコン
トラストなどに変化が生じてしまう。
A third embodiment which further improves the second embodiment will be described with reference to FIG. In the second embodiment, the mask 1 and the work 10 are close to each other, and the mask 1 and the work 10 are kept parallel, and the exposure is performed at a distance of, for example, about 10 to 30 μm. It may change depending on the mechanical rotation accuracy of the work 10 to be exposed. Although the rotation accuracy of the work 10 can be controlled at the micron level, it requires a great care in this management, and its adjustment requires man-hours. If the gap amount between the mask 1 and the work 10 changes, the light intensity generated on the work to be exposed by irradiating the mask 1 changes, and the brightness and contrast of the transferred pattern change.

【0012】そこで、第3の実施形態では、被露光用ワ
ーク10上のパターン形成面とマスク1とは非接触とな
っているが、マスク1、もしくは被露光用ワーク10に
は、パターン形成面でない箇所にスペーサ接触面2を有
し、これによってマスク1と被露光用ワーク表面の間隙
を一定に保つ。マスクにスペーサ接触面2を用いる例
を、図3(a)に示し、被露光用ワーク10にスペーサ
接触面2を用いる例を、図3(b)に示す。マスク1
は、ワーク10に対して、図中の下向きの方向に、間隙
を一定に保つ程度の力で押しつけられている。この回転
機構において、マスク1と被露光用ワーク10のパター
ン形成部でない箇所において接触しているが、パターン
形成部においては非接触となっている。この構成におい
て、マスク1と被露光用ワーク10はスペーサ接触面2
で接触しているが、マスク1の移動はマスク移動手段2
0によって行われ、被露光用ワーク10の回転はワーク
回転手段21によって行われる。スペーサ接触面2での
接触は、マスク1と被露光用ワーク10のパターン形成
面における間隙を一定に保つためにされているものであ
って、マスク1とワーク10の変位(それぞれの移動)
は、この接触抵抗に打ち勝つかたちでなされる。これに
より、間隙が一定に保たれた状態で、マスク1はマスク
移動手段20によって精密に移動され、これに同期して
ワーク10の回転角度が精密に制御されるので、転写パ
ターンにおけるパターン一周部のつなぎ目誤差は発生せ
ず、さらにマスク1とワーク10の間隙の変化もなく、
容易にマスクを照射した際に得られる被露光用ワーク上
の転写パターンの明暗やコントラストを一定に保つこと
ができる。なお、上述のスペーサ接触面の高さは可変で
きるようにしてもよい。
Therefore, in the third embodiment, the pattern forming surface on the work 10 to be exposed is not in contact with the mask 1, but the mask 1 or the work 10 to be exposed has a pattern forming surface. The gap between the mask 1 and the surface of the work to be exposed is kept constant. FIG. 3A shows an example in which the spacer contact surface 2 is used for the mask, and FIG. 3B shows an example in which the spacer contact surface 2 is used for the work 10 to be exposed. Mask 1
Is pressed against the work 10 in a downward direction in the figure with a force that keeps the gap constant. In the rotating mechanism, the mask 1 and the work 10 to be exposed are in contact with each other at a portion other than the pattern forming portion, but are not in the pattern forming portion. In this configuration, the mask 1 and the work 10 to be exposed are
The mask 1 is moved by the mask moving means 2
The rotation of the work 10 to be exposed is performed by the work rotating means 21. The contact on the spacer contact surface 2 is for maintaining a constant gap between the mask 1 and the pattern forming surface of the workpiece 10 to be exposed, and the displacement of the mask 1 and the workpiece 10 (the respective movement).
Is done to overcome this contact resistance. As a result, the mask 1 is precisely moved by the mask moving means 20 in a state where the gap is kept constant, and the rotation angle of the work 10 is precisely controlled in synchronism with the movement, so that one round of the pattern in the transfer pattern No joint error occurs, and the gap between the mask 1 and the work 10 does not change.
The brightness and contrast of the transfer pattern on the work to be exposed obtained when the mask is easily irradiated can be kept constant. Note that the height of the spacer contact surface may be variable.

【0013】また、図3(b)に示すワークに設けられ
たスペーサ接触面2は、転写工程以降で除去してもよ
い。また、材質によっては、スペーサ接触面2は設けず
にパターン形成面を接触させた状態で、マスクとワーク
を精密に同期制御させてもよい。
The spacer contact surface 2 provided on the work shown in FIG. 3B may be removed after the transfer step. Further, depending on the material, the mask and the work may be precisely controlled in synchronization with the pattern forming surface being in contact with the spacer contact surface 2 without being provided.

【0014】マスクの移動とワークの回転は、一定回転
あるいは連続的回転でなく、ステップ動作でもよい。ス
リット13には、シャッターが備えられ、適宜、露光す
る光束をオン、オフするようにしてもよい。
The movement of the mask and the rotation of the work may be step operations instead of constant rotation or continuous rotation. The slit 13 is provided with a shutter, and the light beam to be exposed may be turned on and off as appropriate.

【0015】また、ワークは円筒でなくてもよく本発明
は上記実施形態に限定されるものではない。
The work need not be a cylinder, and the present invention is not limited to the above embodiment.

【0016】[0016]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、非平面な
金属などの表面上に微細なパターンを精密に転写するこ
とができるので、精密なパターンをモータの回転軸やロ
ボットの指関節の回転軸などに直接、精密に転写してエ
ンコーダのスケールとして用いることが可能となり、装
置全体の大幅の小型化、性能向上を図ることができる。
As described above, according to the present invention, a fine pattern can be precisely transferred onto a surface of a non-planar metal or the like. It can be directly and precisely transferred to a rotating shaft of the device and used as a scale of an encoder, so that the entire apparatus can be significantly reduced in size and performance can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の露光装置の第1の実施形態を示す構
造図である。
FIG. 1 is a structural diagram showing a first embodiment of an exposure apparatus of the present invention.

【図2】 本発明の露光装置の第2の実施形態を示す構
造図である。
FIG. 2 is a structural diagram showing a second embodiment of the exposure apparatus of the present invention.

【図3】 本発明の露光装置の第3の実施形態を示す構
造図である。
FIG. 3 is a structural diagram showing a third embodiment of the exposure apparatus of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 マスク、2 スペーサ接触面、10 被露光用ワー
ク、11 ローラ、12 レジスト、13 スリット、
20 マスク移動手段、21 ワーク回転手段、22
同期制御部。
1 mask, 2 spacer contact surface, 10 work to be exposed, 11 roller, 12 resist, 13 slit,
20 mask moving means, 21 work rotating means, 22
Synchronous control unit.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 家城 淳 愛知県丹羽郡大口町下小口5丁目25番地の 1 オークマ株式会社大口工場内 (72)発明者 松井 圭司 愛知県丹羽郡大口町下小口5丁目25番地の 1 オークマ株式会社大口工場内 Fターム(参考) 2H097 AA16 AB08 AB09 GA43 LA20 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Atsushi Atsushi 5-25-25 Shimokoguchi, Oguchi-machi, Niwa-gun, Aichi Prefecture Inside the Oguchi Plant of Okuma Corporation (72) Inventor Keiji Matsui 5-Shimoguchi, Oguchi-machi, Niwa-gun, Aichi Prefecture 1 25th Okuma Co., Ltd. Oguchi factory F-term (reference) 2H097 AA16 AB08 AB09 GA43 LA20

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 原版となるマスク上のパターンを非平面
ワークに転写する露光方法において、 露光光源からの光束が照射された前記原版となるマスク
を所定の方向に移動させ、 前記マスクの移動に対応する回転量だけ前記非平面ワー
クを回転させることによって、前記原版となるマスク上
のパターンを非平面ワークに転写することを特徴とする
露光方法。
1. An exposure method for transferring a pattern on a mask serving as an original onto a non-planar workpiece, the method comprising: moving the original mask irradiated with a light beam from an exposure light source in a predetermined direction; An exposure method, wherein the pattern on the mask serving as the original is transferred to the non-planar work by rotating the non-planar work by a corresponding rotation amount.
【請求項2】 原版となるマスク上のパターンを非平面
ワークに転写する露光装置において、 前記マスクを所定の方向に移動させるマスク移動手段
と、 マスクの移動に対応する回転量だけ非平面ワークを回転
させる回転機構と、 マスクに光を照射する光源と、 光源から発せられた光束を制限するスリットと、を備え
た露光装置。
2. An exposure apparatus for transferring a pattern on a mask serving as an original onto a non-planar workpiece, a mask moving means for moving the mask in a predetermined direction, and a non-planar workpiece by a rotation amount corresponding to the movement of the mask. An exposure apparatus comprising: a rotating mechanism for rotating; a light source for irradiating light to a mask; and a slit for restricting a light beam emitted from the light source.
【請求項3】 前記回転機構は、前記マスクと非平面ワ
ークが接触しており、非平面ワークはマスクの移動に応
じて回転するようになっている請求項2に記載の露光装
置。
3. The exposure apparatus according to claim 2, wherein the rotating mechanism is configured so that the mask and the non-planar workpiece are in contact with each other, and the non-planar workpiece rotates according to the movement of the mask.
【請求項4】 前記回転機構は、非平面ワークの回転手
段を備え、前記マスク移動手段の移動と回転手段の回転
が同期制御される請求項2に記載の露光装置。
4. The exposure apparatus according to claim 2, wherein the rotation mechanism includes a rotation unit for the non-planar work, and the movement of the mask movement unit and the rotation of the rotation unit are controlled synchronously.
【請求項5】 前記マスクまたは非平面ワークの表面
に、マスクと非平面ワーク表面のパターン形成面との間
隙を一定に保つためのスペーサ接触面を設け、非平面ワ
ーク上のパターン形成面がマスクに対して非接触となっ
ている請求項2に記載の露光装置。
5. A method according to claim 5, wherein a surface of said mask or said non-planar work is provided with a spacer contact surface for keeping a constant gap between said mask and a pattern forming surface of said non-planar work. The exposure apparatus according to claim 2, wherein the exposure apparatus is not in contact with the exposure apparatus.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2017090935A (en) * 2012-03-15 2017-05-25 株式会社ニコン Substrate processing apparatus and substrate processing method

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