JP2000047015A - Manufacture of digital blazed diffraction grating - Google Patents

Manufacture of digital blazed diffraction grating

Info

Publication number
JP2000047015A
JP2000047015A JP21238498A JP21238498A JP2000047015A JP 2000047015 A JP2000047015 A JP 2000047015A JP 21238498 A JP21238498 A JP 21238498A JP 21238498 A JP21238498 A JP 21238498A JP 2000047015 A JP2000047015 A JP 2000047015A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
digital
photoresist pattern
glass substrate
diffraction grating
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21238498A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeo Otsuka
武夫 大塚
Hiroshi Kawada
浩志 河田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Victor Company of Japan Ltd filed Critical Victor Company of Japan Ltd
Priority to JP21238498A priority Critical patent/JP2000047015A/en
Publication of JP2000047015A publication Critical patent/JP2000047015A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of the diffraction grating in which no wall-shaped projection is caused. SOLUTION: This manufacturing method comprises: a first stage forming a metallic layer 2 on a substrate 1, further forming a pattern 3 having a first level on the metallic layer 2 and thereafter etching the uncovered parts of the metal layer 2 with the pattern 3 to the substrate 1; a second stage removing the pattern 3 and thereafter etching the exposed parts of the substrate 1 from the metal layer 2 to prescribed depth to form first grooves 5 that become the first level; a third stage forming a pattern 7 slightly longer than a second level, on the metal layer 2 and the first grooves 5 and thereafter etching the uncovered parts of the metal layer 2 with the pattern 7 to the substrate 1; and a fourth stage removing the pattern 7 and thereafter, etching the exposed parts of substrate 1 from the metal layer 2 to prescribed depth to form second grooves 8 that become the second level. By repeatedly performing the above third stage and fourth stage, the objective blazed diffraction grating having (n) levels can be manufactured.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク装置の
光ピックアップ等に広く用いられる回折格子の作製方法
に関するものである。特に、回折格子断面を階段(以
下、デジタルブレ−ズという)化することにより特定の
波長を片側特定の次数に効率良く集中させて回折するこ
とができるようにしたデジタルブレ−ズ回折格子の作製
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a diffraction grating widely used for an optical pickup or the like of an optical disk device. Particularly, fabrication of a digital blazed diffraction grating in which a diffraction grating cross section is formed into a step (hereinafter referred to as a digital blazed) so that a specific wavelength can be efficiently concentrated and diffracted to a specific order on one side. About the method.

【0002】[0002]

【従来の技術】光ディスク装置の光ピックアップに用い
られる回折格子の中にデジタルデジタルブレ−ズ回折格
子がある。デジタルブレ−ズ回折格子は、階段状の溝を
周期的にパターンを配列することにより、周期パターン
ピッチ方向に回折光を発生する。ここで、一般的に、デ
ジタルブレ−ズ回折格子の階段の段数は、レベルとい
う。デジタルブレ−ズ回折格子を用いた光ディスク装置
では、レーザ光を光ディスクに照射し、この光ディスク
で反射された情報光をデジタルフレーズ回折格子に入射
させ、周期パターンピッチ方向に沿った特定次数に従っ
た回折光を検知することによって、情報信号を得てい
る。この情報信号を精度良く得るためには、デジタルブ
レ−ズ回折格子のデジタルブレ−ズを設計値通りに作製
することが必要である。
2. Description of the Related Art A digital digital blaze diffraction grating is one of diffraction gratings used for an optical pickup of an optical disk device. The digital blaze diffraction grating generates diffracted light in the periodic pattern pitch direction by periodically arranging a pattern of step-like grooves. Here, in general, the number of steps of the digital blaze diffraction grating is called a level. In an optical disk apparatus using a digital blaze diffraction grating, a laser beam is irradiated on an optical disk, and information light reflected from the optical disk is made incident on a digital phrase diffraction grating, and follows a specific order along a periodic pattern pitch direction. An information signal is obtained by detecting the diffracted light. In order to obtain this information signal with high accuracy, it is necessary to produce a digital blaze of a digital blaze diffraction grating according to design values.

【0003】以下に、従来のデジタルブレ−ズ回折格子
の作製方法について説明する。図4は、従来のデジタル
ブレ−ズ回折格子の作製方法を示す製造工程図である。 (第1工程)まず初めに、図4(A)に示すように、ガ
ラス基板1上にフォトレジストを塗布後、マスク部22
aの幅と非マスク部22bの幅を合わせた幅を基本ピッ
チPとするフォトマスク22を用いて、フォトリソグラ
フィ法により、ガラス基板1上にフォトレジストパター
ン23を形成する。この後、図4(B)に示すように、
ドライエッチング法により、フォトレジストパターン2
3で覆われた以外のガラス基板1を所定の深さだけエッ
チングして溝24を形成する。
[0003] A method of manufacturing a conventional digital blaze diffraction grating will be described below. FIG. 4 is a manufacturing process diagram showing a conventional method for manufacturing a digital blaze diffraction grating. (First Step) First, as shown in FIG. 4A, after a photoresist is applied on the glass substrate 1, the mask portion 22 is formed.
A photoresist pattern 23 is formed on the glass substrate 1 by a photolithography method using a photomask 22 having a basic pitch P having a width obtained by adding the width of a to the width of the non-mask portion 22b. Thereafter, as shown in FIG.
Photoresist pattern 2 by dry etching
The groove 24 is formed by etching the glass substrate 1 other than the one covered with 3 by a predetermined depth.

【0004】(第2工程)更に、フォトレジストパター
ン23を有機溶剤により除去後、ガラス基板1上に再び
フォトレジストを塗布する。図4(C)に示すように、
マスク部25aの幅と非マスク部25bの幅を合わせた
幅を基本ピッチ(1/2)Pとするフォトマスク25を
用いて、フォトリソグラフィ法により、ガラス基板1及
び溝24上にフォトレジストパターン26を形成する。
(Second step) Further, after removing the photoresist pattern 23 with an organic solvent, a photoresist is applied on the glass substrate 1 again. As shown in FIG.
A photoresist pattern is formed on the glass substrate 1 and the groove 24 by photolithography using a photomask 25 having a basic pitch (1/2) P of a width obtained by adding the width of the mask portion 25a and the width of the non-mask portion 25b. 26 is formed.

【0005】(第3工程)図4(D)に示すように、ド
ライエッチング法により、フォトレジストパターン26
で覆われた以外のガラス基板1及び溝24をエッチング
して、溝27及び28を形成する。このようにして、ガ
ラス基板1に4レベルのデジタルブレ−ズ回折格子が作
製できる。
(Third Step) As shown in FIG. 4D, a photoresist pattern 26 is formed by dry etching.
The grooves 27 and 28 are formed by etching the glass substrate 1 and the grooves 24 other than those covered with the. In this way, a four-level digital blaze diffraction grating can be manufactured on the glass substrate 1.

【0006】以下、2nレベルのデジタルブレ−ズの回
折格子は、(第3工程)終了後、マスク部の幅と非マス
ク部の幅を合わせた幅を基本ピッチ(1/4)P、(1
/8)P、…、(1/2n)(nは整数)とするフォト
マスクを用いて、同様に繰り返せば、2nレベルのデジ
タルブレ−ズの回折格子を作製できる。
After the (third step), the 2n-level digital blazed diffraction grating has a basic pitch (1/4) P, which is the sum of the width of the mask portion and the width of the non-mask portion. 1
/ 8) Using a photomask with P,..., (1/2 n ) (n is an integer), a 2n-level digital blazed diffraction grating can be manufactured by repeating the same process.

【0007】[0007]

【発明の解決しようとしている課題】しかしながら、図
4、図5(A)に示すように、(第2工程)において、
フォトマスク25と溝24が形成されたガラス基板1と
の位置合わせが精度良く行われていないと、フォトレジ
ストパターン26は、ガラス基板1及び溝24上の両端
部に分離して形成されるようになる。図5(B)に示す
ように、この状態でドライエッチングを行うと、ガラス
基板1の表面及び溝24にそれぞれに対応して溝29及
び30が形成され、溝29と溝24の間に壁状突起T1
と溝30とガラス基板1の側壁1aの間に壁状突起T2
が形成される。
However, as shown in FIGS. 4 and 5A, in the (second step),
If the alignment between the photomask 25 and the glass substrate 1 on which the groove 24 is formed is not performed accurately, the photoresist pattern 26 may be formed separately at both ends on the glass substrate 1 and the groove 24. become. As shown in FIG. 5B, when dry etching is performed in this state, grooves 29 and 30 are formed corresponding to the surface of the glass substrate 1 and the groove 24, respectively, and a wall is formed between the grooves 29 and 24. Protrusion T 1
Protrusion T 2 between the groove 30 and the side wall 1a of the glass substrate 1
Is formed.

【0008】一方、図6に示すように、基本ピッチと回
折効率との関係は、基本ピッチが小さくなると、回折効
率が低下する傾向にある。このため、高レベルのデジタ
ルブレ−ズを作製する際、基本ピッチが小さくなると、
壁状突起T1、T2の基本ピッチに占める割合が大きくな
るので、壁状突起T1、T2でも回折されてしまうため、
所望の回折光の回折効率を得ることができなかった。ま
た、この回折格子を母型として用いて多数の複製を射出
成形する場合、この壁状突起T1部分での剥離性が低下
していた。本発明は、かかる問題点を解消するためにな
されたもので、壁状突起の発生のないデジタルブレ−ズ
回折格子の製造方法を提供することを目的とする。
On the other hand, as shown in FIG. 6, the relation between the basic pitch and the diffraction efficiency tends to decrease as the basic pitch decreases. For this reason, when producing a high-level digital braze, if the basic pitch is reduced,
Since the ratio of the wall-shaped protrusions T 1 and T 2 to the basic pitch increases, the wall-shaped protrusions T 1 and T 2 are also diffracted.
The desired diffraction efficiency of the diffracted light could not be obtained. Further, the diffraction grating when injection molding a large number of replicated using as a base type, peeling resistance at the wall-like projection T 1 portion was reduced. The present invention has been made in order to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a digital blaze diffraction grating free from occurrence of wall-like projections.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明に係わるデジタル
ブレ−ズ回折格子の作製における第1の発明は、nレベ
ルのデジタルブレ−ズ断面を有するデジタルブレ−ズ回
折格子の作製方法において、ガラス基板上に金属層を形
成し、この金属層上に第1レベルのデジタルブレ−ズを
有する第1フォトレジストパターンを形成後、シアン系
エッチング液を用いて、この第1フォトレジストパター
ンに覆われた以外の前記金属層をガラス基板までエッチ
ングする第1工程と、前記第1フォトレジストパターン
を除去後、ドライエッチングにより、前記金属層から露
出した前記ガラス基板を所定深さまでエッチングして前
記第1レベルのデジタルブレ−ズとなる第1溝を形成す
る第2工程と、前記金属層及び前記第1溝上に第2レベ
ルのデジタルブレ−ズよりも僅かに長い第2フォトレジ
ストパターンを形成後、シアン系エッチング液を用い
て、この第2フォトレジストパターンに覆われた以外の
前記金属層を前記ガラス基板までエッチングする第3工
程と、前記第2フォトレジストパターンを除去後、ドラ
イエッチングにより、前記金属層から露出した前記ガラ
ス基板を所定深さまでエッチングして前記第2レベルの
デジタルブレ−ズとなる第2溝を形成する第4工程とか
らなり、前記第3工程乃至第4工程を繰り返して、nレ
ベルのデジタルブレ−ズを有するデジタルブレ−ズ回折
格子を形成することを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a digital blazed diffraction grating having an n-level digital blazed cross section. A metal layer is formed on a substrate, a first photoresist pattern having a first level digital blaze is formed on the metal layer, and the first photoresist pattern is covered with a cyan-based etchant. A first step of etching the metal layer other than the metal layer to a glass substrate, and after removing the first photoresist pattern, dry etching the glass substrate exposed from the metal layer to a predetermined depth to form the first substrate. A second step of forming a first groove which becomes a digital blaze of a level, and a digital blaze of a second level on the metal layer and the first groove. Forming a second photoresist pattern that is slightly longer than the second photoresist pattern, and then etching the metal layer other than that covered by the second photoresist pattern to the glass substrate using a cyan-based etchant; Removing the second photoresist pattern and etching the glass substrate exposed from the metal layer to a predetermined depth by dry etching to form a second groove which becomes the second level digital blaze. The third step and the fourth step are repeated to form a digital blaze diffraction grating having an n-level digital blaze.

【0010】第2の発明のデジタルブレ−ズ回折格子の
作製方法は、nレベルのデジタルブレ−ズ状の断面を有
するデジタルブレ−ズ回折格子の作製方法において、ガ
ラス基板上に第1レベルのデジタルブレ−ズを有する第
1フォトレジストパターンを形成し、ドライエッチング
により、この第1フォトレジストパターンにに覆われた
以外の前記ガラス基板を所定深さにエッチングして、第
1レベルのデジタルブレ−ズとなる第1溝を形成する第
1工程と、前記第1溝にポリイミド樹脂を埋込み、前記
ガラス基板及び前記ポリイミド樹脂上に第2レベルのデ
ジタルブレ−ズよりも僅かに長い第2フォトレジストパ
ターンを形成した後、ドライエッチングにより、この第
2フォトレジストパターンに覆われた以外の前記ガラス
基板を所定の深さにエッチングして、前記第2レベルの
デジタルブレ−ズとなる第2溝を形成する第2工程とか
らなり、前記第1工程乃至第2工程を繰り返して、nレ
ベルのデジタルブレ−ズを有するデジタルブレ−ズ回折
格子を形成することを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a digital blazed diffraction grating having an n-level digital blazed cross section. A first photoresist pattern having a digital blaze is formed, and the glass substrate other than the glass substrate covered with the first photoresist pattern is etched to a predetermined depth by dry etching. A first step of forming a first groove serving as a semiconductor substrate, and embedding a polyimide resin in the first groove, and forming a second photo on the glass substrate and the polyimide resin slightly longer than a second-level digital blaze. After forming the resist pattern, the glass substrate other than the glass substrate covered with the second photoresist pattern is dried to a predetermined depth by dry etching. A second step of forming a second groove which becomes the second level digital blaze by etching, and repeating the first and second steps to form a digital having an n level digital blaze. A blazed diffraction grating is formed.

【0011】第3の発明のデジタルブレ−ズ回折格子の
作製方法は、nレベルのデジタルブレ−ズ状の断面を有
するデジタルブレ−ズ回折格子の作製方法において、ガ
ラス基板上に第1のデジタルブレ−ズ格子を有する第1
フォトレジストパターンを形成し、真空蒸着法により、
前記ガラス基板及び第1フォトレジストパターンに前記
ガラス基板と略等しい屈折率を有する第1の無機材料を
形成する第1工程と、前記第1の無機材料上に第2レベ
ルのデジタルブレ−ズよりも僅かに長い第2フォトレジ
ストパターンを形成し、真空蒸着法により、前記第1の
無機材料及び前記第2フォトレジストパターン上に第2
の無機材料を形成する第2工程と、前記第1工程乃至前
記第2工程を繰り返した後、前記第1フォトレジストパ
ターン及び前記第2フォトレジストパターンを熱硫酸に
より除去する第3工程によりnレベルのデジタルブレ−
ズを有するデジタルブレ−ズ回折格子を形成することを
特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a digital blazed diffraction grating having an n-level digital blazed cross section. First with blazed grating
After forming a photoresist pattern, by vacuum evaporation method,
A first step of forming a first inorganic material having a refractive index substantially equal to that of the glass substrate on the glass substrate and the first photoresist pattern, and forming a second level digital blaze on the first inorganic material; A second photoresist pattern slightly longer than the first photoresist pattern is formed on the first inorganic material and the second photoresist pattern by a vacuum deposition method.
After repeating the second step of forming the inorganic material and the first step and the second step, the third step of removing the first photoresist pattern and the second photoresist pattern with hot sulfuric acid provides an n level. Digital blur
Forming a digital braze diffraction grating having a pitch.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について、
図1乃至図3を参照しながら説明する。なお、従来例と
同じ構成部分には同一符号を用い、説明を省略する。図
1は、本発明のデジタルブレ−ズ回折格子の作製方法の
第1実施例を示す断面図である。図2は、本発明のデジ
タルブレ−ズ回折格子の作製方法の第2実施例を示す断
面図である。図3は、本発明のデジタルブレ−ズ回折格
子の作製方法の第3実施例を示す断面図である。本発明
の第1実施例乃至第2実施例では、3レベルのデジタル
ブレ−ズ回折格子を作製する場合について、第3実施例
では4レベルのデジタルブレ−ズ回折格子を作製する場
合について説明する。一般的に、ガラス基板をエッチン
グしてnレベルのデジタルブレ−ズ回折格子を形成する
場合には、このガラス基板に等間隔幅を有するnレベル
のデジタルブレ−ズを形成するための溝をエッチングし
て形成し、この溝にnレベルを形成する。また、ガラス
基板上にこのガラス基板と等価な屈折率を有する材料を
積層して、nレベルのデジタルブレ−ズ回折格子を形成
する場合には、ガラス基板上にnレベルのデジタルブレ
−ズが形成できる幅のパターンを形成し、このパターン
間に階段状のnレベルのデジタルブレ−ズを形成する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
This will be described with reference to FIGS. The same components as those in the conventional example are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of a method for producing a digital blaze diffraction grating according to the present invention. FIG. 2 is a sectional view showing a second embodiment of the method for producing a digital blaze diffraction grating according to the present invention. FIG. 3 is a sectional view showing a third embodiment of the method for producing a digital blaze diffraction grating according to the present invention. In the first and second embodiments of the present invention, a case where a three-level digital blazed diffraction grating is manufactured will be described. In a third embodiment, a case where a four-level digital blazed diffraction grating is manufactured will be described. . Generally, when an n-level digital blaze diffraction grating is formed by etching a glass substrate, a groove for forming an n-level digital blaze having an equal interval width is etched in the glass substrate. Then, an n level is formed in this groove. When an n-level digital blaze diffraction grating is formed by laminating a material having a refractive index equivalent to the glass substrate on a glass substrate, the n-level digital blaze is formed on the glass substrate. A pattern having a width that can be formed is formed, and a stepwise n-level digital blaze is formed between the patterns.

【0013】(第1工程)図1(A)に示すように、真
空蒸着法により、石英系のガラス基板1上にAu、Al
等からなる金属層2を形成する。この金属層2上にフォ
トレジストを塗布し、このフォトレジスト上にフォトマ
スク4を用いて、露光・現像を行い、1レベルのデジタ
ルブレ−ズ形成用のフォトレジストパターン3を形成す
る。ここで、フォトマスク4は、マスク部4aの幅P1
と非マスク部4bの幅P2とを合わせた幅を基本ピッチ
Pとする1レベルのデジタルブレ−ズ形成用のマスクで
あり、マスク部4aの幅P1は、(2/3)P、非マス
ク部4bの幅P2は(1/3)Pである。このため、金
属層2がフォトレジストパターン3に覆われた部分以外
の幅は、(1/3)Pとなる。次に、シアン系エッチン
グ液を用いて、フォトレジストパターン3で覆われた以
外の金属層2をガラス基板1までエッチングして、(2
/3)P幅の金属層2を形成する。ところで、シアン系
エッチング液は、金属をエッチングするがガラスをエッ
チングしない選択エッチング液であるので、ガラス基板
1でエッチングを停止することができる。金属層2がA
lである場合には、金属層2のエッチングには、燐酸系
エッチング液や塩素系ガスを用いたドライエッチング法
により行うことができる。
(First Step) As shown in FIG. 1A, Au and Al are deposited on a quartz glass substrate 1 by vacuum evaporation.
The metal layer 2 is formed. A photoresist is applied on the metal layer 2, and is exposed and developed using a photomask 4 on the photoresist to form a photoresist pattern 3 for forming a one-level digital blaze. Here, the photomask 4 has a width P 1 of the mask portion 4a.
And 1 level of the digital blur width of the combination of the width P 2 of the unmasked portion 4b and the base pitches P - a mask for's formation, the width P 1 of the mask portion 4a is, (2/3) P, width P 2 of the unmasked portion 4b is (1/3) P. Therefore, the width of the portion other than the portion where the metal layer 2 is covered with the photoresist pattern 3 is (1 /) P. Next, using a cyan-based etchant, the metal layer 2 other than the one covered with the photoresist pattern 3 is etched to the glass substrate 1 to obtain (2
/ 3) Form a metal layer 2 having a P width. By the way, since the cyan-based etchant is a selective etchant that etches a metal but does not etch glass, the etching can be stopped at the glass substrate 1. Metal layer 2 is A
In the case of 1, the metal layer 2 can be etched by a dry etching method using a phosphoric acid-based etching solution or a chlorine-based gas.

【0014】(第2工程)図1(B)に示すように、フ
ォトレジストパターン3を有機溶剤により除去した後、
フッ素系ガスを用いて、ドライエッチング法により、金
属層2に覆われた以外のガラス基板1を所定深さにエッ
チングして幅d1を有する1レベルのデジタルブレ−ズ
となる溝5を形成する。ここで、溝5の幅d1は(1/
3)Pであり、金属層2の幅d2は(2/3)Pであ
る。ところで、フッ素系ガスは、ガラスをエッチング
し、金属をエッチングしない選択エッチングガスである
ので、金属層2をエッチングすることなくガラス基板1
だけをエッチングすることができる。
(Second Step) As shown in FIG. 1B, after removing the photoresist pattern 3 with an organic solvent,
Using a fluorine-based gas, the glass substrate 1 other than the one covered with the metal layer 2 is etched to a predetermined depth by a dry etching method to form a groove 5 having a width d 1 and a one-level digital blaze. I do. Here, the width d 1 of the groove 5 is (1 /
3) P, and the width d 2 of the metal layer 2 is (2/3) P. Incidentally, since the fluorine-based gas is a selective etching gas that etches glass and does not etch metal, the glass substrate 1 is etched without etching the metal layer 2.
Only can be etched.

【0015】(第3工程)次に、図1(C)に示すよう
に、フォトレジストを塗布し、フォトマスク6を用い
て、金属層2が形成されたガラス基板1との位置合わせ
を行った後、露光・現像を行い、フォトレジストパター
ン7を形成する。ここで、上記したフォトマスク6は、
マスク部6aの幅P3と非マスク部6bの幅P4とを合わ
せた幅を基本ピッチPとする2レベルのデジタルブレ−
ズ形成用のマスクであり、マスク部幅P3及び非マスク
部幅P4は、(1+(1/2))(1/3)Pである。
なお、フォトマスク6のマスク部幅P3が金属層2の幅
2よりも(1/2)(1/3)Pだけ長くなっている
のは、フォトレジストパターン7が金属層2及び溝5の
幅d1の半分を連続して覆うことができるようにするた
めである。
(Third Step) Next, as shown in FIG. 1C, a photoresist is applied, and alignment with the glass substrate 1 on which the metal layer 2 is formed is performed using a photomask 6. After that, exposure and development are performed to form a photoresist pattern 7. Here, the photomask 6 described above is
2-level digital blur width of the combined width P 3 of the mask portion 6a and the width P 4 of the non-masked portion 6b and the fundamental pitch P -
The mask portion width P 3 and the non-mask portion width P 4 are (1+ (1 /)) (1 /) P.
The mask portion width P 3 is (1/2) than the width d 2 of the metal layer 2 of the photomask 6 (1/3) of P only longer, the photo resist pattern 7 is metal layer 2 and the groove This is to allow half of the width d1 of the No. 5 to be continuously covered.

【0016】ここでは、金属層2と溝5と連続するよう
にフォトレジストパターン7が形成されるようにするた
めに、フォトマスク6は、このマスク部幅P3を溝5の
幅d1の半分にしたが、フォトレジストパターン7が金
属層2と溝5に連続して形成されれば良いので、(1/
3)Pより僅かだけ長ければ良い。この結果、フォトレ
ジストパターン7に覆われた以外の幅(1/3)P部分
の金属層2と幅(1/2)(1/3)Pの溝5だけが露
出することになる。
Here, in order to form the photoresist pattern 7 so as to be continuous with the metal layer 2 and the groove 5, the photomask 6 has a mask portion width P 3 that is equal to the width d 1 of the groove 5. However, since it is sufficient that the photoresist pattern 7 is formed continuously with the metal layer 2 and the groove 5, (1/1)
3) It is only necessary that the length is slightly longer than P. As a result, only the metal layer 2 in the width (1 /) P portion other than the portion covered with the photoresist pattern 7 and the groove 5 having the width (1 /) (1 /) P are exposed.

【0017】(第4工程)更に、図1(D)に示すよう
に、シアン系エッチング液を用いて、フォトレジストパ
ターン7に覆われた以外の金属層2をガラス基板1まで
エッチング除去する。前述したように、シアン系エッチ
ング液はガラスをエッチングしないので、ガラス基板1
はエッチングされずに、金属層2だけがエッチングされ
る。
(Fourth Step) Further, as shown in FIG. 1 (D), the metal layer 2 other than that covered with the photoresist pattern 7 is etched off to the glass substrate 1 using a cyan-based etching solution. As described above, since the cyan-based etchant does not etch the glass, the glass substrate 1
Is not etched, and only the metal layer 2 is etched.

【0018】引き続き、図1(E)に示すように、フォ
トレジストパターン7を有機溶剤により除去した後、フ
ッ素系ガスを用いて、ドライエッチング法により、ガラ
ス基板1を所定深さまでエッチングする。こうして、金
属層2から露出したガラス基板1に(1/3)P幅の2
レベルデジタルブレ−ズとなる溝8と、溝4が深くエッ
チングされた溝9が形成される。溝9の幅は、溝4の幅
1と同一であるので、(1/3)Pである。この後、
金属層2をシアン系エッチング液によりエッチング除去
して、3レベルのデジタルブレ−ズ回折格子を作製する
ことができる。この際、ガラス基板1の表面が3レベル
デジタルブレ−ズとなる。
Subsequently, as shown in FIG. 1E, after removing the photoresist pattern 7 with an organic solvent, the glass substrate 1 is etched to a predetermined depth by a dry etching method using a fluorine-based gas. Thus, the glass substrate 1 exposed from the metal layer 2 has a (1/3) P width of 2
A groove 8 for forming a level digital blaze and a groove 9 in which the groove 4 is deeply etched are formed. Since the width of the groove 9 is the same as the width d 1 of the groove 4, it is (1 /) P. After this,
By removing the metal layer 2 by etching with a cyan-based etchant, a three-level digital blaze diffraction grating can be manufactured. At this time, the surface of the glass substrate 1 becomes a three-level digital blaze.

【0019】nレベルのデジタルブレ−ズ回折格子は、
マスク部の幅と非マスク部の幅を合わせた幅を基本ピッ
チPであり、かつ非マスク部の幅が(1/n)P、
((1+(1/2))P/n、…、((n−2)+(1
/2))P/nである各デジタルブレ−ズ形成用の(n
−1)枚のフォトマスクを順番に用いて、上記(第2工
程)乃至(第4工程)を繰り返し行い、nレベルのデジ
タルブレ−ズを形成して作製することができる。このn
レベルのデジタルブレ−ズ回折格子を作製する場合に
も、上記したと同様にガラス基板1の表面がnレベルの
デジタルブレ−ズとなり、溝5は、(n−1)回のエッ
チングにより形成された溝となり、1レベルのデジタル
ブレ−ズとなる。
An n-level digital blaze diffraction grating is:
The width obtained by adding the width of the mask portion and the width of the non-mask portion is the basic pitch P, and the width of the non-mask portion is (1 / n) P,
((1+ (1/2)) P / n,..., ((N−2) + (1
/ 2)) (n) for forming each digital blaze which is P / n
-1) By repeating the above (second step) to (fourth step) using the photomasks in order, a n-level digital blaze can be formed. This n
Also in the case of producing a digital blaze diffraction grating of a level, the surface of the glass substrate 1 becomes a digital blaze of an n level as described above, and the groove 5 is formed by (n-1) times of etching. And a one-level digital blaze.

【0020】このように、(第3工程)において、金属
層2を覆ったフォトレジストパターン7は、溝5部分ま
で連続して形成されているので、喩、ガラス基板1とフ
ォトマスク6との位置合わせが多少ずれても、金属層2
は、フォトマスクパターン7の外に露出することがな
い。このため、金属層2のエッチングを行った後、ガラ
ス基板1をエッチングしても、従来のデジタルブレ−ズ
回折格子の作製方法で発生していた壁状突起を防止する
ことができる。このようにして作製されたデジタルブレ
−ズ回折格子は、片側特定次数に合った回折光の集光が
可能となり、光ディスクからの情報信号を精度良く検知
することができる。また、本発明のデジタルブレ−ズ回
折格子を母型として用いて多数の複製を射出成形する場
合、この壁状突起の発生がないので、このデジタルブレ
−ズ回折格子とその複製品との剥離性を向上させること
ができる。このため、本発明のデジタルブレ−ズ回折格
子は、量産性を有した母型として用いることができる。
As described above, in (third step), the photoresist pattern 7 covering the metal layer 2 is formed continuously up to the groove 5, so that the photoresist pattern 7 between the glass substrate 1 and the photomask 6 can be compared. Even if the alignment is slightly shifted, the metal layer 2
Is not exposed outside the photomask pattern 7. For this reason, even if the glass substrate 1 is etched after the metal layer 2 is etched, the wall-like projections generated by the conventional method for manufacturing a digital blaze diffraction grating can be prevented. The digital blazed diffraction grating manufactured in this way can collect the diffracted light corresponding to the specific order on one side, and can accurately detect the information signal from the optical disk. Further, when a large number of replicas are injection-molded using the digital blaze diffraction grating of the present invention as a matrix, since no wall-like projections are generated, the digital blaze diffraction grating is separated from the replica. Performance can be improved. Therefore, the digital blaze diffraction grating of the present invention can be used as a master block having mass productivity.

【0021】次に、本発明の第2実施例について図2を
用いて説明する。本発明の第1実施例と同一構成には同
一符号を付し、説明を省略する。本発明の第2実施例
は、本発明の第1実施例の(第1工程)、(第2工程)
と同様に行い、フォトレジストパターン3を有機溶剤で
除去後、溝5にポリイミド樹脂を埋め込み、第1実施例
の(第3工程)(第4工程)と同様な工程で行うもので
ある。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The same components as those of the first embodiment of the present invention are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. The second embodiment of the present invention corresponds to (first step) and (second step) of the first embodiment of the present invention.
After removing the photoresist pattern 3 with an organic solvent, a polyimide resin is buried in the groove 5, and the steps are performed in the same steps as (3rd step) and (4th step) of the first embodiment.

【0022】以下に、本発明の第2実施例について具体
的に説明する。 (第1工程)図2(A)に示すように、本発明の第1実
施例の(第1工程)、(第2工程)と同様な工程を行
い、フォトレジストパターン3を除去した後、1レベル
のデジタルブレ−ズとなる溝5にポリイミド樹脂10を
埋め込む。
Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described in detail. (First Step) As shown in FIG. 2A, after performing the same steps as (First Step) and (Second Step) of the first embodiment of the present invention and removing the photoresist pattern 3, A polyimide resin 10 is buried in a groove 5 which becomes a one-level digital braze.

【0023】(第2工程)この後、本発明の第1実施例
に用いたと同様の2レベルのデジタルブレ−ズ形成用の
フォトマスク6を用いて、ポリイミド樹脂10が埋め込
まれたガラス基板1との位置合わせを行った後、露光・
現像を行い、2レベルのデジタルブレ−ズ形成用のフォ
トレジストパターン11を形成する。この際、ポリイミ
ド樹脂10は、溝5に埋め込まれるので、このポリイミ
ド樹脂10の幅はd1である。即ち、ポリイミド樹脂1
0の幅は、(1/3)Pである。フォトマスク6とポリ
イミド樹脂10が埋め込まれたガラス基板1との位置合
わせは、フォトレジストパターン11が、幅(1/3)
Pのガラス基板1及びポリイミド樹脂10の幅d1の半
分、即ち(1/2)(1/3)Pを連続して覆うように
して行う。なお、フォトレジストパターン11がガラス
基板1とポリイミド樹脂10に連続して形成されていれ
ば良いので、フォトレジストパターン11の幅は、(1
/3)Pよりも僅かだけ長ければ良い。
(Second Step) Thereafter, using the same two-level photomask 6 for forming a digital blaze as used in the first embodiment of the present invention, the glass substrate 1 in which the polyimide resin 10 is embedded is used. After aligning with
Development is performed to form a two-level photoresist pattern 11 for digital blaze formation. In this case, the polyimide resin 10, so embedded in the groove 5, the width of the polyimide resin 10 is d 1. That is, polyimide resin 1
The width of 0 is (1/3) P. The alignment between the photomask 6 and the glass substrate 1 in which the polyimide resin 10 is embedded is determined by the photoresist pattern 11 having a width (1 /).
This is performed so as to continuously cover half of the width d 1 of the P glass substrate 1 and the polyimide resin 10, that is, (() (() P. Since the photoresist pattern 11 may be formed continuously on the glass substrate 1 and the polyimide resin 10, the width of the photoresist pattern 11 is (1
/ 3) It is sufficient that the length is slightly longer than P.

【0024】(第3工程)この後、図2(B)に示すよ
うに、フッ素系ガスを用いて、ドライエッチング法によ
り、フォトレジストパターン11に覆われた以外のガラ
ス基板1及びポリイミド樹脂10を所定深さまでエッチ
ングして、2レベルのデジタルブレ−ズとなる溝12を
形成する。この際、ポリイミド樹脂10のエッチングレ
ートは非常に小さいので、ポリイミド樹脂10は、ほと
んどエッチングされない。
(Third Step) Thereafter, as shown in FIG. 2B, the glass substrate 1 and the polyimide resin 10 other than those covered with the photoresist pattern 11 are dry-etched using a fluorine-based gas. Is etched to a predetermined depth to form a groove 12 which becomes a two-level digital blaze. At this time, since the etching rate of the polyimide resin 10 is very small, the polyimide resin 10 is hardly etched.

【0025】(第4工程)この後、熱硫酸により、フォ
トレジストパターン7と共にポリイミド樹脂10をエッ
チング除去して、3レベルのデジタルブレ−ズ回折格子
を作製することができる。この際、ガラス基板1の表面
が3レベルのデジタルブレ−ズとなる。ここでは、フォ
トレジストパターン11及びポリイミド樹脂10の除去
には、熱硫酸を用いたが、O2ガスを用いたドライエッ
チング法により行ってもよい。
(Fourth Step) Thereafter, the polyimide resin 10 together with the photoresist pattern 7 is removed by etching with hot sulfuric acid, whereby a three-level digital blaze diffraction grating can be manufactured. At this time, the surface of the glass substrate 1 becomes a digital blaze of three levels. Here, the photoresist pattern 11 and the polyimide resin 10 are removed using hot sulfuric acid, but may be removed by a dry etching method using O 2 gas.

【0026】nレベルのデジタルブレ−ズ回折格子は、
本発明の第1実施例と同様に、マスク部の幅と非マスク
部の幅を合わせた幅が基本ピッチPであり、かつ非マス
ク部の幅が(1/n)P、((1+(1/2))P/
n、…、((n−2)+(1/2))P/nである各デ
ジタルブレ−ズ形成用の(n−1)枚のフォトマスクを
順番に用いて、フォトマスクを一枚ずつ用いながら、本
発明の第2実施例の(第1工程)、(第2工程)、(第
3工程)を繰り返し、nレベルのデジタルブレ−ズを形
成して作製することができる。このnレベルのデジタル
ブレ−ズ回折格子を作製する場合にも、上記したと同様
にガラス基板1の表面がnレベルのデジタルブレ−ズと
なり、溝5は、(n−1)回のエッチングにより形成さ
れた溝となり、1レベルのデジタルブレ−ズとなる。
An n-level digital blaze diffraction grating is:
As in the first embodiment of the present invention, the width obtained by adding the width of the mask portion and the width of the non-mask portion is the basic pitch P, and the width of the non-mask portion is (1 / n) P, ((1+ ( 1/2)) P /
n,..., ((n−2) + (1 /)) P / n (n−1) photomasks for forming each digital blaze are used in order, and one photomask is used. By repeating the (first step), (second step), and (third step) of the second embodiment of the present invention while using each of them, an n-level digital blaze can be formed. Also in the case of producing this n-level digital blazed diffraction grating, the surface of the glass substrate 1 becomes an n-level digital blazed in the same manner as described above, and the groove 5 is etched by (n-1) times. The grooves formed are one-level digital blaze.

【0027】このように、本発明の第2実施例の(第1
工程)において、フォトレジストパターン11は、(1
/3)Pのガラス基板1部分から(1/2)(1/3)
P幅の溝5部分まで連続して形成されているので、喩、
ガラス基板1とフォトマスク6との位置合わせがずれて
も、ガラス基板1がフォトマスクパターン11の外に露
出することがない。このため、ガラス基板1のエッチン
グを行っても、従来のデジタルブレ−ズ回折格子の作製
方法で発生していた壁状突起を防止することができる。
このようにして作製されたデジタルブレ−ズ回折格子
は、本発明の第1実施例と同様に、片側特定次数に合っ
た回折光の集光が可能となり、光ディスクからの情報信
号を精度良く検知することができる。
As described above, the (first embodiment) of the second embodiment of the present invention
In the step), the photoresist pattern 11
/ 3) From P glass substrate 1 part (1/2) (1/3)
Since it is continuously formed up to the P width groove 5 part,
Even if the alignment between the glass substrate 1 and the photomask 6 is shifted, the glass substrate 1 is not exposed outside the photomask pattern 11. For this reason, even when the glass substrate 1 is etched, the wall-like projections generated by the conventional method for manufacturing a digital blaze diffraction grating can be prevented.
The digital blazed diffraction grating manufactured in this manner enables the condensing of diffracted light according to a specific order on one side similarly to the first embodiment of the present invention, and accurately detects information signals from an optical disk. can do.

【0028】また、本発明のデジタルブレ−ズ回折格子
を母型として用いて多数の複製を射出成形する場合、こ
の壁状突起の発生がないので、このデジタルブレ−ズ回
折格子とその複製品との剥離性を向上させることができ
る。このため、本発明のデジタルブレ−ズ回折格子は、
量産性を有した母型として用いることができる。
When a large number of replicas are injection-molded using the digital blaze diffraction grating of the present invention as a matrix, there is no occurrence of wall-like projections. Can be improved. For this reason, the digital blaze diffraction grating of the present invention
It can be used as a matrix having mass productivity.

【0029】次に、本発明の第3実施例について図3を
用いて説明する。本発明の第1実施例及び第2実施例と
同一構成には同一符号を付し、説明を省略する。本発明
の第3実施例は、ガラス基板1上にガラスと同等の屈折
率を有する材料を積層することによって、デジタルブレ
−ズ回折格子を作製するものである。なお、本発明の第
3実施例ではガラス基板1の表面が1レベルのデジタル
ブレ−ズとなる。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The same components as those of the first and second embodiments of the present invention are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. In the third embodiment of the present invention, a digital blazed diffraction grating is manufactured by laminating a material having a refractive index equivalent to that of glass on a glass substrate 1. In the third embodiment of the present invention, the surface of the glass substrate 1 has one level of digital blaze.

【0030】(第1工程)まず初めに、図3(A)に示
すように、ガラス基板1上にフォトレジストを塗布し、
このフォトレジスト上にフォトマスク13を用いて、露
光・現像を行い、フォトレジストパターン14を形成す
る。ここで、フォトマスク13は、マスク部13aの幅
5と非マスク部13bの幅P6とを合わせた幅を基本ピ
ッチPとする2レベルのデジタルブレ−ズ形成用のマス
クであり、マスク部13aの幅P5は、(1/4)P、
非マスク部3bの幅P6は、(3/4)Pである。この
ため、ガラス基板1がフォトレジストパターン14で覆
われた部分の幅は、(1/4)Pとなる。
(First Step) First, as shown in FIG. 3A, a photoresist is applied on a glass substrate 1,
Exposure and development are performed on the photoresist using a photomask 13 to form a photoresist pattern 14. Here, the photo mask 13, two-level digital blurring of the width of the combined width P 5 of the mask portion 13a and the width P 6 unmasked portion 13b and the base pitch P - a mask for's formation, mask width P 5 parts 13a is, (1/4) P,
The width P 6 of the non-mask portion 3b is (3/4) P. Therefore, the width of the portion where the glass substrate 1 is covered with the photoresist pattern 14 is (1/4) P.

【0031】(第2工程)次に、ガラス基板1と略同等
の屈折率を有するSiO2を真空蒸着法により、フォト
レジストパターン14上にSiO215及びガラス基板
1上に2レベルのデジタルブレ−ズとなるSiO2層1
5を形成する。この後、図3(B)に示すように、Si
2層15a、15b上に、フォトレジストを塗布し、
このフォトレジスト上にフォトマスク16を用いて、露
光・現像を行い、フォトレジストパターン17を形成す
る。ここで、フォトマスク16は、マスク部16aの幅
7と非マスク部16bの幅P8とを合わせた幅を基本ピ
ッチPとするマスクであり、マスク部16aの幅P
7は、(1+(1/2))(1/4)P、非マスク部1
6bの幅P8(2+(1/2))(1/4)Pである。
(Second Step) Next, SiO 2 having a refractive index substantially equal to that of the glass substrate 1 is deposited on the photoresist pattern 14 by SiO 2 15 and a two-level digital blur on the glass substrate 1 by vacuum evaporation. SiO 2 layer 1
5 is formed. Thereafter, as shown in FIG.
A photoresist is applied on the O 2 layers 15a and 15b,
Exposure and development are performed on the photoresist using a photomask 16 to form a photoresist pattern 17. Here, the photomask 16 is a width of the combined width P 7 of the mask portion 16a and the width P 8 unmasked portion 16b a mask having a basic pitch P, the width P of the mask portion 16a
7 is (1+ (1/2)) (1/4) P, non-mask part 1
6b has a width P 8 (2+ (1 /)) (1 /) P.

【0032】このため、フォトレジストパターン17
は、ガラス基板1上に形成された幅(3/4)PのSi
2層15a部分とフォトレジストパターン14上に形
成された幅(1/2)(1/4)PのSiO2層15b
部分に連続して形成される。なお、フォトレジストパタ
ーン17は、ガラス基板1上に形成されたSiO2層1
5a部分とフォトレジストパターン14上に形成された
SiO2層15a部分とが連続して形成されていれば良
いので、ガラス基板1上に形成された幅(3/4)Pの
SiO2層15aよりも僅かだけ長ければよい。この
後、真空蒸着法により、SiO2を蒸着して、フォトレ
ジストパターン17上にSiO2層18b及びSiO2
15上に3レベルのデジタルブレ−ズとなるSiO2
18aを形成する。
For this reason, the photoresist pattern 17
Is a Si (3/4) P width formed on the glass substrate 1.
O 2 layer 15a portion and the photoresist pattern 14 on the formed width (1/2) (1/4) P of the SiO 2 layer 15b
The part is formed continuously. The photoresist pattern 17 is formed on the SiO 2 layer 1 formed on the glass substrate 1.
Since the 5a partial photoresist pattern 14 formed SiO 2 layer 15a portion on may be formed in succession, the width formed on the glass substrate 1 (3/4) P of the SiO 2 layer 15a Only slightly longer. Thereafter, SiO 2 is deposited by a vacuum deposition method to form an SiO 2 layer 18b on the photoresist pattern 17 and an SiO 2 layer 18a on the SiO 2 layer 15 which becomes a digital blaze of three levels.

【0033】(第3工程)次に、図3(C)に示すよう
に、SiO2層18a、18b上にフォトレジストを塗
布し、このフォトレジスト上にフォトマスク19を用い
て、露光・現像を行い、フォトレジストパターン20を
形成する。ここで、フォトマスク19は、マスク部19
aの幅P9と非マスク部19bの幅P10とを合わせた幅
を基本ピッチPとするマスクであり、マスク部19aの
幅P9は、(2/4)P、非マスク部19bの幅P
10は、(2/4)Pである。このため、フォトレジスト
パターン20は、幅(2/4)PのSiO2層18aと
幅(1+(1/2))PのSiO2層18b上に形成さ
れることになる。
(Third Step) Next, as shown in FIG. 3C, a photoresist is applied on the SiO 2 layers 18a and 18b, and is exposed and developed by using a photomask 19 on the photoresist. Is performed to form a photoresist pattern 20. Here, the photomask 19 is
The combined width of the width P 9 of a width P 10 of the non-masked portion 19b is a mask which is based pitch P, the width P 9 of the mask portion 19a is, (2/4) P, unmasked portion 19b Width P
10 is (2/4) P. Therefore, the photoresist pattern 20 becomes the width (2/4) SiO 2 layer 18a and the width of the P (1+ (1/2)) to be formed on the P of the SiO 2 layer 18b.

【0034】(第4工程)次に、図3(D)に示すよう
に、真空蒸着法により、SiO2をフォトレジストパタ
ーン20上にSiO2層21b及びガラス基板1上にS
iO2層18a上に4レベルのデジタルブレ−ズとなる
SiO2層21aを形成する。この後、熱硫酸により、
フォトレジストパターン14、17、20と共に、これ
らのパターン上に形成されたSiO2層15、18、2
1を除去する。こうして、3レベルのデジタルブレ−ズ
回折格子を作製することができる。
(Fourth Step) Next, as shown in FIG. 3 (D), SiO 2 is deposited on the photoresist pattern 20 on the SiO 2 layer 21b and on the glass substrate 1 by vacuum evaporation.
On the iO 2 layer 18a, an SiO 2 layer 21a which becomes a digital blaze of four levels is formed. Then, with hot sulfuric acid,
Along with the photoresist patterns 14, 17, 20 the SiO 2 layers 15, 18, 2 formed on these patterns
Remove one. Thus, a three-level digital blaze diffraction grating can be manufactured.

【0035】nレベルのデジタルブレ−ズ回折格子は、
マスク部の幅と非マスク部の幅を合わせた幅が基本ピッ
チPであり、かつマスク部の幅がP/(n+1)、
((1+(1/2))P/(n+1)、…、((n−
1)+(1/2))P/(n+1)であり、かつ基本ピ
ッチPの(n+1)枚のフォトマスクを順番に用いて、
上記(第1工程)乃至(第3工程)を繰り返し行い、n
レベルのデジタルブレ−ズを形成した後、(第4工程)
を実施して作製することができる。
An n-level digital blaze diffraction grating is
The width obtained by adding the width of the mask portion and the width of the non-mask portion is the basic pitch P, and the width of the mask portion is P / (n + 1);
((1+ (1/2)) P / (n + 1),..., ((N−
1) + (1/2)) P / (n + 1) and (n + 1) photomasks having the basic pitch P are used in order,
By repeating the above (first step) to (third step), n
After forming digital blaze of level (fourth step)
Can be carried out.

【0036】このように、(第2工程)に示すように、
フォトレジストパターン17がSiO2層15及びフォ
トレジストパターン14上に形成されたSiO2層15
まで連続して形成されているので、フォトマスク16と
SiO2層15bが形成されたフォトレジストパターン
14との位置合わせが多少ずれても、SiO2層15a
及びSiO2層15b上に積層されるSiO2層18a及
び15bには、従来のデジタルブレ−ズ回折格子の作製
方法で発生していた壁状突起を防止することができる。
SiO2層21a及びSiO2層21bについても同様で
ある。このようにして作製されたデジタルブレ−ズ回折
格子は、第1実施例、第2実施例同様、片側特定次数に
合った回折光の集光が可能となり、光ディスクからの情
報信号を精度良く検知することができる。また、本発明
のデジタルブレ−ズ回折格子を母型として用いて多数の
複製を射出成形する場合、この壁状突起の発生がないの
で、このデジタルブレ−ズ回折格子とその複製品との剥
離性を向上させることができる。このため、本発明のデ
ジタルブレ−ズ回折格子は、量産性を有した母型として
用いることができる。
Thus, as shown in (second step),
The photoresist pattern 17 is SiO 2 layer 15 formed on the SiO 2 layer 15 and the photoresist pattern 14
Therefore, even if the alignment between the photomask 16 and the photoresist pattern 14 on which the SiO 2 layer 15b is formed is slightly shifted, the SiO 2 layer 15a
And the SiO 2 layer 18a and 15b is laminated on the SiO 2 layer 15b, conventional digital motion - it is possible to prevent the wall-like protrusions that occurred in the manufacturing method of's diffraction grating.
The same applies to the SiO 2 layer 21a and the SiO 2 layer 21b. Like the first and second embodiments, the digital blazed diffraction grating manufactured as described above can condense diffracted light according to a specific order on one side and accurately detect information signals from an optical disk. can do. Further, when a large number of replicas are injection-molded using the digital blaze diffraction grating of the present invention as a matrix, since no wall-like projections are generated, the digital blaze diffraction grating is separated from the replica. Performance can be improved. Therefore, the digital blaze diffraction grating of the present invention can be used as a master block having mass productivity.

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明によるデジタルブレ−ズ回折格子
の作製方法によれば、壁状突起の発生のない良好なデジ
タルブレ−ズ回折格子を作製できる。このため、片側特
定次数に合った回折光の集光が可能となり、光ディスク
からの情報信号を精度良く検知することができる。ま
た、母型として用いて多数の複製を射出成形する場合、
壁状突起の発生がないので、このデジタルブレ−ズ回折
格子とその複製品との剥離性を向上させることができ
る。この結果、量産性を有した母型として用いることが
できる。
According to the method of manufacturing a digital blaze diffraction grating according to the present invention, it is possible to manufacture a good digital blaze diffraction grating free from occurrence of wall-like projections. For this reason, it becomes possible to condense the diffracted light corresponding to the specific order on one side, and it is possible to accurately detect the information signal from the optical disc. Also, when injection molding a large number of replicas using the master mold,
Since there is no generation of wall-like projections, the releasability between the digital blaze diffraction grating and a copy thereof can be improved. As a result, it can be used as a matrix having mass productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のデジタルブレ−ズ回折格子の作製方法
の第1実施例を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of a method for producing a digital blaze diffraction grating according to the present invention.

【図2】本発明のデジタルブレ−ズ回折格子の作製方法
の第2実施例を示す断面図である。
FIG. 2 is a sectional view showing a second embodiment of the method for producing a digital blaze diffraction grating according to the present invention.

【図3】本発明のデジタルブレ−ズ回折格子の作製方法
の第3実施例を示す断面図である。
FIG. 3 is a sectional view showing a third embodiment of the method for producing a digital blaze diffraction grating according to the present invention.

【図4】従来のデジタルブレ−ズ回折格子の作製方法の
第3実施例を示す断面図である。
FIG. 4 is a sectional view showing a third embodiment of a conventional method for manufacturing a digital blaze diffraction grating.

【図5】従来のデジタルブレ−ズ回折格子の作製方法の
課題を説明するための図である。
FIG. 5 is a view for explaining a problem of a conventional method for manufacturing a digital blaze diffraction grating.

【図6】従来のデジタルブレ−ズ回折格子の回折効率の
基本ピッチ依存性を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing the basic pitch dependence of the diffraction efficiency of a conventional digital blaze diffraction grating.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ガラス基板、2…金属層、3…フォトレジストパタ
ーン(第1フォトレジストパターン)、4…フォトマス
ク、5…溝(第1溝)、6…フォトマスク、7…フォト
レジストパターン(第2フォトレジストパターン)、8
…溝(第2溝)、9…溝、10…ポリイミド樹脂、11
…フォトレジストパターン、12…溝、13、19…フ
ォトマスク、14…フォトレジストパターン、15、1
8、21…SiO2層(無機材料)、16…フォトレジ
ストパターン、17…フォトレジストパターン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Glass substrate, 2 ... Metal layer, 3 ... Photoresist pattern (1st photoresist pattern), 4 ... Photomask, 5 ... Groove (1st groove), 6 ... Photomask, 7 ... Photoresist pattern (2nd) Photoresist pattern), 8
... grooves (second grooves), 9 ... grooves, 10 ... polyimide resin, 11
... Photoresist pattern, 12 ... Groove, 13, 19 ... Photomask, 14 ... Photoresist pattern, 15, 1
8, 21: SiO 2 layer (inorganic material), 16: photoresist pattern, 17: photoresist pattern

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】nレベルのデジタルブレ−ズ断面を有する
デジタルブレ−ズ回折格子の作製方法において、 ガラス基板上に金属層を形成し、この金属層上に第1レ
ベルのデジタルブレ−ズを有する第1フォトレジストパ
ターンを形成後、シアン系エッチング液を用いて、この
第1フォトレジストパターンに覆われた以外の前記金属
層をガラス基板までエッチングする第1工程と、 前記第1フォトレジストパターンを除去後、ドライエッ
チングにより、前記金属層から露出した前記ガラス基板
を所定深さまでエッチングして前記第1レベルのデジタ
ルブレ−ズとなる第1溝を形成する第2工程と、 前記金属層及び前記第1溝上に第2レベルのデジタルブ
レ−ズよりも僅かに長い第2フォトレジストパターンを
形成後、シアン系エッチング液を用いて、この第2フォ
トレジストパターンに覆われた以外の前記金属層を前記
ガラス基板までエッチングする第3工程と、 前記第2フォトレジストパターンを除去後、ドライエッ
チングにより、前記金属層から露出した前記ガラス基板
を所定深さまでエッチングして前記第2レベルのデジタ
ルブレ−ズとなる第2溝を形成する第4工程とからな
り、前記第3工程乃至第4工程を繰り返して、nレベル
のデジタルブレ−ズを有するデジタルブレ−ズ回折格子
を形成することを特徴とするデジタルブレ−ズ回折格子
の作製方法。
1. A method of manufacturing a digital braze diffraction grating having an n-level digital braze cross section, comprising: forming a metal layer on a glass substrate; and forming a first level digital braze on the metal layer. Forming a first photoresist pattern having the first photoresist pattern, using a cyan-based etchant to etch the metal layer other than the metal layer covered with the first photoresist pattern to a glass substrate; A second step of etching the glass substrate exposed from the metal layer to a predetermined depth by dry etching to form a first groove serving as the first-level digital braze; and After forming a second photoresist pattern slightly longer than the digital blaze of the second level on the first groove, a cyan-based etchant is used. A third step of etching the metal layer other than the metal layer covered with the second photoresist pattern up to the glass substrate; and removing the second photoresist pattern, and then performing dry etching to expose the metal layer from the metal layer. A fourth step of etching the glass substrate to a predetermined depth to form a second groove which becomes the second level digital brazing. The third to fourth steps are repeated to form an n level digital blur. Forming a digital blazed diffraction grating having a blazed structure.
【請求項2】nレベルのデジタルブレ−ズ状の断面を有
するデジタルブレ−ズ回折格子の作製方法において、 ガラス基板上に第1レベルのデジタルブレ−ズを有する
第1フォトレジストパターンを形成し、ドライエッチン
グにより、この第1フォトレジストパターンにに覆われ
た以外の前記ガラス基板を所定深さにエッチングして、
第1レベルのデジタルブレ−ズとなる第1溝を形成する
第1工程と、 前記第1溝にポリイミド樹脂を埋込み、前記ガラス基板
及び前記ポリイミド樹脂上に第2レベルのデジタルブレ
−ズよりも僅かに長い第2フォトレジストパターンを形
成した後、ドライエッチングにより、この第2フォトレ
ジストパターンに覆われた以外の前記ガラス基板を所定
の深さにエッチングして、前記第2レベルのデジタルブ
レ−ズとなる第2溝を形成する第2工程とからなり、前
記第1工程乃至第2工程を繰り返して、nレベルのデジ
タルブレ−ズを有するデジタルブレ−ズ回折格子を形成
することを特徴とするデジタルブレ−ズ回折格子の作製
方法。
2. A method of manufacturing a digital blazed diffraction grating having an n-level digital blazed cross section, comprising: forming a first photoresist pattern having a first level digital blazed on a glass substrate. By dry etching, the glass substrate other than covered with the first photoresist pattern is etched to a predetermined depth,
A first step of forming a first groove serving as a first-level digital blaze; and embedding a polyimide resin in the first groove, the second groove being formed on the glass substrate and the polyimide resin more than a second-level digital blaze. After forming a slightly longer second photoresist pattern, the glass substrate other than the glass substrate covered with the second photoresist pattern is etched to a predetermined depth by dry etching to obtain the second level digital blur. A second step of forming a second groove, which is to be closed, wherein the first and second steps are repeated to form a digital braze diffraction grating having an n-level digital blaze. Of producing a digital blaze diffraction grating.
【請求項3】nレベルのデジタルブレ−ズ状の断面を有
するデジタルブレ−ズ回折格子の作製方法において、 ガラス基板上に第1のデジタルブレ−ズ格子を有する第
1フォトレジストパターンを形成し、真空蒸着法によ
り、前記ガラス基板及び第1フォトレジストパターンに
前記ガラス基板と略等しい屈折率を有する第1の無機材
料を形成する第1工程と、 前記第1の無機材料上に第2レベルのデジタルブレ−ズ
よりも僅かに長い第2フォトレジストパターンを形成
し、真空蒸着法により、前記第1の無機材料及び前記第
2フォトレジストパターン上に第2の無機材料を形成す
る第2工程と、 前記第1工程乃至前記第2工程を繰り返した後、前記第
1フォトレジストパターン及び前記第2フォトレジスト
パターンを熱硫酸により除去する第3工程によりnレベ
ルのデジタルブレ−ズを有するデジタルブレ−ズ回折格
子を形成することを特徴とするデジタルブレ−ズ回折格
子の作製方法。
3. A method for manufacturing a digital blazed diffraction grating having an n-level digital blazed cross section, comprising: forming a first photoresist pattern having a first digital blazed grating on a glass substrate. Forming a first inorganic material having a refractive index substantially equal to that of the glass substrate on the glass substrate and the first photoresist pattern by a vacuum deposition method; and forming a second level on the first inorganic material. Forming a second photoresist pattern that is slightly longer than the digital blaze, and forming a second inorganic material on the first inorganic material and the second photoresist pattern by vacuum deposition. After repeating the first and second steps, removing the first and second photoresist patterns with hot sulfuric acid. n-level digital blur by step - a method for manufacturing a's diffraction grating - digital blur and forming a's diffraction grating - digital blur with's.
JP21238498A 1998-07-28 1998-07-28 Manufacture of digital blazed diffraction grating Pending JP2000047015A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21238498A JP2000047015A (en) 1998-07-28 1998-07-28 Manufacture of digital blazed diffraction grating

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21238498A JP2000047015A (en) 1998-07-28 1998-07-28 Manufacture of digital blazed diffraction grating

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000047015A true JP2000047015A (en) 2000-02-18

Family

ID=16621697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21238498A Pending JP2000047015A (en) 1998-07-28 1998-07-28 Manufacture of digital blazed diffraction grating

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000047015A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100334470C (en) * 2002-10-04 2007-08-29 株式会社尼康 Diffraction optical element
US7348650B2 (en) 2002-03-25 2008-03-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Element having microstructure and manufacturing method thereof
KR101224326B1 (en) 2009-11-19 2013-01-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Sensor chip, sensor cartridge, and analysis apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7348650B2 (en) 2002-03-25 2008-03-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Element having microstructure and manufacturing method thereof
CN100334470C (en) * 2002-10-04 2007-08-29 株式会社尼康 Diffraction optical element
KR101224326B1 (en) 2009-11-19 2013-01-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Sensor chip, sensor cartridge, and analysis apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100647182B1 (en) Photomask, photomask manufacturing method and semiconductor device manufacturing method using photomask
EP0513755A2 (en) A method for producing a diffraction grating
JP4824273B2 (en) Diffraction grating phase mask
JP2002350623A (en) Method for manufacturing diffraction optical element
JP2000047015A (en) Manufacture of digital blazed diffraction grating
US5300190A (en) Process of producing diffraction grating
JP2000105307A (en) Manufacture of digital braze diffraction grating
US6656664B2 (en) Method of forming minute focusing lens
JPH07508593A (en) Manufacturing of grating structures
JP2724982B2 (en) Method for manufacturing multiple phase shift mask
JP3173803B2 (en) How to make a diffraction grating
KR100861292B1 (en) Method for manufacturing minute pattern
JP2020120023A (en) Imprint mold and manufacturing method of the same
US5728491A (en) Phase shift mask and method of manufacture
US20230417964A1 (en) Diffractive optical elements and methods for manufacturing diffractive optical elements
JP4625643B2 (en) Formation method of linear grating
JPH10333318A (en) Phase shift photomask and its production
JPH07121913A (en) Stamper for producing optical disk and manufacture thereof
JPH04257801A (en) Manufacture of polarized light diffraction element
JPH0524481B2 (en)
JPH11353718A (en) Production of optical disk master and production of master stamper
JPH0735912A (en) Binary diffraction optical device
JP3395702B2 (en) Method of forming resist mask for dry etching
KR101007154B1 (en) Manufacture method of planar arrayed waveguide grating
KR100800782B1 (en) Method for fabricating a resist pattern mask