JP2000057984A - Scanning electron microscope - Google Patents

Scanning electron microscope

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JP2000057984A
JP2000057984A JP10220369A JP22036998A JP2000057984A JP 2000057984 A JP2000057984 A JP 2000057984A JP 10220369 A JP10220369 A JP 10220369A JP 22036998 A JP22036998 A JP 22036998A JP 2000057984 A JP2000057984 A JP 2000057984A
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scanning
sample
electron microscope
solid
state imaging
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JP10220369A
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Japanese (ja)
Inventor
Satoyuki Miyazaki
智行 宮崎
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a scanning electron microscope capable of reducing labor for searching an analysis point. SOLUTION: This scanning electron microscope 100 has an electron gun 10 for emitting an electron beam 11, a scanning means 40 for making the electron beam 11 scan on a sample 30, a signal detecting means 60 for detecting electrons emitted from a scanning point at the time of scanning of the electron beam 11 on the sample 30, a first signal processing means 70 for generating an image signal S70 based on an output signal S60 of the signal detecting means 60, a picture image display device 80 for displaying a sample image based on the image signal S70, and a coordinate setting means 50 for setting a coordinate value of an analysis point on the sample 30. The scanning means 40 makes the electron beam 11 move from the starting point fixed beforehand to the analysis point set by the coordinate setting means 50 and scan the analysis point. The electron beam 11 may be made to scan on an imaging surface 30A of a solid imaging element by supposing the sample 30 as the solid imaging element.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスや
固体撮像素子等の試料に電子線を照射して試料の分析、
解析等に用いられる走査電子顕微鏡に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for analyzing a sample such as a semiconductor device or a solid-state imaging device by irradiating the sample with an electron beam.
The present invention relates to a scanning electron microscope used for analysis and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】走査電子顕微鏡に関する発明は、特開昭
53−43469号公報、特開昭56−41663号公
報等に開示されている。上記特開昭56−41663号
公報には、走査電子顕微鏡の焦点合わせ用レンズの強度
をステップ状に制御しながら、同レンズを介し荷電粒子
線を試料上へ照射することにより同試料から得られる映
像信号を検出して、その映像信号を微分機構により微分
し、同微分機構からの微分信号に基づき正焦点位置を検
出して上記試料上への焦点合わせを行うに際し、まず所
定のステップ幅で上記焦点合わせ用レンズの強度を変化
させることにより第1回焦点位置検索を行い、その焦点
位置検索情報に基づき、上記第1回焦点位置検索の開始
位置よりも正焦点位置へ接近した開始位置から、上記ス
テップ幅よりも小さいステップ幅で上記焦点合わせ用レ
ンズの強度を変化させることにより第2回焦点位置検索
を行い、以下順次必要な回数まで同様の操作を繰り返し
て正焦点位置を検出することが開示されている。
2. Description of the Related Art The invention relating to a scanning electron microscope is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 53-43469 and 56-41663. Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-41663 discloses that a sample is obtained by irradiating a charged particle beam onto a sample through the lens while controlling the intensity of a focusing lens of a scanning electron microscope in a stepwise manner. Detecting the video signal, differentiating the video signal by a differentiating mechanism, detecting the right focus position based on the differential signal from the differentiating mechanism, and performing focusing on the sample, first with a predetermined step width. A first focus position search is performed by changing the intensity of the focusing lens. Based on the focus position search information, a first focus position search is performed from a start position closer to a right focus position than a start position of the first focus position search. The second focus position search is performed by changing the intensity of the focusing lens with a step width smaller than the step width, and the same operation is sequentially performed until the required number of times. It is disclosed that detects a positive focal point position by repeating.

【0003】走査電子顕微鏡では、0.3〜1cm角程
度のチップ上に5μm角程度以下の試料(解析物)を載
せ、試料像を画像表示装置に拡大表示させることがあ
る。または、0.3〜1cm角程度のチップ上における
5μm角程度以下の解析区画を拡大し、試料像を画像表
示装置に拡大表示させることがある。前記解析物または
解析区画は、画像表示装置の表示画面を見ながら、走査
電子顕微鏡の各種制御部を手動で操作して操作者が探
す。図4は、従来の走査電子顕微鏡の走査方法を説明す
る説明図である。試料130上に解析物5が付着してお
り、この解析物5の位置に電子線を移動させる場合、試
料130上に設定された起点から出発して、電子線を左
端から右端または右端から左端に大きく移動させて走査
する。符号2は、画像表示装置に映し出される範囲であ
る。
In a scanning electron microscope, a sample (analyte) having a size of about 5 μm square or less is mounted on a chip having a size of about 0.3 to 1 cm square, and a sample image is sometimes enlarged and displayed on an image display device. Alternatively, an analysis section of about 5 μm square or less on a chip of about 0.3 to 1 cm square may be enlarged, and the sample image may be enlarged and displayed on an image display device. The operator searches for the analysis object or the analysis section by manually operating various control units of the scanning electron microscope while looking at the display screen of the image display device. FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating a scanning method of a conventional scanning electron microscope. When the analyte 5 is attached to the sample 130, and the electron beam is moved to the position of the analyte 5, the electron beam is moved from the left end to the right end or from the right end to the left end starting from the starting point set on the sample 130. And scan it. Reference numeral 2 is a range projected on the image display device.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】この走査電子顕微鏡で
は、操作者が画像表示装置の表示画面を監視しつつ、表
示画面に解析物が映し出されるまで端から端まで走査を
繰り返すので、解析物の探索に手間がかかり時間がかか
る。また、走査電子顕微鏡の拡大倍率が500〜100
0倍程度となることがあり、この倍率で前記解析物また
は解析区画を探索するのは手間がかかる。一例として、
1個の解析物を見つけ出すのに、約20分の時間を費や
すことがある。本発明の目的は、解析物または解析区画
に対応する解析箇所を探す手間を少なくすることが可能
な走査電子顕微鏡を提供することにある。
In this scanning electron microscope, while the operator monitors the display screen of the image display device and repeats the scanning from one end to the other until the analyte is displayed on the display screen, the scanning electron microscope is used. Searching takes time and effort. Further, the magnification of the scanning electron microscope is 500 to 100.
It may be about 0 times, and it takes time to search for the analysis object or the analysis section at this magnification. As an example,
It may take about 20 minutes to find one analyte. An object of the present invention is to provide a scanning electron microscope capable of reducing the trouble of searching for an analysis point corresponding to an analysis object or an analysis section.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明の走査電子顕微鏡
は、電子線を射出する電子銃と、前記電子線を試料上に
走査させる走査手段と、前記電子線が前記試料上を走査
した時の走査点から放出される電子を検出する信号検出
手段と、前記信号検出手段の出力信号に基づいて映像信
号を生成する第1の信号処理手段と、前記映像信号に基
づいて試料像を表示する画像表示装置と、前記試料上の
解析箇所の座標値を設定する座標設定手段とを有し、前
記走査手段は、予め定められた起点から前記座標設定手
段により設定された前記解析箇所まで前記電子線を移動
させて当該解析箇所を走査させる。
A scanning electron microscope according to the present invention comprises an electron gun for emitting an electron beam, scanning means for scanning the electron beam on a sample, and a scanning means for scanning the electron beam on the sample. Signal detecting means for detecting electrons emitted from the scanning point, first signal processing means for generating a video signal based on an output signal of the signal detecting means, and displaying a sample image based on the video signal An image display device, and coordinate setting means for setting a coordinate value of an analysis point on the sample, wherein the scanning means is configured to scan the electronic data from a predetermined starting point to the analysis point set by the coordinate setting means. By moving the line, the analysis location is scanned.

【0006】本発明の走査電子顕微鏡では、好適には、
前記座標設定手段は、前記解析箇所の座標値を直交座標
の座標値により設定し、前記直交座標の原点を前記起点
とする。本発明の走査電子顕微鏡では、より好適には、
前記試料は固体撮像素子であってこの固体撮像素子の撮
像面上が走査され、前記直交座標の縦軸は前記固体撮像
素子の垂直走査方向と平行であり、前記直交座標の横軸
は前記固体撮像素子の水平走査方向と平行である。
In the scanning electron microscope of the present invention, preferably,
The coordinate setting means sets a coordinate value of the analysis location by a coordinate value of rectangular coordinates, and sets an origin of the rectangular coordinates as the starting point. In the scanning electron microscope of the present invention, more preferably,
The sample is a solid-state imaging device, and the imaging surface of the solid-state imaging device is scanned.The vertical axis of the rectangular coordinates is parallel to the vertical scanning direction of the solid-state imaging device, and the horizontal axis of the rectangular coordinates is the solid state. It is parallel to the horizontal scanning direction of the image sensor.

【0007】本発明の走査電子顕微鏡では、好適には、
前記座標設定手段は、マトリクス状に配列された複数の
ブロックを前記試料上に割り当て、前記解析箇所の座標
値をブロックの位置により設定する。本発明の走査電子
顕微鏡では、より好適には、前記試料は固体撮像素子で
あってこの固体撮像素子の撮像面上が走査され、前記マ
トリクス状に配列された複数のブロックの縦方向は前記
固体撮像素子の垂直走査方向と平行であり、前記マトリ
クス状に配列された複数のブロックの横方向は前記固体
撮像素子の水平走査方向と平行である。
In the scanning electron microscope of the present invention, preferably,
The coordinate setting means allocates a plurality of blocks arranged in a matrix on the sample, and sets a coordinate value of the analysis location by a position of the block. In the scanning electron microscope of the present invention, more preferably, the sample is a solid-state imaging device, and an imaging surface of the solid-state imaging device is scanned, and a vertical direction of the plurality of blocks arranged in a matrix is the solid-state imaging device. The horizontal direction of the plurality of blocks arranged in a matrix is parallel to the horizontal scanning direction of the solid-state imaging device.

【0008】電子銃は、電子線を射出する。走査手段
は、前記電子線を試料上に走査させる。信号検出手段
は、前記電子線が前記試料上を走査した時の走査点から
放出される電子を検出する。信号処理手段は、前記信号
検出手段の出力信号に基づいて映像信号を生成する。画
像表示装置は、前記映像信号に基づいて試料像を表示す
る。座標設定手段は、前記試料上の解析箇所の座標値を
設定する。前記走査手段は、予め定められた起点から前
記座標設定手段により設定された前記解析箇所まで前記
電子線を移動させて当該解析箇所を走査させる。前記電
子線が前記試料上の前記解析箇所を走査した時の走査点
から放出される電子は、前記信号検出手段により検出さ
れる。前記信号処理手段は、前記信号検出手段の出力信
号に基づいて解析箇所の試料像に対応する映像信号を生
成し、画像表示装置は、前記映像信号に基づいて解析箇
所の試料像を画像表示する。
[0008] The electron gun emits an electron beam. The scanning means scans the sample with the electron beam. The signal detecting means detects electrons emitted from a scanning point when the electron beam scans the sample. The signal processing means generates a video signal based on the output signal of the signal detection means. The image display device displays a sample image based on the video signal. The coordinate setting means sets a coordinate value of an analysis point on the sample. The scanning unit moves the electron beam from a predetermined starting point to the analysis location set by the coordinate setting unit and scans the analysis location. Electrons emitted from a scanning point when the electron beam scans the analysis location on the sample are detected by the signal detection means. The signal processing unit generates a video signal corresponding to a sample image of an analysis location based on an output signal of the signal detection unit, and the image display device displays a sample image of the analysis location based on the video signal. .

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面を参照して説明する。図1は、本発明に係る走査電子
顕微鏡の一例の概略ブロック図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic block diagram of an example of a scanning electron microscope according to the present invention.

【0010】この走査電子顕微鏡100は、電子線11
を射出する電子銃10と、前記電子線11を試料30上
に走査させる走査手段40と、前記電子線11が前記試
料30上を走査した時の走査点から放出される電子を検
出する信号検出手段60と、前記信号検出手段60の出
力信号S60に基づいて映像信号S70を生成する第1
の信号処理手段70と、前記映像信号S70に基づいて
試料像を表示する陰極線管(CRT)等の画像表示装置
80と、前記試料30上の解析箇所の座標値を設定する
座標設定手段50とを有する。前記走査手段40は、予
め定められた起点から前記座標設定手段50により設定
された前記解析箇所まで前記電子線11を移動させて当
該解析箇所を走査させる。前記試料30は、例えば、画
素に対応してマトリクス状に配置された光電変換素子を
撮像面30Aに有する固体撮像素子とする。前記解析箇
所の位置は、例えば、前記撮像面30Aに光が照射され
た前記固体撮像素子30から得られた映像信号S30の
異常箇所に対応する画素の位置とする。
The scanning electron microscope 100 has an electron beam 11
An electron gun 10 for emitting light, scanning means 40 for scanning the electron beam 11 on the sample 30, and signal detection for detecting electrons emitted from a scanning point when the electron beam 11 scans on the sample 30. Means 60 for generating a video signal S70 based on an output signal S60 of the signal detecting means 60;
A signal processing means 70, an image display device 80 such as a cathode ray tube (CRT) for displaying a sample image based on the video signal S70, and a coordinate setting means 50 for setting a coordinate value of an analysis point on the sample 30. Having. The scanning unit 40 moves the electron beam 11 from a predetermined starting point to the analysis location set by the coordinate setting unit 50 and scans the analysis location. The sample 30 is, for example, a solid-state imaging device having photoelectric conversion elements arranged in a matrix corresponding to pixels on an imaging surface 30A. The position of the analysis location is, for example, a location of a pixel corresponding to an abnormal location of the video signal S30 obtained from the solid-state imaging device 30 in which light is applied to the imaging surface 30A.

【0011】また、走査電子顕微鏡100は、電子銃1
0からの電子線11の方向を制御する磁場を生成する偏
向コイル20と、前記撮像面30Aに光が一様に照射さ
れた前記固体撮像素子30から得られた映像信号S30
に基づいて画素データを生成する第2の信号処理手段9
0と、前記画素データの値が前記光に対応する正常範囲
内にあるか否かを判定し、前記画素データの値が前記正
常範囲外の異常値である場合に当該画素の位置を検出し
て前記座標設定手段50に出力する位置検出手段95と
を有する。座標設定手段50は、当該画素の位置の座標
値を前記解析箇所の座標値として座標設定手段50の内
部メモリに記憶する。また、走査電子顕微鏡100は、
各種処理および演算を行うため、不図示の中央処理装置
(CPU)とROMとRAMとを備えている。
The scanning electron microscope 100 includes an electron gun 1
A deflection coil 20 for generating a magnetic field for controlling the direction of the electron beam 11 from zero; and a video signal S30 obtained from the solid-state imaging device 30 in which light is uniformly applied to the imaging surface 30A.
Signal processing means 9 for generating pixel data based on
0, determine whether the value of the pixel data is within a normal range corresponding to the light, and detect the position of the pixel when the value of the pixel data is an abnormal value outside the normal range. And a position detecting means 95 for outputting to the coordinate setting means 50. The coordinate setting means 50 stores the coordinate value of the position of the pixel in the internal memory of the coordinate setting means 50 as the coordinate value of the analysis location. Also, the scanning electron microscope 100
A central processing unit (CPU), a ROM, and a RAM (not shown) are provided for performing various processes and calculations.

【0012】自己走査型の固体撮像素子30には、撮像
面30Aに可視光を一様に照射して固体撮像素子30の
出力端子から映像信号S30が予め取り出されており、
映像信号S30は第2の信号処理手段90に入力され
る。第2の信号処理手段90は、映像信号S30に基づ
いて画素データS90を生成して位置検出手段95に出
力する。位置検出手段95には、前記可視光に対応する
正常範囲を示すデータが予め記憶されており、前記画素
データS90の各々が前記正常範囲の値であるか否かを
判定する。前記画素データS90が前記正常範囲外の異
常値である場合は、当該画素データS90に対応する画
素の位置を演算で割り出し、その位置の座標データを座
標設定手段50に出力して解析箇所の座標データとして
記憶させる。
In the self-scanning solid-state imaging device 30, a video signal S30 is previously extracted from an output terminal of the solid-state imaging device 30 by uniformly irradiating an imaging surface 30A with visible light.
The video signal S30 is input to the second signal processing means 90. The second signal processing unit 90 generates pixel data S90 based on the video signal S30 and outputs the pixel data S90 to the position detection unit 95. Data indicating a normal range corresponding to the visible light is stored in the position detecting means 95 in advance, and it is determined whether or not each of the pixel data S90 is a value in the normal range. If the pixel data S90 is an abnormal value outside the normal range, the position of the pixel corresponding to the pixel data S90 is calculated by calculation, and the coordinate data of the position is output to the coordinate setting means 50 to obtain the coordinates of the analysis location. Store as data.

【0013】次に、固体撮像素子30は、電子線11が
照射される照射台にセットされる。固体撮像素子30の
撮像面30Aは、電子線11の照射側に配置される。走
査手段40は、座標設定手段50に記憶された解析箇所
の座標データに基づいて偏向コイル20に電流を供給し
て磁力線を生成し、電子線11による走査点を起点から
解析箇所に移動させる。走査手段40は、電子線11が
撮像面30A上を走査するように、偏向コイル20に電
流を供給して磁力線を生成する。走査手段40は、固体
撮像素子30の解析箇所を走査させる。
Next, the solid-state imaging device 30 is set on an irradiation table to which the electron beam 11 is irradiated. The imaging surface 30 </ b> A of the solid-state imaging device 30 is arranged on the irradiation side of the electron beam 11. The scanning unit 40 supplies a current to the deflecting coil 20 based on the coordinate data of the analysis location stored in the coordinate setting unit 50 to generate a line of magnetic force, and moves the scanning point by the electron beam 11 from the starting point to the analysis location. The scanning means 40 supplies a current to the deflecting coil 20 to generate magnetic force lines so that the electron beam 11 scans on the imaging surface 30A. The scanning unit 40 scans an analysis location of the solid-state imaging device 30.

【0014】電子線11が撮像面30A上を走査した時
の走査点から放出される電子を信号検出手段60は検出
し、検出結果を示す出力信号S60を第1の信号処理手
段70に出力する。第1の信号処理手段70は、信号検
出手段60の出力信号S60に基づいて水平同期信号お
よび垂直同期信号を含有する映像信号S70を生成し、
映像信号S70を画像表示装置80に出力する。電子線
11の走査は、画像表示装置80の水平走査および垂直
走査に同期させてもよい。
The signal detection means 60 detects electrons emitted from a scanning point when the electron beam 11 scans on the imaging surface 30A, and outputs an output signal S60 indicating the detection result to the first signal processing means 70. . The first signal processing means 70 generates a video signal S70 containing a horizontal synchronization signal and a vertical synchronization signal based on the output signal S60 of the signal detection means 60,
The video signal S70 is output to the image display device 80. The scanning of the electron beam 11 may be synchronized with the horizontal scanning and the vertical scanning of the image display device 80.

【0015】図2と図3は、本発明の走査電子顕微鏡の
走査方法を例示する説明図である。符号2は、画像表示
装置80に映し出される範囲を示す。走査電子顕微鏡1
00では、解析物5の位置である解析箇所が予め判明し
ていて座標設定手段50に記憶されているので、電子線
11による走査点を、初期設定位置である起点から解析
物5の位置に直線的に移動させることができる。このよ
うに、座標設定手段50および走査手段40により、起
点から解析箇所まで走査点を移動させることで、解析物
5を探す手間を少なくすることができ、解析物5を探す
探索時間を短くすることができる。
FIGS. 2 and 3 are explanatory views illustrating the scanning method of the scanning electron microscope of the present invention. Reference numeral 2 indicates a range displayed on the image display device 80. Scanning electron microscope 1
In the case of 00, since the analysis point which is the position of the analysis object 5 is known in advance and stored in the coordinate setting means 50, the scanning point by the electron beam 11 is moved from the starting point which is the initial setting position to the position of the analysis object 5. It can be moved linearly. As described above, by moving the scanning point from the starting point to the analysis location by the coordinate setting unit 50 and the scanning unit 40, the trouble of searching for the analysis object 5 can be reduced, and the search time for searching for the analysis object 5 can be shortened. be able to.

【0016】前記座標設定手段50は、前記解析箇所の
座標値を直交座標の座標値により設定する。前記直交座
標の縦軸であるY軸は固体撮像素子30の垂直走査方向
Vに平行であり、前記直交座標の横軸であるX軸は固体
撮像素子30の水平走査方向Hに平行である。前記直交
座標の原点Oを前記起点とする。撮像面30Aには、画
素に対応してマトリクス状に光電変換素子が配置されて
おり、直交座標との対応が付け易い。撮像面30Aは、
固体撮像素子30を撮像に用いる場合には被写体の光学
像が照射され結像される。直交座標の原点Oは、解析箇
所の座標値が、X座標値およびY座標値が0以上となる
ように、撮像面30Aの一角に設定してもよい。固体撮
像素子30はチップとして形成されている。図2の撮像
面30Aにおいて、解析物5の位置である解析箇所の座
標値はX=1.5mm,Y=1.2mmである。
The coordinate setting means 50 sets the coordinate value of the analysis location by the coordinate value of rectangular coordinates. The Y axis, which is the vertical axis of the rectangular coordinates, is parallel to the vertical scanning direction V of the solid-state imaging device 30, and the X axis, which is the horizontal axis of the rectangular coordinates, is parallel to the horizontal scanning direction H of the solid-state imaging device 30. The origin O of the orthogonal coordinates is the starting point. On the imaging surface 30A, photoelectric conversion elements are arranged in a matrix corresponding to the pixels, and it is easy to associate with the rectangular coordinates. The imaging surface 30A is
When the solid-state imaging device 30 is used for imaging, an optical image of a subject is irradiated and formed. The origin O of the orthogonal coordinates may be set at one corner of the imaging surface 30A so that the coordinate values of the analysis point have the X coordinate value and the Y coordinate value of 0 or more. The solid-state imaging device 30 is formed as a chip. On the imaging surface 30A in FIG. 2, the coordinate values of the analysis location, which is the position of the analysis object 5, are X = 1.5 mm and Y = 1.2 mm.

【0017】図3の説明図では、解析物5の位置である
解析箇所はブロックの位置で示される。前記座標設定手
段50は、マトリクス状に配列された複数のブロックを
前記固体撮像素子30上に割り当て、前記解析箇所の座
標値をブロックの位置により設定している。マトリクス
状に配列された複数のブロックの縦方向は固体撮像素子
30の垂直走査方向Vと平行であり、マトリクス状に配
列された複数のブロックの横方向は固体撮像素子30の
水平走査方向Hと平行である。単位ブロックのX軸方向
の寸法(長さ)は1mmであり、Y軸方向の寸法(長
さ)は2mmであり、座標設定手段50の内部メモリに
インプットされて記憶される。起点は、座標値がX=
0,Y=0のブロックである。図3の撮像面30A上に
おいて、解析位置の座標値がX=9,Y=4であるブロ
ックに解析物5が付着している。座標設定手段50およ
び走査手段40により、解析箇所の当該ブロックに電子
線11による走査点を移動させることで、解析物5を探
す手間を少なくすることができ、解析物5を探す探索時
間を短くすることができる。縦軸であるY軸の単位長は
前記画素の垂直走査方向Vのピッチに等しくすると共
に、横軸であるX軸の単位長は前記画素の水平走査方向
Hのピッチに等しくすることで、画素の位置を用いて解
析箇所を表すことができる利点がある。前記複数のブロ
ックの大きさを画素の大きさと等しくすることで、画素
の位置を用いて解析箇所を表すことができる利点があ
る。
In the explanatory diagram of FIG. 3, an analysis point which is the position of the object 5 is indicated by the position of the block. The coordinate setting means 50 allocates a plurality of blocks arranged in a matrix on the solid-state imaging device 30, and sets the coordinate value of the analysis location based on the position of the block. The vertical direction of the plurality of blocks arranged in a matrix is parallel to the vertical scanning direction V of the solid-state imaging device 30, and the horizontal direction of the plurality of blocks arranged in the matrix is the horizontal scanning direction H of the solid-state imaging device 30. Parallel. The unit block has a dimension (length) in the X-axis direction of 1 mm and a dimension (length) in the Y-axis direction of 2 mm, which is input to the internal memory of the coordinate setting unit 50 and stored. The starting point is that the coordinate value is X =
0, Y = 0. On the imaging surface 30A in FIG. 3, the analysis object 5 is attached to a block whose coordinate value of the analysis position is X = 9 and Y = 4. By moving the scanning point by the electron beam 11 to the corresponding block of the analysis location by the coordinate setting unit 50 and the scanning unit 40, the trouble of searching for the analysis object 5 can be reduced, and the search time for searching for the analysis object 5 can be shortened. can do. The unit length of the Y axis, which is the vertical axis, is equal to the pitch of the pixel in the vertical scanning direction V, and the unit length of the X axis, which is the horizontal axis, is equal to the pitch of the pixel in the horizontal scanning direction H. There is an advantage that the analysis location can be represented by using the position. By making the size of the plurality of blocks equal to the size of the pixel, there is an advantage that the analysis location can be represented using the position of the pixel.

【0018】走査電子顕微鏡100は、座標設定手段5
0によってアドレス検索機能を具備することができ、解
析能力を向上して解析できる解析物の絶対数を増加する
ことができる。また、解析時間を短縮することができ、
解析効率を向上することができる。また、解析効率およ
び解析能力の向上により、解析の工数を低減することが
できる。
The scanning electron microscope 100 includes a coordinate setting means 5
With 0, an address search function can be provided, so that the analysis capability can be improved and the absolute number of objects to be analyzed can be increased. In addition, analysis time can be reduced,
Analysis efficiency can be improved. In addition, the number of analysis steps can be reduced by improving the analysis efficiency and the analysis capability.

【0019】第1の信号処理手段70と第2の信号処理
手段90を一体に設けてもよい。画像表示装置90とし
ては、液晶表示装置を用いてもよい。偏向コイル20を
走査手段40の一部として構成してもよい。直交座標の
縦軸と横軸の単位長を設定するスイッチ手段を設けて各
単位長を任意に設定可能として可変としてもよい。この
場合、前記スイッチ手段の出力信号は座標設定手段50
に出力する。解析箇所の座標値は、メートル法を基準と
するようにしてもよく、ヤードまたはポンド法を基準と
するようにしてもよい。前記複数のブロックの縦横の寸
法を設定するスイッチ手段を設けて各寸法を任意に設定
可能として可変としてもよい。この場合、前記スイッチ
手段の出力信号は座標設定手段50に出力する。照射台
(ステージ)を移動可能とし、照射台の所定位置に固体
撮像素子30を固定してから可視光を撮像面30Aに照
射して映像信号S30を得るようにしてもよい。なお、
上記実施形態は本発明の一例であり、本発明は上記実施
形態に限定されない。
The first signal processing means 70 and the second signal processing means 90 may be provided integrally. As the image display device 90, a liquid crystal display device may be used. The deflection coil 20 may be configured as a part of the scanning unit 40. Switch means for setting the unit lengths of the vertical axis and the horizontal axis of the orthogonal coordinates may be provided, and each unit length may be arbitrarily set and variable. In this case, the output signal of the switch means is output to the coordinate setting means 50.
Output to The coordinate value of the analysis location may be based on the metric system or may be based on the yard or pound system. Switch means for setting the vertical and horizontal dimensions of the plurality of blocks may be provided so that each dimension can be arbitrarily set and variable. In this case, the output signal of the switch means is output to the coordinate setting means 50. The irradiation table (stage) may be movable, and the solid-state imaging device 30 may be fixed at a predetermined position on the irradiation table, and then the visible light may be irradiated on the imaging surface 30A to obtain the video signal S30. In addition,
The above embodiment is an example of the present invention, and the present invention is not limited to the above embodiment.

【0020】[0020]

【発明の効果】本発明の走査電子顕微鏡によれば、座標
設定手段および走査手段により、前記電子線による走査
点を起点から解析箇所に移動させることができる。した
がって、解析箇所を探す手間を少なくすることが可能で
あり、解析箇所を探す探索時間を少なくすることが可能
な走査電子顕微鏡を提供することができる。
According to the scanning electron microscope of the present invention, the scanning point by the electron beam can be moved from the starting point to the analysis point by the coordinate setting means and the scanning means. Accordingly, it is possible to provide a scanning electron microscope that can reduce the trouble of searching for an analysis point and can reduce the search time for searching for an analysis point.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の走査電子顕微鏡の一例を説明する概略
ブロック図である。
FIG. 1 is a schematic block diagram illustrating an example of a scanning electron microscope of the present invention.

【図2】本発明の走査電子顕微鏡の走査方法を例示する
説明図である。
FIG. 2 is an explanatory view illustrating a scanning method of the scanning electron microscope of the present invention.

【図3】本発明の走査電子顕微鏡の走査方法を例示する
説明図である。
FIG. 3 is an explanatory view illustrating a scanning method of the scanning electron microscope of the present invention.

【図4】従来の走査電子顕微鏡の走査方法を例示する説
明図である。
FIG. 4 is an explanatory view illustrating a scanning method of a conventional scanning electron microscope.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2…画像表示装置80に映し出される範囲(表示範
囲)、5…解析物、10…電子銃、11…電子線、20
…偏向コイル、30…固体撮像素子(試料)、30A…
撮像面、40…走査手段、50…座標設定手段、60…
信号検出手段、70…第1の信号処理手段、80…画像
表示装置、90…第2の信号処理手段、95…位置検出
手段、100…走査電子顕微鏡、130…試料。
2 ... A range displayed on the image display device 80 (display range), 5 ... Analyte, 10 ... Electron gun, 11 ... Electron beam, 20
... Deflection coil, 30 ... Solid-state imaging device (sample), 30A ...
Imaging surface, 40: scanning means, 50: coordinate setting means, 60:
Signal detecting means, 70: first signal processing means, 80: image display device, 90: second signal processing means, 95: position detecting means, 100: scanning electron microscope, 130: sample.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】電子線を射出する電子銃と、 前記電子線を試料上に走査させる走査手段と、 前記電子線が前記試料上を走査した時の走査点から放出
される電子を検出する信号検出手段と、 前記信号検出手段の出力信号に基づいて映像信号を生成
する信号処理手段と、 前記映像信号に基づいて試料像を表示する画像表示装置
と、 前記試料上の解析箇所の座標値を設定する座標設定手段
とを有し、 前記走査手段は、予め定められた起点から前記座標設定
手段により設定された前記解析箇所まで前記電子線を移
動させて当該解析箇所を走査させる走査電子顕微鏡。
An electron gun for emitting an electron beam, scanning means for scanning the electron beam on a sample, and a signal for detecting electrons emitted from a scanning point when the electron beam scans the sample. Detecting means; signal processing means for generating a video signal based on an output signal of the signal detecting means; an image display device for displaying a sample image based on the video signal; and a coordinate value of an analysis point on the sample. A scanning electron microscope, comprising: coordinate setting means for setting, wherein the scanning means moves the electron beam from a predetermined starting point to the analysis location set by the coordinate setting means and scans the analysis location.
【請求項2】前記座標設定手段は、前記解析箇所の座標
値を直交座標の座標値により設定し、前記直交座標の原
点を前記起点とする請求項1記載の走査電子顕微鏡。
2. The scanning electron microscope according to claim 1, wherein said coordinate setting means sets a coordinate value of said analysis point by a coordinate value of rectangular coordinates, and sets an origin of said rectangular coordinates as said starting point.
【請求項3】前記試料は固体撮像素子であってこの固体
撮像素子の撮像面上が走査され、 前記直交座標の縦軸は前記固体撮像素子の垂直走査方向
と平行であり、 前記直交座標の横軸は前記固体撮像素子の水平走査方向
と平行である請求項2記載の走査電子顕微鏡。
3. The solid-state imaging device, wherein the sample is scanned over an imaging surface of the solid-state imaging device; a vertical axis of the orthogonal coordinates is parallel to a vertical scanning direction of the solid-state imaging device; 3. The scanning electron microscope according to claim 2, wherein a horizontal axis is parallel to a horizontal scanning direction of the solid-state imaging device.
【請求項4】前記直交座標の縦軸と横軸の単位長を設定
するスイッチ手段を有する請求項2記載の走査電子顕微
鏡。
4. The scanning electron microscope according to claim 2, further comprising switch means for setting unit lengths of the vertical axis and the horizontal axis of said rectangular coordinates.
【請求項5】前記座標設定手段は、マトリクス状に配列
された複数のブロックを前記試料上に割り当て、前記解
析箇所の座標値をブロックの位置により設定する請求項
1記載の走査電子顕微鏡。
5. The scanning electron microscope according to claim 1, wherein said coordinate setting means allocates a plurality of blocks arranged in a matrix on said sample, and sets the coordinate value of said analysis point by the position of said block.
【請求項6】前記試料は固体撮像素子であってこの固体
撮像素子の撮像面上が走査され、 前記マトリクス状に配列された複数のブロックの縦方向
は前記固体撮像素子の垂直走査方向と平行であり、 前記マトリクス状に配列された複数のブロックの横方向
は前記固体撮像素子の水平走査方向と平行である請求項
5記載の走査電子顕微鏡。
6. The solid-state imaging device, wherein the sample is scanned over an imaging surface of the solid-state imaging device, and a vertical direction of the plurality of blocks arranged in a matrix is parallel to a vertical scanning direction of the solid-state imaging device. The scanning electron microscope according to claim 5, wherein a horizontal direction of the plurality of blocks arranged in a matrix is parallel to a horizontal scanning direction of the solid-state imaging device.
【請求項7】前記複数のブロックの各々の大きさは、前
記撮像面の画素の大きさに等しい請求項6記載の走査電
子顕微鏡。
7. The scanning electron microscope according to claim 6, wherein each of the plurality of blocks has a size equal to a size of a pixel on the imaging surface.
【請求項8】前記複数のブロックの縦横の長さを設定す
るスイッチ手段を有する請求項5記載の走査電子顕微
鏡。
8. The scanning electron microscope according to claim 5, further comprising switch means for setting the length and width of said plurality of blocks.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005047180A1 (en) * 2003-11-17 2005-05-26 Konica Minolta Holdings, Inc. Method for producing nanostructured carbon material, nanostructured carbon material produced by such method, and substrate having such nanostructured carbon material

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005047180A1 (en) * 2003-11-17 2005-05-26 Konica Minolta Holdings, Inc. Method for producing nanostructured carbon material, nanostructured carbon material produced by such method, and substrate having such nanostructured carbon material

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