JP2000082747A - Semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は配線材料のレーザ切断に
関する。特に、半導体装置や高密度配線基板の配線変更
にレーザ切断を周辺にダメージなく実施するレーザによ
る配線切断加工方法及びレーザ加工装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to laser cutting of wiring materials. In particular, the present invention relates to a laser cutting method and a laser processing apparatus for performing laser cutting without changing the periphery of a semiconductor device or a high-density wiring board by laser cutting.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、レーザによるＬＳＩ配線切断技術
については、冗長化技術として、アイ・イー・イー・イ
ー ジャーナル オブ ソリッド・ステートサーキッ
ト，エス・シー１６巻５号１９８１年１０月号第５０６
頁から第５１３頁（ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ，ｖｏｌ，
ＳＣ−１６，Ｎｏ．５，Ｏｃｔ．１９８１，ｐｐ５０６
〜５１３）において述べられている。2. Description of the Related Art Conventionally, an LSI wiring cutting technique using a laser has been proposed as a redundancy technique by the IEE Journal of Solid State Circuits, vol.16, No.5, October 1981, No.506.
Page to page 513 (IEEE Journal of
Solid-State Circuits, vol.
SC-16, No. 5, Oct. 1981, pp506
513).
【０００３】また、他の従来技術として、ＬＳＩのＡｌ
配線の切断についてアナルズ オブザ シーアイアール
ピー２８／１巻１９７９年号第１１３頁から第１１６頁
（Ａｕｎａｌｓ ｏｆ ｔｈｅ ＣＩＲＰ Ｖｏｌ．２
８／１，１９７９，ｐ１１３〜１１６）に述べられてい
る。[0003] Another conventional technique is the use of Al
Disconnection of wiring Anals of the CIRP 28/1 1979, pp. 113 to 116 (Anals of the CIRP Vol. 2)
8/1, 1979, pp. 113-116).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、ダ
メージを与えずに加工できるレーザパワーの有効範囲が
狭く、かつ、レーザ光が配線から外れるとなおダメージ
が発生しやすい等の課題があった。In the above-mentioned prior art, there is a problem that the effective range of laser power that can be processed without causing damage is narrow, and that damage is liable to occur when the laser beam deviates from the wiring. .
【０００５】本発明の目的は、半導体装置や高密度配線
基板に対し、下層の基板や配線等にダメージを与えるこ
となく、広いレーザパワー範囲に亘って配線切断加工が
できるようにしたレーザによる配線切断加工方法を提供
することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a semiconductor device and a high-density wiring board which are capable of cutting a wiring over a wide laser power range without damaging an underlying substrate or a wiring. An object of the present invention is to provide a cutting method.
【０００６】また、本発明の他の目的は、被加工物に対
し、所望のパターンを投影して広いレーザパワー範囲に
亘ってレーザ加工できるようにしたレーザ加工装置を提
供することにある。Another object of the present invention is to provide a laser processing apparatus capable of projecting a desired pattern onto a workpiece and performing laser processing over a wide laser power range.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は１０-9秒以下のパルス幅のレーザ光を、半
導体装置又は高密度多層配線基板の配線上の所望箇所に
照射し、上記配線の下層に対してダメージを与えること
なく、上記配線を切断加工することを特徴とするレーザ
による配線切断加工方法である。In order to achieve the above object, the present invention irradiates a laser beam having a pulse width of 10 -9 seconds or less to a desired portion on a wiring of a semiconductor device or a high-density multilayer wiring board. A wiring cutting method using a laser, wherein the wiring is cut without damaging a lower layer of the wiring.
【０００８】また本発明は、上記レーザによる配線切断
加工方法において、上記レーザ光を所望形状に形成した
パターン投影により上記配線幅にほぼ合わせるように照
射することを特徴とするレーザによる配線切断加工方法
である。According to the present invention, in the method of cutting a wiring by a laser, the laser beam is irradiated so as to substantially match the width of the wiring by projecting a pattern formed into a desired shape. It is.
【０００９】また本発明は、上記レーザによる配線切断
加工方法において、上記パターン投影として、投影マス
クを用いることを特徴とするレーザによる配線切断加工
方法である。The present invention also provides a method for cutting a wiring by laser, wherein a projection mask is used as the pattern projection.
【００１０】また本発明は、上記レーザによる配線切断
加工方法において、上記投影マスクに現出させるパター
ンを、撮像した配線の像として照射域合わせをセルフア
ライメントで行うことを特徴とするレーザによる配線切
断加工方法である。According to the present invention, there is provided a method for cutting a wiring by a laser, wherein a pattern to be exposed on the projection mask is subjected to self-alignment by adjusting an irradiation area as an image of a picked-up wiring. It is a processing method.
【００１１】また本発明は、上記レーザによる配線切断
加工方法において、上記配線がＬＳＩメモリの欠陥ビッ
ト救済用のリンクであることを特徴とするレーザによる
配線切断加工方法である。The present invention also provides a method for cutting a wiring by laser, wherein the wiring is a link for repairing a defective bit of an LSI memory.
【００１２】また本発明は、上記レーザによる配線切断
加工方法において、上記高密度多層配線基板として、薄
膜多層基板で形成したことを特徴とするレーザによる配
線切断加工方法である。The present invention also provides a method for cutting a wiring by laser, wherein the high-density multilayer wiring substrate is formed by a thin-film multilayer substrate.
【００１３】また、上記他の目的を達成するために、本
発明は、１０-9秒以下のパルス幅で高出力のレーザ光を
出力するレーザ光源と、該レーザ光源から出力されたレ
ーザ光を所望のパターンに形成して被加工物に投影する
投影光学系とを備えたことを特徴とするレーザ加工装置
である。According to another aspect of the present invention, there is provided a laser light source for outputting high-power laser light with a pulse width of 10 −9 seconds or less, and a laser light output from the laser light source. And a projection optical system for forming a desired pattern and projecting the pattern onto a workpiece.
【００１４】また、本発明は上記レーザ加工装置におい
て、上記投影光学系として、透過型液晶マスクを有する
ことを特徴とするレーザ加工装置である。Further, the present invention is the laser processing apparatus, wherein the projection optical system includes a transmission type liquid crystal mask.
【００１５】また、本発明は上記レーザ加工装置におい
て、更に、上記投影パターンの像と被加工物の像とを撮
像して表示する撮像・表示手段を備えたことを特徴とす
るレーザ加工装置である。Further, the present invention relates to the above-mentioned laser processing apparatus, further comprising an image pickup / display means for picking up and displaying the image of the projection pattern and the image of the workpiece. is there.
【００１６】即ち本発明は、レーザ光源のパルス幅を、
除去現像の超るより短いパルスにし、レーザ光の照射域
を、液晶投影マスクにより、加工される配線の幅に成形
して照射するようにしたことにより、正確に照射できる
ようにし、また、広いパワー範囲でダメージなく加工で
きるようにしたものである。That is, according to the present invention, the pulse width of the laser
By making the pulse shorter than the removal development, the irradiation area of the laser beam is shaped to the width of the wiring to be processed by the liquid crystal projection mask, and the irradiation is performed. It can be processed without damage in the power range.
【００１７】レーザ光による配線切断除去加工において
は、熱現象としての飛散除去が起るには、１ｎｓ以上の
時間を要することを見出したことにある。そこで、本発
明者は、パルス幅が１ｎｓ以下のパルスの高出力のレー
ザ光を、半導体装置又は高密度多層配線基板上の配線の
所望箇所に照射して配線切断加工を行えば、配線材料が
無くなった跡に、レーザパルスが侵入することは起こら
ないと見出した。即ち、パルス幅が１ｎｓ以下のパルス
レーザ光であれば、配線切断加工ができるように照射レ
ーザのパワーが大きくなってもレーザパルスが続いてい
る間（１ｎｓ以下）は、配線材料が元の場所に存在し、
全てのレーザエネルギを配線材料が受け止めることにな
る。このため、半導体装置又は高密度多層配線基板にお
いて、熱伝導率の低いＳｉＯ2等の絶縁膜をはさんで下
層に存在するＳｉ等の基板又は薄膜配線はレーザ光にさ
らされることがなく、ダメージを発生させることがな
い。なお、配線切断に要するピークパワーＰは概略パル
ス幅Ｓの２重根に反比例し、次のような関係にある。It has been found that, in the wiring cutting and removing processing using laser light, it takes 1 ns or more for scattering removal as a thermal phenomenon to occur. The inventor of the present invention irradiates a high-power laser beam of a pulse having a pulse width of 1 ns or less to a desired portion of a wiring on a semiconductor device or a high-density multilayer wiring board to perform wiring cutting processing. It has been found that laser pulses do not penetrate the lost trace. That is, if the pulse width is 1 ns or less, even if the power of the irradiation laser is increased so that the wiring can be cut, the wiring material remains at the original position while the laser pulse continues (1 ns or less). Exists in
All the laser energy is received by the wiring material. For this reason, in a semiconductor device or a high-density multilayer wiring board, a substrate or a thin film wiring of Si or the like existing under the insulating film of low thermal conductivity such as SiO 2 is not exposed to the laser beam, and is not damaged. Does not occur. The peak power P required for cutting the wiring is approximately inversely proportional to the double root of the pulse width S, and has the following relationship.
【００１８】[0018]
【数１】 (Equation 1)
【００１９】ここで、Ｐ0，Ｓ0は元のピークパワーと元
のパルス幅であり、Ｋは比例定数である。Here, P 0 and S 0 are the original peak power and the original pulse width, and K is a proportional constant.
【００２０】従って、パルス幅を従来の１００ｎｓ前後
から本発明のように、例えば１００ｐｓ〜３００ｐｓ前
後に２桁短くするとピークパワーは従来より約１０〜２
０倍前後大きくする必要がある。但し、必要となるエネ
ルギーＥは、ピークパワーとパルス幅の積、Ｅ＝Ｐ・Ｓ
であるため、Ｋが１前後の場合はパルス幅の２重根に比
例し、従来より１桁程度少なくてすむ。しかし、全ての
レーザエネルギを配線材料が受け止める関係で、下層へ
のダメージを及ぼすことなく、配線を切断することがで
きる。Therefore, when the pulse width is shortened by about two digits from about 100 ns to about 100 ps to 300 ps, for example, as in the present invention, the peak power becomes about 10 to 2 times as compared with the prior art.
It needs to be about 0 times larger. However, the required energy E is the product of the peak power and the pulse width, E = P · S
Therefore, when K is around 1, it is proportional to the double root of the pulse width, and can be reduced by about one digit as compared with the conventional case. However, since all the laser energy is received by the wiring material, the wiring can be cut without damaging the lower layer.
【００２１】この様子を図に示すと図４のようになる。
Ａ１の沸点は約２２７０℃である。そこで、１ｎｓ以下
の短いパルス幅のレーザ光が、例えばＡ１等の配線表面
に照射されると、そのエネルギ吸収は１０-15ｓｅｃ前
後の短い時間で行われ、一方、そのエネルギがＡ１等の
配線内において熱に変換するには、１ｎｓ前後の時間を
必要とすることを見出した。従って、１ｎｓ以下の短い
パルスレーザ光であれば、いくら強いパルスレーザ光を
照射しても、いくら強いレーザ光を照射しても、照射さ
れた配線が熱現象による変化を起こす前に、レーザパル
スの照射が終了するため、熱現象による除去のあとにレ
ーザ光が侵入することは起りえず、配線の下層にダメー
ジを及ぼすことなく、配線の所望箇所を切断することが
できる。FIG. 4 shows this state.
The boiling point of A1 is about 2270 ° C. Therefore, when a laser beam having a short pulse width of 1 ns or less is irradiated on a wiring surface such as A1, for example, the energy is absorbed in a short time of about 10 -15 sec. It has been found that it takes about 1 ns to convert to heat in the furnace. Therefore, no matter how intense the pulsed laser light is, if the pulsed laser light is shorter than 1 ns, no matter how intense the pulsed laser light is irradiated, the laser pulse before the irradiated wiring changes due to the thermal phenomenon. Is completed, the laser light does not enter after removal by the thermal phenomenon, and a desired portion of the wiring can be cut without damaging the lower layer of the wiring.
【００２２】また、レーザ照射の領域を液晶投影マスク
等で配線の所望箇所の位置（幅）寸法に正確に整合させ
ることができるため、配線外にレーザ光が当たることが
なく、周辺及び下層にダメージを発生させることもな
く、正確な除去加工を行うことができる。Further, since the laser irradiation area can be accurately matched with the position (width) dimension of a desired portion of the wiring by using a liquid crystal projection mask or the like, the laser light does not shine outside the wiring, and the peripheral and lower layers are not exposed. Accurate removal processing can be performed without causing damage.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１に
より説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
【００２４】数ｍｊｏｕｌでパルス幅が１ｎｓ以下（１
００〜３００ｐｓ）のピコ秒レーザ１から出たレーザ光
２は反射ミラー３で９０゜屈折され、透過形液晶マスク
４に導かれる。そして液晶マスク４の光透過パターン部
を通った光５は観察用ハーフミラー６と投影加工レンズ
７を通過して、液晶パターンの像が投影される形で半導
体装置又は高密度多層基板等の被加工物８の表面に照射
される。被加工物８はＸＹテーブル９に載せられて、テ
ーブル制御電源１０によって自動運転される。液晶マス
ク４は投影パタン照明ランプ１１によって照明されてお
り、被加工物８は物体照明ランプ１２によりハーフミラ
ー１３を介して照明されている。ハーフミラー１３の後
方には撮像管または固体撮像素子などよりなる撮像器１
４を配し、被加工物８の加工部を撮像する。撮像された
像は画像判定処理器１５に入り、その像のレーザ照射す
べき場所をパターン認識し、その像１６とレーザ照射す
べきエリア１７をＴＶモニタ１８上に出すとともに、液
晶パターン制御器１９にその信号を送り込み、液晶マス
タ４に、照射すべきエリア１７に相当する部分を透過パ
ターンとして正確に半導体装置又は高密度多層基板８上
の配線の所望箇所に整合するように発生させる。そし
て、液晶マスクパターンが照射されるべきエリアに作ら
れ、配線の所望箇所に投影パタン照明ランプで正確に照
明されていることが撮像器１４と画像判定処理器１５で
確認されると画像判定処理器１５からレーザ照射信号が
レーザ電源制御部２０に送られ、レーザ発振が行われ
る。かくして、レーザ加工部の必要な箇所のみに正確に
レーザ照射できるようになった。In a few mjoul, the pulse width is 1 ns or less (1
The laser light 2 emitted from the picosecond laser 1 (00 to 300 ps) is refracted by 90 ° by the reflection mirror 3 and guided to the transmission type liquid crystal mask 4. The light 5 that has passed through the light transmitting pattern portion of the liquid crystal mask 4 passes through the observation half mirror 6 and the projection processing lens 7, and is projected onto a semiconductor device or a high-density multilayer substrate in the form of projecting an image of the liquid crystal pattern. The surface of the workpiece 8 is irradiated. The workpiece 8 is placed on an XY table 9 and automatically operated by a table control power supply 10. The liquid crystal mask 4 is illuminated by a projection pattern illumination lamp 11, and the workpiece 8 is illuminated by an object illumination lamp 12 via a half mirror 13. Behind the half mirror 13, an image pickup device 1 including an image pickup tube or a solid-state image pickup device
4 is arranged, and an image of a processed portion of the workpiece 8 is taken. The picked-up image enters the image determination processor 15, which recognizes the pattern of the image to be irradiated with the laser, puts out the image 16 and the area 17 to be irradiated with the laser on the TV monitor 18, The signal is sent to the liquid crystal master 4 to generate a portion corresponding to the area 17 to be irradiated as a transmission pattern so as to be accurately aligned with a desired portion of the wiring on the semiconductor device or the high-density multilayer substrate 8. Then, when it is confirmed by the imaging device 14 and the image determination processor 15 that the liquid crystal mask pattern is formed in the area to be irradiated and that the desired portion of the wiring is accurately illuminated by the projection pattern illumination lamp, the image determination process is performed. The laser irradiation signal is sent from the device 15 to the laser power control unit 20, and laser oscillation is performed. Thus, it is possible to accurately irradiate a laser only to a necessary portion of the laser processing portion.
【００２５】また、画像判定処理器１５に、複数の照射
箇所の位置情報を与える加工位置入力器２１を接続し、
情報入力を与えることにより、投影加工により、一度に
複数の箇所のレーザ加工を行うことができ、ＬＳＩメモ
リビット救済等について大幅に処理速度を上げることが
できるようになった。Further, a processing position input device 21 for providing position information of a plurality of irradiation locations is connected to the image determination processor 15,
By providing information input, laser processing can be performed on a plurality of locations at once by projection processing, and the processing speed for LSI memory bit rescue and the like can be greatly increased.
【００２６】図２は本発明の一実施例で、（ａ）は被加
工物の撮像表示例である。また（ｂ）は液晶マスクのパ
タン発生状態の例である。液晶マスクのエリアに対応す
る部分の被加工物の像３２は図３に示すように大容量Ｌ
ＳＩメモリーの欠陥ビット救済リンクである。外側を不
純物をドーピングしたガードリング３３で囲まれた例え
ばＰｏｌｙ−Ｓｉ等の救済リンク３４ａ〜３４ｄの４本
が示されている。そのうち、加工位置入力器２１によっ
て与えられた情報により、３４ｂと３４ｄのリンクを切
断しようとしていることを示している。そして図２
（ｂ）に示す如く、液晶マスクは３５ａと３５ｂだけが
レーザ光を透過する領域としてパターンが発生されてい
る。図２（ｃ）に示したａはこのパタンにより投影照射
されたレーザ光により加工が行われた救済リンクの加工
後の状態である。このように複数のリンクを１回の加工
で正確に切断することができるようになった。FIG. 2 shows an embodiment of the present invention, and FIG. 2 (a) shows an example of a display image of a workpiece. (B) is an example of a pattern generation state of the liquid crystal mask. The image 32 of the workpiece at the portion corresponding to the area of the liquid crystal mask has a large capacity L as shown in FIG.
This is a link for repairing defective bits of the SI memory. For example, four rescue links 34a to 34d of Poly-Si or the like surrounded by a guard ring 33 doped with impurities on the outside are shown. Among them, the information provided by the machining position input device 21 indicates that the link between 34b and 34d is about to be cut. And FIG.
As shown in (b), a pattern is generated in the liquid crystal mask as an area where only 35a and 35b transmit the laser beam. A shown in FIG. 2C is a state after processing of the rescue link processed by the laser light projected and irradiated by this pattern. As described above, a plurality of links can be accurately cut by one processing.
【００２７】例えば、大容量の半導体メモリチップは数
万〜数十万個の機能素子を数ｍｍ角のチップ内に作るた
め、生産歩留りを上げるのには大変な困難をともなう。
そこで予備のメモリーセルをチップ内に設けておき、切
換用配線をレーザで切断することにより、欠陥の発生し
たメモリーを外し、予備のメモリを接続することができ
る。即ち大容量ＬＳＩメモリーの欠陥ビット救済の場
合、図３に示すように形成されている。図３（ａ）はそ
の平面構成を、図３（ｂ）はその断面構成を示す。即ち
Ａｌ配線３５に接続されたＰｏｌｙ−Ｓｉ等の切換用配
線３４に約１０6〜１０9ｗ／ｃｍ2のパワーでピコ秒レ
ーザ光を投影パターンとして配線幅にほぼ合せて照射
し、この切換用配線３４の所望箇所を切断する。これに
より、予備のメモリに接続することができる。切換用配
線３４は基板Ｓｉ３７の上に敷かれた絶縁用熱酸化膜Ｓ
ｉＯ2３８の上に形成され、その材料は、Ｐｏｌｙ−Ｓ
ｉや、Ａｌ，金属シリサイド等が用いられる。その上に
ＳｉＯ2膜（保護膜）３９をコートし、保護膜としてい
る。しかし、上記実施例によれば、全てのレーザエネル
ギが切換用配線３４で受け止められ、熱伝導率の低いＳ
ｉＯ2等の絶縁膜３８をはさんで下層に存在するＳｉ等
の基板３７はレーザ光にさらされることなく、切換用配
線３４の所望箇所３５が切断でき、Ｓｉ等の基板３７に
ダメージの発生を防止することができる。For example, a large-capacity semiconductor memory chip has tens of thousands to hundreds of thousands of functional elements formed in a chip of several mm square, so that it is very difficult to increase the production yield.
Therefore, a spare memory cell is provided in the chip, and the switching wiring is cut by a laser, so that the defective memory can be removed and the spare memory can be connected. That is, in the case of repairing a defective bit in a large-capacity LSI memory, it is formed as shown in FIG. FIG. 3A shows the plan configuration, and FIG. 3B shows the cross-sectional configuration. That is, a picosecond laser beam is irradiated as a projection pattern to the switching wiring 34 such as Poly-Si connected to the Al wiring 35 at a power of about 10 6 to 10 9 w / cm 2 substantially in accordance with the wiring width, and this switching is performed. A desired portion of the wiring for use 34 is cut. Thereby, it is possible to connect to the spare memory. The switching wiring 34 is a thermal oxide film S for insulation laid on a substrate Si37.
Formed on top of iO 2 38, the material is Poly-S
i, Al, metal silicide, or the like is used. An SiO 2 film (protective film) 39 is coated thereon to form a protective film. However, according to the above embodiment, all the laser energy is received by the switching wiring 34, and the S
A desired portion 35 of the switching wiring 34 can be cut off without exposing the underlying substrate 37 made of Si or the like sandwiching the insulating film 38 made of iO 2 or the like to a laser beam, thereby causing damage to the substrate 37 made of Si or the like. Can be prevented.
【００２８】また前記実施例ではＬＳＩメモリの欠陥ビ
ット救済の場合について説明したが、薄膜多層構造を有
する半導体装置又は高密度多層基板へも適用できること
は明かである。即ち、下層の薄膜配線にダメージを与え
ることなく、上層の薄膜配線を切断することができる。In the above embodiment, the case of repairing defective bits of an LSI memory has been described. However, it is apparent that the present invention can be applied to a semiconductor device having a thin film multilayer structure or a high density multilayer substrate. That is, the upper thin film wiring can be cut without damaging the lower thin film wiring.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、レ
ーザ光により下層にダメージを与えることなく、容易に
配線を切断加工することができる。（図５に示す）。As described above, according to the present invention, the wiring can be easily cut without damaging the lower layer by the laser beam. (Shown in FIG. 5).
【００３０】また本発明によれば、液晶投影による自己
整合方式を用いたことにより、正確にレーザ照射ができ
るようになったため、切断すべきリンクの外にレーザが
当ってダメージを起すということがなくなった。Further, according to the present invention, since the laser irradiation can be accurately performed by using the self-alignment method by the liquid crystal projection, the laser may hit the outside of the link to be cut and cause damage. lost.
【００３１】また、本発明によれば１回での加工域を一
つに限定されなくなったため、加工効率が大幅に上っ
た。Further, according to the present invention, the processing area per one processing is not limited to one, so that the processing efficiency is greatly improved.
【００３２】また、本発明によれば液晶マスクを用いた
ことにより、電気的にパターンの変更ができるため、十
分高速に次々と新しい場所をマスキング加工できるよう
になった。Further, according to the present invention, since the pattern can be changed electrically by using the liquid crystal mask, it is possible to perform masking processing at new locations one after another at a sufficiently high speed.
【図１】図１は本発明のレーザ加工装置の一実施例を示
す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing one embodiment of a laser processing apparatus of the present invention.
【図２】図２は図１に示す装置を半導体メモリのビット
欠陥救済に適用した場合の投影パターン発生と配線切断
結果とを示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a projection pattern generation and a wiring cutting result when the device shown in FIG. 1 is applied to bit defect relief of a semiconductor memory.
【図３】図３は半導体メモリのビット欠陥救済リンクの
平面と断面とを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a plane and a cross section of a bit defect repair link of the semiconductor memory;
【図４】図４は本発明の作用を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the operation of the present invention.
【図５】図５は本発明の作用効果を示す図である。FIG. 5 is a view showing the operation and effect of the present invention.
１…ピコ秒レーザ，２…レーザ光，４…液晶マスク，７
…投影加工レンズ，８…半導体装置又は高密度多層基板
（被加工物），９…ＸＹテーブル，１０…制御電源，１
２…物体照明ランプ，１４…撮像器，１５…画像判定処
理器，１８…ＴＶモニタ，１９…液晶パターン制御器，
２１…加工位置入力器，３４…救済リンク（切換用配
線），３６…投影パターン（切断箇所），３７…Ｓｉ基
板。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Picosecond laser, 2 ... Laser beam, 4 ... Liquid crystal mask, 7
... Projection processing lens, 8 ... Semiconductor device or high-density multilayer substrate (workpiece), 9 ... XY table, 10 ... Control power supply, 1
2: Object illumination lamp, 14: Imager, 15: Image determination processor, 18: TV monitor, 19: Liquid crystal pattern controller,
Reference numeral 21: processing position input device, 34: relief link (switching wiring), 36: projection pattern (cut portion), 37: Si substrate.
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【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１１年９月２４日（１９９９．９．２
４）[Submission date] September 24, 1999 (1999.9.2)
4)
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００１[Correction target item name] 0001
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【０００１】[0001]
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関す
る。特に、レーザの照射により一部を切断加工した薄膜
配線パターンを有する半導体装置に関する。[0001] The present invention relates to a semiconductor device. In particular, the present invention relates to a semiconductor device having a thin film wiring pattern partially cut by laser irradiation.
【手続補正２】[Procedure amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００５[Correction target item name] 0005
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【０００５】本発明の目的は、半導体装置において、下
層の基板や配線等にダメージを与えることなく、広いレ
ーザパワー範囲に亘って配線切断加工ができるようにし
たレーザを用いて薄膜配線の一部を切断加工した構成を
有するによる半導体装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a semiconductor device in which a part of a thin film wiring is cut by using a laser capable of cutting a wiring over a wide laser power range without damaging an underlying substrate or wiring. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device having a configuration obtained by cutting a semiconductor device.
【手続補正３】[Procedure amendment 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００６[Correction target item name] 0006
【補正方法】削除[Correction method] Deleted
【手続補正４】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００７[Correction target item name] 0007
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、アルミ（Ａｌ）配線パターンを光学的
に透明な絶縁膜で被覆した構成を有する半導体装置にお
いて、光学的に透明な絶縁膜とその下部のアルミ（Ａ
ｌ）配線パターンを部分的にレーザの照射により除去さ
れている構成としたことを特徴とする。According to the present invention, there is provided a semiconductor device having a structure in which an aluminum (Al) wiring pattern is covered with an optically transparent insulating film. Insulating film and aluminum underneath (A
l) The configuration is such that the wiring pattern is partially removed by laser irradiation.
【手続補正５】[Procedure amendment 5]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００８[Correction target item name] 0008
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【０００８】又、本発明では、多層の薄膜配線層を備え
た半導体装置において、レーザの照射により切断された
薄膜配線パターンを有する層を多層の薄膜配線層のうち
少なくとも最下層以外の薄膜配線層に有する構成とした
ことを特徴とする。Further, according to the present invention, in a semiconductor device having a multi-layered thin film wiring layer, a layer having a thin film wiring pattern cut by laser irradiation may be replaced by a thin film wiring layer other than at least the lowermost layer among the multi-layered thin film wiring layers. Characterized by having a configuration having
【手続補正６】[Procedure amendment 6]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００９[Correction target item name] 0009
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【０００９】更に、本発明では、半導体装置において、
レーザの照射により透明絶縁膜とこの透明絶縁膜の下層
のアルミ（Ａｌ）配線パターンの一部が除去された構成
としたことを特徴とする。Further, according to the present invention, in a semiconductor device,
It is characterized in that a transparent insulating film and a part of an aluminum (Al) wiring pattern under the transparent insulating film are removed by laser irradiation.
【手続補正７】[Procedure amendment 7]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１０[Correction target item name] 0010
【補正方法】削除[Correction method] Deleted
【手続補正８】[Procedure amendment 8]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１１[Correction target item name] 0011
【補正方法】削除[Correction method] Deleted
【手続補正９】[Procedure amendment 9]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１２[Correction target item name] 0012
【補正方法】削除[Correction method] Deleted
【手続補正１０】[Procedure amendment 10]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１３[Correction target item name] 0013
【補正方法】削除[Correction method] Deleted
【手続補正１１】[Procedure amendment 11]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１４[Correction target item name] 0014
【補正方法】削除[Correction method] Deleted
【手続補正１２】[Procedure amendment 12]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１５[Correction target item name] 0015
【補正方法】削除[Correction method] Deleted
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丸山 重信 神奈川件横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産地術研究所内 (72)発明者 水越 克郎 神奈川件横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産地術研究所内 (72)発明者 山口 博司 神奈川件横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産地術研究所内 (72)発明者 森田 光洋 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所武蔵野工場内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Shigenobu Maruyama 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama, Kanagawa, Japan Inside the Manufacturing Research Center of Hitachi, Ltd. Address Co., Ltd.Hitachi Manufacturing Co., Ltd.Production Geographical Research Institute (72) Inventor Hiroshi Yamaguchi Kanagawa Case 292 Yoshidacho, Totsuka-ku, Yokohama-shi Co., Ltd.Hitachi Manufacturing Co., Ltd. 5-20-1 Mizumotocho Inside the Musashino Plant of Hitachi, Ltd.
Claims (5)
明な絶縁膜で被覆した構成を有する半導体装置であっ
て、前記光学的に透明な絶縁膜とその下部のアルミ（Ａ
ｌ）配線パターンを部分的にレーザの照射により除去さ
れていることことを特徴とする半導体装置。1. A semiconductor device having a structure in which an aluminum (Al) wiring pattern is covered with an optically transparent insulating film, wherein said optically transparent insulating film and an aluminum (A)
1) A semiconductor device wherein a wiring pattern is partially removed by laser irradiation.
って、レーザの照射により切断された薄膜配線パターン
を有する層を前記多層の薄膜配線層のうち少なくとも最
下層以外の薄膜配線層に有することを特徴とする半導体
装置。2. A semiconductor device having a multi-layered thin film wiring layer, wherein a layer having a thin film wiring pattern cut by laser irradiation is attached to at least a thin film wiring layer other than the lowermost layer of the multi-layered thin film wiring layer. A semiconductor device comprising:
縁膜の下層のアルミ（Ａｌ）配線パターンの一部が除去
された構成を有することを特徴とする半導体装置。3. A semiconductor device having a structure in which a transparent insulating film and a part of an aluminum (Al) wiring pattern under the transparent insulating film are removed by laser irradiation.
秒以下であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか
に記載の半導体装置。4. A pulse width of the laser to be irradiated is 10 -9.
4. The semiconductor device according to claim 1, wherein the time is less than a second.
状に合わせて整形されたレーザの照射により一部除去加
工されたことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記
載の半導体装置。5. The semiconductor device according to claim 1, wherein said wiring pattern is partially removed by laser irradiation shaped according to the shape of said wiring pattern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25122399A JP3279296B2 (en) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP25122399A JP3279296B2 (en) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | Semiconductor device |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12669190A Division JP3150322B2 (en) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | Wiring cutting method by laser and laser processing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000082747A true JP2000082747A (en) | 2000-03-21 |
| JP3279296B2 JP3279296B2 (en) | 2002-04-30 |
Family
ID=17219547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP25122399A Expired - Fee Related JP3279296B2 (en) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | Semiconductor device |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3279296B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100339175C (en) * | 2003-09-01 | 2007-09-26 | 株式会社东芝 | Apparatus for laser beam machining, machining mask, method for laser beam machining, method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device |
-
1999
- 1999-09-06 JP JP25122399A patent/JP3279296B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100339175C (en) * | 2003-09-01 | 2007-09-26 | 株式会社东芝 | Apparatus for laser beam machining, machining mask, method for laser beam machining, method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3279296B2 (en) | 2002-04-30 |
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