JP2000058223A - Surface modifying treatment method and surface modifying treatment device - Google Patents

Surface modifying treatment method and surface modifying treatment device

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JP2000058223A
JP2000058223A JP10227967A JP22796798A JP2000058223A JP 2000058223 A JP2000058223 A JP 2000058223A JP 10227967 A JP10227967 A JP 10227967A JP 22796798 A JP22796798 A JP 22796798A JP 2000058223 A JP2000058223 A JP 2000058223A
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discharge
power supply
steady
electrodes
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JP10227967A
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Japanese (ja)
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Shunsuke Hosokawa
俊介 細川
Kensuke Akutsu
顕右 阿久津
Koji Ueki
耕司 植木
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MASUDA KENKYUSHO KK
Nippon Paint Co Ltd
Original Assignee
MASUDA KENKYUSHO KK
Nippon Paint Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low cost and compact surface modifying treatment device using a plasma capable of generating high-voltage and high frequency discharge voltage by using a DC power source with relatively low output voltage. SOLUTION: In this surface modifying treatment device T1, discharge voltage for generating corona discharge is generated by superimposing pulse voltage on steady DC voltage. Therefore, high voltage, high frequency discharge voltage capable of conducting a sufficient plasma treatment or a corona discharge treatment to a treating material 3 can be obtained without increasing so much pulse voltage or steady DC voltage. Output voltage of a first DC power source 5 or a first DC power source 17 can relatively be lowered, the insulation mechanism of a circuit is simplified, and production cost is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、放電極と対向電極
との間に高圧の放電電圧を印加することにより惹起され
たコロナ放電によるプラズマを利用して被処理物の表面
特性を改質する表面改質処理方法及び表面改質処理装置
に関するものであって、とくに放電電圧をパルス電圧と
定常直流電圧とを重ね合わせて生成することにより電源
電圧を低減するようにした、樹脂成型品、樹脂シート、
樹脂フィルム、紙、布、不織布、金属板等の表面の塗装
性、印刷性、接着性、吸湿性、親水性等を向上させるこ
とができる表面改質処理方法及び表面改質処理装置に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention modifies the surface characteristics of an object to be processed by utilizing a plasma generated by applying a high discharge voltage between a discharge electrode and a counter electrode, which is generated by corona discharge. The present invention relates to a surface reforming method and a surface reforming apparatus, and in particular, a resin molded product, a resin, in which a power supply voltage is reduced by generating a discharge voltage by superimposing a pulse voltage and a steady DC voltage. Sheet,
The present invention relates to a surface modification treatment method and a surface modification treatment device capable of improving the paintability, printability, adhesiveness, hygroscopicity, hydrophilicity, and the like of the surface of a resin film, paper, cloth, nonwoven fabric, metal plate, and the like. is there.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、樹脂(プラスチック)、紙、
布、金属等で形成された被処理物に塗装、印刷等の装飾
を施し、あるいはこれらに別の部材を接着する際には、
被処理物表面の塗装性、印刷性、接着性、親水性、吸湿
性等を高めるために、該被処理物表面に表面改質処理を
施すことが多い。そして、このような表面改質処理手法
の1つとして、コロナ放電により空気中に生成されるプ
ラズマを被処理物表面に印加(照射)して該表面を改質
するといったプラズマ処理ないしはコロナ放電処理が従
来より知られている(例えば、特開平5−339397
号公報参照)。
2. Description of the Related Art Generally, resin (plastic), paper,
When applying decoration such as painting and printing to the object to be processed formed of cloth, metal, etc., or when bonding another member to these,
In order to improve the paintability, printability, adhesiveness, hydrophilicity, hygroscopicity and the like of the surface of the object, the surface of the object is often subjected to a surface modification treatment. As one of such surface modification treatment methods, a plasma treatment or a corona discharge treatment in which plasma generated in the air by corona discharge is applied (irradiated) to the surface of the object to be treated to modify the surface. Is conventionally known (for example, see Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-33997).
Reference).

【0003】このようなプラズマによる表面改質処理装
置には、普通、コロナ放電により被処理物近傍の空気中
にプラズマを発生させるプラズマ発生装置が設けられ、
かかるプラズマ発生装置は、普通、相対向する放電極と
対向電極との間に高電圧・高頻度のパルス電圧を印加
し、両電極の間隙にコロナ放電を惹起して空気中にプラ
ズマを発生させるようになっている。なお、被処理物
は、両電極の間隙に静止して配置され、あるいは該間隙
を適当な速さで通過させられ、その表面にプラズマ処理
が施される。
[0003] Such a plasma surface modification apparatus is usually provided with a plasma generator for generating plasma in the air near the object by corona discharge.
Generally, such a plasma generator applies a high voltage and a high frequency pulse voltage between a discharge electrode and a counter electrode facing each other to cause corona discharge in a gap between both electrodes to generate plasma in the air. It has become. The object to be processed is placed stationary in the gap between the two electrodes, or is passed through the gap at an appropriate speed, and the surface thereof is subjected to plasma processing.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
プラズマを利用した表面改質処理装置においては、前記
のとおり、放電極と対向電極との間隙に被処理物を静止
して配置しないしは通過させなければならないので、両
電極の間隔(電極間距離)は、被処理物の形態によって
はかなり大きくする必要がある。このため、形状ないし
は寸法が異なる種々の被処理物にプラズマ処理を施す必
要がある場合、表面改質処理装置の両電極の間隔は、お
おむね30cm程度に設定するのが実用的である。
However, in such a surface reforming apparatus utilizing plasma, as described above, the object to be processed is not disposed stationary in the gap between the discharge electrode and the counter electrode. Since the electrodes must pass through, the distance between the two electrodes (distance between the electrodes) needs to be considerably large depending on the form of the object to be processed. For this reason, when it is necessary to perform plasma processing on various objects to be processed having different shapes or dimensions, it is practical to set the distance between the two electrodes of the surface modification apparatus to about 30 cm.

【0005】ここで、両電極間にコロナ放電を惹起する
のに必要とされるパルス電圧の波高値は、両電極の間隔
が大きくなればなるほど高くなるが、両電極の間隔が3
0cm程度の場合、常圧下の空気中で十分な表面改質処
理効果が得られるようなコロナ放電を惹起するには、お
おむね200KV以上の波高値のパルス電圧が必要とさ
れる。そして、直流電源を用いて波高値が200KVの
パルス電圧を発生させる場合、該直流電源に要求される
出力電圧はかなり高くなる(例えば、180KV以
上)。
Here, the peak value of the pulse voltage required to cause corona discharge between the two electrodes increases as the distance between the two electrodes increases, but the peak value between the two electrodes becomes 3.
In the case of about 0 cm, a pulse voltage having a peak value of about 200 KV or more is required to induce a corona discharge capable of obtaining a sufficient surface modification treatment effect in air under normal pressure. When a pulse voltage having a peak value of 200 KV is generated using a DC power supply, the output voltage required for the DC power supply becomes considerably high (for example, 180 KV or more).

【0006】しかしながら、このように直流電源の出力
電圧を高くすると、該直流電源やパルス電圧生成回路の
絶縁機構が非常に大がかりなものとなり、また高電圧に
十分に耐えることができる回路素子を用いなければなら
ない。このため、該表面改質処理装置の製作コストが非
常に高くなり、電源容量が大きくなり、さらには該表面
改質処理装置が大型化するといった問題が生じる。な
お、たとえ電源容量が小さくても、その出力電圧が高け
れば絶縁機構が大がかりなものとなるのはもちろんであ
る。
However, when the output voltage of the DC power supply is increased as described above, the insulating mechanism of the DC power supply and the pulse voltage generation circuit becomes very large, and a circuit element that can sufficiently withstand the high voltage is used. There must be. For this reason, the production cost of the surface reforming apparatus becomes very high, the power supply capacity becomes large, and the surface reforming apparatus becomes large. Even if the power supply capacity is small, if the output voltage is high, the insulation mechanism is of course large-scale.

【0007】本発明は、上記従来の問題を解決するため
になされたものであって、出力電圧が比較的低い直流電
源を用いて高圧・高頻度の放電電圧を発生させることが
でき、該放電電圧によって惹起されたコロナ放電による
プラズマで被処理物に十分な表面改質処理を施すことが
できる低コストでコンパクトな表面改質処理装置ないし
は表面改質処理方法を提供することを解決すべき課題と
する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and it is possible to generate a high-voltage and high-frequency discharge voltage using a DC power supply having a relatively low output voltage. The problem to be solved is to provide a low-cost and compact surface modification treatment apparatus or method capable of performing a sufficient surface modification treatment on an object to be treated by plasma generated by voltage-induced corona discharge. And

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
になされた本発明の第1の態様にかかる表面改質処理方
法は、相対向する放電極と対向電極との間に高圧(高頻
度)の放電電圧を印加し、(常圧下の空気中で)両電極
の間隙にコロナ放電を惹起してプラズマを発生させ、両
電極の間隙に被処理物を配置(移動させる場合を含む)
してプラズマにより該被処理物の表面特性を改質するよ
うにした表面改質処理方法において、放電電圧をパルス
電圧と定常直流電圧とを重ね合わせて(重畳して)生成
するようにしたことを特徴とするものである。
Means for Solving the Problems The surface modification method according to the first aspect of the present invention, which has been made to solve the above-mentioned problems, has a high pressure (high frequency) between opposing discharge electrodes and counter electrodes. ), A corona discharge is induced in the gap between the two electrodes (in air under normal pressure) to generate plasma, and the object to be processed is disposed (moved) in the gap between the two electrodes.
In the surface reforming method, wherein the surface property of the object is modified by plasma, the discharge voltage is generated by superimposing (superimposing) a pulse voltage and a steady DC voltage. It is characterized by the following.

【0009】この表面改質処理方法においては、コロナ
放電を惹起するための放電電圧を、パルス電圧と定常直
流電圧と重ね合わせて生成するようにしているので、パ
ルス電圧又は定常直流電圧をさほど高くしなくても、被
処理物に十分なプラズマ処理ないしはコロナ放電処理を
施すことができる高圧(波高値)・高頻度の放電電圧を
得ることができる。したがって、パルス電圧を発生させ
るための電源、あるいは定常直流電圧を発生させるため
の電源の出力電圧を比較的低くすることができる。この
ため、電源あるいは放電電圧を生成するための回路の絶
縁機構が簡素なものですみ、また比較的耐電圧が低い回
路素子を用いることができるので、該表面改質処理方法
を実施するための機構が簡素化ないしはコンパクト化さ
れ、その製作コストが低減される。つまり、低コストで
被処理物にプラズマによる表面改質処理を施すことがで
きる。なお、この場合、定常直流電圧を生成するための
機構が必要となり、その分だけ製作コスト及び装置容量
が増加するが、これらの増加分を考慮しても、表面改質
処理機構全体としては、なお製作コスト及び装置容量が
低減される。
In this surface modification treatment method, a discharge voltage for inducing a corona discharge is generated by superimposing a pulse voltage and a steady DC voltage. Even without this, it is possible to obtain a high-voltage (peak value) and high-frequency discharge voltage capable of performing sufficient plasma treatment or corona discharge treatment on the object. Therefore, the output voltage of the power supply for generating the pulse voltage or the power supply for generating the steady DC voltage can be made relatively low. For this reason, a simple insulating mechanism of a circuit for generating a power supply or a discharge voltage can be used, and a circuit element having a relatively low withstand voltage can be used. The mechanism is simplified or made compact, and its manufacturing cost is reduced. That is, the object to be processed can be subjected to the surface modification treatment by plasma at low cost. In this case, a mechanism for generating a steady DC voltage is required, and the manufacturing cost and the device capacity are increased by that amount. In addition, the manufacturing cost and the device capacity are reduced.

【0010】上記表面改質処理方法においては、パルス
電圧を、直流電源から供給される直流電力をギャップ放
電させることにより生成するのが好ましい。なお、直流
電源の出力電圧は200KV以下に設定し、定常直流電
圧を100KV以下に設定するのが好ましい。このよう
にすれば、簡素な回路構造でもって、直流電圧から高い
繰り返し頻度のパルス電圧を生成することができる。
[0010] In the above surface modification treatment method, it is preferable that the pulse voltage is generated by performing a gap discharge of the DC power supplied from the DC power supply. Preferably, the output voltage of the DC power supply is set to 200 KV or less, and the steady DC voltage is set to 100 KV or less. This makes it possible to generate a pulse voltage having a high repetition frequency from a DC voltage with a simple circuit structure.

【0011】上記表面改質処理方法においては、直流電
源を、定常直流電圧の電源として併用するようにしても
よい。このようにすれば、1つの直流電源でパルス電圧
と定常直流電圧とを生成することができるので、回路構
造が簡素化される。
In the above-mentioned surface modification treatment method, a DC power supply may be used as a power supply for a steady DC voltage. With this configuration, a pulse voltage and a steady DC voltage can be generated by one DC power supply, so that the circuit structure is simplified.

【0012】本発明の第2の態様にかかる表面改質処理
装置は、(a)放電極と、(b)該放電極と相対向して
配置される対向電極と、(c)両電極間に高圧(高頻
度)の放電電圧を印加する高電圧印加手段とを備えてい
て、(d)高電圧印加手段により両電極間に上記放電電
圧を印加し、両電極の間隙にコロナ放電を惹起してプラ
ズマを発生させ、両電極の間隙に配置された被処理物の
表面特性をプラズマにより改質するようになっている表
面改質処理装置において、(e)高電圧印加手段が、両
電極間にパルス電圧を印加するパルス電圧印加手段と、
(f)両電極間にパルス電圧と重ね合わせて(重畳し
て)定常直流電圧を印加する定常直流電圧印加手段とを
備えていることを特徴とするものである。
A surface modification treatment apparatus according to a second aspect of the present invention comprises: (a) a discharge electrode; (b) a counter electrode disposed so as to face the discharge electrode; (D) applying the discharge voltage between the two electrodes by the high voltage application means to cause a corona discharge in a gap between the two electrodes. (E) the high-voltage applying means comprises: Pulse voltage applying means for applying a pulse voltage in between,
(F) a stationary DC voltage applying means for applying a stationary DC voltage by superimposing (overlapping) the pulse voltage between the two electrodes.

【0013】この表面改質処理装置においては、コロナ
放電を惹起するための放電電圧が、パルス電圧と定常直
流電圧とを重ね合わせる(重畳する)ことにより生成さ
れるので、パルス電圧又は定常直流電圧をさほど高くし
なくても、被処理物に十分なプラズマ処理ないしはコロ
ナ放電処理を施すことができる高圧(波高値)・高頻度
の放電電圧を得ることができる。したがって、パルス電
圧印加手段の電源、あるいは定常直流電圧印加手段の電
源の出力電圧を低くすることができる。このため、電源
あるいは放電電圧を生成するための回路の絶縁機構が簡
素なものですみ、また比較的耐電圧が低い回路素子を用
いることができるので、該表面改質処理装置が簡素化な
いしはコンパクト化され、その製作コストが低減され
る。つまり、被処理物のプラズマによる表面改質処理コ
ストが低減される。なお、この場合、定常直流電圧印加
手段を設ける分だけ製作コスト及び装置容量が増加する
が、これらの増加分を考慮しても、表面改質処理装置全
体としては、なお製作コスト及び装置容量が低減され
る。
In this surface reforming apparatus, a discharge voltage for inducing a corona discharge is generated by superimposing (superimposing) a pulse voltage and a steady DC voltage. It is possible to obtain a high-voltage (peak value) and high-frequency discharge voltage that allows sufficient plasma treatment or corona discharge treatment to be performed on the object to be processed without increasing the temperature. Therefore, the output voltage of the power supply of the pulse voltage application means or the power supply of the steady DC voltage application means can be reduced. For this reason, the insulating mechanism of the circuit for generating the power supply or the discharge voltage can be simplified, and a circuit element having a relatively low withstand voltage can be used, so that the surface reforming apparatus can be simplified or compact. And the manufacturing cost is reduced. That is, the cost of the surface modification treatment of the object to be treated by the plasma is reduced. In this case, the production cost and the apparatus capacity increase by the provision of the steady DC voltage applying means. However, even considering these increases, the production cost and the apparatus capacity of the entire surface reforming apparatus are still low. Reduced.

【0014】上記表面改質処理装置においては、パルス
電圧印加手段が、直流電源と、該直流電源から供給され
る直流電圧をパルス電圧に変換して両電極間に印加する
ギャップ放電スイッチ回路(ギャップスイッチ回路)と
を備えているのが好ましい。なお、直流電源の出力電圧
は200KV以下であり、定常直流電圧は100KV以
下であるのが好ましい。このようにすれば、簡素な回路
構造でもって、直流電圧から高頻度のパルス電圧を生成
することができる。
In the above surface reforming apparatus, the pulse voltage applying means includes a DC power supply and a gap discharge switch circuit (gap) for converting the DC voltage supplied from the DC power supply into a pulse voltage and applying the pulse voltage between both electrodes. Switch circuit). Note that the output voltage of the DC power supply is preferably 200 KV or less, and the steady DC voltage is preferably 100 KV or less. With this configuration, a high-frequency pulse voltage can be generated from a DC voltage with a simple circuit structure.

【0015】上記表面改質処理装置においては、パルス
電圧印加手段の直流電源が、定常直流電圧印加手段の電
源を兼ねているのが好ましい。このようにすれば、1つ
の直流電源でパルス電圧と定常直流電圧とを生成するこ
とができるので、回路構造が簡素化される。
In the above-described surface reforming apparatus, it is preferable that the DC power supply of the pulse voltage applying means also serves as the power supply of the steady DC voltage applying means. With this configuration, a pulse voltage and a steady DC voltage can be generated by one DC power supply, so that the circuit structure is simplified.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を具体
的に説明する。 (実施の形態1)図1(a)に示すように、本発明の実
施の形態1にかかる表面改質処理装置T1には、放電極
1と、該放電極1に相対向して配置される対向電極2と
が設けられ、両電極1、2は、常圧下の空気中におい
て、被処理物3の形状ないしは寸法に応じた適切な間隔
(例えば、30cm)を保って配置されている。すなわ
ち、両電極1、2は、これらの間隙を被処理物3が通過
することができ、あるいは該間隙に被処理物3を静止し
て配置することができるような適切な間隔を保って配置
されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be specifically described below. (Embodiment 1) As shown in FIG. 1A, in a surface modification treatment apparatus T1 according to Embodiment 1 of the present invention, a discharge electrode 1 and a discharge electrode 1 are disposed so as to face each other. A counter electrode 2 is provided, and the electrodes 1 and 2 are arranged in air under normal pressure with an appropriate interval (for example, 30 cm) according to the shape or size of the workpiece 3. In other words, the electrodes 1 and 2 are arranged with an appropriate distance between them so that the object 3 can pass through the gap or the object 3 can be arranged stationary in the gap. Have been.

【0017】放電極1と対向電極2との間には、パルス
電圧生成回路C1によって生成されるパルス電圧と、定
常直流電圧生成回路C2によって生成される定常直流電
圧とが重畳されて(重ね合わされて)なる、高電圧・高
頻度の放電電圧が印加されるようになっている。そし
て、両電極1、2間に放電電圧が印加されたときには、
両電極1、2の間隙にコロナ放電が惹起され、このコロ
ナ放電によってプラズマ4が生成されるようになってい
る。
A pulse voltage generated by the pulse voltage generation circuit C 1 and a steady DC voltage generated by the steady DC voltage generation circuit C 2 are superposed between the discharge electrode 1 and the counter electrode 2 ( (Overlapping), a high voltage and a high frequency discharge voltage are applied. When a discharge voltage is applied between the electrodes 1 and 2,
Corona discharge is induced in the gap between the two electrodes 1 and 2, and the plasma 4 is generated by the corona discharge.

【0018】このように、両電極1、2間に放電電圧が
印加されて、両電極1、2の間隙にプラズマ4が生成さ
れているときに、該間隙を被処理物3が通過させられ、
あるいは静止状態で配置され、その結果、被処理物3の
表面はプラズマ4によって改質処理され、その塗装性、
印刷性、接着性、吸湿性、親水性等が改善される。な
お、かかるプラズマによる改質処理が可能な被処理物3
としては、例えば樹脂成型品(プラスチック成型品)、
樹脂シート(プラスチックシート)、樹脂フィルム(プ
ラスチックフィルム)、紙、布、不織布、金属板などが
あげられる。
As described above, when the discharge voltage is applied between the electrodes 1 and 2 and the plasma 4 is generated in the gap between the electrodes 1 and 2, the workpiece 3 is passed through the gap. ,
Alternatively, the surface of the processing object 3 is modified by the plasma 4 as a result,
Printability, adhesiveness, hygroscopicity, hydrophilicity, etc. are improved. The object 3 that can be modified by the plasma is
For example, resin molded products (plastic molded products),
Examples include a resin sheet (plastic sheet), a resin film (plastic film), paper, cloth, nonwoven fabric, and a metal plate.

【0019】パルス電圧生成回路C1には、第1直流電
源5と、一端が第1直流電源5のマイナス極に接続され
他端が放電極1に接続された第1導線6と、一端が第1
直流電源5のプラス極に接続され他端が対向電極2に接
続された第2導線7とが設けられている。そして、第1
導線6には、第1直列電源5側から放電極1側に向かっ
て順に、第1保護抵抗8と充放電コンデンサ9とカップ
リングコンデンサ10とが直列に介設されている。
The pulse voltage generating circuit C 1 has a first DC power supply 5, a first conductor 6 having one end connected to the negative pole of the first DC power supply 5 and the other end connected to the discharge electrode 1, and one end connected to the discharge electrode 1. First
A second conductor 7 is connected to the positive pole of the DC power supply 5 and the other end is connected to the counter electrode 2. And the first
A first protection resistor 8, a charge / discharge capacitor 9, and a coupling capacitor 10 are provided in series on the conductive wire 6 in order from the first series power supply 5 side to the discharge electrode 1 side.

【0020】また、パルス電圧生成回路C1において
は、第1導線6のP1点と第2導線7のP2点とを接続す
る第3導線11が設けられ、この第3導線11には、P
1点側からP2点側に向かって順に、コイル12(インダ
クタンス)とギャップスイッチ13とが直列に介設され
ている。なお、第2導線7のP2点はアース部14に接
続されている。さらに、第1導線6のP3点と第2導線
7のP4点とを接続する第4導線15が設けられ、この
第4導線15に負荷抵抗16が介設されている。
In the pulse voltage generating circuit C 1 , there is provided a third conductor 11 connecting the point P 1 of the first conductor 6 and the point P 2 of the second conductor 7, and this third conductor 11 has , P
In order from one point side P 2 point side, the coil 12 (inductance) and the gap switch 13 is interposed in series. Incidentally, P 2 points of the second conductor 7 is connected to ground 14. Further, a fourth conductor 15 is provided for connecting the point P 3 of the first conductor 6 to the point P 4 of the second conductor 7, and a load resistor 16 is provided on the fourth conductor 15.

【0021】他方、定常直流電圧生成回路C2には、第
2直流電源17(直流重畳用電源)と、一端が第2直流
電源17のプラス極に接続され他端が第1導線6のP5
点(ひいては、放電極1)に接続された第5導線18
と、一端が第2直流電源17のマイナス極に接続され他
端が第2導線7のP6点(ひいては、対向電極2)に接
続された第6導線19とが設けられている。そして、第
5導線18には第2保護抵抗20(直流重畳用保護抵抗
器)が介設されている。
On the other hand, the stationary DC voltage generating circuit C 2 has a second DC power supply 17 (DC superimposing power supply) and one end connected to the positive pole of the second DC power supply 17 and the other end connected to the P terminal of the first conductor 6. Five
Fifth conductive wire 18 connected to a point (and, consequently, discharge electrode 1)
And a sixth conducting wire 19 having one end connected to the negative pole of the second DC power supply 17 and the other end connected to the point P 6 of the second conducting wire 7 (therefore, the counter electrode 2). A second protection resistor 20 (a DC superimposition protection resistor) is provided on the fifth conductor 18.

【0022】かくして、パルス電圧生成回路C1におい
ては、第1直流電源5の出力電圧から、次のようなプロ
セスで、高頻度で電圧が振動(変動)するパルス電圧が
生成される。すなわち、まず第1直流電源5がオンされ
ると、充放電コンデンサ9のマイナス側電極9aは第1
導線6(第1保護抵抗8を含む)を介して第1直流電源
5のマイナス極に接続され、他方プラス側電極9bは第
4導線15(負荷抵抗16を含む)と第2導線7とを介
して第1直流電源5のプラス極に接続されているので、
該充放電コンデンサ9には第1直流電源5の出力電圧が
印加されて電荷が蓄積される。また、ギャップスイッチ
13のマイナス側球電極13aは、第3導線11のマイ
ナス側の部分(コイル12を含む)と第1導線6(第1
保護抵抗8を含む)とを介して第1直流電源5のマイナ
ス極に接続され、ギャップスイッチ13のプラス側球電
極13bは第3導線11のプラス側の部分と第2導線7
とを介して第1直流電源5のプラス極に接続されている
ので、前記の充放電コンデンサ9への電荷の蓄積と並行
して、ギャップスイッチ13に印加される電圧は急激に
上昇する。
[0022] Thus, in the pulse voltage generating circuit C 1, the output voltage of the first DC power supply 5, in the following process, a pulse voltage voltage frequently vibrates (variation) is generated. That is, when the first DC power supply 5 is first turned on, the negative electrode 9a of the charge / discharge capacitor 9
The conductor 6 (including the first protection resistor 8) is connected to the negative pole of the first DC power supply 5, while the positive electrode 9b connects the fourth conductor 15 (including the load resistor 16) and the second conductor 7. Connected to the positive pole of the first DC power supply 5 via
The output voltage of the first DC power supply 5 is applied to the charge / discharge capacitor 9 to accumulate charges. Further, the negative side ball electrode 13a of the gap switch 13 is connected to the negative side portion (including the coil 12) of the third conductor 11 and the first conductor 6 (the first conductor 6).
(Including a protective resistor 8) and the negative pole of the first DC power supply 5, and the plus-side spherical electrode 13b of the gap switch 13 is connected to the plus-side portion of the third conductor 11 and the second conductor 7
, The voltage applied to the gap switch 13 rises rapidly in parallel with the accumulation of charges in the charge / discharge capacitor 9.

【0023】そして、充放電コンデンサ9に電荷がほぼ
飽和状態まで蓄積されるのとほぼ同時に、ギャップスイ
ッチ13の両球電極13a、13b間に火花放電が発生
する。この火花放電によりギャップスイッチ13は短絡
状態ないしは導通状態となり、このため充放電コンデン
サ9のマイナス側電極9aはアース部(ないしは第1直
流電源5のプラス極)に短絡される。これに伴って、充
放電コンデンサ9に蓄積されていた電荷がほぼ瞬時に放
出され、この電荷は、充放電コンデンサ9の静電容量と
カップリングコンデンサ10の静電容量と両電極1、2
の隙間の静電容量の比率で定まる電圧値と、コイル12
のインダクタンス値と負荷抵抗16の抵抗値とによって
定まる波形とを伴ったパルス電圧となって、放電極1と
対向電極2との間に印加される。
At approximately the same time as the electric charge is substantially accumulated in the charge / discharge capacitor 9 up to the saturation state, a spark discharge occurs between the two ball electrodes 13a and 13b of the gap switch 13. This spark discharge causes the gap switch 13 to be in a short-circuit state or a conductive state, so that the negative electrode 9a of the charging / discharging capacitor 9 is short-circuited to the ground portion (or the positive pole of the first DC power supply 5). As a result, the electric charge stored in the charge / discharge capacitor 9 is released almost instantaneously, and this electric charge is transferred to the electrostatic capacity of the charge / discharge capacitor 9, the electrostatic capacity of the coupling capacitor 10, and the electrodes 1, 2
The voltage value determined by the ratio of the capacitance of the gap between the coil 12 and the coil 12
And a pulse voltage having a waveform determined by the resistance value of the load resistor 16 and applied between the discharge electrode 1 and the counter electrode 2.

【0024】このようなプロセスが繰り返され、両電極
1、2間には、高頻度のパルス電圧が印加される。ここ
で、第1保護抵抗8は、ギャップスイッチ13が短絡状
態ないしは導通状態となったときに、第1直流電源5の
プラス極とマイナス極とが短絡するのを防止し、ひいて
第1直流電源5を保護するために設けられている。な
お、ギャップスイッチを用いて直流電源の直流電圧から
パルス電圧を生成するパルス電圧生成回路の構造は、本
願出願人にかかる特開平7−235362号公報に開示
されている。
Such a process is repeated, and a high-frequency pulse voltage is applied between the electrodes 1 and 2. Here, the first protection resistor 8 prevents the positive and negative poles of the first DC power supply 5 from being short-circuited when the gap switch 13 is in a short-circuit state or a conductive state, and thus the first DC power supply 5 It is provided to protect the power supply 5. The structure of a pulse voltage generation circuit that generates a pulse voltage from a DC voltage of a DC power supply using a gap switch is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-235362 of the present applicant.

【0025】また、定常直流電圧生成回路C2において
は、第2直流電源17のプラス極が第5導線18(第2
保護抵抗20を含む)を介して第1導線6のP5点に接
続され、第2直流電源17のマイナス極が第6導線19
を介して第2導線7のP6点に接続されているので、第
2直流電源17のプラス極の電位は放電極1に印加さ
れ、第2直流電源17のマイナス極の電位は対向電極2
に印加される。つまり、両電極1、2間には、パルス電
圧生成回路C1によって生成されるパルス電圧と、定常
直流電圧生成回路C2によって生成される定常直流電圧
とが重畳されてなる放電電圧が印加されることになる。
In the stationary DC voltage generating circuit C 2 , the positive pole of the second DC power supply 17 is connected to the fifth conductor 18 (second
Is connected to P 5 points of the first conductor 6 via including) the protective resistor 20, the negative pole of the second DC power supply 17 is the sixth conductor 19
Is connected to the point P 6 of the second conducting wire 7, the potential of the positive pole of the second DC power supply 17 is applied to the discharge electrode 1, and the potential of the negative pole of the second DC power supply 17 is
Is applied to That is, between the electrodes 1 and 2, a pulse voltage generated by the pulse voltage generating circuit C 1, the discharge voltage steady state DC voltage and is formed by superimposing produced by constant DC voltage generating circuit C 2 is applied Will be.

【0026】ここで、両電極1、2間にコロナ放電を発
生させるために印加すべき放電電圧の波高値は、両電極
1、2の間隔(以下、これを「電極間距離」という)に
依存するものの、おおむね10〜300KVであるのが
好ましく、20〜200KVであるのがより好ましい。
また、放電電圧のパルス回数すなわちパルス電圧の繰り
返し頻度は、おおむね20〜5000ppsであるのが
好ましく、100〜2000ppsであるのがより好ま
しい。放電電圧のパルス幅すなわちパルス電圧のパルス
幅はおおむね1〜10μmであるのが好ましく、2〜5
μmであるのがより好ましい。また、電極間距離は、種
々の形状ないしは寸法の被処理物3を改質処理(プラズ
マ処理)する場合は、およそ30cmとするのが好まし
い。この場合に必要とされる放電電圧の波高値は、例え
ばおよそ200KVである。
Here, the peak value of the discharge voltage to be applied in order to generate a corona discharge between the electrodes 1 and 2 is determined by the distance between the electrodes 1 and 2 (hereinafter referred to as “distance between electrodes”). Although it depends, it is preferably about 10 to 300 KV, more preferably 20 to 200 KV.
The number of pulses of the discharge voltage, that is, the repetition frequency of the pulse voltage is preferably about 20 to 5000 pps, and more preferably 100 to 2000 pps. The pulse width of the discharge voltage, that is, the pulse width of the pulse voltage is preferably about 1 to 10 μm,
More preferably, it is μm. Further, the distance between the electrodes is preferably about 30 cm when the object 3 having various shapes or dimensions is subjected to the reforming treatment (plasma treatment). The peak value of the discharge voltage required in this case is, for example, about 200 KV.

【0027】かくして、本発明の実施の形態1にかかる
表面改質処理装置T1ないしは表面改質処理方法によれ
ば、両電極1、2間にコロナ放電を惹起するための放電
電圧を、パルス電圧生成回路C1によって生成されるパ
ルス電圧と、定常直流電圧生成回路C2によって生成さ
れる定常直流電圧とを重畳して生成するようにしている
ので、パルス電圧又は定常直流電圧をさほど高くしなく
ても、被処理物3に十分なプラズマ処理ないしはコロナ
放電処理を施すことができる高圧(波高値)・高頻度の
放電電圧を得ることができる。したがって、パルス電圧
を発生させるための第1直流電源5、あるいは定常直流
電圧を発生させるための第2直流電源17の出力電圧を
低くすることができる。
Thus, according to the surface modification apparatus T1 or the surface modification method according to the first embodiment of the present invention, the discharge voltage for inducing a corona discharge between the electrodes 1 and 2 is changed to the pulse voltage. a pulse voltage generated by the generating circuit C 1, since so as to generate by superimposing a constant DC voltage generated by the constant DC voltage generating circuit C 2, not so high a pulse voltage or constant direct voltage However, a high-voltage (peak value) and high-frequency discharge voltage capable of performing a sufficient plasma treatment or corona discharge treatment on the workpiece 3 can be obtained. Therefore, the output voltage of the first DC power supply 5 for generating a pulse voltage or the output voltage of the second DC power supply 17 for generating a steady DC voltage can be reduced.

【0028】このため、第1直流電源5を含むパルス電
圧生成回路C1と、第2直流電源17を含む定常直流電
圧生成回路C2の絶縁機構が簡素ないしは小規模なもの
ですみ、またこれらの回路C1、C2を構成する各回路素
子として耐電圧が比較的低いものを用いることができる
ので、該表面改質処理装置T1の構造が簡素化ないしは
コンパクト化され、その製作コストが低減される。つま
り、低コストで被処理物3にプラズマによる表面改質処
理を施すことができる。
For this reason, the insulation mechanism of the pulse voltage generation circuit C 1 including the first DC power supply 5 and the steady DC voltage generation circuit C 2 including the second DC power supply 17 can be simple or small. Can be used as the circuit elements constituting the circuits C 1 and C 2 , the structure of the surface reforming apparatus T1 can be simplified or made compact, and the manufacturing cost can be reduced. Is done. That is, the workpiece 3 can be subjected to the surface modification treatment by plasma at low cost.

【0029】以下、本発明にかかる表面改質処理装置T
1による上記効果を、従来のこの種の表面改質処理装置
と比較しつつ、より具体的に説明する。例えば、図1
(b)に示すように、従来のこの種の表面改質処理装置
T1’では、本発明の実施の形態1にかかる表面改質処
理装置T1のような定常直流電圧生成回路C2と、該回
路C2の存在を前提とするカップリングコンデンサ10
とを備えていない。なお、図1(b)において、図1
(a)と共通の要素ないしは部材には、図1(a)と同
一の番号を付している。
Hereinafter, a surface modification treatment apparatus T according to the present invention will be described.
1 will be described more specifically in comparison with a conventional surface modification treatment apparatus of this type. For example, FIG.
As (b), in this type of conventional surface modification apparatus T1 ', the constant DC voltage generating circuit C 2, such as a surface modification apparatus T1 according to the first embodiment of the present invention, the coupling capacitor 10 that assumes the existence of a circuit C 2
And not equipped. In FIG. 1B, FIG.
Elements or members common to those in FIG. 1A are denoted by the same reference numerals as those in FIG.

【0030】このため、図3中の左半部のグラフに示す
ように、この従来の表面改質処理装置T1’では、放電
電圧はパルス電圧生成回路C1によって生成されるパル
ス電圧Vpのみで賄うことになる。この場合、例えば電
極間距離が30cmであれば、被処理物3に対して十分
なプラズマ処理を施すには、波高値がおよそ200KV
のパルス電圧を両電極1、2間に印加する必要がある
が、かかるパルス電圧を得るには、第1直流電源5の出
力電圧をおよそ180KVまで高くすることが必要であ
る。このため、高電圧に耐え得る絶縁機構と回路素子と
が必要となり、該表面改質処理装置T1’の大型化と製
作コストの上昇とを招くことになる。
[0030] Therefore, as shown in the graph of the left half portion in FIG. 3, in the conventional surface modification apparatus T1 ', the discharge voltage is only a pulse voltage Vp generated by the pulse voltage generation circuit C 1 Will be covered. In this case, for example, if the distance between the electrodes is 30 cm, in order to perform a sufficient plasma processing on the workpiece 3, the peak value is about 200 KV.
It is necessary to apply the pulse voltage between the electrodes 1 and 2. To obtain such a pulse voltage, it is necessary to increase the output voltage of the first DC power supply 5 to approximately 180 KV. For this reason, an insulating mechanism and a circuit element that can withstand a high voltage are required, which leads to an increase in the size of the surface reforming apparatus T1 'and an increase in the manufacturing cost.

【0031】これに対して、図3中の右半部のグラフに
示すように、本発明の実施の形態1にかかる表面改質処
理装置T1では、放電電圧は、パルス電圧生成回路C1
によって生成されるパルス電圧Vp’と、定常直流電圧
生成回路C2によって生成される定常直流電圧Vdcと
を重畳することにより生成され、したがって放電電圧は
(Vp’+Vdc)となる。ここで、放電電圧(Vp’
+Vdc)を、従来の表面改質処理装置T1’における
放電電圧Vpと同等にすれば、両電極1、2間にほぼ同
等のコロナ放電を惹起することができる。
On the other hand, as shown in the graph in the right half of FIG. 3, in the surface modification apparatus T1 according to the first embodiment of the present invention, the discharge voltage is changed to the pulse voltage generation circuit C 1.
Is generated by superimposing the pulse voltage Vp ′ generated by the above and the steady DC voltage Vdc generated by the steady DC voltage generation circuit C 2 , so that the discharge voltage becomes (Vp ′ + Vdc). Here, the discharge voltage (Vp '
If + Vdc) is made equal to the discharge voltage Vp in the conventional surface modification treatment device T1 ', almost the same corona discharge can be caused between the electrodes 1 and 2.

【0032】この場合、実施の形態1にかかる表面改質
処理装置T1におけるパルス電圧の電圧値Vp’(波高
値)は、従来の表面改質処理装置T1’における放電電
圧Vpに比べてかなり低くなる。例えば、前記の従来の
表面改質処理装置T1’の場合と同様に、電極間距離を
30cmとし放電電圧を200KVとした場合におい
て、定常直流電圧を85KVに設定すれば、パルス電圧
Vp’(波高値)は115KVとなり、この場合の第1
直流電源5の出力電圧はおよそ100KVで足りるもの
推測される。このように、第1直流電源5の出力電圧を
低くすることができるので、絶縁機構あるいは回路素子
はさほど高電圧に耐え得るものでなくてもよく、該表面
改質処理装置T1の構造が簡素化ないしはコンパクト化
され、その製作コストが低減される。つまり、パルス電
圧生成回路C1の第1直流電源5の出力電圧が低くてす
むので、その分、第1直流電源5ないしはパルス電圧生
成回路C1における絶縁設計が容易となり、定常直流電
圧生成回路C2の新設コストを差し引いても、十分なコ
ストダウンが図られ、かつ表面改質処理装置T1の小型
化が図られる。
In this case, the voltage value Vp '(peak value) of the pulse voltage in the surface modification apparatus T1 according to the first embodiment is considerably lower than the discharge voltage Vp in the conventional surface modification apparatus T1'. Become. For example, as in the case of the conventional surface modification treatment apparatus T1 ', when the distance between the electrodes is 30 cm and the discharge voltage is 200 KV, if the steady DC voltage is set to 85 KV, the pulse voltage Vp' (wave High) is 115 KV, the first in this case
It is assumed that the output voltage of the DC power supply 5 is about 100 KV. As described above, since the output voltage of the first DC power supply 5 can be reduced, the insulating mechanism or circuit element does not need to be able to withstand such a high voltage, and the structure of the surface reforming apparatus T1 is simplified. Or compact, and its manufacturing cost is reduced. In other words, since the output voltage of the first DC power supply 5 of the pulse voltage generation circuit C 1 can be low, the insulation design in the first DC power supply 5 or the pulse voltage generation circuit C 1 can be facilitated, and the steady DC voltage generation circuit be subtracted new cost of C 2, a sufficient cost reduction is achieved, and miniaturization of the surface modification apparatus T1 is achieved.

【0033】(実施の形態2)以下、図2を参照しつ
つ、本発明の実施の形態2を説明する。しかしながら、
実施の形態2にかかる表面改質処理装置T2の基本構成
は、図1(a)に示す実施の形態1にかかる表面改質処
理装置T1と同様であるので、以下では説明の重複を避
けるため、主として実施の形態1と異なる点を説明す
る。なお、図2において、図1(a)と共通の要素ない
しは部材には、図1(a)と同一の番号を付し、その説
明を省略する。
(Embodiment 2) Hereinafter, Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIG. However,
The basic configuration of the surface modification processing apparatus T2 according to the second embodiment is the same as that of the surface modification processing apparatus T1 according to the first embodiment shown in FIG. 1A. The points that are different from the first embodiment will be mainly described. In FIG. 2, the same elements or members as those in FIG. 1A are denoted by the same reference numerals as those in FIG. 1A, and description thereof will be omitted.

【0034】図2に示すように、実施の形態2にかかる
表面改質処理装置T2のパルス電圧生成回路C1’に
は、第1直流電源5のプラス極と放電極1とを接続する
第1接続導線21と、第1直流電源5のマイナス極と対
向電極2とを接続する第2接続導線22とが設けられて
いる。そして、第1接続導線21に、第1直流電源5側
から放電極1側に向かって順に、第1保護抵抗8と、コ
イル12(インダクタンス)と、ギャップスイッチ13
と、カップリングコンデンサ10とが直列に介設されて
いる。
As shown in FIG. 2, the pulse voltage generating circuit C 1 ′ of the surface modification apparatus T 2 according to the second embodiment includes a first electrode connected to the positive electrode of the first DC power supply 5 and the discharge electrode 1. A first connection conductor 21 and a second connection conductor 22 for connecting the negative electrode of the first DC power supply 5 to the counter electrode 2 are provided. Then, the first protection resistor 8, the coil 12 (inductance), and the gap switch 13 are sequentially connected to the first connection conductor 21 from the first DC power supply 5 side toward the discharge electrode 1 side.
And a coupling capacitor 10 are provided in series.

【0035】そして、第1接続導線21のS1点と第2
接続導線22のS2点とを接続する第3接続導線23に
は、充放電コンデンサ9を補助する補助コンデンサ24
が必要に応じて介設される。なお、第2接続導線22の
2点はアース部14に接続されている。また、第1接
続導線21のS3点と第2接続導線22のS4点とを接続
する第4接続導線25には充放電コンデンサ9が介設さ
れている。さらに、第1接続導線21のS5点と第2接
続導線22のS6点とを接続する第5接続導線26には
負荷抵抗16が介設されている。
Then, the S 1 point of the first connection lead 21 and the second
An auxiliary capacitor 24 for assisting the charge / discharge capacitor 9 is provided on a third connection conductor 23 connecting the connection conductor 22 to the point S 2.
Are interposed as needed. In addition, the S 2 point of the second connection conductor 22 is connected to the ground part 14. A charge / discharge capacitor 9 is interposed in the fourth connection conductor 25 connecting the point S 3 of the first connection conductor 21 and the point S 4 of the second connection conductor 22. Further, a load resistor 16 is provided on the fifth connection conductor 26 connecting the point S 5 of the first connection conductor 21 and the point S 6 of the second connection conductor 22.

【0036】他方、定常直流電圧生成回路C2’は、パ
ルス電圧生成回路C1’の第1接続導線21のS1点とS
7点とを接続する第6接続導線27と、該第6接続導線
27に介設された第2保護抵抗20(直流重畳用保護抵
抗器)とで構成され、独自の直流電源は備えていない。
すなわち、実施の形態2ではパルス電圧生成回路C1
の第1直流電源5が、定常直流電圧生成回路C2’の直
流電源を兼ねている。
On the other hand, the stationary DC voltage generation circuit C 2 ′ is connected to the S 1 point and S 1 of the first connection conductor 21 of the pulse voltage generation circuit C 1 ′.
It is composed of a sixth connection conductor 27 connecting the seven points and a second protection resistor 20 (a DC superimposition protection resistor) provided on the sixth connection conductor 27, and does not have its own DC power supply. .
That is, in the second embodiment, the pulse voltage generation circuit C 1
The first DC power supply 5 also serves as a DC power supply for the steady DC voltage generation circuit C 2 ′.

【0037】つまり、実施の形態2では、パルス電圧の
生成及び定常直流電圧の生成に必要な直流電圧を1つの
第1直流電源5で賄っている。なお、図1(a)に示す
実施の形態1では、第1直流電源5は、これと放電極1
とを接続する第1導線6に負電圧を出力する負極性電圧
出力形式であり、第2直流電源17は、これと放電極1
とを接続する第5導線18に正電圧を出力する正極性電
圧出力形式であるが、実施の形態2では、第1直流電源
5は、パルス電圧生成回路C1’に対しては正極性電圧
出力形式とされている。これは、実施の形態2では、実
施の形態1の場合とは、パルス電圧生成回路C1’の充
放電コンデンサ9と、コイル12及びギャップスイッチ
13との位置関係を逆にしているからである。これによ
り、放電極1に正極性パルスが印加され、したがってパ
ルス電圧と定常直流電圧とが同一極性となり、両電圧を
重畳することができる。
That is, in the second embodiment, a single first DC power supply 5 supplies a DC voltage necessary for generating a pulse voltage and a steady DC voltage. In the first embodiment shown in FIG. 1A, the first DC power supply 5
And a negative DC voltage output type that outputs a negative voltage to the first conducting wire 6 that connects the first conducting wire 6 to the first conducting wire 6.
Is a positive voltage output type that outputs a positive voltage to the fifth conductive line 18 that connects the first DC power supply to the pulse voltage generation circuit C 1 ′. Output format. This is because, in the second embodiment, the positional relationship between the charge / discharge capacitor 9 of the pulse voltage generation circuit C 1 ′, the coil 12 and the gap switch 13 is reversed from that of the first embodiment. . As a result, a positive pulse is applied to the discharge electrode 1, so that the pulse voltage and the steady DC voltage have the same polarity, and both voltages can be superimposed.

【0038】かくして、実施の形態2にかかる表面改質
処理装置T2においても、実施の形態1にかかる表面改
質処理装置T1の場合と同様に、第1直流電源5を含む
パルス電圧生成回路C1’及び定常直流電圧生成回路
2’の絶縁機構が簡素なものですみ、またこれらの回
路C1’、C2’を構成する各回路素子として耐電圧が比
較的低いものを用いることができるので、該表面改質処
理装置T2の構造が簡素化ないしはコンパクト化され、
その製作コストが低減される。さらに、定常直流電圧生
成回路C2’用の独立の直流電源を設ける必要がないの
で、表面改質処理装置T2の構造が一層簡素化ないしは
コンパクト化され、その製作コストが一層低減される。
Thus, in the surface modification processing apparatus T2 according to the second embodiment, similarly to the surface modification processing apparatus T1 according to the first embodiment, the pulse voltage generation circuit C including the first DC power supply 5 is used. The insulation mechanism of the 1 ′ and the steady DC voltage generation circuit C 2 ′ can be simple, and the circuit elements constituting these circuits C 1 ′ and C 2 ′ can be relatively low withstand voltage. Therefore, the structure of the surface modification treatment device T2 can be simplified or compacted,
The manufacturing cost is reduced. Furthermore, since there is no need to provide an independent DC power supply for the steady DC voltage generation circuit C 2 ′, the structure of the surface modification treatment device T2 is further simplified or compacted, and the manufacturing cost is further reduced.

【0039】[0039]

【実施例】以下、実施の形態1にかかる表面改質処理装
置T1を用いて、被処理物に対して実際にプラズマ処理
を施して得られた結果を説明する。 [目視による放電強度の確認]実施の形態1にかかる表
面改質処理装置T1を用いて、パルス電圧のみを印加し
た場合(定常直流電圧の印加を停止する)と、パルス電
圧と定常直流電圧とを重畳して印加した場合とについ
て、コロナ放電によるプラズマ強度を目視で観察した。
コロナ放電によって生成されたプラズマが両者でほぼ同
様の輝きであれば、表面改質処理効果(プラズマ処理効
果)もほぼ同等であるものと考えられる。
EXAMPLES Hereinafter, results obtained by actually performing a plasma treatment on an object to be processed using the surface modification processing apparatus T1 according to the first embodiment will be described. [Visual Confirmation of Discharge Intensity] When only the pulse voltage is applied (stopping the application of the steady DC voltage) using the surface modification apparatus T1 according to the first embodiment, the pulse voltage, the steady DC voltage and The plasma intensity due to the corona discharge was visually observed in the case where the voltage was superimposed and applied.
If the plasma generated by the corona discharge has substantially the same brightness, it is considered that the surface modification treatment effect (plasma treatment effect) is almost the same.

【0040】対向電極上(両電極の間隙)に誘電体(被
処理物)が存在しない場合は、パルス電圧Vpのみを放
電電圧Vtとして印加した場合(Vdc=0)と、パル
ス電圧Vpと定常直流電圧Vdcと重畳してその合成電
圧(Vp+Vdc)を放電電圧Vtとした場合とにおい
て、放電電圧Vtが等しい場合は、いずれも十分に強力
なコロナ放電が得られることが確認された。この結果か
らは、放電電圧Vtが等しければ、パルス電圧のみを印
加する場合と、パルス電圧と定常直流電圧とを重畳する
場合とで、ほぼ同等のプラズマ処理を行うことができる
ものと推測される。
When there is no dielectric (object to be processed) on the opposing electrode (the gap between the two electrodes), only the pulse voltage Vp is applied as the discharge voltage Vt (Vdc = 0), When the discharge voltage Vt is equal to the case where the combined voltage (Vp + Vdc) is superimposed on the DC voltage Vdc and the composite voltage (Vp + Vdc) is used as the discharge voltage Vt, it has been confirmed that a sufficiently strong corona discharge can be obtained. From this result, it is presumed that when the discharge voltage Vt is equal, almost the same plasma processing can be performed when only the pulse voltage is applied and when the pulse voltage and the steady DC voltage are superimposed. .

【0041】表1に、対向電極上に誘電体(被処理物)
を配置した場合の観察結果を示す。なお、この観察実験
では、電極間距離は50mmであり、誘電体の厚さは3
mmである。なお、表1において、目視観測結果(評
価)は、5段階評価であり、「*」印が多いものほどプ
ラズマが強いことを示している。なお、以下では「*」
の数がn個である場合を第n段階という。したがって、
第1段階(*)の場合はプラズマが最も弱く、第5段階
(******)の場合はプラズマが最も強いというこ
とになる(表1中では、第5段階のものはない)。
Table 1 shows that a dielectric (object to be processed) was formed on the counter electrode.
The results of observations in the case where are arranged are shown. In this observation experiment, the distance between the electrodes was 50 mm, and the thickness of the dielectric was 3 mm.
mm. In Table 1, the results of the visual observation (evaluation) are evaluated on a five-point scale, and the larger the “*” mark, the stronger the plasma. In the following, "*"
Is n-th stage. Therefore,
In the case of the first stage (*), the plasma is the weakest, and in the case of the fifth stage (****), the plasma is the strongest (in Table 1, there is no fifth stage). .

【0042】[0042]

【表1】 [Table 1]

【0043】表1に示すように、放電電圧Vtがほぼ同
等であるサンプルNo.1とサンプルNo.5とでは、い
ずれも評価は第3段階(***)であるが、パルス電圧
と定常直流電圧とを重畳したサンプルNo.5(直流重
畳)のプラズマの輝きは、パルス電圧のみのサンプルN
o.1のプラズマの輝きに比べてやや弱いという結果が
得られている。しかしながら、定常直流電圧(Vdc)
の上昇とともに評価が良くなり、定常直流電圧Vdcを
13KVまで高めたサンプルNo.2では、十分な輝き
のプラズマが得られている。この結果によっても、おお
むね、放電電圧Vtが等しければ、パルス電圧のみを印
加する場合と、パルス電圧と定常直流電圧とを重畳する
場合とで、ほぼ同等のプラズマ処理を行うことができる
ものと推測される。
As shown in Table 1, the evaluations of the sample No. 1 and the sample No. 5 in which the discharge voltage Vt is substantially the same were in the third stage (***), but the evaluation was in the third stage (***). The brightness of the plasma of Sample No. 5 (DC superimposed) on which the DC voltage was superimposed was higher than that of Sample N on which only the pulse voltage was applied
The result obtained was slightly weaker than that of the plasma of O.1. However, steady DC voltage (Vdc)
As the sample No. 2 in which the steady DC voltage Vdc was increased to 13 KV, a sufficiently bright plasma was obtained. According to this result, it is estimated that when the discharge voltage Vt is approximately equal, almost the same plasma processing can be performed when only the pulse voltage is applied and when the pulse voltage and the steady DC voltage are superimposed. Is done.

【0044】[パイロット装置による処理効果の確認]
図4に、プラスチック板表面に対する親水性向上効果を
確認するため、該プラスチック板表面にプラズマ処理を
施し、処理後におけるプラスチック板表面の水接触角を
測定した結果を示す。水接触角が小さいものほど、親水
性向上効果が高いことを示している。なお、このプラズ
マ処理は連続処理であり、被処理物としてはプラスチッ
ク平板(三井石油化学製M4800ミラストマー)が用
いられている。放電極数は5スリットであり、電極間距
離は60cmであり、被処理物の通過速度は0.8m/
min.である。
[Confirmation of Processing Effect by Pilot Apparatus]
FIG. 4 shows the results of measuring the water contact angle of the plastic plate surface after plasma treatment on the plastic plate surface in order to confirm the effect of improving the hydrophilicity on the plastic plate surface. The smaller the water contact angle, the higher the hydrophilicity improving effect. This plasma treatment is a continuous treatment, and a plastic plate (M4800 Mlastomer manufactured by Mitsui Petrochemical) is used as the object to be treated. The number of discharge electrodes is 5 slits, the distance between the electrodes is 60 cm, and the passing speed of the object to be processed is 0.8 m /
min.

【0045】図4に示すように、放電電圧Vt(パルス
電圧のみの場合はVp、重畳電圧の場合はVp+Vd
c)が同一である場合、パルス電圧のみの場合の方が、
重畳電圧(パルス電圧と定常直流電圧の重畳)の場合に
比べて水接触角が小さく、したがってより高い親水性向
上効果が得られている。したがって、親水性向上効果の
観点からは、重畳電圧の場合は、パルス電圧のみの場合
に比べて、処理効果がやや低いことがわかる。しかしな
がら、重畳電圧の場合でも、定常直流電圧Vdcを高め
れば、パルス電圧が比較的低いとき(150KV)でも
十分な親水性向上効果が得られるということが推測され
る。
As shown in FIG. 4, the discharge voltage Vt (Vp for only the pulse voltage, Vp + Vd for the superimposed voltage)
When c) is the same, the case of only the pulse voltage is
The water contact angle is smaller than in the case of the superimposed voltage (the superposition of the pulse voltage and the steady DC voltage), so that a higher hydrophilicity improving effect is obtained. Therefore, from the viewpoint of the effect of improving hydrophilicity, it can be seen that the processing effect is slightly lower in the case of the superimposed voltage than in the case of the pulse voltage alone. However, even in the case of the superimposed voltage, if the steady DC voltage Vdc is increased, it is presumed that a sufficient hydrophilicity improving effect can be obtained even when the pulse voltage is relatively low (150 KV).

【0046】このように、重畳電圧方式により、パルス
電圧のみの場合と同等の処理効果を得るには、定常直流
電圧を高めることが必要であるが、図4に示す結果によ
れば、200KVのパルス電圧のみでプラズマ処理する
場合と同等の処理効果を重畳電圧方式で得ようとする場
合、パルス電圧Vpを150KVに設定すれば、定常直
流電圧Vdcは65〜70KVに設定する必要があると
いえる。
As described above, in order to obtain the same processing effect as the case of using only the pulse voltage by the superimposed voltage method, it is necessary to increase the steady DC voltage. However, according to the result shown in FIG. In order to obtain the same processing effect as the case of performing the plasma processing using only the pulse voltage by the superimposed voltage method, if the pulse voltage Vp is set to 150 KV, the steady DC voltage Vdc needs to be set to 65 to 70 KV. .

【0047】[直流1電源による直流重畳方式実施例]
図5は、図2に示す実施の形態2にかかる表面改質処理
装置T2、すなわちパルス電圧生成回路C1’の直流電
源5が定常直流電圧生成回路C2’の直流電源を兼ねる
(重畳用電源を一体化した)表面改質処理装置T2を用
いて被処理物にプラズマ処理を施し、処理後における被
処理物の水接触角を測定した結果を示している。なお、
各サンプルの処理条件ないしは実験条件は、図5中に記
載されている。実施の形態2にかかる表面改質処理装置
T2では、1つの直流電源5の出力電圧が、パルス電圧
を生成するための直流電圧と定常直流電圧とを兼ねるこ
とになる。このため、この測定では、放電極のスリット
数や長さを変えて、放電発生量の低減によりパルス電圧
を上昇させるようにしている。したがって、スリット数
を変えた場合は、被処理物の処理通過回数が合計で同等
になるようにするなどして、処理条件を同一化してい
る。
[Embodiment of DC superimposition system using one DC power source]
FIG. 5 shows the surface modification apparatus T2 according to the second embodiment shown in FIG. 2, that is, the DC power supply 5 of the pulse voltage generation circuit C 1 ′ also serves as the DC power supply of the steady DC voltage generation circuit C 2 ′ (for superposition). The figure shows the results obtained by subjecting an object to be treated to plasma treatment using a surface modification treatment apparatus T2 (in which a power source is integrated) and measuring the water contact angle of the object to be treated after the treatment. In addition,
The processing conditions or experimental conditions for each sample are described in FIG. In the surface modification apparatus T2 according to the second embodiment, the output voltage of one DC power supply 5 serves as both a DC voltage for generating a pulse voltage and a steady DC voltage. For this reason, in this measurement, the pulse voltage is raised by changing the number and length of the slits of the discharge electrode to reduce the amount of discharge generated. Therefore, when the number of slits is changed, the processing conditions are made the same, for example, by making the number of processing passes of the processing object equal in total.

【0048】図5に示すように、実施の形態2にかかる
表面改質処理装置T2によるプラズマ処理では、放電電
圧Vtが同等であれば、パルス電圧のみの場合と重畳電
圧の場合とで、ほぼ同等の親水性向上効果が得られてい
るといえる。
As shown in FIG. 5, in the plasma processing by the surface modification processing apparatus T2 according to the second embodiment, if the discharge voltage Vt is the same, there is almost no difference between the case of only the pulse voltage and the case of the superimposed voltage. It can be said that the same hydrophilicity improving effect is obtained.

【0049】表2に、現行の大型プラズマ装置を想定し
て、該装置を従来の方式(パルス電圧のみを印加する)
で製作する場合と、重畳電圧方式で製作する場合とにつ
いて、原価計算を行った結果を示す。表2に示すよう
に、実施の形態1にかかる直流電源を2つ設けるタイプ
の重畳電圧方式では、従来の方式に比べて製作費が30
%低減されている。また、実施の形態2にかかる直流電
源を1つだけ設けるタイプの重畳電圧方式では、従来の
方式に比べて製作費が50%低減されている。したがっ
て、本発明にかかる表面改質処理装置は、その製作コス
トが大幅に低減されることがわかる。
Table 2 shows that the current large-sized plasma device is assumed to be a conventional type (only pulse voltage is applied).
The results of cost calculation are shown for the case of manufacturing with the superimposed voltage method and the case of manufacturing with the superimposed voltage method. As shown in Table 2, in the superimposed voltage system of the type in which two DC power supplies according to the first embodiment are provided, the production cost is 30 times less than that of the conventional system.
% Has been reduced. Further, in the superimposed voltage system of the type in which only one DC power supply according to the second embodiment is provided, the manufacturing cost is reduced by 50% as compared with the conventional system. Therefore, it can be seen that the manufacturing cost of the surface modification treatment device according to the present invention is significantly reduced.

【0050】[0050]

【表2】 [Table 2]

【0051】実施の形態1にかかる表面改質処理装置T
1で、このようにコストダウンを図ることができる要因
は、パルス電圧を生成するための第1直流電源5の出力
電圧を150KV以下とすることができ、これにより絶
縁設計を1階級下げることができること(絶縁階級80
号から60号へ)と、パルス電圧を生成するための消費
電力を低減することができることとである。他方、コス
トアップの要因は、定常直流電圧を重畳するための定常
直流電圧生成回路C2を設けるために、第2直流電源1
7、カップリングコンデンサ10及び第2保護抵抗20
を追加する必要があることである。しかしながら、表2
によれば、コストアップよりも、コストダウンの効果の
方が大きいことが示されている。例えば、従来の回路構
成では930万円を要する直流電源コストが、実施の形
態1の場合は370万円に低下するということが確認さ
れており、これは約60%のコスト低減となる。そし
て、第2直流電源17、カップリングコンデンサ10等
の追加があっても、耐電圧の低下、絶縁階級の低下によ
るメリットにより、合計で30%の原価低減を図ること
ができるものと試算されている。
The surface reforming apparatus T according to the first embodiment
1, the factor that can reduce the cost in this way is that the output voltage of the first DC power supply 5 for generating the pulse voltage can be set to 150 KV or less, thereby lowering the insulation design by one grade. What you can do (insulation class 80
From No. 60 to No. 60) in that the power consumption for generating the pulse voltage can be reduced. On the other hand, increase in cost, in order to provide a constant DC voltage generating circuit C 2 for superimposing a constant DC voltage, the second DC power source 1
7. Coupling capacitor 10 and second protection resistor 20
It is necessary to add. However, Table 2
According to the above, it is shown that the effect of cost reduction is greater than the cost increase. For example, it has been confirmed that the DC power supply cost of 9.3 million yen in the conventional circuit configuration is reduced to 3.7 million yen in the first embodiment, which is about a 60% cost reduction. Then, even if the second DC power supply 17 and the coupling capacitor 10 are added, it is estimated that the cost can be reduced by a total of 30% due to the merits of lowering the withstand voltage and lowering the insulation class. I have.

【0052】さらに、実施の形態2にかかる、パルス電
圧生成回路用と定常直流電圧生成回路用の直流電源が一
体化された表面改質処理装置T2においては、直流電源
を追加する必要がないので、より一層のコストダウンを
図ることができる。これは、第2直流電源(重畳用電
源)の電力容量が非常に小さいため、この電力をパルス
電圧生成用の直流電源で容易に賄うことができるからで
ある。
Further, in the surface reforming apparatus T2 according to the second embodiment in which the DC power supplies for the pulse voltage generation circuit and the steady DC voltage generation circuit are integrated, it is not necessary to add a DC power supply. Thus, the cost can be further reduced. This is because the power capacity of the second DC power supply (power supply for superimposition) is very small, and this power can be easily covered by the DC power supply for pulse voltage generation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 (a)は本発明の実施の形態1にかかる表面
改質処理装置の構成を示す回路図であり、(b)は従来
の表面改質処理装置の構成を示す回路図である。
FIG. 1A is a circuit diagram illustrating a configuration of a surface modification processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a circuit diagram illustrating a configuration of a conventional surface modification processing apparatus. .

【図2】 本発明の実施の形態2にかかる表面改質処理
装置の構成を示す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a surface modification processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図3】 図1(a)に示す表面改質処理装置の放電電
圧の時間に対する変化特性と、図1(b)に示す表面改
質処理装置の放電電圧の時間に対する変化特性とを示す
グラフである。
FIG. 3 is a graph showing a change characteristic of a discharge voltage with respect to time of the surface modification processing device shown in FIG. 1A and a change characteristic of a discharge voltage with time of the surface modification treatment device shown in FIG. It is.

【図4】 実施の形態1にかかる表面改質処理装置によ
るプラズマ処理の親水性向上効果を、従来例と比較して
示したグラフである。
FIG. 4 is a graph showing the effect of improving the hydrophilicity of the plasma treatment by the surface modification treatment device according to the first embodiment in comparison with a conventional example.

【図5】 実施の形態2にかかる表面改質処理装置によ
るプラズマ処理の親水性向上効果を、従来例と比較して
示したグラフである。
FIG. 5 is a graph showing the effect of improving the hydrophilicity of the plasma treatment by the surface modification treatment device according to the second exemplary embodiment in comparison with a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

T1…表面改質処理装置(実施の形態1)、T1’…表
面改質処理装置(従来例)、T2…表面改質処理装置
(実施の形態2)、C1…パルス電圧生成回路、C1’…
パルス電圧生成回路、C2…定常直流電圧生成回路、
2’…定常直流電圧生成回路、1…放電極、2…対向
電極、3…被処理物、4…プラズマ、5…第1直流電源
(負極性)、5’…第1直流電源(正極性)、6…第1
導線、7…第2導線、8…第1保護抵抗、9…充放電コ
ンデンサ、10…カップリングコンデンサ、11…第3
導線、12…コイル(インダクタンス)、13…ギャッ
プスイッチ、14…アース部、15…第4導線、16…
負荷抵抗、17…第2直流電源(正極性)、18…第5
導線、19…第6導線、20…第2保護抵抗、21…第
1接続導線、22…第2接続導線、23…第3接続導
線、24…補助コンデンサ、25…第4接続導線、26
…第5接続導線、27…第6接続導線。
T1 ... surface modification apparatus (Embodiment 1) (conventional example) T1 '... surface modification apparatus, T2 ... surface modification apparatus (Embodiment 2), C 1 ... pulse voltage generating circuit, C 1 '…
Pulse voltage generation circuit, C 2 ... steady DC voltage generation circuit,
C 2 ': steady DC voltage generating circuit, 1: discharge electrode, 2: counter electrode, 3: workpiece, 4: plasma, 5: first DC power supply (negative polarity), 5': first DC power supply (positive electrode) 6) 1st
Conductor, 7: second conductor, 8: first protection resistor, 9: charge / discharge capacitor, 10: coupling capacitor, 11: third
Conductor, 12: coil (inductance), 13: gap switch, 14: grounding part, 15: fourth conductor, 16 ...
Load resistance, 17: second DC power supply (positive polarity), 18: fifth
Conductor, 19 ... sixth conductor, 20 ... second protection resistor, 21 ... first connection conductor, 22 ... second connection conductor, 23 ... third connection conductor, 24 ... auxiliary capacitor, 25 ... fourth connection conductor, 26
... Fifth connection conductor, 27 ... Sixth connection conductor.

フロントページの続き (72)発明者 阿久津 顕右 大阪府寝屋川市池田中町19番17号 日本ペ イント株式会社内 (72)発明者 植木 耕司 大阪府寝屋川市池田中町19番17号 日本ペ イント株式会社内 Fターム(参考) 4D075 BB49X BB99X CA12 CA35 CA37 CA40 DA04 DB18 DB20 DB31 Continued on the front page (72) Inventor Kensuke Akutsu 19-17 Ikedanakacho, Neyagawa-shi, Osaka Inside Nippon Paint Co., Ltd. F term (reference) 4D075 BB49X BB99X CA12 CA35 CA37 CA40 DA04 DB18 DB20 DB31

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 相対向する放電極と対向電極との間に高
圧の放電電圧を印加し、上記両電極の間隙にコロナ放電
を惹起してプラズマを発生させ、上記両電極の間隙に被
処理物を配置して上記プラズマにより該被処理物の表面
特性を改質するようにした表面改質処理方法において、 上記放電電圧を、パルス電圧と定常直流電圧とを重ね合
わせて生成するようにしたことを特徴とする表面改質処
理方法。
1. A high-voltage discharge voltage is applied between a discharge electrode and a counter electrode facing each other to generate corona discharge in a gap between the two electrodes to generate plasma, and to process the gap between the two electrodes. In a surface modification treatment method in which an object is arranged to modify the surface characteristics of the object to be treated by the plasma, the discharge voltage is generated by superimposing a pulse voltage and a steady DC voltage. A surface modification treatment method comprising:
【請求項2】 上記パルス電圧を、直流電源から供給さ
れる直流電力をギャップ放電させることにより生成する
ようにしたことを特徴とする請求項1に記載の表面改質
処理方法。
2. The surface reforming method according to claim 1, wherein the pulse voltage is generated by performing a gap discharge of a DC power supplied from a DC power supply.
【請求項3】 上記直流電源の出力電圧を200KV以
下に設定し、上記定常直流電圧を100KV以下に設定
するようにしたことを特徴とする請求項2に記載の表面
改質処理方法。
3. The method according to claim 2, wherein the output voltage of the DC power supply is set to 200 KV or less, and the steady DC voltage is set to 100 KV or less.
【請求項4】 上記直流電源を、上記定常直流電圧の電
源として併用するようにしたことを特徴とする請求項2
に記載の表面改質処理方法。
4. The system according to claim 2, wherein said DC power supply is used as a power supply for said steady DC voltage.
3. The surface modification treatment method according to item 1.
【請求項5】 放電極と、該放電極と相対向して配置さ
れる対向電極と、上記両電極間に高圧の放電電圧を印加
する高電圧印加手段とを備えていて、上記高電圧印加手
段により上記両電極間に上記放電電圧を印加し、上記両
電極の間隙にコロナ放電を惹起してプラズマを発生さ
せ、上記両電極の間隙に配置された被処理物の表面特性
を上記プラズマにより改質するようになっている表面改
質処理装置において、 上記高電圧印加手段が、上記両電極間にパルス電圧を印
加するパルス電圧印加手段と、上記両電極間に上記パル
ス電圧と重ね合わせて定常直流電圧を印加する定常直流
電圧印加手段とを備えていることを特徴とする表面改質
処理装置。
5. A discharge electrode comprising: a discharge electrode; a counter electrode disposed to face the discharge electrode; and high voltage applying means for applying a high discharge voltage between the electrodes. Means for applying the discharge voltage between the two electrodes, generating a plasma by inducing a corona discharge in the gap between the two electrodes, and applying the plasma to the surface characteristics of the object disposed in the gap between the two electrodes. In the surface reforming apparatus adapted to be reformed, the high voltage applying means overlaps the pulse voltage between the two electrodes with a pulse voltage applying means for applying a pulse voltage between the two electrodes. A surface reforming apparatus comprising: a steady DC voltage applying means for applying a steady DC voltage.
【請求項6】 上記パルス電圧印加手段が、直流電源
と、該直流電源から供給される直流電圧をパルス電圧に
変換して上記両電極間に印加するギャップ放電スイッチ
回路とを備えていることを特徴とする請求項5に記載の
表面改質処理装置。
6. The pulse voltage applying means includes a DC power supply, and a gap discharge switch circuit for converting a DC voltage supplied from the DC power supply to a pulse voltage and applying the pulse voltage between the two electrodes. The surface modification treatment device according to claim 5, wherein:
【請求項7】 上記直流電源の出力電圧が200KV以
下であり、上記定常直流電圧が100KV以下であるこ
とを特徴とする請求項6に記載の表面改質処理装置。
7. The surface reforming apparatus according to claim 6, wherein the output voltage of the DC power supply is 200 KV or less, and the steady DC voltage is 100 KV or less.
【請求項8】 上記直流電源が、上記定常直流電圧印加
手段の電源を兼ねていることを特徴とする請求項6に記
載の表面改質処理装置。
8. The surface reforming apparatus according to claim 6, wherein the DC power source also serves as a power source for the steady DC voltage applying means.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1311717C (en) * 2002-09-13 2007-04-18 巴尔工业公司 Plasma surface treating method and apparatus therefor
JP2016056429A (en) * 2014-09-11 2016-04-21 京都電機器株式会社 Power supply device for dc sputtering apparatus
CN113727554A (en) * 2021-08-27 2021-11-30 北京北方华创微电子装备有限公司 Power supply assembly, plasma immersion ion implantation apparatus and method of use thereof

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