JP2000077973A - Transversal saw filter - Google Patents

Transversal saw filter

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JP2000077973A
JP2000077973A JP10244099A JP24409998A JP2000077973A JP 2000077973 A JP2000077973 A JP 2000077973A JP 10244099 A JP10244099 A JP 10244099A JP 24409998 A JP24409998 A JP 24409998A JP 2000077973 A JP2000077973 A JP 2000077973A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To maximize passing band width and to steepen an attenuation inclination by weighting main lobe and first and second side lobes. SOLUTION: On the main side of a piezoelectric substrate 1, an IDT electrode 3 is arranged at a prescribed interval with an IDT electrode 2 along with the propagating direction of surface waves. One comb-line electrode of the IDT electrode 2 is connected to an input terminal IN-1 and the other comb-line electrode is connected to an input terminal IN-2. Further, one comb-line electrode of the IDT electrode 3 is connected to an output terminal OUT-1 and the other comb-line electrode is connected to an output terminal OUT-2. Concerning the IDT electrode 2, the main lobe and the first and second side lobes are weighted for providing the desired frequency characteristics of a SAW filter. When the number of blocks of the main lobe is defined as L and the number of blocks of inverse SPUDT included in the main lobe is defined as N1, within the range of 0.08L<N1<0.6L, the filter of wide band and steep attenuation characteristics can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はトランスバーサルS
AWフィルタに関し、特に帯域幅を拡大すると共に減衰
傾度を急峻にしたトランスバーサルSAWフィルタに関
する。
The present invention relates to a transversal S.
The present invention relates to an AW filter, and more particularly, to a transversal SAW filter having an increased bandwidth and a sharp attenuation gradient.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、SAWデバイスは通信分野で広く
利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有す
ることから特に携帯電話等に多く用いられている。上記
SAWデバイスの一つにトランスバーサルSAWフィル
タがあり、図16は正規型電極を用いた例を示す概略図
構成図であって、圧電基板11の主面上に表面波の伝搬
方向に沿ってIDT電極12と、所定の間隔を空けてI
DT電極13を配置して構成する。IDT電極12、1
3はそれぞれ互いに間挿し合う複数の電極指を有する一
対のくし形電極から構成し、IDT電極12の一方のく
し形電極は入力端子IN_1に接続すると共に、他方のくし
形電極は入力端子IN_2に接続する。さらに、IDT電極
13の一方のくし形電極は出力端子OUT_1に接続すると
共に、他方のくし形電極は出力端子OUT_2に接続する。
2. Description of the Related Art In recent years, SAW devices have been widely used in the field of communications, and have been used particularly in mobile phones and the like because of their excellent features such as high performance, small size, and mass productivity. One of the SAW devices is a transversal SAW filter. FIG. 16 is a schematic diagram showing an example using a normal electrode, and is shown on the main surface of the piezoelectric substrate 11 along the propagation direction of the surface wave. IDT electrode 12 and I
The DT electrode 13 is arranged and configured. IDT electrodes 12, 1
Reference numeral 3 denotes a pair of comb-shaped electrodes each having a plurality of electrode fingers interposed therebetween. One of the IDT electrodes 12 is connected to the input terminal IN_1, and the other comb-shaped electrode is connected to the input terminal IN_2. Connecting. Further, one of the IDT electrodes 13 is connected to the output terminal OUT_1, and the other IDT electrode 13 is connected to the output terminal OUT_2.

【0003】正規型IDT電極のトランスバーサルSA
Wフィルタの伝送特性は、周知のように通過帯域幅B=
0.88/N(Nは電極指対数)であり、その中心周波
数を頂点とする丸みを帯びた特性となる。また、サイド
ローブの抑圧レベルは26dBとなる。正規型IDT電
極特有の丸みのある通過域特性をより平坦にする手法と
して、IDT電極12、13のいずれかに重み付けする
方法があり、表面波の励振強度が伝搬方向の位置の関数
となるように重み付けを行う手法である。重み付け法は
大別して、IDT電極の交差長Wを変化させて重み付け
をする方法(アポダイズ法)と、交差長Wは一定とし励
振強度を変えることによる重み付け法の2つの手法があ
る。アポダイズ法の特徴は比較的容易に正確な重み付け
ができるが、交差長Wの小さな部分で回折損が大きくな
り、挿入損失が劣化するという欠点がある。一方、励振
強度を変える手法の1つに電極間引き法があり、アポダ
イズ法の長所、短所と逆の関係になる。
[0003] Transversal SA of regular IDT electrode
As is well known, the transmission characteristics of the W filter are represented by a pass bandwidth B =
0.88 / N (N is the number of electrode finger pairs), and has a rounded characteristic with its center frequency at the top. Further, the suppression level of the side lobe is 26 dB. As a method of flattening the rounded passband characteristic peculiar to the normal type IDT electrode, there is a method of weighting any of the IDT electrodes 12 and 13 so that the excitation intensity of the surface wave becomes a function of the position in the propagation direction. This is a method of weighting. The weighting method is roughly classified into two methods: a method of changing the intersection length W of the IDT electrode to perform weighting (apodizing method), and a weighting method by changing the excitation intensity while keeping the intersection length W constant. The feature of the apodizing method is that it is relatively easy to perform accurate weighting, but there is a drawback in that a portion having a small intersection length W has a large diffraction loss and deteriorates an insertion loss. On the other hand, one of the techniques for changing the excitation intensity is an electrode thinning method, which has the opposite relationship to the advantages and disadvantages of the apodization method.

【0004】ここで、IDT電極の重み付け法であるア
ポダイズ法と電極間引き法について簡単に説明する。ア
ポダイズ法は、フィルタの伝送特性をフーリエ逆変換し
たときフーリエ係数からIDT電極の交差長を決める重
み付け方法であり、メインローブ、第1サイドローブ、
第2サイドローブ、・・等から構成される。最近では、
さらに設計精度を向上させたRemez Exchangeアルゴリズ
ムを用いて設計するようになり、ここでは第2サイドロ
ーブまでで打ち切る手法を取る。図18(a)は上記手
法に基づき交差長に包絡線状の重み付けを施したIDT
電極の概略構成図である。
[0004] Here, the apodizing method and the electrode thinning method, which are weighting methods for IDT electrodes, will be briefly described. The apodization method is a weighting method that determines the crossing length of the IDT electrode from the Fourier coefficient when the transmission characteristic of the filter is inversely Fourier transformed, and includes a main lobe, a first side lobe,
The second side lobe,... recently,
The design is made using the Remez Exchange algorithm with further improved design accuracy. In this case, a method of stopping at the second side lobe is used. FIG. 18A shows an IDT in which the intersection length is weighted in an envelope based on the above method.
It is a schematic structure figure of an electrode.

【0005】一方、電極間引き法は、上記の手法で設計
されたIDT電極のメインローブの交差長の最長のもの
を基準化し、周知の手順によって電極指の在るなしを決
定するものであって、図18(b)は同図(a)と等価
な特性を間引き電極により形成したものである。同図
(a)において包絡線の値が大きな位置では同図(b)
における電極指の配列が密になり、同図(a)において
包絡線の値が小さな位置では同図(b)における電極指
の配列が粗になっている。しかし実際のIDT電極構成
においては例えば、電極指が在る位置には励振可能なI
DT電極を配設し、電極指が無い位置には、励振作用の
ない電極を配設することになる。
On the other hand, the electrode thinning method refers to the IDT electrode having the longest crossing length of the main lobe of the IDT electrode designed by the above method, and determines the presence or absence of an electrode finger by a well-known procedure. FIG. 18B shows the characteristics equivalent to those shown in FIG. 18A formed by thinning electrodes. At the position where the value of the envelope is large in FIG.
The arrangement of the electrode fingers in FIG. 3A is dense, and the arrangement of the electrode fingers in FIG. However, in an actual IDT electrode configuration, for example, an excitable I
A DT electrode is provided, and an electrode having no excitation action is provided at a position where there is no electrode finger.

【0006】ここで励振可能なIDT電極と励振作用の
ないIDT電極について、数例を挙げて説明すると、図
17(a)に示したIDT電極基本区間は3/8λ幅の
電極指と、2つの1/8λ幅の電極指とから構成された
一方向性トランスデューサ(EWC-SPUDT)であり、図中
矢印方向(順方向)への反射作用を有する。尚、λは1
波長に相当し、基本区間とは1波長分のIDT電極構成
のことである。同図(b)に示す電極構成の基本区間は
励振作用はあるが、一方向反射は有しない。同図(c)
に示す構成の基本区間電極は励振作用はないが、図の矢
印方向への反射作用を有する。同図(d)は1/8λの
電極が同じ極性の電極にのみ接続された構造であり、励
振、反射の作用とも有しない。同図(e)の構成の基本
区間電極は(a)の電極と対称であり、励振作用と図中
矢印方向(逆方向)への一方向性を有する。また、同図
(f)に示す構成の 基本区間電極は励振作用は有しな
いが、矢印方向への一方向性(逆方向)の反射作用を有
する。図17(a)、(c)の電極構成を順方向SPU
DT、同図(e)、(f)の電極構成を逆方向SPUD
Tと称することにする。
Here, the excitable IDT electrode and the non-exciting IDT electrode will be described with reference to several examples. The basic section of the IDT electrode shown in FIG. This is a unidirectional transducer (EWC-SPUDT) composed of two 1 / 8λ-wide electrode fingers, and has a reflection function in the direction of the arrow (forward direction) in the figure. Note that λ is 1
The basic section corresponds to the wavelength, and the IDT electrode configuration for one wavelength. The basic section of the electrode configuration shown in FIG. 3B has an excitation function but does not have one-way reflection. Figure (c)
Although the basic section electrode having the configuration shown in FIG. 1 has no excitation action, it has a reflection action in the direction of the arrow in the figure. FIG. 1D shows a structure in which the 8λ electrode is connected only to an electrode having the same polarity, and has neither excitation nor reflection. The basic section electrode having the configuration shown in FIG. 3E is symmetrical to the electrode shown in FIG. 3A, and has an excitation function and a unidirectionality in the direction of the arrow (reverse direction) in the figure. Further, the basic section electrode having the configuration shown in FIG. 3F has no excitation function, but has a unidirectional (reverse) reflection function in the direction of the arrow. The electrode configuration shown in FIGS.
DT, the electrode configuration of FIG.
It will be referred to as T.

【0007】以下、図18(b)を上記基本区間を用い
て構成したものについて説明する。尚、図18(a)の
IDT電極は中心に対して対称であるので、中心より左
半分のみを説明すれば十分である。図18(b)に示す
IDT電極のメインローブには図17の基本区間a、
b、c、dが配置され、それぞれ12、27、2、32
個の基本区間から構成されている。更に、第1サイドロ
ーブは図17の基本区間b、dがそれぞれ13、57個
配置し、第2サイドローブは基本区間b、dがそれそれ
2、1個から構成されている。図18(b)と正規型I
DT電極126対からなるトランスバーサルSAWフィ
ルタの伝送特性は図19に示すような濾波特性となり、
Aは通過帯域の拡大図(右端の縦軸)、Bはフィルタ全
体の伝送特性である。
Hereinafter, FIG. 18B will be described with reference to the configuration using the above-described basic section. Since the IDT electrode in FIG. 18A is symmetric with respect to the center, it is sufficient to describe only the left half from the center. The main lobe of the IDT electrode shown in FIG.
b, c, and d are arranged, and 12, 27, 2, 32, respectively.
It consists of basic sections. Further, 13, 57 basic sections b and d in FIG. 17 are arranged for the first side lobe, and 2 and 1 basic sections b and d are arranged for the second side lobe. FIG. 18 (b) and normal type I
The transmission characteristics of the transversal SAW filter composed of the DT electrode 126 pair have filtering characteristics as shown in FIG.
A is an enlarged view of the pass band (vertical axis at the right end), and B is the transmission characteristic of the entire filter.

【0008】トランスバーサルSAWフィルタを例えば
図17示した6種類の基本区間を用いて設計するに際
し、現在のところ完全な設計アルゴリズムは確立されて
いない。例えば、励振用IDT電極の基本区間の種類と
その区間数を経験値から選択し、シミュレーションによ
り確認しながら所望の伝送特性が得られるまで、カット
アンドトライを繰り返していた。
In designing a transversal SAW filter using, for example, the six basic sections shown in FIG. 17, a complete design algorithm has not yet been established. For example, the type and number of basic sections of the excitation IDT electrode are selected from empirical values, and cut-and-try is repeated until a desired transmission characteristic is obtained while confirming by simulation.

【0009】一方、上記とは別の手法によってトランス
バーサルSAWフィルタの伝送特性を改善したものがい
くつか提案されている。例えば米国特許5,703,427号に
はDART(Distributed Acoustic Reflection Transd
ucer)電極を用いたトランスバーサルSAWフィルタが
開示されている。DART電極とは一方向の励振可能な
IDT電極であって、この発明によるトランスバーサル
SAWフィルタは、図20に示すように1個のIDT電
極の中に反射方向の互いに異なるIDT電極指を3つの
グループに分けて配置したもので、順方向+R(前記米
国特許では図中左方向を順方向となっている)に反射方
向を持つDART型IDTの基本区間を50λ、逆方向
−R(図中右方向)に反射方向を持つDART型IDT
の基本区間を40λ、更に順方向のDART型IDT基
本区間を20λ配置したIDT電極を用いて、トランス
バーサルSAWフィルタを構成した例とその伝送特性が
開示されている。このフィルタはこれまでに報告されて
いる電極間引き法を用いたフィルタに比べ挿入損失が
7.4dBから6.5dBに減少すること、群遅延時間
が200nsから100nsに半減すること、第2のサ
イドローブの減衰が大きくなること、さらに通過帯域が
広がることを特徴とするものである。
On the other hand, some proposals have been made in which the transmission characteristics of a transversal SAW filter are improved by a method different from the above. For example, in US Pat. No. 5,703,427, DART (Distributed Acoustic Reflection Transd
Ucer) Transversal SAW filters using electrodes are disclosed. The DART electrode is an IDT electrode that can be excited in one direction, and the transversal SAW filter according to the present invention includes three IDT electrode fingers having different reflection directions in one IDT electrode as shown in FIG. The basic section of the DART type IDT having a reflection direction in the forward direction + R (the left direction in the figure is the forward direction in the U.S. Pat. DART type IDT with reflection direction (right direction)
An example in which a transversal SAW filter is configured using an IDT electrode having a basic section of 40λ and a DART type IDT basic section in the forward direction arranged at 20λ, and its transmission characteristics are disclosed. This filter can reduce the insertion loss from 7.4 dB to 6.5 dB, reduce the group delay time from 200 ns to 100 ns in half compared to the filter using the electrode thinning method which has been reported so far, and the second side. It is characterized in that the attenuation of the lobe is increased and the pass band is further widened.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
アポダイズ法あるいは電極間引き法を用いたトランスバ
ーサルSAWフィルタにおいては、CDMA方式のよう
な新しいディジタル携帯電話のIFフィルタに用いるに
は帯域幅が不足し、減衰傾度が不充分であるという問題
があった。また、上記の米国特許発明においては順方向
反射のIDT基本区間(順方向SPUDT)と逆方向反
射のIDT基本区間(逆方向SPUDT)をどのように
配置すれば、通過帯域幅が広くなるかが明らかにされて
おらず、実施例に示された+R=50λ、−R=40
λ、+R=20λ以外の条件にてフィルタを構成するた
めには、カットアンドトライを繰り返すしかなく、実質
的にはこの手法により広帯域なフィルタを実現すること
はできないという問題があった。本発明は上記問題を解
決するためになされたものであって、通過帯域幅を最大
にすると共に減衰傾度を急峻にしたトランスバーサルS
AWフィルタを提供することを目的とする。
However, in the conventional transversal SAW filter using the apodizing method or the electrode thinning method, the bandwidth is insufficient for use in the IF filter of a new digital portable telephone such as the CDMA system. However, there is a problem that the attenuation gradient is insufficient. In the above-mentioned US patent invention, how the IDT basic section for forward reflection (forward SPUDT) and the IDT basic section for reverse reflection (reverse SPUDT) are arranged to increase the passband width. + R = 50λ, −R = 40, not clarified and shown in the examples
In order to construct a filter under conditions other than λ and + R = 20λ, cut-and-try must be repeated, and there is a problem that a wideband filter cannot be realized by this method. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and is directed to a transversal S which maximizes a pass band width and has a steep attenuation gradient.
It is an object to provide an AW filter.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るトランスバーサルSAWフィルタの請求
項1記載の発明は、圧電基板の主面上に表面波の伝搬方
向に沿って2つのIDT電極を配置して構成するトラン
スバーサルSAWフィルタにおいて、前記IDT電極の
少なくとも1つに電極間引き法を用いてメインローブ、
第1サイドローブ及び第2サイドローブの重みづけを施
すと共に前記メインローブの基本区間数をLとし、該メ
インローブを置換する逆方向SPUDTの区間数をN1
とするとき、0.08L<N1<0.6Lとしたことを
特徴とするトランスバーサルSAWフィルタである。請
求項2記載の発明は、前記第1サイドローブに配置する
順方向SPUDTの区間数N2としたとき、0<N2<
N1としたことを特徴とする請求項1記載のトランスバ
ーサルSAWフィルタである。請求項3記載の発明は、
第2サイドローブを逆方向SPUDTで置換したことを
特徴とする請求項1または2記載のトランスバーサルS
AWフィルタである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a transversal SAW filter according to the present invention, wherein two transversal SAW filters are provided on a main surface of a piezoelectric substrate along a propagation direction of a surface wave. In a transversal SAW filter configured by arranging IDT electrodes, a main lobe is formed on at least one of the IDT electrodes using an electrode thinning method.
The first side lobe and the second side lobe are weighted, the number of basic sections of the main lobe is set to L, and the number of sections of the backward SPUDT for replacing the main lobe is set to N1.
In this case, the transversal SAW filter is characterized by satisfying 0.08 L <N1 <0.6 L. According to a second aspect of the present invention, when the number N2 of forward SPUDT sections arranged in the first side lobe is 0 <N2 <
2. The transversal SAW filter according to claim 1, wherein N1 is set. The invention according to claim 3 is
3. The transversal S according to claim 1, wherein the second side lobe is replaced with a backward SPUDT.
An AW filter.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図1(a)は本発明に
係るトランスバーサルSAWフィルタの電極構成を示す
平面図であって、圧電基板1の主面上に表面波の伝搬方
向に沿ってIDT電極2と所定の間隔を空けてIDT電
極3を配置する。IDT電極12の一方のくし形電極は
入力端子IN_1に接続すると共に、他方のくし形電極は入
力端子IN_2に接続する。さらに、IDT電極3の一方の
くし形電極は出力端子OUT_1に接続すると共に、他方の
くし形電極は出力端子OUT_2に接続する。IDT電極2
はトランスバーサルSAWフィルタの所望の周波数特性
を得るべく、メインローブ、第1サイドローブ、第2サ
イドローブの重みづけを電極間引き法を用いて施したも
のである。また、図1(a)ではIDT電極3に126
対からなる正規型IDTを用いている。図1(b)は本
発明に係るIDT電極2の詳細な構成例を示したもの
で、中心に対して対称であるので左半分のみを示す。同
図(a)の図中左端から順番に位置を示す番号を付け、
その位置に配置するIDT電極の基本区間(IDTパタ
ーン)の種類と区間数を示した図である。IDTパター
ンのa〜fは図17(a)〜(f)に示したパターンに
対応する。ここで70〜28までがメインローブ、27
から3までが第1サイドローブ、2〜1までが第2サイ
ドローブであって、メインローブの区間数73に対して
逆方向SPUDTであるパターン(f)の区間数35
と、第1サイドローブに区間数23の順方向SPUDT
と、第2サイドローブに区間数3の逆方向SPUDTを
配置している。このように構成したことによって図14
に示すような帯域幅1.23MHz以上と広帯域で減衰
量の急峻なフィルタを実現することができる。後述する
ように種々のシミュレーション、実験によりメインロー
ブの区間数をLとし、メインローブに含まれる逆方向S
PUDTの区間数をN1とするとき、0.08L<N1
<0.6Lの範囲とすると広帯域且つ、減衰特性の急峻
なフィルタを実現することが判った。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail based on an embodiment shown in the drawings. FIG. 1A is a plan view showing an electrode configuration of a transversal SAW filter according to the present invention, in which a predetermined interval is provided on the main surface of a piezoelectric substrate 1 along with a direction of surface wave propagation from an IDT electrode 2. The IDT electrode 3 is arranged. One of the IDT electrodes 12 is connected to the input terminal IN_1, and the other is connected to the input terminal IN_2. Further, one comb-shaped electrode of the IDT electrode 3 is connected to the output terminal OUT_1, and the other comb-shaped electrode is connected to the output terminal OUT_2. IDT electrode 2
In this example, the main lobe, the first side lobe, and the second side lobe are weighted using an electrode thinning method in order to obtain a desired frequency characteristic of the transversal SAW filter. Also, in FIG.
A normal IDT composed of pairs is used. FIG. 1B shows a detailed configuration example of the IDT electrode 2 according to the present invention. Since the IDT electrode 2 is symmetric with respect to the center, only the left half is shown. A number indicating the position is assigned in order from the left end in FIG.
It is a figure showing the kind and the number of sections of the basic section (IDT pattern) of the IDT electrode arranged in the position. IDT patterns a to f correspond to the patterns shown in FIGS. Here, 70-28 is the main lobe, 27
To 3 are the first side lobes, 2 to 1 are the second side lobes, and the number of sections of the pattern (f) which is the reverse SPUDT is 35 for the number of sections 73 of the main lobe.
And the forward direction SPUDT having 23 sections in the first side lobe.
And the backward SPUDT of section number 3 is arranged in the second side lobe. With this configuration, FIG.
It is possible to realize a filter having a steep attenuation amount in a wide bandwidth of 1.23 MHz or more as shown in FIG. As will be described later, the number of sections of the main lobe is set to L by various simulations and experiments, and the backward direction S included in the main lobe is set.
When the number of sections of the PUDT is N1, 0.08L <N1
It was found that a filter having a wide band and steep attenuation characteristics was realized when the range was <0.6 L.

【0013】本発明に至った経緯を順を追って説明す
る。また、本発明に係るシミュレーションは電極間引き
法を用いて行ったものであるが、内容を分かりやすくす
るため等価なアポダイズ法の包絡線を対比しながら説明
する。始めに図18(b)に示した電極間引き法による
IDT電極を従来の手法により逆方向SPUDTを含ま
ない基本区間を用いて構成する。次に、図中左端(第2
サイドローブ)より順に基本区間数4個毎に図17
(e)の逆方向SPUDTで置換し、その伝送特性をシ
ミュレーションより求めた。図2は置換した位置とその
時の伝送特性の5dB帯域幅と、33dB帯域幅の帯域
増加率B5、B33を示したものであり、置換する前の
IDT電極構成で得られた5dB帯域幅と、33dB帯
域幅を基準値として、置換後の値と基準値との差を基準
値で除したものである。また、位置は図18(b)の左
端を0としている。なお、図2には重み付けの曲線α
(図18(a)の包絡線)も合わせて示している。図2
のB5から明らかなように、メインローブと第2サイド
ローブにおいては逆方向SPUDTで置換することによ
り5dB帯域幅が増加するが、第1サイドローブでは逆
に帯域幅が狭まることが分かる。更に図18(b)のI
DT電極構成において、電極の左端から順に逆方向SP
UDTの基本区間20個で置換していき、そのときのト
ランスバーサルSAWフィルタの伝送特性を計算した。
5dB、33dBにおける帯域幅増加率B5、B33を
示したものが図3である。図2と同様に第2サイドロー
ブの電極指を置換した場合と、メインローブの電極指を
置換した場合にB5が増大することが分かる。また、B
33は比較的帯域幅の変化が少ないことが理解できる。
逆方向SPUDTの基本区間4個で置換した場合は、5
dB帯域幅増加率B5が最大で2%程度であったのに対
し、基本区間20個で置換した場合は、最大でほぼ8%
に達することが分かった。
The process leading to the present invention will be described step by step. Although the simulation according to the present invention is performed by using the electrode thinning method, the description will be made while comparing the envelope of the equivalent apodizing method for easy understanding of the contents. First, an IDT electrode formed by the electrode thinning method shown in FIG. 18B is formed by a conventional method using a basic section not including the backward SPUDT. Next, at the left end of the figure (second
17 for every four basic sections in order from side lobe)
(E) Replaced by the reverse SPUDT, and its transmission characteristics were determined by simulation. FIG. 2 shows the replacement position, the 5 dB bandwidth of the transmission characteristic at that time, and the bandwidth increase rates B5 and B33 of the 33 dB bandwidth. The 5 dB bandwidth obtained by the IDT electrode configuration before the replacement, The difference between the replacement value and the reference value is divided by the reference value with the 33 dB bandwidth as the reference value. The position is 0 at the left end in FIG. FIG. 2 shows a weighting curve α.
(The envelope of FIG. 18A) is also shown. FIG.
As is clear from B5, the bandwidth is increased by 5 dB in the main lobe and the second side lobe by replacing the main lobe and the second side lobe with the backward SPUDT, but the bandwidth is reduced in the first side lobe. Further, I in FIG.
In the DT electrode configuration, the reverse direction SP is sequentially applied from the left end of the electrode.
Substitution was performed with 20 UDT basic sections, and the transmission characteristics of the transversal SAW filter at that time were calculated.
FIG. 3 shows bandwidth increase rates B5 and B33 at 5 dB and 33 dB. As can be seen from FIG. 2, B5 increases when the electrode finger of the second side lobe is replaced and when the electrode finger of the main lobe is replaced. Also, B
It can be seen that 33 has relatively little change in bandwidth.
5 when replacing with 4 basic sections of backward SPUDT
While the dB bandwidth increase rate B5 is about 2% at the maximum, when replaced by 20 basic sections, the maximum is about 8% at the maximum.
Was found to reach.

【0014】以上の結果を踏まえて、メインローブ、第
1サイドローブ、第2サイドローブに分けて、更に詳細
に検討する。上述の結果から最も広帯域化に寄与するの
はメインローブと推測されるので、まずメインローブに
ついて検討する。図18(b)に示す電極構成のメイン
ローブの図中左端から所定の区間数を逆方向SPUDT
で置換した場合、置換する基本区間数とトランスバーサ
ルSAWフィルタの5dB、33dB帯域幅増加率B
5、B33をシミュレーションで求めた。図4はその結
果を示す図で、5dB帯域幅増加率B5は、置換した基
本区間数にほぼ比例して増加するが、B33は一旦減少
して区間数30をピークとして増加することが分かっ
た。図5は、図18(b)の電極構成でメインローブの
図中左端から中央方向に向かって30区間を、逆方向S
PUDTで置換した場合の伝送特性であって、Aは通過
帯域の拡大図で右の縦軸に減衰量を示し、Bは全体の減
衰特性であり、左の縦軸に示してある。同図から明らか
なように帯域幅が広く、急峻な減衰特性が得られるもの
の通過帯域のほぼ中央に約2dB程度の大きなリップル
が生じる。図4のPは置換基本区間数に対するリップル
の大きさを示したものであって置換した区間数が増える
ほどリップルも増大することがわかる。そこで、このリ
ップルを抑圧すべく今度は第1サイドローブに注目し
た。図6は、逆方向SPUDTを30区間だけ置換した
IDT電極において、第1サイドローブの図中右端から
所定の区間数を順方向SPUDTで置換した場合、基本
区間数の増加とリップルP、5dB、33dB帯域幅増
加率B5、B33との関係を示した図である。
Based on the above results, the main lobe, the first side lobe, and the second side lobe will be discussed in more detail. From the above results, it is presumed that the main lobe contributes to widening the bandwidth, so the main lobe will be examined first. A predetermined number of sections from the left end of the main lobe of the electrode configuration shown in FIG.
, The number of basic sections to be replaced and the 5 dB / 33 dB bandwidth increase rate B of the transversal SAW filter
5, B33 was determined by simulation. FIG. 4 is a graph showing the results. It is found that the 5 dB bandwidth increase rate B5 increases almost in proportion to the number of replaced basic sections, but B33 temporarily decreases and increases with the number of sections 30 as a peak. . FIG. 5 shows the electrode configuration of FIG. 18B, in which 30 sections from the left end of the main lobe toward the center in the figure are arranged in the reverse direction S.
In the transmission characteristics in the case of replacing with the PUDT, A is an enlarged view of the pass band, and the right vertical axis shows the attenuation, and B is the whole attenuation characteristic, which is shown on the left vertical axis. As can be seen from the figure, although the bandwidth is wide and a steep attenuation characteristic is obtained, a large ripple of about 2 dB is generated almost at the center of the pass band. P in FIG. 4 shows the magnitude of the ripple with respect to the number of replaced basic sections, and it can be seen that the ripple increases as the number of replaced sections increases. Then, in order to suppress this ripple, attention was paid to the first side lobe. FIG. 6 shows that in the IDT electrode in which the backward SPUDT is replaced by 30 sections, when the predetermined number of sections from the right end in the drawing of the first side lobe is replaced by the forward SPUDT, the increase in the number of basic sections and the ripple P, 5 dB, It is the figure which showed the relationship with 33dB bandwidth increase rates B5 and B33.

【0015】図5から明らかなように、メインローブの
電極指を30区間の逆方向SPUDTで置換したIDT
電極ではリップルPが約2dBあり、そのピーク(極大
値)の間隔は約660kHzであった。これに対し第1
サイドローブの右端から置換する順方向SPUDTの基
本区間を順次増加すると前記リップルの間に新たなリッ
プルが発生し、そのピーク間隔は250kHz〜300
kHzとなった。この通過帯域中央に発生した新たなリ
ップルが前記外側に生じたリップルの凹みを補正し、通
過帯域を平坦化するように作用することが分かった。例
えば、第1サイドローブの右端より20区間を順方向S
PUDTで置換した場合には伝送特性が図7のようにな
り、リップルはほぼ0.2dBと大幅に小さくすること
ができた。このとき順方向SPUDTによるリップル間
隔は約240kHzであり、前記逆方向SPUDTによ
るリップル間隔約660kHzの内側にあり、この2つ
のリップルが互いに打ち消すように重なりあい、結果と
してフィルタのリップルが小さくなるように作用する。
即ち、リップルPの極大値の間隔は210kHz、24
0kHz、210kHzとなり、ほぼ等間隔に極大点が
配値されるようになる。図6から明らかなように、第1
サイドローブで置換する順方向SPUDTの基本区間数
を増加すると、除々にリップルが減少し、基本区間が2
0個となったところで極小となり、さらに増加させると
フィルタのリップルは増大していくことが確認された。
As is apparent from FIG. 5, the IDT in which the electrode finger of the main lobe is replaced with 30 sections of backward SPUDT.
The electrode had a ripple P of about 2 dB, and the interval between its peaks (maximum values) was about 660 kHz. In contrast, the first
When the basic section of the forward SPUDT to be replaced from the right end of the side lobe is sequentially increased, a new ripple is generated between the ripples, and the peak interval is from 250 kHz to 300 kHz.
kHz. It has been found that the new ripple generated in the center of the pass band corrects the dent of the ripple generated outside and acts to flatten the pass band. For example, 20 sections from the right end of the first side lobe in the forward direction S
When the PUDT was replaced, the transmission characteristics were as shown in FIG. 7, and the ripple could be significantly reduced to approximately 0.2 dB. At this time, the ripple interval due to the forward SPUDT is about 240 kHz, and is inside the ripple interval due to the backward SPUDT, which is about 660 kHz. The two ripples overlap each other so as to cancel each other, and as a result, the filter ripple is reduced. Works.
That is, the interval between the maximum values of the ripple P is 210 kHz, 24
The frequencies are 0 kHz and 210 kHz, and the maximum points are arranged at substantially equal intervals. As is clear from FIG.
When the number of basic sections of the forward SPUDT to be replaced by side lobes is increased, ripples gradually decrease, and the basic section becomes 2
It has been confirmed that when the number becomes zero, the value becomes minimum, and when the number further increases, the ripple of the filter increases.

【0016】さらに、メインローブの左端から中央に連
続して配置する逆方向SPUDTの基本区間数と、第1
サイドローブの右端から左端にかけて配置する順方向S
PUDTの基本区間数とを種々組み合わせて、トランス
バーサルSAWフィルタの伝送特性をシミュレーション
より求めた。図8はその結果の一部をまとめたものであ
って、縦軸には第1サイドローブで置換する順方向SP
UDTの区間数と5dB帯域幅増加率(%)を併記し、
右端の縦軸にはリップル(dB)を表示している。この
図に示すように、フィルタのリップルを小さく維持する
には、第1サイドローブにおける順方向SPUDTの基
本区間数N2は、メインローブに配置する逆方向SPU
DTの基本区間数N1の60%〜70%とすべきである
ことが確かめられた。図9はメインローブにおいてメイ
ンローブ全体の基本区間数Lに対する逆方向SPUDT
にて置換した基本区間数N1の割合とそのときのフィル
タのリップルとの関係を示した図である。 この図から明
らかなように、メインローブに配設する逆方向SPUD
Tの基本区間数が多くなると、これによって発生するリ
ップルの凹みが、第1サイドローブに配置する順方向S
PUDTにより生ずる内側のリップルによって補正する
ことがでないほど大きなものとなる。例えばメインロー
ブ全体の基本区間数73のうち逆方向SPUDTの基本
区間数を40とした場合、これにより生じるリップルの
凹みを補正するために必要となる第1サイドローブの順
方向SPUDTの基本区間数は26区間となるが、図9
に示すようにリップルの補正限界を越えるためリップル
を小さくすることができない。よって、リップルを1d
Bより低く抑えるためには上記の割合を60%以下とす
べきであり、望ましくは45%以下に設定すべきであろ
う。
Further, the main lobe extends from the left end to the center.
The number of basic sections of the backward SPUDT to be arranged in succession,
Forward direction S arranged from right end to left end of side lobe
Various combinations of the number of PUDT basic sections and
Simulate the transmission characteristics of a versal SAW filter
I asked more. Figure 8 summarizes some of the results.
Therefore, the vertical axis indicates the forward direction SP to be replaced with the first side lobe.
Along with the number of UDT sections and the 5 dB bandwidth increase rate (%),
Ripple (dB) is displayed on the vertical axis at the right end. this
Keep the filter ripple small as shown
Includes the basis of the forward SPUDT in the first side lobe.
The number N2 of the sections is determined by the backward SPU arranged in the main lobe.
Should be 60% to 70% of the basic section number N1 of DT
It was confirmed that. Figure 9 shows the main robe
SPUDT for the basic section number L of the entire probe
Of the basic section number N1 replaced by
FIG. 4 is a diagram showing a relationship between the data and the ripple. From this figure
Reverse SPUD installed on the main lobe for easy understanding
When the number of basic sections of T increases, the resources
The recess of the ripple is located in the first side lobe in the forward direction S.
Compensate for inner ripple caused by PUDT
It is so big that it is not. For example, main row
Of backward SPUDT out of 73
If the number of sections is 40, the ripple
Order of the first side lobe required to correct the dent
Although the number of basic sections in the direction SPUDT is 26 sections, FIG.
As shown in the figure, the ripple exceeds the ripple correction limit.
Cannot be reduced. Therefore, the ripple is 1d
In order to keep it lower than B, the above ratio is set to 60% or less.
Should be set, preferably below 45%
U.

【0017】次に、図18(b)のIDT電極の第2サ
イドローブから第1サイドローブにわたって電極指を逆
方向SPUDTで置換した場合を考える。図11は前記
第2サイドローブの図中左端より逆方向SPUDTで置
換する基本区間数を増加させたとき、リップルP、帯域
幅増加率B5、B33の関係を示した図である。同図よ
り通過帯域幅は最大で1%程度であるが増加することも
確かめられた。また、図12は置換する逆方向SPUD
Tの基本区間数とこの逆方向SPUDTで生じるリップ
ルのピークの周波数間隔との関係を示す図である。この
図より第2サイドローブから第1サイドローブにかけて
逆方向SPUDTを配置することにより、リップルのピ
ーク間隔が300kHz〜400kHzの範囲で生ずる
ことが分かった。第2サイドローブから第1サイドロー
ブにかけて電極指を逆方向SPUDTで置換することに
より生じたリップルは、メインローブの電極指を逆方向
SPUDTで置換の際に生じるリップルの凹みを補正す
るために用いることが可能である。
Next, consider a case where the electrode finger is replaced with the backward SPUDT from the second side lobe to the first side lobe of the IDT electrode in FIG. FIG. 11 is a diagram showing the relationship between the ripple P and the bandwidth increase rates B5 and B33 when the number of basic sections to be replaced with the backward SPUDT from the left end of the second sidelobe in the figure is increased. From the figure, it was confirmed that the pass band width was about 1% at the maximum but increased. FIG. 12 shows a reverse SPUD to be replaced.
It is a figure which shows the relationship between the basic interval number of T and the frequency interval of the peak of the ripple which arises by this reverse SPUDT. From this figure, it was found that by arranging the backward SPUDT from the second side lobe to the first side lobe, the peak interval of the ripple occurs in the range of 300 kHz to 400 kHz. The ripple generated by replacing the electrode finger with the backward SPUDT from the second sidelobe to the first sidelobe is used to correct the ripple dent generated when replacing the electrode finger of the main lobe with the backward SPUDT. It is possible.

【0018】以上の検討結果を総合すると、図13は図
18(b)の電極構成のメインローブ左端から35区間
を逆方向SPUDTに、第1サイドローブの右端から2
3区間を順方向SPUDTにそれぞれ置換した場合の伝
送特性である。図14は上記に加え第2サイドローブの
左端から3区間を逆方向SPUDTで置換した場合の伝
送特性である。リップルがより平坦になっていることが
分かる。
FIG. 13 shows that the 35 sections from the left end of the main lobe of the electrode configuration shown in FIG.
This is a transmission characteristic when three sections are replaced with forward SPUDTs, respectively. FIG. 14 shows the transmission characteristics in the case where three sections from the left end of the second side lobe are replaced with the backward SPUDT in addition to the above. It can be seen that the ripple is more flat.

【0019】図14で示したシミュレーション結果を実
験的に確かめるため、トランスバーサルSAWフィルタ
の試作を行った。図15は試作したフィルタの特性を示
すものであって、同図(a)は通過帯域特性Aと群遅延
時間τが、同図(b)には減衰特性を含む伝送特性が示
されており、その中心周波数は111.85MHz、5
dB帯域幅は1.23MHz、33dB帯域幅は1.8
MHz以下、リップル0.2dB、挿入損失12.5d
B、群遅延時間は0.6μsであった。同図から明らか
なように試作したものにおいても、広帯域且つ急峻な減
衰特性を有し、通過域のリップルの少ない平坦な特性が
実現できることを確認した。
In order to experimentally confirm the simulation results shown in FIG. 14, a transversal SAW filter was experimentally manufactured. FIG. 15 shows the characteristics of the prototyped filter. FIG. 15A shows the pass band characteristics A and the group delay time τ, and FIG. 15B shows the transmission characteristics including the attenuation characteristics. , Its center frequency is 111.85 MHz, 5
The dB bandwidth is 1.23 MHz and the 33 dB bandwidth is 1.8
MHz or less, ripple 0.2dB, insertion loss 12.5d
B, The group delay time was 0.6 μs. As can be seen from the figure, it was confirmed that the prototype also had a wide band and steep attenuation characteristics, and could realize flat characteristics with little ripple in the passband.

【0020】以上の説明では入力側のIDT電極に電極
間引き法を用い、出力側のIDT電極に正規型を用い
て、入力側のIDT電極に対して図17に示す種々の基
本区間で置換した場合の諸特性について説明したが、本
発明はこれのみに限定することなく出力側IDT電極に
電極間引き法を用い、SPUDT電極等の一方向性電極
で置換してもよい。
In the above description, the electrode-thinning method is used for the input-side IDT electrodes, the normal type is used for the output-side IDT electrodes, and the input-side IDT electrodes are replaced with various basic sections shown in FIG. Although various characteristics in the case have been described, the present invention is not limited to this, and the output side IDT electrode may be replaced with a unidirectional electrode such as a SPUDT electrode by using an electrode thinning method.

【0021】[0021]

【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、トランスバーサルSAWフィルタの通過帯域幅
(5dB)を拡大すると共に減衰帯域幅(33dB)を
ほぼ維持する結果、減衰傾度を大幅に急峻にすることが
可能となり、ディジタル携帯電話等で要求されている性
能を実現可能としたという優れた効果を奏す。
According to the present invention, as described above, the pass band width (5 dB) of the transversal SAW filter is enlarged and the attenuation bandwidth (33 dB) is almost maintained, so that the attenuation gradient is greatly reduced. The steepness can be achieved, and an excellent effect that the performance required for a digital mobile phone or the like can be realized is achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)本発明に係るトランスバーサルSAWフ
ィルタの電極構成を示す平面図、(b)IDT電極の詳
細な構成を説明する図である。
FIG. 1A is a plan view illustrating an electrode configuration of a transversal SAW filter according to the present invention, and FIG. 1B is a diagram illustrating a detailed configuration of an IDT electrode.

【図2】入力側IDT電極を逆方向SPUDT4区間で
置換するとき、その位置と5dB、33dB帯域幅増加
率B5、B33との関連を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the position and the 5 dB and 33 dB bandwidth increase rates B5 and B33 when the input-side IDT electrode is replaced with four backward SPUDT sections.

【図3】入力側IDT電極を逆方向SPUDT20区間
で置換するとき、その位置と5dB、33dB帯域幅増
加率B5、B33との関連を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the position and the 5 dB and 33 dB bandwidth increase rates B5 and B33 when the input-side IDT electrode is replaced with a backward SPUDT20 section.

【図4】入力側IDT電極を逆方向SPUDTで置換す
るとき、その置換区間数とリップルP、帯域幅増加率B
5、B33との関連を示す図である。
FIG. 4 shows the number of replacement sections, ripple P, and bandwidth increase rate B when an input IDT electrode is replaced with a reverse SPUDT.
5 is a diagram showing the relationship with B33.

【図5】入力側IDT電極を逆方向SPUDT30区間
で置換した場合の伝送特性である。
FIG. 5 shows transmission characteristics when the input-side IDT electrode is replaced with a backward SPUDT30 section.

【図6】第1サイドローブに順方向SPUDTで置換し
た場合、置換区間数とリップルP、帯域幅増加率B5、
B33との関連を示す図である。
FIG. 6 shows the case where the first side lobe is replaced with a forward SPUDT, the number of replacement sections, ripple P, bandwidth increase rate B5,
It is a figure showing the relation with B33.

【図7】メインローブを逆方向SPUDT、第1サイド
ローブを順方向SPUDTで置換した場合の伝送特性を
示す図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating transmission characteristics when a main lobe is replaced with a backward SPUDT and a first side lobe is replaced with a forward SPUDT.

【図8】メインローブを逆方向SPUDT、第1サイド
ローブを順方向SPUDTで置換した場合、それぞれの
区間数とリップルP、帯域幅増加率B5、B33との関
連を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the number of sections, ripple P, and bandwidth increase rates B5 and B33 when the main lobe is replaced with a backward SPUDT and the first side lobe is replaced with a forward SPUDT.

【図9】メインローブで置換する逆方向SPUDTの基
本区間数に対するメインローブの基本区間数の割合とリ
ップルの関係を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the ratio of the number of basic sections of the main lobe to the number of basic sections of the backward SPUDT replaced with the main lobe and the ripple.

【図10】メインローブを逆方向SPUDT40区間、
第1サイドローブを順方向SPUDT26区間で置換し
た場合の伝送特性である。
FIG. 10 shows a main lobe in a backward SPUDT section 40;
This is a transmission characteristic when the first side lobe is replaced by a forward SPUDT 26 section.

【図11】第2サイドローブを逆方向SPUDTで置換
した場合のリップルP、帯域幅増加率B5、B33との
関連を示す図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating a relationship between a ripple P and bandwidth increase rates B5 and B33 when a second side lobe is replaced with a backward SPUDT.

【図12】第2サイドローブを逆方向SPUDTで置換
した場合、そお区間数と生ずるリップルのピーク間隔と
の関連を示す図である。
FIG. 12 is a diagram illustrating a relationship between the number of sections and peak intervals of generated ripples when a second side lobe is replaced with a backward SPUDT.

【図13】メインローブを逆方向SPUDT35区間、
第1サイドローブを順方向SPUDT23区間で置換し
た場合の伝送特性である。
FIG. 13 shows a main lobe in a reverse SPUDT35 section,
This is a transmission characteristic when the first side lobe is replaced with a forward SPUDT23 section.

【図14】図13の諸定数に加え、第2サイドローブを
逆方向SPUDT3区間で置換したときの伝送特性であ
る。
FIG. 14 shows transmission characteristics when the second side lobe is replaced with a backward SPUDT3 section in addition to the various constants shown in FIG.

【図15】試作したトランスバーサルSAWフィルタの
(a)通過域特性、群遅延時間特性と、(b)は減衰特
性である。
FIG. 15A shows a passband characteristic and a group delay time characteristic of a prototype transversal SAW filter, and FIG. 15B shows an attenuation characteristic.

【図16】従来のトランスバーサルSAWフィルタの構
成を示す平面図である。
FIG. 16 is a plan view showing a configuration of a conventional transversal SAW filter.

【図17】(a)から(f)はIDT電極の基本区間
(1λ)の構成を示す平面図である。
FIGS. 17A to 17F are plan views showing the configuration of a basic section (1λ) of an IDT electrode.

【図18】(a)アポダイズ法と(b)電極間引き法を
説明する図である。
FIG. 18 is a diagram illustrating (a) an apodizing method and (b) an electrode thinning method.

【図19】従来のトランスバーサルSAWフィルタの伝
送特性を示す図である。
FIG. 19 is a diagram illustrating transmission characteristics of a conventional transversal SAW filter.

【図20】米国特許5,703,427号の図10の構成を示す
図である。
FIG. 20 is a diagram showing the configuration of FIG. 10 of US Pat. No. 5,703,427.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・ 圧電基板 2、3・・IDT電極 IN_1、IN_2・・入力端子 OUT_1、OUT_2・・出力端子 n・・IDTパターンが配置される位置 1. Piezoelectric substrate 2, 3 ... IDT electrode IN_1, IN_2 ... Input terminal OUT_1, OUT_2 ... Output terminal n ... Position where IDT pattern is arranged

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 圧電基板の主面上に表面波の伝搬方向に
沿って2つのIDT電極を配置して構成するトランスバ
ーサルSAWフィルタにおいて、 前記IDT電極の少なくとも1つにメインローブ、第1
サイドローブ及び第2サイドローブの重みづけを施すと
共に前記メインローブの基本区間数をLとし、該メイン
ローブを置換する逆方向SPUDTの区間数をN1とす
るとき、0.08L<N1<0.6Lとしたことを特徴
とするトランスバーサルSAWフィルタ。
1. A transversal SAW filter comprising two IDT electrodes arranged on a main surface of a piezoelectric substrate along a propagation direction of a surface wave, wherein at least one of the IDT electrodes has a main lobe and a first lobe.
When weighting of the side lobe and the second side lobe is performed, the number of basic sections of the main lobe is L, and the number of sections of the backward SPUDT replacing the main lobe is N1, 0.08L <N1 <0. A transversal SAW filter having 6L.
【請求項2】 前記第1サイドローブに配置する順方向
SPUDTの区間数N2としたとき、0<N2<N1と
したことを特徴とする請求項1記載のトランスバーサル
SAWフィルタ。
2. The transversal SAW filter according to claim 1, wherein 0 <N2 <N1 when the number N2 of forward SPUDT sections arranged in the first side lobe is satisfied.
【請求項3】 第2サイドローブを逆方向SPUDTで
置換したことを特徴とする請求項1または2記載のトラ
ンスバーサルSAWフィルタ。
3. The transversal SAW filter according to claim 1, wherein the second side lobe is replaced with a backward SPUDT.
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