JP2000059112A - Small-sized transmission line - Google Patents

Small-sized transmission line

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JP2000059112A
JP2000059112A JP11214214A JP21421499A JP2000059112A JP 2000059112 A JP2000059112 A JP 2000059112A JP 11214214 A JP11214214 A JP 11214214A JP 21421499 A JP21421499 A JP 21421499A JP 2000059112 A JP2000059112 A JP 2000059112A
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signal
line
return
lines
conductive
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JP11214214A
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Japanese (ja)
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Rex Lowther
ロウサー レックス
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Harris Corp
Original Assignee
Harris Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/02Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To increase the effective capacity between a signal and a return line without varying the inductance of the whole transmission line by embedding an insulating medium in a signal line so that a direct current can not be propagated from the signal line to the return line. SOLUTION: An AC current 105 is carried by the return line 102 which allows it to flow reversely to the signal line 101. The signal and return lines are formed of conductive materials and the circumferential medium 103 is made of an insulating material. The mean distance as to capacitive coupling decreases because of the presence of a tab 111 of a conductive material, which increases the length-directional capacity of the transmission line. Further, a notch 112 prevents the current from flowing along the length, so the current path of a signal and a return signal is restricted by outside edges of two conductors which do not have the tab 111 and the current path has no variation from the geometric shape which does not have the tab 111. Consequently, a magnetic field is not varied and the length-directional inductance of the transmission line, therefore, has no variation.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は小型伝送ラインに関
する。
[0001] The present invention relates to a small transmission line.

【0002】[0002]

【従来の技術】図1の(a)(断面図)及び1の(b)
(平面図)に示される知られた構造は伝送ライン(又は
導波路)として用いられる。それはAC電流又は信号を
搬送する1以上の金属ライン101を有し、等しくて反
対の電流を有する戻りの信号を搬送する1以上の金属ラ
イン102を有する。電流の方向は矢印105により示
され、それは図1の(a)で入来し、流出する電流方
向、及び図1の(b)で側方を示すよう矢頭と矢尻で示
される。いずれかを「信号」ライン又は「戻り」ライン
として示すラインは任意であり、何故ならば電流の方向
は半周期毎に切り換えられるからである。典型的な伝送
ラインはその長さに沿って均一であり、三次元伝送ライ
ンは長さの次元で押し出された二次元形状として通常記
載される。その場合に、以下の関係が保持され、図1
(b)に示される二次元断面と独立である: CL=εμ=1/c2 式1 無損失伝送ライン(これは概略ほとんどの場合である)
に対して、以下の関係が当てはまる: c=(CL)-1/2 式2 ここでC,Lは伝送ラインの長さ当たりの容量及びイン
ダクタンスである。変数cは媒体内の光速であり、伝送
ラインを通り信号が送られる速度である。
2. Description of the Related Art FIGS. 1A and 1B are sectional views and FIG.
The known structure shown in (plan view) is used as a transmission line (or waveguide). It has one or more metal lines 101 that carry an AC current or signal and one or more metal lines 102 that carry a return signal having equal and opposite currents. The direction of the current is indicated by arrows 105, which are indicated by the arrowheads and arrowheads as shown in FIG. 1 (a), incoming and outgoing current directions, and FIG. The line indicating either as a "signal" line or a "return" line is arbitrary, since the direction of the current is switched every half cycle. A typical transmission line is uniform along its length, and a three-dimensional transmission line is usually described as a two-dimensional shape extruded in the length dimension. In that case, the following relationship holds, and FIG.
Independent of the two-dimensional section shown in (b): CL = εμ = 1 / c 2 Equation 1 Lossless transmission line (this is roughly the case in most cases)
The following relationship applies: c = (CL) −1/2 Equation 2 where C and L are the capacitance and inductance per transmission line length. The variable c is the speed of light in the medium, the speed at which a signal is sent through the transmission line.

【0003】二酸化シリコンにまず埋め込まれる集積回
路上の金属ラインに対して、誘電定数はε=4.0
0 、c=1.50e10cm/sである。信号周波数が
5GHzであるときに、波長は3cmである。上記の関
係は容量がインダクタンスを変更することなく増加され
る場合には信号の速度は減少する。しかしながら、過去
に於いて、容量の如何なる変更も、c及び波長の両方を
変更しないようにインダクタンスが対応して変化するよ
うにオフセットされている。
For a metal line on an integrated circuit that is first embedded in silicon dioxide, the dielectric constant is ε = 4.0.
e 0 and c = 1.50e 10 cm / s. When the signal frequency is 5 GHz, the wavelength is 3 cm. The above relationship shows that if the capacitance is increased without changing the inductance, the speed of the signal will decrease. However, in the past, any change in capacitance has been offset so that the inductance changes correspondingly so as not to change both c and wavelength.

【0004】図1の場合を考えると、ラインが相互によ
り接近するよう動く場合に、信号を搬送するラインと戻
りの信号との間の容量が増加する。しかしながら、2つ
の電流路が共に近接することを許容することにより、そ
の磁界への貢献は(それらが反対向きである故に)より
正確に打ち消し合い、それにより、磁界強度全体を減少
し、故に、伝送ラインの長さ当たりのインダクタンスは
減少する。図2でcが不変であると予想されたので、仮
定された長さ当たりの容量が増加した同じファクターに
より長さ当たりのインダクタンスは減少する。
Considering the case of FIG. 1, as the lines move closer together, the capacitance between the signal carrying line and the return signal increases. However, by allowing the two current paths to be close together, their contribution to the magnetic field cancels out more accurately (because they are in opposite directions), thereby reducing the overall field strength and, therefore, The inductance per length of the transmission line is reduced. Since c was expected to be unchanged in FIG. 2, the inductance per length is reduced by the same factor that the assumed capacity per length was increased.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上記の
課題を解決することにある。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は長さ方向に沿っ
て交流を搬送する1以上の平行な導電路からなる信号ラ
インと、信号ラインの方向と反対の方向に交流を搬送す
る1以上の信号ラインに平行な導電路からなる戻り信号
ラインと、信号ラインから戻りラインへ直流が通過でき
ないよう戻り及び信号ラインが埋め込まれた絶縁媒体
と、伝送ライン全体のインダクタンスを顕著に減少せず
に信号ラインと戻りラインとの間の有効容量を増加する
よう信号及び戻りラインに結合された不均一な導電手段
と、半導体基板とからなり、絶縁媒体は半導体基板上に
配置される伝送ライン構造を含む。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to a signal line comprising one or more parallel conductive paths carrying an alternating current along its length, and one or more signal lines carrying an alternating current in a direction opposite to the direction of the signal line. A return signal line consisting of a conductive path parallel to the signal line, a return and signal medium embedded so that DC cannot pass from the signal line to the return line, and an insulation medium in which the entire transmission line is not significantly reduced. A non-uniform conductive means coupled to the signal and return lines to increase the effective capacitance between the signal line and the return line, and a semiconductor substrate, wherein the insulating medium comprises a transmission line structure disposed on the semiconductor substrate. Including.

【0007】本発明はまた、半導体基板と、その上にわ
たり長さ方向に沿って交流を搬送する1以上の平行な導
電路からなる信号ラインと、半導体基板上にわたり信号
ラインの方向と反対の方向に交流を搬送する1以上の信
号ラインに平行な導電路からなる戻り信号ラインと、信
号ラインから戻りラインへ直流が通過できないよう戻り
及び信号ラインが埋め込まれた絶縁媒体と、伝送ライン
全体のインダクタンスを顕著に減少せずに信号ラインと
戻りラインとの間の有効容量を増加するよう信号及び戻
りラインに結合された不均一な導電手段とからなり、該
基板は絶縁材料からなる伝送ライン構造からなる集積回
路を含む。
The present invention also provides a signal line comprising a semiconductor substrate and one or more parallel conductive paths carrying an alternating current over the length of the semiconductor substrate, and a direction opposite to the direction of the signal line over the semiconductor substrate. A return signal line comprising a conductive path parallel to one or more signal lines for carrying an alternating current, an insulating medium having a return and signal line embedded therein so that DC cannot pass from the signal line to the return line, and an inductance of the entire transmission line The non-uniform conductive means coupled to the signal and return lines to increase the effective capacitance between the signal and return lines without significantly reducing the transmission line structure made of insulating material. Integrated circuits.

【0008】長さに沿って均一な幾何形状から出発する
ことにより、CはLを減少することなく増加されうる。
図2の構造は伝送ライン金属の2つの内側エッジ上で交
互のタブ111及びノッチ112のパターンによりこれ
を達成する。容量性結合に対する平均距離はタブの存在
により顕著に減少し、これはCを増加する。ノッチ11
2が長手方向に電流が流れるのを防止する故に、信号及
び戻りの信号の電流路はタブがあたかも付加されてない
かのように、2つの導体の外側エッジ上に残るように規
制される。電流路がタブがつけられていない幾何形状か
ら本質的に変更されていない故に、磁界は変更されず、
故にLも変更されない。この構造の式2がより低い信号
速度cの値を加えたが、式1はそれ以上なにも加えな
い。伝送ラインの信号の波長λはcに比例する。
By starting from a uniform geometry along the length, C can be increased without decreasing L.
The structure of FIG. 2 accomplishes this with a pattern of alternating tabs 111 and notches 112 on the two inner edges of the transmission line metal. The average distance to capacitive coupling is significantly reduced by the presence of the tub, which increases C. Notch 11
Because 2 prevents current flow in the longitudinal direction, the current paths of the signal and return signals are regulated to remain on the outer edges of the two conductors as if no tab had been added. Since the current path is essentially unchanged from the untabbed geometry, the magnetic field is not changed,
Therefore, L is not changed. Equation 2 of this structure adds a lower value for the signal rate c, while Equation 1 adds nothing more. The wavelength λ of the signal on the transmission line is proportional to c.

【0009】集積回路では、両者を減少する実際的な理
由が存在する。遅延ラインは信号のフライト時間を増加
するために用いられ、これは遅延ラインの必要な長さを
減少する。波長の与えられた分画(フラクション)によ
り信号の位相をシフトすることがある場合に望ましく、
この構造の信号の減少された波長はこのシフトを達成す
るために必要な伝送ラインの長さを減少する。
In integrated circuits, there are practical reasons to reduce both. Delay lines are used to increase the flight time of the signal, which reduces the required length of the delay line. It is desirable when the phase of the signal is sometimes shifted by a given fraction (fraction) of the wavelength,
The reduced wavelength of the signal in this configuration reduces the length of the transmission line required to achieve this shift.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明は以下に図面を参照して、
詳細に説明される。図2の(a),(b)は本発明の一
実施例を示す。AC電流105は一以上の信号ライン1
01と反対の方向に電流を搬送する一以上の戻りライン
102により搬送される。信号及び戻りラインは一般に
金属のような如何なる導伝性材料でも構成されうるが、
周囲の媒体103は通常絶縁材料で構成される。タブ1
11はまた導伝性材料であり、信号及び戻りのラインに
接続され、その存在はその長さ方向に沿って伝送ライン
の均一性を破壊する。容量性結合に対する平均距離はC
を増加するタブの存在により顕著に減少される。ノッチ
112は電流が長手方向に流れるのを防ぐ故に、信号及
び戻り信号の電流路105はあたかもタブが付加されて
いないかのように、2つの導電体の外側エッジ上にとど
まるように制限される。電流路は本質的にタブのない幾
何形状から変更されない故に磁界は変更されず故にLも
変わらない。伝送ラインの信号の速度及び波長λへの影
響は両方とも比率rの平方根に等しい倍率で減少され、
Cはそれにより増加する。集積回路では、両者を減少す
るための実際的な理由が存在する。遅延ラインは信号の
フライト時間を増加するよう減少され、これは遅延ライ
ンの必要な長さを減少する。波長の与えられた分画によ
り信号の位相をシフトすることがある場合に望ましく、
この構造の信号の減少された波長がこのシフトを達成す
るために必要なラインの長さを減少する。集積回路(I
C)ではrの比=300が標準的な技術を用いて現在の
プロセスで達成可能である。これは速度を(1/r)
1/2 =0.058倍することにより、8.7x108
m/sec及び波長は5GHxで0.17cmになる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention will be described below with reference to the drawings.
This will be described in detail. 2A and 2B show an embodiment of the present invention. AC current 105 is applied to one or more signal lines 1
It is carried by one or more return lines 102 carrying current in the direction opposite to 01. The signal and return lines may generally be comprised of any conductive material, such as metal,
The surrounding medium 103 is usually made of an insulating material. Tab 1
11 is also a conductive material, connected to the signal and return lines, the presence of which destroys the uniformity of the transmission line along its length. The average distance for capacitive coupling is C
Is significantly reduced by the presence of tabs. Because notch 112 prevents current from flowing longitudinally, signal and return signal current paths 105 are limited to stay on the outer edges of the two conductors as if no tabs were added. . Since the current path is essentially unchanged from the tab-free geometry, the magnetic field is not changed and therefore L is not changed. The effect on the signal speed and wavelength λ of the transmission line is both reduced by a factor equal to the square root of the ratio r,
C is thereby increased. In integrated circuits, there are practical reasons for reducing both. The delay line is reduced to increase the flight time of the signal, which reduces the required length of the delay line. Desirable when the phase of a signal may be shifted by a given fraction of wavelength,
The reduced wavelength of the signal in this configuration reduces the line length required to achieve this shift. Integrated circuit (I
In C), a ratio of r = 300 is achievable with current processes using standard techniques. This speed (1 / r)
By multiplying by 1/2 = 0.058, 8.7 × 10 8 c
The m / sec and wavelength are 0.17 cm at 5 GHx.

【0011】図3の(a),(b)は金属及び絶縁体が
連続する層でチップ上にパターン化されたIC上の伝送
ラインにより適用可能な本発明の変形例を示す。この構
造は付加的な金属122が用いられることを除き図1の
(a),(b)に示されたものと類似である。この構造
の主な特徴は増加された容量性結合がこの第二の層12
2の使用により達成され、これは長方形の形状である必
要のない一連の細片123、124にパターン化され
る。細片は一般にそれぞれの間のギャップ106でライ
ン101、102に対して概略横断方向に向けられ、そ
れにより、電流はライン101、102と同じ方向に細
片内で流れることはない。好ましい実施例はバイア12
1を含み、これは伝送ラインの信号ライン又は戻りのラ
インのいずれかに細片のそれぞれを結合する。これは伝
送ラインの長さ当たりの容量Cを最大化するための助け
となり、これは細片のそれぞれの太い(fat)部分1
24と、その上の信号(又は戻りの信号)ラインとの間
のそれと概略等しい。2つの金属層の間の小さなギャッ
プ131に対して、容量は高い。容量を最大化するため
に、ライン102の領域のほとんどはその下で細片12
4の一部分を有さなければならない。この基準以外で、
細片の正確な形はかなり任意である。細片の太い部分1
24の幅と同じ一様な幅を有する長方形はこの場合とち
ょうど同じように動作するであろう。図4の(a),
(b)は図2、3の構造の両方からの特徴を含む構造を
示す。信号ライン101に接続されたタブ11は金属の
第一のレベルの信号ラインと戻りのラインとの間の領域
のほとんどを満たす。金属122の第二の層の細片12
3はタブと信号ラインの両方の下に延在し、導伝性バイ
ア121で戻りラインに取り付けられる。この構造は信
号ラインの領域と、2つの金属層間の容量的結合に対し
て信号ラインと戻りラインとの間の領域の両方を用い
る。
FIGS. 3A and 3B show a modification of the present invention applicable to a transmission line on an IC in which a metal and an insulator are successively patterned on a chip. This structure is similar to that shown in FIGS. 1A and 1B except that an additional metal 122 is used. The main feature of this structure is that the increased capacitive coupling makes this second layer 12
2, which is patterned into a series of strips 123, 124 that need not be rectangular in shape. The strips are generally directed generally transverse to the lines 101, 102 with gaps 106 between each such that no current flows in the strips in the same direction as the lines 101,102. The preferred embodiment is via 12
1 that couples each of the strips to either the signal line or the return line of the transmission line. This helps to maximize the capacitance C per length of the transmission line, which may be the fat portion 1 of each of the strips.
24 and approximately equal to that between the signal (or return signal) line above it. For a small gap 131 between the two metal layers, the capacitance is high. To maximize capacity, most of the area of the line 102 is underneath the strip 12
Must have part of four. Other than this standard,
The exact shape of the strip is quite arbitrary. Thick piece 1
A rectangle having a uniform width equal to the width of 24 will work just as in this case. 4 (a),
(B) shows a structure including features from both the structures of FIGS. The tab 11 connected to the signal line 101 fills most of the area between the metal first level signal line and the return line. Strip 12 of second layer of metal 122
3 extends below both the tub and the signal line and is attached to the return line with conductive vias 121. This structure uses both the area of the signal line and the area between the signal line and the return line for capacitive coupling between the two metal layers.

【0012】図5の(a),(b)は信号ライン101
と、戻りのライン102が別の金属層にある構造を示
す。各ラインは反対のラインに向かって延在し、図示さ
れるようにそれと重なるそれ自体のレベル上に一連のタ
ブ111、123を有する。図6は図2(b)の変形例
であり、タブ111はより高い容量を達成するためにイ
ンターリーブされている。
FIGS. 5A and 5B show signal lines 101. FIG.
Shows the structure where the return line 102 is in another metal layer. Each line extends toward the opposite line and has a series of tabs 111, 123 on its own level overlapping it as shown. FIG. 6 is a variation of FIG. 2 (b), where the tabs 111 are interleaved to achieve higher capacity.

【0013】本発明はICの構造で実施されており、周
囲の媒体103はシリコン、二酸化シリコン、チッ化シ
リコン、プラスチック、空気、等々のような典型的な半
導体プロセス材料で構成されている。本発明はまた多層
PCB(プリント回路基板)で実施され、ここで周囲の
媒体はPCBの非金属部品である。信号及び戻りライン
は絶縁層の一の側にあり、離間された金属ラインは反対
側にある。本発明の他の実施例で、最も簡単なものはケ
ーブル内である。この特定の例は外側の導電体から内側
に到達するタブ、及び/又は内側導体から外側に到達す
るタブである。
The present invention is embodied in the structure of an IC, wherein the surrounding medium 103 is comprised of typical semiconductor process materials such as silicon, silicon dioxide, silicon nitride, plastic, air, and the like. The invention is also embodied in a multilayer PCB (Printed Circuit Board), where the surrounding medium is a non-metallic component of the PCB. The signal and return lines are on one side of the insulating layer, and the spaced metal lines are on the other side. Another simple embodiment of the invention is in a cable. Specific examples of this are tabs reaching inward from outer conductors and / or tabs reaching out from inner conductors.

【0014】ICの実施例に対して、ニクロムが導伝性
層122として好ましい。何故ならばそれは成形可能な
金属であるからである。タブから信号又は戻りラインへ
の電流路を中断するためにニクロム細片を成形すること
により本発明を実施可能である。より多くの細片を切断
することにより、ラインの波長及び速度は徐々に増加す
る。これは非常に正確な遅延又は位相シフトが達成され
るようにプロセスの残りの後及びラインが測定される間
になされうる。
For the IC embodiment, nichrome is preferred for the conductive layer 122. Because it is a formable metal. The invention can be practiced by shaping nichrome strips to interrupt the current path from the tub to the signal or return line. By cutting more strips, the wavelength and speed of the line gradually increases. This can be done after the rest of the process and while the lines are being measured so that very accurate delays or phase shifts are achieved.

【0015】小型伝送ライン101、102はタブ11
1及びノッチ112を含む不均一な導電性幾何形状を有
する。タフ111及びノッチ112はインダクタンスを
増加せずにライン101、102の容量を増加させる。
これはライン101、102を伝送される信号の遅延を
作り出す。
The small transmission lines 101 and 102 are connected to the tab 11
It has a non-uniform conductive geometry including ones and notches 112. Tough 111 and notch 112 increase the capacitance of lines 101 and 102 without increasing inductance.
This creates a delay in the signal transmitted on lines 101,102.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来技術の断面図を(a)に、その平面図を
(b)に示す。
FIG. 1A is a sectional view of a conventional technique, and FIG. 1B is a plan view thereof.

【図2】本発明の一実施例の断面図を(a)に、その平
面図を(b)に示す。
FIG. 2A is a sectional view of an embodiment of the present invention, and FIG.

【図3】本発明の代替実施例の断面図を(a)に、その
平面図を(b)に示す。
FIG. 3 (a) shows a cross-sectional view of an alternative embodiment of the present invention, and FIG. 3 (b) shows a plan view thereof.

【図4】本発明の第二の代替実施例の断面図を(a)
に、その平面図を(b)に示す。
FIG. 4 (a) is a cross-sectional view of a second alternative embodiment of the present invention.
The plan view is shown in FIG.

【図5】本発明の第三の代替実施例の断面図を(a)
に、その平面図を(b)に示す。
FIG. 5 (a) is a cross-sectional view of a third alternative embodiment of the present invention.
The plan view is shown in FIG.

【図6】本発明の第四の代替実施例の平面図を示す。FIG. 6 shows a plan view of a fourth alternative embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101、102 金属ライン 103 媒体 105 電流路 106、131 ギャップ 111、123 タブ 112 ノッチ 121 バイア 122 導伝性層 123、124 細片 101, 102 Metal line 103 Medium 105 Current path 106, 131 Gap 111, 123 Tab 112 Notch 121 Via 122 Conductive layer 123, 124 Strip

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 長さ方向に沿って交流を搬送することの
できる1以上の平行な導電路からなる信号ラインと、信
号ラインに平行であり信号ラインの方向と反対の方向に
交流を搬送することのできる1以上の導電路からなる戻
り信号ラインと、信号ラインから戻りラインへ直流が通
過できないよう戻り及び信号ラインが埋め込まれた絶縁
媒体と、伝送ライン全体のインダクタンスを顕著に減少
させることなく信号ラインと戻りラインとの間の有効容
量を増加するよう信号及び戻りラインに結合された不均
一な導電手段と、半導体基板とからなり、絶縁媒体は半
導体基板上に配置される伝送ライン構造。
1. A signal line comprising one or more parallel conductive paths capable of carrying an alternating current along its length, and carrying an alternating current in a direction parallel to the signal line and opposite to the direction of the signal line. A return signal line consisting of one or more conductive paths, an insulating medium in which return and signal lines are embedded so that no direct current can pass from the signal line to the return line, and without significantly reducing the inductance of the entire transmission line. A transmission line structure comprising a non-uniform conductive means coupled to the signal and return lines to increase the effective capacitance between the signal and return lines, and a semiconductor substrate, wherein the insulating medium is disposed on the semiconductor substrate.
【請求項2】 金属ラインと絶縁材料の交互の層を有す
る多層プリント回路基板を含み、絶縁層は一側に信号及
び戻りラインからなる第一の層を有し、他側に信号ライ
ンと戻りのラインとの間の容量を増加させるために信号
及び戻りのラインに関して横断するように向けられた離
間した金属ラインからなる第二の層を有し、絶縁材料に
より互いに分離された信号及び戻りのラインを含むケー
ブル構造と、他のラインに向かって一のラインから延在
する少なくとも一組の導電性タブとを含み、該タブは信
号ラインと戻りラインとの間の容量を増加するために相
互に関して向けられた請求項1記載の伝送ライン。
2. A multilayer printed circuit board having alternating layers of metal lines and insulating material, the insulating layer having a first layer of signal and return lines on one side and signal and return lines on the other side. A second layer of spaced metal lines oriented transversely with respect to the signal and return lines to increase capacitance between the signal and return lines, separated from each other by an insulating material. A cable structure including the lines and at least one set of conductive tabs extending from one line toward another line, wherein the tabs are interconnected to increase capacitance between a signal line and a return line. The transmission line according to claim 1, wherein the transmission line is directed at:
【請求項3】 不均一な導電手段は導電性細片のパター
ンからなり、該導電性細片は信号及び戻りのライン間の
容量を増加させるために信号及び戻りのラインに対して
横断するように向けられ、該導電性細片はそれに電流が
誘導的に誘起されるのを防止するためにギャップにより
分離され、絶縁媒体はプリント回路基板である請求項1
記載の伝送ライン。
3. The non-uniform conductive means comprises a pattern of conductive strips which are transverse to the signal and return lines to increase the capacitance between the signal and return lines. The conductive strip is separated by a gap to prevent current from being induced inductively therein, and the insulating medium is a printed circuit board.
The described transmission line.
【請求項4】 半導体基板と、その上にわたり長さ方向
に沿って交流を搬送する1以上の平行な導電路からなる
信号ラインと、信号ラインに平行であり半導体基板上に
わたり信号ラインの方向と反対の方向に交流を搬送する
1以上の導電路からなる戻り信号ラインと、信号ライン
から戻りラインへ直流が通過できないよう戻り及び信号
ラインが埋め込まれた絶縁媒体と、伝送ライン全体のイ
ンダクタンスを顕著に減少させることなく信号ラインと
戻りラインとの間の有効容量を増加するよう信号及び戻
りラインに結合された不均一な導電手段とからなり、該
基板は絶縁材料からなる伝送ライン構造からなる集積回
路。
4. A signal line comprising a semiconductor substrate and one or more parallel conductive paths carrying an alternating current over the semiconductor substrate in a longitudinal direction; and a signal line parallel to the signal line and extending over the semiconductor substrate. A return signal line consisting of one or more conductive paths carrying an alternating current in the opposite direction, an insulating medium in which the return and signal lines are embedded so that no direct current can pass from the signal line to the return line, and a significant inductance of the entire transmission line. The non-uniform conductive means coupled to the signal and return lines to increase the effective capacitance between the signal and return lines without reducing the substrate, the substrate comprising an integrated transmission line structure of insulating material. circuit.
【請求項5】 絶縁材料は基板上の絶縁層である請求項
4記載の集積回路。
5. The integrated circuit according to claim 4, wherein the insulating material is an insulating layer on the substrate.
【請求項6】 不均一な導電手段は導電性細片のパター
ンからなり、該導電性細片は信号及び戻りのライン間の
容量を増加させるために信号及び戻りのラインに対して
横断するように向けられ、該導電性細片はそれに電流が
誘導的に誘起されるのを防止するためにギャップにより
分離された請求項5記載の集積回路。
6. The non-uniform conductive means comprises a pattern of conductive strips that traverse the signal and return lines to increase the capacitance between the signal and return lines. 6. The integrated circuit of claim 5, wherein said conductive strips are separated by gaps to prevent currents being induced inductively therein.
【請求項7】 導電性細片から信号ライン又は戻りのラ
インのいずれかへ延在するバイアを更に含み、該バイア
は該細片をそれぞれの信号又は戻りのラインへ電気的に
接続するために導電性材料で満たされている請求項6記
載の集積回路。
7. The device further includes a via extending from the conductive strip to either the signal line or the return line, the via for electrically connecting the strip to a respective signal or return line. 7. The integrated circuit according to claim 6, wherein the integrated circuit is filled with a conductive material.
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