JP2000098268A - 磁歪効果による波長シフト・デバイスおよび波長シフト・デバイスを備える光通信システム - Google Patents

磁歪効果による波長シフト・デバイスおよび波長シフト・デバイスを備える光通信システム

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JP2000098268A JP11269752A JP26975299A JP2000098268A JP 2000098268 A JP2000098268 A JP 2000098268A JP 11269752 A JP11269752 A JP 11269752A JP 26975299 A JP26975299 A JP 26975299A JP 2000098268 A JP2000098268 A JP 2000098268A
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エレン アダムス ローラ
Rolando Patricio Espindola
パトリッシオ エスピンドラ ローランド
Sungho Jin
ジン サンゴー
Hareesh Mavoori
マボーリ ハリーシュ
Thomas Andrew Strasser
アンドリュー ストラッサー トーマス
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、波長シフトおよび色の分散補正の
ためのプログラム可能な、そしてラッチ可能なデバイス
を提供する。 【解決手段】 ブラッグ格子、非チャープ型格子、また
は線形または非線形のチャープ型格子が、磁歪効果によ
って歪みを受け、分散補正器の特性を変える。好適な実
施形態においては、勾配の付けられた磁歪効果ボディが
ファイバ格子に沿って、その長さに沿ってボンドされて
いる。別の好適な実施形態においては、磁歪効果ボディ
がその長さのファイバ格子上にボンドされ、そして勾配
を発生し、プログラム可能でラッチ可能な磁気構成部品
が磁歪効果ボディの隣に配置されている。次にそのボデ
ィは磁歪材料および磁石の中の磁化の程度を制御するこ
とによって、所望のレベルに対してラッチ可能なように
歪みを受け、格子の中のチャーピング特性を誘起するか
あるいは高めるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁歪効果によって
制御することができる波長シフト・デバイスに関し、特
にパワーを連続的に使うことなしに、磁歪効果ボディに
よって調整することができる波長シフト・デバイスに関
する。本発明はさらに、分散補正デバイスおよび分散補
正デバイスを備える光通信システムに関する。
【0002】
【従来の技術、及び、発明が解決しようとする課題】光
ファイバおよび光格子は電気通信の伝送およびネットワ
ーキングに対して有用である。光格子は進行している光
の径路または特性を制御するのに有用である。光ファイ
バに基づいた格子は現代の電気通信システムにおける構
成部品として特に興味深いものである。基本的に、光フ
ァイバは長い距離にわたって、情報を含んでいる光信号
を低損失で伝送することができるガラスの薄いストラン
ドである。要するに、光ファイバは第1の屈折率を有す
るコアが、第2の(低い方の)屈折率を有するクラッデ
ィングによって囲まれている小さい直径の導波器であ
る。コアの屈折率がクラッディングの屈折率より大きい
限り、そのコアに沿って伝播される光ビームは内部全反
射を示し、そしてそのコアの長さ方向に沿って導かれ
る。代表的な光ファイバは高純度のシリカから作られて
おり、そしてその屈折率を制御するために、各種の濃度
のドーバントを加えることができる。
【0003】光信号の長距離伝送において、信号の分散
の累積が重要な問題となり得る。この問題は波長分割多
重(WDM)光通信システムにおいて信号の伝送距離ま
たはチャネル数が増加している場合に厳しくなる。色の
分散に対して補正しようとする現在までの試みにおいて
は、分散補正用ファイバ、分散補正用格子またはその両
方の組合せを使う必要があった。M.I.ヘイー他のI
EEE PHOTONICS TECHNOLOGY
LETT.,Vol.9,No.9,p.1271(1
997);R.I.ラミング他のIEEE PHOTO
NICS TECHNOLOGY LETT.,Vo
l.8,No.3(1996);W.H.Loh他の、
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY
LETT.,Vol.8,No.7(1996);
K.O.ヒル他の、OPT.LETT.,Vol.1
9,p.1314(1994);およびM.シゲマツに
対して1997年12月23日付けで発行された米国特
許第5,701,188号(これらは引用によって本明
細書の記載に援用する)を参照されたい。しかし、これ
らの分散補正用デバイスは柔軟性がなく、色の分散に対
して固定された度合いの補正しか提供しない。
【0004】光格子は、光通信システムなどの光学的シ
ステムの内部で伝送される特定の波長の光を選択的に制
御するために重要な要素である。上記光格子としては、
ブラッグ格子、長周期格子、および回折格子などがあ
る。これらの格子は、通常は、ある材料のボディーを含
み、その材料の中に複数の光格子要素が間隔をおいて並
べられている。その格子要素は実質的に等しい間隔で並
べられた屈折率の摂動、スリット、または溝を含むこと
が多い。しかし、等しくない間隔で並べられた(チャー
プ型の)格子も同様に使われる。
【0005】すべてのタイプの格子に対して、その制御
される波長を選択的に調整するために、その格子を再構
成または調整できることが非常に有用となる。従来のブ
ラッグ格子についての問題点は、それらが固定の波長の
光しかフィルタしないことである。各格子はλ=2n
effΛの波長を中心としてその周りの狭い帯域の中の光
を選択的に反射する。しかし、波長分割多重(WDM)
などの多くの応用においては、波長応答を変えるように
制御できる格子があることが望ましい。長周期ファイバ
格子デバイスは波長依存の損失を提供し、スペクトル整
形のために使うことができる。長周期格子は後方反射の
低い2つの共伝播モード間の光パワーを結合する。しか
し、従来の長周期格子での問題点は、増幅器の利得を動
的に等化するための能力が限られていることである。と
いうのは、それらは固定された波長だけをフィルタし、
波長依存の損失要素として動作するだけだからである。
与えられた周期性(Λ’)の各長周期格子はカップリン
グのピーク波長、λpを中心としてその周りの狭い帯域
内の光を選択的にフィルタする。回折格子は普通は実質
的に等しい間隔で並べられた、多数の平行にエッチされ
たラインを含んでいる反射面を含む。ある所与の角度で
格子から反射された光はその格子の間隔によって変わる
異なるスペクトル内容を有することになる。従来の回折
格子における間隔は、そしてそのスペクトル内容は一般
的に固定されている。
【0006】調整可能な導波器格子を作るための1つの
試みは、圧電素子を使ってその格子に対して歪みを加え
ることを含む。クエテル他の、1996 Techni
cal Digest Series.Conf.on
Optical Fiber Communicat
ion,San Jose,Calif.,Feb.2
5‐March 1,1996,Vol.2,p.12
0の論文No.WF6を参照されたい。この方法での問
題点は、圧電駆動によって生じる歪みが比較的小さく、
デバイスの調整範囲が制限されることである。さらに、
この方法は、電力を比較的高い電圧、たとえば、約10
0Vで連続的に印加する必要がある。格子に対して歪み
をかけることに関する他の調整可能な格子は、1997
年1月29日付けのジン他の米国特許出願第08/79
1,081号、1996年2月6日付けのエスピンドラ
他の米国特許出願第09/020,206号、1997
年10月27日付けのジン他の米国特許出願第08/9
71,956号、および1997年10月27日付けの
フレミング他の米国特許出願第08/971,953号
の中で開示されており、それらはすべて本願の譲受人に
対して譲渡されたものであり、引用によって本明細書の
記載に援用する。チャープ型の格子に対する磁歪効果の
使用はJ.L.クルツ他のELECTRONIC LE
TT.33(3),p.235(1997)の中で開示
されたが、その方法はプログラム可能な、あるいはラッ
チ可能な磁歪効果による歪みを示しておらず、また、分
散補正用のデバイスをカバーしていなかった。
【0007】理解されるように、光通信システムの技術
に関与している人達は伝送される波長を選択的に制御し
てフィルタするため、そして、色の分散を補正するため
の新しいデバイスおよび方法を探索し続ける。特に、パ
ワーを連続的に印加する必要がない、プログラム可能な
ように波長をシフトするためのデバイスがあるので有利
である。本発明は、波長をシフトし、そして分散を補正
するための磁歪効果による調整可能な、そしてラッチ可
能なデバイス、および該デバイスを備える光通信システ
ムを開示する。
【0008】
【課題を解決するための手段】要約すると、本発明は、
調整可能な光波長シフト・デバイスを含み、そのデバイ
スは格子領域を有するある長さの導波器と、その格子領
域において導波器に対してその長さに沿ってボンドされ
ている磁歪効果ボディと、そのボディを磁場に対してさ
らすためのソースとを含んでいる。その磁場によってボ
ディが膨張または収縮し(それが正または負の磁歪効果
材料のどれによって形成されているかに依存して)、そ
れによってそのボディの中に弾性歪みが誘起されて、格
子要素間の間隔およびそのデバイスの波長応答が調整さ
れる。ボディはラッチ可能なように、あるいはラッチさ
れないように作ることができる。ラッチ可能でプログラ
ム可能な磁気構成部品をラッチされないボディと一緒に
使って、ファイバ上に一様でない歪みを提供することが
できる。そのデバイスは色分散補正器として、そして増
幅器および波長分割マルチプレクサ/デマルチプレクサ
・システムを備える光通信システムにおいて有利に使う
ことができる。
【0009】
【発明の実施の形態】図面を参照すると、本発明は格子
領域12を有している光ファイバ11などのある長さの
導波器と、ボンド領域13において格子12に対してそ
の長さに沿ってボンドされている細長い磁歪効果ボディ
14とを含む。その磁歪効果ボディはラッチ可能でない
ものとすることができる。その場合、そのデバイスはラ
ッチ可能な磁石15と組み合わせて使うことができる。
あるいは、磁歪効果ボディそのものをラッチ可能にする
ことができる。磁場を供給するためのソース、たとえ
ば、ソレノイド19がそのボディまたは磁石(使われる
場合)またはその両方に近接して配置され、磁石を磁化
し、ボディを歪ませる。
【0010】さらに特定すると、図1Aは少なくとも1
つの光格子(たとえば、光ファイバ格子)12と、少な
くとも1つの磁歪効果ボディ14とを含んでいる1つの
実施形態を示しており、そのボディの長さに沿ってのボ
ンド13が、ボディを格子12の長さに対して固定す
る。ボンド13はガラス接着剤(たとえば、低融点ガラ
ス)エポキシなどの接着剤によって、ソルダ・ボンディ
ング、ブレージングによって、あるいは知られている他
の物質またはデバイスによって形成することができる。
ボディ14は正または負の磁歪材料で作ることができ
る。磁場にさらされると、ボディの長さが長くなる(正
の磁歪の場合)かあるいは収縮する(負の磁歪の場
合)。この実施形態においては、少なくとも1つのプロ
グラム可能でラッチ可能な磁石15がボディに沿って配
置され、そして少なくとも1つのソレノイド19(電流
が流されると所定の大きさの磁場を供給する)のコイル
がボディ14と磁石15の両方の周りに巻かれている。
ソレノイド19および磁石15によって磁化された時、
磁歪材料14の膨張または収縮によって光格子12が歪
まされ、したがって、その共振波長が変えられる。プロ
グラム可能なようにラッチできる磁石には、その長さ方
向に沿って一様でないように配置され、各種の場所(た
とえば、17a、17b)から漏洩磁束を提供するため
のノッチまたは摂動(たとえば、16a、16b、16
cなど)がある。磁束の強度は空間的に変化し、したが
って、勾配が発生している。その勾配はそのボディの長
さに沿ってのノッチの数の密度を変化させることによっ
て、そしてさらに各ノッチが付けられた領域からの磁場
の発散を利用することによって発生させることができ
る。プログラム可能な磁石がソレノイド19によって磁
化されると、磁歪効果ボディの中に一様でない歪みを誘
起する一様でない勾配の磁場が発生する。これによって
格子の周期性およびチャーピングにおける変化が一様で
なくなる。
【0011】磁歪効果ボディまたはプログラム可能な磁
石またはその両方を多くの部分にセグメント化すること
ができる。たとえば、図1Bはセグメント化された磁石
(15a、...15c、...15e、15f、..
15iなど)を含んでいる1つの実施形態を示し、セグ
メント間のギャップを通して、漏洩磁束(たとえば、1
7)がボディに対して供給される。磁石の寸法は変える
ことができる。たとえば、セグメント化された磁石の長
さを段々に長くする(たとえば、図に示されているよう
に、セグメント化された磁石の長さが15aから15i
へ段々と増えていくように)か、あるいは段々に短くな
るようにすること、あるいはさもなければ一様でない寸
法にし、図1Aに示されているように、歪みの総合的な
勾配が誘起されるようにすることができる。その勾配は
各ボディに沿って磁石間のギャップの密度を変えること
によって、そしてさらに、各ギャップ領域からの磁場の
発散を利用することによって形成することができる。磁
歪効果ボディの中に誘起される歪みは剪断または圧縮の
歪み(ボディを伸ばすか縮めるかする)とすることがで
きる。いずれになるかは、そのボディが正または負の磁
歪材料のいずれで作られているかによる。
【0012】図1A−図1Bに示されているように、磁
歪効果ボディの中に勾配が存在する時、格子の中に一様
でない歪みが誘起され、それによって元々はチャープさ
れていない格子からチャープ型の(線形または非線形に
チャープされた)格子構造を生成することができる。代
わりに、本発明のデバイスの中の格子は図1Cに示され
ているように、あらかじめチャープされていてもよい
(線形、非線形または任意のパターンのチャープ)。そ
の場合における本発明のデバイスによって提供される一
様でない歪みによって、格子の長さに沿ってのチャーピ
ングの勾配の傾斜をさらに増加させることができる。図
1A−図1Cは単独の格子領域を示しているが、複数の
直列になった格子を使うことができ、そして本発明によ
る1つの磁歪効果デバイスによって同時に歪ませること
ができる。図1Aおよび図1Bの実施形態で実現される
ような勾配の歪みが好ましい。しかし、磁歪効果デバイ
スは本発明に従って勾配のないファイバの歪みで形成す
ることができ、それは、あらかじめチャープされた格子
が使われる場合のような、いくつかの分散補正の要素に
対して有用であり得る。
【0013】ボディ14を構成している材料は正または
負の磁歪効果のいずれかを有し、それぞれボディの長さ
を増加または減少させることができる。負の磁歪効果を
示し、飽和歪み(εs)を有しているボディを製造する
ために使える材料の例としては、ニッケル(εs〜−3
8×10-6)、コバルト(εs〜−50×10-6、およ
びSmFe2(εs〜−2340×10-6)などがある。
正の磁歪効果を示す材料の例としては、以下の合金およ
び化合物がある。Fe‐20wt%Ni(εs〜+33
×10-6)、70%Co‐30%Fe(εs〜+130
×10-6)、Fe‐30%Cr‐15%Co(εs〜+
61×10-6)、Fe‐Al‐Ni‐Co合金(アルニ
コとして普通に知られている)(εs〜+36×1
-6)、Fe34のフェライト(εs〜+32×1
-6)、TbFe2(εs〜+2600×10-6)、およ
びTb0.28Dy0.72Fe2合金(εs〜+1100×10
-6)。磁場依存の挙動以外に、磁歪効果の大きさは材料
組成および処理によってある程度変化する。これらのパ
ラメータを最適化することは歪みを最大化するのに有利
である。磁歪材料に関する詳細は、R.M.ボゾースの
FERROMAGNETISM(強磁性)の第13章、
647〜49、663〜69ページ(Van Nost
rand,New York 1951);A.E.ク
ラークのAIP Conference Proc.N
o.18,American Instituteof
Physicsの1015ページ(New York
1974);およびW.R.ジョーンズのIEEE
Trans.Mag.,Vol.MAG‐17の145
9ページ(1981)を参照されたい。これらはすべて
引用によって本明細書の記載に援用する。
【0014】ラッチ可能なデバイスを提供するために磁
気構成部品を製造するための好ましい材料は、その磁気
的な性質をパルスの磁場によって変更することができる
デバイスである。適切な材料としては、Fe‐Cr‐C
o、Fe‐Al‐Ni‐Co(Alnico)、Cu‐
Ni‐Fe(Cunife)、Co‐Fe‐V(Vic
alloy)、特殊処理された低抗磁力(Hc)の稀土
類のコバルトSm‐CoまたはNd‐Fe‐Bおよび、
BaフェライトまたはSrフェライトの材料などがあ
る。プログラム可能な磁石のための抗磁力の好ましい範
囲は約500 Oe以下であり、ソレノイド・パルス磁
場を使用する再磁化によるプログラミングが容易なよう
に、約100 Oe以下であることがさらに好ましい。
抗磁力は約10 Oe以上であることが好ましく、そし
て残留磁化の安定性および浮遊磁場による消磁に対抗す
る安定性を維持するために、30 Oe以上であること
がさらに好ましい。
【0015】磁場が取り除かれた時に満足できるラッチ
が行われるために、プログラム可能な磁石の磁化ヒステ
リシス・ループ(「M‐Hループ」)は少なくとも約
0.85の角型比(飽和磁化に対する残留磁化の比率)
の四角形であるべきであり、そして角型比が少なくとも
約0.90であることが好ましく、そしてさらに少なく
とも約0.95あることが好ましい。制御し易くするた
めに、そのループは少なくとも約50%のHcだけスキ
ューされていることが望ましい。M‐Hループの意図的
なスキューイングは、たとえば、本発明の譲受人に譲渡
されていて、引用によって本明細書の記載に援用するエ
スピンドラ他による1998年2月6日付けの米国特許
出願第09/020,206号に記述されている。Fe
‐Cr‐Co、Cu‐Ni‐Fe、またはCo‐Fe‐
Vなどの、機械的な延性が高くて形成が容易な、あるい
は機械加工が容易な磁石合金が特に有利である。という
のは、それらは図1A−図1Cに示されているような幾
何学的形状などの所望の形状に整形することができるか
らである。抗磁力の高い安定な永久磁石(たとえば、抗
磁力が約1000 Oe以上のもの)、たとえば、Sm
‐CoまたはNd‐Fe‐Bなどは、残留磁気をプログ
ラムすることが難しいので、あまり好ましくない(より
低い抗磁力を示すように修正されない限り)。
【0016】Fe‐28%Cr‐7%Co合金は70
OeのHc、直径が約0.18インチそして長さが4イ
ンチの寸法の角型ループを生じるように変形エージング
することができる。ここで、M‐Hループは約60 O
eだけスキューされ、図2に示されているのと同様なM
‐Hループが作られる。H1およびH2の印加磁場に対し
て、対応する磁化はその磁場が取り除かれた後、ラッチ
可能なように保持され、そして対応する磁石間の間隔お
よび分散補正格子上の誘起された歪みε1およびε2もラ
ッチ可能なように保持される。ラッチによってそのデバ
イスはパワーを連続的に供給することなく動作させるこ
とができる。調整の程度を変化させるために、磁歪効果
ボディによって格子の中に誘起される歪みを変化させ、
そしてプログラム可能な磁石における磁化を変化させる
ことによってラッチすることができる。これは印加され
る磁場を増加させることによって、あるいは新しい磁場
のレベルに対して1つまたはそれ以上の磁石を減磁また
は再磁化することによって実現できる。ソレノイドを使
用する磁石の磁化の場合、パルスの磁場(ソレノイド内
のパルス電流)を、そのデバイスの高速の、低電力動作
のために便利に使うことができる。そのパルス磁場の好
ましい持続時間または速度は約10〜10-6秒の範囲内
にあり、そして約10-1〜10-4秒であることがさらに
好ましい。電流パルスは正弦波、矩形波、台形波、三角
波、および不規則な波形などの各種の波形であってよ
い。ソレノイドは単独のソレノイドであってよく、ある
いは必要な場合、独立に制御される2つまたはそれ以上
のセグメントに分かれていてもよい。
【0017】図3A−図3Dは本発明の代替実施形態を
示しており、磁歪効果ボディに対して本来的な磁束勾配
を提供することができる、プログラム可能な磁石に対す
る各種の考えられる構成配置(たとえば、図1A−図1
Cに示されているノッチ、セグメント、または寸法勾配
のないもの)を示している。図3Aの中で、単独の細長
い磁気構成部品25がボディに対して実質的に直角に配
置され、図3Bの中では、複数の細長い磁気構成部品2
5a、25b、25cなどがそのように配置されてい
る。これらの実施形態においては、1つまたはそれ以上
のソレノイド19a、19b、19cを、ボディ14の
周りに巻くのではなく、磁気構成部品の回りに巻くこと
ができる。その磁石の極からの磁場は強度勾配を伴って
発散する傾向があり、したがって、格子チャーピング効
果を示す。図3Cにおいては、2つのL型の磁石35
a、35bが、それぞれのボトムの端のメンバが向き合
った形でボディの側面に沿って置かれており、そして図
3Dにおいては、2つのロッド状の磁気構成部品45
a、45bが磁歪効果ボディの側にではなく、そのいず
れかの端に置かれ、磁場の強さが極からの距離の関数と
して減少し、磁歪効果ボディ上に勾配のある磁場の効果
を提供するように配置されている。
【0018】図4Aにおいては、ボディ14そのものが
その長さ方向に沿って勾配のある磁歪の性質を有する場
合が示されている。その材料の磁歪効果は、その材料の
化学的性質、結晶学的なテクスチャ、マイクロストラク
チャまたはそのボディに沿っての、あるいはそのボディ
の内部での応力分布によって変わる可能性がある。これ
らの微細構造的特徴を使って、磁歪の勾配を、そのボデ
ィの長さ方向に沿って材料の化学的性質における勾配、
塑性変形、またはその長さに沿っての勾配の熱処理を使
うことによって、ボディ自身の中に組み込むことができ
る。そのような組み込まれた磁歪効果の勾配によって、
プログラム可能な、そしてラッチ可能な磁気構成部品を
使わずに、光ファイバ格子(チャープされていないか、
あるいはあらかじめチャープされているものでもよい)
の中にチャーピングを誘起するか、あるいはチャーピン
グを強化することができる。図4Bおよび図4Cはさら
に他の代替例を示している。すなわち、図4Bは複数の
セグメント化されたソレノイド29a、29b、29
c、29d、29eなどを含んでいる設計を示し、そし
て図4Cはセグメント化された磁歪効果ボディ24a、
24b、24c、24d、24eを含んでいる設計を示
している。各セグメントは異なるプログラムにするか
(たとえば、異なるソレノイド・ドライブ電流によっ
て)、または異なる構造(たとえば、ソレノイドの巻線
数が異なるようにして)とすることができ、異なる磁場
を供給し、したがって、セグメントからセグメントへ磁
歪の量が異なるようにし、結果として全体に勾配のある
磁歪効果を生じるようにすることができる。図4A−図
4Cの中の磁歪効果ボディは印加された磁場が取り除か
れた後、磁歪効果におけるラッチ可能性の大きい材料か
ら作ることができ、あるいはその材料の磁歪効果におけ
るラッチ可能性が小さいか、あるいは可能性がない場合
に、図1A−図1Cおよび図3A−図3Dの中で示され
ているように、同様にラッチ可能なボディを作るため
に、プログラム可能な磁石と組み合わせて使うことがで
きる。
【0019】図5A−図5Eは、異なる格子領域を使っ
ている、本発明のデバイスの異なる実施形態に対する波
長λの関数としての遅延時間の特性Td(これは波長分
散の測度である)のプロットである。これらのプロット
はファイバの色の分散特性を変化させる面でのそのデバ
イスの各種の機能を示している。図5Aは、非チャープ
型の格子が使われていて、チャープ型の格子(たとえ
ば、図1A−図1Bのような)を形成するために磁歪効
果ボディを使って歪ませられる場合のデータをプロット
している。その傾斜、すなわち、Td(遅延時間)/λ
(波長)は、印加される駆動磁場を変え、したがって、
格子(たとえば、図1A−図1Bの15a)の中のラッ
チ可能な歪みを変えることによって調整することができ
る。図5Bは一様に(線形に)チャープされた格子の中
に歪みが誘起された場合のTd‐λ曲線の変換的なシフ
トを示している。図5Cおよび図5Dは線形にチャープ
された格子が使われ、非線形のチャープ型の特性を示す
ように歪ませられた場合の実施形態の効果を示してい
る。図5Eはより強く非線形化されている非線形チャー
プ型格子の使用を反映している。この分野の技術に熟達
した人にとっては明らかであるように、用途によって変
わるこれらの実施形態のそれぞれに関して特定の利点が
ある。
【0020】図1−図5の中で示されている調整可能な
デバイスおよびそれらの変形版は、高密度のWDMネッ
トワークにおける一般的な波長フィルタリングまたはチ
ャネルの追加/ドロップ用に使うことができる。チャー
プ発生機能があるので、それらは送信された光信号にお
ける色の分散を補正するために特に有用である。たとえ
ば、図6において、波長分割多重(WDM)通信システ
ムが概略的に示されており、そのシステムは、送信機7
0、改善されたNチャネル・マルチプレクサ/デマルチ
プレクサ71、および受信機72を含んでおり、それら
はすべて幹線ファイバ11によって接続されている。ソ
ース70からのファイバ11への入力は、いくつかの波
長、λ1〜λnの光信号から構成されている。改善された
マルチプレクサ71は少なくとも1つのサーキュレータ
73および一連の分散補正ファイバ格子(10a、10
b、10c、10d、...、10n)を含み、各格子
は前に説明されたように磁歪効果ボディによって独立に
調整可能である。その格子は非チャープ型、線形のチャ
ープ型、または非線形のチャープ型であってよい。本発
明の分散補正器は広い帯域幅を有することができ、そし
て各分散補正器は少数のチャネルから数個のチャネルま
でのチャネルに対して補正することができる。したがっ
て、このシステムの中で使われる調整可能な分散補正器
の合計数を、以前のシステムの場合と比べて大幅に減ら
すことができる。
【0021】図7−図10は、前に説明されたような磁
歪効果ボディによって調整可能な、本発明の分散補正用
デバイスを備える光通信システムを概略的に示してい
る。図7において、ボックスの領域80における分散補
正モジュール(DCM)は、1つの光サーキュレータ
と、合計「n」個の分散補正用格子10nとを含み、各
格子は前に説明されたように、磁歪効果ボディによって
独立に調整可能である。そのモジュールの中で格子を配
置することができる順序は、DCMに到着する前にシス
テムにおいて累積された色の分散に依存する。たとえ
ば、λ1におけるチャネル1に対する累積された分散
(AD)がλnにおけるチャネルnのそれより大きかった
場合(ADλ1>ADλn)、その格子は図に示されている
順序で配列される。すなわち、DCMの第1の補正用格
子がλ1にあり、そして最後の補正用格子がλnにある。
λ1におけるチャネル1に対する累積された分散がλn
おけるチャネルnのそれより小さかった場合(ADλ1
Dλn)、この格子は示されている逆の順序で配列され
る。すなわち、DCMの第1の補正用格子がλnにあ
り、そして最後の格子がλ1にある。このDCMは、多
重波長送信機70と、ある長さの光ファイバ11と、多
重波長の受信機72とをさらに備える高密度のWDMシ
ステム(DWDM)の部分を構成することができる。
【0022】図7の実施形態に代わるものとして、DC
Mは「n」個の独立に調整可能な分散補正用格子10n
の代わりに、前に説明されたように、単独の調整可能分
散補正用チャープ型ファイバ格子を含むことができる。
この場合、そのチャープ型格子の方向は累積された色の
分散によって変わる。すなわち、チャネル1において、
Dλ1>ADλnであった場合、そのチャープ型のファイ
バ格子はその入口点において格子がλ1にあるように配
置されるが、チャネル1において、ADλ1<ADλnであ
った場合、そのチャープ型のファイバ格子は入口点にお
いてその格子がλnにあるように配置される。
【0023】図8はDCM82が光サーキュレータ73
と、ある長さの分散補正用ファイバ(DCF)85と、
単独の調整可能な分散補正用チャープ型ファイバ格子1
0gとを含むシステムを概略的に示している。単独のチ
ャープ型の格子デバイス10gの代わりに、複数の、す
なわち、n個の独立に調整可能な分散補正用格子を使う
ことができる(たとえば、図7のn個の格子10nを、
図8の単独のチャープ型格子10gの代わりに置き換え
ることができる)。この場合、色の分散補正の大半がD
CF 85によって行われる。理想の補正器とDCFと
の間の分散の傾斜のミスマッチによる各チャネルによる
残留の色彩分散は、補正用のチャープ型格子10g(あ
るいは、n個の独立に調整可能な分散補正用格子10
n)を使って補正される。チャープ型の分散格子10g
の方向またはn個の格子10nの順序に関連して図7を
参照して上で説明されたのと同じ原理が、図8の実施形
態に関して適用される。また、図7の中でのように、こ
のDCM 82は多重波長送信機70と、ある長さの光
ファイバ11と、多重波長受信機72とをさらに含んで
いるDWDMの一部を構成をすることができる。
【0024】図9は分散補正用モジュールを備える増幅
器95を概略的に示している。この増幅器は入力アイソ
レータ90と、第1の長さの稀土類ドープのファイバ1
1aと、第1の長さのファイバ11aを光学的にポンプ
するための第1のポンプ91と、第2の長さの稀土類ド
ープのファイバ11bと、第2の長さのファイバ11b
を光学的にポンプするための第2のポンプ91bと、出
力アイソレータ92と、サーキュレータ73と、n個の
独立に調整可能な分散補正用格子10nとを含む。この
光増幅器は色の分散に対して補正するだけでなく、調整
可能な補正器によって導入される損失をオフセットする
ための信号を増幅する。オプションとして、図8と同様
に、分散補正用ファイバ85をこの増幅器アセンブリに
おいて使うことができる。図10は多重波長送信機70
と、ある長さの光ファイバ11と、DCMを含んでいる
図9の増幅器を含む可能性がある増幅器95と、DCM
と、多重波長受信機72とを含むDWDMを概略的に示
しており、そのDCMは光回路73と、オプションのあ
る長さの分散補正用ファイバ(DCF)85と、一連の
調整可能な分散補正用ファイバ格子10nとを含む。
【0025】本発明の格子ベースの分散補正器は上記の
実施形態の中で示されているように、サーキュレータと
組み合わせて反射モードで動作させることができる。し
かし、代わりの装置は反射モードではなく、透過モード
で使用する。この場合、その格子は非チャープ型でアポ
ダイズされており、透過が大きい場所のストップ帯域の
端に近い場所に分散が存在していることが好ましい。し
たがって、分散は反射されるチャネルに対してではな
く、通過チャネルに対して提供され、そしてサーキュレ
ータを回避することができる。たとえば、磁歪効果ボデ
ィを使うことによって、格子に対して一定の張力を加え
ることにより、格子の中心波長をシフトさせることがで
きる。これによって、隣接しているチャネルに対する分
散の大きさが変わり、したがって、その格子の分散を調
整するための手段を提供する。サーキュレータの使用を
避けて、透過モードにおいて補正器を動作させるための
もう1つの方法は、たとえば、前に記述されたように、
格子の中にチャーピングを導入することである。この場
合、そのチャーピングおよび格子のスペクトルの結果の
広がりが隣接チャネルに近付き、したがって、中央波長
をシフトせずに分散特性が変えられる。
【0026】上記実施形態は本発明の用途を示すことが
できる多くの実施形態のうちのごく少数の例であること
を理解されたい。多くの、そして変形した他の装置が、
本発明の精神および範囲から逸脱することなしに、この
分野の技術に熟達した人によって作られることができる
ことを理解されたい。
【0027】本発明の有利な性質および他の特徴が添付
の図面の中で記述されている例示としての実施形態を考
慮することによって、より完全に理解することができる
だろう。上記図面は本発明の概念を説明するためのもの
であって、正確な縮尺図ではないことを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図1A】磁歪効果ボディおよびラッチ可能な磁気構成
部品を含んでいる、本発明の調整可能な波長シフト・デ
バイスの実施形態を概略的に示す。
【図1B】磁歪効果ボディおよびラッチ可能な磁気構成
部品を含んでいる、本発明の調整可能な波長シフト・デ
バイスの実施形態を概略的に示す。
【図1C】磁歪効果ボディおよびラッチ可能な磁気構成
部品を含んでいる、本発明の調整可能な波長シフト・デ
バイスの実施形態を概略的に示す。
【図2】本発明によって実現することができる、磁歪効
果によって発生される歪みおよびその結果の波長シフト
のラッチ可能性を概略的に示す。
【図3A】図1に示されているものの代替実施形態を示
す。
【図3B】図1に示されているものの代替実施形態を示
す。
【図3C】図1に示されているものの代替実施形態を示
す。
【図3D】図1に示されているものの代替実施形態を示
す。
【図4A】各種の磁歪効果ボディを使っていて追加の磁
気構成部品がない、本発明の補正器の代替実施形態であ
る。
【図4B】各種の磁歪効果ボディを使っていて追加の磁
気構成部品がない、本発明の補正器の代替実施形態であ
る。
【図4C】各種の磁歪効果ボディを使っていて追加の磁
気構成部品がない、本発明の補正器の代替実施形態であ
る。
【図5A】本発明によって実現することができる、各種
のタイプの分散調整を概略的に示す。
【図5B】本発明によって実現することができる、各種
のタイプの分散調整を概略的に示す。
【図5C】本発明によって実現することができる、各種
のタイプの分散調整を概略的に示す。
【図5D】本発明によって実現することができる、各種
のタイプの分散調整を概略的に示す。
【図5E】本発明によって実現することができる、各種
のタイプの分散調整を概略的に示す。
【図6】本発明のデバイスを含んでいる分散補正器アセ
ンブリを備えるnチャネルWDM通信システムを概略的
に示す。
【図7】本発明のデバイスを備える少なくとも1つの分
散補正器を備える光通信システムを概略的に示す。
【図8】本発明のデバイスを備える少なくとも1つの分
散補正器を備える光通信システムを概略的に示す。
【図9】本発明のデバイスを備える少なくとも1つの分
散補正器を備える光通信システムを概略的に示す。
【図10】本発明のデバイスを備える少なくとも1つの
分散補正器を備える光通信システムを概略的に示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ローランド パトリッシオ エスピンドラ アメリカ合衆国 07928 ニュージャーシ ィ,チャサム,ノース パサイック アヴ ェニュー 37 (72)発明者 サンゴー ジン アメリカ合衆国 07946 ニュージャーシ ィ,ミリングトン,スカイライン ドライ ヴ 145 (72)発明者 ハリーシュ マボーリ アメリカ合衆国 08854 ニュージャーシ ィ,ピスカタウェイ,プレゼントヴュー ドライヴ 245−ビー (72)発明者 トーマス アンドリュー ストラッサー アメリカ合衆国 07060 ニュージャーシ ィ,ウァーレン,ハーモニー ロード 6

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 調整可能な光学的波長シフト用デバイス
    を含む物品であって、前記デバイスは、 間隔をおいて配置された複数の格子要素を備えている格
    子領域を含んでいるある長さの導波器と、 前記格子領域における前記導波器に対してその長さ方向
    に沿ってボンドされている少なくとも1つの細長い磁歪
    効果ボディとを含み、前記ボディが磁場にさらされる
    時、前記ボディが膨張または収縮し、それによって弾性
    歪みを誘起して、格子要素間の間隔を調整し、前記デバ
    イスの波長応答を調整するようになっている物品。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の物品において、前記の
    ある長さの導波器がある長さの光ファイバを含む物品。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の物品において、前記格
    子が光学的ブラッグ格子である物品。
  4. 【請求項4】 請求項1に記載の物品において、前記格
    子が前記デバイスの動作の前には非チャープ型の格子で
    あり、それによって前記ボディの中に誘起された弾性歪
    みが、前記格子をチャープ型の格子に変えるようになっ
    ている物品。
  5. 【請求項5】 請求項1に記載の物品において、前記格
    子が一様に、あるいは一様でないようにチャープされた
    格子であって、前記ボディの中に弾性歪みを導入するこ
    とによって、前記格子の中のチャーピングが増加または
    変化するようになっている物品。
  6. 【請求項6】 請求項1に記載の物品において、前記ボ
    ディがラッチ可能でない磁歪効果ボディを含み、そして
    さらに前記格子の中のラッチ可能な波長シフトを生成す
    るために、少なくとも1つのプログラム可能でラッチ可
    能な磁気構成部品と、少なくとも1つのソレノイドとを
    含む物品。
  7. 【請求項7】 請求項6に記載の物品において、前記少
    なくとも1つの磁気構成部品が、寸法的な勾配を有する
    細長い形状の構成部品であり、前記ボディおよび前記構
    成部品の回りに巻かれたソレノイドのコイルと一緒に前
    記ボディのサイドに沿って配置されており、前記寸法的
    勾配は前記構成部品の複数の場所からの空間的に変化す
    る漏洩磁束を提供するようになっている物品。
  8. 【請求項8】 請求項7に記載の物品において、前記寸
    法的勾配が前記構成部品の表面上に複数のノッチを含
    み、前記構成部品は前記ノッチが前記ボディに向かい合
    うように配置されている物品。
  9. 【請求項9】 請求項1に記載の物品において、前記磁
    歪効果ボディは寸法的な微細構造、または化学的性質の
    勾配を備えており、前記ボディが一様に歪みを受ける時
    に前記格子の中にチャーピングが誘起されるように、磁
    歪特性における勾配が誘起されるようになっている物
    品。
  10. 【請求項10】 請求項6に記載の物品において、前記
    少なくとも1つの磁気構成部品が、残留磁化をパルスの
    磁場によって変更できる材料から構成されている物品。
  11. 【請求項11】 請求項6に記載の物品において、前記
    少なくとも1つの磁気構成部品が、細長い形であって、
    前記ボディに対して実質的に直角に置かれており、そし
    て前記ソレノイドのコイルが前記構成部品の回りに巻か
    れている物品。
  12. 【請求項12】 請求項6に記載の物品において、組み
    合わさっている磁極が空間的に隔てられていて、前記ボ
    ディの軸に平行な1つの軸に沿って配置されている2つ
    の細長い磁気構成部品を含んでいて、それによって、磁
    場の強さが前記磁極からの距離の関数として減少し、前
    記磁歪効果ボディ上に勾配の付けられた磁場の効果を提
    供するようになっている物品。
  13. 【請求項13】 請求項1に記載の物品において、前記
    弾性歪みがラッチ可能であり、前記デバイスの波長応答
    がパワーを連続的に供給せずに、制御可能なように変え
    られるようになっている物品。
  14. 【請求項14】 請求項1に記載の物品において、前記
    デバイスが光ファイバの分散補正器を含む物品。
  15. 【請求項15】 光サーキュレータと、請求項14に記
    載の独立に調整可能な補正器デバイスとを含む分散補正
    モジュール。
  16. 【請求項16】 多重波長光信号チャネルのソースと、
    光ファイバ幹線と、多重光信号チャネルを受信するため
    の受信機と、マルチプレクサ/デマルチプレクサと、請
    求項14に記載の1つまたはそれ以上の分散補正用格子
    とを含む波長分割多重光通信システム。
  17. 【請求項17】 請求項16に記載のシステムにおい
    て、ある長さの分散補正用ファイバをさらに含むシステ
    ム。
  18. 【請求項18】 透過モードで動作している、請求項1
    に記載の少なくとも1つの調整可能な分散補正用格子を
    含む分散補正用モジュール。
  19. 【請求項19】 入力アイソレータと、第1の長さの稀
    土類ドープのファイバと、前記長さのファイバを光学的
    にポンプするための第1のポンプと、第2の長さの稀土
    類ドープのファイバと、前記第2の長さのファイバを光
    学的にポンプするための第2のポンプと、出力アイソレ
    ータと、サーキュレータと、請求項1に記載の複数の調
    整可能デバイスとを含む光増幅器。
  20. 【請求項20】 請求項1に記載の物品において、前記
    ボディがNi、Co、Fe、Sm、Cr、Tb、または
    Dyのうちの1つまたはそれ以上で製造された、正また
    は負の磁歪効果材料を含む物品。
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