JP2000047361A - Method for correcting reticle drawing - Google Patents

Method for correcting reticle drawing

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JP2000047361A
JP2000047361A JP21062798A JP21062798A JP2000047361A JP 2000047361 A JP2000047361 A JP 2000047361A JP 21062798 A JP21062798 A JP 21062798A JP 21062798 A JP21062798 A JP 21062798A JP 2000047361 A JP2000047361 A JP 2000047361A
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JP
Japan
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dot
pattern
dots
reticle
correcting
Prior art date
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JP21062798A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiromichi Saito
弘道 斎藤
Takehiko Nishigaya
健彦 西ヶ谷
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JFE Engineering Corp
Original Assignee
NKK Corp
Nippon Kokan Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to shorten the time required for layout work at the time of reticle formation and to simplify the work by automatically adding or deleting adequate modification patterns to angle parts, thereby forming the patterns of the adequate reticle. SOLUTION: The patterns of the reticle are divided to microdots of a square shape or the rectangular shape conforming thereto at a length of 1/5000 based on design rule in length on one side. The dots to be corrected according to the predetermined arrangement state of the dots on the circumference are selected and the modification patterns of the sizes and shapes predetermined around these dots are added or deleted, by which the correction is made so as to lessen the influence by a light proximity effect. For example, dots D, L and LL exist as the dots adjacent to a dot a1 in question. Here, the modification patterns in the overhanging shape of the rectangular shape of the size up to the dot a1000 of the 1000th order are added along the side of the dot a1 in the case of the size of the dot at 1/5000 of the design rule.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程におけるフォトマスク形成の補正方法に係り、特に
OPC(Optical Proximity Correction)によるレクチ
ル描画の補正方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for correcting the formation of a photomask in a manufacturing process of a semiconductor device, and more particularly to a method for correcting a reticle drawing by OPC (Optical Proximity Correction).

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体装置の製造のエッチング
工程に用いられているレジストパターンの寸法は、パタ
ーン寸法が微細化すると、パターンの疎密による寸法差
やパターン端部における丸まりや後退現象(光近接効果
と称される)が生じる。この光近接効果は、図10
(b)に示すように、パターン形成の露光の際に、レジ
ストパターン端部で矩形のものが丸くなったり、同図
(a)に示すような本来の長さよりも短くなる現象であ
る。
2. Description of the Related Art In general, when a resist pattern used in an etching process for manufacturing a semiconductor device is miniaturized, a pattern difference due to the density of the pattern, a rounding or receding phenomenon at an end portion of the pattern (optical proximity). This is called an effect). This optical proximity effect is illustrated in FIG.
As shown in FIG. 2B, during the exposure for pattern formation, a rectangular shape becomes round at the end of the resist pattern or becomes shorter than its original length as shown in FIG.

【0003】パターン端部では、パターン側面からパタ
ーン端へ、パターン端からパターン側面へそれぞれ光が
回り込むため、本来露光しない領域まで露光され、その
結果パターンが後退する。これが顕著になるとパターン
は規定寸法を満たさず、角部に丸まりが発生する。
At the end of the pattern, light circulates from the side of the pattern to the end of the pattern and from the end of the pattern to the side of the pattern. When this becomes remarkable, the pattern does not satisfy the specified dimension, and the corners are rounded.

【0004】この現象は、パターン寸法が露光光の波長
に近づくと、より顕著になり、i線であれば、0.5μ
m程度から後退量が増加し始める。
[0004] This phenomenon becomes more remarkable as the pattern dimension approaches the wavelength of the exposure light.
The retreat amount starts to increase from about m.

【0005】この現象がトランジスタのゲート形成工程
に生じた場合には、トランジスタのゲート長が短くなっ
た部分やゲートが存在しない領域が発生し、ソース・ド
レイン間で電流が常に流れているということになりかね
ない。
If this phenomenon occurs in the step of forming the gate of the transistor, a portion where the gate length of the transistor is shortened or a region where no gate exists is generated, and current always flows between the source and the drain. It can be.

【0006】この光近接効果による影響は、デザインル
ールが0.5μm以下より注目されはじめ、その多くは
フォトマスク(レクチル)を補正することにより対策し
ており、OPC(Optical Proximity Correction)とい
う分野で研究開発が行われている。
[0006] The influence of the optical proximity effect has attracted attention from design rules of 0.5 μm or less, and most of them are countermeasures by correcting photomasks (rectiles), and in the field of OPC (Optical Proximity Correction). R & D is ongoing.

【0007】レクチルの補正対策の1つとして、マスク
バイアスという手法がある。
As one of the measures for correcting reticle, there is a technique called mask bias.

【0008】これはレクチルのパターンにおいて、単純
に後退方向と逆方向にパターンを延長して寸法を長くす
るという方法である。しかし、パターンレイアウトをう
まく配置しないと、チップ面積が大きくなる原因とな
る。つまり、延長した方向に別のパターンが存在した場
合、解像の限界により、その別のパターンに接続しない
ように保つ距離として、ある距離以下にはできないた
め、延長した分だけ、必然的にパターン面積が大きくな
る。
This is a method of simply extending the pattern of the reticle pattern in the direction opposite to the retreating direction to increase the dimension. However, if the pattern layout is not properly arranged, the chip area becomes large. In other words, if there is another pattern in the extended direction, the distance cannot be kept below a certain distance due to the resolution limit due to the resolution limit, so the extended pattern inevitably The area increases.

【0009】これを回避する別の対策として、図10
(c)に示すように、レクチルのパターンの端部に修飾
パターンを付加して補正する方法(以下、補正レクチル
と称する)がある。このように元々のパターンに修飾パ
ターンを付加することにより、光の回り込みによる後退
を防ぐとともに、レイアウトヘの影響を極力低減するこ
とができる。
As another measure to avoid this, FIG.
As shown in (c), there is a method of correcting by adding a decoration pattern to an end of a reticle pattern (hereinafter, referred to as a corrected reticle). By adding the decoration pattern to the original pattern in this manner, it is possible to prevent the receding due to the light wraparound and to minimize the influence on the layout.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】前述した光近接効果に
よる影響をOPC法を利用した補正レクチルを作成する
場合に、修飾パターンをどのような大きさで、どこに配
置するかは、実際に試作してみた試行錯誤によるものか
若しくは、これまでのデバイスエンジニアの経験により
レイアウトを決めており、掛かる時間と手間が膨大であ
った。
In the case of making a correction reticle using the OPC method to compensate for the influence of the optical proximity effect described above, what size and where to place the decoration pattern is actually prototyped. The layout was determined by trial and error, or by the experience of a device engineer, and the time and labor required was enormous.

【0011】特にランダムなパターンを取り扱うロジッ
クLSIが光近接効果による影響を顕著に受ける傾向が
あるため、レクチルを作成する度に、修飾パターンの配
置を行わなければならなかった。
In particular, since a logic LSI that handles a random pattern tends to be significantly affected by the optical proximity effect, a decoration pattern must be arranged every time a reticle is created.

【0012】そこで本発明は、レクチル作成の際のレイ
アウト作業にかかる時間の短縮化と作業の簡易化を実現
する半導体装置の製造工程におけるマスクパターン形成
の際のOPC(Optical Proximity Correction)による
レクチル描画の補正方法を提供することを目的とする。
Accordingly, the present invention provides a reticle drawing by OPC (Optical Proximity Correction) at the time of forming a mask pattern in a semiconductor device manufacturing process which realizes a reduction in the time required for a layout operation when creating a reticle and simplification of the operation. It is an object of the present invention to provide a correction method of

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、レクチルのパターンを、一辺の長さがデザ
インルールに基づく1/5000の長さで正方形若しく
はそれに準じる矩形の微細なドットに分割し、各ドット
に対して、その周囲に隣接して存在する他のドットの有
無を検出し、予め定めた周囲のドットの配置状態に応じ
て、補正を行うべきドットを選出し、そのドットを中心
として予め定めた大きさ及び形状の修飾パターンを付加
若しくは削除して、光近接効果による影響を減じるよう
に補正するレクチル描画の補正方法を提供する。
According to the present invention, in order to achieve the above object, a reticle pattern is formed by forming a square or a rectangular fine dot having a length of 1/5000 on one side according to a design rule. , And for each dot, the presence or absence of another dot adjacent to the dot is detected, and a dot to be corrected is selected in accordance with a predetermined surrounding dot arrangement state. Provided is a reticle drawing correction method for adding or deleting a modification pattern having a predetermined size and shape centered on a dot, and correcting so as to reduce the influence of the optical proximity effect.

【0014】以上のようなレクチル描画の補正方法は、
レクチルのパターンをデザインルールに基づき、正方形
若しくはそれに準じる矩形の微細なドットに分割し、各
ドットに対して、その周囲に隣接して存在する他のドッ
トの有無を検出し、予め定めた周囲のドットの配置状態
に応じて、パターン端部のドットであることを選出し、
そのドットを中心として予め定めた大きさ及び形状の修
飾パターンを付加若しくは削除して、光近接効果による
影響を無くすようにOPCにより補正されたレクチルの
パターンである。
The method of correcting the reticle drawing described above is as follows.
Based on the design rules, the reticle pattern is divided into square or rectangular fine dots, and for each dot, the presence or absence of another dot adjacent to the dot is detected, and a predetermined surrounding dot is detected. According to the dot arrangement state, select the dot at the end of the pattern,
This is a reticle pattern corrected by OPC so as to eliminate the influence of the optical proximity effect by adding or deleting a modification pattern of a predetermined size and shape centered on the dot.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0016】図1を参照して、本発明によるレクチル描
画の補正方法の概略について説明する。
Referring to FIG. 1, an outline of a method for correcting reticle drawing according to the present invention will be described.

【0017】前述したように光近接効果による影響は、
図10(b)に示したようにパターンの端部つまり、角
部分に大きく影響している。そこで本発明は、その角部
に適正な装飾パターンを自動的に付加若しくは削除して
補正レクチルのパターンを形成するものである。
As described above, the effect of the optical proximity effect is as follows.
As shown in FIG. 10B, this has a great effect on the end of the pattern, that is, on the corner. Therefore, in the present invention, a correct reticle pattern is formed by automatically adding or deleting an appropriate decorative pattern at the corner.

【0018】図1(a)は、補正前のレクチルの一例と
して、十字型のパターン形状を示し、このL字型のパタ
ーン1について説明する。この例ではパターン端部は、
8つの凸した角部A1〜A8と、4つの凹んだ角部B1
〜B4を有している。勿論、パターン形状によりこれら
角部の組み合わせは異なる。
FIG. 1A shows a cross-shaped pattern shape as an example of a reticle before correction, and the L-shaped pattern 1 will be described. In this example, the end of the pattern is
Eight convex corners A1 to A8 and four concave corners B1
To B4. Of course, the combination of these corners differs depending on the pattern shape.

【0019】この場合、角部A1〜A8は、点線で示し
たように丸まり、角部B1〜B4は、凹んだ角が無くな
るように丸くなる。従って、十字型のパターンを補正す
る形状としては、図1(b)に示すような修飾パターン
Kが付加若しくは除去された補正レクチルに補正する。
In this case, the corners A1 to A8 are rounded as shown by dotted lines, and the corners B1 to B4 are rounded so as to have no concave corners. Therefore, as a shape for correcting the cross-shaped pattern, correction is made to a correction reticle to which the modification pattern K is added or removed as shown in FIG.

【0020】このような形状に補正するための本発明に
よるレクチル描画の補正方法について説明する。
A method of correcting reticle drawing according to the present invention for correcting the shape will be described.

【0021】図2には、図1(a)に示した角部A1を
詳細に示し補正レクチルについて説明する。
FIG. 2 shows the corner A1 shown in FIG. 1A in detail, and the correction reticle will be described.

【0022】図1(a)における角部A1と角部A2の
辺の長さをデザインルールに基づき、例えば、一辺が1
/5000の長さになる正方形若しくはそれに準じる矩
形のドットでパターン全体を分割し、パターンをドット
の集合体と考える。
The lengths of the sides of the corners A1 and A2 in FIG.
The whole pattern is divided by a square dot having a length of / 5000 or a rectangular dot equivalent thereto, and the pattern is considered as an aggregate of dots.

【0023】本実施形態で角部A1と角部A8の辺の長
さをmとすれば、このドットの一辺の長さは、m/50
00の長さとなる。但し、このドットの一辺の長さは、
作成するパターンや使用する製造装置にも影響され、経
験的に決めた任意の数値であり、固定されるものではな
く、またパターンの形状により正方形に分割できない場
合は、ドットは正方形に近い矩形のドットでもよい。
In this embodiment, assuming that the length of the sides of the corners A1 and A8 is m, the length of one side of the dot is m / 50.
00 length. However, the length of one side of this dot is
It is affected by the pattern to be created and the manufacturing equipment used, and is an empirically determined arbitrary value.It is not fixed, and if it cannot be divided into squares due to the shape of the pattern, the dot will be a rectangle close to a square. It may be a dot.

【0024】このように多数のドットに分割されたパタ
ーンから、修飾パターンKを付加するドットの選択を行
う。つまり、図1(a)に示したパターンにおいては、
角部A1〜A8の8個のドット、角部B1〜B4の最端
部の4個のドットを選出することとなる。但し、角部の
形状的には、A1=A2,A3=A4,A5=A6,A
7=A8の4種類となる。
A dot to which the decoration pattern K is added is selected from the pattern divided into a large number of dots. That is, in the pattern shown in FIG.
Eight dots at the corners A1 to A8 and four dots at the end of the corners B1 to B4 are selected. However, in terms of the shape of the corner, A1 = A2, A3 = A4, A5 = A6, A
7 = A8.

【0025】選出する場合には、パターン内の1つのド
ットを注目ドットとして着目し、この注目ドット自身の
周りにドットがどのような状態で存在するかを調べる。
通常、図2(a)に示すドット内で注目ドットをa2と
すると、注目ドットa2の上(U)、下(D)、右
(R)、左(L)、右上(UR)、右下(LR)、左上
(UL)、左下(LL)に接するドットがあり、どのド
ットが存在するかを検索する。
In the case of selection, one dot in the pattern is focused on as a target dot, and the state of the dot around the target dot itself is examined.
Normally, assuming that the noted dot is a2 in the dots shown in FIG. 2A, the upper (U), lower (D), right (R), left (L), upper right (UR), and lower right of the noted dot a2 (LR), upper left (UL), lower left (LL), there are dots in contact with each other, and a search is performed to determine which dot exists.

【0026】例えば、図1(a)に示した角部A1の最
端のドットを注目ドットa1とする。この場合、図2
(a)に示すように、注目ドットa1の隣接するドット
は、ドットD、ドットL及びドットLLの3つのドット
が存在し、特に4辺のうち2辺に2つのドットが接して
おり、これら以外のドットは、存在していない。このパ
ターンとなったときは、所定の修飾パターンKを付け加
えるものとする。
For example, the dot at the end of the corner A1 shown in FIG. In this case, FIG.
As shown in (a), the dot adjacent to the target dot a1 has three dots, namely, a dot D, a dot L, and a dot LL. In particular, two dots are in contact with two of the four sides. No other dots exist. When this pattern is obtained, a predetermined decoration pattern K is added.

【0027】そして図2(b)に示すような修飾パター
ンKをドットa1に付加する。この大きさは、経験的に
得たものであり、本実施形態において、デザインルール
の1/5000のドットの大きさの場合には、ドットa
1の辺に沿って、1000番目のドットa1000までの大
きさの矩形が張り出した形状の修飾パターンKを付加す
る。この修飾パターンKの形状は、既に公知な形状であ
ってよく、付加するドット数も光近接効果による影響を
最小限にするために、実際に作成を行った経験的なデー
タを基準として定めてもよい。
Then, a modification pattern K as shown in FIG. 2B is added to the dot a1. This size is obtained empirically. In the present embodiment, when the size of the dot is 1/5000 of the design rule, the dot a
Along with the first side, a decoration pattern K having a rectangular shape extending up to the 1000th dot a1000 is added. The shape of the decoration pattern K may be a known shape, and the number of dots to be added is determined based on empirical data actually created in order to minimize the influence of the optical proximity effect. Is also good.

【0028】一方、図3(a)に示した角部B1(B2
〜B4)の端部のドットは、注目ドットとして検索され
た際には、図3(b)に示すように周辺のドット(修飾
パターンK)を削除する。
On the other hand, the corner B1 (B2) shown in FIG.
When the dot at the end of .about.B4) is searched for as a dot of interest, peripheral dots (modification pattern K) are deleted as shown in FIG. 3B.

【0029】この注目ドットb1の周辺を削除する場合
においても、ドットb1の4辺に沿って、1000番目
のドットb1000までを削除する。この削除を行うドット
数においても光近接効果による影響を最小限にする任意
のドット数である。
Also in the case of deleting the periphery of the target dot b1, up to the 1000th dot b1000 is deleted along the four sides of the dot b1. The number of dots to be deleted is an arbitrary number of dots that minimizes the influence of the optical proximity effect.

【0030】図4には、レクチルの矩形パターンにおけ
る端部のドットで修飾パターンを付加若しくは削除しな
ければならないパターン例について、図1に示した角部
に関連づけて説明する。
FIG. 4 illustrates an example of a pattern in which a modification pattern must be added or deleted by dots at the end of a rectangular reticle pattern in relation to the corners shown in FIG.

【0031】図4(a)は、角部A1,A2のパター
ン、図4(b)は、角部A3,A4のパターン、図4
(c)は、角部A5,A6のパターン、図4(d)は、
角部A7,A8のパターンである。
FIG. 4A shows the pattern of the corners A1 and A2, FIG. 4B shows the pattern of the corners A3 and A4, and FIG.
(C) is a pattern of corners A5 and A6, and (d) of FIG.
This is a pattern of corners A7 and A8.

【0032】これらのドットaに共通した特徴として、
注目ドットの4辺のうち対峙しない位置の2辺に他のド
ットが隣接し、その間の角に1つのドットが存在するこ
とである。
As a feature common to these dots a,
Another dot is adjacent to two sides of the four sides of the target dot that do not face each other, and one dot exists at a corner between them.

【0033】これに対し、修飾パターンKとして注目ド
ットの周囲のドットを削除しなければならないパターン
例としては、図4(e)は、角部B1のパターン、図4
(f)は、角部B2のパターン、図4(g)は、角部B
4のパターン、図4(h)は、角部B4のパターンであ
る。
On the other hand, as a pattern example in which dots around the dot of interest must be deleted as the decoration pattern K, FIG.
FIG. 4F shows the pattern of the corner B2, and FIG.
FIG. 4H shows a pattern of a corner B4.

【0034】これらのドットbに共通した特徴として、
注目ドットの4辺全部に他のドットが隣接し、4つの角
のうち3つの角に他のドットが存在することである。即
ち、周囲の8個のドットのうち、1つの角のドットが無
い状態である。
As a feature common to these dots b,
Another dot is adjacent to all four sides of the target dot, and another dot exists at three of the four corners. That is, there is no dot at one corner among the eight surrounding dots.

【0035】また図5には、補正のための修飾パターン
の付加の削除も行わないパターンを示して説明する。
FIG. 5 shows a pattern in which addition and deletion of a modification pattern for correction is not performed.

【0036】図5(a)〜(d)に示すように、各パタ
ーンの注目ドットは、いずれにおいても、注目ドットの
4辺のうち3辺に他のドットが隣接し、これらの間の2
つの角に他のドットが存在する。また、図5(e)にお
いては、注目ドットの周囲は8つのドットにより完全に
囲まれているパターンである。
As shown in FIGS. 5 (a) to 5 (d), in each of the target dots of each pattern, three out of the four sides of the target dot are adjacent to other dots, and two dots between them are provided.
There are other dots at one corner. In addition, in FIG. 5E, the target dot is a pattern completely surrounded by eight dots.

【0037】これらの注目ドットは、パターンの辺上に
存在するか内部に存在していることとなる。従って、修
飾パターンKを付加若しくは除去することはしない。
These attention dots are present on the sides of the pattern or inside the pattern. Therefore, the modification pattern K is not added or removed.

【0038】以上説明した注目ドットに修飾パターンを
付加する若しくは除去するための判断基準となるテーブ
ルを図6に示す。
FIG. 6 shows a table serving as a criterion for adding or removing a decoration pattern to the noted dot described above.

【0039】このテーブルは、例えば、パーソナルコン
ピュータ等のメモリに記憶させておき、設計されたレク
チルのパターンに応じて、修飾パターンKを付加若しく
は削除を行う。
This table is stored, for example, in a memory of a personal computer or the like, and a modification pattern K is added or deleted according to the designed reticle pattern.

【0040】また前述したレクチルのパターンは、端部
が矩形形状のものを例としていたが、他にも図7(a)
に示すような斜め形状のパターンも存在する。このよう
な場合、端部のドットを注目ドットc1とすると、この
注目ドットc1の上(U)、左(L)、左上(UL)、
左下(LL)に他のドットが存在する。
The reticle pattern described above has a rectangular shape at the end.
There are also oblique patterns as shown in FIG. In such a case, assuming that the dot at the end is the attention dot c1, the upper (U), left (L), upper left (UL),
Another dot exists at the lower left (LL).

【0041】この注目ドットC1の特徴は、前述した図
2に示したパターンa1と同様に、注目ドットの4辺の
うち2辺に隣接する他のドットがある。
The feature of the target dot C1 is that there are other dots adjacent to two of the four sides of the target dot, similarly to the pattern a1 shown in FIG.

【0042】従って、パターンaと同じ前記テーブルの
条件を用いて、修飾パターンKを付加することを行うこ
とができる。
Therefore, it is possible to add the decoration pattern K using the same conditions in the table as for the pattern a.

【0043】その修飾パターンKの付加の仕方は、図7
(b)に示すように、斜めパターンの注目ドットに対し
て、図2(b)に示したと同様に矩形に張り出すように
付加を行う。
The method of adding the modification pattern K is shown in FIG.
As shown in FIG. 2B, an addition is performed to the observable dot of the oblique pattern so as to project into a rectangle as shown in FIG. 2B.

【0044】次に図8に示すフローチャート及び図9に
示すパターンを参照して、レクチル描画の補正方法につ
いて説明する。
Next, a method for correcting reticle drawing will be described with reference to the flowchart shown in FIG. 8 and the pattern shown in FIG.

【0045】まず、図9に示すレクチルのパターンをデ
ザインルールに基づき、1/5000の大きさの正方形
若しくはそれに準じる矩形のドットでパターン全体を分
割する(ステップS1)。
First, the entire pattern is divided into 1/5000 squares or rectangular dots according to the reticle pattern shown in FIG. 9 based on design rules (step S1).

【0046】次に、分割されたドットを注目ドットとし
て、順次テーブルに照会し、その注目ドットの4辺全部
に他のドットが隣接するか否かを検出する(ステップS
2)。ここで、注目ドットの4辺全部に他のドットが隣
接していた場合(YES)、次にその注目ドットの4つ
の角全部に他のドットが存在するか否かを検出する(ス
テップS3)。
Next, the divided dots are sequentially referred to the table as the target dots, and it is detected whether or not another dot is adjacent to all four sides of the target dot (step S).
2). Here, if another dot is adjacent to all four sides of the target dot (YES), it is detected whether or not another dot exists at all four corners of the target dot (step S3). .

【0047】この注目ドットの4つの角全部に他のドッ
トが存在して場合には(YES)、図5(e)のパター
ンであり、修飾パターンの付加若しくは削除は行わなず
に終了する。
If there are other dots at all four corners of this dot of interest (YES), the pattern is the one shown in FIG. 5E, and the process ends without adding or deleting a decoration pattern.

【0048】一方、その4つの角全部に他のドットが存
在していない場合には(NO)、その注目ドットの3つ
の角全部に他のドットが存在するか否かを検出する(ス
テップS4)。ここで、3つの角全部に他のドットが存
在する場合(YES)、図9(a)に示すドットd2に
該当し、同図(b)に示すように注目ドットd2から数
えて辺で接する1000ドットを削除した修飾パターン
D2を形成する(ステップS5)。
On the other hand, if no other dot exists at all four corners (NO), it is detected whether or not another dot exists at all three corners of the target dot (step S4). ). Here, when another dot exists at all three corners (YES), it corresponds to the dot d2 shown in FIG. 9A, and contacts with the side counted from the target dot d2 as shown in FIG. 9B. A decoration pattern D2 from which 1000 dots have been deleted is formed (step S5).

【0049】一方、注目ドットの3つの角全部には、他
のドットが存在しなかった場合(YES)、パターン的
には存在していないので、エラーとして告知する(ステ
ップS6)。
On the other hand, if no other dot exists at all three corners of the target dot (YES), it is notified as an error because it does not exist in a pattern (step S6).

【0050】前記ステップS2において、注目ドットの
4辺全部には他のドットが隣接していなかった場合(N
O)、その注目ドットの3辺全部に他のドットが隣接す
るか否かを検出する(ステップS7)。ここで、注目ド
ットの3辺全部に他のドットが隣接していた場合には
(YES)、図5(a)〜(d)のパターンであり、修
飾パターンの付加若しくは削除は行わなずに終了する。
In step S2, when no other dot is adjacent to all four sides of the target dot (N
O) It is detected whether or not another dot is adjacent to all three sides of the target dot (step S7). Here, if another dot is adjacent to all three sides of the target dot (YES), the patterns are those shown in FIGS. 5A to 5D, and the modification pattern is not added or deleted. finish.

【0051】一方、注目ドットの3辺全部には他のドッ
トが隣接していなかった場合には(NO)、その注目ド
ットの2辺に他のドットが隣接するか否かを検出する
(ステップS8)。
On the other hand, if no other dot is adjacent to all three sides of the target dot (NO), it is detected whether or not another dot is adjacent to the two sides of the target dot (step). S8).

【0052】ここで、注目ドットの2辺に他のドットが
隣接する場合(YES)、図9(a)に示すドットd
1,d3,d4,d5,d6に該当し、同図(b)に示
すように各注目ドットから数えて辺で接する1000ド
ットを付加した修飾パターンD1,D3,D4,D5,
D6を形成する(ステップS9)。一方、注目ドットの
2辺には、他のドットが存在しなかった場合(NO)、
パターン的には存在していないので、エラーとして告知
する(ステップS6)。
If another dot is adjacent to two sides of the target dot (YES), the dot d shown in FIG.
1, d3, d4, d5, and d6, and modification patterns D1, D3, D4, and D5 added with 1000 dots counted from each target dot and in contact with sides as shown in FIG.
D6 is formed (Step S9). On the other hand, when no other dot exists on the two sides of the target dot (NO),
Since it does not exist in a pattern, it is notified as an error (step S6).

【0053】前述した実施形態では、デザインルールに
基づき、ドットの大きさを1/5000とし、修飾パタ
ーンの大きさを1000ドットとしたが、これに限定さ
れるものではなく任意の形状及び大きさでもよい。ドッ
ト更に微細化し、1/10000に設定した場合には、
修飾パターンの大きさは、10000ドットと設定して
もよい。
In the above-described embodiment, the size of the dot is set to 1/5000 and the size of the decoration pattern is set to 1000 dots based on the design rule. However, the present invention is not limited to this. May be. If the dots are further refined and set to 1/10000,
The size of the decoration pattern may be set to 10000 dots.

【0054】以上説明したように本実施形態は、レクチ
ルのパターンをデザインルールに基づき、正方形若しく
はそれに準じる矩形の微細なドットに分割し、各ドット
に対して、その周囲に隣接して存在する他のドットの有
無を検出して、テーブルと照会して、パターンの端部に
あり、修飾パターンを付加若しくは削除するドットを選
出する。選出されたドットを中心として、予め定めた大
きさ及び形状の修飾パターンを付加若しくは削除するこ
とができ、光近接効果による影響を無くす補正されたレ
クチルのパターンを容易に補正することができる。
As described above, according to the present embodiment, the reticle pattern is divided into square or rectangular fine dots based on the design rules, and each dot is divided into adjacent dots. The presence / absence of the dot is detected, the table is referred to, and the dot at the end of the pattern to which the decoration pattern is added or deleted is selected. A modification pattern having a predetermined size and shape can be added or deleted around the selected dot, and the corrected reticle pattern that eliminates the influence of the optical proximity effect can be easily corrected.

【0055】尚、本実施形態においては、パターンを分
割する全ドットに対して、注目して、修飾パターンの付
加若しくは削除を行っていたが、これを実際に行うと多
くの時間を要することとなる。
In the present embodiment, the addition or deletion of the decoration pattern is performed by paying attention to all the dots that divide the pattern. However, when this is actually performed, it takes much time. Become.

【0056】そこで、例えば、レクチルのパターンを画
像として取り込み、公知な方法で画像のパターンのエッ
ジ検出を行い、パターンの端部の位置(2次元的な座
標)を特定し、それらの端部の先端近傍のドットに着目
した後、それらのドットのみ若しくは近傍のドットに着
目して選出し、修飾パターンの付加若しくは削除の判断
を効率的に行い、且つ処理時間を短縮化することも容易
にできる。
Therefore, for example, a reticle pattern is captured as an image, the edge of the pattern of the image is detected by a known method, the position (two-dimensional coordinates) of the end of the pattern is specified, and the end of the pattern is identified. After paying attention to the dots near the leading end, the dots are selected only by focusing on those dots or the dots in the vicinity, it is possible to efficiently determine whether to add or delete the decoration pattern, and to easily shorten the processing time. .

【0057】[0057]

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、レ
クチル作成の際のレイアウト作業にかかる時間の短縮化
と作業の簡易化を実現する半導体装置の製造工程におけ
るマスクパターン形成の際のOPCよるレクチル描画の
補正方法を提供することができる。
As described above in detail, according to the present invention, the time required for the layout work at the time of reticle creation can be reduced and the mask pattern can be formed in the manufacturing process of the semiconductor device realizing the simplification of the work. A method of correcting reticle drawing by OPC can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るレクチル描画の補正方法の概略に
ついて説明するためのパターン例である。
FIG. 1 is a pattern example for explaining an outline of a reticle drawing correction method according to the present invention.

【図2】注目ドットにおける修飾パターンの付加につい
て説明するためのパターン例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a pattern for explaining the addition of a decoration pattern on a target dot.

【図3】注目ドットにおける修飾パターンの削除につい
て説明するためのパターン例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a pattern for explaining deletion of a decoration pattern in a target dot.

【図4】修飾パターンを付加若しくは削除しなければな
らないパターン例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an example of a pattern to which a modification pattern must be added or deleted.

【図5】修飾パターンの付加の削除も行わないパターン
例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing an example of a pattern in which addition and deletion of a decoration pattern is not performed;

【図6】注目ドットに修飾パターンを付加する若しくは
除去するための判断基準となるテーブルを示す図であ
る。
FIG. 6 is a diagram showing a table serving as a criterion for adding or removing a decoration pattern to a target dot.

【図7】。斜め形状のパターンにおける補正方法につい
て説明するためのレクチルのパターン例を示す図であ
る。
FIG. FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a reticle pattern for describing a correction method for an oblique pattern.

【図8】本実施形態のレクチル描画の補正方法について
説明するためのフローチャートである。
FIG. 8 is a flowchart for explaining a reticle drawing correction method according to the embodiment;

【図9】図8に示すフローチャートに沿って本実施形態
のレクチルの補正方法について説明するためのパターン
例である。
FIG. 9 is a pattern example for describing a reticle correction method according to the present embodiment along the flowchart shown in FIG. 8;

【図10】従来の技術により発生したレジストパターン
端部の丸みやこれを防止するための補正レチクルを示す
図である。
FIG. 10 is a diagram showing roundness of a resist pattern edge generated by a conventional technique and a correction reticle for preventing the roundness.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

a1,b1…注目ドット K…修飾パターン A1〜A8,B1〜B4…角部 a1, b1 ... dot of interest K ... decoration pattern A1-A8, B1-B4 ... corner

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レクチルのパターンを正方形若しくはそ
れに準じる矩形の微細なドットに分割し、各ドットに対
して、その周囲に隣接して存在する他のドットの有無を
検出し、予め定めた周囲のドットの配置状態に応じて、
補正を行うべきドットを選出し、そのドットを中心とし
て予め定めた大きさ及び形状の修飾パターンを付加若し
くは削除して、光近接効果による影響を減じるように補
正することを特徴とするレクチル描画の補正方法。
1. A reticle pattern is divided into square or rectangular fine dots, and the presence or absence of another dot adjacent to the dot is detected for each dot. Depending on the arrangement of the dots,
A dot to be corrected is selected, and a modification pattern of a predetermined size and shape is added or deleted around the dot, and correction is performed so as to reduce the influence of the optical proximity effect. Correction method.
【請求項2】 前記レクチル描画の補正方法において、 前記ドットの一辺の長さは、デザインルールに基づき、
1/5000の長さであることを特徴とする請求項1に
記載のレクチル描画の補正方法。
2. The method of correcting reticle drawing, wherein a length of one side of the dot is determined based on a design rule.
2. The method according to claim 1, wherein the length is 1/5000.
【請求項3】 前記レクチル描画の補正方法において、 検出対象として注目されたドットの周囲に配置する他の
ドットが、注目されたドットの4辺のうち対峙しない位
置の2辺に他のドットが隣接する配置であった場合に、
前記修飾パターンを付加することを特徴とする請求項1
に記載のレクチル描画の補正方法。
3. The method of correcting reticle drawing according to claim 1, wherein the other dots arranged around the dot of interest as a detection target are two dots out of the four sides of the attention dot which are not opposed to each other. If they were adjacent,
2. The method according to claim 1, wherein the modification pattern is added.
3. The method for correcting reticle drawing according to 1.
【請求項4】 前記レクチル描画の補正方法において、 検出対象として注目されたドットの周囲に配置する他の
ドットが、注目されたドットの4辺全部に他のドットが
隣接し、4つの角のうち3つの角に他のドットが存在し
た場合に、前記修飾パターンに相当するドットを削除す
ることを特徴とする請求項1に記載のレクチル描画の補
正方法。
4. The method of correcting reticle drawing according to claim 1, wherein the other dots arranged around the dot of interest as the detection target are adjacent to all four sides of the noted dot, The method according to claim 1, wherein when another dot exists at three corners, the dot corresponding to the decoration pattern is deleted.
【請求項5】 前記レクチル描画の補正方法において、 前記ドットの一辺の長さが1/5000の長さであった
場合に、削除する修飾パターンの辺の長さは、中心とな
る注目されたドットの対角線上に沿って、1000ドッ
トの長さに相当することを特徴とする請求項2に記載の
レクチル描画の補正方法。
5. The method of correcting reticle drawing, wherein when the length of one side of the dot is 1/5000, the length of the side of the decoration pattern to be deleted is centered. 3. The method according to claim 2, wherein the length of the reticle is 1000 dots along a diagonal line of the dots.
【請求項6】 前記レクチル描画の補正方法において、 注目されたドットが前記修飾パターンの付加若しくは削
除の対象となるドットであることを判別するための該ド
ットの周囲に隣接して存在する他のドットの配置状態
は、テーブルに記憶され、そのテーブルに参照して対象
となるドットを選出することを特徴とする請求項1に記
載のレクチル描画の補正方法。
6. A method for correcting a reticle drawing, comprising the steps of: determining whether a noted dot is a dot to which the decoration pattern is added or deleted; 2. The reticle drawing correction method according to claim 1, wherein the dot arrangement state is stored in a table, and a target dot is selected by referring to the table.
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CN109917615A (en) * 2017-12-12 2019-06-21 联华电子股份有限公司 The method for generating photomask using optical proximity effect correction model

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