JP2000047006A - Antireflection film - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイ表示
面等の反射防止や帯電防止のために用いられる反射防止
膜に関し、詳しくは光吸収性を有する反射防止膜に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an antireflection film used for preventing reflection or charging of a display surface of a display or the like, and more particularly to an antireflection film having a light absorbing property.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ディスプレイは、コンピュータ等の情報
処理装置の表示装置として用いられ、陰極線管（ＣＲ
Ｔ：Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）ディスプレ
イ、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、ＥＬデ
ィスプレイ等の様々な種類がある。ディスプレイには、
その表示面において外光が反射すると、表示された情報
が目視しにくくなるといった問題がある。そこで、ディ
スプレイには、外光の反射を防止して視認性を向上させ
るために、表示面に反射防止膜が被着されている。2. Description of the Related Art A display is used as a display device of an information processing apparatus such as a computer, and is provided with a cathode ray tube (CR).
There are various types such as a T (Cathode Ray Tube) display, a liquid crystal display, a plasma display, and an EL display. The display shows
When external light is reflected on the display surface, there is a problem that the displayed information becomes difficult to see. Therefore, the display is provided with an anti-reflection film on the display surface in order to prevent reflection of external light and improve visibility.
【０００３】反射防止膜は、特にＣＲＴディスプレイに
用いられる場合において、反射防止機能のみならず、帯
電防止及び漏洩電界防止を目的として導電性を有するも
のが求められているとともに、コントラスト向上を目的
として透過率の低いものが求められている。すなわち、
反射防止膜は、ＣＲＴディスプレイに用いられる場合に
おいて、反射防止機能とともに、導電性機能及び光吸収
性機能を備えることを要求されている。An antireflection film is required to have not only an antireflection function but also a conductive film for the purpose of preventing static electricity and preventing a leakage electric field, especially when used for a CRT display. A material having a low transmittance is required. That is,
When used for a CRT display, the antireflection film is required to have a conductive function and a light absorbing function, in addition to the antireflection function.
【０００４】反射防止膜としては、例えば、多層膜のう
ちの少なくとも２つの層に、導電性機能と光吸収性機能
とをそれぞれ分離して持たせたものがある。かかる例に
よる反射防止膜は、例えば、導電性膜を透明導電材料で
あるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉ
ｎ Ｏｘｉｄｅ）を用いて形成し、光吸収膜を酸化ニッ
ケル（ＮｉＯx）を用いて形成している。As an anti-reflection film, for example, there is a film in which at least two layers of a multilayer film have a conductive function and a light-absorbing function separately. The anti-reflection film according to this example is, for example, a conductive film formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO).
n Oxide), and the light absorption film is formed using nickel oxide (NiO x ).
【０００５】しかしながら、ＩＴＯ膜は、スパッタリン
グ法による成膜過程で、ターゲット表面にノジュールと
称される黒色突起物が成長してくるために、連続的な成
膜を行うことが困難である。したがって、かかる例によ
る反射防止膜は、生産性を向上させることが困難である
といった問題があった。However, it is difficult to continuously form an ITO film because black protrusions called nodules grow on the target surface during the film formation process by sputtering. Therefore, the antireflection film according to this example has a problem that it is difficult to improve the productivity.
【０００６】また、反射防止膜としては、例えば、透明
膜と銀膜とを積層して６層に構成されたものがある。か
かる例による反射防止膜は、銀膜が導電性機能と光吸収
性機能とを併せ持つために、ＩＴＯ膜を不要とするが、
低反射特性が得られる波長領域が狭いといった問題があ
った。As an antireflection film, for example, there is an antireflection film having a six-layer structure in which a transparent film and a silver film are laminated. The antireflection film according to this example does not require an ITO film because the silver film has both a conductive function and a light absorbing function,
There is a problem that the wavelength region where low reflection characteristics can be obtained is narrow.
【０００７】そこで、反射防止膜としては、上述した問
題等を解決して、生産性を向上させるとともに低反射特
性が得られる波長領域を広くとることを目的とした、例
えば特開平９−１５６９６４号公報「光吸収性反射防止
体」に記載されたものがある。かかる例による反射防止
膜は、基材の上に窒化チタン膜を形成して導電性光吸収
膜とし、この導電性光吸収膜の上に低屈折率透明膜とし
てのシリカ（二酸化珪素）膜を形成することによって、
反射防止機能、導電性機能及び光吸収性機能を獲得して
いる。[0007] Therefore, the antireflection film is intended to solve the above-mentioned problems and the like, to improve the productivity and to widen a wavelength region in which low reflection characteristics can be obtained, for example, see JP-A-9-156964. There is one described in the official gazette “Light-absorbing antireflection body”. The antireflection film according to this example is formed by forming a titanium nitride film on a base material to form a conductive light absorbing film, and forming a silica (silicon dioxide) film as a low refractive index transparent film on the conductive light absorbing film. By forming
Obtained anti-reflection function, conductive function and light absorbing function.
【０００８】かかる例による反射防止膜は、導電性光吸
収膜の膜厚によって透過率を制御していることから、透
過率曲線が若干長波長側にシフトしており、基板と反対
側の面から入射してディスプレイの表示素子側表面で反
射してくる光や、基板の側から透過してくる光が青味が
かってしまうといった問題があった。In the antireflection film according to this example, since the transmittance is controlled by the thickness of the conductive light absorbing film, the transmittance curve is slightly shifted to the longer wavelength side, and the surface on the opposite side to the substrate is used. There is a problem that light incident on the display and reflected on the display element side surface of the display or light transmitted from the substrate side becomes bluish.
【０００９】また、かかる例による反射防止膜は、導電
性光吸収膜の膜厚を大きくすると適正な透過率が得られ
なくなることから、シリカ膜の膜厚によって反射率を制
御せざるを得ない。ところが、かかる例による反射防止
膜は、シリカ膜の膜厚を大きくしてゆくと、反射率曲線
が長波長側にシフトし、基板と反対側の面で反射する光
が青味がかってしまうといった問題があった。In the antireflection film according to this example, if the thickness of the conductive light absorbing film is increased, an appropriate transmittance cannot be obtained. Therefore, the reflectance must be controlled by the thickness of the silica film. . However, in the antireflection film according to this example, as the thickness of the silica film increases, the reflectance curve shifts to a longer wavelength side, and light reflected on the surface opposite to the substrate becomes bluish. There was a problem.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＣＲＴディ
スプレイは、近年、高解像度化のために電子ビームのス
ポット径を小さくすることが要求されているとともに、
高輝度化の要求もされている。しかしながら、ＣＲＴデ
ィスプレイは、高輝度化のためにカソード電流を増大さ
せると電子ビームのスポット径を精度よく小とすること
ができない。このため、ＣＲＴディスプレイにおいて
は、高解像度化と高輝度化との間にトレードオフの関係
が存在する。In recent years, CRT displays have been required to have a smaller spot diameter of an electron beam for higher resolution.
There is also a demand for higher brightness. However, in a CRT display, if the cathode current is increased to increase the brightness, the spot diameter of the electron beam cannot be accurately reduced. For this reason, in a CRT display, there is a trade-off between high resolution and high luminance.
【００１１】現在、ＣＲＴディスプレイにおいては、
青、緑、赤の３色のうちで、特に赤色に用いられる電子
ビームに関して、カソード電流を増大させることによる
電子ビームのスポット精度の劣化が激しく、フォーカス
特性に余裕がない。したがって、ＣＲＴディスプレイ
は、上述したように、透過光及び反射光が青味がかって
しまうような反射防止膜を用いた場合に、赤色の発色を
向上させることが極めて困難であるといった問題があっ
た。At present, in a CRT display,
Of the three colors of blue, green, and red, especially for the electron beam used for red, the spot accuracy of the electron beam is greatly deteriorated by increasing the cathode current, and there is no margin in the focus characteristics. Therefore, as described above, the CRT display has a problem that it is extremely difficult to improve the color development of red when using an antireflection film that makes transmitted light and reflected light bluish. .
【００１２】したがって、本発明は、導電性機能と光吸
収性機能とを備えた反射防止膜において、光吸収膜を導
電性光吸収膜から独立して設けることによって、所定の
波長の光の透過率を独立して制御することを容易とした
反射防止膜を提供することを目的とする。Accordingly, the present invention provides an antireflection film having a conductive function and a light absorbing function, in which the light absorbing film is provided independently of the conductive light absorbing film, so that light having a predetermined wavelength can be transmitted. It is an object of the present invention to provide an antireflection film that can easily control the ratio independently.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明にかかる反射防止膜は、基材のための反
射防止膜であって、基材側に導電性光吸収膜が形成さ
れ、この導電性光吸収膜の上に、所定の波長の光に対し
て極大透過率を示す光吸収膜と、第１の体屈折率透明膜
とがこの順で形成されてなる。In order to achieve the above-mentioned object, an antireflection film according to the present invention is an antireflection film for a substrate, and a conductive light absorbing film is formed on the substrate side. On the conductive light absorbing film, a light absorbing film exhibiting a maximum transmittance for light of a predetermined wavelength and a first body refractive index transparent film are formed in this order.
【００１４】以上のように構成された本発明にかかる反
射防止膜によれば、導電性光吸収膜から独立して設けら
れた光吸収膜の膜厚を変化させたり、この光吸収膜に用
いる材料を変えることで、所定の波長の光の透過率を独
立して制御することが容易となる。According to the antireflection film of the present invention configured as described above, the thickness of the light absorbing film provided independently of the conductive light absorbing film can be changed or used for this light absorbing film. By changing the material, it becomes easy to independently control the transmittance of light having a predetermined wavelength.
【００１５】また、本発明にかかる反射防止膜は、光吸
収膜が、酸化鉄又は酸化ニッケルを用いることにより、
６３０ｎｍ付近に透過率分布のピークを有するように形
成されてもよい。In the antireflection film according to the present invention, the light absorption film uses iron oxide or nickel oxide.
It may be formed so as to have a transmittance distribution peak near 630 nm.
【００１６】この場合、本発明にかかる反射防止膜は、
導電性光吸収膜から独立して設けられた光吸収膜が赤色
フィルタとしての機能を果たすことから、赤色の透過率
を制御することが容易となる。したがって、かかる反射
防止膜は、特にＣＲＴディスプレイに用いられる場合に
おいて、ディスプレイ表示面のコントラストを維持した
まま赤色の輝度を向上させることができるため、赤色の
ためのカソード電流を下げることができ、フォーカス特
性を向上させることができる。In this case, the antireflection film according to the present invention comprises:
Since the light absorbing film provided independently of the conductive light absorbing film functions as a red filter, it is easy to control the transmittance of red light. Therefore, especially when used in a CRT display, such an antireflection film can improve the luminance of red while maintaining the contrast of the display surface of the display, so that the cathode current for red can be reduced and the focus can be reduced. The characteristics can be improved.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
について、図面を参照して詳細に説明する。本発明の第
１の実施の形態として示す反射防止膜１は、図１に示す
ように、基材２のための反射防止膜であって、この基材
２側から導電性光吸収膜３と、光吸収膜４と、第１の低
屈折率透明膜５とがこの順に形成されてなる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, an anti-reflection film 1 according to a first embodiment of the present invention is an anti-reflection film for a base material 2. , A light absorbing film 4 and a first low refractive index transparent film 5 are formed in this order.
【００１８】基材２は、各種ディスプレイ表示面を構成
するガラス基板、プラスティック基板又はプラスティッ
クフィルム等である。The substrate 2 is a glass substrate, a plastic substrate, a plastic film, or the like, which forms a display surface of various displays.
【００１９】導電性光吸収膜３には、導電性を有する材
料が選択され、窒化チタン（ＴｉＮ）等が用いられる。A material having conductivity is selected for the conductive light absorbing film 3, and titanium nitride (TiN) or the like is used.
【００２０】光吸収膜４には、所定の波長の光に対して
極大透過率を示す材料が選択して用いられる。光吸収膜
４は、反射防止膜１が特にＣＲＴディスプレイの表示面
に成膜される場合において、このＣＲＴディスプレイの
赤色の輝度を向上させるために、赤色フィルタとして用
いるのが好ましい。光吸収膜４は、かかる場合におい
て、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）又は酸化ニッケル（ＮｉＯ）等
を用いることで、６３０ｎｍ付近に極大透過率を示すよ
うに形成されることが好ましい。As the light absorbing film 4, a material having a maximum transmittance for light having a predetermined wavelength is selected and used. When the antireflection film 1 is formed particularly on the display surface of a CRT display, the light absorbing film 4 is preferably used as a red filter in order to improve the red luminance of the CRT display. In such a case, the light absorbing film 4 is preferably formed to have a maximum transmittance near 630 nm by using iron oxide (Fe 2 O 3 ) or nickel oxide (NiO) or the like.
【００２１】第１の低屈折率透明膜５は、可視光域にお
いて透明で且つ光吸収膜４及び導電性光吸収膜３よりも
屈折率の低い材料が選択され、具体的には、シリカ（二
酸化珪素ＳｉＯ2）等が用いられる。For the first low refractive index transparent film 5, a material that is transparent in the visible light range and has a lower refractive index than the light absorbing film 4 and the conductive light absorbing film 3 is selected. Silicon dioxide (SiO 2 ) or the like is used.
【００２２】反射防止膜１は、基材２と反対側の面から
入射する光の反射率と、透過率とが所定の値となるよう
に、上述した各層の膜厚が決定されて形成される。な
お、膜厚とは、各層の物理的な厚みのことである。The antireflection film 1 is formed by determining the thickness of each of the above-described layers so that the reflectance and the transmittance of light incident from the surface opposite to the substrate 2 have predetermined values. You. Note that the film thickness is a physical thickness of each layer.
【００２３】反射防止膜１は、以上のような構成に形成
され、各層がスパッタリング法や真空蒸着法等の物理気
相成長法、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、ゾルゲル法等
によって成膜される。特に、ＤＣスパッタリング法は、
膜厚の制御が比較的容易であること、大面積基材に対す
る成膜に適すること、インライン型の装置を用いること
によって多層膜が容易に成膜できることといった利点を
有する。The anti-reflection film 1 is formed as described above, and each layer is formed by a physical vapor deposition method such as a sputtering method or a vacuum vapor deposition method, a chemical vapor deposition method (CVD method), a sol-gel method or the like. Is done. In particular, the DC sputtering method
It has the advantages that the control of the film thickness is relatively easy, that it is suitable for film formation on a large-area substrate, and that a multilayer film can be easily formed by using an in-line type device.
【００２４】なお、反射防止膜１には、導電性光吸収膜
３と光吸収膜４との間に、金属や金属窒化物等よりなる
酸化バリア層を介在させるようにしてもよい。反射防止
膜１は、導電性光吸収膜３の上にＦｅ2Ｏ3等よりなる光
吸収膜４を直接成膜した場合、光吸収膜４の成膜過程に
おいて、導電性光吸収膜３が酸化されてしまい、導電性
や光学特性が損なわれてしまうことがある。そこで、反
射防止膜１においては、導電性光吸収膜３の上に酸化バ
リア層を成膜し、この酸化バリア層の上に光吸収膜４を
成膜すれば、導電性光吸収膜３の酸化が防止される。In the antireflection film 1, an oxide barrier layer made of metal, metal nitride, or the like may be interposed between the conductive light absorbing film 3 and the light absorbing film 4. When the anti-reflection film 1 is formed by directly forming the light absorbing film 4 made of Fe 2 O 3 or the like on the conductive light absorbing film 3, the conductive light absorbing film 3 is formed in the process of forming the light absorbing film 4. Oxidation may result in impaired conductivity and optical properties. Therefore, in the anti-reflection film 1, an oxide barrier layer is formed on the conductive light absorbing film 3, and the light absorbing film 4 is formed on the oxide barrier layer. Oxidation is prevented.
【００２５】反射防止膜１においては、上述した酸化バ
リア層の膜厚が１〜２０ｎｍ程度であるのが望ましい。
反射防止膜１においては、酸化バリア層の膜厚が１ｎｍ
未満である場合に、導電性光吸収膜３の酸化を十分に防
止することができない。また、反射防止膜１において
は、酸化バリア層の膜厚が２０ｎｍを超えた場合に、反
射防止機能が損なわれる虞がある。In the antireflection film 1, the thickness of the above-mentioned oxidation barrier layer is preferably about 1 to 20 nm.
In the antireflection film 1, the thickness of the oxidation barrier layer is 1 nm.
If the ratio is less than the above range, the oxidation of the conductive light absorbing film 3 cannot be sufficiently prevented. Further, in the antireflection film 1, when the thickness of the oxidation barrier layer exceeds 20 nm, the antireflection function may be impaired.
【００２６】反射防止膜１は、基材２の表面に成膜（コ
ーティング）されることによって、基材２における反射
や帯電等を防止するものであり、基材２の側から透過す
る赤色の透過率を制御することができる。The anti-reflection film 1 is formed on the surface of the substrate 2 so as to prevent reflection and electrification on the substrate 2. The transmittance can be controlled.
【００２７】言い換えると、この反射防止膜１は、上述
したように、酸化鉄等からなる光吸収膜４を用いること
により、６３０ｎｍ付近の赤色光のみを透過することが
できる。すなわち、この反射防止膜１は、赤色フィルタ
となる。In other words, as described above, the antireflection film 1 can transmit only red light of about 630 nm by using the light absorbing film 4 made of iron oxide or the like. That is, the antireflection film 1 becomes a red filter.
【００２８】このため、この反射防止膜１を備えたＣＲ
Ｔディスプレイでは、赤色発光のために用いられる電子
ビームのカソード電流を増大させることなく、高輝度で
赤色を表示することができる。したがって、かかるＣＲ
Ｔディスプレイは、高解像度を維持しつつ、高輝度化を
達成することができる。For this reason, the CR provided with the antireflection film 1
The T display can display red with high brightness without increasing the cathode current of the electron beam used for emitting red light. Therefore, such CR
The T display can achieve high brightness while maintaining high resolution.
【００２９】また、反射防止膜１は、基材２の表面に成
膜されることによって、導電性光吸収膜３が有している
導電性により、基材２の帯電が防止される。また、反射
防止膜１は、導電性光吸収膜３が有している導電性によ
り、基材２からの電界の漏洩が防止される。The antireflection film 1 is formed on the surface of the substrate 2, so that the conductivity of the conductive light absorbing film 3 prevents the substrate 2 from being charged. Further, the antireflection film 1 prevents the electric field from leaking from the base material 2 due to the conductivity of the conductive light absorbing film 3.
【００３０】このとき、反射防止膜１は、反射防止膜１
の表面における電気抵抗が１ｋΩ／□以下であることが
望ましい。これにより、反射防止膜１は、より確実に帯
電防止及び漏洩電界防止の効果を発揮することができ
る。At this time, the anti-reflection film 1 is
Is preferably 1 kΩ / □ or less on the surface. Thereby, the antireflection film 1 can more reliably exhibit the effects of preventing charging and preventing leakage electric field.
【００３１】反射防止膜１は、空気との光学的境界面と
なる第１の低屈折率透明膜５における屈折率が低く、光
吸収膜４及び導電性光吸収膜３で光が吸収されることか
ら、基材２と反対側の面から入射する光の反射が防止さ
れる。反射防止膜１は、導電性光吸収膜３、光吸収膜４
及び第１の低屈折率透明膜５が積層された多層膜である
ため、例えばＴｉＮ等からなる導電性光吸収膜３に酸素
（Ｏ2）等の混入があった場合でも、これら各膜厚を上
述した範囲内で制御することによって、適正な光学定数
に補正される。The anti-reflection film 1 has a low refractive index in the first low-refractive-index transparent film 5 serving as an optical boundary surface with air, and light is absorbed by the light absorbing film 4 and the conductive light absorbing film 3. Therefore, reflection of light incident from the surface opposite to the base material 2 is prevented. The antireflection film 1 includes a conductive light absorbing film 3 and a light absorbing film 4
And the first low-refractive-index transparent film 5 is a multilayer film, so that even if oxygen (O 2 ) or the like is mixed in the conductive light absorbing film 3 made of TiN or the like, for example, Is controlled within the above-described range, whereby the optical constant is corrected to an appropriate value.
【００３２】さらに、反射防止膜１は、波長帯域が４５
０〜６５０ｎｍの光を基材２とは反対側の面から入射さ
せたときの反射率が１．０％以下であることが望まし
い。これにより、反射防止膜１を備えるＣＲＴディスプ
レイ等は、確実に反射を防止することができる。さらに
また、反射防止膜１は、波長帯域が４３０〜６５０ｎｍ
の光における透過率が４０％〜８０％であることが望ま
しい。これにより、反射防止膜１を備えるＣＲＴディス
プレイ等は、コントラストが向上し、視認性に優れたも
のとなる。Further, the antireflection film 1 has a wavelength band of 45.
It is desirable that the reflectance when light of 0 to 650 nm is incident from the surface opposite to the substrate 2 is 1.0% or less. Thus, a CRT display or the like including the antireflection film 1 can reliably prevent reflection. Furthermore, the antireflection film 1 has a wavelength band of 430 to 650 nm.
Is preferably 40% to 80%. Accordingly, a CRT display or the like including the antireflection film 1 has improved contrast and excellent visibility.
【００３３】反射防止膜１においては、各層の材料や膜
厚等を選択することにより、上述した性質を満たすこと
ができる。In the antireflection film 1, the above-mentioned properties can be satisfied by selecting the material and thickness of each layer.
【００３４】ここで、反射防止膜１は、上述したよう
に、導電性光吸収膜３と、光吸収膜４とが独立して構成
されている。そのため、反射防止膜１は、特にＣＲＴデ
ィスプレイに用いられる場合において、ディスプレイ表
示面の反射率を抑え、コントラストを向上させるために
透過率を低くすることが可能であるとともに、光吸収膜
４を赤色フィルタとして用いることで、赤色の透過率を
独立して制御することが可能である。したがって、反射
防止膜１によれば、赤色の輝度を独立して向上させるこ
とができ、ＣＲＴのカソード電流を下げてフォーカス特
性を向上させることができる。Here, as described above, the anti-reflection film 1 is configured such that the conductive light absorption film 3 and the light absorption film 4 are independent. Therefore, when the antireflection film 1 is used particularly for a CRT display, it is possible to suppress the reflectance of the display surface of the display and to lower the transmittance in order to improve the contrast, and to set the light absorption film 4 in red. By using it as a filter, it is possible to independently control the red transmittance. Therefore, according to the antireflection film 1, the luminance of red can be independently improved, and the cathode current of the CRT can be reduced to improve the focus characteristics.
【００３５】以下では、本発明の第１の実施の形態に基
づいて、以下で示すような反射防止膜を作製した場合に
ついて説明する。In the following, a case will be described in which an antireflection film as described below is manufactured based on the first embodiment of the present invention.
【００３６】反射防止膜の材料構成 基材 ：ガラス基板 導電性光吸収膜：ＴｉＮ膜 （膜厚７ｎｍ） 酸化保護膜 ：Ｓｉ3Ｎ4膜 （膜厚３ｎｍ） 光吸収膜 ：Ｆｅ2Ｏ3膜 （膜厚５ｎｍ） 低屈折率透明膜：ＳｉＯ2膜 （膜厚９５ｎｍ） この反射防止膜については、透過率が７５％のときに反
射率が最も小さくなるように、各層の膜厚を最適化して
いる。この反射防止膜の基材とは反対の側から光を入射
させたときの反射率特性を図２に示し、この反射防止膜
における透過率特性を図３に示す。なお、図２に示す反
射率特性及び図３に示す透過率特性は、次のような条件
で、ＴｉＮ膜、Ｓｉ3Ｎ4膜、Ｆｅ2Ｏ3膜、ＳｉＯ2膜を
成膜し、これらについて測定した光学定数に基づいて求
めたものである。Material composition of antireflection film Base material: glass substrate Conductive light absorbing film: TiN film (thickness: 7 nm) Oxidation protective film: Si 3 N 4 film (thickness: 3 nm) Light absorbing film: Fe 2 O 3 film (Thickness: 5 nm) Low refractive index transparent film: SiO 2 film (thickness: 95 nm) With respect to this antireflection film, the thickness of each layer is optimized so that the reflectance is minimized when the transmittance is 75%. ing. FIG. 2 shows the reflectance characteristics when light is incident from the side of the antireflection film opposite to the substrate, and FIG. 3 shows the transmittance characteristics of the antireflection film. The reflectance characteristics shown in FIG. 2 and the transmittance characteristics shown in FIG. 3 are obtained by forming a TiN film, a Si 3 N 4 film, a Fe 2 O 3 film, and a SiO 2 film under the following conditions. Was determined based on the optical constants measured for
【００３７】ＴｉＮ膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：チタン 放電ガス ：アルゴンと窒素の混合ガス（窒素１５
体積％） スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ Ｆｅ2Ｏ3膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：純鉄 放電ガス ：純酸素 スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ ＳｉＯ2膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：シリコン（アルミ１０重量％ドープ） 放電ガス ：アルゴンと窒素の混合ガス（窒素１５
体積％） スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ この反射防止膜は、図２に示すように、可視光域４５０
〜６５０ｎｍでの最大反射率が０．８６％、平均反射率
が０．４３％であり、１．０％を超えておらず、十分な
反射防止機能を有する。また、この反射防止膜は、図３
に示すように、透過率が８０％を超えておらず、ＣＲＴ
ディスプレイに用いた場合に、コントラストの向上に十
分に寄与する。また、この反射防止膜は、Ｆｅ2Ｏ3膜が
赤色フィルタとして機能することによって６３０ｎｍ付
近をピークとした透過率分布を有する。Film forming conditions for TiN film Film forming method: DC reactive sputtering method Target: titanium Discharge gas: mixed gas of argon and nitrogen (nitrogen 15)
(% By volume) Sputter gas pressure: 3 × 10 -3 Torr Fe 2 O 3 film forming conditions Film forming method: DC reactive sputtering method Target: pure iron Discharge gas: pure oxygen Sputter gas pressure: 3 × 10 -3 Torr SiO 2 film formation conditions Film formation method: DC reactive sputtering method Target: silicon (doped with 10% by weight of aluminum) Discharge gas: mixed gas of argon and nitrogen (nitrogen 15
Sputter gas pressure: 3 × 10 −3 Torr This antireflection film has a visible light range of 450 as shown in FIG.
The maximum reflectance at -650 nm is 0.86% and the average reflectance is 0.43%, which does not exceed 1.0%, and has a sufficient antireflection function. Further, this antireflection film is formed as shown in FIG.
As shown in the figure, the transmittance did not exceed 80% and the CRT
When used for a display, it sufficiently contributes to improvement of contrast. Further, the antireflection film has a transmittance distribution that a peak around 630nm by Fe 2 O 3 film functions as a red filter.
【００３８】この反射防止膜においては、Ｆｅ2Ｏ3膜を
独立して自由な厚みで成膜することができ、多層膜全体
としての屈折率及び透過率を補正することができる。し
たがって、この反射防止膜は、ＣＲＴディスプレイに用
いた場合において、ディスプレイ表示面の反射率を抑
え、コントラストを向上させるために透過率を低くする
ことが可能であるとともに、赤色の透過率を独立して制
御することが可能である。In this anti-reflection film, an Fe 2 O 3 film can be independently formed with a free thickness, and the refractive index and transmittance of the entire multilayer film can be corrected. Therefore, when this antireflection film is used for a CRT display, it is possible to suppress the reflectance of the display surface of the display and to lower the transmittance in order to improve the contrast, and to independently control the red transmittance. Can be controlled.
【００３９】次に、本発明の第２の実施の形態について
図面を参照して詳細に説明する。本発明の第２の実施の
形態として示す反射防止膜１０は、図４に示すように、
基材１１のための反射防止膜であって、この基材１１側
から導電性光吸収膜１２と、第２の低屈折率透明膜１３
と、光吸収膜１４と、第１の低屈折率透明膜１５とがこ
の順に形成されてなる。Next, a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. An anti-reflection film 10 shown as a second embodiment of the present invention, as shown in FIG.
An anti-reflection film for the base material 11, comprising a conductive light absorbing film 12 and a second low refractive index transparent film 13
, A light absorbing film 14 and a first low refractive index transparent film 15 are formed in this order.
【００４０】なお、反射防止膜１０は、上述した反射防
止膜１との相違として、導電性光吸収膜１２と光吸収膜
１４との間に第２の低屈折率透明膜１３が形成されてい
る点のみである。したがって、以下の説明においては、
反射防止膜１と同一又は同等な部位についての説明を省
略する。The anti-reflection film 10 is different from the above-described anti-reflection film 1 in that a second low refractive index transparent film 13 is formed between a conductive light absorbing film 12 and a light absorbing film 14. It is only a point. Therefore, in the following description,
The description of the same or equivalent parts as the antireflection film 1 will be omitted.
【００４１】第１の低屈折率透明膜１５及び第２の低屈
折率透明膜１３は、可視光域において透明で且つ光吸収
膜１４及び導電性光吸収膜１２よりも屈折率の低い材料
が選択され、具体的には、シリカ（二酸化珪素Ｓｉ
Ｏ2）等が用いられる。The first low-refractive-index transparent film 15 and the second low-refractive-index transparent film 13 are made of a material that is transparent in the visible light region and has a lower refractive index than the light absorbing film 14 and the conductive light absorbing film 12. Selected specifically, silica (silicon dioxide Si
O 2 ) and the like are used.
【００４２】なお、反射防止膜１０には、この場合にお
いても、導電性光吸収膜１２の酸化を防止するために、
金属や金属窒化物等よりなる酸化バリア層を介在させる
ようにしてもよい。また、反射防止膜１０においても、
十分な酸化防止効果及び反射防止機能を得るために、酸
化バリア層の膜厚が１〜２０ｎｍ程度であることが望ま
しい。In this case, the anti-reflection film 10 is also provided in this case to prevent the conductive light absorbing film 12 from being oxidized.
An oxidation barrier layer made of metal, metal nitride, or the like may be interposed. Also, in the antireflection film 10,
In order to obtain a sufficient anti-oxidation effect and anti-reflection function, the thickness of the oxidation barrier layer is desirably about 1 to 20 nm.
【００４３】反射防止膜１０は、基材１１の表面に成膜
（コーティング）されることによって、基材２における
反射や帯電等を防止するものであり、基材１１の側から
透過する赤色の透過率を制御することができる。The antireflection film 10 is formed on the surface of the substrate 11 so as to prevent reflection and electrification on the substrate 2. The transmittance can be controlled.
【００４４】言い換えると、この反射防止膜１０は、上
述したように、酸化鉄等からなる光吸収膜１４を用いる
ことにより、６３０ｎｍ付近の赤色光のみを透過するこ
とができる。すなわち、この反射防止膜１０は、赤色フ
ィルタとなる。In other words, as described above, by using the light absorbing film 14 made of iron oxide or the like, the antireflection film 10 can transmit only red light having a wavelength of about 630 nm. That is, the antireflection film 10 becomes a red filter.
【００４５】このため、この反射防止膜１０を備えたＣ
ＲＴディスプレイでは、赤色発光のために用いられる電
子ビームのカソード電流を増大させることなく、高輝度
で赤色を表示することができる。したがって、かかるＣ
ＲＴディスプレイは、高解像度を維持しつつ、高輝度化
を達成することができる。Therefore, the C having the anti-reflection film 10
The RT display can display red with high luminance without increasing the cathode current of the electron beam used for emitting red light. Therefore, such C
The RT display can achieve high luminance while maintaining high resolution.
【００４６】また、反射防止膜１０は、基材１１の表面
に成膜されることによって、導電性光吸収膜１２が有し
ている導電性により、基材１１の帯電が防止される。ま
た、反射防止膜１０は、導電性光吸収膜１２が有してい
る導電性により、基材１１からの電界の漏洩が防止され
る。The antireflection film 10 is formed on the surface of the substrate 11, so that the conductivity of the conductive light absorbing film 12 prevents the substrate 11 from being charged. Moreover, the antireflection film 10 prevents the electric field from leaking from the substrate 11 due to the conductivity of the conductive light absorbing film 12.
【００４７】このとき、反射防止膜１０は、反射防止膜
１０の表面における電気抵抗が１ｋΩ／□以下であるこ
とが望ましい。これにより、反射防止膜１０は、より確
実に帯電防止及び漏洩電界防止の効果を発揮することが
できる。At this time, it is desirable that the electric resistance of the anti-reflection film 10 on the surface of the anti-reflection film 10 is 1 kΩ / □ or less. Thereby, the antireflection film 10 can more reliably exhibit the effects of preventing charging and preventing leakage electric field.
【００４８】反射防止膜１０は、空気との光学的境界面
となる第１の低屈折率透明膜１５における屈折率が低
く、光吸収膜１４及び導電性光吸収膜１２で光が吸収さ
れることから、基材１１と反対側の面から入射する光の
反射が防止される。反射防止膜１０は、導電性光吸収膜
１２、第２の低屈折率透明膜１３、光吸収膜１４及び第
１の低屈折率透明膜１５が積層された多層膜であるた
め、例えばＴｉＮ等からなる導電性光吸収膜３に酸素
（Ｏ2）等の混入があった場合でも、これら各膜厚を上
述した範囲内で制御することによって、適正な光学定数
に補正される。The anti-reflection film 10 has a low refractive index in the first low-refractive-index transparent film 15 which is an optical interface with air, and the light is absorbed by the light absorbing film 14 and the conductive light absorbing film 12. Therefore, reflection of light incident from the surface opposite to the base 11 is prevented. The anti-reflection film 10 is a multilayer film in which a conductive light absorption film 12, a second low-refractive-index transparent film 13, a light-absorbing film 14, and a first low-refractive-index transparent film 15 are laminated. Even if oxygen (O 2 ) or the like is mixed in the conductive light absorbing film 3 made of, the film thickness is controlled within the above-mentioned range to correct the optical constant to an appropriate value.
【００４９】さらに、反射防止膜１０は、波長帯域が４
５０〜６５０ｎｍの光を基材１１とは反対側の面から入
射させたときの反射率が１．０％以下であることが望ま
しい。これにより、反射防止膜１０を備えるＣＲＴディ
スプレイ等は、確実に反射を防止することができる。さ
らにまた、反射防止膜１０は、波長帯域が４３０〜６５
０ｎｍの光における透過率が４０％〜８０％であること
が望ましい。これにより、反射防止膜１０を備えるＣＲ
Ｔディスプレイ等は、コントラストが向上し、視認性に
優れたものとなる。Further, the antireflection film 10 has a wavelength band of 4
It is desirable that the reflectance when light of 50 to 650 nm is incident from the surface opposite to the base material 11 be 1.0% or less. Thus, a CRT display or the like including the antireflection film 10 can reliably prevent reflection. Furthermore, the antireflection film 10 has a wavelength band of 430 to 65.
It is desirable that the transmittance at 0 nm light is 40% to 80%. Thereby, the CR including the anti-reflection film 10
The T display and the like have improved contrast and excellent visibility.
【００５０】反射防止膜１０においては、各層の材料や
膜厚等を選択することにより、上述した性質を満たすこ
とができる。In the antireflection film 10, the above-mentioned properties can be satisfied by selecting the material and thickness of each layer.
【００５１】ここで、反射防止膜１０は、上述したよう
に、導電性光吸収膜１２と、光吸収膜１４とが独立して
構成されている。そのため、反射防止膜１０は、特にＣ
ＲＴディスプレイに用いられる場合において、ディスプ
レイ表示面の反射率を抑え、コントラストを向上させる
ために透過率を低くすることが可能であるとともに、光
吸収膜１４を赤色フィルタとして用いることで、赤色の
透過率を独立して制御することが可能である。したがっ
て、反射防止膜１０によれば、赤色の輝度を独立して向
上させることができ、ＣＲＴのカソード電流を下げてフ
ォーカス特性を向上させることができる。Here, as described above, the anti-reflection film 10 is configured such that the conductive light absorbing film 12 and the light absorbing film 14 are independent. Therefore, the antireflection film 10 is particularly
When used in an RT display, it is possible to suppress the reflectance of the display surface of the display and reduce the transmittance in order to improve the contrast, and to use the light absorbing film 14 as a red filter to transmit red light. It is possible to control the rate independently. Therefore, according to the anti-reflection film 10, the luminance of red can be independently improved, and the cathode current of the CRT can be reduced to improve the focus characteristics.
【００５２】また、反射防止膜１０は、第１の低屈折率
透明膜１５と第２の低屈折率透明膜１３とを備えてお
り、低屈折率を有する膜層と高屈折率を有する膜層とが
より多層に形成されて構成されるため、反射防止膜１と
比較して、反射防止性能が優れている。The anti-reflection film 10 includes a first low refractive index transparent film 15 and a second low refractive index transparent film 13, and has a low refractive index film layer and a high refractive index film layer. The anti-reflection film 1 is superior in anti-reflection performance to the anti-reflection film 1 because the anti-reflection film 1 and the anti-reflection film 1 are formed in a multilayer structure.
【００５３】また、反射防止膜１０は、導電性光吸収膜
１２の膜厚が厚いため、反射防止膜１と比較して表面導
電性能が優れている。The anti-reflection film 10 has excellent surface conductivity compared to the anti-reflection film 1 because the thickness of the conductive light absorbing film 12 is large.
【００５４】以下では、本発明の第２の実施の形態に基
づいて、以下で示すような反射防止膜を作製した場合に
ついて説明する。Hereinafter, a case will be described in which an antireflection film as described below is manufactured based on the second embodiment of the present invention.
【００５５】反射防止膜の材料構成 基材 ：ガラス基板 導電性光吸収膜：ＴｉＮ膜 （膜厚２４ｎｍ） 低屈折率透明膜：ＳｉＯ2膜 （膜厚６ｎｍ） 光吸収膜 ：Ｆｅ2Ｏ3膜 （膜厚１１ｎｍ） 低屈折率透明膜：ＳｉＯ2膜 （膜厚８０ｎｍ） この反射防止膜については、透過率が５０％のときに反
射率が最も小さくなるように、各層の膜厚を最適化して
いる。この反射防止膜の基材とは反対の側から光を入射
させたときの反射率特性を図５に示し、この反射防止膜
における透過率特性を図６に示す。なお、図５に示す反
射率特性及び図６に示す透過率特性は、次のような条件
で、ＴｉＮ膜、Ｆｅ2Ｏ3膜、ＳｉＯ2膜を成膜し、これ
らについて測定した光学定数に基づいて求めたものであ
る。Material composition of antireflection film Base material: glass substrate Conductive light absorbing film: TiN film (24 nm thick) Low refractive index transparent film: SiO 2 film (6 nm thick) Light absorbing film: Fe 2 O 3 film (Film thickness: 11 nm) Low refractive index transparent film: SiO 2 film (film thickness: 80 nm) For this antireflection film, the film thickness of each layer is optimized so that the reflectance is minimized when the transmittance is 50%. ing. FIG. 5 shows the reflectance characteristics when light is incident from the side of the antireflection film opposite to the substrate, and FIG. 6 shows the transmittance characteristics of the antireflection film. Note that the reflectance characteristics shown in FIG. 5 and the transmittance characteristics shown in FIG. 6 correspond to the optical constants obtained by forming a TiN film, a Fe 2 O 3 film, and a SiO 2 film under the following conditions. It was obtained based on
【００５６】ＴｉＮ膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：チタン 放電ガス ：アルゴンと窒素の混合ガス（窒素１５
体積％） スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ Ｆｅ2Ｏ3膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：純鉄 放電ガス ：純酸素 スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ ＳｉＯ2膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：シリコン（アルミ１０重量％ドープ） 放電ガス ：アルゴンと窒素の混合ガス（窒素１５
体積％） スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ この反射防止膜は、図５に示すように、可視光域４５０
〜６５０ｎｍでの最大反射率が０．８３％、平均反射率
が０．２４％であり、１．０％を超えておらず、十分な
反射防止機能を有する。また、この反射防止膜は、図６
に示すように、透過率が８０％を超えておらず、ＣＲＴ
ディスプレイに用いた場合に、コントラストの向上に十
分に寄与する。また、この反射防止膜は、Ｆｅ2Ｏ3膜が
赤色フィルタとして機能することによって６３０ｎｍ付
近をピークとした透過率分布を有する。Film formation conditions for TiN film Film formation method: DC reactive sputtering method Target: titanium Discharge gas: mixed gas of argon and nitrogen (nitrogen 15
(% By volume) Sputter gas pressure: 3 × 10 -3 Torr Fe 2 O 3 film forming conditions Film forming method: DC reactive sputtering method Target: pure iron Discharge gas: pure oxygen Sputter gas pressure: 3 × 10 -3 Torr SiO 2 film formation conditions Film formation method: DC reactive sputtering method Target: silicon (doped with 10% by weight of aluminum) Discharge gas: mixed gas of argon and nitrogen (nitrogen 15
Sputter gas pressure: 3 × 10 −3 Torr As shown in FIG.
The maximum reflectance at 650 nm is 0.83%, the average reflectance is 0.24%, does not exceed 1.0%, and has a sufficient antireflection function. Further, this antireflection film is formed as shown in FIG.
As shown in the figure, the transmittance did not exceed 80% and the CRT
When used for a display, it sufficiently contributes to improvement of contrast. Further, the antireflection film has a transmittance distribution that a peak around 630nm by Fe 2 O 3 film functions as a red filter.
【００５７】この反射防止膜においては、Ｆｅ2Ｏ3膜を
独立して自由な厚みで成膜することができ、多層膜全体
としての屈折率及び透過率を補正することができる。し
たがって、この反射防止膜は、ＣＲＴディスプレイに用
いた場合において、ディスプレイ表示面の反射率を抑
え、コントラストを向上させるために透過率を低くする
ことが可能であるとともに、赤色の透過率を独立して制
御することが可能である。In this antireflection film, an Fe 2 O 3 film can be independently formed with a free thickness, and the refractive index and transmittance of the entire multilayer film can be corrected. Therefore, when this antireflection film is used for a CRT display, it is possible to suppress the reflectance of the display surface of the display and to lower the transmittance in order to improve the contrast, and to independently control the red transmittance. Can be controlled.
【００５８】ところで、ＣＲＴディスプレイは、ガラス
パネル自体も光吸収性を有しており、ティントパネル
（透過率５０％）を使用したＣＲＴでは第１の実施の形
態に基づく反射防止膜のような、７５％程度の透過率を
有する反射防止膜を選択することによって、良好なコン
トラストを得られることができる。In a CRT display, a glass panel itself also has a light absorbing property, and a CRT using a tint panel (with a transmittance of 50%) is similar to an anti-reflection film according to the first embodiment. Good contrast can be obtained by selecting an antireflection film having a transmittance of about 75%.
【００５９】一方、ＣＲＴディスプレイにおいては、近
年、ガラスパネルの平面化が進んでいる。ＣＲＴディス
プレイは、ガラスパネルの平面化により、コーナ部での
パネル厚がセンター部でのパネル厚と比較して厚くな
り、コーナ部とセンター部とでの輝度比が大きくなって
しまうという問題があった。On the other hand, in a CRT display, a glass panel has recently been flattened. The CRT display has a problem that, due to the flattening of the glass panel, the panel thickness at the corner becomes thicker than the panel thickness at the center, and the luminance ratio between the corner and the center becomes large. Was.
【００６０】そこで、ＣＲＴディスプレイにおいては、
ガラスパネルを平面化する際に、クリアパネル（透過率
８０％）を使用したＣＲＴを用い、第２の実施の形態に
基づく反射防止膜のような、５０％程度の透過率を有す
る反射防止膜を選択することによって、コーナ部とセン
ター部とでの輝度比を良好に維持したまま、良好なコン
トラストを得ることができる。Therefore, in a CRT display,
When flattening the glass panel, an anti-reflection film having a transmittance of about 50%, such as the anti-reflection film according to the second embodiment, using a CRT using a clear panel (transmittance of 80%) By selecting, it is possible to obtain a good contrast while maintaining a good luminance ratio between the corner portion and the center portion.
【００６１】[0061]
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる反
射防止膜によれば、光吸収膜が、導電性光吸収膜から独
立して設けられて、所定の波長の光に対して極大透過率
を示すように形成されることから、この光吸収膜に用い
られる材料を変えることで、所定の波長の光の透過率を
独立して制御することが容易となる。As described above, according to the antireflection film of the present invention, the light absorption film is provided independently of the conductive light absorption film, and has a maximum transmission for light of a predetermined wavelength. Since the light absorbing film is formed so as to exhibit a light transmittance, it is easy to independently control the transmittance of light having a predetermined wavelength by changing the material used for the light absorbing film.
【図１】本発明の第１の実施の形態として示す反射防止
膜の概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of an antireflection film shown as a first embodiment of the present invention.
【図２】同反射防止膜の反射率特性を示す計算による特
性図である。FIG. 2 is a characteristic diagram by calculation showing a reflectance characteristic of the antireflection film.
【図３】同反射防止膜の透過率特性を示す計算による特
性図である。FIG. 3 is a characteristic diagram by calculation showing transmittance characteristics of the antireflection film.
【図４】本発明の第２の実施の形態として示す反射防止
膜の概略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an antireflection film shown as a second embodiment of the present invention.
【図５】同反射防止膜の反射率特性を示す計算による特
性図である。FIG. 5 is a characteristic diagram by calculation showing a reflectance characteristic of the antireflection film.
【図６】同反射防止膜の透過率特性を示す計算による特
性図である。FIG. 6 is a characteristic diagram by calculation showing transmittance characteristics of the antireflection film.
【符号の説明】 １ 反射防止膜、２ 基材、３ 導電性光吸収膜、４
光吸収膜、５ 低屈折率透明膜[Description of Signs] 1 anti-reflection film, 2 base material, 3 conductive light absorbing film, 4
Light absorbing film, 5 low refractive index transparent film
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/72 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ｚ Ｆターム(参考） 2H091 FA01X FA34X FA37X FB06 FC01 FC02 FD06 GA01 GA02 LA03 LA07 LA12 2K009 AA06 AA07 AA12 BB02 BB11 CC02 CC03 DD04 EE03 5C058 DA01 5G435 AA00 AA01 BB02 BB05 BB06 BB12 DD12 FF14 HH03 KK07Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (reference) H04N 5/72 G02B 1/10 Z F term (reference) 2H091 FA01X FA34X FA37X FB06 FC01 FC02 FD06 GA01 GA02 LA03 LA07 LA12 2K009 AA06 AA07 AA12 BB02 BB11 CC02 CC03 DD04 EE03 5C058 DA01 5G435 AA00 AA01 BB02 BB05 BB06 BB12 DD12 FF14 HH03 KK07
Claims (11)
基材側に導電性光吸収膜が形成され、この導電性光吸収
膜の上に、所定の波長の光に対して極大透過率を示す光
吸収膜と、第１の低屈折率透明膜とがこの順で形成され
てなることを特徴とする反射防止膜。1. An anti-reflection film for a base material, wherein a conductive light absorbing film is formed on the base material side, and a maximum of light of a predetermined wavelength is formed on the conductive light absorbing film. An anti-reflection film comprising a light absorbing film exhibiting a transmittance and a first low refractive index transparent film formed in this order.
なることを特徴とする請求項１記載の反射防止膜。2. The antireflection film according to claim 1, wherein said conductive light absorbing film is made of titanium nitride.
ルからなり、６３０ｎｍ付近に透過率分布のピークを有
することを特徴とする請求項１記載の反射防止膜。3. The anti-reflection film according to claim 1, wherein the light absorption film is made of iron oxide or nickel oxide, and has a transmittance distribution peak near 630 nm.
素からなることを特徴とする請求項１記載の反射防止
膜。4. The antireflection film according to claim 1, wherein said first low refractive index transparent film is made of silicon dioxide.
するガラス基板、プラスティック基板又はプラスティッ
クフィルムであることを特徴とする請求項１記載の反射
防止膜。5. The anti-reflection film according to claim 1, wherein the substrate is a glass substrate, a plastic substrate, or a plastic film constituting a display surface of the display.
記基材とは反対側の面から入射させたときの反射率が、
１．０％以下であることを特徴とする請求項１記載の反
射防止膜。6. The reflectance when light having a wavelength band of 450 to 650 nm is incident from the surface opposite to the base material,
The anti-reflection film according to claim 1, wherein the content is 1.0% or less.
ける透過率が、４０％〜８０％であることを特徴とする
請求項１記載の反射防止膜。7. The antireflection film according to claim 1, wherein a transmittance of light having a wavelength band of 430 to 650 nm is 40% to 80%.
あることを特徴とする請求項１記載の反射防止膜。8. The antireflection film according to claim 1, wherein the surface has an electric resistance of 1 kΩ / □ or less.
間には、金属又は金属窒化物からなる酸化バリア膜が形
成されたことを特徴とする請求項１記載の反射防止膜。9. The anti-reflection film according to claim 1, wherein an oxidation barrier film made of a metal or a metal nitride is formed between said conductive light absorbing film and said light absorbing film.
の間には、第２の低屈折率透明膜が形成されたことを特
徴とする請求項１記載の反射防止膜。10. The anti-reflection film according to claim 1, wherein a second low-refractive-index transparent film is formed between said conductive light-absorbing film and said light-absorbing film.
折率光吸収膜との間には、金属又は金属窒化物からなる
酸化バリア膜が形成されたことを特徴とする請求項１０
記載の反射防止膜。11. An oxide barrier film made of a metal or a metal nitride is formed between said conductive light absorbing film and said first low refractive index light absorbing film.
The antireflection film as described in the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10215806A JP2000047006A (en) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | Antireflection film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10215806A JP2000047006A (en) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | Antireflection film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000047006A true JP2000047006A (en) | 2000-02-18 |
Family
ID=16678574
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10215806A Withdrawn JP2000047006A (en) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | Antireflection film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000047006A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6794809B2 (en) | 2001-02-20 | 2004-09-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display unit having antireflection antistatic film and manufacturing method thereof |
-
1998
- 1998-07-30 JP JP10215806A patent/JP2000047006A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6794809B2 (en) | 2001-02-20 | 2004-09-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display unit having antireflection antistatic film and manufacturing method thereof |
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Legal Events
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20051004 |