JP2000058977A5 - - Google Patents

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JP2000058977A5 JP1998227453A JP22745398A JP2000058977A5 JP 2000058977 A5 JP2000058977 A5 JP 2000058977A5 JP 1998227453 A JP1998227453 A JP 1998227453A JP 22745398 A JP22745398 A JP 22745398A JP 2000058977 A5 JP2000058977 A5 JP 2000058977A5
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Description

【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような従来の光/高周波通信で使用される光送信部と光受信部は、別構成となっていた。そのため、光送信部ユニットと光受信部ユニットが個別に存在することとなり、装置サイズが大きくなるという課題を有していた。
0011
[Problems to be Solved by the Invention]
However, the light transmitting portion and a light receiving unit used in such a conventional optical / RF communication has been a separate configuration. Therefore, the optical transmitter unit and the optical receiver unit exist separately, which has a problem that the size of the apparatus becomes large.

第10の本発明(請求項10記載の発明に対応)は、上記高周波回路基板が、高周波信号を増幅するための増幅器を含む上記第1〜9の何れか一つの発明の光・高周波通信ユニットである。 In the tenth invention (corresponding to the invention according to claim 10), the optical / high frequency communication unit according to any one of the first to ninth inventions, wherein the high frequency circuit board includes an amplifier for amplifying a high frequency signal. Is.

【図面の簡単な説明】
【図1】
本発明の実施の形態1にかかる光・高周波通信ユニットの構成図
【図2】
本発明の実施の形態1にかかる光・高周波通信ユニットの部品実装図
【図3】
本発明の実施の形態1にかかる高周波回路51の整合回路図
【図4】
本発明の実施の形態1にかかる高周波回路52の整合回路図
【図5】
本発明の実施の形態1にかかる光・高周波通信ユニットの高周波信号伝送効率を示す図
【図6】
本発明の実施の形態2にかかる光・高周波通信ユニットの構成図
【図7】
本発明の実施の形態2にかかる光・高周波通信ユニットの高周波/光信号変換効率を示す図
【図8】
本発明の実施の形態3にかかる光・高周波通信ユニットの構成図
【図9】
本発明の実施の形態3にかかる光・高周波通信ユニットの光/高周波信号変換効率を示す図
【図10】
本発明の実施の形態4にかかる光・高周波通信ユニットの高周波信号伝送効率を示す図
【図11】
本発明の実施の形態5にかかる光通信システムの構成図
【図12】
本発明の実施の形態5にかかる光通信システムの構成図
【図13】
本発明の実施の形態5にかかる光・高周波通信ユニットの高周波信号伝送効率を示す図
【図14】
本発明の実施の形態1にかかる高周波回路51の回路図
【図15】
本発明の実施の形態1にかかる高周波回路52の回路図
【図16】
従来の構成にかかる光・高周波通信ユニットが用いられる光通信システムの構成図
【図17】
従来の構成にかかる光・高周波通信の構成図
【図18】
従来の構成にかかる光・高周波通信の構成の高周波信号伝送効率を示す図
【符号の説明】
高周波/光信号変換素子
光/高周波信号変換素子
制御回路基板
ユニットパッケージ
シールド
31、32 高周波信号端子
41、42 光信号端子
51 送信器側の高周波回路基板
52 受信器側の高周波回路基板
71 親局側の光・高周波通信ユニット
72 子局側の光・高周波通信ユニット
81、82 高周波回路と制御回路が混合配線された回路基板
101 親局
102 子局
103、104 光ファイバ
105 移動局
106 モデム
107 共用器
110 アンテナ
201 同軸パッケージの半導体レーザモジュール
202 同軸パッケージの半導体フォトダイオードモジュール
231、232 同軸コネクタ
241、242 光ファイバ
243 光ファイバの余長処理部
251 光送信器側の高周波回路基板
252 光受信器側の高周波回路基板
206 制御回路基板
207 ユニットパッケージ
209 シールド
301、302、401、402 信号伝送路
303、403 インダクタンス素子
304、305、306、404、405、406 キャパシタンス素子
307、407 増幅器
1081 親局側の光送信器
1082 子局側の光送信器
1091 親局側の光受信器
1092 子局側の光受信器
[Simple explanation of drawings]
FIG. 1
FIG. 2 is a block diagram of an optical / high frequency communication unit according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a component mounting diagram of the optical / high frequency communication unit according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a matching circuit diagram of the high frequency circuit 51 according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a matching circuit diagram of the high frequency circuit 52 according to the first embodiment of the present invention.
FIG . 6 shows the high-frequency signal transmission efficiency of the optical / high-frequency communication unit according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a block diagram of an optical / high frequency communication unit according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 8 shows the high-frequency / optical signal conversion efficiency of the optical / high-frequency communication unit according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a block diagram of an optical / high frequency communication unit according to a third embodiment of the present invention.
Shows an optical / RF signal conversion efficiency of the light-RF communication unit according to the third embodiment of the present invention and FIG. 10
FIG. 11 is a diagram showing high-frequency signal transmission efficiency of the optical / high-frequency communication unit according to the fourth embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a configuration diagram of an optical communication system according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a configuration diagram of an optical communication system according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a diagram showing high-frequency signal transmission efficiency of the optical / high-frequency communication unit according to the fifth embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a circuit diagram of a high frequency circuit 51 according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 16 is a circuit diagram of a high frequency circuit 52 according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 17 is a configuration diagram of an optical communication system in which an optical / high frequency communication unit according to a conventional configuration is used.
FIG. 18 is a configuration diagram of optical / high frequency communication according to a conventional configuration.
Diagram showing high-frequency signal transmission efficiency of the optical / high-frequency communication configuration related to the conventional configuration [Explanation of symbols]
1 High frequency / optical signal conversion element 2 Optical / high frequency signal conversion element 6 Control circuit board 7 Unit package 9 Shields 31, 32 High frequency signal terminals 41, 42 Optical signal terminal 51 High frequency circuit board 52 on the transmitter side High frequency circuit board 71 on the receiver side Optical / high frequency communication unit 72 on the master station side Optical / high frequency communication unit 81, 82 on the slave station side Circuit board 101 in which a high-frequency circuit and a control circuit are mixed and wired Master station 102 Slave stations 103, 104 Optical fiber 105 Mobile station 106 Modem 107 Commoner 110 Antenna 201 Coaxial package semiconductor laser module 202 Coaxial package semiconductor photodiode modules 231 and 232 Coaxial connectors 241 and 242 Optical fiber 243 Extra length processing unit 251 of optical fiber High frequency circuit board 252 on the optical transmitter side High frequency circuit board 206 on the optical receiver side Control circuit board 207 Unit package 209 Shield 301, 302, 401, 402 Signal transmission lines 303, 403 Inductance elements 304, 305, 306, 404, 405, 406 Capacitance elements 307, 407 Amplifier 1081 Optical transmitter 1082 on the master station side Optical transmitter 1091 on the slave station side Optical receiver 1092 on the master station side Optical receiver on the slave station side

Claims (14)

光半導体モジュールと、
前記光半導体モジュールから高周波信号を入力又は、前記光半導体モジュールに高周波信号を出力する高周波回路基板と、
前記光半導体モジュールの駆動を制御する制御回路基板とを備え、
前記高周波回路基板と前記制御回路基板は異なる基板上で構成されており、且つ、互いに周波数領域での干渉、又は空間的な干渉を抑制するシールドが施されており、
前記光半導体モジュールは、前記高周波回路基板と前記制御回路基板に接続されていることを特徴とする光・高周波通信ユニット。
An optical semiconductor module;
A high frequency circuit board that inputs a high frequency signal from the optical semiconductor module or outputs a high frequency signal to the optical semiconductor module;
A control circuit board for controlling the driving of the optical semiconductor module,
The high-frequency circuit board and the control circuit board are configured on different substrates, and are shielded to suppress interference in the frequency domain, or spatial interference with each other,
The optical / high-frequency communication unit, wherein the optical semiconductor module is connected to the high-frequency circuit board and the control circuit board.
高周波信号を光信号に変換し出力する第1の光半導体モジュールと、
光信号を高周波信号に変換する第2の光半導体モジュールと、
前記第1の光半導体モジュールに前記高周波信号を入力する第1の高周波回路基板と、
前記第2の光半導体モジュールからの前記高周波信号を得て、出力する第2の高周波回路基板と、
前記第1及び第2の光半導体モジュールの駆動を制御する制御回路基板とを備え、
前記第1の高周波回路基板と、前記第2の高周波回路基板と、前記制御回路基板とは互いに異なる基板上で構成されており、且つ、これら基板間での周波数領域での干渉、又は空間的な干渉を抑制するシールドが施されており、
前記第1の光半導体モジュールは、前記第1の高周波回路基板及び前記制御回路基板と接続されており、且つ、前記第2の光半導体モジュールは、前記第2の高周波回路基板と前記制御回路基板に接続されていることを特徴とする光・高周波通信ユニット。
A first optical semiconductor module that converts a high-frequency signal into an optical signal and outputs the optical signal;
A second optical semiconductor module that converts an optical signal into a high-frequency signal;
A first high-frequency circuit board that inputs the high-frequency signal to the first optical semiconductor module;
A second high-frequency circuit board that obtains and outputs the high-frequency signal from the second optical semiconductor module;
A control circuit board for controlling the driving of the first and second optical semiconductor modules,
The first high-frequency circuit board, the second high-frequency circuit board, and the control circuit board are configured on different substrates, and interference in the frequency domain between these substrates, or spatial Shield to suppress unwanted interference,
The first optical semiconductor module is connected to the first high-frequency circuit board and the control circuit board, and the second optical semiconductor module includes the second high-frequency circuit board and the control circuit board. An optical / high-frequency communication unit connected to the unit.
前記光半導体モジュールが、レーザダイオードモジュールとフォトダイオードモジュールであり、
前記レーザダイオードモジュールと、前記フォトダイオードモジュールと、前記高周波回路基板と、前記制御回路基板と、前記シールドとを内蔵搭載するためのユニットパッケージと、
前記高周波信号を入力又は出力するための高周波信号端子と、
前記光信号を入力又は出力するための光信号端子と、
を備えたことを特徴とする請求項1に記載の光・高周波通信ユニット。
The optical semiconductor module is a laser diode module and a photodiode module,
A unit package for incorporating the laser diode module, the photodiode module, the high-frequency circuit board, the control circuit board, and the shield;
A high-frequency signal terminal for inputting or outputting the high-frequency signal;
An optical signal terminal for inputting or outputting the optical signal;
The optical / high frequency communication unit according to claim 1, further comprising:
前記第1及び第2の光半導体モジュールが、レーザダイオードモジュールとフォトダイオードモジュールであり、
前記レーザダイオードモジュールと、前記フォトダイオードモジュールと、前記第1及び第2の高周波回路基板と、前記制御回路基板と、前記シールドとを内蔵搭載するためのユニットパッケージと、
前記第1の高周波回路基板に信号を入力するための第1の高周波信号端子と、 前記第2の高周波回路基板からの信号を出力するための第2の高周波信号端子と、
前記第1の光半導体モジュールからの光信号を出力するための第1の光信号端子と、
前記第2の光半導体モジュールへ光信号を入力するための第2の光信号端子と、
を備えたことを特徴とする請求項2に記載の光・高周波通信ユニット。
The first and second optical semiconductor modules are a laser diode module and a photodiode module;
A unit package for incorporating the laser diode module, the photodiode module, the first and second high-frequency circuit boards, the control circuit board, and the shield;
A first high-frequency signal terminal for inputting a signal to the first high-frequency circuit board; a second high-frequency signal terminal for outputting a signal from the second high-frequency circuit board;
A first optical signal terminal for outputting an optical signal from the first optical semiconductor module;
A second optical signal terminal for inputting an optical signal to the second optical semiconductor module;
The optical / high frequency communication unit according to claim 2, further comprising:
前記高周波回路基板は、前記光半導体モジュールと前記高周波信号端子とのインピーダンスを整合させるためのインピーダンス整合回路を含むことを特徴とする請求項3又は4に記載の光・高周波通信ユニット。  5. The optical / high-frequency communication unit according to claim 3, wherein the high-frequency circuit board includes an impedance matching circuit for matching impedance between the optical semiconductor module and the high-frequency signal terminal. 前記インピーダンス整合回路が、所望の周波数帯域で良好な伝達特性が得られるリアクタンス素子を含む共振型回路であることを特徴とする請求項5記載の光・高周波通信ユニット。  6. The optical / high frequency communication unit according to claim 5, wherein the impedance matching circuit is a resonance type circuit including a reactance element capable of obtaining a good transfer characteristic in a desired frequency band. 前記インピーダンス整合回路が、所望の複数の周波数帯域において伝送効率が良好となるように設定されていることを特徴とする請求項5に記載の光・高周波通信ユニット。  6. The optical / high frequency communication unit according to claim 5, wherein the impedance matching circuit is set so that transmission efficiency is good in a plurality of desired frequency bands. 前記インピーダンス整合回路によって得られる所望の周波数帯域と、前記光半導体モジュールに接続される高周波回路のインピーダンス整合回路によって得られる所望の周波数帯域とが、異なるように設定されていることを特徴とする請求項5に記載の光・高周波通信ユニット。  The desired frequency band obtained by the impedance matching circuit and the desired frequency band obtained by the impedance matching circuit of a high-frequency circuit connected to the optical semiconductor module are set to be different from each other. Item 6. The optical / high-frequency communication unit according to Item 5. 前記制御回路基板が、前記レーザダイオードモジュールと前記フォトダイオードモジュールの双方を制御し、レーザダイオードモジュールを制御する制御回路とフォトダイオードモジュールを制御する制御回路とが同一の基板上に形成されていることを特徴とする請求1〜5の何れか一つに記載の光・高周波通信ユニット。  The control circuit board controls both the laser diode module and the photodiode module, and the control circuit for controlling the laser diode module and the control circuit for controlling the photodiode module are formed on the same board. The optical / high-frequency communication unit according to any one of claims 1 to 5. 前記高周波回路基板が、高周波信号を増幅するための増幅器を含むことを特徴とする請求項1から9の何れか一つに記載の光・高周波通信ユニット。The high frequency circuit board, the light-RF communication unit according to any one of claims 1 to 9, characterized in that it comprises an amplifier for amplifying the high frequency signal. 前記ユニットパッケージが、ニッケル、鉄、コバルトを主原料とする合金、若しくは銅、タングステンを主原料とする合金、又は、アルミニウムを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項1から9の何れか一つに記載の光・高周波通信ユニット。10. The unit package according to claim 1, wherein the unit package is made of an alloy containing nickel, iron or cobalt as a main material, an alloy containing copper or tungsten as a main material, or a material containing aluminum. The optical / high-frequency communication unit according to any one of the above. 前記ユニットパッケージが、アルミナを主原料とするセラミック、もしくは樹脂により形成されていることを特徴とする請求項1から9の何れか一つに記載の光・高周波通信ユニット。It said unit package, light, high frequency communication unit according to any one of claims 1-9, characterized in that it is formed of ceramic or resin, and alumina as a main material. 前記高周波信号端子が、同軸型コネクタであることを特徴とする請求項1から12の何れか一つに記載の光・高周波通信ユニット。The optical / high-frequency communication unit according to any one of claims 1 to 12, wherein the high-frequency signal terminal is a coaxial connector. 前記高周波信号端子が、金属を主材料とするリードラインであることを特徴とする請求項1から12の何れか一つに記載の光・高周波通信ユニット。The high-frequency signal terminal, optical and RF communication unit according to any one of claims 1 to 12, characterized in that a lead line for the metal as a main material.
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